JPH07312435A - Photovoltaic device - Google Patents
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- JPH07312435A JPH07312435A JP6127035A JP12703594A JPH07312435A JP H07312435 A JPH07312435 A JP H07312435A JP 6127035 A JP6127035 A JP 6127035A JP 12703594 A JP12703594 A JP 12703594A JP H07312435 A JPH07312435 A JP H07312435A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、太陽光等の光エネル
ギーを電気エネルギーに変換する光起電力装置に係り、
特に、入射された光を効率よく散乱させて変換効率を向
上させるようになった光起電力装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photovoltaic device for converting light energy such as sunlight into electric energy,
In particular, the present invention relates to a photovoltaic device that efficiently scatters incident light to improve conversion efficiency.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、太陽光等の光エネルギーを電
気エネルギーに変換する光起電力装置としては、様々な
構造のものが知られており、また上記のように光エネル
ギーを電気エネルギーに変換する光電変換材料について
も、非晶質の半導体を用いたものや、結晶系の半導体を
用いたものが知られていた。2. Description of the Related Art Conventionally, as a photovoltaic device for converting light energy such as sunlight into electric energy, various structures have been known, and as described above, light energy is converted into electric energy. As the photoelectric conversion material to be used, one using an amorphous semiconductor and one using a crystalline semiconductor have been known.
【０００３】ここで、上記の光電変換材料に非晶質の半
導体を用いた光起電力装置においては、一般に図１の
（Ａ）に示すように、光エネルギーを電気エネルギーに
変換させる光電変換層１として、ｎ型の半導体層１ａと
ｉ型の光発電型半導体層１ｂとｐ型の半導体層１ｃとを
積層させた構造のものが用いられており、また光電変換
材料に光発電能力のある結晶系の半導体を用いた光起電
力装置においては、上記の光電変換層１として、一般に
同図の（Ｂ）に示すように、ｎ型の半導体層１ａとｐ型
の半導体層１ｃとを積層させた構造のものが用いられて
いた。Here, in a photovoltaic device using an amorphous semiconductor as the above-mentioned photoelectric conversion material, generally, as shown in FIG. 1A, a photoelectric conversion layer for converting light energy into electric energy. 1 has a structure in which an n-type semiconductor layer 1a, an i-type photovoltaic power generation semiconductor layer 1b, and a p-type semiconductor layer 1c are stacked, and the photoelectric conversion material has a photovoltaic power generation capability. In a photovoltaic device using a crystalline semiconductor, an n-type semiconductor layer 1a and a p-type semiconductor layer 1c are generally laminated as the photoelectric conversion layer 1 as shown in FIG. The one with the allowed structure was used.
【０００４】そして、これらの光起電力装置において
は、同図に示すように、一般に上記の光電変換層１にお
ける一方の面にＩＴＯ等の透光性導電膜からなる透明電
極２を設けると共に、この透明電極２と反対の面に銀等
の高反射性金属で構成された背面電極３を設け、光を上
記の透明電極２側から入射させて光電変換層１に導くと
共に、このように入射された光を背面電極３において反
射させて再度光電変換層１に導くようにし、上記の入射
光及び反射光により光電変換層１において光電変換を行
うようにしていた。In these photovoltaic devices, as shown in the figure, in general, a transparent electrode 2 made of a transparent conductive film such as ITO is provided on one surface of the photoelectric conversion layer 1 and A back electrode 3 made of a highly reflective metal such as silver is provided on the surface opposite to the transparent electrode 2 so that light is incident from the transparent electrode 2 side to be guided to the photoelectric conversion layer 1 and is incident in this manner. The reflected light is reflected by the back electrode 3 and guided to the photoelectric conversion layer 1 again, and photoelectric conversion is performed in the photoelectric conversion layer 1 by the incident light and the reflected light.
【０００５】また、従来においては、上記のような光起
電力装置において、光電変換層１における変換効率を高
めるため、図２に示すように、上記の透明電極２と光電
変換層１とが接合する界面を凹凸形状に形成し、入射さ
れる光をこの凹凸形状になった界面において散乱させて
光電変換層１における光の光路長を長くし、入射された
光を光電変換層１内において有効に利用するようにした
ものや、図３に示すように、背面電極３と光電変換層１
との間に透明導電膜４を設け、背面電極３と光電変換層
１とが接合する界面において光電変換層１が合金化して
反射率等が低下するのを防止するようにしたものが開発
された。Further, conventionally, in the above photovoltaic device, in order to enhance the conversion efficiency in the photoelectric conversion layer 1, as shown in FIG. 2, the transparent electrode 2 and the photoelectric conversion layer 1 are bonded to each other. The interface is formed in an uneven shape, and incident light is scattered at the interface having the uneven shape to increase the optical path length of light in the photoelectric conversion layer 1, and the incident light is effectively used in the photoelectric conversion layer 1. Or a back electrode 3 and a photoelectric conversion layer 1 as shown in FIG.
A transparent conductive film 4 is provided between the back electrode 3 and the photoelectric conversion layer 1 to prevent the photoelectric conversion layer 1 from being alloyed at the interface where the back electrode 3 and the photoelectric conversion layer 1 are joined to reduce the reflectance and the like. It was
【０００６】ここで、上記のように透明電極２と光電変
換層１とが接合する界面を凹凸形状に形成した場合、上
記のように光電変換層１内における光の光路長が伸びて
キャリアの発生が多くなるが、光電変換層１と透明電極
２との接合界面における電気的な接合特性が低下し、こ
れによって光起電力装置における曲線因子Ｆ．Ｆ．が悪
くなり、変換効率が低下するという問題があった。Here, when the interface where the transparent electrode 2 and the photoelectric conversion layer 1 are joined is formed in a concavo-convex shape as described above, the optical path length of light in the photoelectric conversion layer 1 is extended as described above and carrier However, the electrical junction characteristics at the junction interface between the photoelectric conversion layer 1 and the transparent electrode 2 are deteriorated, which causes the fill factor F.I. F. However, there was a problem that the conversion efficiency deteriorated.
