JPH0743312A - Surface inspection device and aligner therewith - Google Patents
Surface inspection device and aligner therewithInfo
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- JPH0743312A JPH0743312A JP18843693A JP18843693A JPH0743312A JP H0743312 A JPH0743312 A JP H0743312A JP 18843693 A JP18843693 A JP 18843693A JP 18843693 A JP18843693 A JP 18843693A JP H0743312 A JPH0743312 A JP H0743312A
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は表面状態検査装置に関
し、特にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイス、ＣＣＤ、液
晶パネル、磁気ヘッド等のデバイスを製造する際に使用
される回路パターンが形成されているレチクルやフォト
マスク等の基板面上または／及び当該基板に装着した基
板への異物の付着を防止するためのペリクル膜面上の異
物の有無やその位置を精度良く検出する表面状態検査装
置及び該装置を備える露光装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface condition inspection apparatus, and in particular, a circuit pattern used for manufacturing semiconductor devices such as ICs and LSIs, CCDs, liquid crystal panels, magnetic heads and the like. A surface state inspection device for accurately detecting the presence or absence of foreign matter and its position on the surface of a pellicle film for preventing the foreign matter from adhering to the surface of a substrate such as a reticle or a photomask or / and to a substrate mounted on the substrate, and The present invention relates to an exposure apparatus including an apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般にＩＣやＬＳＩの製造工程において
は、レチクルやフォトマスク等の基板上に形成されてい
る回路パターンを、露光装置（ステッパー又はマスクア
ライナー）により、レジストが塗布されたウエハ上に転
写している。2. Description of the Related Art Generally, in a manufacturing process of an IC or an LSI, a circuit pattern formed on a substrate such as a reticle or a photomask is formed on a resist-coated wafer by an exposure device (stepper or mask aligner). It is transcribed.
【０００３】この転写の際、基板面上にパターン欠陥や
ゴミ等の異物が存在すると、異物も同時にウエハ上に転
写されてしまい、ＩＣやＬＳＩ製造の歩留を低下させ
る。At the time of this transfer, if a foreign substance such as a pattern defect or dust is present on the surface of the substrate, the foreign substance is also transferred onto the wafer at the same time, which reduces the yield of IC or LSI manufacturing.
【０００４】特にレチクルを使用し、ステップアンドリ
ピート法によりウエハ上の多数のショット領域に回路パ
ターンを繰り返し焼き付ける場合、レチクル上に有害な
一個の異物が存在していると、この異物がウエハ全面に
焼き付けられてしまいＩＣやＬＳＩの歩留を大きく低下
させる。In particular, when a reticle is used and a circuit pattern is repeatedly printed on a large number of shot areas on the wafer by the step-and-repeat method, if there is one harmful foreign substance on the reticle, this foreign substance will be present on the entire surface of the wafer. It will be burned and the yield of ICs and LSIs will be greatly reduced.
【０００５】その為、ＩＣやＬＳＩの製造工程において
は基板上の異物の存在を検出することが不可欠となって
おり、一般には異物が等方的に光を散乱する性質を利用
する検査方法が用いられている。Therefore, it is indispensable to detect the presence of foreign matter on the substrate in the process of manufacturing ICs and LSIs. Generally, there is an inspection method utilizing the property that foreign matter isotropically scatters light. It is used.
【０００６】例えば、平行光束を斜上方より被検査面上
に照射し、屈折率分布型マイクロレンズアレーにて異物
からの散乱光を一次元イメージセンサー（センサーアレ
イ）上に入射させて異物を結像することによって被検査
面の検査を行なう。For example, a parallel light beam is irradiated onto the surface to be inspected obliquely from above, and scattered light from the foreign matter is made incident on a one-dimensional image sensor (sensor array) by a gradient index microlens array to bond the foreign matter. The surface to be inspected is inspected by imaging.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】被検査面に対して半導
体レーザーからのレーザービームを斜めに入射する場
合、レーザービームの断面の強度分布がガウス分布とな
っている為、図５（Ａ）に示す通り、被検査面上に形成
され線状の検査領域の光強度分布５０も同様にガウス分
布状となる。When the laser beam from the semiconductor laser is obliquely incident on the surface to be inspected, the intensity distribution in the cross section of the laser beam is a Gaussian distribution. As shown, the light intensity distribution 50 of the linear inspection region formed on the surface to be inspected is also Gaussian.
【０００８】この時、被検査面がΔＺだけＺ方向に設定
誤差を有していた場合、図５（Ｂ）に示す通り、被検査
面上に形成された線状の検査領域の光強度分布５０がＹ
方向にシフトする。At this time, when the surface to be inspected has a setting error in the Z direction by ΔZ, the light intensity distribution of the linear inspection area formed on the surface to be inspected as shown in FIG. 5B. 50 is Y
Shift in the direction.
【０００９】従って、従来は検査領域内で異物に対する
検出感度がばらついていた。Therefore, conventionally, the detection sensitivity for foreign matter varies in the inspection area.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
みてなされたものであり、被検査面上での検出感度を一
定にできる表面状態検査装置及び該装置を備える露光装
置を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides a surface state inspection apparatus capable of making the detection sensitivity on the surface to be inspected constant, and an exposure apparatus including the apparatus. Is intended.
【００１１】この目的を達成するために本発明の表面状
態検査装置は、発振縦モードがマルチモードであるレー
ザーからの断面強度分布が不均一なビームで被検査面を
照明し、前記被検査面で生じる散乱光を検出することに
より前記被検査面の表面状態を検査する装置において、
前記ビームを２光束に分割し、前記２光束の各断面強度
分布を合成した時に分布がほぼ均一になるよう前記２光
束を重ね合わせるよう構成した断面強度分布均一化手段
を有する。In order to achieve this object, the surface condition inspection apparatus of the present invention illuminates the surface to be inspected with a beam having a non-uniform cross-sectional intensity distribution from a laser whose oscillation longitudinal mode is multimode, In the device for inspecting the surface state of the surface to be inspected by detecting the scattered light generated in
There is provided a sectional intensity distribution equalizing means configured to divide the beam into two luminous fluxes and superimpose the two luminous fluxes so that when the respective sectional intensity distributions of the two luminous fluxes are synthesized, the two luminous fluxes are superposed.
【００１２】この目的を達成するために本発明の他の表
面状態検査装置は、発振縦モードがマルチモードである
レーザーからの断面強度分布が不均一なビームを平行ビ
ームに変換し、該平行ビームを被検査面上に実質的に線
状の照明領域を形成するよう前記被検査面に斜入射せし
め、前記被検査面で生じる散乱光を検出することにより
前記被検査面の表面状態を検査する装置において、前記
平行ビームを２光束に分割し、前記２光束の各断面強度
分布を合成した時に分布がほぼ均一になるよう前記２光
束を重ね合わせ、前記２光束の光路長差が当該光路長に
依存して発生する離散的な干渉ピークの位置からずれる
よう構成した断面強度分布均一化手段を有する。To achieve this object, another surface state inspection apparatus of the present invention converts a beam having a non-uniform cross-sectional intensity distribution from a laser whose oscillation longitudinal mode is multimode into a parallel beam, Is obliquely incident on the surface to be inspected so as to form a substantially linear illumination area on the surface to be inspected, and the scattered light generated on the surface to be inspected is detected to inspect the surface state of the surface to be inspected. In the apparatus, the parallel beam is divided into two light beams, and the two light beams are overlapped so that the distributions are almost uniform when the respective cross-sectional intensity distributions of the two light beams are combined, and the optical path length difference between the two light beams is the optical path length. The cross-sectional intensity distribution equalizing means is configured to be displaced from the position of the discrete interference peak that occurs depending on.
【００１３】これらの表面状態検査装置のある形態は、
前記平行ビームが、前記被検査面上に実質的に線状の照
明領域を形成するよう前記被検査面にほぼ平行な方向か
ら前記被検査面に入射せしめられる。このほぼ平行な方
向は、前記平行ビームの前記被検査面への入射角度が
０．５〜６．５°のものを含む。One form of these surface condition inspection devices is as follows:
The parallel beam is made incident on the surface to be inspected from a direction substantially parallel to the surface to be inspected so as to form a substantially linear illumination area on the surface to be inspected. The substantially parallel directions include those in which the incident angle of the parallel beam on the surface to be inspected is 0.5 to 6.5 °.
【００１４】これらの表面状態検査装置のある形態は、
前記２光束の光路長差を前記干渉ピークの位置（可干渉
距離）から該ピークの半値幅以上ずらすことを特徴とし
ている。One form of these surface condition inspection devices is as follows:
It is characterized in that the optical path length difference between the two light fluxes is shifted from the position of the interference peak (coherence length) by at least the half width of the peak.
【００１５】また、これらの表面状態検査装置のある形
態は、前記２光束の光路長差が可干渉距離以上に設定さ
れることを特徴としている。Further, a certain aspect of these surface condition inspection apparatuses is characterized in that the optical path length difference between the two light fluxes is set to be equal to or longer than the coherence length.
【００１６】本発明の好ましい形態では、前記断面強度
均一化手段が断面強度分布が均一な２つの光束を供給
し、夫々対応する被検査面に向けられる。In a preferred mode of the present invention, the cross-section intensity equalizing means supplies two light beams having a uniform cross-section intensity distribution, and the two light beams are directed to the corresponding surfaces to be inspected.
【００１７】本発明の表面状態検査装置は、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ等の半導体デバイス、ＣＣＤ、液晶パネル、磁気ヘッ
ド等の各種デバイスを製造するための露光装置に組み込
まれて使用されたり、単独で使用される。The surface condition inspection apparatus of the present invention is an IC, LS
It is used by being incorporated in an exposure apparatus for manufacturing various devices such as semiconductor devices such as I, CCDs, liquid crystal panels, magnetic heads, etc., or used alone.
【００１８】本発明の表面状態検査装置を用いてデバイ
ス製造用のレチクル上または当該レチクルを異物から保
護するためのペリクル上の異物の有無を検査することに
より、異物を見落とすことがなくなるので、デバイスを
製造する際の歩留が向上する。Since the presence or absence of foreign matter on the reticle for manufacturing a device or on the pellicle for protecting the reticle from the foreign matter is inspected by using the surface condition inspection apparatus of the present invention, it is possible to prevent the foreign matter from being overlooked. The yield in manufacturing is improved.
【００１９】[0019]
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す概略図であ
り、図１（Ａ）は光学系を示す図、図１（Ｂ）は外観を
示す図である。1 is a schematic view showing an embodiment of the present invention, FIG. 1 (A) is a view showing an optical system, and FIG. 1 (B) is a view showing an appearance.
【００２０】マルチモード半導体レーザー３から発せら
れたレーザー光は広がり角を持った光なのでコリメータ
ーレンズ４により平行光束に変換され、本発明の特徴で
ある強度分布均一化デバイス（２０〜２２）に向けられ
る。Since the laser light emitted from the multi-mode semiconductor laser 3 has a divergence angle, it is converted into a parallel light flux by the collimator lens 4, and the intensity distribution uniformizing device (20-22), which is a feature of the present invention, is obtained. Be directed.
【００２１】平行光束より成るレーザー光は、ビームス
プリッター２０により強度が互いに等しい２つの光束に
分けられ、透過光Ｂはビームスプリッター２１へ入射
し、反射光Ａはコーナーキューブ２２によって２度反射
されてビームスプリッター２１へ入射せしめられる。こ
こで、コーナーキューブ２２がＸ方向へ所定量Ｌ／２だ
けシフトして設定されている為、ビームスプリッター２
１により光束Ａ、Ｂが合成されたのちにビームスプリッ
ター２１からＸ方向に射出される光束Ａａ、Ｂａは互い
に平行な平行光束であり、かつ２つの光束の中心間距離
がＬだけ離れたものとなっている。The laser light which is a parallel light beam is split into two light beams having the same intensity by the beam splitter 20, the transmitted light B is incident on the beam splitter 21, and the reflected light A is reflected twice by the corner cube 22. It is incident on the beam splitter 21. Here, since the corner cube 22 is set by being shifted by a predetermined amount L / 2 in the X direction, the beam splitter 2
It is assumed that the light fluxes Aa and Ba emitted from the beam splitter 21 in the X direction after the light fluxes A and B are combined by 1 are parallel light fluxes and the centers of the two light fluxes are separated by L. Has become.
【００２２】ビームスプリッター２１はハーフミラーで
ある為に、ビームスプリッター２１からは中心間距離が
Ｌだけ離れた光束Ａｂ、ＢｂがＺ方向に射出し、合成光
束Ａａ＋ＢａとＡｂ＋Ｂｂとが２方向へ光束６ａ、６ｂ
として射出され、各々、レチクル１のブランク面１ａと
下ペリクル面の検査用光束となる。Since the beam splitter 21 is a half mirror, the light beams Ab and Bb whose center distance is L apart from the beam splitter 21 are emitted in the Z direction, and the combined light beams Aa + Ba and Ab + Bb are emitted in two directions in the light beam 6a. , 6b
As the inspection light fluxes on the blank surface 1a and the lower pellicle surface of the reticle 1, respectively.
【００２３】ブランク面検査用光束６ａは、断面強度分
布がほぼ均一であり、ミラー７により所定の角度θでブ
ランク面１ａに斜め入射せしめられる。下ペリクル面検
査用光束６ｂは、断面強度分布がほぼ均一であり、ミラ
ー８、９により所定の角度θで下ペリクル面１ｂに斜め
入射せしめられる。これにより、各被検査面上にはＹ方
向に延びるレーザービームによる線状照明領域１０が形
成される。そして、各線状照明領域は強度むらが小さ
い。The blank surface inspection light beam 6a has a substantially uniform cross-sectional intensity distribution, and is obliquely incident on the blank surface 1a at a predetermined angle θ by the mirror 7. The lower pellicle surface inspection light beam 6b has a substantially uniform cross-sectional intensity distribution, and is obliquely incident on the lower pellicle surface 1b at a predetermined angle θ by the mirrors 8 and 9. As a result, the linear illumination area 10 formed by the laser beam extending in the Y direction is formed on each surface to be inspected. The intensity of unevenness in each linear illumination area is small.
【００２４】説明の簡略化のため、レチクル１の裏面で
あるブランク面１ａの検査を例にとり本実施例を説明す
る。For simplification of the description, the present embodiment will be described by taking the inspection of the blank surface 1a, which is the back surface of the reticle 1, as an example.
【００２５】照明領域１０上に異物１１が存在した場
合、異物１１から散乱光が発生する。散乱光は照明領域
１０に沿って配置された散乱光受光用結像レンズ１２に
よりラインセンサー１３上に結像される。本実施例では
散乱光受光用レンズに屈折率分布型レンズアレイ等のア
レーレンズを用いているが通常のカメラレンズのような
結像レンズ又はフーリエ変換レンズでも良い。When the foreign matter 11 exists on the illuminated area 10, scattered light is generated from the foreign matter 11. The scattered light is imaged on the line sensor 13 by the imaging lens 12 for receiving scattered light arranged along the illumination area 10. In this embodiment, an array lens such as a gradient index lens array is used as the scattered light receiving lens, but an imaging lens such as a normal camera lens or a Fourier transform lens may be used.
【００２６】また、図１（Ｂ）に示すように、光学系全
体１４がレチクル１に対して、照明領域１０に対して交
差（直交）するＸ方向に、相対的に走査されることによ
ってレチクル全面の検査が行なわれる。Further, as shown in FIG. 1B, the entire optical system 14 is relatively scanned with respect to the reticle 1 in the X direction intersecting (orthogonal to) the illumination area 10 so that the reticle is scanned. The entire surface is inspected.
【００２７】強度分布均一化デバイス５の詳細を図２〜
図４を用いて説明する。Details of the intensity distribution uniformizing device 5 are shown in FIGS.
This will be described with reference to FIG.
【００２８】図２は強度分布均一化デバイス５の断面図
である。図２において、コリメーターレンズ４から射出
された平行光束Ｃは、その光束断面の強度分布がＩｃで
示すようなガウス分布となっている。FIG. 2 is a sectional view of the intensity distribution uniformizing device 5. In FIG. 2, the parallel light beam C emitted from the collimator lens 4 has a Gaussian distribution in which the intensity distribution of the light beam cross section is Ic.
【００２９】平行光束Ｃは、ビームスプリッター２０に
より、強度が互いに等しい２つの光束Ａ、Ｂに一旦分け
られる。透過光束Ｂはそのままビームスプリッター２１
へ向かって直進し、反射光束Ａはコーナーキューブ２２
によって２度反射されて光路を折り返され、ビームスプ
リッター２１へ向けられる。２つの光束Ａ、Ｂはビーム
スプリッター２１により再合成されるが、コーナーキュ
ーブ２２がＸ方向へ所定量Ｌ／２だけシフトして設定さ
れている為、ビームスプリッター２１により光束Ａ、Ｂ
が合成されたのちにビームスプリッター２１から射出さ
れる光束Ａａ、Ｂａと光束Ａｂ、Ｂｂは互いに平行な平
行光束であり且つ光束の中心間距離がＬだけ離れたもの
となっている。The parallel light beam C is once split by the beam splitter 20 into two light beams A and B having the same intensity. The transmitted light beam B is the beam splitter 21 as it is.
Head straight toward and the reflected light flux A is the corner cube 22.
Is reflected twice, the optical path is turned back, and is directed to the beam splitter 21. The two light fluxes A and B are recombined by the beam splitter 21, but since the corner cube 22 is set by shifting by a predetermined amount L / 2 in the X direction, the light fluxes A and B are set by the beam splitter 21.
The light fluxes Aa and Ba and the light fluxes Ab and Bb emitted from the beam splitter 21 after being combined are parallel light fluxes, and the distance between the centers of the light fluxes is L.
【００３０】図３は光束Ａａと光束Ｂａを合成した後の
光束の示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing the light flux after the light flux Aa and the light flux Ba are combined.
【００３１】２つの光束Ａａ、Ｂａの中心間距離をＬだ
け平行シフトさせることで、両者のガウス分布をずらし
て重ね合わせ、図３に示すように被検査面１ａのＺ方向
の設定誤差ΔＺを見込んだ、検査に必要な光束径Ｓの範
囲内でほぼ均一な強度分布となる光束を得ることができ
る。ここで、検査に必要な光束径Ｓは、レチクル１上の
検査領域Ｙ′とレチクル１のＺ方向の設定誤差ΔＺ、レ
チクル１に対する検査用光束６ａの入射角度θとに関係
があり、以下の式より求められる。By parallel shifting the distance between the centers of the two light fluxes Aa and Ba by L, the Gaussian distributions of the two light fluxes are shifted and overlapped, and the Z-direction setting error ΔZ of the surface 1a to be inspected as shown in FIG. It is possible to obtain a luminous flux having a substantially uniform intensity distribution within the expected range of the luminous flux diameter S required for inspection. Here, the light beam diameter S required for the inspection is related to the inspection area Y ′ on the reticle 1, the setting error ΔZ in the Z direction of the reticle 1, and the incident angle θ of the inspection light beam 6a with respect to the reticle 1, and Calculated from the formula.
【００３２】[0032]
【外１】 [Outer 1]
【００３３】さらに、図３に示すビームの重ね合わせに
よる強度分布Ｉａ、Ｉｂ（Ｉｂは光束６ｂの強度分布）
は、光束のずらし量Ｌとコリメーターレンズ４からの平
行光束の強度分布Ｉｃ（中心強度１／ｅ2 値での光束径
をωとする）とに関係があり、以下の式によって算出で
きる。Ｚ′は光束の径方向の座標軸である。Further, the intensity distributions Ia and Ib by superposition of the beams shown in FIG. 3 (Ib is the intensity distribution of the light beam 6b)
Is related to the shift amount L of the light flux and the intensity distribution Ic of the parallel light flux from the collimator lens 4 (the light flux diameter at the central intensity 1 / e 2 value is ω) and can be calculated by the following equation. Z'is a radial coordinate axis of the light beam.
【００３４】[0034]
【外２】 [Outside 2]
【００３５】上記（３）式のＬ、ωを最適化すること
で、レチクル１のＺ方向の位置変動を見込んだ、検査に
必要な光束径Ｓ内で強度ムラΔＩを±１．５％以下程度
に抑えることが可能である。By optimizing L and ω in the above equation (3), the intensity unevenness ΔI within the light beam diameter S required for the inspection is ± 1.5% or less, in consideration of the position variation of the reticle 1 in the Z direction. It can be suppressed to a certain degree.
【００３６】本発明の構成では、コーナーキューブ２２
を図２中のＸ方向へ移動させれば、２つの光束の中心間
距離Ｌを任意に設定できるため、コーナーキューブ２２
に入射する光束の径に依らず、均一な断面強度分布を得
るための調整が可能である。In the configuration of the present invention, the corner cube 22
Is moved in the X direction in FIG. 2, the center-to-center distance L of the two light beams can be set arbitrarily, so that the corner cube 22
It is possible to make adjustments to obtain a uniform cross-sectional intensity distribution, regardless of the diameter of the light beam incident on.
【００３７】また、入射光束Ｃが直線偏光光である時に
は、ビームスプリッター２０のハーフミラー面及びビー
ムスプリッター２１のハーフミラー面多層膜の透過率及
び反射率を入射光束Ｃの偏光方向で設定すれば、強度分
布が均一化された光束の線偏光状態は、入射光束Ｃの偏
光状態と同じ状態に保存される。When the incident light flux C is linearly polarized light, the transmittance and reflectance of the half mirror surface of the beam splitter 20 and the half mirror surface multilayer film of the beam splitter 21 can be set by the polarization direction of the incident light flux C. The linear polarization state of the light flux with the uniformed intensity distribution is stored in the same state as the polarization state of the incident light flux C.
【００３８】以上は、ビームスプリッター２０及び２１
の分割比が完全に１：１となることを前提に説明してき
たが、実際には、製作上の誤差等の原因で、分割比が完
全に１：１とならなくなる。この場合には、図２に示す
通り、ビームＡの光路中にＮＤフィルターのような光量
調整部材２３を挿入し、２つのビームの強度差がほぼ零
になるよう調整することによって、合成された後のビー
ムプロファイル形状を制御してもよい。The above is the beam splitters 20 and 21.
Although the description has been made on the premise that the division ratio of 1 becomes 1: 1 completely, in reality, the division ratio does not become 1: 1 completely due to a manufacturing error or the like. In this case, as shown in FIG. 2, the light amount adjusting member 23 such as an ND filter is inserted in the optical path of the beam A, and the intensity difference between the two beams is adjusted so as to be almost zero. Later beam profile shapes may be controlled.
【００３９】レーザー光が可干渉性が良いことから本実
施例においてレーザー光同士の干渉による悪い影響が懸
念されるが、本実施例では図２において、光束Ａと光束
Ｂの光路長差をレーザー３の可干渉距離以上に設定する
ことにより２光束の干渉による影響は無くしている。Since the coherence of the laser light is good, there is a concern that the laser light may interfere with each other in this embodiment, but in this embodiment, the difference in the optical path length between the light beam A and the light beam B is shown in FIG. By setting the coherence length equal to or greater than 3, the influence of the interference of the two light beams is eliminated.
【００４０】以上、本実施例によれば、任意の断面強度
分布が形成でき、図４（Ａ）に示すように均一な強度分
布を被検査面上に形成することが可能であり、図４
（Ｂ）に示すように、被検査面のＺ方向の誤差も含めた
必要照射領域内の強度分布を均一にすることにより、被
検査面のＺ変動による照明光の強度分布のシフトが生じ
ても均一な信号レベルが得られるため、検査面のＺ方向
の位置を厳密に管理する必要がなくなる。As described above, according to this embodiment, an arbitrary cross-sectional strength distribution can be formed, and a uniform strength distribution can be formed on the surface to be inspected as shown in FIG.
As shown in (B), by making the intensity distribution in the required irradiation area including the error in the Z direction of the surface to be inspected uniform, the intensity distribution of the illumination light is shifted due to the Z variation of the surface to be inspected. Since a uniform signal level can be obtained, it is not necessary to strictly control the position of the inspection surface in the Z direction.
【００４１】ここで半導体レーザー３の代わりに発振縦
モードが単一モードであるレーザーを用いた場合であっ
て且つ２光束Ａ、Ｂの光路長差を可干渉距離以上にとら
ずに２光束Ａ、Ｂを重ね合わせた場合の被検査面１ａ上
での光強度分布を示す。図６（Ａ）は２光束Ａ、Ｂの干
渉がもっとも強い場合の強度分布を示しており、干渉の
ため被検査面１ａ上の光強度分布が均一となっていな
い。図６（Ｂ）は単一モード発振のレーザーのスペクト
ル分布の一例である。スペクトル幅Δνが３０ＭＨZ と
狭いために可干渉距離は約５ｍとなってしまい、２光束
Ａ、Ｂが干渉しないためにはこれ以上の光路長差が必要
となる。Here, in the case where a laser whose oscillation longitudinal mode is a single mode is used instead of the semiconductor laser 3, and the optical path length difference between the two light fluxes A and B is not longer than the coherence length, the two light flux A is obtained. , B are superimposed, the light intensity distribution on the surface 1a to be inspected is shown. FIG. 6A shows the intensity distribution when the interference of the two light fluxes A and B is strongest, and the light intensity distribution on the surface 1a to be inspected is not uniform due to the interference. FIG. 6B is an example of the spectral distribution of a single mode oscillation laser. Since the spectrum width Δν is as narrow as 30 MH Z , the coherence length is about 5 m, and a further difference in optical path length is required so that the two light beams A and B do not interfere with each other.
【００４２】図７（Ａ）は、半導体レーザー３をそのス
ペクトル幅が４ｎｍであるレーザーに代えた場合の２つ
の光束Ａ、Ｂを重ね合わせた場合の被検査面１ａ上での
光強度分布の一例を示す。２光束Ａ、Ｂ間の干渉が生じ
ず、被検査面１ａ上での光強度分布は均一なものとなっ
ている。このレーザーはスペクトル幅Δνが４ｎｍと広
いために可干渉距離は０．１ｍｍとなり、図１の装置の
光束Ａ、Ｂの光路長差はこれ以上あるために２つのビー
ム間で干渉が生じていない。FIG. 7A shows the light intensity distribution on the surface 1a to be inspected when the two light fluxes A and B are superposed when the semiconductor laser 3 is replaced by a laser having a spectral width of 4 nm. An example is shown. Interference between the two light fluxes A and B does not occur, and the light intensity distribution on the surface 1a to be inspected is uniform. Since this laser has a wide spectral width Δν of 4 nm, the coherence length is 0.1 mm, and since the optical path length difference between the light beams A and B in the apparatus of FIG. 1 is larger than this, no interference occurs between the two beams. .
【００４３】図７（Ｂ）はマルチモード発振のレーザー
のスペクトル分布の一例である。図に示される通りスペ
クトル幅は４ｎｍと単一モード発振のレーザーよりも広
いが、スペクトル幅の狭いモードの集合であるために可
干渉距離以上に光路長差を設けても、２つの光束間で干
渉が生じて、光強度分布が均一とならない場合がある。
これは前述の様にスペクトル幅の狭いモードの集合であ
るために実際の可干渉距離が図８（Ｂ）の様に一定の間
隔で離散的なピークを持ったものとなるためで、光路長
差がちょうどＶｉｓｉｂｉｌｉｔｙ干渉強度の離散的な
ピーク位置と同じ長さになってしまうと、２つの光束が
干渉してしまう。FIG. 7B shows an example of the spectral distribution of a multimode oscillation laser. As shown in the figure, the spectral width is 4 nm, which is wider than that of a single-mode laser, but because it is a collection of modes with a narrow spectral width, even if an optical path length difference is provided beyond the coherence length, it will be Interference may occur and the light intensity distribution may not be uniform.
This is because the coherence length actually has discrete peaks at regular intervals as shown in FIG. 8B because it is a set of modes with a narrow spectrum width as described above. If the difference has the same length as the discrete peak position of the Visibleity interference intensity, the two light beams interfere with each other.
【００４４】従って、本実施例では、光束Ａ、Ｂの光路
長差をこのＶｉｓｉｂｉｌｉｔｙのピーク位置からこの
ピークをもつモードの半値幅以上ずらし、光束Ａ、Ｂが
互いに干渉しないようにしている。Therefore, in this embodiment, the optical path length difference between the light beams A and B is shifted from the peak position of the Visibility by more than the half width of the mode having this peak so that the light beams A and B do not interfere with each other.
【００４５】これを詳しく説明する。図８（Ａ）はマル
チモードの半導体レーザーのスペクトル分布の一例を示
している。前述ようにマルチモードの半導体レーザーの
スペクトル分布はスペクトル幅の狭いモードの集合であ
り各モードはレーザーの共振器長で決定される一定の距
離ｄλをもって発生する。図８（Ｂ）は図８（Ａ）に示
すマルチモード半導体レーザーのコヒーレント長を示す
図であり、一定の間隔ｄｌで離散的なピークをもったも
のとなる。ここでｄｌはThis will be described in detail. FIG. 8A shows an example of the spectral distribution of a multimode semiconductor laser. As described above, the spectral distribution of a multimode semiconductor laser is a set of modes having a narrow spectral width, and each mode is generated with a certain distance dλ determined by the cavity length of the laser. FIG. 8B is a diagram showing the coherent length of the multimode semiconductor laser shown in FIG. 8A, which has discrete peaks at a constant interval dl. Where dl is
【００４６】[0046]
【外３】 で示され、レーザーの共振器長で決定される値である。
この離散的なＶｉｓｉｂｉｌｉｔｙのピークの位置と光
路長差が一致してしまうと２つのビームが干渉してしま
い被検査面上で均一な光強度分布を得ることができな
い。[Outside 3] Is a value determined by the cavity length of the laser.
If the positions of the discrete peaks of Visibility are equal to the optical path length difference, the two beams interfere with each other and a uniform light intensity distribution cannot be obtained on the surface to be inspected.
【００４７】これを解決するために、２つの光束の光路
長差ｄをIn order to solve this, the optical path length difference d between the two light beams is
【００４８】[0048]
【外４】 （ｎは整数、ΔＬはひとつのピークの半値幅）になるよ
うにすれば、２つの光束間で干渉が生ぜず、均一な光強
度分布を得ることができる。[Outside 4] If (n is an integer and ΔL is the half-value width of one peak), no interference occurs between the two light fluxes and a uniform light intensity distribution can be obtained.
【００４９】（５）式を満足するようなｄであっても、
ｎが小さい場合に、２つの光束間に弱い干渉が生じてし
まう場合がある。この場合は、図８（Ｂ）の包絡線を考
える。この包絡線は図８（Ａ）のマルチモード発振スペ
クトルの一つのスペクトルのスペクトル幅によって決定
されるもので、この包絡線においてのコヒーレント長を
Δｌ′とするとEven if d satisfies the expression (5),
When n is small, weak interference may occur between the two light beams. In this case, consider the envelope of FIG. This envelope is determined by the spectral width of one spectrum of the multimode oscillation spectrum of FIG. 8A, and the coherence length at this envelope is Δl ′.
【００５０】[0050]
【外５】 但し、ｍは整数でありΔｌ′＜ｍ・ｄｌを満足するよう
にｄを選べば、干渉のない均一な光強度分布を得ること
ができる。[Outside 5] However, m is an integer, and if d is selected so as to satisfy Δl ′ <m · dl, a uniform light intensity distribution without interference can be obtained.
【００５１】Δｌ′はレーザーのスペクトルが例えばロ
ーレンツ型の場合は次の式で与えられる。Δl 'is given by the following equation when the spectrum of the laser is Lorentz type, for example.
【００５２】Δｌ′＝πβ-1 …（７） ここでβは、Ｖｉｓｉｂｉｌｉｔｙ Ｖがｅ-1となると
きのΔｌの逆数である。Δl '= πβ -1 (7) Here, β is the reciprocal of Δl when Visibility V becomes e -1 .
【００５３】前述の実施例では光源としてマルチモード
発振の半導体レーザーを用いたが、単一モード発振の半
導体レーザーを用いることもできる。単一モード発振の
半導体レーザーを用いる場合は半導体レーザーを高周波
で変調をかける、所謂高周波重畳を用いてスペクトル幅
を広げて使用する。高周波重畳を行なうことにより、図
６（Ｂ）で示すような単一モード発振の半導体レーザー
のスペクトルが、図７（Ｂ）で示す様なマルチモード発
振のレーザーのスペクトル分布に代わり、２光束Ａ、Ｂ
の光路長差を（６）式に基づいて設定すれば、光束Ａ、
Ｂ間で干渉が生ぜず被検査面１ａ上に均一な光強度分布
を得ることができる。Although the multi-mode oscillation semiconductor laser is used as the light source in the above-mentioned embodiments, a single-mode oscillation semiconductor laser can also be used. When a single mode oscillation semiconductor laser is used, the semiconductor laser is used by widening the spectrum width by using so-called high frequency superposition in which the semiconductor laser is modulated at a high frequency. By performing high frequency superimposition, the spectrum of the semiconductor laser of single mode oscillation as shown in FIG. 6 (B) is replaced by the spectrum distribution of the laser of multimode oscillation as shown in FIG. , B
If the optical path length difference is set based on equation (6), the luminous flux A,
It is possible to obtain a uniform light intensity distribution on the surface 1a to be inspected without causing interference between Bs.
【００５４】図９には本発明の他の実施例を示す。前記
実施例に用いた第１の光分割器は、入射光束を振幅分割
するものであるが、本実施例では全反射ミラー面３０を
第１光分割器として用いてビームの中心から入射光束を
２分割する（波面分割）方法を用いて前記実施例と同様
な効果を得ている。一実施例の他の構成は前記実施例と
同一である。FIG. 9 shows another embodiment of the present invention. The first light splitter used in the above-mentioned embodiment is for amplitude-dividing the incident light beam, but in this embodiment, the total reflection mirror surface 30 is used as the first light splitter so that the incident light beam is emitted from the center of the beam. The same effect as that of the above embodiment is obtained by using the method of dividing into two (wavefront division). The other structure of one embodiment is the same as that of the previous embodiment.
【００５５】特に、本実施例では、第１の光分割手段が
波面分割手段である為、光束Ｂの中心強度は元の強度に
保たれる。前記実施例における第１の分割手段は振幅分
割手段である為、光束Ｂの中心強度は元の強度の１／２
となる。光束Ａ、Ｂを合成する手段は、どちらの実施例
も振幅分割手段である為に、最終的には、本実施例にお
ける強度分布均一化後のビーム中心強度は、前記実施例
のそれに比べて２倍の強度が得られる。Particularly, in this embodiment, since the first light splitting means is the wavefront splitting means, the central intensity of the light beam B is kept at the original intensity. Since the first dividing means in the above embodiment is an amplitude dividing means, the central intensity of the light beam B is ½ of the original intensity.
Becomes Since the means for synthesizing the light fluxes A and B are amplitude division means in both embodiments, finally, the beam center intensity after uniforming the intensity distribution in this embodiment is higher than that in the above embodiment. Double strength is obtained.
【００５６】以上説明した異物検査装置はＩＣ、ＬＳＩ
等の半導体デバイス、ＣＣＤ、液晶パネル、磁気ヘッド
等のデバイスを製造する為に使用される露光装置に組込
まれて、または単独に使用される。The foreign matter inspection device described above is an IC or LSI.
Etc. are incorporated in an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor device such as, a CCD, a liquid crystal panel, a device such as a magnetic head, or used alone.
【００５７】また、断面強度分布均一化デバイスは、こ
こで開示したもの以外の形態も採り得る。The cross-sectional strength distribution uniforming device can also take a form other than that disclosed here.
【００５８】図１０は本発明の他の実施例の表面状態検
査装置を示す構成図で、本実施例では検査装置全体が半
導体焼付装置内に組込まれている。FIG. 10 is a block diagram showing a surface condition inspection apparatus according to another embodiment of the present invention. In this embodiment, the entire inspection apparatus is incorporated in a semiconductor printing apparatus.
【００５９】１１０１はエキシマレーザーのような遠紫
外光源であり、１１０２は照明系ユニットであって、レ
チクル１０８を上部から均一に被検査領域全域を同時
（一括）に、しかも、所定のＮＡ（開口数）で照明する
働きをもつ。Reference numeral 1101 is a far-ultraviolet light source such as an excimer laser, 1102 is an illumination system unit, and the reticle 108 is uniformly distributed over the entire area to be inspected from above and at a predetermined NA (aperture). It has the function of illuminating with (number).
【００６０】１１０９はレチクルパターンをウエハ１１
１０上に転写する為の超高解像度レンズ系（若しくはミ
ラー系）であり、焼付時には、ウエハ移動ステージ１１
１１のステップ送りに従って１ショット毎ずらして露光
されていく。１１１０は露光に先立ってレチクルとウエ
ハを位置合わせる為のアライメント光学系であり、最低
１つのレチクル観察用顕微鏡系をもっている。Reference numeral 1109 denotes the reticle pattern on the wafer 11.
It is an ultra-high resolution lens system (or mirror system) for transferring onto the wafer 10, and at the time of printing, the wafer moving stage 11
Exposure is performed by shifting each shot according to the step feed of 11. Reference numeral 1110 is an alignment optical system for aligning the reticle with the wafer prior to exposure, and has at least one reticle observation microscope system.
【００６１】１１１４はレチクルチェンジャーであり、
複数のレチクルを格納し、待機させるユニットである。
１１１３が異物等検査ユニットであり、前記実施例の構
成条件をすべて含めている。このユニットは、レチクル
がチェンジャーから引き出され露光位置（図中Ｅ、Ｐ）
にセットされる前にレチクルの異物検査を行なうもので
ある。1114 is a reticle changer,
It is a unit that stores a plurality of reticles and makes them stand by.
Reference numeral 1113 is a foreign matter inspection unit, which includes all the configuration conditions of the above embodiment. In this unit, the reticle is pulled out from the changer and the exposure position (E and P in the figure)
The reticle is inspected for foreign matter before being set to.
【００６２】コントローラ１１１８はステッパーの基本
動作である、アライメン露光、ウエハのステップ送りの
シーケンスを制御する。The controller 1118 controls the basic operations of the stepper, that is, the sequence of alignment exposure and step feed of the wafer.
【００６３】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。図７は半導体デバ
イス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パ
ネルやＣＣＤ等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージ工程（チップ封入）等の工程を含む。
ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ７）される。Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described. FIG. 7 shows a flow of manufacturing a semiconductor device (semiconductor chip such as IC or LSI, liquid crystal panel, CCD or the like). Step 1
In (Circuit design), a circuit of a semiconductor device is designed.
In step 2 (mask manufacturing), a mask having the designed circuit pattern is manufactured. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process,
An actual circuit is formed on the wafer by the lithography technique using the mask and the wafer prepared above. The next step 5 (assembly) is called a post-process, which is a process of forming a semiconductor chip using the wafer manufactured in step 4, and includes an assembly process (dicing, bonding), a package process (chip encapsulation) and the like. Including.
In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【００６４】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって、
上記異物検査装置により検査後のマスクの回路パターン
をウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露
光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）
では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステッ
プ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要と
なったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返
し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターン
が形成される。FIG. 8 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted in the wafer. Step 15
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the exposure apparatus described above
The circuit pattern of the mask after the inspection is printed and exposed on the wafer by the foreign substance inspection apparatus. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. Step 18 (Etching)
Then, parts other than the developed resist image are scraped off. In step 19 (resist stripping), the resist that is no longer needed after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【００６５】本実施例の製造方法を用いれば、高集積度
のデバイスを製造することができる。By using the manufacturing method of this embodiment, a highly integrated device can be manufactured.
【００６６】[0066]
【発明の効果】以上、本発明によれば、被検査面の検査
領域における異物等の検出感度をほぼ均一にできる。As described above, according to the present invention, the detection sensitivity of foreign matters and the like in the inspection region of the surface to be inspected can be made substantially uniform.
【００６７】また、半導体レーザー等のコヒーレント光
束を２分割して重ね合わせているにも係わらず、干渉の
影響がでないようにすることが可能である。Further, it is possible to prevent the influence of interference even though the coherent light flux of the semiconductor laser or the like is divided into two and overlapped.
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１の強度分布均一化デバイスの断面図であ
る。FIG. 2 is a cross-sectional view of the intensity distribution uniformizing device of FIG.
【図３】図１の強度分布均一化デバイスから得られる光
束の断面強度分布を示す説明図である。3 is an explanatory diagram showing a cross-sectional intensity distribution of a light beam obtained from the intensity distribution uniformizing device of FIG.
【図４】図１の装置により得られる効果を説明するため
の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining an effect obtained by the device of FIG.
【図５】検査領域の強度分布に対する被検査面のＺ方向
への位置変動の影響を示すための説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing an influence of a position variation of the surface to be inspected in the Z direction on the intensity distribution of the inspection region.
【図６】図６（Ａ）は単一モード発振のレーザーを用い
た場合の被検査面上での光強度分布を示す図であり、図
６（Ｂ）はこのレーザーの波長スペクトル分布を示す図
である。FIG. 6A is a diagram showing a light intensity distribution on a surface to be inspected when a single mode oscillation laser is used, and FIG. 6B shows a wavelength spectrum distribution of this laser. It is a figure.
【図７】図７（Ａ）はマルチモード発振のレーザーを用
いた場合の被検査面上での光強度分布を示す図であり、
図７（Ｂ）はこのレーザーの波長スペクトル分布を示す
図である。FIG. 7A is a diagram showing a light intensity distribution on a surface to be inspected when a multimode oscillation laser is used,
FIG. 7B is a diagram showing the wavelength spectrum distribution of this laser.
【図８】図８（Ａ）はマルチモード発振のレーザーの波
長スペクトル分布を示す図であり、図８（Ｂ）はこのレ
ーザーのコヒーレント長分布を示す図である。FIG. 8 (A) is a diagram showing a wavelength spectrum distribution of a multimode oscillation laser, and FIG. 8 (B) is a diagram showing a coherent length distribution of this laser.
【図９】本発明の他の実施例を示す概略図である。FIG. 9 is a schematic view showing another embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の露光装置を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an exposure apparatus of the present invention.
【図１１】半導体デバイスの製造フローを示す図であ
る。FIG. 11 is a diagram showing a manufacturing flow of a semiconductor device.
【図１２】図７のウエハプロセスを示す図である。FIG. 12 is a diagram showing the wafer process of FIG. 7;
１ レチクル ２ ペリクル ３ 半導体レーザー ４ コリメーターレンズ ５ 強度分布均一化デバイス ６ 検査用光束 ７、８、９ ミラー １０ 照明領域 １１ 異物 １２ 結像レンズ（アレーレンズ） １３ ラインセンサー １４ 光学系全体 ２０、２１ ビームスプリッター ２２ コーナーキューブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 reticle 2 pellicle 3 semiconductor laser 4 collimator lens 5 intensity distribution uniforming device 6 inspection light beam 7, 8, 9 mirror 10 illumination area 11 foreign matter 12 imaging lens (array lens) 13 line sensor 14 entire optical system 20, 21 Beam splitter 22 corner cube
Claims (10)
ザーからの断面強度分布が不均一なビームで被検査面を
照明し、前記被検査面で生じる散乱光を検出することに
より前記被検査面の表面状態を検査する装置において、
前記ビームを２光束に分割し、前記２光束の各断面強度
分布を合成した時に分布がほぼ均一になるよう前記２光
束を重ね合わせ、前記２光束の光路長差を当該光路長差
に依存して生じる離散的な干渉ピークの位置からずれる
よう構成した断面強度分布均一化手段を有することを特
徴とする表面状態検査装置。1. An inspection surface of a surface to be inspected is illuminated by illuminating the surface to be inspected with a beam having a non-uniform cross-sectional intensity distribution from a laser whose oscillation longitudinal mode is multimode, and detecting scattered light generated on the surface to be inspected. In the device that inspects the surface condition,
The beam is divided into two light fluxes, and the two light fluxes are superposed so that when the respective cross-sectional intensity distributions of the two light fluxes are combined, the two light fluxes are superposed, and the optical path length difference between the two light fluxes depends on the optical path length difference. An apparatus for inspecting a surface state, which has a cross-sectional intensity distribution uniformizing means configured so as to deviate from a position of a discrete interference peak generated.
ザーからの断面強度分布が不均一なビームを平行ビーム
に変換し、該平行ビームを被検査面上に実質的に線状の
照明領域を形成するよう前記被検査面に斜入射せしめ、
前記被検査面で生じる散乱光を検出することにより前記
被検査面の表面状態を検査する装置において、前記平行
ビームを２光束に分割し、前記２光束の各断面強度分布
を合成した時に分布がほぼ均一になるよう前記２光束を
重ね合わせ、前記２光束の光路長差を当該光路長差に依
存して生じる離散的な干渉ピークの位置からずれるよう
構成した断面強度分布均一化手段を有することを特徴と
する表面状態検査装置。2. A beam having a non-uniform cross-sectional intensity distribution from a laser whose oscillation longitudinal mode is multimode is converted into a parallel beam, and the parallel beam is formed into a substantially linear illumination region on a surface to be inspected. Obliquely incident on the surface to be inspected,
In an apparatus for inspecting the surface condition of the surface to be inspected by detecting scattered light generated on the surface to be inspected, the parallel beam is divided into two light beams, and when the cross-sectional intensity distributions of the two light beams are combined, the distribution is A cross-sectional intensity distribution uniformizing means configured to superimpose the two light beams so as to be substantially uniform and to shift the optical path length difference between the two light beams from the position of a discrete interference peak generated depending on the optical path length difference. Surface condition inspection device characterized by.
に線状の照明領域を形成するよう前記被検査面にほぼ平
行な方向から前記被検査面に入射せしめられることを特
徴とする請求項１、２の表面状態検査装置。3. The beam is made incident on the surface to be inspected from a direction substantially parallel to the surface to be inspected so as to form a substantially linear illumination area on the surface to be inspected. The surface condition inspection apparatus according to claim 1.
の位置（可干渉距離）から該ピークの半値幅以上ずらす
ことを特徴とする請求項１、２の表面状態検査装置。4. The surface condition inspection apparatus according to claim 1, wherein the optical path length difference between the two light beams is shifted from the position of the interference peak (coherence length) by at least the half width of the peak.
可干渉距離以上に設定されることを特徴とする請求項４
の表面状態検査装置。5. The optical path length difference between the two light fluxes is set to be equal to or longer than the coherence length of the laser.
Surface condition inspection device.
を０．５°〜６．５°に設定することを特徴とする請求
項１、２の表面状態検査装置。6. The surface state inspection apparatus according to claim 1, wherein an incident angle of the beam on the surface to be inspected is set to 0.5 ° to 6.5 °.
が均一な２つの光束を供給し、夫々が対応する被検査面
に向けられることを特徴とする請求項１、２の表面状態
検査装置。7. The surface condition inspection apparatus according to claim 1, wherein the cross-section intensity equalizing means supplies two light fluxes having a uniform cross-sectional intensity distribution, each of which is directed to a corresponding surface to be inspected. .
かす手段を有することを特徴とする請求項１、２の表面
状態検査装置。8. The surface condition inspection apparatus according to claim 1, further comprising means for moving the parallel beam with respect to the surface to be inspected.
チクル上の異物を検出することを特徴とする露光装置。9. An exposure apparatus, which detects foreign matter on a reticle using the apparatus according to claim 1.
ーザーからのレーザー光を２光束に分割し、当該２光束
を互いにインコヒーレント化する方法であって、前記２
光束の光路長差を当該光路長差に依存して発生する離散
的な干渉ピークの位置からずれるよう設定したことを特
徴とするインコヒーレント化法。10. A method of splitting laser light from a laser having an oscillation longitudinal mode of multimode into two light fluxes and making the two light fluxes incoherent to each other.
An incoherence method, wherein the optical path length difference of the light flux is set so as to deviate from the position of a discrete interference peak generated depending on the optical path length difference.
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|---|---|---|---|
| JP18843693A JP2962972B2 (en) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | Surface condition inspection apparatus and exposure apparatus having the same |
| US08/591,916 US5581348A (en) | 1993-07-29 | 1996-01-25 | Surface inspecting device using bisected multi-mode laser beam and system having the same |
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|---|---|---|---|
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Publications (2)
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2962972B2 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7388659B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Particle inspection apparatus and method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2009257972A (en) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Canon Inc | Foreign matter inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
| US20100045955A1 (en) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | Asml Holding N.V. | Particle Detection on an Object Surface |
| US7733471B2 (en) | 2007-04-20 | 2010-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Foreign substance inspection apparatus |
| JP2010236966A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Hitachi High-Technologies Corp | Defect inspection apparatus and method for the same |
| US7936452B2 (en) | 2008-07-25 | 2011-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
| US8330949B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Foreign substance inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
| US8687183B2 (en) | 2011-01-26 | 2014-04-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, detection method, article manufacturing method, and foreign particle detection apparatus |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP18843693A patent/JP2962972B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7388659B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Particle inspection apparatus and method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US7733471B2 (en) | 2007-04-20 | 2010-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Foreign substance inspection apparatus |
| TWI400440B (en) * | 2007-04-20 | 2013-07-01 | Canon Kk | Foreign substance inspection apparatus |
| JP2009257972A (en) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Canon Inc | Foreign matter inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
| US8339568B2 (en) | 2008-04-17 | 2012-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Foreign particle inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
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