JPH0738141A - Avalanche photodiode - Google Patents
Avalanche photodiodeInfo
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- JPH0738141A JPH0738141A JP5178384A JP17838493A JPH0738141A JP H0738141 A JPH0738141 A JP H0738141A JP 5178384 A JP5178384 A JP 5178384A JP 17838493 A JP17838493 A JP 17838493A JP H0738141 A JPH0738141 A JP H0738141A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光伝送システム
の受光素子として用いられるアバランシェフォトダイオ
ードに係り、化合物半導体、特にIII-Ｖ族化合物半導体
材料系のメサ型アバランシェフォトダイオードのパシベ
ーション膜の改良に関し、被覆に伴う素子特性の劣化問
題の改善、および素子寿命の長期化に好適な構造に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an avalanche photodiode used as, for example, a light receiving element of an optical transmission system, and an improvement of a passivation film of a compound semiconductor, especially a mesa-type avalanche photodiode of a III-V group compound semiconductor material system. The present invention relates to a structure suitable for improving the problem of deterioration of device characteristics due to coating and prolonging the life of the device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のメサ型アバランシェフォトダイオ
ード（以下メサ型ＡＰＤと略す）では、パシベーション
膜として、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの絶縁膜、またはポ
リイミドなどの高分子膜を用いていた。ＳｉＯ2、Ｓｉ3
Ｎ4などの絶縁膜が用いられたのは、既にＳｉ系半導体
素子において寿命長期化を実現しており、パシベーショ
ン膜としての信頼性が高いためである。また、ポリイミ
ドなどの高分子膜が用いられたのは、取扱いが簡便であ
り、III-Ｖ族化合物半導体素子に用いた場合でも界面準
位密度が比較的容易に低減し、パシベーション膜被覆に
伴う素子特性の悪化を比較的改善できるという利点のた
めである。2. Description of the Related Art In a conventional mesa-type avalanche photodiode (hereinafter abbreviated as mesa-type APD), an insulating film such as SiO 2 or Si 3 N 4 or a polymer film such as polyimide is used as a passivation film. SiO 2 , Si 3
The reason why the insulating film such as N 4 is used is that the life of the Si-based semiconductor element has already been extended and the reliability as a passivation film is high. Further, the use of a polymer film such as polyimide is easy to handle, and even when used in a III-V group compound semiconductor device, the interface state density is relatively easily reduced, which is accompanied by the passivation film coating. This is because it is possible to relatively improve the deterioration of the device characteristics.
【０００３】なお、この種のメサ型ＡＰＤのパシベーシ
ョン膜に関連するものとして、例えば、アイ・イー・イ
・イー・トランズアクション・エレクトロン・デバイ
ス、第３５巻、第１６９５頁、１９８８年〔IEEE Tran
s. Electron Devices,vol.35,p.1695,1988〕が挙げられ
る。Incidentally, as a device related to the passivation film of this type of mesa type APD, for example, I.E.E.Transaction Electron Device, Vol. 35, p. 1695, 1988 [IEEE Tran
s. Electron Devices, vol. 35 , p. 1695, 1988].
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉ3Ｎ4などの絶縁膜は、Ｓｉ系半導体素子において好ま
しいパシベーション膜であっても、III-Ｖ族化合物半導
体に用いた場合には容易に界面準位密度が低減しないな
どの問題がある。一方、この点において利点を有するポ
リイミド膜は、膜の分子鎖密度が充分高くないため、素
子と大気との隔絶が不充分という問題がある。このた
め、素子表面は大気と反応し、素子特性の緩慢な劣化を
招き、素子寿命を長期化することができないという問題
があった。However, SiO 2 , S
Even if an insulating film such as i 3 N 4 is a passivation film which is preferable in a Si-based semiconductor element, there is a problem that the interface state density is not easily reduced when used for a III-V group compound semiconductor. On the other hand, the polyimide film, which has an advantage in this respect, has a problem that the element is not sufficiently isolated from the atmosphere because the molecular chain density of the film is not sufficiently high. For this reason, there is a problem that the element surface reacts with the atmosphere and causes a slow deterioration of the element characteristics, so that the element life cannot be extended.
【０００５】したがって本発明の目的は、上記従来の問
題点を解消することにあり、メサ型ＡＰＤのパシベーシ
ョン膜被覆に伴う素子特性の劣化防止を主たる目的と
し、副次的に素子寿命の長期化も図ることにある。Therefore, an object of the present invention is to eliminate the above-mentioned problems of the prior art, and its main purpose is to prevent deterioration of the device characteristics due to the passivation film coating of the mesa APD, and secondarily to prolong the life of the device. There is also a plan.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、メサ型ＡＰＤのパシベーション膜とし
て半導体結晶（以下、パシベーション結晶と略称）を用
いることにある。パシベーション結晶としては、信号光
エネルギー吸収によりキャリアを発生させ、その数を増
倍させる結晶層の内で最も大きなバンドギャップを有す
る結晶と同じか、より大きなバンドギャップを有する半
導体結晶で構成される。そして、メサ型ＡＰＤを構成す
る半導体結晶及びパシベーション結晶としては、III-Ｖ
族化合物半導体の如き化合物半導体が用いられる。ま
た、パシベーション結晶は、従来のメサ側面に設けられ
たパシベーション膜の一部（少なくとも光吸収層から超
格子増倍層までの側面領域）、もしくはすべてに渡って
形成する。さらには、このパシベーション結晶上を、例
えばＳｉＯ2及びＳｉ3Ｎ4の少なくとも１種からなる無
機絶縁膜、もしくは例えばポリイミド樹脂及びポリアミ
ド樹脂の少なくとも１種からなる有機絶縁膜で被覆し、
より絶縁特性を向上させる構造としてもよい。In order to achieve the above object, the present invention uses a semiconductor crystal (hereinafter abbreviated as passivation crystal) as a passivation film of a mesa APD. The passivation crystal is composed of a semiconductor crystal having the same or larger bandgap as the crystal having the largest bandgap in the crystal layers that generate carriers by absorbing signal light energy and multiply the number of carriers. The semiconductor crystal and the passivation crystal forming the mesa APD are III-V
A compound semiconductor such as a group compound semiconductor is used. Further, the passivation crystal is formed over a part (at least the side surface region from the light absorption layer to the superlattice multiplication layer) of the conventional passivation film provided on the side surface of the mesa or over the entire surface. Further, the passivation crystal is coated with, for example, an inorganic insulating film made of at least one of SiO 2 and Si 3 N 4 , or an organic insulating film made of at least one of polyimide resin and polyamide resin,
A structure that further improves the insulation characteristics may be used.
【０００７】[0007]
【作用】以下にメサ型ＡＰＤのパシベーション膜被覆に
伴う素子特性の劣化問題の改善、および素子寿命の長期
化を達成するための本発明の作用を述べる。メサ側面に
形成するパシベーション結晶は、その内側のＡＰＤを構
成する各結晶と同じ格子構造を有するために、メサ側面
結晶表面に存在するダングリングボンドを理想的に終端
することができる。したがって、界面準位密度の低減化
を実現できる。The operation of the present invention for improving the problem of deterioration of the device characteristics due to the passivation film coating of the mesa type APD and for prolonging the device life will be described below. Since the passivation crystal formed on the side surface of the mesa has the same lattice structure as each crystal that constitutes the APD inside thereof, the dangling bond existing on the crystal surface of the side surface of the mesa can be ideally terminated. Therefore, the reduction of the interface state density can be realized.
【０００８】また、このパシベーション結晶には、バン
ドギャップが、信号光エネルギー吸収によりキャリアを
発生させる結晶層よりも大きな、または信号光エネルギ
ー吸収により発生したキャリア数を増倍させる結晶層と
同じかより大きな結晶を用いる。このことにより、素子
のキャリアをより効率良く素子内部に閉じ込めることが
できる。さらに高抵抗パシベーション結晶を用いること
によって、パシベーション結晶自体に流れる電流を、パ
シベーション結晶の内側の素子に流れる電流よりも小さ
くすることができる。このことは、パシベーション膜被
覆に伴う暗電流の増加によるＡＰＤ感度の低下を改善す
ると共に、不必要な素子発熱を低く抑えることができ
る。Further, the band gap of this passivation crystal is larger than that of the crystal layer that generates carriers due to absorption of signal light energy, or is equal to or larger than that of the crystal layer that multiplies the number of carriers generated due to absorption of signal light energy. Use large crystals. As a result, the carrier of the device can be more efficiently confined inside the device. Further, by using the high resistance passivation crystal, the current flowing through the passivation crystal itself can be made smaller than the current flowing through the element inside the passivation crystal. This can improve the decrease in APD sensitivity due to the increase in dark current due to the passivation film coating, and can suppress unnecessary heat generation of the element.
【０００９】パシベーション結晶の高抵抗化の方法に
は、ｐｎ接合を利用する方法、またはパシベーション結
晶層を薄くすることによって、パシベーション結晶のキ
ャリアを空乏化させて抵抗率を高めると共に、断面積も
小さくする方法がある。As a method for increasing the resistance of the passivation crystal, a method using a pn junction or thinning the passivation crystal layer to deplete the carriers of the passivation crystal to increase the resistivity and reduce the cross-sectional area. There is a way to do it.
【００１０】以上の手段により、パシベーション膜被覆
に伴う素子特性の劣化問題を解決する。また、パシベー
ション結晶は、結晶という高密度のものであるので素子
と大気とを隔絶する。したがって、素子表面の大気との
反応を防止することができ、素子寿命の長期化を達成す
ることを可能にする。この点により、素子寿命の長期化
を実現することができる。By the means described above, the problem of deterioration of the device characteristics due to the passivation film coating is solved. Further, since the passivation crystal is a high density crystal, it separates the device from the atmosphere. Therefore, it is possible to prevent the reaction of the element surface with the atmosphere, and it is possible to prolong the life of the element. From this point, it is possible to prolong the life of the device.
【００１１】パシベーション結晶の抵抗は、５００ＭΩ
以上であることが望ましい。５００ＭΩ以上とするため
には、抵抗率が１×１０6Ω・ｃｍの結晶を用いた場
合、膜厚は、０．２μｍ以下にすればよい。もしも抵抗
率がより小さい結晶をパシベーション結晶として用いる
場合には、膜厚はより薄くする必要がある。The resistance of the passivation crystal is 500 MΩ.
The above is desirable. In order to obtain 500 MΩ or more, when a crystal having a resistivity of 1 × 10 6 Ω · cm is used, the film thickness may be 0.2 μm or less. If a crystal with a lower resistivity is used as the passivation crystal, the film thickness needs to be thinner.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、図面にしたがって本発明の一実施例を
具体的に説明する。 （１）素子構造とその製造方法 図１は、III-Ｖ族化合物半導体からなるＡＰＤに本発明
を適用した素子の断面構造を示したものである。この例
は、吸収層増倍層分離型メサ型裏面入射方式による超格
子ＡＰＤであり、パシベーションとして半導体結晶を用
いたものである。なお、図２は比較例を示したものであ
り、パシベーション膜としてポリイミド１２を用いた同
構造も作製した。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. (1) Element Structure and Manufacturing Method Thereof FIG. 1 shows a sectional structure of an element in which the present invention is applied to an APD made of a III-V group compound semiconductor. This example is a superlattice APD of the absorption layer multiplication layer separation type mesa type back-illuminated system, and uses a semiconductor crystal as passivation. FIG. 2 shows a comparative example, and the same structure using polyimide 12 as a passivation film was also manufactured.
【００１３】図１において、１から６までの結晶は、い
ずれもｎ−ＩｎＰ基板７（層厚１５０μｍ、電子濃度ｎ
＝２×１０18／ｃｍ3）に格子整合した混晶である。吸
収層３は、層厚０．６μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓ（ホール
濃度ｐ＝２×１０15／ｃｍ3）を用いた。超格子増倍層
５は、ＩｎＧａＡｓ（井戸層幅５ｎｍ）及びＩｎＡｌＡ
ｓ（障壁層幅１５ｎｍ）を１７回繰返した積層膜であ
り、全層厚は０．３５μｍとした。なお、電子濃度はｎ
＜１×１０15／ｃｍ3である。In FIG. 1, the crystals 1 to 6 are all n-InP substrates 7 (layer thickness 150 μm, electron concentration n
= 2 × 10 18 / cm 3 ) is a mixed crystal lattice-matched. For the absorption layer 3, p-InGaAs (hole concentration p = 2 × 10 15 / cm 3 ) having a layer thickness of 0.6 μm was used. The superlattice multiplication layer 5 is made of InGaAs (well layer width 5 nm) and InAlA.
s (barrier layer width 15 nm) was repeated 17 times, and the total layer thickness was 0.35 μm. The electron concentration is n
<1 × 10 15 / cm 3 .
【００１４】パシベーション結晶１０は、吸収層３のＩ
ｎＧａＡｓよりも大きなバンドギャップを有し、超格子
増倍層５の障壁層ＩｎＡｌＡｓと同じバンドギャップを
有するノンドープＩｎＡｌＡｓを用いた。このパシベー
ション結晶１０は、基板温度２００℃で成長させた抵抗
率の高いもの（１×１０6Ω・ｃｍ）であり、膜厚は
０．２μｍとして、表面の空乏化による抵抗率の更なる
増大と、断面積を小さくすることにより、高抵抗化を図
った。電極にはｐ型電極８、ｎ型電極９共に真空蒸着法
で形成するＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉを用いた。絶縁膜１１は、
ｐ型電極８、ｎ型電極９とを絶縁するために用いた。The passivation crystal 10 is composed of I of the absorption layer 3.
Non-doped InAlAs having a bandgap larger than that of nGaAs and having the same bandgap as the barrier layer InAlAs of the superlattice multiplication layer 5 was used. This passivation crystal 10 has a high resistivity (1 × 10 6 Ω · cm) grown at a substrate temperature of 200 ° C., and its film thickness is 0.2 μm, and the resistivity is further increased by depletion of the surface. By increasing the cross-sectional area, the resistance was increased. For the electrodes, Au / Pt / Ti formed by the vacuum evaporation method was used for both the p-type electrode 8 and the n-type electrode 9. The insulating film 11 is
It was used to insulate the p-type electrode 8 and the n-type electrode 9.
【００１５】なお、同図において１はｐ−ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層（層厚０．２μｍ、ホール濃度ｐ＝２×１
０19／ｃｍ3）、２はｐ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層（層
厚１．０μｍ、ホール濃度ｐ＝２×１０18／ｃｍ3）、
４はｐ−ＩｎＡｌＡｓ電解緩和層（層厚０．１μｍ、ホ
ール濃度ｐ＝２×１０17／ｃｍ3）、６はｎ−ＩｎＡｌ
Ａｓバッファ層（層厚０．１μｍ、電子濃度ｎ＝２×１
０18／ｃｍ3）である。In the figure, 1 is p-InGaAs
Contact layer (layer thickness 0.2 μm, hole concentration p = 2 × 1
0 19 / cm 3 ), 2 is a p-InAlAs buffer layer (layer thickness 1.0 μm, hole concentration p = 2 × 10 18 / cm 3 ),
4 is p-InAlAs electrolytic relaxation layer (layer thickness 0.1 μm, hole concentration p = 2 × 10 17 / cm 3 ), 6 is n-InAl
As buffer layer (layer thickness 0.1 μm, electron concentration n = 2 × 1)
0 18 / cm 3 ).
【００１６】本素子の結晶成長にはいずれも分子線エピ
タキシ法を用い、メサ形状の形成には周知のＢｒ系の溶
液によるウエットエッチングを用いた。素子の接合径は
５０μｍである。A molecular beam epitaxy method was used for all crystal growth of this device, and a well-known wet etching using a Br-based solution was used for forming the mesa shape. The junction diameter of the element is 50 μm.
【００１７】なお、図２の比較例（従来素子）もパシベ
ーション膜をポリイミド１２としたことを除き、その他
の構造及び製造方法は図１の本実施例の場合と同様であ
る。The comparative example (conventional element) of FIG. 2 is the same as that of the present example of FIG. 1 except that the passivation film is polyimide 12.
【００１８】（２）素子の特性評価結果 これらの素子の特性を以下に示す。増倍率１０での暗電
流は０．０５μＡ（比較例０．２μＡ）であり、暗電流
が低下した。これは、パシベーション結晶１０によって
ＡＰＤメサ側面結晶表面の界面準位密度が低減化され、
比較例に比べて表面リーク電流が少なくなったためと考
えられる。すなわち、メサ型ＡＰＤのパシベーション膜
被覆に伴う素子特性の劣化問題に関する本発明による効
果が確認された。(2) Results of Evaluation of Element Characteristics The characteristics of these elements are shown below. The dark current at a multiplication factor of 10 was 0.05 μA (comparative example 0.2 μA), and the dark current decreased. This is because the passivation crystal 10 reduces the interface state density of the APD mesa side surface crystal surface,
It is considered that the surface leak current was smaller than that in the comparative example. That is, it was confirmed that the effect of the present invention was related to the problem of deterioration of device characteristics due to the passivation film coating of the mesa type APD.
【００１９】また、寿命試験として高温通電試験を行っ
た。素子の温度を２００℃にし、定電流１００μＡを流
すのに必要なブレークダウン電圧の経時変化を測定し
た。その結果、ブレークダウン電圧は、１０００時間後
に初期ブレークダウン電圧から０．１５Ｖ（比較例１．
０Ｖ）の低下しか示さず、メサ型ＡＰＤの寿命の長期化
に関する本発明による効果が確認された。A high-temperature current test was conducted as a life test. The temperature of the device was set to 200 ° C., and the change with time of the breakdown voltage required to pass a constant current of 100 μA was measured. As a result, the breakdown voltage was 0.15 V from the initial breakdown voltage after 1000 hours (Comparative Example 1.
Only the decrease of 0 V) was shown, confirming the effect of the present invention on prolonging the life of the mesa APD.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明により所期
の目的を達成することができた。すなわち、パシベーシ
ョン結晶によってＡＰＤメサ側面結晶表面の界面準位密
度を低減化し、従来素子に比べて表面リーク電流を少な
くする効果があるので、良好な特性をもち長寿命のメサ
型ＡＰＤを光受信器に提供し、高機能な光伝送システム
の構築を可能にする。As described above in detail, according to the present invention, the intended purpose can be achieved. That is, since the passivation crystal has an effect of reducing the interface state density on the surface of the APD mesa side crystal surface and reducing the surface leak current as compared with the conventional device, a mesa APD having good characteristics and a long life is provided in the optical receiver. To provide a high-performance optical transmission system.
【図１】本発明の一実施例となるＡＰＤ素子の断面図。FIG. 1 is a sectional view of an APD element according to an embodiment of the present invention.
【図２】代表的な従来型ＡＰＤ素子の断面図。FIG. 2 is a sectional view of a typical conventional APD element.
１…ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、 ２…ｐ−Ｉｎ
ＡｌＡｓバッファ層、３…ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層、
４…ｐ−ＩｎＡｌＡｓ電界緩和層、５…ＩｎＡ
ｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ超格子増倍層、６…ｎ−ＩｎＡｌ
Ａｓバッファ層、 ７…ｎ−ＩｎＰ基板、８…ｐ電
極、 ９…ｎ電極、１０…Ｉ
ｎＡｌＡｓパシベーション層、１１…ＳｉＯ2絶縁膜、
１２…ポリイミド膜。1 ... p-InGaAs contact layer, 2 ... p-In
AlAs buffer layer, 3 ... p-InGaAs light absorption layer,
4 ... p-InAlAs electric field relaxation layer, 5 ... InA
lAs / InGaAs superlattice multiplication layer, 6 ... n-InAl
As buffer layer, 7 ... n-InP substrate, 8 ... p electrode, 9 ... n electrode, 10 ... I
nAlAs passivation layer, 11 ... SiO 2 insulating film,
12 ... Polyimide film.
Claims (9)
サ側面に設けられたパシベーション膜の一部もしくはす
べてを、信号光エネルギー吸収によりキャリアを発生さ
せ、その数を増倍させる結晶層の内で最も大きなバンド
ギャップを有する結晶と同じか、より大きなバンドギャ
ップを有する半導体結晶で構成して成るアバランシェフ
ォトダイオード。1. A band having the largest band in a crystal layer in which a part or all of a passivation film provided on a side surface of a mesa of a mesa-type avalanche photodiode is generated by absorption of signal light energy to multiply the number of carriers. An avalanche photodiode composed of a semiconductor crystal having a band gap equal to or larger than that of a crystal having a gap.
ォトダイオードのメサ側面に設けられたパシベーション
膜の一部もしくはすべてを、吸収層の内で最も大きなバ
ンドギャップを有する結晶よりも大きなバンドギャップ
を有する半導体結晶で構成して成るアバランシェフォト
ダイオード。2. A part or all of the passivation film provided on the mesa side surface of the absorption layer multiplication layer separated type mesa avalanche photodiode has a band gap larger than that of a crystal having the largest band gap in the absorption layer. An avalanche photodiode composed of a semiconductor crystal having:
ォトダイオードのメサ側面に設けられたパシベーション
膜の一部もしくはすべてを、増倍層の内で最も大きなバ
ンドギャップを有する結晶と同じかより大きなバンドギ
ャップを有する半導体結晶で構成して成るアバランシェ
フォトダイオード。3. A part or all of the passivation film provided on the mesa side surface of the absorption layer multiplication layer separated type mesa avalanche photodiode is equal to or larger than a crystal having the largest band gap in the multiplication layer. An avalanche photodiode composed of a semiconductor crystal having a large band gap.
膜を構成する半導体結晶をIII-Ｖ族化合物半導体で構成
して成る請求項１乃至３何れか記載のアバランシェフォ
トダイオード。4. The avalanche photodiode according to claim 1, wherein a semiconductor crystal forming the photodiode and the passivation film is formed of a III-V group compound semiconductor.
晶のアクセプタ濃度を、その内側で接するダイオードの
一部を形成するｐ型半導体のいずれよりも低い濃度とし
て成る請求項１乃至４何れか記載のアバランシェフォト
ダイオード。5. The avalanche of any one of claims 1 to 4, wherein the acceptor concentration of the semiconductor crystal forming the passivation film is lower than that of any p-type semiconductor forming a part of the diode in contact therewith. Photodiode.
晶のドナ−濃度を、その内側で接するｎ型半導体のいず
れよりも低い濃度として成る請求項１乃至４何れか記載
のアバランシェフォトダイオード。6. The avalanche photodiode according to claim 1, wherein the donor concentration of the semiconductor crystal forming the passivation film is lower than that of any of the n-type semiconductors which are in contact with the inside thereof.
晶の層厚を、表面が空乏化して高抵抗になるまで薄く形
成して成る請求項５もしくは６記載のアバランシェフォ
トダイオード。7. The avalanche photodiode according to claim 5, wherein the thickness of the semiconductor crystal forming the passivation film is thin until the surface is depleted to have a high resistance.
晶上に無機絶縁膜もしくは有機絶縁膜を被覆して成る請
求項１乃至７何れか記載のアバランシェフォトダイオー
ド。8. The avalanche photodiode according to claim 1, wherein the semiconductor crystal forming the passivation film is coated with an inorganic insulating film or an organic insulating film.
の少なくとも１種で、有機絶縁膜をポリイミド樹脂及び
ポリアミド樹脂の少なくとも１種で構成して成る請求項
８記載のアバランシェフォトダイオード。9. The inorganic insulating film is formed of SiO 2 and Si 3 N 4
9. The avalanche photodiode according to claim 8, wherein the organic insulating film is made of at least one of polyimide resin and polyamide resin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5178384A JPH0738141A (en) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | Avalanche photodiode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5178384A JPH0738141A (en) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | Avalanche photodiode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738141A true JPH0738141A (en) | 1995-02-07 |
Family
ID=16047555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5178384A Pending JPH0738141A (en) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | Avalanche photodiode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738141A (en) |
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