【０００７】また、背面電極３と光電変換層１との間に
透明導電膜４を設けた場合、入射された光の一部がこの
透明導電膜４に吸収されてしまい、背面電極３において
反射される光の量が低下し、これによって光起電力装置
における変換効率が低下するという問題があった。When the transparent conductive film 4 is provided between the back electrode 3 and the photoelectric conversion layer 1, a part of the incident light is absorbed by the transparent conductive film 4 and reflected by the back electrode 3. There is a problem in that the amount of emitted light is reduced, which reduces the conversion efficiency of the photovoltaic device.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】この発明は、太陽光等
の光エネルギーを電気エネルギーに変換する光起電力装
置における上記のような様々な問題を解決することを課
題とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned various problems in a photovoltaic device that converts light energy such as sunlight into electric energy.
【０００９】すなわち、この発明においては、上記の光
起電力装置において、透明電極と光電変換層とが接合す
る界面を凹凸形状に形成した光起電力装置のように光電
変換層と透明電極との接合界面における電気的な接合特
性が低下したり、また背面電極と光電変換層との間に透
明導電膜を設けた光起電力装置のように背面電極におい
て反射される光の量が低下したりするということがな
く、入射された光が光起電力装置内においてうまく散乱
されて、この光が有効に光電変換に利用され、変換効率
のよい光起電力装置が得られるようにすることを課題と
するものである。That is, according to the present invention, in the above-mentioned photovoltaic device, the photoelectric conversion layer and the transparent electrode are formed like the photovoltaic device in which the interface where the transparent electrode and the photoelectric conversion layer are joined is formed in an uneven shape. The electrical junction characteristics at the junction interface may be reduced, and the amount of light reflected at the back electrode may be reduced, such as in a photovoltaic device in which a transparent conductive film is provided between the back electrode and the photoelectric conversion layer. The problem is that the incident light is well scattered in the photovoltaic device, and this light is effectively used for photoelectric conversion, so that a photovoltaic device with good conversion efficiency can be obtained. It is what
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】この発明においては、上
記のような課題を解決するため、一導電型半導体層と光
発電型半導体層と他導電型半導体層とが積層された構造
を有する光起電力装置の場合には、少なくとも上記の光
発電型半導体層と何れか一方の導電型半導体層との間に
酸素を含む微結晶シリコン又は微結晶シリコン化合物の
層を設けるようにしたのである。According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, an optical device having a structure in which one conductive type semiconductor layer, a photovoltaic type semiconductor layer and another conductive type semiconductor layer are laminated. In the case of an electromotive force device, a layer of microcrystalline silicon containing oxygen or a microcrystalline silicon compound is provided at least between the photovoltaic type semiconductor layer and one of the conductive type semiconductor layers.
【００１１】また、一導電型半導体層と他導電型半導体
層とが積層された構造を有する光起電力装置の場合に
は、上記の一導電型半導体層と他導電型半導体層との間
に酸素を含む微結晶シリコン又は微結晶シリコン化合物
の層を設けるようにしたのである。Further, in the case of a photovoltaic device having a structure in which one conductive type semiconductor layer and another conductive type semiconductor layer are stacked, between the one conductive type semiconductor layer and the other conductive type semiconductor layer. A layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound containing oxygen is provided.
【００１２】また、上記の各光起電力装置において、上
記のように酸素を含む微結晶シリコン又は微結晶シリコ
ン化合物の層を設ける場合、好ましくは、酸素が原子数
で３〜３０％含有された微結晶シリコン又は微結晶シリ
コン化合物の層を設けるようにした。In each of the above photovoltaic devices, when a layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound containing oxygen is provided as described above, oxygen is preferably contained in an amount of 3 to 30% by atom number. A layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound was provided.
【００１３】[0013]
【作用】この発明における上記の各光起電力装置におい
ては、上記のように少なくとも光発電型半導体層と何れ
か一方の導電型半導体層との間や、一導電型半導体層と
他導電型半導体層との間に、酸素を含む微結晶シリコン
又は微結晶シリコン化合物の層を設けるようにしたた
め、このように酸素を含む微結晶シリコン又は微結晶シ
リコン化合物の層に光が導かれると、この光がこの酸素
を含む微結晶シリコン又は微結晶シリコン化合物の層に
おける結晶部と非結晶部との界面で散乱されるようにな
り、これにより光発電能力のある半導体層内を通る光の
光路長が増加し、光が有効に光電変換に利用されるよう
になる。In each of the above-mentioned photovoltaic devices according to the present invention, as described above, at least between the photovoltaic type semiconductor layer and any one conductive type semiconductor layer, or one conductive type semiconductor layer and another conductive type semiconductor layer. Since a layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound containing oxygen is provided between the layer and the layer, when light is guided to the layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound containing oxygen in this manner, this light Becomes scattered at the interface between the crystalline part and the amorphous part in the layer of the microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon compound containing oxygen, whereby the optical path length of light passing through the semiconductor layer having the photovoltaic power generation capability is As a result, light is effectively used for photoelectric conversion.
【００１４】また、上記のように光が酸素を含む微結晶
シリコン又は微結晶シリコン化合物の層に導かれた場
合、この層において光の一部が吸収されるが、このよう
に酸素が含まれる微結晶シリコン又は微結晶シリコン化
合物の層においては、この光によってキャリアが多少発
生し、吸収された光が無駄に消費されるということがな
く、光電変換に有効に利用されるようになる。When light is guided to a layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound containing oxygen as described above, part of the light is absorbed in this layer, but oxygen is contained in this way. In the layer of the microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon compound, some of the carriers are not generated by this light and the absorbed light is not wasted, so that the light can be effectively used for photoelectric conversion.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、この発明の実施例に係る光起電力装置
を添付図面に基づいて具体的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A photovoltaic device according to an embodiment of the present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings.
【００１６】（実施例１）この実施例における光起電力
装置においては、図４に示すように、ガラスで構成され
た絶縁性の透明基板１０上に膜厚が６０００Åになった
ＳｎＯ2 の透明電極１１を設け、この透明電極１１上に
光電変換層２０を設けるようにした。(Embodiment 1) In the photovoltaic device according to this embodiment, as shown in FIG. 4, a transparent SnO 2 film having a thickness of 6000 Å is formed on an insulating transparent substrate 10 made of glass. The electrode 11 was provided, and the photoelectric conversion layer 20 was provided on the transparent electrode 11.
【００１７】ここで、光電変換層２０を設けるにあた
り、この実施例においては、プラズマＣＶＤ法により、
膜厚が１００Åになったｐ型の非晶質水素化シリコンカ
ーバイドからなるｐ型半導体層２１と、膜厚が３０００
Åになったｉ型の非晶質水素化シリコンからなる光発電
型半導体層２２と、膜厚が１０００Åになった酸素を含
むｉ型の微結晶シリコン層２３ａと、膜厚が１００Åに
なったｎ型の非晶質の水素化シリコンからなるｎ型半導
体層２４とを積層させた。Here, in providing the photoelectric conversion layer 20, in this embodiment, by the plasma CVD method,
A p-type semiconductor layer 21 made of p-type amorphous hydrogenated silicon carbide having a film thickness of 100Å, and a film thickness of 3000
A photovoltaic power generation semiconductor layer 22 made of Å i-type amorphous hydrogenated silicon, an i-type microcrystalline silicon layer 23a containing oxygen having a film thickness of 1000 Å, and a film thickness of 100 Å An n-type semiconductor layer 24 made of n-type amorphous silicon hydride was laminated.
【００１８】また、上記の酸素を含むｉ型の微結晶シリ
コン層２３ａをプラズマＣＶＤ法によって形成するにあ
たっては、原料ガスにＳｉＨ4 ，Ｈ2 の他にＣＯ2 を用
い、このＣＯ2 ガスの流量を制御して、この微結晶シリ
コン層２３ａに含有される酸素の量を調整するようにし
た。When the i-type microcrystalline silicon layer 23a containing oxygen is formed by the plasma CVD method, CO 2 is used as the source gas in addition to SiH 4 and H 2 , and the flow rate of this CO 2 gas is Is controlled to adjust the amount of oxygen contained in the microcrystalline silicon layer 23a.
【００１９】そして、上記のようにして設けた光電変換
層２０の上にアルミニウムで構成された高反射性の背面
電極１２を設けて、この実施例の光起電力装置を得た。Then, a highly reflective back electrode 12 made of aluminum was provided on the photoelectric conversion layer 20 provided as described above to obtain a photovoltaic device of this example.
【００２０】そして、この実施例の光起電力装置におい
ては、上記の透明基板１０側から光を入射させるように
した。このように、透明基板１０側から光を上記の光発
電型半導体層２２に入射させると、この入射された光に
より光発電型半導体層２２においてキャリアが発生し、
またこの光発電型半導体層２２を通過した光が微結晶シ
リコン層２３ａにおいて散乱されて背面電極１２で反射
され、このように反射された光がさらに微結晶シリコン
層２３ａで散乱されて光発電型半導体層２２に導かれ、
再度この反射光により光発電型半導体層２２においてキ
ャリアが発生した。In the photovoltaic device of this embodiment, light is made incident from the transparent substrate 10 side. As described above, when light is incident on the photovoltaic type semiconductor layer 22 from the transparent substrate 10 side, carriers are generated in the photovoltaic type semiconductor layer 22 by the incident light,
Further, the light passing through the photovoltaic type semiconductor layer 22 is scattered by the microcrystalline silicon layer 23a and reflected by the back electrode 12, and the light thus reflected is further scattered by the microcrystalline silicon layer 23a and is photovoltaic type. Guided to the semiconductor layer 22,
The reflected light again generated carriers in the photovoltaic power generation semiconductor layer 22.
【００２１】ここで、この実施例の光起電力装置におい
ては、上記のように反射光が微結晶シリコン層２３ａで
散乱されて光発電型半導体層２２に導かれるため、この
光発電型半導体層２２内における反射光の光路長が長く
なって多くのキャリアが発生し、これによりこの光起電
力装置における変換効率が向上した。In the photovoltaic device of this embodiment, the reflected light is scattered by the microcrystalline silicon layer 23a and guided to the photovoltaic power generation semiconductor layer 22 as described above. The optical path length of the reflected light in 22 becomes long and many carriers are generated, which improves the conversion efficiency in this photovoltaic device.
【００２２】次に、上記の光起電力装置において、微結
晶シリコン層２３ａの形成に使用した原料ガスのＣＯ2
の量を制御して、微結晶シリコン層２３ａに含有させる
酸素の量を調整し、微結晶シリコン層２３ａに含有させ
る酸素の量が光起電力装置の変換効率にどのような影響
を及ぼすかを調べた。Next, in the above photovoltaic device, the source gas of CO 2 used for forming the microcrystalline silicon layer 23a was used.
Is controlled to adjust the amount of oxygen contained in the microcrystalline silicon layer 23a, and how the amount of oxygen contained in the microcrystalline silicon layer 23a affects the conversion efficiency of the photovoltaic device. Examined.
【００２３】ここで、微結晶シリコン層２３ａを形成す
るにあたっては、上記のようにプラズマＣＶＤ法によ
り、基板温度を１５０℃，圧力を２７Ｐａ，ＲＦパワー
を５０ｍＷ／ｃｍ2 にし、原料ガスとして、ＳｉＨ4 を
１０ｓｃｃｍ，Ｈ2 を５００ｓｃｃｍのガス流量で供給
すると共に、ＣＯ2 を０〜５ｓｃｃｍのガス流量の範囲
で調整して供給し、微結晶シリコン層２３ａに含まれる
酸素量（ａｔｏｍｉｃ％）が下記の表１に示すようにな
った実験例１〜５の各光起電力装置と、微結晶シリコン
層２３ａを設けない実験例６の光起電力装置とを製造し
た。なお、各微結晶シリコン層２３ａに含まれる酸素量
はＳＩＭＳで測定した。Here, in forming the microcrystalline silicon layer 23a, the substrate temperature is 150 ° C., the pressure is 27 Pa, the RF power is 50 mW / cm 2 by the plasma CVD method as described above, and SiH is used as a source gas. 4 is supplied at a gas flow rate of 10 sccm and H 2 at 500 sccm, and CO 2 is adjusted and supplied at a gas flow rate of 0 to 5 sccm, and the amount of oxygen (atomic%) contained in the microcrystalline silicon layer 23a is as follows. The photovoltaic devices of Experimental Examples 1 to 5 as shown in Table 1 and the photovoltaic device of Experimental Example 6 in which the microcrystalline silicon layer 23a was not provided were manufactured. The amount of oxygen contained in each microcrystalline silicon layer 23a was measured by SIMS.
【００２４】そして、上記の実験例１〜６の各光起電力
装置に対して、それぞれ上記のように透明基板１０側か
ら光を入射させ、各光起電力装置における変換効率を測
定し、その結果を下記の表１に示した。Then, the above-mentioned photovoltaic devices of Experimental Examples 1 to 6 were made to enter light from the transparent substrate 10 side as described above, and the conversion efficiency in each photovoltaic device was measured. The results are shown in Table 1 below.
【００２５】[0025]
【表１】 [Table 1]
【００２６】この結果、微結晶シリコン層２３ａに酸素
を３〜３０ａｔｏｍｉｃ％の範囲で含有させた実験例２
〜４における光起電力装置が、微結晶シリコン層２３ａ
に酸素を含有させなかった実験例１の光起電力装置や、
微結晶シリコン層２３ａに酸素を５０ａｔｏｍｉｃ％含
有させた実験例５の光起電力装置や、微結晶シリコン層
２３ａを設けなかった実験例６の光起電力装置に比べて
変換効率が高くなっており、微結晶シリコン層２３ａに
含有させる酸素の量を３〜３０ａｔｏｍｉｃ％に調整す
ることが好ましいということが分かった。As a result, Experimental Example 2 in which the microcrystalline silicon layer 23a was made to contain oxygen in the range of 3 to 30 atomic%
4 to the microcrystalline silicon layer 23a.
The photovoltaic device of Experimental Example 1 in which oxygen was not contained in the
The conversion efficiency is higher than that of the photovoltaic device of Experimental Example 5 in which the microcrystalline silicon layer 23a contains 50 atomic% of oxygen and the photovoltaic device of Experimental Example 6 in which the microcrystalline silicon layer 23a is not provided. It was found that it is preferable to adjust the amount of oxygen contained in the microcrystalline silicon layer 23a to 3 to 30 atomic%.
【００２７】このように微結晶シリコン層２３ａに含有
させる酸素の量によって光起電力装置における変換効率
が変化する原因は明確ではないが、この発明者等の実験
的考察によると、微結晶シリコン層２３ａに適当量の酸
素を含有させることにより、微結晶シリコン層２３ａ中
における非晶質層と結晶層との界面における欠陥が減少
し、この微結晶シリコン層２３ａがある程度の光電変換
機能を果たすようになり、この微結晶シリコン層２３ａ
において吸収された光によりある程度キャリアが発生す
るようになるためであると考えられる。Although it is not clear why the conversion efficiency of the photovoltaic device changes depending on the amount of oxygen contained in the microcrystalline silicon layer 23a, according to the experimental consideration by the present inventors, the microcrystalline silicon layer By containing an appropriate amount of oxygen in 23a, defects in the interface between the amorphous layer and the crystal layer in the microcrystalline silicon layer 23a are reduced, and the microcrystalline silicon layer 23a performs a photoelectric conversion function to some extent. And this microcrystalline silicon layer 23a
It is considered that this is because carriers are generated to some extent by the light absorbed in.
【００２８】なお、上記の実施例１における光起電力装
置においては、微結晶シリコン層２３ａの上に非晶質の
ｎ型半導体層２４を設けるようにしたが、このｎ型半導
体層２４をｎ型の微結晶シリコン等の微結晶半導体で形
成するようにしてもよい。Although the amorphous n-type semiconductor layer 24 is provided on the microcrystalline silicon layer 23a in the photovoltaic device according to the first embodiment, the n-type semiconductor layer 24 is replaced by the n-type semiconductor layer 24. It may be made of a microcrystalline semiconductor such as microcrystalline silicon of a mold.
【００２９】このようにｎ型半導体層２４をｎ型の微結
晶半導体で形成すると、このｎ型の微結晶半導体におけ
る光電特性が一般に非晶質のものよりも良いため、より
変換効率のよい光起電力装置が得られるようになった。
また、ｎ型半導体層２４を微結晶半導体で形成する場
合、一般に製造上の理由から、その膜厚が通常２００Å
程度以上になるが、上記のように微結晶半導体を微結晶
シリコン層２３ａの上に設けるようにすると、その膜厚
を２００Å以下にすることができ、ｎ型半導体層２４を
微結晶半導体で形成した場合においても、その膜厚を薄
くすることができ、ｎ型半導体層２４における光のロス
を少なくすることができた。When the n-type semiconductor layer 24 is formed of an n-type microcrystalline semiconductor as described above, photoelectric conversion characteristics of the n-type microcrystalline semiconductor are generally better than those of an amorphous semiconductor, so that light having higher conversion efficiency can be obtained. An electromotive device is now available.
In addition, when the n-type semiconductor layer 24 is formed of a microcrystalline semiconductor, the film thickness thereof is usually 200Å because of manufacturing reasons.
If the microcrystalline semiconductor is provided on the microcrystalline silicon layer 23a as described above, the film thickness can be 200 Å or less, and the n-type semiconductor layer 24 is formed of the microcrystalline semiconductor. Even in such a case, the film thickness can be reduced and the light loss in the n-type semiconductor layer 24 can be reduced.
【００３０】また、上記の実施例１における光起電力装
置においては、酸素を含む微結晶シリコン層２３ａを、
光の反射側における光発電型半導体層２２とｎ型半導体
層２４との間に設けるようにしたが、図５に示すよう
に、この微結晶シリコン層２３ａを光の入射側における
ｐ型半導体層２１と光発電型半導体層２２との間に設け
るようにしてもよい。なお、このようにした場合には、
上記のように透明基板１０側から入射された光がこの微
結晶シリコン層２３ａで散乱されて光発電型半導体層２
２に送り込まれるようになり、光発電型半導体層２２内
における入射光の光路長が長くなって、この光発電型半
導体層２２において発生するキャリアが多くなり、これ
により上記の場合と同様にこの光起電力装置における変
換効率が向上した。In the photovoltaic device according to the first embodiment, the microcrystalline silicon layer 23a containing oxygen is
Although it is arranged between the photovoltaic type semiconductor layer 22 and the n-type semiconductor layer 24 on the light reflection side, as shown in FIG. 5, the microcrystalline silicon layer 23a is provided on the light incidence side of the p-type semiconductor layer. It may be provided between 21 and the photovoltaic type semiconductor layer 22. If you do this,
As described above, the light incident from the transparent substrate 10 side is scattered by the microcrystalline silicon layer 23a, and the photovoltaic type semiconductor layer 2
2 and the optical path length of the incident light in the photovoltaic power generation semiconductor layer 22 becomes long, and the number of carriers generated in the photovoltaic power generation semiconductor layer 22 increases. Improved conversion efficiency in photovoltaic devices.
【００３１】（実施例２）この実施例における光起電力
装置においては、図６に示すように、ステンレス基板１
３の表面に銀で膜厚が２０００Åになった電極１４を設
け、この電極１４の上に膜厚が５００ÅになったＩＴＯ
の透明導電膜１５を設けた。(Embodiment 2) In the photovoltaic device according to this embodiment, as shown in FIG.
An electrode 14 made of silver having a film thickness of 2000 Å is provided on the surface of No. 3, and an ITO film having a film thickness of 500 Å is formed on the electrode 14.
Transparent conductive film 15 was provided.
【００３２】次に、上記の透明導電膜１５上に、膜厚が
２００Åになったｎ型の非晶質水素化シリコンからなる
第１のｎ型半導体層２４ａと、酸素を１５ａｔｏｍｉｃ
％含むｉ型の微結晶シリコンゲルマニウム層２３ｂと、
膜厚が１０００Åになったｉ型の微結晶水素化シリコン
ゲルマニウムからなる第１の光発電型半導体層２２ａ
と、膜厚が１００Åになったｐ型の非晶質水素化シリコ
ンからなる第１のｐ型半導体層２１ａと、膜厚が１００
Åになったｎ型の非晶質水素化シリコンからなる第２の
ｎ型半導体層２４ｂと、膜厚が１５００Åになったｉ型
の非晶質水素化シリコン層からなる第２の光発電型半導
体層２２ｂと、膜厚が１００Åになったｐ型の非晶質水
素化シリコンからなる第２のｐ型半導体層２１ｂとを順
々に積層させて光電変換層２０を形成した。Next, on the transparent conductive film 15 described above, a first n-type semiconductor layer 24a made of n-type amorphous silicon hydride having a film thickness of 200 Å and oxygen of 15 atomic are formed.
% Of the i-type microcrystalline silicon germanium layer 23b,
First photovoltaic type semiconductor layer 22a made of i-type microcrystalline silicon germanium hydride having a film thickness of 1000Å
And a first p-type semiconductor layer 21a made of p-type amorphous silicon hydride having a film thickness of 100Å, and a film thickness of 100
A second photovoltaic type including an n-type amorphous hydrogenated silicon layer 24b made of Å and an i-type amorphous hydrogenated silicon layer having a film thickness of 1500Å The photoelectric conversion layer 20 was formed by sequentially stacking the semiconductor layer 22b and the second p-type semiconductor layer 21b made of p-type amorphous hydrogenated silicon having a film thickness of 100 Å.
【００３３】なお、上記の酸素を含むｉ型の微結晶シリ
コンゲルマニウム層２３ｂを形成するにあたっては、上
記実施例１における微結晶シリコン層２３ａを形成する
際に使用した原料ガスにさらにＧｅＨ4 のガスを加える
ようにした。When forming the i-type microcrystalline silicon germanium layer 23b containing oxygen, the source gas used for forming the microcrystalline silicon layer 23a in Example 1 was further supplemented with GeH 4 gas. Was added.
【００３４】次いで、上記のように形成された光電変換
層２０上に膜厚が５００ÅになったＩＴＯの透明電極１
６を設け、さらにこの透明電極１６の上に銀やアルミニ
ウム等の導電性材料で構成された櫛歯電極１７を設け
て、この実施例の光起電力装置を得た。Next, the transparent electrode 1 of ITO having a film thickness of 500 Å is formed on the photoelectric conversion layer 20 formed as described above.
6, and a comb-tooth electrode 17 made of a conductive material such as silver or aluminum was further provided on the transparent electrode 16 to obtain a photovoltaic device of this example.
【００３５】そして、この実施例における光起電力装置
においては、上記の透明電極１６側から光を入射させる
ようにした。In the photovoltaic device according to this embodiment, light is made incident from the transparent electrode 16 side.
【００３６】このように透明電極１６側から光を入射さ
せると、この入射された光により上記の第２及び第１の
各光発電型半導体層２２ｂ，２２ａにおいてそれぞれキ
ャリアが発生し、またこれらの光発電型半導体層２２
ｂ，２２ａを通過した光が、前記の微結晶シリコンゲル
マニウム層２３ｂにおいて散乱されてその下の電極１４
で反射され、このように反射された光が再度微結晶シリ
コンゲルマニウム層２３ｂで散乱されて、前記の第１及
び第２の光発電型半導体層２２ａ，２２ｂに導かれ、こ
の反射光により各光発電型半導体層２２ａ，２２ｂにお
いて再度キャリアが発生した。When light is incident from the transparent electrode 16 side in this manner, carriers are generated in the second and first photovoltaic power generation semiconductor layers 22b and 22a, respectively, by the incident light, and these light are also generated. Photovoltaic semiconductor layer 22
The light that has passed through b and 22a is scattered by the microcrystalline silicon germanium layer 23b and the electrode 14 thereunder is scattered.
The light thus reflected is again scattered by the microcrystalline silicon germanium layer 23b and guided to the first and second photovoltaic power generation type semiconductor layers 22a and 22b. Carriers are generated again in the power generation type semiconductor layers 22a and 22b.
【００３７】ここで、この実施例における光起電力装置
においても、上記実施例１の場合と同様に、反射された
光が微結晶シリコンゲルマニウム層２３ｂで散乱されて
各光発電型半導体層２２ａ，２２ｂに導かれるため、各
光発電型半導体層２２ａ，２２ｂ内における反射光の光
路長が長くなって多くのキャリアが発生するようにな
り、これにより上記実施例１の場合と同様にこの光起電
力装置における変換効率が向上した。Here, also in the photovoltaic device of this embodiment, as in the case of the first embodiment, the reflected light is scattered by the microcrystalline silicon germanium layer 23b, and each photovoltaic type semiconductor layer 22a, 22b, the optical path length of the reflected light in each of the photovoltaic type semiconductor layers 22a and 22b becomes long and many carriers are generated. As a result, as in the case of the first embodiment, the photo-generated light is generated. The conversion efficiency in the power device is improved.
【００３８】次に、上記の光起電力装置において、微結
晶シリコンゲルマニウム層２３ｂを形成する条件を変更
させ、その膜厚が下記の表２に示すような膜厚になった
実験例７〜１２の光起電力装置を得た。Next, in the above photovoltaic device, the conditions for forming the microcrystalline silicon germanium layer 23b were changed, and the film thicknesses thereof were as shown in Table 2 below. Experimental Examples 7 to 12 To obtain a photovoltaic device.
【００３９】そして、上記の各実験例の光起電力装置に
対して、それぞれ上記のように透明電極１６側から光を
入射させて、各光起電力装置における変換効率を測定
し、微結晶シリコンゲルマニウム層２３ｂの膜厚が光起
電力装置の変換効率にどのような影響を及ぼすかを調
べ、その結果を下記の表２に示した。Then, light was made incident on the photovoltaic device of each of the above experimental examples from the side of the transparent electrode 16 as described above, and the conversion efficiency in each photovoltaic device was measured to obtain microcrystalline silicon. The effect of the film thickness of the germanium layer 23b on the conversion efficiency of the photovoltaic device was investigated, and the results are shown in Table 2 below.
【００４０】[0040]
【表２】 [Table 2]
【００４１】この結果、微結晶シリコンゲルマニウム層
２３ｂの膜厚が２００〜２０００Åの範囲になった実験
例９〜１１の光起電力装置が、微結晶シリコンゲルマニ
ウム層２３ｂを設けなかった実験例７の光起電力装置や
上記の膜厚が１００Åになった実験例８の光起電力装置
や上記の膜厚が５０００Åになった実験例１２の光起電
力装置に比べて変換効率が高くなっていた。これは、微
結晶シリコンゲルマニウム層２３ｂの膜厚が薄いと、こ
の微結晶シリコンゲルマニウム層２３ｂによる光散乱の
効果が十分に現れない一方、この微結晶シリコンゲルマ
ニウム層２３ｂの膜厚が厚すぎると、微結晶シリコンゲ
ルマニウム層２３ｂにおける光の吸収によるロスが増加
するためであると考えられる。As a result, the photovoltaic devices of Experimental Examples 9 to 11 in which the film thickness of the microcrystalline silicon germanium layer 23b was in the range of 200 to 2000Å were found in Experimental Example 7 in which the microcrystalline silicon germanium layer 23b was not provided. The conversion efficiency was higher than that of the photovoltaic device and the photovoltaic device of Experimental Example 8 in which the film thickness was 100 Å and the photovoltaic device of Experimental Example 12 in which the film thickness was 5000 Å. . This is because when the film thickness of the microcrystalline silicon germanium layer 23b is thin, the effect of light scattering by the microcrystalline silicon germanium layer 23b does not sufficiently appear, while when the film thickness of the microcrystalline silicon germanium layer 23b is too thick, It is considered that this is because the loss due to the absorption of light in the microcrystalline silicon germanium layer 23b increases.
【００４２】このため、前記の酸素を含む微結晶シリコ
ン層２３ａや微結晶シリコンゲルマニウム等の微結晶シ
リコン化合物層２３ｂを設ける場合、一般にその膜厚を
２００Å〜２０００Åの範囲にすることが好ましいとい
うことが分かった。Therefore, when the microcrystalline silicon layer 23a containing oxygen and the microcrystalline silicon compound layer 23b such as microcrystalline silicon germanium are provided, it is generally preferable that the film thickness thereof be in the range of 200Å to 2000Å. I understood.
【００４３】なお、上記の各実施例における光起電力装
置においては、酸素を含む微結晶シリコン又は微結晶シ
リコン化合物の層２３を光発電型半導体層２２とｎ型
（又はｐ型）の半導体層２４（又は２１）との間に設け
るようにしたが、結晶系半導体のように光発電能力のあ
る半導体を使用する場合には、図７に示すように、酸素
を含む微結晶シリコン又は微結晶シリコン化合物の層２
３をｐ型半導体層２１とｎ型半導体層２４との間に設け
るようにする。In the photovoltaic device in each of the above embodiments, the layer 23 of oxygen-containing microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound is used as the photovoltaic type semiconductor layer 22 and the n-type (or p-type) semiconductor layer. 24 (or 21), but when a semiconductor having a photovoltaic capacity such as a crystalline semiconductor is used, as shown in FIG. 7, microcrystalline silicon or microcrystals containing oxygen are used. Silicon compound layer 2
3 is provided between the p-type semiconductor layer 21 and the n-type semiconductor layer 24.
【００４４】また、上記のようにｐ型半導体層２１とｎ
型半導体層２４との間に酸素を含む微結晶シリコン又は
微結晶シリコン化合物の層２３を設ける場合、ｐ型或は
ｎ型のいずれか一方の半導体層２１或いは２４が発電能
力のある半導体で構成されていればよい。As described above, the p-type semiconductor layer 21 and n
When the layer 23 of oxygen-containing microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound is provided between the semiconductor layer 24 and the type semiconductor layer 24, either the p-type or the n-type semiconductor layer 21 or 24 is composed of a semiconductor having a power generation capability. It should have been done.
【００４５】例えば、図８の（Ａ）に示すように、光を
反射させる背面電極１２側に発電能力のない非晶質のｐ
型（ｎ型）の半導体層２１（２４）を設け、この半導体
層２１（２４）と発電能力のある結晶系のｎ型（ｐ型）
の半導体層２４（２１）との間に酸素を含む微結晶シリ
コン又は微結晶シリコン化合物の層２３を設けるように
したり、同図の（Ｂ）に示すように、光を反射させる背
面電極１２側に発電能力のある結晶系のｎ型（ｐ型）の
半導体層２４（２１）を設け、この半導体層２４（２
１）と発電能力のない非晶質のｐ型（ｎ型）の半導体層
２１（２４）との間に酸素を含む微結晶シリコン又は微
結晶シリコン化合物の層２３を設けるようにしてもよ
い。For example, as shown in FIG. 8A, an amorphous p having no power generation capacity is provided on the side of the back electrode 12 which reflects light.
(N-type) semiconductor layer 21 (24) is provided, and this semiconductor layer 21 (24) is a crystalline n-type (p-type) capable of generating power.
The layer 23 of oxygen-containing microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound is provided between the semiconductor layer 24 (21) and the semiconductor layer 24 (21), or, as shown in FIG. Is provided with a crystalline n-type (p-type) semiconductor layer 24 (21) capable of generating electricity.
A layer 23 of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound containing oxygen may be provided between 1) and the amorphous p-type (n-type) semiconductor layer 21 (24) having no power generation capability.
【００４６】なお、図８の（Ａ）に示す場合において
は、入射された光により発電能力のある結晶系の半導体
層２４（２１）においてキャリアが発生し、この半導体
層２４（２１）を通過した光が上記の微結晶シリコン又
は微結晶シリコン化合物の層２３で散乱されて背面電極
１２で反射され、このように反射された光が再度微結晶
シリコン又は微結晶シリコン化合物の層２３で散乱され
て前記の発電能力のある結晶系の半導体層２４（２１）
に導かれるようになり、この散乱された光によってキャ
リアが発生するようになる。また、同図の（Ｂ）に示す
場合においては、入射された光が上記の微結晶シリコン
又は微結晶シリコン化合物の層２３で散乱されて前記の
発電能力のある結晶系の半導体層２４（２１）に入射さ
れ、このように散乱された光によってキャリアが発生す
るようになる。In the case shown in FIG. 8A, the incident light causes carriers to be generated in the crystalline semiconductor layer 24 (21) having a power generation ability and passes through the semiconductor layer 24 (21). The reflected light is scattered by the layer 23 of the above-mentioned microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon compound and is reflected by the back electrode 12, and the light thus reflected is again scattered by the layer 23 of the microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon compound. The crystalline semiconductor layer 24 (21) having the above-mentioned power generation ability
Then, carriers are generated by the scattered light. Further, in the case shown in (B) of the figure, the incident light is scattered by the layer 23 of the above-mentioned microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon compound, and the crystalline semiconductor layer 24 (21) having the above-mentioned power generation capability. ), The carriers are generated by the light thus scattered.
【００４７】このように、図８の（Ａ），（Ｂ）に示す
場合においても、微結晶シリコン又は微結晶シリコン化
合物の層２３で散乱された光が発電能力のある結晶系の
半導体層２４（２１）に導かれ、この発電能力のある結
晶系の半導体層２４（２１）内における光の光路長が長
くなって多くのキャリアが発生するようになり、これに
より上記の各実施例の場合と同様にこの光起電力装置に
おける変換効率が向上した。As described above, also in the cases shown in FIGS. 8A and 8B, the light scattered by the layer 23 of microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon compound has a crystalline semiconductor layer 24 capable of generating electricity. Guided by (21), the optical path length of light in the crystalline semiconductor layer 24 (21) having the power generation ability becomes long, and many carriers are generated. As a result, in the case of each of the above embodiments Similarly, the conversion efficiency in this photovoltaic device was improved.
【００４８】[0048]
【発明の効果】以上詳述したように、この発明における
光起電力装置においては、少なくとも光発電型半導体層
と一導電型或は他導電型の何れか一方の導電型半導体層
との間や、一導電型半導体層と他導電型半導体層との間
に、酸素を含む微結晶シリコン又は微結晶シリコン化合
物の層を設け、光をこの酸素を含む微結晶シリコン又は
微結晶シリコン化合物の層において散乱させて光発電能
力のある半導体層に光を導くようにしたため、この半導
体層内を通る光の光路長が長くなって多くのキャリアが
発生するようになり、このように光が有効に利用されて
この光起電力装置における変換効率が向上した。As described above in detail, in the photovoltaic device according to the present invention, at least between the photovoltaic type semiconductor layer and the one conductive type semiconductor layer or the other conductive type semiconductor layer, or , A layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound containing oxygen is provided between the one-conductivity-type semiconductor layer and the other-conductivity-type semiconductor layer, and light is applied to the layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound containing oxygen. Since the light is scattered and guided to the semiconductor layer having a photovoltaic power generation, the optical path length of the light passing through this semiconductor layer becomes long, and many carriers are generated. As a result, the conversion efficiency of this photovoltaic device is improved.
【００４９】また、この発明における光起電力装置にお
いては、上記のように酸素を含む微結晶シリコン又は微
結晶シリコン化合物の層において光を散乱させる場合、
この層において光の一部が吸収されるが、このように吸
収された光によりこの層においても多少のキャリアが発
生し、吸収された光が無駄に消費されることなく光電変
換に利用され、変換効率が向上した。Further, in the photovoltaic device according to the present invention, when light is scattered in the layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound containing oxygen as described above,
Part of the light is absorbed in this layer, but some of the carriers are also generated in this layer due to the absorbed light, and the absorbed light is used for photoelectric conversion without wasted consumption, Improved conversion efficiency.
【００５０】この結果、この発明における光起電力装置
においては、光発電能力のある半導体層に導く光を散乱
させるために、従来の光起電力装置のように透明電極と
光電変換層とが接合する界面を凹凸形状に形成する必要
がなく、光電変換層と透明電極との接合界面における電
気的な接合特性が低下して曲線因子Ｆ．Ｆ．が低下する
ということがなく、また背面電極と光電変換層との間に
透明導電膜を設けた従来の光起電力装置のように、光の
一部がこの透明導電膜で吸収されて光電変換層に反射さ
れる光の量が低下するということもなく、従来の各光起
電力装置より光を有効に利用して変換効率を向上させる
ことができた。As a result, in the photovoltaic device according to the present invention, in order to scatter the light guided to the semiconductor layer having a photovoltaic power generation capability, the transparent electrode and the photoelectric conversion layer are bonded to each other as in the conventional photovoltaic device. It is not necessary to form the interface to be formed into a concavo-convex shape, and the electrical bonding characteristic at the bonding interface between the photoelectric conversion layer and the transparent electrode is deteriorated, and the fill factor F. F. Does not decrease, and part of the light is absorbed by this transparent conductive film as in the conventional photovoltaic device in which a transparent conductive film is provided between the back electrode and the photoelectric conversion layer. It was possible to improve the conversion efficiency by effectively utilizing the light as compared with the conventional photovoltaic devices without reducing the amount of light reflected by the layer.
【図１】光電変換層の一方の面に透明電極を、反対の面
に背面電極を設けた従来の光起電力装置の概略断面図で
ある。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional photovoltaic device in which a transparent electrode is provided on one surface of a photoelectric conversion layer and a back electrode is provided on the opposite surface.
【図２】透明電極と光電変換層とが接合する界面を凹凸
形状にした従来の光起電力装置の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a conventional photovoltaic device in which an interface where a transparent electrode and a photoelectric conversion layer are joined has an uneven shape.
【図３】背面電極と光電変換層との間に透明導電膜を設
けた従来の光起電力装置の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a conventional photovoltaic device in which a transparent conductive film is provided between a back electrode and a photoelectric conversion layer.
【図４】この発明の実施例１で示した光起電力装置の概
略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view of the photovoltaic device shown in Embodiment 1 of the present invention.
【図５】この発明の実施例１で示した光起電力装置にお
いて、酸素を含む微結晶シリコン層を設ける位置を変更
させた変更例に係る光起電力装置の概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a photovoltaic device according to a modified example of the photovoltaic device shown in the first embodiment of the present invention in which the position where the microcrystalline silicon layer containing oxygen is provided is changed.
【図６】この発明の実施例２で示した光起電力装置の概
略断面図である。FIG. 6 is a schematic sectional view of the photovoltaic device shown in Embodiment 2 of the present invention.
【図７】この発明の光起電力装置において、光発電能力
のある半導体を用い、一導電型半導体層と他導電型半導
体層との間に酸素を含む微結晶シリコン又は微結晶シリ
コン化合物の層を設けた例の概略断面図である。FIG. 7 is a layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound containing oxygen between a semiconductor layer of one conductivity type and a semiconductor layer of another conductivity type using a semiconductor having a photovoltaic power generation in the photovoltaic device of the present invention. It is a schematic sectional drawing of the example which provided.
【図８】この発明において、一導電型半導体層と他導電
型半導体層のいずれか一方に光発電能力のある半導体を
用い、一導電型半導体層と他導電型半導体層との間に酸
素を含む微結晶シリコン又は微結晶シリコン化合物の層
を設けた光起電力装置の例を示した概略断面図である。In the present invention, a semiconductor having a photovoltaic capacity is used for one of the one conductivity type semiconductor layer and the other conductivity type semiconductor layer, and oxygen is provided between the one conductivity type semiconductor layer and the other conductivity type semiconductor layer. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of a photovoltaic device provided with a layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound containing the same.
２１，２１ａ ｐ型半導体層 ２２，２２ａ 光発電型半導体層 ２３ 酸素を含む微結晶シリコン又は微結晶シリコン化
合物の層 ２３ａ 酸素を含む微結晶シリコン層 ２３ｂ 酸素を含む微結晶シリコンゲルマニウム層 ２４，２４ａ ｎ型半導体層21,21a p-type semiconductor layer 22,22a photovoltaic type semiconductor layer 23 layer of microcrystalline silicon or microcrystalline silicon compound containing oxygen 23a microcrystalline silicon layer containing oxygen 23b microcrystalline silicon germanium layer containing oxygen 24,24an Type semiconductor layer
Claims (3)
他導電型半導体層とが積層された構造を有する光起電力
装置において、少なくとも上記の光発電型半導体層と何
れか一方の導電型半導体層との間に酸素を含む微結晶シ
リコン又は微結晶シリコン化合物の層を設けたことを特
徴とする光起電力装置。1. A photovoltaic device having a structure in which one conductive type semiconductor layer, a photovoltaic type semiconductor layer, and another conductive type semiconductor layer are laminated, wherein at least one of the photovoltaic type semiconductor layer and the conductive type A photovoltaic device, wherein a layer of microcrystalline silicon containing oxygen or a microcrystalline silicon compound is provided between the type semiconductor layer and the semiconductor layer.
が積層された構造を有する光起電力装置において、上記
の一導電型半導体層と他導電型半導体層との間に酸素を
含む微結晶シリコン又は微結晶シリコン化合物の層を設
けたことを特徴とする光起電力装置。2. A photovoltaic device having a structure in which one conductive type semiconductor layer and another conductive type semiconductor layer are stacked, wherein oxygen is contained between the one conductive type semiconductor layer and the other conductive type semiconductor layer. A photovoltaic device provided with a layer of microcrystalline silicon or a microcrystalline silicon compound.
において、上記の微結晶シリコン又は微結晶シリコン化
合物の層に酸素を原子数で３〜３０％含有させたことを
特徴とする光起電力装置。3. The photovoltaic device according to claim 1, wherein the layer of the microcrystalline silicon or the microcrystalline silicon compound contains 3 to 30% of oxygen in atomic number. Electromotive force device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6127035A JPH07312435A (en) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | Photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6127035A JPH07312435A (en) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | Photovoltaic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312435A true JPH07312435A (en) | 1995-11-28 |
Family
ID=14950044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6127035A Pending JPH07312435A (en) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | Photovoltaic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07312435A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083984A (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Solar battery and its manufacturing method |
-
1994
- 1994-05-16 JP JP6127035A patent/JPH07312435A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083984A (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Solar battery and its manufacturing method |
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