JPH0750259A - ダイヤモンド半導体素子 - Google Patents
ダイヤモンド半導体素子Info
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- JPH0750259A JPH0750259A JP19441893A JP19441893A JPH0750259A JP H0750259 A JPH0750259 A JP H0750259A JP 19441893 A JP19441893 A JP 19441893A JP 19441893 A JP19441893 A JP 19441893A JP H0750259 A JPH0750259 A JP H0750259A
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- diamond
- diamond semiconductor
- substrate
- ions
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性に優れ、高温で酸素の存在する雰囲気
中でも特性の安定なｐ型ダイヤモンド半導体素子を提供
する。 【構成】 ＳｉＣ等の基体８上に、マイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法等によりダイヤモンド薄膜９を形成し、真空容
器中で９００℃に加熱し、ジボランを導入して放電分解
させるとともに、試料にバイアスを印加して、ホウ素を
含んだガス及びイオン１０をダイヤモンド薄膜９に照射
・注入し、ｐ型のドーピング層１１を形成し、次いで水
素希釈のジボランと，ＮＨ3 の混合ガスを放電分解し、
生成されるホウ素を含んだガス及びイオン１０と、窒素
を含んだガス及びイオン１２によって、ｐ型のドーピン
グ層１１上に絶縁性の窒化ホウ素保護膜１３を形成後、
コンタクトホール１４の開口，及び電極１５の形成を行
ない、半導体素子を得る。
中でも特性の安定なｐ型ダイヤモンド半導体素子を提供
する。 【構成】 ＳｉＣ等の基体８上に、マイクロ波プラズマ
ＣＶＤ法等によりダイヤモンド薄膜９を形成し、真空容
器中で９００℃に加熱し、ジボランを導入して放電分解
させるとともに、試料にバイアスを印加して、ホウ素を
含んだガス及びイオン１０をダイヤモンド薄膜９に照射
・注入し、ｐ型のドーピング層１１を形成し、次いで水
素希釈のジボランと，ＮＨ3 の混合ガスを放電分解し、
生成されるホウ素を含んだガス及びイオン１０と、窒素
を含んだガス及びイオン１２によって、ｐ型のドーピン
グ層１１上に絶縁性の窒化ホウ素保護膜１３を形成後、
コンタクトホール１４の開口，及び電極１５の形成を行
ない、半導体素子を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体工業における半
導体素子に関するものであり、特にダイヤモンドを主材
料とした半導体素子に関するものである。
導体素子に関するものであり、特にダイヤモンドを主材
料とした半導体素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンド半導体は、禁制帯幅が極め
て大きく、誘電率が他の半導体に比較してはるかに小さ
く従って高速動作に望まれる材料特性を有し、更に電
子、正孔の移動度が大きく、このほか化学的に安定、光
学的に高屈折率、紫外光から赤外光までの広範囲の透過
性などの優れた特性を有し、耐熱素子、短波長発光素
子、高発熱パワー素子などへの応用が期待されている。
て大きく、誘電率が他の半導体に比較してはるかに小さ
く従って高速動作に望まれる材料特性を有し、更に電
子、正孔の移動度が大きく、このほか化学的に安定、光
学的に高屈折率、紫外光から赤外光までの広範囲の透過
性などの優れた特性を有し、耐熱素子、短波長発光素
子、高発熱パワー素子などへの応用が期待されている。
