JPH07310184A - Post treatment of siox deposited film and device therefor - Google Patents

Post treatment of siox deposited film and device therefor

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JPH07310184A
JPH07310184A JP9955694A JP9955694A JPH07310184A JP H07310184 A JPH07310184 A JP H07310184A JP 9955694 A JP9955694 A JP 9955694A JP 9955694 A JP9955694 A JP 9955694A JP H07310184 A JPH07310184 A JP H07310184A
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film
sio
vapor
vapor deposition
oxygen
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JP9955694A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoji Nakano
要治 中野
Toshiro Kobayashi
敏郎 小林
Toshinosuke Hoshi
要之介 星
Hajime Okita
肇 沖田
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Abstract

PURPOSE:To prepore resin film, on which SiO2 film is vapor-deposited to improve gas barrier property by supplying oxygen before winding the deposited film. CONSTITUTION:In a device for vapor depositing SiOx vapor 14 on the surface of the resin film 12, after the SiOx film (x<2) is vapor-deposited on the surface of the resin film 12 in a vacuum vessel 11, the surface is made dense by supplying a material capable of releasing oxygen onto the surface of the SiOx film from a supply means for supplying the material capable of releasing oxygen in a part expressed by caption mark before winding the vapor deposited film by a film winding means 17.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、表面にSiOX 皮膜を
蒸着した樹脂フィルムの後処理方法及びその装置に関す
る。
The present invention relates to a post-processing method and apparatus of a resin film by depositing SiO X film on the surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在のレトルト食品用包装材としては、
内部の食品が見えると共に、例えば電子レンジ等の調理
器具で調理できるようにした樹脂フィルム(ポリエチエ
レンテレフタレート(PET)フィルム)が用いられて
いる。該フィルムは、ガスバリア性をもたせる為にその
表面にSiOX (酸化ケイ素系)皮膜を蒸着してなるも
ので、「SiOX 蒸着フィルム」と称せられており、真
空蒸着法によって製造されている。
2. Description of the Related Art Current packaging materials for retort foods are:
A resin film (polyethylene terephthalate (PET) film) that allows food to be seen inside and that can be cooked with a cooking device such as a microwave oven is used. The film is formed by depositing a SiO x (silicon oxide based) film on the surface of the film in order to have a gas barrier property, and is called a “SiO x deposited film”, and is manufactured by a vacuum deposition method.

【0003】このSiOX 蒸着フィルムの製造方法の概
略を説明する。 (1) バッチ式真空蒸着装置による製造方法 図7は、バッチ式真空蒸着装置の一例を示し、真空槽1
1内には、樹脂フィルム12を払い出す払出しロール1
3、該フィルム12にSiOX 蒸気14を供給するるつ
ぼ15、SiOX 蒸着フィルム16を巻き取る巻取りロ
ール17が夫々配置されている。上記真空蒸着装置を用
いて、SiOX 皮膜を蒸着したSiOX 蒸着フィルム1
6を得るには、先ず、真空槽11内で払出しロール13
から払い出された樹脂フィルム12にるつぼ15から供
給されるSiOX 蒸気14を供給し、該フィルム12の
表面にSiOX 皮膜を蒸着させるようにしている。な
お、得られた蒸着フィルム16はその後、巻取りロール
17によって巻き取られ、次工程に送られている。
An outline of a method of manufacturing this SiO x vapor deposition film will be described. (1) Manufacturing method using batch-type vacuum deposition apparatus FIG. 7 shows an example of a batch-type vacuum deposition apparatus.
A roll 1 for discharging the resin film 12
3, a crucible 15 for supplying the SiO X vapor 14 to the film 12, and a winding roll 17 for winding the SiO X vapor deposition film 16 are arranged. A SiO x vapor deposition film 1 obtained by vapor depositing a SiO x film using the above vacuum vapor deposition device.
In order to obtain No. 6, first, the pay-out roll 13 in the vacuum chamber 11
The SiO x vapor 14 supplied from the crucible 15 is supplied to the resin film 12 discharged from the above, so that the SiO x film is vapor-deposited on the surface of the film 12. The obtained vapor deposition film 16 is then wound up by the winding roll 17 and sent to the next step.

