JPH0741146Y2 - Ceramic electronic components - Google Patents

Ceramic electronic components

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JPH0741146Y2
JPH0741146Y2 JP1989072912U JP7291289U JPH0741146Y2 JP H0741146 Y2 JPH0741146 Y2 JP H0741146Y2 JP 1989072912 U JP1989072912 U JP 1989072912U JP 7291289 U JP7291289 U JP 7291289U JP H0741146 Y2 JPH0741146 Y2 JP H0741146Y2
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film
electrode
imidazole
monomolecular
ceramic electronic
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信悦 柴田
正忠 淀川
進 宮林
典正 坂本
俊昭 山田
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Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、チップコンデンサ、チップ抵抗、バリスタ、
サーミスタ等の各種のセラミック電子部品に関し、セラ
ミック素体上に卑金属皮膜による電極を設ける場合に、
電極の表面をイミダゾール単分子膜によって覆うことに
より、卑金属皮膜電極の酸化による劣化を防止し、長期
にわたって安定した特性を維持できるようにすると共
に、半田付け性を確保できるようにしたものである。
[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention is a chip capacitor, a chip resistor, a varistor,
Regarding various ceramic electronic components such as thermistors, when providing electrodes with a base metal film on the ceramic body,
By covering the surface of the electrode with an imidazole monomolecular film, deterioration of the base metal film electrode due to oxidation can be prevented, stable characteristics can be maintained for a long period of time, and solderability can be secured.

〈従来の技術〉 チップ状のセラミックコンデンサやチップ抵抗の端部電
極またはバリスタの電極を、Cu、Al、NiまたはZn等の卑
金属皮膜によって形成することは、最近よく行なわれて
いる。卑金属皮膜による電極は、電極材料コストが安価
であり、セラミック電子部品の低価格化に極めて有効で
ある。
<Prior Art> It has recently been frequently practiced to form an end electrode of a chip-shaped ceramic capacitor or a chip resistor or an electrode of a varistor with a base metal film such as Cu, Al, Ni or Zn. An electrode made of a base metal film has a low electrode material cost and is extremely effective in reducing the price of ceramic electronic components.

〈考案が解決しようとする課題〉 しかしながら、卑金属皮膜による電極は酸化され易く、
酸化による特性の悪化や、半田付け性の劣化を招き易
い。このような問題点を解決するため、従来は、卑金属
皮膜電極の上に半田メッキまたは他の金属メッキ膜を別
に被着させる必要があった。
<Problems to be solved by the invention> However, the electrode formed by the base metal film is easily oxidized,
Deterioration of characteristics due to oxidation and deterioration of solderability are likely to occur. In order to solve such a problem, conventionally, it was necessary to separately deposit a solder plating or another metal plating film on the base metal film electrode.

そこで、本考案の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、卑金属皮膜電極の表面にメッキ等による金属膜を施
すことなく、その酸化を確実に防止し、長期にわたって
安定した特性が維持できるようにすると共に、半田付け
性を確保できるようにしたセラミック電子部品を提供す
ることである。
Therefore, the problem of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, to reliably prevent the oxidation of the base metal film electrode without applying a metal film by plating or the like, and to maintain stable characteristics for a long period of time. Another object of the present invention is to provide a ceramic electronic component capable of ensuring solderability.

〈課題を解決するための手段〉 上述する課題解決のため、本考案は、セラミック素体上
に卑金属皮膜による電極を有するセラミック電子部品で
あって、 前記電極の表面が、化成皮膜であるイミダゾール単分子
膜によって覆われていること を特徴とする。
<Means for Solving the Problems> In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is a ceramic electronic component having an electrode with a base metal film on a ceramic body, wherein the surface of the electrode is an imidazole single film that is a chemical conversion film. It is characterized by being covered with a molecular film.

〈作用〉 セラミック素体上に形成された卑金属皮膜でなる電極の
表面をイミダゾール単分子膜によって覆うと、イミダゾ
ール単分子膜により、電極の酸化が防止され、長期にわ
たって安定した特性を得ることができる。
<Function> When the surface of the electrode made of the base metal film formed on the ceramic body is covered with the imidazole monomolecular film, the imidazole monomolecular film prevents the electrode from being oxidized, and stable characteristics can be obtained for a long period of time. .

しかも、電極の表面をイミダゾール単分子膜によって覆
ってあると、イミダゾール単分子膜が一種のプレフラッ
クス膜として作用する。更に、この膜は、ポストフラッ
クスとの相溶性が良好で、ポストフラックスにより容易
に除去される膜であるため、半田付け時に急速にポスト
フラックスと置き代り、良好な半田付け性が得られる。
Moreover, when the surface of the electrode is covered with the imidazole monomolecular film, the imidazole monomolecular film acts as a kind of pre-flux film. Furthermore, since this film has a good compatibility with the post flux and is easily removed by the post flux, it can quickly replace the post flux during soldering, and good solderability can be obtained.

卑金属皮膜は、Cu、Al、NiまたはZn等の金属を主成分と
して形成する。また、セラミック素体は、コンデンサの
場合は誘電体セラミック、半導体セラミック等であり、
抵抗の場合はアルミナ等である。バリスタの場合は酸化
錫系、酸化鉄系、シリコーンカーバイト系、酸化チタン
系、チタン酸ストロンチウム系等の各焼結体が含まれ
る。更に、インダクタの場合には焼結フェライト等が使
用される。
The base metal film is formed mainly of a metal such as Cu, Al, Ni or Zn. In the case of a capacitor, the ceramic body is a dielectric ceramic, a semiconductor ceramic, or the like,
In the case of resistance, it is alumina or the like. The varistor includes tin oxide-based, iron oxide-based, silicon carbide-based, titanium oxide-based, and strontium titanate-based sintered bodies. Further, in the case of an inductor, sintered ferrite or the like is used.

卑金属皮膜による電極は、面実装用として提供されるチ
ップ状のコンデンサ、抵抗またはインダクタの場合は、
例えば端部電極であり、バリスタの場合は本来の電極で
ある。
Electrodes with base metal film are chip-shaped capacitors, resistors or inductors provided for surface mounting.
For example, it is an end electrode, and in the case of a varistor, it is an original electrode.

〈実施例〉 第1図はセラミック電子部品の1例であるリングバリス
タの平面図、第2図は同じく展開断面図を示している。
1はバリスタ素体、2〜4は電極である。バリスタ素体
1としては、酸化錫系、酸化鉄系、シリコーンカーバイ
ト系、酸化チタン系、チタン酸ストロンチウム系等の各
焼結体が含まれることは前述した通りである。
<Embodiment> FIG. 1 is a plan view of a ring varistor which is an example of a ceramic electronic component, and FIG. 2 is a developed sectional view of the same.
Reference numeral 1 is a varistor element body, and 2 to 4 are electrodes. The varistor element body 1 includes tin oxide-based, iron oxide-based, silicon carbide-based, titanium oxide-based, and strontium titanate-based sintered bodies as described above.

電極2〜4は、バリスタ素体1の一面、両面または側端
面に設けられる。実施例において、電極2〜4はCu皮膜
として形成されており、その表面が化成皮膜であるイミ
ダゾール単分子膜21〜41によって覆われている。図示で
は、イミダゾール単分子膜21〜41を比較的厚みのなる膜
として示してあるが、イミダゾール単分子膜21〜41は化
成皮膜であるので、実際には図示のような画然とした膜
とはならない。
The electrodes 2 to 4 are provided on one surface, both surfaces, or side end surfaces of the varistor element body 1. In the examples, the electrodes 2 to 4 are formed as Cu coatings, and the surfaces thereof are covered with imidazole monomolecular films 21 to 41 which are chemical conversion coatings. In the figure, the imidazole monomolecular films 21 to 41 are shown as relatively thick films, but since the imidazole monomolecular films 21 to 41 are chemical conversion films, in reality, they are not as clear as shown in the drawing. Don't

このイミダゾール単分子膜21〜41により、Cu皮膜である
電極2〜4の酸化が防止され、長期にわたって安定した
バリスタ特性を得ることができる。
The imidazole monomolecular films 21 to 41 prevent oxidation of the electrodes 2 to 4 which are Cu films, and can obtain stable varistor characteristics for a long period of time.

しかも、Cu皮膜の電極2〜4は、イミダゾール単分子膜
21〜41を有し、このイミダゾール単分子膜21〜41は、プ
レフラックス膜として作用し良好な半田付け性が得られ
る。従って、従来必須であった半田メッキ膜や金属膜が
不要になる。
Moreover, the Cu coating electrodes 2 to 4 are imidazole monomolecular films.
21 to 41, and these imidazole monomolecular films 21 to 41 act as a pre-flux film and have good solderability. Therefore, the solder plating film and the metal film, which have been essential in the past, are not required.

第3図はイミダゾール単分子膜21〜41を形成する工程を
示している。まず、第3図(a)に示すようにバリスタ
素体1の上に、スクリーン印刷等の手段によって、Cuペ
ースト2〜4を所定の電極パターンとなるように塗布し
た後、還元雰囲気中で焼付処理する。これにより、第3
図(b)に示すように、Cu皮膜でなる電極2〜4が形成
される。CUペーストはCU粉末と、ガラスフリットと、有
機ビヒクルと、適当な溶剤を用いて構成できる。
FIG. 3 shows a step of forming the imidazole monomolecular films 21 to 41. First, as shown in FIG. 3 (a), Cu pastes 2 to 4 are applied on the varistor element body 1 by screen printing or the like so as to have a predetermined electrode pattern, and then baked in a reducing atmosphere. To process. This makes the third
As shown in FIG. 2B, electrodes 2 to 4 made of a Cu film are formed. The CU paste can be composed of CU powder, glass frit, organic vehicle and a suitable solvent.

次に、第3図(c)に示すように、上述のバリスタを、
イミダゾール化合物またはその塩を含む化合物を含有す
るプレフラックス溶液5中に浸漬する。このときの化学
反応により、Cu皮膜でなる電極2〜4の表面に薄いイミ
ダゾール単分子膜が化成膜として形成される。
Next, as shown in FIG. 3 (c),
It is immersed in a preflux solution 5 containing a compound containing an imidazole compound or a salt thereof. By the chemical reaction at this time, a thin imidazole monomolecular film is formed as a chemical film on the surfaces of the electrodes 2 to 4 made of the Cu film.

この後、バリスタをプレフラックス溶液5から引上げ
て、水洗い等によって洗浄し、余分なプレフラックス溶
液を除去し、乾燥させる。
After this, the varistor is pulled up from the preflux solution 5, washed with water or the like to remove the excess preflux solution, and dried.

第4図は本考案に係るチップ状セラミックコンデンサの
断面図を示している。図において、6、7は外部接続導
体となる端部電極、81〜85は容量を取得する内部電極で
ある。セラミック素体1は誘電体セラミックで構成され
ている。端部電極6、7は、卑金属皮膜で構成されてお
り、その表面がイミダゾール単分子膜61、71によって覆
われている。従って、イミダゾール単分子膜61、71によ
り、端部電極61、71の酸化が防止されると共に、イミダ
ゾール単分子膜61、71が一種のプレフラックス膜として
作用し、端部電極6、7をフラックスを必要とすること
なしに直に面実装半田付けを行なうことができる。
FIG. 4 is a sectional view of the chip-shaped ceramic capacitor according to the present invention. In the figure, 6 and 7 are end electrodes that are external connection conductors, and 81 to 85 are internal electrodes that acquire capacitance. The ceramic body 1 is made of a dielectric ceramic. The end electrodes 6 and 7 are formed of a base metal film, and the surfaces thereof are covered with the imidazole monomolecular films 61 and 71. Therefore, the imidazole monomolecular films 61 and 71 prevent the end electrodes 61 and 71 from being oxidized, and the imidazole monomolecular films 61 and 71 act as a kind of pre-flux film, so that the end electrodes 6 and 7 are fluxed. Surface mount soldering can be performed directly without requiring.

〈考案の効果〉 以上述べたように、本考案に係るセラミック電子部品
は、セラミック素体上に卑金属皮膜による電極を有する
セラミック電子部品であって、電極の表面が、化成皮膜
であるイミダゾール単分子膜によって覆われているの
で、卑金属皮膜電極の表面に金属膜等を施すことなく、
その酸化を確実に防止し、長期にわたって安定した特性
が維持でき半田付け性を確保できるようにしたセラミッ
ク電子部品を提供することができる。
<Effects of the Invention> As described above, the ceramic electronic component according to the present invention is a ceramic electronic component having an electrode formed of a base metal film on the ceramic body, and the surface of the electrode is an imidazole monomolecular molecule that is a chemical conversion film. Since it is covered with a film, without applying a metal film or the like on the surface of the base metal film electrode,
It is possible to provide a ceramic electronic component capable of reliably preventing the oxidation, maintaining stable characteristics for a long period of time, and ensuring solderability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はセラミック電子部品の1例であるリングバリス
タの平面図、第2図は同じく展開断面図、第3図はイミ
ダゾール単分子膜を形成する工程を示す図、第4図は本
考案に係るチップ状セラミックコンデンサの断面図を示
している。 1……セラミック素体 2、3、4……電極 6、7……端部電極 21、31、41、61、71……イミダゾール単分子膜
FIG. 1 is a plan view of a ring varistor which is an example of a ceramic electronic component, FIG. 2 is a developed sectional view of the same, FIG. 3 is a view showing a process for forming an imidazole monomolecular film, and FIG. It shows a cross-sectional view of such a chip-shaped ceramic capacitor. 1 ... Ceramic body 2, 3, 4 ... Electrode 6, 7 ... End electrode 21, 31, 41, 61, 71 ... Imidazole monomolecular film

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01G 4/008 4/252 (72)考案者 坂本 典正 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)考案者 山田 俊昭 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical indication location H01G 4/008 4/252 (72) Creator Norimasa Sakamoto 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK stock Inside the company (72) Creator Toshiaki Yamada 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDC Corporation

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】セラミック素体上に卑金属皮膜による電極
を有するセラミック電子部品であって、 前記電極の表面が、化成皮膜であるイミダゾール単分子
膜によって覆われていること を特徴とするセラミック電子部品。
1. A ceramic electronic component having an electrode formed of a base metal film on a ceramic body, wherein the surface of the electrode is covered with an imidazole monomolecular film which is a chemical conversion film. .
JP1989072912U 1989-06-21 1989-06-21 Ceramic electronic components Expired - Lifetime JPH0741146Y2 (en)

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JPH0312423U JPH0312423U (en) 1991-02-07
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