JPH07296336A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH07296336A JPH07296336A JP9153794A JP9153794A JPH07296336A JP H07296336 A JPH07296336 A JP H07296336A JP 9153794 A JP9153794 A JP 9153794A JP 9153794 A JP9153794 A JP 9153794A JP H07296336 A JPH07296336 A JP H07296336A
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- magnetic shield
- shield core
- head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 下層磁気シールドコアの磁区構造の乱れを防
止し、再生信号の品質や短波長再生特性が良好で情報記
録信号を正確に読み出せる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
生産性良好に製造する。 【構成】 基板上に下層磁気シールドコアを形成し、上
記下層磁気シールドコアの加熱処理を行った後、加熱処
理によって該下層磁気シールドコアの表面に形成された
酸化膜を除去し、上記下層磁気シールドコア上に絶縁膜
を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さらに上記磁気抵
抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シールドコアを
形成する。なお、このとき、下層磁気シールドコアがセ
ンダストよりなっても良い。さらに、下層磁気シールド
コアを形成する際の膜厚を下層磁気シールドコアの所定
の膜厚よりも厚くし、酸化膜を除去することにより、該
下層磁気シールドコアを所定の膜厚としても良い。
止し、再生信号の品質や短波長再生特性が良好で情報記
録信号を正確に読み出せる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
生産性良好に製造する。 【構成】 基板上に下層磁気シールドコアを形成し、上
記下層磁気シールドコアの加熱処理を行った後、加熱処
理によって該下層磁気シールドコアの表面に形成された
酸化膜を除去し、上記下層磁気シールドコア上に絶縁膜
を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さらに上記磁気抵
抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シールドコアを
形成する。なお、このとき、下層磁気シールドコアがセ
ンダストよりなっても良い。さらに、下層磁気シールド
コアを形成する際の膜厚を下層磁気シールドコアの所定
の膜厚よりも厚くし、酸化膜を除去することにより、該
下層磁気シールドコアを所定の膜厚としても良い。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
の情報記録信号を読み出すのに好適な磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法に関する。
の情報記録信号を読み出すのに好適な磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、ハードディスク駆動装置等に搭
載される再生専用の磁気ヘッドとしては、短波長感度に
優れることから磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、MR
ヘッドと称する。)が一般的に使用されている。
載される再生専用の磁気ヘッドとしては、短波長感度に
優れることから磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、MR
ヘッドと称する。)が一般的に使用されている。
【0003】上記MRヘッドは、例えば先端部と後端部
にそれぞれ電極を積層した磁気抵抗効果薄膜よりなる磁
気抵抗効果感磁部(以下、MR感磁部と称する。)と、
このMR感磁部に所要の向きの磁化状態を与えるバイア
ス導体とを有して構成されている。
にそれぞれ電極を積層した磁気抵抗効果薄膜よりなる磁
気抵抗効果感磁部(以下、MR感磁部と称する。)と、
このMR感磁部に所要の向きの磁化状態を与えるバイア
ス導体とを有して構成されている。
【0004】かかるMRヘッドは、例えばAl2 O3 −
TiC等よりなるスライダと称される基板上に、所定間
隔を持って相対向して積層配置された一対の磁気シール
ドコア間に設けられ、MRヘッドと一対の磁気シールド
コア間にそれぞれ形成される再生用磁気ギャップをハー
ドディスクとの対接面,すなわちABS(エア・ベアリ
ング・サーフェス)面に臨むようにして設けられてい
る。
TiC等よりなるスライダと称される基板上に、所定間
隔を持って相対向して積層配置された一対の磁気シール
ドコア間に設けられ、MRヘッドと一対の磁気シールド
コア間にそれぞれ形成される再生用磁気ギャップをハー
ドディスクとの対接面,すなわちABS(エア・ベアリ
ング・サーフェス)面に臨むようにして設けられてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記一対の
磁気シールドコアのうち、基板側に配される磁気シール
ドコア、いわゆる下層磁気シールドコアを構成する磁性
材料としては、磁気特性上センダストが有効である。セ
ンダストを使用した場合には、ヘッドとして必要な磁気
特性を得るために、つまりセンダストの磁気特性を安定
化させるべく、520℃の雰囲気中で1時間の加熱処理
(以下、アニールと称する。)を行う必要がある。
磁気シールドコアのうち、基板側に配される磁気シール
ドコア、いわゆる下層磁気シールドコアを構成する磁性
材料としては、磁気特性上センダストが有効である。セ
ンダストを使用した場合には、ヘッドとして必要な磁気
特性を得るために、つまりセンダストの磁気特性を安定
化させるべく、520℃の雰囲気中で1時間の加熱処理
(以下、アニールと称する。)を行う必要がある。
【0006】ところが、センダストよりなる下層磁気シ
ールドコアのアニールを大気中で行うと、該下層磁気シ
ールドコアの表面が酸化膜となり、酸化された部分の磁
気特性が劣化してしまう。そのため、下層磁気シールド
コアの磁区構造が乱れ、下層磁気シールドコアの磁区構
造に影響を受けるMR感磁部の磁区構造が乱れ、バルク
ハウゼンノイズが発生する。 また、下層磁気シールド
コアのうち酸化膜となってしまった部分が磁気シールド
コアとして機能しなくなるために、MRヘッドと下層磁
気シールドコア間に形成される再生用磁気ギャップの実
効ギャップ長が広がるといった不都合が生じる。この結
果、再生信号の品質の劣化や短波長再生特性の劣化が生
じ、正確な情報記録信号を読み出せなくなる。
ールドコアのアニールを大気中で行うと、該下層磁気シ
ールドコアの表面が酸化膜となり、酸化された部分の磁
気特性が劣化してしまう。そのため、下層磁気シールド
コアの磁区構造が乱れ、下層磁気シールドコアの磁区構
造に影響を受けるMR感磁部の磁区構造が乱れ、バルク
ハウゼンノイズが発生する。 また、下層磁気シールド
コアのうち酸化膜となってしまった部分が磁気シールド
コアとして機能しなくなるために、MRヘッドと下層磁
気シールドコア間に形成される再生用磁気ギャップの実
効ギャップ長が広がるといった不都合が生じる。この結
果、再生信号の品質の劣化や短波長再生特性の劣化が生
じ、正確な情報記録信号を読み出せなくなる。
【0007】そこで、このような不都合を解消するため
に、下層磁気シールドコアのアニールを真空中や窒素雰
囲気中で行うようにしているが、これらの方法では、ア
ニールを行う炉内を真空に引いたり、窒素雰囲気に置換
する必要があり、単純な温度の上げ下げによるアニール
に比べ、高価な機械装置や多くの時間を必要とし、生産
性が良好ではない。
に、下層磁気シールドコアのアニールを真空中や窒素雰
囲気中で行うようにしているが、これらの方法では、ア
ニールを行う炉内を真空に引いたり、窒素雰囲気に置換
