JPH0729213B2 - 液体金属マトリクス熱ペースト及びその製造方法 - Google Patents
液体金属マトリクス熱ペースト及びその製造方法Info
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- JPH0729213B2 JPH0729213B2 JP2202599A JP20259990A JPH0729213B2 JP H0729213 B2 JPH0729213 B2 JP H0729213B2 JP 2202599 A JP2202599 A JP 2202599A JP 20259990 A JP20259990 A JP 20259990A JP H0729213 B2 JPH0729213 B2 JP H0729213B2
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- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
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- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、熱ペースト（thermal paste）に関するもの
であり、具体的には低融点の液体金属マトリクスに分散
させた熱伝導性微粒子を含み、全体としては高い熱伝導
を有する液体金属マトリクス熱ペースト及びその製造方
法に関するものである。熱ペーストは、チツプや冷却手
段（以下、冷却システムという）のような電子構成部品
間の熱接合を形成するために使用される。
であり、具体的には低融点の液体金属マトリクスに分散
させた熱伝導性微粒子を含み、全体としては高い熱伝導
を有する液体金属マトリクス熱ペースト及びその製造方
法に関するものである。熱ペーストは、チツプや冷却手
段（以下、冷却システムという）のような電子構成部品
間の熱接合を形成するために使用される。
［従来の技術］ 現代の超高性能電子システムは、多くの高出力ゲートを
有する高密度チツプを要求する。これらの電子システム
は、デバイスの接合から冷却システムまでの間で限られ
た温度降下を行ない、高出力機器を冷却する必要があ
る。要求される冷却を達成するために、チツプと冷却シ
ステムの熱接合は高い熱伝導率を有していなければなら
ない。本明細書に記述されている熱ペーストは、チツプ
又は構成部品及び冷却システムの間に今日までのところ
最も高い有効熱伝導率の熱接合を与える。
有する高密度チツプを要求する。これらの電子システム
は、デバイスの接合から冷却システムまでの間で限られ
た温度降下を行ない、高出力機器を冷却する必要があ
る。要求される冷却を達成するために、チツプと冷却シ
ステムの熱接合は高い熱伝導率を有していなければなら
ない。本明細書に記述されている熱ペーストは、チツプ
又は構成部品及び冷却システムの間に今日までのところ
最も高い有効熱伝導率の熱接合を与える。
実際の応用では、接合は高い熱伝導率を与える以外に、
どのような電子組み立てにおいても固有の製造公差を補
償しなければならない。例えば、いわゆる制御へこみ回
路接続（controlled collapse circuit connector;以下
C4と呼ぶ）技術を用いてチツプを組み立てる際、印刷回
路基板へのチツプの接続に用いられるはんだ球配列の大
きさ及び形状を変化させると、印刷回路基板に比べてチ
ツプの高さ及び傾きは著しくバラつく。電気的接点即ち
C4のはんだ球は非常にもろく、熱接合は電気システムの
組み立てを行なう個々のチツプの動作にある程度の差を
許容しなければならない。また、製造公差は、チツプ及
び冷却システムの間の様々なギヤツプを生む。幾何学的
構造差及び公差は、チツプ及び冷却システムの間に非常
に薄いペースト層を生じさせる必要があるので良好な熱
伝導を達成する目的とは相いれない。このような困難に
もかかわらず、大容量の熱伝導率の特性を有するペース
トを用いて良好な熱伝導を達成することができる。
どのような電子組み立てにおいても固有の製造公差を補
償しなければならない。例えば、いわゆる制御へこみ回
路接続（controlled collapse circuit connector;以下