【０００３】従来のダイヤモンド半導体素子において
は、Ｓｉ等の基板上に形成したダイヤモンド半導体薄膜
からなるダイヤモンド半導体素子（特開平１−１４３３
２３）、あるいはダイヤモンド半導体薄膜上に絶縁性の
ダイヤモンド薄膜を保護膜として形成したダイヤモンド
半導体素子（特開平２−２７１５２８）があった。
は、Ｓｉ等の基板上に形成したダイヤモンド半導体薄膜
からなるダイヤモンド半導体素子（特開平１−１４３３
２３）、あるいはダイヤモンド半導体薄膜上に絶縁性の
ダイヤモンド薄膜を保護膜として形成したダイヤモンド
半導体素子（特開平２−２７１５２８）があった。
【０００４】図４にＳｉ等の基板上に形成したダイヤモ
ンド半導体薄膜からなる上述した従来のダイヤモンド半
導体素子の概略断面図を示した。図４において１６は基
板，１７はダイヤモンド半導体薄膜，１８は電極を示し
ている。
ンド半導体薄膜からなる上述した従来のダイヤモンド半
導体素子の概略断面図を示した。図４において１６は基
板，１７はダイヤモンド半導体薄膜，１８は電極を示し
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術で、Ｓｉ基
板上に形成したダイヤモンド半導体薄膜を直接用いる素
子、あるいはダイヤモンド半導体薄膜上に絶縁性のダイ
ヤモンド薄膜を保護膜として形成した素子は、酸素の存
在する雰囲気中で使用する場合、８００℃以上の温度で
ダイヤモンドがグラファイト化するため、作製した半導
体素子の特性を劣化させ、所望の特性を得られなくなる
という課題があった。
板上に形成したダイヤモンド半導体薄膜を直接用いる素
子、あるいはダイヤモンド半導体薄膜上に絶縁性のダイ
ヤモンド薄膜を保護膜として形成した素子は、酸素の存
在する雰囲気中で使用する場合、８００℃以上の温度で
ダイヤモンドがグラファイト化するため、作製した半導
体素子の特性を劣化させ、所望の特性を得られなくなる
という課題があった。
【０００６】本発明は、上記従来のダイヤモンド半導体
素子の欠点を改良し、８００℃以上の温度での酸素の存
在する雰囲気中で使用する場合においても、ダイヤモン
ド半導体がグラファイト化せず、特性の安定した薄膜ダ
イヤモンド半導体素子を提供することを目的とする。
素子の欠点を改良し、８００℃以上の温度での酸素の存
在する雰囲気中で使用する場合においても、ダイヤモン
ド半導体がグラファイト化せず、特性の安定した薄膜ダ
イヤモンド半導体素子を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明のダイヤモンド半導体素子は、基体上にｐ型ダ
イヤモンド半導体薄膜が形成され、更にその上にIII 族
元素を含む薄膜が形成されていることを特徴とする。
に本発明のダイヤモンド半導体素子は、基体上にｐ型ダ
イヤモンド半導体薄膜が形成され、更にその上にIII 族
元素を含む薄膜が形成されていることを特徴とする。
【０００８】また、第２番目の本発明のダイヤモンド半
導体素子は、少なくとも表層部がｐ型ダイヤモンド半導
体からなるダイヤモンド基体上に、III 族元素を含む薄
膜が形成されていることを特徴とする。
導体素子は、少なくとも表層部がｐ型ダイヤモンド半導
体からなるダイヤモンド基体上に、III 族元素を含む薄
膜が形成されていることを特徴とする。
【０００９】また、前記いずれのダイヤモンド半導体素
子の構成においても、III 族元素を含む薄膜が、窒化ホ
ウ素薄膜である事が好ましい。
子の構成においても、III 族元素を含む薄膜が、窒化ホ
ウ素薄膜である事が好ましい。
【００１０】
【作用】本発明のダイヤモンド半導体素子は、基体上に
形成されているｐ型ダイヤモンド薄膜上に、または、少
なくとも表層部がｐ型ダイヤモンド半導体からなるダイ
ヤモンド基体上に、III 族元素を含む薄膜を備えること
により、ｐ型ダイヤモンド半導体薄膜が直接大気あるい
は酸素を含んだ雰囲気に晒されない。従って８００℃以
上の温度での酸素の存在する雰囲気中で使用する場合に
おいても、ダイヤモンド半導体がグラファイト化せず、
特性の安定した薄膜ダイヤモンド半導体素子が提供でき
る。
形成されているｐ型ダイヤモンド薄膜上に、または、少
なくとも表層部がｐ型ダイヤモンド半導体からなるダイ
ヤモンド基体上に、III 族元素を含む薄膜を備えること
により、ｐ型ダイヤモンド半導体薄膜が直接大気あるい
は酸素を含んだ雰囲気に晒されない。従って８００℃以
上の温度での酸素の存在する雰囲気中で使用する場合に
おいても、ダイヤモンド半導体がグラファイト化せず、
特性の安定した薄膜ダイヤモンド半導体素子が提供でき
る。
【００１１】また、上記本発明のうち、少なくとも表層
部がｐ型ダイヤモンド半導体からなるダイヤモンド基体
の場合には、基体上にダイヤモンド薄膜を形成する工程
が不要になるので、生産性のよいダイヤモンド半導体素
子が提供できる。
部がｐ型ダイヤモンド半導体からなるダイヤモンド基体
の場合には、基体上にダイヤモンド薄膜を形成する工程
が不要になるので、生産性のよいダイヤモンド半導体素
子が提供できる。
【００１２】またいずれの発明においても、III 族元素
を含む薄膜を形成する際に、基体上のダイヤモンド薄
膜、あるいは、ダイヤモンド基体を構成するダイヤモン
ドへのｐ型のドーパントの導入と同時或は連続してIII
族元素を含む保護膜を形成することもでき、生産性を向
上し得るダイヤモンド半導体素子が提供できる。
を含む薄膜を形成する際に、基体上のダイヤモンド薄
膜、あるいは、ダイヤモンド基体を構成するダイヤモン
ドへのｐ型のドーパントの導入と同時或は連続してIII
族元素を含む保護膜を形成することもでき、生産性を向
上し得るダイヤモンド半導体素子が提供できる。
【００１３】また、III 族元素を含む薄膜が、窒化ホウ
素薄膜である好ましい構成とすることにより、窒化ホウ
素は耐熱性が高いので、より耐熱性の優れたダイヤモン
ド半導体素子を提供できる。
素薄膜である好ましい構成とすることにより、窒化ホウ
素は耐熱性が高いので、より耐熱性の優れたダイヤモン
ド半導体素子を提供できる。
【００１４】
【実施例】以下図面を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明する。 実施例１ 図１に本発明の第１の実施例のダイヤモンド半導体素子
の製造工程概略図を示した。
いて説明する。 実施例１ 図１に本発明の第１の実施例のダイヤモンド半導体素子
の製造工程概略図を示した。
【００１５】真空容器内で、Ｓｉ，石英，ＳｉＣ，ダイ
ヤモンド等の基体１［図１の（ａ）］に、水素希釈のＣ
Ｈ4 （メタン），ＣＯ（一酸化炭素），Ｂ2 Ｈ6 （ジボ
ラン），Ｂ（ＣＨ3 ）3 （トリメチルボロン）等を用
い、２．４５ＧＨｚのマイクロ波によるプラズマＣＶＤ
法等によってｐ型のダイヤモンド薄膜２を形成する［図
１の（ｂ）］。この後に同じ真空容器内で試料（基板
１）の温度を調節し、水素希釈のジボラン，ＮＨ3 （ア
ンモニア）ガスを真空容器中で高周波電力等で放電分解
し、生成されるホウ素を含んだガス及びイオン３と、窒
素を含んだガス及びイオン４によって、ｐ型のダイヤモ
ンド薄膜２上に絶縁性の窒化ホウ素からなる保護膜５を
形成する［図１の（ｃ）］。本実施例では、試料温度を
３００℃で、水素希釈５％のジボラン，及びアンモニア
を真空容器内に導入後、圧力を１Ｔｏｒｒに調整し、マ
イクロ波プラズマＣＶＤ法により絶縁性の窒化ホウ素か
らなる保護膜を形成した。
ヤモンド等の基体１［図１の（ａ）］に、水素希釈のＣ
Ｈ4 （メタン），ＣＯ（一酸化炭素），Ｂ2 Ｈ6 （ジボ
ラン），Ｂ（ＣＨ3 ）3 （トリメチルボロン）等を用
い、２．４５ＧＨｚのマイクロ波によるプラズマＣＶＤ
法等によってｐ型のダイヤモンド薄膜２を形成する［図
１の（ｂ）］。この後に同じ真空容器内で試料（基板
１）の温度を調節し、水素希釈のジボラン，ＮＨ3 （ア
ンモニア）ガスを真空容器中で高周波電力等で放電分解
し、生成されるホウ素を含んだガス及びイオン３と、窒
素を含んだガス及びイオン４によって、ｐ型のダイヤモ
ンド薄膜２上に絶縁性の窒化ホウ素からなる保護膜５を
形成する［図１の（ｃ）］。本実施例では、試料温度を
３００℃で、水素希釈５％のジボラン，及びアンモニア
を真空容器内に導入後、圧力を１Ｔｏｒｒに調整し、マ
イクロ波プラズマＣＶＤ法により絶縁性の窒化ホウ素か
らなる保護膜を形成した。
【００１６】ここで水素希釈５％のジボランの代わりに
窒素希釈のジボランを用いてもよい。また放電分解を用
いない場合には、試料温度を４００℃以上に設定し、高
濃度のジボランとアンモニアガスの熱分解を行って（減
圧ＣＶＤ法）形成する。
窒素希釈のジボランを用いてもよい。また放電分解を用
いない場合には、試料温度を４００℃以上に設定し、高
濃度のジボランとアンモニアガスの熱分解を行って（減
圧ＣＶＤ法）形成する。
【００１７】なお、以上の様な化学的な気相成長（ＣＶ
Ｄ）法を用いずに、ホウ素のイオンあるいは蒸気と、窒
素を含んだイオンあるいは分子の照射を同時に行うこと
によって（イオン蒸着併用法）、絶縁性の窒化ホウ素保
護膜５を形成してもよい。また、絶縁性窒化ホウ素保護
膜５の形成を、窒化ホウ素等をターゲットとしたスパッ
タリング法によって行ってもよい。また、III 族元素を
含む薄膜である保護膜としては窒化ホウ素以外でもよ
く、例えば窒化アルミニウムなどを使用してもよい。窒
化ホウ素は、耐熱性がより高いので好ましい。
Ｄ）法を用いずに、ホウ素のイオンあるいは蒸気と、窒
素を含んだイオンあるいは分子の照射を同時に行うこと
によって（イオン蒸着併用法）、絶縁性の窒化ホウ素保
護膜５を形成してもよい。また、絶縁性窒化ホウ素保護
膜５の形成を、窒化ホウ素等をターゲットとしたスパッ
タリング法によって行ってもよい。また、III 族元素を
含む薄膜である保護膜としては窒化ホウ素以外でもよ
く、例えば窒化アルミニウムなどを使用してもよい。窒
化ホウ素は、耐熱性がより高いので好ましい。
【００１８】以上の様な方法により、ｐ型のダイヤモン
ド薄膜２の形成と保護膜５の形成を同時、或は連続して
行う。ｐ型のダイヤモンド薄膜２，及び保護膜５を形成
した後に、コンタクトホール６の開口，及び電極７の形
成を行ない、半導体素子を完成させる［図１の
（ｄ）］。
ド薄膜２の形成と保護膜５の形成を同時、或は連続して
行う。ｐ型のダイヤモンド薄膜２，及び保護膜５を形成
した後に、コンタクトホール６の開口，及び電極７の形
成を行ない、半導体素子を完成させる［図１の
（ｄ）］。
【００１９】作製されたダイヤモンド半導体素子は、ｐ
型の半導体特性を損なうことなく保護膜を形成すること
ができるとともに、ダイヤモンド半導体薄膜が直接大気
あるいは酸素を含んだ雰囲気に晒されない。従って、生
産性よく、信頼性の優れたダイヤモンド半導体素子を提
供できる。
型の半導体特性を損なうことなく保護膜を形成すること
ができるとともに、ダイヤモンド半導体薄膜が直接大気
あるいは酸素を含んだ雰囲気に晒されない。従って、生
産性よく、信頼性の優れたダイヤモンド半導体素子を提
供できる。
【００２０】実施例２ 図２に本発明の第２の実施例のダイヤモンド半導体素子
の製造工程概略図を示した。
の製造工程概略図を示した。
【００２１】Ｓｉ，石英，ＳｉＣ，ダイヤモンド等の基
体８［図２の（ａ）］上に、マイクロ波プラズマＣＶＤ
法等によりダイヤモンド薄膜９を形成する［図２の
（ｂ）］。この場合、ダイヤモンド薄膜を形成せずに、
ダイヤモンド基板を直接用いてもよい。ダイヤモンド基
板を直接用いた場合には、ダイヤモンド薄膜９を形成す
る工程を省略でき、生産性の上では有利である。
体８［図２の（ａ）］上に、マイクロ波プラズマＣＶＤ
法等によりダイヤモンド薄膜９を形成する［図２の
（ｂ）］。この場合、ダイヤモンド薄膜を形成せずに、
ダイヤモンド基板を直接用いてもよい。ダイヤモンド基
板を直接用いた場合には、ダイヤモンド薄膜９を形成す
る工程を省略でき、生産性の上では有利である。
【００２２】次にこの試料を真空容器に入れ、試料を９
００℃に加熱する。製造装置や作製する素子の構成によ
っては、ダイヤモンド薄膜９の形成後に連続して同一装
置内で行ってもよい。温度が安定した後に、ジボランを
真空容器に導入して放電分解させるとともに、試料を載
せる基板台にバイアスを印加することによって、ホウ素
を含んだガス及びイオン１０をダイヤモンド薄膜９に照
射・注入し、ｐ型のドーピング層１１を形成する［図２
の（ｃ）］。ジボランの代わりに、トリメチルボロン，
ＢＨ3 ＮＨ（ＣＨ3 ），ＢＦ3 等を用いてもよい。例え
ば、試料の温度を９００℃とし、圧力を１Ｔｏｒｒに制
御した０．５％水素希釈のジボランを１３．５６ＭＨｚ
の高周波で放電分解させ、気相からホウ素及びそのイオ
ンをダイヤモンド薄膜９に照射・注入させることによっ
て、ｐ型のドーピング層１１が形成される。このとき、
ジボランの濃度，試料の温度，処理時間等によっては、
基体８を載せる基板台へのバイアスの印加や、ジボラン
の放電分解を行なわなくてもよい。また気相からホウ素
を拡散させるのではなく、高濃度のジボランの放電分解
等により、ホウ素被膜をタイヤモンド上に形成し、温度
を８００℃以上にすることでホウ素被膜からの熱拡散に
よってｐ型のドーピング層１１を形成してもよい。この
後に同じ真空容器内で試料（基板８）の温度を調節し、
水素希釈のジボランと，ＮＨ3 （アンモニア）の混合ガ
スを真空容器中で高周波電力等で放電分解し、生成され
るホウ素を含んだガス及びイオン１０と、窒素を含んだ
ガス及びイオン１２によって、ｐ型のドーピング層１１
上に絶縁性の窒化ホウ素からなる保護膜１３を形成する
［図２の（ｄ）］。本実施例では、試料温度を３００℃
で、水素希釈５％のジボラン，及びアンモニアを真空容
器内に導入後、圧力を１Ｔｏｒｒに調整し、プラズマＣ
ＶＤ法により絶縁性の窒化ホウ素からなる保護膜を形成
した。
００℃に加熱する。製造装置や作製する素子の構成によ
っては、ダイヤモンド薄膜９の形成後に連続して同一装
置内で行ってもよい。温度が安定した後に、ジボランを
真空容器に導入して放電分解させるとともに、試料を載
せる基板台にバイアスを印加することによって、ホウ素
を含んだガス及びイオン１０をダイヤモンド薄膜９に照
射・注入し、ｐ型のドーピング層１１を形成する［図２
の（ｃ）］。ジボランの代わりに、トリメチルボロン，
ＢＨ3 ＮＨ（ＣＨ3 ），ＢＦ3 等を用いてもよい。例え
ば、試料の温度を９００℃とし、圧力を１Ｔｏｒｒに制
御した０．５％水素希釈のジボランを１３．５６ＭＨｚ
の高周波で放電分解させ、気相からホウ素及びそのイオ
ンをダイヤモンド薄膜９に照射・注入させることによっ
て、ｐ型のドーピング層１１が形成される。このとき、
ジボランの濃度，試料の温度，処理時間等によっては、
基体８を載せる基板台へのバイアスの印加や、ジボラン
の放電分解を行なわなくてもよい。また気相からホウ素
を拡散させるのではなく、高濃度のジボランの放電分解
等により、ホウ素被膜をタイヤモンド上に形成し、温度
を８００℃以上にすることでホウ素被膜からの熱拡散に
よってｐ型のドーピング層１１を形成してもよい。この
後に同じ真空容器内で試料（基板８）の温度を調節し、
水素希釈のジボランと，ＮＨ3 （アンモニア）の混合ガ
スを真空容器中で高周波電力等で放電分解し、生成され
るホウ素を含んだガス及びイオン１０と、窒素を含んだ
ガス及びイオン１２によって、ｐ型のドーピング層１１
上に絶縁性の窒化ホウ素からなる保護膜１３を形成する
［図２の（ｄ）］。本実施例では、試料温度を３００℃
で、水素希釈５％のジボラン，及びアンモニアを真空容
器内に導入後、圧力を１Ｔｏｒｒに調整し、プラズマＣ
ＶＤ法により絶縁性の窒化ホウ素からなる保護膜を形成
した。
【００２３】ここで水素希釈５％のジボランの代わりに
窒素希釈のジボランを用いてもよい。また放電分解を用
いない場合には、試料温度を４００℃以上に設定し、高
濃度のジボランとアンモニアガスを用いた減圧ＣＶＤ法
で形成する。なお、以上の様なＣＶＤ法を用いずに、ホ
ウ素イオンの照射を行ってｐ型のドーピング層１１を形
成した後、連続してホウ素のイオンあるいは蒸気と、窒
素を含んだイオンあるいは分子の照射を同時に行うイオ
ン蒸着併用法で、絶縁性の窒化ホウ素からなる保護膜１
３を形成してもよい。また、絶縁性窒化ホウ素保護膜１
３の形成を、窒化ホウ素等をターゲットとしたスパッタ
リング法によって行ってもよい。絶縁性窒化ホウ素保護
膜１３を以上の様な方法により、ｐ型のドーピング層１
１の形成と保護膜１３の形成を同時、或は連続して行
う。
窒素希釈のジボランを用いてもよい。また放電分解を用
いない場合には、試料温度を４００℃以上に設定し、高
濃度のジボランとアンモニアガスを用いた減圧ＣＶＤ法
で形成する。なお、以上の様なＣＶＤ法を用いずに、ホ
ウ素イオンの照射を行ってｐ型のドーピング層１１を形
成した後、連続してホウ素のイオンあるいは蒸気と、窒
素を含んだイオンあるいは分子の照射を同時に行うイオ
ン蒸着併用法で、絶縁性の窒化ホウ素からなる保護膜１
３を形成してもよい。また、絶縁性窒化ホウ素保護膜１
３の形成を、窒化ホウ素等をターゲットとしたスパッタ
リング法によって行ってもよい。絶縁性窒化ホウ素保護
膜１３を以上の様な方法により、ｐ型のドーピング層１
１の形成と保護膜１３の形成を同時、或は連続して行
う。
【００２４】ｐ型のドーピング層１１，及び保護膜１３
を形成した後に、コンタクトホール１４の開口，及び電
極１５の形成を行ない、半導体素子を完成させる［図２
の（ｅ）］。作製されたダイヤモンド半導体素子は、ｐ
型のドーパントの導入と同時或は連続して保護膜を形成
することができるとともに、ダイヤモンド半導体薄膜が
直接大気あるいは酸素を含んだ雰囲気に晒されない。従
って、生産性よく、信頼性の優れたダイヤモンド素子を
提供できる。
を形成した後に、コンタクトホール１４の開口，及び電
極１５の形成を行ない、半導体素子を完成させる［図２
の（ｅ）］。作製されたダイヤモンド半導体素子は、ｐ
型のドーパントの導入と同時或は連続して保護膜を形成
することができるとともに、ダイヤモンド半導体薄膜が
直接大気あるいは酸素を含んだ雰囲気に晒されない。従
って、生産性よく、信頼性の優れたダイヤモンド素子を
提供できる。
【００２５】尚、III 族元素を含む薄膜である保護膜１
３としては窒化ホウ素以外でもよく、例えば窒化アルミ
ニウムなどを使用してもよい。窒化ホウ素は、耐熱性が
より高いので好ましい。
３としては窒化ホウ素以外でもよく、例えば窒化アルミ
ニウムなどを使用してもよい。窒化ホウ素は、耐熱性が
より高いので好ましい。
【００２６】また、図３に本実施例の薄膜ダイヤモンド
素子の図２の（ｄ）における素子の深さ方向の元素濃度
分布の模式図を示した。図中Ｂがホウ素元素の濃度曲
線、Ｃが炭素元素の濃度曲線、Ｓｉがシリコン元素の濃
度曲線を示している。また、基板はＳｉＣの場合であ
る。
素子の図２の（ｄ）における素子の深さ方向の元素濃度
分布の模式図を示した。図中Ｂがホウ素元素の濃度曲
線、Ｃが炭素元素の濃度曲線、Ｓｉがシリコン元素の濃
度曲線を示している。また、基板はＳｉＣの場合であ
る。
【００２７】
【発明の効果】本発明により、８００℃以上の温度での
酸素の存在する雰囲気中で使用する場合においても、特
性の安定した薄膜ダイヤモンド半導体素子を提供するこ
とが可能となる。またｐ型のドーパントの導入を、保護
膜の形成と同時あるいは連続しても行うことができるた
め、生産性のよい、信頼性の優れた薄膜素子を提供する
ことができる。
酸素の存在する雰囲気中で使用する場合においても、特
性の安定した薄膜ダイヤモンド半導体素子を提供するこ
とが可能となる。またｐ型のドーパントの導入を、保護
膜の形成と同時あるいは連続しても行うことができるた
め、生産性のよい、信頼性の優れた薄膜素子を提供する
ことができる。
【００２８】また、少なくとも表層部がｐ型ダイヤモン
ド半導体からなるダイヤモンド基体を基体とした場合に
は、基体上にダイヤモンド薄膜を形成する工程が不要に
なるので、更に生産性のよいダイヤモンド半導体素子を
提供できる。
ド半導体からなるダイヤモンド基体を基体とした場合に
は、基体上にダイヤモンド薄膜を形成する工程が不要に
なるので、更に生産性のよいダイヤモンド半導体素子を
提供できる。
【００２９】また、III 族元素を含む薄膜が、窒化ホウ
素薄膜である好ましい構成とすることにより、より耐熱
性の優れたダイヤモンド半導体素子を提供できる。
素薄膜である好ましい構成とすることにより、より耐熱
性の優れたダイヤモンド半導体素子を提供できる。
【図１】本発明に係る薄膜ダイヤモンド半導体素子の一
実施例の製造工程を示す概略図。
実施例の製造工程を示す概略図。
【図２】本発明に係る薄膜ダイヤモンド半導体素子の別
の一実施例の製造工程を示す概略図。
の一実施例の製造工程を示す概略図。
【図３】本発明に係る薄膜ダイヤモンド半導体素子に係
る第２実施例の図２の（ｄ）における深さ方向の元素濃
度分布図。
る第２実施例の図２の（ｄ）における深さ方向の元素濃
度分布図。
【図４】従来技術に係る薄膜ダイヤモンド半導体素子の
概略断面図。
概略断面図。
１ 基板 ２ ｐ型のダイヤモンド薄膜 ３ ホウ素を含んだガス及びイオン ４ 窒素を含んだガス及びイオン ５ 絶縁性の窒化ホウ素からなる保護膜 ６ コンタクトホール ７ 電極 ８ 基板 ９ ダイヤモンド薄膜 １０ ホウ素を含んだガス及びイオン １１ ｐ型のドーピング層 １２ 窒素を含んだガス及びイオン １３ 絶縁性の窒化ホウ素からなる保護膜 １４ コンタクトホール １５ 電極 １６ 基板 １７ ダイヤモンド半導体薄膜 １８ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平尾 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基体上にｐ型ダイヤモンド半導体薄膜が
形成され、更にその上にIII 族元素を含む薄膜が形成さ
れていることを特徴とするダイヤモンド半導体素子。 - 【請求項２】 少なくとも表層部がｐ型ダイヤモンド半
導体からなるダイヤモンド基体上に、III 族元素を含む
薄膜が形成されていることを特徴とするダイヤモンド半
導体素子。 - 【請求項３】 III 族元素を含む薄膜が、窒化ホウ素薄
膜である請求項１または２に記載のダイヤモンド半導体
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19441893A JPH0750259A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | ダイヤモンド半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19441893A JPH0750259A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | ダイヤモンド半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750259A true JPH0750259A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16324276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19441893A Pending JPH0750259A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | ダイヤモンド半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750259A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9635406B2 (en) | 1998-05-15 | 2017-04-25 | Rovi Guides, Inc. | Interactive television program guide system for determining user values for demographic categories |
| US9736524B2 (en) | 2011-01-06 | 2017-08-15 | Veveo, Inc. | Methods of and systems for content search based on environment sampling |
| US9749693B2 (en) | 2006-03-24 | 2017-08-29 | Rovi Guides, Inc. | Interactive media guidance application with intelligent navigation and display features |
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| US10063934B2 (en) | 2008-11-25 | 2018-08-28 | Rovi Technologies Corporation | Reducing unicast session duration with restart TV |
| US10075746B2 (en) | 1998-07-14 | 2018-09-11 | Rovi Guides, Inc. | Client-server based interactive television guide with server recording |
| US10694256B2 (en) | 2007-03-09 | 2020-06-23 | Rovi Technologies Corporation | Media content search results ranked by popularity |
| US10880607B2 (en) | 2003-11-06 | 2020-12-29 | Rovi Guides, Inc. | Systems and methods for providing program suggestions in an interactive television program guide |
| US10984037B2 (en) | 2006-03-06 | 2021-04-20 | Veveo, Inc. | Methods and systems for selecting and presenting content on a first system based on user preferences learned on a second system |
-
1993
- 1993-08-05 JP JP19441893A patent/JPH0750259A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9635406B2 (en) | 1998-05-15 | 2017-04-25 | Rovi Guides, Inc. | Interactive television program guide system for determining user values for demographic categories |
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