JPH07307605A - Composite high frequency circuit module - Google Patents
Composite high frequency circuit moduleInfo
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- JPH07307605A JPH07307605A JP6124524A JP12452494A JPH07307605A JP H07307605 A JPH07307605 A JP H07307605A JP 6124524 A JP6124524 A JP 6124524A JP 12452494 A JP12452494 A JP 12452494A JP H07307605 A JPH07307605 A JP H07307605A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は複合高周波回路モジュー
ルに係り、特にマイクロ波帯やミリ波帯の通信機器に用
いられる、集中定数回路や分布定数回路が搭載された複
合基板を用いた高周波回路モジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composite high frequency circuit module, and more particularly to a high frequency circuit using a composite substrate on which a lumped constant circuit or a distributed constant circuit is mounted, which is used for microwave band and millimeter wave band communication devices. Regarding modules.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、多層の誘電体基板の中層より
上の部分に形成したキャビティに機能素子を実装した構
造の複合高周波回路モジュールが知られている（特開平
４−２９１０３号公報）。図７はこの従来の複合高周波
回路モジュールの一例の斜視図、図８は図７の部分拡大
斜視図を示す。両図に示すように、多層の誘電体基板３
０の上層と下層に導体膜が形成され、中層に機能素子間
を接続するためのパターンが形成されてストリップ線路
３２を構成し、その周囲に狭ピッチのビアホール３３が
配置されてシールド構造とされている。2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a composite high frequency circuit module having a structure in which a functional element is mounted in a cavity formed in a portion above a middle layer of a multi-layered dielectric substrate (JP-A-4-29103). FIG. 7 is a perspective view of an example of the conventional composite high frequency circuit module, and FIG. 8 is a partially enlarged perspective view of FIG. As shown in both figures, the multilayer dielectric substrate 3
0, a conductor film is formed on the upper and lower layers, a pattern for connecting functional elements is formed on the middle layer to form a strip line 32, and via holes 33 with a narrow pitch are arranged around the strip line 32 to form a shield structure. ing.
【０００３】また、機能素子が実装される部分の中層よ
り上の部分が除去されてキャビティ３６を構成し、この
キャビティ３６の内部に機能素子３４が実装されてい
る。この機能素子３４はボンディングワイヤ３７にて中
層パターンと電気的に接続され、また、機能素子３４の
上面には金属製のシールキャップ３１により封止されて
いる。A portion above the middle layer where the functional element is mounted is removed to form a cavity 36, and the functional element 34 is mounted inside the cavity 36. The functional element 34 is electrically connected to the middle layer pattern by a bonding wire 37, and the upper surface of the functional element 34 is sealed with a metal seal cap 31.
【０００４】また、モノリシック・マイクロ波集積回路
（ＭＭＩＣ）などの発熱量の大きな機能素子３４には、
図８に示すように、放熱経路を確保するために当該機能
素子３４の実装面より下層の間に金属製のビアホール３
５が形成されている。Further, in the functional element 34 such as a monolithic microwave integrated circuit (MMIC) which generates a large amount of heat,
As shown in FIG. 8, a metal via hole 3 is provided between the mounting surface of the functional element 34 and a lower layer in order to secure a heat radiation path.
5 is formed.
【０００５】また、他の従来の複合高周波回路モジュー
ルとして、図９に示すように導波管を用いた回路モジュ
ールも知られている（特開平３−２１２００８号公
報）。この高周波回路モジュールは、互いに直交する断
面図の図９（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、機能素子を
実装した誘電体基板４０の下面にマイクロストリップラ
イン型のアンテナパターン４１を設けてマイクロ波回路
モジュールとした上で、上部に開口部がある導波管４２
の開口部に取り付け、マイクロ波回路モジュールの基板
４０の下面と導波管４２の非開口部の導体面とを接触さ
せて導波管４２と接続する構造である。As another conventional composite high frequency circuit module, a circuit module using a waveguide as shown in FIG. 9 is also known (Japanese Patent Laid-Open No. 3-212008). As shown in FIGS. 9A and 9B which are cross-sectional views orthogonal to each other, this high-frequency circuit module has a microstrip line type antenna pattern 41 provided on the lower surface of a dielectric substrate 40 on which functional elements are mounted. Waveguide 42 having an opening at the top of the wave circuit module
The structure is such that the lower surface of the substrate 40 of the microwave circuit module and the conductor surface of the non-opening portion of the waveguide 42 are brought into contact with each other and connected to the waveguide 42.
【０００６】更に、他の従来の複合高周波回路モジュー
ルとして、図１０に示すように上下分割した導波管を用
いた回路モジュールも知られている（特開昭６３−１６
９８０１号公報）。この高周波回路モジュールは、導波
管５０を下側の導波管半体５１と上側の導波管半体５２
とに分割し、上側の導波管半体５２の管側壁の外側面に
ＭＩＣモジュール５３を直接実装し、金属製のカバー５
４、５５を取り付け、下側の導波管半体とを組み合わせ
た構造である。これは、カバー５５の内部にカバー５４
が取り付けられることにより、マイクロ波帯で使用して
も、カバー５５内に導波管モードの伝搬が発生しないよ
うにしたものである。Further, as another conventional composite high frequency circuit module, a circuit module using vertically divided waveguides as shown in FIG. 10 is also known (Japanese Patent Laid-Open No. 63-16).
9801). In this high-frequency circuit module, the waveguide 50 includes a lower waveguide half body 51 and an upper waveguide half body 52.
And the MIC module 53 is directly mounted on the outer surface of the side wall of the upper waveguide half 52, and the metal cover 5 is attached.
This is a structure in which 4, 55 are attached and the lower half waveguide is combined. This is the cover 54 inside the cover 55.
Is attached so that the propagation of the waveguide mode does not occur in the cover 55 even when used in the microwave band.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記の従来
の複合高周波回路モジュールのうち図７及び図８に示し
た複合高周波回路モジュールは、多層の誘電体基板３０
の上層と下層にグランド層を設け、その間を狭ピッチの
ビアホール３３で接続することにより、シールドを確保
する構造であるため、周波数が高い領域になって波長が
短くなると、ビアホール３３のピッチを更に狭くしてい
く必要がある。しかし、ビアホール３３のピッチは、基
板製造技術による限界があるため、シールド効果が確保
できなくなってくる。However, among the conventional composite high frequency circuit modules described above, the composite high frequency circuit module shown in FIGS. 7 and 8 has a multi-layered dielectric substrate 30.
The ground layer is provided in the upper layer and the lower layer and the shield is secured by connecting the ground layers with the via holes 33 having a narrow pitch. Therefore, when the wavelength becomes short in the high frequency region, the pitch of the via holes 33 is further increased. It needs to be narrowed. However, since the pitch of the via holes 33 is limited by the substrate manufacturing technology, the shield effect cannot be secured.
【０００８】また、上記の従来の複合高周波回路モジュ
ールでは、機能素子間の接続に、上下がグランド面とな
っているトリプレート構造のストリップ線路３２を用い
ているため、線路損失が問題となる。線路損失はストリ
ップ線路３２自身の導体損失と基板材料の誘電損失で決
まるが、周波数が高くなると誘電損失が大きくなる傾向
にあるのと、高周波電流の表皮効果により見掛け上導体
抵抗が増加して導体損失も増加するので、全体として周
波数が高くなるのに比例して線路損失が増大する。これ
に関連して発振器を構成している共振器のＱ値が下が
り、発振器の位相雑音は劣化する。Further, in the above-mentioned conventional composite high frequency circuit module, since the strip line 32 of the triplate structure having the upper and lower ground planes is used for the connection between the functional elements, the line loss becomes a problem. The line loss is determined by the conductor loss of the strip line 32 itself and the dielectric loss of the substrate material, but the dielectric loss tends to increase as the frequency increases, and the conductor resistance increases apparently due to the skin effect of the high frequency current. Since the loss also increases, the line loss increases in proportion to the increase in the frequency as a whole. In connection with this, the Q value of the resonator constituting the oscillator is lowered, and the phase noise of the oscillator is deteriorated.
【０００９】更に、上記の従来の複合高周波回路モジュ
ールでは、機能素子３４とストリップ線路３２との接続
をボンディングワイヤによる接続を用いているが、機能
素子３４を実装する面と接続すべき線路とが同一平面上
にあるため、ボンディングワイヤ長は通常のＭＩＣ実装
よりも長くなり、ワイヤ長によるインダクタンスの増大
により高周波的に整合がとれにくくなる。よって、基板
側に整合用のパターンを形成するが、そうすると、ＭＭ
ＩＣが持っている使用可能周波数帯域を狭めることとな
り、ＭＭＩＣが本来持っている広帯域特性を損なう。Further, in the above-mentioned conventional composite high frequency circuit module, the connection between the functional element 34 and the strip line 32 is made by a bonding wire, but the surface on which the functional element 34 is mounted and the line to be connected are Since they are on the same plane, the bonding wire length becomes longer than that in the normal MIC mounting, and it becomes difficult to achieve matching at high frequencies due to an increase in inductance due to the wire length. Therefore, a pattern for matching is formed on the substrate side.
The usable frequency band of the IC is narrowed, and the wideband characteristic originally possessed by the MMIC is impaired.
【００１０】また、更に上記の従来の複合高周波回路モ
ジュールでは、発熱量の大きな素子を実装する場合、中
層と下層の間に金属体が充填されたビアホール３３を配
置して放熱経路を作るが、前述したように、形成できる
ビアホール３３のピッチには基板製造技術による限界が
あるため、実現できる熱抵抗には限界がある。Further, in the above-mentioned conventional composite high frequency circuit module, when mounting an element having a large heat generation amount, a via hole 33 filled with a metal body is arranged between the middle layer and the lower layer to form a heat radiation path. As described above, the pitch of the via holes 33 that can be formed has a limit due to the substrate manufacturing technology, so that there is a limit to the thermal resistance that can be realized.
【００１１】一方、図９及び図１０にそれぞれ示した従
来の複合高周波回路モジュールでは、いずれも別に製作
した導波管に回路モジュールを組み込む構造となってい
るため、小型化に限界がある。また、放熱が考慮されて
いないため、発熱量の大きな機能素子を実装するときに
放熱が問題となる。On the other hand, the conventional composite high-frequency circuit modules shown in FIGS. 9 and 10, respectively, have a structure in which the circuit module is incorporated in a separately manufactured waveguide, and therefore there is a limit to miniaturization. Further, since heat dissipation is not taken into consideration, heat dissipation becomes a problem when mounting a functional element that generates a large amount of heat.
【００１２】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
高周波数領域において伝送線路の損失を低下すると共
に、機能素子との接続時の電気的特性を向上し得る複合
高周波回路モジュールを提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points,
It is an object of the present invention to provide a composite high frequency circuit module which can reduce the loss of a transmission line in a high frequency region and can improve the electrical characteristics when connected to a functional element.
【００１３】また、本発明の他の目的は放熱性を向上し
た複合高周波回路モジュールを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a composite high frequency circuit module having improved heat dissipation.
【００１４】更に、本発明の他の目的は小型化を実現し
た複合高周波回路モジュールを提供するにある。Further, another object of the present invention is to provide a composite high frequency circuit module which realizes miniaturization.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、上層と下層がそれぞれグランド面に形成さ
れた多層の誘電体基板と、誘電体基板の所望位置の上層
から下層までをくり抜いて形成され、かつ、内面が金属
化加工処理を施された貫通キャビティと、貫通キャビテ
ィの上面と下面のそれぞれに取り付けられて該貫通キャ
ビティを閉空間の導波管構造とする導体板と、誘電体基
板の所定位置に搭載された機能素子と、導波管構造と機
能素子とを電気的に接続するために、導波管構造内と機
能素子との間に形成された接続回路とを有する構成とし
たものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a multi-layered dielectric substrate in which an upper layer and a lower layer are formed on the ground plane, and an upper layer to a lower layer at desired positions of the dielectric substrate. A through-cavity formed by hollowing out and having an inner surface subjected to a metallizing treatment, and a conductor plate attached to each of the upper surface and the lower surface of the through-cavity to form the through-cavity as a closed-space waveguide structure, A functional element mounted at a predetermined position on the dielectric substrate, and a connection circuit formed between the waveguide structure and the functional element for electrically connecting the waveguide structure and the functional element. It is configured to have.