C4と呼ぶ）技術を用いてチツプを組み立てる際、印刷回
路基板へのチツプの接続に用いられるはんだ球配列の大
きさ及び形状を変化させると、印刷回路基板に比べてチ
ツプの高さ及び傾きは著しくバラつく。電気的接点即ち
C4のはんだ球は非常にもろく、熱接合は電気システムの
組み立てを行なう個々のチツプの動作にある程度の差を
許容しなければならない。また、製造公差は、チツプ及
び冷却システムの間の様々なギヤツプを生む。幾何学的
構造差及び公差は、チツプ及び冷却システムの間に非常
に薄いペースト層を生じさせる必要があるので良好な熱
伝導を達成する目的とは相いれない。このような困難に
もかかわらず、大容量の熱伝導率の特性を有するペース
トを用いて良好な熱伝導を達成することができる。
従来周知の熱ペーストの使用によつて、ほどほどの熱伝
達及び追従性が与えられてきた。通常使用されるペース
トは、鉱油中の酸化亜鉛の混合物を含む。そのようなペ
ーストは、熱伝導率の上限を有する。また、電力オン−
オフサイクルを多くすると、液体及び粒子は相分離しが
ちである。従来のペーストの熱伝導率は、低伝導率の鉱
油マトリクス中の酸化物粒子の浸出（percolation）を
当てにしている。低伝導率の鉱油マトリクスの使用は、
高い熱伝導率を達成する際の主要な限界要素となる。本
発明の液体マトリクス及び分散粒子は両者とも高い熱伝
導率を与える。
達及び追従性が与えられてきた。通常使用されるペース
トは、鉱油中の酸化亜鉛の混合物を含む。そのようなペ
ーストは、熱伝導率の上限を有する。また、電力オン−
オフサイクルを多くすると、液体及び粒子は相分離しが
ちである。従来のペーストの熱伝導率は、低伝導率の鉱
油マトリクス中の酸化物粒子の浸出（percolation）を
当てにしている。低伝導率の鉱油マトリクスの使用は、
高い熱伝導率を達成する際の主要な限界要素となる。本
発明の液体マトリクス及び分散粒子は両者とも高い熱伝
導率を与える。
液体金属、特に人体及び電気回路の両者に害のある水銀
を用いる熱接合の提案が多くなされてきた。しかしなが
ら、液体金属を閉じ込めることは非常に困難であり、た
とえ可能であつても熱伝導率の減少を余儀なくされる。
例えば米国特許第4092697号は、プラスチツクフイルム
スキン及び液体金属のマクロ充てんを伴う熱接合ピロー
（pillow）を教示している。また、米国特許第4323914
号は、パリレンフイルムコーテイングでチツプ全体をお
おい、冷却キヤツプへマクロ金属接合を加えることを教
示している。これらの特許は、どちらも質の悪い熱伝導
性プラスチツクフイルムを含むことによつて接合の熱伝
導率を落とす。
を用いる熱接合の提案が多くなされてきた。しかしなが
ら、液体金属を閉じ込めることは非常に困難であり、た
とえ可能であつても熱伝導率の減少を余儀なくされる。
例えば米国特許第4092697号は、プラスチツクフイルム
スキン及び液体金属のマクロ充てんを伴う熱接合ピロー
（pillow）を教示している。また、米国特許第4323914
号は、パリレンフイルムコーテイングでチツプ全体をお
おい、冷却キヤツプへマクロ金属接合を加えることを教
示している。これらの特許は、どちらも質の悪い熱伝導
性プラスチツクフイルムを含むことによつて接合の熱伝
導率を落とす。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明の第１の目的は、高い熱伝導率を有する液体金属
マトリクス熱ペーストおよびその製造方法を提供するこ
とである。
マトリクス熱ペーストおよびその製造方法を提供するこ
とである。
本発明の別の目的は、高い熱伝導率及び調整可能な粘度
を有する液体金属マトリクス熱ペーストを提供すること
である。
を有する液体金属マトリクス熱ペーストを提供すること
である。
さらに本発明の目的は、電気構成部品（例えばチツプ）
及び冷却システムの間、又は冷却システムの連続する部
品間の熱接合として用いるための高い熱伝導率を有する
液体金属マトリクス熱ペーストを提供することである。
及び冷却システムの間、又は冷却システムの連続する部
品間の熱接合として用いるための高い熱伝導率を有する
液体金属マトリクス熱ペーストを提供することである。