する必要があり、単純な温度の上げ下げによるアニール
に比べ、高価な機械装置や多くの時間を必要とし、生産
性が良好ではない。
【0008】そこで本発明は、かかる実情に鑑みて提案
されたものであり、下層磁気シールドコアの磁区構造の
乱れを防止してバルクハウゼンノイズの発生を抑制し、
また実効ギャップ長の精度を向上させ、再生信号の品質
や短波長再生特性が良好で情報記録信号を正確に読み出
せる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを生産性良好に製造でき
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法を提供すること
を目的とする。
されたものであり、下層磁気シールドコアの磁区構造の
乱れを防止してバルクハウゼンノイズの発生を抑制し、
また実効ギャップ長の精度を向上させ、再生信号の品質
や短波長再生特性が良好で情報記録信号を正確に読み出
せる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを生産性良好に製造でき
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法を提供すること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの製造方法は、上述の目的を達成するために
提案されたものであり、基板上に下層磁気シールドコア
を形成し、上記下層磁気シールドコアの加熱処理を行っ
た後、加熱処理によって該下層磁気シールドコアの表面
に形成された酸化膜を除去し、上記下層磁気シールドコ
ア上に絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さら
に上記磁気抵抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シ
ールドコアを形成するものである。
磁気ヘッドの製造方法は、上述の目的を達成するために
提案されたものであり、基板上に下層磁気シールドコア
を形成し、上記下層磁気シールドコアの加熱処理を行っ
た後、加熱処理によって該下層磁気シールドコアの表面
に形成された酸化膜を除去し、上記下層磁気シールドコ
ア上に絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さら
に上記磁気抵抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シ
ールドコアを形成するものである。
【0010】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法においては、下層磁気シールドコアがセンダ
ストよりなっても良い。
の製造方法においては、下層磁気シールドコアがセンダ
ストよりなっても良い。
【0011】さらに、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法においては、下層磁気シールドコアを形成
する際、その膜厚を下層磁気シールドコアの所定の膜厚
よりも厚くし、上記下層磁気シールドコアの表面に形成
される酸化膜を除去することにより、該下層磁気シール
ドコアを所定の膜厚としても良い。
ドの製造方法においては、下層磁気シールドコアを形成
する際、その膜厚を下層磁気シールドコアの所定の膜厚
よりも厚くし、上記下層磁気シールドコアの表面に形成
される酸化膜を除去することにより、該下層磁気シール
ドコアを所定の膜厚としても良い。
【0012】
【作用】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法
においては、基板上に下層磁気シールドコアを形成し、
上記下層磁気シールドコアの加熱処理を行った後、加熱
処理によって該下層磁気シールドコアの表面に形成され
た酸化膜を除去しているため、下層磁気シールドコアに
磁区の乱れが生じない。また、上記下層磁気シールドコ
ア上に絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さら
に上記磁気抵抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シ
ールドコアを形成しても、下層磁気シールドコアの磁区
に乱れが生じていないことから、下層磁気シールドコア
の磁区構造に影響を受ける磁気抵抗効果素子の磁区構造
が乱れることもなく、バルクハウゼンノイズが発生しな
い。さらに、下層磁気シールドコアの酸化膜が除去され
ていることから、下層磁気シールドコア全体が磁気シー
ルドコアとして機能し、磁気抵抗効果素子と下層磁気シ
ールドコア間に絶縁膜により形成される再生用磁気ギャ
ップの実効ギャップ長が広がることもない。
においては、基板上に下層磁気シールドコアを形成し、
上記下層磁気シールドコアの加熱処理を行った後、加熱
処理によって該下層磁気シールドコアの表面に形成され
た酸化膜を除去しているため、下層磁気シールドコアに
磁区の乱れが生じない。また、上記下層磁気シールドコ
ア上に絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さら
に上記磁気抵抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シ
ールドコアを形成しても、下層磁気シールドコアの磁区
に乱れが生じていないことから、下層磁気シールドコア
の磁区構造に影響を受ける磁気抵抗効果素子の磁区構造
が乱れることもなく、バルクハウゼンノイズが発生しな
い。さらに、下層磁気シールドコアの酸化膜が除去され
ていることから、下層磁気シールドコア全体が磁気シー
ルドコアとして機能し、磁気抵抗効果素子と下層磁気シ
ールドコア間に絶縁膜により形成される再生用磁気ギャ
ップの実効ギャップ長が広がることもない。
【0013】そして、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法においては、下層磁気シールドコアを形成
する際、その膜厚を下層磁気シールドコアの所定の膜厚
よりも厚くし、上記下層磁気シールドコアの表面に形成
される酸化膜を除去することにより、該下層磁気シール
ドコアを所定の膜厚としても良く、下層磁気シールドコ
アの膜厚が精度良好に規制され、下層磁気シールドコア
の特性が安定化する。
ドの製造方法においては、下層磁気シールドコアを形成
する際、その膜厚を下層磁気シールドコアの所定の膜厚
よりも厚くし、上記下層磁気シールドコアの表面に形成
される酸化膜を除去することにより、該下層磁気シール
ドコアを所定の膜厚としても良く、下層磁気シールドコ
アの膜厚が精度良好に規制され、下層磁気シールドコア
の特性が安定化する。
【0014】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例は、
同一基板上に再生用磁気ギャップを構成するMRヘッド
である再生ヘッドと、記録用磁気ギャップを構成する誘
導型磁気ヘッド(インダクティブヘッドと称する。)で
ある記録ヘッドを積層した,いわゆる複合型の磁気ヘッ
ドの製造方法に適用した例である。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例は、
同一基板上に再生用磁気ギャップを構成するMRヘッド
である再生ヘッドと、記録用磁気ギャップを構成する誘
導型磁気ヘッド(インダクティブヘッドと称する。)で
ある記録ヘッドを積層した,いわゆる複合型の磁気ヘッ
ドの製造方法に適用した例である。
【0015】本実施例において製造した複合型磁気ヘッ
ドは、図1に示すように、ハードディスクとの対接面と
なるABS面1に再生用磁気ギャップg1 ,g2 を臨ま
せるMRヘッドと、同様にABS面1に記録用磁気ギャ
ップg3 を臨ませるインダクティブヘッドを、Al2 O
3 等よりなる絶縁膜2が形成されたAl2 O3 −TiC
からなる基板3上に積層形成した,いわゆる2ギャップ
タイプの記録再生ヘッド構成となっている。
ドは、図1に示すように、ハードディスクとの対接面と
なるABS面1に再生用磁気ギャップg1 ,g2 を臨ま
せるMRヘッドと、同様にABS面1に記録用磁気ギャ
ップg3 を臨ませるインダクティブヘッドを、Al2 O
