JPH0729829A - Method and system for dc discharge plasma processing - Google Patents
Method and system for dc discharge plasma processingInfo
- Publication number
- JPH0729829A JPH0729829A JP15475593A JP15475593A JPH0729829A JP H0729829 A JPH0729829 A JP H0729829A JP 15475593 A JP15475593 A JP 15475593A JP 15475593 A JP15475593 A JP 15475593A JP H0729829 A JPH0729829 A JP H0729829A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- plasma processing
- film
- substrate
- fine particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ、半
導体利用の各種センサのような半導体を利用したデバイ
ス、太陽電池その他を製造するにあたり、基板上に成膜
したり、形成された膜を配線パターン等を得るために所
定パターンに従ってエッチングしたりするプラズマＣＶ
Ｄ、プラズマエッチングのようなプラズマ処理、特に直
流放電型のプラズマ処理に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used for manufacturing a thin film transistor, a device using a semiconductor such as various sensors using a semiconductor, a solar cell or the like, and forming a film on a substrate or a wiring pattern of the formed film. CV for etching according to a predetermined pattern to obtain
D, plasma processing such as plasma etching, and particularly relates to DC discharge type plasma processing.
【０００２】[0002]
【従来の技術】直流放電型のプラズマ処理としては、そ
の代表例として直流電圧印加方式の平行平板型のプラズ
マ処理装置によるものを挙げることができる。このよう
な装置のうち成膜装置としてよく知られているプラズマ
ＣＶＤ装置は概ね図４に示す構造のものであり、エッチ
ング装置としてよく知られているドライエッチング装置
は概ね図５に示す構造のものである。2. Description of the Related Art A typical example of a DC discharge type plasma processing is a DC voltage application type parallel plate type plasma processing apparatus. Of these apparatuses, a plasma CVD apparatus which is well known as a film forming apparatus has a structure shown in FIG. 4, and a dry etching apparatus which is well known as an etching apparatus has a structure shown in FIG. Is.
【０００３】図４に示すプラズマＣＶＤ装置は、成膜の
ための真空容器１を備え、該容器内には被成膜基体Ｓ１
を支持する基体ホルダを兼ねる電極２及び該ホルダに対
向するガス供給ノズルを兼ねる電極３が設置されてい
る。電極２は通常接地電極とされ、電極３は通常陰電極
とされる。電極２には必要に応じ基体Ｓ１を加熱するヒ
ータ４が臨設されることがあり、電極３には直流電源５
の負極が図示しないスイッチを介して接続される。The plasma CVD apparatus shown in FIG. 4 is provided with a vacuum container 1 for film formation, and the film formation substrate S1 is provided in the container.
An electrode 2 also serving as a substrate holder for supporting the substrate and an electrode 3 also serving as a gas supply nozzle facing the holder are installed. The electrode 2 is usually a ground electrode and the electrode 3 is usually a negative electrode. The electrode 2 may be provided with a heater 4 for heating the substrate S1 if necessary, and the electrode 3 may be provided with a DC power supply 5
Is connected via a switch (not shown).
【０００４】ノズル兼電極３にはガス供給部６が接続さ
れるとともに、容器１にはそこから真空排気するための
排気装置７が接続される。ガス供給部６には、１又は２
以上のマスフローコントローラ６１１、６１２・・・・
及び開閉弁６２１、６２２・・・・を介して所定量の成
膜用ガスを供給するガス源６３１、６３２・・・・が含
まれている。A gas supply unit 6 is connected to the nozzle / electrode 3 and an exhaust device 7 for evacuating the container 1 is connected to the container 1. The gas supply unit 6 has 1 or 2
The above mass flow controllers 611, 612 ...
, And gas sources 631, 632, ... That supply a predetermined amount of film forming gas via the on-off valves 621, 622 ,.
