JPH07500454A - 粒子検出器の空間分解能の改良 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 粒子検出器の空間分解能の改良 本件出願は１９９１年７月３１日に出願された米国特許出願筒０７／７３８．５ ２９号の一部継続出願である。本発明は、ロウレンス・バークレイ研究所（Ｌａ ｗｒｅｎｃｅ　ＢｅｒｋｅｌｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙ）の運転につき米国エネ ルギー省とカリフォルニア大学の間の契約第ＤＥ−ＡＣ０３−７６ＳＦＯＯＯ９ ８のもとに政府の支持によりなされた。政府は本発明に成る種の権利を有する。

発明の分野 本発明は、粒子検出器の空間分解能の改良、更に詳しくは、粒子検出器中の発光 層に関する。

発明の背景 発光物質、例えば、ヨウ化セシウム（Ｃｓｌ）　、ヨウ化カリウム（にＩ）、ヨ ウ化ルビジウム（Ｒｂｌ）　、セレン化ガリウム（Ｇａ　、　Ｓｅ）　、オキシ 硫酸ガドリニウム（Ｇｄ、０１Ｓ）、オキシ硫酸ランタン（Ｌａ２０□Ｓ）、硫 化カドミウム（ＣｄＳ）　、硫化亜鉛カドミウム（Ｚｎ　ｚＣｄｌ−ｗ　Ｓ）、 タングステン酸カドミウム（ＣｄＷＯｓ）　、または酸化鉛（ＰｂＯ＊）は、高 運動エネルギーの入射荷電粒子または光子を受けて、この運動エネルギーの一部 またする。発光物質により放出された電磁放射線は完全に単一の前方向に向けら れないが、等方性ではないがあらゆる方向に放出される。この放射線の殆どまた は全部が、入射高エネルギー荷電粒子または光子の到達を示す電気信号を与える フォトダイオード層に向かってほぼ前方向に伝搬することが好ましい。この理由 のために、多くの研究者らは発光物質中に含まれる光放出性の原子または分子に より光子の前方向の放出を促進しようと試みていた。

発光層中で生じた放射線のコンバートメンタリゼーシ３ン（ｃｏｍｐａｒｔｗｎ ｔａｌ　ｉｚａ−Ｌｉｏｎ）に関する一つの初期の方法がマツクロード（Ｍａｃ Ｌｅｏｄ）の米国特許第３．０４１．４５６号明細書に開示されており、この方 法では光学上透明な材料の二つの垂直方向にある薄壁が発光物質の薄い隣接層ま たは矩形の平行六面体の間に備えられている。

リグテンベルブ（Ｌｉｇｔｅｎｂｅｒｇ）らにより米国特許第３．８２５．７６ ３号明細書に開示された別の初期の方法は、ガラスまたは金属（例えば、ＡＩま たはＴｉ）の基体を用意し、その上に、ＣｓｌまたはＺ　、　ｃｄ、−、Ｓの薄 いシンチレーション層が特定されていない厚さで付着されている。Ａ１□０．の 分離層がシンチレーション層の露出表面に付着され、そしてＣ３ｔＳｂまたは同 様の物質のフォトカソード層が分離層の露出表面に付着される。基体材料及びシ ンチレーション材料は夫々２−２．５　Ｘ　１０−’　／℃の夫々の熱膨張係数 を有し、そしてシンチレーション材料がその上に付着される場合に基体が高温Ｔ ＝１５０−２００℃に保たれる。次いで基体−シンチレーション層の組み合わせ が室温に冷却され、そして冷却が進行するにつれて亀裂が薄いシンチレーション 層中で発生する。これらの亀裂は、隣接カラム間の小さい空気または真空の間隙 により分離され、そして基体−シンチレーション層の界面にほぼ垂直に延びるシ ンチレーション材料のカラムを生じる。それにより生じた亀裂構造はランダムな 形状及び関連した直径の集合を有する。

グッデン（Ｇｕｄｄｅｎ）らは、米国特許第３．８２９．３７８号明細書に、吸 収性物質をその上に付着したスクリーン上の発光層の使用を開示しており、その 物質の吸収は、位置がスクリーンの中央から端部に向かって変化するにつれて減 少する。この発明は、スクリーンの端部に接近するにつれて減少するスクリーン 輝度の傾向を部分的に相殺する。

Ｘ線スクリーン上に発光層のカラム状構造を製造する方法がルポウスキイ（Ｌｕ −ｂｏｗｓｋｉ）らにより米国特許第４．０６９．３５５明細書に開示されてい る。くぼみまたは谷が下にある基体中で規則的な間隔でエツチングされ、そして 発光物質が基体の***部分にのみ成長される。発光物質の隣接カラム間の間隙が 、高度に反射性の物質またはその他の発光物質で充填される。

ソノダ（Ｓｏｎｏｄａ）は、米国特許第４．２３９．７９１号明細書に、スクリ ーン画像増強装置の製造方法を開示している。加熱されたりん光物質層がアセト ンの如き低温液体物質で処理されて、示差熱収縮を生じ、そして基体−りん光層 界面にほぼ垂直に走っているこの層中の複数の長い亀裂を形成する。これらの亀 裂はりん光物質の光学上独立のカラムを形成すると主張されている。

リイヒマキ（Ｒｉ　ｉｈｉｍａｋｉ）らは、発光層中で生じた光を捕捉し、案内 する複数の規則的に隔置された溝で、特定されていない方法で形成された発光層 を有するＸ線増強スクリーンを開示している。これらの溝は一方向のみに走って おり、光が発光物質（＞１の屈折率を有する）間の空気または真空の間隙（ｌに 等しい屈折率を有する）内でチャネリングされる方法は明らかではない。

パン・ロイネン（Ｖａｎ　Ｌｅｕｎｅｎ）は、米国特許第４．７１２．０１１号 明細書に、リグテンベルブらの発明により製造されたカラム状構造の使用を開示 しており、空気／真空間隙中にＸ線吸収性材料を付着して間隙に入射したＸ線を 吸収する。シンチレーション層の重量の５％までが、間隙に付着されたＸ線吸収 性材料であってもよいが、Ｘ線吸収性材料を付着する方法が説明されていない。

画像増強のためにスクリーンに発光層を蒸着する方法がリグテンベルブらにより 米国特許第４．８４２．８９４号明細書に開示されている。蒸着るつぼがスクリ ーンに垂直に対し約２０°に位置され、そして発光物質のカラム間に形成された 間隙が特定されていない物質（おそらく、空気または真空）の長い気泡であるこ とが明らかである。発光物質は主としてこの物質の結晶性カラムを明らかに形成 する。