3 等よりなる絶縁膜2が形成されたAl2 O3 −TiC
からなる基板3上に積層形成した,いわゆる2ギャップ
タイプの記録再生ヘッド構成となっている。
【0016】MRヘッドは、図2に示すように、先端部
と後端部にそれぞれ図示しない定電流源からのセンス電
流を通ずるための一対の電極4a,4b(以下、ABS
面1にその先端を臨ませるようして形成される電極4a
を先端電極4a、後端側に設けられる電極4bを後端電
極4bと称する。)が積層された磁気抵抗効果素子のM
R感磁部5と、このMR感磁部5に所要の向きの磁化状
態を与えるバイアス導体6とからなる。
と後端部にそれぞれ図示しない定電流源からのセンス電
流を通ずるための一対の電極4a,4b(以下、ABS
面1にその先端を臨ませるようして形成される電極4a
を先端電極4a、後端側に設けられる電極4bを後端電
極4bと称する。)が積層された磁気抵抗効果素子のM
R感磁部5と、このMR感磁部5に所要の向きの磁化状
態を与えるバイアス導体6とからなる。
【0017】MR感磁部5は、例えばインダクティブヘ
ッドの記録用磁気ギャップg3 のトラック幅Twよりも
若干幅狭の長方形パターンとして形成され、その長手方
向が上記ABS面1に対して直交方向となるように設け
られるとともに、その一端縁が上記ABS面1に臨むよ
うになっている。かかるMR感磁部5は、例えばパーマ
ロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚が20nm〜
50nmと非常に薄い膜として蒸着やスパッタリング等
によって形成されている。
ッドの記録用磁気ギャップg3 のトラック幅Twよりも
若干幅狭の長方形パターンとして形成され、その長手方
向が上記ABS面1に対して直交方向となるように設け
られるとともに、その一端縁が上記ABS面1に臨むよ
うになっている。かかるMR感磁部5は、例えばパーマ
ロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚が20nm〜
50nmと非常に薄い膜として蒸着やスパッタリング等
によって形成されている。
【0018】なお、上記MR感磁部5は、MR薄膜の単
層の膜であってもよいが、例えばSiO2 等よりなる非
磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のMR薄膜
を積層するようにしてもよい。積層膜構造とすることに
よって、バルクハウゼンノイズの発生が回避できる。
層の膜であってもよいが、例えばSiO2 等よりなる非
磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のMR薄膜
を積層するようにしてもよい。積層膜構造とすることに
よって、バルクハウゼンノイズの発生が回避できる。
【0019】先端電極4aは、上記MR感磁部5の先端
部に直接積層されるとともに、再生用磁気ギャップ
g1 ,g2 のデプスを規制するためのMR感磁部5上に
形成される絶縁膜7a上に積層される形で設けられてい
る。このMR感磁部5上に直接積層される配線パターン
は、その一側縁部が上記ABS面1に露出するようにな
っている。なお、ABS面1に露出する先端電極4a
は、上層の再生用磁気ギャップg2 を構成するギャップ
膜としても機能する。
部に直接積層されるとともに、再生用磁気ギャップ
g1 ,g2 のデプスを規制するためのMR感磁部5上に
形成される絶縁膜7a上に積層される形で設けられてい
る。このMR感磁部5上に直接積層される配線パターン
は、その一側縁部が上記ABS面1に露出するようにな
っている。なお、ABS面1に露出する先端電極4a
は、上層の再生用磁気ギャップg2 を構成するギャップ
膜としても機能する。
【0020】一方、後端電極4bは、上記先端電極4a
と同様MR感磁部5上に形成される絶縁膜7a上にその
一部が積層されるとともに、そのバック側で該MR感磁
部5に直接積層されるようになっている。
と同様MR感磁部5上に形成される絶縁膜7a上にその
一部が積層されるとともに、そのバック側で該MR感磁
部5に直接積層されるようになっている。
【0021】上記バイアス導体6は、先端電極4aと後
端電極4bの間に絶縁膜7bを介して積層されるととも
に、上記MR感磁部5に対して略直交する方向,つまり
MR感磁部5を横切る形で設けられている。このバイア
ス導体6の両端子部には、直流電源からのバイアス電流
が通電されるようになっている。したがって、直流電流
は配線パターンの長手方向であるトラック幅方向に流れ
ることになり、上記ABS面1と直交する方向にバイア
ス磁界が印加される。
端電極4bの間に絶縁膜7bを介して積層されるととも
に、上記MR感磁部5に対して略直交する方向,つまり
MR感磁部5を横切る形で設けられている。このバイア
ス導体6の両端子部には、直流電源からのバイアス電流
が通電されるようになっている。したがって、直流電流
は配線パターンの長手方向であるトラック幅方向に流れ
ることになり、上記ABS面1と直交する方向にバイア
ス磁界が印加される。
【0022】このようにして構成された再生ヘッドとし
て機能する磁気回路部は、例えばパーマロイやセンダス
ト等よりなる一対の磁気シールドコア8,9によってそ
の上下より挾み込まれる形で設けられている。つまり、
シールド型構成となっている。シールド型構成をとるの
は、この種の一体型ヘッドでは、短波長再生を要求され
たり、再生波形がインダクティブヘッドの微分出力波形
と同じものを信号処理上求められるからである。
て機能する磁気回路部は、例えばパーマロイやセンダス
ト等よりなる一対の磁気シールドコア8,9によってそ
の上下より挾み込まれる形で設けられている。つまり、
シールド型構成となっている。シールド型構成をとるの
は、この種の一体型ヘッドでは、短波長再生を要求され
たり、再生波形がインダクティブヘッドの微分出力波形
と同じものを信号処理上求められるからである。
【0023】MR感磁部5の下側に設けられる磁気シー
ルドコア8(以下、下層磁気シールドコア8と称す
る。)は、基板3上に形成されたAl2 O3 等よりなる
絶縁膜2上に、上記ABS面1にその一端を臨ませるよ
うにしてこのABS面1に対して略直交する方向に延在
して設けられている。そして、この下層磁気シールドコ
ア8とMR感磁部5との間には、下層の再生用磁気ギャ
ップg1 を構成するギャップ膜として機能するAl2 O
3 よりなる下地膜10が設けられている。かかる下地膜
10は、例えばその膜厚が0.1μm〜0.5μmとさ
れている。
ルドコア8(以下、下層磁気シールドコア8と称す
る。)は、基板3上に形成されたAl2 O3 等よりなる
絶縁膜2上に、上記ABS面1にその一端を臨ませるよ
うにしてこのABS面1に対して略直交する方向に延在
して設けられている。そして、この下層磁気シールドコ
ア8とMR感磁部5との間には、下層の再生用磁気ギャ
ップg1 を構成するギャップ膜として機能するAl2 O
3 よりなる下地膜10が設けられている。かかる下地膜
10は、例えばその膜厚が0.1μm〜0.5μmとさ
れている。
【0024】一方、MR感磁部5の上側に設けられる磁
気シールドコア9(以下、上層磁気シールドコア9と称
する。)は、下層磁気シールドコア8と同様に上記AB
S面1にその一端を臨ませるようにしてこのABS面1
に対して略直交する方向に延在して設けられている。ま
た、この上層磁気シールドコア9は、ABS面1側で先
端電極4aに対して直接積層されるとともに、中央部で
絶縁膜11を介して積層され、且つバック側で、場合に
よっては下層磁気シールドコア8と直接接する(本実施
例においては、直接接する構造としている。)ようにな
っている。
気シールドコア9(以下、上層磁気シールドコア9と称
する。)は、下層磁気シールドコア8と同様に上記AB
S面1にその一端を臨ませるようにしてこのABS面1
に対して略直交する方向に延在して設けられている。ま
た、この上層磁気シールドコア9は、ABS面1側で先
端電極4aに対して直接積層されるとともに、中央部で
絶縁膜11を介して積層され、且つバック側で、場合に
よっては下層磁気シールドコア8と直接接する(本実施
例においては、直接接する構造としている。)ようにな
っている。
【0025】そして、上記MRヘッド上に積層して設け