【００１６】また、本発明の機能素子は誘電体基板の所
定位置の中層より上の誘電体を除去して形成され、か
つ、内面が金属化加工処理を施されたキャビティ内に配
置されると共に、中層のグランドパターンと上層のグラ
ンド面とを電気的に接続したグランド面を有すること
が、導波管と機能素子とを一体化して複合化する点で好
ましい。Further, the functional element of the present invention is formed by removing the dielectric above the middle layer at a predetermined position of the dielectric substrate, and the inner surface of the functional element is arranged in a cavity subjected to a metallization treatment. It is preferable to have a ground plane that electrically connects the ground pattern of the middle layer and the ground plane of the upper layer in terms of integrating the waveguide and the functional element into a composite structure.
【００１７】また、本発明の接続回路は、導波管構造内
に形成されたアンテナパターンと、アンテナパターンと
機能素子との間に形成されたコプレーナ線路による伝送
線路と、伝送線路の周囲で、かつ、前記誘電体基板の上
層のグランド面から下層のグランド面までに面方向及び
層方向共に千鳥状に形成された複数のビアホールと、複
数のビアホールの上面及び下面に形成された導体パター
ンとより構成することが、不要な部分への電磁界放射を
抑え、更に一つのビアホールあたりの開口面積を小さく
することができる点で好ましい。In the connection circuit of the present invention, the antenna pattern formed in the waveguide structure, the transmission line by the coplanar line formed between the antenna pattern and the functional element, and the periphery of the transmission line, In addition, a plurality of via holes formed in a zigzag pattern in both the surface direction and the layer direction from the ground surface of the upper layer of the dielectric substrate to the ground surface of the lower layer, and a conductor pattern formed on the upper surface and the lower surface of the plurality of via holes are formed. The structure is preferable in that the electromagnetic field emission to an unnecessary portion can be suppressed and the opening area per via hole can be reduced.
【００１８】また、本発明の機能素子は、接続パッドに
金属製の突起を有し、その突起が誘電体基板のパターン
と直接接続される構造であることが、ボンディングワイ
ヤによる接続と比較して接続部分のインダクタンス成分
を減らして整合の良い接続ができる点で、好ましい。Further, in the functional element of the present invention, the connection pad has a metal projection, and the projection is directly connected to the pattern of the dielectric substrate, as compared with the connection by the bonding wire. This is preferable in that the inductance component of the connection portion can be reduced to achieve a connection with good matching.
【００１９】また、本発明の機能素子は、その機能素子
とキャビティ内の中層のグランドパターンとの間に充填
された熱硬化性の樹脂により固定されることが、機能素
子と誘電体基板の熱膨張係数の違いによる応力発生に対
して強度を持たせることができる点で、望ましい。Further, the functional element of the present invention is fixed by a thermosetting resin filled between the functional element and the ground pattern of the middle layer in the cavity so that the heat of the functional element and the dielectric substrate is fixed. It is desirable in that it can provide strength against stress generation due to the difference in expansion coefficient.
【００２０】また、本発明の機能素子は、そのグランド
パターン接続側表面と反対側の表面が、弾力性及び熱伝
導性を有する放熱シートを介してキャビティの開口部を
閉塞する放熱用シールキャップの内面に密着固定され、
また、機能素子のグランドパターン接続側表面と反対側
の表面が、弾力性及び熱伝導性を有する第１の放熱シー
ト、キャビティの開口部を閉塞する平坦なシールキャッ
プ、及び弾力性及び熱伝導性を有する第２の放熱シート
を順次に介してヒートシンクと一体化した外部筐体の内
壁に密着固定されることが、発熱量が大きな機能素子の
放熱経路を十分に確保することができる点で、好まし
い。In the functional element of the present invention, the surface opposite to the ground pattern connection side surface of the heat dissipation seal cap that closes the opening of the cavity through the heat dissipation sheet having elasticity and heat conductivity. It is closely fixed to the inner surface,
In addition, the surface of the functional element opposite to the ground pattern connection side surface has a first heat dissipation sheet having elasticity and heat conductivity, a flat seal cap for closing the opening of the cavity, and elasticity and heat conductivity. Since the second heat radiation sheet having the above is sequentially fixed to the inner wall of the outer housing integrated with the heat sink through the sequential heat radiation sheet, the heat radiation path of the functional element generating a large amount of heat can be sufficiently secured. preferable.
【００２１】また、本発明の誘電体基板は、その下層の
下に表面実装部品が搭載された一つ以上の層が一体的に
設けられてなることが、複合高周波回路モジュールの実
装上の点で望ましい。Further, the dielectric substrate of the present invention is integrally provided with one or more layers on which surface mount components are mounted under the lower layer, which is a point in mounting the composite high frequency circuit module. Is desirable.
【００２２】更に、本発明の誘電体基板の前記貫通キャ
ビティのうち端部が層方向に除去された貫通キャビティ
に取り付けられた断面Ｌ字状の金属製のシールキャップ
と、シールキャップの前面よりシールキャップによるキ
ャビティ開口径と同等の径で、かつ、開口面と連続する
角穴を有する金属板とを取り付けられてなる構成とする
ことが、外部の導波管との接続の点で、望ましい。Further, the dielectric substrate of the present invention is provided with a metallic seal cap having an L-shaped cross section, which is attached to the through cavity of which the ends are removed in the layer direction among the through cavities, and a seal is provided from the front of the seal cap. In terms of connection with an external waveguide, it is desirable to have a structure in which a metal plate having a diameter equivalent to the cavity opening diameter by the cap and having a square hole continuous with the opening surface is attached.
【００２３】また更に、本発明の誘電体基板のうちの所
望の貫通キャビティと前記導体板とにより空胴型の共振
器構造を構成し、共振器構造と機能素子のうちの発振素
子とを前記接続回路を介して接続して発振器を同一の誘
電体基板上に構成することが、位相雑音が低く、また温
度に対する発振周波数安定度の高い発振器を構成できる
点で、望ましい。Furthermore, a cavity type resonator structure is constituted by the desired through cavity of the dielectric substrate of the present invention and the conductor plate, and the resonator structure and the oscillating element of the functional element are the above-mentioned. It is desirable that the oscillators are connected on the same dielectric substrate by connecting them via a connection circuit, because the oscillators have low phase noise and high oscillation frequency stability against temperature.
【００２４】[0024]
【作用】本発明では、上層と下層がそれぞれグランド面
に形成された多層の誘電体基板の所望位置に貫通キャビ
ティを形成し、この貫通キャビティの上面と下面のそれ
ぞれに導体板を取り付けて導波管構造とし、この導波管
構造と機能素子とを接続回路を介して電気的に接続して
いるため、機能素子間の接続にストリップ線路でなく導
波管構造と接続回路により接続することができる。ま
た、誘電体基板に導波管と機能素子とを一体化して多数
の機能素子を複合化する構造とすることができる。According to the present invention, a through cavity is formed at a desired position of a multilayer dielectric substrate having upper and lower layers respectively formed on the ground surface, and conductive plates are attached to the upper surface and the lower surface of the through cavity, respectively. Since the waveguide structure and the functional element are electrically connected via the connection circuit, it is possible to connect the functional element with the waveguide structure and the connection circuit instead of the strip line. it can. Further, it is possible to form a structure in which a waveguide and functional elements are integrated on a dielectric substrate to combine a large number of functional elements.
【００２５】[0025]
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。図
１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例の縦断面
図、斜視図を示す。同図（Ａ）において、誘電体基板１
は多層に重ね合わされた基板で、熱膨張係数の低い材
料、例えば低温焼成ガラスセラミックにより構成されて
おり、上層と下層にそれぞれグランド面２が形成されて
いる。また、誘電体基板１の中層には、ＭＭＩＣ等の機
能素子を実装するためのパターン３及び導波管へ信号を
伝達するためのコプレーナ線路４、アンテナ５等が形成
されている。EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described. 1A and 1B are a longitudinal sectional view and a perspective view, respectively, of an embodiment of the present invention. In FIG. 1A, the dielectric substrate 1
Is a multi-layered substrate, which is made of a material having a low coefficient of thermal expansion, for example, low-temperature-fired glass ceramic, and ground planes 2 are formed in the upper and lower layers, respectively. Further, in the middle layer of the dielectric substrate 1, a pattern 3 for mounting a functional element such as MMIC, a coplanar line 4 for transmitting a signal to a waveguide, an antenna 5 and the like are formed.
【００２６】次に、この誘電体基板１は導波管となる部
分において、上層から下層までの誘電体をすべてくり抜
いて貫通キャビティ６が形成され、また、機能素子が実
装される部分には中層が露出するように、中層より上の
誘電体が除去されてキャビティ７が形成される。Next, in this dielectric substrate 1, the through-cavity 6 is formed by hollowing out all the dielectrics from the upper layer to the lower layer in the portion to be the waveguide, and the middle layer is formed in the portion where the functional element is mounted. The dielectric above the middle layer is removed so that the cavities 7 are exposed.
【００２７】次に、このキャビティ７の中層におけるグ
ランド面を除いた他の部分にマスキングを施して、キャ
ビティ６及び７の内面を抵抗率の低い材料で金属加工を
施す。金属化加工については、導電性のペーストを塗布
して焼成する方法や、メッキ法による形成が可能であ
る。また、上記の抵抗率の低い材料としては、金や銀な
どがあり、平坦性を重視する場合は金ペーストが有利で
あり、価格の点では銀ペーストが有利である。こうし
て、内面が金属化加工処理されたキャビティ６及び７
は、上層及び下層に形成されたグランド面２と電気的に
接続され、一体化する。この金属化加工処理により、キ
ャビティ６及び７内の電磁シールドとする。Next, masking is applied to the other parts of the middle layer of the cavity 7 excluding the ground surface, and the inner surfaces of the cavities 6 and 7 are metalized with a material having a low resistivity. For metallization, a method of applying a conductive paste and baking it, or a plating method can be used. In addition, examples of the material having a low resistivity include gold and silver. When importance is attached to flatness, gold paste is advantageous and silver paste is advantageous in terms of price. Thus, the cavities 6 and 7 whose inner surfaces are metallized
Are electrically connected to and integrated with the ground planes 2 formed in the upper and lower layers. By this metallization processing, an electromagnetic shield in the cavities 6 and 7 is obtained.
【００２８】また、キャビティ６と７の間は図１（Ｂ）
の斜視図に示すように、コプレーナ線路４による伝送線
路が用いられているが、この電磁シールドはコプレーナ
線路４の側面を金属化処理できないため、図２に示す方
法で電磁シールドを確保する。図２（Ａ）は電磁シール
ドを形成するためのビアホールの縦断面図、同図（Ｂ）
はビアホールの横断面図、同図（Ｃ）はこのシールド構
造を含む伝送線路の縦断面図を示す。The space between the cavities 6 and 7 is shown in FIG.
As shown in the perspective view of FIG. 2, a transmission line using the coplanar line 4 is used. However, since this electromagnetic shield cannot metallize the side surface of the coplanar line 4, the electromagnetic shield is secured by the method shown in FIG. FIG. 2 (A) is a vertical cross-sectional view of a via hole for forming an electromagnetic shield, FIG. 2 (B).
Shows a cross-sectional view of a via hole, and FIG. 6C shows a vertical cross-sectional view of a transmission line including this shield structure.
【００２９】積層した時に図２（Ａ）、（Ｂ）にそれぞ
れ示す如く、ビアホール８が誘電体基板１の縦断面と横
断面のそれぞれにおいて、互い違いとなるように、複数
個上層グランド面２から下層グランド面２まで千鳥状に
穿設形成される。そして、積層した後に、各層のビアホ
ール８同士で電気的な接続がなされるように、図２
（Ａ）に示すように、ビアホール８の上面と下面に導体
パターン９が形成される。これにより、開口部がメッシ
ュ状に形成されることとなり、一開口部あたりの面積が
小さくなるため、高い周波数に対するシールド効果を高
めることができる。更に、伝送線路は、図２（Ｃ）に示
すように、中心導体１０とその左右にグランドパターン
１１とを形成してコプレーナ線路構造とされ、電磁界放
射成分が小さくなるようになされる。As shown in FIGS. 2 (A) and 2 (B), when laminated, a plurality of via holes 8 are arranged so as to be staggered in each of the vertical section and the horizontal section of the dielectric substrate 1 from the upper ground plane 2. The lower ground plane 2 is formed in a staggered manner. After stacking, the via holes 8 of each layer are electrically connected to each other as shown in FIG.
As shown in (A), the conductor pattern 9 is formed on the upper surface and the lower surface of the via hole 8. As a result, the openings are formed in a mesh shape, and the area per opening is reduced, so that the shield effect for high frequencies can be enhanced. Further, as shown in FIG. 2 (C), the transmission line has a coplanar line structure in which a central conductor 10 and ground patterns 11 are formed on the left and right sides of the central conductor 10 so that an electromagnetic field radiation component is reduced.
【００３０】このようにして作られた誘電体基板１の導
波管線路にあたるキャビティ６の上面及び下面に、図１
（Ａ）、（Ｂ）に示すように、導体板であるシールキャ
ップ１２が取り付けられ、金属閉空間を形成することに
より導波管線路が実現される。The upper and lower surfaces of the cavity 6 corresponding to the waveguide line of the dielectric substrate 1 thus manufactured are shown in FIG.
As shown in (A) and (B), a seal cap 12 which is a conductor plate is attached and a metal closed space is formed to realize a waveguide line.
【００３１】次に、ＭＭＩＣ等の機能素子１３が実装さ
れる。まず、ＭＭＩＣ等の機能素子１３の表面に形成さ
れている接続パッドに金属製の突起１４が図１（Ａ）に
示すように形成される。これは公知のＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）等に使われ
る、バンプ形成技術をそのまま用いることができる。続
いて、金属製の突起１４が誘電体基板１に電気的接続さ
れるように、機能素子１３の突起１４が形成されている
表面を下向きにして図１（Ａ）に示すように、誘電体基
板１のキャビティ７内のパターンに直接接続する。この
とき、機能素子１３の表面に形成された突起１４が、中
層のパターン３に電気的に接続されるように、補助的な
ロウ材を誘電体基板１側に供給することもできる。Next, the functional element 13 such as MMIC is mounted. First, metal protrusions 14 are formed on the connection pads formed on the surface of the functional element 13 such as the MMIC as shown in FIG. This is a known TAB (Tape
The bump forming technique used for Automated Bonding) or the like can be used as it is. Then, as shown in FIG. 1A, the surface of the functional element 13 on which the protrusions 14 are formed faces downward so that the metal protrusions 14 are electrically connected to the dielectric substrate 1. It is directly connected to the pattern in the cavity 7 of the substrate 1. At this time, an auxiliary brazing material can be supplied to the side of the dielectric substrate 1 so that the protrusions 14 formed on the surface of the functional element 13 are electrically connected to the intermediate layer pattern 3.
【００３２】このように、本実施例では、機能素子１３
が金属製の突起１４を用いて誘電体基板１と接続するた
め、ボンディングワイヤによる接続と比較して接続部分
のインダクタンス成分を減らして整合の良い接続が可能
となり、基板１側に整合用のパターンを設ける必要がな
くなり、整合のため動作可能帯域を狭めることがない。Thus, in this embodiment, the functional element 13 is
Is connected to the dielectric substrate 1 by using the metal protrusion 14, the inductance component of the connection portion is reduced as compared with the connection by the bonding wire, and the connection with good matching becomes possible, and the pattern for matching is provided on the substrate 1 side. Is not required, and the operable band is not narrowed due to matching.
【００３３】次に、ＭＭＩＣ等の機能素子１３が実装さ
れたキャビティ７の上面の開口部が、図１（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、金属製のシールキャップ１５によ
り閉塞される。このとき、機能素子１３が発熱量が大き
なＭＭＩＣ等である場合は、機能素子１３の裏面に、低
硬度、かつ、熱伝導性の高い放熱用シート１６を取り付
け、また、上記の金属製のシールキャップ１５は放熱効
果を高めるために、ひだのついた構造とされ、それらが
密着するように実装される。Next, the opening on the upper surface of the cavity 7 in which the functional element 13 such as MMIC is mounted is shown in FIG.
As shown in (B), it is closed by a metal seal cap 15. At this time, when the functional element 13 is an MMIC or the like that generates a large amount of heat, a heat dissipation sheet 16 having low hardness and high thermal conductivity is attached to the back surface of the functional element 13, and the above metal seal is also used. The cap 15 has a pleated structure in order to enhance the heat dissipation effect, and is mounted so that they are in close contact with each other.
【００３４】これにより、誘電体基板１そのものに放熱
のためのビアホールを形成することなく放熱経路を確保
することができ、また放熱面積も従来よりも大きくでき
るため、放熱効果を高めることができる。なお、上記の
放熱用シート１６としては、例えば信越化学株式会社の
ＴＣＫシリーズのシリコン系ラバーを使用し得る。As a result, the heat dissipation path can be secured without forming a via hole for heat dissipation in the dielectric substrate 1 itself, and the heat dissipation area can be made larger than in the conventional case, so that the heat dissipation effect can be enhanced. As the heat radiation sheet 16, for example, TCK series silicon rubber of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. can be used.
【００３５】なお、機能素子１３のキャビティ７内への
実装後に、誘電体基板１と機能素子１３との熱膨張係数
の違いによる応力発生に対して強度を持たせるために、
誘電体基板１の中層の素子実装面と機能素子１３との隙
間に、図３に示すように、熱硬化性の樹脂１７を流し込
んで固定するようにしてもよい。なお、図３中、図１
（Ａ）、（Ｂ）と同一構成部分には同一符号が付してあ
り、また１８は誘電体基板１の中層のランドである。After mounting the functional element 13 in the cavity 7, in order to provide strength against the stress generation due to the difference in thermal expansion coefficient between the dielectric substrate 1 and the functional element 13,
As shown in FIG. 3, a thermosetting resin 17 may be poured and fixed in the gap between the functional device 13 and the device mounting surface of the middle layer of the dielectric substrate 1. In addition, in FIG.
The same components as those in (A) and (B) are denoted by the same reference numerals, and 18 is a land in the middle layer of the dielectric substrate 1.
【００３６】また、誘電体基板１の下層の下に一つ以上
の層を追加して、低周波信号及び電源配線層を施し、そ
の最下層表面に、表面実装部品を載せるためのランドを
形成して、そこに図１（Ａ）に２８で示す如く表面実装
部品を誘電体基板１と一体化で実装するようにしてもよ
い。Further, one or more layers are added below the lower layer of the dielectric substrate 1 to provide a low frequency signal and power supply wiring layer, and a land for mounting a surface mount component is formed on the lowermost layer surface thereof. Then, a surface mount component may be integrally mounted on the dielectric substrate 1 as indicated by 28 in FIG. 1 (A).
【００３７】次に、外部との接続構造が図５（Ａ）、
（Ｂ）に示す如く形成される。図５（Ａ）は外部の導波
管との信号接続構造の断面図、同図（Ｂ）はその斜視図
を示す。上記のようにして作成された回路モジュールの
高周波信号の外部との接続部分となるキャビティ６の誘
電体基板１の端部の壁を取り除いた後、他のキャビティ
６及び７と同様に、内面が金配線と同等程度の抵抗率の
低い材料で金属化処理が行われる。Next, the connection structure to the outside is shown in FIG.
It is formed as shown in FIG. FIG. 5A is a sectional view of a signal connection structure with an external waveguide, and FIG. 5B is a perspective view thereof. After removing the wall of the end portion of the dielectric substrate 1 of the cavity 6 which is the connection portion of the circuit module produced as described above to the outside of the high frequency signal, the inner surface is removed like the other cavities 6 and 7. Metallization is performed with a material having a resistivity as low as that of gold wiring.
【００３８】続いて、このキャビティ６の上下に図５
（Ａ）、（Ｂ）に示すように、断面形状がＬ字形に加工
された金属製のシールキャップ２０が取り付けられ、そ
の全面よりキャビティ６の開口径と同等で、その開口面
と連続するような角穴２８を持つ金属製の板２１が導電
性のロウ材で接着される。これにより、外部との接続構
造として直接導波管と接続できる。Next, as shown in FIG.
As shown in (A) and (B), a metal seal cap 20 whose cross-sectional shape is processed into an L shape is attached, and its entire surface is equivalent to the opening diameter of the cavity 6 and is continuous with the opening surface. A metal plate 21 having various square holes 28 is bonded with a conductive brazing material. As a result, the waveguide can be directly connected as a connection structure to the outside.
【００３９】次に、上記のようにして製作された複合高
周波回路モジュールに組み込まれる、発振器の一例につ
いて説明する。図６（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ上記の発
振器の一例の縦断面図及び斜視図を示す。図６（Ａ）、
（Ｂ）に示すように、誘電体基板１の上層から下層まで
をすべてくり抜いて３方向を囲まれたキャビティを形成
した後、その内面を金配線と同程度の抵抗率の低い材料
で金属化加工を施し、キャビティの上面及び下面に導体
板であるシールキャップ１２を取り付けて金属閉空間を
形成することにより、Ｑ値の高い空胴型の共振器２２が
形成される。Next, an example of an oscillator incorporated in the composite high frequency circuit module manufactured as described above will be described. 6A and 6B are a longitudinal sectional view and a perspective view, respectively, of an example of the above oscillator. FIG. 6 (A),
As shown in (B), the upper and lower layers of the dielectric substrate 1 are all hollowed out to form a cavity surrounded in three directions, and then the inner surface thereof is metallized with a material having a resistivity as low as that of the gold wiring. The cavity type resonator 22 having a high Q value is formed by performing processing and attaching the seal cap 12 which is a conductor plate to the upper and lower surfaces of the cavity to form a metal closed space.
【００４０】この共振器２２は内部に他のキャビティと
同様に組み込まれたアンテナ２３により、発振素子であ
るトランジスタ２４と電気的に接続されて発振器を構成
する。この発振器の発振周波数は共振器２２により定め
られる。これにより、Ｑ値の高い空胴型の共振器２２を
用いた発振器を構成するため、位相雑音等の低い発振器
を構成することができる。この空胴共振器の一部を形成
している誘電体基板１の材料の低温焼成ガラスセラミッ
クは半導体実装のために熱膨張率が４ｐｐｍ／°Ｃ程度
であり、金属等の熱膨張率と比較するとずっと少ないた
め、この空胴共振器は温度に対する発振周波数安定性が
金属のそれよりも良い。The resonator 22 is electrically connected to a transistor 24, which is an oscillating element, by an antenna 23 incorporated therein like other cavities to form an oscillator. The oscillation frequency of this oscillator is determined by the resonator 22. As a result, an oscillator using the cavity type resonator 22 having a high Q value is configured, so that an oscillator with low phase noise can be configured. The low temperature fired glass ceramic of the material of the dielectric substrate 1 forming a part of this cavity resonator has a thermal expansion coefficient of about 4 ppm / ° C for semiconductor mounting, and is compared with the thermal expansion coefficient of metal or the like. Since this is much less, the cavity resonator has better oscillation frequency stability with respect to temperature than that of metal.
【００４１】このように、本実施例では機能素子１３間
の接続に従来のストリップ線路を用いた伝送線路の代わ
りに、内面が金属化処理されたキャビティ６を導波管構
造により接続するため、ミリ波等の高周波数領域におい
て誘電体基板１の誘電損による損失を低減することがで
きる。As described above, in the present embodiment, the cavity 6 whose inner surface is metallized is connected by the waveguide structure instead of the conventional transmission line using the strip line for the connection between the functional elements 13. The loss due to the dielectric loss of the dielectric substrate 1 can be reduced in a high frequency region such as a millimeter wave.
【００４２】また、機能素子１３が実装される面は、そ
の内側の側面が金属化処理された、従来のビアホールに
よるシールドより、ミリ波等に対する電磁シールド効果
を確保することができる。また、機能素子１３と導波管
をつなぐ伝送線路には、コプレーナ線路４を用いること
により、不要な部分への電磁界放射を抑え、更に線路側
面に千鳥状にビアホール８を配置して、開口面積を小さ
くし、周波数の高い領域の電磁シールド効果が向上され
る。Further, the surface on which the functional element 13 is mounted can secure an electromagnetic shielding effect against millimeter waves and the like as compared with the conventional shield by a via hole in which the inner side surface is metallized. Further, by using the coplanar line 4 for the transmission line connecting the functional element 13 and the waveguide, the electromagnetic field radiation to an unnecessary portion is suppressed, and the via holes 8 are arranged in a zigzag pattern on the side surface of the line to form an opening. The area is reduced, and the electromagnetic shield effect in the high frequency region is improved.
【００４３】また、本実施例は、誘電体基板１に導波管
と機能素子１３を一体化して多数の機能素子を複合化す
る構造なので、従来の導波管と基板が分離している構造
のものに比較して、回路モジュール全体の小型化を図る
ことができる。Further, in this embodiment, since the waveguide and the functional element 13 are integrated on the dielectric substrate 1 to combine a large number of functional elements, the conventional waveguide and the substrate are separated. It is possible to reduce the size of the circuit module as a whole as compared with those described above.
【００４４】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ものではなく、例えば図４に示す縦断面図の構成として
もよい。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明を省略する。図４の回路モジュールは、前
記ひだ付きのシールキャップ１５に代えて、機能素子１
２の上面をシール１６、平面状のシールキャップ２５、
放熱シート２６を介して外部筐体２７の内壁に密着する
ことにより、外部筐体２７への放熱経路を確保した構造
である。上記の外部筐体２７はヒートシンクと一体化さ
れた構造である。この構成によれば、放熱面積が一層大
きくなるため、より一層放熱効率を向上することができ
る。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and may have a structure of a vertical sectional view shown in FIG. 4, for example. In the figure, the same components as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. In the circuit module of FIG. 4, the functional element 1 is replaced by the seal cap 15 with pleats.
2, the upper surface of the seal 16, a flat seal cap 25,
It is a structure in which a heat dissipation path to the outer housing 27 is secured by closely contacting the inner wall of the outer housing 27 via the heat dissipation sheet 26. The outer casing 27 has a structure integrated with a heat sink. According to this structure, since the heat radiation area is further increased, the heat radiation efficiency can be further improved.
【００４５】[0045]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
機能素子間の接続にストリップ線路でなく導波管構造と
接続回路により接続するようにしたため、ミリ波等の高
周波数領域において誘電体基板の誘電損による損失を低
減することができる。また、接続回路としてコプレーナ
線路を用い、更にコプレーナ線路側面に千鳥状に複数の
ビアホールを配置しているため、周波数の高い領域にお
ける電磁シールド効果を向上することかできる。As described above, according to the present invention,
Since the connection between the functional elements is made not by the strip line but by the waveguide structure and the connection circuit, the loss due to the dielectric loss of the dielectric substrate can be reduced in a high frequency region such as a millimeter wave. Further, since the coplanar line is used as the connection circuit and the via holes are arranged in a zigzag pattern on the side surface of the coplanar line, the electromagnetic shield effect in the high frequency region can be improved.
【００４６】また、本発明では機能素子を金属製の突起
を用いて誘電体基板のパターンと接続することにより、
ボンディングワイヤによる接続と比較して接続部分のイ
ンダクタンス成分を減らして整合の良い接続ができるよ
うにしたため、誘電体基板側に整合用のパターンを設け
る必要がなくなり、整合により動作可能帯域が狭まるこ
とを防止できる。In the present invention, the functional element is connected to the pattern of the dielectric substrate by using the metal projection,
Compared to the connection using a bonding wire, the inductance component of the connection part was reduced to enable a good matching connection, so there is no need to provide a matching pattern on the dielectric substrate side, and it is possible to narrow the operable band due to matching. It can be prevented.
【００４７】また、本発明では誘電体基板に導波管と機
能素子とを一体化して多数の機能素子を複合化する構造
としているため、導波管と誘電体基板が分割している従
来の回路モジュールに比し、回路モジュール全体の小型
化を図ることができる。更に、本発明では、シールキャ
ップの方に放熱経路を確保するようにしているため、放
熱面積を大きくでき、よって放熱性を改善することがで
きる。Further, in the present invention, since the waveguide and the functional element are integrated on the dielectric substrate to combine a large number of functional elements, the conventional waveguide and the dielectric substrate are divided. It is possible to reduce the size of the entire circuit module as compared with the circuit module. Further, in the present invention, since the heat dissipation path is secured to the seal cap, the heat dissipation area can be increased, and therefore the heat dissipation can be improved.
【図１】本発明の一実施例の縦断面図及び斜視図であ
る。FIG. 1 is a vertical sectional view and a perspective view of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例におけるビアホール及び伝送
線路の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a via hole and a transmission line according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施例の要部の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a main part of one embodiment of the present invention.
【図４】本発明の他の実施例の縦断面図である。FIG. 4 is a vertical sectional view of another embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施例の外部の導波管との信号接続
構造説明用断面図及び斜視図である。5A and 5B are a sectional view and a perspective view for explaining a signal connection structure with an external waveguide according to an embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施例に組み込まれる発振器の一例
の断面図及び斜視図である。FIG. 6 is a sectional view and a perspective view of an example of an oscillator incorporated in an embodiment of the present invention.
【図７】従来の一例の斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a conventional example.
【図８】図７の部分拡大斜視図である。8 is a partially enlarged perspective view of FIG.
【図９】導波管を用いた従来の回路モジュールの一例の
縦断面図である。FIG. 9 is a vertical cross-sectional view of an example of a conventional circuit module using a waveguide.
【図１０】導波管を用いた従来の回路モジュールの他の
例の斜視図及び断面図である。FIG. 10 is a perspective view and a cross-sectional view of another example of a conventional circuit module using a waveguide.
１ 誘電体基板 ２ グランド面 ３ パターン ４ コプレーナ線路 ５ アンテナ ６、７ キャビティ ８ ビアホール ９ 導体パターン １０ 中心導体 １１ グランドパターン １２、１５、２０、２５ シールキャップ １３ 機能素子 １４ 突起 １６、２６ 放熱シート １７ 熱硬化性樹脂 ２１ 金属板 ２７ 筐体 1 Dielectric Substrate 2 Ground Surface 3 Pattern 4 Coplanar Line 5 Antenna 6, 7 Cavity 8 Via Hole 9 Conductor Pattern 10 Center Conductor 11 Ground Pattern 12, 15, 20, 25 Seal Cap 13 Functional Element 14 Projection 16, 26 Heat Dissipating Sheet 17 Heat Curable resin 21 Metal plate 27 Housing
Claims (10)
された多層の誘電体基板と、 該誘電体基板の所望位置の上層から下層までをくり抜い
て形成され、かつ、内面が金属化加工処理を施された貫
通キャビティと、 該貫通キャビティの上面と下面のそれぞれに取り付けら
れて該貫通キャビティを閉空間の導波管構造とする導体
板と、 前記誘電体基板の所定位置に搭載された機能素子と、 前記導波管構造と機能素子とを電気的に接続するため
に、該導波管構造内と機能素子との間に形成された接続
回路とを有することを特徴とする複合高周波回路モジュ
ール。1. A multilayer dielectric substrate having an upper layer and a lower layer respectively formed on a ground plane, and a dielectric layer which is formed by hollowing out a desired position from an upper layer to a lower layer, and an inner surface of which is subjected to a metallizing treatment. A through-cavity provided, a conductor plate attached to each of an upper surface and a lower surface of the through-cavity to form the through-cavity into a closed-space waveguide structure, and a functional element mounted at a predetermined position on the dielectric substrate. And a connection circuit formed between the waveguide structure and the functional element for electrically connecting the waveguide structure and the functional element. .
位置の中層より上の誘電体を除去して形成され、かつ、
内面が金属化加工処理を施されたキャビティ内に配置さ
れると共に、該中層のグランドパターンと前記上層のグ
ランド面とを電気的に接続したグランド面を有すること
を特徴とする請求項１記載の複合高周波回路モジュー
ル。2. The functional element is formed by removing a dielectric material above a middle layer at a predetermined position of the dielectric substrate, and
2. The inner surface is arranged in a metallized cavity and has a ground surface electrically connecting the ground pattern of the middle layer and the ground surface of the upper layer. Composite high frequency circuit module.
成されたアンテナパターンと、該アンテナパターンと前
記機能素子との間に形成されたコプレーナ線路による伝
送線路と、該伝送線路の周囲で、かつ、前記誘電体基板
の上層のグランド面から下層のグランド面までに面方向
及び層方向共に千鳥状に形成された複数のビアホール
と、該複数のビアホールの上面及び下面に形成された導
体パターンとよりなることを特徴とする請求項１又は２
記載の複合高周波回路モジュール。3. The connection circuit comprises an antenna pattern formed in the waveguide structure, a transmission line formed by a coplanar line formed between the antenna pattern and the functional element, and the periphery of the transmission line. And a plurality of via holes formed in a zigzag pattern in both the plane direction and the layer direction from the ground surface of the upper layer of the dielectric substrate to the ground surface of the lower layer, and conductors formed on the upper surface and the lower surface of the plurality of via holes. A pattern according to claim 1 or 2, wherein the pattern comprises a pattern.
The composite high frequency circuit module described.
突起を有し、該突起が前記誘電体基板のパターンと直接
接続されたことを特徴とする請求項１又は２記載の複合
高周波回路モジュール。4. The composite high frequency circuit according to claim 1, wherein the functional element has a metal projection on a connection pad, and the projection is directly connected to the pattern of the dielectric substrate. module.
ビティ内の中層のグランドパターンとの間に充填された
熱硬化性の樹脂により固定されてなることを特徴とする
請求項４記載の複合高周波回路モジュール。5. The composite according to claim 4, wherein the functional element is fixed by a thermosetting resin filled between the functional element and the ground pattern of the middle layer in the cavity. High frequency circuit module.
接続側表面と反対側の表面が、弾力性及び熱伝導性を有
する放熱シートを介して前記キャビティの開口部を閉塞
する放熱用シールキャップの内面に密着固定されてなる
ことを特徴とする請求項４記載の複合高周波回路モジュ
ール。6. The inner surface of a heat dissipation seal cap, wherein the functional element has a surface opposite to the ground pattern connection side surface that closes the opening of the cavity through a heat dissipation sheet having elasticity and thermal conductivity. The composite high-frequency circuit module according to claim 4, wherein the composite high-frequency circuit module is closely fixed to the.
接続側表面と反対側の表面が、弾力性及び熱伝導性を有
する第１の放熱シート、前記キャビティの開口部を閉塞
する平坦なシールキャップ、及び弾力性及び熱伝導性を
有する第２の放熱シートを順次に介してヒートシンクと
一体化した外部筐体の内壁に密着固定されてなることを
特徴とする請求項４記載の複合高周波回路モジュール。7. The functional element includes a first heat dissipation sheet having a surface opposite to a surface to which the ground pattern is connected, the first heat dissipation sheet having elasticity and heat conductivity, and a flat seal cap closing the opening of the cavity. The composite high-frequency circuit module according to claim 4, wherein the second heat-dissipating sheet having elasticity and heat conductivity is sequentially fixed to the inner wall of the outer casing integrated with the heat sink.
実装部品が搭載された一つ以上の層が一体的に設けられ
てなることを特徴とする請求項６又は７記載の複合高周
波回路モジュール。8. The composite high frequency wave according to claim 6, wherein the dielectric substrate is integrally provided with one or more layers on which surface mount components are mounted under a lower layer thereof. Circuit module.
うち端部が層方向に除去された貫通キャビティに取り付
けられた断面Ｌ字状の金属製のシールキャップと、該シ
ールキャップの前面より該シールキャップによるキャビ
ティ開口径と同等の径で、かつ、開口面と連続する角穴
を有する金属板とが更に取り付けられてなることを特徴
とする請求項１記載の複合高周波回路モジュール。9. A seal cap made of a metal having an L-shaped cross section, which is attached to a through-cavity of which the end portion is removed in the layer direction among the through-cavities of the dielectric substrate, and the seal from the front surface of the seal cap. 2. The composite high frequency circuit module according to claim 1, further comprising a metal plate having a diameter equal to the opening diameter of the cavity formed by the cap and having a square hole continuous with the opening surface.
ャビティと前記導体板とにより空胴型の共振器構造を構
成し、該共振器構造と前記機能素子のうちの発振素子と
を前記接続回路を介して接続して発振器を同一の誘電体
基板上に構成したことを特徴とする請求項１記載の複合
高周波回路モジュール。10. A cavity type resonator structure is formed by a desired through cavity of the dielectric substrate and the conductor plate, and the resonator structure and the oscillation element of the functional element are connected to each other. 2. The composite high frequency circuit module according to claim 1, wherein the oscillators are connected via a circuit and are configured on the same dielectric substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6124524A JP2616698B2 (en) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | Composite high frequency circuit module |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307605A true JPH07307605A (en) | 1995-11-21 |
| JP2616698B2 JP2616698B2 (en) | 1997-06-04 |
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| JP6124524A Expired - Lifetime JP2616698B2 (en) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | Composite high frequency circuit module |
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