さらに本発明の目的は、低融点液体金属マトリクス中に
分散させた熱伝導性微粒子を含む液体金属マトリクス熱
ペーストを提供することである。
分散させた熱伝導性微粒子を含む液体金属マトリクス熱
ペーストを提供することである。
さらに本発明の目的は、液体金属マトリクス熱ペースト
の製造プロセスを提供することである。
の製造プロセスを提供することである。
［課題解決するための手段］ 本発明は、低融点の液体金属マトリクスに分散させた熱
伝導性微粒子を含む液体金属マトリクス熱ペーストを提
供する。液体状態を保つために、粒子は低温で液体金属
マトリクスと無反応性であるように選択された金属又は
熱伝導性非金属が好ましい。タングステン、モリブデ
ン、シリコン又は他の金属、又は低温即ち約100℃より
低い温度において、ガリウム、スズ及びインジウムとの
相互作用率が非常に低い高熱伝導率物質が好ましい。ま
た、ダイヤモンドのような高熱伝導率を有する非金属も
可能である。粒子は、湿潤性を高めるためにコーテイン
グされる。好ましい液体金属マトリクスは、ガリウム及
びインジウムの共晶合金、ガリウム及びスズの共晶合
金、並びにガリウム、インジウム及びスズの三元共晶合
金である。
伝導性微粒子を含む液体金属マトリクス熱ペーストを提
供する。液体状態を保つために、粒子は低温で液体金属
マトリクスと無反応性であるように選択された金属又は
熱伝導性非金属が好ましい。タングステン、モリブデ
ン、シリコン又は他の金属、又は低温即ち約100℃より
低い温度において、ガリウム、スズ及びインジウムとの
相互作用率が非常に低い高熱伝導率物質が好ましい。ま
た、ダイヤモンドのような高熱伝導率を有する非金属も
可能である。粒子は、湿潤性を高めるためにコーテイン
グされる。好ましい液体金属マトリクスは、ガリウム及
びインジウムの共晶合金、ガリウム及びスズの共晶合
金、並びにガリウム、インジウム及びスズの三元共晶合
金である。
液体金属マトリクス熱ペーストは、通常操作の条件及び
環境において液体状態を保つガリウム−金属ペーストで
あり、以下に記述したように構成される。結果として得
られるペーストは、高い熱伝導性媒質として作用し、熱
伝達を高めるために所定の形状に形成される。冷却手段
の構成部品が膨張し、収縮する時にも、熱ペーストは凝
固せずに通常の操作条件でその液体状態を保ち、多くの
電力オン−オフサイクルの間、高い熱伝導率を保つこと
ができる。様々な構成部品の膨張の差の結果著しい熱応
力が起こり、特に構成部品の界面に損傷を与えることが
ある。経時変化により凝固するペーストでは構成部品の
界面に沿った形状が保てず、膨張及び収縮の繰り返しに
よつて結局破壊され、良好な熱伝達媒質としての機能を
失う。
環境において液体状態を保つガリウム−金属ペーストで
あり、以下に記述したように構成される。結果として得
られるペーストは、高い熱伝導性媒質として作用し、熱
伝達を高めるために所定の形状に形成される。冷却手段
の構成部品が膨張し、収縮する時にも、熱ペーストは凝
固せずに通常の操作条件でその液体状態を保ち、多くの
電力オン−オフサイクルの間、高い熱伝導率を保つこと
ができる。様々な構成部品の膨張の差の結果著しい熱応
力が起こり、特に構成部品の界面に損傷を与えることが
ある。経時変化により凝固するペーストでは構成部品の
界面に沿った形状が保てず、膨張及び収縮の繰り返しに
よつて結局破壊され、良好な熱伝達媒質としての機能を
失う。
［実施例］ 図面、特に第１図を参照すると、液体金属マトリクス熱
ペーストの断面図が示されている。熱ペーストは、液体
金属マトリクス14の中に分散された熱伝導性粒子12を含
んでいる。
ペーストの断面図が示されている。熱ペーストは、液体
金属マトリクス14の中に分散された熱伝導性粒子12を含
んでいる。
本発明の液体金属マトリクス熱ペーストは、低融点液体
金属マトリクス14中に分散された熱伝導性微粒子12から
なる。好ましい液体金属は、ガリウム及びインジウムの
共晶合金（75.4重量％＋24.6重量％、MP15.7℃）、ガリ
ウム及びスズの共晶合金（86.3重量％＋13.7重量％、MP
20.5℃）、ガリウム、インジウム及びスズの三元共晶合
金（21.5重量％＋16.0重量％＋62.5重量％、MP10.7℃）
並びに７℃程度の融点を有するいくつかの四元素であ
る。括弧内には、各合金の好ましい混合組成の比率及び
融点を示している。粒子12は、金属又は熱伝導性非金属
である。永続的に半液体状態を保つペーストを得るため
に、粒子12は約100℃以下の低い温度でガリウムのよう
な液体金属と無反応性であるように選択される。好まし
い粒子は、タングステン、モリブデン、シリコン又は、
低温即ち約100℃より低い温度におけるガリウムとの相
互作用率が低い他の粒子である。ほとんどの粒子物質、
特にシリコン、モリブデン又はタングステンは、表面に
液体金属による湿潤を防げる酸化物層を有する。従つ
て、第2A図に示すように、このような粒子12は例えば
金、パラジウム又は銀のような貴金属16の薄い層、好ま
しくは金でコーテイングされる。金属粒子及びガリウム
の間の湿潤を確実にすることによつて、著しい組成への
影響を与えずに、金のような薄い貴金属層はガリウムの
中に溶解する。第2B図に示すように、貴金属のコーテイ
ングが溶解すると、金属間化合物18が形成され、粒子12
に付着して残る。
金属マトリクス14中に分散された熱伝導性微粒子12から
なる。好ましい液体金属は、ガリウム及びインジウムの
共晶合金（75.4重量％＋24.6重量％、MP15.7℃）、ガリ
ウム及びスズの共晶合金（86.3重量％＋13.7重量％、MP
20.5℃）、ガリウム、インジウム及びスズの三元共晶合
金（21.5重量％＋16.0重量％＋62.5重量％、MP10.7℃）
並びに７℃程度の融点を有するいくつかの四元素であ
る。括弧内には、各合金の好ましい混合組成の比率及び
融点を示している。粒子12は、金属又は熱伝導性非金属
である。永続的に半液体状態を保つペーストを得るため
に、粒子12は約100℃以下の低い温度でガリウムのよう
な液体金属と無反応性であるように選択される。好まし
い粒子は、タングステン、モリブデン、シリコン又は、
低温即ち約100℃より低い温度におけるガリウムとの相
互作用率が低い他の粒子である。ほとんどの粒子物質、
特にシリコン、モリブデン又はタングステンは、表面に
液体金属による湿潤を防げる酸化物層を有する。従つ
て、第2A図に示すように、このような粒子12は例えば
金、パラジウム又は銀のような貴金属16の薄い層、好ま
しくは金でコーテイングされる。金属粒子及びガリウム
の間の湿潤を確実にすることによつて、著しい組成への
影響を与えずに、金のような薄い貴金属層はガリウムの
中に溶解する。第2B図に示すように、貴金属のコーテイ
ングが溶解すると、金属間化合物18が形成され、粒子12
に付着して残る。
熱ペーストの最適な流動性を得るには、球状粒子が好ま
しい。一般的に使用できるタングステン及びモリブデン
の粉体は球状ではなく、むしろ不ぞろいな形状である。
この問題を解決するために、金のような貴金属の薄い層
ではなく、タングステン又はモリブデンのバリヤ層で銅
のような球状金属粒子をコーテイングする。もしくは、
いくつかの周知の手法を用いて、タングステン又はモリ
ブデンの粒子を球状にしてもよい。好ましい手法は、粒
子のプラズマ再溶解及び凝固である。
しい。一般的に使用できるタングステン及びモリブデン
の粉体は球状ではなく、むしろ不ぞろいな形状である。
この問題を解決するために、金のような貴金属の薄い層
ではなく、タングステン又はモリブデンのバリヤ層で銅
のような球状金属粒子をコーテイングする。もしくは、
いくつかの周知の手法を用いて、タングステン又はモリ
ブデンの粒子を球状にしてもよい。好ましい手法は、粒
子のプラズマ再溶解及び凝固である。
低粘度に保ちながら、固体充てんを最大にするために、
ペーストの高い熱伝導率の固相を増やす粒子の２モード
又は３モードの分布を使用する。
ペーストの高い熱伝導率の固相を増やす粒子の２モード
又は３モードの分布を使用する。
液体金属マトリクスのペーストは、従来のペースト製造
手法を用いて調整される。好ましい手法は、プラネタリ
調合（planetary mixing）及び３つのロールミル分散の
組み合わせである。調合に使用されるハードウェアは、
いくつかの溶解成分によるペーストの汚染を防ぐため
に、例えばタングステン、酸化物、窒化物又はカーバイ
トのような多数の使用可能コーティング材料でコーテイ
ングすべきである。
手法を用いて調整される。好ましい手法は、プラネタリ
