JPH0746194A - 光送信モジュール - Google Patents
光送信モジュールInfo
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- JPH0746194A JPH0746194A JP5189618A JP18961893A JPH0746194A JP H0746194 A JPH0746194 A JP H0746194A JP 5189618 A JP5189618 A JP 5189618A JP 18961893 A JP18961893 A JP 18961893A JP H0746194 A JPH0746194 A JP H0746194A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- resistor
- optical transmission
- drive circuit
- light transmission
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】回路構成簡単にして、光送信波形上での立ち下
り時間の増大を伴うことなく、リンギングが抑圧された
状態の光送信波形を得ること。 【構成】半導体レーザ２およびダンピング抵抗３からな
る直列接続体に対し、有限の寄生インダクタンス成分を
含む外付け抵抗４を並列に接続せしめる場合には、駆動
回路１側から見て、これら並列接続体全体でのインダク
タンス量は、抵抗４が接続されない場合に比し相当低減
されることから、回路構成簡単にして、光送信波形上で
の立ち下り時間の増大を伴うことなく、リンギングが抑
圧された状態の光送信波形が得られるものである。
り時間の増大を伴うことなく、リンギングが抑圧された
状態の光送信波形を得ること。 【構成】半導体レーザ２およびダンピング抵抗３からな
る直列接続体に対し、有限の寄生インダクタンス成分を
含む外付け抵抗４を並列に接続せしめる場合には、駆動
回路１側から見て、これら並列接続体全体でのインダク
タンス量は、抵抗４が接続されない場合に比し相当低減
されることから、回路構成簡単にして、光送信波形上で
の立ち下り時間の増大を伴うことなく、リンギングが抑
圧された状態の光送信波形が得られるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザダイオー
ドモジュールが搭載された光送信モジュールに係わり、
特に半導体レーザより、リンギングが抑圧された状態で
光送信信号が出射されるようにした光送信モジュールに
関するものである。
ドモジュールが搭載された光送信モジュールに係わり、
特に半導体レーザより、リンギングが抑圧された状態で
光送信信号が出射されるようにした光送信モジュールに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザの出射光が直接強度変調さ
れた上、光ファイバ上を伝送される光通信システムにお
いては、伝送速度の高速化や無中継伝送距離の増大化を
目的として光送信波形の品質向上が求められており、既
にＣＣＩＴＴ（国際電信電話諮問委員会）からは光送信
波形の標準マスク規定が勧告されている。ところで、光
送信波形の品質向上を図る上では、（１）立上り／立下
り時間が高速であること、（２）リンギングによる波形
歪が小さいこと、が達成されなければならないものとな
っている。
れた上、光ファイバ上を伝送される光通信システムにお
いては、伝送速度の高速化や無中継伝送距離の増大化を
目的として光送信波形の品質向上が求められており、既
にＣＣＩＴＴ（国際電信電話諮問委員会）からは光送信
波形の標準マスク規定が勧告されている。ところで、光
送信波形の品質向上を図る上では、（１）立上り／立下
り時間が高速であること、（２）リンギングによる波形
歪が小さいこと、が達成されなければならないものとな
っている。
【０００３】このうち、（１）に関しては、従来例とし
て特開平２−２１５２３９号公報に記載されたものが知
られている。図５に示すように、波形整形回路７を駆動
回路１の前段に設けることによって、半導体レーザ２か
ら出射される光送信信号のその立上り時にはオーバシュ
ートが、また、光パルスの立下り時にはアンダーシュー
トが付加されることで、立上り／立下りの高速化が図ら
れたものとなっている。また、（２）のリンギングに関
しては、１９８９年電子情報通信学会春季全国大会予稿
集４−９１頁に記載された技術が知られている。リンギ
ング現象は、駆動回路から半導体レーザに流れ込む出射
光強度変調電流に、駆動回路に電気的に接続された半導
体レーザを含む、駆動回路の負荷に付随するインダクタ
ンス成分と、半導体レーザに寄生するキャパシタンス成
分との共振により生じる振動電流が重畳されることによ
って発生されるが、この振動電流の振幅減衰を促進する
ための技術が上記予稿集に示されているものである。図
６に示すように、半導体レーザ２に直列にダンピング抵
抗（Ｒd）３を挿入しようというものである。
て特開平２−２１５２３９号公報に記載されたものが知
られている。図５に示すように、波形整形回路７を駆動
回路１の前段に設けることによって、半導体レーザ２か
ら出射される光送信信号のその立上り時にはオーバシュ
ートが、また、光パルスの立下り時にはアンダーシュー
トが付加されることで、立上り／立下りの高速化が図ら
れたものとなっている。また、（２）のリンギングに関
しては、１９８９年電子情報通信学会春季全国大会予稿
集４−９１頁に記載された技術が知られている。リンギ
ング現象は、駆動回路から半導体レーザに流れ込む出射
光強度変調電流に、駆動回路に電気的に接続された半導
体レーザを含む、駆動回路の負荷に付随するインダクタ
ンス成分と、半導体レーザに寄生するキャパシタンス成
分との共振により生じる振動電流が重畳されることによ
って発生されるが、この振動電流の振幅減衰を促進する
ための技術が上記予稿集に示されているものである。図
６に示すように、半導体レーザ２に直列にダンピング抵
抗（Ｒd）３を挿入しようというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光ファイバ通信では、
近年、その伝送速度が６２２Ｍｂ／ｓを超える開発が進
むに伴い、光送信波形の向上が最重要課題として挙げら
れているが、上記従来技術には、何れにも不具合がある
ものとなっている。即ち、図５に示した技術では、光送
信モジュールの構成上での複雑化，高価格化，消費電力
の上昇は避けられないというものである。また、図６に
示した技術では、図７（Ａ），（Ｂ）に示されている３
者の関係、即ち、ダンピング抵抗値Ｒd、光送信波形の
リンギング振幅Ｉrおよび光送信波形の立ち下り時間ｔf
の３者の関係からも判るように、リンギング抑圧効果と
光送信波形の立ち下り時間との間にはトレードオフが生
じており、有効な解決策とはなり得ないものとなってい
る。即ち、ダンピング抵抗値を大きくする程に光送信波
形のリンギング振幅Ｉrは抑圧されているが、その反
面、ダンピング抵抗値を大きくする程に駆動回路最終段
ゲートでのエミッタ，コレクタ間電圧が小さくなること
によって、立ち下り時間ｔfは逆に大きくなっているも
のである。
近年、その伝送速度が６２２Ｍｂ／ｓを超える開発が進
むに伴い、光送信波形の向上が最重要課題として挙げら
れているが、上記従来技術には、何れにも不具合がある
ものとなっている。即ち、図５に示した技術では、光送
信モジュールの構成上での複雑化，高価格化，消費電力
の上昇は避けられないというものである。また、図６に
示した技術では、図７（Ａ），（Ｂ）に示されている３
者の関係、即ち、ダンピング抵抗値Ｒd、光送信波形の
リンギング振幅Ｉrおよび光送信波形の立ち下り時間ｔf
の３者の関係からも判るように、リンギング抑圧効果と
光送信波形の立ち下り時間との間にはトレードオフが生
じており、有効な解決策とはなり得ないものとなってい
る。即ち、ダンピング抵抗値を大きくする程に光送信波
形のリンギング振幅Ｉrは抑圧されているが、その反
面、ダンピング抵抗値を大きくする程に駆動回路最終段
ゲートでのエミッタ，コレクタ間電圧が小さくなること
によって、立ち下り時間ｔfは逆に大きくなっているも
のである。
【０００５】ところで、光送信波形のリンギング振幅Ｉ
rを抑圧する関係上、駆動回路に電気的に接続されてい
る、半導体レーザを含む駆動回路の負荷に付随する総イ
ンダクタンス量を低減せしめることは有効な方法である
と考えられる。付随しているインダクタンスは、半導体
レーザダイオードモジュールパッケージの基板接続用リ
ード、駆動回路を収納したパッケージの基板接続用リー
ド、更にはそれらパッケージ内のボンデイングワイヤ各
々でのインダクタンス成分であるが、このうち、基板接
続用リード長は基板とリード間の熱膨張係数差を吸収し
た上、お互いの接合寿命を確保する目的のためにも、２
ｍｍ〜１０ｍｍ程度の余長分を確保する必然性があるも
のとなっている（因みに、２ｍｍ〜１０ｍｍ程度の余長
分を有する基板接続用リードでのインダクタンス量は
０．２〜１．０ｎＨである）。換言すれば、基板接続用
リードを短くし総インダクタンス量を低減させること
は、光送信モジュール自体の信頼度を低下させることに
繋がることから、基板接続用リードを短くすることは好
ましくないというものである。
rを抑圧する関係上、駆動回路に電気的に接続されてい
る、半導体レーザを含む駆動回路の負荷に付随する総イ
ンダクタンス量を低減せしめることは有効な方法である
と考えられる。付随しているインダクタンスは、半導体
レーザダイオードモジュールパッケージの基板接続用リ
ード、駆動回路を収納したパッケージの基板接続用リー
ド、更にはそれらパッケージ内のボンデイングワイヤ各
々でのインダクタンス成分であるが、このうち、基板接
続用リード長は基板とリード間の熱膨張係数差を吸収し
た上、お互いの接合寿命を確保する目的のためにも、２
ｍｍ〜１０ｍｍ程度の余長分を確保する必然性があるも
のとなっている（因みに、２ｍｍ〜１０ｍｍ程度の余長
分を有する基板接続用リードでのインダクタンス量は
０．２〜１．０ｎＨである）。換言すれば、基板接続用
リードを短くし総インダクタンス量を低減させること
は、光送信モジュール自体の信頼度を低下させることに
繋がることから、基板接続用リードを短くすることは好
ましくないというものである。
【０００６】本発明の目的は、回路構成簡単にして、光
送信波形上での立ち下り時間の増大を伴うことなく、し
かもリンギングが抑圧された状態で、半導体レーザより
光送信信号が出射され得る光送信モジュールを供するに
ある。
送信波形上での立ち下り時間の増大を伴うことなく、し
かもリンギングが抑圧された状態で、半導体レーザより
光送信信号が出射され得る光送信モジュールを供するに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体レー
ザと駆動回路との間にダンピング抵抗を直列に挿入する
一方、上記半導体レーザおよびダンピング抵抗からなる
直列接続体に対し、有限の寄生インダクタンス成分を含
む外付け抵抗を並列に接続せしめることで達成される。
ザと駆動回路との間にダンピング抵抗を直列に挿入する
一方、上記半導体レーザおよびダンピング抵抗からなる
直列接続体に対し、有限の寄生インダクタンス成分を含
む外付け抵抗を並列に接続せしめることで達成される。
【０００８】
【作用】半導体レーザおよびダンピング抵抗からなる直
列接続体に対し、有限の寄生インダクタンス成分を含む
外付け抵抗を並列に接続せしめる場合には、駆動回路側
から見て、これら並列接続体全体でのインダクタンス量
は低減されることから、所期の目的が達成され得るもの
である。
列接続体に対し、有限の寄生インダクタンス成分を含む
外付け抵抗を並列に接続せしめる場合には、駆動回路側
から見て、これら並列接続体全体でのインダクタンス量
は低減されることから、所期の目的が達成され得るもの
である。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を図１から図４により説明す
る。本発明による光送信モジュールについて説明すれ
ば、図１はその一例での構成を、また、図２はその高周
波等価回路を示したものである。図１中、１は駆動回路
を、２は半導体レーザを、３はダンピング抵抗（Ｒd）
を、４は外付け抵抗（Ｒ1）を、５は半導体レーザダイ
オードモジュールを、６は光ファイバをそれぞれ示す。
また、図２中、Ｌoは駆動回路１を収納したパッケージ
の基板接続用リードでのインダクタンス成分を、ｒ1は
外付け抵抗Ｒ1での抵抗成分を、Ｌ1は外付け抵抗Ｒ1で
の寄生インダクタンス成分を、ｒdはダンピング抵抗Ｒd
での抵抗成分を、Ｌdはダンピング抵抗Ｒdでの寄生イン
ダクタンス成分を、Ｌ2，Ｌ5は半導体レーザダイオード
モジュール５のパッケージの基板接続用リードでのイン
ダクタンス成分を、Ｌ3，Ｌ4は半導体レーザダイオード
モジュール５内のボンデイングワイヤでのインダクタン
ス成分を、ＲLDは半導体レーザ２での抵抗成分を、ＣLD
は半導体レーザ２でのキャパシタンス成分をそれぞれ示
す。
る。本発明による光送信モジュールについて説明すれ
ば、図１はその一例での構成を、また、図２はその高周
波等価回路を示したものである。図１中、１は駆動回路
を、２は半導体レーザを、３はダンピング抵抗（Ｒd）
を、４は外付け抵抗（Ｒ1）を、５は半導体レーザダイ
オードモジュールを、６は光ファイバをそれぞれ示す。
また、図２中、Ｌoは駆動回路１を収納したパッケージ
の基板接続用リードでのインダクタンス成分を、ｒ1は
外付け抵抗Ｒ1での抵抗成分を、Ｌ1は外付け抵抗Ｒ1で
の寄生インダクタンス成分を、ｒdはダンピング抵抗Ｒd
での抵抗成分を、Ｌdはダンピング抵抗Ｒdでの寄生イン
ダクタンス成分を、Ｌ2，Ｌ5は半導体レーザダイオード
モジュール５のパッケージの基板接続用リードでのイン
ダクタンス成分を、Ｌ3，Ｌ4は半導体レーザダイオード
モジュール５内のボンデイングワイヤでのインダクタン
ス成分を、ＲLDは半導体レーザ２での抵抗成分を、ＣLD
は半導体レーザ２でのキャパシタンス成分をそれぞれ示
す。
【００１０】さて、外付け抵抗Ｒ1が実装されていない
場合、駆動回路側１から見た負荷側での総インダクタン
ス量Ｌは、Ｌ＝Ｌo＋Ｌd＋Ｌ2＋Ｌ3＋Ｌ4＋Ｌ5として求
められるものとなっている。しかしながら、図１に示す
ように、外付け抵抗Ｒ1が実装された場合には、駆動回
路１側から見た負荷側での総インダクタンス量Ｌ’は、
Ｌ’＝Ｌo＋Ｌ1×（Ｌd＋Ｌ2＋Ｌ3＋Ｌ4＋Ｌ5）／（Ｌd
＋Ｌ1＋Ｌ2＋Ｌ3＋Ｌ4＋Ｌ5）として求められるもので
ある。ここで、現実的な値として、ＬO＝０．６ｎＨ，
Ｌ1＝１ｎＨ，Ｌd＝１ｎＨ，Ｌ2＝０．７ｎＨ，Ｌ3＝２
ｎＨ，Ｌ4＝２ｎＨ，Ｌ5＝０．７ｎＨであるとして、
Ｌ，Ｌ’をそれぞれ求めれば、Ｌ＝７ｎＨ，Ｌ’＝１．
４６ｎＨとして求められるものとなっている。即ち、外
付け抵抗Ｒ1を実装することによって、駆動回路１側か
ら見た負荷側での総インダクタンス量は、それが実装さ
れていない場合に比し、実に約１／５程度に低減され得
るものである。この結果から、外付け抵抗Ｒ1が端に実
装せしめられるだけで、回路構成簡単にして、光送信波
形上での立ち下り時間の増大を伴うことなく、リンギン
グ量が抑圧された、良好な光送信波形の光送信信号が得
られるものである。なお、外付け抵抗Ｒ1が実装せしめ
られる場合には、駆動回路１から半導体レーザ２への出
射光強度変調電流はその一部が外付け抵抗Ｒ1に流れる
ことになるが、外付け抵抗Ｒ1での抵抗成分ｒ1の値を
（ｒd＋ＲLD）の値の１０倍程度に設定すれば、駆動回
路１から出力される出射光強度変調電流の９０％以上は
半導体レーザ２に流れるので、半導体レーザ２の発光出
力は外付け抵抗Ｒ1の実装によって大幅に低減されるこ
とはない。
場合、駆動回路側１から見た負荷側での総インダクタン
ス量Ｌは、Ｌ＝Ｌo＋Ｌd＋Ｌ2＋Ｌ3＋Ｌ4＋Ｌ5として求
められるものとなっている。しかしながら、図１に示す
ように、外付け抵抗Ｒ1が実装された場合には、駆動回
路１側から見た負荷側での総インダクタンス量Ｌ’は、
Ｌ’＝Ｌo＋Ｌ1×（Ｌd＋Ｌ2＋Ｌ3＋Ｌ4＋Ｌ5）／（Ｌd
＋Ｌ1＋Ｌ2＋Ｌ3＋Ｌ4＋Ｌ5）として求められるもので
ある。ここで、現実的な値として、ＬO＝０．６ｎＨ，
Ｌ1＝１ｎＨ，Ｌd＝１ｎＨ，Ｌ2＝０．７ｎＨ，Ｌ3＝２
ｎＨ，Ｌ4＝２ｎＨ，Ｌ5＝０．７ｎＨであるとして、
Ｌ，Ｌ’をそれぞれ求めれば、Ｌ＝７ｎＨ，Ｌ’＝１．
４６ｎＨとして求められるものとなっている。即ち、外
付け抵抗Ｒ1を実装することによって、駆動回路１側か
ら見た負荷側での総インダクタンス量は、それが実装さ
れていない場合に比し、実に約１／５程度に低減され得
るものである。この結果から、外付け抵抗Ｒ1が端に実
装せしめられるだけで、回路構成簡単にして、光送信波
形上での立ち下り時間の増大を伴うことなく、リンギン
グ量が抑圧された、良好な光送信波形の光送信信号が得
られるものである。なお、外付け抵抗Ｒ1が実装せしめ
られる場合には、駆動回路１から半導体レーザ２への出
射光強度変調電流はその一部が外付け抵抗Ｒ1に流れる
ことになるが、外付け抵抗Ｒ1での抵抗成分ｒ1の値を
（ｒd＋ＲLD）の値の１０倍程度に設定すれば、駆動回
路１から出力される出射光強度変調電流の９０％以上は
半導体レーザ２に流れるので、半導体レーザ２の発光出
力は外付け抵抗Ｒ1の実装によって大幅に低減されるこ
とはない。
【００１１】ここで、本発明の具体的な実施例として、
図１に示すダンピング抵抗Ｒd、外付け抵抗Ｒ1として、
抵抗体部分の外形が１．２５ｍｍ×２．００ｍｍの炭素
皮膜型表面実装抵抗を用い、６２２Ｍｂ／ｓ疑似ランダ
ムパターンで半導体レーザ２を駆動させた場合での光送
信波形を外付け抵抗Ｒ1有り、無しの両方の場合につい
ての取得結果を図３（Ａ），（Ｂ）、図４として示す。
即ち、図３（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ外付け抵抗Ｒ1有
り、外付け抵抗Ｒ1無しでの実測光送信波形を示したも
のである。因みに、本実施例では、半導体レーザ２への
直流バイアス電流値ＩBは半導体レーザ２の発振しきい
値電流値Ｉthと等しくし、また、半導体レーザ２に流れ
込む出射光強度変調電流は、何れの場合においてもピー
ク値で２０ｍＡとした。
図１に示すダンピング抵抗Ｒd、外付け抵抗Ｒ1として、
抵抗体部分の外形が１．２５ｍｍ×２．００ｍｍの炭素
皮膜型表面実装抵抗を用い、６２２Ｍｂ／ｓ疑似ランダ
ムパターンで半導体レーザ２を駆動させた場合での光送
信波形を外付け抵抗Ｒ1有り、無しの両方の場合につい
ての取得結果を図３（Ａ），（Ｂ）、図４として示す。
即ち、図３（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ外付け抵抗Ｒ1有
り、外付け抵抗Ｒ1無しでの実測光送信波形を示したも
のである。因みに、本実施例では、半導体レーザ２への
直流バイアス電流値ＩBは半導体レーザ２の発振しきい
値電流値Ｉthと等しくし、また、半導体レーザ２に流れ
込む出射光強度変調電流は、何れの場合においてもピー
ク値で２０ｍＡとした。
【００１２】また、図５に示すパラメータ各々の本実施
例での値を以下に記す。 Ｌo＝０．６ｎＨ ｒ1＝２００Ω Ｌ1＝１．０ｎＨ ｒd＝１５Ω Ｌd＝１．０ｎＨ Ｌ2＝０．７ｎＨ Ｌ5＝０．７ｎＨ Ｌ3＝２ｎＨ Ｌ4＝２ｎＨ ＲLD＝５Ω ＣLD＝２ｐＦ 更に、図３（Ａ），（Ｂ）での比較結果を図４に示す。
例での値を以下に記す。 Ｌo＝０．６ｎＨ ｒ1＝２００Ω Ｌ1＝１．０ｎＨ ｒd＝１５Ω Ｌd＝１．０ｎＨ Ｌ2＝０．７ｎＨ Ｌ5＝０．７ｎＨ Ｌ3＝２ｎＨ Ｌ4＝２ｎＨ ＲLD＝５Ω ＣLD＝２ｐＦ 更に、図３（Ａ），（Ｂ）での比較結果を図４に示す。
【００１３】図３（Ａ），（Ｂ）、図４からも判るよう
に、ダンピング抵抗値が同一であるにも拘らず、外付け
抵抗Ｒ1が実装されることで、総インダクタンス量Ｌは
非実装の場合に比し約１／５程度に低減されることか
ら、光送信波形の立ち下り時間ｔfはともに２００ｐｓ
（１０％から９０％）の高速動作特性を保ちながらも、
リンギング振幅Ｉrは図３（Ｂ）に示す２８％から図３
（Ａ）に示す１０％へと大幅に低減されたものとなって
いる。なお、図３（Ａ），（Ｂ）に示す光パルス立上り
時でのオーバシュートは、半導体レーザ２固有の緩和振
動によるピークであり、駆動回路から半導体レーザに流
れ込む出射光強度変調電流に、駆動回路に電気的に接続
された半導体レーザを含む、駆動回路の負荷に付随する
インダクタンス成分と、半導体レーザに寄生するキャパ
シタンス成分との共振により生じる振動電流が重畳され
ることによって発生されたものではない。また、本実施
例では、図１に示すダンピング抵抗Ｒdおよび外付け抵
抗Ｒ1に、抵抗体部分の外形が１．２５ｍｍ×２．００
ｍｍの炭素皮膜型表面実装抵抗を用いたが、外付け抵抗
Ｒ1に予め電子回路基板表面に印刷されている印刷抵抗
を用いる場合には、リンギング振幅Ｉrのより大きな低
減効果が得られるものとなっている。これは、印刷抵抗
の寄生インダクタンス成分は０．１ｎＨ程度であると推
定されるからである。
に、ダンピング抵抗値が同一であるにも拘らず、外付け
抵抗Ｒ1が実装されることで、総インダクタンス量Ｌは
非実装の場合に比し約１／５程度に低減されることか
ら、光送信波形の立ち下り時間ｔfはともに２００ｐｓ
（１０％から９０％）の高速動作特性を保ちながらも、
リンギング振幅Ｉrは図３（Ｂ）に示す２８％から図３
（Ａ）に示す１０％へと大幅に低減されたものとなって
いる。なお、図３（Ａ），（Ｂ）に示す光パルス立上り
時でのオーバシュートは、半導体レーザ２固有の緩和振
動によるピークであり、駆動回路から半導体レーザに流
れ込む出射光強度変調電流に、駆動回路に電気的に接続
された半導体レーザを含む、駆動回路の負荷に付随する
インダクタンス成分と、半導体レーザに寄生するキャパ
シタンス成分との共振により生じる振動電流が重畳され
ることによって発生されたものではない。また、本実施
例では、図１に示すダンピング抵抗Ｒdおよび外付け抵
抗Ｒ1に、抵抗体部分の外形が１．２５ｍｍ×２．００
ｍｍの炭素皮膜型表面実装抵抗を用いたが、外付け抵抗
Ｒ1に予め電子回路基板表面に印刷されている印刷抵抗
を用いる場合には、リンギング振幅Ｉrのより大きな低
減効果が得られるものとなっている。これは、印刷抵抗
の寄生インダクタンス成分は０．１ｎＨ程度であると推
定されるからである。
【００１４】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１〜３に
よる場合は、回路構成簡単にして、光送信波形上での立
ち下り時間の増大を伴うことなく、しかもリンギングが
抑圧された状態で、半導体レーザより光送信信号が出射
され得る光送信モジュールが得られたものとなってい
る。
よる場合は、回路構成簡単にして、光送信波形上での立
ち下り時間の増大を伴うことなく、しかもリンギングが
抑圧された状態で、半導体レーザより光送信信号が出射
され得る光送信モジュールが得られたものとなってい
る。
【図１】図１は、本発明による一例での光送信モジュー
ルの構成を示す図。
ルの構成を示す図。
【図２】図２は、その高周波等価回路を示す図。
【図３】図３（Ａ），（Ｂ）は、本発明による効果の程
を考察するための光送信波形実測例を示す図。
を考察するための光送信波形実測例を示す図。
【図４】図４は、図３（Ａ），（Ｂ）での比較結果を示
す図。
す図。
【図５】図５は、従来技術に係る第１の光送信モジュー
ルの構成を示す図。
ルの構成を示す図。
【図６】図６は、従来技術に係る第２の光送信モジュー
ルの構成を示す図。
ルの構成を示す図。
【図７】図７（Ａ），（Ｂ）は、その第２の光送信モジ
ュールでの不具合を説明するための図。
ュールでの不具合を説明するための図。
１…駆動回路、２…半導体レーザ、３…ダンピング抵
抗、４…外付け抵抗、５…半導体レーザダイオードモジ
ュール。６…光ファイバ。
抗、４…外付け抵抗、５…半導体レーザダイオードモジ
ュール。６…光ファイバ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/06 Ｇ０２Ｂ 6/42 9317−2Ｋ Ｈ０１Ｓ 3/096
Claims (3)
- 【請求項１】半導体レーザおよび該半導体レーザの出射
光を伝送する光ファイバを含む半導体レーザダイオード
モジュールと、上記半導体レーザを駆動し該半導体レー
ザより光強度変調信号を出射させる駆動回路とからなる
光送信モジュールであって、半導体レーザと駆動回路と
の間にダンピング抵抗を直列に挿入する一方、上記半導
体レーザおよびダンピング抵抗からなる直列接続体に対
し、有限の寄生インダクタンス成分を含む外付け抵抗を
並列に接続してなる構成の光送信モジュール。 - 【請求項２】半導体レーザおよび該半導体レーザの出射
光を伝送する光ファイバを含む半導体レーザダイオード
モジュールと、上記半導体レーザを駆動し該半導体レー
ザより光強度変調信号を出射させる駆動回路とからなる
光送信モジュールであって、半導体レーザと駆動回路と
の間にダンピング抵抗を直列に挿入する一方、上記半導
体レーザおよびダンピング抵抗からなる直列接続体に対
し、有限の寄生インダクタンス成分を含む外付け抵抗
を、電子回路基板の表面に面付実装可能な表面実装型チ
ップ抵抗として、並列に接続してなる構成の光送信モジ
ュール。 - 【請求項３】半導体レーザおよび該半導体レーザの出射
光を伝送する光ファイバを含む半導体レーザダイオード
モジュールと、上記半導体レーザを駆動し該半導体レー
ザより光強度変調信号を出射させる駆動回路とからなる
光送信モジュールであって、半導体レーザと駆動回路と
の間にダンピング抵抗を直列に挿入する一方、上記半導
体レーザおよびダンピング抵抗からなる直列接続体に対
し、有限の寄生インダクタンス成分を含む外付け抵抗
を、電子回路基板表面に印刷された印刷抵抗として、並
列に接続してなる構成の光送信モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5189618A JPH0746194A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 光送信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5189618A JPH0746194A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 光送信モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0746194A true JPH0746194A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16244318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5189618A Pending JPH0746194A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 光送信モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746194A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072816A (en) * | 1997-02-13 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Laser-diode drive circuit |
| US6836492B2 (en) * | 2002-02-15 | 2004-12-28 | Hitachi, Ltd. | Laser-diode module, optical transceiver and fiber transmission system |
| JP2009231330A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Fujitsu Ltd | 光スイッチ駆動回路 |
| US7848600B2 (en) | 2006-09-19 | 2010-12-07 | Fujitsu Limited | Driving circuit of optical gate switch |
| CN112501571A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-03-16 | 爱柯迪股份有限公司 | 压铸抽芯用耐高温纳米多层自润滑涂层及制备方法 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5189618A patent/JPH0746194A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072816A (en) * | 1997-02-13 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Laser-diode drive circuit |
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| CN112501571A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-03-16 | 爱柯迪股份有限公司 | 压铸抽芯用耐高温纳米多层自润滑涂层及制备方法 |
| CN112501571B (zh) * | 2021-02-05 | 2021-04-27 | 爱柯迪股份有限公司 | 压铸抽芯用耐高温纳米多层自润滑涂层及制备方法 |
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