ベーラ（Ｂａｔｅｓ）は、Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　 ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｐｈｙｓｉｃｓ、２８Ａ巻。

（１９６９）４５１〜４５９頁に、結晶性Ｃｓｌの使用及び連続の基体の熱によ り誘発された亀裂（亀裂の直径約０．５μｌ１１）を開示している。その後に成 長したＣｓｌが基体亀裂の存在の結果として離れて隔置されたカラムになるか否 かは、明らかではない。

ステベルズ（Ｓｔｅｖｅｌｓ）及びシュラマーデパウ（Ｓｃｈｒａｍａ−ｄｅＰ ａｕｗ）は、Ｐｈ１ｌｊｐｓ　Ｒ−ｅｓｅａｒｃｈ　Ｒｅｐｏｒｔｓ、２９巻（ １９７４）３４１−３５２頁及び３５３−３６２頁に、Ｎａで活性化された蒸着 Ｃｓｌの幾つかの特性を説明している。亀裂がＴ−５０〜３００℃の温度に保た れた基体中で熱により誘発され、続いて厚いか、または薄いＣｓ１（Ｎａ）層が 基体の亀裂表面で成長される。ステベルズらは、基体表面で生成するＣｓｌのカ ラムに関する熱処理、厚いＣｓ１層対薄いＣｓ１層、基体材料（Ｋｌ　、　Ｒｂ ｌまたはその他）及び亀裂の平均直径の効果を説明している。このようなカラム 中の光チャンネリングの可能性が説明されている。

基体上の亀裂モザイク模様により不規則なカラムにされたＣｓｌ物質を使用する Ｘ線画像増強装置がワシダ（Ｗａｓｈｉｄａ）及びソノダによりＡｄｖａｎｃｅ ｓ　ｉｎ　Ｒｌｅｃｔｒｏｎｉ−ｃｓ　ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｐｈｙｓｉ ｃｓ、　５２巻（１９７９）　２０１−２０７頁に開示されている。Ｘ線チャン ネリングの可能性が説明されており、モしてカラム間隔の二つの型が説明されて いる。通常の非カラム状発光物質の使用に関するＸ線強度の最大の改良が約４０ ％であることが明らかである。

フィリップス・エレクトロニクス・アンド・アソシエーテッド・インダストリイ ズ社（Ｐｈｉｌｉｐｓ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　ａｎｄ　Ａｓ５ｏｃｉａｔｅ ｄ　Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ、　Ｌｔｄ、　）に発行されたp 国特許第１．４２３．９３５号は、基体表面上の円形、六角形及び矩形の形態の モザイク亀裂構造の提供を開示している。ヨウ化セシウムまたは同様の発光物質 が、その後、この表面に蒸着される。この蒸着物質の離れて隔置されたカラムが モザイク亀裂構造の結果として生じるか否かは、明らかではない。

上記の研究の殆どまたは全部が、付着発光物質の、たとえあったとしても、カラ ムの形成を与えるために、熱不適合または同様のプロセスにより形成された不規 則なモザイク亀裂構造に頼っている。規則性または制御が、パラメーター、例え ば、カラム直径、隣接カラムの間隔、または発光材料が充分に厚い場合に凝集す るこのようなカラムの傾向につき殆ど有効ではないが、または全く有効ではない 。ここで必要とされるものは、これらのパラメーターの制御を与え、カリこのよ うな構造の形成における融通性を可能にする発光物質のカラム成長の方法である 。

発明の要約 これらの要望は、発光物質と隣接材料の界面に垂直な、規則的な調節可能な形状 、寸法及び直径の一連のカラムを加工する一つ以上の方法を提供する本発明によ り満たされる。これらのカラムは、排気し得る間隙、または空気、光吸収性材料 、または発光性もしくは光反射性物質で充填し得る間隙により分離される。一実 施態様において、ポリイミドまたはその他の適当なエツチング可能な材料の薄層 が基体構造に付着され、そして一連のリッジまたは突出部が所定の幾何学的構造 でポリイミド材料中でエツチングされる。発光物質がリッジを含む表面で徐々に 成長されて（速度≦２５０　ｕｔｎ／時間）、−次元または二次元で間隙により 分離された複数のカラムを生じる。リッジの幅が成長すべき発光層の高さに応じ て変化され、その結果、カラムは凝集しない。また、リッジは基体材料、例えば 、ガラス、プラスチック、金属またはアモルファスもしくは結晶性のシリコンも しくはゲルマニウムに直接エツチングされてもよい。第三の実施態様において、 その構造はフォトダイオード層を含む第一組の層と、発光層を含む第二組の層の “サンドイッチ”として−緒にされる。こうして製造されたカラム状構造は、一 実施態様において、発光物質中の変換により生じた光と関連する光学的法がり係 数（ｓｐ−：ｒｅａｄ　ｆａｃｔｏｒ）を約５８％減少する。

図面の簡単な説明 図１は、本発明により構成された装置の一実施態様の側断面図である。

図２及び図３は、図１中の発光層中に形成されたカラムを示す側断面図である。

図４、図５、図６、図７及び図８は、本発明により下層の上に構成された三角形 、矩形、六角形、卵形及び線形のリッジパターンの略平面図である。

図９は、本発明により構成された装置の第二の実施態様の側断面図である。

図１ＯＡ及び図１０８は、本発明の第三の実施態様を示す断面図である。

図１１は、本発明がＸ線及び荷電粒子検出に使用される場合の空間分解能の改良 の目安を示すグラフ図である。

発明の説明 図１に示された本発明の第一の実施態様１１において、基体１２が備えられてお り、その上にはフォトダイオード層１３が基体表面に付着されている。基体材料 はガラス、プラスチック、セラミック、薄い金属層、例えば、ＡＩもしくはＴｉ 、または結晶性もしくはアモルファスのシリコンもしくはゲルマニウムであって もよく、そしてフォトダイオード物質は水素化アモルファスカラムＩＶ半導体物 質、例えば、ａ−３ｉ：Ｈまたはａ−Ｇｅ：Ｈであることが好ましい。次いで、 インジウム−スズ−酸化物じ１７０”）　、スズ酸化物（１″′）の如き物質の 透明な導電性の薄層１４（スケールにつき図示されていない）、またはその他の 適当な薄い金属フィルムがｔ　−ｔｏ。

ナノメーター（ｎｍ）の厚さを有するフォトダイオード層１３の露出表面に付着 される。

導電層１４は少なくとも部分的に光学上透明であり、導電層の一面に位置された 発光層と、導電層の他の面に位置されたフォトダイオード層１３の間の適当な波 長の電磁放射線（光子）の通過を可能にする。フォトダイオード層１３と導電層 １４は、ここでは隣接している。基体層１２はあらゆる適当な厚さを有していて もよく、またフォトダイオード層１３はアモルファス半導体物質（例えば、ａ− ５ｉ：Ｈまたはａ−Ｇｅ：Ｈ）または結晶性半導体物質（例えば、ｃ−３ｉまた はｃ−Ｇｅ）に関して夫々ｌ−１０μｍまたはｌＯ〜１００μ輸の厚さを有して いてもよい。フォトダイオード層１３は、一端で規則的な間隔でこの層に接続さ れた複数の電気トレース２１を有し、そしてこれらのトレースはそれらの第二の 端部で読取りエレクトロニクス２２（これはフォトダイオード層内で生じた信号 を受け取る）に接続されている。

次いで、厚さｄ＝５〜２０μｍのエツチング可能なパターン材料１５、例えば、 ポリイミド樹脂、５ｉｎｓ、または金属、例えば、ＡＩ、Ｃ「、Ａｕ、　Ａｇ、 　Ｐｄもしくはｐｔのパターン層１５が、示されるように導電層１４の露出表面 に付着される。パターン層１５の部分はエツチングされてパターン材料の規則的 に隔置されたリッジ１６（これらは導電層１４とパターン層の間の界面または表 面１７にほぼ垂直に突出している）の−次元または二次元の配列を生じる。リッ ジ１６は高さくｄｌ）、横方向の厚さまたは幅（ｄ２）を有し、そして距離（ｄ 、）だけ隣接リッジから離れて隔置されている。好ましい実施態様において、こ れらの長さはｄ＋＝５−２０　μｍ　、　ｄ２＝２−２０　ａｍ　、かッｄ、＝ １０−１００μｍである。リッジのこのパターンの“ピッチ”、ｐ＝ｄ２＋　ｄ 、は１５μｌから００８ｍまで変化し得る。エツチング可能なパターン材料１５ のエツチングに際して、この材料の小部分は図１に示されるように界面１７で残 存していてもよい。

または、エツチング可能なパターン材料Ｉ５は、リッジ１６を除いて、界面１７ の下方で除去されてもよい。この後者の状況において、界面１７は、当業者に公 知の方法で、自然酸化物または窒化ケイ素の如きエツチング停止材料の薄層（図 ！に示されていない）で覆われていてもよい。

次いでその構造が低温Ｔ＝５０〜４００℃（好ましくは、Ｔ＝１００〜２５０℃ ）に加熱され、そして発光物質、例えば、Ｃｓｌ　、Ｋｌ、Ｒｂｌ　、ＣｄＳ　 、　ＣｄＷＯｚ、Ｚｎｔ　Ｃｄ＋　−ｔ　Ｓ　１Ｇａ、　Ｓｅ、　Ｇｄ＋ＯｔＳ 、　ｔ、ａ２０ｚｓ、　ｐｂｏ２またはその他の発光物質の発光層１８が、界面 １７及びリッジ１６で５００１ｉｍ／時間以下（好ましくは２５０μｍ時間以下 ）の成長速度で蒸発により高さｄ、約１００〜ｌ、　０００μｍまで徐々に成長 される。この蒸発方法は、横方向の厚さｄ、のリッジ１６の存在のために直径ｄ 　、、、　＜ｄ、の空気または真空の間隙２０により分離された発光物質の一連 のシリンダーまたはカラム１９を生じる。低い成長速度の使用は、発光物質の接 着及び光放出効率を改良する。成る種の発光物質はＮａ　（Ｃｓｌの場合）　、 ＴＩ　（Ｃｓｌの場合）、または稀土類、例えば、Ｃｅ、　Ｐｒ、　Ｎｄもしく はその他の１１の稀土類の一種（Ｇｄ２０１Ｓの場合）で活性化されてもよい。

発光層１８の厚さｄ４が充分に大きくされる場合、隣接カラム１９は層１８の上 部で凝集するが、カラム１９はこの構造の下部で互いに良く分離されることが可 能である。

これが図２に図示される。しかしながら、発光層の厚さｄ、が充分に小さく（例 えば、ｄ、≦１．０００μｍ）保たれ、かつ発光層１８に関する蒸発速度が充分 に小さく保たれる場合、得られる発光層は互いに完全に分離されている発光物質 のカラム１９からなるべきである。例えば、ｄ２：８μｍの幅であるリッジは、 二つの隣接カラムの高さが約４５０μｍに達するまで、閉鎖しないＣｓｌ物質の 二つの隣接カラムの間の間隙を生じる。この効果は、リッジの幅ｄ、にほぼ比例 する。こうして、横方向の幅ｄ２のリッジが成長される場合、間隙の閉鎖を避け るためには、発光層の厚さｄ。

は５０ｄ２以下であることが好ましい。しかしながら、本発明により調製された 厚さｄ、・７０ｄ、、または更にｄ、・ｌ００ｄ、の発光層は、粒子検出に関す る改良された空間分解能を与える。こうして、幅ｄ２＝２０μｍのりッジは、カ ラムの高さｄ、＝１．０００μｍに関して閉鎖しないＣｓｌの二つの隣接カラム の間の間隙を生じると予測される。

上記のその他の発光物質は、同様に定量的に挙動し、その結果、間隙の閉鎖に必 要とされる最小の高さがリッジの幅ｄ２にほぼ比例すると考えられる。

図３に示されるように、実施態様１１（図１）に入射されるエネルギー粒子２３ （高エネルギー光子または塊状荷電粒子）は最初に発光層１８に出会い、そして これらの粒子の運動エネルギーの全部または一部が発光物質により放出される０ 、３μｍ≦λ。５０．７μｍの範囲にある波長λ。の電磁放射線または光子２５ に変換される。光子２５は一般に界面１７（図１）に向かって伝搬し、そして光 子が最初に生成されたカラムの壁に出会い、かっ／またはその壁から反射される 。カラム壁の局所タンジェントに対する光子２３の入射角θが充分に大きい場合 （ｃｓｃｑθ≧Ｃ５Ｃｏｅ＋＝ｎｔ　＝その波長における発光物質の屈折率）、 光子２５は全内部反射を受け、そして光子が最初に運動エネルギー変換により生 成されたカラム内に残存し、そのカラム内て伝搬する。変換放射線が発光物質に より等方的に放出されると仮定される場合、カラム壁から前方向の全内部反射を 受けるこの放出放射線の捕捉分数ｆｔは、 であると決定される。

表１は、関係する幾つかの発光物質に関する屈折率及び捕捉分数ｆ１を示す。

捕捉分数ｆ−が０．５未満であるが、この放射線の多くが、それが生成されるカ ラム内に留まるという事実が、図１の実施態様１１により構成された粒子検出器 の空間分解能を増強する。この捕捉分数ｆｒはカラムの高さからほぼ独立してい る。

表１　発光物質カラムに関する屈折率及び捕捉分数発光物質　屈折率　エユ Ｃｓｌ　１．７８　０．２２ に＋　１．６８　０．２０ Ｒｂｌ　１．６５　０．２０ ＣｄＳ　２．５１　０．３０ Ｚｎ、　Ｃｄ、−、Ｓ　２．３６　（推定”）　０．２９Ｌａ＋０２Ｓ　１．５ ６　０．１８ ＰｂＯ２２，３（推定）　０．１８ 図４、図５、図６、図７及び図８は、図１の実施態様１１に使用されるエツチン グ可能な材料１５に適当な一次元及び二次元のりッジパターンを与える三角形、 矩形、六角形、卵形（または円形）及び“線形”のアレイの略平面図である。図 ８に示された線形アレイ５１は、領域５５の上方に延びており、かつリッジ５３ により形成された間隙により分離された一連の平行なブロックまたはカラムを生 じる。更に一般に、閉鎖された多角形のリッジのアレイが、カラムの初期の形成 及び間隙の分離を規定し、かつ促進するために用意されてもよい。

図９は本発明の第二の実施態様８１を示し、この場合、層の幾つかの順序が逆に される。基体層８３がパターン化され、エツチングされて、基体の隣接表面にほ ぼ垂直に延びる基体材料の一連のリッジ８５を与える。前記のように、基体層の 材料はガラス、プラスチック、薄い金属、または結晶性もしくはアモルファスの シリコンもしくはゲルマニウムであってもよい。また、薄いポリイミド層８４が 基体８３の露出表面に付着され、エツチングにょろりッジ形成に使用されてもよ い。発光物質、例えば、Ｃｓｌ　ＳＫｌ、　Ｒｂｌ　、ＣｄＳ　５Ｚｎ−Ｃｄ１ −ｔ　Ｓ　、　ＣｄＷＯｚ　、ＧａｙＳｅ、　Ｇ４０ｔＳ。

ＬａｔＯ□Ｓまたはｐｂｏ　、を含む発光層８７が、上記の活性化剤のいずれか と共に、または活性化剤を使用しないで、その後、リッジ８５でパターン化され た基体８３の上に徐々に蒸発され、基体温度ＴがＴ＝１００〜２５０℃で比較的 低く保たれる。発光物質は、図１のようにリッジ８５により形成された一連の空 気または真空の間隙９１により分離されている複数のカラム８９になる。ポリイ ミドまたは同様の材料のシーラント層９３が発光層８７の上に付着され、次いで ＋７０または和の光学上透明な導電層９５がシーラント層９３の上に付着される 。最後に、ａ−８ｉ：Ｈ％ａ−Ｇｅ：Ｈまたはこれらの混合物のフォトダイオー ド層９７が導電層の上に付着される。リッジ８５及び発光層８７の直径ｄ１、ｄ ２、ｄ、及びｄ４は図１の場合と同様である。シーラント層９３、導電層９５及 びフォトダイオード層９７は夫々５〜ｌＯμｍ　、１−１００ｎｍ　、及びｌ　 〜ｉｏμｍ（またはｔｏ−１００μｍ）の夫々の範囲の好ましい厚さを有する。

エネルギー粒子９９が構造８１に入射され、そして発光層８７を通過し、その後 、フォトダイオード層９７を通過する。

図１ＯＡは本発明の第三の実施態様を示し、これは二つの別個の組の層として最 初に構成される。第一組の層は、第一基体１０１に付着されたａ−５ｉ：Ｈ，ａ −Ｇｅ：Ｈ（またはこれらの組み合わせ）のフォトダイオード層１０３を有する 任意の厚さの基体１０１を含む。その他の二つの実施態様の場合と同様に、フォ トダイオード層の厚さはアモルファスＳｉまたはＧｅの場合には１〜１０μ論で あってもよく、また結晶性ＳｉまたはＧｅの場合にはｌＯ〜１００μｌであって もよい。第二組の層は第二の基体１０５を含み、その上に発光物質、例えば、Ｃ ｓｌ　、にＩ、　Ｒｂｌ　、　ＣｄＳ　％Ｚｎ＝　Ｃｄ１−３　。

ＣｄｗＯｓ　、Ｇａ、　Ｓｅ、　ＧｄｔＯ＊Ｓ、　ＬａｔＯ＊ＳまたはＰｂＯ， の複数のシリンダーまたはカラム１０７を含む発光層が付着されている。カラム １０７は、リッジ１１１を使用して最初に形成されている複数の一次元または二 次元の間隙１０９により分離されている。

リッジＩｌｌは、順に、ポリイミドもしくはその他の適当なエツチング可能な材 料をエツチングすることにより、または下にある基体１０５をエツチングするこ とにより、第一の実施態様または第二の実施態様と同様に形成される。図１０Ｂ において、第一組の層及び第二組の層は“サンドイッチ”として−緒にされ、必 要により、適当な“接着剤”、例えば、光学用グリース、カナディアン・バルサ ム（Ｃａｎａｄｉａｎ　ｂａｌｓａｍ）またはその他の適当な材料（この材料が 硬化し、そして固化する場合に流出物を生じない）を使用して一緒に保持されて もよい。関連のエレクトロニクス１１３を備えた図１０８に示された組み立て装 置は、その後、改良された空間分解能を有する粒子検出器として作用する。この 第三の実施態様の一つの利点は、第一組の層及び第二組の層が独立に加工し得る ことである。高温かカラム状発光層１０７を加工するのに必要とされる場合、フ ォトダイオード層１０３が別々に加工され、この高温に暴露されない。また、読 取りエレクトロニクスが存在するが、図２、図３、図９及び図１０Ｂには示され ていない。

実施例 以下の操作がポリイミド層中にリッジパターンを生じるのに好ましい。使用され る基体はΔｔ＝３〜ＩＯ分の時間間隔でＴ＝８０℃の温度で脱イオン水中ですす がれるべきである。デュポン円２５５５の如きポリイミド材料を、Δｔ−３０秒 の時間間隔で、または約３．５μｍの厚さのポリイミド層を生しるのに充分な時 間にわたって約３５０Ｏｒｐｍの回転速度で基体の露出表面にスピニングする。

また、そのポリイミド及びフォトレジスト材料の両方を含むデュポン円２７２２ 材料が、円２５５５材料に代えて使用し得る。次いで、基体−ポリイミド層の組 み合わせを温度Ｔ＝９０℃で約３分間ソフトベーキングする。ＫＴＩ　８２０の 如きフォトレジストを、Δｔ＝３０秒の時間間隔で、または２，５〜３．４μ論 の厚さのフォトレジストを生じるのに充分な時間にわたって約３５０Ｏｒｐｍの 回転速度でポリイミド層の上にスピニングする。次いで基体−ポリイミド層−フ ォトレジスト層を温度Ｔ＝１２０℃で２分間ソフトベーキングする。次いでホト リトグラフィー装置及び当業界で知られている操作を使用して、フォトレジスト を約１５秒間にわたって所望のパターンで紫外線に暴露する。次いで照射された フォトレジストを約６０秒間にわたって焼付け、現像する。フォトレジストをコ ダック９３４の如き適当な現像剤に約１２０秒浸漬し、次いですすぎ、乾燥させ る。フォトレジストを現像すると同時に、ポリイミドをエツチングする。次いで 、得られるリッジ構造を、Ｔ　＝　２８０℃の温度で少なくとも１時間、または Ｔ＝３５０℃で０．５時間にわたってハードベーキングまたは硬化する。次いで シンチレーション層材料を、低い蒸発速度を使用して所望の厚さｄ。

：１００〜１．０００μｍでリッジ構造に被覆して、シンチレーション材料のカ ラムを、施されたリッジパターンに一致して形成させる。

図１１は、本発明の一実施態様を使用する空間分解能の改良を示すグラフ図であ る。白丸はａ−Ｓｉ：Ｈフォトダイオード層を有する厚さ４５０μｍのＣｓｌの 通常の未構造化（ｕｎｓｔｒｕｃＬｕｒｅｄ）層を通して受けた光の強さを表し 、ｘ＝１．５００　μｔｕで選択された中央位置付近で５４０μｍの関連ＦＷＨ Ｍを有する。三角は同じ形態のａ−５ｉ＋Ｈフオトダイオ一ド層を有する本発明 により加工された４５０μｍの厚さのＣｓｌのカラム状構造を通して受けた光の 強さを表す。ここで、ＦＷＨＭは２３０μ■であり、これは−次元の点広がり幅 （ｐｏｉｎｔ　５ｐｒｅａｄ　ｗｉｄｔｈ）の約５８％の減少である。二次元の 場合には、点広がり幅の減少は約７２％であると推定される。本明細書に開示さ れた本発明を使用して構成された粒子検出器は、ｌθ〜５０μｍ程度に小さい横 方向の空間上の分離を分解し得る。

図１、図２、図９または図１ＯＡ／ＩＯＢ中の間隙２０もしくは９１または１０ ９は、光吸収性材料、例えば、Ｔｅ５ＳｂまたはＳｎ　（Ｃｓｌの場合に有益で ある）で毛細管作用またはその他により充填されてもよく、本発明により加工さ れた発光層カラム中で生じた光に関連する点広がり係数を減少し得る。この実施 態様を使用して、所定のカラム内で内部反射されない光の殆どが、隣接間隙中の 材料により吸収され、別のこのようなカラム中には現れない。これは、発光層に より生じ、伝搬された光の合計量を減少するが、発光物質の所定のカラム中で生 じた実質的に全ての光がそのカラム内で吸収され、フォトダイオード層（そこで 、関連の読取りエレクトロニクス２２（図１）が、発光物質のどのカラムがその 物質を生じたかを検出する）に伝搬することを確実にすることにより空間分解能 を改良する。ここで使用される吸収性材料は、発光物質により生じた波長の範囲 付近であるが、それより下でその最大値に達する光吸収エツジを有するべきであ る。

本発明の方法において、本発明の検出器のシンチレーション層を含むシリンダー またはカラム構造の間の間隙中に間隙物質を与えることが有利である。この方法 を使用して、空間分解能が１０〜３０％改良し得る。間隙物質は、シンチレーシ ョン層の構造上の保全性を増大すること、及び検出能力の感度を改良することを 含む種々の機能に役に立つ。

間隙物質は、光、粒子、熱、及びその他の因子のカラム内の移動を制限すること により検出の感度を増大する。例えば、低エネルギーＸ線が典型的にカラム中に 発生される。これらは、しばしば、一般に入射角でカラム壁から放出される。

これが起こる場合、低エネルギーＸ線は、普通、隣接カラムに衝突し、隣接カラ ムの検出器中にクロストークを誘発する。このバックグラウンド信号は得られる 検出器の鋭敏性を小さくし、また得られる検出器のその鋭敏性を悪化し、またそ の空間分解能を悪化する。

また、カラム表面の周辺で生じ、また間隙領域に通じているシンチレーション層 の光発生が、バックグラウンドノイズの源である。例えば、内部反射から逃げる 光が隣接カラムに入ることがあり、また生成の実際の位置のフィールドから離れ て散乱することもある。このようなものであるので、それは粒子衝突の空間位置 につき誤った読みを与える。

ランダムな光散乱及び誤った低エネルギーＸ線の検出の不良効果は、間隙物質の 使用により制限でき、または完全に改善し得る。その物質の選択は、所望の結果 と適用の容易の折衷に依存する。例えば、多目的物質は光及びＸ線の両方を吸収 する。このような物質がこれらの機能の両方の点で最適の品質を有していなかっ た場合でさえも、それが妥当なレベルでその両方を実現できるならば、それは選 択される物質であり得る。このような多目的物質の例はＴｌ　１０及ｒｊｗｃ＋ ＠である。

光減衰に関して、３００〜７００ｎｍの波長範囲の光を吸収する間隙物質を用意 することが有益である。また、間隙物質はその性質が反射性であってもよい。こ れは、光信号を適当なカラムに戻すという利点を有する。このような物質の使用 は、光がカラム中に正確に再誘導されることを可能にし、こうして読みの誤りを 防止する。

光吸収性間隙物質に適した候補は、種々の色素及びインキ、ダイケム・ブルー（ Ｄｙｋｅｍ　Ｂｌｕｅ）、水銀及びその塩、金属及びそれらの合金、ヨウ素等で ある。

間隙物質は、カラム内に発生され、そして隣接カラムに到達できる低エネルギー Ｘ線を吸収する能力を有するべきである。この性質は高密度及び好ましくは５０ 以上の高いＺ値により例示される。水銀は高いＺ値及び高密度を有し、こうして 誤った低エネルギーＸ線の優れた吸収剤である。水銀塩が同様の能力を有する。

５０のＺ値で、ヨウ素がＸ線吸収能の許容範囲にある。

所望の物質をシンチレーション層の間隙領域に付着するための種々の方法が利用 できる。二つの有益な方法は、蒸着及び溶質キャリヤーによる適用である。これ らの二つの方法の共通の目的は、層付着の一様性、間隙領域の充分な浸透、及び 基体への層の優れた接着を達成することである。

蒸着は、検出器の種々の成分を損傷しない温度で行われる必要がある。本発明の 一例において、ヨウ化セシウム層がこれに関して制限する材料である。それ故、 この場合に蒸着に選ばれた材料は６５０℃未満の蒸発温度を有する必要がある。

こうして、この方法に良好な候補は３６５℃の蒸発温度を有する水銀であり、ま た２００℃未満の蒸発温度を有するヨウ素である。また、種々の有機化合物及び 無機化合物が蒸着方法に有益である。

蒸着は、シンチレータ−及び間隙物質を密閉容器中に閉じ込めることにより行わ れる。次いで間隙物質が蒸発され、基体表面及び間隙領域に再凝縮される。殆ど の場合、その物質は必要な蒸発を与えるために加熱される。基体は、湿潤及びク リープ効果を増大し、かつ接着性を改良するために加熱されることが好ましい。

短期間の高品質の付着が、基体が加熱されない系と比較して得られる。典型的に は、全体の処理室が温められて室壁の優先的な付着を避ける。

原則として、加熱及びその後の冷却が徐々である程、得られる付着層の性質が微 細である。基体を室の上部に置くことは、室が過飽和になる場合に、沈殿する間 隙物質の小滴を避ける。間隙物質の充填の前に、基体の表面上の液体の生成を避 けることが所望される。加工バラメーターを変更して、凝縮がカラムの間隙領域 内で均一に起こることを確実にすることができる。

また、液体キャリヤー中に溶解または懸濁された物質を使用して、間隙領域を充 填することができる。現在記載されている物質の場合、溶媒としての水が本発明 の物質に対するその不良効果のために撤回される。これに関して有益な溶媒はア セトン、四塩化炭素、無水アルコール等の如き非水性物質である。

付着すべき物質による飽和に近い溶液が一般に好ましいが、この考慮は粘稠な溶 液の不良効果によりバランスされる必要がある。若干の加熱がこの問題を軽減す るのに可能である。

本発明のシンチレーション層の処理に適した溶液は、無水のメチルアルコールも しくは高級アルコールに溶解されたヨウ素、または有機インキの如き市販の染料 材料である。連続の浸漬及び５分間の乾燥が、これらの材料で優れた結果を生じ る。

必要とされる仕上げ工程は、蒸着及び溶液付着方法の両方に共通である。表面レ ベルへの間隙物質の充填が確保されるべきである場合、付着がまた表面で可能と される必要がある。しかしながら、機能性検出器では、この層は除去される必要 がある。この表面被覆物を除去するのに、化学的溶解及び機械研磨を含む多くの 方法が利用できる。

表面フィルムの溶剤除去は、間隙付着物の損傷を避けるために注意して行われる 必要がある。典型的には、溶剤はブロック−の如き吸着剤中に用意され、表面か らふき取られる。これは、目視観察が望ましくないフィルムの除去を示すまで行 われる。

また、機械研磨が過剰のフィルム層を除去するのに使用し得る。簡単なサンディ ングまたはこすり落としがしばしば本発明の要件のために表面化する。これは付 加的な成分の適用のために表面を調製するという有利な効果を有し得る。

ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、８ ＦＩＧ、ＩＯＢ 位置（μｍ） ＦＩＧ、１１ フロントページの続き （８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、ＢＥ、ＣＨ，ＤＥ。

ＤＫ、　ＥＳ、　ＦＲ，ＧＢ、　ＧＲ，ＩＴ、　ＬＵ、　ＭＣ，ＮＬ、ＳＥ）、 ＣＡ、ＪＰ、ＫＲ，ＲＵ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．改良された空間分解能を有するＸ線及び高エネルギー荷電粒子の検出器の製 造方法であって、 導電性表面を有する材料の基体層を用意する工程；ａ−Ｓｉ：Ｈ、ａ−Ｇｅ：Ｈ 、またはその他の適当なアモルファス半導体材料を含む粒子検出器層を基体層の 導電性表面に形成する工程；粒子検出器層に隣接した導電性材料の導電層（これ は０．３μｍ≦λ≦０．７μｍの範囲の波長λを有する入射光に対し少なくとも 部分的に透明である）を形成する工程（その結果、粒子検出器層は基体層と導電 層の間にある）；導電層に隣接したパターン形成層（少なくとも所定の最小厚さ を有し、かつエッチング可能な材料を含む）を形成する工程（その結果、導電層 は粒子検出器層とパターン形成層の間にある）； パターン形成層に所定のパターンをエッチングする工程（その結果、エッチング 可能な材料がパターン形成層の露出表面に横方向の幅ｄの複数のリッジまたは突 出部を形成する）；及び その時の高エネルギー粒子の受容に応じて０．３〜０．７μｍの範囲の波長の光 を生じるシンチレーション材料のシンチレーション層を、５００μｍ／時間以下 の成長速度で、５０℃≦Ｔ≦４００℃の範囲の温度Ｔで、１００ｄ以下の厚さで 形成する工程 を含み、それによりシンチレーション材料が所定のパターンに一致する間隙によ り分離されたシリンダーまたはカラムを形成することを特徴とする検出器の製造 方法。 ２．前記のシンチレーション層材料を、ＣｓＩ、ＫＩ、ＲｂＩ、ＣｄＳ、Ｚｎｘ Ｃｄ１−ｘＳ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ、ＧａｙＳｅ、ＣｄＷＯ３及びＰｂ Ｏｚからなる類から選ぶ工程を更に含む請求の範囲第１項に記載の方法。 ３．前記の導電層材料を、ＩＴＯ、ＴＯ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びＰ ｔからなる類から選ぶ工程を更に含む請求の範囲第１項に記載の方法。 ４．前記のパターン形成層材料を、ポリイミド、アモルファスシリコン、結晶性 シリコン、アモルファスゲルマニウム、結晶性ゲルマニウム、または金属、例え ば、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ及びＰｄからなる類から選ぶ工程を更に含む 請求の範囲第１項に記載の方法。 ５．前記のパターン形成層の前記の所定のパターンを、三角形、四辺形、六角形 、卵形及び線形アレイパターンからなる類から選ぶ工程を更に含む請求の範囲第 ４項に記載の方法。 ６．前記のカラム間の前記の間隙を物質で充填する工程を更に含む請求の範囲第 １項に記載の方法。 ７．前記のシンチレーション層の成長速度を２５０μｍ／時間以下であるように 選ぶ工程を更に含む請求の範囲第１項に記載の方法。 ８．前記の温度Ｔを１００℃≦Ｔ≦２５０℃の範囲にあるように選ぶ工程を更に 含む請求の範囲第１項に記載の方法。 ９．前記のシンチレーション層の前記の厚さを５０ｄ以下であるように選ぶ工程 を更に含む請求の範囲第１項に記載の方法。 １０．前記の横方向の幅ｄを２〜２０μｍの範囲にあるように選ぶ工程を更に含 む請求の範囲第１項に記載の方法。 １１．改良された空間分解能を有するＸ線及び高エネルギー荷電粒子の検出器の 製造方法であって、 導電性表面を有し、かつエッチング可能な材料を含む材料の基体層を用意する工 程； 所定のパターンを基体の導電性表面にエッチングする工程（その結果、エッチン グ可能な材料が基体表面の導電性表面に横方向の幅ｄの複数の突出部を形成する ）； その時の高エネルギー粒子の受容に応じて０．３μｍ≦λ≦０．７μｍの範囲の 波長λの光を生じるシンチレーション材料のシンチレーション層を、５００μｍ ／時間以下の成長速度で、５０℃≦Ｔ≦４００℃の範囲の温度Ｔで、１００ｄ以 下の厚さで形成する工程 シンチレーション層の露出表面にシーラント材料の薄層を形成する工程（その結 果、シンチレーション層は基体層とエッチング可能な材料層の間にある）；シー ラント材料層の露出表面に隣接した導電性材料の導電層（これは０．３μｍ≦λ ≦０．７μｍの範囲にある波長を有する入射光に対し少なくとも部分的に透明で ある）を形成する工程（その結果、シーラント材料層はシンチレーション層と導 電層の間にある）； 導電層の露出表面に隣接し、かつａ−Ｓｉ：Ｈ、ａ−Ｇｅ：Ｈ、またはその他の 適当なアモルファス半導体材料を含む粒子検出層を形成する工程を含み、それに よりシンチレーション材料が所定のパターンに一致する間隙により分離されたシ リンダーまたはカラムを形成することを特徴とする検出器の製造方法。 １２．前記のシンチレーション層材料を、ＣｓＩ、ＫＩ、ＲｂＩ、ＣｄＳ、Ｚｎ ｘＣｄ１−ｘＳ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ、ＧａｙＳｅ、ＣｄＷＯ３及びＰ ｂＯｚからなる類から選ぶ工程を更に含む請求の範囲第１１項に記載の方法。 １３．前記の導電層材料を、ＩＴＯ、ＴＯ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ及び Ｐｔからなる類から選ぶ工程を更に含む請求の範囲第１１項に記載の方法。 １４．前記のパターン形成層材料を、ポリイミド、アモルファスシリコン、結晶 性シリコン、アモルファスゲルマニウム、結晶性ゲルマニウム、または金属、例 えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、ＰｔまたはＰｄからなる類から選ぶ工程を更に 含む請求の範囲第１１項に記載の方法。 １５．前記のパターン形成層の前記の所定のパターンを、三角形、四辺形、六角 形、卵形及び線形アレイパターンからなる類から選ぶ工程を更に含む請求の範囲 第１４項に記載の方法。 １６．前記のカラム間の前記の間隙を物質で充填する工程を更に含む請求の範囲 第１１項に記載の方法。 １８．前記の温度Ｔを１００℃≦Ｔ≦２５０℃の範囲にあるように選ぶ工程を更 に含む請求の範囲第１１項に記載の方法。 １９．前記のシンチレーション層の前記の厚さを５０ｄ以下であるように選ぶ工 程を更に含む請求の範囲第１１項に記載の方法。 ２０．前記の横方向の幅ｄを２〜２０μｍの範囲にあるように選ぶ工程を更に含 む請求の範囲第１１項に記載の方法。 ２１．改良された空間分解能を有するＸ線及び高エネルギー荷電粒子の検出器の 製造方法であって、 その方法が、 材料の第一の基体層と、ａ−Ｓｉ：Ｈ、ａ−Ｇｅ：Ｈ、またはその他の適当なア モルファス半導体材料を含み、かつ第一の基体層の露出表面に付着された粒子検 出器層とからなる第一の構造成分を形成する工程；露出表面にエッチング可能な 材料を含む材料の第二の基体層を形成し、所定のパターンを第二の基体層のエッ チング可能な材料にエッチングして、エッチング可能な材料の露出表面に、横方 向の幅ｄの複数のリッジまたは突出部を形成し、そして 高エネルギー粒子の受容に応じて０．３μｍ≦λ≦０．７μｍの範囲にある波長 λを有する光を生じるシンチレーション材料のシンチレーション層を、５００μ ｍ／時間以下の成長速度で、５０℃≦Ｔ≦４００℃の範囲の温度Ｔで、１００ｄ 以下の厚さで形成することにより第二の構造成分を形成する工程（その結果、シ ンチレーション材料は、所定のパターンに一致する間隙により分離されたシリン ダーまたはカラムを形成する）；及び第一の構造成分と第二の構造成分を一緒に する工程（その結果、粒子検出層の露出表面はシンチレーション層の露出表面に 隣接する） を含むことを特徴とする検出器の製造方法。 ２２．前記のシンチレーション層と前記の粒子検出層の間に位置された、光学上 透明な材料を用意して前記のシンチレーション層と前記の粒子検出器層を一緒に 保持する工程を更に含む請求の範囲第２１項に記載の方法。 ２３．前記のシンチレーション層材料を、ＣｓＩ、ＫＩ、ＲｂＩ、ＣｄＳ、Ｚｎ ｘＣｄ１−ｘＳ、Ｇｄ２０２Ｓ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ、ＧａｙＳｅ、ＣｄＷＯ３及びＰ ｂＯｚからなる類から選ぶ工程を更に含む請求の範囲第２１項に記載の方法。 ２４．前記のパターン形成層材料を、ポリイミド、アモルファスシリコン、結晶 性シリコン、アモルファスゲルマニウム、結晶性ゲルマニウム、または金属、例 えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、もしくはＰｄからなる類から選ぶ工程を 更に含む請求の範囲第２１項に記載の方法。 ２５．前記のパターン形成層の前記の所定のパターンを、三角形、四辺形、六角 形、卵形及び線形アレイパターンからなる類から選ぶ工程を更に含む請求の範囲 第２１項に記載の方法。 ２６．前記のカラム間の前記の間隙を物質で充填する工程を更に含む請求の範囲 第２１項に記載の方法。 ２７．前記のシンチレーション層の成長速度を２５０μｍ／時間以下であるよう に選ぶ工程を更に含む請求の範囲第２１項に記載の方法。 ２８．前記の温度Ｔを１００℃≦Ｔ≦２５０℃の範囲にあるように選ぶ工程を更 に含む請求の範囲第２１項に記載の方法。 ２９．前記のシンチレーション層の前記の厚さを５０ｄ以下であるように選ぶ工 程を更に含む請求の範囲第２１項に記載の方法。 ３０．前記の横方向の幅ｄを２〜２０μｍの範囲にあるように選ぶ工程を更に含 む請求の範囲第２１項に記載の方法。 ３１．検出の改良された空間分解能を有するＸ線及び高エネルギー荷電粒子の検 出用装置であって、 その装置が、 導電性表面を有する第一の基体； 第一の基体の導電性表面に形成された粒子検出器層；粒子検出器層の露出表面に 形成された導電層；高エネルギー粒子の受容に応じて０．３μｍ≦λ≦０．７μ ｍの範囲にある波長λを有する光を生じるシンチレーション材料の複数のカラム として導電層の露出表面に形成されたシンチレーション層（シンチレーション材 料の隣接カラムは最大の横方向の幅ｄの間隙により分離されており、かつシンチ レーション材料のカラムは１００ｄ以下の高さを有する）；及びシンチレーショ ン層の露出表面に形成されたシーラント層を含み、発光物質のカラム間の間隙が 導電層と発光層の間の界面、またはシーラント層と発光層の間の界面で所定のパ ターンに一致することを特徴とする検出用装置。 ３２．前記のシンチレーション層材料がＣｓＩ、ＫＩ、ＲｂＩ、ＣｄＳ、Ｚｎｘ Ｃｄ１−ｘＳ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ、ＧａｙＳｅ、ＣｄＷＯ３及びＰｂ Ｏｚからなる類から選ばれる請求の範囲第３１項に記載の装置。 ３３．前記の所定のパターンが三角形、四辺形、六角形、卵形及び線形アレイパ ターンからなる類から選ばれる請求の範囲第３１項に記載の装置。 ３４．前記のシンチレーション材料の前記のカラムの前記の高さが５０ｄ以下で ある請求の範囲第３１項に記載の装置。 ３５．材料が光及び／または亜原子粒子を吸収または反射する請求の範囲第６項 に記載の方法。 ３６．材料が３００〜７００μｍの範囲の光を吸収する請求の範囲第３５項に記 載の方法。 ３７．材料が稠密であり、かつ高いＺ値を有する請求の範囲第３５項に記載の方 法。 ３８．材料が色素、インキ、金属及びそれらの合金、有機化合物及び無機化合物 からなる群から選ばれる請求の範囲第３５項に記載の方法。 ３９．材料がダイケム・ブルー、ヨウ素、ＴＩＯ２、ＷＣｌ６、並びに水銀及び その塩からなる群から選ばれる請求の範囲第３８項に記載の方法。 ４０．蒸着を使用して材料を付着する請求の範囲第６項に記載の方法。 ４１．材料を溶質中で付着する請求の範囲第６項に記載の方法。 ４２．材料が光及び／または亜原子粒子を吸収または反射する請求の範囲第１６ 項に記載の方法。 ４３．材料が３００〜７００μｍの範囲の光を吸収する請求の範囲第４２項に記 載の方法。 ４４．材料が稠密であり、かつ高いＺ値を有する請求の範囲第４２項に記載の方 法。 ４５．材料が色素、インキ、金属及びそれらの合金、有機化合物及び無機化合物 からなる群から選ばれる請求の範囲第４２項に記載の方法。 ４６．材料がダイケム・ブルー、ヨウ素、ＴＩＯ２、ＷＣｌ６、並びに水銀及び その塩からなる群から選ばれる請求の範囲第４５項に記載の方法。 ４７．蒸着を使用して材料を付着する請求の範囲第１６項に記載の方法。 ４８．材料を溶質中で付着する請求の範囲第１６項に記載の方法。 ４９．材料が光及び／または亜原子粒子を吸収または反射する請求の範囲第２６ 項に記載の方法。 ５０．材料が３００〜７００μｍの範囲の光を吸収する請求の範囲第４９項に記 載の方法。 ５１．材料が稠密であり、かつ高いＺ値を有する請求の範囲第４９項に記載の方 法。 ５２．材料が色素、インキ、金属及びそれらの合金、有機化合物及び無機化合物 からなる群から選ばれる請求の範囲第４９項に記載の方法。 ５３．材料がダイケム・ブルー、ヨウ素、ＴＩＯ２、ＷＣｌ６、並びに水銀及び その塩からなる群から選ばれる請求の範囲第５２項に記載の方法。 ５４．蒸着を使用して材料を付着する請求の範囲第２６項に記載の方法。 ５５．材料を溶質中で付着する請求の範囲第２６項に記載の方法。