JPH07302948A - 波長安定化装置 - Google Patents
波長安定化装置Info
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- JPH07302948A JPH07302948A JP9322994A JP9322994A JPH07302948A JP H07302948 A JPH07302948 A JP H07302948A JP 9322994 A JP9322994 A JP 9322994A JP 9322994 A JP9322994 A JP 9322994A JP H07302948 A JPH07302948 A JP H07302948A
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】射出光の波長が非常に安定している波長安定化
装置を提供する。 【構成】筐体10には光源ユニット12が光軸の回りに
回転可能に設けられている。光源ユニット12は半導体
レーザー14とコリメートレンズ16と光アイソレータ
ー18を含んでいる。半導体レーザーの近くには温度セ
ンサー20とペルチェ素子22が設けられている。温度
センサー20の出力に応じてペルチェ素子22を駆動す
る温度制御部26が設けられている。光源ユニット12
の前方には、偏光ビームスプリッター28、1/4波長
板32、エタロン34、フォトダイオード36が順に配
置されている。フォトダイオード36の出力に応じた注
入電流を半導体レーザー14に供給する電流制御部38
が設けられている。偏光ビームスプリッター28の反射
光の光路上に1/4波長板30が配置されている。1/
4波長板30は筐体10に固定されていて測定光54の
射出窓となっている。
装置を提供する。 【構成】筐体10には光源ユニット12が光軸の回りに
回転可能に設けられている。光源ユニット12は半導体
レーザー14とコリメートレンズ16と光アイソレータ
ー18を含んでいる。半導体レーザーの近くには温度セ
ンサー20とペルチェ素子22が設けられている。温度
センサー20の出力に応じてペルチェ素子22を駆動す
る温度制御部26が設けられている。光源ユニット12
の前方には、偏光ビームスプリッター28、1/4波長
板32、エタロン34、フォトダイオード36が順に配
置されている。フォトダイオード36の出力に応じた注
入電流を半導体レーザー14に供給する電流制御部38
が設けられている。偏光ビームスプリッター28の反射
光の光路上に1/4波長板30が配置されている。1/
4波長板30は筐体10に固定されていて測定光54の
射出窓となっている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー測長器等の光
源に用いられる波長安定化装置に関する。
源に用いられる波長安定化装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から半導体レーザーの発振波長を測
長基準として物体の移動変位を計測するレーザー測長器
が知られている。半導体レーザーは、発振波長が注入電
流と温度に依存している。従って、測長基準である波長
を安定化するには、注入電流と温度を制御すればよい。
長基準として物体の移動変位を計測するレーザー測長器
が知られている。半導体レーザーは、発振波長が注入電
流と温度に依存している。従って、測長基準である波長
を安定化するには、注入電流と温度を制御すればよい。
【0003】従来の波長安定化装置の一例を図5に示
す。半導体レーザー14には、温度センサー20とペル
チェ素子22とが取り付けられている。また、温度セン
サー20の出力が所定の設定温度になるようにペルチェ
素子22の電流を駆動する温度制御部26が設けられて
いる。
す。半導体レーザー14には、温度センサー20とペル
チェ素子22とが取り付けられている。また、温度セン
サー20の出力が所定の設定温度になるようにペルチェ
素子22の電流を駆動する温度制御部26が設けられて
いる。
【0004】半導体レーザー14の光射出方向の前方に
は、コリメートレンズ16、光アイソレーター18、ハ
ーフミラー100、エタロン34、フォトダイオード3
6が順に配置されている。また、フォトダイオード36
の出力を設定値に保つように、半導体レーザー14の注
入電流を制御する電流制御部38が設けられている。
は、コリメートレンズ16、光アイソレーター18、ハ
ーフミラー100、エタロン34、フォトダイオード3
6が順に配置されている。また、フォトダイオード36
の出力を設定値に保つように、半導体レーザー14の注
入電流を制御する電流制御部38が設けられている。
【0005】半導体レーザー14から射出された光は、
コリメートレンズ16により平行光となり、光アイソレ
ーター18を通過して、ハーフミラー100に向かう。
光アイソレーター18を通過した光52は、一部がハー
フミラー100で反射され、残りはハーフミラー100
を透過する。ハーフミラー100で反射された光54は
測長器等の装置の測定光等に利用される。ハーフミラー
100を透過した光56は、エタロン34に入射し、エ
タロン34の透過光がフォトダイオード36に入射す
る。フォトダイオード36の出力は電流制御部38に入
力され、電流制御部38はフォトダイオード36の出力
が設定値に保たれるように半導体レーザー14の注入電
流を制御する。
コリメートレンズ16により平行光となり、光アイソレ
ーター18を通過して、ハーフミラー100に向かう。
光アイソレーター18を通過した光52は、一部がハー
フミラー100で反射され、残りはハーフミラー100
を透過する。ハーフミラー100で反射された光54は
測長器等の装置の測定光等に利用される。ハーフミラー
100を透過した光56は、エタロン34に入射し、エ
タロン34の透過光がフォトダイオード36に入射す
る。フォトダイオード36の出力は電流制御部38に入
力され、電流制御部38はフォトダイオード36の出力
が設定値に保たれるように半導体レーザー14の注入電
流を制御する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この構成において、測
定光54の戻り光がハーフミラー100で反射されて、
あるいはエタロン34からの戻り光がハーフミラー10
0を透過して、半導体レーザー14に向かうことがあ
る。ハーフミラー100と半導体レーザー14の間には
光アイソレーター18が設けてあるので、半導体レーザ
ー14に向かう光は大部分が光アイソレーター18で遮
光されるが、いくらかは半導体レーザー14に達する。
定光54の戻り光がハーフミラー100で反射されて、
あるいはエタロン34からの戻り光がハーフミラー10
0を透過して、半導体レーザー14に向かうことがあ
る。ハーフミラー100と半導体レーザー14の間には
光アイソレーター18が設けてあるので、半導体レーザ
ー14に向かう光は大部分が光アイソレーター18で遮
光されるが、いくらかは半導体レーザー14に達する。
【0007】このような微弱な戻り光でも半導体レーザ
ー14の発振状態は不安定になってしまい波長安定化の
制御上好ましくない。文献「半導体レーザーの周波数制
御とその応用(応用物理 第58巻 第10号 198
9)」によれば、戻り光は60デシベル程度に低減しな
ければならないとの指摘もされている。通常の光アイソ
レーターは、戻り光率が30デシベル程度であるので、
これを二段重ねて60デシベルの戻り光率を確保する場
合が多いが高価なものになってしまう。
ー14の発振状態は不安定になってしまい波長安定化の
制御上好ましくない。文献「半導体レーザーの周波数制
御とその応用(応用物理 第58巻 第10号 198
9)」によれば、戻り光は60デシベル程度に低減しな
ければならないとの指摘もされている。通常の光アイソ
レーターは、戻り光率が30デシベル程度であるので、
これを二段重ねて60デシベルの戻り光率を確保する場
合が多いが高価なものになってしまう。
【0008】また、波長安定化制御をする上で、光検出
器36に入射する光量には、S/N比上適当な光量範囲
が存在する。その場合、ハーフミラー100は、光検出
器36に入射する光量を所望の光量になるように、透
過、反射光量の分岐比をある決まった比に設計製作する
必要がある。
器36に入射する光量には、S/N比上適当な光量範囲
が存在する。その場合、ハーフミラー100は、光検出
器36に入射する光量を所望の光量になるように、透
過、反射光量の分岐比をある決まった比に設計製作する
必要がある。
【0009】しかし、エタロン34の透過率は、エタロ
ン34の加工精度により大きく変動するため、実際に光
検出器36に入射する光量はばらついてしまい。S/N
比上問題となる場合がある。本発明は、安価な装置で半
導体レーザーの波長安定化制御におけるS/N比上及び
半導体レーザーへの戻り光の低減を実現することを目的
とする。
ン34の加工精度により大きく変動するため、実際に光
検出器36に入射する光量はばらついてしまい。S/N
比上問題となる場合がある。本発明は、安価な装置で半
導体レーザーの波長安定化制御におけるS/N比上及び
半導体レーザーへの戻り光の低減を実現することを目的
とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の波長安定化装置
は、半導体レーザーとコリメートレンズを内蔵した光源
ユニットと、半導体レーザーの温度を制御する温度制御
手段と、光源ユニットの射出光を第一の光束と第二の光
束に分ける偏光ビームスプリッターと、第一の光束の波
長を弁別する波長弁別器と、波長弁別器を通過した光を
受光する光検出器と、光検出器の出力に基づいて半導体
レーザーの注入電流を制御する電流制御手段と、偏光ビ
ームスプリッターと波長弁別器の間の光路上に配置され
た第一の1/4波長板と、第二の光束の光路上に位置し
筐体に固定された第二の1/4波長板とを備えている。
第二の1/4波長板から射出された光は他の装置に利用
される。
は、半導体レーザーとコリメートレンズを内蔵した光源
ユニットと、半導体レーザーの温度を制御する温度制御
手段と、光源ユニットの射出光を第一の光束と第二の光
束に分ける偏光ビームスプリッターと、第一の光束の波
長を弁別する波長弁別器と、波長弁別器を通過した光を
受光する光検出器と、光検出器の出力に基づいて半導体
レーザーの注入電流を制御する電流制御手段と、偏光ビ
ームスプリッターと波長弁別器の間の光路上に配置され
た第一の1/4波長板と、第二の光束の光路上に位置し
筐体に固定された第二の1/4波長板とを備えている。
第二の1/4波長板から射出された光は他の装置に利用
される。
【0011】
【作用】半導体レーザーから射出された光はコリメート
レンズにより平行光となり、光源ユニットから射出され
る。光源ユニットの射出光は、一部は偏光ビームスプリ
ッターを透過し、残りは偏光ビームスプリッターで反射
され、第一の光束と第二の光束に分けられる。第一の光
束は、第一の1/4波長板を通って波長弁別器に入射
し、その透過光が光検出器に入射する。第二の光束は第
二の1/4波長板を通って筐体の外に射出され、他の装
置に利用される。このとき、温度制御手段は半導体レー
ザーの温度を一定に保つように制御し、電流制御手段は
光検出器の出力を一定値に保つように半導体レーザーの
注入電流を制御する。
レンズにより平行光となり、光源ユニットから射出され
る。光源ユニットの射出光は、一部は偏光ビームスプリ
ッターを透過し、残りは偏光ビームスプリッターで反射
され、第一の光束と第二の光束に分けられる。第一の光
束は、第一の1/4波長板を通って波長弁別器に入射
し、その透過光が光検出器に入射する。第二の光束は第
二の1/4波長板を通って筐体の外に射出され、他の装
置に利用される。このとき、温度制御手段は半導体レー
ザーの温度を一定に保つように制御し、電流制御手段は
光検出器の出力を一定値に保つように半導体レーザーの
注入電流を制御する。
【0012】第二の1/4波長板から射出された第二の
光束の戻り光は、第二の1/4波長板を再び通って偏光
ビームスプリッターに向かう。この光は、第二の1/4
波長板を二回通過したため、偏光ビームスプリッターで
分離された直後の光とは偏光面が直交した光となってい
る。このため、偏光ビームスプリッターにおいて、光源
ユニットに向かわないように偏向される。また、波長弁
別器からの戻り光も同様に第一の1/4波長板を二回通
過しているため、偏光ビームスプリッターによって光源
ユニットに向かわないように偏向される。
光束の戻り光は、第二の1/4波長板を再び通って偏光
ビームスプリッターに向かう。この光は、第二の1/4
波長板を二回通過したため、偏光ビームスプリッターで
分離された直後の光とは偏光面が直交した光となってい
る。このため、偏光ビームスプリッターにおいて、光源
ユニットに向かわないように偏向される。また、波長弁
別器からの戻り光も同様に第一の1/4波長板を二回通
過しているため、偏光ビームスプリッターによって光源
ユニットに向かわないように偏向される。
【0013】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。光源ユニット12は、半導体レーザー
14とコリメートレンズ16と光アイソレーター18と
を含んでいる。半導体レーザー14の近くには、半導体
レーザー近傍の温度を検知する温度センサーたとえばサ
ーミスター20が設けられている。また、光源ユニット
12には、半導体レーザー近傍の温度を調整するペルチ
ェ素子22が取り付けられている。ペルチェ素子22に
は放熱フィン24が設けられている。また、サーミスタ
ー20の出力を設定温度に維持するようにペルチェ素子
22を駆動する温度制御部26が設けられている。
ついて説明する。光源ユニット12は、半導体レーザー
14とコリメートレンズ16と光アイソレーター18と
を含んでいる。半導体レーザー14の近くには、半導体
レーザー近傍の温度を検知する温度センサーたとえばサ
ーミスター20が設けられている。また、光源ユニット
12には、半導体レーザー近傍の温度を調整するペルチ
ェ素子22が取り付けられている。ペルチェ素子22に
は放熱フィン24が設けられている。また、サーミスタ
ー20の出力を設定温度に維持するようにペルチェ素子
22を駆動する温度制御部26が設けられている。
【0014】光源ユニット12の光射出方向の前方に
は、偏光ビームスプリッター28、1/4波長板32、
波長弁別器たとえばエタロン34、光検出器たとえばフ
ォトダイオード36が順に一列に配置されている。フォ
トダイオード36の出力に応じた注入電流を半導体レー
ザー14に供給する電流制御部38が設けられている。
また、偏光ビームスプリッター28で反射された光の光
路上には1/4波長板30が配置されている。1/4波
長板30は筐体10に取り付けられていて、測定光54
を射出する窓となっている。
は、偏光ビームスプリッター28、1/4波長板32、
波長弁別器たとえばエタロン34、光検出器たとえばフ
ォトダイオード36が順に一列に配置されている。フォ
トダイオード36の出力に応じた注入電流を半導体レー
ザー14に供給する電流制御部38が設けられている。
また、偏光ビームスプリッター28で反射された光の光
路上には1/4波長板30が配置されている。1/4波
長板30は筐体10に取り付けられていて、測定光54
を射出する窓となっている。
【0015】光源ユニット12は所定の角度範囲内で光
軸の回りに回転できるように筐体10に保持されてい
る。その保持構造を図2と図3を参照して説明する。光
源ユニットは、図2に示すように、半導体レーザー14
とコリメートレンズ16と光アイソレーター18を保持
する保持部材40を有している。保持部材40は、フラ
ンジ部42を備えた円柱形状をしている。筐体壁48に
設けた開口50に挿入されている。図3に示すように、
フランジ部42には、所定半径の円周上に沿って湾曲し
た長穴44が開けられている。この長穴44を通ってネ
ジ46が筐体壁48に螺合している。保持部材40は、
ネジ46を緩めた状態で回転でき、ネジ46を締めて固
定される。
軸の回りに回転できるように筐体10に保持されてい
る。その保持構造を図2と図3を参照して説明する。光
源ユニットは、図2に示すように、半導体レーザー14
とコリメートレンズ16と光アイソレーター18を保持
する保持部材40を有している。保持部材40は、フラ
ンジ部42を備えた円柱形状をしている。筐体壁48に
設けた開口50に挿入されている。図3に示すように、
フランジ部42には、所定半径の円周上に沿って湾曲し
た長穴44が開けられている。この長穴44を通ってネ
ジ46が筐体壁48に螺合している。保持部材40は、
ネジ46を緩めた状態で回転でき、ネジ46を締めて固
定される。
【0016】図1において、半導体レーザー14から射
出された光は、コリメートレンズ16により平行光とな
り、光アイソレーター18を通って、光源ユニット12
から射出される。光源ユニット12の射出光52は偏光
ビームスプリッター28に入射し、一部は偏光ビームス
プリッター28を透過し、残りは偏光ビームスプリッタ
ー28で反射される。光源ユニット12から射出される
光は直線偏光であるので、透過光と反射光の割合は、偏
光ビームスプリッター28の光学軸の向きと射出光52
の偏光面の向きとの相対関係により決まり、光源ユニッ
ト12を光軸回りに回転させることで変化する。偏光ビ
ームスプリッター28で反射された光は1/4波長板3
0を通り、測定光54として筐体10の外に射出され
る。偏光ビームスプリッター28を透過した光は1/4
波長板32を通ってエタロン34に入射し、そこで弁別
された特定波長の光だけがフォトダイオード36に入射
する。電流制御部38は、入力されるフォトダイオード
36の出力を設定値に保つように半導体レーザー14の
注入電流を制御する。
出された光は、コリメートレンズ16により平行光とな
り、光アイソレーター18を通って、光源ユニット12
から射出される。光源ユニット12の射出光52は偏光
ビームスプリッター28に入射し、一部は偏光ビームス
プリッター28を透過し、残りは偏光ビームスプリッタ
ー28で反射される。光源ユニット12から射出される
光は直線偏光であるので、透過光と反射光の割合は、偏
光ビームスプリッター28の光学軸の向きと射出光52
の偏光面の向きとの相対関係により決まり、光源ユニッ
ト12を光軸回りに回転させることで変化する。偏光ビ
ームスプリッター28で反射された光は1/4波長板3
0を通り、測定光54として筐体10の外に射出され
る。偏光ビームスプリッター28を透過した光は1/4
波長板32を通ってエタロン34に入射し、そこで弁別
された特定波長の光だけがフォトダイオード36に入射
する。電流制御部38は、入力されるフォトダイオード
36の出力を設定値に保つように半導体レーザー14の
注入電流を制御する。
【0017】測定光54が他の装置で反射され再び筐体
10の内部に入ってくる戻り光は、1/4波長板30を
二回通過するため、偏光ビームスプリッター28で反射
された直後の光とは偏光面が直交した光となっているの
で、今度は偏光ビームスプリッター28を透過し、符号
58で示すように光源ユニット12にはほとんど向かわ
ない。また、エタロン34に入射する光56の反射光
は、1/4波長板32を二回通過するので、今度は偏光
ビームスプリッター28で反射され、符号58で示すよ
うに光源ユニット12にはほとんど向かわない。なお、
1/4波長板30、32と偏光ビームスプリッター28
でカットできなかった光は、光源ユニット12へ向かう
が、これは光アイソレーター18で遮断され、半導体レ
ーザー14には達しない。
10の内部に入ってくる戻り光は、1/4波長板30を
二回通過するため、偏光ビームスプリッター28で反射
された直後の光とは偏光面が直交した光となっているの
で、今度は偏光ビームスプリッター28を透過し、符号
58で示すように光源ユニット12にはほとんど向かわ
ない。また、エタロン34に入射する光56の反射光
は、1/4波長板32を二回通過するので、今度は偏光
ビームスプリッター28で反射され、符号58で示すよ
うに光源ユニット12にはほとんど向かわない。なお、
1/4波長板30、32と偏光ビームスプリッター28
でカットできなかった光は、光源ユニット12へ向かう
が、これは光アイソレーター18で遮断され、半導体レ
ーザー14には達しない。
【0018】ところで、一般に波長安定化装置では窓に
はガラス板が使用されている。このため、窓ガラスを通
過する際に、光量が減少すると共に波面に乱れが生じ
る。特に波面の乱れは、波長安定化装置が干渉計測に利
用されることが多いことを考えると、極力避ける必要が
ある。本実施例では、図1に示したように、1/4波長
板30は筐体10に取り付けられていて、それ自体が窓
となっているので、別途、窓が必要でないため、窓を通
過する際の光量の減少と波面の乱れが抑えられる。
はガラス板が使用されている。このため、窓ガラスを通
過する際に、光量が減少すると共に波面に乱れが生じ
る。特に波面の乱れは、波長安定化装置が干渉計測に利
用されることが多いことを考えると、極力避ける必要が
ある。本実施例では、図1に示したように、1/4波長
板30は筐体10に取り付けられていて、それ自体が窓
となっているので、別途、窓が必要でないため、窓を通
過する際の光量の減少と波面の乱れが抑えられる。
【0019】次に、偏光ビームスプリッター28の透過
光の光量調節について説明する。エタロン34は、図4
に示すように、波長に対して周期的な透過特性を有して
いる。電流制御部38では、半導体レーザー14への注
入電流をわずかに変調し、エタロン34の透過光量変動
をフォトダイオード36で検出して、常にモードピーク
(λ0 )となるように制御している。フォトダイオード
36への入射光量はS/Nの上からは多い方が好ましい
が、そのダイナミックレンジを越えて多量の光が入射し
た場合には出力が飽和してしまうため、上述の制御が行
なえなくなる。このため、偏光ビームスプリッター28
を透過する光量は所定の範囲に抑える必要がある。
光の光量調節について説明する。エタロン34は、図4
に示すように、波長に対して周期的な透過特性を有して
いる。電流制御部38では、半導体レーザー14への注
入電流をわずかに変調し、エタロン34の透過光量変動
をフォトダイオード36で検出して、常にモードピーク
(λ0 )となるように制御している。フォトダイオード
36への入射光量はS/Nの上からは多い方が好ましい
が、そのダイナミックレンジを越えて多量の光が入射し
た場合には出力が飽和してしまうため、上述の制御が行
なえなくなる。このため、偏光ビームスプリッター28
を透過する光量は所定の範囲に抑える必要がある。
【0020】半導体レーザー14の射出光は、半導体レ
ーザーに対して特定の向きの偏光面を持つ直線偏光であ
り、偏光ビームスプリッターは特定の偏光成分の光を透
過させる。また、光源ユニット12は上述したように所
定の角度範囲内で光軸回りに回転できるように保持され
ている。したがって、光源ユニット12を回転させると
透過光量が変化する。すなわち、光源ユニット12を回
転させることによって、偏光ビームスプリッター28の
透過光の光量調節が行なわれる。
ーザーに対して特定の向きの偏光面を持つ直線偏光であ
り、偏光ビームスプリッターは特定の偏光成分の光を透
過させる。また、光源ユニット12は上述したように所
定の角度範囲内で光軸回りに回転できるように保持され
ている。したがって、光源ユニット12を回転させると
透過光量が変化する。すなわち、光源ユニット12を回
転させることによって、偏光ビームスプリッター28の
透過光の光量調節が行なわれる。
【0021】このように本実施例では、光アイソレータ
ー18に加えて、偏光ビームスプリッター28と1/4
波長板30と32によって、二重に戻り光の除去が行な
われる。従って、半導体レーザーの波長安定化にとって
有害な戻り光が大幅に低減され、波長が非常に安定した
光を射出する波長安定化装置が得られる。また、戻り光
の遮光を光アイソレーターだけで行なっている従来例に
比べて、光アイソレーターに要求される条件が緩くて済
む。したがって、使用する光アイソレーターが低価格の
もので済み、装置の低価格化にも効果がある。
ー18に加えて、偏光ビームスプリッター28と1/4
波長板30と32によって、二重に戻り光の除去が行な
われる。従って、半導体レーザーの波長安定化にとって
有害な戻り光が大幅に低減され、波長が非常に安定した
光を射出する波長安定化装置が得られる。また、戻り光
の遮光を光アイソレーターだけで行なっている従来例に
比べて、光アイソレーターに要求される条件が緩くて済
む。したがって、使用する光アイソレーターが低価格の
もので済み、装置の低価格化にも効果がある。
【0022】また、光源ユニット12を回転させること
によりフォトダイオード36に入射する光量を所望の量
に設定できるので、波長制御が正確に行なえる。従っ
て、波長が非常に安定した光を射出する波長安定化装置
が得られる。
によりフォトダイオード36に入射する光量を所望の量
に設定できるので、波長制御が正確に行なえる。従っ
て、波長が非常に安定した光を射出する波長安定化装置
が得られる。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、他の装置からの戻り光
や波長弁別器からの戻り光は偏光ビームスプリッターに
よって光源ユニットに向かわないように偏向されるの
で、非常に安定した波長の光を射出する波長安定化装置
が得られる。
や波長弁別器からの戻り光は偏光ビームスプリッターに
よって光源ユニットに向かわないように偏向されるの
で、非常に安定した波長の光を射出する波長安定化装置
が得られる。
【図1】本発明の波長安定化装置の実施例の構成を示す
図である。
図である。
【図2】光源ユニットの保持構造を示した図である。
【図3】図2の III−III 線に沿って切った断面を示す
図である。
図である。
【図4】エタロンの透過率特性を示す図である。
【図5】従来の波長安定化装置の構成を示す図である。
12…光源ユニット、14…半導体レーザー、16…コ
リメートレンズ、20…サーミスター、22…ペルチェ
素子、26…温度制御部、28…偏光ビームスプリッタ
ー、30と32…1/4波長板、34…エタロン、36
…フォトダイオード、38…電流制御部。
リメートレンズ、20…サーミスター、22…ペルチェ
素子、26…温度制御部、28…偏光ビームスプリッタ
ー、30と32…1/4波長板、34…エタロン、36
…フォトダイオード、38…電流制御部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤本 洋久 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体レーザーとコリメートレンズを内
蔵した光源ユニットと、 半導体レーザーの温度を制御する温度制御手段と、 光源ユニットの射出光を第一の光束と第二の光束に分け
る偏光ビームスプリッターと、 第一の光束の波長を弁別する波長弁別器と、 波長弁別器を通過した光を受光する光検出器と、 光検出器の出力に基づいて半導体レーザーの注入電流を
制御する電流制御手段と、 偏光ビームスプリッターと波長弁別器の間の光路上に配
置された第一の1/4波長板と、 第二の光束の光路上に位置し筐体に固定された第二の1
/4波長板とを備え、 第二の1/4波長板から射出された光が他の装置に利用
される波長安定化装置。 - 【請求項2】請求項1において、光源ユニットを、半導
体レーザーの射出光の光軸回りに回転可能に保持する手
段を更に備えている波長安定化装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9322994A JPH07302948A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 波長安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9322994A JPH07302948A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 波長安定化装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07302948A true JPH07302948A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14076721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9322994A Pending JPH07302948A (ja) | 1994-05-02 | 1994-05-02 | 波長安定化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07302948A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1233485A2 (en) * | 2001-02-01 | 2002-08-21 | OpNext Japan, Inc. | Optical module |
EP1235316A2 (en) * | 2001-02-26 | 2002-08-28 | Hitachi, Ltd. | Laser diode module |
US6529534B1 (en) | 1998-02-27 | 2003-03-04 | Nec Corporation | Wavelength controlling circuit for laser signal |
JP2017199891A (ja) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | フォーベル カンパニー リミテッド | 光アイソレータ機能を有するレーザ装置 |
WO2019187399A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 株式会社フジクラ | レーザモジュール及びレーザ装置 |
-
1994
- 1994-05-02 JP JP9322994A patent/JPH07302948A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2019187399A1 (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | 株式会社フジクラ | レーザモジュール及びレーザ装置 |
JP2019175906A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 株式会社フジクラ | レーザモジュール及びレーザ装置 |
US11309683B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-04-19 | Fujikura Ltd. | Laser module and laser apparatus |
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Legal Events
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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