られるインダクティブヘッドは、MR感磁部5をシール
ドする上層磁気シールドコア9を閉磁路を構成する一方
の薄膜磁気コアとし、この上層磁気シールドコア9に対
向して積層される他方の磁気コア12とによって、上記
ABS面1に臨んでその前方端部間に記録用磁気ギャッ
プg3 を構成するようになっている。
られるインダクティブヘッドは、MR感磁部5をシール
ドする上層磁気シールドコア9を閉磁路を構成する一方
の薄膜磁気コアとし、この上層磁気シールドコア9に対
向して積層される他方の磁気コア12とによって、上記
ABS面1に臨んでその前方端部間に記録用磁気ギャッ
プg3 を構成するようになっている。
【0026】すなわち、MR感磁部5をシールドする上
層磁気シールドコア9に対向して積層される磁気コア1
2は、上記ABS面1に臨む前方端部で磁気シールドと
して機能する上層磁気シールドコア9側に屈曲され、そ
の隙間が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャップg
3 を構成するようになっている。なお、ABS面1側で
屈曲される磁気コア12は、後方端部でシールドコアと
しても機能する上層磁気シールドコア9と直接接するよ
うになっている。
層磁気シールドコア9に対向して積層される磁気コア1
2は、上記ABS面1に臨む前方端部で磁気シールドと
して機能する上層磁気シールドコア9側に屈曲され、そ
の隙間が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャップg
3 を構成するようになっている。なお、ABS面1側で
屈曲される磁気コア12は、後方端部でシールドコアと
しても機能する上層磁気シールドコア9と直接接するよ
うになっている。
【0027】そして、上記磁気シールドコア9と磁気コ
ア12の接続部である磁気的結合部13には、この磁気
的結合部13を取り囲むようにしてスパイラル状のヘッ
ド巻線14が設けられている。ヘッド巻線14は、閉磁
路を構成する磁気シールドコア9,磁気コア12との絶
縁性を確保するために、絶縁膜15によって埋め込まれ
るようになっている。また、上記ヘッド巻線14の巻始
めと巻終わりの端部である端子部には、交流電源からの
記録電流が供給されるようになっている。なお、最上層
の磁気コア12の上には、MRヘッドとインダクティブ
ヘッドを保護するためのAl2 O3 よりなる保護膜16
が設けられている。
ア12の接続部である磁気的結合部13には、この磁気
的結合部13を取り囲むようにしてスパイラル状のヘッ
ド巻線14が設けられている。ヘッド巻線14は、閉磁
路を構成する磁気シールドコア9,磁気コア12との絶
縁性を確保するために、絶縁膜15によって埋め込まれ
るようになっている。また、上記ヘッド巻線14の巻始
めと巻終わりの端部である端子部には、交流電源からの
記録電流が供給されるようになっている。なお、最上層
の磁気コア12の上には、MRヘッドとインダクティブ
ヘッドを保護するためのAl2 O3 よりなる保護膜16
が設けられている。
【0028】そして特に、本実施例により製造される複
合型磁気ヘッドにおいては、下層磁気シールドコア8の
アニールにより該下層磁気シールドコア8の表面に生じ
る酸化膜を平坦化研磨して取り除いており、上記下層磁
気シールドコア8の磁気特性の劣化した部分が取り除か
れている。
合型磁気ヘッドにおいては、下層磁気シールドコア8の
アニールにより該下層磁気シールドコア8の表面に生じ
る酸化膜を平坦化研磨して取り除いており、上記下層磁
気シールドコア8の磁気特性の劣化した部分が取り除か
れている。
【0029】すなわち、下層磁気シールドコア8に磁区
の乱れが生じず、下層磁気シールドコア8の磁区構造に
影響を受けるMR感磁部5の磁区構造が乱れることもな
く、バルクハウゼンノイズが発生しない。また、下層磁
気シールドコア8の酸化膜が除去されていることから、
下層磁気シールドコア8全体が磁気シールドコアとして
機能し、MR感磁部5と下層磁気シールドコア8間に下
地膜10により形成される再生用磁気ギャップg1 の実
効ギャップ長が広がることがなく、実効ギャップ長を精
度良好に規制することができる。従って、再生信号の品
質や短波長再生特性が良好となり、情報記録信号を正確
に読み出すことが可能となる。
の乱れが生じず、下層磁気シールドコア8の磁区構造に
影響を受けるMR感磁部5の磁区構造が乱れることもな
く、バルクハウゼンノイズが発生しない。また、下層磁
気シールドコア8の酸化膜が除去されていることから、
下層磁気シールドコア8全体が磁気シールドコアとして
機能し、MR感磁部5と下層磁気シールドコア8間に下
地膜10により形成される再生用磁気ギャップg1 の実
効ギャップ長が広がることがなく、実効ギャップ長を精
度良好に規制することができる。従って、再生信号の品
質や短波長再生特性が良好となり、情報記録信号を正確
に読み出すことが可能となる。
【0030】ところで、上述の複合型磁気ヘッドを作成
するには、以下のようにして行う。先ず、図3に示すよ
うに、絶縁膜として機能するアルミナ(Al2 O3 )膜
2が成膜されたAl2 O3 −TiCからなる基板(以
下、アルチック基板と称する。)3を用意する。このと
きのアルミナ膜2は、表面粗度が中心線平均粗さRaで
1nm以下である。
するには、以下のようにして行う。先ず、図3に示すよ
うに、絶縁膜として機能するアルミナ(Al2 O3 )膜
2が成膜されたAl2 O3 −TiCからなる基板(以
下、アルチック基板と称する。)3を用意する。このと
きのアルミナ膜2は、表面粗度が中心線平均粗さRaで
1nm以下である。
【0031】次に、このアルチック基板3に対してアニ
ール処理を行う。磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する
前段階でアニール処理を行うのは、次のことに基づく。
ール処理を行う。磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する
前段階でアニール処理を行うのは、次のことに基づく。
【0032】上述したヘッド構成のうち、下層磁気シー
ルドコア8は、磁気シールドとしてのみ使用されるもの
であり、その磁気特性上センダストが有効である。セン
ダストの磁気特性を十分発揮させるためにはアニールが
必要であり、通常520℃で1時間の保持が必要とされ
る。
ルドコア8は、磁気シールドとしてのみ使用されるもの
であり、その磁気特性上センダストが有効である。セン
ダストの磁気特性を十分発揮させるためにはアニールが
必要であり、通常520℃で1時間の保持が必要とされ
る。
【0033】ところが、センダストに対してアニールを
行うと、アルチック基板3と下層磁気シールドコア8間
の絶縁のために予め成膜されているアルミナ膜2が応力
解放され、アルチック基板3に反りが発生する。アニー
ル終了後に反りが発生すると、その後の下層磁気シール
ドコア8の平坦化研磨工程において、研磨のばらつきが
大きくなる等の問題が発生する。したがって、本実施例
では、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する前に、アル
チック基板3に対してアニール処理を施し、予めアルミ
ナ膜2の応力を解放させておく。
行うと、アルチック基板3と下層磁気シールドコア8間
の絶縁のために予め成膜されているアルミナ膜2が応力
解放され、アルチック基板3に反りが発生する。アニー
ル終了後に反りが発生すると、その後の下層磁気シール
ドコア8の平坦化研磨工程において、研磨のばらつきが
大きくなる等の問題が発生する。したがって、本実施例
では、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する前に、アル
チック基板3に対してアニール処理を施し、予めアルミ
ナ膜2の応力を解放させておく。
【0034】通常、センダストのアニールは、磁気特性
を得るために最適な520℃で行われる。しかし、ここ
でのアニールは、520℃でのアルミナ膜2の応力解放
が行われればよいので、520℃〜600℃程度であれ
ば問題ない。そこで、本実施例では、520℃〜600
℃でアニールする。すると、アニールによってアルミナ
膜2が応力解放されて、図4に示すように、アルチック
基板3は数μm反ることになる。
を得るために最適な520℃で行われる。しかし、ここ
でのアニールは、520℃でのアルミナ膜2の応力解放
が行われればよいので、520℃〜600℃程度であれ
ば問題ない。そこで、本実施例では、520℃〜600
℃でアニールする。すると、アニールによってアルミナ
膜2が応力解放されて、図4に示すように、アルチック
基板3は数μm反ることになる。
【0035】次に、上記反ったアルチック基板3を、最
初にダイヤモンド研磨を行い、次にバフ研磨して図5に
示すように平坦化する。最初の研磨により、アルチック
基板3の厚みをコントロールできるので、スライダー長
規格にあった基板厚を容易に得ることができる。
初にダイヤモンド研磨を行い、次にバフ研磨して図5に
示すように平坦化する。最初の研磨により、アルチック
基板3の厚みをコントロールできるので、スライダー長
規格にあった基板厚を容易に得ることができる。
【0036】しかる後、図6に示すように、平坦化され
たアルチック基板3のアルミナ膜2上にセンダストをス
パッタリング又はメッキすることにより、下層磁気シー
ルドコア8を形成する。このとき、下層磁気シールドコ
ア8を形成するセンダストの膜厚は、後工程でアニール
することにより下層磁気シールドコア8表面に形成され
る酸化膜の分だけ下層磁気シールドコア8の所定の厚さ
よりも厚くする。
たアルチック基板3のアルミナ膜2上にセンダストをス
パッタリング又はメッキすることにより、下層磁気シー
ルドコア8を形成する。このとき、下層磁気シールドコ
ア8を形成するセンダストの膜厚は、後工程でアニール
することにより下層磁気シールドコア8表面に形成され
る酸化膜の分だけ下層磁気シールドコア8の所定の厚さ
よりも厚くする。
【0037】次いで、図7に示すように、このセンダス
トよりなる下層磁気シールドコア8を520℃でアニー
ル処理する。その結果、下層磁気シールドコア8の表面
が酸化され、酸化膜50が形成される。そして、この下
層磁気シールドコア8に対して、図8に示すように、所
定形状となるようにパターニングとエッチングを施す。
トよりなる下層磁気シールドコア8を520℃でアニー
ル処理する。その結果、下層磁気シールドコア8の表面
が酸化され、酸化膜50が形成される。そして、この下
層磁気シールドコア8に対して、図8に示すように、所
定形状となるようにパターニングとエッチングを施す。
【0038】次いで、電極形成など所定のプロセスを行
う。しかる後、図9に示すように、次工程で上記下層磁
気シールドコア8を平坦化するために例えばAl2 O3
よりなる平坦化膜40を、この下層磁気シールドコア8
の膜厚よりも0.5μm〜1μm厚くなるように成膜す
る。
う。しかる後、図9に示すように、次工程で上記下層磁
気シールドコア8を平坦化するために例えばAl2 O3
よりなる平坦化膜40を、この下層磁気シールドコア8
の膜厚よりも0.5μm〜1μm厚くなるように成膜す
る。
【0039】そして、上記平坦化膜40と下層磁気シー
ルドコア8を共に研磨して平坦化を図る。このとき、下
層磁気シールドコア8が所定の膜厚となるまで研磨を行
い、下層磁気シールドコア8の表面に形成される酸化膜
50を除去し、下層磁気シールドコア8を表面に露出さ
せる。その際、下層磁気シールドコア8の表面粗度を中
心線平均粗さRaが1nm以下となるようにする。
ルドコア8を共に研磨して平坦化を図る。このとき、下
層磁気シールドコア8が所定の膜厚となるまで研磨を行
い、下層磁気シールドコア8の表面に形成される酸化膜
50を除去し、下層磁気シールドコア8を表面に露出さ
せる。その際、下層磁気シールドコア8の表面粗度を中
心線平均粗さRaが1nm以下となるようにする。
【0040】その結果、下層磁気シールドコア8の磁気
特性の劣化した部分は取り除かれ、上記下層磁気シール
ドコア8に磁区の乱れは生じない。また、下層磁気シー
ルドコア8は後工程でアニールすることにより下層磁気
シールドコア8表面に形成される酸化膜の分だけ所定の
厚さよりも予め厚く形成されているため、上記のように
酸化膜50を研磨して除去しても、下層磁気シールドコ
ア8は所定の膜厚に精度良好に規制され、下層磁気シー
ルドコアの特性が安定化する。
特性の劣化した部分は取り除かれ、上記下層磁気シール
ドコア8に磁区の乱れは生じない。また、下層磁気シー
ルドコア8は後工程でアニールすることにより下層磁気
シールドコア8表面に形成される酸化膜の分だけ所定の
厚さよりも予め厚く形成されているため、上記のように
酸化膜50を研磨して除去しても、下層磁気シールドコ
ア8は所定の膜厚に精度良好に規制され、下層磁気シー
ルドコアの特性が安定化する。
【0041】下層磁気シールドコア8の表面粗度を1n
m以下とするには、ダイヤモンド砥粒を使用した粗研磨
と、シリカ系超微粒子を使用した精研磨(バフ研磨)を
組み合わせて行う。
m以下とするには、ダイヤモンド砥粒を使用した粗研磨
と、シリカ系超微粒子を使用した精研磨(バフ研磨)を
組み合わせて行う。
【0042】ここで使用する研磨装置は、例えば図10
及び図11に示すように、主として研磨盤として機能す
る定盤18と、この定盤18上に載置される基板3を左
右方向に揺動させる揺動機構19とから構成される。
及び図11に示すように、主として研磨盤として機能す
る定盤18と、この定盤18上に載置される基板3を左
右方向に揺動させる揺動機構19とから構成される。
【0043】粗研磨の際に使われる定盤18は、例えば
銅と金属粒子を高分子材料で固めることにより円盤形状
として形成されてなるもので、平面矩形状をなす装置本
体20の略中央部に図10中矢印A方向に回転可能に設
けられている。なお、この定盤18の平面度は、例えば
10μm以下とされている。
銅と金属粒子を高分子材料で固めることにより円盤形状
として形成されてなるもので、平面矩形状をなす装置本
体20の略中央部に図10中矢印A方向に回転可能に設
けられている。なお、この定盤18の平面度は、例えば
10μm以下とされている。
【0044】また、この粗研磨の際に使われる定盤18
の表面には、ポリエステル不織布や発泡ポリウレタン
(人工皮革)或いは硬軟質二重構造等の弾性ポリッシャ
等よりなる研磨布39が設けられている。さらに、この
定盤18の上には、円盤形状とされた基板3が載置され
るが、この基板3をガイドし又は研磨レートをかせぐた
めに加圧する目的で、当該基板3を覆って治具21が設
けられる。
の表面には、ポリエステル不織布や発泡ポリウレタン
(人工皮革)或いは硬軟質二重構造等の弾性ポリッシャ
等よりなる研磨布39が設けられている。さらに、この
定盤18の上には、円盤形状とされた基板3が載置され
るが、この基板3をガイドし又は研磨レートをかせぐた
めに加圧する目的で、当該基板3を覆って治具21が設
けられる。
【0045】上記治具21は、外形形状が円形となさ
れ、上記定盤18と対向する面に上記基板3を嵌合させ
る円形状をなす凹部22を有している。上記凹部22の
深さは、治具21が定盤18によって研磨されないよう
に基板3の板厚寸法よりも浅くなされている。したがっ
て、上記凹部22に基板3を嵌合させて定盤18上に載
置した状態では、基板3のみが定盤18に接触すること
になる。
れ、上記定盤18と対向する面に上記基板3を嵌合させ
る円形状をなす凹部22を有している。上記凹部22の
深さは、治具21が定盤18によって研磨されないよう
に基板3の板厚寸法よりも浅くなされている。したがっ
て、上記凹部22に基板3を嵌合させて定盤18上に載
置した状態では、基板3のみが定盤18に接触すること
になる。
【0046】一方、揺動機構19は、上記一対の治具2
1を回転可能に保持するキャリア23と、このキャリア
23を定盤18の中心線上に沿って図10中矢印Bで示
す左右方向に揺動させる駆動源として機能する駆動モー
タ24と、この駆動モータ24の回転運動を揺動運動に
変換するカム25とクランクシャフト26と、一対のス
ライダー27,28とから構成される。
1を回転可能に保持するキャリア23と、このキャリア
23を定盤18の中心線上に沿って図10中矢印Bで示
す左右方向に揺動させる駆動源として機能する駆動モー
タ24と、この駆動モータ24の回転運動を揺動運動に
変換するカム25とクランクシャフト26と、一対のス
ライダー27,28とから構成される。
【0047】上記キャリア23は、上記一対の治具21
