JPH07302948A - 波長安定化装置 - Google Patents
波長安定化装置Info
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- JPH07302948A JPH07302948A JP9322994A JP9322994A JPH07302948A JP H07302948 A JPH07302948 A JP H07302948A JP 9322994 A JP9322994 A JP 9322994A JP 9322994 A JP9322994 A JP 9322994A JP H07302948 A JPH07302948 A JP H07302948A
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】射出光の波長が非常に安定している波長安定化
装置を提供する。 【構成】筐体１０には光源ユニット１２が光軸の回りに
回転可能に設けられている。光源ユニット１２は半導体
レーザー１４とコリメートレンズ１６と光アイソレータ
ー１８を含んでいる。半導体レーザーの近くには温度セ
ンサー２０とペルチェ素子２２が設けられている。温度
センサー２０の出力に応じてペルチェ素子２２を駆動す
る温度制御部２６が設けられている。光源ユニット１２
の前方には、偏光ビームスプリッター２８、１／４波長
板３２、エタロン３４、フォトダイオード３６が順に配
置されている。フォトダイオード３６の出力に応じた注
入電流を半導体レーザー１４に供給する電流制御部３８
が設けられている。偏光ビームスプリッター２８の反射
光の光路上に１／４波長板３０が配置されている。１／
４波長板３０は筐体１０に固定されていて測定光５４の
射出窓となっている。
装置を提供する。 【構成】筐体１０には光源ユニット１２が光軸の回りに
回転可能に設けられている。光源ユニット１２は半導体
レーザー１４とコリメートレンズ１６と光アイソレータ
ー１８を含んでいる。半導体レーザーの近くには温度セ
ンサー２０とペルチェ素子２２が設けられている。温度
センサー２０の出力に応じてペルチェ素子２２を駆動す
る温度制御部２６が設けられている。光源ユニット１２
の前方には、偏光ビームスプリッター２８、１／４波長
板３２、エタロン３４、フォトダイオード３６が順に配
置されている。フォトダイオード３６の出力に応じた注
入電流を半導体レーザー１４に供給する電流制御部３８
が設けられている。偏光ビームスプリッター２８の反射
光の光路上に１／４波長板３０が配置されている。１／
４波長板３０は筐体１０に固定されていて測定光５４の
射出窓となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー測長器等の光
源に用いられる波長安定化装置に関する。
源に用いられる波長安定化装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体レーザーの発振波長を測
長基準として物体の移動変位を計測するレーザー測長器
が知られている。半導体レーザーは、発振波長が注入電
流と温度に依存している。従って、測長基準である波長
を安定化するには、注入電流と温度を制御すればよい。
長基準として物体の移動変位を計測するレーザー測長器
が知られている。半導体レーザーは、発振波長が注入電
流と温度に依存している。従って、測長基準である波長
を安定化するには、注入電流と温度を制御すればよい。
【０００３】従来の波長安定化装置の一例を図５に示
す。半導体レーザー１４には、温度センサー２０とペル
チェ素子２２とが取り付けられている。また、温度セン
サー２０の出力が所定の設定温度になるようにペルチェ
素子２２の電流を駆動する温度制御部２６が設けられて
いる。
す。半導体レーザー１４には、温度センサー２０とペル
チェ素子２２とが取り付けられている。また、温度セン
サー２０の出力が所定の設定温度になるようにペルチェ
素子２２の電流を駆動する温度制御部２６が設けられて
いる。
【０００４】半導体レーザー１４の光射出方向の前方に
は、コリメートレンズ１６、光アイソレーター１８、ハ
ーフミラー１００、エタロン３４、フォトダイオード３
６が順に配置されている。また、フォトダイオード３６
の出力を設定値に保つように、半導体レーザー１４の注
入電流を制御する電流制御部３８が設けられている。
は、コリメートレンズ１６、光アイソレーター１８、ハ
ーフミラー１００、エタロン３４、フォトダイオード３
６が順に配置されている。また、フォトダイオード３６
の出力を設定値に保つように、半導体レーザー１４の注
入電流を制御する電流制御部３８が設けられている。
【０００５】半導体レーザー１４から射出された光は、
コリメートレンズ１６により平行光となり、光アイソレ
ーター１８を通過して、ハーフミラー１００に向かう。
光アイソレーター１８を通過した光５２は、一部がハー
フミラー１００で反射され、残りはハーフミラー１００
を透過する。ハーフミラー１００で反射された光５４は
測長器等の装置の測定光等に利用される。ハーフミラー
１００を透過した光５６は、エタロン３４に入射し、エ
タロン３４の透過光がフォトダイオード３６に入射す
る。フォトダイオード３６の出力は電流制御部３８に入
力され、電流制御部３８はフォトダイオード３６の出力
が設定値に保たれるように半導体レーザー１４の注入電
流を制御する。
コリメートレンズ１６により平行光となり、光アイソレ
ーター１８を通過して、ハーフミラー１００に向かう。
光アイソレーター１８を通過した光５２は、一部がハー
フミラー１００で反射され、残りはハーフミラー１００
を透過する。ハーフミラー１００で反射された光５４は
測長器等の装置の測定光等に利用される。ハーフミラー
１００を透過した光５６は、エタロン３４に入射し、エ
タロン３４の透過光がフォトダイオード３６に入射す
る。フォトダイオード３６の出力は電流制御部３８に入
力され、電流制御部３８はフォトダイオード３６の出力
が設定値に保たれるように半導体レーザー１４の注入電
流を制御する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この構成において、測
定光５４の戻り光がハーフミラー１００で反射されて、
あるいはエタロン３４からの戻り光がハーフミラー１０
０を透過して、半導体レーザー１４に向かうことがあ
る。ハーフミラー１００と半導体レーザー１４の間には
光アイソレーター１８が設けてあるので、半導体レーザ
ー１４に向かう光は大部分が光アイソレーター１８で遮
光されるが、いくらかは半導体レーザー１４に達する。
定光５４の戻り光がハーフミラー１００で反射されて、
あるいはエタロン３４からの戻り光がハーフミラー１０
０を透過して、半導体レーザー１４に向かうことがあ
る。ハーフミラー１００と半導体レーザー１４の間には
光アイソレーター１８が設けてあるので、半導体レーザ
ー１４に向かう光は大部分が光アイソレーター１８で遮
光されるが、いくらかは半導体レーザー１４に達する。
【０００７】このような微弱な戻り光でも半導体レーザ
ー１４の発振状態は不安定になってしまい波長安定化の
制御上好ましくない。文献「半導体レーザーの周波数制
御とその応用（応用物理 第５８巻 第１０号 １９８
９）」によれば、戻り光は６０デシベル程度に低減しな
ければならないとの指摘もされている。通常の光アイソ
レーターは、戻り光率が３０デシベル程度であるので、
これを二段重ねて６０デシベルの戻り光率を確保する場
合が多いが高価なものになってしまう。
ー１４の発振状態は不安定になってしまい波長安定化の
制御上好ましくない。文献「半導体レーザーの周波数制
御とその応用（応用物理 第５８巻 第１０号 １９８
９）」によれば、戻り光は６０デシベル程度に低減しな
ければならないとの指摘もされている。通常の光アイソ
レーターは、戻り光率が３０デシベル程度であるので、
これを二段重ねて６０デシベルの戻り光率を確保する場
合が多いが高価なものになってしまう。
【０００８】また、波長安定化制御をする上で、光検出
器３６に入射する光量には、Ｓ／Ｎ比上適当な光量範囲
が存在する。その場合、ハーフミラー１００は、光検出
器３６に入射する光量を所望の光量になるように、透
過、反射光量の分岐比をある決まった比に設計製作する
必要がある。
器３６に入射する光量には、Ｓ／Ｎ比上適当な光量範囲
が存在する。その場合、ハーフミラー１００は、光検出
器３６に入射する光量を所望の光量になるように、透
過、反射光量の分岐比をある決まった比に設計製作する
必要がある。
【０００９】しかし、エタロン３４の透過率は、エタロ
ン３４の加工精度により大きく変動するため、実際に光
検出器３６に入射する光量はばらついてしまい。Ｓ／Ｎ
比上問題となる場合がある。本発明は、安価な装置で半
導体レーザーの波長安定化制御におけるＳ／Ｎ比上及び
半導体レーザーへの戻り光の低減を実現することを目的
とする。
ン３４の加工精度により大きく変動するため、実際に光
検出器３６に入射する光量はばらついてしまい。Ｓ／Ｎ
比上問題となる場合がある。本発明は、安価な装置で半
導体レーザーの波長安定化制御におけるＳ／Ｎ比上及び
半導体レーザーへの戻り光の低減を実現することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の波長安定化装置
は、半導体レーザーとコリメートレンズを内蔵した光源
ユニットと、半導体レーザーの温度を制御する温度制御
手段と、光源ユニットの射出光を第一の光束と第二の光
束に分ける偏光ビームスプリッターと、第一の光束の波
長を弁別する波長弁別器と、波長弁別器を通過した光を
受光する光検出器と、光検出器の出力に基づいて半導体
レーザーの注入電流を制御する電流制御手段と、偏光ビ
ームスプリッターと波長弁別器の間の光路上に配置され
た第一の１／４波長板と、第二の光束の光路上に位置し
筐体に固定された第二の１／４波長板とを備えている。
第二の１／４波長板から射出された光は他の装置に利用
される。
は、半導体レーザーとコリメートレンズを内蔵した光源
ユニットと、半導体レーザーの温度を制御する温度制御
手段と、光源ユニットの射出光を第一の光束と第二の光
束に分ける偏光ビームスプリッターと、第一の光束の波
長を弁別する波長弁別器と、波長弁別器を通過した光を
受光する光検出器と、光検出器の出力に基づいて半導体
レーザーの注入電流を制御する電流制御手段と、偏光ビ
ームスプリッターと波長弁別器の間の光路上に配置され
た第一の１／４波長板と、第二の光束の光路上に位置し
筐体に固定された第二の１／４波長板とを備えている。
第二の１／４波長板から射出された光は他の装置に利用
される。
【００１１】
【作用】半導体レーザーから射出された光はコリメート
レンズにより平行光となり、光源ユニットから射出され
る。光源ユニットの射出光は、一部は偏光ビームスプリ
ッターを透過し、残りは偏光ビームスプリッターで反射
され、第一の光束と第二の光束に分けられる。第一の光
束は、第一の１／４波長板を通って波長弁別器に入射
し、その透過光が光検出器に入射する。第二の光束は第
二の１／４波長板を通って筐体の外に射出され、他の装
置に利用される。このとき、温度制御手段は半導体レー
ザーの温度を一定に保つように制御し、電流制御手段は
光検出器の出力を一定値に保つように半導体レーザーの
注入電流を制御する。
レンズにより平行光となり、光源ユニットから射出され
る。光源ユニットの射出光は、一部は偏光ビームスプリ
ッターを透過し、残りは偏光ビームスプリッターで反射
され、第一の光束と第二の光束に分けられる。第一の光
束は、第一の１／４波長板を通って波長弁別器に入射
し、その透過光が光検出器に入射する。第二の光束は第
二の１／４波長板を通って筐体の外に射出され、他の装
置に利用される。このとき、温度制御手段は半導体レー
ザーの温度を一定に保つように制御し、電流制御手段は
光検出器の出力を一定値に保つように半導体レーザーの
注入電流を制御する。
【００１２】第二の１／４波長板から射出された第二の
光束の戻り光は、第二の１／４波長板を再び通って偏光
ビームスプリッターに向かう。この光は、第二の１／４
波長板を二回通過したため、偏光ビームスプリッターで
分離された直後の光とは偏光面が直交した光となってい
る。このため、偏光ビームスプリッターにおいて、光源
ユニットに向かわないように偏向される。また、波長弁
別器からの戻り光も同様に第一の１／４波長板を二回通
過しているため、偏光ビームスプリッターによって光源
ユニットに向かわないように偏向される。
光束の戻り光は、第二の１／４波長板を再び通って偏光
ビームスプリッターに向かう。この光は、第二の１／４
波長板を二回通過したため、偏光ビームスプリッターで
分離された直後の光とは偏光面が直交した光となってい
る。このため、偏光ビームスプリッターにおいて、光源
ユニットに向かわないように偏向される。また、波長弁
別器からの戻り光も同様に第一の１／４波長板を二回通
過しているため、偏光ビームスプリッターによって光源
ユニットに向かわないように偏向される。
【００１３】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。光源ユニット１２は、半導体レーザー
１４とコリメートレンズ１６と光アイソレーター１８と
を含んでいる。半導体レーザー１４の近くには、半導体
レーザー近傍の温度を検知する温度センサーたとえばサ
ーミスター２０が設けられている。また、光源ユニット
１２には、半導体レーザー近傍の温度を調整するペルチ
ェ素子２２が取り付けられている。ペルチェ素子２２に
は放熱フィン２４が設けられている。また、サーミスタ
ー２０の出力を設定温度に維持するようにペルチェ素子
２２を駆動する温度制御部２６が設けられている。
ついて説明する。光源ユニット１２は、半導体レーザー
１４とコリメートレンズ１６と光アイソレーター１８と
を含んでいる。半導体レーザー１４の近くには、半導体
レーザー近傍の温度を検知する温度センサーたとえばサ
ーミスター２０が設けられている。また、光源ユニット
１２には、半導体レーザー近傍の温度を調整するペルチ
ェ素子２２が取り付けられている。ペルチェ素子２２に
は放熱フィン２４が設けられている。また、サーミスタ
ー２０の出力を設定温度に維持するようにペルチェ素子
２２を駆動する温度制御部２６が設けられている。
【００１４】光源ユニット１２の光射出方向の前方に
は、偏光ビームスプリッター２８、１／４波長板３２、
波長弁別器たとえばエタロン３４、光検出器たとえばフ
ォトダイオード３６が順に一列に配置されている。フォ
トダイオード３６の出力に応じた注入電流を半導体レー
ザー１４に供給する電流制御部３８が設けられている。
また、偏光ビームスプリッター２８で反射された光の光
路上には１／４波長板３０が配置されている。１／４波
長板３０は筐体１０に取り付けられていて、測定光５４
を射出する窓となっている。
は、偏光ビームスプリッター２８、１／４波長板３２、
波長弁別器たとえばエタロン３４、光検出器たとえばフ
ォトダイオード３６が順に一列に配置されている。フォ
トダイオード３６の出力に応じた注入電流を半導体レー
ザー１４に供給する電流制御部３８が設けられている。
また、偏光ビームスプリッター２８で反射された光の光
路上には１／４波長板３０が配置されている。１／４波
長板３０は筐体１０に取り付けられていて、測定光５４
を射出する窓となっている。
【００１５】光源ユニット１２は所定の角度範囲内で光
軸の回りに回転できるように筐体１０に保持されてい
る。その保持構造を図２と図３を参照して説明する。光
源ユニットは、図２に示すように、半導体レーザー１４
とコリメートレンズ１６と光アイソレーター１８を保持
する保持部材４０を有している。保持部材４０は、フラ
ンジ部４２を備えた円柱形状をしている。筐体壁４８に
設けた開口５０に挿入されている。図３に示すように、
フランジ部４２には、所定半径の円周上に沿って湾曲し
た長穴４４が開けられている。この長穴４４を通ってネ
ジ４６が筐体壁４８に螺合している。保持部材４０は、
ネジ４６を緩めた状態で回転でき、ネジ４６を締めて固
定される。
軸の回りに回転できるように筐体１０に保持されてい
る。その保持構造を図２と図３を参照して説明する。光
源ユニットは、図２に示すように、半導体レーザー１４
とコリメートレンズ１６と光アイソレーター１８を保持
する保持部材４０を有している。保持部材４０は、フラ
ンジ部４２を備えた円柱形状をしている。筐体壁４８に
設けた開口５０に挿入されている。図３に示すように、
フランジ部４２には、所定半径の円周上に沿って湾曲し
た長穴４４が開けられている。この長穴４４を通ってネ
ジ４６が筐体壁４８に螺合している。保持部材４０は、
ネジ４６を緩めた状態で回転でき、ネジ４６を締めて固
定される。
【００１６】図１において、半導体レーザー１４から射
出された光は、コリメートレンズ１６により平行光とな
り、光アイソレーター１８を通って、光源ユニット１２
から射出される。光源ユニット１２の射出光５２は偏光
ビームスプリッター２８に入射し、一部は偏光ビームス
プリッター２８を透過し、残りは偏光ビームスプリッタ
ー２８で反射される。光源ユニット１２から射出される
光は直線偏光であるので、透過光と反射光の割合は、偏
光ビームスプリッター２８の光学軸の向きと射出光５２
の偏光面の向きとの相対関係により決まり、光源ユニッ
ト１２を光軸回りに回転させることで変化する。偏光ビ
ームスプリッター２８で反射された光は１／４波長板３
０を通り、測定光５４として筐体１０の外に射出され
る。偏光ビームスプリッター２８を透過した光は１／４
波長板３２を通ってエタロン３４に入射し、そこで弁別
された特定波長の光だけがフォトダイオード３６に入射
する。電流制御部３８は、入力されるフォトダイオード
３６の出力を設定値に保つように半導体レーザー１４の
注入電流を制御する。
出された光は、コリメートレンズ１６により平行光とな
り、光アイソレーター１８を通って、光源ユニット１２
から射出される。光源ユニット１２の射出光５２は偏光
ビームスプリッター２８に入射し、一部は偏光ビームス
プリッター２８を透過し、残りは偏光ビームスプリッタ
ー２８で反射される。光源ユニット１２から射出される
光は直線偏光であるので、透過光と反射光の割合は、偏
光ビームスプリッター２８の光学軸の向きと射出光５２
の偏光面の向きとの相対関係により決まり、光源ユニッ
ト１２を光軸回りに回転させることで変化する。偏光ビ
ームスプリッター２８で反射された光は１／４波長板３
０を通り、測定光５４として筐体１０の外に射出され
る。偏光ビームスプリッター２８を透過した光は１／４
波長板３２を通ってエタロン３４に入射し、そこで弁別
された特定波長の光だけがフォトダイオード３６に入射
する。電流制御部３８は、入力されるフォトダイオード
３６の出力を設定値に保つように半導体レーザー１４の
注入電流を制御する。
【００１７】測定光５４が他の装置で反射され再び筐体
１０の内部に入ってくる戻り光は、１／４波長板３０を
二回通過するため、偏光ビームスプリッター２８で反射
された直後の光とは偏光面が直交した光となっているの
で、今度は偏光ビームスプリッター２８を透過し、符号
５８で示すように光源ユニット１２にはほとんど向かわ
ない。また、エタロン３４に入射する光５６の反射光
は、１／４波長板３２を二回通過するので、今度は偏光
ビームスプリッター２８で反射され、符号５８で示すよ
うに光源ユニット１２にはほとんど向かわない。なお、
１／４波長板３０、３２と偏光ビームスプリッター２８
でカットできなかった光は、光源ユニット１２へ向かう
が、これは光アイソレーター１８で遮断され、半導体レ
ーザー１４には達しない。
１０の内部に入ってくる戻り光は、１／４波長板３０を
二回通過するため、偏光ビームスプリッター２８で反射
された直後の光とは偏光面が直交した光となっているの
で、今度は偏光ビームスプリッター２８を透過し、符号
５８で示すように光源ユニット１２にはほとんど向かわ
ない。また、エタロン３４に入射する光５６の反射光
は、１／４波長板３２を二回通過するので、今度は偏光
ビームスプリッター２８で反射され、符号５８で示すよ
うに光源ユニット１２にはほとんど向かわない。なお、
１／４波長板３０、３２と偏光ビームスプリッター２８
でカットできなかった光は、光源ユニット１２へ向かう
が、これは光アイソレーター１８で遮断され、半導体レ
ーザー１４には達しない。
【００１８】ところで、一般に波長安定化装置では窓に
はガラス板が使用されている。このため、窓ガラスを通
過する際に、光量が減少すると共に波面に乱れが生じ
る。特に波面の乱れは、波長安定化装置が干渉計測に利
用されることが多いことを考えると、極力避ける必要が
ある。本実施例では、図１に示したように、１／４波長
板３０は筐体１０に取り付けられていて、それ自体が窓
となっているので、別途、窓が必要でないため、窓を通
過する際の光量の減少と波面の乱れが抑えられる。
はガラス板が使用されている。このため、窓ガラスを通
過する際に、光量が減少すると共に波面に乱れが生じ
る。特に波面の乱れは、波長安定化装置が干渉計測に利
用されることが多いことを考えると、極力避ける必要が
ある。本実施例では、図１に示したように、１／４波長
板３０は筐体１０に取り付けられていて、それ自体が窓
となっているので、別途、窓が必要でないため、窓を通
過する際の光量の減少と波面の乱れが抑えられる。
【００１９】次に、偏光ビームスプリッター２８の透過
光の光量調節について説明する。エタロン３４は、図４
に示すように、波長に対して周期的な透過特性を有して
いる。電流制御部３８では、半導体レーザー１４への注
入電流をわずかに変調し、エタロン３４の透過光量変動
をフォトダイオード３６で検出して、常にモードピーク
（λ0 ）となるように制御している。フォトダイオード
３６への入射光量はＳ／Ｎの上からは多い方が好ましい
が、そのダイナミックレンジを越えて多量の光が入射し
た場合には出力が飽和してしまうため、上述の制御が行
なえなくなる。このため、偏光ビームスプリッター２８
を透過する光量は所定の範囲に抑える必要がある。
光の光量調節について説明する。エタロン３４は、図４
に示すように、波長に対して周期的な透過特性を有して
いる。電流制御部３８では、半導体レーザー１４への注
入電流をわずかに変調し、エタロン３４の透過光量変動
をフォトダイオード３６で検出して、常にモードピーク
（λ0 ）となるように制御している。フォトダイオード
３６への入射光量はＳ／Ｎの上からは多い方が好ましい
が、そのダイナミックレンジを越えて多量の光が入射し
た場合には出力が飽和してしまうため、上述の制御が行
なえなくなる。このため、偏光ビームスプリッター２８
を透過する光量は所定の範囲に抑える必要がある。
【００２０】半導体レーザー１４の射出光は、半導体レ
ーザーに対して特定の向きの偏光面を持つ直線偏光であ
り、偏光ビームスプリッターは特定の偏光成分の光を透
過させる。また、光源ユニット１２は上述したように所
定の角度範囲内で光軸回りに回転できるように保持され
ている。したがって、光源ユニット１２を回転させると
透過光量が変化する。すなわち、光源ユニット１２を回
転させることによって、偏光ビームスプリッター２８の
透過光の光量調節が行なわれる。
ーザーに対して特定の向きの偏光面を持つ直線偏光であ
り、偏光ビームスプリッターは特定の偏光成分の光を透
過させる。また、光源ユニット１２は上述したように所
定の角度範囲内で光軸回りに回転できるように保持され
ている。したがって、光源ユニット１２を回転させると
透過光量が変化する。すなわち、光源ユニット１２を回
転させることによって、偏光ビームスプリッター２８の
透過光の光量調節が行なわれる。
【００２１】このように本実施例では、光アイソレータ
ー１８に加えて、偏光ビームスプリッター２８と１／４
波長板３０と３２によって、二重に戻り光の除去が行な
われる。従って、半導体レーザーの波長安定化にとって
有害な戻り光が大幅に低減され、波長が非常に安定した
光を射出する波長安定化装置が得られる。また、戻り光
の遮光を光アイソレーターだけで行なっている従来例に
比べて、光アイソレーターに要求される条件が緩くて済
む。したがって、使用する光アイソレーターが低価格の
もので済み、装置の低価格化にも効果がある。
ー１８に加えて、偏光ビームスプリッター２８と１／４
波長板３０と３２によって、二重に戻り光の除去が行な
われる。従って、半導体レーザーの波長安定化にとって
有害な戻り光が大幅に低減され、波長が非常に安定した
光を射出する波長安定化装置が得られる。また、戻り光
の遮光を光アイソレーターだけで行なっている従来例に
比べて、光アイソレーターに要求される条件が緩くて済
む。したがって、使用する光アイソレーターが低価格の
もので済み、装置の低価格化にも効果がある。
【００２２】また、光源ユニット１２を回転させること
によりフォトダイオード３６に入射する光量を所望の量
に設定できるので、波長制御が正確に行なえる。従っ
て、波長が非常に安定した光を射出する波長安定化装置
が得られる。
によりフォトダイオード３６に入射する光量を所望の量
に設定できるので、波長制御が正確に行なえる。従っ
て、波長が非常に安定した光を射出する波長安定化装置
が得られる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、他の装置からの戻り光
や波長弁別器からの戻り光は偏光ビームスプリッターに
よって光源ユニットに向かわないように偏向されるの
で、非常に安定した波長の光を射出する波長安定化装置
が得られる。
や波長弁別器からの戻り光は偏光ビームスプリッターに
よって光源ユニットに向かわないように偏向されるの
で、非常に安定した波長の光を射出する波長安定化装置
が得られる。
【図１】本発明の波長安定化装置の実施例の構成を示す
図である。
図である。
【図２】光源ユニットの保持構造を示した図である。
【図３】図２の III−III 線に沿って切った断面を示す
図である。
図である。
【図４】エタロンの透過率特性を示す図である。
【図５】従来の波長安定化装置の構成を示す図である。
１２…光源ユニット、１４…半導体レーザー、１６…コ
リメートレンズ、２０…サーミスター、２２…ペルチェ
素子、２６…温度制御部、２８…偏光ビームスプリッタ
ー、３０と３２…１／４波長板、３４…エタロン、３６
…フォトダイオード、３８…電流制御部。
リメートレンズ、２０…サーミスター、２２…ペルチェ
素子、２６…温度制御部、２８…偏光ビームスプリッタ
ー、３０と３２…１／４波長板、３４…エタロン、３６
…フォトダイオード、３８…電流制御部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤本 洋久 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザーとコリメートレンズを内
蔵した光源ユニットと、 半導体レーザーの温度を制御する温度制御手段と、 光源ユニットの射出光を第一の光束と第二の光束に分け
る偏光ビームスプリッターと、 第一の光束の波長を弁別する波長弁別器と、 波長弁別器を通過した光を受光する光検出器と、 光検出器の出力に基づいて半導体レーザーの注入電流を
制御する電流制御手段と、 偏光ビームスプリッターと波長弁別器の間の光路上に配
置された第一の１／４波長板と、 第二の光束の光路上に位置し筐体に固定された第二の１
／４波長板とを備え、 第二の１／４波長板から射出された光が他の装置に利用
される波長安定化装置。 - 【請求項２】請求項１において、光源ユニットを、半導
体レーザーの射出光の光軸回りに回転可能に保持する手
段を更に備えている波長安定化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9322994A JPH07302948A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 波長安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9322994A JPH07302948A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 波長安定化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302948A true JPH07302948A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14076721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9322994A Pending JPH07302948A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 波長安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302948A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1233485A2 (en) * | 2001-02-01 | 2002-08-21 | OpNext Japan, Inc. | Optical module |
| EP1235316A2 (en) * | 2001-02-26 | 2002-08-28 | Hitachi, Ltd. | Laser diode module |
| US6529534B1 (en) | 1998-02-27 | 2003-03-04 | Nec Corporation | Wavelength controlling circuit for laser signal |
| JP2017199891A (ja) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | フォーベル カンパニー リミテッド | 光アイソレータ機能を有するレーザ装置 |
| WO2019187399A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 株式会社フジクラ | レーザモジュール及びレーザ装置 |
-
1994
- 1994-05-02 JP JP9322994A patent/JPH07302948A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6529534B1 (en) | 1998-02-27 | 2003-03-04 | Nec Corporation | Wavelength controlling circuit for laser signal |
| EP1233485A2 (en) * | 2001-02-01 | 2002-08-21 | OpNext Japan, Inc. | Optical module |
| EP1233485A3 (en) * | 2001-02-01 | 2004-03-24 | OpNext Japan, Inc. | Optical module |
| US6912363B2 (en) | 2001-02-01 | 2005-06-28 | Opnext Japan, Inc. | Optical module which permits stable laser output |
| EP1235316A2 (en) * | 2001-02-26 | 2002-08-28 | Hitachi, Ltd. | Laser diode module |
| EP1235316A3 (en) * | 2001-02-26 | 2004-06-09 | Hitachi, Ltd. | Laser diode module |
| JP2017199891A (ja) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | フォーベル カンパニー リミテッド | 光アイソレータ機能を有するレーザ装置 |
| WO2019187399A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 株式会社フジクラ | レーザモジュール及びレーザ装置 |
| JP2019175906A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 株式会社フジクラ | レーザモジュール及びレーザ装置 |
| US11309683B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-04-19 | Fujikura Ltd. | Laser module and laser apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040322 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050419 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |