JPH07335702A - プローブカード - Google Patents
プローブカードInfo
- Publication number
- JPH07335702A JPH07335702A JP6156698A JP15669894A JPH07335702A JP H07335702 A JPH07335702 A JP H07335702A JP 6156698 A JP6156698 A JP 6156698A JP 15669894 A JP15669894 A JP 15669894A JP H07335702 A JPH07335702 A JP H07335702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe card
- wafer state
- tested
- wiring pattern
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハー状態でのＩＣ試験において、被試験
ＩＣのパッドから信号を授受しながら、同時に被測定Ｉ
Ｃ内部の配線パターンの電圧波形を直接検出するための
プローブカードを実現する。 【構成】 本発明のプローブカードにおいては、ウェハ
ー状態で被試験ＩＣのパッドから信号を授受するために
メンブレン方式を、ＩＣ内部の配線パターンの電圧波形
を直接検出するためにＥＯプロービング方式を取り入れ
ている。メンブレン方式においては、ウェハー状態で被
試験ＩＣのパッドに接触させるための複数の導体突起を
底面に形成している。複数の導体突起は、それぞれを接
続する外部端子まで、弾力性のある薄い板状のメンブレ
ン、及びプリント基板を通して配線接続されている。Ｅ
Ｏプロービング方式においては、被測定ＩＣ上部にあた
る部分に電気光学結晶を構成している。電気光学結晶の
底部には反射膜が施され、上部から照射するレーザ光を
反射する。
ＩＣのパッドから信号を授受しながら、同時に被測定Ｉ
Ｃ内部の配線パターンの電圧波形を直接検出するための
プローブカードを実現する。 【構成】 本発明のプローブカードにおいては、ウェハ
ー状態で被試験ＩＣのパッドから信号を授受するために
メンブレン方式を、ＩＣ内部の配線パターンの電圧波形
を直接検出するためにＥＯプロービング方式を取り入れ
ている。メンブレン方式においては、ウェハー状態で被
試験ＩＣのパッドに接触させるための複数の導体突起を
底面に形成している。複数の導体突起は、それぞれを接
続する外部端子まで、弾力性のある薄い板状のメンブレ
ン、及びプリント基板を通して配線接続されている。Ｅ
Ｏプロービング方式においては、被測定ＩＣ上部にあた
る部分に電気光学結晶を構成している。電気光学結晶の
底部には反射膜が施され、上部から照射するレーザ光を
反射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハー状態でのＩＣ
試験において、被試験ＩＣのパッドに導体突起を接触さ
せて信号を授受しながら、被試験ＩＣ内部の回路配線パ
ターンの電圧波形を検出するためのプローブカードに関
するものである。
試験において、被試験ＩＣのパッドに導体突起を接触さ
せて信号を授受しながら、被試験ＩＣ内部の回路配線パ
ターンの電圧波形を検出するためのプローブカードに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体技術の進歩はめざましく、
ＩＣやＬＳＩの高集積化の進展には目をみはるものがあ
る。これに伴って、回路パターンは微細化し、欠陥の箇
所は飛躍的に多くなるので、歩留まり確保が重要な課題
となっている。歩留まりを改善するため、ＩＣの研究・
開発あるいは検査・故障解析における試験・評価が非常
に重要になってきた。特にウェハー状態でのＩＣの試験
・評価においては被試験ＩＣのパッドに機械式プローバ
を接触し、ＩＣテスタによる端子からの動作試験をする
方法では不十分であり、ＩＣ内部の配線パターンを直接
的に波形観測する要求が強くなってきた。
ＩＣやＬＳＩの高集積化の進展には目をみはるものがあ
る。これに伴って、回路パターンは微細化し、欠陥の箇
所は飛躍的に多くなるので、歩留まり確保が重要な課題
となっている。歩留まりを改善するため、ＩＣの研究・
開発あるいは検査・故障解析における試験・評価が非常
に重要になってきた。特にウェハー状態でのＩＣの試験
・評価においては被試験ＩＣのパッドに機械式プローバ
を接触し、ＩＣテスタによる端子からの動作試験をする
方法では不十分であり、ＩＣ内部の配線パターンを直接
的に波形観測する要求が強くなってきた。
【０００３】図３に外部端子１３と導体突起１１を弾力
性のある薄い板状のメンブレン１０と、プリント基板１
２を通して導体で配線接続したメンブレン方式のプロー
ブカードを示す。この場合、導体突起１１は、最短で約
１００μｍピッチのパッドに接触することができ、プロ
ーブ針でパッドに接触させるより短いピッチのパッドに
安定して接触できる。しかし、上記のように、ウェハー
状態で被試験ＩＣのパッドに導体を接触し、ＩＣテスタ
により端子から動作試験をする方法では不十分であり、
同時にＩＣ内部の配線パターンの電圧波形を直接検出す
ることが要求されている。
性のある薄い板状のメンブレン１０と、プリント基板１
２を通して導体で配線接続したメンブレン方式のプロー
ブカードを示す。この場合、導体突起１１は、最短で約
１００μｍピッチのパッドに接触することができ、プロ
ーブ針でパッドに接触させるより短いピッチのパッドに
安定して接触できる。しかし、上記のように、ウェハー
状態で被試験ＩＣのパッドに導体を接触し、ＩＣテスタ
により端子から動作試験をする方法では不十分であり、
同時にＩＣ内部の配線パターンの電圧波形を直接検出す
ることが要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、ウェハ
ー状態で被試験ＩＣのパッドからＩＣテスタを使って信
号の授受をしながら、同時にＩＣ内部の配線パターンの
電圧波形を直接検出することが要求されている。これを
解決する方法として、電子ビームをＩＣ表面に照射した
ときに発生する２次電子を利用する電子ビームテスタが
ある。電子ビームテスタは、高い空間分解能を有する非
接触の計測法であり有効なツールである。しかし、この
方法は被試験ＩＣを真空環境におく必要がり、一つの欠
点となっている。被試験ＩＣを真空環境におく必要があ
るという、電子ビームテスタにおける欠点を補った計測
法として、電気光学結晶とレーザ光を用いたＥＯプロー
ビング方式がある。本発明は、ウェハー状態でのＩＣ試
験において、被試験ＩＣのパッドから信号を授受しなが
ら、同時に被試験ＩＣ内部の配線パターンの電圧波形を
直接検出するためのプローブカードを実現することを目
的としている。
ー状態で被試験ＩＣのパッドからＩＣテスタを使って信
号の授受をしながら、同時にＩＣ内部の配線パターンの
電圧波形を直接検出することが要求されている。これを
解決する方法として、電子ビームをＩＣ表面に照射した
ときに発生する２次電子を利用する電子ビームテスタが
ある。電子ビームテスタは、高い空間分解能を有する非
接触の計測法であり有効なツールである。しかし、この
方法は被試験ＩＣを真空環境におく必要がり、一つの欠
点となっている。被試験ＩＣを真空環境におく必要があ
るという、電子ビームテスタにおける欠点を補った計測
法として、電気光学結晶とレーザ光を用いたＥＯプロー
ビング方式がある。本発明は、ウェハー状態でのＩＣ試
験において、被試験ＩＣのパッドから信号を授受しなが
ら、同時に被試験ＩＣ内部の配線パターンの電圧波形を
直接検出するためのプローブカードを実現することを目
的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のプローブカードにおいては、ウェハー状態
で被試験ＩＣのパッドから信号を授受するために上記メ
ンブレン方式を、ＩＣ内部の配線パターンの電圧波形を
直接検出するために上記ＥＯプロービング方式を取り入
れている。メンブレン方式においては、ウェハー状態で
被試験ＩＣのパッドに接触させるための複数の導体突起
を底面に形成している。複数の導体突起は、それぞれを
接続する外部端子まで、弾力性のある薄い板状のメンブ
レン、及びプリント基板を通して配線接続されている。
ＥＯプロービング方式においては、被試験ＩＣ上部にあ
たる部分に電気光学結晶を構成している。電気光学結晶
の底面には反射膜が施され、上部から照射するレーザ光
を反射する。
に、本発明のプローブカードにおいては、ウェハー状態
で被試験ＩＣのパッドから信号を授受するために上記メ
ンブレン方式を、ＩＣ内部の配線パターンの電圧波形を
直接検出するために上記ＥＯプロービング方式を取り入
れている。メンブレン方式においては、ウェハー状態で
被試験ＩＣのパッドに接触させるための複数の導体突起
を底面に形成している。複数の導体突起は、それぞれを
接続する外部端子まで、弾力性のある薄い板状のメンブ
レン、及びプリント基板を通して配線接続されている。
ＥＯプロービング方式においては、被試験ＩＣ上部にあ
たる部分に電気光学結晶を構成している。電気光学結晶
の底面には反射膜が施され、上部から照射するレーザ光
を反射する。
【０００６】
【作用】以上の二つの方式を組み合わせて構成すること
で、ウェハー状態で、被試験ＩＣのパッドから信号の授
受をしながら、同時にＩＣ内部の配線パターンの電圧波
形を直接検出することができる。
で、ウェハー状態で、被試験ＩＣのパッドから信号の授
受をしながら、同時にＩＣ内部の配線パターンの電圧波
形を直接検出することができる。
【０００７】
【実施例】図２にＥＯプロービングの測定原理を示す。
ＩＣ上の配線パターン３４の周囲には信号の電圧に依存
した電気力線が分布している。この配線パターン３４に
電気光学効果を有する電気光学結晶３０を近づけると、
電気力線がこの結晶を横切り、電気光学効果によって、
結晶の屈折率が変化する。この結晶中に対物レンズ３１
を通してレーザ光を入射すると、屈折率の変化によって
レーザ光の偏光面が回転する。電気光学結晶３０の底面
には反射膜を施してあるため、入射されたレーザ光は結
晶の底面で反射され、偏光ビームスプリッタ３２に達す
る。偏光ビームスプリッタ３２によって、レーザ光の偏
光面の変化は光の強度変化に変換される。これを光検出
器３３で受光すると、入力信号波形に応じた出力波形を
得ることができる。ＥＯプロービングは、高速性、非接
触性を特徴としており、ＩＣ内部の配線パターンの電圧
波形を計測するためのすぐれた特徴をもっている。
ＩＣ上の配線パターン３４の周囲には信号の電圧に依存
した電気力線が分布している。この配線パターン３４に
電気光学効果を有する電気光学結晶３０を近づけると、
電気力線がこの結晶を横切り、電気光学効果によって、
結晶の屈折率が変化する。この結晶中に対物レンズ３１
を通してレーザ光を入射すると、屈折率の変化によって
レーザ光の偏光面が回転する。電気光学結晶３０の底面
には反射膜を施してあるため、入射されたレーザ光は結
晶の底面で反射され、偏光ビームスプリッタ３２に達す
る。偏光ビームスプリッタ３２によって、レーザ光の偏
光面の変化は光の強度変化に変換される。これを光検出
器３３で受光すると、入力信号波形に応じた出力波形を
得ることができる。ＥＯプロービングは、高速性、非接
触性を特徴としており、ＩＣ内部の配線パターンの電圧
波形を計測するためのすぐれた特徴をもっている。
【０００８】図１に本発明のプローブカードの断面を示
す。底面にはウェハー状態で被試験ＩＣのパッドに接触
する導体突起１１があり、外部端子１３と、メンブレン
１０及びプリント基板１２を通して配線接続されてお
り、メンブレン方式を構成している。また、被試験ＩＣ
の上部にあたる部分には、底面に反射膜２１を施した電
気光学結晶２０が使用され、上部からレーザ光を照射す
ることで、ＥＯプロービング方式を構成している。以上
の二つの方式を組み合わせて構成することで、ウェハー
状態で被試験ＩＣのパッドから信号の授受をしながら、
同時にＩＣ内部の配線パターンの電圧波形を直接検出す
るためのプローブカードを実現できる。
す。底面にはウェハー状態で被試験ＩＣのパッドに接触
する導体突起１１があり、外部端子１３と、メンブレン
１０及びプリント基板１２を通して配線接続されてお
り、メンブレン方式を構成している。また、被試験ＩＣ
の上部にあたる部分には、底面に反射膜２１を施した電
気光学結晶２０が使用され、上部からレーザ光を照射す
ることで、ＥＯプロービング方式を構成している。以上
の二つの方式を組み合わせて構成することで、ウェハー
状態で被試験ＩＣのパッドから信号の授受をしながら、
同時にＩＣ内部の配線パターンの電圧波形を直接検出す
るためのプローブカードを実現できる。
【０００９】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、ウェハー状態で被試験ＩＣのパッドから信
号の授受をしながら、同時にＩＣ内部の配線パターンの
電圧波形を直接検出するためのプローブカードを実現し
ており、ＩＣの研究・開発あるいは検査・故障解析にお
けるウェハー状態でのＩＣの試験・評価に有効に活用で
きる。
ているので、ウェハー状態で被試験ＩＣのパッドから信
号の授受をしながら、同時にＩＣ内部の配線パターンの
電圧波形を直接検出するためのプローブカードを実現し
ており、ＩＣの研究・開発あるいは検査・故障解析にお
けるウェハー状態でのＩＣの試験・評価に有効に活用で
きる。
【図１】本発明のプローブカードの断面図である。
【図２】ＥＯプロービングの測定原理を示す説明図であ
る。
る。
【図３】従来のメンブレン方式のプローブカードの断面
図である。
図である。
１０ メンブレン １１ 導体突起 １２ プリント基板 １３ 外部端子 ２０、３０ 電気光学結晶 ２１ 反射膜 ３１ 対物レンズ ３２ 偏光ビームスプリッタ ３３ 光検出器 ３４ 配線パターン
Claims (1)
