JPH07297210A - Manufacture of semiconductor element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、Ａｕ，Ａｇなどの低硬
度の金属箔上に形成されるガンダイオードなどの半導体
素子の製造方法に関し、特に個々のチップに分割後の素
子の配置方法を改善した半導体素子の製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor element such as a Gunn diode formed on a metal foil having a low hardness such as Au and Ag, and more particularly to a method for arranging the element after being divided into individual chips. The present invention relates to an improved method for manufacturing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、マイクロ波帯以上の高周波デ
バイスに用いられ、良好な放熱性が得られる構成として
ＰＨＳ（Ｐｌａｔｅｄ Ｈｅａｔ Ｓｉｎｋ）構造が知
られている。このＰＨＳ構造を用いたガンダイオード
は、例えば以下のように作製される。2. Description of the Related Art Conventionally, a PHS (Plated Heat Sink) structure has been known as a structure which is used in a high frequency device in the microwave band or higher and which can obtain good heat dissipation. A Gunn diode using this PHS structure is manufactured as follows, for example.
【０００３】図７（ａ）〜（ｃ）は、従来のガンダイオ
ードの製造方法を示す工程図である。7A to 7C are process diagrams showing a conventional method for manufacturing a Gunn diode.
【０００４】まず、図７（ａ）に示すように、ＧａＡ
ｓ、ＩｎＰなどからなる基板１１１の表主面上に活性層
とそれを挟む高濃度不純物層とからなる厚さ１０μｍ程
度の動作層１１２をエピタキシャル成長する。First, as shown in FIG.
On the front main surface of the substrate 111 made of s, InP or the like, an active layer 112 having a thickness of about 10 μm and made of an active layer and a high concentration impurity layer sandwiching the active layer is epitaxially grown.
【０００５】さらに、各素子部分の境界領域に格子状の
溝である凹部１１３を設け、基板１１１の表主面上全面
にＡｕＧｅ／Ｔｉ／Ｐｔ／メッキＡｕを順次積層し、金
属箔１１４を形成する。メッキＡｕ層は３０μｍ以上の
厚さとし、動作層１１２からの放熱を有利にする。Further, recesses 113, which are grid-like grooves, are provided in the boundary regions of the respective element parts, and AuGe / Ti / Pt / plated Au are sequentially laminated on the entire front main surface of the substrate 111 to form a metal foil 114. To do. The plated Au layer has a thickness of 30 μm or more to facilitate heat dissipation from the operating layer 112.
【０００６】次に、図７（ｂ）に示すように，低硬度の
金属箔１１４側を保持板１１５にワックスなどにより固
定した後、基板１１１の裏主面側から凹部１１３が露出
するまで削ることで、ほぼ動作層１１２の厚みとする。Next, as shown in FIG. 7B, the metal foil 114 side having a low hardness is fixed to the holding plate 115 with wax or the like, and then ground from the back main surface side of the substrate 111 until the recess 113 is exposed. Thus, the thickness of the operating layer 112 is almost the same.
【０００７】その後、図７（ｃ）に示すように、目的と
する素子形状に対応した（例えば直径８０μｍの円形
の）電極１１６を基板１１１の削られた裏主面上に形成
し、電極１１６が形成されていない動作層１１２部分を
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などの異方性エッチ
ングにより除去し、メサ状の素子部１１７を形成する。After that, as shown in FIG. 7C, an electrode 116 (for example, a circular shape having a diameter of 80 μm) corresponding to the intended element shape is formed on the scraped back main surface of the substrate 111, and the electrode 116 is formed. The portion of the operating layer 112 where no is formed is removed by anisotropic etching such as RIE (reactive ion etching) to form a mesa-shaped element portion 117.
【０００８】そして、ダイシングソーやエッチングによ
り金属箔１１４を１ｍｍ以下に切断して各素子に分割し
ている。Then, the metal foil 114 is cut into 1 mm or less by a dicing saw or etching to divide each element.
【０００９】また、このような製造方法のほかに、予め
金属箔１１４を個々の素子毎に分離した状態に施してお
き、基板１１１の加工（削る）を完了した時点で、個々
の素子を持つ分割された金属箔１１４を作製するような
方法も行われている。In addition to the above manufacturing method, the metal foil 114 is previously provided in a state of being separated for each element, and when the processing (cutting) of the substrate 111 is completed, each element is held. A method for producing the divided metal foil 114 is also performed.
【００１０】個々の素子に分割後は、電極１１６にダイ
ボンディングを行い、各素子のパッケージングを行う。After dividing into individual elements, the electrodes 116 are die-bonded to package each element.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
半導体素子の製造方法では、１チップ毎に分割された各
素子を効率的に配列させることが困難であるという問題
があった。However, the above-described method for manufacturing a semiconductor device has a problem that it is difficult to efficiently arrange the devices divided into chips.
【００１２】すなわち、上述した切断等による素子の分
割には、金属箔１１４をワックスなどで保持板１１５に
固定して行うため、分割後は該ワックスを洗浄により除
去して金属箔１１４の熱伝導性を良好にしておく必要が
ある。That is, since the metal foil 114 is fixed to the holding plate 115 with wax or the like to divide the element by the above-mentioned cutting or the like, after the division, the wax is removed by washing to conduct heat to the metal foil 114. It is necessary to keep good.
【００１３】その際、分離された各素子を１個ずつ洗浄
するのは、多大な時間を要する。他方、多数の分離素子
を同時に洗浄する場合には、その後の素子の配列が極め
て難しくなる。このような場合には素子の配列に際し、
低硬度の金属箔１１４が変形したり、キズが付いたりし
て、その後のダイボンディング工程が困難となり、製品
の歩留まりが低下する。At this time, it takes a lot of time to wash each separated element one by one. On the other hand, when cleaning a large number of separation elements at the same time, the subsequent arrangement of the elements becomes extremely difficult. In such a case, when arranging the elements,
The low-hardness metal foil 114 may be deformed or scratched, making the subsequent die bonding process difficult and reducing the product yield.
【００１４】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、半導体素子が
形成された低硬度の金属箔を効率的に配列し得る半導体
素子の製造方法を提供することである。またその他の目
的は、製品の歩留まりを向上させることが可能な半導体
素子の製造方法を提供することである。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to manufacture a semiconductor element capable of efficiently arranging a low-hardness metal foil on which a semiconductor element is formed. Is to provide a method. Another object is to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of improving the yield of products.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の特徴は、低硬度の金属から成る金属箔の一
面上に半導体素子部を形成し、その金属箔を溶媒中に分
散し、前記溶媒を吸引する吸引手段を有する吸着面に前
記金属箔を吸着して配置することにある。In order to achieve the above object, a feature of the present invention is that a semiconductor element portion is formed on one surface of a metal foil made of a metal having a low hardness, and the metal foil is dispersed in a solvent. Then, the metal foil is adsorbed and arranged on an adsorption surface having a suction means for sucking the solvent.
【００１６】また、望ましくは、前記金属箔は、Ａｕを
含んだものであって、大きさを１ｍｍ以下とする。Preferably, the metal foil contains Au and has a size of 1 mm or less.
【００１７】望ましくは、前記半導体素子部は、前記金
属箔と同程度以下の大きさで形成する。Preferably, the semiconductor element portion is formed in a size equal to or smaller than that of the metal foil.
【００１８】望ましくは、前記溶媒により、前記半導体
素子部が形成された金属箔の最終洗浄を行う。Preferably, the solvent is used for final cleaning of the metal foil having the semiconductor element portion formed thereon.
【００１９】望ましくは、前記半導体素子部が形成され
た金属箔を非機械的手法により溶媒中に分散する。Desirably, the metal foil on which the semiconductor element portion is formed is dispersed in a solvent by a non-mechanical method.
【００２０】望ましくは、前記吸着面は、前記金属箔よ
りも若干の大きい面積の枠領域で区切る。Preferably, the suction surface is divided by a frame area having a slightly larger area than the metal foil.
【００２１】望ましくは、前記吸着面は、前記溶媒中に
分散した金属箔の動方向とは異なる方向に向ける。Preferably, the adsorption surface is oriented in a direction different from the moving direction of the metal foil dispersed in the solvent.
【００２２】望ましくは、前記吸引手段は、前記吸着面
に設けられた吸引孔を通して前記溶媒を吸引する。Preferably, the suction means sucks the solvent through a suction hole provided on the suction surface.
【００２３】望ましくは、前記金属箔の配置は、前記吸
着面に吸着された金属箔を１つずつピックアップ、又は
多数個を同時にピックアップする治具を用いて行う。Preferably, the metal foils are arranged by using a jig for picking up the metal foils adsorbed on the adsorbing surface one by one, or for picking up a large number of metal foils at the same time.
【００２４】[0024]
【作用】上述の如き半導体素子の製造方法によれば、溶
媒中に分散された半導体素子部を有する低硬度の金属箔
を、吸引手段による溶媒吸引時に吸着面に吸着し、配置
するので、分割された各素子を自動的に配列させること
ができる。According to the method for manufacturing a semiconductor element as described above, since the low hardness metal foil having the semiconductor element portion dispersed in the solvent is adsorbed and arranged on the adsorption surface when the solvent is sucked by the suction means, it is divided. Each of the formed elements can be automatically arranged.
【００２５】上述の半導体素子の製造方法において、前
記金属箔はＡｕを含んだものであって、大きさが１ｍｍ
以下である場合は、金属箔が熱伝導性に優れたものとな
ると共に、作業者の視覚により配置するのが困難な金属
箔であっても自動的に配置することができる。In the method for manufacturing a semiconductor device described above, the metal foil contains Au and has a size of 1 mm.
In the following cases, the metal foil has excellent thermal conductivity, and even if it is difficult for the operator to visually arrange the metal foil, the metal foil can be automatically arranged.
【００２６】上述の半導体素子の製造方法において、前
記半導体素子部を、前記金属箔と同程度以下の大きさで
形成する場合は、機械的に弱い金属箔であっても自動的
に配置することができる。In the method of manufacturing a semiconductor element described above, when the semiconductor element portion is formed to have a size equal to or smaller than that of the metal foil, even if the metal foil is mechanically weak, it is automatically arranged. You can
【００２７】上述の半導体素子の製造方法において、前
記溶媒により、前記半導体素子部が形成された金属箔の
最終洗浄を行うことにより、洗浄の回数を減らすことが
できる。In the above-described method for manufacturing a semiconductor device, the number of cleanings can be reduced by performing the final cleaning of the metal foil on which the semiconductor device portion is formed with the solvent.
【００２８】上述の半導体素子の製造方法において、前
記金属箔を非機械的手法により溶媒中に分散することに
より、この分散時において半導体素子及び金属箔にキズ
が付きにくくなる。In the above-described method for manufacturing a semiconductor element, by dispersing the metal foil in a solvent by a non-mechanical method, the semiconductor element and the metal foil are less likely to be damaged during the dispersion.
【００２９】上述の半導体素子の製造方法において、前
記吸着面を金属箔よりも若干の大きい面積の枠領域で区
切ることにより、１個の吸着面に１つの半導体素子が確
実に吸着される。In the method for manufacturing a semiconductor element described above, one semiconductor element is surely adsorbed to one adsorption surface by dividing the adsorption surface by a frame region having an area slightly larger than that of the metal foil.
【００３０】上述の半導体素子の製造方法において、前
記吸着面を溶媒中に分散した金属箔の動方向とは異なる
方向に向けることにより、１個の吸着面に複数の半導体
素子が重って吸着されることを防ぐことができる。In the above-described method for manufacturing a semiconductor element, by directing the adsorption surface in a direction different from the moving direction of the metal foil dispersed in the solvent, a plurality of semiconductor elements overlap each other on the adsorption surface and are adsorbed. Can be prevented.
【００３１】上述の半導体素子の製造方法において、吸
引手段が、前記吸着面に設けられた吸引孔を通して前記
溶媒を吸引することにより、金属箔を吸着面に簡易かつ
的確に吸着することができる。In the above-mentioned method for manufacturing a semiconductor element, the suction means sucks the solvent through the suction holes provided on the suction surface, whereby the metal foil can be easily and accurately suctioned on the suction surface.
【００３２】上述の半導体素子の製造方法において、前
記金属箔の配置は、吸着面に吸着された金属箔を１つず
つピックアップ、又は多数個を同時にピックアップする
治具を用いて行うことにより、金属箔を簡易且つ正確に
配置することができる。In the method of manufacturing a semiconductor element described above, the metal foils are arranged by picking up the metal foils adsorbed on the adsorption surface one by one or by using a jig for simultaneously picking up a large number of metal foils. The foil can be arranged easily and accurately.
【００３３】[0033]
【実施例】本発明の第１実施例であるガンダイオードの
製造方法を図１〜図５を用いて説明する。EXAMPLE A method of manufacturing a Gunn diode according to a first example of the present invention will be described with reference to FIGS.
【００３４】図１（ａ）〜（ｄ）は、本実施例における
素子部の作製を示す工程図である。FIGS. 1A to 1D are process drawings showing the fabrication of the element portion in this embodiment.
【００３５】図１（ａ）に示すように、ＩｎＰからなる
基板１の表主面上に活性層とそれをはさむ高濃度不純物
層とから成る厚さ１０μｍ程度の動作層２をＭＯＣＶＤ
（有機金属化学気相成長）法によりエピタキシャル成長
する。As shown in FIG. 1A, an operating layer 2 having a thickness of about 10 μm composed of an active layer and a high-concentration impurity layer sandwiching the active layer is formed on the front main surface of a substrate 1 of InP by MOCVD.
Epitaxial growth is performed by the (metalorganic chemical vapor deposition) method.
【００３６】各素子部分の境界領域を２０μｍの幅で開
口した第１のマスク（図示せず）を設け、開口部分をウ
ェットエッチングすることにより、格子状の深さ約１０
μｍのＶ字型の溝である凹部３（グリッド部）を１５０
μｍ間隔で設ける。A first mask (not shown) having an opening of 20 μm in the boundary region of each element portion is provided, and the opening portion is wet-etched to form a lattice-shaped depth of about 10 μm.
The concave portion 3 (grid portion) which is a V-shaped groove of μm is 150
Provide at intervals of μm.
【００３７】さらに、この凹部３上に厚さ約３０μｍの
電解めっきＡｕ層よりなる保持層４を設ける。Further, a holding layer 4 made of an electroplated Au layer having a thickness of about 30 μm is provided on the recess 3.
【００３８】第１のマスクを除去した後、動作層２上の
素子部に対応した領域に直径１２０μｍの円形の開口を
有する第２のマスクを設け、図１（ｂ）に示すように、
開口部に、ＡｕＧｅ／Ｔｉ／Ｐｔ／電解めっきＡｕを順
次積層し、下部電極となる金属箔５（厚さ：１０〜３０
μｍ、直径：１２０μｍ程度）を形成する。図２にその
平面図を示すように保持層４と金属箔５とは連続してお
らず、それぞれ独立している。After removing the first mask, a second mask having a circular opening with a diameter of 120 μm is provided in a region corresponding to the element portion on the operation layer 2, and as shown in FIG.
AuGe / Ti / Pt / electrolytic plating Au is sequentially laminated in the opening to form a metal foil 5 (thickness: 10 to 30) serving as a lower electrode.
μm, diameter: about 120 μm). As shown in the plan view of FIG. 2, the holding layer 4 and the metal foil 5 are not continuous but independent of each other.
【００３９】次に、図１（ｃ）に示すように、金属箔５
側を石英ガラス平板から成る支持板６に接着用ワックス
７により固定した後、基板１の裏主面側から凹部３底部
の保持層４が露出するまでアルミナ研粒を用いて研磨す
ることで、ほぼと動作層２の厚みとする。Next, as shown in FIG. 1C, the metal foil 5
After the side is fixed to the supporting plate 6 made of a quartz glass flat plate with the adhesive wax 7, by polishing from the back main surface side of the substrate 1 using the alumina graining until the holding layer 4 at the bottom of the recess 3 is exposed, Almost the same as the thickness of the operating layer 2.
【００４０】そして、ＡｕＧｅ／Ｔｉ／Ｐｔ／電解めっ
きＡｕを順次積層した多層金属箔からなり、目的とする
素子形状に対応した直径５０μｍの円形の電極８を研磨
された基板１ａ上に形成する。電極５が形成されていな
い動作層２部分をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）に
よる異方性エッチングにより除去する。Then, a circular electrode 8 having a diameter of 50 μm and having a diameter of 50 μm, which is composed of a multilayer metal foil in which AuGe / Ti / Pt / electrolytic plating Au is sequentially laminated, is formed on the polished substrate 1a. The portion of the operating layer 2 where the electrode 5 is not formed is removed by anisotropic etching by RIE (reactive ion etching).
【００４１】これにより、図１（ｄ）に示すように、電
極８領域以外の動作層２の部分は全て除去されて、凹部
３に設けられた保持層４は分離され、各素子部９は各独
立した金属箔５を介して，整列された状態で支持板６上
に分離される。As a result, as shown in FIG. 1D, all portions of the operating layer 2 other than the electrode 8 region are removed, the holding layer 4 provided in the recess 3 is separated, and each element portion 9 is separated. It is separated on the support plate 6 in an aligned state through each independent metal foil 5.
【００４２】このようにして、支持板６上の各素子部９
を作製した後、この状態の各素子部９を、図３に示すよ
うに、容器１１に満たされたアセトンなどの溶媒浴１２
に浸漬して接着用ワックス７を溶解し、洗浄を行う。In this way, each element portion 9 on the support plate 6 is
Then, each element part 9 in this state is placed in a solvent bath 12 of acetone or the like filled in a container 11 as shown in FIG.
The adhesive wax 7 is dissolved by immersing in, and washed.
【００４３】そして、接着用ワックス７の洗浄後におい
て、容器１１の底部側面側に設けられたガス吹き込み口
１３より、溶媒浴１２中へ不活性気体（窒素や空気な
ど）を吹き込み、溶媒浴１２のバブリングを行う。容器
１２の下部全面には多孔質のガラス板１４が設けられて
おり、不活性気体の吹き込みにより溶媒浴１２が均一に
バブリングされ、素子部９が溶媒浴１２中に程良く分散
される。After the adhesive wax 7 is washed, an inert gas (such as nitrogen or air) is blown into the solvent bath 12 through the gas blowing port 13 provided on the bottom side surface of the container 11 to wash the solvent bath 12. Bubbling. A porous glass plate 14 is provided on the entire lower surface of the container 12, the solvent bath 12 is uniformly bubbled by blowing an inert gas, and the element portion 9 is dispersed in the solvent bath 12 appropriately.
【００４４】この時、溶媒浴１２中に浮遊する各素子部
９を整列回収するための吸着装置１５を、その吸着体１
５ａの吸着面が下向きになるように（つまりバブリング
による素子部９の動方向とは逆方向に向くように）、溶
媒浴１２中に挿入する。At this time, the adsorption device 15 for aligning and collecting the respective element parts 9 floating in the solvent bath 12 is used as the adsorbent 1.
5a is inserted into the solvent bath 12 so that the adsorption surface thereof faces downward (that is, in the direction opposite to the moving direction of the element portion 9 by bubbling).
【００４５】吸着装置１５は、図４に示すような吸着体
１５ａを備えており、その吸着体１５ａの吸着面は、金
属箔５よりも若干の大きい面積の円形領域（例えば直
径：３００μｍ）に枠１５ｂ（例えば高さＺ１：１００
〜２００μｍ）によって複数のに区切られている。そし
て、吸着体１５の各吸着面のほぼ中央には、吸引孔１５
ｃ（口径：前記円形領域の１０〜４０％）がそれぞれ１
個ずつ穿設され、該吸引孔１５ｃが図示しないアスピレ
ータ等の真空装置に連結された吸引管１６に連通されて
いる。The adsorption device 15 is provided with an adsorption member 15a as shown in FIG. 4, and the adsorption surface of the adsorption member 15a is a circular area (for example, diameter: 300 μm) having a slightly larger area than the metal foil 5. Frame 15b (for example, height Z1: 100
.About.200 .mu.m). Then, the suction holes 15 are provided at the substantially center of each suction surface of the suction member 15.
c (caliber: 10-40% of the circular area) is 1 each
The suction holes 15c are provided one by one, and the suction holes 15c are connected to a suction pipe 16 connected to a vacuum device such as an aspirator (not shown).
【００４６】そして、前述のバブリングを開始すると同
時に、真空装置を作動して吸着装置１５の吸引孔１５ｃ
を通して容器１１中の溶媒１２の吸引も始める。これに
よって、溶媒浴１２中に分散して浮遊している各素子部
９は、図５に示すように吸着体１５ａの各吸着面に１個
ずつ整列状態で吸着される。即ち、一旦１個の素子部９
を吸着させた吸着面は、その素子部９によって吸引孔１
５ｃが塞がれるため、それ以上の素子部９を吸着させな
い。なお、吸引された溶媒は、再び容器１１に戻され
る。At the same time when the above-mentioned bubbling is started, the vacuum device is operated to operate the suction hole 15c of the adsorption device 15.
The suction of the solvent 12 in the container 11 is also started. As a result, the element portions 9 dispersed and floating in the solvent bath 12 are adsorbed one by one on each adsorption surface of the adsorbent 15a in an aligned state, as shown in FIG. That is, once one element unit 9
The suction surface on which the
Since 5c is blocked, no more element portion 9 is adsorbed. The sucked solvent is returned to the container 11 again.
【００４７】そして、吸着体１５ａの全ての吸着面に素
子部９を吸着させた段階で、その吸着状態を保ったまま
吸着装置１５を溶媒浴１２から取り出し、溶媒で洗浄す
る。その後、前記吸着体１５ａを吸着装置１５から取り
外し、１枠に１個の素子部９が入ったままの状態で次工
程のアセンブリ工程に渡し、各素子部９を自動的にピッ
クアップしてボンディングする。Then, when the element portion 9 is adsorbed on all the adsorbing surfaces of the adsorbent 15a, the adsorbing device 15 is taken out of the solvent bath 12 while maintaining the adsorbed state and washed with a solvent. After that, the adsorbent 15a is removed from the adsorbing device 15, and is transferred to the assembly step of the next step with one element part 9 left in one frame, and each element part 9 is automatically picked up and bonded. .
【００４８】なお、この素子部９を吸着体１５ａから自
動的にピックアップするには、例えば１ずつピックアッ
プする治具、あるいは多数を同時にピックアップする治
具を用いて行う。The element unit 9 is automatically picked up from the adsorbent 15a by using, for example, a jig for picking up one by one, or a jig for picking up a large number at the same time.
【００４９】図６は、本発明の第２実施例に係るガンダ
イオードの製造方法を説明するための図であり、図３に
対応するものである。なお、上記第１実施例と共通する
要素には同一の符号が付されている。FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing a Gunn diode according to the second embodiment of the present invention, and corresponds to FIG. The same reference numerals are given to elements common to the first embodiment.
【００５０】本実施例は、上記第１実施例のガンダイオ
ードの製造方法において、吸着装置１５を溶媒浴１２中
に挿入する際に、吸着面１５ａが容器１１の側面側に向
くようにしたものである。In this embodiment, in the method for manufacturing the Gunn diode of the first embodiment, when the adsorption device 15 is inserted into the solvent bath 12, the adsorption surface 15a is directed to the side surface side of the container 11. Is.
【００５１】このように吸着装置１５を容器１１の側面
側に向くように挿入しても、上記第１実施例と同様の作
用効果が得られる。Even when the suction device 15 is inserted so as to face the side surface of the container 11 as described above, the same operational effect as that of the first embodiment can be obtained.
【００５２】なお、本発明は上記実施例に限定させず種
々の変形が可能である。その変形例としては、例えば次
のようなものがある。The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. The following are examples of such modifications.
【００５３】（１）上記実施例では、溶媒浴１２中の各
素子部９を分散させるためにバブリング法を用いたが、
超音波振動を与えて各素子部９を溶媒により洗浄するこ
とにより、同時に各素子部９を溶媒１２中に分散させる
ようにしてもよい。さらに、撹拌棒などにより機械的に
溶媒１２を撹拌して分散させることも可能であるが、こ
の場合各素子部９を破損することがあるので、バブリン
グ，超音波振動等の非機械的手法により分散することが
望ましい。(1) In the above embodiment, the bubbling method is used to disperse each element part 9 in the solvent bath 12, but
The element parts 9 may be dispersed in the solvent 12 at the same time by applying ultrasonic vibration to wash each element part 9 with the solvent. Further, it is possible to mechanically stir and disperse the solvent 12 with a stir bar or the like, but in this case, since each element part 9 may be damaged, a non-mechanical method such as bubbling or ultrasonic vibration may be used. It is desirable to disperse.
【００５４】（２）上記実施例では、支持板６上に各素
子部９を作製した後、この状態の各素子部９を溶媒浴１
２に浸漬して洗浄し、その後、吸着体１５ａの全ての吸
着面に素子部９を吸着させた段階で、その吸着状態を保
ったまま吸着装置１５を溶媒浴１２から取り出し、再び
溶媒で洗浄しているが、溶媒浴１２での洗浄を最終洗浄
としてもよい。従って、この溶媒１２は洗浄剤であって
もよい。(2) In the above-mentioned embodiment, after each element part 9 was prepared on the support plate 6, each element part 9 in this state was placed in the solvent bath 1.
2 and then wash, and then at the stage where the element part 9 is adsorbed on all the adsorbing surfaces of the adsorbent 15a, the adsorbing device 15 is taken out of the solvent bath 12 while maintaining the adsorbed state, and washed again with the solvent. However, the cleaning with the solvent bath 12 may be the final cleaning. Therefore, the solvent 12 may be a cleaning agent.
【００５５】（３）上記実施例では、各吸着面に吸引孔
１５ｃを１個ずつ設けたが、多数の吸引孔１５ｃを設け
て、多孔質の吸引としてもよい。(3) In the above-mentioned embodiment, one suction hole 15c is provided on each suction surface, but a large number of suction holes 15c may be provided for porous suction.
【００５６】[0056]
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、低硬度の金属から成る金属箔の一面上に半導体素子
部を形成し、その金属箔を溶媒中に分散し、前記溶媒を
吸引する吸引手段を有する吸着面に前記金属箔を吸着し
て配置するので、各素子を効率的に配列させることが可
能となる。これにより、製品の歩留まりを向上させるこ
とが可能となるとなると共に、製造時間の短縮化も図る
ことができる。As described in detail above, according to the present invention, a semiconductor element portion is formed on one surface of a metal foil made of a metal having a low hardness, the metal foil is dispersed in a solvent, and the solvent is added. Since the metal foil is adsorbed and arranged on the adsorbing surface having the adsorbing means for adsorbing, the respective elements can be efficiently arranged. This makes it possible to improve the yield of products and reduce the manufacturing time.
【００５７】前記金属箔はＡｕを含んだものであって、
大きさを１ｍｍ以下とすることにより、金属箔は信頼性
が向上する共に、作業者の視覚により配置するのが困難
な金属箔であっても自動的に配置することができる。The metal foil contains Au,
By setting the size to 1 mm or less, the reliability of the metal foil is improved, and even if it is difficult for the operator to visually arrange the metal foil, the metal foil can be automatically arranged.
【００５８】前記半導体素子部を、前記金属箔と同程度
以下の大きさで形成することにより、機械的に弱い金属
箔であっても自動的に配置することができる。By forming the semiconductor element portion in a size equal to or smaller than that of the metal foil, even a mechanically weak metal foil can be automatically arranged.
【００５９】前記溶媒により、前記半導体素子部が形成
された金属箔の最終洗浄を行うことにより、洗浄の回数
を減らすことが可能となる。By performing the final washing of the metal foil on which the semiconductor element portion is formed with the solvent, it is possible to reduce the number of washings.
【００６０】前記金属箔を非機械的手法により溶媒中に
分散することにより、この分散時において半導体素子及
び金属箔にキズが付きにくくなる。By dispersing the metal foil in the solvent by a non-mechanical method, the semiconductor element and the metal foil are less likely to be damaged during the dispersion.
【００６１】吸着面を金属箔よりも若干の大きい面積の
枠領域で区切ることにより、１個の吸着面に１つの半導
体素子が確実に吸着される。By partitioning the adsorption surface with a frame region having a slightly larger area than the metal foil, one semiconductor element is reliably adsorbed on one adsorption surface.
【００６２】吸着面を溶媒中に分散した金属箔の動方向
とは異なる方向に向けることにより、１個の吸着面に複
数の半導体素子が重って吸着されることを防ぐことがで
きる。By orienting the adsorption surface in a direction different from the moving direction of the metal foil dispersed in the solvent, it is possible to prevent a plurality of semiconductor elements from being adsorbed on one adsorption surface in an overlapping manner.
【００６３】吸引手段が、前記吸着面に設けられた吸引
孔を通して前記溶媒を吸引することにより、金属箔を吸
着面に簡易かつ的確に吸着することができる。The suction means sucks the solvent through the suction holes provided on the suction surface, so that the metal foil can be easily and accurately suctioned on the suction surface.
【００６４】金属箔の配置は、吸着面に吸着された金属
箔を１つずつピックアップ、又は多数個を同時にピック
アップする治具を用いて行うことにより、金属箔を簡易
且つ正確に配置することができる。The metal foils can be arranged easily and accurately by picking up the metal foils adsorbed on the adsorption surface one by one or by using a jig for picking up a large number of metal foils at the same time. it can.
【図１】第１実施例における素子部の作製を示す工程図
である。FIG. 1 is a process drawing showing the production of an element portion in a first embodiment.
【図２】第１実施例における保持層と金属箔との配置を
示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an arrangement of a holding layer and a metal foil in the first embodiment.
【図３】第１実施例における素子部の分散工程を説明す
るための模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a dispersion process of element portions in the first embodiment.
【図４】吸着体の構造を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a structure of an adsorbent.
【図５】素子部の吸着状態を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a suction state of an element portion.
【図６】第２実施例の素子部の分散工程を説明するため
の模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a dispersion process of the element portion of the second embodiment.
【図７】従来のガンダイオードの製造方法を示す工程図
である。FIG. 7 is a process chart showing a method of manufacturing a conventional Gunn diode.
１ 基板 ２ 動作層 ４ 保持層 ５ 金属箔 ６ 支持板 ７ ワックス ８ 電極 ９ 素子部 １１ 容器 １２ 溶媒浴 １５ 吸着装置 １５ｃ 吸引孔 １５ｂ 枠 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Operation layer 4 Holding layer 5 Metal foil 6 Support plate 7 Wax 8 Electrode 9 Element part 11 Container 12 Solvent bath 15 Adsorption device 15c Suction hole 15b Frame
Claims (4)
半導体素子部を形成し、 その金属箔を溶媒中に分散し、 前記溶媒を吸引する吸引手段を有する吸着面に前記金属
箔を吸着して配置することを特徴とする半導体素子の製
造方法。1. A semiconductor element portion is formed on one surface of a metal foil made of a metal having a low hardness, the metal foil is dispersed in a solvent, and the metal foil is attached to an adsorption surface having suction means for sucking the solvent. A method for manufacturing a semiconductor element, which comprises adsorbing and arranging.
度以下の大きさで形成されたことを特徴とするで請求項
１記載の半導体素子の製造方法。2. The method of manufacturing a semiconductor element according to claim 1, wherein the semiconductor element portion is formed to have a size equal to or smaller than that of the metal foil.
成された金属箔の洗浄を行うことを特徴とする請求項１
又は２記載の半導体素子の製造方法。3. The metal foil having the semiconductor element portion formed thereon is washed with the solvent.
Alternatively, the method for manufacturing a semiconductor device according to the item 2.
大きい面積の枠領域で区切られていることを特徴とする
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体素子の製造方
法。4. The method for manufacturing a semiconductor element according to claim 1, wherein the suction surface is partitioned by a frame region having an area slightly larger than that of the metal foil.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6091882A JPH07297210A (en) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | Manufacture of semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6091882A JPH07297210A (en) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | Manufacture of semiconductor element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297210A true JPH07297210A (en) | 1995-11-10 |
Family
ID=14038939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6091882A Pending JPH07297210A (en) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | Manufacture of semiconductor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07297210A (en) |
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-
1994
- 1994-04-28 JP JP6091882A patent/JPH07297210A/en active Pending
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