JPH075036A - 人体感知センサー及びその製造方法 - Google Patents
人体感知センサー及びその製造方法Info
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- JPH075036A JPH075036A JP5323637A JP32363793A JPH075036A JP H075036 A JPH075036 A JP H075036A JP 5323637 A JP5323637 A JP 5323637A JP 32363793 A JP32363793 A JP 32363793A JP H075036 A JPH075036 A JP H075036A
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
- H10N15/10—Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
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- G—PHYSICS
- G08—SIGNALLING
- G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
- G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
- G08B13/18—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、人体感知センサー及びその製造方
法に関し、人体から発散される赤外線を感知し、その赤
外線から人体の有無及び位置を感知することを目的とす
る。 【構成】 室内の領域を左右及び上下領域に分割し、そ
の分割された領域に存在する物体から発生される赤外線
を投影させるためのレンズ部と、前記レンズ部の赤外線
のうち、人体から発生される赤外線のみをフィルターリ
ングするフィルター部と、前記フィルター部でフィルタ
ーリングされた人体の赤外線から人体の位置を感知する
赤外線センサー部とから構成される人体感知センサーで
ある。
法に関し、人体から発散される赤外線を感知し、その赤
外線から人体の有無及び位置を感知することを目的とす
る。 【構成】 室内の領域を左右及び上下領域に分割し、そ
の分割された領域に存在する物体から発生される赤外線
を投影させるためのレンズ部と、前記レンズ部の赤外線
のうち、人体から発生される赤外線のみをフィルターリ
ングするフィルター部と、前記フィルター部でフィルタ
ーリングされた人体の赤外線から人体の位置を感知する
赤外線センサー部とから構成される人体感知センサーで
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外線センサーを用いた
人体感知センサーに関するもので、詳しくは人体から発
散される赤外線を感知し、その赤外線で人体の位置を感
知する人体感知センサー及びその製造方法に関するもの
である。
人体感知センサーに関するもので、詳しくは人体から発
散される赤外線を感知し、その赤外線で人体の位置を感
知する人体感知センサー及びその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、現在常用しているＨｇＣｄＴｅ
赤外線センサーは感度が高く、誤差が小さいので人工衛
星と敵の動態を把握する軍事用で使用され、非接触時に
温度分布を測定して機械の欠陥又は熱イメージを具現す
る用途で使用される。一方、単位素子として広く使用さ
れている超電形赤外線センサーは前記ＨｇＣｄＴｅ赤外
線イメージセンサーに比べて波長依存度がなく、常温で
作動し得、著しく経済的であり、防犯用と自動戸等に使
用して人体の有無を判断する。
赤外線センサーは感度が高く、誤差が小さいので人工衛
星と敵の動態を把握する軍事用で使用され、非接触時に
温度分布を測定して機械の欠陥又は熱イメージを具現す
る用途で使用される。一方、単位素子として広く使用さ
れている超電形赤外線センサーは前記ＨｇＣｄＴｅ赤外
線イメージセンサーに比べて波長依存度がなく、常温で
作動し得、著しく経済的であり、防犯用と自動戸等に使
用して人体の有無を判断する。
【０００３】しかし、前述したような長所にかかわら
ず、超電形赤外線センサーが広く使用されない理由は、
感度がＨｇＣｄＴｅ赤外線イメージセンサーに比べて１
０倍以上落ちるため、正確な赤外線センサーを必要とす
る軍事用として使用されなかった。一般の人体感知セン
サーに使用される赤外線センサーは、図１に示すよう
に、酸化マンガン（ＭｇＯ）基板１上にＰｂＴｉＯ3 の
ような強誘電体薄膜をスパッタリング工程を用いて蒸着
した後、選択的食刻によりパターン化された構造を有す
る誘電体膜２が形成される。
ず、超電形赤外線センサーが広く使用されない理由は、
感度がＨｇＣｄＴｅ赤外線イメージセンサーに比べて１
０倍以上落ちるため、正確な赤外線センサーを必要とす
る軍事用として使用されなかった。一般の人体感知セン
サーに使用される赤外線センサーは、図１に示すよう
に、酸化マンガン（ＭｇＯ）基板１上にＰｂＴｉＯ3 の
ような強誘電体薄膜をスパッタリング工程を用いて蒸着
した後、選択的食刻によりパターン化された構造を有す
る誘電体膜２が形成される。
【０００４】以後、前記誘電体膜２の両方にポリアミド
３で支持台を形成した後、その誘電体膜２上に金（Ａ
ｕ）のような伝導性の優れた上部電極４を形成する。そ
して、前記酸化マンガン基板１のうち、誘電体膜２と上
部電極４が形成された側の反対側に湿式食刻工程で異方
性エッチングして、前記ポリアミド３により支持された
前記誘電体膜２が残り、その誘電体膜２が残った部分に
ニッケル／クロム（Ｎｉ／Ｃｒ）合金を蒸着して下部電
極５が形成される。
３で支持台を形成した後、その誘電体膜２上に金（Ａ
ｕ）のような伝導性の優れた上部電極４を形成する。そ
して、前記酸化マンガン基板１のうち、誘電体膜２と上
部電極４が形成された側の反対側に湿式食刻工程で異方
性エッチングして、前記ポリアミド３により支持された
前記誘電体膜２が残り、その誘電体膜２が残った部分に
ニッケル／クロム（Ｎｉ／Ｃｒ）合金を蒸着して下部電
極５が形成される。
【０００５】即ち、酸化マンガン基板１上にポリアミド
３が形成され、そのポリアミド３の間に誘電体膜２が形
成され、その誘電体膜２とポリアミド３上に上部電極４
が形成され、前記酸化マンガン基板１の下部に下部電極
５が形成される。このように構成された赤外線センサー
に赤外線が印加されると、下部電極５によりその赤外線
が吸収されて熱に変化し、その熱により誘電体膜２の表
面に電荷差が発生し、その電荷差により上部電極４及び
下部電極５間の電位差が発生する。
３が形成され、そのポリアミド３の間に誘電体膜２が形
成され、その誘電体膜２とポリアミド３上に上部電極４
が形成され、前記酸化マンガン基板１の下部に下部電極
５が形成される。このように構成された赤外線センサー
に赤外線が印加されると、下部電極５によりその赤外線
が吸収されて熱に変化し、その熱により誘電体膜２の表
面に電荷差が発生し、その電荷差により上部電極４及び
下部電極５間の電位差が発生する。
【０００６】そして、上部電極４と下部電極５間の電位
差はコンデンサー電圧に変換され、そのコンデンサー電
圧は増幅され、その増幅されたコンデンサー電圧は処理
されて画像に変化される。
差はコンデンサー電圧に変換され、そのコンデンサー電
圧は増幅され、その増幅されたコンデンサー電圧は処理
されて画像に変化される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の赤外線センサーにおいては、高感度の誘
電体の材料がなく、高感度の誘電体膜が不均一に蒸着さ
れ、センサー間の相互熱的干渉により誤差が発生して、
赤外線センサーの性能が低下する問題点があった。
たような従来の赤外線センサーにおいては、高感度の誘
電体の材料がなく、高感度の誘電体膜が不均一に蒸着さ
れ、センサー間の相互熱的干渉により誤差が発生して、
赤外線センサーの性能が低下する問題点があった。
【０００８】従って、本発明の目的はこのような問題点
を解決するためになされたもので、赤外線センサーの横
方向の熱損失を防ぐために赤外線センサーと赤外線セン
サー間に酸化膜を形成し、縦方向の熱損失を防ぐために
シリコン基板背面に異方性食刻工程を行い、イメージを
赤外線センサーで投影するためのフレネルレンズ（Ｆｒ
ｅｓｎｅｌ ｌｅｎｓ）を赤外線センサー数と同じ数設
置して、人体の有無だけでなく位置感知が可能な人体感
知センサー及びその製造方法を提供することにある。
を解決するためになされたもので、赤外線センサーの横
方向の熱損失を防ぐために赤外線センサーと赤外線セン
サー間に酸化膜を形成し、縦方向の熱損失を防ぐために
シリコン基板背面に異方性食刻工程を行い、イメージを
赤外線センサーで投影するためのフレネルレンズ（Ｆｒ
ｅｓｎｅｌ ｌｅｎｓ）を赤外線センサー数と同じ数設
置して、人体の有無だけでなく位置感知が可能な人体感
知センサー及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、室内の領域を左右及び上下領域に分
割し、その分割された領域に存在する物体から発生され
る赤外線を投影させるためのレンズ部と、前記レンズ部
の赤外線のうち、人体から発生された赤外線のみをフィ
ルターリングするフィルター部と、前記フィルター部で
フィルターリングされた人体の赤外線から人体の位置を
感知する赤外線センサー部とから構成される人体感知セ
ンサーを提供する。
るために本発明は、室内の領域を左右及び上下領域に分
割し、その分割された領域に存在する物体から発生され
る赤外線を投影させるためのレンズ部と、前記レンズ部
の赤外線のうち、人体から発生された赤外線のみをフィ
ルターリングするフィルター部と、前記フィルター部で
フィルターリングされた人体の赤外線から人体の位置を
感知する赤外線センサー部とから構成される人体感知セ
ンサーを提供する。
【００１０】
【実施例】本発明による人体感知センサーは、図２及び
図５に示すように、室内の領域を左右領域（１〜５）と
上下領域（Ａ，Ｂ）とに分割し、前記分割された領域に
存在する物体から発生される赤外線を投影させるための
レンズ部１０と、前記レンズ部１０の赤外線のうち人体
から発生された赤外線のみをフィルターリングするフィ
ルター部２０と、前記フィルター部２０でフィルターリ
ングされた人体の赤外線からその人体の位置を感知する
赤外線センサー部３０とから構成される。
図５に示すように、室内の領域を左右領域（１〜５）と
上下領域（Ａ，Ｂ）とに分割し、前記分割された領域に
存在する物体から発生される赤外線を投影させるための
レンズ部１０と、前記レンズ部１０の赤外線のうち人体
から発生された赤外線のみをフィルターリングするフィ
ルター部２０と、前記フィルター部２０でフィルターリ
ングされた人体の赤外線からその人体の位置を感知する
赤外線センサー部３０とから構成される。
【００１１】即ち、赤外線センサー部３０の上部に安定
間隔を置いて、人体の赤外線の波長のみをフィルターリ
ングするフィルター部２０がパッケージ４０で固定設置
され、外部から入力される波長を赤外線センサー部３０
で投影させるシリンダー形レンズ部１０が赤外線センサ
ー部３０の後方に焦点が合うように固定され、前記赤外
線センサー部３０はパッケージ４０でパッケージングさ
れる。
間隔を置いて、人体の赤外線の波長のみをフィルターリ
ングするフィルター部２０がパッケージ４０で固定設置
され、外部から入力される波長を赤外線センサー部３０
で投影させるシリンダー形レンズ部１０が赤外線センサ
ー部３０の後方に焦点が合うように固定され、前記赤外
線センサー部３０はパッケージ４０でパッケージングさ
れる。
【００１２】ここで、前記レンズ部１０は室内の分割さ
れた領域の数と同一数のフレネルレンズにより構成さ
れ、前記赤外線センサー部３０は前記フレネルレンズ数
と同じ複数の赤外線センサーにより構成される。前記赤
外線センサー部３０の赤外線センサーは、図３Ａ〜図３
Ｃに示すような製造工程により製造される。
れた領域の数と同一数のフレネルレンズにより構成さ
れ、前記赤外線センサー部３０は前記フレネルレンズ数
と同じ複数の赤外線センサーにより構成される。前記赤
外線センサー部３０の赤外線センサーは、図３Ａ〜図３
Ｃに示すような製造工程により製造される。
【００１３】即ち、清潔によく乾燥されたシリコンに不
純物（例えば、Ｂｏｒｏｎ）を強くドーピングさせた基
板３１上に酸化膜（ＳｉＯ2 ）３２が所定厚さに成長さ
せ、前記第１酸化膜３２上に窒化シリコン膜（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）が選択的に蒸着された絶縁膜３３が形成される。そ
して、前記絶縁膜３３の両端に、酸化マスクを用いたＬ
ＯＣＯＳ工程（Ｌｏｃａｌ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ
ｓｉｌｉｃｏｎ）により赤外線センサーと赤外線セン
サー間を分離するための第２酸化膜３４が成長され、前
記絶縁膜３３上にチタン／白金（Ｔｉ／Ｐｔ）の合金が
スパッタリング工程により蒸着された後、選択的食刻に
よりパターンが形成された下部電極３５が形成される。
純物（例えば、Ｂｏｒｏｎ）を強くドーピングさせた基
板３１上に酸化膜（ＳｉＯ2 ）３２が所定厚さに成長さ
せ、前記第１酸化膜３２上に窒化シリコン膜（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）が選択的に蒸着された絶縁膜３３が形成される。そ
して、前記絶縁膜３３の両端に、酸化マスクを用いたＬ
ＯＣＯＳ工程（Ｌｏｃａｌ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ
ｓｉｌｉｃｏｎ）により赤外線センサーと赤外線セン
サー間を分離するための第２酸化膜３４が成長され、前
記絶縁膜３３上にチタン／白金（Ｔｉ／Ｐｔ）の合金が
スパッタリング工程により蒸着された後、選択的食刻に
よりパターンが形成された下部電極３５が形成される。
【００１４】その後、図３（Ｂ）に示すように、前記下
部電極３５上にＰｂＬａＴｉＯのような強誘電体が形成
された後、選択的食刻によりパターンが形成された誘電
体膜３６が形成され、前記誘電体膜３６、下部電極３
５、絶縁膜３３上に第３酸化膜３７が蒸着された後、ニ
ッケル／クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金が蒸着されて上部電
極が形成される。
部電極３５上にＰｂＬａＴｉＯのような強誘電体が形成
された後、選択的食刻によりパターンが形成された誘電
体膜３６が形成され、前記誘電体膜３６、下部電極３
５、絶縁膜３３上に第３酸化膜３７が蒸着された後、ニ
ッケル／クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金が蒸着されて上部電
極が形成される。
【００１５】そして、図３（Ｃ）に示すように、前記基
板１の背面には前記不純物がドーピングされた面まで異
方性食刻工程が行われる。即ち、基板３１上に第１酸化
膜３２と絶縁膜３３が形成され、その絶縁膜３３上に下
部電極３５と誘電体膜３６が形成され、前記誘電体膜３
６上に第３酸化膜３７と上部電極３８が備えられた構造
である。
板１の背面には前記不純物がドーピングされた面まで異
方性食刻工程が行われる。即ち、基板３１上に第１酸化
膜３２と絶縁膜３３が形成され、その絶縁膜３３上に下
部電極３５と誘電体膜３６が形成され、前記誘電体膜３
６上に第３酸化膜３７と上部電極３８が備えられた構造
である。
【００１６】そして、このような製造工程を通じて製造
された赤外線センサーは、図４に示すように、室内の分
割された領域と同じに複数個に配列される。このように
構成された本発明の人体感知センサーの動作過程及び作
用を図２〜図６を参照して説明する。先ず、室内に存在
する人体の位置を感知するために室内を１０個の左右領
域（１〜５）及び上下領域（Ａ，Ｂ）に分割し、その分
割された領域数と同一な１０個の赤外線センサー及びフ
レネルレンズを有する人体感知センサーを例として説明
する。
された赤外線センサーは、図４に示すように、室内の分
割された領域と同じに複数個に配列される。このように
構成された本発明の人体感知センサーの動作過程及び作
用を図２〜図６を参照して説明する。先ず、室内に存在
する人体の位置を感知するために室内を１０個の左右領
域（１〜５）及び上下領域（Ａ，Ｂ）に分割し、その分
割された領域数と同一な１０個の赤外線センサー及びフ
レネルレンズを有する人体感知センサーを例として説明
する。
【００１７】即ち、図５に示すように、室内を左右五つ
の領域（１〜５）と上下二つの領域（Ａ，Ｂ）とに分割
する。前記室内の分割数が多くなると、正確な位置を感
知し得るが、信号処理が複雑になる。前記分割された室
内領域の一つの領域に人が存在すると、その人体から発
散された赤外線は使用形態に応じて、図２及び図６に示
すように、横方向及び縦方向にレンズ部１０のシリンダ
ー形フレネルレンズに印加される。
の領域（１〜５）と上下二つの領域（Ａ，Ｂ）とに分割
する。前記室内の分割数が多くなると、正確な位置を感
知し得るが、信号処理が複雑になる。前記分割された室
内領域の一つの領域に人が存在すると、その人体から発
散された赤外線は使用形態に応じて、図２及び図６に示
すように、横方向及び縦方向にレンズ部１０のシリンダ
ー形フレネルレンズに印加される。
【００１８】この際に、フレネルレンズはポリアミド材
質で形成され、赤外線センサー数とフレネルレンズ数、
つまり室内の分割された領域の数と同じ数で同一領域に
設置されるので、人体の赤外線は各領域に当たる赤外線
センサー部３０に集中し、その集中された赤外線はフィ
ルター部２０に印加される。即ち、人体から発散される
赤外線の領域である７〜９μｍの波長の赤外線のみがフ
ィルター部２０によりフィルターリングされ、室内に存
在する電灯等の赤外線はフィルターリングされなく、フ
ィルター部２０を通過した赤外線は赤外線センサー部３
０の赤外線センサーの上部電極３８に印加される。
質で形成され、赤外線センサー数とフレネルレンズ数、
つまり室内の分割された領域の数と同じ数で同一領域に
設置されるので、人体の赤外線は各領域に当たる赤外線
センサー部３０に集中し、その集中された赤外線はフィ
ルター部２０に印加される。即ち、人体から発散される
赤外線の領域である７〜９μｍの波長の赤外線のみがフ
ィルター部２０によりフィルターリングされ、室内に存
在する電灯等の赤外線はフィルターリングされなく、フ
ィルター部２０を通過した赤外線は赤外線センサー部３
０の赤外線センサーの上部電極３８に印加される。
【００１９】この際に、前記赤外線は上部電極３８によ
り熱に変換され、その変換された熱は第３酸化膜３７を
通じて誘電体膜３６に印加され、その熱の変化は誘電体
膜３６により感知され、その熱に当たる誘電体膜３６の
表面で電荷の差が発生され、その電荷の差による漏出電
流は第３酸化膜３７により防止される。そして、前記誘
電体膜３６で発生される電荷差は上部電極３８と下部電
極３５により発生され、その電位差は増幅され、画像処
理されて人体の位置が感知される。
り熱に変換され、その変換された熱は第３酸化膜３７を
通じて誘電体膜３６に印加され、その熱の変化は誘電体
膜３６により感知され、その熱に当たる誘電体膜３６の
表面で電荷の差が発生され、その電荷の差による漏出電
流は第３酸化膜３７により防止される。そして、前記誘
電体膜３６で発生される電荷差は上部電極３８と下部電
極３５により発生され、その電位差は増幅され、画像処
理されて人体の位置が感知される。
【００２０】そして、前記第２酸化膜３４により、吸収
された熱が横方向に損失されることが防止され、基板３
１の異方性食刻工程によりパターンされるので縦方向の
熱損失が最小に減り、その熱損失の防止により赤外線セ
ンサー部の感度が増加される。
された熱が横方向に損失されることが防止され、基板３
１の異方性食刻工程によりパターンされるので縦方向の
熱損失が最小に減り、その熱損失の防止により赤外線セ
ンサー部の感度が増加される。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の人体感知
センサーによると、室内の分割された領域に相応して赤
外線センサーが形成されて人体の位置を感知し得、赤外
線センサーの製造時に酸化膜を形成して横方向の熱損失
が防止され、基板の背面が異方性食刻工程でパターンさ
れて縦方向の熱損失が防止されるので、赤外線センサー
の効率が向上し、室内の人の有無だけでなく人体の位置
の感知が可能な効果がある。
センサーによると、室内の分割された領域に相応して赤
外線センサーが形成されて人体の位置を感知し得、赤外
線センサーの製造時に酸化膜を形成して横方向の熱損失
が防止され、基板の背面が異方性食刻工程でパターンさ
れて縦方向の熱損失が防止されるので、赤外線センサー
の効率が向上し、室内の人の有無だけでなく人体の位置
の感知が可能な効果がある。
【図１】一般の人体感知センサーの赤外線センサーの構
造を示す斜視図である。
造を示す斜視図である。
【図２】本発明による人体感知センサーの構成と、その
人体感知センサーの縦方向に赤外線が投影される状態を
示す断面図である。
人体感知センサーの縦方向に赤外線が投影される状態を
示す断面図である。
【図３】本発明による人体感知センサーの赤外線の製造
工程（Ａ．Ｂ．Ｃ）を示す断面図である。
工程（Ａ．Ｂ．Ｃ）を示す断面図である。
【図４】本発明による人体感知センサーの赤外線センサ
ーを示す平面図（Ａ）及び断面図（Ｂ）である。
ーを示す平面図（Ａ）及び断面図（Ｂ）である。
【図５】本発明による人体感知センサーの赤外線投影領
域を示す図面である。
域を示す図面である。
【図６】本発明による人体感知センサーの、横方向に赤
外線が投影された状態を示す図面である。
外線が投影された状態を示す図面である。
１０…レンズ部 ２０…フィルター部 ３０…赤外線センサー部 ３１…基板 ３２…第１酸化膜 ３３…絶縁膜 ３４…第２酸化膜 ３５…下部電極 ３６…誘電体膜 ３７…第３酸化膜 ３８…上部電極 ４０…パッケージ
Claims (11)
- 【請求項１】 室内の領域を左右及び上下領域に分割
し、分割された領域に存在する物体から発生する赤外線
を投影するためのレンズ部と、 前記レンズ部からの赤外線のうち、人体から発生された
赤外線のみをフィルターリングするフィルター部と、 前記フィルター部でフィルターリングされた人体の赤外
線に基づき人体の位置を感知する赤外線センサー部とか
ら構成されることを特徴とする人体感知センサー。 - 【請求項２】 請求項１において、前記レンズ部はシリ
ンダー形フレネルレンズにより構成されることを特徴と
する人体感知センサー。 - 【請求項３】 請求項１において、前記レンズ部は、レ
ンズの焦点が前記赤外線センサー部の後方に合うように
設置されることを特徴とする人体感知センサー。 - 【請求項４】 請求項１において、前記赤外線センサー
部は、基板上に酸化膜と絶縁膜が形成され、前記絶縁膜
上に下部電極と誘電体膜が形成され、前記誘電体膜上に
上部電極が形成されたものであることを特徴とする人体
感知センサー。 - 【請求項５】 請求項４において、前記誘電体膜と上部
電極間に、電荷による漏出電流を防止するために第３酸
化膜が形成されることを特徴とする人体感知センサー。 - 【請求項６】 請求項４において、前記絶縁膜の両側
に、横方向の熱損失を防止するための酸化膜が形成され
ることを特徴とする人体感知センサー。 - 【請求項７】 清潔によく乾燥されたシリコンに不純物
を強くドーピングさせた基板上に、第１酸化膜（ＳｉＯ
2 ）を成長させ、前記第１酸化膜上に窒化シリコン膜
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）が選択的に蒸着され絶縁膜が形成される
第１工程と、 前記第１工程の前記絶縁膜上に、赤外線センサーと赤外
線センサー間を分離するための第２酸化膜を成長させ、
前記絶縁膜上に下部電極が形成される第２工程と、 前記第２工程の下部電極上に誘電体膜が形成され、前記
誘電体膜、下部電極、絶縁膜上に第３酸化膜を蒸着させ
た後、上部電極が形成される第３工程と、 前記第１工程の基板の背面に、前記不純物がドーピング
された面まで異方性食刻工程が行われる第４工程と、を
具備することを特徴とする人体感知センサーの製造方
法。 - 【請求項８】 請求項７において、前記第２酸化膜は、
酸化マスクを用いたロコス（Ｌｏｃａｌ ｏｘｉｄａｔ
ｉｏｎ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ）工程により形成される
ことを特徴とする人体感知センサーの製造方法。 - 【請求項９】 請求項７において、前記下部電極は、チ
タン／白金（Ｔｉ／Ｐｔ）の合金がスパッタリング工程
により蒸着された後、選択的食刻によりパターンが形成
されることを特徴とする人体感知センサーの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項７において、前記誘電体膜は、
ＰｂＬａＴｉＯのような強誘電体を蒸着させた後、選択
的食刻によりパターンが形成されることを特徴とする人
体感知センサーの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項７において、前記上部電極は、
ニッケル／クロム（Ｎｉ／Ｃｒ）の合金を蒸着して形成
されることを特徴とする人体感知センサーの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920025469A KR960007828B1 (ko) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 인체 감지센서 및 그 제조 방법 |
| KR25469/1992 | 1992-12-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075036A true JPH075036A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=19346647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5323637A Pending JPH075036A (ja) | 1992-12-24 | 1993-12-22 | 人体感知センサー及びその製造方法 |
Country Status (3)
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|---|---|
| US (1) | US5446285A (ja) |
| JP (1) | JPH075036A (ja) |
| KR (1) | KR960007828B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000215364A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Hochiki Corp | 炎検出装置 |
| JP2002329417A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱線検知センサ付照明器具 |
| JP2002365131A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-18 | Interquartz Malaysia Bhd Representative Office | 広範囲検出器及びその検出範囲拡大方法 |
| WO2018168151A1 (ja) * | 2017-03-17 | 2018-09-20 | 富士フイルム株式会社 | 焦電センサ |
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| US9854227B2 (en) * | 2015-01-08 | 2017-12-26 | David G Grossman | Depth sensor |
| US10823619B2 (en) * | 2016-01-11 | 2020-11-03 | Carrier Corporation | Pyroelectric detector system |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6263825A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体薄膜素子 |
| GB2202084A (en) * | 1987-03-13 | 1988-09-14 | Philips Electronic Associated | Thermal-image sensing devices and their manufacture |
| JP2553569B2 (ja) * | 1987-07-08 | 1996-11-13 | 松下電器産業株式会社 | 焦電型赤外線アレイセンサ |
| EP0354451A3 (en) * | 1988-08-11 | 1992-01-15 | Pittway Corporation | Intrusion detection system |
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-
1992
- 1992-12-24 KR KR1019920025469A patent/KR960007828B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-12-21 US US08/170,776 patent/US5446285A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-22 JP JP5323637A patent/JPH075036A/ja active Pending
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| JPWO2018168151A1 (ja) * | 2017-03-17 | 2019-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 焦電センサ |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940015468A (ko) | 1994-07-21 |
| KR960007828B1 (ko) | 1996-06-12 |
| US5446285A (en) | 1995-08-29 |
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