JPH07312452A - 半導体レーザ装置の駆動方法および装置 - Google Patents
半導体レーザ装置の駆動方法および装置Info
- Publication number
- JPH07312452A JPH07312452A JP7003613A JP361395A JPH07312452A JP H07312452 A JPH07312452 A JP H07312452A JP 7003613 A JP7003613 A JP 7003613A JP 361395 A JP361395 A JP 361395A JP H07312452 A JPH07312452 A JP H07312452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- semiconductor laser
- state
- power output
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06213—Amplitude modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、一定の光パワー出力を維持しなが
ら、半導体レーザ装置の高いスイッチング周波数を維持
するように第1と第2の状態間で半導体レーザ装置を駆
動する方法を提供することを目的とする。 【構成】 第1の状態を定める予め定められた光パワー
出力を生成するバイアス電流Ib1で半導体レーザ装置S
LD1 を駆動し、このバイアス電流Ib1と情報電流Im
の組合わせにより生成されるより高い電流で半導体レー
ザ装置SLD1 を駆動して第2の状態を定める別の予め
定められた光パワー出力を生成し、半導体レーザ装置S
LD1 と同一のスイッチング速度と電圧対電流端子特性
を有する電流シンクSLD2 に情報電流Im を切替えて
流すことにより第2の状態から第1の状態への転移を生
成し、情報電流Im を半導体レーザ装置に切替えて流す
ことにより第1の状態から第2の状態への転移を生成す
るステップを特徴とする。
ら、半導体レーザ装置の高いスイッチング周波数を維持
するように第1と第2の状態間で半導体レーザ装置を駆
動する方法を提供することを目的とする。 【構成】 第1の状態を定める予め定められた光パワー
出力を生成するバイアス電流Ib1で半導体レーザ装置S
LD1 を駆動し、このバイアス電流Ib1と情報電流Im
の組合わせにより生成されるより高い電流で半導体レー
ザ装置SLD1 を駆動して第2の状態を定める別の予め
定められた光パワー出力を生成し、半導体レーザ装置S
LD1 と同一のスイッチング速度と電圧対電流端子特性
を有する電流シンクSLD2 に情報電流Im を切替えて
流すことにより第2の状態から第1の状態への転移を生
成し、情報電流Im を半導体レーザ装置に切替えて流す
ことにより第1の状態から第2の状態への転移を生成す
るステップを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光信号発生用の半導体
レーザ装置を電流駆動する方法および装置に関し、特に
低いレーザパワー出力を生成する高い電流とを生成する
バイアス電流と、高いレーザパワー出力を提供する方法
および装置に関する。
レーザ装置を電流駆動する方法および装置に関し、特に
低いレーザパワー出力を生成する高い電流とを生成する
バイアス電流と、高いレーザパワー出力を提供する方法
および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザ装置は装置を流れる電流の
非線形関数である光パワー出力レベルを有する光を放射
する。半導体レーザ装置の伝達関数と装置電流対光パワ
ー出力は安定ではなく、温度と経時変化の関数として変
化する。これらの装置は所望の光パワー出力レベルを維
持するため制御されなければならず、電気パワー消費が
定格最大値を超過せず、装置を破壊しないようにしなけ
ればならない。これらの装置はバイアス電流を装置に供
給することにより導電状態を維持するとき高いスイッチ
ング周波数を有することができる。バイアス電流は装置
の実効インピーダンスを減少し、それによってスイッチ
ング周波数を増加する。
非線形関数である光パワー出力レベルを有する光を放射
する。半導体レーザ装置の伝達関数と装置電流対光パワ
ー出力は安定ではなく、温度と経時変化の関数として変
化する。これらの装置は所望の光パワー出力レベルを維
持するため制御されなければならず、電気パワー消費が
定格最大値を超過せず、装置を破壊しないようにしなけ
ればならない。これらの装置はバイアス電流を装置に供
給することにより導電状態を維持するとき高いスイッチ
ング周波数を有することができる。バイアス電流は装置
の実効インピーダンスを減少し、それによってスイッチ
ング周波数を増加する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の回路は半導体レ
ーザ装置を通る一定のON状態とOFF状態の電流の維
持することができない。これはレーザビームを不安定に
させ、光パワー出力は所望のレベルではなく、それにす
ぐ続いてOFF状態からON状態への転移が生じる。こ
の不安定は光パワー密度変化を生じ、雑音を光出力信号
に誘発する。
ーザ装置を通る一定のON状態とOFF状態の電流の維
持することができない。これはレーザビームを不安定に
させ、光パワー出力は所望のレベルではなく、それにす
ぐ続いてOFF状態からON状態への転移が生じる。こ
の不安定は光パワー密度変化を生じ、雑音を光出力信号
に誘発する。
【0004】従来の回路の別の問題は温度変化と経時変
化による半導体レーザ装置の端子特性の変化を補償する
ための電流駆動装置の動作点の調節と維持能力が乏しい
ことである。
化による半導体レーザ装置の端子特性の変化を補償する
ための電流駆動装置の動作点の調節と維持能力が乏しい
ことである。
【0005】例えば、レーザダイオード用の駆動回路は
1988年8月2日の米国特許第4,761,659 号明細書に記載
されている。この駆動回路は温度と経時変化によるレー
ザダイオード電流とレーザダイオードの光パワー出力の
関係の変化を補償する。駆動回路はレーザダイオードの
パワー出力を制御するために基準回路でダイオードを使
