JPH07335512A

JPH07335512A - 接合方法および接合装置および接合物

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Publication number: JPH07335512A
Application number: JP12596894A
Authority: JP
Inventors: Masatake Akaike; 正剛赤池; Hirotsugu Takagi; 博嗣高木; Hiroshi Matsuda; 宏松田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-06-08
Filing date: 1994-06-08
Publication date: 1995-12-22

Abstract

(57)【要約】【構成】二枚の基板を接合する方法において、一方の
基板を中央凸に変形させたのち、他の基板に接触させ、
未接触部の曲率が変化しないように接合部を周辺へ広げ
ることを特徴とする接合方法、それに用いる装置および
その接合物。【効果】本発明によれば、接合界面での未接合部およ
び空孔発生を防ぐことが可能であり、さらには接合面全
面に渡って低温で接合を可能になる。本発明の方法によ
って種々のものが精度良く製作することが可能になり、
例えばマイクロシリンジを精度良く作成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は固相接合法、とりわけ接
合面に欠陥や気泡を生じない接合方法および接合装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、固相接合法は通常、特開昭５６−
５３８８６号等に記載されている様に減圧下で接合面を
凸状にて接合面同士を互いに突き合わせる事によって接
合面間隔を原子間距離にまで到らしめる様にして行われ
ている。

【０００３】あるいは、特開昭６３−１９８０７号等に
記載されている様に２枚の基板を真空吸引によって凸型
に反らせて、その凸型部同士を接触させ、真空を解除す
ることで基板同士を密着させて行われている。

【０００４】なお、本発明で固相接合方法とは被接合体
を溶融することなく固体状態を保持しながら互いに接合
する方法を意味する。従ってこの方法では接合面同士を
互いに原子間相互作用が生じる距離まで近づける必要が
ある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では次の様な不都合が認められた。１）接合表面に水分等が局所的に吸着した場合、接合面
同士を互いに突き合わせる過程で、該吸着物質が接合界
面に混入しやすい為、接合界面での空孔発生の要因とな
る。２）接合途中、接合界面を監視しながら該空孔を接合界
面外へ排気する手段がない。

【０００６】尚、上記の他の従来例では接合用基板の曲
率は接触開始時点に比べて接触終了時点の方が小さい。
すなわち、該接触が該基板中心から該基板周辺部へ進行
するに従って、該曲率が次第に減少して行き、該周辺部
近くでは限りなく零になる。従って、次の様な不都合が
認められた。１）鏡面でかつ平滑な基板に於ても、その表面では工学
的に多数のうねりが存在し、かつ原子レベルから見た場
合、種々の曲率から成る多数の凹凸が存在するため、特
に該接触過程で該基板周辺部の曲率が該うねりおよび該
凹凸の曲率より小さくなって行った場合、局所的な未接
触部分を生じ易くなる。すなわち空孔発生を引き起こ
す。すなわち、従来方法では接合の初期段階では基板の
曲率が基板のうねりよりも大きいので未接着部分（空
孔）の発生が起きにくいが、周辺部に接合がすすむに従
って基板の曲率が小さくなるため空孔が閉じ込められ易
い。

【０００７】

【課題をが解決する手段】本発明は以上の欠点を回避す
る接合方法を提供するものであり、一方の基板を中央凸
に変形させたのち、他方の基板に接触させ、未接触部の
曲率を変化させないように周辺部に接合部を広げる接合
方法である。即ち本発明は二枚の基板を接合する方法に
おいて、一方の基板を中央凸に変形させたのち、他の基
板に接触させ、未接触部の曲率が変化しないように接合
部を周辺へ広げることを特徴とする接合方法である。さ
らに本発明は、少なくとも一方の基板の接合面側に絶
縁膜が形成されている上記接合方法であり、また前記二
枚の基板間に電圧を印加しながら接合させる接合方法で
ある。また前記絶縁膜がラングミュアブロジェット法で
形成された膜であることを特徴とする接合方法。また本
発明の方法の接合が減圧下で二枚の基板を接合する接合
方法である。

【０００８】また本発明は絶縁膜を中間層とした基板同
士の接合において、一方の基板に凸状の任意の曲率を付
加し、真空中で接合基板間に電界を印加し、接合界面の
気泡発生を監視し、且つ、該接着基板を加熱することを
特徴とする接合方法である。

【０００９】また本発明は前記の方法を実施するための
一方の基板に任意の曲率を付与する手段と、二枚の基板
間に電圧を印加する手段と、接合界面を観察する手段を
有する接合装置である。さらに本発明は前記の方法によ
って得られた接合された接合物である。

【００１０】図１は本発明接合方法の特徴を示すもので
あり、１，２が接合される基板、３２は一方の基板
（１）の接合面側に形成された絶縁膜、３８は二枚の基
板間に電圧を印加するための電源、３９は電源３８と基
板１あるいは２と接続するためのリード線である。一方
の基板（この図では２）が中央凸に変形させられ（同図
（１））、他の基板１に接触させられる（同図
（２））。二枚の基板間には電圧が印加されており、二
枚の基板は静電引力により互いに接合をはじめる（同図
（３））。この時基板２の未接合部分の曲率が初期の曲
率よりも変化しないように二枚の基板を徐々に近づけな
がら接合部を周辺に広げ（同図（５））、最後に二枚の
基板を完全に接合する（同図（６））。接合する際に赤
外光を基板を透過するように照射すると、二枚の基板が
接触しはじめると図３（ａ）に示す様にフリンジが観察
される。フリンジは接合部で消滅していくが、フリンジ
間隔が変化しないように、二枚の基板の間隔を制御すれ
ば、未接合部の曲率をほぼ一定に保ったまま接合するこ
とができる。曲率は基板の剛性あるいは平面性により空
孔が発生しない値に選ばれる。このように二枚の基板が
完全に接合するまで一方の基板の反りを基板のうねりよ
り大きく保つことができ、接合界面における非接合部分
の発生がおさえられる。

【００１１】絶縁膜３２は基板の電気抵抗が小さい場
合、二枚の基板に高電界を印加するのに必要である。絶
縁膜は薄くかつ欠陥のないものであることが望ましい。
ラングミュア・ブロジェット法で形成した有機膜（ＬＢ
膜）は単分子層でも十分な絶縁性を保つため、この絶縁
膜として最適である。また、ＬＢ膜はこれ自身が接着材
としての機能を有するため低温で強固な接合が可能とな
る。

【００１２】本発明の実施の方法についてさらに説明す
る。本発明で使用される基板は特に制限はないが、例え
ば導電体、半導体、パイレックスガラス（商標名）のよ
うに加熱すると導電性（イオン伝導性）を帯びるウェー
ハなどに特に有効である。基板の厚さについてはかなり
広い範囲で適用可能であるが、本発明の方法で効果が十
分に発揮されるのはできるだけ薄いものであるが、通常
０．２〜０．８ｍｍ程度のウェーハに好ましく使用でき
る。しかし、ウェーハの厚さはその直径に依存するので
この範囲に制限されるものではない。基板はそのままで
も使用できるが、通常は接合を完全にするために、公知
の種々の基板の処理方法、例えば実施例に示された方法
で処理されるがこれに制限されず、当業者が基板の表面
を処理するために通常使用している方法で処理すること
ができる。

【００１３】基板に凸状に変形させるがその曲率半径は
基板のうねり以上であれば特に制限はない。

【００１４】絶縁膜については、公知の絶縁膜が使用で
きるが、絶縁膜は薄くかつ欠陥のないものであることが
望ましい。ラングミュア・ブロジェット法で形成した有
機膜（ＬＢ膜）は単分子層でも十分な絶縁性を保つた
め、この絶縁膜として最適である。特に直鎖飽和脂肪酸
から成る単分子膜、または累積膜が好ましい。また、Ｌ
Ｂ膜はこれ自身が接着材としての機能を有するため低温
で強固な接合が可能となる。絶縁膜の厚さについては制
限はないが、前記単分子膜、または累積膜の厚さがの程
度が好ましく、例えばベヘン酸の単分子膜では厚さが３
０Åでありこれで十分であるが、累積膜ではこの数倍の
厚さが一般的である。

