JPH07307390A - Semiconductor device - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To reduce the number of parts of a high-frequency signal switching circuit and to contrive a miniaturization of a video device comprising this switching circuit or the like and cost reduction of the video device or the like by a method wherein an integration of transistors constituting the high-frequency signal switching circuit and resistors is contrived without deteriorating the switching characteristics of the transistors. CONSTITUTION:A plurality of steps of transistors T1 to T3, which comprises a high-frequency signal switching circuit RFSW of a video device VTR, absorb selectively an input high-frequency signal SiA, which is inputted via an antenna ANT by being turned on selectively according to a switching control signal CS, and make the signal SiA attenuate selectively, are formed into the form of collector ground and are formed on a common semiconductor substrate for sharing the collector regions of the transistors T1 to T3 as an integrated circuit IC. Thereby, resistors R1 to R3, which respectively transmit the signal CS to the base of each transistor, are formed as polysilicon resistors on the base regions of the transistors corresponding to the resistors R1 to R3 or are formed as diffused resistors in diffused layers, which are adjacent to the base regions of the transistor corresponding to the resistors R1 to R3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は半導体装置に関し、例
えば、ビデオ装置の高周波信号切り換え回路ならびにそ
の一部となる集積回路に利用して特に有効な技術に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a technique which is particularly effective when used in a high frequency signal switching circuit of a video device and an integrated circuit which is a part thereof.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ビデオ装置等に内蔵され、アンテナを介
して入力されあるいはビデオ装置から出力される入力高
周波信号を所定の切り換え制御信号に従って選択的にテ
レビ受像機に伝達する図６のような高周波信号切り換え
回路ＲＦＳＷ（ＲＦモジュレータ又はＲＦコンバータ）
がある。高周波信号切り換え回路ＲＦＳＷは、切り換え
制御信号ＣＳのハイレベルを受けて選択的にオン状態と
なりアンテナＡＮＴを介して入力される入力高周波信号
ＳｉＡを選択的に吸収して減衰させる複数段のトランジ
スタＴ１〜Ｔ３（以下、バイポーラトランジスタのこと
を単にトランジスタと略称する）と、やはり切り換え制
御信号ＣＳのハイレベルを受けて選択的にオン状態とな
りビデオ装置ＶＴＲから出力される入力高周波信号Ｓｉ
Ｂを出力高周波信号Ｓｏとして選択的にテレビ受像機Ｔ
Ｖに伝達するトランジスタＴ４とを含む。切り換え制御
信号ＣＳがロウレベルとされるとき、これらのトランジ
スタＴ１〜Ｔ４は一斉にオフ状態となり、アンテナＡＮ
Ｔを介して入力される入力高周波信号ＳｉＡは、トラン
ジスタＴ１〜Ｔ３によって吸収・減衰されることなく出
力高周波信号Ｓｏとしてテレビ受像機ＴＶに伝達され
る。2. Description of the Related Art A high frequency signal as shown in FIG. 6 which is built in a video device or the like and selectively transmits an input high frequency signal input through an antenna or output from the video device to a television receiver in accordance with a predetermined switching control signal. Signal switching circuit RFSW (RF modulator or RF converter)
There is. The high frequency signal switching circuit RFSW receives the high level of the switching control signal CS and is selectively turned on to selectively absorb and attenuate the input high frequency signal SiA input through the antenna ANT. T3 (hereinafter, a bipolar transistor will be simply referred to as a transistor) is also turned on selectively in response to the high level of the switching control signal CS, and the input high frequency signal Si output from the video device VTR.
B as the output high frequency signal So selectively on the television receiver T
And a transistor T4 transmitting to V. When the switching control signal CS is set to the low level, these transistors T1 to T4 are turned off all at once, and the antenna AN
The input high frequency signal SiA input via T is transmitted to the television receiver TV as the output high frequency signal So without being absorbed and attenuated by the transistors T1 to T3.

【０００３】複数段のトランジスタを含む高周波信号切
り換え回路については、例えば、１９８７年７月３１
日、株式会社電波新聞社発行の『全ＴＶ・ビデオ回路図
集 下巻』の第３３頁等に記載されている。For a high frequency signal switching circuit including a plurality of stages of transistors, see, for example, July 31, 1987.
It is described on page 33, etc. of "All TV / Video Circuit Diagrams Vol. 2" published by Denpa Shimbun Co., Ltd.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】近年、テレビ受像機や
ビデオ装置に代表される家電製品の小型化・低価格化が
進む中、上記従来の高周波信号切り換え回路には次のよ
うな問題点が生じることが本願発明者等によって明らか
となった。すなわち、上記高周波信号切り換え回路ＲＦ
ＳＷでは、アンテナＡＮＴからの入力高周波信号ＳｉＡ
を選択的に吸収・減衰させるトランジスタＴ１〜Ｔ３が
エミッタ接地形態で使用され、それぞれ個別の半導体基
板（チップ）上に単独で形成されるか、あるいは図７に
例示されるように、各トランジスタが形成されるＮ型エ
ピタキシャル層ＮＥ１〜ＮＥ３をＰ型アイソレーション
領域ＰＩ１〜ＰＩ４により電気的に独立させることで集
積化される。しかし、前者の方法を採った場合、高周波
信号切り換え回路ＲＦＳＷの部品点数が増大して、ビデ
オ装置等の小型化・低価格化が阻害される。また、後者
の方法を採った場合、集積回路としての端子数が多くそ
の充分な低コスト化が望めないのに加えて、個別形成さ
れる前者に比較してトランジスタＴ１〜Ｔ３のスイッチ
特性が劣化し、高周波信号切り換え回路ＲＦＳＷとして
の切り換え性能が低下する。これに対処するため、図８
に例示されるように、トランジスタＴ１〜Ｔ４を高集積
化が可能なダイオードＤ１〜Ｄ４に置き換える方法もあ
るが、バイポーラトランジスタに比較してダイオードの
スイッチ特性が劣るため、やはり高周波信号切り換え回
路ＲＦＳＷとしての切り換え性能が低下する。In recent years, as home electric appliances such as television receivers and video devices have become smaller and cheaper, the conventional high-frequency signal switching circuit has the following problems. It has been clarified by the inventors of the present invention that this occurs. That is, the high frequency signal switching circuit RF
In SW, the input high frequency signal SiA from the antenna ANT
The transistors T1 to T3 for selectively absorbing and attenuating are used in a grounded-emitter form and are formed individually on individual semiconductor substrates (chips), or as shown in FIG. The formed N-type epitaxial layers NE1 to NE3 are integrated by making them electrically independent by the P-type isolation regions PI1 to PI4. However, when the former method is adopted, the number of parts of the high frequency signal switching circuit RFSW increases, which hinders downsizing and cost reduction of the video device and the like. Further, when the latter method is adopted, the number of terminals as an integrated circuit is large and it is not possible to expect a sufficient cost reduction, and the switching characteristics of the transistors T1 to T3 are deteriorated as compared with the former individually formed. However, the switching performance of the high-frequency signal switching circuit RFSW deteriorates. To deal with this, FIG.
There is also a method of replacing the transistors T1 to T4 with diodes D1 to D4 which can be highly integrated, but the switching characteristic of the diode is inferior to that of a bipolar transistor, so that the high frequency signal switching circuit RFSW is also used. Switching performance is degraded.

【０００５】この発明の目的は、そのスイッチ特性を劣
化させることなく、高周波信号切り換え回路等を構成す
る複数段のトランジスタの集積化を図ることにある。こ
の発明の他の目的は、その切り換え性能を低下させるこ
となく、高周波信号切り換え回路等の部品点数を削減
し、高周波信号切り換え回路を含むビデオ装置等の小型
化・低価格化を図ることにある。An object of the present invention is to integrate a plurality of stages of transistors forming a high frequency signal switching circuit without deteriorating the switch characteristics. Another object of the present invention is to reduce the number of parts such as a high frequency signal switching circuit without lowering the switching performance, and to downsize and reduce the cost of a video device including the high frequency signal switching circuit. .

【０００６】この発明の前記ならびにその他の目的と新
規な特徴は、この明細書の記述及び添付図面から明らか
になるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
の通りである。すなわち、ビデオ装置の高周波信号切り
換え回路等に含まれ所定の切り換え制御信号に従って選
択的にオン状態とされることで入力高周波信号を選択的
に吸収・減衰させる複数段のトランジスタを、コレクタ
接地形態で使用し、そのコレクタ領域を共有すべく共通
の半導体基板上に形成する。また、各トランジスタのベ
ースに切り換え制御信号を伝達するための抵抗を、対応
するトランジスタのベース領域上にポリシリコン抵抗と
して形成し、あるいは対応するトランジスタのベース領
域に隣接する拡散層内に拡散抵抗として形成する。The outline of the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, a plurality of stages of transistors included in a high-frequency signal switching circuit of a video device, etc., which are selectively turned on according to a predetermined switching control signal to selectively absorb and attenuate an input high-frequency signal, are provided in a collector-grounded form. Used and formed on a common semiconductor substrate to share its collector region. Also, a resistor for transmitting a switching control signal to the base of each transistor is formed as a polysilicon resistor on the base region of the corresponding transistor, or as a diffusion resistor in the diffusion layer adjacent to the base region of the corresponding transistor. Form.

【０００８】[0008]

【作用】上記した手段によれば、各トランジスタに切り
換え制御信号を伝達する抵抗を含めて、しかもそのスイ
ッチ特性を劣化させることなく、複数段のトランジスタ
を１個の集積回路として集積化できる。この結果、その
切り換え性能を低下させることなく、高周波信号切り換
え回路等の部品点数を削減し、高周波信号切り換え回路
を含むビデオ装置等の小型化・低価格化を図ることがで
きる。According to the above means, a plurality of stages of transistors can be integrated as one integrated circuit, including a resistor for transmitting a switching control signal to each transistor and without deteriorating the switch characteristics thereof. As a result, it is possible to reduce the number of components such as the high-frequency signal switching circuit without reducing the switching performance, and to reduce the size and cost of the video device including the high-frequency signal switching circuit.

【０００９】[0009]

【実施例】図１には、この発明が適用された高周波信号
切り換え回路ＲＦＳＷの第１の実施例の回路図が示され
ている。また、図２には、図１の高周波信号切り換え回
路ＲＦＳＷのトランジスタＴ１〜Ｔ３が形成される集積
回路ＩＣの一実施例の断面構造図が示されている。これ
らの図をもとに、この実施例の高周波信号切り換え回路
ＲＦＳＷの構成及び動作ならびにその特徴について説明
する。なお、この実施例の高周波信号切り換え回路ＲＦ
ＳＷは、特に制限されないが、家庭用のビデオ装置ＶＴ
Ｒに含まれる。また、以下の回路図において、点線で囲
まれた部分は１個の集積回路ＩＣとして形成され、使用
されるバイポーラトランジスタは、特に制限されない
が、すべてＮＰＮ型トランジスタとされる。1 is a circuit diagram of a first embodiment of a high frequency signal switching circuit RFSW to which the present invention is applied. Further, FIG. 2 shows a sectional structural view of an embodiment of an integrated circuit IC in which the transistors T1 to T3 of the high frequency signal switching circuit RFSW of FIG. 1 are formed. Based on these figures, the configuration and operation of the high frequency signal switching circuit RFSW of this embodiment and its features will be described. The high frequency signal switching circuit RF of this embodiment
The SW is not particularly limited, but is a home video device VT
Included in R. Further, in the following circuit diagrams, the portion surrounded by the dotted line is formed as one integrated circuit IC, and the bipolar transistors used are not particularly limited, but all are NPN type transistors.

【００１０】図１において、この実施例の高周波信号切
り換え回路ＲＦＳＷは、その左方の電極にアンテナＡＮ
Ｔを介して入力される入力高周波信号ＳｉＡを受けるキ
ャパシタＣ１と、その左方の電極にビデオ装置ＶＴＲか
ら出力される入力高周波信号ＳｉＢを受けるキャパシタ
Ｃ４とを含む。このうち、キャパシタＣ１の右方の電極
は、直列結合される４個のキャパシタＣ２，Ｃ３ならび
にＣ５，Ｃ６を介して高周波信号切り換え回路ＲＦＳＷ
の出力端子Ｓｏに結合され、キャパシタＣ４の右方の電
極は、トランジスタＴ４を介して上記キャパシタＣ５の
右方の電極に結合される。キャパシタＣ１の右方の電極
は、さらにインダクタンスＬ１ならびにコレクタ接地形
態とされるトランジスタＴ１を介して回路の接地電位に
結合される。同様に、キャパシタＣ２の右方の電極は、
インダクタンスＬ２ならびにコレクタ接地形態とされる
トランジスタＴ２を介して回路の接地電位に結合され、
キャパシタＣ３の右方の電極は、インダクタンスＬ３な
らびにコレクタ接地形態とされるトランジスタＴ３を介
して回路の接地電位に結合される。In FIG. 1, the high frequency signal switching circuit RFSW of this embodiment has an antenna AN on its left electrode.
It includes a capacitor C1 for receiving an input high frequency signal SiA input via T, and a capacitor C4 for receiving an input high frequency signal SiB output from the video device VTR on its left electrode. Of these, the electrode on the right side of the capacitor C1 is connected to the high frequency signal switching circuit RFSW via four capacitors C2, C3 and C5, C6 connected in series.
Of the capacitor C4, and the right electrode of the capacitor C4 is coupled to the right electrode of the capacitor C5 via the transistor T4. The right electrode of the capacitor C1 is further coupled to the ground potential of the circuit via the inductance L1 and the transistor T1 in the collector-grounded form. Similarly, the right electrode of the capacitor C2 is
Is coupled to the ground potential of the circuit through an inductor L2 and a transistor T2 which is configured to have a collector ground,
The right electrode of the capacitor C3 is coupled to the ground potential of the circuit through the inductance L3 and the transistor T3 in the collector-grounded form.

【００１１】一方、キャパシタＣ４の右方の電極つまり
トランジスタＴ４のコレクタは、インダクタンスＬ４を
介して回路の接地電位に結合され、キャパシタＣ５の右
方の電極つまりトランジスタＴ４のエミッタは、インダ
クタンスＬ５を介して回路の接地電位に結合される。高
周波信号切り換え回路ＲＦＳＷの出力端子Ｓｏにおける
出力高周波信号Ｓｏは、テレビ受像機ＴＶに供給され
る。トランジスタＴ１〜Ｔ３のベースには、対応する抵
抗Ｒ１〜Ｒ３を介して所定の切り換え制御信号ＣＳが供
給される。なお、切り換え制御信号ＣＳは、選択的に回
路の接地電位のようなロウレベルあるいは＋１２Ｖのよ
うなハイレベルとされる。On the other hand, the electrode on the right side of the capacitor C4, that is, the collector of the transistor T4 is coupled to the ground potential of the circuit via the inductance L4, and the electrode on the right side of the capacitor C5, that is, the emitter of the transistor T4 is connected via the inductance L5. Coupled to the ground potential of the circuit. The output high frequency signal So at the output terminal So of the high frequency signal switching circuit RFSW is supplied to the television receiver TV. A predetermined switching control signal CS is supplied to the bases of the transistors T1 to T3 via the corresponding resistors R1 to R3. The switching control signal CS is selectively set to a low level such as the ground potential of the circuit or a high level such as + 12V.

【００１２】切り換え制御信号ＣＳがロウレベルとされ
るとき、高周波信号切り換え回路ＲＦＳＷでは、トラン
ジスタＴ１〜Ｔ４が一斉にオフ状態とされる。このた
め、高周波信号切り換え回路ＲＦＳＷの出力端子Ｓｏに
は、アンテナＡＮＴを介して入力される入力高周波信号
ＳｉＡがトランジスタＴ１〜Ｔ３によって吸収・減衰さ
れることなく伝達され、出力高周波信号Ｓｏとしてテレ
ビ受像機ＴＶに伝達される。このとき、ビデオ装置ＶＴ
Ｒから出力される入力高周波信号ＳｉＢは、トランジス
タＴ４がオフ状態であるため、出力端子Ｓｏに伝達され
ない。When the switching control signal CS is set to the low level, the transistors T1 to T4 in the high frequency signal switching circuit RFSW are simultaneously turned off. Therefore, the input high frequency signal SiA input through the antenna ANT is transmitted to the output terminal So of the high frequency signal switching circuit RFSW without being absorbed and attenuated by the transistors T1 to T3, and the television high frequency signal So is output. It is transmitted to the machine TV. At this time, the video device VT
The input high frequency signal SiB output from R is not transmitted to the output terminal So because the transistor T4 is in the off state.

【００１３】一方、切り換え制御信号ＣＳがハイレベル
とされるとき、高周波信号切り換え回路ＲＦＳＷでは、
トランジスタＴ１〜Ｔ４が一斉にオン状態とされる。こ
のため、高周波信号切り換え回路ＲＦＳＷの出力端子Ｓ
ｏには、ビデオ装置ＶＴＲから出力される入力高周波信
号ＳｉＢがトランジスタＴ４を介して伝達され、出力高
周波信号Ｓｏとしてテレビ受像機ＴＶに伝達される。こ
のとき、アンテナＡＮＴを介して入力される入力高周波
信号ＳｉＡは、３段のトランジスタＴ１〜Ｔ３を介して
確実に吸収・減衰され、出力端子Ｓｏに伝達されない。On the other hand, when the switching control signal CS is at a high level, the high frequency signal switching circuit RFSW
The transistors T1 to T4 are simultaneously turned on. Therefore, the output terminal S of the high frequency signal switching circuit RFSW
To o, the input high frequency signal SiB output from the video device VTR is transmitted via the transistor T4, and is transmitted to the television receiver TV as the output high frequency signal So. At this time, the input high frequency signal SiA input via the antenna ANT is reliably absorbed and attenuated via the three-stage transistors T1 to T3, and is not transmitted to the output terminal So.

【００１４】これらのことから、高周波信号切り換え回
路ＲＦＳＷは、アンテナＡＮＴを介して入力されあるい
はビデオ装置ＶＴＲから出力される入力高周波信号Ｓｉ
Ａ又はＳｉＢを切り換え制御信号ＣＳに従って選択的に
出力高周波信号Ｓｏとしてテレビ受像機ＴＶに伝達する
スイッチ機能を有するものとなる。From these facts, the high frequency signal switching circuit RFSW receives the input high frequency signal Si which is inputted through the antenna ANT or outputted from the video apparatus VTR.
It has a switch function of selectively transmitting A or SiB as the output high frequency signal So to the television receiver TV in accordance with the switching control signal CS.

【００１５】ところで、この実施例の高周波信号切り換
え回路ＲＦＳＷを構成するトランジスタＴ１〜Ｔ３は、
図１に点線で示されるように、１個の集積回路ＩＣとし
て集積化され、図２に示されるように、共通のＮ型半導
体基板ＮＳＵＢ上にしかもこのＮ型半導体基板ＮＳＵＢ
をそのコレクタ領域として共有すべく形成される。トラ
ンジスタＴ１〜Ｔ３の共通のコレクタ領域となる半導体
基板ＮＳＵＢ内には、各トランジスタのベース領域とな
るＰ型拡散層ＰＤ１〜ＰＤ３が形成され、これらのＰ型
拡散層内には、そのエミッタ領域となるＮ型拡散層ＮＤ
１〜ＮＤ３がそれぞれ形成される。また、Ｐ型拡散層Ｐ
Ｄ１〜ＰＤ３ならびにＮ型拡散層ＮＤ１〜ＮＤ３は、所
定のコンタクトを介してベース電極Ｂ１〜Ｂ３ならびに
エミッタ電極Ｅ１〜Ｅ３にそれぞれ結合され、半導体基
板ＮＳＵＢは、図示されない所定のコンタクトを介して
コレクタ共通電極ＣＣに結合される。By the way, the transistors T1 to T3 constituting the high frequency signal switching circuit RFSW of this embodiment are:
As shown by the dotted line in FIG. 1, integrated as one integrated circuit IC, and as shown in FIG. 2, on the common N-type semiconductor substrate NSUB, this N-type semiconductor substrate NSUB
To be shared as its collector region. P-type diffusion layers PD1 to PD3, which are the base regions of the respective transistors, are formed in the semiconductor substrate NSUB, which is the common collector region of the transistors T1 to T3. N-type diffusion layer ND
1 to ND3 are formed respectively. In addition, the P-type diffusion layer P
The D1 to PD3 and the N type diffusion layers ND1 to ND3 are coupled to the base electrodes B1 to B3 and the emitter electrodes E1 to E3 via predetermined contacts, respectively, and the semiconductor substrate NSUB has a common collector via a predetermined contact (not shown). It is coupled to the electrode CC.

【００１６】以上のように、この実施例の高周波信号切
り換え回路ＲＦＳＷでは、切り換え制御信号ＣＳに従っ
て選択的にオン状態となりアンテナＡＮＴを介して入力
される入力高周波信号ＳｉＡを選択的に吸収・減衰させ
る３段のトランジスタＴ１〜Ｔ３が、コレクタ接地形態
とされることで、そのコレクタ領域を共有すべく共通の
半導体基板上に形成され、集積化される。トランジスタ
Ｔ１〜Ｔ３は、それが単体で形成される場合と同様に、
Ｎ型半導体基板ＳＵＢをそのコレクタ領域として形成さ
れ、良好なスイッチ特性を有する。また、Ｎ型半導体基
板ＳＵＢがそのコレクタ領域として共有化されること
で、集積回路ＩＣの端子数が従来の９個から７個に削減
されるとともに、各トランジスタを素子分離するための
アイソレーション領域が必要なくなり、集積回路ＩＣの
集積度が飛躍的に高められる。これらの結果、その切り
換え性能を低下させることなく、高周波信号切り換え回
路ＲＦＳＷの部品点数を削減し、高周波信号切り換え回
路ＲＦＳＷを含むビデオ装置ＶＴＲの小型化・低価格化
を図ることができるものとなる。As described above, in the high frequency signal switching circuit RFSW of this embodiment, the high frequency signal switching circuit RFSW is selectively turned on in accordance with the switching control signal CS to selectively absorb and attenuate the input high frequency signal SiA input via the antenna ANT. The three-stage transistors T1 to T3 are formed in a common collector substrate so as to share the collector region by forming the collector grounded form and are integrated. The transistors T1 to T3 are similar to the case where they are formed as a single unit,
The N-type semiconductor substrate SUB is formed as its collector region and has good switch characteristics. Further, since the N-type semiconductor substrate SUB is shared as its collector region, the number of terminals of the integrated circuit IC is reduced from 9 in the past to 7 and an isolation region for separating each transistor from each other. Is unnecessary, and the degree of integration of the integrated circuit IC is dramatically increased. As a result, it is possible to reduce the number of parts of the high frequency signal switching circuit RFSW and reduce the size and cost of the video device VTR including the high frequency signal switching circuit RFSW without lowering the switching performance. .

【００１７】図３には、この発明が適用された高周波信
号切り換え回路ＲＦＳＷの第２の実施例の回路図が示さ
れている。また、図４には、図３の高周波信号切り換え
回路ＲＦＳＷのトランジスタＴ１〜Ｔ３ならびにバイア
ス電流供給兼信号分離用の抵抗Ｒ１〜Ｒ３が形成される
集積回路ＩＣの一実施例の断面構造図が示され、図５に
は、図３の集積回路ＩＣの他の一実施例の断面構造図が
示されている。なお、この実施例の高周波信号切り換え
回路ＲＦＳＷは、前記図１及び図２に示される第１の実
施例を基本的に踏襲するものであるため、これと異なる
部分についてのみ説明を追加する。FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment of the high frequency signal switching circuit RFSW to which the present invention is applied. Further, FIG. 4 shows a sectional structural view of an embodiment of an integrated circuit IC in which the transistors T1 to T3 of the high frequency signal switching circuit RFSW of FIG. 3 and resistors R1 to R3 for bias current supply and signal separation are formed. FIG. 5 is a sectional structural view of another embodiment of the integrated circuit IC shown in FIG. Since the high-frequency signal switching circuit RFSW of this embodiment basically follows the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2, only the parts different from this will be described.

【００１８】図３において、この実施例の高周波信号切
り換え回路ＲＦＳＷを構成するトランジスタＴ１〜Ｔ３
は、１個の集積回路ＩＣとして集積化され、図４に示さ
れるように、共通のＮ型半導体基板ＮＳＵＢ上にしかも
半導体基板ＮＳＵＢをそのコレクタ領域として共有すべ
く形成される。トランジスタＴ１〜Ｔ３の共通のコレク
タ領域となる半導体基板ＮＳＵＢ内には、トランジスタ
Ｔ１〜Ｔ３のベース領域となるＰ型拡散層ＰＤ１〜ＰＤ
３が形成され、これらのＰ型拡散層内には、そのエミッ
タ領域となるＮ型拡散層ＮＤ１〜ＮＤ３がそれぞれ形成
される。一方、トランジスタＴ１〜Ｔ３のベース領域と
なるＰ型拡散層ＰＤ１〜ＰＤ３上には、各トランジスタ
のベースに切り換え制御信号ＣＳを伝達するための抵抗
Ｒ１〜Ｒ３がポリシリコン抵抗ＰＲ１〜ＰＲ３として形
成され、これらのポリシリコン抵抗の上部は、コンタク
トを介して共通結合された後、切り換え信号入力端子Ｃ
Ｓに結合される。トランジスタＴ１〜Ｔ３のエミッタ領
域となるＮ型拡散層ＮＤ１〜ＮＤ３は、コンタクトを介
してエミッタ電極Ｅ１〜Ｅ３にそれぞれ結合され、半導
体基板ＮＳＵＢはコレクタ共通電極ＣＣに結合される。In FIG. 3, transistors T1 to T3 forming the high frequency signal switching circuit RFSW of this embodiment.
Are integrated as one integrated circuit IC, and are formed on a common N-type semiconductor substrate NSUB so as to share the semiconductor substrate NSUB as its collector region, as shown in FIG. In the semiconductor substrate NSUB serving as the common collector region of the transistors T1 to T3, the P-type diffusion layers PD1 to PD serving as the base regions of the transistors T1 to T3.
3 are formed, and N-type diffusion layers ND1 to ND3 serving as emitter regions thereof are formed in these P-type diffusion layers, respectively. On the other hand, on the P-type diffusion layers PD1 to PD3 which are the base regions of the transistors T1 to T3, resistors R1 to R3 for transmitting the switching control signal CS to the bases of the transistors are formed as polysilicon resistors PR1 to PR3. , The upper portions of these polysilicon resistors are commonly coupled through the contacts, and then the switching signal input terminal C
Bound to S. N-type diffusion layers ND1 to ND3, which are the emitter regions of the transistors T1 to T3, are coupled to the emitter electrodes E1 to E3 via contacts, respectively, and the semiconductor substrate NSUB is coupled to the collector common electrode CC.

【００１９】このように、この実施例の高周波信号切り
換え回路ＲＦＳＷでは、切り換え制御信号ＣＳに従って
選択的にオン状態となりアンテナＡＮＴを介して入力さ
れる入力高周波信号ＳｉＡを選択的に吸収・減衰させる
３段のトランジスタＴ１〜Ｔ３が、コレクタ接地形態と
されることで、そのコレクタ領域を共有すべく共通の半
導体基板上に形成され、集積化されるとともに、各トラ
ンジスタのベースに切り換え制御信号ＣＳを伝達するた
めの抵抗Ｒ１〜Ｒ３が、ベース領域となるＰ型拡散層Ｐ
Ｄ１〜ＰＤ３上にそれぞれポリシリコン抵抗ＰＲ１〜Ｐ
Ｒ３として形成され、集積化される。この結果、トラン
ジスタＴ１〜Ｔ３のスイッチ特性を劣化させることな
く、集積回路ＩＣとしての集積度を高めることができる
とともに、集積回路ＩＣの端子数を５個に削減できるた
め、高周波信号切り換え回路ＲＦＳＷの部品点数をさら
に削減し、高周波信号切り換え回路ＲＦＳＷを含むビデ
オ装置ＶＴＲのさらなる小型化・低価格化を図ることが
できるものとなる。As described above, in the high frequency signal switching circuit RFSW of this embodiment, the high frequency signal switching circuit RFSW is selectively turned on in accordance with the switching control signal CS to selectively absorb / attenuate the input high frequency signal SiA input through the antenna ANT. Since the transistors T1 to T3 of the stage are formed into a collector grounded form, they are formed and integrated on a common semiconductor substrate so as to share the collector region, and the switching control signal CS is transmitted to the base of each transistor. The resistors R1 to R3 for controlling the P type diffusion layer P serving as the base region.
Polysilicon resistors PR1 to P1 are provided on D1 to PD3, respectively.
Formed as R3 and integrated. As a result, the degree of integration of the integrated circuit IC can be increased without deteriorating the switching characteristics of the transistors T1 to T3, and the number of terminals of the integrated circuit IC can be reduced to five. The number of parts can be further reduced, and the video device VTR including the high frequency signal switching circuit RFSW can be further downsized and reduced in price.

【００２０】なお、トランジスタＴ１〜Ｔ３のベースに
切り換え制御信号ＣＳを伝達するための抵抗Ｒ１〜Ｒ３
は、図５に例示されるように、Ｎ型拡散層ＮＤ４〜ＮＤ
６内に形成された拡散抵抗によって実現することもでき
る。この場合、拡散抵抗となるＮ型拡散層ＮＤ４〜ＮＤ
６は、対応するトランジスタＴ１〜Ｔ３のベース領域と
なるＰ型拡散層ＰＤ１〜ＰＤ３にそれぞれ隣接して形成
され、その右方の端子は、所定のコンタクト及び配線層
を介して対応するトランジスタのベース領域に結合され
る。また、その左方の端子は、所定のコンタクト及び配
線層を介して共通結合された後、切り換え信号入力端子
ＣＳに結合される。The resistors R1 to R3 for transmitting the switching control signal CS to the bases of the transistors T1 to T3.
Are N-type diffusion layers ND4 to ND as illustrated in FIG.
It can also be realized by a diffused resistor formed in 6. In this case, the N-type diffusion layers ND4 to ND serving as diffusion resistances
6 are formed respectively adjacent to the P-type diffusion layers PD1 to PD3 which are the base regions of the corresponding transistors T1 to T3, and the terminals on the right side thereof are the bases of the corresponding transistors via predetermined contacts and wiring layers. Is bound to a region. The terminal on the left side is commonly coupled via a predetermined contact and a wiring layer, and then coupled to the switching signal input terminal CS.

【００２１】以上の実施例から得られる作用効果は、下
記の通りである。すなわち、 （１）ビデオ装置の高周波信号切り換え回路等に含まれ
所定の切り換え制御信号に従って選択的にオン状態とさ
れることで入力高周波信号を選択的に吸収・減衰させる
複数段のトランジスタを、コレクタ接地形態で使用する
とともに、そのコレクタ領域を共有すべく共通の半導体
基板上に形成することで、各トランジスタのスイッチ特
性を劣化させることなく、複数段のトランジスタを１個
の集積回路として集積化することができるという効果が
得られる。 （２）上記（１）項により、その切り換え性能を低下さ
せることなく、高周波信号切り換え回路等の部品点数を
削減し、高周波信号切り換え回路を含むビデオ装置等の
小型化・低価格化を図ることができるという効果が得ら
れる。The effects obtained from the above embodiments are as follows. That is, (1) a plurality of stages of transistors, which are included in a high frequency signal switching circuit of a video device and are selectively turned on according to a predetermined switching control signal to selectively absorb and attenuate an input high frequency signal, By using it in a grounded form and forming its collector region on a common semiconductor substrate so as to share it, a plurality of stages of transistors are integrated as one integrated circuit without degrading the switch characteristics of each transistor. The effect that can be obtained is obtained. (2) According to the above item (1), it is possible to reduce the number of parts such as a high frequency signal switching circuit without lowering the switching performance, and to downsize and reduce the price of a video device including the high frequency signal switching circuit. The effect of being able to do is obtained.

【００２２】（３）上記（１）項及び（２）項におい
て、各トランジスタのベースに切り換え制御信号を伝達
するための抵抗を、対応するトランジスタのベース領域
上にポリシリコン抵抗として形成し、あるいは対応する
トランジスタのベース領域に隣接する拡散層内に拡散抵
抗として形成することで、集積回路の集積度を高め、そ
の端子数を削減することができるという効果が得られ
る。 （４）上記（３）項により、高周波信号切り換え回路等
の部品点数をさらに削減し、高周波信号切り換え回路を
含むビデオ装置等のさらなる小型化・低価格化を図るこ
とができるという効果が得られる。(3) In the above items (1) and (2), a resistor for transmitting a switching control signal to the base of each transistor is formed as a polysilicon resistor on the base region of the corresponding transistor, or By forming it as a diffusion resistance in the diffusion layer adjacent to the base region of the corresponding transistor, it is possible to increase the integration degree of the integrated circuit and reduce the number of terminals. (4) According to the above item (3), it is possible to further reduce the number of components such as the high frequency signal switching circuit, and further reduce the size and cost of the video device including the high frequency signal switching circuit. .

【００２３】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、この発明は、上記実
施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、図１及び図３において、アンテナＡＮＴを介して入
力される入力高周波信号ＳｉＡを選択的に吸収・減衰さ
せるためのトランジスタは、２段以下又は４段以上設置
することができる。また、これらのトランジスタは、特
にＮＰＮ型であることを必須条件としないし、そのベー
スに供給される切り換え制御信号ＣＳのレベルも任意に
設定することができる。さらに、これらのトランジスタ
とキャパシタ及びインダクタンスとの組み合わせはこの
実施例による制約を受けないし、高周波信号切り換え回
路ＲＦＳＷの具体的な構成やその制御方法等は、種々の
実施形態を採りうる。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say. For example, in FIGS. 1 and 3, the transistors for selectively absorbing and attenuating the input high frequency signal SiA input via the antenna ANT can be installed in two stages or less or four stages or more. In addition, these transistors are not particularly required to be of the NPN type, and the level of the switching control signal CS supplied to their bases can be set arbitrarily. Furthermore, the combination of these transistors, capacitors and inductances is not restricted by this embodiment, and the specific configuration of the high-frequency signal switching circuit RFSW, its control method, etc. can adopt various embodiments.

【００２４】図２ならびに図４及び図５において、集積
回路ＩＣは、例えばトランジスタＴ４及び抵抗Ｒ４を含
めて集積化することができるし、その具体的なデバイス
構造や各素子の配置及び形成方法等は、種々の実施形態
を採りうる。2 and 4 and 5, the integrated circuit IC can be integrated including, for example, the transistor T4 and the resistor R4, and its specific device structure, arrangement and forming method of each element, etc. Can take various embodiments.

【００２５】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野であるビデ
オ装置の高周波信号切り換え回路に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、例え
ば、高周波信号切り換え回路として単体で形成されるも
のやテレビ受像機側に含まれる高周波信号切り換え回路
にも適用できる。この発明は、少なくとも高周波信号を
選択的に伝達する複数段のバイポーラトランジスタを含
む半導体装置に広く適用できる。In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the high frequency signal switching circuit of the video device which is the background field of application has been described, but the invention is not limited thereto. For example, the present invention can be applied to a high-frequency signal switching circuit formed as a single unit or a high-frequency signal switching circuit included on the television receiver side. The present invention can be widely applied to semiconductor devices including a plurality of stages of bipolar transistors that selectively transmit at least a high frequency signal.

【００２６】[0026]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、ビデオ装置の高周波信号切
り換え回路等に含まれ所定の切り換え制御信号に従って
選択的にオン状態とされることで入力高周波信号を選択
的に吸収・減衰させる複数段のトランジスタを、コレク
タ接地形態で使用し、そのコレクタ領域を共有すべく共
通の半導体基板上に形成することで、そのスイッチ特性
を劣化させることなく、複数段のトランジスタを１個の
集積回路として集積化できる。この結果、その切り換え
性能を低下させることなく、高周波信号切り換え回路等
の部品点数を削減し、高周波信号切り換え回路を含むビ
デオ装置等の小型化・低価格化を図ることができる。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, a plurality of stages of transistors included in a high-frequency signal switching circuit of a video device, etc., which are selectively turned on according to a predetermined switching control signal to selectively absorb and attenuate an input high-frequency signal, are provided in a collector-grounded form. By using and forming the collector region on a common semiconductor substrate so as to be shared, a plurality of stages of transistors can be integrated as one integrated circuit without deteriorating the switch characteristics. As a result, it is possible to reduce the number of components such as the high-frequency signal switching circuit without reducing the switching performance, and to reduce the size and cost of the video device including the high-frequency signal switching circuit.

【００２７】各トランジスタのベースに切り換え制御信
号を伝達するための抵抗を、対応するトランジスタのベ
ース領域上にポリシリコン抵抗として形成し、あるいは
対応するトランジスタのベース領域に隣接する拡散層内
に拡散抵抗として形成することで、集積回路の集積度を
高め、その端子数を削減できる。この結果、高周波信号
切り換え回路等の部品点数をさらに削減し、高周波信号
切り換え回路を含むビデオ装置等のさらなる小型化・低
価格化を図ることができる。A resistor for transmitting a switching control signal to the base of each transistor is formed as a polysilicon resistor on the base region of the corresponding transistor, or is diffused in a diffusion layer adjacent to the base region of the corresponding transistor. As a result, the integration degree of the integrated circuit can be increased and the number of terminals can be reduced. As a result, the number of components such as the high frequency signal switching circuit can be further reduced, and the video apparatus including the high frequency signal switching circuit can be further downsized and reduced in price.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明が適用された高周波信号切り換え回路
の第１の実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of a high frequency signal switching circuit to which the present invention is applied.

【図２】図１の高周波信号切り換え回路のバイポーラト
ランジスタが形成される集積回路の一実施例を示す断面
構造図である。FIG. 2 is a sectional structural view showing an embodiment of an integrated circuit in which a bipolar transistor of the high frequency signal switching circuit of FIG. 1 is formed.

【図３】この発明が適用された高周波信号切り換え回路
の第２の実施例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of a high frequency signal switching circuit to which the present invention is applied.

【図４】図３の高周波信号切り換え回路のバイポーラト
ランジスタ及び抵抗が形成される集積回路の一実施例を
示す断面構造図である。4 is a sectional structural view showing an embodiment of an integrated circuit in which a bipolar transistor and a resistor of the high frequency signal switching circuit of FIG. 3 are formed.

【図５】図３の高周波信号切り換え回路のバイポーラト
ランジスタ及び抵抗が形成される集積回路の他の一実施
例を示す断面構造図である。5 is a sectional structural view showing another embodiment of an integrated circuit in which a bipolar transistor and a resistor of the high frequency signal switching circuit of FIG. 3 are formed.

【図６】従来の高周波信号切り換え回路の一例を示す回
路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a conventional high-frequency signal switching circuit.

【図７】図６の高周波信号切り換え回路のバイポーラト
ランジスタが形成される集積回路の一例を示す断面構造
図である。7 is a sectional structural view showing an example of an integrated circuit in which a bipolar transistor of the high frequency signal switching circuit of FIG. 6 is formed.

【図８】従来の高周波信号切り換え回路の他の一例を示
す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing another example of a conventional high-frequency signal switching circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

ＲＦＳＷ・・・高周波信号切り換え回路、ＳｉＡ〜Ｓｉ
Ｂ・・・入力高周波信号、ＡＮＴ・・・アンテナ、ＶＴ
Ｒ・・・ビデオ装置、Ｓｏ・・・出力高周波信号、ＴＶ
・・・テレビ受像機、ＣＳ・・・切り換え制御信号、Ｉ
Ｃ・・・集積回路、Ｔ１〜Ｔ４・・・ＮＰＮ型バイポー
ラトランジスタ、Ｃ１〜Ｃ９・・・キャパシタ、Ｌ１〜
Ｌ４・・・インダクタンス、Ｒ１〜Ｒ４・・・抵抗。Ｎ
ＳＵＢ・・・Ｎ型半導体基板、ＰＤ１〜ＰＤ３・・・Ｐ
型拡散層、ＮＤ１〜ＮＤ９・・・Ｎ型拡散層、ＦＩ・・
・絶縁膜、Ｂ１〜Ｂ３・・・ベース電極、Ｅ１〜Ｅ３・
・・エミッタ電極、ＣＣ・・・コレクタ共通電極。ＣＳ
・・・切り換え信号入力端子。ＰＲ１〜ＰＲ３・・・ポ
リシリコン抵抗。ＰＳＵＢ・・・Ｐ型半導体基板、ＰＩ
１〜ＰＩ４・・・Ｐ型アイソレーション領域、ＮＥ１〜
ＮＥ３・・・Ｎ型エピタキシャル層、ＮＢ１〜ＮＢ３・
・・Ｎ型埋込層、Ｃ１〜Ｃ３・・・コレクタ電極。Ｄ１
〜Ｄ４・・・ダイオード。RFSW: High frequency signal switching circuit, SiA to Si
B: Input high frequency signal, ANT: Antenna, VT
R ... Video device, So ... Output high frequency signal, TV
... TV receiver, CS ... Switching control signal, I
C ... Integrated circuit, T1-T4 ... NPN bipolar transistor, C1-C9 ... Capacitor, L1-
L4 ... Inductance, R1-R4 ... Resistance. N
SUB ... N type semiconductor substrate, PD1 to PD3 ... P
Type diffusion layer, ND1 to ND9 ... N type diffusion layer, FI ...
・ Insulating film, B1 to B3 ... Base electrodes, E1 to E3
..Emitter electrode, CC ... Common electrode for collector CS
... Switching signal input terminal. PR1 to PR3 ... Polysilicon resistance. PSUB ... P-type semiconductor substrate, PI
1 to PI4 ... P-type isolation region, NE1 to
NE3 ... N type epitaxial layer, NB1 to NB3.
..N type buried layer, C1 to C3 ... Collector electrodes. D1
~ D4 ... Diode.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 そのベースに供給される切り換え制御信
号に従って選択的にオン状態とされ入力高周波信号を選
択的に吸収・減衰させる複数段のバイポーラトランジス
タが、コレクタ接地形態とされかつそのコレクタ領域を
共有すべく共通の半導体基板上に形成されてなることを
特徴とする半導体装置。1. A plurality of stages of bipolar transistors selectively turned on in accordance with a switching control signal supplied to the base thereof to selectively absorb and attenuate an input high frequency signal, and have a collector grounded form and a collector region thereof. A semiconductor device, which is formed on a common semiconductor substrate to be shared. 【請求項２】 上記バイポーラトランジスタのベースに
は、抵抗を介して上記切り換え制御信号が伝達されるも
のであって、上記半導体装置は、上記抵抗として対応す
る上記バイポーラトランジスタのベース拡散層上に形成
されその他方が上記切り換え制御信号の入力端子として
共通結合される複数のポリシリコン抵抗を含むものであ
ることを特徴とする請求項１の半導体装置。2. The switching control signal is transmitted to the base of the bipolar transistor via a resistor, and the semiconductor device is formed on the base diffusion layer of the corresponding bipolar transistor as the resistor. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the other one includes a plurality of polysilicon resistors commonly coupled as an input terminal of the switching control signal. 【請求項３】 上記バイポーラトランジスタのベースに
は、抵抗を介して上記切り換え制御信号が伝達されるも
のであって、上記半導体装置は、上記抵抗として対応す
る上記バイポーラトランジスタのベース領域に隣接する
拡散層内に形成されその他方が上記切り換え制御信号の
入力端子として共通結合される複数の拡散抵抗を含むも
のであることを特徴とする請求項１の半導体装置。3. The switching control signal is transmitted to the base of the bipolar transistor via a resistor, and the semiconductor device has a diffusion adjacent to the base region of the corresponding bipolar transistor as the resistor. 2. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a plurality of diffused resistors formed in the layer, the other of which is commonly coupled as an input terminal of the switching control signal. 【請求項４】 上記バイポーラトランジスタは、アンテ
ナを介して入力されあるいはビデオ装置から出力される
入力高周波信号を上記切り換え制御信号に従って選択的
にテレビ受像機に伝達する高周波信号切り換え回路を構
成するものであることを特徴とする請求項１，請求項２
又は請求項３の半導体装置。4. The bipolar transistor constitutes a high frequency signal switching circuit for selectively transmitting an input high frequency signal input via an antenna or output from a video device to a television receiver according to the switching control signal. Claims 1 and 2 characterized in that
Alternatively, the semiconductor device according to claim 3.