用することによりこれらの変化を補償する。基準回路に
より生成される基準電圧はレーザダイオードと類似の方
法で温度により変化し、それはレーザダイオードの光パ
ワー出力を一定に維持する傾向がある。しかしながら駆
動回路自体はOFF状態の期間中レーザダイオードに供
給されるバイアス電流がないので高周波数動作を制限す
る。
1988年8月2日の米国特許第4,761,659 号明細書に記載
されている。この駆動回路は温度と経時変化によるレー
ザダイオード電流とレーザダイオードの光パワー出力の
関係の変化を補償する。駆動回路はレーザダイオードの
パワー出力を制御するために基準回路でダイオードを使
用することによりこれらの変化を補償する。基準回路に
より生成される基準電圧はレーザダイオードと類似の方
法で温度により変化し、それはレーザダイオードの光パ
ワー出力を一定に維持する傾向がある。しかしながら駆
動回路自体はOFF状態の期間中レーザダイオードに供
給されるバイアス電流がないので高周波数動作を制限す
る。
【0006】別の例は1987年11月24日出願の米国特許第
4,709,369 号明細書に記載されている。この特許明細書
はレーザダイオードのパワー出力を制御する駆動回路を
記載している。この駆動回路はバイアス電流が増加され
た周波数動作のためにレーザダイオードを通ることを可
能にする。回路は書込まれた電流とバイアス電流レベル
を単一基準により調節する。この単一基準は書込み状態
中に所望のパワー出力を生成するために最適化され、バ
イアス電流は他のエミッタ抵抗を通る基準電圧から生じ
るもの全てである。この回路はレーザダイオードのON
状態とOFF状態との間の一定のコントラスト比率を維
持せず、温度変化のときに感知性の画像媒体上の画像シ
ャドウを生じさせる可能性がある。
4,709,369 号明細書に記載されている。この特許明細書
はレーザダイオードのパワー出力を制御する駆動回路を
記載している。この駆動回路はバイアス電流が増加され
た周波数動作のためにレーザダイオードを通ることを可
能にする。回路は書込まれた電流とバイアス電流レベル
を単一基準により調節する。この単一基準は書込み状態
中に所望のパワー出力を生成するために最適化され、バ
イアス電流は他のエミッタ抵抗を通る基準電圧から生じ
るもの全てである。この回路はレーザダイオードのON
状態とOFF状態との間の一定のコントラスト比率を維
持せず、温度変化のときに感知性の画像媒体上の画像シ
ャドウを生じさせる可能性がある。
【0007】それ故、本発明の目的は、実質上一定の光
パワー出力を維持しながら、半導体レーザ装置の高いス
イッチング周波数を維持するために半導体レーザ装置内
の電流の流れを制御することである。
パワー出力を維持しながら、半導体レーザ装置の高いス
イッチング周波数を維持するために半導体レーザ装置内
の電流の流れを制御することである。
【0008】本発明のさらに別の目的は、光パワー出力
とコントラスト比を一定に維持しながら高い周波数で半
導体レーザ装置を切換える能力を維持するために温度と
経時変化による装置の伝達特性の変化を補償するために
半導体レーザ装置内で電流の流れを自動的に調節するこ
とである。
とコントラスト比を一定に維持しながら高い周波数で半
導体レーザ装置を切換える能力を維持するために温度と
経時変化による装置の伝達特性の変化を補償するために
半導体レーザ装置内で電流の流れを自動的に調節するこ
とである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体レーザ
装置で高いパワー出力状態と低いパワー出力状態を生成
する半導体レーザ装置を駆動する方法と装置を提供する
ものである。第1の状態を限定する低い予め定められた
光パワー出力を生成する半導体レーザ装置のバイアス電
流が設定される。バイアス電流と情報電流の合計である
高い電流は第2の状態を限定する高い予め定められた光
パワー出力を生成する。情報電流は閉ループ制御システ
ムにより実質上一定に維持される。情報電流は入力情報
信号に応答して2つの半導体レーザ装置の1つを通って
流される。
装置で高いパワー出力状態と低いパワー出力状態を生成
する半導体レーザ装置を駆動する方法と装置を提供する
ものである。第1の状態を限定する低い予め定められた
光パワー出力を生成する半導体レーザ装置のバイアス電
流が設定される。バイアス電流と情報電流の合計である
高い電流は第2の状態を限定する高い予め定められた光
パワー出力を生成する。情報電流は閉ループ制御システ
ムにより実質上一定に維持される。情報電流は入力情報
信号に応答して2つの半導体レーザ装置の1つを通って
流される。
【0010】両者のバイアス電流は各第1の状態の低い
予め定められた光パワー出力レベルを維持するために温
度変化を補償するように較正回路により調節される。こ
れは実質上一定の制御されたコントラスト比を与える。
バイアス電流は高いスイッチング周波数が達成されるよ
うに活動状態に半導体レーザ装置を維持する。
予め定められた光パワー出力レベルを維持するために温
度変化を補償するように較正回路により調節される。こ
れは実質上一定の制御されたコントラスト比を与える。
バイアス電流は高いスイッチング周波数が達成されるよ
うに活動状態に半導体レーザ装置を維持する。
【0011】較正回路はまたそれを通って流される半導
体レーザ装置にかかわらず情報電流が実質上同一値を有
することを確実にする。この条件はスイッチング時間に
近い安定な光パワー出力を生じ、従って光信号中の雑音
を最少にし、高いスイッチング周波数を維持する。
体レーザ装置にかかわらず情報電流が実質上同一値を有
することを確実にする。この条件はスイッチング時間に
近い安定な光パワー出力を生じ、従って光信号中の雑音
を最少にし、高いスイッチング周波数を維持する。
【0012】
【実施例】前述およびその他の本発明の目的と特徴は例
示のために添付図面で示されている好ましい実施例の詳
細な説明から理解できよう。本発明の好ましい実施例は
レーザ画像システムであり、レーザビームは記録媒体上
の画像を記録することに使用される。半導体レーザ装置
はレーザビームを発生する画像素子として使用される。
電流発生器は実質上一定の電流で画像素子を駆動するた
めに使用される。別の半導体レーザ装置は画像素子を駆
動しないとき電流発生器のためのダミー負荷または電流
シンクとして使用される。これは電流発生器が半導体レ
ーザ装置を駆動し、情報電流を実質上一定に維持するこ
とを可能にする。電流スイッチは記録媒体上に記録され
る画像を表わす入力情報信号に応答する。本発明のこの
ような情報信号は記録される各画素の“on”指令と、
各記録されない画素の“off”指令を含む。
示のために添付図面で示されている好ましい実施例の詳
細な説明から理解できよう。本発明の好ましい実施例は
レーザ画像システムであり、レーザビームは記録媒体上
の画像を記録することに使用される。半導体レーザ装置
はレーザビームを発生する画像素子として使用される。
電流発生器は実質上一定の電流で画像素子を駆動するた
めに使用される。別の半導体レーザ装置は画像素子を駆
動しないとき電流発生器のためのダミー負荷または電流
シンクとして使用される。これは電流発生器が半導体レ
ーザ装置を駆動し、情報電流を実質上一定に維持するこ
とを可能にする。電流スイッチは記録媒体上に記録され
る画像を表わす入力情報信号に応答する。本発明のこの
ような情報信号は記録される各画素の“on”指令と、
各記録されない画素の“off”指令を含む。
【0013】図1で示されている基本回路は第1の半導
体レーザ装置(SLD1)と第2の半導体レーザ装置
(SLD2)との間の情報電流(Im)を制御する差動
スイッチである。各半導体レーザ装置にはこれらを導体
状態に維持するために第1と第2のバイアス電流(Ib
1)、(Ib2)がそれぞれ供給されている。半導体レ
ーザ装置(SLD1)、(SLD2)の光パワー出力が
レーザしきい値よりも下または代りに画像記録装置の記
録しきい値よりも下であるように(Ib1)、(Ib
2)の値が取られる。バイアス電流(Ib1)、(Ib
2)の存在は、レーザまたは記録しきい値より下の光出
力パワーを有する第1の状態と第1の状態より高い光出
力パワーを有する第2の状態との間の転移のための半導
体レーザ装置に必要とされる時間を減少する。スイッチ
(S1)が位置(A)にあるとき、情報電流(Im)は
(I1)=Ib1+Imであり、(I2)=Ib2であ
るように半導体レーザ装置(SLD1)を通って制御さ
れる。この条件は(SLD1)を第2の状態にさせ、
(SLD2)を第1の状態にさせる。スイッチ(S1)
が位置Bにあるとき、電流(Im)は(I2)=Ib2
+Imで(I1)=Ib1であるように(SLD2)に
より制御される。この状態は(SLD2)を第2の状態
にさせ、(SLD1)を第1の状態にさせる。スイッチ
(S1)の位置は入力情報信号の状態に応じて変化す
る。
体レーザ装置(SLD1)と第2の半導体レーザ装置
(SLD2)との間の情報電流(Im)を制御する差動
スイッチである。各半導体レーザ装置にはこれらを導体
状態に維持するために第1と第2のバイアス電流(Ib
1)、(Ib2)がそれぞれ供給されている。半導体レ
ーザ装置(SLD1)、(SLD2)の光パワー出力が
レーザしきい値よりも下または代りに画像記録装置の記
録しきい値よりも下であるように(Ib1)、(Ib
2)の値が取られる。バイアス電流(Ib1)、(Ib
2)の存在は、レーザまたは記録しきい値より下の光出
力パワーを有する第1の状態と第1の状態より高い光出
力パワーを有する第2の状態との間の転移のための半導
体レーザ装置に必要とされる時間を減少する。スイッチ
(S1)が位置(A)にあるとき、情報電流(Im)は
(I1)=Ib1+Imであり、(I2)=Ib2であ
るように半導体レーザ装置(SLD1)を通って制御さ
れる。この条件は(SLD1)を第2の状態にさせ、
(SLD2)を第1の状態にさせる。スイッチ(S1)
が位置Bにあるとき、電流(Im)は(I2)=Ib2
+Imで(I1)=Ib1であるように(SLD2)に
より制御される。この状態は(SLD2)を第2の状態
にさせ、(SLD1)を第1の状態にさせる。スイッチ
(S1)の位置は入力情報信号の状態に応じて変化す
る。
【0014】図2は図1の基本回路に制御機構を付加し
た図を示している。この制御回路は半導体レーザ装置
(SLD1)の第2の状態を限定する高い予め定められ
た光パワー出力を生成するために情報電流(Im)を調
節する。(SLD1)の第2の状態を限定する高い予め
定められた光パワー出力を表している予め定められた値
を有する基準電流源(Ir1)と、(SLD1)の光パ
ワー出力に比例する電流源(If1)が図2の回路に付
加されている。本発明における電流源(If1)はレー
ザダイオード(SLD1)と同一のパッケージ内に含ま
れているフォトダイオードである。フォトダイオードに
導かれるレーザ光出力パワー部分はレーザ光出力パワー
に比例する電流を生成する。代りの実施例では、電流源
(If1)は光学システムによりフォトダイオード表面
に焦点を結ぶレーザ光出力信号の1部分を有するレーザ
空洞外部のフォトダイオードを具備することもできる。
た図を示している。この制御回路は半導体レーザ装置
(SLD1)の第2の状態を限定する高い予め定められ
た光パワー出力を生成するために情報電流(Im)を調
節する。(SLD1)の第2の状態を限定する高い予め
定められた光パワー出力を表している予め定められた値
を有する基準電流源(Ir1)と、(SLD1)の光パ
ワー出力に比例する電流源(If1)が図2の回路に付
加されている。本発明における電流源(If1)はレー
ザダイオード(SLD1)と同一のパッケージ内に含ま
れているフォトダイオードである。フォトダイオードに
導かれるレーザ光出力パワー部分はレーザ光出力パワー
に比例する電流を生成する。代りの実施例では、電流源
(If1)は光学システムによりフォトダイオード表面
に焦点を結ぶレーザ光出力信号の1部分を有するレーザ
空洞外部のフォトダイオードを具備することもできる。
【0015】電流(Ir1)と(If1)は合計され、
スイッチ(S2)の(A)位置を経てエラー増幅器(A
1)に供給される。エラー増幅器(A1)は(SLD
1)の光パワー出力が第2の状態を限定する予め定めら
れた値を達成するときに生じるIr1−If1=0であ
るように電流源(Im)の値を調節するエラー信号(E
1)を発生する。スイッチ(S1)と(S2)はこれら
両者がともに入力情報信号の状態に応答して同時間に同
位置に変化するようにインターロックされる。本発明で
は光出力パワーの予め定められた値が各記録画素で一定
であるので、記録された画像は中間調の画像である。
スイッチ(S2)の(A)位置を経てエラー増幅器(A
1)に供給される。エラー増幅器(A1)は(SLD
1)の光パワー出力が第2の状態を限定する予め定めら
れた値を達成するときに生じるIr1−If1=0であ
るように電流源(Im)の値を調節するエラー信号(E
1)を発生する。スイッチ(S1)と(S2)はこれら
両者がともに入力情報信号の状態に応答して同時間に同
位置に変化するようにインターロックされる。本発明で
は光出力パワーの予め定められた値が各記録画素で一定
であるので、記録された画像は中間調の画像である。
【0016】相補型の回路は半導体レーザ装置(SLD
2)周辺に付加される。この回路は基準電流源(Ir
2)と(SLD2)の光パワー出力に比例する電流源
(If2)を具備している。この実施例ではレーザダイ
オードパッケージ内に含まれるフォトダイオードが使用
されている。電流(Ir2)、(If2)は合計され、
スイッチ(S2)のB位置によりエラー増幅器(A1)
に供給される。エラー増幅器(A1)は(SLD2)の
光パワー出力が第2の状態の予め定められた値を達成す
るときに生じる条件であるIr2−If2=0であるよ
うに電流源(Im)の値を調節するエラー信号(E1)
を再度発生する。
2)周辺に付加される。この回路は基準電流源(Ir
2)と(SLD2)の光パワー出力に比例する電流源
(If2)を具備している。この実施例ではレーザダイ
オードパッケージ内に含まれるフォトダイオードが使用
されている。電流(Ir2)、(If2)は合計され、
スイッチ(S2)のB位置によりエラー増幅器(A1)
に供給される。エラー増幅器(A1)は(SLD2)の
光パワー出力が第2の状態の予め定められた値を達成す
るときに生じる条件であるIr2−If2=0であるよ
うに電流源(Im)の値を調節するエラー信号(E1)
を再度発生する。
【0017】電流(Ib2)の値は情報電流(Im)の
値がスイッチ(S1)と(S2)の両位置(A)、
(B)に対して同一であるように設定される。これはス
イッチ(S1)と(S2)の転移が生じた後、直ちに安
定される(SLD1)の光パワー出力を生む。この状況
は駆動回路の使用可能なスイッチング周波数を非常に改
善する。
値がスイッチ(S1)と(S2)の両位置(A)、
(B)に対して同一であるように設定される。これはス
イッチ(S1)と(S2)の転移が生じた後、直ちに安
定される(SLD1)の光パワー出力を生む。この状況
は駆動回路の使用可能なスイッチング周波数を非常に改
善する。
【0018】図3は(SLD1)と(SLD2)のバイ
アス電流源を較正し、調節するため制御回路の付加を示
している。これは駆動回路が温度および経時変化による
装置伝達特性変化を補償することを可能にする。所望な
結果は(SLD1)の光パワー出力をほぼ一定に維持
し、(Im)の値を(SLD1)または(SLD2)を
通って制御してほぼ一定に維持する。
アス電流源を較正し、調節するため制御回路の付加を示
している。これは駆動回路が温度および経時変化による
装置伝達特性変化を補償することを可能にする。所望な
結果は(SLD1)の光パワー出力をほぼ一定に維持
し、(Im)の値を(SLD1)または(SLD2)を
通って制御してほぼ一定に維持する。
【0019】図3の回路は(図2の)電流源(Ir1)
を2つの電流源(Ira1)と(Irb1)とで置換し
ている。電流源(Ira1)と(Irb1)は第2の状
態を限定する高い方の予め定められた光パワー出力の基
準電流と、装置(SLD1)の第1の状態を限定する低
い方の予め定められた光パワー出力である。以下に較正
処理の説明をする。
を2つの電流源(Ira1)と(Irb1)とで置換し
ている。電流源(Ira1)と(Irb1)は第2の状
態を限定する高い方の予め定められた光パワー出力の基
準電流と、装置(SLD1)の第1の状態を限定する低
い方の予め定められた光パワー出力である。以下に較正
処理の説明をする。
【0020】バイアス電流(Ib1)は(SLD1)の
光出力が他に使用されないと時間中に調節される。この
時間中、スイッチ(S1)と(S2)が位置(N)にあ
り、スイッチ(S5)は閉じられ、スイッチ(S4)、
(S6)、(S7)、(S8)は開かれ、追跡および保
持回路(T/H1)は追跡モードにある。電流If1−
Irb1は合計され、スイッチ(S5)を経てエラー増
幅器(A2)に入力される。(A2)の増幅されたエラ
ー出力は追跡および保持回路(T/H1)により追跡さ
れる。(T/H1)の出力は第1の状態を限定する低い
方の予め定められた光パワー出力を(SLD1)が達成
されるときに生じるIf1−Irb1=0であるように
電流(Ib1)を調節する。追跡および保持回路(T/
H1)は追跡モードからこの時間の終りに保持モードに
切替えられ次の較正サイクルまで保持モードを維持す
る。
光出力が他に使用されないと時間中に調節される。この
時間中、スイッチ(S1)と(S2)が位置(N)にあ
り、スイッチ(S5)は閉じられ、スイッチ(S4)、
(S6)、(S7)、(S8)は開かれ、追跡および保
持回路(T/H1)は追跡モードにある。電流If1−
Irb1は合計され、スイッチ(S5)を経てエラー増
幅器(A2)に入力される。(A2)の増幅されたエラ
ー出力は追跡および保持回路(T/H1)により追跡さ
れる。(T/H1)の出力は第1の状態を限定する低い
方の予め定められた光パワー出力を(SLD1)が達成
されるときに生じるIf1−Irb1=0であるように
電流(Ib1)を調節する。追跡および保持回路(T/
H1)は追跡モードからこの時間の終りに保持モードに
切替えられ次の較正サイクルまで保持モードを維持す
る。
【0021】バイアス電流(Ib1)の調節完了後、較
正処理は(SLD1)を流れるとき(Im)の値を抽出
する。これは(SLD2)を通って流れるとき(Im)
が同一値を維持するようにバイアス電流(Ib2)の調
節を可能にするように行われる。この抽出はバイアス電
流(Ib1)の調節が後に続く時間期間中に行われる。
スイッチ(S1)と(S2)は位置Aに位置され、スイ
ッチ(S4)、(S6)は閉じられ、スイッチ(S
5)、(S7)、(S8)は開かれ追跡および保持回路
(T/H2)は追跡モードに置かれる。電流ミラーは
(Ims)電流源の情報電流(Im)の値をミラーする
のに使用される。電流(Ims)は追跡および保持回路
T/H2により追跡される。(T/H2)の出力は(I
ms)の出力に等しい値を有する電流源(Imt)であ
る。抽出は終了され、(T/H2)は次の調節サイクル
まで保持モードに置かれる。
正処理は(SLD1)を流れるとき(Im)の値を抽出
する。これは(SLD2)を通って流れるとき(Im)
が同一値を維持するようにバイアス電流(Ib2)の調
節を可能にするように行われる。この抽出はバイアス電
流(Ib1)の調節が後に続く時間期間中に行われる。
スイッチ(S1)と(S2)は位置Aに位置され、スイ
ッチ(S4)、(S6)は閉じられ、スイッチ(S
5)、(S7)、(S8)は開かれ追跡および保持回路
(T/H2)は追跡モードに置かれる。電流ミラーは
(Ims)電流源の情報電流(Im)の値をミラーする
のに使用される。電流(Ims)は追跡および保持回路
T/H2により追跡される。(T/H2)の出力は(I
ms)の出力に等しい値を有する電流源(Imt)であ
る。抽出は終了され、(T/H2)は次の調節サイクル
まで保持モードに置かれる。
【0022】情報電流(Im)の値の抽出終了後、較正
処理はバイアス電流源(Ib2)の値を調節する。この
時間中、スイッチ(S1)と(S2)は位置Bにあり、
スイッチ(S5)、(S6)は開かれ、スイッチ(S
4)、(S7)、(S8)は閉じられ、追跡および保持
回路(T/H3)は追跡モードに位置される。それは情
報電流(Im)をエラー増幅器(A1)により調節され
るようにし、それは第2の状態を限定する予め定められ
た値を(SLD2)の光パワー出力が達成するまでIf
2−Ir2の入力エラー電流を有する。電流(Ims)
は(SLD2)を通って流れる(Im)の値をミラーす
る。電流Imt−Imsはスイッチ(S7)の閉成によ
り形成され、エラー増幅器(A3)に入力される。エラ
ー増幅器(A3)はエラー電流を増幅し、追跡および保
持回路(T/H3)を駆動する。追跡および保持回路
(T/H3)の出力は装置(SLD1)を通って流れる
ときに(Im)をほぼ同一値にさせる条件であるImt
−Ims=0であるように電流源(Ib2)を調節す
る。追跡および保持回路(T/H3)は次の較正サイク
ルまで保持モードに置かれる。これで調節と較正処理は
終了する。
処理はバイアス電流源(Ib2)の値を調節する。この
時間中、スイッチ(S1)と(S2)は位置Bにあり、
スイッチ(S5)、(S6)は開かれ、スイッチ(S
4)、(S7)、(S8)は閉じられ、追跡および保持
回路(T/H3)は追跡モードに位置される。それは情
報電流(Im)をエラー増幅器(A1)により調節され
るようにし、それは第2の状態を限定する予め定められ
た値を(SLD2)の光パワー出力が達成するまでIf
2−Ir2の入力エラー電流を有する。電流(Ims)
は(SLD2)を通って流れる(Im)の値をミラーす
る。電流Imt−Imsはスイッチ(S7)の閉成によ
り形成され、エラー増幅器(A3)に入力される。エラ
ー増幅器(A3)はエラー電流を増幅し、追跡および保
持回路(T/H3)を駆動する。追跡および保持回路
(T/H3)の出力は装置(SLD1)を通って流れる
ときに(Im)をほぼ同一値にさせる条件であるImt
−Ims=0であるように電流源(Ib2)を調節す
る。追跡および保持回路(T/H3)は次の較正サイク
ルまで保持モードに置かれる。これで調節と較正処理は
終了する。
【0023】バイアス電流(Ib2)を調節するこの処
理の結果は2つの所望な効果を達成する。第1に、(I
m)の値は(SLD1)を流れるときのように(SLD
2)を流れるときほぼ同一値にされる。第2に、コント
ラスト比は(SLD1)の第1の状態を限定する低い方
の予め定められた光パワー出力を生成するためのバイア
ス電流(Ib1)を調節することにより実質上一定に維
持される。
理の結果は2つの所望な効果を達成する。第1に、(I
m)の値は(SLD1)を流れるときのように(SLD
2)を流れるときほぼ同一値にされる。第2に、コント
ラスト比は(SLD1)の第1の状態を限定する低い方
の予め定められた光パワー出力を生成するためのバイア
ス電流(Ib1)を調節することにより実質上一定に維
持される。
【0024】較正サイクルは温度と経時変化による(S
LD1)と(SLD2)の伝達特性変化のため回路調節
用に周期的に反復される。
LD1)と(SLD2)の伝達特性変化のため回路調節
用に周期的に反復される。
【0025】本発明の好ましい実施例を詳細に説明した
が、多数の変形が特許請求の範囲で限定されている本発
明の技術的範囲を逸脱することなく行われることができ
ることは当業者に明白である。
が、多数の変形が特許請求の範囲で限定されている本発
明の技術的範囲を逸脱することなく行われることができ
ることは当業者に明白である。
【図1】基本的な電流制御回路の概略図。
【図2】情報電流源を調節するための制御機構の付加を
示した概略図。
示した概略図。
【図3】各半導体レーザ装置のバイアス電流を調節する
ための制御機構を付加した概略図。
ための制御機構を付加した概略図。
Claims (30)
- 【請求項1】 第1と第2の状態の間で半導体レーザ装
置を駆動する方法において、 (a)前記第1の状態を限定する予め定められた光パワ
ー出力を生成するバイアス電流によって半導体レーザ装
置を駆動し、 (b)前記バイアス電流と情報電流の組合わせにより生
成されるより高い電流で前記半導体レーザ装置を駆動
し、前記高い電流は前記第2の状態を限定する別の予め
定められた光パワー出力を生成し、 (c)前記半導体レーザ装置と同一のスイッチング速度
と電圧対電流端子特性を有する電流シンクに情報電流を
切替えて流すことにより前記第2の状態から前記第1の
状態への転移を生成し、 (d)前記情報電流を前記半導体レーザ装置に切替えて
流すことにより前記第1の状態から前記第2の状態への
転移を生成するステップを有することを特徴とする駆動
方法。 - 【請求項2】 情報信号に応答してステップ(c)と
(d)を反復するステップをさらに有する請求項1記載
の方法。 - 【請求項3】 前記情報信号が中間調画像を表す請求項
2記載の方法。 - 【請求項4】 前記半導体レーザ装置の前記第2の状態
の光パワー出力が一定である請求項2記載の方法。 - 【請求項5】 前記電流シンクが転移ステップ(c)の
期間中と転移ステップ(d)の期間中実質上一定である
前記情報電流を維持するバイアス電流を有する請求項1
記載の方法。 - 【請求項6】 前記半導体レーザ装置が半導体レーザダ
イオードである請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 前記電流シンクが半導体レーザダイオー
ドである請求項1記載の方法。 - 【請求項8】 前記情報信号が記録媒体上に記録された
画像を表し、前記第1の状態を限定する前記光パワー出
力が前記記録媒体の画像記録しきい値より下であり、前
記第2の状態を限定する前記光パワー出力が前記画像記
録しきい値より上である請求項2記載の方法。 - 【請求項9】 前記情報電流がエラー信号により制御さ
れ、前記半導体レーザ装置の前記第2の状態の光パワー
出力レベルが実質上一定に維持されるように前記情報電
流の調節が行われる請求項1記載の方法。 - 【請求項10】 前記半導体レーザ装置の前記光パワー
出力に比例する電流を半導体フォトダイオードによる電
流源から生成するために前記半導体レーザ装置の前記光
パワー出力の一部分が供給される半導体フォトダイオー
ドにより生成される電流に前記エラー信号が比例する請
求項9記載の方法。 - 【請求項11】 前記半導体フォトダイオードが前記半
導体レーザ装置の容器の内部に配置されている請求項1
0記載の方法。 - 【請求項12】 前記半導体フォトダイオードが前記半
導体レーザ装置の外部にあり、前記半導体レーザ装置の
前記光パワー出力の一部分が光学システムにより前記半
導体フォトダイオードに導かれる請求項10記載の方
法。 - 【請求項13】 前記半導体レーザ装置の前記電流源対
光パワー出力の関係が動作温度範囲で安定である請求項
10記載の方法。 - 【請求項14】 前記情報電流と前記予め定められた光
パワー出力が閉ループ制御され、この閉ループ制御は、 (a)前記第2の状態で動作するとき前記半導体レーザ
装置の光出力信号振幅に比例する電流出力を有する第1
の電流源を提供し、 (b)前記第1の電流源の電流値に等しい電流出力を有
する第1の基準電流源を提供し、 (c)前記第2の状態で動作するとき前記電流シンクの
光パワー出力に比例する電流出力を有する第2の電流源
を提供し、 (d)前記第2の電流源の電流に等しい電流出力を有す
る第2の電流源を提供し、 (e)前記半導体レーザ装置の前記第2の状態が一定の
光パワー出力を生成するように前記第1の電流源による
電流出力と、前記第1の基準電流源による電流出力との
差に比例するエラー信号に応じて前記第1の半導体レー
ザ装置を駆動するために前記情報電流を調節し、 (f)前記電流シンクの前記第2の状態が一定の光パワ
ー出力を生成するように前記第2の電流源による電流出
力と前記第2の基準電流源による電流出力との差に比例
するエラー信号に応じて前記電流シンクを駆動するため
に前記情報電流を調節するステップを含む請求項1記載
の方法。 - 【請求項15】 (a)前記半導体装置が前記第1の状
態の前記予め定められた光パワー出力を生成するように
前記半導体レーザ装置の前記バイアス電流を調節し、 (b)前記情報電流と前記バイアス電流の合計が前記半
導体レーザ装置に前記第2の状態の前記予め定められた
光パワー出力を放射させるように前記情報電流を調節
し、 (c)前記他方のバイアス電流と前記情報電流の合計が
前記電流シンクに前記第2の状態の前記予め定められた
光パワー出力を放射させ、情報電流がステップ(b)と
実質上同一値を有するように前記電流シンクに他方のバ
イアス電流を提供するステップをさらに有する請求項2
記載の方法。 - 【請求項16】 第1と第2の状態間で半導体レーザ装
置を駆動する装置において、 (a)前記第1の状態を限定する予め定められた光パワ
ー出力を生成するバイアス電流により半導体レーザ装置
を駆動する手段と、 (b)前記バイアス電流と情報電流の組合わせにより生
成され、前記第2の状態を限定する別の予め定められた
光パワー出力を生成するより高い電流で前記半導体レー
ザ装置を駆動する手段と、 (c)前記半導体レーザ装置と同じスイッチング速度と
電圧対電流端子特性を有する電流シンクに前記情報電流
を切替えて流すことにより前記第2の状態から前記第1
の状態への転移を生成する手段と、 (d)前記情報電流を前記半導体レーザ装置に切替えて
流すことにより前記第1の状態から前記第2の状態まで
の転移を生成する手段を具備することを特徴とする駆動
装置。 - 【請求項17】 前記第2の状態から前記第1の状態へ
の前記転移を生成する手段と前記第1の状態から前記第
2の状態への前記転移を生成する手段が情報信号に応答
する請求項16記載の装置。 - 【請求項18】 前記情報信号が中間調画像を表す請求
項17記載の装置。 - 【請求項19】 前記半導体レーザ装置の第2の状態の
光パワー出力が一定である請求項17記載の装置。 - 【請求項20】 前記電流シンクが前記第2の状態から
前記第1の状態への転移期間中および前記第1の状態か
ら前記第2の状態への転移期間中、前記情報電流を一定
に維持するように調節されるバイアス電流を有する請求
項16記載の装置。 - 【請求項21】 前記半導体レーザ装置が半導体レーザ
ダイオードである請求項16記載の装置。 - 【請求項22】 前記電流シンクが半導体レーザダイオ
ードである請求項16記載の装置。 - 【請求項23】 前記情報信号が記録媒体上に記録され
る画像を表し、前記第1の状態を限定する前記光パワー
出力が前記記録媒体の画像記録しきい値より下であり、
前記第2の状態を限定する前記光パワー出力が前記画像
記録しきい値より上である請求項17記載の装置。 - 【請求項24】 前記半導体レーザ装置の前記第2の状
態の光パワー出力レベルが実質上一定に維持されるよう
に前記情報電流がそれを調節するためのフィードバック
手段により制御される請求項16記載の装置。 - 【請求項25】 前記フィードバック手段が半導体フォ
トダイオードであり、前記半導体レーザ装置の前記光パ
ワー出力の一部が前記半導体フォトダイオードに導か
れ、従って前記半導体レーザ装置の前記光パワー出力に
比例する電流源を生成する請求項24記載の装置。 - 【請求項26】 前記半導体フォトダイオードが前記半
導体レーザ装置の容器の内部にある請求項25記載の装
置。 - 【請求項27】 前記半導体フォトダイオードが前記半
導体レーザ装置の外部にあり、前記半導体レーザ装置の
前記光パワー出力の一部が光学システムにより前記半導
体フォトダイオードに導かれる請求項25記載の装置。 - 【請求項28】 前記フィードバック手段が動作温度範
囲で安定である請求項25記載の装置。 - 【請求項29】 (a)前記第2の状態で動作するとき
前記半導体レーザ装置の光パワー出力に比例する第1の
電流を生成する手段と、 (b)前記第1の電流の値に等しい値を有する第1の基
準電流を生成する手段と、 (c)前記第2の状態で動作するとき前記電流シンクの
光パワー出力に比例する第2の電流を生成する手段と、 (d)前記第2の電流の値に等しい値を有する第2の基
準電流を生成する手段と、 (e)前記半導体レーザ装置の前記第2の状態が前記一
定の予め定められた光パワー出力を生成するように前記
半導体レーザ装置を駆動する前記情報電流調節するため
に前記第1の電流と前記第1の基準電流との差に応答す
る手段と、 (f)前記電流シンクの前記第2の状態が前記一定の予
め定められた光パワー出力を生成するように前記電流シ
ンクを駆動する前記情報電流を調節するために前記第2
の電流と前記第2の基準電流との差に応答する手段とを
具備する閉ループシステムにより前記情報電流と前記予
め定められた光パワー出力が制御される請求項16記載
の装置。 - 【請求項30】 (a)前記半導体レーザ装置が前記第
1の状態の前記予め定められた光パワー出力を生成する
ように前記半導体レーザ装置の前記バイアス電流を調節
する手段と、 (b)前記情報電流と前記バイアス電流との合計が前記
半導体レーザ装置に前記第2の状態の前記予め定められ
た光パワー出力を放射させるように前記情報電流を調節
する手段と、 (c)前記他のバイアス電流と前記情報電流との合計が
前記電流シンクに前記第2の状態の前記予め定められた
光パワー出力を放射させ、前記情報電流を前記情報電流
と同じ値にさせ、この情報電流は半導体レーザ装置の前
記バイアス電流に付加されるとき前記半導体レーザ装置
に前記第2の状態の前記予め定められた光パワー出力を
放射させるように前記電流シンクの前記他方のバイアス
電流を調節する手段とをさらに具備する請求項17記載
の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/180,828 US5512932A (en) | 1994-01-12 | 1994-01-12 | Method and apparatus for driving a semiconductor laser device |
US180828 | 1994-01-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07312452A true JPH07312452A (ja) | 1995-11-28 |
JP2942163B2 JP2942163B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=22661896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7003613A Expired - Fee Related JP2942163B2 (ja) | 1994-01-12 | 1995-01-12 | 半導体レーザ装置の駆動方法および装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5512932A (ja) |
EP (1) | EP0663709B1 (ja) |
JP (1) | JP2942163B2 (ja) |
DE (1) | DE69425362T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH087316A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Canon Inc | 光学的情報記録再生装置 |
TW432234B (en) * | 1997-08-20 | 2001-05-01 | Advantest Corp | Optical signal transmission apparatus and method |
US6496526B1 (en) * | 2000-10-18 | 2002-12-17 | Xerox Corporation | Current switching driver with controlled bias and ON states |
US6606330B2 (en) * | 2001-05-07 | 2003-08-12 | Lexmark International, Inc. | Laser drive compensation by duty cycle and power |
DE10358957A1 (de) * | 2003-12-15 | 2005-07-07 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Kompatibler optischer Abtaster mit verbessertem Lasermodulator für Aufzeichnungs- oder Wiedergabegeräte optischer Aufzeichnungsträger |
CN103887706B (zh) * | 2014-03-20 | 2016-05-18 | 常州华达科捷光电仪器有限公司 | 一种激光控制电路、控制方法及具有该控制电路的激光墨线仪 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61288478A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ駆動方法 |
JPS6396979A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
US4751524A (en) * | 1987-01-20 | 1988-06-14 | Data Recording Systems, Inc. | Constant power laser driver |
US4899344A (en) * | 1987-12-07 | 1990-02-06 | Ricoh Co., Ltd. | Semiconductor laser control apparatus |
JPH0795610B2 (ja) * | 1991-01-17 | 1995-10-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | レーザ駆動装置及び光ディスク駆動装置 |
US5170403A (en) * | 1991-05-31 | 1992-12-08 | Digital Equipment Corporation | Modulation circuit for grayscale laser printing |
JPH05190949A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Rohm Co Ltd | レ−ザ−ダイオ−ド駆動回路 |
-
1994
- 1994-01-12 US US08/180,828 patent/US5512932A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-22 EP EP94120418A patent/EP0663709B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-22 DE DE69425362T patent/DE69425362T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-01-12 JP JP7003613A patent/JP2942163B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69425362D1 (de) | 2000-08-31 |
US5512932A (en) | 1996-04-30 |
EP0663709A2 (en) | 1995-07-19 |
JP2942163B2 (ja) | 1999-08-30 |
EP0663709B1 (en) | 2000-07-26 |
EP0663709A3 (en) | 1996-03-06 |
DE69425362T2 (de) | 2001-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4701609A (en) | Semiconductor laser drive circuit with peak detection and control | |
US5097473A (en) | Stabilized-feedback control device for semiconductor lasers | |
JPS61210534A (ja) | 光出力安定化装置 | |
US6563848B1 (en) | Semiconductor laser drive device | |
JP2001519098A (ja) | レーザ変調制御法およびその装置 | |
US5477557A (en) | Laser drive circuit with independently adjustable maximum and minimum power levels | |
JP2671467B2 (ja) | レーザ駆動回路 | |
JPH0490143A (ja) | 光学記録再生装置のレーザダイオード制御方式 | |
US5313482A (en) | Method and circuit arrangement for correcting the light power output of a laser diode | |
KR100210982B1 (ko) | 반도체 레이저 구동회로, 반도체 레이저장치, 화상기록장치 및 광디스크장치 | |
US6011768A (en) | Laser light control circuit, optical pickup unit and optical pickup device incorporating the same | |
KR0153066B1 (ko) | 반도체 레이저 장치, 정보기록 및 재생장치와 이미지 기록장치 | |
JP2942163B2 (ja) | 半導体レーザ装置の駆動方法および装置 | |
US7031358B2 (en) | Semiconductor laser driving apparatus | |
US4796267A (en) | Laser control circuit | |
JP2887276B2 (ja) | レーザダイオードパワーコントロール装置 | |
JP3323033B2 (ja) | 半導体レーザ制御装置、半導体レーザ装置、情報記録再生装置及び画像記録装置 | |
JP2000261090A (ja) | レーザ駆動回路 | |
JP2734050B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
JP2005191264A (ja) | 発光素子制御装置、および光情報記録再生装置 | |
JP2610810B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
JPH06267101A (ja) | 半導体レーザ装置および情報記録再生装置 | |
JPH01110786A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
JPH0992915A (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
JPH04168633A (ja) | イレーズ専用ビームのレーザダイオード制御方式 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |