JPH07335509A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit deviceInfo
- Publication number
- JPH07335509A JPH07335509A JP6122305A JP12230594A JPH07335509A JP H07335509 A JPH07335509 A JP H07335509A JP 6122305 A JP6122305 A JP 6122305A JP 12230594 A JP12230594 A JP 12230594A JP H07335509 A JPH07335509 A JP H07335509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing process
- integrated circuit
- circuit device
- semiconductor integrated
- history data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
おける製造工程来歴調査技術に関し、特に内蔵された不
揮発性の半導体メモリに書き込まれた各製造工程の情報
を読み出すことで、製造工程来歴調査に要する人手およ
び時間を大幅に低減することが可能な半導体集積回路装
置に適用して有効な技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing process history investigation technique in a semiconductor integrated circuit device, and particularly to a manufacturing process history investigation by reading information of each manufacturing process written in a built-in nonvolatile semiconductor memory. The present invention relates to a technique effectively applied to a semiconductor integrated circuit device capable of significantly reducing manpower and time required for.
【０００２】[0002]
【従来の技術】たとえば、製造工程が終了した半導体集
積回路装置には、装置表面に装置型名、製造時期などが
記載されている。この半導体集積回路装置に不良が発生
した場合には、前記の装置型名、製造時期などから該当
する半導体集積回路装置の製造工程来歴の調査が実施さ
れ、この製造工程来歴調査は、ウェハ製造工程、組立工
程などについて行われる。2. Description of the Related Art For example, a semiconductor integrated circuit device whose manufacturing process has been completed has a device type name, a manufacturing time and the like on the surface of the device. When a defect occurs in this semiconductor integrated circuit device, a survey of the manufacturing process history of the corresponding semiconductor integrated circuit device is carried out based on the device type name, manufacturing time, etc., and this manufacturing process history survey is performed in the wafer manufacturing process. , The assembly process, etc.
【０００３】この半導体集積回路装置の不良要因とし
て、たとえばウェハ製造工程においては、酸化膜破壊、
表面特性劣化、配線のエレクトロマイグレーションなど
があり、また組立工程に関連するものには、気密劣化、
ボンディングの断線などがあり、実際にはこれらの要因
が組み合わされて現れる場合が多く、微細化、高集積化
に伴って増加する傾向にある。As a cause of defects in this semiconductor integrated circuit device, for example, in the wafer manufacturing process, oxide film breakdown,
Deterioration of surface characteristics, electromigration of wiring, etc.
There are bonding breakages and the like, and in many cases, these factors actually appear in combination and tend to increase with miniaturization and higher integration.
【０００４】なお、このような半導体集積回路装置の不
良要因に関する技術としては、たとえば社団法人電子通
信学会、昭和５９年１１月３０日発行の「ＬＳＩハンド
ブック」Ｐ６７１〜Ｐ６９２などに記載されている。A technique relating to such a defect factor of the semiconductor integrated circuit device is described in, for example, the Institute of Electronics and Communication Engineers, "LSI Handbook", P671 to P692, issued November 30, 1984.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な技術においては、不良が発生した場合、該当する半導
体集積回路装置の製造工程来歴調査は、装置表面に記載
された製造時期などからウェハ製造工程来歴、組立工程
来歴などを検索するが、これには多くの人手と時間を要
し、不良原因の究明、早期対策の大きな障害となってい
る。However, in the above-mentioned technique, when a defect occurs, the manufacturing process history survey of the corresponding semiconductor integrated circuit device is performed based on the manufacturing time written on the surface of the device. The process history and the assembly process history are searched, but this requires a lot of manpower and time, which is a major obstacle to the investigation of the cause of defects and early countermeasures.
【０００６】そこで、本発明の目的は、半導体集積回路
装置の製造工程来歴調査を実施する場合において、該当
する半導体集積回路装置に内蔵された不揮発性の半導体
メモリに書き込まれた製造工程のデータを読み出すこと
で、不良原因の早期究明、対策に有効なトレーサビリテ
ィ機能を向上させることができる半導体集積回路装置を
提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to carry out data of a manufacturing process written in a nonvolatile semiconductor memory built in a corresponding semiconductor integrated circuit device when conducting a manufacturing process history survey of the semiconductor integrated circuit device. It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit device that can improve the traceability function that is effective for early investigation of the cause of defects and countermeasures by reading.
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.
【０００９】すなわち、本発明の半導体集積回路装置
は、少なくとも不揮発性の半導体メモリが内蔵される半
導体集積回路装置に適用されるものであり、この不揮発
性の半導体メモリに、半導体集積回路装置を製造する際
の各製造工程における各種の情報を格納する製造工程来
歴データエリアを設定するものである。That is, the semiconductor integrated circuit device of the present invention is applied to a semiconductor integrated circuit device in which at least a nonvolatile semiconductor memory is built in, and the semiconductor integrated circuit device is manufactured in this nonvolatile semiconductor memory. The manufacturing process history data area for storing various information in each manufacturing process is set.
【００１０】この場合に、製造工程来歴データエリアに
は、各製造工程における各種の情報を格納する製造工程
来歴データ格納部の他に、この製造工程来歴データ格納
部の情報を読み出し可能とする情報を格納するプロテク
トデータ格納部を設定し、特にこのプロテクトデータ格
納部には、ユーザーには開放せずに、特定者のみが認識
する秘匿情報を格納するようにしたものである。In this case, in the manufacturing process history data area, in addition to the manufacturing process history data storage unit that stores various information in each manufacturing process, information that allows the information in the manufacturing process history data storage unit to be read out. The protect data storage unit for storing the secret information is set, and in particular, the protect data storage unit stores secret information that only a specific person recognizes without opening it to the user.
【００１１】[0011]
【作用】前記した半導体集積回路装置によれば、内蔵さ
れた不揮発性の半導体メモリに製造工程来歴データエリ
アが設定されることにより、たとえば顧客ラインなどに
おいて半導体集積回路装置に不良が発生した場合には、
半導体メモリの製造工程来歴データエリアに書き込まれ
た各製造工程の来歴データを読み出すことで、該当する
半導体集積回路装置の製造工程における各種情報を短時
間で把握することができる。According to the above-described semiconductor integrated circuit device, when the manufacturing process history data area is set in the built-in nonvolatile semiconductor memory, for example, when a defect occurs in the semiconductor integrated circuit device in a customer line or the like. Is
By reading the history data of each manufacturing process written in the manufacturing process history data area of the semiconductor memory, various information in the manufacturing process of the corresponding semiconductor integrated circuit device can be grasped in a short time.
【００１２】すなわち、不揮発性の半導体メモリには、
ユーザーに開放するユーザーエリアと、ユーザーには開
放しない製造工程来歴データエリアを設定し、この製造
工程来歴データエリアの製造工程来歴データ格納部に各
製造工程のデータをプローブ検査、選別検査、出荷検査
時などで書き込み、これをユーザーには読み出し不可能
となるようにプロテクトデータ格納部に秘匿情報を格納
して出荷することにより達成されるようになっている。That is, in the nonvolatile semiconductor memory,
A user area that is open to users and a manufacturing process history data area that is not open to users are set, and the data of each manufacturing process is stored in the manufacturing process history data storage area of this manufacturing process history data area for probe inspection, sorting inspection, and shipping inspection. This is achieved by writing the information at a certain time and storing the confidential information in the protect data storage unit so that it cannot be read by the user.
【００１３】これにより、半導体集積回路装置のトレー
サビリティを向上させ、得られた各製造工程の情報をも
とに不良原因の究明、対策に対応することができ、この
不良原因の究明および対策に要する人手を削減し、かつ
この究明および対策に要する時間を大幅に短縮すること
ができる。As a result, the traceability of the semiconductor integrated circuit device can be improved, and the cause of the defect can be investigated and the countermeasure can be dealt with based on the obtained information of each manufacturing process. It is possible to reduce manpower and significantly reduce the time required for this investigation and countermeasures.
【００１４】特に、この製造工程来歴データエリアの製
造工程来歴データ格納部に格納されている情報は、プロ
テクトデータ格納部に格納される秘匿情報に基づいて特
定者のみが読み出すことができるので、製造工程来歴デ
ータの情報は秘匿性を持って保持することができる。In particular, since the information stored in the manufacturing process history data storage section of the manufacturing process history data area can be read only by a specific person based on the secret information stored in the protect data storage section, The information of the process history data can be retained with confidentiality.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.
【００１６】図１は本発明の一実施例である半導体集積
回路装置を示す概略構成図、図２は本実施例において、
図１に示す不揮発性半導体メモリ部分のデータエリアの
割り当てを示す構成図、図３は図２に示す製造工程来歴
データエリアを示す詳細図である。FIG. 1 is a schematic block diagram showing a semiconductor integrated circuit device which is an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 1 is a configuration diagram showing allocation of data areas of the nonvolatile semiconductor memory portion shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a detailed diagram showing a manufacturing process history data area shown in FIG.
【００１７】まず、図１により本実施例の半導体集積回
路装置の概略構成を説明する。First, the schematic structure of the semiconductor integrated circuit device of this embodiment will be described with reference to FIG.
【００１８】本実施例の半導体集積回路装置は、たとえ
ば少なくとも不揮発性の半導体メモリが内蔵されるマイ
クロコンピュータ（半導体集積回路装置）１とされ、デ
ータおよびプログラムなどを格納するＲＯＭなどの不揮
発性の半導体メモリ部２と、命令の解読と実行を制御し
て演算処理を行う演算処理装置などの論理機能部３と、
周辺装置とのインタフェースを司るインタフェース部４
とから構成されている。The semiconductor integrated circuit device of this embodiment is, for example, a microcomputer (semiconductor integrated circuit device) 1 having at least a nonvolatile semiconductor memory built therein, and a nonvolatile semiconductor such as a ROM for storing data and programs. A memory unit 2; a logic function unit 3 such as an arithmetic processing unit for controlling the decoding and execution of instructions to perform arithmetic processing;
Interface unit 4 that controls the interface with peripheral devices
It consists of and.
【００１９】不揮発性の半導体メモリ部２は、たとえば
図２に示すように、ユーザーデータエリア５と製造工程
来歴データエリア６とから構成されている。このユーザ
ーデータエリア５はユーザーが使用する領域であり、た
とえばユーザーが必要とする機能を実現するためのプロ
グラムなどが格納される部分である。The nonvolatile semiconductor memory portion 2 is composed of a user data area 5 and a manufacturing process history data area 6, as shown in FIG. 2, for example. The user data area 5 is an area used by the user, and is a portion in which, for example, a program for realizing a function required by the user is stored.
【００２０】一方、製造工程来歴データエリア６はユー
ザーに開放しない領域であり、マイクロコンピュータ１
を製造する際の各製造工程の各種の情報が格納される部
分である。この各製造工程における各種の情報とは、た
とえばウェハ製造工程では、加工寸法、酸化膜厚、しき
い値電圧、プローブ検査歩留まりなどがプローブ検査時
に書き込まれ、また組立選別工程では、選別歩留まり、
加速試験不良率などが選別試験、加速試験時に製造工程
来歴データエリア６に書き込まれる。On the other hand, the manufacturing process history data area 6 is an area which is not open to the user, and the microcomputer 1
This is a part for storing various information of each manufacturing process when manufacturing the. The various information in each manufacturing process, for example, in the wafer manufacturing process, processing dimensions, oxide film thickness, threshold voltage, probe inspection yield, etc. are written at the time of the probe inspection, and in the assembly / selection step, the selection yield,
Acceleration test failure rate and the like are written in the manufacturing process history data area 6 during the screening test and the acceleration test.
【００２１】この製造工程来歴データエリア６は、たと
えば図３に示すように、製造工程来歴データ格納部７と
プロテクトデータ格納部８とから構成されている。この
製造工程来歴データ格納部７は、前記した各製造工程の
各種の情報が格納される部分である。The manufacturing process history data area 6 is composed of a manufacturing process history data storage unit 7 and a protect data storage unit 8 as shown in FIG. 3, for example. The manufacturing process history data storage unit 7 is a unit for storing various information on each manufacturing process described above.
【００２２】一方、プロテクトデータ格納部８は、製造
工程来歴データ格納部７に格納されている情報をユーザ
ーに開放しないようにプロテクトをするための領域であ
り、特定者のみが認識する秘匿情報として、たとえばあ
る種の決まったデータがプロテクトコードとして書き込
まれる。このプロテクトコードは、ユーザーおよび他者
には開放されないため、製造工程来歴データ格納部７に
格納されている情報は秘匿性を持って保持されるように
なっている。On the other hand, the protect data storage section 8 is an area for protecting the information stored in the manufacturing process history data storage section 7 so as not to be opened to the user, and as secret information recognized only by a specific person. , For example, certain fixed data is written as a protection code. Since this protect code is not open to the user and others, the information stored in the manufacturing process history data storage unit 7 is kept confidential.
【００２３】次に、本実施例の作用について、実際にマ
イクロコンピュータ１に不良が発生した場合を説明す
る。Next, with respect to the operation of this embodiment, a case in which a defect actually occurs in the microcomputer 1 will be described.
【００２４】たとえば、顧客ラインなどにおいてマイク
ロコンピュータ１に不良が発生した場合には、まずマイ
クロコンピュータ１の製造工程来歴データ格納部７に格
納されている情報を、プロテクトデータ格納部８による
プロテクトから解除する。For example, when a defect occurs in the microcomputer 1 in a customer line or the like, first, the information stored in the manufacturing process history data storage unit 7 of the microcomputer 1 is released from the protection by the protect data storage unit 8. To do.
【００２５】この場合には、メーカー側の特定者のみが
認識しているプロテクトデータ格納部８に格納されてい
るプロテクトコードを入力することにより、製造工程来
歴データ格納部７に格納されている情報のプロテクトが
解除される。In this case, the information stored in the manufacturing process history data storage unit 7 can be obtained by inputting the protect code stored in the protect data storage unit 8 recognized only by the specific person on the manufacturer side. Is unprotected.
【００２６】これにより、特定者のみが各製造工程の各
種の来歴データを読み出すことができ、該当するマイク
ロコンピュータ１のウェハ製造工程での加工寸法、酸化
膜厚、しきい値電圧、プローブ検査歩留まり、組立選別
工程での選別歩留まり、加速試験不良率などの情報を短
時間で把握することが可能となる。As a result, only a specific person can read various history data of each manufacturing process, and the processing dimensions, the oxide film thickness, the threshold voltage, and the probe inspection yield in the wafer manufacturing process of the corresponding microcomputer 1. In addition, it becomes possible to grasp the information such as the selection yield in the assembly selection step and the acceleration test defect rate in a short time.
【００２７】すなわち、製造工程来歴データ格納部７に
格納されている情報を読み出すためには、特定者のみが
認識するプロテクトコードを入力しなければならず、こ
のプロテクトコードはユーザーおよび他者には開放され
ないため、製造工程来歴データの秘匿性は保持できる。That is, in order to read out the information stored in the manufacturing process history data storage unit 7, it is necessary to input a protect code recognized only by a specific person. Since it is not released, the confidentiality of manufacturing process history data can be maintained.
【００２８】そして、このウェハ製造工程、組立選別工
程などにおける各製造工程の各種の情報をもとに、マイ
クロコンピュータ１に不良が発生した原因を究明し、こ
れに基づいて不良が発生しないように対策を講ずること
ができる。Then, the cause of the defect occurring in the microcomputer 1 is investigated based on various information of each manufacturing process in the wafer manufacturing process, the assembly selection process, etc., and based on this, the defect is prevented from occurring. You can take measures.
【００２９】従って、本実施例の半導体集積回路装置に
よれば、不揮発性の半導体メモリ部２の製造工程来歴デ
ータエリア６に、製造工程来歴データ格納部７とプロテ
クトデータ格納部８が設けられることにより、マイクロ
コンピュータ１のトレーサビリティを向上させ、マイク
ロコンピュータ１に不良が発生した場合に、プロテクト
データ格納部８に格納されている特定者のみが認識する
プロテクトコードを入力して、製造工程来歴データ格納
部７に書き込まれた各製造工程の来歴データを短時間で
読み出すことができ、さらにこれに基づいた不良原因の
究明、対策に必要とされる人手を削減し、これに要する
時間を大幅に短縮することができる。Therefore, according to the semiconductor integrated circuit device of this embodiment, the manufacturing process history data storage section 7 and the protect data storage section 8 are provided in the manufacturing process history data area 6 of the nonvolatile semiconductor memory section 2. Thus, the traceability of the microcomputer 1 is improved, and when a defect occurs in the microcomputer 1, a protect code stored in the protect data storage section 8 and recognized only by a specific person is input to store the manufacturing process history data. The history data of each manufacturing process written in the part 7 can be read in a short time, and the manpower required for investigating the cause of the defect and the countermeasures based on this can be reduced, and the time required for this can be significantly reduced. can do.
【００３０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【００３１】たとえば、本実施例の半導体集積回路装置
については、不揮発性の半導体メモリ部２、論理機能部
３およびインタフェース部４を有するマイクロコンピュ
ータ１である場合について説明したが、本発明は前記実
施例に限定されるものではなく、ＥＰＲＯＭ、ＰＲＯＭ
などの不揮発性の半導体メモリ単体によるメモリ製品に
ついても適用可能である。For example, the semiconductor integrated circuit device of this embodiment has been described in the case of the microcomputer 1 having the non-volatile semiconductor memory unit 2, the logic function unit 3 and the interface unit 4. The present invention is not limited to the example, but EPROM, PROM
The present invention is also applicable to memory products such as non-volatile semiconductor memory alone.
【００３２】また、ロジック製品については、たとえば
空いているスペースを利用して不揮発性のメモリエリア
を設けることにより、各製造工程の来歴データを格納す
ることができ、これによってメモリ製品と同様にトレー
サビリティ機能を向上させることができる。For logic products, the history data of each manufacturing process can be stored by providing a non-volatile memory area by utilizing a vacant space, which enables traceability similar to that of the memory products. The function can be improved.
【００３３】さらに、メモリ、ロジックの混成回路につ
いても同様に適用することができ、本発明は少なくとも
不揮発性の半導体メモリが内蔵される半導体集積回路装
置について広く適用可能である。Further, the present invention can be similarly applied to a memory / logic hybrid circuit, and the present invention can be widely applied to a semiconductor integrated circuit device in which at least a nonvolatile semiconductor memory is incorporated.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【００３５】(1).不揮発性の半導体メモリに、半導体集
積回路装置を製造する際の各製造工程における各種の情
報を格納する製造工程来歴データエリアを設定すること
により、半導体集積回路装置に不良が発生した場合に
は、製造工程来歴データエリアに書き込まれた各製造工
程の来歴データを読み出すことができるので、該当する
半導体集積回路装置の製造工程における各種情報を的確
に、かつ短時間で把握することが可能となる。(1). A defect in the semiconductor integrated circuit device is set by setting a manufacturing process history data area for storing various information in each manufacturing process in manufacturing the semiconductor integrated circuit device in the nonvolatile semiconductor memory. When the error occurs, the history data of each manufacturing process written in the manufacturing process history data area can be read out, so that various information in the manufacturing process of the corresponding semiconductor integrated circuit device can be grasped accurately and in a short time. It becomes possible to do.
【００３６】(2).前記(1) において、製造工程来歴デー
タエリアに、各製造工程における各種の情報を格納する
製造工程来歴データ格納部の他に、製造工程来歴データ
格納部の情報を読み出し可能とする情報を格納するプロ
テクトデータ格納部を設定し、特定者のみが認識する秘
匿情報を格納することにより、特定者のみが読み出すこ
とができるので、半導体集積回路装置の製造工程におけ
る各種情報は秘匿性を持って保持することが可能とな
る。(2) In the above (1), in addition to the manufacturing process history data storage unit that stores various information in each manufacturing process, the information in the manufacturing process history data storage unit is read in the manufacturing process history data area. By setting the protect data storage unit that stores the information that is enabled and storing the secret information that only the specific person recognizes, only the specific person can read it. Therefore, various information in the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit device It becomes possible to hold it with confidentiality.
【００３７】(3).前記(1) 〜(2) により、半導体集積回
路装置のトレーサビリティを向上させることができるの
で、得られた各製造工程の情報をもとに不良原因の究
明、対策に対応することができ、この不良原因の究明お
よび対策に要する人手および時間を大幅に低減すること
が可能となる。(3) Since the traceability of the semiconductor integrated circuit device can be improved by the above (1) to (2), the cause of the defect can be investigated and the countermeasure can be taken based on the obtained information of each manufacturing process. It is possible to deal with it, and it is possible to significantly reduce the manpower and time required for investigating the cause of this defect and taking countermeasures.
【図１】本発明の一実施例である半導体集積回路装置を
示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本実施例において、図１に示す不揮発性半導体
メモリ部分のデータエリアの割り当てを示す構成図であ
る。FIG. 2 is a configuration diagram showing allocation of data areas in the nonvolatile semiconductor memory portion shown in FIG. 1 in the present embodiment.
【図３】本実施例において、図２に示す製造工程来歴デ
ータエリアを示す詳細図である。FIG. 3 is a detailed view showing a manufacturing process history data area shown in FIG. 2 in the present embodiment.
１ マイクロコンピュータ（半導体集積回路装置） ２ 不揮発性の半導体メモリ部 ３ 論理機能部 ４ インタフェース部 ５ ユーザーデータエリア ６ 製造工程来歴データエリア ７ 製造工程来歴データ格納部 ８ プロテクトデータ格納部 1 Microcomputer (semiconductor integrated circuit device) 2 Nonvolatile semiconductor memory unit 3 Logic function unit 4 Interface unit 5 User data area 6 Manufacturing process history data area 7 Manufacturing process history data storage unit 8 Protect data storage unit
Claims (3)
蔵される半導体集積回路装置であって、前記不揮発性の
半導体メモリに、前記半導体集積回路装置を製造する際
の各製造工程における各種の情報を格納する製造工程来
歴データエリアを設定することを特徴とする半導体集積
回路装置。1. A semiconductor integrated circuit device having at least a non-volatile semiconductor memory built-in, wherein the non-volatile semiconductor memory stores various kinds of information in each manufacturing process when the semiconductor integrated circuit device is manufactured. A semiconductor integrated circuit device having a manufacturing process history data area set therein.
各製造工程における各種の情報を格納する製造工程来歴
データ格納部の他に、該製造工程来歴データ格納部の情
報を読み出し可能とする情報を格納するプロテクトデー
タ格納部を設定することを特徴とする請求項１記載の半
導体集積回路装置。2. In the manufacturing process history data area, in addition to a manufacturing process history data storage unit that stores various information in each manufacturing process, information that enables the information in the manufacturing process history data storage unit to be read is provided. 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein a protect data storage section for storing is set.
ーには開放せずに、特定者のみが認識する秘匿情報を格
納することを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路
装置。3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 2, wherein the protected data storage unit stores secret information which is identified only by a specific person without being opened to the user.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122305A JPH07335509A (en) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122305A JPH07335509A (en) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335509A true JPH07335509A (en) | 1995-12-22 |
Family
ID=14832673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6122305A Pending JPH07335509A (en) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335509A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6941536B2 (en) | 2000-12-01 | 2005-09-06 | Hitachi, Ltd. | Method for identifying semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device and semiconductor chip |
| JP2008034101A (en) * | 2007-10-22 | 2008-02-14 | Toshiba Corp | Semiconductor memory |
| US7894259B2 (en) | 2000-09-28 | 2011-02-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device with first and second write sequences controlled by a command or an address |
| JP2013222491A (en) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Powerchip Technology Corp | Semiconductor memory device, method of writing id code and high-order address thereof, tester device, and test method for tester device |
| CN113747702A (en) * | 2021-07-20 | 2021-12-03 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | Packaging structure with identification information |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP6122305A patent/JPH07335509A/en active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7894259B2 (en) | 2000-09-28 | 2011-02-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device with first and second write sequences controlled by a command or an address |
| US8189389B2 (en) | 2000-09-28 | 2012-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device with a voltage setting circuit for a step-up shift test |
| US8885408B2 (en) | 2000-09-28 | 2014-11-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device for rendering the same in a busy state after inputting data therein |
| US6941536B2 (en) | 2000-12-01 | 2005-09-06 | Hitachi, Ltd. | Method for identifying semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device and semiconductor chip |
| US7282377B2 (en) | 2000-12-01 | 2007-10-16 | Hitachi, Ltd. | Method for identifying semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device and semiconductor chip |
| US7665049B2 (en) | 2000-12-01 | 2010-02-16 | Hitachi, Ltd. | Method for identifying semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device and semiconductor chip |
| JP2008034101A (en) * | 2007-10-22 | 2008-02-14 | Toshiba Corp | Semiconductor memory |
| JP2013222491A (en) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Powerchip Technology Corp | Semiconductor memory device, method of writing id code and high-order address thereof, tester device, and test method for tester device |
| CN113747702A (en) * | 2021-07-20 | 2021-12-03 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | Packaging structure with identification information |
| CN113747702B (en) * | 2021-07-20 | 2023-07-28 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | Packaging structure carrying identification information |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100396448B1 (en) | Semiconductor storage device, control device, and electronic apparatus | |
| KR940009699B1 (en) | Method of checking integrity of software of data, and system for implementing said method | |
| TWI313123B (en) | Integrated circuit security and method therefor | |
| US8867746B2 (en) | Method for protecting a control device against manipulation | |
| JPH087780B2 (en) | Data carrier for storing and processing data | |
| US20030131210A1 (en) | Method and arrangement for the verification of NV fuses as well as a corresponding computer program product and a corresponding computer-readable storage medium | |
| JP2004507112A (en) | Device for protecting integrated circuits formed in a substrate | |
| US8195946B2 (en) | Protection of data of a memory associated with a microprocessor | |
| US6359338B1 (en) | Semiconductor apparatus with self-security function | |
| JPH07335509A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JP2000268584A (en) | Nonvolatile semiconductor storage device and its manufacture | |
| US10923203B2 (en) | Semiconductor device and method of operating semiconductor device | |
| JP2004185536A (en) | Microcomputer, and its testing method | |
| US7051242B2 (en) | Method and apparatus for improving yield by decommissioning optional units on a CPU due to manufacturing defects | |
| US20030133241A1 (en) | Method and arrangement for protecting digital parts of circuits | |
| US5402018A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JP3201368B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and test method therefor | |
| JP2001527669A (en) | Integrated circuit and test method for the integrated circuit | |
| JPS63245016A (en) | Programmable logic device | |
| US5257221A (en) | Apparatus for selecting mumber of wait states in a burst EPROM architecture | |
| US20020083283A1 (en) | Control of the access to a memory integrated with a microprocessor | |
| JP6925751B2 (en) | Semiconductor devices and their test methods | |
| TWI288242B (en) | Digital logic test method to systematically approach functional coverage completely and related apparatus and system | |
| JPH01232452A (en) | One-chip processor | |
| JPH04256145A (en) | Integrated circuit device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040909 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050301 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050426 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050614 |