JPH07312382A - Probe device - Google Patents
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- JPH07312382A JPH07312382A JP6126898A JP12689894A JPH07312382A JP H07312382 A JPH07312382 A JP H07312382A JP 6126898 A JP6126898 A JP 6126898A JP 12689894 A JP12689894 A JP 12689894A JP H07312382 A JPH07312382 A JP H07312382A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの電気的
特性を検査するプローブ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe device for inspecting electrical characteristics of a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造装置においては、ウエハ上に
素子が完成すると、その素子の電極パッドにプローブ針
を接触させて素子の電気的特性検査を実行している。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing apparatus, when an element is completed on a wafer, a probe needle is brought into contact with the electrode pad of the element to inspect the electrical characteristics of the element.
【０００３】このような電気的特性の検査には、素子の
電極パッドに対してプローブ針の良好な接触が求めら
れ、所謂、接触抵抗の増加を抑えることが必要である。In such inspection of electrical characteristics, good contact of the probe needle with the electrode pad of the device is required, and it is necessary to suppress so-called increase in contact resistance.
【０００４】このため、従来では、一旦、素子の電極パ
ッドにプローブ針が接触した場合、その状態からさらに
プローブ針を押上げる方向に素子を移動させ、所謂、オ
ーバドライブを実行することにより、素子表面に形成さ
れている酸化膜を除去してプローブ針と電極との直接接
触を行なうようになっている。Therefore, conventionally, when the probe needle comes into contact with the electrode pad of the element once, the element is moved in the direction of further pushing up the probe needle from that state, and so-called overdrive is executed to The oxide film formed on the surface is removed to directly contact the probe needle with the electrode.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、プローブ針
を用いて連続的に実行される検査工程では、素子に対す
るプローブ針の接触面積が小さいと接触抵抗（電気抵
抗）が増加する。このため、良品でありながらも不良品
として判定されてしまう虞がある。By the way, in an inspection process which is continuously performed using a probe needle, the contact resistance (electrical resistance) increases when the contact area of the probe needle with respect to the element is small. Therefore, there is a possibility that the product is determined to be a defective product although it is a non-defective product.
【０００６】そこで、電極パッドに形成された針跡の状
態から両者間での接触状態の良否を判定することが考え
られる。Therefore, it can be considered to judge the quality of the contact state between the two from the state of the trace of the needle formed on the electrode pad.
【０００７】このような針跡は、一般に、略楕円形とな
る。これは、一旦、電極パッドに接触した後に行なわれ
るオーバドライブによって針先が電極上で滑動するため
である。Such needle traces are generally substantially elliptical. This is because the needle tip slides on the electrode due to overdrive that is performed once the electrode pad is contacted.
【０００８】ところが、針跡の形成状態から接触状態を
判定する場合には、針跡の形状が一様でないので、検出
誤差が生じやすく、良品でありながら不良品として判定
されてしまうことがある。However, when the contact state is determined from the formation state of the needle trace, the shape of the needle trace is not uniform, so that a detection error is likely to occur and the product may be determined as a defective product although it is a good product. .
【０００９】つまり、実際に形成された針跡を観察する
と、次のような形状が得られることがある。That is, when observing the traces of the actually formed needle, the following shape may be obtained.
【００１０】すなわち、楕円形の一部が電極パッドの周
囲に張り出しているパッシベーションエッジにかかって
しまって電極パッドの所定位置に形成されていないもの
や楕円形の一部が欠損したもの、さらには、複数回形成
されることにより一部がオーバラップしているもの等が
ある。したがって、これら全ての針跡の形成状態を基に
してプローブ針と電極パッドとの接触状態を判定するた
めの信頼性があまり高くないというのが現状であった。That is, a part of the elliptical shape is not formed at a predetermined position of the electrode pad due to the passivation edge projecting around the electrode pad, or a part of the elliptical shape is missing. , Some of them are overlapped by being formed a plurality of times. Therefore, the present situation is that the reliability for determining the contact state between the probe needle and the electrode pad based on the formation state of all these needle marks is not so high.
【００１１】なお、複数回の針跡形成というのは、例え
ば、最初に検査された結果、配線等を修復して所謂リペ
ア処理されて再度、検査工程を実施される場合を意味し
ている。The formation of needle marks a plurality of times means, for example, a case where the wiring is repaired after the first inspection, so-called repair processing is performed, and the inspection step is performed again.
【００１２】そこで、本発明の目的とするところは、上
記従来のプローブ装置における問題に鑑み、検査工程中
に電極パッドに対するプローブ針の接触状態を検出する
とともに、その検出精度を低下させないようにすること
ができる構造を備えたプローブ装置を提供することにあ
る。Therefore, an object of the present invention is to detect the contact state of the probe needle with respect to the electrode pad during the inspection process in view of the problem in the above-mentioned conventional probe device, and to prevent the detection accuracy from being lowered. An object of the present invention is to provide a probe device having a structure capable of performing the above.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、半導体ウエハ上に形成され
ている素子の電極パッドに接触可能なプローブ針を備え
たプローブ装置において、上記電極パッドに接触するこ
とにより形成されたプローブ針の針跡を撮像するイメー
ジセンサと、上記イメージセンサからの出力信号によ
り、電極パッド上での針跡の面積および針跡の位置を算
出する算出部と、上記算出部によって算出された面積お
よび針跡位置を記憶する記憶部と、上記記憶部に記憶さ
れた針跡位置および針跡面積の少なくとも一方に基づい
てプローブ針と電極パッドとの接触状態の良否を判別す
る判定部と、を有する判別処理部を備えていることを特
徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention according to claim 1 provides a probe apparatus comprising a probe needle capable of contacting an electrode pad of an element formed on a semiconductor wafer, An image sensor that captures the needle trace of the probe needle formed by contacting the electrode pad, and a calculation that calculates the area of the needle trace and the position of the needle trace on the electrode pad based on the output signal from the image sensor. Section, a storage unit that stores the area and the needle trace position calculated by the calculation unit, and contact between the probe needle and the electrode pad based on at least one of the needle trace position and the needle trace area stored in the storage unit. The present invention is characterized by including a determination processing unit having a determination unit that determines whether the state is good or bad.
【００１４】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、上記判定部は、上記記憶部にて記憶された針跡位置
に基づいてその重心位置を求め、この重心位置が前記電
極パッド内の所定範囲内にない場合に、プローブ針と電
極パッドとの接触が不良であることを判定することを特
徴としている。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the determination section obtains the barycentric position based on the needle trace position stored in the storage section, and the barycentric position is within the electrode pad. It is characterized in that it is determined that the contact between the probe needle and the electrode pad is defective when it is not within the predetermined range.
【００１５】請求項３記載の発明は、請求項１におい
て、上記判定部は、上記記憶部に記憶された針跡位置の
輪郭が所定範囲内にない場合に、プローブ針と電極パッ
ドとの接触状態の不良判定を行なうことを特徴としてい
る。According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the determination unit makes contact between the probe needle and the electrode pad when the contour of the needle trace position stored in the storage unit is not within a predetermined range. It is characterized by making a defect determination of the state.
【００１６】請求項４記載の発明は、請求項１におい
て、上記判定部は、上記記憶部に記憶された針跡面積が
所定値以下である場合にプローブ針電極パッドとの接触
状態の不良判定を行なうことを特徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect, the determination section determines whether the contact state with the probe needle electrode pad is defective when the needle trace area stored in the storage section is a predetermined value or less. It is characterized by performing.
【００１７】請求項５記載の発明は、請求項１におい
て、上記検出部は、イメージセンサからの画像情報に基
づいて針跡が一部欠損していることを検出した時にこの
画像中の欠損部分を補間する補間部とを有し、上記補間
結果に基づいて針跡面積あるいは面積重心を求めること
を特徴としている。According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect, when the detection section detects that the needle mark is partially missing based on the image information from the image sensor, the missing section in the image is detected. And an interpolating section for interpolating, and obtaining the needle trace area or the area centroid based on the above interpolation result.
【００１８】請求項６記載の発明は、請求項１〜５のひ
とつにおいて、上記判定部は、電極パッドの同じ位置で
プローブ針の接触が複数回繰り返される場合、各回で形
成される針跡が欠損していないで、かつ両方の針跡同士
の一部がオーバラップしていない場合、最後に形成され
た針跡位置および針跡面積を求めることにより、プロー
ブ針の接触状態の良否を判定することを特徴としてい
る。According to a sixth aspect of the present invention, in any one of the first to fifth aspects, in the determination unit, when the contact of the probe needle is repeated a plurality of times at the same position of the electrode pad, the needle mark formed at each time is If there is no defect and part of both needle traces do not overlap, the quality of the contact state of the probe needle is judged by obtaining the needle trace position and the needle trace area formed last. It is characterized by that.
【００１９】請求項７記載の発明は、請求項６におい
て、上記判定部は、前回形成された針跡面積のうち、オ
ーバラップしていない範囲の面積をＡ、そしてオーバラ
ップしている部分の面積をＣとし、最後に形成された針
跡面積のうち、オーバラップしていない範囲の面積を
Ｂ、オーバラップしている部分の面積をＣとしたとき、
最後に形成された針跡面積Ｓを、 Ｓ＝（Ａ＋Ｃ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ａ＋Ｃ） により求めることを特徴としている。According to a seventh aspect of the present invention, in the sixth aspect, the determining portion is A, which is a non-overlapping area of the needle trace area formed last time, and the overlapping portion. When the area is C, the area of the needle trace area formed at the end that does not overlap is B, and the area of the overlapping portion is C,
The feature is that the needle trace area S formed at the end is obtained by S = (A + C + B + C)-(A + C).
【００２０】[0020]
【作用】請求項１記載の発明では、電極パッド上に形成
された針跡の位置および針跡面積の少なくとも一方に基
づいて、接触状態の良否が判別される。これにより、針
跡の位置が電極パッド上に位置していない場合あるいは
位置していても所定面積を有していない場合には、電極
パッドとプローブ針との直接接触が充分でないとして接
触不良状態であることを判定することができる。According to the first aspect of the present invention, the quality of the contact state is determined based on at least one of the position and the area of the needle trace formed on the electrode pad. As a result, if the position of the needle trace is not located on the electrode pad, or if it is located but does not have a predetermined area, the direct contact between the electrode pad and the probe needle is not sufficient, and a contact failure state occurs. Can be determined.
【００２１】請求項２記載の発明では、針跡の位置情報
によって針跡の面積重心を求めることにより、針跡が電
極パッドから外れてしまっている場合を検出することが
できる。これにより、仮に、針跡の一部が電極パッド上
に位置していてもその針跡の面積重心が電極パッドの所
定範囲内にない時には、接触抵抗を増加させないだけけ
の接触状態が設定されていないと判定することができ
る。According to the second aspect of the present invention, it is possible to detect the case where the needle trace is dislocated from the electrode pad by obtaining the area centroid of the needle trace based on the position information of the needle trace. As a result, even if a part of the needle trace is located on the electrode pad, if the area center of gravity of the needle trace is not within the predetermined range of the electrode pad, the contact state is set only by not increasing the contact resistance. It can be determined that it is not.
【００２２】請求項３記載の発明によれば、針跡の輪郭
を基にして、その輪郭が電極パッド内に位置しているこ
とを検出することにより、接触状態を判定することがで
きる。According to the third aspect of the present invention, the contact state can be determined by detecting that the contour is located in the electrode pad based on the contour of the needle trace.
【００２３】これにより、輪郭の形成状態に対処して接
触状態を判定することができる。This makes it possible to determine the contact state by coping with the contour formation state.
【００２４】請求項４記載の発明では、針跡面積が所定
値以下である場合には、プローブ針による酸化膜の除去
が完全でないことが判定でき、これにより、酸化膜の残
り具合あるいは接触圧に対処して接触状態を判定するこ
とができる。According to the fourth aspect of the invention, when the needle trace area is less than a predetermined value, it can be determined that the removal of the oxide film by the probe needle is not complete. The contact state can be determined by coping with.
【００２５】請求項５記載の発明では、電極パッド上に
形成された針跡が前記したような楕円形ではなく、一部
が欠損している場合、その残りの部分から仮想的に針跡
面積を抽出し、接触状態を判定することができる。According to the fifth aspect of the invention, when the needle trace formed on the electrode pad is not the elliptical shape as described above and a portion is missing, the needle trace area is virtually from the remaining portion. Can be extracted and the contact state can be determined.
【００２６】請求項６記載の発明では、複数回のプロー
ブ針と電極パッドとの接触が行なわれた場合に対処して
接触状態を判定することができる。特に、電極パッド上
で離れた状態に針跡が形成された場合には、その最後の
針跡について前記した対処方法が適用される。According to the sixth aspect of the present invention, the contact state can be determined by coping with the case where the probe needle and the electrode pad are contacted a plurality of times. In particular, when needle marks are formed in a separated state on the electrode pad, the coping method described above is applied to the last needle mark.
【００２７】請求項７記載の発明では、前回形成された
針跡と最後に形成された針跡面積との総和から前回の針
跡側のオーバラップ部の面積を前回の面積内に含めて上
記総和から差し引くことにより、残りのオーバラップ部
の面積を含む最後の針跡面積が求められる。したがっ
て、オーバラップしている針跡の面積の総和から一方の
針跡面積を引くことにより、オーバラップした針跡の形
成状態にあっても最後に形成された針跡面積を正確に割
出すことができる。According to the seventh aspect of the invention, the area of the overlap portion on the side of the previous needle trace is included in the previous area from the sum of the area of the needle trace formed last time and the area of the needle trace formed last. By subtracting from the total sum, the final needle trace area including the area of the remaining overlap portion is obtained. Therefore, by subtracting one needle trace area from the total area of overlapping needle traces, it is possible to accurately determine the last formed needle trace area even in the overlapping needle trace formation state. You can
【００２８】このように本発明では、針跡の形成状態を
判断するだけでプローブ針と電極パッドとの接触状態を
検査工程に含まれている画像認識を用いて正確に判別す
ることができる。As described above, in the present invention, the contact state between the probe needle and the electrode pad can be accurately determined by using the image recognition included in the inspection process only by determining the formation state of the needle trace.
【００２９】[0029]
【実施例】以下、図に示す実施例によって本発明の詳細
を説明する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the embodiments shown in the drawings.
【００３０】図１は、本発明によるプローブ装置の概略
構成を示している。FIG. 1 shows a schematic structure of a probe device according to the present invention.
【００３１】すなわち、プローブ装置１０は、所謂、基
板上に多数の素子（半導体チップ）を形成された半導体
ウエハＷを載置するための載置台１２を備えている。That is, the probe apparatus 10 is provided with a mounting table 12 for mounting a so-called semiconductor wafer W having a large number of elements (semiconductor chips) formed on a substrate.
【００３２】載置台１２は、載置台平面上の直交座標軸
をＸ軸、Ｙ軸とし、上下方向をＺ軸にそして、このＺ軸
の周方向をθ方向とした場合に、Ｘ、Ｙ、Ｚおよびθ方
向に移動自在に構成されている。The mounting table 12 has X, Y, and Z axes when the orthogonal coordinate axes on the mounting table plane are the X and Y axes, the vertical direction is the Z axis, and the circumferential direction of the Z axis is the θ direction. And is movable in the θ direction.
【００３３】また、上記載置台１２には、載置された半
導体ウエハＷを仮固定、例えば真空吸着するための機構
が設けられており、半導体ウエハＷを吸着保持しながら
上記した方向へ移動することができる。Further, the mounting table 12 is provided with a mechanism for temporarily fixing the mounted semiconductor wafer W, for example, vacuum suction, and moves in the above-mentioned direction while suction-holding the semiconductor wafer W. be able to.
【００３４】一方、載置台１２の上方には、プローブカ
ード１４が配置されている。このプローブカード１４
は、各素子（半導体チップ）が有する電極パッドの配列
に対応して配列されたプローブ針１４Ａを位置合わせさ
れて備え、リングインサート１６によって支持されてい
る。On the other hand, a probe card 14 is arranged above the mounting table 12. This probe card 14
Are aligned with the probe needles 14A arranged corresponding to the arrangement of the electrode pads of each element (semiconductor chip), and are supported by the ring insert 16.
【００３５】さらにプローブカード１４の上方で、素子
およびプローブ針１４Ａを臨むことのできる位置には、
撮像手段、例えばＣＣＤ等で構成されたイメージセンサ
１８が配置されている。Further, above the probe card 14, at a position where the element and the probe needle 14A can be seen,
An image sensor 18, which is composed of an image pickup means, such as a CCD, is arranged.
【００３６】このイメージセンサ１８は、素子の電極パ
ッドの位置情報を認識するとともに、プローブ針１４Ａ
と電極パッドとの接触状態を確認するための機能を備え
ているもので、この機能を有すればどの手段をいずれの
場所に設けてもよい。The image sensor 18 recognizes the positional information of the electrode pad of the element and also the probe needle 14A.
It has a function of confirming the contact state between the electrode pad and the electrode pad, and any means may be provided at any place as long as it has this function.
【００３７】すなわち、イメージセンサ１８は、プロー
ブ針１４Ａの半導体ウエハに形成された各チップの電極
パッド列にプローブ針１４Ａを接触させオーバドライブ
をかけ、押圧接触により当該チップの検査を実施したこ
とにより形成された針跡の各電極パッド内での位置およ
び針跡の大きさを検出し、それら針跡情報を判別処理部
２０に出力するようになっている。That is, in the image sensor 18, the probe needle 14A is brought into contact with the electrode pad row of each chip formed on the semiconductor wafer of the probe needle 14A to perform overdrive, and the chip is inspected by pressing contact. The position of the formed needle trace in each electrode pad and the size of the needle trace are detected, and the needle trace information is output to the discrimination processing unit 20.
【００３８】この判別処理部２０は、図２に示されてい
るように、算出部２２、補間処理部２４、面積比較部２
６および判定部２８を備えており、算出部２２に上記イ
メージセンサ１８の出力が入力されるよう接続されてい
る。As shown in FIG. 2, the discrimination processing section 20 includes a calculation section 22, an interpolation processing section 24, and an area comparison section 2.
6 and a determination unit 28, and is connected so that the output of the image sensor 18 is input to the calculation unit 22.
【００３９】また、判定部２８には、検査工程のシーケ
ンス制御を行なう制御部３０が接続されている。そし
て、この制御部３０には、上記針跡の位置、大きさなど
を記憶する記憶部３２および必要に応じて記憶内容を表
示する表示部３４がそれぞれ接続されている。また、制
御部３０には、検査工程で必要な処理、つまり、プロー
ブ針と電極パッドを接触させるための動作、例えば載置
台１２の昇降動作およびこの昇降動作位置の検出を行な
う部材が入力側および出力側にそれぞれ接続されてい
る。A control unit 30 for controlling the sequence of the inspection process is connected to the determination unit 28. The control unit 30 is connected to a storage unit 32 that stores the position, size, etc. of the needle trace, and a display unit 34 that displays the stored content as needed. Further, the control unit 30 is provided with a member required for a process required in the inspection process, that is, an operation for bringing the probe needle and the electrode pad into contact with each other, for example, a lifting operation of the mounting table 12 and a detection of the lifting operation position. Each is connected to the output side.
【００４０】判別処理部２０に設けられている算出部２
２は、イメージセンサ１８から出力される画像信号によ
って各電極パッド上に位置する針跡の面積および面積重
心を算出する機能を有する。また、補間処理部２４は、
電極パッド上に形成された針跡の一部がイメージセンサ
１８の出力信号として欠損している場合に欠損部分をパ
ターン認識技術などの手法で補間して上記算出部２２で
の面積および面積重心を求める機能を有する。Calculation unit 2 provided in the discrimination processing unit 20
2 has a function of calculating the area and center of gravity of the needle marks located on each electrode pad based on the image signal output from the image sensor 18. In addition, the interpolation processing unit 24
When a part of the trace of the needle formed on the electrode pad is missing as an output signal of the image sensor 18, the missing part is interpolated by a method such as a pattern recognition technique to calculate the area and the area centroid in the calculation unit 22. It has the required function.
【００４１】さらに面積比較部２６は、予め正常な状態
で電極パッドに形成された場合の針跡面積および面積重
心の位置情報を記憶装置に記憶しておき、この記憶情報
と実際に検査後の針跡面積および面積重心とを比較する
機能を有する。そして上記判定部２８は、上記面積比較
部２６からの出力によって、実際検査した当該チップの
針跡の形成状態、換言すれば、プローブ針と電極パッド
との接触状態の良否を判定する機能を有する。Further, the area comparison unit 26 stores the position information of the needle trace area and the area center of gravity in the case of being formed on the electrode pad in a normal state in advance in the storage device, and the stored information and the actual information after the inspection are stored. It has a function of comparing the needle trace area and the area center of gravity. Then, the determination unit 28 has a function of determining, based on the output from the area comparison unit 26, the state of formation of the needle trace of the chip actually inspected, in other words, the quality of the contact state between the probe needle and the electrode pad. .
【００４２】制御部３０に接続されている記憶部３２
は、正常な針跡形成が行なわれた場合の針跡位置および
針跡面積が登録されているとともに、判定部２８を介し
て制御部に出力された針跡位置および針跡面積も記憶部
に格納される。このような判定部２８を介して制御部か
ら出力される針跡位置および針跡面積は、例えば、複数
回の針跡検査を行なう場合、前回のものとして一時的に
記憶部に格納される。Storage unit 32 connected to control unit 30
The needle trace position and needle trace area when normal needle trace formation is performed are registered, and the needle trace position and needle trace area output to the control unit via the determination unit 28 are also stored in the storage unit. Is stored. The needle trace position and the needle trace area output from the control unit via the determination unit 28 are temporarily stored in the storage unit as the previous one when the needle trace inspection is performed a plurality of times, for example.
【００４３】ところで、本実施例においては、例えば、
アルミニュウムなどの電極パッドの素地に形成された針
跡のみをイメージセンサによって認識しようとするもの
である。したがって、色による認識が行なえない。そこ
で、イメージセンサ１８では、電極パッド上の針跡部に
形成される凹みとそれ以外の平坦部との間での輝度の違
いあるいは濃度の違いを基にして画素信号を出力して認
識するようにしている。By the way, in this embodiment, for example,
The image sensor is intended to recognize only the traces of needles formed on the base material of the electrode pad such as aluminum. Therefore, it cannot be recognized by color. Therefore, the image sensor 18 outputs and recognizes a pixel signal based on the difference in luminance or the difference in density between the recess formed in the needle mark portion on the electrode pad and the other flat portion. ing.
【００４４】一方、電極パッドに形成される針跡として
は、次の形成状態を有するものがある。まず、正常な針
跡の場合についていうと、この場合には、針跡の輪郭が
全て電極パッド内にあり、その針跡面積が所定値以上あ
る。このような形成状態に対して、 （１）針跡Ｐの一部が電極パッドＤの周辺部に位置する
パッシベーションエッジＥに含まれている場合（図
３）、 （２）針跡Ｐ同士の一部がオーバラップしている場合
（図４）、 （３）針跡Ｐの一部が欠損している場合（図５）、 （４）針跡Ｐの一部しか残っていない場合（図６） がある。On the other hand, as a trace of a needle formed on an electrode pad, there is one having the following formation state. First, regarding the case of a normal needle trace, in this case, the contour of the needle trace is entirely within the electrode pad, and the needle trace area is a predetermined value or more. With respect to such a formation state, (1) when a part of the needle trace P is included in the passivation edge E located in the peripheral portion of the electrode pad D (FIG. 3), (2) between the needle traces P When some of them overlap (Fig. 4), (3) some of the needle traces P are missing (Fig. 5), and (4) only some of the needle traces P remain (Fig. 6) There is.
【００４５】このような状態にある針跡Ｐの形成状態を
検出し、プローブ針と電極パッドＤとの接触状態の良否
を判定するには次の方法が用いられる。The following method is used to detect the formation state of the needle trace P in such a state and judge whether the contact state between the probe needle and the electrode pad D is good or bad.
【００４６】まず、（１）の場合に対しては、電極パッ
ドＤ内に位置する針跡の面積を求め、その面積の重心位
置を求める。このような処理は、イメージセンサ１８か
らの画素信号により算出部２２で算出される。First, in the case of (1), the area of the needle trace located in the electrode pad D is obtained, and the barycentric position of the area is obtained. Such processing is calculated by the calculation unit 22 based on the pixel signal from the image sensor 18.
【００４７】算出された面積および面積重心位置を基に
して、上記したようにプローブ針と電極パッドとの接触
状態が判定される。ちなみに、正常な接触状態である場
合には、算出された面積が所定値以上であり、かつ、面
積重心が所定の範囲内に含まれている場合をいう。した
がって、この条件の一つでも満足していない場合には接
触不良と判断することができる。Based on the calculated area and the position of the center of gravity of the area, the contact state between the probe needle and the electrode pad is determined as described above. By the way, in the case of a normal contact state, the calculated area is equal to or larger than a predetermined value, and the area center of gravity is included in a predetermined range. Therefore, if even one of these conditions is not satisfied, it can be determined that the contact is poor.
【００４８】次に、（２）の場合に対しては、オーバラ
ップしている部分が前回および最後の針跡面積の一部を
成していることに着目し、前回および最後に形成された
針跡Ｐの面積の総和から、上記オーバラップの一方を含
んでいる前回形成の針跡を差し引くことで、オーバラッ
プの残りを含む最後に形成された針跡面積を求める。図
４において説明すると、仮に、前回形成された針跡の面
積Ｓ１がオーバラップしていない領域Ａとオーバラップ
している領域Ｃとに相当し、また最後に形成された針跡
の面積Ｓ２はオーバラップしていない領域Ｂとオーバラ
ップしている領域Ｃとに相当する。したがって、最後に
形成された針跡の面積（Ｓ２）は、図４を参照すると、 （Ｓ２）＝（Ａ＋Ｃ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ａ＋Ｃ） ということになる。Next, in the case of (2), paying attention to the fact that the overlapping portion forms a part of the last and last needle trace areas, and the last and last needle trace areas were formed. By subtracting the previously formed needle trace including one of the overlaps from the total area of the needle traces P, the finally formed needle trace area including the remaining overlap is obtained. Explaining with reference to FIG. 4, the area S1 of the needle trace formed last time corresponds to the non-overlapping area A and the overlapping area C, and the area S2 of the needle trace formed last is It corresponds to a non-overlapping area B and an overlapping area C. Therefore, the area (S2) of the lastly formed needle trace is (S2) = (A + C + B + C)-(A + C) with reference to FIG.
【００４９】そして、この面積および面積重心から、上
記した接触不良を判定する基準により、接触状態が判定
される。From the area and the center of gravity of the area, the contact state is judged based on the above-mentioned criteria for judging the contact failure.
【００５０】（３）の場合には、前記したように、電極
上の針跡形状がプローブ針と電極とのコンタクト過渡現
象におけるオーバドライブによる滑動によって楕円形に
相似するものとし、イメージセンサ１８出力からの画素
信号によって、欠損部を例えば、通常用いられる一次補
間法や二次補間法、あるいはニュートンの逐次近似法等
によって補間処理することで楕円形としての近似的な針
跡面積を求め、正常な接触状態の場合の面積および面積
重心の位置と比較する。In the case of (3), as described above, it is assumed that the needle trace shape on the electrode resembles an elliptical shape due to sliding due to overdrive in the contact transient phenomenon between the probe needle and the electrode, and the output of the image sensor 18 From the pixel signal from, the defective portion is interpolated by, for example, the normally used linear interpolation method, quadratic interpolation method, or Newton's successive approximation method to obtain an approximate needle trace area as an ellipse, and Compare the area and the position of the center of gravity of the area under different contact conditions.
【００５１】（４）の場合には、上記（３）の場合と同
様な前提、つまり、楕円形に相似するものとし、その一
部の輪郭中で任意の座標位置（図６中、符号Ｐ１〜Ｐ４
で示す位置）を基にして、その一部を有する楕円形の面
積および面積重心位置を求め、（３）の場合と同様に、
正常な接触状態の場合の面積および面積重心の位置を比
較する。In the case of (4), it is assumed that it is similar to the case of (3) above, that is, it is similar to an ellipse, and an arbitrary coordinate position (reference numeral P1 in FIG. 6) in the contour of a part thereof. ~ P4
The position and center of gravity of the ellipse having a part thereof are obtained based on the position
The area and the position of the center of gravity of the area under normal contact are compared.
【００５２】（３），（４）の場合は、いずれも電極パ
ッド内に針跡が形成されていることを前提とするだけで
なく、（１）の場合と同様に、針跡の一部が電極パッド
の外側、所謂、パッシベーションエッジに位置している
ことも前提として含んでいる。In the cases of (3) and (4), it is not only premised that the needle marks are formed in the electrode pad, but also in the case of (1), a part of the needle marks is formed. Is also assumed to be located outside the electrode pad, that is, at the so-called passivation edge.
【００５３】また、上記針跡面積の判定に対しては、正
常な接触として認められた場合の面積をしきい値として
設定する。Further, in determining the needle trace area, the area when it is recognized as a normal contact is set as a threshold value.
【００５４】そして、針跡検出は、検査工程実行中に行
われ、これにより、プローブ針の交換時期あるいはプロ
ーブカードの設置状態による接触状態の良否を判別する
ために行われる。The detection of the needle trace is performed during the execution of the inspection process, and thereby, it is performed to determine the quality of the contact state depending on the replacement time of the probe needle or the installation state of the probe card.
【００５５】本実施例は以上のような構成であり、本発
明の作用について判定処理部２０の動作を説明するフロ
ーチャートに基づき行なうと、次の通りである。The present embodiment is configured as described above, and the operation of the present invention will be described below with reference to the flow chart for explaining the operation of the determination processing section 20.
【００５６】まず、半導体ウエハに形成されたチップま
たは選択されたチップの検査工程が実行されるにあた
り、針跡検査の指示があったかどうかが判別され（ステ
ップ１０１）、指示があった場合には、プローブ針に対
して載置台上に設けられた半導体ウエハが、Ｚ軸方向す
なわち上方に駆動されて各プローブ針が電極パッドに接
触し、さらにあらかじめ定められた量のオーバドライブ
が実行され、検査が実行される。そして、オーバドライ
ブが実行されることによって電極パッド上に針跡が形成
される（ステップ１０２）。First, it is judged whether or not there is a needle mark inspection instruction when the inspection process of the chip formed on the semiconductor wafer or the selected chip is executed (step 101). The semiconductor wafer provided on the mounting table with respect to the probe needles is driven in the Z-axis direction, that is, upward, and each probe needle comes into contact with the electrode pad, and a predetermined amount of overdrive is executed to perform inspection. To be executed. Then, a needle mark is formed on the electrode pad by executing the overdrive (step 102).
【００５７】針跡形成後、この針跡形成が１回目である
かどうかが判別される（ステップ１０３）。After forming the needle trace, it is judged whether or not the needle trace is formed for the first time (step 103).
【００５８】１回目の針跡形成である場合には、載置台
上にある半導体ウエハの針跡の形成された素子の電極パ
ッドに対してイメージセンサ１８による撮像が行われる
（ステップ１０４）。In the case of the first trace formation, the image sensor 18 takes an image of the electrode pad of the element on the mounting table on which the trace of the semiconductor wafer is formed (step 104).
【００５９】次に、イメージセンサ１８からの画素信号
に基づき、針跡に欠損部があるかどうかが判別される
（ステップ１０５）。欠損部がある場合には、その欠損
部以外の針跡面積が算出され、この面積が補間できる最
小面積以上であるか否かが判別される（ズテップ１０
６）。欠損部の有無に関しては、例えば、通常、連続し
ている針跡の輪郭に応じて画素信号が出力されるのに対
して、連続した画素信号が出力されない場合を基準とし
て判別される。Next, based on the pixel signal from the image sensor 18, it is judged whether or not there is a defective portion in the needle trace (step 105). If there is a defective portion, the needle trace area other than the defective portion is calculated, and it is determined whether this area is equal to or larger than the minimum interpolable area (step 10).
6). The presence / absence of a defective portion is determined, for example, on the basis of the case where a pixel signal is usually output according to the contour of a continuous needle trace, whereas the continuous pixel signal is not output.
【００６０】このような面積の判別は、欠損部が極大で
ある程、実際の針跡面積との間での誤差が大きくなる虞
があるので、補間に必要な最小限の面積を持つもののみ
を抽出するために行われれる処理である。In the determination of such an area, there is a possibility that an error with the actual needle trace area may increase as the defective portion becomes the maximum. Therefore, only the area having the minimum area required for interpolation is determined. Is a process performed to extract
【００６１】そして、上記ステップ１０６において最小
面積以上である場合には、補間処理が行われる（ステッ
プ１０７）。If the area is equal to or larger than the minimum area in step 106, interpolation processing is performed (step 107).
【００６２】補間処理が行われた針跡は、その面積およ
び面積重心が算出される（ステップ１０７、１０８）。The area and center of gravity of the needle trace after the interpolation processing are calculated (steps 107 and 108).
【００６３】一方、欠損部がない場合および補間処理が
行われた針跡は、その面積および面積重心の位置を算出
される（ステップ１０８、１０９）。On the other hand, in the case where there is no defective portion and the needle mark for which interpolation processing has been performed, the area and the position of the area centroid are calculated (steps 108 and 109).
【００６４】算出された針跡面積は、判別処理部２０の
面積比較部２６において正常な接触が行われたと判断で
きる場合の面積に相当するしきい値と比較される（ステ
ップ１１０）。この場合のしきい値は、電極パッド上で
の針跡面積が対象となっているので、例えば、針跡の一
部が電極以外の箇所、つまり、パッシベーションエッジ
にかかっている場合も含まれる。パッシベーションエッ
ジにかかっている場合を含める理由は、仮に、針跡の一
部がパッシベーションエッジにかかっていても、そのエ
ッジにかかっている面積が極小で、ほぼ、電極内に針跡
の大半が含まれている場合があることを前提としている
ためである。The calculated needle trace area is compared with a threshold value corresponding to the area when it can be judged by the area comparison unit 26 of the discrimination processing unit 20 that a normal contact is made (step 110). Since the threshold value in this case is targeted at the area of the needle trace on the electrode pad, it also includes, for example, the case where a part of the needle trace is on a portion other than the electrode, that is, on the passivation edge. The reason for including the case where it is on the passivation edge is that even if a part of the needle trace is on the passivation edge, the area on the edge is extremely small and almost all of the needle trace is included in the electrode. This is because it is assumed that there are cases where the
【００６５】また、針跡の面積を比較するのに加えて、
針跡の面積重心の位置が所定範囲内にあるかどうかが判
別される（ステップ１１１）。この面積重心位置の判別
に用いられる所定範囲とは、電極の面積中心に対してあ
る程度のずれがあっても、正常な接触が行えると判断で
きる範囲が相当している。In addition to comparing the areas of needle traces,
It is determined whether or not the position of the area center of gravity of the needle trace is within a predetermined range (step 111). The predetermined range used for determining the area center of gravity position corresponds to a range in which normal contact can be determined even if there is some deviation from the center of the area of the electrode.
【００６６】ステップ１１０、１１１によって、電極上
に形成された針跡は、面積がしきい値以上であること、
そして、面積重心の位置が所定範囲内であることを満足
した場合に限って、電極上でのプローブ針の接触が良好
であると判定される。The area of the needle trace formed on the electrode in steps 110 and 111 is not less than the threshold value,
Then, it is determined that the contact of the probe needle on the electrode is good only when the position of the area center of gravity is satisfied within the predetermined range.
【００６７】一方、ステップ１０３において、検査工程
に供される素子が１回目の検査工程に供されたものでな
いことが判別された場合には、この素子に関する前回の
針跡面積および面積重心の累計が記憶部３２から読み取
られる（ステップ１１２）。On the other hand, if it is determined in step 103 that the element used in the inspection process is not the one used in the first inspection process, the cumulative total of the previous needle trace area and area center of gravity for this element is accumulated. Is read from the storage unit 32 (step 112).
【００６８】このように、１回目でない検査工程を実行
される場合としては、例えば、素子の配線部をリペア処
理したものを対象とする場合である。この場合には、既
に素子上に１回目の針跡が形成されているので、その針
跡に関する面積および面積重心が記憶部３２に記憶され
ていることが前提となる。As described above, the case where the inspection process which is not the first time is executed is, for example, the case where the repair process is performed on the wiring portion of the element. In this case, since the first needle trace is already formed on the element, it is premised that the area and the area centroid of the needle trace are stored in the storage unit 32.
【００６９】そして、改めて針跡の撮像が行われ（ステ
ップ１１３）、イメージセンサ１８からの画素信号を基
にして、欠損部の有無が判別される（ステップ１１
４）。この場合の欠損部の有無判別に関しては、ステッ
プ１０５の場合と同じ基準で実行される。Then, the needle trace is imaged again (step 113), and the presence or absence of the defective portion is determined based on the pixel signal from the image sensor 18 (step 11).
4). In this case, the presence / absence of the defective portion is determined based on the same criteria as in step 105.
【００７０】針跡に欠損部があった場合には、その欠損
部に対する補間処理が実行される（ステップ１１５）。If the trace of the needle has a defect, interpolation processing is executed for the defect (step 115).
【００７１】針跡に欠損部が存在しなかった場合および
補間処理が実行された針跡は、前回の針跡に対してオー
バラップしているかどうかが判別される（ステップ１１
６）。When there is no missing portion in the needle trace and the needle trace for which the interpolation processing has been executed, it is judged whether or not it overlaps with the previous needle trace (step 11).
6).
【００７２】オーバラップしているかどうかの判別は、
例えば、イメージセンサ１８からの画素信号によって前
回の針跡位置に対して座標位置を同じにする部分がある
かどうかが基準とされる。Whether or not they are overlapped is determined by
For example, it is determined whether or not there is a portion that makes the coordinate position the same as the previous needle mark position by the pixel signal from the image sensor 18.
【００７３】ステップ１１６においてオーバラップして
いないと判断された場合には、最後に形成された針跡の
面積および面積重心位置を算出してステップ１１０に移
行する。If it is determined in step 116 that they do not overlap, the area of the needle mark formed last and the position of the center of gravity of the area are calculated, and the process proceeds to step 110.
【００７４】一方、ステップ１１６においてオーバラッ
プしていると判断された場合には、最後に形成された針
跡の面積が求められる（ステップ１１６）。この場合に
は、オーバラップしている部分が前回と今回とで共通し
ているので、前回と今回とで形成された針跡の面積の総
和から前回の針跡面積を差し引くことで、図４において
説明したように、今回形成された針跡の面積が求められ
る（ステップ１１７）。On the other hand, if it is determined in step 116 that they overlap, the area of the needle trace formed last is obtained (step 116). In this case, since the overlapping portion is common between the previous time and this time, by subtracting the previous needle track area from the total area of the needle tracks formed by the previous time and this time, As described above, the area of the needle mark formed this time is obtained (step 117).
【００７５】以上のように、本実施例によれば、複数回
の針跡形成が行われる機会として、単に、リペア処理さ
れた素子だけでなく、例えば、プローブ針を交換した場
合等も含まれる。As described above, according to this embodiment, not only the repair-processed element but also the case where the probe needle is replaced is included as the opportunity to form the needle traces a plurality of times. .
【００７６】[0076]
【発明の効果】以上述べたように、請求項１記載の発明
によれば、電極パッド上に形成された針跡の位置および
針跡面積の少なくとも一方に基づいて、接触状態の良否
が判別される。これにより、針跡の位置が電極パッド上
に位置していない場合あるいは位置していても所定面積
を有していない場合には、電極パッドとプローブ針との
直接接触が充分でないとして接触不良状態であることを
判定することが可能になる。As described above, according to the first aspect of the invention, the quality of the contact state is determined based on at least one of the position and the area of the needle trace formed on the electrode pad. It As a result, if the position of the needle trace is not located on the electrode pad, or if it is located but does not have a predetermined area, the direct contact between the electrode pad and the probe needle is not sufficient, and a contact failure state occurs. It is possible to determine that
【００７７】請求項２記載の発明では、針跡の位置情報
によって針跡の面積重心を求めることにより、針跡が電
極パッドから外れてしまっている場合を検出することが
できる。これにより、仮に、針跡の一部が電極パッド上
に位置していてもその針跡の面積重心が電極パッドの所
定範囲内にない時には、接触抵抗を増加させないだけけ
の接触状態が設定されていないと判定することができ
る。According to the second aspect of the present invention, the case where the needle trace is dislocated from the electrode pad can be detected by obtaining the area centroid of the needle trace based on the position information of the needle trace. As a result, even if a part of the needle trace is located on the electrode pad, if the area center of gravity of the needle trace is not within the predetermined range of the electrode pad, the contact state is set only by not increasing the contact resistance. It can be determined that it is not.
【００７８】請求項３記載の発明によれば、針跡の輪郭
を基にして、その輪郭が電極パッド内に位置しているこ
とを検出することにより、接触状態を判定することがで
きる。これにより、輪郭の形成状態に対処して接触状態
を判定することができる。According to the third aspect of the present invention, the contact state can be determined by detecting that the contour is located in the electrode pad based on the contour of the needle trace. This makes it possible to determine the contact state by coping with the contour formation state.
【００７９】請求項４記載の発明では、針跡面積が所定
値以下である場合には、プローブ針による酸化膜の除去
が完全でないことが判定でき、これにより、酸化膜の残
り具合あるいは接触圧に対処して接触状態を判定するこ
とができる。In the invention according to claim 4, it can be judged that the removal of the oxide film by the probe needle is not complete when the needle trace area is less than a predetermined value, whereby the remaining condition of the oxide film or the contact pressure is determined. The contact state can be determined by coping with.
【００８０】請求項５記載の発明では、電極パッド上に
形成された針跡が前記したような楕円形ではなく、一部
が欠損している場合、その残りの部分から仮想的に針跡
面積を抽出し、接触状態を判定することができる。According to the fifth aspect of the invention, when the needle trace formed on the electrode pad is not the elliptical shape as described above and a portion is missing, the needle trace area is virtually from the remaining portion. Can be extracted and the contact state can be determined.
【００８１】請求項６記載の発明では、複数回のプロー
ブ針と電極パッドとの接触が行なわれた場合に対処して
接触状態を判定することができる。特に、電極パッド上
で離れた状態に針跡が形成された場合においても、その
最後の針跡について前記した対処方法が適用される。According to the sixth aspect of the invention, the contact state can be determined by coping with the case where the probe needle and the electrode pad are contacted a plurality of times. In particular, even when the needle marks are formed in a separated state on the electrode pad, the coping method described above is applied to the last needle mark.
【００８２】請求項７記載の発明では、前回形成された
針跡と最後に形成された針跡面積との総和から前回の針
跡側のオーバラップ部の面積を前回の面積内に含めて上
記総和から差し引くことにより、残りのオーバラップ部
の面積を含む最後の針跡面積が求められる。したがっ
て、オーバラップしている針跡の面積の総和から一方の
針跡面積を引くことにより、オーバラップした針跡の形
成状態にあっても最後に形成された針跡面積を正確に割
出すことができる。According to the invention of claim 7, the area of the overlap portion on the side of the previous needle trace is included in the previous area from the sum of the area of the needle trace formed last time and the area of the needle trace formed last. By subtracting from the total sum, the final needle trace area including the area of the remaining overlap portion is obtained. Therefore, by subtracting one needle trace area from the total area of overlapping needle traces, it is possible to accurately determine the last formed needle trace area even in the overlapping needle trace formation state. You can
【００８３】このように本発明によれば、半導体ウエハ
に有する素子の検査工程において、素子自体の素地の色
とさほど見分けの付かない状態で形成される針跡の形成
状態を確実に認識するだけでなく、針跡の形成状態を判
別してプローブ針とパッドとの接触状態の良否を略自動
的に判断することが可能になる。これにより、接触状態
の判断に関する精度を低下させることがない。As described above, according to the present invention, in the step of inspecting an element on a semiconductor wafer, the color of the substrate of the element itself and the formation state of a needle mark formed in a state indistinguishable from each other can be reliably recognized. Instead, it becomes possible to determine the quality of the contact state between the probe needle and the pad substantially automatically by determining the formation state of the needle trace. As a result, the accuracy regarding the determination of the contact state is not reduced.
【図１】本発明によるプローブ装置の概略構成を説明す
るための模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a schematic configuration of a probe device according to the present invention.
【図２】図１に示したプローブ装置に用いられる制御系
の構成を説明するためのブロック図である。FIG. 2 is a block diagram for explaining the configuration of a control system used in the probe device shown in FIG.
【図３】針跡の形成状態の一例を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing an example of a formation state of needle marks.
【図４】針跡の形成状態の他の例を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing another example of a state where needle marks are formed.
【図５】針跡の形成状態の別の例を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing another example of the formation state of needle marks.
【図６】針跡の形成状態のさらに別の例を示す模式図で
ある。FIG. 6 is a schematic view showing still another example of the formation state of needle marks.
【図７】図１に示した装置に用いられ制御部の作用を説
明するためのフローチャートである。7 is a flow chart for explaining the operation of a control unit used in the apparatus shown in FIG.
１０ プローブ装置 １８ イメージセンサ ２０ 制御部 ２２ 算出部 ２４ 補間処理部 ２６ 面積比較部 ２８ 判定部 ３２ 記憶部 ３４ 表示部 10 probe device 18 image sensor 20 control unit 22 calculation unit 24 interpolation processing unit 26 area comparison unit 28 determination unit 32 storage unit 34 display unit
Claims (7)
電極パッドに接触可能なプローブ針を備えたプローブ装
置において、 上記電極パッドに接触することにより形成されたプロー
ブ針の針跡を撮像するイメージセンサと、 上記イメージセンサからの出力信号により、電極パッド
上での針跡の面積および針跡の位置を算出する算出部
と、 上記算出部によって算出された面積および針跡位置を記
憶する記憶部と、 上記記憶部に記憶された針跡位置および針跡面積の少な
くとも一方に基づいてプローブ針と電極パッドとの接触
状態の良否を判別する判定部と、 を有する判別処理部を備えていることを特徴とするプロ
ーブ装置。1. A probe device having a probe needle capable of contacting an electrode pad of an element formed on a semiconductor wafer, wherein an image of a trace of a probe needle formed by contacting the electrode pad is imaged. A sensor, a calculator that calculates the area of the needle trace and the position of the needle trace on the electrode pad based on the output signal from the image sensor, and a storage unit that stores the area and the needle trace position calculated by the calculator. And a determination unit that determines whether the contact state between the probe needle and the electrode pad is good or bad based on at least one of the needle trace position and the needle trace area stored in the storage unit. A probe device characterized by:
づいてその重心位置を求め、この重心位置が前記電極パ
ッド内の所定範囲内にない場合に、プローブ針と電極パ
ッドとの接触が不良であることを判定することを特徴と
するプローブ装置。2. The determination unit according to claim 1, wherein the determination unit obtains the barycentric position based on the needle trace position stored in the storage unit, and the barycentric position is not within a predetermined range in the electrode pad. In addition, the probe device is characterized by determining that the contact between the probe needle and the electrode pad is poor.
が所定範囲内にない場合に、プローブ針と電極パッドと
の接触状態の不良判定を行なうことを特徴とするプロー
ブ装置。3. The determination unit according to claim 1, wherein the determination unit determines whether the contact state between the probe needle and the electrode pad is defective when the contour of the needle trace position stored in the storage unit is not within a predetermined range. A probe device characterized by the above.
値以下である場合にプローブ針電極パッドとの接触状態
の不良判定を行なうことを特徴とするプローブ装置。4. The determination unit according to claim 1, wherein the determination unit determines whether the contact state with the probe needle electrode pad is defective when the needle trace area stored in the storage unit is equal to or smaller than a predetermined value. Probe device.
て針跡の一部が欠損している場合を検出した時にこの画
像中の欠損部分を補間する補間部を有し、上記補間結果
に基づいて針跡面積あるいは面積重心を求めることを特
徴とするプローブ装置。5. The interpolating unit according to claim 1, wherein the detecting unit interpolates a defective portion in the image when a case where a part of the needle trace is missing is detected based on the image information from the image sensor. And a probe device for determining a needle trace area or an area centroid based on the interpolation result.
触が複数回繰り返される場合、各回で形成される針跡が
欠損していないで、かつ両方の針跡同士の一部がオーバ
ラップしていない場合、最後に形成された針跡位置およ
び針跡面積を求ることにより、プローブ針の接触状態の
良否を判定することを特徴とするプローブ装置。6. The one of claims 1 to 5, wherein when the contact of the probe needle is repeated a plurality of times at the same position of the electrode pad, the needle trace formed at each time is not missing, When both of the needle traces do not overlap each other, the quality of the contact state of the probe needle is determined by obtaining the needle trace position and the needle trace area formed last. Probe device.
ラップしていない範囲の面積をＡ、そしてオーバラップ
している部分の面積をＣとし、最後に形成された針跡面
積のうち、オーバラップしていない範囲の面積をＢ、オ
ーバラップしている部分の面積をＣとしたとき、 最後に形成された針跡面積Ｓを、 Ｓ＝（Ａ＋Ｃ＋Ｂ＋Ｃ）−（Ａ＋Ｃ） により求めることを特徴とするプローブ装置。7. The determination unit according to claim 6, wherein the area of the needle trace area formed last time that does not overlap is A, and the area of the overlapping portion is C, and When the area of the non-overlapping area is B and the area of the overlapping portion is C, the needle area S formed at the end is S = (A + C + B + C )-(A + C).
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6126898A JPH07312382A (en) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | Probe device |
| US08/347,138 US5644245A (en) | 1993-11-24 | 1994-11-23 | Probe apparatus for inspecting electrical characteristics of a microelectronic element |
| KR1019940031021A KR100284558B1 (en) | 1993-11-24 | 1994-11-24 | Probing method and probe device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6126898A JPH07312382A (en) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | Probe device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312382A true JPH07312382A (en) | 1995-11-28 |
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ID=14946614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6126898A Withdrawn JPH07312382A (en) | 1993-11-24 | 1994-05-17 | Probe device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07312382A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068813A (en) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Method and device for measuring probe mark |
| KR100399146B1 (en) * | 2000-12-21 | 2003-09-26 | 삼성전자주식회사 | Inspection apparatus and offset determining method thereof |
| KR100786598B1 (en) * | 2000-07-19 | 2007-12-21 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | Semiconductor wafer, semiconductor chip and process for producing the semiconductor divice |
| US7501843B2 (en) | 2005-05-31 | 2009-03-10 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Movement amount operation correction method for prober, movement amount operation correction processing program, and prober |
| JP2015079912A (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | 株式会社東京精密 | Probing apparatus for electronic device, and probing method |
| JP2015099943A (en) * | 2015-02-25 | 2015-05-28 | 株式会社東京精密 | Probing apparatus and probing method of electronic device |
| CN117474913A (en) * | 2023-12-27 | 2024-01-30 | 江西省兆驰光电有限公司 | Needle mark detection machine judging method, system, storage medium and computer |
-
1994
- 1994-05-17 JP JP6126898A patent/JPH07312382A/en not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100786598B1 (en) * | 2000-07-19 | 2007-12-21 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | Semiconductor wafer, semiconductor chip and process for producing the semiconductor divice |
| KR100399146B1 (en) * | 2000-12-21 | 2003-09-26 | 삼성전자주식회사 | Inspection apparatus and offset determining method thereof |
| JP2003068813A (en) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Method and device for measuring probe mark |
| US7501843B2 (en) | 2005-05-31 | 2009-03-10 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Movement amount operation correction method for prober, movement amount operation correction processing program, and prober |
| JP2015079912A (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | 株式会社東京精密 | Probing apparatus for electronic device, and probing method |
| JP2015099943A (en) * | 2015-02-25 | 2015-05-28 | 株式会社東京精密 | Probing apparatus and probing method of electronic device |
| CN117474913A (en) * | 2023-12-27 | 2024-01-30 | 江西省兆驰光电有限公司 | Needle mark detection machine judging method, system, storage medium and computer |
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