JPH07312508A - Variable attenuator - Google Patents
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- JPH07312508A JPH07312508A JP10294894A JP10294894A JPH07312508A JP H07312508 A JPH07312508 A JP H07312508A JP 10294894 A JP10294894 A JP 10294894A JP 10294894 A JP10294894 A JP 10294894A JP H07312508 A JPH07312508 A JP H07312508A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はレーダ受信機等に用い
られ、高周波信号の利得を電気的に可変するための、デ
ジタル制御型の可変減衰器に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a digital control type variable attenuator for use in a radar receiver or the like for electrically varying the gain of a high frequency signal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１１は従来の減衰器を示す図で、１は
第１のＦＥＴ、２は第１のＦＥＴ１に並列に設けられド
レインが第１のＦＥＴ１のドレインに接続された第２の
ＦＥＴ、３は一端が第２のＦＥＴ２のソースに接続され
た第１の抵抗、４は一端が第１の抵抗３の他端に接続さ
れ他端が接地された第２の抵抗、５は一端が第１の抵抗
３と第２の抵抗４の接続部に接続され、他端が第１のＦ
ＥＴ１のソースに接続された第３の抵抗である。2. Description of the Related Art FIG. 11 is a diagram showing a conventional attenuator, in which 1 is a first FET, 2 is a second FET provided in parallel with the first FET 1 and having a drain connected to the drain of the first FET 1. FET 3 is a first resistor whose one end is connected to the source of the second FET 2, 4 is a second resistor whose one end is connected to the other end of the first resistor 3 and whose other end is grounded, and 5 is one end Is connected to the connecting portion of the first resistor 3 and the second resistor 4, and the other end is the first F
A third resistor connected to the source of ET1.
【０００３】次に動作について説明する。図１１におけ
る第１の抵抗３、第２の抵抗４、第３の抵抗５は抵抗分
圧回路として用いられ、それぞれの抵抗値の組合せによ
り、線路のインピーダンスを変えずに電力を１／ｘにす
る減衰器として動作する。ここで、第１のＦＥＴ１をオ
ンし、かつ第２のＦＥＴ２をオフすると、高周波信号は
第１のＦＥＴ１を通過するだけなので減衰量は０であ
る。また、第１のＦＥＴ１をオフし、かつ第２のＦＥＴ
２をオンすると、高周波信号は第１の抵抗３、第２の抵
抗４、第３の抵抗５を通過するためにそれぞれの抵抗値
の組合せにより求まる減衰量だけ減衰される。第１と第
３の抵抗の抵抗値をＲ１，第２の抵抗の抵抗値をＲ２と
し、減衰量をＮ（ｄＢ）とすると各抵抗値と減衰値の関
係は数１により求まる。Next, the operation will be described. The first resistor 3, the second resistor 4, and the third resistor 5 in FIG. 11 are used as a resistance voltage dividing circuit, and the power is reduced to 1 / x without changing the impedance of the line by combining the respective resistance values. It works as an attenuator. Here, when the first FET 1 is turned on and the second FET 2 is turned off, the high-frequency signal only passes through the first FET 1, so the amount of attenuation is 0. In addition, the first FET1 is turned off, and the second FET is
When 2 is turned on, the high-frequency signal passes through the first resistor 3, the second resistor 4, and the third resistor 5, and is attenuated by the attenuation amount obtained by the combination of the respective resistance values. When the resistance value of the first and third resistors is R1, the resistance value of the second resistor is R2, and the attenuation amount is N (dB), the relationship between each resistance value and the attenuation value can be obtained by the equation 1.
【０００４】[0004]
【数１】 [Equation 1]
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】いままでの減衰器は以
上のように、３つの抵抗の抵抗値により減衰量が決まる
ため、減衰器の減衰量を変化させようとすると、３つの
抵抗すべてをとりかえる以外ないため、各抵抗値を変え
た上記回路をいくつも並べなければならず、回路が大型
化する課題があった。As described above, in the conventional attenuator, the attenuation amount is determined by the resistance values of the three resistors. Therefore, if the attenuation amount of the attenuator is changed, all three resistors are removed. Since there is no choice but to replace it, it is necessary to arrange a number of the above circuits having different resistance values, which causes a problem of increasing the size of the circuit.
【０００６】この発明は以上のような課題を解決するた
めになされたもので、小型のデジタル制御型の可変減衰
器を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to obtain a small-sized digital control type variable attenuator.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明にかかる実施例
１の可変減衰器は、ＦＥＴと抵抗の直列接続対を主線路
に対して並列に接続し、ＦＥＴを用いて抵抗分圧用の抵
抗を切り替える。In the variable attenuator of the first embodiment according to the present invention, a series connection pair of a FET and a resistor is connected in parallel to the main line, and a resistor for resistance voltage dividing is used by using the FET. Switch.
【０００８】また、この発明にかかる実施例２の可変減
衰器はＦＥＴと抵抗とオープンスタブの直列接続対を主
線路に対して並列に接続し、ＦＥＴを用いて抵抗分圧用
の抵抗を切り替える。Further, in the variable attenuator of the second embodiment according to the present invention, a series connection pair of an FET, a resistor and an open stub is connected in parallel to the main line, and the FET is used to switch the resistor for resistance voltage division.
【０００９】また、この発明にかかる実施例３の可変減
衰器はＦＥＴと抵抗の直列接続対をインダクタとキャパ
シタによるＴ型ローパスフィルタに対して並列に接続
し、ＦＥＴを用いて抵抗分圧用の抵抗を切り替える。In the variable attenuator of the third embodiment according to the present invention, a series connection pair of an FET and a resistor is connected in parallel to a T-type low-pass filter including an inductor and a capacitor, and the FET is used to form a resistor for resistance division. Switch.
【００１０】また、この発明にかかる実施例４の可変減
衰器はＦＥＴと抵抗の直列接続対をインダクタとキャパ
シタによるＴ型ハイパスフィルタに対して並列に接続
し、ＦＥＴを用いて抵抗分圧用の抵抗を切り替える。In the variable attenuator of the fourth embodiment according to the present invention, a series connection pair of an FET and a resistor is connected in parallel to a T-type high-pass filter including an inductor and a capacitor, and the FET is used to divide a resistor for resistance division. Switch.
【００１１】また、この発明にかかる実施例５の可変減
衰器はＦＥＴと抵抗の直列接続対をインダクタとキャパ
シタによるパイ型ローパスフィルタに対して並列に接続
し、ＦＥＴを用いて抵抗分圧用の抵抗を切り替える。In the variable attenuator of the fifth embodiment according to the present invention, a series connection pair of an FET and a resistor is connected in parallel to a pie type low-pass filter including an inductor and a capacitor, and the FET is used to form a resistor for resistance division. Switch.
【００１２】また、この発明にかかる実施例６の可変減
衰器はＦＥＴと抵抗の直列接続対をインダクタとキャパ
シタによるパイ型ハイパスフィルタに対して並列に接続
し、ＦＥＴを用いて抵抗分圧用の抵抗を切り替える。In the variable attenuator of the sixth embodiment according to the present invention, a series connection pair of an FET and a resistor is connected in parallel to a pie type high-pass filter including an inductor and a capacitor, and the FET is used to form a resistor for resistance division. Switch.
【００１３】また、この発明にかかる実施例７の可変減
衰器はＦＥＴと抵抗の直列接続対をスパイラルインダク
タとキャパシタによるハイパスフィルタまたはローパス
フィルタに対して並列に接続し、ＦＥＴを用いて抵抗分
圧用の抵抗を切り替える。In the variable attenuator of the seventh embodiment according to the present invention, a series connection pair of an FET and a resistor is connected in parallel to a high-pass filter or a low-pass filter formed of a spiral inductor and a capacitor, and the FET is used for resistance voltage division. Switch the resistance of.
【００１４】また、この発明にかかる実施例８の可変減
衰器はＦＥＴと抵抗の直列接続対をインダクタとＭＩＭ
キャパシタによるハイパスフィルタまたはローパスフィ
ルタに対して並列に接続し、ＦＥＴを用いて抵抗分圧用
の抵抗を切り替える。In the variable attenuator of the eighth embodiment according to the present invention, a series connection pair of FET and resistor is connected to an inductor and MIM.
It is connected in parallel with a high-pass filter or a low-pass filter by a capacitor, and a resistance dividing resistor is switched using an FET.
【００１５】また、この発明にかかる実施例９の可変減
衰器はＦＥＴと抵抗の直列接続対をインダクタとインタ
ーデジタルキャパシタによるハイパスフィルタまたはロ
ーパスフィルタに対して並列に接続し、ＦＥＴを用いて
抵抗分圧用の抵抗を切り替える。In the variable attenuator of the ninth embodiment according to the present invention, a series connection pair of an FET and a resistor is connected in parallel to a high-pass filter or a low-pass filter including an inductor and an interdigital capacitor, and the FET is used to divide the resistance. Switch pressure resistor.
【００１６】また、この発明にかかる実施例１０の可変
減衰器は前記減衰器に用いるＦＥＴと抵抗の直列接続対
による分圧回路を、半導体の同一基板上で構成する。Further, in the variable attenuator of the tenth embodiment according to the present invention, a voltage dividing circuit by a series connection pair of FET and resistor used in the attenuator is formed on the same semiconductor substrate.
【００１７】[0017]
【作用】この発明にかかる実施例１から９の可変減衰器
は、減衰器に用いる抵抗分圧回路をＦＥＴを用いてデジ
タル制御することにより、減衰量を変化させることので
きる可変減衰器が得られる。According to the variable attenuator of the first to ninth embodiments of the present invention, the variable voltage attenuator capable of changing the attenuation amount is obtained by digitally controlling the resistance voltage dividing circuit used in the attenuator by using the FET. To be
【００１８】また、この発明にかかる実施例１０の可変
減衰器は前記実施例１から９の減衰器を同一の半導体基
板上で一体化して構成することで小型化する。Further, the variable attenuator of the tenth embodiment according to the present invention is miniaturized by integrating the attenuators of the first to ninth embodiments on the same semiconductor substrate.
【００１９】[0019]
実施例１．この発明にかかる実施例１を図に示す。図１
において、６は高周波信号を通し、使用周波数に対し１
／４波長の電気長を持った主線路、７は主線路６の一端
にドレインが接続され、かつソースが直流的に接地され
た第３のＦＥＴ、８は一端が第３のＦＥＴ７のソースに
接続され、他端が接地された第４の抵抗、９は主線路６
の一端にドレインが接続され、かつソースが直流的に接
地された第４のＦＥＴ、１０は一端が第４のＦＥＴ９の
ソースに接続され、かつ他端が接地された第５の抵抗、
１１は主線路６の他端にドレインが接続され、かつソー
スが直流的に接地された第５のＦＥＴ、１２は一端が第
５のＦＥＴ１１のソースに接続され、かつ他端が接地さ
れた第６の抵抗、１３は主線路６の他端にドレインが接
続され、かつソースが直流的に接地された第６のＦＥ
Ｔ、１４は一端が第６のＦＥＴ１３のソースに接続さ
れ、かつ他端が接地された第７の抵抗である。Example 1. The first embodiment according to the present invention is shown in the drawing. Figure 1
In 6, the high frequency signal is passed, and 1 is
A main line having an electrical length of / 4 wavelength, 7 is a third FET whose drain is connected to one end of the main line 6, and whose source is grounded in terms of direct current. 8 is one end being the source of the third FET 7. A fourth resistor 9 connected to the other end of which is grounded, and 9 is the main line 6
A fourth FET 10 whose drain is connected to one end of which and whose source is grounded in a direct current manner, has a fifth resistor 10 whose one end is connected to the source of the fourth FET 9 and whose other end is grounded,
Reference numeral 11 is a fifth FET whose drain is connected to the other end of the main line 6 and whose source is grounded in a direct current manner. 12 is a fifth FET whose one end is connected to the source of the fifth FET 11 and whose other end is grounded. A sixth FE having a resistor 6 and a drain 13 connected to the other end of the main line 6 and a source grounded in a direct current manner.
T and 14 are seventh resistors having one end connected to the source of the sixth FET 13 and the other end grounded.
【００２０】次に動作について説明する。第４から第７
までの抵抗は主線路６のインピーダンスを変化させるた
めの素子として働く。抵抗の切換は抵抗に直列接続され
たＦＥＴのオン、オフにより行われる。抵抗を切り替え
ることにより主線路６のインピーダンスを変化させ、イ
ンピーダンスの変化で減衰量を変化させ、可変減衰器と
して動作させる。まず第３から第６までのすべてのＦＥ
Ｔをオフにすると主線路６を流れる信号はそのまま通過
する。次に第３のＦＥＴ７と第５のＦＥＴ１１を同時に
オンし、他のＦＥＴを同時にオフすると、主線路６を流
れる信号は、一部が第４の抵抗８と第６の抵抗１２に吸
収され、減衰される。このとき第３のＦＥＴ７と第５の
ＦＥＴ１１は１／４波長離れた位置に設けられているた
め、第４の抵抗８と第６の抵抗１２間では主線路６を流
れる信号１／４波長位相変化する。従って、第４の抵抗
８で反射された信号は第６の抵抗１２により更に反射さ
れ、１／２波長進んだ状態つまり反転されて戻ってく
る。このため、信号は互いに打消しあい、ＶＳＷＲの悪
化が緩和される。次に第４のＦＥＴ９と第６のＦＥＴ１
３を同時にオンし、他のＦＥＴを同時にオフすると、主
線路６を流れる信号は、前記の第４の抵抗８と第６の抵
抗１２に吸収される量とは異なる量だけ第５の抵抗１０
と第７の抵抗１４に吸収され、異なる量減衰される。ま
たさらにすべてのＦＥＴをオンすると、上記の２つの減
衰量とは異なる量減衰される。このように、第３から第
６までのＦＥＴをオン、オフすることで、主線路６にか
かる電圧を分圧するための抵抗を変化させ、この結果、
回路を通過する信号の減衰量を変化させることが可能に
なる。Next, the operation will be described. 4th to 7th
The resistors up to act as elements for changing the impedance of the main line 6. Switching of the resistance is performed by turning on / off the FET connected in series to the resistance. The impedance of the main line 6 is changed by switching the resistance, and the attenuation amount is changed by the change of the impedance to operate as a variable attenuator. First, all FE from the third to the sixth
When T is turned off, the signal flowing through the main line 6 passes as it is. Next, when the third FET 7 and the fifth FET 11 are turned on at the same time and the other FETs are turned off at the same time, a part of the signal flowing through the main line 6 is absorbed by the fourth resistor 8 and the sixth resistor 12, Attenuated. At this time, since the third FET 7 and the fifth FET 11 are provided at positions separated by ¼ wavelength, the signal ¼ wavelength phase flowing through the main line 6 between the fourth resistor 8 and the sixth resistor 12 Change. Therefore, the signal reflected by the fourth resistor 8 is further reflected by the sixth resistor 12, and is returned by being advanced by 1/2 wavelength, that is, inverted. Therefore, the signals cancel each other out, and the deterioration of VSWR is alleviated. Next, the fourth FET 9 and the sixth FET 1
When 3 is turned on at the same time and the other FETs are turned off at the same time, the signal flowing through the main line 6 differs from the amount absorbed by the fourth resistor 8 and the sixth resistor 12 in the fifth resistor 10 by the amount different from that absorbed by the fourth resistor 8 and the sixth resistor 12.
Is absorbed by the seventh resistor 14 and attenuated by a different amount. When all the FETs are turned on, the amount of attenuation is different from the above two amounts of attenuation. In this way, by turning on and off the third to sixth FETs, the resistance for dividing the voltage applied to the main line 6 is changed, and as a result,
It is possible to change the amount of attenuation of the signal passing through the circuit.
【００２１】実施例２．この発明の実施例２を図２に示
す。６，７，９，１１，１３は実施例１と同じ、１５は
一端が第３のＦＥＴ７のソースに接続された第８の抵
抗、１６は一端が第８の抵抗１５の他端に接続され他端
が開放され、使用周波数に対し１／４波長の電気長を持
った第１のオープンスタブ、１７は一端が第４のＦＥＴ
９のソースに接続された第９の抵抗、１８は一端が第９
の抵抗１７の他端に接続され他端が開放され使用周波数
に対し１／４波長の電気長を持った第２のオープンスタ
ブ、１９は一端が第５のＦＥＴ１１のソースに接続され
た第１０の抵抗、２０は一端が第１０の抵抗１９の他端
に接続され、他端が開放され使用周波数に対し１／４波
長の電気長を持った第３のオープンスタブ、２１は一端
が第６のＦＥＴ１３のソースに接続された第１１の抵
抗、２２は一端が第１１の抵抗２１の他端に接続され他
端が開放され、使用周波数に対し１／４波長の電気長を
持った第４のオープンスタブである。Example 2. Embodiment 2 of the present invention is shown in FIG. 6, 7, 9, 11, and 13 are the same as those in the first embodiment, 15 is an eighth resistor whose one end is connected to the source of the third FET 7, and 16 is one end connected to the other end of the eighth resistor 15. The other end is open, and the first open stub has an electrical length of 1/4 wavelength with respect to the used frequency, and 17 is the fourth FET at one end.
Ninth resistor connected to the source of 9
Second open stub connected to the other end of the resistor 17 and open at the other end and having an electrical length of 1/4 wavelength with respect to the used frequency, and the tenth one end of the 19 is connected to the source of the fifth FET 11. Resistance, 20 is a third open stub having one end connected to the other end of the tenth resistor 19, the other end being open and having an electrical length of ¼ wavelength of the operating frequency, and 21 is the sixth end. The eleventh resistor 22 connected to the source of the FET 13 has a first end connected to the other end of the eleventh resistor 21 and the other end opened, and a fourth resistor 22 having an electrical length of 1/4 wavelength with respect to the used frequency. It is an open stub.
【００２２】次に動作について説明する。第１から第４
のオープンスタブは使用周波数に対し１／４波長の電気
長を持っているため、抵抗からオープンスタブへと入力
された信号はオープンスタブの開放端で反射され、１／
２波長進んだ状態つまり反転されて戻ってくる。このた
め、入力された信号は反転されて戻ってきた信号と打消
しあう。つまり抵抗に接続されたオープンスタブは抵抗
との接続部において、交流的に接地として働く。したが
って、使用周波数では実施例１と等価な回路となり、実
施例１と同じ動作をする。Next, the operation will be described. 1st to 4th
Since the open stub has an electrical length of 1/4 wavelength with respect to the used frequency, the signal input from the resistor to the open stub is reflected at the open end of the open stub,
Two wavelengths advanced, that is, inverted and returned. Therefore, the input signal is inverted and cancels out with the returned signal. That is, the open stub connected to the resistor acts as an AC ground at the connection with the resistor. Therefore, at the used frequency, the circuit is equivalent to that of the first embodiment, and operates in the same manner as the first embodiment.
【００２３】実施例３．この発明の実施例３を図３に示
す。７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４は実施
例１と同じ、２３は高周波を通す第１のインダクタ、２
４は一端が第１のインダクタ２３の他端に接続され、他
端が接地された第１のキャパシタ、２５は一端が第１の
インダクタ２３と第１のキャパシタ２４の接続部に接続
された第２のインダクタである。Example 3. Embodiment 3 of the present invention is shown in FIG. 7,8,9,10,11,12,13,14 are the same as in the first embodiment, 23 is a first inductor for passing a high frequency, 2
4 is a first capacitor whose one end is connected to the other end of the first inductor 23 and whose other end is grounded, and 25 is a first capacitor whose one end is connected to the connecting portion of the first inductor 23 and the first capacitor 24. 2 inductors.
【００２４】次に動作について説明する。第１のインダ
クタ２３、第１のキャパシタ２４、および第２のインダ
クタ２５はＴ形ローパスフィルタを構成しており、使用
周波数におけるインピーダンスを特性インピーダンスと
することが可能である。また更に、このローパスフィル
タに入力された信号の位相を１／４波長遅らせて出力さ
せることも可能である。従って、このローパスフィルタ
に入力された信号を使用周波数で１／４波長位相変化さ
せて出力させることが可能となる。つまり、使用周波数
で実施例１の主回路６と等価な回路となり、実施例１と
同じ動作をする。ちなみに、使用周波数ｆで１／４波長
位相となる定数は、使用周波数をｆ、第１のインダクタ
２３及び第２のインダクタ２５のインダクタの値をＬ、
第１のキャパシタ２４の容量をＣとするとＬ，Ｃの値は
数２で表わされる。Next, the operation will be described. The first inductor 23, the first capacitor 24, and the second inductor 25 form a T-type low-pass filter, and the impedance at the operating frequency can be used as the characteristic impedance. Furthermore, it is also possible to delay the phase of the signal input to this low-pass filter by 1/4 wavelength and output it. Therefore, it is possible to change the phase of the signal input to the low-pass filter by 1/4 wavelength at the used frequency and output the signal. That is, the circuit becomes equivalent to the main circuit 6 of the first embodiment at the used frequency, and the same operation as that of the first embodiment is performed. By the way, the constant that becomes the quarter wavelength phase at the used frequency f is the used frequency f, the inductor values of the first inductor 23 and the second inductor 25 are L,
Letting the capacitance of the first capacitor 24 be C, the values of L and C are expressed by equation 2.
【００２５】[0025]
【数２】 [Equation 2]
【００２６】実施例４．この発明の実施例４を図４に示
す。７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４は実施
例１と同じ、２６は高周波を通す第２のキャパシタ、２
７は一端が第２のキャパシタ２６の他端に接続され、他
端が接地された第３のインダクタ、２８は一端が第２の
キャパシタ２６と第３のインダクタ２７の接続部に接続
された第３のキャパシタである。Example 4. Embodiment 4 of the present invention is shown in FIG. 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14 are the same as those in the first embodiment, 26 is a second capacitor for passing a high frequency, 2
7 is a third inductor whose one end is connected to the other end of the second capacitor 26 and whose other end is grounded, and 28 is a third inductor whose one end is connected to the connecting portion of the second capacitor 26 and the third inductor 27. 3 capacitors.
【００２７】次に動作について説明する。第２のキャパ
シタ２６、第３のインダクタ２７、および第３のキャパ
シタ２８はＴ形ハイパスフィルタを構成しており、使用
周波数におけるインピーダンスを特性インピーダンスと
することが可能である。また更に、このハイパスフィル
タに入力された信号の位相を１／４波長進ませて出力さ
せることも可能である。従って、このハイパスフィルタ
に入力された信号を使用周波数で１／４波長位相変化さ
せて出力させることが可能となる。つまり、使用周波数
で実施例１の主線路６と等価な回路となり、実施例１と
同じ動作をする。ちなみに、使用周波数ｆで１／４波長
位相となる定数は、使用周波数をｆ、第３のインダクタ
２７のインダクタンス値をＬ、第２のキャパシタ２６お
よび第３のキャパシタ２８の容量をＣとするとＬ，Ｃの
値は数３で表わされる。Next, the operation will be described. The second capacitor 26, the third inductor 27, and the third capacitor 28 form a T-type high-pass filter, and the impedance at the used frequency can be the characteristic impedance. Furthermore, it is also possible to advance the phase of the signal input to this high-pass filter by ¼ wavelength and output it. Therefore, it is possible to change the phase of the signal input to the high-pass filter by 1/4 wavelength at the used frequency and output it. That is, the circuit becomes equivalent to the main line 6 of the first embodiment at the used frequency, and the same operation as that of the first embodiment is performed. By the way, the constant which becomes a quarter wavelength phase at the used frequency f is L when the used frequency is f, the inductance value of the third inductor 27 is L, and the capacitances of the second capacitor 26 and the third capacitor 28 are C. , C are expressed by Equation 3.
【００２８】[0028]
【数３】 [Equation 3]
【００２９】実施例５．この発明の実施例５を図５に示
す。７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４は実施
例１と同じ、２９は高周波を通す第４のインダクタ、３
０は一端が第４のインダクタ２９の一端に接続され、他
端が接地された第４のキャパシタ、３１は一端が第４の
インダクタ２９の他端に接続され、他端が接地された第
５のキャパシタである。Example 5. Embodiment 5 of the present invention is shown in FIG. 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14 are the same as those in the first embodiment, 29 is a fourth inductor for passing a high frequency, 3
0 is a fourth capacitor whose one end is connected to one end of the fourth inductor 29 and whose other end is grounded. 31 is a fifth capacitor whose one end is connected to the other end of the fourth inductor 29 and whose other end is grounded. Is the capacitor.
【００３０】次に動作について説明する。第４のインダ
クタ２９、第４のキャパシタ３０および第５のキャパシ
タ３１はパイ形ローパスフィルタを構成しており、使用
周波数におけるインピーダンスを特性インピーダンスと
することが可能である。また更に、このローパスフィル
タに入力された信号の位相を１／４波長遅らせて出力さ
せることも可能である。従って、このローパスフィルタ
に入力された信号を使用周波数で１／４波長位相変化さ
せて出力させることが可能となる。つまり、使用周波数
で実施例１の主線路６と等価な回路となり、実施例１と
同じ動作をする。ちなみに、使用周波数ｆで１／４波長
位相となる定数は、使用周波数をｆ、第４のインダクタ
２９のインダクタンス値をＬ、第４のキャパシタ３０お
よび第５のキャパシタ３１の容量をＣとするとＬ，Ｃの
値は数４で表わされる。Next, the operation will be described. The fourth inductor 29, the fourth capacitor 30, and the fifth capacitor 31 form a pie-type low-pass filter, and the impedance at the used frequency can be the characteristic impedance. Furthermore, it is also possible to delay the phase of the signal input to this low-pass filter by 1/4 wavelength and output it. Therefore, it is possible to change the phase of the signal input to the low-pass filter by 1/4 wavelength at the used frequency and output the signal. That is, the circuit becomes equivalent to the main line 6 of the first embodiment at the used frequency, and the same operation as that of the first embodiment is performed. By the way, the constant which becomes a quarter wavelength phase at the used frequency f is L when the used frequency is f, the inductance value of the fourth inductor 29 is L, and the capacitances of the fourth capacitor 30 and the fifth capacitor 31 are C. , C are expressed by equation 4.
【００３１】[0031]
【数４】 [Equation 4]
【００３２】実施例６．この発明の実施例６を図６に示
す。７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４は実施
例１と同じ、３２は高周波を通す第６のキャパシタ、３
３は一端が第６のキャパシタ３２の一端に接続され、他
端が接地された第５のインダクタ、３４は一端が第６の
キャパシタ３２の他端に接続され、他端が接地された第
６のインダクタである。Example 6. Embodiment 6 of the present invention is shown in FIG. 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14 are the same as those in the first embodiment, 32 is a sixth capacitor for passing a high frequency, 3
A fifth inductor 3 has one end connected to one end of the sixth capacitor 32 and the other end grounded, and a fourth inductor 34 has one end connected to the other end of the sixth capacitor 32 and the other end grounded. Is an inductor of.
【００３３】次に動作について説明する。第６のキャパ
シタ３２、第５のインダクタ３３および第６のインダク
タ３４はパイ形ローパスフィルタを構成しており、使用
周波数におけるインピーダンスを特性インピーダンスと
することが可能である。また更に、このハイパスフィル
タに入力された信号の位相を１／４波長進ませて出力さ
せることも可能である。従って、このハイパスフィルタ
に入力された信号を使用周波数で１／４波長位相変化さ
せて出力させることが可能となる。つまり、使用周波数
で実施例１の主線路６と等価な回路となり、実施例１と
同じ動作をする。ちなみに、使用周波数ｆで１／４波長
位相となる定数は、使用周波数をｆ、第５のインダクタ
３３および第６のインダクタ３４のインダクタンス値を
Ｌ、第６のキャパシタ３２の容量をＣとするとＬ，Ｃの
値は数５で表わされる。Next, the operation will be described. The sixth capacitor 32, the fifth inductor 33, and the sixth inductor 34 form a pie-type low-pass filter, and the impedance at the used frequency can be the characteristic impedance. Furthermore, it is also possible to advance the phase of the signal input to this high-pass filter by ¼ wavelength and output it. Therefore, it is possible to change the phase of the signal input to the high-pass filter by 1/4 wavelength at the used frequency and output it. That is, the circuit becomes equivalent to the main line 6 of the first embodiment at the used frequency, and the same operation as that of the first embodiment is performed. By the way, the constant which becomes a quarter wavelength phase at the operating frequency f is L when the operating frequency is f, the inductance value of the fifth inductor 33 and the sixth inductor 34 is L, and the capacitance of the sixth capacitor 32 is C. , C are expressed by equation 5.
【００３４】[0034]
【数５】 [Equation 5]
【００３５】実施例７．この発明の実施例７を図７に示
す。７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，２４
は実施例３と同じ、３５は高周波を通す第１のスパイラ
ルインダクタ、３６は一端が第１のスパイラルインダク
タ３５と第１のキャパシタ２４との接続部に接続された
第２のスパイラルインダクタである。Example 7. Embodiment 7 of the present invention is shown in FIG. 7,8,9,10,11,12,13,14,24
Is the same as that of the third embodiment, 35 is a first spiral inductor that allows high frequencies to pass therethrough, and 36 is a second spiral inductor whose one end is connected to the connection portion between the first spiral inductor 35 and the first capacitor 24.
【００３６】次に動作を説明する。第１のスパイラルイ
ンダクタ３５、第１のキャパシタ２４および第２のスパ
イラルインダクタ３６はＴ形ローパスフィルタを構成し
ており、使用周波数におけるインピーダンスを特性イン
ピーダンスとすることが可能である。また更に、このロ
ーパスフィルタに入力された信号の位相を１／４波長遅
らせて出力させることも可能である。従って、このロー
パスフィルタに入力された信号を使用周波数で１／４波
長位相変化させて出力させることが可能となる。つま
り、使用周波数で実施例１の主線路６と等価な回路とな
り、実施例１と同じ動作をする。ちなみに、使用周波数
ｆで１／４波長位相となる定数は、使用周波数をｆ、第
１のスパイラルインダクタ３５および第２のスパイラル
インダクタ３６のインダクタンス値をＬ、第１のキャパ
シタ２４の容量をＣとするとＬ，Ｃの値は前記数２で表
わされる。Next, the operation will be described. The first spiral inductor 35, the first capacitor 24, and the second spiral inductor 36 form a T-type low-pass filter, and the impedance at the used frequency can be used as the characteristic impedance. Furthermore, it is also possible to delay the phase of the signal input to this low-pass filter by 1/4 wavelength and output it. Therefore, it is possible to change the phase of the signal input to the low-pass filter by 1/4 wavelength at the used frequency and output the signal. That is, the circuit becomes equivalent to the main line 6 of the first embodiment at the used frequency, and the same operation as that of the first embodiment is performed. By the way, the constant which becomes a quarter wavelength phase at the operating frequency f is the operating frequency f, the inductance value of the first spiral inductor 35 and the second spiral inductor 36 is L, and the capacitance of the first capacitor 24 is C. Then, the values of L and C are expressed by the above-mentioned equation 2.
【００３７】実施例８．この発明の実施例８を図８に示
す。７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，２
３，２５は実施例３と同じ、３７は一端が第１のインダ
クタ２３の他端に接続され、他端が接地された第１のＭ
ＩＭキャパシタである。Example 8. Embodiment 8 of the present invention is shown in FIG. 7,8,9,10,11,12,13,14,2
Reference numerals 3 and 25 are the same as those in the third embodiment. Reference numeral 37 is a first M having one end connected to the other end of the first inductor 23 and the other end grounded.
The IM capacitor.
【００３８】次に動作を説明する。第１のインダクタ２
３、第１のＭＩＭキャパシタ３７および第２のインダク
タ２５はＴ形ローパスフィルタを構成しており、使用周
波数におけるインピーダンスを特性インピーダンスとす
ることが可能である。また更に、このローパスフィルタ
に入力された信号の位相を１／４波長遅らせて出力させ
ることも可能である。従って、このローパスフィルタに
入力された信号を使用周波数で１／４波長位相変化させ
て出力させることが可能となる。つまり、使用周波数で
実施例１の主線路６と等価な回路となり、実施例１と同
じ動作をする。ちなみに、使用周波数ｆで１／４波長位
相となる定数は、使用周波数をｆ、第１のインダクタ２
３および第２のインダクタ２５のインダクタンス値を
Ｌ、第１のＭＩＭキャパシタ３７の容量をＣとすると
Ｌ，Ｃの値は前記数２で表わされる。Next, the operation will be described. First inductor 2
3, the first MIM capacitor 37 and the second inductor 25 constitute a T-type low pass filter, and the impedance at the used frequency can be used as the characteristic impedance. Furthermore, it is also possible to delay the phase of the signal input to this low-pass filter by 1/4 wavelength and output it. Therefore, it is possible to change the phase of the signal input to the low-pass filter by 1/4 wavelength at the used frequency and output the signal. That is, the circuit becomes equivalent to the main line 6 of the first embodiment at the used frequency, and the same operation as that of the first embodiment is performed. By the way, the constant which becomes the quarter wavelength phase at the used frequency f is the used frequency f, the first inductor 2
When the inductance values of the third and second inductors 25 are L and the capacitance of the first MIM capacitor 37 is C, the values of L and C are expressed by the above mathematical expression 2.
【００３９】実施例９．この発明の実施例９を図９に示
す。７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，２
３，２５は実施例３と同じ、３８は一端が第１のインダ
クタ２３の他端に接続され他端が接地された第１のイン
ターデジタルキャパシタである。Example 9. Embodiment 9 of the present invention is shown in FIG. 7,8,9,10,11,12,13,14,2
Reference numerals 3 and 25 are the same as those in the third embodiment, and 38 is a first interdigital capacitor having one end connected to the other end of the first inductor 23 and the other end grounded.
【００４０】次に動作を説明する。第１のインダクタ２
３、第１のインターデジタルキャパシタ３８および第２
のインダクタ２５はＴ形ローパスフィルタを構成してお
り、使用周波数におけるインピーダンスを特性インピー
ダンスとすることが可能である。また更に、このローパ
スフィルタに入力された信号の位相を１／４波長遅らせ
て出力させることも可能である。従って、このローパス
フィルタに入力された信号を使用周波数で１／４波長位
相変化させて出力させることが可能となる。つまり、使
用周波数で実施例１の主線路６と等価な回路となり、実
施例１と同じ動作をする。ちなみに、使用周波数ｆで１
／４波長位相となる定数は、使用周波数をｆ、第１のイ
ンダクタ２３および第２のインダクタ２５のインダクタ
ンス値をＬ、第１のインターデジタルキャパシタ３８の
容量をＣとするとＬ，Ｃの値は前記数２で表わされる。Next, the operation will be described. First inductor 2
3, the first interdigital capacitor 38 and the second
The inductor 25 constitutes a T-type low-pass filter, and the impedance at the used frequency can be used as the characteristic impedance. Furthermore, it is also possible to delay the phase of the signal input to this low-pass filter by 1/4 wavelength and output it. Therefore, it is possible to change the phase of the signal input to the low-pass filter by 1/4 wavelength at the used frequency and output the signal. That is, the circuit becomes equivalent to the main line 6 of the first embodiment at the used frequency, and the same operation as that of the first embodiment is performed. By the way, at the used frequency f is 1
Assuming that the frequency used is f, the inductance value of the first inductor 23 and the second inductor 25 is L, and the capacitance of the first interdigital capacitor 38 is C, the constants of the / 4 wavelength phase are L and C. It is expressed by the above equation 2.
【００４１】実施例１０．図１０にこの発明にかかる減
衰器の第１０の実施例を示す。３９は半導体（たとえば
ガリウムヒ素）を用いた基板、４０は基板３９の裏面で
接地されたスルーホールである。７から１４は実施例１
から９で示した回路素子と同じ動作をする回路素子であ
り、基板３９上に半導体プロセス技術を用いて作り込ん
である。実施例１から９で示した回路を、このように一
体化して構成することで小型化をはかることが可能とな
る。Example 10. FIG. 10 shows a tenth embodiment of the attenuator according to the present invention. 39 is a substrate using a semiconductor (for example, gallium arsenide), and 40 is a through hole which is grounded on the back surface of the substrate 39. 7 to 14 are the first embodiment
9 to 9 are circuit elements that operate in the same manner as the circuit elements 9 to 9, and are formed on the substrate 39 by using a semiconductor process technique. By integrating the circuits shown in the first to ninth embodiments in this manner, it is possible to reduce the size.
【００４２】[0042]
【発明の効果】この発明にかかる実施例１の可変減衰器
は、ＦＥＴと抵抗の直列接続対を主線路に対して並列に
接続し、ＦＥＴを用いて抵抗分圧に使用する抵抗を切り
替えることで減衰量を変化させ、デジタル制御の減衰器
を得、小型化するものである。In the variable attenuator of the first embodiment according to the present invention, the series connection pair of the FET and the resistor is connected in parallel to the main line, and the resistor used for the resistance voltage dividing is switched by using the FET. The amount of attenuation is changed with to obtain a digitally controlled attenuator, which is downsized.
【００４３】また、この発明にかかる実施例２の可変減
衰器は、ＦＥＴと抵抗とオープンスタブの直列接続対を
主線路に対して並列に接続し、ＦＥＴを用いて抵抗分圧
に使用する抵抗を切り替えることで減衰量を変化させ、
デジタル制御の減衰器を得、小型化するものである。In the variable attenuator of the second embodiment according to the present invention, a series connection pair of an FET, a resistor and an open stub is connected in parallel to the main line, and a resistor used for resistance voltage division using the FET. Change the attenuation by switching
This is to obtain a digitally controlled attenuator and downsize it.
【００４４】また、この発明にかかる実施例３の可変減
衰器は、主線路としてインダクタとキャパシタによるＴ
型ローパスフィルタを用いることで小型化するものであ
る。Further, the variable attenuator of the third embodiment according to the present invention has a T formed by an inductor and a capacitor as a main line.
The size is reduced by using a low-pass filter.
【００４５】また、この発明にかかる実施例４の可変減
衰器は、主線路としてインダクタとキャパシタによるＴ
型ハイパスフィルタを用いることで小型化するものであ
る。Further, the variable attenuator of the fourth embodiment according to the present invention uses a T-type inductor and a capacitor as a main line.
The size is reduced by using a high-pass filter.
【００４６】また、この発明にかかる実施例５の可変減
衰器は、主線路としてインダクタとキャパシタによるパ
イ型ローパスフィルタを用いることで小型化するもので
ある。The variable attenuator of the fifth embodiment according to the present invention is miniaturized by using a pie type low-pass filter including an inductor and a capacitor as a main line.
【００４７】また、この発明にかかる実施例６の可変減
衰器は、主線路としてインダクタとキャパシタによるパ
イ型ハイパスフィルタを用いることで小型化するもので
ある。The variable attenuator of the sixth embodiment according to the present invention is miniaturized by using a pie type high-pass filter including an inductor and a capacitor as a main line.
【００４８】また、この発明にかかる実施例７の可変減
衰器は、インダクタとしてスパイラルインダクタを用い
ることで小型化するものである。The variable attenuator of the seventh embodiment according to the present invention is miniaturized by using a spiral inductor as the inductor.
【００４９】また、この発明にかかる実施例８の可変減
衰器は、キャパシタとしてＭＩＭキャパシタを用いるこ
とで小型化するものである。The variable attenuator of the eighth embodiment according to the present invention is miniaturized by using the MIM capacitor as the capacitor.
【００５０】また、この発明にかかる実施例９の可変減
衰器は、キャパシタとしてインターデジタルキャパシタ
を用いることで小型化するものである。The variable attenuator of the ninth embodiment according to the present invention is downsized by using an interdigital capacitor as the capacitor.
【００５１】また、この発明にかかる実施例１０の可変
減衰器は実施例１から９の可変減衰器を半導体基板上に
一体化することで回路の小型化をはかるものである。The variable attenuator of the tenth embodiment according to the present invention is intended to reduce the circuit size by integrating the variable attenuators of the first to ninth embodiments on a semiconductor substrate.
【図１】この発明の実施例１を示す第１の図である。FIG. 1 is a first diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の実施例２を示す第２の図である。FIG. 2 is a second diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図３】この発明の実施例３を示す第３の図である。FIG. 3 is a third diagram showing the third embodiment of the present invention.
【図４】この発明の実施例４を示す第４の図である。FIG. 4 is a fourth diagram showing the fourth embodiment of the present invention.
【図５】この発明の実施例５を示す第５の図である。FIG. 5 is a fifth diagram showing a fifth embodiment of the present invention.
【図６】この発明の実施例６を示す第６の図である。FIG. 6 is a sixth diagram showing a sixth embodiment of the present invention.
【図７】この発明の実施例７を示す第７の図である。FIG. 7 is a seventh diagram showing a seventh embodiment of the present invention.
【図８】この発明の実施例８を示す第８の図である。FIG. 8 is an eighth view showing the eighth embodiment of the present invention.
【図９】この発明の実施例９を示す第９の図である。FIG. 9 is a ninth view showing the ninth embodiment of the present invention.
【図１０】この発明の実施例１０を示す第１０の図であ
る。FIG. 10 is a tenth view showing the tenth embodiment of the present invention.
【図１１】従来の実施例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a conventional example.
１ 第１のＦＥＴ ２ 第２のＦＥＴ ３ 第１の抵抗 ４ 第２の抵抗 ５ 第３の抵抗 ６ 主線路 ７ 第３のＦＥＴ ８ 第４の抵抗 ９ 第４のＦＥＴ １０ 第５の抵抗 １１ 第５のＦＥＴ １２ 第６の抵抗 １３ 第６のＦＥＴ １４ 第７の抵抗 １５ 第８の抵抗 １６ 第１のオープンスタブ １７ 第９の抵抗 １８ 第２のオープンスタブ １９ 第１０の抵抗 ２０ 第３のオープンスタブ ２１ 第１１の抵抗 ２２ 第４のオープンスタブ ２３ 第１のインダクタ ２４ 第１のキャパシタ ２５ 第２のインダクタ ２６ 第２のキャパシタ ２７ 第３のインダクタ ２８ 第３のキャパシタ ２９ 第４のインダクタ ３０ 第４のキャパシタ ３１ 第５のキャパシタ ３２ 第６のキャパシタ ３３ 第５のインダクタ ３４ 第６のインダクタ ３５ 第１のスパイラルインダクタ ３６ 第２のスパイラルインダクタ ３７ 第１のＭＩＭキャパシタ ３８ 第１のインターデジタルキャパシタ ３９ 基板 ４０ スルーホール 1 1st FET 2 2nd FET 3 1st resistance 4 2nd resistance 5 3rd resistance 6 Main line 7 3rd FET 8 4th resistance 9 4th FET 10 5th resistance 11th 5 FET 12 6th resistance 13 6th FET 14 7th resistance 15 8th resistance 16 1st open stub 17 9th resistance 18 2nd open stub 19 10th resistance 20 3rd open Stub 21 Eleventh Resistance 22 Fourth Open Stub 23 First Inductor 24 First Capacitor 25 Second Inductor 26 Second Capacitor 27 Third Inductor 28 Third Capacitor 29 Fourth Inductor 30 Fourth Capacitor 31 Fifth Capacitor 32 Sixth Capacitor 33 Fifth Inductor 34 Sixth Inductor 35 First Spiral Inductor 36 Of the spiral inductor 37 first MIM capacitor 38 first interdigital capacitor 39 substrate 40 through holes
Claims (9)
／４波長の電気長を持った主線路と、主線路の一端にド
レインが接続された第１のＦＥＴと、一端が第１のＦＥ
Ｔのソースに接続され、かつ他端が接地された第１の抵
抗と、上記主線路の第１のＦＥＴのドレインが接続され
ている一端にドレインが接続された第２のＦＥＴと、一
端が第２のＦＥＴのソースに接続され、かつ他端が接地
された第２の抵抗と、上記主線路の他端にドレインが接
続された第３のＦＥＴと、一端が第３のＦＥＴのソース
に接続され他端が接地され、かつ第１の抵抗と同じ抵抗
値を持った第３の抵抗と、上記主線路の第３のＦＥＴが
接続されている一端にドレインが接続された第４のＦＥ
Ｔと、一端が第４のＦＥＴのソースに接続され他端が接
地され、かつ第２の抵抗と同じ抵抗値を持った第４の抵
抗とで構成され、上記主線路の一端を入力端子、他端を
出力端子としたことを特徴とする可変減衰器。1. A high frequency signal is passed, and 1 for the frequency used.
A main line having an electrical length of / 4 wavelength, a first FET having a drain connected to one end of the main line, and a first FE at one end.
A first resistor connected to the source of T and having the other end grounded; a second FET having a drain connected to one end of the main line connected to the drain of the first FET; A second resistor connected to the source of the second FET and the other end of which is grounded, a third FET whose drain is connected to the other end of the main line, and one end of which is the source of the third FET. A fourth FE in which a drain is connected to one end of the main line to which the third FET is connected and which is connected to the other end and is grounded and which has the same resistance value as the first resistor
T and a fourth resistor having one end connected to the source of the fourth FET and the other end grounded and having the same resistance value as the second resistor. One end of the main line is an input terminal, A variable attenuator having the other end as an output terminal.
／４波長の電気長を持った主線路と、上記主線路の一端
にドレインが接続された第１のＦＥＴと、一端が第１の
ＦＥＴのソースに接続された第１の抵抗と、一端が第１
の抵抗の他端に接続され他端が開放され、かつ使用周波
数の１／４波長の電気長をもった第１のオープンスタブ
と、上記主線路の第１のＦＥＴのドレインが接続されて
いる一端にドレインが接続された第２のＦＥＴと、一端
が第２のＦＥＴのソースに接続された第２の抵抗と、一
端が第２の抵抗の他端に接続され他端が開放され、かつ
使用周波数の１／４波長の電気長をもった第２のオープ
ンスタブと、上記主線路の第１及び第２のＦＥＴが接続
されている一端の他端にドレインが接続された第３のＦ
ＥＴと、一端が第３のＦＥＴのソースに接続され、かつ
第１の抵抗と同じ抵抗値を持った第３の抵抗と、一端が
第３の抵抗に接続され他端が開放され、かつ使用周波数
の１／４波長の電気長をもった第３のオープンスタブ
と、上記主線路の第３のＦＥＴの接続されている一端に
ドレインが接続された第４のＦＥＴと、一端が第４のＦ
ＥＴのソースに接続され、かつ第２の抵抗と同じ抵抗値
を持った第４の抵抗と、一端が第４の抵抗の他端に接続
され、他端が開放されかつ使用周波数の１／４波長の電
気長をもった第４のオープンスタブとで構成され、上記
主線路の一端を入力端子、他端を出力端子としたことを
特徴とする可変減衰器。2. A high frequency signal is passed, and 1 is applied to the used frequency.
A main line having an electrical length of / 4 wavelength, a first FET having a drain connected to one end of the main line, a first resistor having one end connected to the source of the first FET, and one end First
Is connected to the other end of the resistor and the other end is opened, and the first open stub having an electrical length of ¼ wavelength of the used frequency is connected to the drain of the first FET of the main line. A second FET having a drain connected to one end, a second resistor having one end connected to the source of the second FET, one end connected to the other end of the second resistor and the other end being open, and A second open stub having an electrical length of ¼ wavelength of the working frequency and a third F having a drain connected to the other end of the one end to which the first and second FETs of the main line are connected.
ET, a third resistor having one end connected to the source of the third FET and having the same resistance value as the first resistor, and one end connected to the third resistor and the other end open, and used A third open stub having an electrical length of ¼ wavelength of the frequency, a fourth FET having a drain connected to one end of the main line to which the third FET is connected, and one end of the fourth FET F
A fourth resistor connected to the source of ET and having the same resistance value as the second resistor, and one end connected to the other end of the fourth resistor and the other end open and 1/4 of the operating frequency. A variable attenuator comprising a fourth open stub having an electric length of a wavelength, wherein one end of the main line serves as an input terminal and the other end serves as an output terminal.
とする第１のインダクタと、一端が前記第１のインダク
タの他端に接続され、かつ他端が接地された第１のキャ
パシタと、一端が第１のインダクタと第１のキャパシタ
の接続部に接続され他端を出力端子とする第２のインダ
クタとで構成され、第１のインダクタの入力端子を入力
端子、第２のインダクタの出力端子を出力端子としたＴ
形ローパスフィルタを、主線路として用いたことを特徴
とする請求項１または２のいずれかに記載の可変減衰
器。3. A first inductor, through which a high-frequency signal is passed, one end of which serves as an input terminal thereof, and a first capacitor having one end connected to the other end of the first inductor and the other end grounded. One end is connected to the connection part of the first inductor and the second capacitor, and the other end is used as a second inductor, and the input terminal of the first inductor is the input terminal and the output of the second inductor is the output terminal of the second inductor. T with terminal as output terminal
3. A variable attenuator according to claim 1, wherein a low pass filter is used as a main line.
とする第１のキャパシタと、一端が第１のキャパシタの
他端に接続され、かつ他端が接地された第１のインダク
タと、一端をその出力端子とし他端が第１のインダクタ
と第１のキャパシタの接続部に接続された第２のキャパ
シタとで構成され、第１のキャパシタの入力端子を入力
端子、第２のキャパシタの出力端子を出力端子としたＴ
形ハイパスフィルタを、主線路として用いたことを特徴
とする請求項１または２のいずれかに記載の可変減衰
器。4. A first capacitor, through which a high frequency signal is passed, one end of which serves as an input terminal thereof, a first inductor whose one end is connected to the other end of the first capacitor and whose other end is grounded, and one end. As its output terminal, the other end of which is composed of a first inductor and a second capacitor connected to the connection portion of the first capacitor, and the input terminal of the first capacitor is the input terminal and the output of the second capacitor is T with terminal as output terminal
3. A variable attenuator according to claim 1, wherein a high pass filter is used as a main line.
とする第１のインダクタと、一端が第１のインダクタの
一端に接続され、かつ他端が接地された第１のキャパシ
タと、一端が第１のインダクタの他端に接続され、他端
が接地された第２のキャパシタとで構成され、第１のイ
ンダクタの両端を入出力端子としたパイ形ローパスフィ
ルタを、主線路として用いたことを特徴とする請求項１
または２のいずれかに記載の可変減衰器。5. A first inductor, through which a high-frequency signal is passed, one end of which serves as an input terminal thereof, a first capacitor having one end connected to one end of the first inductor and the other end grounded, and one end A pi-type low-pass filter having a second capacitor connected to the other end of the first inductor and grounded at the other end and having both ends of the first inductor as input / output terminals was used as a main line. Claim 1 characterized by the above-mentioned.
Or the variable attenuator according to any one of 2).
とする第１のキャパシタと、一端が第１のキャパシタの
一端に接続され、かつ他端が接地された第１のインダク
タと、一端が第１のキャパシタの他端に接続され、かつ
他端が接地された第２のインダクタとで構成され、第１
のキャパシタの両端を入出力端子としたパイ形ハイパス
フィルタを、主線路として用いたことを特徴とする請求
項１または２のいずれかに記載の可変減衰器。6. A first capacitor, through which a high-frequency signal is passed, having one end as an input terminal thereof, a first inductor having one end connected to one end of the first capacitor and the other end grounded, and one end A second inductor connected to the other end of the first capacitor and grounded at the other end;
The variable attenuator according to claim 1 or 2, wherein a pie-type high-pass filter having both ends of the capacitor (1) as input / output terminals is used as a main line.
タを用いたことを特徴とする請求項３，４，５，６のい
ずれかに記載の可変減衰器。7. The variable attenuator according to claim 3, wherein a spiral inductor is used as the inductor.
Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）キャパシタまたは
インターデジタルキャパシタを用いたことを特徴とする
請求項３，４，５，６のいずれかに記載の可変減衰器。8. A MIM (Metal) as a capacitor
The variable attenuator according to any one of claims 3, 4, 5 and 6, wherein an Insulator Metal) capacitor or an interdigital capacitor is used.
を半導体基板上に一体形成したことを特徴とする請求項
１，２，３，４，５，６，７，８のいずれかに記載の可
変減衰器。9. The structure according to claim 1, wherein the constituent circuit is integrally formed on a semiconductor substrate by grounding through a through hole. Variable attenuator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10294894A JPH07312508A (en) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | Variable attenuator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10294894A JPH07312508A (en) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | Variable attenuator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312508A true JPH07312508A (en) | 1995-11-28 |
Family
ID=14341048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10294894A Pending JPH07312508A (en) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | Variable attenuator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07312508A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6922115B2 (en) | 2002-12-19 | 2005-07-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Attenuator with switchable transistors for controlling attenuation |
| KR101881106B1 (en) * | 2017-02-06 | 2018-07-24 | 성균관대학교산학협력단 | Pi type attenuator |
| WO2020043500A1 (en) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | International Business Machines Corporation | Dispersive-resistive hybrid attenuator for quantum microwave circuits |
| US10885460B2 (en) | 2018-08-28 | 2021-01-05 | International Business Machines Corporation | Dispersive-resistive hybrid attenuator for quantum microwave circuits |
| US10886586B2 (en) | 2018-08-28 | 2021-01-05 | International Business Machines Corporation | Packaging and thermalization of cryogenic dispersive-resistive hybrid attenuators for quantum microwave circuits |
| EP4344060A1 (en) * | 2022-09-21 | 2024-03-27 | Nxp B.V. | Digital, inductive step attenuator with capacitive phase-gain compensation and incorporation into quarter-wave tx / rx switch |
-
1994
- 1994-05-17 JP JP10294894A patent/JPH07312508A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6922115B2 (en) | 2002-12-19 | 2005-07-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Attenuator with switchable transistors for controlling attenuation |
| KR101881106B1 (en) * | 2017-02-06 | 2018-07-24 | 성균관대학교산학협력단 | Pi type attenuator |
| WO2020043500A1 (en) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | International Business Machines Corporation | Dispersive-resistive hybrid attenuator for quantum microwave circuits |
| US10885460B2 (en) | 2018-08-28 | 2021-01-05 | International Business Machines Corporation | Dispersive-resistive hybrid attenuator for quantum microwave circuits |
| US10886586B2 (en) | 2018-08-28 | 2021-01-05 | International Business Machines Corporation | Packaging and thermalization of cryogenic dispersive-resistive hybrid attenuators for quantum microwave circuits |
| EP3844840B1 (en) * | 2018-08-28 | 2022-12-28 | International Business Machines Corporation | Packaging and thermalization of cryogenic dispersive-resistive hybrid attenuators for quantum microwave circuits |
| EP4344060A1 (en) * | 2022-09-21 | 2024-03-27 | Nxp B.V. | Digital, inductive step attenuator with capacitive phase-gain compensation and incorporation into quarter-wave tx / rx switch |
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