- 【請求項１】 弾力性のある薄い板状のメンブレン（１
０）と、プリント基板（１２）とを通して、外部端子
（１３）と配線接続された複数の導体突起（１１）と、 上記導体突起（１１）の上部に構成した、底面に反射膜
（２１）を施した電気光学結晶（２０）と、 を具備することを特徴とするプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6156698A JPH07335702A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6156698A JPH07335702A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | プローブカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335702A true JPH07335702A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15633389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6156698A Withdrawn JPH07335702A (ja) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | プローブカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335702A (ja) |
-
1994
- 1994-06-15 JP JP6156698A patent/JPH07335702A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2020059440A1 (ja) | 検査方法及び検査システム | |
| JP2002176140A (ja) | 半導体集積回路ウェハ | |
| JPH08105926A (ja) | 配線パターン検査装置及び配線パターン検査方法 | |
| KR102047665B1 (ko) | 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장치 | |
| JPH07335702A (ja) | プローブカード | |
| JP2007005490A (ja) | 半導体デバイスの検査用プローブ装置、半導体デバイスの検査装置および半導体デバイスの検査方法 | |
| JPH04207047A (ja) | プローブ検査装置 | |
| JP2002014131A (ja) | 回路基板の検査方法及び検査装置 | |
| JP2900856B2 (ja) | プリント基板の信号波形測定装置 | |
| KR20090075515A (ko) | 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장비 | |
| JPH08304459A (ja) | 半導体ウェハ測定治具 | |
| JP2735048B2 (ja) | 電子部品の半田接続検査方法及び検査装置 | |
| WO2023243019A1 (ja) | 光半導体集積回路 | |
| JPS63133068A (ja) | 回路電圧検出装置 | |
| JPH03167490A (ja) | 実装プリント板試験装置 | |
| JPH09186418A (ja) | バウンダリスキャンテストにおけるプリント配線板の接続構造 | |
| JPS61187672A (ja) | 密着型イメ−ジセンサの欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
| JP2004226338A (ja) | 回路基板の検査装置 | |
| JP2900784B2 (ja) | プリント基板検査装置 | |
| JP2591347B2 (ja) | 実装ボード検査装置 | |
| JP2005172730A (ja) | 回路基板の断線検査装置 | |
| JPH1090359A (ja) | 波形プローブ装置およびこれを用いる検査方法 | |
| JPH0968559A (ja) | 電子回路の動作検出素子およびこれを用いた二次元電子回路の動作検出装置 | |
| JPH07130802A (ja) | 半導体ウェハの製造方法および半導体検査装置 | |
| JPH0322456A (ja) | 半導体装置及びその検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |