JPH07294763A - 偏光に依存しないシリカ光回路の作製方法 - Google Patents

偏光に依存しないシリカ光回路の作製方法

Info

Publication number
JPH07294763A
JPH07294763A JP7095750A JP9575095A JPH07294763A JP H07294763 A JPH07294763 A JP H07294763A JP 7095750 A JP7095750 A JP 7095750A JP 9575095 A JP9575095 A JP 9575095A JP H07294763 A JPH07294763 A JP H07294763A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
glass
waveguide
waveguide structure
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP7095750A
Other languages
English (en)
Inventor
Herman M Presby
メルヴィン プレスビー ハーマン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
AT&T Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by American Telephone and Telegraph Co Inc, AT&T Corp filed Critical American Telephone and Telegraph Co Inc
Publication of JPH07294763A publication Critical patent/JPH07294763A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/126—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind using polarisation effects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12035—Materials
    • G02B2006/12038—Glass (SiO2 based materials)

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、偏光に依存しないシリカ光回路の
作製方法で提供する。 【構成】 本発明に従うと、偏光に依存しない光デバイ
スが、シリコン基板上に導波路構造を形成し、ガラスの
補強層を加え、導波路構造下のシリコン基板の領域を除
去することにより作製される。あるいは、ガラスの補強
層は、シリコンが除去された後、つけ加えられる。導波
路構造下のシリコンを除去することによって、圧縮応力
の源が除かれることにより、偏光に依存するスペクトル
効果が除かれ、得られるガラス補強構造は、実際的用途
に対し十分堅固である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は偏光に依存しないシリカ
光回路に係る。本発明は具体的には、偏光に依存しない
スペクトル応答を有するマルチプレクサ及びデマルチプ
レクサを実現するのに、有用である。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信チャネルが、金属ケーブ
ル及びマイクロ波伝送リンクに次第に置き代わるにつ
れ、光信号を直接処理するための集積光デバイスが、次
第に重要になっている。光処理の有用な方式は、シリコ
ン基板上に形成された集積ガラス導波路構造の使用を通
してである。そのようなデバイスの基本的な構造は、一
般にシリカ光回路とよばれ、ここに参考文献として含ま
れるシー・エイチ・ヘンリー（C.H.Henry ）ら、“ハイ
ブリッド光パッケージのためのシリコン上のガラス導波
路”、７、ジャーナル・ライトウェーブ・テクノロジー
（J. Lightwave Technol. ）１５３０−１５３９頁（１
９８９）に述べられている。要するに、シリコン基板に
はＳｉＯ2 のベース層が形成され、酸化物上にドープシ
リカガラスの薄いコア層を堆積させる。コア層は標準的
なフォトリソグラフィ技術を用いて、典型的な場合５−
７μｍ幅の所望の導波路構造に形成でき、ドープされた
シリカガラスの層を、最上部クラッドとして働くよう堆
積させる。導波路の精密な形態に依存して、そのような
デバイスはビーム分割、引き込み、多重化、デマルチプ
レクシング及びろ波といった広範囲の機能を果たすこと
ができる。
【０００３】しかし、そのようなデバイスの１つの欠点
は、圧縮応力により、導波路コア中に、複屈折が誘導さ
れることである。圧縮応力はシリコンとシリカの間の熱
膨張の差による。生ずる複屈折の効果は、伝送される光
の異なる偏光モードが、異なる実効屈折率を受けること
である。具体的には、横方向磁気モード（ＴＭ）は横方
向電気（ＴＥ）モードより、大きな屈折率に出会う。分
散効果は導波路中の曲部により、更に悪化する。曲部を
通る時、光モードは半径方向外側にシフトする。導波路
コアにゆるく結合されたモード（ＴＭ）は、よりきつく
結合されたモード（ＴＥ）より、外側により大きくシフ
トし、その結果、ゆるく結合したモードは、より大きな
光路長と位相をもつ。
【０００４】複屈折の発生を除くことは、高動作光デバ
イスには必要であると、長い間認識されてきた。事実、
そのような複屈折を補償するために、各種の念入りな方
式が提案されてきた。１つの方法では、偏光を９０゜回
転させるために、導波路回折格子マルチプレクサの中央
に、挿入された半波長板が用いられる。エイチ・タカハ
シ（H. Takahashi）ら、“シリコン上の偏光に依存しな
いアレイ導波路マルチプレクサ”、オプティカル・レタ
ーズ（Opt. Letts.）１７（７）、４９９頁（１９９
２）を参照のこと。この方式は過度の損失を誘導する。
別の方式は、導波路上に、アモルファスシリコンの厚い
層（６μｍ）を堆積させる。しかし、次にシリコン層
は、高パワーレーザで、使用にあわせ整形される。エム
・カワチ（M.Kawachi）ら、“シリカ集積光リング共振
器における導波路複屈折のレーザ整形”プロシーディン
グ・シーエルイーオー（Proc. CLEO）’８９、ＴｕＪ１
７（１９８９年４月）を参照のこと。更に第３の方式で
は、応力を解放するために、導波路に沿って溝をエッチ
ングする。この方式では６０μｍ・オーダーの深さの溝
を必要とする。エム・カワチ（M. Kawachi）ら、“シリ
コン中の高シリカシングルモードチャネル導波路中の複
屈折制御”、プロシーディング・オーエフシー／アイオ
ーオーシー（Proc. OFC/IOOC）’８７、ＴｕＱ３１（１
９８７年１月）を参照のこと。このように、歪により誘
導される複屈折は、明らかに、シリコンを基礎とする集
積光デバイスで、問題である。
【０００５】本発明の要約 偏光に依存しない光デバイスは、シリコン基板上に導波
路構造を作製し、ガラスの補強層を追加し、導波路構造
の下にあるシリコン基板の領域を除去することによって
作製される。あるいは、ガラスの補強層は、シリコンを
除去した後、追加できる。導波路構造の下のシリコンを
除去することにより、圧縮歪の源が除かれたことによっ
て、偏光に依存したスペクトル効果が除かれ、得られる
ガラス補強構造は、実際的な用途に対して十分堅固であ
る。
【０００６】詳細な記述 図面を参照すると、図１は偏光に依存しない集積光デバ
イスの作製法の第１の実施例を、ブロックダイヤグラム
で示す。ブロックＡで示される第１の工程は、基板を準
備することで、その上に導波路構造を形成すると便利で
ある。基板はその上に形成されたガラス導波路構造をエ
ッチしないエッチャントにより、選択的に除去される。
基板は約１／２ミリメートルの厚さのシリコンを有する
（１００）シリコンのウエハが好ましい。
【０００７】ブロックＢで示される次の工程は、基板上
への導波路の形成を含む。導波路構造は、従来の方式
で、１）基板上に下部クラッドガラス層を形成し、２）
コアガラス層を形成し、フォトリソグラフィにより、導
波路の所望のパターンを形成し、３）規定された導波路
上に、上部クラッドガラス層を形成することにより、形
成すると有利である。クラッドガラスの第１の層は、高
圧水蒸気酸化により、シリコン基板上にＳｉＯ2 を成長
させることにより実現するのが便利である。コア層はＬ
ＰＣＶＤを用いて、酸化物上に堆積でき、ＲＩＥによ
り、導波路形態にパターン形成するために、ドライエッ
チすることができる。典型的な導波路コア幅は、５−７
μｍの範囲である。コアガラスは、６−８％リンドープ
したシリカが好ましく、４−６μｍの範囲の厚さを有す
と有利である。コアガラスはアニールするのが有利で、
その後リン及びホウ素ドープシリカの好ましい上部クラ
ッド層が、７−１５μｍの範囲の厚さに堆積できる。
【０００８】図２は基板２０、下部クラッド２１、導波
路２２及び上部クラッド２３の得られる構造を示す。光
スイッチ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、プレー
ナレンズ及び低次アレイマルチプレクサとして有用な導
波路の構成については、シー・ドラゴン（C. Dragone）
に承認された米国特許第５，１３６，６７１号及びアー
ル・アダール（R. Adar） らに承認された米国特許第
５，２１２，７５８号に示されている。これらの特許の
両方が、ここに参考文献として含まれている。
【０００９】図１のブロックＣで示されるように、第３
の工程は、クラッド導波路の露出された表面上に、ガラ
ス補強層を形成することである。これはフレーム加水分
解により、ガラス層を追加して形成するか、上部クラッ
ドの厚さを増すことにより行える。いずれの場合も、好
ましくは２０μｍを越えるガラスの厚さの増加分は、導
波路構造の保護のためである。得られる構造が図３に示
されており、この図で補強層３０が、上部クラッド２３
上に配置されている。
【００１０】図１のブロックＤ中の次の工程は、導波路
構造の下の少なくとも一部の基板を除去することであ
る。この除去は、粉砕またはレーザ削摩といった機械的
方法、湿式エッチング又は反応性イオンエッチングとい
った化学的方法又は２つの組合せにより行える。基板が
シリコンの場合、導波路領域下のポケットを、ダイヤモ
ンド器具を用いた標準的な粉砕機により、削り出すのが
好ましい。基板は少なくとも厚さの半分、好ましくは厚
さの少なくとも９０％を粉砕除去される。シリコンの残
った厚さは、ＫＯＨエッチャントを用い、９０℃で約３
μｍ／時間の速度で、シリコンをエッチングすることに
より除去される。
【００１１】得られた生成物は、図４の断面により、概
略的に描かれており、図は導波路２２の下の領域中で、
基板が除去されている。この構造は、導波路の近くでガ
ラスと基板が接触せず、圧縮応力による複屈折が減少す
るか、本質的に除かれるという利点をもつ。
【００１２】図５は光マルチプレクサ、デマルチプレク
サ又はスイッチデバイスとして有用な、図１のプロセス
に従って作られた好ましいデバイス５０の透視図であ
る。要するに、デバイスは米国特許第５，１３６，６７
１号に示された型の導波路構造２２を含み、基板２０の
一部４０が、導波路構造２２の下で除去されている。よ
り具体的には、導波路構造２２は一対の本質的に同一の
スターカプラ５１及び５２を含み、これらはあらかじめ
決められた量だけ相互に離れたＭ個の等しくない長さの
導波路を含む光回折格子５３により、結合されている。
デバイスは各端部で、Ｎ個の光ファイバ５４と相互接続
されているように、示されている。周知のように、各ス
ターカプラは導波路の周期的アレイ間の自由空間領域を
規定する誘電体スラブを含み、各領域は半径方向に実質
的な焦点まで延びる。デバイスは、低い漏話及び挿入損
で、多くの入力及び出力波長チャネルを、スイッチン
グ、多重化又はデマルチプレクシングできるＮＸＮ集積
光相互接続装置を形成する。
【００１３】光ファイバを導波路デバイスに結合し、製
品をパッケージするための好ましい技術については、１
９９１年１２月３１日に承認された“シリコン光部分の
パッケージ”と題する出願人の米国特許第５，０７６，
６５４号に述べられている。この特許は、ここに参考文
献として含まれている。
【００１４】図６はそのブロックＡ、Ｂ、Ｃで描かれた
最初の３工程は図１のプロセスと同様であるが、ブロッ
クＤの第４の工程は異なる別の実施例を示す。第４の工
程で、基板全体が除去される。ブロックＤで示されるよ
うに、ガラス（＞２０μｍ）の第２の補強層が、基板が
除去された側に形成されている。図７は基板除去前の構
造を示す。図８は除去後を示し、図９は代わってガラス
の第２の補強層９０を有する製品を示す。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に従う偏光に依存しない
集積光デバイスの作製工程を、概略的にダイヤグラムで
示す図。
【図２】図１の各種段階におけるデバイスの概略断面
図。
【図３】図１の各種段階におけるデバイスの概略断面
図。
【図４】図１の各種段階におけるデバイスの概略断面
図。
【図５】図１のプロセスに従って作られる好ましいデバ
イスの透視図。
【図６】集積光デバイスの別の作製法における工程を、
概略的にブロックダイヤグラムで示す図。
【図７】図６のプロセスの各種段階におけるデバイスの
概略断面図。
【図８】図６のプロセスの各種段階におけるデバイスの
概略断面図。
【図９】図６のプロセスの各種段階におけるデバイスの
概略断面図。
【符号の説明】
２０ 基板 ２１ 下部クラッド ２２ 導波路 ２３ 上部クラッド ３０ 補強層 ４０ 一部 ５０ 光デバイス ５１、５２ スターカプラ ５３ 光回折格子 ５４ 光ファイバ ９０ 第２の補強層

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を準備する工程；基板の一領域上
    に、光導波路構造を形成する工程；前記導波路構造上
    に、補強層を形成する工程；及び前記導波路構造の下の
    基板の前記領域を除去する工程；を含む集積光デバイス
    の作製方法。
  2. 【請求項２】 前記補強層はガラスを含む請求項１記載
    の方法。
  3. 【請求項３】 前記光導波路構造は、前記基板上に下部
    クラッドガラス層を形成する工程、前記下部クラッドガ
    ラス上にコアガラスの層を形成する工程、コアガラスの
    前記層中に導波路のパターンを規定する工程及び導波路
    の前記パターン上に、上部クラッドガラス層を形成する
    工程により形成される請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 基板の前記領域の厚さの少なくとも一部
    は、機械的に除去される請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】 基板の前記領域の厚さの少なくとも一部
    は、機械的に除去される請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 基板の前記領域は、その厚さの少なくと
    も２分の１を機械的に除去し、残りの厚さは化学的に除
    去する請求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記ガラス補強層は少なくとも２０μｍ
    の厚さを有する請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記基板はシリコンを含む請求項１記載
    の方法。
  9. 【請求項９】 基板を準備する工程；前記基板上に、光
    導波路構造を形成する工程；前記導波路構造上に、第１
    の補強層を形成する工程；前記基板を除去する工程；及
    び基板が除去された表面上に、第２の補強層を形成する
    工程を含む集積光デバイスの作製方法。
  10. 【請求項１０】 前記第１の補強層はガラスである請求
    項９記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記第２の補強層はガラスである請求
    項９記載の方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１又は２又は３又は４又は５又
    は６又は７又は８のプロセスにより作製された製品。
  13. 【請求項１３】 請求項９又は１０又は１１のプロセス
    により作製された製品。
JP7095750A 1994-04-22 1995-04-21 偏光に依存しないシリカ光回路の作製方法 Withdrawn JPH07294763A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US231529 1994-04-22
US08/231,529 US5467415A (en) 1994-04-22 1994-04-22 Method for making polarization independent silica optical circuits

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07294763A true JPH07294763A (ja) 1995-11-10

Family

ID=22869621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7095750A Withdrawn JPH07294763A (ja) 1994-04-22 1995-04-21 偏光に依存しないシリカ光回路の作製方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5467415A (ja)
EP (1) EP0678764A1 (ja)
JP (1) JPH07294763A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6847772B2 (en) 2002-02-14 2005-01-25 Fujitsu Limited Planar optical waveguide device
JP2015197616A (ja) * 2014-04-02 2015-11-09 日本電信電話株式会社 光モジュール
JP2019518987A (ja) * 2016-05-16 2019-07-04 フィニサー コーポレイション 断熱結合された光学システム

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE503905C2 (sv) * 1994-03-16 1996-09-30 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande för framställning av en optokomponent samt optokomponent
US5629991A (en) * 1995-08-11 1997-05-13 Lucent Technologies Inc. Method for reducing birefringence in optical gratings
GB2309096A (en) * 1996-01-09 1997-07-16 Northern Telecom Ltd Optical waveguide pair with cladding on buffered substrate
US5930439A (en) * 1997-10-01 1999-07-27 Northern Telecom Limited Planar optical waveguide
JP3152182B2 (ja) * 1997-10-07 2001-04-03 日立電線株式会社 ガラス導波路素子及びその製造方法
US6678452B1 (en) 1998-10-15 2004-01-13 International Business Machines Corporation Optical waveguide device
AUPP865599A0 (en) * 1999-02-12 1999-03-11 University Of Sydney, The Laser etching of waveguide structures
US6847750B1 (en) * 1999-12-07 2005-01-25 Optun (Bvi) Ltd. Thermo-optical waveguide switch
JP3928331B2 (ja) * 2000-05-09 2007-06-13 住友電気工業株式会社 光導波路デバイスおよびその製造方法
DE10045566A1 (de) * 2000-09-14 2002-03-28 Scc Special Comm Cables Gmbh Optischer Chip und Verfahren zur Herstellung eines strukturverstärkten optischen Chips
JP2002202419A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Furukawa Electric Co Ltd:The アレイ導波路回折格子型光合分波器および光導波回路
JP2002250826A (ja) * 2001-02-22 2002-09-06 Nec Corp チップ、チップの製造方法およびチップ収容モジュール
US6542687B2 (en) * 2001-05-31 2003-04-01 Lightwave Microsystems, Inc. Reducing polarization dependent loss caused by polarization dependent wavelength shift using core over-etch for planar lightwave circuit fabrication
JP2003014959A (ja) * 2001-07-03 2003-01-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 光導波路
JP2003121666A (ja) * 2001-10-10 2003-04-23 Nec Corp 導波路型光デバイスおよびその製造方法
NL1019948C2 (nl) * 2002-02-12 2003-08-13 Lightwave Devices Group Polarisatieonafhankelijke lichtgeleidende kanaalstructuur.
US6876784B2 (en) * 2002-05-30 2005-04-05 Nanoopto Corporation Optical polarization beam combiner/splitter
US7283571B2 (en) * 2002-06-17 2007-10-16 Jian Wang Method and system for performing wavelength locking of an optical transmission source
US7386205B2 (en) * 2002-06-17 2008-06-10 Jian Wang Optical device and method for making same
AU2003267964A1 (en) 2002-06-18 2003-12-31 Nanoopto Corporation Optical components exhibiting enhanced functionality and method of making same
JP2005534981A (ja) 2002-08-01 2005-11-17 ナノオプト コーポレーション 精密位相遅れ装置およびそれを製造する方法
US7013064B2 (en) * 2002-10-09 2006-03-14 Nanoopto Corporation Freespace tunable optoelectronic device and method
US6920272B2 (en) * 2002-10-09 2005-07-19 Nanoopto Corporation Monolithic tunable lasers and reflectors
JP2006517307A (ja) * 2003-02-10 2006-07-20 ナノオプト コーポレーション 汎用広帯域偏光器、それを含むデバイスおよびその製造方法
US20040258355A1 (en) * 2003-06-17 2004-12-23 Jian Wang Micro-structure induced birefringent waveguiding devices and methods of making same
JP2012068399A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Nec Corp 光モジュール及びその製造方法
CN108646345B (zh) * 2018-05-16 2020-04-14 德州尧鼎光电科技有限公司 一种深紫外平面光波导制作方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4178197A (en) * 1979-03-05 1979-12-11 International Business Machines Corporation Formation of epitaxial tunnels utilizing oriented growth techniques
US4781424A (en) * 1986-07-28 1988-11-01 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Single mode channel optical waveguide with a stress-induced birefringence control region
EP0308602A3 (de) * 1987-09-25 1990-01-10 Siemens Aktiengesellschaft Vergrabener doppelbrechender optischer Wellenleiter oder Struktur aus solchen Wellenleitern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Wellenleiters oder einer solchen Struktur
US5026135A (en) * 1990-04-20 1991-06-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Moisture sealing of optical waveguide devices with doped silicon dioxide
JPH04238305A (ja) * 1991-01-22 1992-08-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ポリマーコートガラスコア光導波路
JP3031385B2 (ja) * 1991-03-11 2000-04-10 日本電信電話株式会社 フレキシブル光導波路基板及びその製造方法
JPH0534525A (ja) * 1991-07-26 1993-02-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光回路
US5313535A (en) * 1992-02-27 1994-05-17 Nynex Corporation Optical path length modulator

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6847772B2 (en) 2002-02-14 2005-01-25 Fujitsu Limited Planar optical waveguide device
JP2015197616A (ja) * 2014-04-02 2015-11-09 日本電信電話株式会社 光モジュール
JP2019518987A (ja) * 2016-05-16 2019-07-04 フィニサー コーポレイション 断熱結合された光学システム
US10571630B2 (en) 2016-05-16 2020-02-25 Finisar Corporation Adiabatically coupled optical system

Also Published As

Publication number Publication date
US5467415A (en) 1995-11-14
EP0678764A1 (en) 1995-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07294763A (ja) 偏光に依存しないシリカ光回路の作製方法
JP3177563B2 (ja) 光導波路装置と集積光導波路マルチプレクサ／ディマルチプレクサ装置
US6704487B2 (en) Method and system for reducing dn/dt birefringence in a thermo-optic PLC device
JP3784720B2 (ja) 導波路型光干渉計
WO2003023465A2 (en) Method for polarization compensation in a waveguide using a high refractive index capping layer
WO2000011508A1 (en) Array waveguide diffraction grating optical multiplexer/demultiplexer
JPH09105824A (ja) 導波形光素子
US6732550B2 (en) Method for performing a deep trench etch for a planar lightwave circuit
JP2001194541A (ja) 光導波回路
JP2004510196A (ja) 光導波路及びアレイ導波路格子における複屈折の制御
EP1130424B1 (en) Optical waveguide circuit
US6826345B1 (en) Top cap process for reducing polarization dependent wavelength shift in planar lightwave circuits
Cheben et al. Polarization compensation in silicon-on-insulator arrayed waveguide grating devices
Chen et al. A proposed design for ultralow-loss waveguide grating routers
Clemens et al. Wavelength-adaptable optical phased array in SiO 2-Si
Janz Silicon-based waveguide technology for wavelength division multiplexing
WO1999021038A1 (en) Phased array wavelength multiplexer
US20030048989A1 (en) Planar lightwave circuit and method for compensating center wavelength of optical transmission of planar lightwave circuit
JP5244085B2 (ja) 平面光波回路及び平面光波回路の製造方法
Shi et al. Fabrication of high precision self-aligned V-grooves integrated on silica-on-silicon chips
Mottier Integrated optics and micro-optics at LETI
Trinh et al. Guided-wave optical circuits in silicon-on-insulator technology
JP2004133130A (ja) 光回路および光回路装置ならびに光回路の製造方法
WO2002097490A2 (en) Device and method of polarisation compensation in slab waveguides using over-layer deposited on the compensating region to modify birefringence
JPH05157920A (ja) 導波路回折格子

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20020702