【０００５】このプラズマＣＶＤ装置によると、被成膜
基体Ｓ１がホルダ兼電極２に設置され、容器１内が排気
装置７により所定の真空度とされ、ガス供給部６から容
器１内に成膜用ガスが導入される。また、直流電源５か
ら電極２、３間に直流電圧が印加され、導入された成膜
用ガスがそれによってプラズマ化され、このプラズマの
下で基板Ｓ１上に所望の膜が形成される。According to this plasma CVD apparatus, the film-forming substrate S1 is installed on the holder / electrode 2, the inside of the container 1 is evacuated to a predetermined vacuum degree by the exhaust device 7, and a film is formed inside the container 1 from the gas supply unit 6. The working gas is introduced. Further, a DC voltage is applied between the electrodes 2 and 3 from the DC power supply 5, the introduced film forming gas is turned into plasma, and a desired film is formed on the substrate S1 under this plasma.
【０００６】図５に示すプラズマドライエッチング装置
は、エッチングのための真空容器１０を備え、該容器内
には被エッチング膜等を有する基体Ｓ２を支持するホル
ダを兼ねる電極２０と、それに対向するガス供給ノズル
を兼ねる電極３０とが設置されている。電極２０は通常
陰電極とされ、電極３０は通常接地電極とされる。ホル
ダ兼電極２０には直流電源５０の負極が図示しないスイ
ッチを介して接続される。The plasma dry etching apparatus shown in FIG. 5 is provided with a vacuum container 10 for etching, in which an electrode 20 also serving as a holder for supporting a substrate S2 having a film to be etched and the like, and a gas opposed thereto. An electrode 30 also serving as a supply nozzle is installed. The electrode 20 is usually a negative electrode and the electrode 30 is usually a ground electrode. The negative electrode of the DC power supply 50 is connected to the holder / electrode 20 via a switch (not shown).
【０００７】ノズル兼電極３０にはガス供給部６０が接
続されるとともに、容器１にはそこから真空排気するた
めの排気装置７０が接続される。ガス供給部６０には、
１又は２以上のマスフローコントローラ６４１、６４２
・・・・及び開閉弁６５１、６５２・・・・を介して所
定量のエッチング用ガスを供給するガス源６６１、６６
２・・・・が含まれている。A gas supply unit 60 is connected to the nozzle / electrode 30, and an exhaust device 70 for evacuating the container 1 is connected to the container 1. In the gas supply unit 60,
One or more mass flow controllers 641, 642
... and gas sources 661, 66 for supplying a predetermined amount of etching gas through the open / close valves 651, 652 ...
2 ... is included.
【０００８】このエッチング装置によると、被エッチン
グ基体Ｓ２がホルダ兼電極２０に設置され、容器１０内
が排気装置により所定の真空度とされ、ガス供給部６０
から容器１０内にエッチング用ガスが導入される。ま
た、直流電源５０から電極２０、３０間に直流電圧が印
加され、導入されたエッチング用ガスがそれによってプ
ラズマ化され、このプラズマの下で基体Ｓ２上の膜等が
ドライエッチングされる。According to this etching apparatus, the substrate S2 to be etched is placed on the holder / electrode 20, the inside of the container 10 is evacuated to a predetermined degree of vacuum, and the gas supply unit 60 is provided.
The etching gas is introduced into the container 10 from. Further, a DC voltage is applied between the electrodes 20 and 30 from the DC power supply 50, the introduced etching gas is turned into plasma, and the film and the like on the substrate S2 are dry-etched under this plasma.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな成膜処理では、プラズマ中の気相反応により発生す
る微粒子が基体表面に形成される膜に付着したり、その
中に混入する等して膜質を悪化させるという問題があ
る。特に、気相反応により微粒子が形成され、それが大
きく成長する可能性の高い成膜、例えば、シラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）と水素（Ｈ2 ）からアモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ）膜を、シランとアンモニア（ＮＨ3 ）からアモル
ファスシリコンナイトランド（ａ−ＳｉＮ）膜を、シラ
ンと一酸化二窒素（亜酸化窒素）（Ｎ2 Ｏ）からアモル
ファスシリコンオキサイド（ａ−ＳｉＯ2 ）膜を形成す
るような成膜では、基板表面に形成される膜に付着した
り、その中に混入したりする微粒子のサイズが、形成さ
れる膜の膜厚に対し大きく、その結果、その膜が絶縁膜
である場合において成膜後洗浄処理すると、その微粒子
の部分がピンホールとなって絶縁不良が生じたり、その
膜が半導体膜であると、半導体特性が悪化するといった
問題がある。However, in such a film forming process, the fine particles generated by the gas phase reaction in plasma adhere to the film formed on the surface of the substrate or are mixed into the film. There is a problem of deteriorating the film quality. In particular, fine particles are formed by a gas phase reaction and are highly likely to grow greatly.
