JPH07310185A - Cvd gas feeder - Google Patents
Cvd gas feederInfo
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- JPH07310185A JPH07310185A JP9868794A JP9868794A JPH07310185A JP H07310185 A JPH07310185 A JP H07310185A JP 9868794 A JP9868794 A JP 9868794A JP 9868794 A JP9868794 A JP 9868794A JP H07310185 A JPH07310185 A JP H07310185A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造等に用い
られるＣＶＤ装置の反応容器に、ＣＶＤガス材料を供給
するＣＶＤガス供給装置に係り、特に、温度に対して不
安定なＣＶＤガス材料を、その品質を劣化させること無
く前記反応容器内に供給するのに好適なＣＶＤガス供給
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CVD gas supply device for supplying a CVD gas material to a reaction vessel of a CVD device used for manufacturing semiconductors, and more particularly to a CVD gas material unstable with respect to temperature. To a CVD gas supply device suitable for supplying the above gas into the reaction vessel without deteriorating its quality.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition：化
学気相成長)法は、試料をＣＶＤガス供給装置より供給
されたＣＶＤガス材料雰囲気中に置き、試料に熱あるい
は光等のエネルギーを与えることでＣＶＤガスを分解
し、試料表面に金属膜や絶縁膜等の膜形成を行う方法で
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION CVD (C hemical V apor D eposition : chemical vapor deposition) method, a sample was placed in the supplied CVD gas material atmosphere than CVD gas supply device energizes the heat or light or the like to a sample This is a method of decomposing the CVD gas and forming a film such as a metal film or an insulating film on the sample surface.
【０００３】前記形成される膜は、使用するガス材料に
よって多種多様であることから、ガス材料は用途に応じ
て選択して使用される。例えば、Ｍo(ＣＯ)6からはＭ
o、Ｗ(ＣＯ)6やＷＦ6からはＷ、Ａｌ(ＣＨ3)3やＡｌ(i-
Ｃ4Ｈ9)3からはＡｌ、といった金属膜が得られる。ま
た、ＳiＨ4とＮ2Ｏとの混合ガスやＳi(ＯＣ2Ｈ5)4から
はＳiＯ2、ＳiＨ4とＮＨ3との混合ガスからはＳi3Ｎ4、
といった絶縁膜が得られる。Since the formed film has various kinds depending on the gas material used, the gas material is selected and used according to the application. For example, from Mo (CO) 6 to M
o, W (CO) 6 and WF 6 give W, Al (CH 3 ) 3 and Al (i-
A metal film such as Al is obtained from C 4 H 9 ) 3 . In addition, mixed gas of SiH 4 and N 2 O, SiO 2 from Si (OC 2 H 5 ) 4 and Si 3 N 4 from mixed gas of SiH 4 and NH 3 ,
Such an insulating film can be obtained.
【０００４】また、ＣＶＤ法による膜形成は、ウエハ等
に対する大面積の成膜のみならず、集束したレーザ光あ
るいはイオンビーム等を、局所的に走査して上記金属膜
を試料上に線状に形成することにより、選択的に配線を
付加形成することも可能なことから、レーザ協会会報
第12巻 第２号 第１頁乃至第６頁(1987年４月発行)等に
おいて述べられている如く、半導体装置の修正等に応用
されている。その場合、最近では、低抵抗を得るために
ＡuやＰt等の貴金属を配線材料とすべく、材料ガスにＡ
u(ＣＨ3)2(Ｃ5Ｈ7Ｏ2)、Ａu(ＣＨ3)2(Ｃ5ＨＦ6Ｏ2)、Ｐ
t(ＰＦ3)4等の何れかを用い、該材料ガス雰囲気中でレ
ーザ光を照射してＡu配線あるいはＰt配線の形成を行っ
ている例が、Thin Solid Films. 218(1992) 第80頁乃至
94頁あるいはJ.Vac.Sci.Technol. B4(5) Sep/Oct 1986
第1187頁乃至第1191頁等に記載されている。In addition, the film formation by the CVD method is not limited to the film formation on a large area on a wafer or the like, and the focused laser beam or ion beam is locally scanned to linearly form the metal film on the sample. Since it is possible to selectively form additional wiring by forming it,
As described in Volume 12, No. 2, pp. 1 to 6 (issued in April 1987) and the like, it is applied to the modification of semiconductor devices. In that case, recently, in order to obtain a low resistance, a noble metal such as Au or Pt is used as a wiring material, and the material gas is A.
u (CH 3) 2 (C 5 H 7 O 2), Au (CH 3) 2 (C 5 HF 6 O 2), P
Thin Solid Films. 218 (1992) p. 80 shows an example of forming Au wiring or Pt wiring by irradiating laser light in the material gas atmosphere using any one of t (PF 3 ) 4 and the like. Through
Page 94 or J. Vac. Sci. Technol. B4 (5) Sep / Oct 1986
Pp. 1187 to 1191 etc.
【０００５】つぎに、ＣＶＤガス供給手段としては、上
記ガス材料のうちＭo(ＣＯ)6やＷ(ＣＯ)6等のように、
室温における蒸気圧が低い材料からのＣＶＤガスを反応
容器中に供給する手段として以下のものが知られてい
る。その一つは、特開昭60-196942号公報や特開平１-71
149号公報等にて開示されている如く、ＣＶＤガス材料
を収納した容器及び反応容器までの配管にヒータ及び熱
電対を備え、所定温度まで加熱可能としたものであり、
ＣＶＤガス材料が固体であっても液体であっても使用可
能な例である。Next, as the CVD gas supply means, one of the above gas materials such as Mo (CO) 6 or W (CO) 6 is used.
The following are known means for supplying a CVD gas from a material having a low vapor pressure at room temperature into a reaction vessel. One of them is JP-A-60-196942 and JP-A-1-71.
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 149 etc., a container and a reaction container containing a CVD gas material are provided with a heater and a thermocouple in a pipe to enable heating to a predetermined temperature.
This is an example in which the CVD gas material can be used whether it is solid or liquid.
【０００６】また、Ｓi(ＯＣ2Ｈ5)4等のような液体材料
に対しては、該液体材料を収納するバブラーと呼ばれる
収納容器と、該容器内にバブリング用ガスを導入するた
めの配管と、バブリングにより発生したＣＶＤガスを反
応容器中に導入するための取り出し配管と、上記収納容
器を一定温度に保つためにヒータ及び熱電対を備えた恒
温槽を基本構成とするベーパライザーが一般的なＣＶＤ
ガス供給装置として知られている。そして、この様なベ
ーパライザーからのＣＶＤガスの供給圧力を精度良く制
御するために、取り出し配管の温度を収納容器内の液体
材料よりも低く保つ手段と、取り出し配管内に再液化し
た液体材料を排出させる手段とを付加したものが特開平
４-164325号公報に開示されている。Further, for liquid materials such as Si (OC 2 H 5 ) 4 etc., a storage container called a bubbler for storing the liquid material and a pipe for introducing a bubbling gas into the container. In general, a vaporizer having a constant temperature tank equipped with a take-out pipe for introducing a CVD gas generated by bubbling into a reaction container and a heater and a thermocouple for keeping the storage container at a constant temperature is generally used. Naive CVD
It is known as a gas supply device. Then, in order to accurately control the supply pressure of the CVD gas from such a vaporizer, a means for keeping the temperature of the take-out pipe lower than the liquid material in the storage container and a liquid material reliquefied in the take-out pipe are provided. A device to which a discharging means is added is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-164325.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記した従来例におい
て、Ｍo(ＣＯ)6、Ｗ(ＣＯ)6、ＷＦ6、Ａｌ(i-Ｃ
4Ｈ9)3、Ａｌ(ＣＨ3)3、ＳiＨ4、Ｓi(ＯＣ2Ｈ5)4、とい
ったガス材料は、室温中に長時間放置しておいても特に
問題は生じない。むしろ上述の如く、室温における蒸気
圧が低いＣＶＤガス材料に対しては、該材料の収納容器
を加熱して供給の安定化を図っている。In the above-mentioned conventional example, Mo (CO) 6 , W (CO) 6 , WF 6 , Al (i-C) are used.
4 H 9) 3, Al ( CH 3) 3, SiH 4, Si (OC 2 H 5) 4, such as gas material, no particular problem even if left for a long time at room temperature. Rather, as described above, for the CVD gas material having a low vapor pressure at room temperature, the container for the material is heated to stabilize the supply.
【０００８】しかし上記材料に対し、Ａu(ＣＨ3)2(Ｃ5
Ｈ7Ｏ2)、Ａu(ＣＨ3)2(Ｃ5ＨＦ6Ｏ2)、Ｐt(ＰＦ3)4等の
貴金属を析出させるためのガス材料は、温度に対して不
安定なものが多く、室温以下、理想としては０℃以下で
の保管を必要としている。そのため、多量の材料を容器
内に収納し、Ｍo(ＣＯ)6やＷ(ＣＯ)6等のように長時間
の室温中放置や、加熱を行った場合には、容器中のＣＶ
Ｄガス材料が劣化し、正常な成膜ができなくなる恐れが
あった。However, for the above materials, Au (CH 3 ) 2 (C 5
H 7 O 2 ), Au (CH 3 ) 2 (C 5 HF 6 O 2 ), Pt (PF 3 ) 4 and other noble metal depositing materials are often unstable with respect to temperature. Storage at room temperature or lower, ideally 0 ° C or lower, is required. Therefore, when a large amount of material is stored in a container and left to stand at room temperature for a long time, such as Mo (CO) 6 or W (CO) 6, or heated, the CV in the container
There is a possibility that the D gas material deteriorates and normal film formation cannot be performed.
【０００９】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、
温度に対して不安定なＣＶＤガス材料を、品質を劣化さ
せること無く安定して供給し得るＣＶＤガス供給装置を
提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems of the prior art.
An object of the present invention is to provide a CVD gas supply device capable of stably supplying a CVD gas material that is unstable with respect to temperature without deteriorating the quality.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＣＶＤガス供給装置は、固体または液状の
ＣＶＤガス材料を収納する容器と、該容器内のＣＶＤガ
ス材料を設定温度に保つための恒温槽と、ＣＶＤガス材
料を加熱してガス化する加熱手段とを備え、ガス化され
たＣＶＤガスを成膜処理を行う反応容器内に配管を介し
て供給するＣＶＤガス供給装置において、前記恒温槽に
前記容器内のＣＶＤガス材料を冷却して低温保管する冷
却手段を設ける構成にしたものである。In order to achieve the above object, a CVD gas supply apparatus of the present invention is a container for accommodating a solid or liquid CVD gas material, and the CVD gas material in the container is kept at a preset temperature. In a constant temperature bath for heating and a heating means for heating and gasifying a CVD gas material, and supplying the gasified CVD gas through a pipe into a reaction container for film formation, A cooling means for cooling the CVD gas material in the container and storing it at a low temperature is provided in the constant temperature bath.
【００１１】ＣＶＤガス材料が液状の場合は、液状のＣ
ＶＤガス材料を収納する容器と、該容器内のＣＶＤガス
材料を設定温度に保つための恒温槽とを備え、ガス化さ
れたＣＶＤガスを成膜処理を行う反応容器内に配管を介
して供給するＣＶＤガス供給装置において、前記容器内
の液状のＣＶＤガス材料をミスト化するための加振手段
と、該ミスト化されたＣＶＤガス材料を導入し、かつ加
熱してガス化するための加熱手段と、前記恒温槽に前記
容器内のＣＶＤガス材料を冷却して低温保管する冷却手
段とを設ける構成にしたものである。When the CVD gas material is liquid, liquid C
A container for storing the VD gas material and a thermostatic chamber for maintaining the CVD gas material in the container at a set temperature are provided, and the gasified CVD gas is supplied into the reaction container for film formation through a pipe. In the CVD gas supply apparatus, a vibrating means for mistizing the liquid CVD gas material in the container, and a heating means for introducing and heating the misted CVD gas material to gasify it. And a cooling means for cooling the CVD gas material in the container and storing it at a low temperature in the constant temperature bath.
【００１２】そして、前記ＣＶＤガス材料をミスト化す
るための加振手段を、ＣＶＤガス材料を収納する容器に
超音波振動を与える振動子からなる構成にするとよい。Then, the vibrating means for forming the mist of the CVD gas material may be constituted by a vibrator for applying ultrasonic vibration to the container for accommodating the CVD gas material.
【００１３】また、ＣＶＤガス材料が液状の場合は、液
状のＣＶＤガス材料を収納する容器と、該容器内のＣＶ
Ｄガス材料を設定温度に保つための恒温槽とを備え、ガ
ス化されたＣＶＤガスを成膜処理を行う反応容器内に配
管を介して供給するＣＶＤガス供給装置において、前記
容器内の液状のＣＶＤガス材料をミスト化するための加
振手段と、該ミスト化されたＣＶＤガス材料を導入し、
かつ加熱してガス化するための加熱手段と、前記容器内
に充填したＣＶＤガス材料の残量を振動子により検知す
る残量検知手段と、前記恒温槽に前記容器内のＣＶＤガ
ス材料を冷却して低温保管する冷却手段とを設ける構成
にすることが好ましい。When the CVD gas material is liquid, a container for containing the liquid CVD gas material and a CV in the container are provided.
In a CVD gas supply device, which is equipped with a thermostatic chamber for maintaining the D gas material at a set temperature and supplies the gasified CVD gas into a reaction container for film formation processing through a pipe, A vibrating means for mistizing the CVD gas material, and introducing the misted CVD gas material,
And heating means for heating and gasifying, residual quantity detecting means for detecting the residual quantity of the CVD gas material filled in the container by a vibrator, and cooling the CVD gas material in the container in the constant temperature bath. It is preferable to provide a cooling means for low temperature storage.
【００１４】そして、前記ＣＶＤガス材料の残量検知手
段を、振動子への通電電流、またはＣＶＤガス材料の液
面からの反射波をモニタする手段からなる構成にするこ
とがよい。The CVD gas material remaining amount detecting means may be composed of means for monitoring a current passing through the vibrator or a reflected wave from the liquid surface of the CVD gas material.
【００１５】また、前記ＣＶＤガス材料を収納する容器
を、その内壁にフィン状または柱状の突起を形成し、あ
るいはその内壁を波形に形成する構成にしてもよい。The container for accommodating the CVD gas material may have fin-shaped or column-shaped projections formed on the inner wall thereof, or may have a corrugated inner wall.
【００１６】また、前記ＣＶＤガス材料の冷却手段を、
ＣＶＤガス材料を収納する容器の周囲に接触させて設け
たペルチェ素子、または冷媒を用いた構成にすることが
望ましい。Further, the cooling means for the CVD gas material is
It is desirable to use a Peltier element provided in contact with the periphery of the container that stores the CVD gas material, or a structure using a coolant.
【００１７】本発明の局所成膜に好適なＣＶＤガス供給
装置は、容器内に収納された固体または液状のＣＶＤガ
ス材料より発生したＣＶＤガスを、成膜処理を行う反応
容器内に配管を介して供給するＣＶＤガス供給装置にお
いて、一方の側面をバルブを介設した配管を介して前記
反応容器に接続され、他方の側面をバルブを介設した配
管を介して排気手段に接続されたチャンバと、品質劣化
開始前にほぼ全量消費可能な程度の少量のＣＶＤガス材
料を封入し、前記チャンバの下部にＯリングを介して着
脱可能に装着された密封容器と、前記チャンバ内を移動
可能な開封子を有し該開封子により前記密封容器を大気
から隔離状態で開封する開封手段とを備える構成にした
ものである。A CVD gas supply apparatus suitable for local film formation of the present invention is a CVD gas generated from a solid or liquid CVD gas material housed in a container, which is passed through a pipe into a reaction container for film formation. In the CVD gas supply apparatus, the chamber having one side surface connected to the reaction vessel via a pipe having a valve, and the other side surface connected to an exhaust means via a pipe having a valve. A small amount of a CVD gas material that can be consumed almost completely before the start of quality deterioration is enclosed, and a sealed container detachably attached to the lower part of the chamber through an O-ring and an opening that can be moved in the chamber. And an opening means for opening the sealed container in a state of being isolated from the atmosphere by using the opening.
【００１８】そして、前記ＣＶＤガス材料を封入した密
封容器を、ガラスアンプルとし、該ガラスアンプルを収
納した収納容器を介して前記チャンバの下部に装着する
構成にするとよい。Then, it is preferable that the hermetically sealed container in which the CVD gas material is sealed is a glass ampoule, and the glass ampoule is attached to the lower part of the chamber through the storage container.
【００１９】また、前記ＣＶＤガス材料を封入した密封
容器を、容器本体、軟性材料または脆性材料からなる中
ブタおよび該中ブタを容器本体に固定するスクリュウー
キャップにより構成された小口容器からなる構成にして
もよい。Further, the hermetically sealed container containing the CVD gas material is composed of a container body, a small container made of a soft material or a brittle material, and a small container made up of a screw cap for fixing the medium pig to the container body. May be.
【００２０】そして、前記密封容器の中ブタを、各種ゴ
ムまたは樹脂の軟性材料にしても、ガラスまたはセラミ
ックの脆性材料にしてもよい。The inner lid of the hermetically sealed container may be made of a soft material of various rubbers or resins, or a brittle material of glass or ceramics.
【００２１】さらに、前記ＣＶＤガス材料を封入した容
器または該容器を収納した容器を、該容器の少なくとも
その一部に、該容器内のＣＶＤガス材料の残量を外部よ
り視認可能な透明体部を形成した構成にすることが望ま
しい。Further, a container enclosing the CVD gas material or a container accommodating the container is provided in at least a part of the container, and a transparent body portion in which the remaining amount of the CVD gas material in the container is visible from the outside. It is desirable to have a structure in which
【００２２】[0022]
【作用】上記構成としたことにより、温度に対して不安
定なＣＶＤガス材料は、その保管時においては冷却手段
により低温管理されているため、温度による品質劣化が
防止される。そして、ＣＶＤガス供給時のみ加熱手段を
用いて上記材料を所定温度に加熱するため、材料の劣化
を最小限に抑制することが可能となる。With the above structure, the CVD gas material which is unstable with respect to temperature is controlled at a low temperature by the cooling means during storage, so that quality deterioration due to temperature is prevented. Then, since the above material is heated to a predetermined temperature by using the heating means only when the CVD gas is supplied, deterioration of the material can be suppressed to a minimum.
【００２３】また、ＣＶＤガス材料保管部とＣＶＤガス
発生部とを分けたことにより、温度に対して不安定なＣ
ＶＤガス材料を、冷却手段により常時低温管理が可能と
なるため温度による品質劣化が防止される。そして、Ｃ
ＶＤガス供給時には加振手段を用いて上記材料をミスト
化し、該ミスト化した材料のみを加熱手段によって気化
せしめるため、ＣＶＤガスの供給量を確保することがで
き、安定して供給することが可能になる。Further, since the CVD gas material storage section and the CVD gas generation section are separated, C which is unstable with respect to temperature
Since the VD gas material can be constantly controlled at a low temperature by the cooling means, quality deterioration due to temperature can be prevented. And C
At the time of supplying the VD gas, the vibrating means is used to mist the above material, and only the misted material is vaporized by the heating means, so that the supply amount of the CVD gas can be secured and stable supply is possible. become.
【００２４】さらに、温度に対して不安定なＣＶＤガス
材料を品質劣化が生ずる前に使いきる程度の比較的少量
をガラスアンプル等の小型容器に封入し、該容器から直
接ＣＶＤガスを発生せしめているため、材料の劣化に対
する配慮は必要無く、且つＣＶＤガス材料の補充も容易
になる。Further, a CVD gas material which is unstable with respect to temperature is sealed in a small container such as a glass ampoule so that it can be used up before quality deterioration occurs, and the CVD gas is generated directly from the container. Therefore, it is not necessary to consider deterioration of the material, and the CVD gas material can be easily replenished.
【００２５】[0025]
【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図１および図
３を参照して説明する。図１はＣＶＤガス供給装置の全
体構成説明図、図２はＣＶＤガス材料を収納する容器の
変形例を示す図、図３はＣＶＤガス材料を収納する容器
の他の変形例を示す図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is an explanatory view of the overall configuration of a CVD gas supply device, FIG. 2 is a diagram showing a modified example of a container for storing a CVD gas material, and FIG. 3 is a diagram showing another modified example of a container for storing a CVD gas material. .
【００２６】本実施例は、液体状のＣＶＤガス材料１か
ら発生させたＣＶＤガス２を、成膜処理を行う反応容器
１００内に供給するものであり、ＣＶＤガス材料１を低
温保管し、かつ該ガス材料１をミスト化する手段と、該
ミスト化したガス材料１をガス化する手段とから構成さ
れている。In this embodiment, the CVD gas 2 generated from the liquid CVD gas material 1 is supplied into the reaction vessel 100 for performing the film forming process, and the CVD gas material 1 is stored at a low temperature and The gas material 1 is made into a mist, and the misted gas material 1 is made into a gas.
【００２７】図１において、上記した液状のＣＶＤガス
材料１を低温保管し、該ガス材料１をミスト化する手段
は、ＣＶＤガス材料１を収納する容器３、容器３の直下
に設けられて該容器３の温度をモニタするための熱電対
12、容器３の側面に接するように設けられて該容器３内
のＣＶＤガス材料１を冷却するためのペルチェ素子13、
及び容器３に超音波振動を与えてＣＶＤガス材料１をミ
スト化するための振動子14とを備えた恒温槽10から構成
されている。一方、ミスト化したＣＶＤガス材料１をガ
ス化する手段は、内部に複数のフィルタ23で仕切られた
空洞を有し、該空洞の周辺にヒータ21及び熱電対22を配
した気化器20で構成されている。In FIG. 1, the above-mentioned liquid CVD gas material 1 is stored at a low temperature and a means for misting the gas material 1 is provided in a container 3 for accommodating the CVD gas material 1 and directly below the container 3. Thermocouple for monitoring the temperature of the container 3
12, a Peltier element 13 provided in contact with the side surface of the container 3 for cooling the CVD gas material 1 in the container 3,
And a vibrator 14 for applying ultrasonic vibration to the container 3 to mist the CVD gas material 1 and a constant temperature bath 10. On the other hand, the means for gasifying the misted CVD gas material 1 is composed of a carburetor 20 having a cavity partitioned by a plurality of filters 23 inside and having a heater 21 and a thermocouple 22 arranged around the cavity. Has been done.
【００２８】そして、気化器20と反応容器100との間は
配管４により、また、容器３と気化器20との間は、バル
ブ５を介設した配管４によりそれぞれ接続されている。
これらの配管４及びバルブ５には、図示しない熱電対及
びヒータが設けられており、熱電対12及び22、ヒータ2
1、ペルチェ素子13、振動子14と共に図示しない制御部
に接続されている。フィルタ23は配管４を介して気化器
20内に導入されたミスト７を捕らえ、それをヒータ21に
より加熱してガス(蒸気)化するためのものである。この
ため、金網あるいは金属粒子の焼結体等で構成されたも
のが好適であるが、これに限らず、例えば、多数の穴あ
るいはスリットを設けた金属板を複数枚並べて用いても
良く、さらに、これらの間に金属球や金属ウール等を充
填する構成にしても良い。The vaporizer 20 and the reaction vessel 100 are connected by a pipe 4, and the vessel 3 and the vaporizer 20 are connected by a pipe 4 with a valve 5 interposed therebetween.
These pipes 4 and valves 5 are provided with thermocouples and heaters (not shown), thermocouples 12 and 22, heaters 2
1, the Peltier element 13, and the vibrator 14 are connected to a control unit (not shown). The filter 23 is a vaporizer through the pipe 4.
This is for capturing the mist 7 introduced into the inside 20 and heating it with the heater 21 to turn it into a gas (vapor). Therefore, a wire mesh or a sintered body of metal particles is preferable, but not limited to this, and for example, a plurality of metal plates provided with a large number of holes or slits may be used side by side. Alternatively, a structure in which metal balls, metal wool, or the like is filled between them may be used.
【００２９】次に、本実施例における反応容器100への
ガス導入手順を説明する。ペルチェ素子13に対しては常
に通電して容器３を冷却し、ガス材料１の保管温度を０
℃ないしそれ以下の低温状態に維持する。この状態で配
管４、バルブ５及び気化器20にそれぞれ設けた各ヒータ
に通電を開始し、所定温度域まで加熱する。所定温度域
に達したならば、振動子14に通電を開始して容器３に10
〜100ｋＨz程度の振動を加える。加振された容器３内の
ＣＶＤガス材料１は、ミスト７となって液面より容器３
中に浮遊するようになる。次いで、バルブ５を開いて浮
遊するミスト７を気化器20内に導入する。導入されたミ
スト７は、気化器20内がヒータ21によりフィルタ23を含
めて加熱されているため、気化器20の内壁及び各フィル
タ23に接することによりガス化しＣＶＤガス２となった
後、配管４を介して反応容器100内に送られて成膜処理
に供せられる。Next, the procedure for introducing gas into the reaction vessel 100 in this embodiment will be described. The Peltier element 13 is constantly energized to cool the container 3 and set the storage temperature of the gas material 1 to zero.
Maintain a low temperature of ℃ or below. In this state, energization is started to each heater provided in the pipe 4, the valve 5 and the carburetor 20, and the heater is heated to a predetermined temperature range. When the temperature reaches the predetermined temperature range, power is supplied to the vibrator 14 and 10
Apply vibration of about 100 kHz. The CVD gas material 1 in the vibrated container 3 becomes a mist 7 from the liquid surface.
It will float inside. Next, the valve 5 is opened and the floating mist 7 is introduced into the vaporizer 20. Since the inside of the vaporizer 20 is heated by the heater 21 including the filter 23, the introduced mist 7 is gasified by contacting the inner wall of the vaporizer 20 and each filter 23 to become the CVD gas 2, and then the piping. It is sent to the inside of the reaction container 100 via 4 and is used for a film forming process.
【００３０】成膜処理終了後は、バルブ５を閉じ、振動
子14への通電を停止する。この状態で反応容器100およ
び気化器20内よりＣＶＤガス２を暫時排気した後、前記
各ヒータへの通電を停止する。これにより、容器３内の
ミスト７は再液化して液中に戻され、前記低温の保管状
態となる。After the film forming process is completed, the valve 5 is closed and the power supply to the vibrator 14 is stopped. In this state, the CVD gas 2 is evacuated from the reaction vessel 100 and the vaporizer 20 for a while, and then the energization of each heater is stopped. As a result, the mist 7 in the container 3 is re-liquefied and returned to the liquid, and the low temperature storage state is obtained.
【００３１】なお、前記成膜終了後の排気が不十分の場
合は、バルブ５以降の気化器20側の配管４及び気化器20
内に、ＣＶＤガス２及びミスト７が再液化して残留し、
次の成膜プロセスに悪影響を与えるが、この様な場合に
は、気化器20と反応容器100との間の配管４に図１に鎖
線で示すバルブ６を設け、該バルブ６とバルブ５との間
の配管４または気化器20に排気手段を設ける構成にして
再液化を防止するか、あるいは、気化器20におけるヒー
タ21をペルチェ素子に変える構成にし、該ペルチェ素子
の極性をＣＶＤガス供給時には加熱状態にし、成膜終了
後はその極性を切り換えて冷却状態とし、この加熱・冷
却の切り換えにより配管４及び気化器20内に残留したＣ
ＶＤガス材料１の劣化を抑制するようにしても良い。こ
の際にも上記バルブ６を設ける。If the exhaust after the film formation is insufficient, the pipe 4 and the vaporizer 20 on the side of the vaporizer 20 after the valve 5
CVD gas 2 and mist 7 are reliquefied and remain in the inside,
Although it adversely affects the next film forming process, in such a case, a valve 6 shown by a chain line in FIG. 1 is provided in the pipe 4 between the vaporizer 20 and the reaction vessel 100, and the valve 6 and the valve 5 are connected to each other. Between the pipe 4 or the vaporizer 20 is provided with an exhaust means to prevent reliquefaction, or the heater 21 in the vaporizer 20 is changed to a Peltier element, and the polarity of the Peltier element is supplied when the CVD gas is supplied. After the film formation, the polarity is changed to a cooling state after the film formation is completed, and the C which remains in the pipe 4 and the vaporizer 20 is switched by the switching between the heating and the cooling.
The deterioration of the VD gas material 1 may be suppressed. Also in this case, the valve 6 is provided.
【００３２】上記第１の実施例においては、ＣＶＤガス
２のみを反応容器100内に供給することについて述べた
が、不活性ガス等をキャリングガスとして、容器３内あ
るいは気化器20内あるいは気化器20とバルブ５との間の
配管４内に導入し、該導入したキャリングガスとＣＶＤ
ガス２とを混合して反応容器100内に供給しても良い。
なお、その場合には前記従来例と同様に、キャリングガ
スの導入配管及びその流量調整の可能なバルブ(もしく
は質量流量コントローラ)を設ける。また、振動子14へ
の通電電流あるいはＣＶＤガス材料１の液面からの反射
波等をモニタする手段を設けることにより、ＣＶＤガス
材料１の残量を検知することが可能となる。In the first embodiment described above, only the CVD gas 2 was supplied into the reaction container 100. However, an inert gas or the like is used as a carrying gas in the container 3, the vaporizer 20, or the vaporizer. 20 is introduced into the pipe 4 between the valve 5 and the introduced carrying gas and CVD.
The gas 2 may be mixed and supplied into the reaction container 100.
In that case, as in the conventional example, a carrying gas introducing pipe and a valve (or a mass flow controller) capable of adjusting the flow rate thereof are provided. Further, by providing a means for monitoring a current passed through the vibrator 14 or a reflected wave from the liquid surface of the CVD gas material 1, the remaining amount of the CVD gas material 1 can be detected.
【００３３】上述の如く、第１の実施例は、ＣＶＤガス
材料１の保管部とＣＶＤガス発生部とが分離され、ガス
材料保管部の容器３内は常に低温に維持され、該保管部
よりミスト化してＣＶＤガス発生部に導入したＣＶＤガ
ス材料１のみを気化せしめる構成としたため、温度によ
るＣＶＤガス材料１の劣化を防止することができる。こ
のため、多量のガス材料１を充填しておくことが可能と
なるため、ＣＶＤガス供給装置として長時間の使用が可
能となり、容器３の交換頻度を低減することができる。As described above, in the first embodiment, the storage part for the CVD gas material 1 and the CVD gas generation part are separated, and the inside of the container 3 of the gas material storage part is always kept at a low temperature. Since only the CVD gas material 1 that has been misted and introduced into the CVD gas generation portion is vaporized, it is possible to prevent the CVD gas material 1 from deteriorating due to temperature. For this reason, a large amount of gas material 1 can be filled, so that the CVD gas supply device can be used for a long time, and the frequency of replacement of the container 3 can be reduced.
【００３４】つぎに図２（ａ）および図２（ａ）のＡ−
Ａ断面図である図２（ｂ）は、上記第１の実施例におけ
る容器３の内周面および底面に、フィン状の突起35a及
び35bを設けた変形例である。この例では、ＣＶＤガス
材料１と容器３との接触面積が大きくなることから熱の
伝達効率が良くなり、所定温度までの加熱・冷却時間を
短縮することができる。なお、この突起の形状は、フィ
ン状に限らず柱状でも良い。2A and A- in FIG. 2A.
FIG. 2B, which is a sectional view taken along the line A, is a modification in which fin-shaped projections 35a and 35b are provided on the inner peripheral surface and the bottom surface of the container 3 in the first embodiment. In this example, since the contact area between the CVD gas material 1 and the container 3 is increased, the heat transfer efficiency is improved, and the heating / cooling time to the predetermined temperature can be shortened. The shape of the protrusion is not limited to the fin shape and may be a column shape.
【００３５】さらに図３は、上記第１の実施例における
容器３の側壁および底部を、波形状に形成した変形例で
ある。図に示すように、前記波形状に合わせて整形した
ペルチェ素子13、振動子14等を設けることで、熱や力の
伝達効率が向上する。なお、上記した例は、いずれも容
器３の冷却にペルチェ素子13を用いたが、ペルチェ素子
13に変えて例えば、図１に示すペルチェ素子13を設けた
場所に、同心円状あるいはスパイラル状の配管を設ける
構成にし、或いは容器３の側壁を二重化した構成とし、
それらの内部に液体窒素、アンモニア、冷水、等の各種
冷媒を導入して冷却するようにしても良い。Further, FIG. 3 shows a modification in which the side wall and the bottom of the container 3 in the first embodiment are formed in a corrugated shape. As shown in the figure, by providing the Peltier element 13, the vibrator 14 and the like that are shaped according to the corrugated shape, the heat and force transmission efficiency is improved. In each of the above examples, the Peltier element 13 was used to cool the container 3, but
In place of 13, for example, a concentric or spiral pipe is provided in the place where the Peltier element 13 shown in FIG. 1 is provided, or the side wall of the container 3 is doubled,
You may make it cool by introducing various refrigerants, such as liquid nitrogen, ammonia, and cold water, in them.
【００３６】つぎに、本発明の第２の実施例を図４を参
照して説明する。図４はＣＶＤガス供給装置の全体構成
説明図である。図中、図１ないし図３と同符号のもの
は、同じものまたは同機能のものを示す。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is an explanatory diagram of the overall configuration of the CVD gas supply device. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 3 indicate the same or the same functions.
【００３７】本実施例は、前記第１の実施例における気
化器２０を使用しない簡易型のＣＶＤガス供給装置の例
である。The present embodiment is an example of a simple type CVD gas supply device which does not use the vaporizer 20 in the first embodiment.
【００３８】図４に示すように、本実施例のＣＶＤガス
供給装置は、ＣＶＤガス材料１を収納する容器３と、該
容器３を加熱・冷却するための恒温槽10とにより構成さ
れる。そして、容器３と反応容器100との間には、該反
応容器100内にＣＶＤガス２を導入するための取り出し
用の配管４がバルブ５を介して接続されている。また、
恒温槽10には、容器３の直下に該容器３を加熱するため
のヒータ11及び容器３の温度をモニタするための熱電対
12、容器３の側面に接する様にペルチェ素子13が設けて
ある。これらのヒータ11、熱電対12、ペルチェ素子13
は、いずれも図示していない制御部に接続されている。
また、図示していないが、配管４及びバルブ５にもヒー
タ及び熱電対を設けてあり、同様に制御部に接続されて
いる。As shown in FIG. 4, the CVD gas supply apparatus of this embodiment comprises a container 3 for containing the CVD gas material 1 and a constant temperature bath 10 for heating / cooling the container 3. A pipe 4 for taking out the CVD gas 2 into the reaction container 100 is connected between the container 3 and the reaction container 100 via a valve 5. Also,
The constant temperature bath 10 includes a heater 11 for heating the container 3 immediately below the container 3 and a thermocouple for monitoring the temperature of the container 3.
12. A Peltier element 13 is provided so as to contact the side surface of the container 3. These heater 11, thermocouple 12, Peltier element 13
Are connected to a control unit (not shown).
Although not shown, the pipe 4 and the valve 5 are also provided with a heater and a thermocouple and are similarly connected to the control unit.
【００３９】次に、本実施例を用いたＣＶＤガス供給に
ついて述べる。先ず、ペルチェ素子13への通電を停止し
て容器３の冷却、すなわち、ＣＶＤガス材料１の冷却を
止める。次いで、ヒータ11への通電を開始し、容器３を
所定温度域まで加熱する。この時、配管４及びバルブ５
も同様に加熱する。容器３、配管４及びバルブ５が所定
温度域に達したならば、バルブ５を開いてＣＶＤガス２
を反応容器100内に導入し、成膜処理を行う。Next, the CVD gas supply using this embodiment will be described. First, the energization of the Peltier element 13 is stopped to stop the cooling of the container 3, that is, the cooling of the CVD gas material 1. Next, the energization of the heater 11 is started to heat the container 3 to a predetermined temperature range. At this time, the pipe 4 and the valve 5
Also heat similarly. When the container 3, the pipe 4 and the valve 5 have reached a predetermined temperature range, the valve 5 is opened and the CVD gas 2
Is introduced into the reaction container 100 to perform a film forming process.
【００４０】成膜処理中における反応容器100内でのＣ
ＶＤガス２の供給は、ノズルを用いて試料の局所に供給
するか、あるいは配管４の接続口の近くに拡散板等を設
けて反応容器100全体にＣＶＤガス２を供給する等、成
膜の目的に応じて選択・構成して行われる。また、反応
容器100内においては、ＣＶＤガス２を流しながら成膜
を行っても、或いは反応容器100中にＣＶＤガス２を閉
じ込めた状態で成膜を行っても良い。C in the reaction vessel 100 during the film forming process
The VD gas 2 is supplied locally to the sample using a nozzle, or a CVD plate 2 is provided near the connection port of the pipe 4 to supply the CVD gas 2 to the entire reaction vessel 100. It is selected and configured according to the purpose. Further, in the reaction container 100, the film formation may be performed while flowing the CVD gas 2, or the film formation may be performed with the CVD gas 2 being confined in the reaction container 100.
【００４１】上記成膜処理は、ＣＶＤガス２雰囲気中で
ヒータあるいは赤外線照射により試料を全面あるいは局
所加熱して行う熱ＣＶＤ、あるいは各種レーザ光の何れ
かあるいはそれらを組み合わせ用いたレーザＣＶＤ、あ
るいは電子ビームやイオンビームを用いたエネルギービ
ームＣＶＤ、あるいはＣＶＤガス２雰囲気中でプラズマ
を発生させてＣＶＤガスを分解せしめるプラズマＣＶ
Ｄ、等の何れかにより処理される。The film forming process is performed by thermal CVD performed by heating the entire surface or locally of the sample by a heater or infrared irradiation in a CVD gas 2 atmosphere, laser CVD using any one of various laser beams, or a combination thereof. Beam CVD using an ion beam or an ion beam, or plasma CV for decomposing the CVD gas by generating plasma in the atmosphere of the CVD gas 2
D, or the like.
【００４２】成膜処理終了後は、バルブ５を閉じ、ヒー
タ11への通電を停止して容器３、配管４及びバルブ５の
加熱を停止する。次いで、ペルチェ素子13への通電を再
開して容器３をＣＶＤガス材料１の保管温度まで冷却す
る。After the film forming process is completed, the valve 5 is closed and the heater 11 is de-energized to stop the heating of the container 3, the pipe 4 and the valve 5. Next, the power supply to the Peltier element 13 is restarted to cool the container 3 to the storage temperature of the CVD gas material 1.
【００４３】ここで用い得るＣＶＤガス材料１として
は、Ａu(ＣＨ3)2(Ｃ5Ｈ7Ｏ2)、Ａu(ＣＨ3)2(Ｃ5Ｈ4Ｆ3
Ｏ2)、Ａu(ＣＨ3)2(Ｃ5ＨＦ6Ｏ2)、Ｐt(ＰＦ3)4、(Ｃ5
ＨＦ6Ｏ2)Ｃu・(ＣＨ3)3ＳiＣＨ＝ＣＨ2等の何れかで、
液体でも固体（粉体）でも使用可能である。例えば、Ａ
u(ＣＨ3)2(Ｃ5ＨＦ6Ｏ2)を用いた場合、容器３を35〜40
℃に加熱することで133Ｐa程度の蒸気圧が得られ、更に
65〜70℃に加熱することにより1330Ｐa程度の蒸気圧を
得ることができる。従って、用途に応じてＣＶＤガス供
給時の容器３の加熱温度を決定すれば良い。その際、配
管４及びバルブ５の加熱温度は容器３の加熱温度より５
℃程度高めておくことで、配管４及びバルブ５内でのＣ
ＶＤガス材料１の再液化及び再結晶化を防止することが
できる。The CVD gas material 1 that can be used here is Au (CH 3 ) 2 (C 5 H 7 O 2 ), Au (CH 3 ) 2 (C 5 H 4 F 3).
O 2), Au (CH 3 ) 2 (C 5 HF 6 O 2), Pt (PF 3) 4, (C 5
HF 6 O 2 ) Cu. (CH 3 ) 3 SiCH = CH 2 etc.,
Both liquid and solid (powder) can be used. For example, A
When u (CH 3 ) 2 (C 5 HF 6 O 2 ) is used, the container 3 is set to 35 to 40
By heating to ℃, vapor pressure of about 133 Pa can be obtained.
A vapor pressure of about 1330 Pa can be obtained by heating to 65 to 70 ° C. Therefore, the heating temperature of the container 3 at the time of supplying the CVD gas may be determined according to the application. At that time, the heating temperature of the pipe 4 and the valve 5 is 5 times higher than that of the container 3.
By increasing the temperature by about ℃, C in the pipe 4 and valve 5
It is possible to prevent reliquefaction and recrystallization of the VD gas material 1.
【００４４】一方、上記ＣＶＤガス材料１の容器３にお
ける保管温度については、前述したようにできるだけ低
温にすることが望ましいが、上記のとおりペルチェ素子
13を使用したことにより、容器３を０℃以下に容易に冷
却することが可能である。On the other hand, the storage temperature of the CVD gas material 1 in the container 3 is preferably as low as possible as described above, but as described above, the Peltier element is used.
By using 13, it is possible to easily cool the container 3 to 0 ° C. or lower.
【００４５】上記実施例においては、ＣＶＤガス２のみ
を反応容器100内に供給する手段について述べたが、不
活性ガス等をキャリングガスとして容器３内に導入し、
該キャリングガスとＣＶＤガス２とを混合して反応容器
100内に供給しても良い。その場合には、従来例と同様
にキャリングガスの導入配管及び流量調整が可能なバル
ブ(もしくは質量流量コントローラ)を容器３に設ける必
要がある。In the above embodiment, the means for supplying only the CVD gas 2 into the reaction vessel 100 has been described, but an inert gas or the like is introduced into the vessel 3 as a carrying gas,
Reaction container in which the carrying gas and the CVD gas 2 are mixed
You may supply within 100. In that case, as in the conventional example, it is necessary to provide the container 3 with a pipe (or a mass flow controller) capable of introducing the carrying gas and adjusting the flow rate.
【００４６】以上の如く、ＣＶＤガス２の反応容器100
内への供給時以外は、ＣＶＤガス材料１を容器３にて低
温に維持しているため、従来例で述べたような温度によ
る劣化は大幅に抑制される。また、ヒータ11に対しても
上記ペルチェ素子13のような冷却手段を設けておくこと
により、容器３の加熱停止、すなわち、ヒータ11への通
電停止と同時に該ヒータ11の冷却手段を動作させること
が可能になり、その結果ヒータ11の余熱を急速に除去す
ることができ、ＣＶＤガス材料１の劣化抑制をさらに向
上させることができる。さらに、上記実施例では容器３
の加熱手段にヒータ11を用いているが、該ヒータ11に変
えてペルチェ素子を用いても良い。これはペルチェ素子
が、通電の極性を反転させると吸熱状態にあった側が発
熱状態に変わる性質を利用するもので、通電の極性の切
り換えのみで加熱・冷却が可能となり、各ペルチェ素子
13への通電を制御することにより容器３の温度分布の制
御等が容易に可能となる。As described above, the CVD gas 2 reactor 100
Since the CVD gas material 1 is kept at a low temperature in the container 3 except when it is supplied to the inside, deterioration due to temperature as described in the conventional example is significantly suppressed. Further, by providing a cooling means such as the Peltier element 13 for the heater 11 as well, the heating of the container 3 is stopped, that is, the energization of the heater 11 is stopped and the cooling means of the heater 11 is operated at the same time. As a result, the residual heat of the heater 11 can be rapidly removed, and the deterioration suppression of the CVD gas material 1 can be further improved. Further, in the above embodiment, the container 3
Although the heater 11 is used as the heating means, a Peltier element may be used instead of the heater 11. This is because the Peltier element utilizes the property that the side that was in the endothermic state changes to the heat-generating state when the polarity of energization is reversed, and heating and cooling are possible only by switching the polarity of energization.
By controlling the power supply to 13, the temperature distribution of the container 3 can be easily controlled.
【００４７】なお、前記第１の実施例において説明した
図２および図３に示す構成は、本実施例においてもその
まま適用可能である。Note that the configurations shown in FIGS. 2 and 3 described in the first embodiment can be applied to this embodiment as they are.
【００４８】次に、本発明の第３の実施例を図５を参照
して説明する。本実施例の具体的な適用例としては、前
記従来技術で述べたような、ＣＶＤガス雰囲気中におい
て集束したレーザ光あるいはイオンビーム等のエネルギ
ビームを照射し、半導体等の上に局所成膜を行うＣＶＤ
装置が挙げられる。このようなＣＶＤ装置は、大面積成
膜を行う一般的なＣＶＤ装置が使用する量ほどのＣＶＤ
ガスを消費しないため、比較的少量（例えば、数グラ
ム）のＣＶＤガス材料を充填しておいても実用上の問題
は生じない。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. As a specific application example of the present embodiment, as described in the above-mentioned prior art, a focused laser beam or an energy beam such as an ion beam is irradiated in a CVD gas atmosphere to form a local film on a semiconductor or the like. CVD to perform
A device is mentioned. Such a CVD apparatus has a CVD amount as large as that used by a general CVD apparatus for forming a large area film.
Since no gas is consumed, even if a relatively small amount (for example, several grams) of the CVD gas material is filled, no practical problem occurs.
【００４９】ここで用いるＣＶＤガス材料１は、固体あ
るいは液体状の何れでもよいが、このガス材料１の比較
的少量を不活性ガス等の雰囲気中で市販のガラスアンプ
ルに封入したものが使用される。ガラスアンプルは、注
射用アンプルのサイズが各種あるように自由にサイズを
選定することができるため、ガラスアンプルに充填する
ＣＶＤガス材料１の容量は、前記局所成膜の長さ、量等
の規模に応じて任意に設定可能である。このため、温度
によるＣＶＤガス材料１の品質劣化が生ずる前に該ガス
材料１を全量消費することでき、ガス材料１の長時間の
保管が不要となることから材料保管に対する温度環境の
配慮を不要とすることができる。なお、ＣＶＤガス材料
１を封入したガラスアンプルは、成膜作業開始前まで０
℃以下にて保管しておく。The CVD gas material 1 used here may be either solid or liquid, but a relatively small amount of this gas material 1 sealed in a commercially available glass ampoule in an atmosphere of an inert gas or the like is used. It Since the size of the glass ampoule can be freely selected so that there are various sizes of injection ampoule, the volume of the CVD gas material 1 to be filled in the glass ampoule depends on the length, amount, etc. of the local film formation. It can be arbitrarily set according to. Therefore, the entire amount of the gas material 1 can be consumed before the quality of the CVD gas material 1 deteriorates due to the temperature, and the gas material 1 does not need to be stored for a long time. Can be It should be noted that the glass ampoule containing the CVD gas material 1 is 0 until the start of film forming work.
Store at ℃ or below.
【００５０】図５において、チャンバ50の上部には、途
中にネジ部を有するシャフト52を介し、ガラスアンプル
31を開封するための先端にテーパを有する開封子51を接
続したツマミ53が設けられており、該ツマミ53を回転さ
せることで開封子51が上下する。また、下部にはガラス
アンプル31を収納する収納容器55がナット56により固定
されるようになっている。シャフト52とチャンバ50との
間、及び収納容器55とチャンバ50との間には、Ｏリング
54、57を配設してガスのリークを防止している。また、
チャンバ50の一方の側面は、バルブ５ａを介設した配管
４ａにて図示しない反応容器と接続されており、該配管
４ａのチャンバ50とバルブ５ａとの間には、リークバル
ブ５ｂを介設した配管４ｂが接続されて不活性ガス等の
ボンベに接続されている。チャンバ50の他方の側面は、
バルブ５ｃを介設した排気管４ｃにて図示しない真空ポ
ンプ及び除害装置等から構成される排気手段に接続され
ている。排気管４ｃには、ガスのリーク時あるいはＣＶ
Ｄガス供給時のチャンバ50内の圧力をモニタするための
真空計59が設けられている。そして、チャンバ50の上記
両側面のポート部には、ガラスアンプル31の破片等の異
物の浸入防止のためのフィルタ58が設けられている。In FIG. 5, a glass ampoule is provided above the chamber 50 via a shaft 52 having a threaded portion in the middle.
A knob 53, to which an opening 51 having a taper is connected, is provided at the tip for opening the opening 31, and the opening 51 is moved up and down by rotating the knob 53. Further, a storage container 55 for storing the glass ampoule 31 is fixed to the lower portion by a nut 56. An O-ring is provided between the shaft 52 and the chamber 50 and between the storage container 55 and the chamber 50.
54 and 57 are provided to prevent gas leakage. Also,
One side surface of the chamber 50 is connected to a reaction container (not shown) by a pipe 4a provided with a valve 5a, and a leak valve 5b is provided between the chamber 50 and the valve 5a of the pipe 4a. The pipe 4b is connected to a cylinder of inert gas or the like. The other side of chamber 50
An exhaust pipe 4c provided with a valve 5c is connected to an exhaust means including a vacuum pump, an abatement device, and the like (not shown). In the exhaust pipe 4c, gas leaks or CV
A vacuum gauge 59 is provided to monitor the pressure inside the chamber 50 when the D gas is supplied. Filters 58 are provided at the ports on both sides of the chamber 50 to prevent foreign matter such as broken pieces of the glass ampoule 31 from entering.
【００５１】次に、本実施例のＣＶＤガス供給手順につ
いて述べる。先ず、バルブ５ａ及び５ｃを閉じ、その状
態でリークバルブ５ｂを開き、チャンバ50に不活性ガス
等のリークガスを該チャンバ50内が略大気圧になるまで
導入する。次に、ナット56を緩めて収納容器55を外し、
その中にＣＶＤガス材料１を封入したガラスアンプル31
を納め、再びチャンバ50下部に収納容器55を固定する。
次いで、リークバルブ５ｂを閉じ、バルブ５ｃを開いて
チャンバ55内を排気する。該排気によりチャンバ55内が
所定の圧力に達したならばバルブ５ｃを閉じ、ツマミ53
を回してガラスアンプル31の上部に開封子51を押圧し、
くびれ部を破壊して開封する。この場合、ガラスアンプ
ル31のくびれ部に予め傷を付けておくと開封時に破片を
少なくすることができる。該開封後、一定時間あるいは
所定の圧力に達するまでバルブ５ｃを開きガラスアンプ
ル31内に封入されていた雰囲気ガスを排気する。この
時、ＣＶＤガス材料１から発生したＣＶＤガスも同時に
排気されるが、量が少なく特に問題は無い。次に、バル
ブ５ａを開き配管４ａを介して図示しない反応容器内に
ＣＶＤガスを供給し成膜処理を行う。Next, the CVD gas supply procedure of this embodiment will be described. First, the valves 5a and 5c are closed, the leak valve 5b is opened in that state, and a leak gas such as an inert gas is introduced into the chamber 50 until the inside of the chamber 50 becomes substantially atmospheric pressure. Next, loosen the nut 56 and remove the storage container 55,
Glass ampoule 31 in which CVD gas material 1 is enclosed
Then, the storage container 55 is fixed to the lower part of the chamber 50 again.
Then, the leak valve 5b is closed and the valve 5c is opened to exhaust the inside of the chamber 55. When the inside of the chamber 55 reaches a predetermined pressure by the exhaust, the valve 5c is closed and the knob 53
Turn to press the opener 51 on top of the glass ampoule 31,
Destroy the necked part and open. In this case, if the constricted part of the glass ampoule 31 is scratched in advance, it is possible to reduce fragments when opening. After the opening, the valve 5c is opened for a certain period of time or until a predetermined pressure is reached, and the atmospheric gas enclosed in the glass ampoule 31 is exhausted. At this time, the CVD gas generated from the CVD gas material 1 is also exhausted at the same time, but the amount is small and there is no particular problem. Next, the valve 5a is opened and a CVD gas is supplied into a reaction container (not shown) through the pipe 4a to perform a film forming process.
【００５２】成膜処理終了後は、一旦バルブ５ａを閉
じ、次の成膜処理までＣＶＤガス供給を遮断する。そし
て、次のＣＶＤガス供給時には、バルブ５ａを開くだけ
でＣＶＤガスを供給することができる。このようにして
ガラスアンプル31内のＣＶＤガス材料１を全て使い終え
たならば、チャンバ50内が略大気圧になるまでリークバ
ルブ５ｂを開きリークガスをチャンバ50内に導入する。
ついでナット56を緩めて収納容器55を外し、空になった
ガラスアンプル31とその破片とを取り出し、新たなガラ
スアンプル31を収納して以後は、上記手順を繰り返す。After the film forming process is completed, the valve 5a is once closed, and the CVD gas supply is shut off until the next film forming process. When the next CVD gas is supplied, the CVD gas can be supplied simply by opening the valve 5a. When the CVD gas material 1 in the glass ampoule 31 is completely used up in this way, the leak valve 5b is opened and the leak gas is introduced into the chamber 50 until the inside of the chamber 50 becomes substantially atmospheric pressure.
Then, the nut 56 is loosened, the storage container 55 is removed, the empty glass ampoule 31 and its fragments are taken out, a new glass ampoule 31 is stored, and thereafter, the above procedure is repeated.
【００５３】上述の第３の実施例では、ＣＶＤガス材料
１の品質劣化前に使いきるだけの量をガラスアンプル31
に充填したものを用いているが、ＣＶＤガス材料１を充
填する容器はガラスアンプル31に限定することなく他の
小口容器を用いても良い。In the above-mentioned third embodiment, the glass ampoule 31 is used in such an amount that the CVD gas material 1 is used up before its quality is deteriorated.
However, the container for filling the CVD gas material 1 is not limited to the glass ampoule 31 and other small container may be used.
【００５４】つぎに、図６を参照して本発明の第４の実
施例を説明する。本実施例は、ＣＶＤガス材料１を充填
する容器を除いては、前記第３の実施例とほぼ同じ構成
で、少量のＣＶＤガス材料１を使用する例である。図
中、図５と同符号のものは同じものまたは同機能のもの
を示す。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The present embodiment is an example in which a small amount of the CVD gas material 1 is used with almost the same configuration as the third embodiment except for the container for filling the CVD gas material 1. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 5 indicate the same or the same functions.
【００５５】以下、第３の実施例と異なっている部分の
みについて説明する。図において、小口容器32は前記ガ
ラスアンプル31に代わるＣＶＤガス材料１の収納容器
で、容器本体と、各種ゴム、フッ素樹脂、シリコン樹脂
等の軟性材料、あるいは、ガラス、セラミック等の脆性
材料からなる中ブタ33と、中央に開口を有するスクリュ
ーキャップ34とにより構成されている。そして、中ブタ
33をスクリューキャップ34で容器本体に固定することに
より、容器本体内に納めたＣＶＤガス材料１を封止して
いる。Only the parts different from the third embodiment will be described below. In the figure, a small container 32 is a container for the CVD gas material 1 that replaces the glass ampoule 31, and is composed of a container body and a soft material such as various rubbers, fluororesins, and silicone resins, or a brittle material such as glass and ceramics. It is composed of a middle pig 33 and a screw cap 34 having an opening in the center. And the medium pig
By fixing 33 to the container body with the screw cap 34, the CVD gas material 1 contained in the container body is sealed.
【００５６】ここで、脆性材料から成る中ブタ33を用い
る場合には、中ブタ33からのガス材料１のリークを防止
するため、中ブタ33と容器本体上面との間に図示しない
Ｏリング等を設ける必要がある。開封子51は、その先端
部を中ブタ33に貫通させるか、あるいは上記第３の実施
例と同様に中ブタ33を破壊することで、その密封状態を
開封する。一方、上記中ブタ33が軟性材料の場合には、
中ブタ33に容易に突き刺すことができるように図示の如
く先端部分を鋭利に形成したＴ字形配管を用いる。中ブ
タ33が脆性材料の場合には、上記第３の実施例に示した
ものと同じもの、あるいは先端が半球形状のものを用い
る。このような開封子51は、ツマミ53を回すことでシャ
フト52に設けたネジにより、チャンバ50内を上下に移動
する。Here, when the medium pig 33 made of a brittle material is used, in order to prevent the gas material 1 from leaking from the medium pig 33, an O-ring or the like (not shown) is provided between the medium pig 33 and the upper surface of the container body. Need to be provided. The opener 51 opens the sealed state by penetrating the middle pig 33 at its tip or by destroying the middle pig 33 as in the third embodiment. On the other hand, when the medium pig 33 is a soft material,
As shown in the drawing, a T-shaped pipe having a sharp tip is used so that the middle pig 33 can be easily pierced. When the inner pig 33 is a brittle material, the same one as shown in the third embodiment or one having a hemispherical tip is used. Such an opening member 51 moves up and down in the chamber 50 by a screw provided on the shaft 52 by turning the knob 53.
【００５７】次に、本実施例によるＣＶＤガスの供給手
順を説明する。固体あるいは液体のＣＶＤガス材料１を
不活性ガス等の雰囲気中であらかじめ封入しておいた小
口容器32をチャンバ50下部に固定後、バルブ５ｃを開い
てチャンバ50内を排気する。チャンバ50内が所定の圧力
に達したならばバルブ５ｃを閉じ、ツマミ53を回して小
口容器32の中ブタ33に開封子51を突き刺し、開封する。
該開封後、一定時間あるいは所定の圧力に達するまでバ
ルブ５ｃを開いて小口容器32内に入っていた封入時の雰
囲気ガスを排気する。この時、ＣＶＤガス材料１から発
生したＣＶＤガスも同時に排気されるが、この場合も量
が少なく特に問題は無い。次に、バルブ５ａを開き配管
４ａを介して図示しない反応容器内にＣＶＤガスを供給
し成膜処理を行う。Next, the procedure for supplying the CVD gas according to this embodiment will be described. After fixing the small container 32 in which the solid or liquid CVD gas material 1 is sealed in advance in an atmosphere of an inert gas or the like to the lower portion of the chamber 50, the valve 5c is opened to exhaust the inside of the chamber 50. When the inside of the chamber 50 has reached a predetermined pressure, the valve 5c is closed, the knob 53 is turned, and the opening 51 is pierced into the middle pig 33 of the small container 32 to open it.
After the opening, the valve 5c is opened for a certain period of time or until a predetermined pressure is reached, and the ambient gas at the time of filling, which has been contained in the small container 32, is exhausted. At this time, the CVD gas generated from the CVD gas material 1 is also exhausted at the same time, but in this case as well, the amount is small and there is no particular problem. Next, the valve 5a is opened and a CVD gas is supplied into a reaction container (not shown) through the pipe 4a to perform a film forming process.
【００５８】成膜処理終了後は、一旦バルブ５ａを閉
じ、次の成膜処理までＣＶＤガス供給を遮断する。そし
て、次のＣＶＤガス供給時には、バルブ５ａを開くだけ
でＣＶＤガスを供給することができる。このようにして
小口容器32内のＣＶＤガス材料１を全て使い終えたなら
ば、チャンバ50内が略大気圧になるまでリークバルブ５
ｂを開きリークガスをチャンバ50内に導入する。ついで
ナット56を緩めて小口容器32を取外し、空になった小口
容器32を新たな小口容器32と交換して以後は、上記手順
を繰り返す。After the film forming process is completed, the valve 5a is once closed, and the CVD gas supply is shut off until the next film forming process. When the next CVD gas is supplied, the CVD gas can be supplied simply by opening the valve 5a. When the CVD gas material 1 in the small container 32 is completely used up in this way, the leak valve 5 is kept until the inside of the chamber 50 becomes substantially atmospheric pressure.
b is opened and a leak gas is introduced into the chamber 50. Next, the nut 56 is loosened to remove the small container 32, the empty small container 32 is replaced with a new small container 32, and thereafter, the above procedure is repeated.
【００５９】上述の第３および第４の実施例は、ＣＶＤ
ガスのみを反応容器内に供給する例を説明したが、前記
第１および第２の実施例と同様に、不活性ガス等をキャ
リングガスとしてチャンバ50内に導入し、キャリングガ
スとＣＶＤガスとを混合して反応容器内に供給すること
も可能である。その場合には、上記リークバルブ５ｂを
流量調整が可能なバルブ(もしくは質量流量コントロー
ラ)に替えるとともに、リークガスをキャリングガスと
しても用い得るガスに変更する。The third and fourth embodiments described above are based on CVD.
Although the example of supplying only the gas into the reaction container has been described, similar to the first and second embodiments, an inert gas or the like is introduced into the chamber 50 as a carrying gas to remove the carrying gas and the CVD gas. It is also possible to mix and supply in a reaction container. In that case, the leak valve 5b is replaced with a valve (or mass flow controller) capable of adjusting the flow rate, and the leak gas is changed to a gas that can also be used as a carrying gas.
【００６０】また、ＣＶＤガスの供給量を増すため高い
供給圧が必要な場合は、チャンバ50、ガラスアンプル3
1、小口容器32、配管４ａ、バルブ５ａ等に、前記第２
の実施例の如きヒータ及び熱電対を設けるか、あるいは
前記第１の実施例の如き加振手段及び気化器20を設ける
ことで対処できる。さらに、配管４ａをマニホールド化
して複数本を並列に配置し、それら各配管４ａとチャン
バ50とをバルブを介して接続し、ＣＶＤガス供給源の複
数化を図る構成にしてもよい。これにより、反応容器へ
のＣＶＤガスの導入時間及び容器交換時間の短縮が図れ
るほか、ＣＶＤガス供給ラインの切り換えにより成膜作
業を中断することなく行うことができる。If a high supply pressure is required to increase the supply amount of the CVD gas, the chamber 50, the glass ampoule 3
1, the small container 32, the pipe 4a, the valve 5a, etc., the second
This can be dealt with by providing a heater and a thermocouple as in the first embodiment or by providing a vibrating means and a carburetor 20 as in the first embodiment. Further, the pipe 4a may be formed into a manifold, a plurality of pipes may be arranged in parallel, and the respective pipes 4a and the chamber 50 may be connected to each other via a valve so that a plurality of CVD gas supply sources may be provided. As a result, the time for introducing the CVD gas into the reaction container and the time for replacing the container can be shortened, and the film forming operation can be performed without interruption by switching the CVD gas supply line.
【００６１】また、前記第３の実施例における収納容器
55、または本実施例における小口容器32において、その
底面あるいは側壁等の一部あるいは全面にガラス等から
成る透明体部を設けておくことにより、ＣＶＤガス材料
１の残量を視認することが可能となる。但し、光に対し
ても不安定なＣＶＤガス材料１を充填した場合には、前
記透明体部に開閉可能な遮光カバー等を設ける。このガ
ス材料１の残量視認の構成は、前記第１および第２の実
施例に対しても適用可能で、その場合には、容器３を収
納する恒温槽10にも残量視認用の窓を設ける。Further, the storage container in the third embodiment
55, or in the small container 32 of this embodiment, by providing a transparent body made of glass or the like on a part or the entire surface of the bottom surface or side wall, the remaining amount of the CVD gas material 1 can be visually confirmed. Becomes However, when the CVD gas material 1 which is unstable against light is filled, the transparent body portion is provided with an openable / closable light shielding cover or the like. This configuration for observing the remaining amount of the gas material 1 can be applied to the first and second embodiments, and in that case, a window for observing the remaining amount is also provided in the constant temperature bath 10 for housing the container 3. To provide.
【００６２】上記第３および第４の実施例は、ＣＶＤガ
ス材料の劣化が生ずる前に、ほぼ全量消費可能な少量の
ＣＶＤガス材料を容器（ガラスアンプル31または小口容
器32）内に封入し、該容器を大気から隔離した状態で開
封する構成としたため、特に材料保管に対する温度上の
配慮を不要とするほか、ＣＶＤガス材料の封入容器の交
換を容易且つ短時間に行うことができる。In the third and fourth embodiments, before the deterioration of the CVD gas material occurs, a small amount of almost all the consumable CVD gas material is enclosed in the container (glass ampoule 31 or small container 32), Since the container is opened in a state of being isolated from the atmosphere, it is not necessary to consider the temperature particularly for material storage, and the CVD gas material can be easily replaced in a short time.
【００６３】尚、本発明は、上述のＣＶＤガス材料のみ
ならず、温度に対して不安定なエッチングガスあるいは
ドーピングガス等のプロセスガス材料にも適用可能であ
る。The present invention can be applied not only to the above-mentioned CVD gas material but also to a process gas material such as an etching gas or a doping gas which is unstable with respect to temperature.
【００６４】[0064]
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、少なく
ともＣＶＤガス供給時以外のＣＶＤガス材料は低温状態
にあるため、温度による材料の劣化を抑制することがで
き、温度に対して不安定なＣＶＤガス材料を、その品質
を劣化させること無く安定して供給し得る効果を奏す
る。As described above, according to the present invention, since the CVD gas material is at a low temperature except at the time of supplying the CVD gas, it is possible to suppress the deterioration of the material due to the temperature and it is unstable with respect to the temperature. It is possible to stably supply a stable CVD gas material without deteriorating its quality.
【図１】本発明の第１の実施例のＣＶＤガス供給装置の
全体構成説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of an overall configuration of a CVD gas supply device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１のＣＶＤガス材料を収納する容器の変形例
を示す図である。FIG. 2 is a view showing a modified example of the container for storing the CVD gas material of FIG.
【図３】図１のＣＶＤガス材料を収納する容器の他の変
形例を示す図である。FIG. 3 is a view showing another modified example of the container for storing the CVD gas material in FIG.
【図４】本発明の第２の実施例のＣＶＤガス供給装置の
全体構成説明図である。FIG. 4 is a diagram illustrating the overall configuration of a CVD gas supply device according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３の実施例のＣＶＤガス供給装置の
全体構成説明図である。FIG. 5 is a diagram illustrating the overall configuration of a CVD gas supply device according to a third embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第４の実施例のＣＶＤガス供給装置の
全体構成説明図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the overall configuration of a CVD gas supply device according to a fourth embodiment of the present invention.
１…ＣＶＤガス材料、２…ＣＶＤガス、３…容器、４…
配管、５，６…バルブ、７…ミスト、10…恒温槽、11…
ヒータ、12…熱電対、13…ペルチェ素子、14…振動子、
20…気化器、21…ヒータ、22…熱電対、23…フィルタ、
31…ガラスアンプル、32…小口容器、33…中ブタ、34…
スクリューキャップ、35ａ，35ｂ…フィン状突起、50…
チャンバ、51…開封子、58…フィルタ、59…真空計。1 ... CVD gas material, 2 ... CVD gas, 3 ... container, 4 ...
Piping, 5, 6 ... Valve, 7 ... Mist, 10 ... Constant temperature bath, 11 ...
Heater, 12 ... Thermocouple, 13 ... Peltier element, 14 ... Transducer,
20 ... Vaporizer, 21 ... Heater, 22 ... Thermocouple, 23 ... Filter,
31 ... Glass ampoule, 32 ... Small container, 33 ... Medium pig, 34 ...
Screw caps, 35a, 35b ... Fin-shaped projections, 50 ...
Chamber, 51 ... opener, 58 ... filter, 59 ... vacuum gauge.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河路 幹規 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 山田 利夫 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Mikiki Kawaji 2326 Imai, Ome City, Tokyo, Hitachi, Ltd. Device Development Center (72) Toshio Yamada 2326 Imai, Ome City, Tokyo Hitachi, Ltd. Device In the development center
Claims (13)
する容器と、該容器内のＣＶＤガス材料を設定温度に保
つための恒温槽と、ＣＶＤガス材料を加熱してガス化す
る加熱手段とを備え、ガス化されたＣＶＤガスを成膜処
理を行う反応容器内に配管を介して供給するＣＶＤガス
供給装置において、前記恒温槽に前記容器内のＣＶＤガ
ス材料を冷却して低温保管する冷却手段を設けたことを
特徴とするＣＶＤガス供給装置。1. A container for accommodating a solid or liquid CVD gas material, a thermostatic chamber for keeping the CVD gas material in the container at a set temperature, and a heating means for heating the CVD gas material to gasify it. In a CVD gas supply device, which is provided with a gasified CVD gas and supplies the gasified CVD gas into a reaction container for film formation through a pipe, a cooling unit that cools the CVD gas material in the container in the constant temperature tank and stores it at a low temperature. A CVD gas supply device comprising:
と、該容器内のＣＶＤガス材料を設定温度に保つための
恒温槽とを備え、ガス化されたＣＶＤガスを成膜処理を
行う反応容器内に配管を介して供給するＣＶＤガス供給
装置において、前記容器内の液状のＣＶＤガス材料をミ
スト化するための加振手段と、該ミスト化されたＣＶＤ
ガス材料を導入し、かつ加熱してガス化するための加熱
手段と、前記恒温槽に前記容器内のＣＶＤガス材料を冷
却して低温保管する冷却手段とを設けたことを特徴とす
るＣＶＤガス供給装置。2. A reaction vessel provided with a container for containing a liquid CVD gas material and a thermostatic bath for keeping the CVD gas material in the container at a set temperature, and performing a film-forming process on the gasified CVD gas. In a CVD gas supply device which is supplied into the interior of the container through a pipe, a vibrating means for mistizing the liquid CVD gas material in the container, and the misted CVD
A CVD gas, characterized in that a heating means for introducing a gas material and heating it to gasify it, and a cooling means for cooling the CVD gas material in the container to store it at a low temperature in the constant temperature bath are provided. Supply device.
の加振手段が、ＣＶＤガス材料を収納する容器に超音波
振動を与える振動子からなる請求項２記載のＣＶＤガス
供給装置。3. The CVD gas supply device according to claim 2, wherein the vibrating means for forming the mist of the CVD gas material is a vibrator that applies ultrasonic vibration to a container that stores the CVD gas material.
と、該容器内のＣＶＤガス材料を設定温度に保つための
恒温槽とを備え、ガス化されたＣＶＤガスを成膜処理を
行う反応容器内に配管を介して供給するＣＶＤガス供給
装置において、前記容器内の液状のＣＶＤガス材料をミ
スト化するための加振手段と、該ミスト化されたＣＶＤ
ガス材料を導入し、かつ加熱してガス化するための加熱
手段と、前記容器内に充填したＣＶＤガス材料の残量を
振動子により検知する残量検知手段と、前記恒温槽に前
記容器内のＣＶＤガス材料を冷却して低温保管する冷却
手段とを設けたことを特徴とするＣＶＤガス供給装置。4. A reaction vessel provided with a container for containing a liquid CVD gas material and a thermostatic chamber for keeping the CVD gas material in the container at a set temperature, and performing a film-forming process on the gasified CVD gas. In a CVD gas supply device which is supplied into the interior of the container through a pipe, a vibrating means for mistizing the liquid CVD gas material in the container, and the misted CVD
A heating means for introducing a gas material and heating it to gasify it, a residual quantity detecting means for detecting the residual quantity of the CVD gas material filled in the container by a vibrator, and the inside of the container in the constant temperature bath. And a cooling means for cooling the CVD gas material and storing it at a low temperature.
振動子への通電電流、またはＣＶＤガス材料の液面から
の反射波をモニタする手段からなる請求項４記載のＣＶ
Ｄガス供給装置。5. A means for detecting the remaining amount of the CVD gas material,
5. The CV according to claim 4, comprising means for monitoring a current passed through the vibrator or a reflected wave from the liquid surface of the CVD gas material.
D gas supply device.
その内壁にフィン状または柱状の突起を形成し、あるい
はその内壁を波形に形成されてなる請求項１，２または
４記載のＣＶＤガス供給装置。6. A container for storing the CVD gas material,
5. The CVD gas supply device according to claim 1, wherein a fin-shaped or columnar protrusion is formed on the inner wall or the inner wall is corrugated.
Ｄガス材料を収納する容器の周囲に接触させて設けたペ
ルチェ素子、または冷媒を用いた構成からなる請求項
１，２または４記載のＣＶＤガス供給装置。7. The cooling means for the CVD gas material is a CV.
The CVD gas supply device according to claim 1, wherein the Peltier element provided in contact with the periphery of the container that stores the D gas material, or a configuration using a refrigerant is used.
ＶＤガス材料より発生したＣＶＤガスを、成膜処理を行
う反応容器内に配管を介して供給するＣＶＤガス供給装
置において、一方の側面をバルブを介設した配管を介し
て前記反応容器に接続され、他方の側面をバルブを介設
した配管を介して排気手段に接続されたチャンバと、品
質劣化開始前にほぼ全量消費可能な程度の少量のＣＶＤ
ガス材料を封入し、前記チャンバの下部にＯリングを介
して着脱可能に装着された密封容器と、前記チャンバ内
を移動可能な開封子を有し該開封子により前記密封容器
を大気から隔離状態で開封する開封手段とを備えたこと
を特徴とするＣＶＤガス供給装置。8. A solid or liquid C contained in a container
In a CVD gas supply device for supplying a CVD gas generated from a VD gas material into a reaction vessel for film formation through a pipe, one side surface is connected to the reaction vessel through a pipe provided with a valve. , A chamber connected to the exhaust means on the other side through a pipe provided with a valve, and a small amount of CVD that can consume almost the entire amount before the start of quality deterioration.
A sealed container that is filled with a gas material and is detachably attached to the lower part of the chamber through an O-ring, and an opener that can move in the chamber. The opened container isolates the sealed container from the atmosphere. A CVD gas supply device, comprising: an opening means for opening.
が、ガラスアンプルからなり、該ガラスアンプルを収納
した収納容器を介して前記チャンバの下部に装着されて
なる請求項８記載のＣＶＤガス供給装置。9. The CVD gas supply apparatus according to claim 8, wherein the hermetically sealed container in which the CVD gas material is sealed is made of a glass ampoule, and is attached to the lower portion of the chamber via a storage container in which the glass ampoule is stored. .
器が、容器本体、軟性材料または脆性材料からなる中ブ
タおよび該中ブタを容器本体に固定するスクリュウーキ
ャップにより構成された小口容器からなる請求項８記載
のＣＶＤガス供給装置。10. The hermetically sealed container in which the CVD gas material is sealed comprises a container body, a small container made of a soft material or a brittle material, and a small-capacity container composed of a screw cap for fixing the medium pig to the container body. 8. The CVD gas supply device according to item 8.
たは樹脂の軟性材料からなる請求項１０記載のＣＶＤガ
ス供給装置。11. The CVD gas supply device according to claim 10, wherein the inner lid of the hermetically sealed container is made of a soft material such as various rubbers or resins.
はセラミックの脆性材料からなる請求項１０記載のＣＶ
Ｄガス供給装置。12. The CV according to claim 10, wherein the inner lid of the sealed container is made of a brittle material such as glass or ceramic.
D gas supply device.
たは該容器を収納した容器が、該容器の少なくともその
一部に、該容器内のＣＶＤガス材料の残量を外部より視
認可能な透明体部を形成してなる請求項１，２，８，９
または１０記載のＣＶＤガス供給装置。13. A container in which the CVD gas material is enclosed or a container in which the container is housed, wherein at least a part of the container has a transparent body portion from which the remaining amount of the CVD gas material in the container can be visually recognized from the outside. Claims 1, 2, 8, 9 formed by forming
Alternatively, the CVD gas supply device according to item 10.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9868794A JPH07310185A (en) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | Cvd gas feeder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9868794A JPH07310185A (en) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | Cvd gas feeder |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07310185A true JPH07310185A (en) | 1995-11-28 |
Family
ID=14226425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9868794A Pending JPH07310185A (en) | 1994-05-12 | 1994-05-12 | Cvd gas feeder |
Country Status (1)
| Country | Link |
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