JPH0750242A - 光転写式描画装置 - Google Patents
光転写式描画装置Info
- Publication number
- JPH0750242A JPH0750242A JP5194572A JP19457293A JPH0750242A JP H0750242 A JPH0750242 A JP H0750242A JP 5194572 A JP5194572 A JP 5194572A JP 19457293 A JP19457293 A JP 19457293A JP H0750242 A JPH0750242 A JP H0750242A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- shutter
- panel
- data
- patterns
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数のマスクパターンを簡易に提供し、且つ
露光処理の準備作業を簡略化し、ユーザの要求する仕様
のＬＳＩを簡易に、低コストで製作する。 【構成】 描画装置は、多数のマスクパターンを具現す
る液晶パネル３３を具える。この液晶パネル３３をマス
クに用いれば、具現される透過パターンを変更するだけ
で種々のマスクパターンが得られる。上記透過パターン
は、ディジタル計算機４１から送られてくる制御信号に
基いて、適宜設定／変更される。しかして記憶装置４２
から所望のデータを読み出すだけで、所望のマスクパタ
ーンが得られる。記憶装置４２のデータは、マウス４
５，キーボード４６の操作によって自在に変更できる。
新たにＬＳＩを設計する場合、パターン設計が容易とな
る。又、液晶パネル３３上の透過パターンは表示装置４
４に表示されるため、具現されたパターンをリアルタイ
ムで確認でき、これに変更を加えることも容易になる。
露光処理の準備作業を簡略化し、ユーザの要求する仕様
のＬＳＩを簡易に、低コストで製作する。 【構成】 描画装置は、多数のマスクパターンを具現す
る液晶パネル３３を具える。この液晶パネル３３をマス
クに用いれば、具現される透過パターンを変更するだけ
で種々のマスクパターンが得られる。上記透過パターン
は、ディジタル計算機４１から送られてくる制御信号に
基いて、適宜設定／変更される。しかして記憶装置４２
から所望のデータを読み出すだけで、所望のマスクパタ
ーンが得られる。記憶装置４２のデータは、マウス４
５，キーボード４６の操作によって自在に変更できる。
新たにＬＳＩを設計する場合、パターン設計が容易とな
る。又、液晶パネル３３上の透過パターンは表示装置４
４に表示されるため、具現されたパターンをリアルタイ
ムで確認でき、これに変更を加えることも容易になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光転写式描画装置、更
にはマスクパターンを用いた感光性被膜の露光技術に関
し、例えばウェハ上に形成されたホトレジストの露光に
利用して有用な技術に関する。
にはマスクパターンを用いた感光性被膜の露光技術に関
し、例えばウェハ上に形成されたホトレジストの露光に
利用して有用な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体集積回路装置の製造技術に
おいては、ユーザの要求に応じた、所謂カスタムＬＳＩ
を、低コストで、しかも短い期間内で製造することが望
まれている。
おいては、ユーザの要求に応じた、所謂カスタムＬＳＩ
を、低コストで、しかも短い期間内で製造することが望
まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高集積
化、高性能のＬＳＩの製造技術にあっては、１種類のＬ
ＳＩを製造する場合でも、多数のマスクパターンを用意
しなければならない。従って、ユーザの要求に応じて回
路構成の異なるカスタムＬＳＩを、複数種類製造するに
は、更に多くのマスクパターンを用意しなければならな
い。又、実際に、ＬＳＩを製造する際には、１つの露光
工程毎にマスク交換を行わなければならず、その準備作
業が煩雑化し、能率的な作業を行うことができなかっ
た。
化、高性能のＬＳＩの製造技術にあっては、１種類のＬ
ＳＩを製造する場合でも、多数のマスクパターンを用意
しなければならない。従って、ユーザの要求に応じて回
路構成の異なるカスタムＬＳＩを、複数種類製造するに
は、更に多くのマスクパターンを用意しなければならな
い。又、実際に、ＬＳＩを製造する際には、１つの露光
工程毎にマスク交換を行わなければならず、その準備作
業が煩雑化し、能率的な作業を行うことができなかっ
た。
【０００４】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
ので、多数のマスクパターンを簡易に提供し、しかも、
その露光処理の準備作業を簡略化して、ユーザ個々の要
求にあった所謂カスタムＬＳＩを、簡易に且つ低コスト
で製作することができる光転写式描画装置を提供するこ
とをその目的とする。この発明の前記ならびにそのほか
の目的と新規な特徴については、本明細書の記述および
添附図面から明らかになるであろう。
ので、多数のマスクパターンを簡易に提供し、しかも、
その露光処理の準備作業を簡略化して、ユーザ個々の要
求にあった所謂カスタムＬＳＩを、簡易に且つ低コスト
で製作することができる光転写式描画装置を提供するこ
とをその目的とする。この発明の前記ならびにそのほか
の目的と新規な特徴については、本明細書の記述および
添附図面から明らかになるであろう。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。即ち、本発明の光転写式描画装置では、複
数の異なるマスクパターンを具現することができるパネ
ル型シャッタに、シャッタ制御手段からの制御信号に基
いて所望のマスクパターン（透過パターン）を具現さ
せ、当該マスクパターンを具現しているパネル型シャッ
タをマスクとして用いて、被露光物に描画パターンを描
くようにした。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。即ち、本発明の光転写式描画装置では、複
数の異なるマスクパターンを具現することができるパネ
ル型シャッタに、シャッタ制御手段からの制御信号に基
いて所望のマスクパターン（透過パターン）を具現さ
せ、当該マスクパターンを具現しているパネル型シャッ
タをマスクとして用いて、被露光物に描画パターンを描
くようにした。
【０００６】
【作用】上記シャッタ制御手段からの制御信号を変化さ
せるだけで、パネル型シャッタの透過パターンを決定／
変更することができるので、ＬＳＩの製造に必要な、複
数種類のマスクパターンを、１つのパネル型シャッタで
構成することができる。又、１つのパネル型シャッタが
多数のマスクパターンを具現するので、従来、１つの照
射処理毎に行われていたマスク取替え作業が不要とな
り、作業の簡略化が図られる。
せるだけで、パネル型シャッタの透過パターンを決定／
変更することができるので、ＬＳＩの製造に必要な、複
数種類のマスクパターンを、１つのパネル型シャッタで
構成することができる。又、１つのパネル型シャッタが
多数のマスクパターンを具現するので、従来、１つの照
射処理毎に行われていたマスク取替え作業が不要とな
り、作業の簡略化が図られる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の光転写式描画装置の構成
の概略を示す全体図である。この描画装置は、搭載され
た被露光物（例えばレジストが塗布された半導体ウェ
ハ）１をステップ移動させるＸ−Ｙステージ１０、決定
された光量，パターン縮小率に従ってウェハ１上に露光
光を照射する照射装置２０、パネル型シャッタ３０、及
び、上記Ｘ−Ｙステージ１０，照射装置２０，パネル型
シャッタ３０の各動作制御量を決定する制御装置４０に
よって構成されている。
て説明する。図１は、本発明の光転写式描画装置の構成
の概略を示す全体図である。この描画装置は、搭載され
た被露光物（例えばレジストが塗布された半導体ウェ
ハ）１をステップ移動させるＸ−Ｙステージ１０、決定
された光量，パターン縮小率に従ってウェハ１上に露光
光を照射する照射装置２０、パネル型シャッタ３０、及
び、上記Ｘ−Ｙステージ１０，照射装置２０，パネル型
シャッタ３０の各動作制御量を決定する制御装置４０に
よって構成されている。
【０００８】上記照射装置２０は、光源２１，集光レン
ズ２２，投影レンズ２３等を具え、該照射装置２０から
ステージ１０上のウェハ１に対して照射される露光光
（透過電磁波）の光量、及び、マスクパターンと描画パ
ターンの縮小率が、制御装置４０からの制御信号を受け
た光学系制御装置２５によって制御される。
ズ２２，投影レンズ２３等を具え、該照射装置２０から
ステージ１０上のウェハ１に対して照射される露光光
（透過電磁波）の光量、及び、マスクパターンと描画パ
ターンの縮小率が、制御装置４０からの制御信号を受け
た光学系制御装置２５によって制御される。
【０００９】又、上記パネル型シャッタ３０は、画素が
マトリックス状に配列された液晶パネル３３を具え、当
該パネル３３によって具現される透過パターンは、駆動
制御装置３５によって制御される。即ち、上記駆動制御
装置３５は、制御装置４０からの、透過パターンを表わ
す制御信号に基いて、第１の電極駆動回路３１，第２の
電極駆動回路３２を駆動し、これらの駆動回路３１，３
２の働きによって、マトリックス状に配列された画素
が、各々、露光光の透過が可能な第１状態、又は、透過
が不可能な第２状態の何れかにその状態が切り替えら
れ、当該液晶パネル３３が全体として、所望のマスクパ
ターンを具現するようになっている。
マトリックス状に配列された液晶パネル３３を具え、当
該パネル３３によって具現される透過パターンは、駆動
制御装置３５によって制御される。即ち、上記駆動制御
装置３５は、制御装置４０からの、透過パターンを表わ
す制御信号に基いて、第１の電極駆動回路３１，第２の
電極駆動回路３２を駆動し、これらの駆動回路３１，３
２の働きによって、マトリックス状に配列された画素
が、各々、露光光の透過が可能な第１状態、又は、透過
が不可能な第２状態の何れかにその状態が切り替えら
れ、当該液晶パネル３３が全体として、所望のマスクパ
ターンを具現するようになっている。
【００１０】又、上記制御装置４０は、ディジタル計算
機４１、記憶装置４２、印刷装置４３、表示装置（ＣＲ
Ｔ）４４、カーソル位置付け装置（マウス）４５、キー
ボード４６を具えている。このうちディジタル計算機４
１には、データ操作部として、マウス４５、キーボード
４６が接続され、これらマウス４５，キーボード４６を
操作者が操作することによって、選択された描画パター
ンに関する選択データが、当該計算機４１に入力され
る。上記選択データを受けた計算機４１は、記憶装置４
２に記憶されている複数のマスクパターンデータから、
上記選択データに応じて、所望のパターンデータを選択
し、そのパターンデータを、上記駆動制御装置３５に送
り、液晶パネル３３に所望のマスクパターンを具現させ
る（シャッタ制御手段としての機能）。又、上記ディジ
タル計算機４１には、マウス４５，キーボード４６の操
作によって選択された露光光の強度、縮小率を示す選択
データが入力され、この選択データに応じて上記記憶装
置４２から露光光強度、縮小率に関する制御データを読
み取ると共に、そのデータを上記光学系制御装置２５に
送って、照射制御を行わせる（露光制御手段としての機
能）。又、上記ディジタル計算機４１には、マウス４
５，キーボード４６の操作によって選択されたＸ−Ｙス
テージの動作制御量を示すデータが送られ、このデータ
に基いてステップ動作量等を決定して、当該データをＸ
−Ｙステージ１０の動作制御装置１５に送って、そのス
テップ移動等を行わせる。
機４１、記憶装置４２、印刷装置４３、表示装置（ＣＲ
Ｔ）４４、カーソル位置付け装置（マウス）４５、キー
ボード４６を具えている。このうちディジタル計算機４
１には、データ操作部として、マウス４５、キーボード
４６が接続され、これらマウス４５，キーボード４６を
操作者が操作することによって、選択された描画パター
ンに関する選択データが、当該計算機４１に入力され
る。上記選択データを受けた計算機４１は、記憶装置４
２に記憶されている複数のマスクパターンデータから、
上記選択データに応じて、所望のパターンデータを選択
し、そのパターンデータを、上記駆動制御装置３５に送
り、液晶パネル３３に所望のマスクパターンを具現させ
る（シャッタ制御手段としての機能）。又、上記ディジ
タル計算機４１には、マウス４５，キーボード４６の操
作によって選択された露光光の強度、縮小率を示す選択
データが入力され、この選択データに応じて上記記憶装
置４２から露光光強度、縮小率に関する制御データを読
み取ると共に、そのデータを上記光学系制御装置２５に
送って、照射制御を行わせる（露光制御手段としての機
能）。又、上記ディジタル計算機４１には、マウス４
５，キーボード４６の操作によって選択されたＸ−Ｙス
テージの動作制御量を示すデータが送られ、このデータ
に基いてステップ動作量等を決定して、当該データをＸ
−Ｙステージ１０の動作制御装置１５に送って、そのス
テップ移動等を行わせる。
【００１１】更に、ディジタル計算機４１は、上記した
各種制御量に関するデータを表示装置４４、印刷装置４
３に送り、これらのデータを、作業者が確認できるよう
にしている。しかして、上記制御装置４０では、作業者
が、表示装置４４にて表示されたデータ、又はプリント
アウトされたデータに基いてマウス４５、キーボード４
６を操作することにより、当該透過パターンの修正等、
各種動作制御量の補正を行なうことができるようになっ
ている。
各種制御量に関するデータを表示装置４４、印刷装置４
３に送り、これらのデータを、作業者が確認できるよう
にしている。しかして、上記制御装置４０では、作業者
が、表示装置４４にて表示されたデータ、又はプリント
アウトされたデータに基いてマウス４５、キーボード４
６を操作することにより、当該透過パターンの修正等、
各種動作制御量の補正を行なうことができるようになっ
ている。
【００１２】次に、上記記憶装置４２に記憶されるパタ
ーンデータの決定方法について、図２を参照して説明す
る。尚、この処理は、上記ディジタル計算機４１によっ
て行われる。パネル型シャッタ（３３）にて具現される
マスクパターンを決定するに当たっては、先ず、ユーザ
が要求する機能を達成するための、カスタムＬＳＩの仕
様が決定され（ステップ１）、この仕様に合わせて論理
／回路設計が行なわれる（ステップ２）。次いで上記設
計された論理／回路を達成するためのパターンレイアウ
ト設計が行なわれる（ステップ３）。このレイアウト設
計によって得られたデータは、設計パターンデータとし
て処理され（ステップ４）、その後、当該設計パターン
データを、マスクパターン描画データに変換する処理が
行われる（ステップ５）。上記ステップ５の変換処理に
よって得られたパターン描画データには、更に、当該デ
ィジタル計算機４１によって、近接効果補正等が自動的
に施されて、最終的なパターン描画データが得られる
（ステップ６）。このようにして得られたパターン描画
データは、上記駆動制御装置３５に送られて、液晶パネ
ル３３にて当該パターンが具現される（ステップ７）。
そして、上記パターンが具現されている液晶パネル３３
をマスクとして、ガラス基板若くは半導体ウェハ（共に
図示省略）上のレジストに、当該透過パターンに応じて
描画パターンが描かれる。
ーンデータの決定方法について、図２を参照して説明す
る。尚、この処理は、上記ディジタル計算機４１によっ
て行われる。パネル型シャッタ（３３）にて具現される
マスクパターンを決定するに当たっては、先ず、ユーザ
が要求する機能を達成するための、カスタムＬＳＩの仕
様が決定され（ステップ１）、この仕様に合わせて論理
／回路設計が行なわれる（ステップ２）。次いで上記設
計された論理／回路を達成するためのパターンレイアウ
ト設計が行なわれる（ステップ３）。このレイアウト設
計によって得られたデータは、設計パターンデータとし
て処理され（ステップ４）、その後、当該設計パターン
データを、マスクパターン描画データに変換する処理が
行われる（ステップ５）。上記ステップ５の変換処理に
よって得られたパターン描画データには、更に、当該デ
ィジタル計算機４１によって、近接効果補正等が自動的
に施されて、最終的なパターン描画データが得られる
（ステップ６）。このようにして得られたパターン描画
データは、上記駆動制御装置３５に送られて、液晶パネ
ル３３にて当該パターンが具現される（ステップ７）。
そして、上記パターンが具現されている液晶パネル３３
をマスクとして、ガラス基板若くは半導体ウェハ（共に
図示省略）上のレジストに、当該透過パターンに応じて
描画パターンが描かれる。
【００１３】図３は、上記した描画装置によって具現さ
れたマスクパターンを用いて、その露光処理が行われる
カスタムＬＳＩの一例を示す平面図である。このような
ＬＳＩ５０にあっては、基板上に、メモリ領域が４つの
メモリマット５１，５１…に分割されて形成され、この
近傍に、Ｘデコーダ５２，５２…、Ｙデコーダ５３，５
３…が形成されている。更にセンスアンプ５４，…、カ
ラム選択回路５５，…、バッファ回路５６，…等が、ユ
ーザの要求する仕様に合わせて形成される。尚、図中５
７はタイミングジェネレータ、５８はボンディングパッ
ドである。かかる構成のＬＳＩを形成するにあたって
は、多数のマスクパターンが必要となるが、上記した液
晶パネル３３をマスクとする描画装置を用いれば、記憶
装置４２から読み込む透過パターンデータを、当該ＬＳ
Ｉの各露光工程毎に、適宜選択するだけで所望のマスク
パターンが提供され、複雑な構成のＬＳＩを短期間で製
造することができるようになる。
れたマスクパターンを用いて、その露光処理が行われる
カスタムＬＳＩの一例を示す平面図である。このような
ＬＳＩ５０にあっては、基板上に、メモリ領域が４つの
メモリマット５１，５１…に分割されて形成され、この
近傍に、Ｘデコーダ５２，５２…、Ｙデコーダ５３，５
３…が形成されている。更にセンスアンプ５４，…、カ
ラム選択回路５５，…、バッファ回路５６，…等が、ユ
ーザの要求する仕様に合わせて形成される。尚、図中５
７はタイミングジェネレータ、５８はボンディングパッ
ドである。かかる構成のＬＳＩを形成するにあたって
は、多数のマスクパターンが必要となるが、上記した液
晶パネル３３をマスクとする描画装置を用いれば、記憶
装置４２から読み込む透過パターンデータを、当該ＬＳ
Ｉの各露光工程毎に、適宜選択するだけで所望のマスク
パターンが提供され、複雑な構成のＬＳＩを短期間で製
造することができるようになる。
【００１４】以上詳述したように、本実施例の描画装置
によれば、ＬＳＩの製造に必要な多数のマスクパターン
を、液晶パネル３３が具現するパターンを変更するだけ
で用意できる。しかも、この液晶パネル３３の透過パタ
ーンは、ディジタル計算機４１から送られてくる制御信
号に基いて、適宜設定／変更されるため、記憶装置４２
から所望のパターンデータを選択するだけで、所望のマ
スクパターンが得られる。又、記憶装置４２に記憶され
たパターンデータは、操作者の、マウス４５，キーボー
ド４６の操作によって、自在に変更できるため、新たに
ＬＳＩを設計する場合であっても、そのパターン設計が
容易となる。又、液晶パネル３３で具現されている透過
パターンは、適宜、表示装置４４に表示させ、或は、印
刷装置４３によって印刷することができるため、操作者
は、実際に具現されているパターンデータをリアルタイ
ムで確認でき、しかも、当該パターンデータに変更を加
えることも容易になる。
によれば、ＬＳＩの製造に必要な多数のマスクパターン
を、液晶パネル３３が具現するパターンを変更するだけ
で用意できる。しかも、この液晶パネル３３の透過パタ
ーンは、ディジタル計算機４１から送られてくる制御信
号に基いて、適宜設定／変更されるため、記憶装置４２
から所望のパターンデータを選択するだけで、所望のマ
スクパターンが得られる。又、記憶装置４２に記憶され
たパターンデータは、操作者の、マウス４５，キーボー
ド４６の操作によって、自在に変更できるため、新たに
ＬＳＩを設計する場合であっても、そのパターン設計が
容易となる。又、液晶パネル３３で具現されている透過
パターンは、適宜、表示装置４４に表示させ、或は、印
刷装置４３によって印刷することができるため、操作者
は、実際に具現されているパターンデータをリアルタイ
ムで確認でき、しかも、当該パターンデータに変更を加
えることも容易になる。
【００１５】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、本
実施例では、カスタムＬＳＩのパターン形成について説
明したが、ゲートアレイ方式のＬＳＩの製造にも適用可
能である。以上の説明では主として本発明者によってな
された発明をその背景となった利用分野である半導体ウ
ェハのレジスト露光技術に適用した場合について説明し
たが、この発明はそれに限定されるものでなく、リード
フレーム、薄膜ＩＣ、プリント基板のパターン形成のた
めに行われる描画技術一般に利用することができる。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、本
実施例では、カスタムＬＳＩのパターン形成について説
明したが、ゲートアレイ方式のＬＳＩの製造にも適用可
能である。以上の説明では主として本発明者によってな
された発明をその背景となった利用分野である半導体ウ
ェハのレジスト露光技術に適用した場合について説明し
たが、この発明はそれに限定されるものでなく、リード
フレーム、薄膜ＩＣ、プリント基板のパターン形成のた
めに行われる描画技術一般に利用することができる。
【００１６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。即ち、多数の異なるマスクパターンが
簡易に形成され、しかも該マスクの照射装置へのセット
が容易になるので描画処理の準備作業が簡略化され、ユ
ーザ個々の要求にあったＬＳＩの製作の効率化が図ら
れ、ひいては、製造コストの低減が図られる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。即ち、多数の異なるマスクパターンが
簡易に形成され、しかも該マスクの照射装置へのセット
が容易になるので描画処理の準備作業が簡略化され、ユ
ーザ個々の要求にあったＬＳＩの製作の効率化が図ら
れ、ひいては、製造コストの低減が図られる。
【図１】本実施例の光転写式描画装置の構成の概略を示
す全体図である。
す全体図である。
【図２】記憶装置に記憶されるパターンデータの決定方
法を示すフローである。
法を示すフローである。
【図３】本実施例の光転写式描画装置にてマスクパター
ンを形成して得られたＬＳＩの構成例を示す平面図であ
る。
ンを形成して得られたＬＳＩの構成例を示す平面図であ
る。
２０ 照射装置 ３０ パネル型シャッタ ３３ 液晶パネル ４０ 制御装置 ４１ ディジタル計算機 ４２ 記憶装置 ４４ 表示装置（ＣＲＴ） ４５ マウス ４６ キーボード
Claims (3)
- 【請求項１】 光の透過が可能な第１状態と不可能な第
２状態とに切り替えることができる画素が、マトリック
ス状に配列されたパネル型シャッタと、該パネル型シャ
ッタが具現するパターンデータが記憶されている記憶手
段と、該記憶されているパターンデータに応じて上記画
素を第１，第２の状態の何れかに切り替えるシャッタ制
御手段と、上記パネル型シャッタに露光光を照射して、
該シャッタが具現している透過パターンに応じて被露光
物上に描画パターンを描く露光手段と、該露光手段によ
る光量又は上記透過パターンと描画パターンとの比率を
制御する露光制御手段とを具えてなることを特徴とする
光転写式描画装置。 - 【請求項２】 上記パネル型シャッタは、液晶パネルに
よって構成されていることを特徴とする請求項１に記載
の光転写式描画装置。 - 【請求項３】 上記シャッタ制御手段には、上記パネル
型シャッタにて具現されている透過パターンを、操作者
が視認できるように表示する表示手段と、当該パターン
を設定／変更するためのデータ操作部とが接続されてい
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の光転写式描
画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5194572A JPH0750242A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | 光転写式描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5194572A JPH0750242A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | 光転写式描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750242A true JPH0750242A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16326772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5194572A Pending JPH0750242A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | 光転写式描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750242A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965330A (en) * | 1996-12-06 | 1999-10-12 | Pbh, Inc. | Methods for fabricating annular mask lens having diffraction-reducing edges |
| JP2011071290A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン描画装置 |
| US9603704B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-03-28 | Acufocus, Inc. | In situ adjustable optical mask |
-
1993
- 1993-08-05 JP JP5194572A patent/JPH0750242A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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