を回転可能に収納保持する円形状の治具収納部29,3
0を有した平面形状がいわゆるメガネ形状をなす支持体
として形成されている。そして、このキャリア23に
は、上記治具収納部29,30に収納される治具21を
回転可能に収納保持するために、センターローラ31と
ガイドローラ32,33が設けられている。
を回転可能に収納保持する円形状の治具収納部29,3
0を有した平面形状がいわゆるメガネ形状をなす支持体
として形成されている。そして、このキャリア23に
は、上記治具収納部29,30に収納される治具21を
回転可能に収納保持するために、センターローラ31と
ガイドローラ32,33が設けられている。
【0048】センターローラ31は、上記一対の治具収
納部29,30の間に円盤体として回転可能に設けられ
ている。また、ガイドローラ32,33は、上記センタ
ーローラ31と反対側の治具収納部29,30の外周囲
に円柱状をなすローラとして回転可能に設けられてい
る。
納部29,30の間に円盤体として回転可能に設けられ
ている。また、ガイドローラ32,33は、上記センタ
ーローラ31と反対側の治具収納部29,30の外周囲
に円柱状をなすローラとして回転可能に設けられてい
る。
【0049】そして、上記キャリア23の両側には、該
キャリア23を左右方向に揺動させるためのスライダー
27,28が設けられている。すなわち、上記キャリア
23の両端部には、円柱状をなす連結部材34,35を
介して装置本体20上をスライド自在とされるスライダ
ー27,28が設けられている。これらスライダー2
7,28のうち一方のスライダー27には、駆動モータ
24の回転運動を揺動運動に変換するためのカム25と
クランクシャフト26が設けられている。
キャリア23を左右方向に揺動させるためのスライダー
27,28が設けられている。すなわち、上記キャリア
23の両端部には、円柱状をなす連結部材34,35を
介して装置本体20上をスライド自在とされるスライダ
ー27,28が設けられている。これらスライダー2
7,28のうち一方のスライダー27には、駆動モータ
24の回転運動を揺動運動に変換するためのカム25と
クランクシャフト26が設けられている。
【0050】したがって、上記駆動モータ24の回転運
動は、カム25に伝達され、該カム25と係合するクラ
ンクシャフト26によって揺動運動に変換せしめられ
る。これにより、キャリア23が左右方向に揺動する。
なお、上記キャリア23の揺動速さは、装置本体20上
に設けられる制御装置36によって適宜調整可能となさ
れている。
動は、カム25に伝達され、該カム25と係合するクラ
ンクシャフト26によって揺動運動に変換せしめられ
る。これにより、キャリア23が左右方向に揺動する。
なお、上記キャリア23の揺動速さは、装置本体20上
に設けられる制御装置36によって適宜調整可能となさ
れている。
【0051】以上のように構成された研磨装置を用い
て、上記アルチック基板3上に形成された平坦化膜40
と下層磁気シールドコア8を研磨し平坦化を図る。最初
に、ダイヤモンド砥粒を使用して粗研磨を行う。すなわ
ち、定盤18の上にアルチック基板3を載せる。このと
き、平坦化膜40と下層磁気シールドコア8の酸化膜5
0が形成される側の面が研磨面として定盤18と接触す
るように前記アルチック基板3を載置する。
て、上記アルチック基板3上に形成された平坦化膜40
と下層磁気シールドコア8を研磨し平坦化を図る。最初
に、ダイヤモンド砥粒を使用して粗研磨を行う。すなわ
ち、定盤18の上にアルチック基板3を載せる。このと
き、平坦化膜40と下層磁気シールドコア8の酸化膜5
0が形成される側の面が研磨面として定盤18と接触す
るように前記アルチック基板3を載置する。
【0052】次に、このアルチック基板3上に治具21
を落とし込む。すると、治具21に設けられた凹部22
にアルチック基板3が嵌合し、当該アルチック基板3の
位置が決まると同時に、該アルチック基板3に荷重が加
わる。
を落とし込む。すると、治具21に設けられた凹部22
にアルチック基板3が嵌合し、当該アルチック基板3の
位置が決まると同時に、該アルチック基板3に荷重が加
わる。
【0053】なお、アルチック基板3と治具21とは、
ワックスや接着剤による接着がなされていないため、接
着歪みによる基板の反りやうねりが発生することがな
い。また、必要に応じて、治具21の上に重りを載せて
加工圧を高くし、研磨レートを大きくするようにしても
よい。
ワックスや接着剤による接着がなされていないため、接
着歪みによる基板の反りやうねりが発生することがな
い。また、必要に応じて、治具21の上に重りを載せて
加工圧を高くし、研磨レートを大きくするようにしても
よい。
【0054】次に、これら治具21をキャリア23に設
けられた治具収納部29,30内にセットする。この結
果、治具21は、センターローラ31とガイドローラ3
2,33とによって回転可能に保持される。次に、定盤
18を回転させるとともに、駆動モータ24のスイッチ
を入れる。
けられた治具収納部29,30内にセットする。この結
果、治具21は、センターローラ31とガイドローラ3
2,33とによって回転可能に保持される。次に、定盤
18を回転させるとともに、駆動モータ24のスイッチ
を入れる。
【0055】すると、駆動モータ24の回転がカム25
に伝達され、このカム25と連結されるクランクシャフ
ト26によって揺動運動に変換せしめられる。そして、
このクランクシャフト26に連結された一方のスライダ
ー27と他方のスライダー28とによって、上記キャリ
ア23が左右方向に揺動する。この結果、キャリア23
に回転可能に保持された治具21及びアルチック基板3
もこれらと一緒に揺動する。
に伝達され、このカム25と連結されるクランクシャフ
ト26によって揺動運動に変換せしめられる。そして、
このクランクシャフト26に連結された一方のスライダ
ー27と他方のスライダー28とによって、上記キャリ
ア23が左右方向に揺動する。この結果、キャリア23
に回転可能に保持された治具21及びアルチック基板3
もこれらと一緒に揺動する。
【0056】そして、研磨液供給タンク37に接続され
るノズル38の先端より、上記定盤18上にダイヤモン
ドスラリーを供給する。すると、アルチック基板3が定
盤18の回転運動とキャリア23による揺動運動とによ
って基板全体に亘って研磨される。
るノズル38の先端より、上記定盤18上にダイヤモン
ドスラリーを供給する。すると、アルチック基板3が定
盤18の回転運動とキャリア23による揺動運動とによ
って基板全体に亘って研磨される。
【0057】なお、アルチック基板3を揺動させない場
合には、該アルチック基板3の内外周の周速差によっ
て、当該基板中央部に偏摩耗が発生する。そして、ある
程度粗削りが終了した時点で、研磨を終了する。
合には、該アルチック基板3の内外周の周速差によっ
て、当該基板中央部に偏摩耗が発生する。そして、ある
程度粗削りが終了した時点で、研磨を終了する。
【0058】次に、シリカ系超微粒子をpH10前後の
アルカリ溶液に懸濁させた研磨液に取り替え、バフ研磨
を行う。アルカリ溶液は、平坦化膜40と下層磁気シー
ルドコア8を化学的にエッチングさせるためのものであ
り、加工液と材料との反応を促進させる機能をする。そ
して、このアルカリ溶液に懸濁させる微粒子は、研磨面
の凹凸をより滑らかにする作用をする。
アルカリ溶液に懸濁させた研磨液に取り替え、バフ研磨
を行う。アルカリ溶液は、平坦化膜40と下層磁気シー
ルドコア8を化学的にエッチングさせるためのものであ
り、加工液と材料との反応を促進させる機能をする。そ
して、このアルカリ溶液に懸濁させる微粒子は、研磨面
の凹凸をより滑らかにする作用をする。
【0059】本実施例では、研磨液として粒子径5nm
〜100nmのSiO2 を、濃度約20重量%〜40重
量%,pH9.0〜pH11.0のアルカリ溶液に懸濁
させたものを使用した。
〜100nmのSiO2 を、濃度約20重量%〜40重
量%,pH9.0〜pH11.0のアルカリ溶液に懸濁
させたものを使用した。
【0060】そして、この研磨液によって先の方法と同
様にして研磨(これをバフ研磨と称する。)を行い、下
層磁気シールドコア8の表面粗度が中心線平均粗さRa
で1nm以下となるまで研磨を行う。ここでの研磨工程
では、先のセンダストのアニール処理終了時でほとんど
アルチック基板3が反らず、基板表面がある程度平坦化
されているので、平坦化処理が極めて容易に行える。
様にして研磨(これをバフ研磨と称する。)を行い、下
層磁気シールドコア8の表面粗度が中心線平均粗さRa
で1nm以下となるまで研磨を行う。ここでの研磨工程
では、先のセンダストのアニール処理終了時でほとんど
アルチック基板3が反らず、基板表面がある程度平坦化
されているので、平坦化処理が極めて容易に行える。
【0061】この結果、下層磁気シールドコア8の表面
は、図12に示すように、SiO2砥粒による機械的作
用と加工液による科学的作用によってその表面粗度がR
a1nm以下と微細な凹凸の無い極めて平滑な面とな
る。
は、図12に示すように、SiO2砥粒による機械的作
用と加工液による科学的作用によってその表面粗度がR
a1nm以下と微細な凹凸の無い極めて平滑な面とな
る。
【0062】次に、平坦化された下層磁気シールドコア
8の上にAl2 O3 を成膜し、下層の再生用磁気ギャッ
プg1 を構成するギャップ膜として機能する下地膜10
を形成する。上記下地膜10は、下層磁気シールドコア
8の表面粗度がRa1nm以下であるので、その表面粗
度も同じくRa1nm以下となる。
8の上にAl2 O3 を成膜し、下層の再生用磁気ギャッ
プg1 を構成するギャップ膜として機能する下地膜10
を形成する。上記下地膜10は、下層磁気シールドコア
8の表面粗度がRa1nm以下であるので、その表面粗
度も同じくRa1nm以下となる。
【0063】このとき、上記下層磁気シールドコア8は
酸化膜が除去されているため、下層磁気シールドコア8
全体が磁気シールドコアとして機能し、再生用磁気ギャ
ップg1 の実効ギャップ長は下地膜10の膜厚により決
定され、実効ギャップ長を精度良好に規制することがで
きる。
酸化膜が除去されているため、下層磁気シールドコア8
全体が磁気シールドコアとして機能し、再生用磁気ギャ
ップg1 の実効ギャップ長は下地膜10の膜厚により決
定され、実効ギャップ長を精度良好に規制することがで
きる。
【0064】次いで、上記下地膜10の上にMR感磁部
5を蒸着やスパッタリング等によってその膜厚が20n
m〜50nmとなるように形成する。そして、上記MR
感磁部5に対して所定形状となるようにパターニングと
エッチングを施す。
5を蒸着やスパッタリング等によってその膜厚が20n
m〜50nmとなるように形成する。そして、上記MR
感磁部5に対して所定形状となるようにパターニングと
エッチングを施す。
【0065】このとき、下層磁気シールドコア8に磁区
の乱れが生じていないことから、下層磁気シールドコア
8の磁区構造に影響を受けるMR感磁部5の磁区構造が
乱れることもない。
の乱れが生じていないことから、下層磁気シールドコア
8の磁区構造に影響を受けるMR感磁部5の磁区構造が
乱れることもない。
【0066】次に、上記MR感磁部5上に絶縁膜7aを
形成した後、MR感磁部5と電気的に接続するためのM
R電極接続穴を形成する。そして、先端電極4aと後端
電極4bをそれぞれ形成した後、絶縁膜7bを積層し、
その上にバイアス導体6を形成する。
形成した後、MR感磁部5と電気的に接続するためのM
R電極接続穴を形成する。そして、先端電極4aと後端
電極4bをそれぞれ形成した後、絶縁膜7bを積層し、
その上にバイアス導体6を形成する。
【0067】次に、上記バイアス導体6上に絶縁膜11
を積層した後、先端電極4aと次工程で作成する上層磁
気シールドコア9との接続を図るための先端接続孔を形
成する。そして、上記絶縁膜11を覆って上層磁気シー
ルドコア9を形成する。この結果、上層磁気シールドコ
ア9はABS面1側で先端電極4aと直接接する(本実
施例においては、直接接する構造とする。)とともに、
場合によっては、バック側で下層磁気シールドコア8と
直接接することになる。
を積層した後、先端電極4aと次工程で作成する上層磁
気シールドコア9との接続を図るための先端接続孔を形
成する。そして、上記絶縁膜11を覆って上層磁気シー
ルドコア9を形成する。この結果、上層磁気シールドコ
ア9はABS面1側で先端電極4aと直接接する(本実
施例においては、直接接する構造とする。)とともに、
場合によっては、バック側で下層磁気シールドコア8と
直接接することになる。
【0068】次いで、この上層磁気シールドコア9の上
にヘッド巻線14を絶縁膜15によって埋め込む形で設
ける。そして、上記ヘッド巻線14を覆って最上層の磁
気コア12を形成する。上記磁気コア12は、ABS面
1側で絶縁膜15を介して上層磁気シールドコア9と近
接して所定ギャップ長となるように設け、バック側で上
層磁気シールドコア9と直接接するように形成する。
にヘッド巻線14を絶縁膜15によって埋め込む形で設
ける。そして、上記ヘッド巻線14を覆って最上層の磁
気コア12を形成する。上記磁気コア12は、ABS面
1側で絶縁膜15を介して上層磁気シールドコア9と近
接して所定ギャップ長となるように設け、バック側で上
層磁気シールドコア9と直接接するように形成する。
【0069】この結果、ABS面1側の磁気シールドコ
ア9,磁気コア12とによって挟み込まれた間隙部に記
録用磁気ギャップg3 が構成される。そして最後に、こ
れらMRヘッドとインダクティブヘッドを覆って保護膜
16を積層し、ABS面1を鏡面加工することによって
複合型磁気ヘッドが作製される。
ア9,磁気コア12とによって挟み込まれた間隙部に記
録用磁気ギャップg3 が構成される。そして最後に、こ
れらMRヘッドとインダクティブヘッドを覆って保護膜
16を積層し、ABS面1を鏡面加工することによって
複合型磁気ヘッドが作製される。
【0070】すなわち、本実施例において製造される複
合型磁気ヘッドにおいては、上述のように下層磁気シー
ルドコア8に磁区の乱れが生じず、MR感磁部5の磁区
構造が乱れることがないことから、バルクハウゼンノイ
ズが発生しない。また、下層磁気シールドコア8全体が
磁気シールドコアとして機能することから、実効ギャッ
プ長を精度良好に規制することができる。従って、再生
信号の品質や短波長再生特性が良好となり、情報記録信
号を正確に読み出すことが可能となる。
合型磁気ヘッドにおいては、上述のように下層磁気シー
ルドコア8に磁区の乱れが生じず、MR感磁部5の磁区
構造が乱れることがないことから、バルクハウゼンノイ
ズが発生しない。また、下層磁気シールドコア8全体が
磁気シールドコアとして機能することから、実効ギャッ
プ長を精度良好に規制することができる。従って、再生
信号の品質や短波長再生特性が良好となり、情報記録信
号を正確に読み出すことが可能となる。
【0071】さらに、本実施例において製造される複合
型磁気ヘッドにおいては、下層磁気シールドコア8の膜
厚が精度良好に規制されており、該下層磁気シールドコ
ア8の特性が安定化し、上記複合型磁気ヘッドの特性が
安定化する。
型磁気ヘッドにおいては、下層磁気シールドコア8の膜
厚が精度良好に規制されており、該下層磁気シールドコ
ア8の特性が安定化し、上記複合型磁気ヘッドの特性が
安定化する。
【0072】また、本実施例によれば、アニール処理の
ための高価な機械装置や多くの時間を必要とせず、生産
性を向上させることも可能である。
ための高価な機械装置や多くの時間を必要とせず、生産
性を向上させることも可能である。
【0073】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、前述の実施
例ではMRヘッドとインダクティブヘッドの磁性体を共
通化した構成の複合型磁気ヘッドの製造に適用したが、
上下に設けられる磁気シールドコアをMRヘッドとイン
ダクティブヘッドとでそれぞれ専用に設けるようにした
構成の複合型磁気ヘッドの製造に対しても適用すること
ができ、その作用効果は同じである。
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、前述の実施
例ではMRヘッドとインダクティブヘッドの磁性体を共
通化した構成の複合型磁気ヘッドの製造に適用したが、
上下に設けられる磁気シールドコアをMRヘッドとイン
ダクティブヘッドとでそれぞれ専用に設けるようにした
構成の複合型磁気ヘッドの製造に対しても適用すること
ができ、その作用効果は同じである。
【0074】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法においては、
基板上に下層磁気シールドコアを形成し、上記下層磁気
シールドコアの加熱処理を行った後、加熱処理によって
下層磁気シールドコアの表面に形成された酸化膜を除去
しているので、該下層磁気シールドコアに磁区の乱れが
生じない。そして、上記下層磁気シールドコア上に絶縁
膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さらに上記磁気
抵抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シールドコア
を形成しても、下層磁気シールドコアの磁区に乱れが生
じていないことから、下層磁気シールドコアの磁区構造
に影響を受ける磁気抵抗効果素子の磁区構造が乱れるこ
ともなく、バルクハウゼンノイズが発生しない。さら
に、下層磁気シールドコアの酸化膜が除去されているこ
とから、下層磁気シールドコア全体が磁気シールドコア
として機能し、磁気抵抗効果素子と下層磁気シールドコ
ア間に絶縁膜により形成される再生用磁気ギャップの実
効ギャップ長が広がることもない。従って、再生信号の
品質や短波長再生特性が良好となり、情報記録信号を正
確に読み出すことが可能となる。
明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法においては、
基板上に下層磁気シールドコアを形成し、上記下層磁気
シールドコアの加熱処理を行った後、加熱処理によって
下層磁気シールドコアの表面に形成された酸化膜を除去
しているので、該下層磁気シールドコアに磁区の乱れが
生じない。そして、上記下層磁気シールドコア上に絶縁
膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さらに上記磁気
抵抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シールドコア
を形成しても、下層磁気シールドコアの磁区に乱れが生
じていないことから、下層磁気シールドコアの磁区構造
に影響を受ける磁気抵抗効果素子の磁区構造が乱れるこ
ともなく、バルクハウゼンノイズが発生しない。さら
に、下層磁気シールドコアの酸化膜が除去されているこ
とから、下層磁気シールドコア全体が磁気シールドコア
として機能し、磁気抵抗効果素子と下層磁気シールドコ
ア間に絶縁膜により形成される再生用磁気ギャップの実
効ギャップ長が広がることもない。従って、再生信号の
品質や短波長再生特性が良好となり、情報記録信号を正
確に読み出すことが可能となる。
【0075】そして、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法においては、下層磁気シールドコアを形成
する際、その膜厚を下層磁気シールドコアの所定の膜厚
よりも厚くし、上記下層磁気シールドコアの表面に形成
される酸化膜を除去することにより、該下層磁気シール
ドコアを所定の膜厚としても良く、下層磁気シールドコ
アの膜厚が精度良好に規制され、下層磁気シールドコア
の特性が安定化し、製造される磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの特性が安定化する。
ドの製造方法においては、下層磁気シールドコアを形成
する際、その膜厚を下層磁気シールドコアの所定の膜厚
よりも厚くし、上記下層磁気シールドコアの表面に形成
される酸化膜を除去することにより、該下層磁気シール
ドコアを所定の膜厚としても良く、下層磁気シールドコ
アの膜厚が精度良好に規制され、下層磁気シールドコア
の特性が安定化し、製造される磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの特性が安定化する。
【図1】複合型磁気ヘッドの拡大断面図である。
【図2】複合型磁気ヘッドのMRヘッド部分を拡大して
示す要部拡大断面図である。
示す要部拡大断面図である。
【図3】アルミナ膜が成膜されたアルチック基板の断面
図である。
図である。
【図4】アニール処理後のアルチック基板の断面図であ
る。
る。
【図5】平坦化研磨後のアルチック基板の断面図であ
る。
る。
【図6】センダストスパッタ後のアルチック基板の断面
図である。
図である。
【図7】センダストスパッタ後にアニール処理した状態
を示すアルチック基板の断面図である。
を示すアルチック基板の断面図である。
【図8】センダストをエッチングした状態を示すアルチ
ック基板の断面図である。
ック基板の断面図である。
【図9】平坦化膜を形成した状態を示すアルチック基板
の断面図である。
の断面図である。
【図10】研磨装置の平面図である。
【図11】研磨装置を一部破断して示す拡大側面図であ
る。
る。
【図12】下層磁気シールドコアを平坦化した状態を示
すアルチック基板の断面図である。
すアルチック基板の断面図である。
1 ABS面 3 アルチック基板 4a 先端電極 4b 後端電極 5 MR感磁部 6 バイアス導体 7 絶縁膜 8 下層磁気シールドコア 9 上層磁気シールドコア 10 下地膜 12 磁気コア 40 平坦化膜 50 酸化膜
Claims (3)
- 【請求項1】 基板上に下層磁気シールドコアを形成
し、上記下層磁気シールドコアの加熱処理を行った後、
加熱処理によって該下層磁気シールドコアの表面に形成
された酸化膜を除去し、上記下層磁気シールドコア上に
絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さらに上記
磁気抵抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シールド
コアを形成する磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項2】 下層磁気シールドコアがセンダストより
なることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項3】 下層磁気シールドコアを形成する際、そ
の膜厚を下層磁気シールドコアの所定の膜厚よりも厚く
し、上記下層磁気シールドコアの表面に形成される酸化
膜を除去することにより、該下層磁気シールドコアを所
定の膜厚とすることを特徴とする請求項1記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9153794A JPH07296336A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9153794A JPH07296336A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07296336A true JPH07296336A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14029222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9153794A Pending JPH07296336A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07296336A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0791916A2 (en) * | 1996-02-22 | 1997-08-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP9153794A patent/JPH07296336A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0791916A2 (en) * | 1996-02-22 | 1997-08-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
EP0791916B1 (en) * | 1996-02-22 | 2000-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030630 |