JPH0745745A - 多層回路基板 - Google Patents
多層回路基板Info
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- JPH0745745A JPH0745745A JP5190317A JP19031793A JPH0745745A JP H0745745 A JPH0745745 A JP H0745745A JP 5190317 A JP5190317 A JP 5190317A JP 19031793 A JP19031793 A JP 19031793A JP H0745745 A JPH0745745 A JP H0745745A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイパッドの下にサーマルビアが設けられて
いても、それによって信号線パターンの引き回しが疎外
されることがなく、また、信号線パターンを通る信号の
耐ノイズ性を向上させることができるような多層回路基
板を得る。 【構成】 半導体ベアチップが実装される多層回路基板
の構造を以下のようにした。半導体ベアチップを多層回
路基板に実装するダイパッドの下に導電性材料が充填さ
れることによりサーマルビアを形成するサーマルビア貫
通孔を、その貫通孔断面の基板に対する投影面積がダイ
パッド断面の基板に対する投影面積に比しある面積割合
となるように、そのサーマルビアは接地線パターンと導
通させる。また、サーマルビア間に信号線パターンを設
定する。そして同一の層においてそれらサーマルビア同
士を導通パターンでつなぐ構成とする。
いても、それによって信号線パターンの引き回しが疎外
されることがなく、また、信号線パターンを通る信号の
耐ノイズ性を向上させることができるような多層回路基
板を得る。 【構成】 半導体ベアチップが実装される多層回路基板
の構造を以下のようにした。半導体ベアチップを多層回
路基板に実装するダイパッドの下に導電性材料が充填さ
れることによりサーマルビアを形成するサーマルビア貫
通孔を、その貫通孔断面の基板に対する投影面積がダイ
パッド断面の基板に対する投影面積に比しある面積割合
となるように、そのサーマルビアは接地線パターンと導
通させる。また、サーマルビア間に信号線パターンを設
定する。そして同一の層においてそれらサーマルビア同
士を導通パターンでつなぐ構成とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置中の多層
回路基板における、信号線の配線の設定やシールドに関
するものである。
回路基板における、信号線の配線の設定やシールドに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の技術に関する先行技術に関する
ものとしては、特開昭63−292693、特開平2−
219298、特開平4−162795、特開平4−3
13297に開示されたもののほか、次に掲げるものが
ある。図9は例えば特開平3−286560号公報に開
示された従来の半導体装置を鉛直平面で切断した際の従
来の多層回路基板の構造を示す断面図であり、図10は
図9に示す従来の半導体装置をA−A’線を含む水平面
で切断した際の構造を示す断面図である。図9におい
て、1は多層回路基板、2は半導体ベアチップ、3は半
導体ベアチップ2を多層回路基板1上に搭載するための
ダイパッド、4は半導体ベアチップ2への給電や信号入
出力を行う図示しないワイヤ線の一方を多層回路基板1
上にボンディングするためのボンディングパッドであ
る。つまりこの多層回路基板1に対する半導体ベアチッ
プ2の実装方法としては、フェイスアップボンディング
法を採用している。5は多層回路基板1に内挿された信
号線パターン、6は多層回路基板1に内挿された接地線
パターン、7はサーマルビアホールに導電性金属材料を
充填して構成されたサーマルビアであり、ダイパッド3
と接地線パターン6との間を熱的にも電気的にも接続す
る。8は信号線パターン5やサーマルビア7等を電気的
に絶縁する絶縁体である。次に、このように構成された
半導体装置について説明する。半導体ベアチップ2で発
生した熱はまず、ダイパッド3へ伝わる。そして、ダイ
パッド3へ伝わった熱はその下に密集して設けられてい
るサーマルビア7に伝わる。それから、熱はサーマルビ
ア7から接地線パターン6へ伝えられる。最後に熱はこ
れらの接地線パターン6を通して外部に放散される。
ものとしては、特開昭63−292693、特開平2−
219298、特開平4−162795、特開平4−3
13297に開示されたもののほか、次に掲げるものが
ある。図9は例えば特開平3−286560号公報に開
示された従来の半導体装置を鉛直平面で切断した際の従
来の多層回路基板の構造を示す断面図であり、図10は
図9に示す従来の半導体装置をA−A’線を含む水平面
で切断した際の構造を示す断面図である。図9におい
て、1は多層回路基板、2は半導体ベアチップ、3は半
導体ベアチップ2を多層回路基板1上に搭載するための
ダイパッド、4は半導体ベアチップ2への給電や信号入
出力を行う図示しないワイヤ線の一方を多層回路基板1
上にボンディングするためのボンディングパッドであ
る。つまりこの多層回路基板1に対する半導体ベアチッ
プ2の実装方法としては、フェイスアップボンディング
法を採用している。5は多層回路基板1に内挿された信
号線パターン、6は多層回路基板1に内挿された接地線
パターン、7はサーマルビアホールに導電性金属材料を
充填して構成されたサーマルビアであり、ダイパッド3
と接地線パターン6との間を熱的にも電気的にも接続す
る。8は信号線パターン5やサーマルビア7等を電気的
に絶縁する絶縁体である。次に、このように構成された
半導体装置について説明する。半導体ベアチップ2で発
生した熱はまず、ダイパッド3へ伝わる。そして、ダイ
パッド3へ伝わった熱はその下に密集して設けられてい
るサーマルビア7に伝わる。それから、熱はサーマルビ
ア7から接地線パターン6へ伝えられる。最後に熱はこ
れらの接地線パターン6を通して外部に放散される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の多層回路基板1
は以上のように構成されているので、多層回路基板1に
高密度な信号線パターンの配線が必要となっても、ダイ
パッド3の下に密集して設けられているサーマルビア7
によって信号線パターン5の引き回しが疎外されてしま
うという問題点があった。また、従来の多層回路基板1
の構成では、サーマルビア7と接地線パターン6とを電
気的に接続しても、信号線パターン5とサーマルビア7
が平行に走る部分が極めて少なく、信号線パターン5を
通る信号の耐ノイズ性の向上という面ではほとんど効果
がないという問題点もあった。
は以上のように構成されているので、多層回路基板1に
高密度な信号線パターンの配線が必要となっても、ダイ
パッド3の下に密集して設けられているサーマルビア7
によって信号線パターン5の引き回しが疎外されてしま
うという問題点があった。また、従来の多層回路基板1
の構成では、サーマルビア7と接地線パターン6とを電
気的に接続しても、信号線パターン5とサーマルビア7
が平行に走る部分が極めて少なく、信号線パターン5を
通る信号の耐ノイズ性の向上という面ではほとんど効果
がないという問題点もあった。
【0004】この発明はかかる問題点を解決するために
なされたもので、ダイパッド3の下にサーマルビア7が
設けられていても、それによって信号線パターン5の引
き回しが疎外されることがなく、また、信号線パターン
5を通る信号の耐ノイズ性を向上させることができるよ
うな多層回路基板1を得ることを目的とする。
なされたもので、ダイパッド3の下にサーマルビア7が
設けられていても、それによって信号線パターン5の引
き回しが疎外されることがなく、また、信号線パターン
5を通る信号の耐ノイズ性を向上させることができるよ
うな多層回路基板1を得ることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】第1の発明にかかる多層
回路基板は、複数の絶縁層から一体的に成型された、半
導体ベアチップが実装される多層回路基板において、半
導体ベアチップで発生した熱を伝えるために、半導体ベ
アチップが実装される位置に対応して設けられた、導電
性材料が充填されることによりサーマルビアを形成する
複数のサーマルビア貫通孔と、サーマルビア貫通孔の位
置に対応して多層回路基板内のいずれかの絶縁層に設け
られた、サーマルビア貫通孔の周囲に形成された複数の
ランド部と、半導体ベアチップが実装される位置に対応
した多層回路基板内のいずれかの絶縁層内における、サ
ーマルビア貫通孔同士の間、ランド部同士の間、および
サーマルビア貫通孔とランド部との間の少なくとも1つ
の間に設けられた信号線パターンとを備えたものであ
る。
回路基板は、複数の絶縁層から一体的に成型された、半
導体ベアチップが実装される多層回路基板において、半
導体ベアチップで発生した熱を伝えるために、半導体ベ
アチップが実装される位置に対応して設けられた、導電
性材料が充填されることによりサーマルビアを形成する
複数のサーマルビア貫通孔と、サーマルビア貫通孔の位
置に対応して多層回路基板内のいずれかの絶縁層に設け
られた、サーマルビア貫通孔の周囲に形成された複数の
ランド部と、半導体ベアチップが実装される位置に対応
した多層回路基板内のいずれかの絶縁層内における、サ
ーマルビア貫通孔同士の間、ランド部同士の間、および
サーマルビア貫通孔とランド部との間の少なくとも1つ
の間に設けられた信号線パターンとを備えたものであ
る。
【0006】第2の発明にかかる多層回路基板は、多層
回路基板上にダイパッドを設け、このダイパッドを介し
てこの多層回路基板に対して半導体ベアチップを実装
し、絶縁層を構成する材料はポリイミド樹脂を主成分と
し、サーマルビア貫通孔に充填される導電性材料を形成
する材料は銅を主成分とし、多層回路基板の半導体ベア
チップを実装する側の面において、基板の積層方向とは
垂直となるダイパッドの断面を投影した面積に対して、
基板の積層方向とは垂直となるサーマルビア貫通孔の断
面を投影した面積を0.5%以上となるようにサーマル
ビア貫通孔を設けたものである。
回路基板上にダイパッドを設け、このダイパッドを介し
てこの多層回路基板に対して半導体ベアチップを実装
し、絶縁層を構成する材料はポリイミド樹脂を主成分と
し、サーマルビア貫通孔に充填される導電性材料を形成
する材料は銅を主成分とし、多層回路基板の半導体ベア
チップを実装する側の面において、基板の積層方向とは
垂直となるダイパッドの断面を投影した面積に対して、
基板の積層方向とは垂直となるサーマルビア貫通孔の断
面を投影した面積を0.5%以上となるようにサーマル
ビア貫通孔を設けたものである。
【0007】第3の発明にかかる多層回路基板は、多層
回路基板上にダイパッドを設け、このダイパッドを介し
てこの多層回路基板に対して半導体ベアチップを実装
し、絶縁層を構成する材料はポリイミド樹脂を主成分と
し、サーマルビア貫通孔に充填される導電性材料を形成
する材料は銅を主成分とし、多層回路基板の半導体ベア
チップを実装する側の面において、基板の積層方向とは
垂直となるダイパッドの断面を投影した面積に対して、
基板の積層方向とは垂直となるサーマルビア貫通孔の断
面を投影した面積を0.5%以上となるようにサーマル
ビア貫通孔を設けたものである。
回路基板上にダイパッドを設け、このダイパッドを介し
てこの多層回路基板に対して半導体ベアチップを実装
し、絶縁層を構成する材料はポリイミド樹脂を主成分と
し、サーマルビア貫通孔に充填される導電性材料を形成
する材料は銅を主成分とし、多層回路基板の半導体ベア
チップを実装する側の面において、基板の積層方向とは
垂直となるダイパッドの断面を投影した面積に対して、
基板の積層方向とは垂直となるサーマルビア貫通孔の断
面を投影した面積を0.5%以上となるようにサーマル
ビア貫通孔を設けたものである。
【0008】第4の発明にかかる多層回路基板は、多層
回路基板上にダイパッドを設け、このダイパッドを介し
てこの多層回路基板に対して半導体ベアチップを実装
し、絶縁層を構成する材料はポリイミド樹脂を主成分と
し、サーマルビア貫通孔に充填される導電性材料を形成
する材料は銅を主成分とし、多層回路基板の半導体ベア
チップを実装する側の面において、基板の積層方向とは
垂直となるダイパッドの断面を投影した面積に対して、
基板の積層方向とは垂直となるサーマルビア貫通孔の断
面を投影した面積を0.5%以上となるように前記サー
マルビア貫通孔を設けたものである。
回路基板上にダイパッドを設け、このダイパッドを介し
てこの多層回路基板に対して半導体ベアチップを実装
し、絶縁層を構成する材料はポリイミド樹脂を主成分と
し、サーマルビア貫通孔に充填される導電性材料を形成
する材料は銅を主成分とし、多層回路基板の半導体ベア
チップを実装する側の面において、基板の積層方向とは
垂直となるダイパッドの断面を投影した面積に対して、
基板の積層方向とは垂直となるサーマルビア貫通孔の断
面を投影した面積を0.5%以上となるように前記サー
マルビア貫通孔を設けたものである。
【0009】第5の発明にかかる多層回路基板は、多層
回路基板内のいずれかの絶縁層に接地線パターンを設
け、同一の絶縁層に存在する前記サーマルビアのランド
部同士を基板の積層方向とは垂直となる方向に導通し、
かつ接地線パターンと導通させ接地線を形成し、この接
地線と平行に信号線パターンを配置したものである。
回路基板内のいずれかの絶縁層に接地線パターンを設
け、同一の絶縁層に存在する前記サーマルビアのランド
部同士を基板の積層方向とは垂直となる方向に導通し、
かつ接地線パターンと導通させ接地線を形成し、この接
地線と平行に信号線パターンを配置したものである。
【0010】
【作用】この多層回路基板に半導体ベアチップを実装し
た場合、多層回路基板内の少なくともいずれかの絶縁層
においてサーマルビアのランド部とサーマルビアのラン
ド部との隙間に、ある絶縁間隔をおいて信号線パターン
が高密度に配置される。
た場合、多層回路基板内の少なくともいずれかの絶縁層
においてサーマルビアのランド部とサーマルビアのラン
ド部との隙間に、ある絶縁間隔をおいて信号線パターン
が高密度に配置される。
【0011】多層回路基板の半導体ベアチップを実装す
る側の面において、ダイパッドを投影した面積に対し
て、サーマルビア貫通孔を投影した面積を2%以上とな
るようにサーマルビア貫通孔を設定することにより、ダ
イパッドが占有する部分の多層回路基板の部分の熱抵抗
値はほぼ一定値に小さくなる。
る側の面において、ダイパッドを投影した面積に対し
て、サーマルビア貫通孔を投影した面積を2%以上とな
るようにサーマルビア貫通孔を設定することにより、ダ
イパッドが占有する部分の多層回路基板の部分の熱抵抗
値はほぼ一定値に小さくなる。
【0012】この多層回路基板内のいずれかの層におい
て、所定のある方向に互いに導通パターンにより接続さ
れているサーマルビアのランド部は接地線パターンと接
続され、その導通パターンに平行に設定された信号線パ
ターンにおいては、信号線パターンを通る信号線の耐ノ
イズ性が向上する。
て、所定のある方向に互いに導通パターンにより接続さ
れているサーマルビアのランド部は接地線パターンと接
続され、その導通パターンに平行に設定された信号線パ
ターンにおいては、信号線パターンを通る信号線の耐ノ
イズ性が向上する。
【0013】
【実施例】実施例1.この発明の実施例1について説明
する。図1は、この発明の実施例1にかかる多層回路基
板1に半導体ベアチップ2を実装して鉛直面で切断した
際の構造を水平方向に透視した断面図、図2は図1に示
す多層回路基板1をB−B’線を含む水平面で切断した
際の多層回路基板1を鉛直方向に透視した断面図であ
り、図1、図2において、前記従来例と同一または相当
する構成部分には同一の符号を付しその説明は省略す
る。9は信号線パターン層に水平方向に設けられたサー
マルビアのランド部であり、サーマルビア7は各サーマ
ルビアのランド部9を鉛直方向に貫通するような構成と
なっており、各サーマルビアのランド部9の隙間にある
絶縁間隔をおいて信号線パターン5が配置されている。
また、信号線パターン5とサーマルビアのランド部9と
は同一の層に配置されている。ここで、サーマルビア7
(サーマルビアの孔に導電性材料を充填することにより
構成される。)およびサーマルビアのランド部9を構成
する材質としては銅を採用し、絶縁体8を構成する材質
としてはポリイミドを採用している。図3は、ダイパッ
ド3が占有する絶縁体面積(ダイパッド3の多層回路基
板1への投影面積)に対するサーマルビア7が占有する
面積の比率の変化に対するダイパッド3が占有する部分
の多層回路基板1の熱抵抗値の変化の様子を示す図であ
る。この熱抵抗値が小さいほどそのダイパッド3が占有
する部分の多層回路基板1は熱を伝えやすいことを意味
する。図3においても、サーマルビア7およびサーマル
ビアのランド部9を構成する材質としては銅を採用し、
絶縁体を構成する材質としてはポリイミドを採用してい
る。
する。図1は、この発明の実施例1にかかる多層回路基
板1に半導体ベアチップ2を実装して鉛直面で切断した
際の構造を水平方向に透視した断面図、図2は図1に示
す多層回路基板1をB−B’線を含む水平面で切断した
際の多層回路基板1を鉛直方向に透視した断面図であ
り、図1、図2において、前記従来例と同一または相当
する構成部分には同一の符号を付しその説明は省略す
る。9は信号線パターン層に水平方向に設けられたサー
マルビアのランド部であり、サーマルビア7は各サーマ
ルビアのランド部9を鉛直方向に貫通するような構成と
なっており、各サーマルビアのランド部9の隙間にある
絶縁間隔をおいて信号線パターン5が配置されている。
また、信号線パターン5とサーマルビアのランド部9と
は同一の層に配置されている。ここで、サーマルビア7
(サーマルビアの孔に導電性材料を充填することにより
構成される。)およびサーマルビアのランド部9を構成
する材質としては銅を採用し、絶縁体8を構成する材質
としてはポリイミドを採用している。図3は、ダイパッ
ド3が占有する絶縁体面積(ダイパッド3の多層回路基
板1への投影面積)に対するサーマルビア7が占有する
面積の比率の変化に対するダイパッド3が占有する部分
の多層回路基板1の熱抵抗値の変化の様子を示す図であ
る。この熱抵抗値が小さいほどそのダイパッド3が占有
する部分の多層回路基板1は熱を伝えやすいことを意味
する。図3においても、サーマルビア7およびサーマル
ビアのランド部9を構成する材質としては銅を採用し、
絶縁体を構成する材質としてはポリイミドを採用してい
る。
【0014】上記のように構成された多層回路基板1に
ついて説明する。フェイスアップボンディング法を用い
て、この構造を用いた多層回路基板1にダイパッド3を
介して半導体ベアチップ2を実装した場合、図2に示す
ように、1つのダイパッド3が占有する絶縁体面積あた
りのサーマルビア7の個数を従来の個数よりも少なくし
てサーマルビア7の密集度を従来よりも粗くして各層毎
にサーマルビア7に対応してサーマルビアのランド部9
を設定し、立体的には格子上に配置する。そして、各層
毎に配置されたサーマルビアのランド部9の隙間に、あ
る絶縁間隔をおいて信号線パターン5を配置すると、従
来、ダイパッド3の下に密集して設けられているサーマ
ルビア7によって信号線パターン5の引き回しが疎外さ
れることなく、高密度な配線パターンの設定が可能とな
る。
ついて説明する。フェイスアップボンディング法を用い
て、この構造を用いた多層回路基板1にダイパッド3を
介して半導体ベアチップ2を実装した場合、図2に示す
ように、1つのダイパッド3が占有する絶縁体面積あた
りのサーマルビア7の個数を従来の個数よりも少なくし
てサーマルビア7の密集度を従来よりも粗くして各層毎
にサーマルビア7に対応してサーマルビアのランド部9
を設定し、立体的には格子上に配置する。そして、各層
毎に配置されたサーマルビアのランド部9の隙間に、あ
る絶縁間隔をおいて信号線パターン5を配置すると、従
来、ダイパッド3の下に密集して設けられているサーマ
ルビア7によって信号線パターン5の引き回しが疎外さ
れることなく、高密度な配線パターンの設定が可能とな
る。
【0015】また、1つのダイパッド3が占有する絶縁
体面積あたりのサーマルビア7の個数が従来の個数より
も少なくなるため、サーマルビア7による外部への熱の
放散が低下することが考えられるが、1つのダイパッド
3が占有する絶縁体面積に対するサーマルビア7の占有
面積の比率とダイパッド3が占有する部分の多層回路基
板1の熱抵抗値との関係は、図3に示すように、占有面
積の比率が0%のとき熱抵抗値は2.62[℃/W]、
占有面積の比率が0.5%のとき熱抵抗値は0.75
[℃/W]、占有面積の比率が1%のとき熱抵抗値は
0.65[℃/W]、占有面積の比率が2%のとき熱抵
抗値は0.60[℃/W]、占有面積の比率が5%のと
き熱抵抗値は0.55[℃/W]、占有面積の比率が1
0%のとき熱抵抗値は0.52[℃/W]、占有面積の
比率が15%のとき熱抵抗値は0.52[℃/W]、占
有面積の比率が20%のとき熱抵抗値は0.52[℃/
W]、占有面積の比率が25%のとき熱抵抗値は0.5
2[℃/W]となる。したがって、1つのダイパッド3
が占有する絶縁体面積あたりのサーマルビア7の個数が
従来の個数よりも少なくなっても、この場合、ダイパッ
ド3が占有する絶縁体面積に対するサーマルビア7の占
有面積の比率を2%以上とすれば、ダイパッド3が占有
する部分の多層回路基板1の部分の熱抵抗値はほぼ一定
値(0.52[℃/W])に落ち着いていき、多層回路
基板1のうちダイパッド3が占有する部分に相当する基
板部分については熱の伝わりが良好となり外部への熱の
放散が促進されるので問題はない。また、多層回路基板
1に半導体ベアチップ2を実装する方法は、上記のよう
なフェイスアップボンディング法に限らず、フェイスダ
ウンボンディング法、その他の実装方法であってもよ
い。本実施例ではサーマルビアのランド部とサーマルビ
アのランド部との間に信号線パターン5を配置するよう
にしたが、サーマルビアとサーマルビアとの間や、サー
マルビアとサーマルビアのランド部との間に信号線パタ
ーンを配置するようにしてもよい。
体面積あたりのサーマルビア7の個数が従来の個数より
も少なくなるため、サーマルビア7による外部への熱の
放散が低下することが考えられるが、1つのダイパッド
3が占有する絶縁体面積に対するサーマルビア7の占有
面積の比率とダイパッド3が占有する部分の多層回路基
板1の熱抵抗値との関係は、図3に示すように、占有面
積の比率が0%のとき熱抵抗値は2.62[℃/W]、
占有面積の比率が0.5%のとき熱抵抗値は0.75
[℃/W]、占有面積の比率が1%のとき熱抵抗値は
0.65[℃/W]、占有面積の比率が2%のとき熱抵
抗値は0.60[℃/W]、占有面積の比率が5%のと
き熱抵抗値は0.55[℃/W]、占有面積の比率が1
0%のとき熱抵抗値は0.52[℃/W]、占有面積の
比率が15%のとき熱抵抗値は0.52[℃/W]、占
有面積の比率が20%のとき熱抵抗値は0.52[℃/
W]、占有面積の比率が25%のとき熱抵抗値は0.5
2[℃/W]となる。したがって、1つのダイパッド3
が占有する絶縁体面積あたりのサーマルビア7の個数が
従来の個数よりも少なくなっても、この場合、ダイパッ
ド3が占有する絶縁体面積に対するサーマルビア7の占
有面積の比率を2%以上とすれば、ダイパッド3が占有
する部分の多層回路基板1の部分の熱抵抗値はほぼ一定
値(0.52[℃/W])に落ち着いていき、多層回路
基板1のうちダイパッド3が占有する部分に相当する基
板部分については熱の伝わりが良好となり外部への熱の
放散が促進されるので問題はない。また、多層回路基板
1に半導体ベアチップ2を実装する方法は、上記のよう
なフェイスアップボンディング法に限らず、フェイスダ
ウンボンディング法、その他の実装方法であってもよ
い。本実施例ではサーマルビアのランド部とサーマルビ
アのランド部との間に信号線パターン5を配置するよう
にしたが、サーマルビアとサーマルビアとの間や、サー
マルビアとサーマルビアのランド部との間に信号線パタ
ーンを配置するようにしてもよい。
【0016】実施例2.この発明の実施例2について説
明する。図4は、この発明の実施例2にかかる多層回路
基板1に半導体ベアチップ2を実装して鉛直面で切断し
た際の半導体装置の構造を水平方向に透視した断面図、
図5は図4に示す多層回路基板1をC−C’線を含む水
平面で切断した際の多層回路基板1を鉛直方向に透視し
た断面図であり、図4、図5において、前記従来例およ
び前記実施例と同一または相当する構成部分は同一の符
号を付しその説明は省略する。10は導通パターンであ
りサーマルビアのランド部9とは同一の層に配置され、
導通パターン10は同一の層内に存在する各サーマルビ
アのランド部9同士を所定の水平方向に相互に電気的に
接続している。そして各サーマルビアのランド部9から
鉛直方向に伸びるサーマルビア7は接地線パターン6と
電気的に接続されている。また、信号線パターン5とサ
ーマルビアのランド部9とは同一の層において相互に所
定の水平方向にある絶縁間隔をおいて平行して沿うよう
に配置されている。その結果、ある同一の層において各
サーマルビアのランド部9同士を導通パターン10によ
って電気的に接続した線と、信号線パターン5は互いに
平行となる。実施例2においてもサーマルビア7および
サーマルビアのランド部9を構成する材質としては銅を
採用し、絶縁体を構成する材質としてはポリイミドを採
用している。
明する。図4は、この発明の実施例2にかかる多層回路
基板1に半導体ベアチップ2を実装して鉛直面で切断し
た際の半導体装置の構造を水平方向に透視した断面図、
図5は図4に示す多層回路基板1をC−C’線を含む水
平面で切断した際の多層回路基板1を鉛直方向に透視し
た断面図であり、図4、図5において、前記従来例およ
び前記実施例と同一または相当する構成部分は同一の符
号を付しその説明は省略する。10は導通パターンであ
りサーマルビアのランド部9とは同一の層に配置され、
導通パターン10は同一の層内に存在する各サーマルビ
アのランド部9同士を所定の水平方向に相互に電気的に
接続している。そして各サーマルビアのランド部9から
鉛直方向に伸びるサーマルビア7は接地線パターン6と
電気的に接続されている。また、信号線パターン5とサ
ーマルビアのランド部9とは同一の層において相互に所
定の水平方向にある絶縁間隔をおいて平行して沿うよう
に配置されている。その結果、ある同一の層において各
サーマルビアのランド部9同士を導通パターン10によ
って電気的に接続した線と、信号線パターン5は互いに
平行となる。実施例2においてもサーマルビア7および
サーマルビアのランド部9を構成する材質としては銅を
採用し、絶縁体を構成する材質としてはポリイミドを採
用している。
【0017】上記のように構成された多層回路基板1に
ついて説明する。前記実施例1と同様に、フェイスアッ
プボンディング法を用いて、この構造を用いた多層回路
基板1にダイパッド3を介して半導体ベアチップ2を実
装した場合、図5に示すように、1つのダイパッド3が
占有する絶縁体面積あたりのサーマルビア7の個数を従
来の個数よりも少なくして密集度を従来よりも粗くし、
各層毎にサーマルビア7に対応してサーマルビアのラン
ド部9を設定し、立体的には格子上に配置する。そし
て、同一の層内にあるそれら配置されたサーマルビアの
ランド部9を、ある所定の水平方向に相互に導通パター
ン10によって接続し、さらに、ある同一の層内におい
て各サーマルビアのランド部9の隙間に、ある絶縁間隔
をおいて信号線パターン5を所定の水平方向にそれら導
通パターン10に平行に配置すると、従来、ダイパッド
3の下に密集して設けられているサーマルビア7によっ
て信号線パターン5の引き回しが疎外されることなく、
高密度な配線パターンの設定が可能となり、また、接地
線パターン6と接続されている各サーマルビアのランド
部9は同一の層内で導通パターン10により電気的に導
通した状態となってその部分は接地電位となり、図5に
示すように、導通パターン10と信号線パターン5とが
互いに平行に配置されることにより、それら信号線パタ
ーン5を通る信号の耐ノイズ性が向上する。
ついて説明する。前記実施例1と同様に、フェイスアッ
プボンディング法を用いて、この構造を用いた多層回路
基板1にダイパッド3を介して半導体ベアチップ2を実
装した場合、図5に示すように、1つのダイパッド3が
占有する絶縁体面積あたりのサーマルビア7の個数を従
来の個数よりも少なくして密集度を従来よりも粗くし、
各層毎にサーマルビア7に対応してサーマルビアのラン
ド部9を設定し、立体的には格子上に配置する。そし
て、同一の層内にあるそれら配置されたサーマルビアの
ランド部9を、ある所定の水平方向に相互に導通パター
ン10によって接続し、さらに、ある同一の層内におい
て各サーマルビアのランド部9の隙間に、ある絶縁間隔
をおいて信号線パターン5を所定の水平方向にそれら導
通パターン10に平行に配置すると、従来、ダイパッド
3の下に密集して設けられているサーマルビア7によっ
て信号線パターン5の引き回しが疎外されることなく、
高密度な配線パターンの設定が可能となり、また、接地
線パターン6と接続されている各サーマルビアのランド
部9は同一の層内で導通パターン10により電気的に導
通した状態となってその部分は接地電位となり、図5に
示すように、導通パターン10と信号線パターン5とが
互いに平行に配置されることにより、それら信号線パタ
ーン5を通る信号の耐ノイズ性が向上する。
【0018】また、1つのダイパッド3が占有する絶縁
体面積あたりのサーマルビア7の個数が従来の個数より
も少なくなるため、サーマルビア7による外部への熱の
放散が低下することが考えられるが、1つのダイパッド
3が占有する絶縁体面積に対するサーマルビア7の占有
面積の比率とダイパッド3が占有する部分の多層回路基
板1の熱抵抗値との関係は、前記実施例1と同様に、図
3に示すように、占有面積の比率が0%のとき熱抵抗値
は2.62[℃/W]、占有面積の比率が0.5%のと
き熱抵抗値は0.75[℃/W]、占有面積の比率が1
%のとき熱抵抗値は0.65[℃/W]、占有面積の比
率が2%のとき熱抵抗値は0.60[℃/W]、占有面
積の比率が5%のとき熱抵抗値は0.55[℃/W]、
占有面積の比率が10%のとき熱抵抗値は0.52[℃
/W]、占有面積の比率が15%のとき熱抵抗値は0.
52[℃/W]、占有面積の比率が20%のとき熱抵抗
値は0.52[℃/W]、占有面積の比率が25%のと
き熱抵抗値は0.52[℃/W]となる。したがって、
1つのダイパッド3が占有する絶縁体面積あたりのサー
マルビア7の個数が従来の個数よりも少なくなっても、
この場合、ダイパッド3が占有する絶縁体面積に対する
サーマルビア7の占有面積の比率を2%以上とすれば、
ダイパッド3が占有する部分の多層回路基板1の部分の
熱抵抗値はほぼ一定値(0.52[℃/W])に小さく
なり、多層回路基板1のうちダイパッド3が占有する部
分に相当する基板部分については熱の伝わりが良好とな
り、外部への熱の放散が促進されるので問題はない。一
方、多層回路基板1に半導体ベアチップ2を実装する方
法は、上記のようなフェイスアップボンディング法に限
らず、フェイスダウンボンディング法、その他の実装方
法であってもよい。
体面積あたりのサーマルビア7の個数が従来の個数より
も少なくなるため、サーマルビア7による外部への熱の
放散が低下することが考えられるが、1つのダイパッド
3が占有する絶縁体面積に対するサーマルビア7の占有
面積の比率とダイパッド3が占有する部分の多層回路基
板1の熱抵抗値との関係は、前記実施例1と同様に、図
3に示すように、占有面積の比率が0%のとき熱抵抗値
は2.62[℃/W]、占有面積の比率が0.5%のと
き熱抵抗値は0.75[℃/W]、占有面積の比率が1
%のとき熱抵抗値は0.65[℃/W]、占有面積の比
率が2%のとき熱抵抗値は0.60[℃/W]、占有面
積の比率が5%のとき熱抵抗値は0.55[℃/W]、
占有面積の比率が10%のとき熱抵抗値は0.52[℃
/W]、占有面積の比率が15%のとき熱抵抗値は0.
52[℃/W]、占有面積の比率が20%のとき熱抵抗
値は0.52[℃/W]、占有面積の比率が25%のと
き熱抵抗値は0.52[℃/W]となる。したがって、
1つのダイパッド3が占有する絶縁体面積あたりのサー
マルビア7の個数が従来の個数よりも少なくなっても、
この場合、ダイパッド3が占有する絶縁体面積に対する
サーマルビア7の占有面積の比率を2%以上とすれば、
ダイパッド3が占有する部分の多層回路基板1の部分の
熱抵抗値はほぼ一定値(0.52[℃/W])に小さく
なり、多層回路基板1のうちダイパッド3が占有する部
分に相当する基板部分については熱の伝わりが良好とな
り、外部への熱の放散が促進されるので問題はない。一
方、多層回路基板1に半導体ベアチップ2を実装する方
法は、上記のようなフェイスアップボンディング法に限
らず、フェイスダウンボンディング法、その他の実装方
法であってもよい。
【0019】実施例3.この発明の実施例3について説
明する。実施例3においては、前記実施例2に示したよ
うな多層回路基板1に半導体ベアチップを複数配置した
場合、半導体ベアチップと半導体ベアチップとの間に設
定された、多層回路基板1内の信号線パターン5の耐ノ
イズ性を向上させることをも目的としている。図6は、
この発明の実施例3にかかる多層回路基板1に半導体ベ
アチップ2を複数実装して鉛直平面で切断した際の構造
を水平方向に透視した断面図、図7は図6に示す多層回
路基板1をD−D’線を含む水平面で切断した際の多層
回路基板1を鉛直方向に透視した断面図、図8は図7に
示す多層回路基板1をE−E’線を含む鉛直平面で切断
した際の多層回路基板1を水平方向に透視した時の断面
図であり、図6〜図8において、前記従来例および前記
実施例と同一または相当する構成部分は同一の符号を付
しその説明は省略する。
明する。実施例3においては、前記実施例2に示したよ
うな多層回路基板1に半導体ベアチップを複数配置した
場合、半導体ベアチップと半導体ベアチップとの間に設
定された、多層回路基板1内の信号線パターン5の耐ノ
イズ性を向上させることをも目的としている。図6は、
この発明の実施例3にかかる多層回路基板1に半導体ベ
アチップ2を複数実装して鉛直平面で切断した際の構造
を水平方向に透視した断面図、図7は図6に示す多層回
路基板1をD−D’線を含む水平面で切断した際の多層
回路基板1を鉛直方向に透視した断面図、図8は図7に
示す多層回路基板1をE−E’線を含む鉛直平面で切断
した際の多層回路基板1を水平方向に透視した時の断面
図であり、図6〜図8において、前記従来例および前記
実施例と同一または相当する構成部分は同一の符号を付
しその説明は省略する。
【0020】図6、図7に示すように、半導体ベアチッ
プと半導体ベアチップとの間に適当な絶縁間隔をおいて
各層に形成された、半導体ベアチップと半導体ベアチッ
プとを接続する何本かの信号線パターン5に対し、それ
ら信号線パターン5にある間隔をおいて所定の水平方向
に平行して沿うように、前記実施例2と同様に、サーマ
ルビアのランド部9と同一の層に配置された導通パター
ン10を用いて、それら同一の層内に存在する各サーマ
ルビアのランド部9同士を所定の水平方向に相互に電気
的に接続することによって、接地線パターン6をそれら
信号線パターン5が存在する層に設定する(信号線パタ
ーン5と接地線パターン6とが平行になるように設定す
る)。一方、これらの信号線パターン5や接地線パター
ン6とは別個に、接地線として各層にベタ構造の接地線
導通パターン11を形成し、それら設定された接地線パ
ターン6およびベタ構造の接地線導通パターン11を、
サーマルビア7およびサーマルビアのランド部9を用い
て相互に鉛直方向に電気的に接続することによって、そ
れら接地線パターン6およびベタ構造の接地線導通パタ
ーン11は共通の接地電位とすることができ、立体的な
接地線パターン網が形成される。また、実施例3におい
てもサーマルビア7およびサーマルビアのランド部9を
構成する材質としては銅を採用し、絶縁体を構成する材
質としてはポリイミドを採用している。
プと半導体ベアチップとの間に適当な絶縁間隔をおいて
各層に形成された、半導体ベアチップと半導体ベアチッ
プとを接続する何本かの信号線パターン5に対し、それ
ら信号線パターン5にある間隔をおいて所定の水平方向
に平行して沿うように、前記実施例2と同様に、サーマ
ルビアのランド部9と同一の層に配置された導通パター
ン10を用いて、それら同一の層内に存在する各サーマ
ルビアのランド部9同士を所定の水平方向に相互に電気
的に接続することによって、接地線パターン6をそれら
信号線パターン5が存在する層に設定する(信号線パタ
ーン5と接地線パターン6とが平行になるように設定す
る)。一方、これらの信号線パターン5や接地線パター
ン6とは別個に、接地線として各層にベタ構造の接地線
導通パターン11を形成し、それら設定された接地線パ
ターン6およびベタ構造の接地線導通パターン11を、
サーマルビア7およびサーマルビアのランド部9を用い
て相互に鉛直方向に電気的に接続することによって、そ
れら接地線パターン6およびベタ構造の接地線導通パタ
ーン11は共通の接地電位とすることができ、立体的な
接地線パターン網が形成される。また、実施例3におい
てもサーマルビア7およびサーマルビアのランド部9を
構成する材質としては銅を採用し、絶縁体を構成する材
質としてはポリイミドを採用している。
【0021】上記のように構成された多層回路基板1に
ついて説明する。前記実施例1及び実施例2のように、
フェイスアップボンディング法を用いて、この構造を用
いた多層回路基板1にダイパッド3を介して半導体ベア
チップ2を実装した場合、図5に示すように、1つのダ
イパッド3が占有する絶縁体面積あたりのサーマルビア
7の個数を従来の個数よりも少なくして密集度を従来よ
りも粗くし、サーマルビア7およびサーマルビアのラン
ド部9を各層毎に配置し、立体的には格子上に配置す
る。そして、前述のようにそれら格子状に配置されたサ
ーマルビアのランド部9のうち、同一の層内にある配置
されたサーマルビアのランド部9を、ある所定の水平方
向に対して相互に導通パターン10によって接続して接
地線パターン6を形成し、さらに、ある同一層内におい
て各サーマルビアのランド部9の隙間に、ある絶縁間隔
をおいて設定された信号線パターン5を所定の水平方向
に導通パターン10と平行に配置すると、従来、ダイパ
ッド3の下に密集して設けられているサーマルビア7に
よって信号線パターン5の引き回しが疎外されることな
く、高密度な配線パターンの設定が可能となり、接地線
パターン6と接続されている各サーマルビアのランド部
9は同一層内で導通パターン10により電気的に導通し
た状態となるので、その部分は接地電位となり、また前
述のようにベタ構造の導通パターン11を用いて立体的
な接地線パターンが形成され、図7に示すように、導通
パターン10およびベタ構造の導通パターン11と信号
線パターン5とが適当な絶縁間隔をおいて互いに所定の
水平方向に平行に配置されることにより、半導体ベアチ
ップ2が実装された部分や、それ以外の部分に所定の絶
縁間隔をおいて設定された信号線パターン5を通る信号
の耐ノイズ性が向上する。
ついて説明する。前記実施例1及び実施例2のように、
フェイスアップボンディング法を用いて、この構造を用
いた多層回路基板1にダイパッド3を介して半導体ベア
チップ2を実装した場合、図5に示すように、1つのダ
イパッド3が占有する絶縁体面積あたりのサーマルビア
7の個数を従来の個数よりも少なくして密集度を従来よ
りも粗くし、サーマルビア7およびサーマルビアのラン
ド部9を各層毎に配置し、立体的には格子上に配置す
る。そして、前述のようにそれら格子状に配置されたサ
ーマルビアのランド部9のうち、同一の層内にある配置
されたサーマルビアのランド部9を、ある所定の水平方
向に対して相互に導通パターン10によって接続して接
地線パターン6を形成し、さらに、ある同一層内におい
て各サーマルビアのランド部9の隙間に、ある絶縁間隔
をおいて設定された信号線パターン5を所定の水平方向
に導通パターン10と平行に配置すると、従来、ダイパ
ッド3の下に密集して設けられているサーマルビア7に
よって信号線パターン5の引き回しが疎外されることな
く、高密度な配線パターンの設定が可能となり、接地線
パターン6と接続されている各サーマルビアのランド部
9は同一層内で導通パターン10により電気的に導通し
た状態となるので、その部分は接地電位となり、また前
述のようにベタ構造の導通パターン11を用いて立体的
な接地線パターンが形成され、図7に示すように、導通
パターン10およびベタ構造の導通パターン11と信号
線パターン5とが適当な絶縁間隔をおいて互いに所定の
水平方向に平行に配置されることにより、半導体ベアチ
ップ2が実装された部分や、それ以外の部分に所定の絶
縁間隔をおいて設定された信号線パターン5を通る信号
の耐ノイズ性が向上する。
【0022】また、1つのダイパッド3が占有する絶縁
体面積あたりのサーマルビア7の個数が従来の個数より
も少なくなるため、サーマルビア7による外部への熱の
放散が低下することが考えられるが、前記実施例1及び
実施例2のように、1つのダイパッド3が占有する絶縁
体面積に対するサーマルビア7の占有面積の比率とその
ダイパッド3が占有する部分の多層回路基板1の熱抵抗
値との関係は、前記実施例1と同様に、図3に示すよう
に、占有面積の比率が0%のとき熱抵抗値は2.62
[℃/W]、占有面積の比率が0.5%のとき熱抵抗値
は0.75[℃/W]、占有面積の比率が1%のとき熱
抵抗値は0.65[℃/W]、占有面積の比率が2%の
とき熱抵抗値は0.60[℃/W]、占有面積の比率が
5%のとき熱抵抗値は0.55[℃/W]、占有面積の
比率が10%のとき熱抵抗値は0.52[℃/W]、占
有面積の比率が15%のとき熱抵抗値は0.52[℃/
W]、占有面積の比率が20%のとき熱抵抗値は0.5
2[℃/W]、占有面積の比率が25%のとき熱抵抗値
は0.52[℃/W]となる。したがって、1つのダイ
パッド3が占有する絶縁体面積に対するサーマルビア7
の個数が従来の個数よりも少なくなっても、ダイパッド
3が占有する絶縁体面積に対するサーマルビア7の占有
面積の比率を2%以上とすれば、ダイパッド3が占有す
る部分の多層回路基板1の部分の熱抵抗値はほぼ一定値
(0.52[℃/W])に小さくなり、多層回路基板1
のうちダイパッド3が占有する部分に相当する基板部分
については熱の伝わりが良好となり外部への熱の放散が
促進されるので問題はない。一方、多層回路基板1に半
導体ベアチップ2を実装する方法は、上記のようなフェ
イスアップボンディング法に限らず、フェイスダウンボ
ンディング法、その他の実装方法であってもよい。
体面積あたりのサーマルビア7の個数が従来の個数より
も少なくなるため、サーマルビア7による外部への熱の
放散が低下することが考えられるが、前記実施例1及び
実施例2のように、1つのダイパッド3が占有する絶縁
体面積に対するサーマルビア7の占有面積の比率とその
ダイパッド3が占有する部分の多層回路基板1の熱抵抗
値との関係は、前記実施例1と同様に、図3に示すよう
に、占有面積の比率が0%のとき熱抵抗値は2.62
[℃/W]、占有面積の比率が0.5%のとき熱抵抗値
は0.75[℃/W]、占有面積の比率が1%のとき熱
抵抗値は0.65[℃/W]、占有面積の比率が2%の
とき熱抵抗値は0.60[℃/W]、占有面積の比率が
5%のとき熱抵抗値は0.55[℃/W]、占有面積の
比率が10%のとき熱抵抗値は0.52[℃/W]、占
有面積の比率が15%のとき熱抵抗値は0.52[℃/
W]、占有面積の比率が20%のとき熱抵抗値は0.5
2[℃/W]、占有面積の比率が25%のとき熱抵抗値
は0.52[℃/W]となる。したがって、1つのダイ
パッド3が占有する絶縁体面積に対するサーマルビア7
の個数が従来の個数よりも少なくなっても、ダイパッド
3が占有する絶縁体面積に対するサーマルビア7の占有
面積の比率を2%以上とすれば、ダイパッド3が占有す
る部分の多層回路基板1の部分の熱抵抗値はほぼ一定値
(0.52[℃/W])に小さくなり、多層回路基板1
のうちダイパッド3が占有する部分に相当する基板部分
については熱の伝わりが良好となり外部への熱の放散が
促進されるので問題はない。一方、多層回路基板1に半
導体ベアチップ2を実装する方法は、上記のようなフェ
イスアップボンディング法に限らず、フェイスダウンボ
ンディング法、その他の実装方法であってもよい。
【0023】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体ベアチップをこの多層回路基板に実装した際、高密度
な配線パターンの形成が可能となる。
体ベアチップをこの多層回路基板に実装した際、高密度
な配線パターンの形成が可能となる。
【図1】この発明の実施例1にかかる多層回路基板1に
半導体ベアチップ2を実装して鉛直面で切断した際の構
造を水平方向に透視した断面図である。
半導体ベアチップ2を実装して鉛直面で切断した際の構
造を水平方向に透視した断面図である。
【図2】図1に示す多層回路基板1をB−B’線を含む
水平面で切断した際の多層回路基板1を鉛直方向に透視
した断面図である。
水平面で切断した際の多層回路基板1を鉛直方向に透視
した断面図である。
【図3】この発明の実施例1にかかる多層回路基板1
の、ダイパッド3が占有する絶縁体面積に対するサーマ
ルビア7の占有面積の比率の変化に対する熱抵抗値の変
化の度合いを示す図である。
の、ダイパッド3が占有する絶縁体面積に対するサーマ
ルビア7の占有面積の比率の変化に対する熱抵抗値の変
化の度合いを示す図である。
【図4】この発明の実施例2にかかる多層回路基板1に
半導体ベアチップ2を実装して鉛直面で切断した際の構
造を水平方向に透視した断面図である。
半導体ベアチップ2を実装して鉛直面で切断した際の構
造を水平方向に透視した断面図である。
【図5】図4に示す多層回路基板1をC−C’線を含む
水平面で切断した際の多層回路基板1を鉛直方向に透視
した断面図である。
水平面で切断した際の多層回路基板1を鉛直方向に透視
した断面図である。
【図6】この発明の実施例3にかかる多層回路基板1に
半導体ベアチップ2を実装して鉛直平面で切断した際の
構造を水平方向に透視した断面図である。
半導体ベアチップ2を実装して鉛直平面で切断した際の
構造を水平方向に透視した断面図である。
【図7】図6に示す多層回路基板1をD−D’線を含む
水平面で切断した際の多層回路基板1を鉛直方向に透視
した断面図である。
水平面で切断した際の多層回路基板1を鉛直方向に透視
した断面図である。
【図8】図7に示す多層回路基板1をE−E’線を含む
鉛直平面で切断した際の多層回路基板1を水平方向に透
視した時の断面図である。
鉛直平面で切断した際の多層回路基板1を水平方向に透
視した時の断面図である。
【図9】特開平3−286560号公報に開示された従
来の多層回路基板1を鉛直平面で切断した際の従来の多
層回路基板の構造を示す断面図である。
来の多層回路基板1を鉛直平面で切断した際の従来の多
層回路基板の構造を示す断面図である。
【図10】図10は図9に示す従来の多層回路基板1を
A−A’線を含む水平面で切断した際の構造を示す断面
図である。
A−A’線を含む水平面で切断した際の構造を示す断面
図である。
1・・・多層回路基板 2・・・半導体ベアチップ 3・・・ダイパッド 4・・・ボンディングパット 5・・・信号線パターン 6・・・接地線パターン 7・・・サーマルビア 8・・・絶縁体 9・・・サーマルビアのランド部 10・・・導通パターン 11・・・ベタ構造の導通パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/46 U 6921−4E H01L 23/52 B (72)発明者 吹野 正弘 神奈川県鎌倉市大船五丁目1番1号 三菱 電機株式会社情報システム研究所内
Claims (5)
- 【請求項1】複数の絶縁層から一体的に成型された、半
導体ベアチップが実装される多層回路基板において、 前記半導体ベアチップで発生した熱を伝えるために、前
記半導体ベアチップが実装される位置に対応して設けら
れた、導電性材料が充填されることによりサーマルビア
を形成する複数のサーマルビア貫通孔と、 前記サーマルビア貫通孔の位置に対応して前記多層回路
基板内のいずれかの絶縁層に設けられた、サーマルビア
貫通孔の周囲に形成された複数のランド部と、 前記半導体ベアチップが実装される位置に対応した前記
多層回路基板内のいずれかの絶縁層内における、サーマ
ルビア貫通孔同士の間、ランド部同士の間、およびサー
マルビア貫通孔とランド部との間の少なくとも1つの間
に設けられた信号線パターンとを備えたことを特徴とす
る多層回路基板。 - 【請求項2】前記多層回路基板上にダイパッドを設け、
このダイパッドを介してこの多層回路基板に対して半導
体ベアチップを実装し、 前記絶縁層を構成する材料はポリイミド樹脂を主成分と
し、 前記サーマルビア貫通孔に充填される導電性材料を形成
する材料は銅を主成分とし、 前記多層回路基板の前記半導体ベアチップを実装する側
の面において、基板の積層方向とは垂直となる前記ダイ
パッドの断面を投影した面積に対して、基板の積層方向
とは垂直となる前記サーマルビア貫通孔の断面を投影し
た面積を0.5%以上となるように前記サーマルビア貫
通孔を設けたことを特徴とする請求項第1項記載の多層
回路基板。 - 【請求項3】前記多層回路基板上にダイパッドを設け、
このダイパッドを介してこの多層回路基板に対して半導
体ベアチップを実装し、 前記絶縁層を構成する材料はポリイミド樹脂を主成分と
し、 前記サーマルビア貫通孔に充填される導電性材料を形成
する材料は銅を主成分とし、 前記多層回路基板の前記半導体ベアチップを実装する側
の面において、基板の積層方向とは垂直となる前記ダイ
パッドの断面を投影した面積に対して、基板の積層方向
とは垂直となる前記サーマルビア貫通孔の断面を投影し
た面積を1%以上となるように前記サーマルビア貫通孔
を設けたことを特徴とする請求項第1項記載の多層回路
基板。 - 【請求項4】前記多層回路基板上にダイパッドを設け、
このダイパッドを介してこの多層回路基板に対して半導
体ベアチップを実装し、 前記絶縁層を構成する材料はポリイミド樹脂を主成分と
し、 前記サーマルビア貫通孔に充填される導電性材料を形成
する材料は銅を主成分とし、 前記多層回路基板の前記半導体ベアチップを実装する側
の面において、基板の積層方向とは垂直となる前記ダイ
パッドの断面を投影した面積に対して、基板の積層方向
とは垂直となる前記サーマルビア貫通孔の断面を投影し
た面積を2%以上となるように前記サーマルビア貫通孔
を設けたことを特徴とする請求項第1項記載の多層回路
基板。 - 【請求項5】前記多層回路基板内のいずれかの絶縁層に
接地線パターンを設け、 同一の絶縁層に存在する前記サーマルビアのランド部同
士を基板の積層方向とは垂直となる方向に導通し、かつ
前記接地線パターンと導通させ接地線を形成し、この接
地線と平行に前記信号線パターンを配置したことを特徴
とする請求項第1項、第2項、第3項又は第4項記載の
多層回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5190317A JPH0745745A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5190317A JPH0745745A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 多層回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0745745A true JPH0745745A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16256164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5190317A Pending JPH0745745A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 多層回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0745745A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7005746B2 (en) | 2001-09-07 | 2006-02-28 | Fujitsu Limited | Method for designing wiring connecting section and semiconductor device |
JP2013138068A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Denso Corp | 多層プリント基板 |
CN107251220A (zh) * | 2015-02-10 | 2017-10-13 | 高通股份有限公司 | 包括多个过孔连接器和具有梯形状的金属结构的集成电路器件 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5190317A patent/JPH0745745A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7005746B2 (en) | 2001-09-07 | 2006-02-28 | Fujitsu Limited | Method for designing wiring connecting section and semiconductor device |
US7299443B2 (en) | 2001-09-07 | 2007-11-20 | Fujitsu Limited | Method for designing wiring connecting section and semiconductor device |
JP2013138068A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Denso Corp | 多層プリント基板 |
US8895863B2 (en) | 2011-12-28 | 2014-11-25 | Denso Corporation | Multilayer printed circuit board |
CN107251220A (zh) * | 2015-02-10 | 2017-10-13 | 高通股份有限公司 | 包括多个过孔连接器和具有梯形状的金属结构的集成电路器件 |
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