H 4 ) and hydrogen (H 2 ) from amorphous silicon (a-
The Si) film, silane and ammonia (NH 3) amorphous silicon NIGHT land from (a-SiN) film, silane and dinitrogen monoxide (nitrous oxide) (N 2 O) from the amorphous silicon oxide (a-SiO 2 ) In film formation for forming a film, the size of the fine particles that adhere to the film formed on the surface of the substrate or are mixed therein is larger than the film thickness of the formed film, and as a result, When the film is an insulating film, if cleaning treatment is performed after the film is formed, there is a problem that fine particle portions become pinholes and insulation failure occurs, and if the film is a semiconductor film, semiconductor characteristics deteriorate.
【００１０】また、ドライエッチング処理においても、
同様に気相反応により微粒子が発生し、これが被エッチ
ング面に付着する等してエッチング不良を招くという問
題がある。さらに、このような問題発生を抑制するため
に、プラズマ処理速度を低下させなければならないとい
う問題もでてくる。Also in the dry etching process,
Similarly, there is a problem that fine particles are generated due to a gas phase reaction and adhere to the surface to be etched to cause etching failure. Further, in order to suppress the occurrence of such a problem, there arises a problem that the plasma processing rate has to be reduced.
【００１１】そこで本発明は、直流放電型プラズマ処理
において、プラズマ中の気相反応で発生する微粒子を被
成膜基体或いは被エッチング面に臨む領域から効率よく
排除すること、及びそれによってプラズマ処理速度の向
上を可能とすることを課題とする。In view of the above, the present invention efficiently removes fine particles generated by a gas phase reaction in plasma from a region facing a film-forming substrate or a surface to be etched in a direct-current discharge plasma process, and thereby a plasma processing rate. It is an issue to be able to improve.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決するため研究を重ねたところ、プラズマ生成のために
印加する直流電界に対して垂直の磁界をかければ、微粒
子を前記領域の外方へ排除できることを見出した。かか
る知見は次の実験に基づくものである。The inventors of the present invention have conducted extensive research to solve the above-mentioned problems, and as a result, if a magnetic field perpendicular to the DC electric field applied for plasma generation is applied, the fine particles will fall outside the region. It was found that it can be eliminated to others. Such knowledge is based on the following experiments.
【００１３】すなわち、図３の（Ａ）図に示すように、
図示しない真空容器内に二つの対向電極１０１、１０２
を配置し、一方の電極１０１を陰電極とし、他方の電極
１０２を接地電極とし、容器内を真空排気して、容器内
にシランガス等のガスを導入しつつ両電極間に直流電圧
を印加することで該ガスをプラズマ化させ、さらに両電
極間にレーザ光を照射したところ、微粒子が多く存在す
る陰電極１０１の付近の領域１０３ではレーザ光が散乱
してその存在が確認された。一方、接地電極１０２付近
の領域１０４ではプラズマ発光が見られた。That is, as shown in FIG.
Two counter electrodes 101, 102 are provided in a vacuum container (not shown).
, One electrode 101 is used as a negative electrode, the other electrode 102 is used as a ground electrode, the inside of the container is evacuated, and a DC voltage is applied between both electrodes while introducing gas such as silane gas into the container. As a result, when the gas was turned into plasma and further irradiated with laser light between both electrodes, it was confirmed that the laser light was scattered in the region 103 near the negative electrode 101 where many fine particles were present. On the other hand, plasma emission was observed in the region 104 near the ground electrode 102.
【００１４】次に上記状態から、図３の（Ｂ）図に示す
ように、直流電界に対し垂直な方向（本例では紙面に対
し上から下）に磁界Ｇをかけたところ、微粒子領域１０
３が図中左方へ排除されるとともにプラズマ発光領域１
０４が図中右方へ移動した。かくして磁界により微粒子
が移動することが判った。これは、磁界をかけること
で、プラズマ中で陰電極１０１から接地電極１０２に向
かって流れる電子ｅが図中右方向に、接地電極１０２か
ら陰電極１０１に向かって流れるイオンＩが図中左方向
にそれぞれ力を受け、このとき、陰電極付近に多く存在
する微粒子ＰがイオンＩからの衝撃で左方向に排除され
るからであると考えられる。Next, as shown in FIG. 3B, when a magnetic field G is applied in the direction perpendicular to the DC electric field (in this example, from top to bottom with respect to the paper surface), the fine particle region 10 is obtained.
3 is eliminated to the left in the figure, and plasma emission region 1
04 moved to the right in the figure. Thus, it was found that the particles move due to the magnetic field. This is because, when a magnetic field is applied, electrons e flowing from the negative electrode 101 toward the ground electrode 102 in plasma are in the right direction in the figure, and ions I flowing from the ground electrode 102 toward the negative electrode 101 are in the left direction in the figure. It is considered that this is because the fine particles P present in the vicinity of the negative electrode are removed to the left by the impact from the ions I at this time.
【００１５】本発明は以上の知見に基づくもので、直流
放電型プラズマ処理方法において、プラズマ生成のため
に印加される直流電界に対し、垂直に磁界をかけること
で、プラズマ中の気相反応により発生する微粒子を、被
処理基体に臨む領域の外方へ移動させて排除することを
特徴とする直流放電型プラズマ処理方法、及び直流放電
型プラズマ処理装置において、プラズマ中の気相反応に
より発生する微粒子を被処理基体に臨む領域の外方へ移
動させて排除するための磁界をかける手段であって、プ
ラズマ生成のために印加される直流電界に対し垂直な磁
界をかける手段を設けたことを特徴とする直流放電型プ
ラズマ処理装置を提供するものである。The present invention is based on the above findings, and in the DC discharge type plasma processing method, by applying a magnetic field perpendicularly to the DC electric field applied for plasma generation, the gas phase reaction in the plasma In the direct current discharge type plasma processing method and the direct current discharge type plasma processing device, which are characterized in that the generated fine particles are moved to the outside of the region facing the substrate to be removed, and are generated by a gas phase reaction in plasma. A means for applying a magnetic field for moving and removing the fine particles to the outside of the region facing the substrate to be processed, and a means for applying a magnetic field perpendicular to the DC electric field applied for plasma generation is provided. The present invention provides a characteristic DC discharge plasma processing apparatus.
【００１６】かかる本発明の方法及び装置においては、
磁界をかけることで微粒子が排除されてくる（移動して
くる）領域から排気したり、該領域に排気口を臨ませた
排気手段を設けることが望ましい。この排気のために、
それ専用の排気手段を設けてもよいが、プラズマ生成の
ために真空容器から真空排気するための、真空容器に設
けられる排気装置を利用してもよい。In such a method and apparatus of the present invention,
It is desirable to exhaust from a region where the particles are removed (moved) by applying a magnetic field, or to provide an exhausting device with an exhaust port facing the region. For this exhaust,
Although a dedicated exhaust means may be provided, an exhaust device provided in the vacuum container for evacuating the vacuum container for plasma generation may be used.
【００１７】[0017]
【作用】本発明方法及び装置によると、成膜やエッチン
グにおいて、プラズマ生成のために印加される直流電界
に対し、垂直に磁界がかけられるので、プラズマ中の気
相反応により発生する微粒子は、被処理基体に臨む領域
の外へ移動せしめられ、被処理基体に臨む領域から排除
される。According to the method and apparatus of the present invention, a magnetic field is applied perpendicularly to a direct current electric field applied for plasma generation during film formation or etching, so that fine particles generated by a gas phase reaction in plasma are It is moved to the outside of the region facing the substrate to be processed and is removed from the region facing the substrate to be processed.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明に係る直流電圧印加方式の平行平板
型のプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示している。この
装置は次の点を除いて図４に示す従来プラズマＣＶＤ装
置と実質上同構造のものである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a parallel plate type plasma CVD apparatus of a DC voltage applying type according to the present invention. This apparatus has substantially the same structure as the conventional plasma CVD apparatus shown in FIG. 4 except for the following points.
【００１９】従来装置と異なる点は次のとおりである。
真空容器１の外周に沿って磁界発生コイル（電磁コイ
ル）８が配置されており、コイル８には図示しない電磁
コイル電源が接続されている。電磁コイル８は、電源か
らの通電により発生する磁界の方向が電極２、３間の直
流電界に対し垂直で（図１では紙面に対して上から下）
となるように構成、配置されている。また、陰電極３に
近い図中左側位置に排気口１１が設けられ、これは配管
７１により真空排気装置７の真空ポンプに接続されてい
る。なお、排気口１１から直接排気するようにしてもよ
い。Differences from the conventional device are as follows.
A magnetic field generating coil (electromagnetic coil) 8 is arranged along the outer circumference of the vacuum container 1, and an electromagnetic coil power supply (not shown) is connected to the coil 8. In the electromagnetic coil 8, the direction of the magnetic field generated by energization from the power source is perpendicular to the DC electric field between the electrodes 2 and 3 (from top to bottom with respect to the paper surface in FIG. 1).
It is configured and arranged so that Further, an exhaust port 11 is provided near the cathode 3 on the left side in the figure, and this is connected to a vacuum pump of the vacuum exhaust device 7 by a pipe 71. In addition, you may make it exhaust directly from the exhaust port 11.
【００２０】以上説明したプラズマＣＶＤ装置による
と、次のようにして本発明成膜方法が実施される。すな
わち、ホルダ兼電極２に被成膜基板Ｓが支持され、容器
１内が排気装置７にて所定成膜真空度に排気され、ま
た、ガス供給部６から容器１内に成膜用ガスが導入され
るとともに電極２、３間に電源５にて直流電界が形成さ
れる。かくして導入されたガスがプラズマ化され、この
プラズマのもとで基板Ｓ上に成膜される。According to the plasma CVD apparatus described above, the film forming method of the present invention is carried out as follows. That is, the deposition target substrate S is supported by the holder / electrode 2, the interior of the container 1 is evacuated to a predetermined deposition vacuum degree by the exhaust device 7, and the deposition gas is supplied from the gas supply unit 6 into the container 1. While being introduced, a DC electric field is formed between the electrodes 2 and 3 by the power source 5. The gas thus introduced is turned into plasma, and a film is formed on the substrate S under this plasma.
【００２１】また、この成膜処理中、電磁コイル８に図
示しない電源から通電され、これにより前記直流電界に
対し垂直（図１では紙面に対して上から下の方向）に磁
界がかけられ、この磁界の作用で、プラズマ中の気相反
応により発生する微粒子が、基板Ｓに臨む領域Ｘの図中
左方へ移動せしめられ、領域Ｘから排除される。そし
て、このように領域Ｘから排除された微粒子は、排気口
１１から真空排気装置７の真空ポンプにより、容器１外
へ排除される。During the film-forming process, the electromagnetic coil 8 is energized from a power source (not shown), whereby a magnetic field is applied perpendicularly to the DC electric field (from top to bottom in FIG. 1), By the action of this magnetic field, the fine particles generated by the gas phase reaction in the plasma are moved to the left of the region X facing the substrate S in the figure, and are removed from the region X. The particles thus removed from the area X are removed from the container 1 to the outside of the container 1 by the vacuum pump of the vacuum exhaust device 7.
【００２２】なお、図面には示していないが、排気口１
１と真空ポンプとの間に微粒子除去フィルタ手段を設け
ることも考えられる。かくして、形成される膜への微粒
子の付着や混入が抑制され、それだけ良質の膜が得られ
る。また、このように微粒子の付着や混入が抑制される
ので、成膜速度をそれだけ上げることもできる。Although not shown in the drawing, the exhaust port 1
It is also conceivable to provide particulate removal filter means between 1 and the vacuum pump. In this way, adhesion and mixing of fine particles to the formed film is suppressed, and a film of good quality can be obtained accordingly. Further, since the adhesion and mixing of the fine particles are suppressed in this way, the film formation rate can be increased accordingly.
【００２３】また、かかる微粒子の排除により、プラズ
マが安定化するし、微粒子による電極の汚染も抑制さ
れ、全体として良質の膜を形成することができる。次に
本発明に係るプラズマエッチング処理の例について説明
する。図２は本発明に係る直流電圧印加方式の平行平板
型のプラズマドライエッチング装置の概略構成を示して
いる。Further, the elimination of such fine particles stabilizes the plasma, suppresses the contamination of the electrode by the fine particles, and it is possible to form a film of good quality as a whole. Next, an example of the plasma etching process according to the present invention will be described. FIG. 2 shows a schematic configuration of a parallel plate type plasma dry etching apparatus of a direct current voltage applying type according to the present invention.
【００２４】このエッチング装置は、次の点を除いて図
５に示す従来プラズマエッチング装置と実質上同構造の
ものである。従来装置と異なる点は、図１のプラズマＣ
ＶＤ装置の場合と同様に、電磁コイル８、排気口１１１
及びそれを真空ポンプに接続する配管７２が設けられて
いる点である。排気口１１１は陰電極２０に近い図中右
側に設けられている。This etching apparatus has substantially the same structure as the conventional plasma etching apparatus shown in FIG. 5 except for the following points. The difference from the conventional device is the plasma C in FIG.
Similar to the case of the VD device, the electromagnetic coil 8 and the exhaust port 111
And a pipe 72 for connecting it to a vacuum pump. The exhaust port 111 is provided on the right side of the drawing near the negative electrode 20.
【００２５】このエッチング装置によると、次のように
して本発明エッチング方法が実施される。すなわち、ホ
ルダ兼電極２０に被エッチング基板ｓが支持され、容器
１０内が排気装置７０にて所定エッチング真空度に排気
され、また、ガス供給部６０から容器１０内にエッチン
グ用ガスが導入されるとともに電極２０、３０間に電源
５０にて直流電界が形成される。かくして導入されたガ
スがプラズマ化され、このプラズマのもとで基板ｓ上の
膜がドライエッチングされる。According to this etching apparatus, the etching method of the present invention is carried out as follows. That is, the substrate to be etched s is supported by the holder / electrode 20, the inside of the container 10 is evacuated to a predetermined etching vacuum degree by the exhaust device 70, and the etching gas is introduced into the container 10 from the gas supply unit 60. At the same time, a DC electric field is formed between the electrodes 20 and 30 by the power supply 50. The gas thus introduced is turned into plasma, and the film on the substrate s is dry-etched under this plasma.
【００２６】また、このエッチング処理中、電磁コイル
８に図示しない電源から通電され、これにより前記直流
電界に対し垂直（図中、紙面に対して上から下の方向）
に磁界がかけられ、この磁界の作用で、プラズマ中の気
相反応により発生する微粒子が、基板ｓに臨む領域Ｙの
図中右方へ移動せしめられ、領域Ｙから排除される。そ
して、このように領域Ｙから排除された微粒子は、排気
口１１１から真空排気装置７０の真空ポンプにより容器
１０外へ排除される。During the etching process, the electromagnetic coil 8 is energized by a power source (not shown), which causes the electromagnetic field to be perpendicular to the DC electric field (from the top to the bottom in the drawing).
A magnetic field is applied to the particles, and by the action of this magnetic field, the fine particles generated by the gas phase reaction in the plasma are moved to the right of the region Y facing the substrate s in the figure, and are removed from the region Y. The particles thus removed from the region Y are removed from the container 10 through the exhaust port 111 by the vacuum pump of the vacuum exhaust device 70.
【００２７】なお、図面には示していないが、この装置
の場合も排気口１１１と真空ポンプとの間に微粒子除去
フィルタ手段を設けてもよい。かくして、被エッチング
面への微粒子の付着や混入が抑制され、それだけ良好な
エッチングが実施される。また、このように微粒子の付
着や混入が抑制されるので、エッチング速度をそれだけ
上げることもできる。Although not shown in the drawing, also in this device, a particulate removal filter means may be provided between the exhaust port 111 and the vacuum pump. Thus, the adhesion and mixing of the fine particles on the surface to be etched is suppressed, and the better etching is performed. Further, since the adhesion and mixing of the fine particles are suppressed in this way, the etching rate can be increased accordingly.
【００２８】また、かかる微粒子の排除により、プラズ
マが安定化するし、微粒子による電極の汚染も抑制さ
れ、全体としてエッチングが円滑に実施される。次に、
図１に示すプラズマＣＶＤ装置による成膜の具体例を説
明する。ホルダ電極２に５インチシリコン基板Ｓを保持
させる。成膜条件として、次を採用する。Further, the elimination of such fine particles stabilizes the plasma, suppresses the contamination of the electrode by the fine particles, and the etching is smoothly performed as a whole. next,
A specific example of film formation by the plasma CVD apparatus shown in FIG. 1 will be described. The holder electrode 2 holds the 5-inch silicon substrate S. The following are adopted as film forming conditions.
【００２９】 成膜用ガス ： シラン（ＳｉＨ4 ） １００ｓｃｃｍ 水素（Ｈ2 ） ４００ｓｃｃｍ 成膜基板温度： ２３０℃ 成膜ガス圧 ： １．０Ｔｏｒｒ 直流電圧 ： ５００Ｖ 以上の成膜条件のもとに、基板Ｓ上に水素化アモルファ
スシリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を形成させた。Film forming gas: Silane (SiH 4 ) 100 sccm Hydrogen (H 2 ) 400 sccm Film forming substrate temperature: 230 ° C. Film forming gas pressure: 1.0 Torr DC voltage: 500 V or more under the film forming conditions A hydrogenated amorphous silicon film (a-Si: H) was formed on S.
【００３０】また、比較のため、前記と同成膜条件で、
但し、磁界をかけない成膜も行った。形成された両膜表
面における０．３μｍ以上のパーティクル個数を数えた
ところ、本発明による成膜のパーティクル個数は、比較
例のものに比べて大幅に少なかった。For comparison, under the same film forming conditions as above,
However, film formation was also performed without applying a magnetic field. When the number of particles of 0.3 μm or more on the surfaces of both formed films was counted, the number of particles of the film formed by the present invention was significantly smaller than that of the comparative example.
【００３１】また、図２に示すエッチング装置により、
被エッチング基板ｓとしてその表面にＩＴＯ膜を有する
ものを採用し、エッチングガスとしてメタン（ＣＨ4）
及び水素（Ｈ2）を採用してドライエッチングを行った
ところ、このエッチング処理においても被エッチング面
へのパーティクル付着は従来より減少していた。Further, with the etching apparatus shown in FIG.
A substrate having an ITO film on its surface is adopted as the substrate to be etched s and methane (CH 4 ) is used as an etching gas
When dry etching was carried out using hydrogen and hydrogen (H 2 ), the adhesion of particles to the surface to be etched was smaller than before even in this etching process.
【００３２】[0032]
【発明の効果】本発明によると、直流放電型プラズマ処
理方法及び装置であって、プラズマ中の気相反応で発生
する微粒子を、被成膜基体或いは被エッチング面に臨む
領域から効率よく排除することができ、またそれによっ
てプラズマ処理速度を向上させることができるものを提
供することができる。According to the present invention, there is provided a DC discharge type plasma processing method and apparatus, in which fine particles generated by a gas phase reaction in plasma are efficiently removed from a region facing a film formation substrate or an etched surface. It is possible to provide a device that can improve the plasma processing rate.
【図１】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の１例の概略
構造を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic structure of an example of a plasma CVD apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係るエッチング装置の１例の概略構造
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a schematic structure of an example of an etching apparatus according to the present invention.
【図３】本発明に係るプラズマ処理の原理説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory view of the principle of plasma processing according to the present invention.
【図４】従来のプラズマＣＶＤ装置例の概略構造を示す
図である。FIG. 4 is a diagram showing a schematic structure of an example of a conventional plasma CVD apparatus.
【図５】従来エッチング装置例の概略構造を示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing a schematic structure of an example of a conventional etching apparatus.
１、１０ 真空容器 １１、１１１ 排気口 ２ ホルダ兼接地電極 ２０ ホルダ兼陰電極 ３ 陰電極 ３０ 接地電極 ４ ヒータ ５、５０ 電源 ６、６０ ガス供給部 ７、７０ 排気装置 ７１、７２ 配管 ８ 電磁コイル 1, 10 Vacuum container 11, 111 Exhaust port 2 Holder / ground electrode 20 Holder / negative electrode 3 Negative electrode 30 Ground electrode 4 Heater 5, 50 Power supply 6, 60 Gas supply part 7, 70 Exhaust device 71, 72 Piping 8 Electromagnetic coil
Claims (4)
プラズマ生成のために印加する直流電界に対し垂直に磁
界をかけることで、プラズマ中の気相反応により発生す
る微粒子を、被処理基体に臨む領域の外方へ移動させて
排除することを特徴とする直流放電型プラズマ処理方
法。1. A direct current discharge type plasma processing method, comprising:
By applying a magnetic field perpendicular to the DC electric field applied for plasma generation, the fine particles generated by the gas phase reaction in the plasma are moved to the outside of the region facing the substrate to be treated and eliminated. DC discharge type plasma processing method.
気を行う請求項１記載のプラズマ処理方法。2. The plasma processing method according to claim 1, wherein exhaust is performed from a region where the fine particles are excluded.
プラズマ中の気相反応により発生する微粒子を被処理基
体に臨む領域の外方へ移動させて排除するための、プラ
ズマ生成のために印加される直流電界に対し垂直な磁界
をかける手段を設けたことを特徴とする直流放電型プラ
ズマ処理装置。3. A direct current discharge type plasma processing apparatus,
A means for applying a magnetic field perpendicular to the DC electric field applied for plasma generation was provided in order to move and eliminate the fine particles generated by the gas phase reaction in the plasma to the outside of the region facing the substrate to be processed. A DC discharge type plasma processing apparatus characterized by the above.
口を臨ませた排気手段を備えた請求項３記載のプラズマ
処理装置。4. The plasma processing apparatus according to claim 3, further comprising an exhaust unit having an exhaust port facing an area where the fine particles are removed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15475593A JPH0729829A (en) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | Method and system for dc discharge plasma processing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15475593A JPH0729829A (en) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | Method and system for dc discharge plasma processing |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729829A true JPH0729829A (en) | 1995-01-31 |
Family
ID=15591202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15475593A Withdrawn JPH0729829A (en) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | Method and system for dc discharge plasma processing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729829A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100601993B1 (en) * | 2005-02-17 | 2006-07-18 | 삼성전자주식회사 | Method and apparatus for fabricating an emitter using arc |
| JP2010212731A (en) * | 2010-06-01 | 2010-09-24 | Hitachi High-Technologies Corp | Plasma processing method |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP15475593A patent/JPH0729829A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100601993B1 (en) * | 2005-02-17 | 2006-07-18 | 삼성전자주식회사 | Method and apparatus for fabricating an emitter using arc |
| JP2010212731A (en) * | 2010-06-01 | 2010-09-24 | Hitachi High-Technologies Corp | Plasma processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5211825A (en) | Plasma processing apparatus and the method of the same | |
| US6499427B1 (en) | Plasma CVD apparatus | |
| US5556474A (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP4592867B2 (en) | Parallel plate type plasma CVD apparatus and dry cleaning method | |
| KR100855597B1 (en) | Sulfur hexafluoride remote plasma source clean | |
| JPH08288267A (en) | Upper case electrode to operate parallel electrode etching | |
| TW200823977A (en) | Plasma doping method and plasma doping apparatus | |
| TW307027B (en) | Process for reducing circuit damage during pecvd in single wafer pecvd system | |
| TW201812902A (en) | Method for processing member to be processed | |
| JP2000068227A (en) | Method for processing surface and device thereof | |
| JP3227949B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| US20220139719A1 (en) | Etching method and plasma processing apparatus | |
| JPH0729829A (en) | Method and system for dc discharge plasma processing | |
| JP3301152B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP3261795B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP3282326B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| JP2000269202A (en) | Plasma treatment method and apparatus | |
| JP3225695B2 (en) | DC discharge type plasma processing method and apparatus | |
| JP2669249B2 (en) | Plasma processing apparatus and method for cleaning the apparatus | |
| JP3116390B2 (en) | Semiconductor processing apparatus and semiconductor processing method | |
| JPH07110996B2 (en) | Plasma CVD equipment | |
| JP2900546B2 (en) | Liquid crystal alignment processing equipment | |
| JPH0547713A (en) | Apparatus for plasma processing | |
| JPH06101458B2 (en) | Plasma vapor deposition equipment | |
| JPS619577A (en) | Plasma chemical vapor phase growing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |