JPH0740468B2 - 高周波プラズマ発生装置 - Google Patents

高周波プラズマ発生装置

Info

Publication number
JPH0740468B2
JPH0740468B2 JP59259884A JP25988484A JPH0740468B2 JP H0740468 B2 JPH0740468 B2 JP H0740468B2 JP 59259884 A JP59259884 A JP 59259884A JP 25988484 A JP25988484 A JP 25988484A JP H0740468 B2 JPH0740468 B2 JP H0740468B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
magnetic field
side wall
frequency coil
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59259884A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61138432A (ja
Inventor
康則 大野
巴 黒沢
忠 佐藤
陽一 大下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59259884A priority Critical patent/JPH0740468B2/ja
Priority to US06/806,341 priority patent/US4716491A/en
Priority to EP85115668A priority patent/EP0184812B1/en
Publication of JPS61138432A publication Critical patent/JPS61138432A/ja
Publication of JPH0740468B2 publication Critical patent/JPH0740468B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32688—Multi-cusp fields
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
    • H05H1/10—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied magnetic fields only, e.g. Q-machines, Yin-Yang, base-ball
    • H05H1/11—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied magnetic fields only, e.g. Q-machines, Yin-Yang, base-ball using cusp configuration

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は高周波プラズマ発生装置の改良に関する。
〔発明の背景〕
近年、微細化を要求される機能性薄膜や半導体の生成お
よび加工を行なう反応性イオンエツチング装置、イオン
シヤワ装置、スパツタ装置等に、高周波プラズマ発生装
置を用いることが考えられている。
現在知られているプラズマ発生装置は、イオンビーム加
工装置用イオン源であり、フイラメントからの熱電子放
出によつてアーク放電を維持し、ソレノイドコイルの作
る磁界によつて効率良くプラズマを生成し、その中のイ
オンを引き出して利用している。この種のイオン源を用
いた加工装置については、例えば「ア ニユー プロダ
クシヨン テクニツク：イオン ミリング」（デイ ボ
リンガー，アール フインク，ソリツド ステイト テ
クノロジー，ノベンバー,1980）（「Ａ New Producti
on Technique :Ion Milling」（D.Bollinger,R.Fin
k,Solid State Technology,Nov.,1980）に説明されて
いる。
この種プラズマ発生装置を反応性ガスの下で動作させる
と、フイラメントの消耗が著しく、また使用するガスに
よつては電極の汚れが生ずる等の理由で、長時間の稼動
が難しい。
この問題を除くにはフイラメントのないプラズマ発生装
置を得れば良く、その１つとしてマイクロ波プラズマ発
生装置がある。この種装置は、例えば「マイクロウエイ
ブ イオン ソース」（エヌ サクド，エト アリー，
レビユー サイエンテイフイク インストラメント，ボ
リユーム48,ナンバー7,ジユラーイ,1977）（「Microwav
e Ion Source」（N.Sakudo,et.al.,Rev.Sci.Instru
m.,Vol.48,No.7,July.1977）で詳しく説明されている。
このマイクロ波プラズマ発生装置は、マイクロ波電力に
よつてプラズマを生成しており、特に半導体の加工に適
した良質のイオンビームを取り出せるが、装置が複雑
で、ビームの大口径化が難しい等の問題があつた。
またフイラメントを持たないものとして高周波プラズマ
発生装置があり、核融合用の中性粒子入射装置のイオン
源として「ラジイオ フレンクエンシ イオン ソース
デイベロツプメント フオ ニユートラル ビーム
アプリケーシヨン」（ケイエツチ レウング，エト ア
リー，ジエイ バケーシヨン サイエンテイフイク テ
クノロジーエイ２（２），エイプリル−ジユーン,198
4）（「Radio Frequency Ion Source Deve lopmen
t for Neutral Beam Application」（K.H.Leung e
t.al.,J.vac.Sci.Technol A2（２）,Apr.−June,198
4）で報告されている。第６図は、その高周波プラズマ
発生装置を示している。
筒状側壁20の上端をバツクプレート19で封じてプラズマ
生成室１を形成しており、この生成室１内に高周波コイ
ル８が中央部に配置され、バツクプレート19から起動用
フイラメント10とガス導入管６が挿入されている。筒状
側壁20の外周部にはカスプ磁界を発生する永久磁石３が
配置されている。プラズマ生成室１内に高周波コイル８
を配置し、高周波放電によつてプラズマを生成し、カス
プ磁界で容器内に閉じ込めている。
この構成は、電気的には半導体程度の導電率をもつプラ
ズマ中に、高周波コイル８を挿入しているため、高周波
コイル８にかかる高周波電界によつて、その表面で絶縁
破壊を起こし易い。高周波コイル８の表面を絶縁被覆す
ることによつて、ある程度絶縁破壊を防ぐことはできる
が、反応性ガスのプラズマにさらされた被覆の寿命は短
かく、また被覆材から放出するガスによつてプラズマ生
成室１内が汚染されるという欠点があつた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、高周波コイルでの絶縁破壊を防止し長
時間安定して動作させることができる高周波プラズマ発
生装置を提供するにある。
〔発明の概要〕
本発明は、磁界によつてプラズマの運動を制御できる点
に着目し、高周波コイルをプラズマ生成室を形成する側
壁の近傍に配置し、磁界発生手段をプラズマ生成室内の
高周波コイルの内側に配置すると共に側壁の周方向に順
次異なる極となるように構成し、あるいは、高周波コイ
ルを、プラズマ生成室を形成する側壁の周方向に延びる
各ターンが側壁の軸方向に互に間隔をあけた状態で、側
壁の近傍に配置し、磁界発生手段を、互に異なる極が側
壁の軸方向において高周波コイルの各ターンを挾むよう
に、高周波コイルの外側に側壁の周方向にほぼ連続して
構成することにより、上記各磁界発生手段で発生する磁
界によって、高周波コイルの領域と高周波放電により生
成されたプラズマの領域とを分離したことを特徴とす
る。
〔発明の実施例〕
以下本発明の実施例を図面によつて説明する。
第１図は高周波プラズマ発生装置の縦断面図であり、円
筒状の側壁20の上端をバツクプレート19で封ずると共
に、下端も図示しない容器で封じてプラズマ生成室１を
形成している。側壁20には絶縁支持体９の一端が固定さ
れ、絶縁支持体９の他端には高周波コイル８が固定され
ている。高周波コイル８は壁側20の周方向に延びる複数
のターンを有し、各ターンが側壁20の軸方向に互に間隔
をあけた状態で側壁20の近傍に位置しており、バツクプ
レート19を気密に、かつ電気的に絶縁した状態で導入さ
れた導入端子７を介して高周波電力が与えられる。更に
側壁20の内面には、軟磁性のフエライト18等の磁性体が
取り付けられると共に高周波コイル８の内側に配置した
絶縁物の支持体４の両脚が固定されている。この支持体
４の内面側およびバツクプレート19の内面側には、カプ
ス磁界を作るように永久磁石あるいは電磁石等の磁界発
生手段３が取り付けられている。前述した軟磁性フエラ
イト18は高周波コイル８の高周波磁界の磁気的帰路を形
成している。また高周波コイル８は円管から成つてお
り、その内部に水あるいは油を流して冷却している。
磁界発生手段３は、この実施例においては第１図のII−
II線に沿つた断面図である第２図に示すように、プラズ
マ生成室１に８列に配置されて、多極カスプ磁界を作
り、図中点線で示すプラズマ閉じ込め領域12を形成して
いる。この領域12は、高周波コイル８より内側にあり、
高周波コイル８はプラズマから保護される。磁界発生手
段３はそれぞれ水冷もしくは油冷されたケース16内に入
れられており、これによつてプラズマ損失による過熱を
避けている。この冷却液の供給は、第１図のバツクプレ
ート19を気密を保持して貫通した冷却液導入管14によつ
て行なわれる。バツクプレート19には、更にガス導入管
６および起動用フイラメント10が気密を保持して貫通し
ており、ガス導入管６からは反応性ガス、例えばO2ガス
を導入し、起動用フイラメント10の加熱によつて熱電子
を放出する。
プラズマ生成室１を５×10-6Torr程度の真空に排気した
後、ガス導入管６から反応性ガスを供給し、１×10-4〜
５×10-4Torr程度の真空にする。次いで、起動用フイラ
メント10を加熱することによつて熱電子を放出させると
共に、高周波コイル８に13.56MHzの高周波電力を加え、
プラズマ生成室１に反応性ガスのプラズマを生成させ
る。プラズマが安定した後、起動用フイラメント10への
通電を止める。この起動用フイラメントは、通電停止後
プラズマ領域から後退するようにしたり、あるいは放電
ギヤツプに代えることによつて長寿命化を図ることがで
きる。生成されたプラズマは、プラズマ生成室１の壁面
に向つて拡散しようとするが、磁界発生手段３によるカ
スプ磁界によつて第２図の領域12内に制限される。プラ
ズマ生成室１の下部の電極２に所定の電圧を印加するこ
とによつて、プラズマの中からイオンビーム13を引き出
すことができる。
上述の動作説明からわかるように、磁界発生手段３によ
るプラズマ閉じ込め領域12の外に高周波コイル８を配置
したので、プラズマによる高周波コイル８の絶縁破壊を
防止することができる。
本実施例に示す装置を用いて、O2ガスのプラズマを生成
したところ、プラズマ中のイオン密度は0.8〜1.0×1011
（cm-3）となつた。またプラズマから500eVのO2イオン
ビームを引き出したところ、0.65mA/cm2のイオンビーム
電流密度が得られた。また従来のフイラメントを用いた
装置の５倍以上の保守間隔、つまり保守することなく使
用できる期間が得られた。このように本実施例に示す装
置は、高周波コイル８の絶縁破壊を防止しながら、多量
のイオンビームを引き出し反応性ガスを用いても長時間
安定に動作させることができる。しかも、カスプ磁界に
よつてプラズマを所定の領域12内に閉じ込めているた
め、領域12の大きさに拘らずほぼ一様なプラズマが得ら
れ、ビームの大口径化が容易である。つまり、磁界発生
手段３の数を増したり強力にすることにより、プラズマ
を閉じ込めるのに十分な磁界強度としてビームの大口径
化が可能である。
第３図は本発明の他の実施例による高周波プラズマ発生
装置を示している。
この実施例では、カスプ磁界を発生する磁界発生手段３
を、プラズマ生成室１を形成する容器の外部に配置した
ものであるが、内側に配置することもできる。側壁20の
軸方向に沿った部分は高周波コイル８の各ターンを挾む
ようにＮ極,S極が交互に配置されると共に、第４図に示
すように側壁20の周方向には同極がほぼ連続的に配置さ
れている。図示の場合、リング状に配置された磁界発生
手段３は側壁20の軸方向に所定間隔で７層に配置されて
おり、高周波コイル８は、この層間でプラズマ生成室１
の側壁20近傍に配置され、絶縁支持物21によつて側壁20
に固定されている。その他の構成は先の実施例と同様で
あり、同等物には同一符号をつけて説明を省略する。
この高周波プラズマ発生装置のプラズマ閉じ込め状況を
第５図に模式的して示している。側壁20の外周に設けた
磁界発生手段３は矢印11で示す方向に磁界を作る。従つ
て、高周波放電によつて発生したプラズマは側壁20に拡
散しようとするが、上述の磁界によつて拡散は妨げられ
て図中に黒丸をつけた領域12に閉じ込められ、高周波コ
イル８のプラズマによる絶縁破壊を防止することができ
る。このようにして、本実施例においても先の実施例と
同様の効果を得ることができる。
磁界発生手段３は、前述したように電磁石でも永久磁石
でも良く、またこれらの組合せであつても良い。永久磁
石を用いる場合は、磁性粉を樹脂で成型した磁石とする
と、高周波による発熱が少なく望ましい。
上述した実施例において、イオンビーム引き出し用電極
２を除去し、加工試料を直接プラズマあるいは反応性の
ラジカルに接触させるようにすると、エツチング装置あ
るいはスパツタ装置となり、高周波プラズマ発生装置と
して広範に適用することができる。
上記の各実施例では反応性ガスを用いた例について述べ
たが、不活性ガスを用いることもできる。
〔発明の効果〕
高周波コイルをプラズマ生成室を形成する側壁の近傍に
配置し、磁界発生手段をプラズマ生成室内の高周波コイ
ルの内側に配置すると共に側壁の周方向に順次異なる極
となるように構成し、あるいは、高周波コイルを、プラ
ズマ生成室を形成する側壁の周方向に延びる各ターンが
側壁の軸方向に互に間隔をあけた状態で、側壁の近傍に
配置し、磁界発生手段を、互に異なる極が側壁の軸方向
において高周波コイルの各ターンを挾むように、高周波
コイルの外側に側壁の周方向にほぼ連続して構成するこ
とにより、上記各磁界発生手段で発生する磁界によっ
て、高周波コイルの領域と高周波放電により生成された
プラズマの領域とを分離したため、プラズマによる高周
波コイルの絶縁破壊を防止して長時間安定に動作するこ
とのできる高周波プラズマ発生装置を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による高周波プラズマ発生装
置の縦断面図、第２図は第１図のII−II線に沿つた断面
図、第３図は本発明の他の実施例による高周波プラズマ
発生装置の縦断面図、第４図は第３図のIV−IV線に沿つ
た断面図、第５図は第３図の要部を模式化した説明図、
第６図は従来の高周波プラズマ発生装置を示す縦断面図
である。 １……プラズマ生成室、３……磁界発生手段、４……支
持体、６……ガス導入管、８……高周波コイル、９……
絶縁支持体、12……プラズマ閉じ込め領域、20……側
壁、21……絶縁支持体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大下 陽一 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 実開 昭58−154554（ＪＰ，Ｕ)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】筒状の側壁の両端部を気密に封じて形成し
    たプラズマ生成室内に、放電によってイオンを発生する
    ガスを導入すると共に高周波電力の供給によって高周波
    放電を生起させる高周波コイルを配置し、プラズマを上
    記プラズマ生成室内に閉じ込めるカスプ磁界発生用の磁
    界発生手段を有して成る高周波プラズマ発生装置におい
    て、上記高周波コイルを上記側壁の近傍に配置し、上記
    磁界発生手段を、上記プラズマ生成室内の上記高周波コ
    イルの内側に配置すると共に上記側壁の周方向に順次異
    なる極となるように構成し、この磁界発生手段によっ
    て、上記高周波コイルよりも内側の上記プラズマ生成室
    内にプラズマ閉じ込め領域を形成し、上記高周波コイル
    の領域と上記プラズマの領域とを分離したこと特徴とす
    る高周波プラズマ発生装置。
  2. 【請求項２】上記特許請求の範囲第１項記載のものにお
    いて、上記磁界発生手段は、上記側壁の内側に設けた帰
    路用磁性体を有することを特徴とする高周波プラズマ発
    生装置。
  3. 【請求項３】筒状の側壁の両端部を気密に封じて形成し
    たプラズマ生成室内に、放電によってイオンを発生する
    ガスを導入すると共に高周波電力の供給によって高周波
    放電を生起させる高周波コイルを配置し、プラズマを上
    記プラズマ生成室内に閉じ込めるカスプ磁界発生用の磁
    界発生手段を有して成る高周波プラズマ発生装置におい
    て、上記高周波コイルを、上記側壁の周方向に延びる各
    ターンが上記側壁の軸方向に互に間隔をあけた状態で、
    上記側壁の近傍に配置し、上記磁界発生手段を、互に異
    なる極が上記側壁の軸方向において上記高周波コイルの
    各ターンを挾むように、上記高周波コイルの外側に上記
    側壁の周方向にほぼ連続して構成し、この磁界発生手段
    によって、上記高周波コイルよりも内側の上記プラズマ
    生成室内にプラズマ閉じ込め領域を形成し、上記高周波
    コイルの領域と上記プラズマの領域とを分離したことを
    特徴とする高周波プラズマ発生装置。
  4. 【請求項４】上記特許請求の範囲第３項記載のものにお
    いて、上記磁界発生手段は、上記側壁の外周に配置した
    ことを特徴とする高周波プラズマ発生装置。
JP59259884A 1984-12-11 1984-12-11 高周波プラズマ発生装置 Expired - Lifetime JPH0740468B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59259884A JPH0740468B2 (ja) 1984-12-11 1984-12-11 高周波プラズマ発生装置
US06/806,341 US4716491A (en) 1984-12-11 1985-12-09 High frequency plasma generation apparatus
EP85115668A EP0184812B1 (en) 1984-12-11 1985-12-09 High frequency plasma generation apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59259884A JPH0740468B2 (ja) 1984-12-11 1984-12-11 高周波プラズマ発生装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61138432A JPS61138432A (ja) 1986-06-25
JPH0740468B2 true JPH0740468B2 (ja) 1995-05-01

Family

ID=17340274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59259884A Expired - Lifetime JPH0740468B2 (ja) 1984-12-11 1984-12-11 高周波プラズマ発生装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4716491A (ja)
EP (1) EP0184812B1 (ja)
JP (1) JPH0740468B2 (ja)

Families Citing this family (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4727293A (en) * 1984-08-16 1988-02-23 Board Of Trustees Operating Michigan State University Plasma generating apparatus using magnets and method
JPS6276137A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 Hitachi Ltd イオン源
JPH0711072B2 (ja) * 1986-04-04 1995-02-08 株式会社日立製作所 イオン源装置
US4767931A (en) * 1986-12-17 1988-08-30 Hitachi, Ltd. Ion beam apparatus
DE3708716C2 (de) * 1987-03-18 1993-11-04 Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner Hochfrequenz-ionenquelle
JPS63299338A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JP2656259B2 (ja) * 1987-08-24 1997-09-24 日本原子力研究所 イオン発生装置
US4910436A (en) * 1988-02-12 1990-03-20 Applied Electron Corporation Wide area VUV lamp with grids and purging jets
JP2618001B2 (ja) * 1988-07-13 1997-06-11 三菱電機株式会社 プラズマ反応装置
DE68924413T2 (de) * 1989-01-25 1996-05-02 Ibm Radiofrequenzinduktion/Mehrpolplasma-Bearbeitungsvorrichtung.
GB8905075D0 (en) * 1989-03-06 1989-04-19 Nordiko Ltd Electrode assembly and apparatus
GB8905073D0 (en) * 1989-03-06 1989-04-19 Nordiko Ltd Ion gun
US5304279A (en) * 1990-08-10 1994-04-19 International Business Machines Corporation Radio frequency induction/multipole plasma processing tool
JP2568006B2 (ja) * 1990-08-23 1996-12-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション イオン化空気により対象物から電荷を放電させる方法及びそのための装置
US5208512A (en) * 1990-10-16 1993-05-04 International Business Machines Corporation Scanned electron cyclotron resonance plasma source
FR2671931A1 (fr) * 1991-01-22 1992-07-24 Metal Process Dispositif de repartition d'une energie micro-onde pour l'excitation d'un plasma.
US5189446A (en) * 1991-05-17 1993-02-23 International Business Machines Corporation Plasma wafer processing tool having closed electron cyclotron resonance
US5308461A (en) * 1992-01-14 1994-05-03 Honeywell Inc. Method to deposit multilayer films
US5216330A (en) * 1992-01-14 1993-06-01 Honeywell Inc. Ion beam gun
US5280154A (en) * 1992-01-30 1994-01-18 International Business Machines Corporation Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil
FR2689143B1 (fr) * 1992-03-31 1994-05-13 Commissariat A Energie Atomique Dispositif de pulverisation cathodique utilisant un plasma engendre par des micro-ondes.
US5430355A (en) * 1993-07-30 1995-07-04 Texas Instruments Incorporated RF induction plasma source for plasma processing
US5962923A (en) * 1995-08-07 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Semiconductor device having a low thermal budget metal filling and planarization of contacts, vias and trenches
US6238533B1 (en) 1995-08-07 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Integrated PVD system for aluminum hole filling using ionized metal adhesion layer
US6264812B1 (en) 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
US5767628A (en) * 1995-12-20 1998-06-16 International Business Machines Corporation Helicon plasma processing tool utilizing a ferromagnetic induction coil with an internal cooling channel
US6471822B1 (en) 1996-01-24 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Magnetically enhanced inductively coupled plasma reactor with magnetically confined plasma
US6254746B1 (en) 1996-05-09 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Recessed coil for generating a plasma
US6368469B1 (en) 1996-05-09 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Coils for generating a plasma and for sputtering
KR100489918B1 (ko) * 1996-05-09 2005-08-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마발생및스퍼터링용코일
US6254737B1 (en) 1996-10-08 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Active shield for generating a plasma for sputtering
US6190513B1 (en) 1997-05-14 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition
US6514390B1 (en) * 1996-10-17 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Method to eliminate coil sputtering in an ICP source
US5961793A (en) * 1996-10-31 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber
TW358964B (en) * 1996-11-21 1999-05-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
US6599399B2 (en) 1997-03-07 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field
US6103070A (en) * 1997-05-14 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Powered shield source for high density plasma
US6210539B1 (en) 1997-05-14 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for producing a uniform density plasma above a substrate
US6361661B2 (en) 1997-05-16 2002-03-26 Applies Materials, Inc. Hybrid coil design for ionized deposition
US6077402A (en) * 1997-05-16 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Central coil design for ionized metal plasma deposition
US6579426B1 (en) 1997-05-16 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6652717B1 (en) 1997-05-16 2003-11-25 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance to control coil sputter distribution
US6345588B1 (en) 1997-08-07 2002-02-12 Applied Materials, Inc. Use of variable RF generator to control coil voltage distribution
US6235169B1 (en) 1997-08-07 2001-05-22 Applied Materials, Inc. Modulated power for ionized metal plasma deposition
US6375810B2 (en) 1997-08-07 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma vapor deposition with coil sputtering
US6042700A (en) * 1997-09-15 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source
US6565717B1 (en) 1997-09-15 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma
US6023038A (en) * 1997-09-16 2000-02-08 Applied Materials, Inc. Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system
US7253109B2 (en) 1997-11-26 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system
EP1034566A1 (en) * 1997-11-26 2000-09-13 Applied Materials, Inc. Damage-free sculptured coating deposition
US6280579B1 (en) 1997-12-19 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Target misalignment detector
US6189484B1 (en) 1999-03-05 2001-02-20 Applied Materials Inc. Plasma reactor having a helicon wave high density plasma source
US6254738B1 (en) 1998-03-31 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution
TW434636B (en) 1998-07-13 2001-05-16 Applied Komatsu Technology Inc RF matching network with distributed outputs
US6132566A (en) * 1998-07-30 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma
US6579421B1 (en) 1999-01-07 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Transverse magnetic field for ionized sputter deposition
US6284110B1 (en) 1999-04-14 2001-09-04 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for radio frequency isolation of liquid heat transfer medium supply and discharge lines
KR100733564B1 (ko) * 2000-02-24 2007-06-28 체체에르 게엠베하 베쉬히퉁스테크놀로지 고주파 플라즈마 원
US7513971B2 (en) * 2002-03-18 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Flat style coil for improved precision etch uniformity
JP2004031603A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Nec Corp レーザｃｖｄ装置、レーザｃｖｄ法、パターン欠陥修正装置及びパターン欠陥修正方法
US7291360B2 (en) 2004-03-26 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids
US7244474B2 (en) 2004-03-26 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid
US7695590B2 (en) 2004-03-26 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids
US8058156B2 (en) 2004-07-20 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids
US7767561B2 (en) 2004-07-20 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid
GB0604655D0 (en) * 2006-03-08 2006-04-19 Smith Alan A Plasma confinement
US7700925B2 (en) * 2007-12-28 2010-04-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for providing a multimode ion source
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
EP2674513B1 (en) 2009-05-13 2018-11-14 SiO2 Medical Products, Inc. Vessel coating and inspection
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
CN103930595A (zh) 2011-11-11 2014-07-16 Sio2医药产品公司 用于药物包装的钝化、pH保护性或润滑性涂层、涂布方法以及设备
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
WO2014071061A1 (en) 2012-11-01 2014-05-08 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
EP2920567B1 (en) 2012-11-16 2020-08-19 SiO2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
WO2014085346A1 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Sio2 Medical Products, Inc. Hollow body with inside coating
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
WO2014134577A1 (en) 2013-03-01 2014-09-04 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or cvd pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
WO2014164928A1 (en) 2013-03-11 2014-10-09 Sio2 Medical Products, Inc. Coated packaging
WO2014144926A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Sio2 Medical Products, Inc. Coating method
US11066745B2 (en) 2014-03-28 2021-07-20 Sio2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
CA3204930A1 (en) 2015-08-18 2017-02-23 Sio2 Medical Products, Inc. Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3230418A (en) * 1961-06-23 1966-01-18 Raphael A Dandl Device having high-gradient magnetic cusp geometry
US3467885A (en) * 1965-05-20 1969-09-16 Xerox Corp Method and apparatus for electromagnetically containing a plasma
US3527977A (en) * 1968-06-03 1970-09-08 Atomic Energy Commission Moving electrons as an aid to initiating reactions in thermonuclear devices
FR2160711B1 (ja) * 1971-11-22 1975-02-07 Commissariat Energie Atomique
US4233109A (en) * 1976-01-16 1980-11-11 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Dry etching method
US4152625A (en) * 1978-05-08 1979-05-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Plasma generation and confinement with continuous wave lasers
US4351712A (en) * 1980-12-10 1982-09-28 International Business Machines Corporation Low energy ion beam oxidation process
JPS58154554U (ja) * 1982-04-09 1983-10-15 日本電子株式会社 高周波イオン源
JPH0693447B2 (ja) * 1983-12-23 1994-11-16 株式会社日立製作所 マイクロ波プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0184812B1 (en) 1992-06-17
US4716491A (en) 1987-12-29
EP0184812A2 (en) 1986-06-18
JPS61138432A (ja) 1986-06-25
EP0184812A3 (en) 1988-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0740468B2 (ja) 高周波プラズマ発生装置
US4713585A (en) Ion source
US4727293A (en) Plasma generating apparatus using magnets and method
JP2959508B2 (ja) プラズマ発生装置
US5296272A (en) Method of implanting ions from a plasma into an object
EP0200035B1 (en) Electron beam source
US5218179A (en) Plasma source arrangement for ion implantation
JP2512649B2 (ja) イオン注入用のプラズマソ―ス装置
US4847476A (en) Ion source device
JPH0746586B2 (ja) イオン源
JPH08102278A (ja) イオンビーム発生装置及び方法
US3452249A (en) Method and apparatus for containing a plasma produced by opposed electrodes
JP2552701B2 (ja) イオン源
JPH09245997A (ja) カバーで覆われた内壁とアンテナを持つプラズマ室
KR920003157B1 (ko) PIG(Penning Ionization Gause)형의 이온원
JPH0752635B2 (ja) イオン源装置
RU2151438C1 (ru) Плазменный источник ионов с ленточным пучком (варианты)
JPS5740845A (en) Ion beam generator
JP2002339074A (ja) 成膜装置
JPH06325710A (ja) マイクロ波イオン源及びイオン打ち込み装置
JPH0578849A (ja) 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
JP2586836B2 (ja) イオン源装置
JP2773157B2 (ja) 半導体製造装置
JP3402166B2 (ja) イオンビーム処理装置
JPS6381735A (ja) イオン発生装置