【００１５】二枚の基板間には電圧が印加されており、
二枚の基板は静電引力により互いに接合させるが、この
際の電圧は絶縁膜の厚さに関係するのでそれを考慮して
決定することができる。静電気引力Ｆはεを誘電率、Ｖ
は電界とすると、Ｆ＝１／２（εＶ²）但しＶ＝Ｅ／ｄ（Ｅは印加電圧、ｄは絶縁体の厚さ）である。よって絶縁膜の厚さが厚い場合は印加電圧は高
くなる。一方、絶縁膜にも耐電圧があり、例えばＬＢ膜
の場合の耐電圧は約１０⁹Ｖ／ｍなのでこの範囲を越え
ない程度の電圧である必要がある。本発明の場合は通常
２〜２００Ｖ程度の範囲の電圧が使用される。

【００１６】接合する際は減圧下で加熱することが好ま
しく、その条件は当業者なら容易に決定することがで
き、例えばベヘン酸を絶縁層として使用した場合は到達
真空度１０^-7で約７０℃で良好な結果が得られた。

【００１７】接合後に絶縁膜を除去する条件については
絶縁膜が分解すれば良いので特に制限はないが、例えば
ベヘン酸を絶縁層として使用した場合は分解温度が約３
００℃なので、これを越えた温度で加熱して分解後蒸発
する方法が採用される。

【００１８】空孔の検出装置について空孔が検出できる
手段であれば特に制限は無いが、例えば本発明の実施例
で使用したウェーハを透過する赤外光を用いることによ
って、空孔の有無をマクロ的に判別可能である。すなわ
ち空孔（原子欠落のｖａｃａｎｃｙとは異なり、ここで
言う空孔は空洞、非接着部分を指す）のある所では、赤
外光は反射を繰り返すために透過光の挙動は相対的に弱
くなる。よって赤外線カメラを用いることによって、接
着部と非接着部を像として見ながら判別可能である。

【００１９】図２は本発明の接合装置の概略図である。
この装置は前記した本発明の接合方法が実施できれば良
いのでこの装置に限定されるものではないことは当然で
ある。図２は本発明の特徴を良く表わした装置の図であ
り、同図に於て、１は第１の接合基板、２は第２の接合
基板、３は第１の接合基板を所定の位置に設置するため
のセラミックス（ホトベール：住金ホトンセラミックス
株式会社の商標）から成る下サンプルステージ、４は第
２の接合基板２を所定の位置に設置するためのセラミッ
クス（ホトベール：住金ホトンセラミックス株式会社の
商標）から成る上サンプルステージ、５は下サンプルス
テージ３とネジで一体化しているセラミックスから成る
加熱プレート６は加熱プレート５の溝部に収納してお
り、接合界面を加熱するための、かつ接合界面での空孔
有無を調べるためのプローバーとなる赤外線を発生させ
るタングステンから成るフィラメント、７は第１，第２
の接合基板１および２の接合面間に加圧する時、接触面
に均等な力を作用させるための自動調心用の押圧ボー
ル、８は押圧方向にフレキシビリティを有する押圧ステ
ージ、９は押圧ステージ８と外縁で一体化しており、押
圧力の背圧を受けるための押圧受ステージ、１０は押圧
ステージ８に連結している押圧用植込ネジ、１１は押圧
用植込ネジ１０を押圧方向に移動させることによって、
第１，第２の接合基板１，２間に接触圧力を印加するた
めの押圧用ネジ、１２は押圧用ネジ１１を回転すること
により第１，第２の接合基板１，２間にさらに大きな圧
力を接合面全面で生じさせるためのセラミックス（ホト
ベール：住金ホトンセラミックス株式会社の商標）平板
から成る受圧ステージ、１３は上サンプルステージ４に
受圧ステージ１２を連結するための受圧ステージ取付ネ
ジ、１４は第２の接合基板２の中央部分を押すことによ
り該第２の接合基板２の接合面に凸状の曲率を付与する
ためのセラミックス（ホトベール：住金ホトンセラミッ
クス株式会社の商標）から成る曲率付与スティック、１
５は曲率付与スティック１４にモーメントが作用しない
様にするための、かつ曲率付与スティック１４に押圧力
を伝えるためのセラミックス（ホトベール：住金ホトン
セラミックス株式会社の商標）から成る押圧ボール、１
６は曲率付与スティック１４に押圧を作用するためのセ
ラミックス（ホトベール：住金ホトンセラミックス株式
会社の商標）から成るレバー、１７はレバー１６にモー
メントを与えるためのピンから成るヒンジ、１８はレバ
ー１６に荷重を印加し、曲率付与スティック１４に押圧
力を生じさせるために上・下方向に移動する曲率付与ネ
ジ付スティック、１９は曲率付与ネジ付スティックを上
・下方向に移動させるための曲率調整ナット、２０は曲
率調整ナット受台、２１は真空保持用のベローズ、２２
はスプリング、２３は覗き窓、２４は真空槽、２５は真
空槽２４を真空にするための排気口、２６は真空封止用
のパッキン、２７は真空槽２４を押圧ステージ８の外周
部に連結し、真空封止するための取付ボルト、２８はフ
ィラメント６から発生し、かつサンプルステージ、第
１，第２の接合基板１，２、受圧ステージ１２、曲率付
与スティック１４、押圧ボール１５、レバー１６、及び
覗き窓２３を透過した赤外線を受光し、接合界面の未接
合の原因となる空孔の接合界面への混入を防止するため
に該空孔の発生を監視するための赤外線カメラ、２９は
接合界面をモニタするモニターテレビ、３０は赤外線カ
メラ２８とモニタテレビを電気的に連結しているケーブ
ル、３１は接合装置を載せる架台、３２は第１の接合基
板１の接合面に成膜したＬＢ膜、３５は赤外線干渉によ
って生じたフリンジ、３６は接合界面に発生した空孔に
よるフリンジ、３７は接合界面に空孔のない良好な状態
で接合している接合領域、３８は第１，第２の接合基板
間に電界を印加するための電源、３９は電源３８と第１
及び第２の接合基板間を電気的に連結するためのリード
線である。

【００２０】次に上記構成においてフィラメント（電極
導入端子図示無し）６に通電し、赤外線を発生させ（但
し、この時点に於ては、照明として利用するため加熱と
ならない様に電流値を抑える）ながらモニターテレビ２
９を観察する。

【００２１】この初期段階では図１（１）に見る様に第
１，第２の接合基板１，２は互いに接触していないた
め、赤外線の映像は図３（ａ）の様に等高縞を示すフリ
ンジ３４が隙間λ／２（λ：赤外線の波長）のところで
それぞれ生じている。このフリンジの間隔及び次数から
算出した第２の接合基板２の曲率半径を参考にして、該
第２の接合基板２の接合表面での表面応力が破壊応力よ
り小さくなる様に曲率調整ナット１９を回転させながら
該第２の接合基板２に曲率を付与する。次に、押圧用ネ
ジ１１を回転し、図１（２）に見る様に第１の接合基板
１を第２の接合基板２に接触させる。該接触によって、
予め第１，第２の接合基板１，２間に電界を印加してい
るので、静電引力によって該第１，第２の接合基板は互
いに強く引き合い、接合を開始し、モニタテレビで見た
接合、該接合基板の中央部付近、すなわち接合領域３７
で赤外線が透過し易くなるため図３（ｂ）に見る様に白
く見える。さらに押圧用ネジ１１を回転して行った場
合、図１（３）に見る様に第１，第２の接合基板１，２
の接合領域３７が増大して行く。もし、この操作中、図
３（ｃ）に見る様に接合領域３７の中の周辺部で空孔に
よるフリンジが生じ初めた時、押圧用ネジ１１の操作に
よって図１（４）に見る様な位置まで、すなわち図３
（ｄ）に見る様に空孔によるフリンジが接合領域３７の
中で見えなくなるまで第１の接合基板１を下げ、そし
て、あるいはフィラメント６にさらに通電し、第１，第
２の接合基板１，２の接合界面を加熱し、空孔を蒸発消
失させる。そして再び該押圧用ネジ１１を回転させるこ
とによって、第１の接合基板１で第２の接合基板２を押
圧して行き、図１（５），図３（ｅ）に見る様に該接合
領域３７を周辺方向に次第に広げて行く。上記操作を繰
り返し行うことによって、最終的に図１（６）及び図３
（ｆ）に見る様に全面に渡って空孔のない接合領域３７
を得ることができる。

【００２２】

【実施例】

実施例１本実施例に於ては、第１の接合基板１に化合物半導体で
あるＩｎＰ基板を、第２の接合基板２にＳｉ基板を用い
たものである。そして、接合前にＩｎＰ基板及びＳｉ基
板のそれぞれの接合表面の表面処理を次の様に行った。
すなわち、第１の接合基板１のＩｎＰ基板の表面処理（親水化）；工程１：トリクレイン煮沸，５分間工程２：硫酸過酸化水素水（Ｈ₂ ＳＯ₄ ：Ｈ₂ Ｏ₂ ：Ｈ
₂ Ｏ），１分間，その後水洗工程３：接触面上にオクタデシルアミン（Ｃ₁₈）（長鎖
アルキルアミン）のＬＢ膜３２を１層成膜第２の接合基板２のＳｉ基板の表面処理（疎水化）；工程１：硫酸過水（Ｈ₂ ＳＯ₄ ：Ｈ₂ Ｏ₂ ）煮沸、数分
間、その後水洗工程２：フッ酸２％浸漬上記表面処理後、第１の接合基板１としてＩｎＰ基板
を、第２の接合基板２としてＳｉ基板をそれぞれ前記接
合装置に設置し、２枚の基板間に３Ｖを印加しつつ接合
したところ、接合界面に空孔のない接合をすることがで
きた。尚、本実施例に於て空孔を消失した時の温度は２
００℃以下で十分であった。この時点でのＩｎＰ／Ｓｉ
の接合強度を調べたところ剪断応力で４０kg／cm² 以上
の破壊応力であり、実用強度に匹敵する強度であった。
さらに、上記接合後のサンプル、すなわちＩｎＰ／Ｓｉ
を真空槽２４から取り出すことなく、引き続いて加熱プ
レート５で２５０℃以上に昇温した場合に於てもＩｎＰ
／Ｓｉの接合強度は上記同様に実用強度に匹敵する強度
であった。

【００２３】実施例２次にさらに本実施例として、第１の接合基板１に化合物
半導体であるＧａＡｓ基板を、第２の接合基板２にＳｉ
基板を用いた。接合前にＧａＡｓ基板及びＳｉ基板のそ
れぞれの接合表面の表面処理を次の様に行った。すなわ
ち、第１の接合基板１のＧａＡｓ基板の表面処理（疎水
化）；工程１：トリクレイン煮沸，５分間工程２：硫酸過酸化水素水（Ｈ₂ ＳＯ₄ ：Ｈ₂ Ｏ₂ ：Ｈ
₂ Ｏ），１分間，その後水洗工程３：フッ酸２％浸漬第２の接合基板２のＳｉ基板の表面処理（疎水化）；工程１：硫酸過水（Ｈ₂ ＳＯ₄ ：Ｈ₂ Ｏ₂ ）煮沸、数分
間、その後水洗工程２：フッ酸２％浸漬工程３：接合面上にベヘン酸（Ｃ₂₂）のＬＢ膜３２を２
層累積成膜上記表面処理後、第１の接合基板１としてＧａＡｓ基板
を、第２の接合基板２としてＳｉ基板をそれぞれ前記接
合装置に設置し、電圧５Ｖを印加しつつ前記同様な接合
手法で接合したところ、接合界面に空孔のない接合をす
ることができた。尚、本実施例に於ても空孔消失は温度
は２００℃以下で十分可能であった。この時点でのＧａ
Ａｓ／Ｓｉの接合強度を調べたところ、剪断応力で３５
kg／cm² 以上の破壊応力であり、実用強度に匹敵する強
度であった。さらに、上記接合後のサンプル、すなわち
ＧａＡｓ／Ｓｉを真空槽２４から取り出すことなく、引
き続いて加熱プレート５で２５０℃以上に昇温した場合
に於てもＧａＡｓ／Ｓｉの接合強度は上記同様に実用強
度に匹敵する強度であった。

【００２４】実施例３次にさらに本実施例として、第１の接合基板１にＳｉ酸
化膜を有するＳｉ基板を、第２の接合基板２にＳｉ基板
を用いた。予め接合面となるＳｉ酸化膜表面、及びＳｉ
基板表面をそれぞれ次の様な表面処理を行った。すなわ
ち、第１の接合基板１のＳｉ酸化膜の成膜及び表面処理：工程１：１１００℃×０．５時間酸素水素雰囲気中で熱
処理，酸化膜０．３μｍを成膜工程２：溶剤煮沸第２の接合基板２のＳｉ基板の表面処理工程１：硫酸過水（Ｈ₂ ＳＯ₄ ：Ｈ₂ Ｏ₂ ）煮沸、数分
間、その後水洗工程２：フッ酸２％浸漬上記表面処理後、第１の接合基板１としてＳｉ酸化膜を
有するＳｉ基板を、第２の接合基板２としてＳｉ基板を
それぞれ前記接合装置に設置し、１５０Ｖを印加しつつ
前記同様な接合手法で接合したところ、接合界面に空孔
のない接合を行うことができた。尚、本実施例に於て空
孔の消失は温度は２００℃以下で十分することが出来
た。

【００２５】さらに上記接合後のサンプル、すなわちＳ
ｉ酸化膜付Ｓｉ基板／Ｓｉ基板を窒素雰囲気中で１００
０℃に加熱した。この様に作製したＳｉ接合基板の剪断
応力は８０kg／cm² を越え、かつ空孔が全く観察されな
かった。尚、Ｓｉ酸化膜付Ｓｉ基板の代りにＡｌ₂ Ｏ₃
あるいはＩＴＯ膜付基板を用いた場合に於ても、本発明
の意図するところは何ら変わるものではない。

【００２６】実施例４図４，５は本発明の特徴を最もよく表わす図面であり、
同図において１は第１の接合基板、２は溝部３３を有す
る第２の接合基板、３２は第１の接合基板１上に成膜し
たＬＢ膜、３３は第２の接合基板２の接合面上に形成し
た溝部である。次に上記構成において、前記実施例１と
同様にして接合界面に空孔を生じない様に第１の接合基
板１に第２の接合基板２を接合し、さらに真空中でＬＢ
膜３２が蒸発消失するまで該接合した基板を加熱プレー
トで熱処理した。この処理により接合の中間層として作
用したＬＢ膜３２は消失し、結果として第１の接合基板
１は第２の接合基板２に直接接合した。さらに、該接合
後、第２の接合基板２を薄片化研磨し、図４（ｅ）に見
る様に溝３３の凹部でメンブレンを形成することができ
た。本実施例において、それぞれ、第１の接合基板１に
Ｓｉ（１００）、第２の接合基板２にＳｉ（１１０）を
用いて行ったものであり、本手法を用いた場合面方位の
異なる面同士の接合をすることが容易に可能であった。
尚、本実施例の場合、それぞれ該接合基板の表面処理を
次の様に行った。すなわち、第１の接合基板１のＳｉ基板（１００）の表面処理（疎
水化）；工程１：硫酸過水（Ｈ₂ ＳＯ₄ ：Ｈ₂ Ｏ）煮沸、数分
間、その後水洗工程２：フッ酸２％浸漬工程３：接合面上にベヘン酸（Ｃ₂₂）ＬＢ膜３２を２層
成膜第２の接合基板２のＳｉ基板（１１０）の表面処理（溝
形成及び疎水化）；工程１：接合面上に幅１００μｍ、深さ２０００Åの直
線状の溝をレジストパターン上からＲＩＥエッチングで
作製し、その後レジスト膜を除去工程２：硫酸過水（Ｈ₂ ＳＯ₄ ：Ｈ₂ Ｏ）煮沸、数分
間、その後水洗工程３：フッ酸２％浸漬尚、本実施例の場合、該ＬＢ膜を蒸発消失するための熱
処理を次の様に行った。すなわち、第２の接合基板２で
あるＳｉ（１１０）を第１の接合基板１であるＳｉ（１
００）にＬＢ膜３２を介して上記手法で接合後、到達真
空度１×１０^-7Torrに雰囲気中で８００℃以下の温度で
２時間熱処理。

【００２７】尚、本実施例の場合、第２の接合基板２の
Ｓｉ基板（１１０）の薄片化によるメンブレン３４の形
成は、アルミナ研磨剤及びダイヤモンド研磨剤で薄片化
研磨により行ったものである。本実施例では２インチウ
エハ全面に渡って、結果として細長い細線状のトンネル
をメンブレン直下に作製することができた。

【００２８】尚、第２の接合基板２のみにＬＢ膜３２を
成膜した場合に於ても、あるいは第１及び第２の接合基
板１，２の両方にＬＢ膜３２を成膜した場合に於ても、
本発明の意図するところは変わるものではない。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
接合界面での未接合部および空孔発生を防ぐことが可能
であり、さらには接合面全面に渡って低温で接合を可能
になる。本発明の方法によって種々のものが精度良く製
作することが可能になり、例えばマイクロシリンジを精
度良く作成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の接合方法を説明する図である。

【図２】本発明の接合装置を説明する図である。

【図３】本発明の接合方法における接合界面状態を説明
する図である。

【図４】本発明の第４の実施例に係る接合手法を説明す
る図である。

【図５】図４（ｃ）のＡ矢視図である。

【符号の説明】

１第１の接合基板２第２の接合基板３下サンプルステージ４上サンプルステージ５加熱プレート６フィラメント７押圧用ボール８押圧ステージ９押圧受ステージ１０押圧用植込ネジ１１押圧用ネジ１２受圧ステージ１３受圧ステージ取付ネジ１４曲率付与スティック１５押圧ボール１６レバー１７ヒンジ１８曲率付与ネジ付スティック１９曲率調整ナット２０曲率調整ナット受台２１ベローズ２２スプリング２３覗き窓２４真空槽２５排気口２６パッキン２７取付ボルト２８赤外線カメラ２９モニタテレビ３０ケーブル３１架台３２ＬＢ膜３３溝３４メンブレン３５フリンジ３６空孔によるフリンジ３７接合領域３８電源３９リード線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】二枚の基板を接合する方法において、一
方の基板を中央凸に変形させたのち、他の基板に接触さ
せ、未接触部の曲率が変化しないように接合部を周辺へ
広げることを特徴とする接合方法。
【請求項２】少なくとも一方の基板の接合面側に絶縁
膜が形成されている請求項１記載の接合方法。
【請求項３】二枚の基板間に電圧を印加しながら接合
させる請求項１および２記載の接合方法。
【請求項４】絶縁膜がラングミュアブロジェット法で
形成された膜であることを特徴とする請求項２記載の接
合方法。
【請求項５】減圧下で二枚の基板を接合する請求項１
記載の接合方法。
【請求項６】絶縁膜を中間層とした基板同士の接合に
おいて、一方の基板に凸状の任意の曲率を付加し、真空
中で接合基板間に電界を印加し、接合界面の気泡発生を
監視し、且つ、該接着基板を加熱することを特徴とする
接合方法
【請求項７】一方の基板に任意の曲率を付与する手段
と、二枚の基板間に電圧を印加する手段と、接合界面を
観察する手段を有する接合装置。
【請求項８】請求項１ー６記載の方法で接合された接
合物。
【請求項９】請求項６記載の装置を用いて接合された
接合物。