【0004】(2) 連続真空蒸着装置による製造方法 図8は、連続真空蒸着装置の一例を示し、上記装置とは
異なり真空槽11の外部に、樹脂フィルム12を払い出
す払出しロール13と、SiOX 蒸着フィルム16を巻
き取る巻取りロール17とが夫々配置されている。そし
て、該払出しロール13から払い出されたフィルム12
は、シール装置18により真空槽11内に導入され、そ
の後るつぼ15から供給されるSiOX 蒸気14をその
表面に蒸着しSiOX 皮膜を蒸着したフィルム16を得
たのち、再びシール装置18を通過してから真空槽11
外に導出され、巻取りロール17に巻き取られ、次工程
に送られている。
(2) Manufacturing method by continuous vacuum vapor deposition apparatus FIG. 8 shows an example of a continuous vacuum vapor deposition apparatus. Unlike the above apparatus, a delivery roll 13 for delivering a resin film 12 to the outside of the vacuum chamber 11 and SiO. Winding rolls 17 for winding the X vapor deposition film 16 are arranged respectively. Then, the film 12 dispensed from the dispensing roll 13
Is introduced into the vacuum chamber 11 by the sealing device 18, and then the SiO x vapor 14 supplied from the crucible 15 is vapor-deposited on its surface to obtain a film 16 having a vapor-deposited SiO x film, and then the film passes through the sealing device 18 again. And then vacuum chamber 11
It is led out to the outside, wound on a winding roll 17, and sent to the next step.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、SiOX
着フィルムは食品の包装用に用いられるため、酸素透過
度が小さいほうが望ましいが、図7,8に示すような真
空蒸着装置の真空槽11内の圧力が1.3×10-2Pa
以上であると、SiOX 蒸着膜が多孔質な皮膜となり、
酸素透過度の小さい皮膜が得られないという問題があ
る。
By the way, since the SiO x vapor deposition film is used for packaging foods, it is desirable that the oxygen permeability is small. However, in the vacuum chamber 11 of the vacuum vapor deposition apparatus as shown in FIGS. Pressure is 1.3 × 10 -2 Pa
If it is above, the SiO x vapor deposition film becomes a porous film,
There is a problem that a film with low oxygen permeability cannot be obtained.

【0006】このため、1.3×10-2Pa以下で真空
蒸着する必要があるが、フィルムからも吸着ガスが放出
されるため、真空ポンプの排気速度を著しく大きいもの
にしているが、長時間の真空引きを行う必要があり、生
産性が低下するという問題がある。
For this reason, it is necessary to perform vacuum deposition at 1.3 × 10 -2 Pa or less, but since the adsorbed gas is also released from the film, the evacuation speed of the vacuum pump is significantly increased, but There is a problem that productivity needs to be reduced because it is necessary to vacuum the time.

【0007】このようなことから、1.3×10-2Pa
以上で蒸着した後に、何らかの方法で酸素透過度を小さ
くする方法が望まれているが、従来においては良好なガ
スバリア性を有するSiOX 蒸着フィルムを得ることは
出来なかった。
From the above, 1.3 × 10 -2 Pa
Although there is a demand for a method of reducing the oxygen permeability by some method after vapor deposition as described above, a SiO x vapor deposition film having a good gas barrier property could not be obtained in the past.

【0008】また、一方SiOX 蒸着フィルムは成膜時
にガスバリア性が不良であっても、空気に触れて時間が
経過すると、SiOX が酸化してガスバリア性が向上す
ることが判明したが、SiOX 蒸着フィルムは巻取りロ
ール17に巻かれることにより該ロール状のままでは空
気に触れることが出来ず、ガスバリア性が向上しないた
めに、ロールから払出し後、直ぐには製品化することが
できないという問題が有る。
On the other hand, even if the SiO x vapor-deposited film has a poor gas barrier property at the time of film formation, it has been found that the SiO x is oxidized and the gas barrier property is improved with the passage of time when exposed to air. The X- deposited film cannot be exposed to air by being wound on the take-up roll 17 as it is, and the gas barrier property is not improved, so that it cannot be commercialized immediately after being discharged from the roll. There is.

【0009】本発明は上記問題に鑑み、ロールから払出
し後、直ちに良好なガスバリア性を有するSiOX 蒸着
フィルムを製造することが出来るSiOX 蒸着フィルム
の後処理方法及びその装置を提供することを目的とす
る。
[0009] The present invention has been made in view of the above problems, after payout from the roll, intended to provide a post-processing method and apparatus of the SiO X evaporation film that can be produced a SiO X evaporation film having immediate good gas barrier properties And

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明に係るSiOX 蒸着フィルムの後処理方法は、樹脂フ
ィルムの表面にSiOX 皮膜(X<2)を蒸着形成した
後、該SiOX 皮膜の表面に酸素を放出する物質を供給
することを特徴とする。ここで、本発明で上記酸素を放
出する物質とは、例えば過酸化水素水、過酸化ジエチ
ル、過酸化ベンジル等の過酸化物を挙げることができる
が、これらに限定されるものではない。
Post-processing method for SiO X evaporation film according to the present invention To achieve the object of the present invention is to achieve the object, after depositing form SiO X film (X <2) on the surface of the resin film, the SiO X It is characterized by supplying a substance that releases oxygen to the surface of the film. Here, examples of the substance that releases oxygen in the present invention include, but are not limited to, hydrogen peroxide solution, peroxides such as diethyl peroxide and benzyl peroxide.

【0011】また、SiOX 蒸着フィルムの後処理装置
の構成は、樹脂フィルムの表面にSiOX 皮膜を蒸着す
る装置において、樹脂フィルムの表面にSiOX 皮膜
(X<2)を蒸着するSiOX 蒸着手段とフィルム巻取
り手段との間に、SiOX 皮膜の表面に酸素を放出する
物質を供給する供給手段を設けたことを特徴とする。
[0011] The configuration of the post-processing apparatus of the SiO X evaporation film, the apparatus for depositing the SiO X film on the surface of the resin film, SiO X evaporation for depositing a SiO X film (X <2) on the surface of the resin film A supply means for supplying a substance that releases oxygen to the surface of the SiO x film is provided between the means and the film winding means.

【0012】[0012]

【作用】ここで、樹脂フィルムにガスバリア性を持たせ
る為の物質として、酸化シリコン系のものが一般に用い
られるが、該酸化シリコン系の中ではSiOX が最も安
定がよい。しかし、SiOX (0.7<X≦2.0)を
蒸着材料として真空蒸着法で蒸着膜を形成するときに
は、SiOはSiO2 ,Siより蒸気圧が高いので、蒸
着膜は蒸発種SiOに雰囲気酸素が一部反応した形であ
るSiOX (1≦X<2.0)として形成される。この
蒸着膜の蒸着直後の空孔率は蒸着条件のみによって決定
され、Xの値に関係ないと考えられる。
Here, a silicon oxide-based material is generally used as a substance for imparting a gas barrier property to the resin film. Among the silicon oxide-based materials, SiO X is the most stable. However, when a vapor deposition film is formed by a vacuum vapor deposition method using SiO x (0.7 <X ≦ 2.0) as a vapor deposition material, since the vapor pressure of SiO is higher than that of SiO 2 and Si, the vapor deposition film becomes an evaporation species SiO. It is formed as SiO X (1 ≦ X <2.0), which is a form in which atmospheric oxygen partially reacts. The porosity of the vapor-deposited film immediately after vapor deposition is determined only by the vapor deposition conditions and is considered to be unrelated to the value of X.

【0013】一方、SiOX (1≦X<2.0)の皮膜
は、酸素と反応し、より安定なSiO2 に近づくが、そ
のときSiOX 皮膜は表面及び粒界から酸化し、粒界の
空孔を封孔することにより緻密化し、ガスバリア性が向
上すると考えられる。この蒸着後の反応は、SiO2
はそれ以上酸化されないのに対して、SiOX のX値が
小さい程、酸化の余地を残しているので、ガスバリア性
がより大きく向上するものと思われる。
On the other hand, the SiO x (1 ≦ X <2.0) film reacts with oxygen and approaches SiO 2 which is more stable, but at that time, the SiO x film oxidizes from the surface and the grain boundaries to form grain boundaries. It is considered that the gas barrier property is improved by densifying the holes by sealing them. The reaction after the vapor deposition is not further oxidized by SiO 2 , but the smaller the X value of SiO x , the more room for oxidation is left, and therefore the gas barrier property is considered to be further improved.

【0014】そこで本発明においては、フィルム間に酸
素を放出する物質を供給しつつ巻き取ることにより、S
iOX 皮膜を酸化させ、この結果、粒界の空孔を封孔
し、ガスバリア性の向上を図ることができる。このとき
供給した物質の酸素がSiOXと反応した後の残留物
は、水、アルコール、安定なガス、或いはフィルムの成
分と同様の有機物質であり、SiOX 蒸着フィルムに悪
影響はなく、且つ透明性は良好に保持されている。
Therefore, in the present invention, S is obtained by winding the film while supplying a substance that releases oxygen between the films.
It is possible to oxidize the iO x film and, as a result, seal the voids at the grain boundaries and improve the gas barrier property. At this time, the residue after the oxygen of the substance supplied reacts with SiO x is water, alcohol, a stable gas, or an organic substance similar to the components of the film, which does not adversely affect the SiO x vapor deposition film and is transparent. The sex is retained well.

【0015】[0015]

【実施例】以下、本発明に係る好適な実施例を図面を参
照して詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0016】図1は、連続真空蒸着装置の一例を示し、
真空槽11の外部に、樹脂フィルム12を払い出す払出
しロール13と、SiOX 蒸着フィルム16を巻き取る
巻取りロール17とが夫々配置されている。そして、該
払出しロール13から払い出されたフィルム12は、シ
ール装置18により真空槽11内に導入され、その後る
つぼ15から供給されるSiOX 蒸気14をその表面に
蒸着しSiOX 皮膜を蒸着したフィルム16を得たの
ち、再びシール装置18を通過してから真空槽11外に
導出され、巻取りロール17に巻き取られ、次工程に送
られている。
FIG. 1 shows an example of a continuous vacuum vapor deposition apparatus,
Outside the vacuum chamber 11, a pay-out roll 13 for paying out the resin film 12 and a take-up roll 17 for winding the SiO X vapor deposition film 16 are respectively arranged. Then, the film 12 delivered from the delivery roll 13 is introduced into the vacuum chamber 11 by the sealing device 18, and then the SiO x vapor 14 supplied from the crucible 15 is vapor-deposited on its surface to deposit a SiO x film. After the film 16 is obtained, the film 16 is passed through the sealing device 18 again, then led out of the vacuum chamber 11, taken up by the take-up roll 17, and sent to the next step.

【0017】図2は、バッチ式真空蒸着装置の一例を示
し、真空槽11内には、樹脂フィルム12を払い出す払
出しロール13、該フィルム12にSiOX 蒸気14を
供給するるつぼ15、SiOX 蒸着フィルム16を巻き
取る巻取りロール17が夫々配置されている。
FIG. 2 shows an example of a batch type vacuum vapor deposition apparatus. In the vacuum chamber 11, a dispensing roll 13 for dispensing a resin film 12, a crucible 15 for supplying SiO X vapor 14 to the film 12, and SiO X. Winding rolls 17 for winding the vapor deposition film 16 are arranged respectively.

【0018】上記装置において、払出しロール13から
厚さ25μm、幅360mmのポリエチレンテレフタレ
ート(PET)フィルム12をライン速度50m/mi
nで払出し、るつぼ15の加熱温度1550k,真空槽
11の内圧力6.7×10-2PaでSiOX 蒸気14を
蒸発させ、厚さ60mmのSiOX 皮膜を蒸着して、S
iOX 蒸着フィルム16を製造した。
In the above apparatus, a polyethylene terephthalate (PET) film 12 having a thickness of 25 μm and a width of 360 mm is fed from the pay-out roll 13 at a line speed of 50 m / mi.
Then, the SiO x vapor 14 is evaporated at a heating temperature of 1550 k for the crucible 15 and an internal pressure of 6.7 × 10 -2 Pa in the vacuum chamber 11 to deposit a SiO x film having a thickness of 60 mm.
An iO x vapor deposition film 16 was manufactured.

【0019】上記製造に際して、フィルムの表面にSi
X 皮膜を蒸着した後で、巻取りロール17による巻取
り前に、図1,2中、符号Aで示す部分内において、酸
素を放出する物質を供給する供給手段を設けた。
In the above production, Si is formed on the surface of the film.
After the vapor deposition of the O x film and before the winding by the winding roll 17, a supply means for supplying a substance that releases oxygen is provided in the portion indicated by the symbol A in FIGS.

【0020】また、図3に示すように、巻取りロール1
7に一度巻き取ったSiOX 蒸着フィルム16を再び払
出しロール13に巻き戻す際に、図中Aで示す部分内に
おいて、酸素を放出する物質を供給する供給手段を設け
た。
Further, as shown in FIG. 3, the winding roll 1
When the SiO x vapor-deposited film 16 once wound on No. 7 was rewound on the pay-out roll 13 again, a supply means for supplying a substance that releases oxygen was provided in the portion indicated by A in the figure.

【0021】次に、図4〜図6に酸素を放出する物質を
供給する供給手段の一例を示す。図4に示す供給手段
は、SiOX 蒸着フィルム16の表面に酸素を放出する
物質22を供給する超音波の噴霧器21を設けたもので
ある。この装置は酸素を放出する物質22を0.05g
/m2 〜0.5g/m2 程均一に吹きつけるようにした
ものである。
Next, FIGS. 4 to 6 show an example of a supply means for supplying a substance that releases oxygen. The supply means shown in FIG. 4 is provided with an ultrasonic atomizer 21 for supplying a substance 22 that releases oxygen to the surface of the SiO x vapor deposition film 16. This device uses 0.05g of the substance 22 that releases oxygen.
/ M 2 to 0.5 g / m 2 is sprayed uniformly.

【0022】図5に示す供給手段は、巻取りロール17
に巻き取られる前に、内部に酸素を放出する物質22を
充填した塗布槽23を設け、SiOX 蒸着フィルム16
を該塗布槽23内に潜らせて、表面に酸素を供給するよ
うにしたものである。この装置は酸素を放出する物質2
2を10/m2 程度その表面に塗布するようにしたもの
である。
The supply means shown in FIG.
Before being taken up by the film, a coating tank 23 filled with a substance 22 that releases oxygen is provided inside the SiO x vapor deposition film 16
Is submerged in the coating tank 23 to supply oxygen to the surface. This device is a substance that releases oxygen 2
2 is applied to the surface of about 10 / m 2 .

【0023】図6に示す供給手段は、巻取りロール17
に巻き取られる前に、内部に酸素を放出する物質22を
充填した塗布槽23を設け、該塗布槽23内に潜らせた
塗布ロール24を介してSiOX 蒸着フィルム16の表
面に酸素を供給するようにしたものである。この装置は
酸素を放出する物質22を1.2g/m2 程度その表面
に塗布するようにしたものである。
The supply means shown in FIG.
Before being wound on the substrate, a coating tank 23 filled with an oxygen-releasing substance 22 is provided, and oxygen is supplied to the surface of the SiO X vapor deposition film 16 via a coating roll 24 submerged in the coating tank 23. It is something that is done. In this device, a substance 22 that releases oxygen is applied to the surface thereof at a rate of 1.2 g / m 2 .

【0024】本実施例における酸素を放出する物質とし
ては、35%過酸化水素水溶液、50%過酸化ジエチル
エタノール溶液、過酸化ベンゾイルエタノール溶液の三
種類のものを用いた。
As the oxygen-releasing substance in this embodiment, there were used three kinds of substances of 35% hydrogen peroxide aqueous solution, 50% diethyl peroxide ethanol solution and benzoyl peroxide ethanol solution.

【0025】以下、図1〜図3における酸素を放出する
物質を供給する位置、図4〜図6に示す供給手段、供給
する三種類の物質22のそれぞれを組み合わせて、表面
に酸素を供給することを、種々(計27種)行った。
Hereinafter, oxygen is supplied to the surface by combining each of the positions for supplying the substance that releases oxygen in FIGS. 1 to 3, the supply means shown in FIGS. 4 to 6 and the three kinds of substances 22 to be supplied. Various things (27 kinds in total) were performed.

【0026】以上の27種類での処理したSiOX 蒸着
フィルム16を24〜30時間後にロールから払出し、
直ちに酸素透過度を「JISK7126」に準拠して測
定した。その結果を「表1」に示す。
The SiO x vapor-deposited film 16 treated with the above 27 kinds was discharged from the roll after 24 to 30 hours,
Immediately, the oxygen permeability was measured according to "JISK7126". The results are shown in "Table 1".

【0027】[0027]

【表1】 [Table 1]

【0028】表1に示すように、従来では良好なガスバ
リア性を有するSiOX 蒸着フィルムを製造することが
出来なかったが、実施例に示した各種の後処理方法を施
すことで、SiOX 蒸着フィルムの表面に酸素を放出さ
せ、SiOX 皮膜との反応により表面を緻密化させるこ
とができ、巻取りロール17の払出し後、直ちにガスバ
リア性が良好なものとなり、そのまま製品可能なSiO
X 蒸着フィルムの製造が可能となった。
As shown in Table 1, conventionally, it was not possible to produce a SiO x vapor deposition film having a good gas barrier property, but by performing various post-treatment methods shown in the examples, SiO x vapor deposition was performed. Oxygen is released to the surface of the film, and the surface can be densified by the reaction with the SiO x film. Immediately after the winding roll 17 is discharged, the gas barrier property becomes good, and the product can be directly manufactured.
It has become possible to manufacture X- deposited films.

【0029】本実施例では酸素を放出する物質22の量
が0.05g/m2 〜10g/m2まで何れの場合も有
効であった。尚、巻取りロールが厚くなったり、残留物
が多いなどの点から最もガスバリア性が良好なのは0.
5g/m2 近傍のときであった。
The amount of material 22 that releases oxygen was effective in any case up to 0.05g / m 2 ~10g / m 2 in the present embodiment. It should be noted that the gas barrier property is the best because the winding roll becomes thick and there are many residues.
It was around 5 g / m 2 .

【0030】[0030]

【発明の効果】以上、実施例と共に述べたように、従来
では良好なガスバリア性を有するSiOX 蒸着フィルム
を製造することが出来なかったが、実施例に示した各種
の後処理方法を施すことで、SiOX 蒸着フィルムの表
面に酸素を放出することで、巻取りロール17の払出し
後、直ちにガスバリア性が良好なものとなり、そのまま
製品可能なSiOX 蒸着フィルムの製造が可能となっ
た。
As described above with reference to the embodiments, the SiO x vapor deposition film having a good gas barrier property could not be conventionally manufactured, but various post-treatment methods shown in the embodiments are applied. Then, by releasing oxygen to the surface of the SiO X vapor deposition film, the gas barrier property was immediately improved after the take-up roll 17 was dispensed, and the SiO X vapor deposition film which can be produced as it was can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】連続真空蒸着装置の概略図である。FIG. 1 is a schematic view of a continuous vacuum vapor deposition device.

【図2】バッチ式真空蒸着装置の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a batch type vacuum vapor deposition apparatus.

【図3】フィルム巻き戻し装置の概略図である。FIG. 3 is a schematic view of a film rewinding device.

【図4】フィルムに酸素を放出する物質を吹きつける装
置の概略図である。
FIG. 4 is a schematic view of an apparatus for blowing an oxygen-releasing substance onto a film.

【図5】フィルムに酸素を放出する物質を吹きつける装
置の概略図である。
FIG. 5 is a schematic view of an apparatus for blowing an oxygen-releasing substance onto a film.

【図6】フィルムに酸素を放出する物質を吹きつける装
置の概略図である。
FIG. 6 is a schematic view of an apparatus for spraying an oxygen-releasing substance on a film.

【図7】連続真空蒸着装置の概略図である。FIG. 7 is a schematic view of a continuous vacuum vapor deposition device.

【図8】バッチ式真空蒸着装置の概略図である。FIG. 8 is a schematic view of a batch type vacuum evaporation apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 真空槽 12 樹脂フィルム 13 払出しロール 14 SiOX 蒸気 15 るつぼ 16 SiOX 蒸着フィルム 17 巻取りロール 21 噴霧器 22 酸素を放出する物質 23 塗布槽 24 塗布ロール2411 Vacuum Tank 12 Resin Film 13 Discharge Roll 14 SiO X Vapor 15 Crucible 16 SiO X Vapor Deposition Film 17 Winding Roll 21 Sprayer 22 Oxygen-releasing Substance 23 Coating Tank 24 Coating Roll 24

フロントページの続き (72)発明者 沖田 肇 広島県広島市西区観音新町四丁目6番22号 三菱重工業株式会社広島研究所内Front page continuation (72) Inventor Hajime Okita 4-6-22 Kannon Shinmachi, Nishi-ku, Hiroshima City, Hiroshima Prefecture Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Hiroshima Research Center

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 樹脂フィルムの表面にSiOX 皮膜(X
<2)を蒸着形成した後、該SiOX 皮膜の表面に酸素
を放出する物質を供給することを特徴とするSiOX
着フィルムの後処理方法。
1. A SiO x film (X
<2) after the deposition formation, post-processing method for SiO X evaporation film and supplying the material from which oxygen is released to the surface of the SiO X film.
【請求項2】 樹脂フィルムの表面にSiOX 皮膜を蒸
着する装置において、樹脂フィルムの表面にSiOX
膜(X<2)を蒸着するSiOX 蒸着手段とフィルム巻
取り手段との間に、SiOX 皮膜の表面に酸素を放出す
る物質を供給する供給手段を設けたことを特徴とするS
iOX 蒸着フィルムの後処理装置。
An apparatus for depositing a SiO X film on the surface of 2. A resin film, between the SiO X evaporation means and the film winding means for depositing the SiO X film (X <2) on the surface of the resin film, SiO The S film is provided with a supply means for supplying a substance that releases oxygen to the surface of the S film.
Post-processing equipment for iO X vapor deposition film.
JP9955694A 1994-05-13 1994-05-13 Post treatment of siox deposited film and device therefor Withdrawn JPH07310184A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002089253A (en) * 2000-09-11 2002-03-27 Ibiden Co Ltd Holding seal material of catalytic converter for exhaust emission control
JP2015231948A (en) * 2010-07-27 2015-12-24 コーニング インコーポレイテッド Mechanically stable air-tight thin film subjected to self-passivation

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