JPH07331426A - スパッタリングターゲット材の接合方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット材の接合方法Info
- Publication number
- JPH07331426A JPH07331426A JP12854694A JP12854694A JPH07331426A JP H07331426 A JPH07331426 A JP H07331426A JP 12854694 A JP12854694 A JP 12854694A JP 12854694 A JP12854694 A JP 12854694A JP H07331426 A JPH07331426 A JP H07331426A
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- Japan
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- cooling member
- target material
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Abstract
(57)【要約】
【構成】SUS304の２０角ＴＰ材にＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓ
ｎの蒸着膜２の厚さを、０.１μ／０.２μ／０.２μ／
０.１μ として蒸着を行い、テープ剥離テストを行っ
た。 【効果】Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｎ蒸着をターゲットと冷
却部材に行うことにより、高真空下の使用にも耐える。
ｎの蒸着膜２の厚さを、０.１μ／０.２μ／０.２μ／
０.１μ として蒸着を行い、テープ剥離テストを行っ
た。 【効果】Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｎ蒸着をターゲットと冷
却部材に行うことにより、高真空下の使用にも耐える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣｒ系の難接合材ターゲ
ット材と、銅又は銅合金又は難接合材であるステンレス
冷却部材とをろう接合する方法に関する。
ット材と、銅又は銅合金又は難接合材であるステンレス
冷却部材とをろう接合する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、冷却部材は熱伝導の良い銅を使
用するのが一般的であり、銅はあらゆるろう材に非常に
濡れやすい性質である。又、銅はめっきによる表面改質
が容易であるので、ターゲット材が難接合材の場合の
み、接合の考慮をする必要があった。
用するのが一般的であり、銅はあらゆるろう材に非常に
濡れやすい性質である。又、銅はめっきによる表面改質
が容易であるので、ターゲット材が難接合材の場合の
み、接合の考慮をする必要があった。
【０００３】又、銅とターゲット材は熱膨張係数が異な
るため、特開平1−262088 号，特開平1−262089 号，特
開平2−11759号公報にある様に、ろう接合の冷却過程に
おけるターゲット材及び冷却部材の収縮量が、同一にな
る温度にそれぞれ加熱したり、熱膨張の差異から生じる
反りと、逆方向に反り量に応じた反りを与えつつ、ろう
接合を行っている。
るため、特開平1−262088 号，特開平1−262089 号，特
開平2−11759号公報にある様に、ろう接合の冷却過程に
おけるターゲット材及び冷却部材の収縮量が、同一にな
る温度にそれぞれ加熱したり、熱膨張の差異から生じる
反りと、逆方向に反り量に応じた反りを与えつつ、ろう
接合を行っている。
【０００４】しかし、温度管理が難しいことや、適当な
反りを逆に与えることは、実作業上難しい。
反りを逆に与えることは、実作業上難しい。
【０００５】又、特願平5−310038 号明細書では、蒸着
材にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｓｎを用いているが、Ｔｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ／Ｓｎは非常に高価であり、接合に多大な費用
がかかっている。
材にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｓｎを用いているが、Ｔｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ／Ｓｎは非常に高価であり、接合に多大な費用
がかかっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】スパッタリングターゲ
ット材は、銅及び銅合金の冷却部材に接合し、スパッタ
リング装置に装着し、水冷して使用するのが通例であ
る。
ット材は、銅及び銅合金の冷却部材に接合し、スパッタ
リング装置に装着し、水冷して使用するのが通例であ
る。
【０００７】しかし、スパッタリング材のターゲットの
中には、その成分系より水冷による錆発生防止の観点か
ら、銅ではなくてステレンスのような難接合材を冷却部
材として使用する場合がある。
中には、その成分系より水冷による錆発生防止の観点か
ら、銅ではなくてステレンスのような難接合材を冷却部
材として使用する場合がある。
【０００８】ステンレスは一般に、ほとんどのろう材に
は濡れにくく、接合は難しい。
は濡れにくく、接合は難しい。
【０００９】Ｃｏ系ターゲットや、Ｎｂ系ターゲット及
びＮｉＯターゲットも、ろう材には濡れにくい。
びＮｉＯターゲットも、ろう材には濡れにくい。
【００１０】よって、特殊なフラックスを用いないと、
ろう材は濡れ広がらない。
ろう材は濡れ広がらない。
【００１１】しかし、高真空状態で用いるスパッタリン
グターゲット材の接合にフラックスを用いると、有害な
ガスが生じスパッタリングに支障をきたす。
グターゲット材の接合にフラックスを用いると、有害な
ガスが生じスパッタリングに支障をきたす。
【００１２】又、表面改質のために、ターゲットと冷却
部材にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ，Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕを蒸着する
方法があるが、生成する膜組成の安定化には更に高真空
の下でスパッタリングを行う必要がある。従来の方法で
は、ＡｕとＩｎ半田の濡れ性密着性で十分であったが、
高真空の下では更に濡れ性・密着性を改善しなければな
らなかった。
部材にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ，Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕを蒸着する
方法があるが、生成する膜組成の安定化には更に高真空
の下でスパッタリングを行う必要がある。従来の方法で
は、ＡｕとＩｎ半田の濡れ性密着性で十分であったが、
高真空の下では更に濡れ性・密着性を改善しなければな
らなかった。
【００１３】本発明の目的は、難接合ターゲットと、難
接合冷却部材の接合を高真空下の使用でも、使用可能で
安価な方法を提供することにある。
接合冷却部材の接合を高真空下の使用でも、使用可能で
安価な方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】難接合材であるＣｏ系や
Ｎｂ系ターゲット，ＮｉＯターゲット及びステンレス冷
却部材に、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｕの蒸着を行い、表面
の改質を行う。
Ｎｂ系ターゲット，ＮｉＯターゲット及びステンレス冷
却部材に、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｕの蒸着を行い、表面
の改質を行う。
【００１５】この方法によると、特殊なフラックスを用
いないため、高真空状態でも有害なガスの発生は無い。
いないため、高真空状態でも有害なガスの発生は無い。
【００１６】最上部膜のＳｎは、Ａｕと共晶反応を起こ
し、Ａｕ−Ｓｕになる。又はＩｎ半田にもＳｎが含有さ
れているので非常に濡れやすく、Ｓｎを介してＡｕとＩ
ｎ半田が従来より濡れ性が改善され、密着力が強い接合
が行える。
し、Ａｕ−Ｓｕになる。又はＩｎ半田にもＳｎが含有さ
れているので非常に濡れやすく、Ｓｎを介してＡｕとＩ
ｎ半田が従来より濡れ性が改善され、密着力が強い接合
が行える。
【００１７】
【作用】ろう材３に濡れにくいＳＵＳ材及びターゲット
材を、非常に濡れ易いＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｕの蒸着，
密着力が強い接合が行える。
材を、非常に濡れ易いＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｕの蒸着，
密着力が強い接合が行える。
【００１８】膜を形成して、表面改質を行い、従来より
密着強度の大きいろう接合が容易にできる。
密着強度の大きいろう接合が容易にできる。
【００１９】
【実施例】SUS304の２０角ＴＰ材にＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ／
Ｓｎの蒸着膜２の厚さを、０.１μ／０.２μ／０.２μ
／０.１μ として蒸着を行い、テープ剥離テストを行っ
た。
Ｓｎの蒸着膜２の厚さを、０.１μ／０.２μ／０.２μ
／０.１μ として蒸着を行い、テープ剥離テストを行っ
た。
【００２０】その結果、剥離は全く認められなかった。
【００２１】同様に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａターゲット材１
にＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｎ蒸着膜２の蒸着を行いテープ
剥離テストを行ったが、剥離は全く認められなかった。
にＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｎ蒸着膜２の蒸着を行いテープ
剥離テストを行ったが、剥離は全く認められなかった。
【００２２】又、従来のＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ，Ｔｉ／Ｐｔ
／ＡｕとＳＵＳ材との密着強度をダイシェアテストによ
り評価したところ、本発明の密着強度は従来の１.５〜
２倍の値が得られた。
／ＡｕとＳＵＳ材との密着強度をダイシェアテストによ
り評価したところ、本発明の密着強度は従来の１.５〜
２倍の値が得られた。
【００２３】予備テストの結果、ＳＵＳ冷却部材４及び
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａターゲット材１への蒸着性に問題ない
ことを確認し、強度も従来より高くなる事を確認した。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａターゲット材１への蒸着性に問題ない
ことを確認し、強度も従来より高くなる事を確認した。
【００２４】次に、φ１３０／φ７０×１２ｔ ＳＵＳ
冷却部材４（SUS304）とφ２４０×６ｔＣｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａターゲット材１の接合を行った。
冷却部材４（SUS304）とφ２４０×６ｔＣｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａターゲット材１の接合を行った。
【００２５】ＳＵＳ冷却部材４はリング状であるので、
その部分のみ蒸着される様に、蒸着マスクを作成し、Ｃ
ｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｎをそれぞれ０.１／０.２／０.２
／0.1μｍの膜厚で蒸着膜を形成した。
その部分のみ蒸着される様に、蒸着マスクを作成し、Ｃ
ｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｎをそれぞれ０.１／０.２／０.２
／0.1μｍの膜厚で蒸着膜を形成した。
【００２６】次にターゲット材にも、ＳＵＳのリングの
接合面に蒸着される様に、マスクを作成し、Ｃｒ／Ｎｉ
／Ａｕ／Ｓｎ蒸着膜２をＳＵＳ材と同じ膜厚になる様
に、蒸着膜を形成した。
接合面に蒸着される様に、マスクを作成し、Ｃｒ／Ｎｉ
／Ａｕ／Ｓｎ蒸着膜２をＳＵＳ材と同じ膜厚になる様
に、蒸着膜を形成した。
【００２７】蒸着が終わったターゲットの接合面にＩｎ
半田箔を置き１８０〜２００℃に加熱し、接合面上に溶
接したＩｎ半田をターゲット全面に薄くのばす。
半田箔を置き１８０〜２００℃に加熱し、接合面上に溶
接したＩｎ半田をターゲット全面に薄くのばす。
【００２８】同様にして、ＳＵＳ冷却部材４にもＩｎ半
田を全面に薄くのばす。
田を全面に薄くのばす。
【００２９】次にターゲットと、ＳＵＳ冷却部材４の接
合面の間に、Ｉｎ半田箔をずれの無い様に積層し、クリ
ップで留め約１０kgのおもしを乗せて、雰囲気温度２０
０〜２３０℃の炉の中に入れて約３０分保持する。
合面の間に、Ｉｎ半田箔をずれの無い様に積層し、クリ
ップで留め約１０kgのおもしを乗せて、雰囲気温度２０
０〜２３０℃の炉の中に入れて約３０分保持する。
【００３０】この様にして接合を行った結果、剥離，変
形のない接合が、行えた。
形のない接合が、行えた。
【００３１】又、接合品の放射線検査の結果、接合部の
面積率９５％以上と良好であった。今まで難接合材であ
ったＳＵＳ冷却部材４と、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａターゲット
材１の接合を、特殊な治工具を使用せずに安価で容易に
行うことができた。
面積率９５％以上と良好であった。今まで難接合材であ
ったＳＵＳ冷却部材４と、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａターゲット
材１の接合を、特殊な治工具を使用せずに安価で容易に
行うことができた。
【００３２】
【発明の効果】本発明によると、Ｃｒ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓ
ｎ蒸着をターゲットと冷却部材に行うことにより、高真
空下の使用にも耐える。
ｎ蒸着をターゲットと冷却部材に行うことにより、高真
空下の使用にも耐える。
【図１】接合前の各部材の積層を示す説明図。
１…Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａターゲット材、２…Ｃｒ／Ｎｉ／
Ａｕ／Ｓｎ蒸着膜、３…ろう材、４…ＳＵＳ冷却部材。
Ａｕ／Ｓｎ蒸着膜、３…ろう材、４…ＳＵＳ冷却部材。
Claims (1)
- 【請求項１】ターゲット材と、銅及び銅合金又はステン
レスからなる冷却部材をＩｎ系の半田を用い、これを加
熱空冷して接合するスパッタリングターゲット材の接合
方法において、前記ターゲット材と前記冷却部材にＣｒ
／Ｎｉ／Ａｕ／Ｓｎの蒸着を施して接合することを特徴
とするスパッタリングターゲット材の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12854694A JPH07331426A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | スパッタリングターゲット材の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12854694A JPH07331426A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | スパッタリングターゲット材の接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07331426A true JPH07331426A (ja) | 1995-12-19 |
Family
ID=14987435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12854694A Pending JPH07331426A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | スパッタリングターゲット材の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07331426A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003016584A1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | N.V. Bekaert S.A. | A process for the manufacturing of a sputter target |
| CN112846560A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-05-28 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种靶材组件焊接前的处理方法 |
-
1994
- 1994-06-10 JP JP12854694A patent/JPH07331426A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003016584A1 (en) * | 2001-08-13 | 2003-02-27 | N.V. Bekaert S.A. | A process for the manufacturing of a sputter target |
| US7563488B2 (en) | 2001-08-13 | 2009-07-21 | Nv Bekaert Sa | Process for the manufacturing of a sputter target |
| CN112846560A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-05-28 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种靶材组件焊接前的处理方法 |
| CN112846560B (zh) * | 2021-01-04 | 2022-12-02 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种靶材组件焊接前的处理方法 |
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