JPH07296336A

JPH07296336A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法

Info

Publication number: JPH07296336A
Application number: JP9153794A
Authority: JP
Inventors: Kenichiro Tsunewaki; 謙一郎常脇
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-04-28
Filing date: 1994-04-28
Publication date: 1995-11-10

Abstract

(57)【要約】【目的】下層磁気シールドコアの磁区構造の乱れを防
止し、再生信号の品質や短波長再生特性が良好で情報記
録信号を正確に読み出せる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
生産性良好に製造する。【構成】基板上に下層磁気シールドコアを形成し、上
記下層磁気シールドコアの加熱処理を行った後、加熱処
理によって該下層磁気シールドコアの表面に形成された
酸化膜を除去し、上記下層磁気シールドコア上に絶縁膜
を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さらに上記磁気抵
抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シールドコアを
形成する。なお、このとき、下層磁気シールドコアがセ
ンダストよりなっても良い。さらに、下層磁気シールド
コアを形成する際の膜厚を下層磁気シールドコアの所定
の膜厚よりも厚くし、酸化膜を除去することにより、該
下層磁気シールドコアを所定の膜厚としても良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
の情報記録信号を読み出すのに好適な磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ハードディスク駆動装置等に搭
載される再生専用の磁気ヘッドとしては、短波長感度に
優れることから磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと称する。）が一般的に使用されている。

【０００３】上記ＭＲヘッドは、例えば先端部と後端部
にそれぞれ電極を積層した磁気抵抗効果薄膜よりなる磁
気抵抗効果感磁部（以下、ＭＲ感磁部と称する。）と、
このＭＲ感磁部に所要の向きの磁化状態を与えるバイア
ス導体とを有して構成されている。

【０００４】かかるＭＲヘッドは、例えばＡｌ₂Ｏ₃−
ＴｉＣ等よりなるスライダと称される基板上に、所定間
隔を持って相対向して積層配置された一対の磁気シール
ドコア間に設けられ、ＭＲヘッドと一対の磁気シールド
コア間にそれぞれ形成される再生用磁気ギャップをハー
ドディスクとの対接面，すなわちＡＢＳ（エア・ベアリ
ング・サーフェス）面に臨むようにして設けられてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記一対の
磁気シールドコアのうち、基板側に配される磁気シール
ドコア、いわゆる下層磁気シールドコアを構成する磁性
材料としては、磁気特性上センダストが有効である。セ
ンダストを使用した場合には、ヘッドとして必要な磁気
特性を得るために、つまりセンダストの磁気特性を安定
化させるべく、５２０℃の雰囲気中で１時間の加熱処理
（以下、アニールと称する。）を行う必要がある。

【０００６】ところが、センダストよりなる下層磁気シ
ールドコアのアニールを大気中で行うと、該下層磁気シ
ールドコアの表面が酸化膜となり、酸化された部分の磁
気特性が劣化してしまう。そのため、下層磁気シールド
コアの磁区構造が乱れ、下層磁気シールドコアの磁区構
造に影響を受けるＭＲ感磁部の磁区構造が乱れ、バルク
ハウゼンノイズが発生する。また、下層磁気シールド
コアのうち酸化膜となってしまった部分が磁気シールド
コアとして機能しなくなるために、ＭＲヘッドと下層磁
気シールドコア間に形成される再生用磁気ギャップの実
効ギャップ長が広がるといった不都合が生じる。この結
果、再生信号の品質の劣化や短波長再生特性の劣化が生
じ、正確な情報記録信号を読み出せなくなる。

【０００７】そこで、このような不都合を解消するため
に、下層磁気シールドコアのアニールを真空中や窒素雰
囲気中で行うようにしているが、これらの方法では、ア
ニールを行う炉内を真空に引いたり、窒素雰囲気に置換
する必要があり、単純な温度の上げ下げによるアニール
に比べ、高価な機械装置や多くの時間を必要とし、生産
性が良好ではない。

【０００８】そこで本発明は、かかる実情に鑑みて提案
されたものであり、下層磁気シールドコアの磁区構造の
乱れを防止してバルクハウゼンノイズの発生を抑制し、
また実効ギャップ長の精度を向上させ、再生信号の品質
や短波長再生特性が良好で情報記録信号を正確に読み出
せる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを生産性良好に製造でき
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法を提供すること
を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの製造方法は、上述の目的を達成するために
提案されたものであり、基板上に下層磁気シールドコア
を形成し、上記下層磁気シールドコアの加熱処理を行っ
た後、加熱処理によって該下層磁気シールドコアの表面
に形成された酸化膜を除去し、上記下層磁気シールドコ
ア上に絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さら
に上記磁気抵抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シ
ールドコアを形成するものである。

【００１０】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法においては、下層磁気シールドコアがセンダ
ストよりなっても良い。

【００１１】さらに、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法においては、下層磁気シールドコアを形成
する際、その膜厚を下層磁気シールドコアの所定の膜厚
よりも厚くし、上記下層磁気シールドコアの表面に形成
される酸化膜を除去することにより、該下層磁気シール
ドコアを所定の膜厚としても良い。

【００１２】

【作用】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法
においては、基板上に下層磁気シールドコアを形成し、
上記下層磁気シールドコアの加熱処理を行った後、加熱
処理によって該下層磁気シールドコアの表面に形成され
た酸化膜を除去しているため、下層磁気シールドコアに
磁区の乱れが生じない。また、上記下層磁気シールドコ
ア上に絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さら
に上記磁気抵抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シ
ールドコアを形成しても、下層磁気シールドコアの磁区
に乱れが生じていないことから、下層磁気シールドコア
の磁区構造に影響を受ける磁気抵抗効果素子の磁区構造
が乱れることもなく、バルクハウゼンノイズが発生しな
い。さらに、下層磁気シールドコアの酸化膜が除去され
ていることから、下層磁気シールドコア全体が磁気シー
ルドコアとして機能し、磁気抵抗効果素子と下層磁気シ
ールドコア間に絶縁膜により形成される再生用磁気ギャ
ップの実効ギャップ長が広がることもない。

【００１３】そして、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法においては、下層磁気シールドコアを形成
する際、その膜厚を下層磁気シールドコアの所定の膜厚
よりも厚くし、上記下層磁気シールドコアの表面に形成
される酸化膜を除去することにより、該下層磁気シール
ドコアを所定の膜厚としても良く、下層磁気シールドコ
アの膜厚が精度良好に規制され、下層磁気シールドコア
の特性が安定化する。

【００１４】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例は、
同一基板上に再生用磁気ギャップを構成するＭＲヘッド
である再生ヘッドと、記録用磁気ギャップを構成する誘
導型磁気ヘッド（インダクティブヘッドと称する。）で
ある記録ヘッドを積層した，いわゆる複合型の磁気ヘッ
ドの製造方法に適用した例である。

【００１５】本実施例において製造した複合型磁気ヘッ
ドは、図１に示すように、ハードディスクとの対接面と
なるＡＢＳ面１に再生用磁気ギャップｇ₁，ｇ₂を臨ま
せるＭＲヘッドと、同様にＡＢＳ面１に記録用磁気ギャ
ップｇ₃を臨ませるインダクティブヘッドを、Ａｌ₂Ｏ
₃等よりなる絶縁膜２が形成されたＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ
からなる基板３上に積層形成した，いわゆる２ギャップ
タイプの記録再生ヘッド構成となっている。

【００１６】ＭＲヘッドは、図２に示すように、先端部
と後端部にそれぞれ図示しない定電流源からのセンス電
流を通ずるための一対の電極４ａ，４ｂ（以下、ＡＢＳ
面１にその先端を臨ませるようして形成される電極４ａ
を先端電極４ａ、後端側に設けられる電極４ｂを後端電
極４ｂと称する。）が積層された磁気抵抗効果素子のＭ
Ｒ感磁部５と、このＭＲ感磁部５に所要の向きの磁化状
態を与えるバイアス導体６とからなる。

【００１７】ＭＲ感磁部５は、例えばインダクティブヘ
ッドの記録用磁気ギャップｇ₃のトラック幅Ｔｗよりも
若干幅狭の長方形パターンとして形成され、その長手方
向が上記ＡＢＳ面１に対して直交方向となるように設け
られるとともに、その一端縁が上記ＡＢＳ面１に臨むよ
うになっている。かかるＭＲ感磁部５は、例えばパーマ
ロイ等の強磁性体薄膜からなり、その膜厚が２０ｎｍ〜
５０ｎｍと非常に薄い膜として蒸着やスパッタリング等
によって形成されている。

【００１８】なお、上記ＭＲ感磁部５は、ＭＲ薄膜の単
層の膜であってもよいが、例えばＳｉＯ₂等よりなる非
磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対のＭＲ薄膜
を積層するようにしてもよい。積層膜構造とすることに
よって、バルクハウゼンノイズの発生が回避できる。

【００１９】先端電極４ａは、上記ＭＲ感磁部５の先端
部に直接積層されるとともに、再生用磁気ギャップ
ｇ₁，ｇ₂のデプスを規制するためのＭＲ感磁部５上に
形成される絶縁膜７ａ上に積層される形で設けられてい
る。このＭＲ感磁部５上に直接積層される配線パターン
は、その一側縁部が上記ＡＢＳ面１に露出するようにな
っている。なお、ＡＢＳ面１に露出する先端電極４ａ
は、上層の再生用磁気ギャップｇ₂を構成するギャップ
膜としても機能する。

【００２０】一方、後端電極４ｂは、上記先端電極４ａ
と同様ＭＲ感磁部５上に形成される絶縁膜７ａ上にその
一部が積層されるとともに、そのバック側で該ＭＲ感磁
部５に直接積層されるようになっている。

【００２１】上記バイアス導体６は、先端電極４ａと後
端電極４ｂの間に絶縁膜７ｂを介して積層されるととも
に、上記ＭＲ感磁部５に対して略直交する方向，つまり
ＭＲ感磁部５を横切る形で設けられている。このバイア
ス導体６の両端子部には、直流電源からのバイアス電流
が通電されるようになっている。したがって、直流電流
は配線パターンの長手方向であるトラック幅方向に流れ
ることになり、上記ＡＢＳ面１と直交する方向にバイア
ス磁界が印加される。

【００２２】このようにして構成された再生ヘッドとし
て機能する磁気回路部は、例えばパーマロイやセンダス
ト等よりなる一対の磁気シールドコア８，９によってそ
の上下より挾み込まれる形で設けられている。つまり、
シールド型構成となっている。シールド型構成をとるの
は、この種の一体型ヘッドでは、短波長再生を要求され
たり、再生波形がインダクティブヘッドの微分出力波形
と同じものを信号処理上求められるからである。

【００２３】ＭＲ感磁部５の下側に設けられる磁気シー
ルドコア８（以下、下層磁気シールドコア８と称す
る。）は、基板３上に形成されたＡｌ₂Ｏ₃等よりなる
絶縁膜２上に、上記ＡＢＳ面１にその一端を臨ませるよ
うにしてこのＡＢＳ面１に対して略直交する方向に延在
して設けられている。そして、この下層磁気シールドコ
ア８とＭＲ感磁部５との間には、下層の再生用磁気ギャ
ップｇ₁を構成するギャップ膜として機能するＡｌ₂Ｏ
₃よりなる下地膜１０が設けられている。かかる下地膜
１０は、例えばその膜厚が０．１μｍ〜０．５μｍとさ
れている。

【００２４】一方、ＭＲ感磁部５の上側に設けられる磁
気シールドコア９（以下、上層磁気シールドコア９と称
する。）は、下層磁気シールドコア８と同様に上記ＡＢ
Ｓ面１にその一端を臨ませるようにしてこのＡＢＳ面１
に対して略直交する方向に延在して設けられている。ま
た、この上層磁気シールドコア９は、ＡＢＳ面１側で先
端電極４ａに対して直接積層されるとともに、中央部で
絶縁膜１１を介して積層され、且つバック側で、場合に
よっては下層磁気シールドコア８と直接接する（本実施
例においては、直接接する構造としている。）ようにな
っている。

【００２５】そして、上記ＭＲヘッド上に積層して設け
られるインダクティブヘッドは、ＭＲ感磁部５をシール
ドする上層磁気シールドコア９を閉磁路を構成する一方
の薄膜磁気コアとし、この上層磁気シールドコア９に対
向して積層される他方の磁気コア１２とによって、上記
ＡＢＳ面１に臨んでその前方端部間に記録用磁気ギャッ
プｇ₃を構成するようになっている。

【００２６】すなわち、ＭＲ感磁部５をシールドする上
層磁気シールドコア９に対向して積層される磁気コア１
２は、上記ＡＢＳ面１に臨む前方端部で磁気シールドと
して機能する上層磁気シールドコア９側に屈曲され、そ
の隙間が狭くなされた対向部分に記録用磁気ギャップｇ
₃を構成するようになっている。なお、ＡＢＳ面１側で
屈曲される磁気コア１２は、後方端部でシールドコアと
しても機能する上層磁気シールドコア９と直接接するよ
うになっている。

【００２７】そして、上記磁気シールドコア９と磁気コ
ア１２の接続部である磁気的結合部１３には、この磁気
的結合部１３を取り囲むようにしてスパイラル状のヘッ
ド巻線１４が設けられている。ヘッド巻線１４は、閉磁
路を構成する磁気シールドコア９，磁気コア１２との絶
縁性を確保するために、絶縁膜１５によって埋め込まれ
るようになっている。また、上記ヘッド巻線１４の巻始
めと巻終わりの端部である端子部には、交流電源からの
記録電流が供給されるようになっている。なお、最上層
の磁気コア１２の上には、ＭＲヘッドとインダクティブ
ヘッドを保護するためのＡｌ₂Ｏ₃よりなる保護膜１６
が設けられている。

【００２８】そして特に、本実施例により製造される複
合型磁気ヘッドにおいては、下層磁気シールドコア８の
アニールにより該下層磁気シールドコア８の表面に生じ
る酸化膜を平坦化研磨して取り除いており、上記下層磁
気シールドコア８の磁気特性の劣化した部分が取り除か
れている。

【００２９】すなわち、下層磁気シールドコア８に磁区
の乱れが生じず、下層磁気シールドコア８の磁区構造に
影響を受けるＭＲ感磁部５の磁区構造が乱れることもな
く、バルクハウゼンノイズが発生しない。また、下層磁
気シールドコア８の酸化膜が除去されていることから、
下層磁気シールドコア８全体が磁気シールドコアとして
機能し、ＭＲ感磁部５と下層磁気シールドコア８間に下
地膜１０により形成される再生用磁気ギャップｇ₁ の実
効ギャップ長が広がることがなく、実効ギャップ長を精
度良好に規制することができる。従って、再生信号の品
質や短波長再生特性が良好となり、情報記録信号を正確
に読み出すことが可能となる。

【００３０】ところで、上述の複合型磁気ヘッドを作成
するには、以下のようにして行う。先ず、図３に示すよ
うに、絶縁膜として機能するアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）膜
２が成膜されたＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣからなる基板（以
下、アルチック基板と称する。）３を用意する。このと
きのアルミナ膜２は、表面粗度が中心線平均粗さＲａで
１ｎｍ以下である。

【００３１】次に、このアルチック基板３に対してアニ
ール処理を行う。磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する
前段階でアニール処理を行うのは、次のことに基づく。

【００３２】上述したヘッド構成のうち、下層磁気シー
ルドコア８は、磁気シールドとしてのみ使用されるもの
であり、その磁気特性上センダストが有効である。セン
ダストの磁気特性を十分発揮させるためにはアニールが
必要であり、通常５２０℃で１時間の保持が必要とされ
る。

【００３３】ところが、センダストに対してアニールを
行うと、アルチック基板３と下層磁気シールドコア８間
の絶縁のために予め成膜されているアルミナ膜２が応力
解放され、アルチック基板３に反りが発生する。アニー
ル終了後に反りが発生すると、その後の下層磁気シール
ドコア８の平坦化研磨工程において、研磨のばらつきが
大きくなる等の問題が発生する。したがって、本実施例
では、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを作製する前に、アル
チック基板３に対してアニール処理を施し、予めアルミ
ナ膜２の応力を解放させておく。

【００３４】通常、センダストのアニールは、磁気特性
を得るために最適な５２０℃で行われる。しかし、ここ
でのアニールは、５２０℃でのアルミナ膜２の応力解放
が行われればよいので、５２０℃〜６００℃程度であれ
ば問題ない。そこで、本実施例では、５２０℃〜６００
℃でアニールする。すると、アニールによってアルミナ
膜２が応力解放されて、図４に示すように、アルチック
基板３は数μｍ反ることになる。

【００３５】次に、上記反ったアルチック基板３を、最
初にダイヤモンド研磨を行い、次にバフ研磨して図５に
示すように平坦化する。最初の研磨により、アルチック
基板３の厚みをコントロールできるので、スライダー長
規格にあった基板厚を容易に得ることができる。

【００３６】しかる後、図６に示すように、平坦化され
たアルチック基板３のアルミナ膜２上にセンダストをス
パッタリング又はメッキすることにより、下層磁気シー
ルドコア８を形成する。このとき、下層磁気シールドコ
ア８を形成するセンダストの膜厚は、後工程でアニール
することにより下層磁気シールドコア８表面に形成され
る酸化膜の分だけ下層磁気シールドコア８の所定の厚さ
よりも厚くする。

【００３７】次いで、図７に示すように、このセンダス
トよりなる下層磁気シールドコア８を５２０℃でアニー
ル処理する。その結果、下層磁気シールドコア８の表面
が酸化され、酸化膜５０が形成される。そして、この下
層磁気シールドコア８に対して、図８に示すように、所
定形状となるようにパターニングとエッチングを施す。

【００３８】次いで、電極形成など所定のプロセスを行
う。しかる後、図９に示すように、次工程で上記下層磁
気シールドコア８を平坦化するために例えばＡｌ₂Ｏ₃
よりなる平坦化膜４０を、この下層磁気シールドコア８
の膜厚よりも０．５μｍ〜１μｍ厚くなるように成膜す
る。

【００３９】そして、上記平坦化膜４０と下層磁気シー
ルドコア８を共に研磨して平坦化を図る。このとき、下
層磁気シールドコア８が所定の膜厚となるまで研磨を行
い、下層磁気シールドコア８の表面に形成される酸化膜
５０を除去し、下層磁気シールドコア８を表面に露出さ
せる。その際、下層磁気シールドコア８の表面粗度を中
心線平均粗さＲａが１ｎｍ以下となるようにする。

【００４０】その結果、下層磁気シールドコア８の磁気
特性の劣化した部分は取り除かれ、上記下層磁気シール
ドコア８に磁区の乱れは生じない。また、下層磁気シー
ルドコア８は後工程でアニールすることにより下層磁気
シールドコア８表面に形成される酸化膜の分だけ所定の
厚さよりも予め厚く形成されているため、上記のように
酸化膜５０を研磨して除去しても、下層磁気シールドコ
ア８は所定の膜厚に精度良好に規制され、下層磁気シー
ルドコアの特性が安定化する。

【００４１】下層磁気シールドコア８の表面粗度を１ｎ
ｍ以下とするには、ダイヤモンド砥粒を使用した粗研磨
と、シリカ系超微粒子を使用した精研磨（バフ研磨）を
組み合わせて行う。

【００４２】ここで使用する研磨装置は、例えば図１０
及び図１１に示すように、主として研磨盤として機能す
る定盤１８と、この定盤１８上に載置される基板３を左
右方向に揺動させる揺動機構１９とから構成される。

【００４３】粗研磨の際に使われる定盤１８は、例えば
銅と金属粒子を高分子材料で固めることにより円盤形状
として形成されてなるもので、平面矩形状をなす装置本
体２０の略中央部に図１０中矢印Ａ方向に回転可能に設
けられている。なお、この定盤１８の平面度は、例えば
１０μｍ以下とされている。

【００４４】また、この粗研磨の際に使われる定盤１８
の表面には、ポリエステル不織布や発泡ポリウレタン
（人工皮革）或いは硬軟質二重構造等の弾性ポリッシャ
等よりなる研磨布３９が設けられている。さらに、この
定盤１８の上には、円盤形状とされた基板３が載置され
るが、この基板３をガイドし又は研磨レートをかせぐた
めに加圧する目的で、当該基板３を覆って治具２１が設
けられる。

【００４５】上記治具２１は、外形形状が円形となさ
れ、上記定盤１８と対向する面に上記基板３を嵌合させ
る円形状をなす凹部２２を有している。上記凹部２２の
深さは、治具２１が定盤１８によって研磨されないよう
に基板３の板厚寸法よりも浅くなされている。したがっ
て、上記凹部２２に基板３を嵌合させて定盤１８上に載
置した状態では、基板３のみが定盤１８に接触すること
になる。

【００４６】一方、揺動機構１９は、上記一対の治具２
１を回転可能に保持するキャリア２３と、このキャリア
２３を定盤１８の中心線上に沿って図１０中矢印Ｂで示
す左右方向に揺動させる駆動源として機能する駆動モー
タ２４と、この駆動モータ２４の回転運動を揺動運動に
変換するカム２５とクランクシャフト２６と、一対のス
ライダー２７，２８とから構成される。

【００４７】上記キャリア２３は、上記一対の治具２１
を回転可能に収納保持する円形状の治具収納部２９，３
０を有した平面形状がいわゆるメガネ形状をなす支持体
として形成されている。そして、このキャリア２３に
は、上記治具収納部２９，３０に収納される治具２１を
回転可能に収納保持するために、センターローラ３１と
ガイドローラ３２，３３が設けられている。

【００４８】センターローラ３１は、上記一対の治具収
納部２９，３０の間に円盤体として回転可能に設けられ
ている。また、ガイドローラ３２，３３は、上記センタ
ーローラ３１と反対側の治具収納部２９，３０の外周囲
に円柱状をなすローラとして回転可能に設けられてい
る。

【００４９】そして、上記キャリア２３の両側には、該
キャリア２３を左右方向に揺動させるためのスライダー
２７，２８が設けられている。すなわち、上記キャリア
２３の両端部には、円柱状をなす連結部材３４，３５を
介して装置本体２０上をスライド自在とされるスライダ
ー２７，２８が設けられている。これらスライダー２
７，２８のうち一方のスライダー２７には、駆動モータ
２４の回転運動を揺動運動に変換するためのカム２５と
クランクシャフト２６が設けられている。

【００５０】したがって、上記駆動モータ２４の回転運
動は、カム２５に伝達され、該カム２５と係合するクラ
ンクシャフト２６によって揺動運動に変換せしめられ
る。これにより、キャリア２３が左右方向に揺動する。
なお、上記キャリア２３の揺動速さは、装置本体２０上
に設けられる制御装置３６によって適宜調整可能となさ
れている。

【００５１】以上のように構成された研磨装置を用い
て、上記アルチック基板３上に形成された平坦化膜４０
と下層磁気シールドコア８を研磨し平坦化を図る。最初
に、ダイヤモンド砥粒を使用して粗研磨を行う。すなわ
ち、定盤１８の上にアルチック基板３を載せる。このと
き、平坦化膜４０と下層磁気シールドコア８の酸化膜５
０が形成される側の面が研磨面として定盤１８と接触す
るように前記アルチック基板３を載置する。

【００５２】次に、このアルチック基板３上に治具２１
を落とし込む。すると、治具２１に設けられた凹部２２
にアルチック基板３が嵌合し、当該アルチック基板３の
位置が決まると同時に、該アルチック基板３に荷重が加
わる。

【００５３】なお、アルチック基板３と治具２１とは、
ワックスや接着剤による接着がなされていないため、接
着歪みによる基板の反りやうねりが発生することがな
い。また、必要に応じて、治具２１の上に重りを載せて
加工圧を高くし、研磨レートを大きくするようにしても
よい。

【００５４】次に、これら治具２１をキャリア２３に設
けられた治具収納部２９，３０内にセットする。この結
果、治具２１は、センターローラ３１とガイドローラ３
２，３３とによって回転可能に保持される。次に、定盤
１８を回転させるとともに、駆動モータ２４のスイッチ
を入れる。

【００５５】すると、駆動モータ２４の回転がカム２５
に伝達され、このカム２５と連結されるクランクシャフ
ト２６によって揺動運動に変換せしめられる。そして、
このクランクシャフト２６に連結された一方のスライダ
ー２７と他方のスライダー２８とによって、上記キャリ
ア２３が左右方向に揺動する。この結果、キャリア２３
に回転可能に保持された治具２１及びアルチック基板３
もこれらと一緒に揺動する。

【００５６】そして、研磨液供給タンク３７に接続され
るノズル３８の先端より、上記定盤１８上にダイヤモン
ドスラリーを供給する。すると、アルチック基板３が定
盤１８の回転運動とキャリア２３による揺動運動とによ
って基板全体に亘って研磨される。

【００５７】なお、アルチック基板３を揺動させない場
合には、該アルチック基板３の内外周の周速差によっ
て、当該基板中央部に偏摩耗が発生する。そして、ある
程度粗削りが終了した時点で、研磨を終了する。

【００５８】次に、シリカ系超微粒子をｐＨ１０前後の
アルカリ溶液に懸濁させた研磨液に取り替え、バフ研磨
を行う。アルカリ溶液は、平坦化膜４０と下層磁気シー
ルドコア８を化学的にエッチングさせるためのものであ
り、加工液と材料との反応を促進させる機能をする。そ
して、このアルカリ溶液に懸濁させる微粒子は、研磨面
の凹凸をより滑らかにする作用をする。

【００５９】本実施例では、研磨液として粒子径５ｎｍ
〜１００ｎｍのＳｉＯ₂を、濃度約２０重量％〜４０重
量％，ｐＨ９．０〜ｐＨ１１．０のアルカリ溶液に懸濁
させたものを使用した。

【００６０】そして、この研磨液によって先の方法と同
様にして研磨（これをバフ研磨と称する。）を行い、下
層磁気シールドコア８の表面粗度が中心線平均粗さＲａ
で１ｎｍ以下となるまで研磨を行う。ここでの研磨工程
では、先のセンダストのアニール処理終了時でほとんど
アルチック基板３が反らず、基板表面がある程度平坦化
されているので、平坦化処理が極めて容易に行える。

【００６１】この結果、下層磁気シールドコア８の表面
は、図１２に示すように、ＳｉＯ₂砥粒による機械的作
用と加工液による科学的作用によってその表面粗度がＲ
ａ１ｎｍ以下と微細な凹凸の無い極めて平滑な面とな
る。

【００６２】次に、平坦化された下層磁気シールドコア
８の上にＡｌ₂Ｏ₃を成膜し、下層の再生用磁気ギャッ
プｇ₁を構成するギャップ膜として機能する下地膜１０
を形成する。上記下地膜１０は、下層磁気シールドコア
８の表面粗度がＲａ１ｎｍ以下であるので、その表面粗
度も同じくＲａ１ｎｍ以下となる。

【００６３】このとき、上記下層磁気シールドコア８は
酸化膜が除去されているため、下層磁気シールドコア８
全体が磁気シールドコアとして機能し、再生用磁気ギャ
ップｇ₁ の実効ギャップ長は下地膜１０の膜厚により決
定され、実効ギャップ長を精度良好に規制することがで
きる。

【００６４】次いで、上記下地膜１０の上にＭＲ感磁部
５を蒸着やスパッタリング等によってその膜厚が２０ｎ
ｍ〜５０ｎｍとなるように形成する。そして、上記ＭＲ
感磁部５に対して所定形状となるようにパターニングと
エッチングを施す。

【００６５】このとき、下層磁気シールドコア８に磁区
の乱れが生じていないことから、下層磁気シールドコア
８の磁区構造に影響を受けるＭＲ感磁部５の磁区構造が
乱れることもない。

【００６６】次に、上記ＭＲ感磁部５上に絶縁膜７ａを
形成した後、ＭＲ感磁部５と電気的に接続するためのＭ
Ｒ電極接続穴を形成する。そして、先端電極４ａと後端
電極４ｂをそれぞれ形成した後、絶縁膜７ｂを積層し、
その上にバイアス導体６を形成する。

【００６７】次に、上記バイアス導体６上に絶縁膜１１
を積層した後、先端電極４ａと次工程で作成する上層磁
気シールドコア９との接続を図るための先端接続孔を形
成する。そして、上記絶縁膜１１を覆って上層磁気シー
ルドコア９を形成する。この結果、上層磁気シールドコ
ア９はＡＢＳ面１側で先端電極４ａと直接接する（本実
施例においては、直接接する構造とする。）とともに、
場合によっては、バック側で下層磁気シールドコア８と
直接接することになる。

【００６８】次いで、この上層磁気シールドコア９の上
にヘッド巻線１４を絶縁膜１５によって埋め込む形で設
ける。そして、上記ヘッド巻線１４を覆って最上層の磁
気コア１２を形成する。上記磁気コア１２は、ＡＢＳ面
１側で絶縁膜１５を介して上層磁気シールドコア９と近
接して所定ギャップ長となるように設け、バック側で上
層磁気シールドコア９と直接接するように形成する。

【００６９】この結果、ＡＢＳ面１側の磁気シールドコ
ア９，磁気コア１２とによって挟み込まれた間隙部に記
録用磁気ギャップｇ₃が構成される。そして最後に、こ
れらＭＲヘッドとインダクティブヘッドを覆って保護膜
１６を積層し、ＡＢＳ面１を鏡面加工することによって
複合型磁気ヘッドが作製される。

【００７０】すなわち、本実施例において製造される複
合型磁気ヘッドにおいては、上述のように下層磁気シー
ルドコア８に磁区の乱れが生じず、ＭＲ感磁部５の磁区
構造が乱れることがないことから、バルクハウゼンノイ
ズが発生しない。また、下層磁気シールドコア８全体が
磁気シールドコアとして機能することから、実効ギャッ
プ長を精度良好に規制することができる。従って、再生
信号の品質や短波長再生特性が良好となり、情報記録信
号を正確に読み出すことが可能となる。

【００７１】さらに、本実施例において製造される複合
型磁気ヘッドにおいては、下層磁気シールドコア８の膜
厚が精度良好に規制されており、該下層磁気シールドコ
ア８の特性が安定化し、上記複合型磁気ヘッドの特性が
安定化する。

【００７２】また、本実施例によれば、アニール処理の
ための高価な機械装置や多くの時間を必要とせず、生産
性を向上させることも可能である。

【００７３】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、前述の実施
例ではＭＲヘッドとインダクティブヘッドの磁性体を共
通化した構成の複合型磁気ヘッドの製造に適用したが、
上下に設けられる磁気シールドコアをＭＲヘッドとイン
ダクティブヘッドとでそれぞれ専用に設けるようにした
構成の複合型磁気ヘッドの製造に対しても適用すること
ができ、その作用効果は同じである。

【００７４】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法においては、
基板上に下層磁気シールドコアを形成し、上記下層磁気
シールドコアの加熱処理を行った後、加熱処理によって
下層磁気シールドコアの表面に形成された酸化膜を除去
しているので、該下層磁気シールドコアに磁区の乱れが
生じない。そして、上記下層磁気シールドコア上に絶縁
膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さらに上記磁気
抵抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シールドコア
を形成しても、下層磁気シールドコアの磁区に乱れが生
じていないことから、下層磁気シールドコアの磁区構造
に影響を受ける磁気抵抗効果素子の磁区構造が乱れるこ
ともなく、バルクハウゼンノイズが発生しない。さら
に、下層磁気シールドコアの酸化膜が除去されているこ
とから、下層磁気シールドコア全体が磁気シールドコア
として機能し、磁気抵抗効果素子と下層磁気シールドコ
ア間に絶縁膜により形成される再生用磁気ギャップの実
効ギャップ長が広がることもない。従って、再生信号の
品質や短波長再生特性が良好となり、情報記録信号を正
確に読み出すことが可能となる。

【００７５】そして、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法においては、下層磁気シールドコアを形成
する際、その膜厚を下層磁気シールドコアの所定の膜厚
よりも厚くし、上記下層磁気シールドコアの表面に形成
される酸化膜を除去することにより、該下層磁気シール
ドコアを所定の膜厚としても良く、下層磁気シールドコ
アの膜厚が精度良好に規制され、下層磁気シールドコア
の特性が安定化し、製造される磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの特性が安定化する。

【図面の簡単な説明】

【図１】複合型磁気ヘッドの拡大断面図である。

【図２】複合型磁気ヘッドのＭＲヘッド部分を拡大して
示す要部拡大断面図である。

【図３】アルミナ膜が成膜されたアルチック基板の断面
図である。

【図４】アニール処理後のアルチック基板の断面図であ
る。

【図５】平坦化研磨後のアルチック基板の断面図であ
る。

【図６】センダストスパッタ後のアルチック基板の断面
図である。

【図７】センダストスパッタ後にアニール処理した状態
を示すアルチック基板の断面図である。

【図８】センダストをエッチングした状態を示すアルチ
ック基板の断面図である。

【図９】平坦化膜を形成した状態を示すアルチック基板
の断面図である。

【図１０】研磨装置の平面図である。

【図１１】研磨装置を一部破断して示す拡大側面図であ
る。

【図１２】下層磁気シールドコアを平坦化した状態を示
すアルチック基板の断面図である。

【符号の説明】

１ＡＢＳ面３アルチック基板４ａ先端電極４ｂ後端電極５ＭＲ感磁部６バイアス導体７絶縁膜８下層磁気シールドコア９上層磁気シールドコア１０下地膜１２磁気コア４０平坦化膜５０酸化膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に下層磁気シールドコアを形成
し、上記下層磁気シールドコアの加熱処理を行った後、
加熱処理によって該下層磁気シールドコアの表面に形成
された酸化膜を除去し、上記下層磁気シールドコア上に
絶縁膜を介して磁気抵抗効果素子を形成し、さらに上記
磁気抵抗効果素子上に絶縁膜を介して上層磁気シールド
コアを形成する磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】下層磁気シールドコアがセンダストより
なることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項３】下層磁気シールドコアを形成する際、そ
の膜厚を下層磁気シールドコアの所定の膜厚よりも厚く
し、上記下層磁気シールドコアの表面に形成される酸化
膜を除去することにより、該下層磁気シールドコアを所
定の膜厚とすることを特徴とする請求項１記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの製造方法。