JPH0745468A - セラミックコンデンサおよびセラミックコンデンサを取り付けた半導体装置 - Google Patents
セラミックコンデンサおよびセラミックコンデンサを取り付けた半導体装置Info
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- JPH0745468A JPH0745468A JP5159179A JP15917993A JPH0745468A JP H0745468 A JPH0745468 A JP H0745468A JP 5159179 A JP5159179 A JP 5159179A JP 15917993 A JP15917993 A JP 15917993A JP H0745468 A JPH0745468 A JP H0745468A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高密度実装が可能で、しかもインダクタンス
成分が少なく高速デジタル回路でも十分なノイズ除去機
能を有する、ＩＣやＬＳＩ等の半導体部品に用いるバイ
パス用のセラミックコンデンサおよびそのコンデンサを
取り付けた半導体装置を提供する。 【構成】 コンデンサは、セラミック誘電体基板１の一
方の面に、この面より小さい面積の一方の容量電極３ａ
が形成され、セラミック誘電体基板の他方の面の全面に
他方の容量電極３ｂが形成されており、この他方の容量
電極は前記一方の容量電極とはギャップを置き、かつ囲
むようにセラミック誘電体基板の一方の面周縁に形成さ
れた導出電極３ｃと接続されている。また、上記コンデ
ンサは、半導体素子に絶縁層４ｂを介して載置され、コ
ンデンサの容量電極および導出電極と半導体素子の電極
端子がワイヤーボンディングにより接続されている。
成分が少なく高速デジタル回路でも十分なノイズ除去機
能を有する、ＩＣやＬＳＩ等の半導体部品に用いるバイ
パス用のセラミックコンデンサおよびそのコンデンサを
取り付けた半導体装置を提供する。 【構成】 コンデンサは、セラミック誘電体基板１の一
方の面に、この面より小さい面積の一方の容量電極３ａ
が形成され、セラミック誘電体基板の他方の面の全面に
他方の容量電極３ｂが形成されており、この他方の容量
電極は前記一方の容量電極とはギャップを置き、かつ囲
むようにセラミック誘電体基板の一方の面周縁に形成さ
れた導出電極３ｃと接続されている。また、上記コンデ
ンサは、半導体素子に絶縁層４ｂを介して載置され、コ
ンデンサの容量電極および導出電極と半導体素子の電極
端子がワイヤーボンディングにより接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣやＬＳＩ等の半導体
素子に用いるバイパス用のセラミックコンデンサおよび
セラミックコンデンサを取り付けた半導体装置に関す
る。
素子に用いるバイパス用のセラミックコンデンサおよび
セラミックコンデンサを取り付けた半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型、高速デジタル化
の動きはとどまるところがない。これにともない、これ
ら電子機器に用いる電子部品の小型高密度実装化が益々
要望されている。従来、この電子機器の小型、高速デジ
タル化の基となっているＩＣやＬＳＩ等の半導体素子に
用いるバイパス用のコンデンサは、回路基板上のＩＣや
ＬＳＩ等の半導体素子の周囲に実装されていた。このた
め、このバイパス用のコンデンサについては、積層化、
チップ化等によって小型化して基板の占有面積を小さく
する工夫が行われてきた。その結果、これら用途にはチ
ップタイプの積層セラミックコンデンサが主として用い
られている。
の動きはとどまるところがない。これにともない、これ
ら電子機器に用いる電子部品の小型高密度実装化が益々
要望されている。従来、この電子機器の小型、高速デジ
タル化の基となっているＩＣやＬＳＩ等の半導体素子に
用いるバイパス用のコンデンサは、回路基板上のＩＣや
ＬＳＩ等の半導体素子の周囲に実装されていた。このた
め、このバイパス用のコンデンサについては、積層化、
チップ化等によって小型化して基板の占有面積を小さく
する工夫が行われてきた。その結果、これら用途にはチ
ップタイプの積層セラミックコンデンサが主として用い
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
回路基板上のＩＣやＬＳＩ等の半導体素子の周囲にバイ
パス用のコンデンサを実装するという方法では、いくら
バイパス用のコンデンサの小型化が進んでも、ＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体素子の周囲にバイパス用のコンデンサ自
体とその配線のための実装スペースが必要であり、回路
基板としての小型化に限界があった。
回路基板上のＩＣやＬＳＩ等の半導体素子の周囲にバイ
パス用のコンデンサを実装するという方法では、いくら
バイパス用のコンデンサの小型化が進んでも、ＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体素子の周囲にバイパス用のコンデンサ自
体とその配線のための実装スペースが必要であり、回路
基板としての小型化に限界があった。
【０００４】また、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子からバ
イパス用のコンデンサまでの配線部に生じるインダクタ
ンス成分が無視できず、高速化した回路ではノイズを除
去しきれないという問題点があった。
イパス用のコンデンサまでの配線部に生じるインダクタ
ンス成分が無視できず、高速化した回路ではノイズを除
去しきれないという問題点があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、回路基板上に実
装スペースや配線スペースの必要がなく、しかもコンデ
ンサ本体および配線のインダクタンスが少なく高速デジ
タル回路でも十分なノイズ除去機能を有する、ＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体素子に用いるバイパス用のコンデンサお
よびそのコンデンサを取り付けた半導体装置を提供する
ことにある。
装スペースや配線スペースの必要がなく、しかもコンデ
ンサ本体および配線のインダクタンスが少なく高速デジ
タル回路でも十分なノイズ除去機能を有する、ＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体素子に用いるバイパス用のコンデンサお
よびそのコンデンサを取り付けた半導体装置を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第１
の発明であるセラミックコンデンサは、セラミック誘電
体基板の一方の主面に、この主面より小さい面積の一方
の容量電極が形成され、前記セラミック誘電体基板の他
方の主面の全面に他方の容量電極が形成されており、こ
の他方の容量電極は前記一方の容量電極とはギャップを
置き、かつ囲むようにセラミック誘電体基板の一方の主
面周縁に形成された導出電極と接続されていることを特
徴とする。
の発明であるセラミックコンデンサは、セラミック誘電
体基板の一方の主面に、この主面より小さい面積の一方
の容量電極が形成され、前記セラミック誘電体基板の他
方の主面の全面に他方の容量電極が形成されており、こ
の他方の容量電極は前記一方の容量電極とはギャップを
置き、かつ囲むようにセラミック誘電体基板の一方の主
面周縁に形成された導出電極と接続されていることを特
徴とする。
【０００７】また、セラミック誘電体基板として、Ｓｒ
ＴｉＯ3 系の粒界絶縁型半導体コンデンサ用の基板を用
いることにより、大容量かつ周波数特性に優れたセラミ
ックコンデンサを得ることができる。
ＴｉＯ3 系の粒界絶縁型半導体コンデンサ用の基板を用
いることにより、大容量かつ周波数特性に優れたセラミ
ックコンデンサを得ることができる。
【０００８】また、セラミック誘電体基板の一方の主面
に形成する容量電極および導出電極の表面の少なくとも
一部には、ワイヤーボンディング性を良好にするため、
Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも一種類を主成分とす
る外層電極を形成するのが好ましい。
に形成する容量電極および導出電極の表面の少なくとも
一部には、ワイヤーボンディング性を良好にするため、
Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも一種類を主成分とす
る外層電極を形成するのが好ましい。
【０００９】さらに、本発明の第２の発明であるセラミ
ックコンデンサを取り付けた半導体装置は、第１の発明
のセラミックコンデンサが半導体素子に絶縁層を介して
載置され、前記セラミックコンデンサの容量電極および
導出電極と前記半導体素子の電極がワイヤーボンディン
グにより接続されていることを特徴とする。
ックコンデンサを取り付けた半導体装置は、第１の発明
のセラミックコンデンサが半導体素子に絶縁層を介して
載置され、前記セラミックコンデンサの容量電極および
導出電極と前記半導体素子の電極がワイヤーボンディン
グにより接続されていることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明のセラミックコンデンサは、容量電極お
よび導出電極を有する面を上にして、ＩＣやＬＳＩ等の
半導体素子の上面に重ねて固定した後、容量電極および
導出電極と半導体素子の電極とをワイヤーボンディング
により接続することにより実装される。したがって、コ
ンデンサの実装時に特別の実装スペースや配線スペース
を必要としない。
よび導出電極を有する面を上にして、ＩＣやＬＳＩ等の
半導体素子の上面に重ねて固定した後、容量電極および
導出電極と半導体素子の電極とをワイヤーボンディング
により接続することにより実装される。したがって、コ
ンデンサの実装時に特別の実装スペースや配線スペース
を必要としない。
【００１１】また、本発明のセラミックコンデンサは、
平板のセラミック誘電体に対向電極を設けた構造となっ
ており、コンデンサの内部インダクタンスはほとんど無
視できる。さらにＩＣやＬＳＩ等の半導体素子との結線
においても、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子の電極と本発
明のセラミックコンデンサの電極をワイヤーボンディン
グで接続すれば、配線によるインダクタンス成分の増加
が極小に押さえられる。
平板のセラミック誘電体に対向電極を設けた構造となっ
ており、コンデンサの内部インダクタンスはほとんど無
視できる。さらにＩＣやＬＳＩ等の半導体素子との結線
においても、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子の電極と本発
明のセラミックコンデンサの電極をワイヤーボンディン
グで接続すれば、配線によるインダクタンス成分の増加
が極小に押さえられる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明のセラミックコンデンサの実施
例を図面に基づき説明する。図１は、第１の実施例を示
す斜視図、図２は図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図、図３は
製造過程を示す断面図である。
例を図面に基づき説明する。図１は、第１の実施例を示
す斜視図、図２は図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図、図３は
製造過程を示す断面図である。
【００１３】図１において、１はＳｒＴｉＯ3 系の粒界
絶縁型半導体コンデンサ用のセラミック誘電体基板、４
ａは耐溶剤・絶縁性を有するマスキング層、５ａ，５ｂ
はそれぞれＡｕからなる外層電極である。
絶縁型半導体コンデンサ用のセラミック誘電体基板、４
ａは耐溶剤・絶縁性を有するマスキング層、５ａ，５ｂ
はそれぞれＡｕからなる外層電極である。
【００１４】図２において、３ａはセラミック誘電体基
板１の一方の主面に形成されたＣｕからなる一方の容量
電極、３ｂはセラミック誘電体基板１の他方の主面に形
成されたＣｕからなる他方の容量電極である。３ｃは容
量電極３ａを囲むようにセラミック誘電体基板１の周縁
に形成されたＣｕからなる導出電極であり、容量電極３
ｂに接続されている。４ｂは４ａと同様に耐溶剤・絶縁
性を有するマスキング層である。その他の部分は、図１
と同一であるので、同一番号を付して説明は省略する。
板１の一方の主面に形成されたＣｕからなる一方の容量
電極、３ｂはセラミック誘電体基板１の他方の主面に形
成されたＣｕからなる他方の容量電極である。３ｃは容
量電極３ａを囲むようにセラミック誘電体基板１の周縁
に形成されたＣｕからなる導出電極であり、容量電極３
ｂに接続されている。４ｂは４ａと同様に耐溶剤・絶縁
性を有するマスキング層である。その他の部分は、図１
と同一であるので、同一番号を付して説明は省略する。
【００１５】次に、本発明のセラミックコンデンサの製
造方法を図３に基づき説明する。まず、１０ｍｍ角、
０．４ｍｍ厚みのＳｒＴｉＯ3 系の粒界絶縁型半導体コ
ンデンサ用のセラミック誘電体基板１を、従来より公知
の方法で準備した。そのセラミック誘電体基板１の一方
の主面に有機溶剤に溶解しメッキ液には溶解しないピッ
チ系のレジストインクを印刷し乾燥させて、表面から見
て口の字状のレジスト層２を形成した。その後、レジス
ト層２を形成したセラミック誘電体基板１に、前処理と
して感受性付与および活性化処理をしたのち無電解Ｃｕ
メッキを施し、セラミック誘電体基板１の全面にＣｕか
らなる内層電極３を形成した。次に、内層電極３を形成
したセラミック誘電体基板１の両面に、乾燥後は絶縁性
を有し有機溶剤に溶解しないマスキングペーストを印刷
し乾燥させて、先にレジスト層２を形成した一方の主面
の中央部にはマスキング層４ａを形成し、また他方の主
面には全面にマスキング層４ｂを形成した。その後、通
常の無電解Ａｕメッキ工法で、内層電極３の表面に露出
している部分にＡｕからなる外層電極５を形成した。最
後に、以上処理したセラミック誘電体基板１を有機溶剤
中に浸漬してレジスト層２を溶解させて、内層電極３を
容量電極３ａと導出電極３ｃを有する容量電極３ｂに分
離し、外層電極５を外層電極５ａと外層電極５ｂに分離
して対向電極を形成し、図１および図２に示すセラミッ
クコンデンサを得た。
造方法を図３に基づき説明する。まず、１０ｍｍ角、
０．４ｍｍ厚みのＳｒＴｉＯ3 系の粒界絶縁型半導体コ
ンデンサ用のセラミック誘電体基板１を、従来より公知
の方法で準備した。そのセラミック誘電体基板１の一方
の主面に有機溶剤に溶解しメッキ液には溶解しないピッ
チ系のレジストインクを印刷し乾燥させて、表面から見
て口の字状のレジスト層２を形成した。その後、レジス
ト層２を形成したセラミック誘電体基板１に、前処理と
して感受性付与および活性化処理をしたのち無電解Ｃｕ
メッキを施し、セラミック誘電体基板１の全面にＣｕか
らなる内層電極３を形成した。次に、内層電極３を形成
したセラミック誘電体基板１の両面に、乾燥後は絶縁性
を有し有機溶剤に溶解しないマスキングペーストを印刷
し乾燥させて、先にレジスト層２を形成した一方の主面
の中央部にはマスキング層４ａを形成し、また他方の主
面には全面にマスキング層４ｂを形成した。その後、通
常の無電解Ａｕメッキ工法で、内層電極３の表面に露出
している部分にＡｕからなる外層電極５を形成した。最
後に、以上処理したセラミック誘電体基板１を有機溶剤
中に浸漬してレジスト層２を溶解させて、内層電極３を
容量電極３ａと導出電極３ｃを有する容量電極３ｂに分
離し、外層電極５を外層電極５ａと外層電極５ｂに分離
して対向電極を形成し、図１および図２に示すセラミッ
クコンデンサを得た。
【００１６】図４に、このようにして得られたセラミッ
クコンデンサの実装例を示す。本発明のセラミックコン
デンサ１１をマスキング層４ｂからなる絶縁層を介して
半導体素子１２の上に載せて接着剤１３で固定した後、
セラミックコンデンサ１１のＡｕからなる外層電極５
ａ，５ｂと半導体素子１２の電極（図示せず）の間をワ
イヤーボンディングにより金線１４で接続した。
クコンデンサの実装例を示す。本発明のセラミックコン
デンサ１１をマスキング層４ｂからなる絶縁層を介して
半導体素子１２の上に載せて接着剤１３で固定した後、
セラミックコンデンサ１１のＡｕからなる外層電極５
ａ，５ｂと半導体素子１２の電極（図示せず）の間をワ
イヤーボンディングにより金線１４で接続した。
【００１７】上記実装方法を採用したことにより、回路
基板上にセラミックコンデンサを実装し配線するための
特別のスペースは不要となり、一方で、十分なノイズ除
去効果が認められた。
基板上にセラミックコンデンサを実装し配線するための
特別のスペースは不要となり、一方で、十分なノイズ除
去効果が認められた。
【００１８】また、セラミックコンデンサの静電容量を
変えてノイズ除去特性を試験したところ、従来のように
半導体素子の周囲の基板上にセラミックコンデンサを実
装した場合と比べて、約２０％小さい静電容量で従来と
同等のノイズ除去効果が得られた。これは、構造が単純
なセラミックコンデンサ１１を半導体素子１２に載置
し、双方をワイヤーボンディングにより接続して配線の
引き回しを短くしたことにより、セラミックコンデンサ
１１の実装によるインダクタンスの増加が押さえられた
ためである。
変えてノイズ除去特性を試験したところ、従来のように
半導体素子の周囲の基板上にセラミックコンデンサを実
装した場合と比べて、約２０％小さい静電容量で従来と
同等のノイズ除去効果が得られた。これは、構造が単純
なセラミックコンデンサ１１を半導体素子１２に載置
し、双方をワイヤーボンディングにより接続して配線の
引き回しを短くしたことにより、セラミックコンデンサ
１１の実装によるインダクタンスの増加が押さえられた
ためである。
【００１９】なお、上記実施例において、セラミック誘
電体基板の材質としてＳｒＴｉＯ3系の粒界絶縁型半導
体コンデンサ用のセラミックスを用いているが、これに
限定されることはなく、例えばＢａＴｉＯ3 系のセラミ
ックス等の種々のものを用いることができる。
電体基板の材質としてＳｒＴｉＯ3系の粒界絶縁型半導
体コンデンサ用のセラミックスを用いているが、これに
限定されることはなく、例えばＢａＴｉＯ3 系のセラミ
ックス等の種々のものを用いることができる。
【００２０】また、上記実施例において、容量電極の材
料としてＣｕを、外層電極の材料としてＡｕを用いてい
るが、これに限定されるものではない。例えば、容量電
極としてはＣｕ以外にセラミックコンデンサの電極とし
て公知のＡｇ，Ｐｄ，Ｎｉ等を単独あるいは組み合わせ
て、あるいはＡｇ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ｎｉ等に多層化したも
のを適宜用いることができる。また、外層電極としても
Ａｕ以外にワイヤーボンディング性の良いＰｔ，Ｐｄ等
を同様に用いることができる。
料としてＣｕを、外層電極の材料としてＡｕを用いてい
るが、これに限定されるものではない。例えば、容量電
極としてはＣｕ以外にセラミックコンデンサの電極とし
て公知のＡｇ，Ｐｄ，Ｎｉ等を単独あるいは組み合わせ
て、あるいはＡｇ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ｎｉ等に多層化したも
のを適宜用いることができる。また、外層電極としても
Ａｕ以外にワイヤーボンディング性の良いＰｔ，Ｐｄ等
を同様に用いることができる。
【００２１】また、絶縁性を有するマスキング層は必須
ではない。性能的には、実装時に本発明のセラミックコ
ンデンサを載置するＩＣあるいはＬＳＩ等の半導体素子
の面が絶縁処理してあれば、特に必要はない。
ではない。性能的には、実装時に本発明のセラミックコ
ンデンサを載置するＩＣあるいはＬＳＩ等の半導体素子
の面が絶縁処理してあれば、特に必要はない。
【００２２】さらに、本発明のセラミックコンデンサの
製造方法についても、上記実施例に限定されることな
く、例えば、Ａｕからなる外層電極を形成する前にレジ
スト層を溶剤で溶解して剥離しても良い。また、レジス
トインクを用いずに、あらかじめ全面に直接電極を形成
した後、酸エッチングにて電極の一部を溶解除去してコ
ンデンサ形成用の対向電極に分離させることも可能であ
る。また、電極の形成方法も無電解メッキに限定される
ことなく、蒸着等の薄膜工法あるいはスクリーン印刷等
の厚膜工法で形成させることができる。
製造方法についても、上記実施例に限定されることな
く、例えば、Ａｕからなる外層電極を形成する前にレジ
スト層を溶剤で溶解して剥離しても良い。また、レジス
トインクを用いずに、あらかじめ全面に直接電極を形成
した後、酸エッチングにて電極の一部を溶解除去してコ
ンデンサ形成用の対向電極に分離させることも可能であ
る。また、電極の形成方法も無電解メッキに限定される
ことなく、蒸着等の薄膜工法あるいはスクリーン印刷等
の厚膜工法で形成させることができる。
【００２３】また、コンデンサの形状は電極形状を含め
て本実施例に限られるものではない。以下に、他の実施
例を示す。図５は第２の実施例を示し、セラミック誘電
体基板１の一方の主面の中央部分に形成した外層電極を
５ａａと５ａｂの２つに分割し、同一セラミックコンデ
ンサ中で２種類の異なる静電容量が得られるようにした
ものである。その他の部分は、第１の実施例である図１
および図２と同一であるので、同一番号を付して説明は
省略する。
て本実施例に限られるものではない。以下に、他の実施
例を示す。図５は第２の実施例を示し、セラミック誘電
体基板１の一方の主面の中央部分に形成した外層電極を
５ａａと５ａｂの２つに分割し、同一セラミックコンデ
ンサ中で２種類の異なる静電容量が得られるようにした
ものである。その他の部分は、第１の実施例である図１
および図２と同一であるので、同一番号を付して説明は
省略する。
【００２４】図６は第３の実施例を示し、セラミック誘
電体基板１の一方の主面の周縁に形成した導出電極と他
方の主面に形成した容量電極とを、セラミック誘電体基
板１の端面で接続するのではなく、スルーホール６によ
り接続したものである。その他の部分は、第１の実施例
である図１および図２と同一であるので、同一番号を付
し説明は省略する。
電体基板１の一方の主面の周縁に形成した導出電極と他
方の主面に形成した容量電極とを、セラミック誘電体基
板１の端面で接続するのではなく、スルーホール６によ
り接続したものである。その他の部分は、第１の実施例
である図１および図２と同一であるので、同一番号を付
し説明は省略する。
【００２５】図７は第４の実施例を示し、セラミック誘
電体基板の一方の主面の周縁に形成した外層電極５ｂに
凸部７を設けて面積を広げ、金線１４をワイヤーボンデ
ィングしやすいようにしたものである。その他の部分
は、第１の実施例である図１および図２と同一であるの
で、同一番号を付し説明は省略する。
電体基板の一方の主面の周縁に形成した外層電極５ｂに
凸部７を設けて面積を広げ、金線１４をワイヤーボンデ
ィングしやすいようにしたものである。その他の部分
は、第１の実施例である図１および図２と同一であるの
で、同一番号を付し説明は省略する。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
セラミックコンデンサは、回路基板上のＩＣやＬＳＩ等
の半導体素子の上面に重ねて実装することができる。し
たがって、実装に伴なって特別の実装スペースや配線ス
ペースを必要とせず、高密度実装が可能となる。
セラミックコンデンサは、回路基板上のＩＣやＬＳＩ等
の半導体素子の上面に重ねて実装することができる。し
たがって、実装に伴なって特別の実装スペースや配線ス
ペースを必要とせず、高密度実装が可能となる。
【００２７】また、本発明のセラミックコンデンサは、
平板の誘電体に対向電極を設けた単純な構造となってお
り、コンデンサの内部インダクタンスはほとんど無視で
きる。その上に、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子との接続
においても、半導体素子とワイヤーボンディングで接続
することにより、配線によるインダクタンスの増加を極
小に押さえることができる。したがって、高速デジタル
回路においても十分なノイズ除去効果が得られる。
平板の誘電体に対向電極を設けた単純な構造となってお
り、コンデンサの内部インダクタンスはほとんど無視で
きる。その上に、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子との接続
においても、半導体素子とワイヤーボンディングで接続
することにより、配線によるインダクタンスの増加を極
小に押さえることができる。したがって、高速デジタル
回路においても十分なノイズ除去効果が得られる。
【図１】本発明のセラミックコンデンサの第１の実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】本発明のセラミックコンデンサの製造過程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】本発明のセラミックコンデンサを取り付けた半
導体装置を示す断面図である。
導体装置を示す断面図である。
【図５】本発明のセラミックコンデンサの第２の実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図６】本発明のセラミックコンデンサの第３の実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図７】本発明のセラミックコンデンサの第４の実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
１ セラミック誘電体基板 ２ レジスト層 ３ 内層電極 ３ａ，３ｂ 容量電極 ３ｃ 導出電極 ４ａ，４ｂ 耐溶剤・絶縁性を有するマスキング層 ５，５ａ，５ｂ 外層電極 ６ スルーホール １１ セラミックコンデンサ １２ 半導体素子 １３ 接着剤 １４ 金線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/04
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック誘電体基板の一方の主面に、
この主面より小さい面積の一方の容量電極が形成され、
前記セラミック誘電体基板の他方の主面の全面に他方の
容量電極が形成されており、この他方の容量電極は前記
一方の容量電極とはギャップを置き、かつ囲むようにセ
ラミック誘電体基板の一方の主面周縁に形成された導出
電極と接続されているセラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 セラミック誘電体基板はＳｒＴｉＯ3 系
の粒界絶縁型半導体コンデンサ用基板である請求項１記
載のセラミックコンデンサ。 - 【請求項３】 セラミック基板の一方の主面に形成され
た容量電極および導出電極の表面の少なくとも一部に
は、Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも一種類を主成分
とする外層電極が形成されている請求項１または２記載
のセラミックコンデンサ。 - 【請求項４】 請求項１に記載のセラミックコンデンサ
が半導体素子に絶縁層を介して載置され、前記セラミッ
クコンデンサの容量電極および導出電極と前記半導体素
子の電極がワイヤーボンディングにより接続されている
半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5159179A JPH0745468A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | セラミックコンデンサおよびセラミックコンデンサを取り付けた半導体装置 |
| US08/843,787 US5828093A (en) | 1993-06-29 | 1997-04-21 | Ceramic capacitor and semiconductor device in which the ceramic capacitor is mounted |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5159179A JPH0745468A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | セラミックコンデンサおよびセラミックコンデンサを取り付けた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745468A true JPH0745468A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=15688032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5159179A Pending JPH0745468A (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | セラミックコンデンサおよびセラミックコンデンサを取り付けた半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5828093A (ja) |
| JP (1) | JPH0745468A (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6233637B1 (en) | 1996-03-07 | 2001-05-15 | Sony Corporation | Isochronous data pipe for managing and manipulating a high-speed stream of isochronous data flowing between an application and a bus structure |
| US7336468B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-02-26 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
| US6995983B1 (en) | 1997-04-08 | 2006-02-07 | X2Y Attenuators, Llc | Component carrier |
| US6636406B1 (en) | 1997-04-08 | 2003-10-21 | X2Y Attenuators, Llc | Universal multi-functional common conductive shield structure for electrical circuitry and energy conditioning |
| US9054094B2 (en) | 1997-04-08 | 2015-06-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit |
| US6580595B2 (en) * | 1997-04-08 | 2003-06-17 | X2Y Attenuators, Llc | Predetermined symmetrically balanced amalgam with complementary paired portions comprising shielding electrodes and shielded electrodes and other predetermined element portions for symmetrically balanced and complementary energy portion conditioning |
| US6606011B2 (en) | 1998-04-07 | 2003-08-12 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit assembly |
| US6738249B1 (en) | 1997-04-08 | 2004-05-18 | X2Y Attenuators, Llc | Universal energy conditioning interposer with circuit architecture |
| US6373673B1 (en) | 1997-04-08 | 2002-04-16 | X2Y Attenuators, Llc | Multi-functional energy conditioner |
| US6603646B2 (en) | 1997-04-08 | 2003-08-05 | X2Y Attenuators, Llc | Multi-functional energy conditioner |
| US6018448A (en) | 1997-04-08 | 2000-01-25 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
| US6509807B1 (en) | 1997-04-08 | 2003-01-21 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit assembly |
| US20030161086A1 (en) * | 2000-07-18 | 2003-08-28 | X2Y Attenuators, Llc | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
| US6498710B1 (en) | 1997-04-08 | 2002-12-24 | X2Y Attenuators, Llc | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
| US7321485B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-01-22 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
| US6650525B2 (en) | 1997-04-08 | 2003-11-18 | X2Y Attenuators, Llc | Component carrier |
| US7301748B2 (en) | 1997-04-08 | 2007-11-27 | Anthony Anthony A | Universal energy conditioning interposer with circuit architecture |
| US6687108B1 (en) | 1997-04-08 | 2004-02-03 | X2Y Attenuators, Llc | Passive electrostatic shielding structure for electrical circuitry and energy conditioning with outer partial shielded energy pathways |
| KR20060120683A (ko) | 2003-12-22 | 2006-11-27 | 엑스2와이 어테뉴에이터스, 엘.엘.씨 | 내부적으로 차폐된 에너지 컨디셔너 |
| GB2439862A (en) | 2005-03-01 | 2008-01-09 | X2Y Attenuators Llc | Conditioner with coplanar conductors |
| WO2006093831A2 (en) | 2005-03-01 | 2006-09-08 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioner with tied through electrodes |
| US8026777B2 (en) | 2006-03-07 | 2011-09-27 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioner structures |
| JP2014027255A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-02-06 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品及びセラミック電子装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3456215A (en) * | 1964-09-02 | 1969-07-15 | Peter A Denes | High frequency low pass filter |
| JPS5220259A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-16 | Taiyo Yuden Kk | Cylinderical throughhtype ceramic condenser and its fabrication method |
| US4591947A (en) * | 1985-05-22 | 1986-05-27 | Corning Glass Works | Tubular capacitor and method of making |
| JPH0815128B2 (ja) * | 1986-02-27 | 1996-02-14 | 太陽誘電株式会社 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサとその製造方法 |
| JPS62216259A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 混成集積回路の製造方法および構造 |
| JPH0383381A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
| US5049979A (en) * | 1990-06-18 | 1991-09-17 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Combined flat capacitor and tab integrated circuit chip and method |
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1993
- 1993-06-29 JP JP5159179A patent/JPH0745468A/ja active Pending
-
1997
- 1997-04-21 US US08/843,787 patent/US5828093A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5828093A (en) | 1998-10-27 |
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