調合（planetary mixing）及び３つのロールミル分散の
組み合わせである。調合に使用されるハードウェアは、
いくつかの溶解成分によるペーストの汚染を防ぐため
に、例えばタングステン、酸化物、窒化物又はカーバイ
トのような多数の使用可能コーティング材料でコーテイ
ングすべきである。
ペーストを描いた図は、特定のスケールで描かれておら
ず、例として本発明をよりわかりやすく記述するために
示されたものである。
ず、例として本発明をよりわかりやすく記述するために
示されたものである。
液体金属熱ペーストの特性 液体ガリウム及びその合金の熱伝導率は、約28W/MKであ
る。固体タングステンの熱伝導率は、170W/MKである。
液体ガリウムマトリクス中のタングステン分散の熱伝導
率は、28W/MKないし170W/MKの範囲にある。熱伝導の正
確な値は、結果として得られるペーストの固相の割合及
び分散に依存する。
る。固体タングステンの熱伝導率は、170W/MKである。
液体ガリウムマトリクス中のタングステン分散の熱伝導
率は、28W/MKないし170W/MKの範囲にある。熱伝導の正
確な値は、結果として得られるペーストの固相の割合及
び分散に依存する。
接合の熱抵抗率の数式は、バルク熱抵抗率及び表面熱抵
抗率の項を含む。バルク熱抵抗率の項は、接合厚さに比
例する。表面熱抵抗率の項は、粒子の大きさ及び表面仕
上げに依存する。表面熱抵抗率の項は、一般的に粒子の
大きさの項と比べて大きな値である接合厚さには無関係
である。そのかわりに、粒子の大きさは、最小接合厚さ
の限界を与える。また、粒子の大きさは表面熱抵抗率の
大きさにもある影響を与える。与えられた接合厚さに対
して、２モードの分布ばかりでなく粒子の大きさも小さ
くすると、熱抵抗に寄与する表面の影響は減る。本発明
の液体金属マトリクス熱ペーストは、ミクロンオーダの
粒子の大きさであり、代表的には表面の項はバルクの２
μｍに相等し、これは2E−6M/200W/MK＝1E−8MK2/W＝0.
0001KPerW/cm2である。この大きさの熱抵抗率は、ほと
んどの応用に対してきわめて良好であると考えられる。
抗率の項を含む。バルク熱抵抗率の項は、接合厚さに比
例する。表面熱抵抗率の項は、粒子の大きさ及び表面仕
上げに依存する。表面熱抵抗率の項は、一般的に粒子の
大きさの項と比べて大きな値である接合厚さには無関係
である。そのかわりに、粒子の大きさは、最小接合厚さ
の限界を与える。また、粒子の大きさは表面熱抵抗率の
大きさにもある影響を与える。与えられた接合厚さに対
して、２モードの分布ばかりでなく粒子の大きさも小さ
くすると、熱抵抗に寄与する表面の影響は減る。本発明
の液体金属マトリクス熱ペーストは、ミクロンオーダの
粒子の大きさであり、代表的には表面の項はバルクの２
μｍに相等し、これは2E−6M/200W/MK＝1E−8MK2/W＝0.
0001KPerW/cm2である。この大きさの熱抵抗率は、ほと
んどの応用に対してきわめて良好であると考えられる。
液体金属の閉込め 液体金属を周囲の導電体又は構成部品と接触させないよ
うにするために、構成部品間の空間を充てんするエンキ
ヤプシユレーシヨン化合物等の重合体又は他の障壁を用
いることができる。
うにするために、構成部品間の空間を充てんするエンキ
ヤプシユレーシヨン化合物等の重合体又は他の障壁を用
いることができる。
特定のチツプのフアミリを金属接合から電気的に分離す
る必要がある。チツプをマルチチツプモジユールの共通
基板に接続した後で、適温でチツプにアモルフアスのカ
ーボンを化学気相蒸着させると、非常に低い熱抵抗率を
持ち、信頼性が高く、ピンホールのない電気的分離が与
えられる。もしくは、実装前に各ウエーハに酸化シリコ
ン（SiO2）又は窒化シリコン（SiN）のような薄い誘電
体を付着させて、電気的分離を与えてもよい。あるウエ
ーハプロセスでは、酸化シリコンをチツプ上に形成し、
その後それを要求されるようにパターニングすることが
できる。
る必要がある。チツプをマルチチツプモジユールの共通
基板に接続した後で、適温でチツプにアモルフアスのカ
ーボンを化学気相蒸着させると、非常に低い熱抵抗率を
持ち、信頼性が高く、ピンホールのない電気的分離が与
えられる。もしくは、実装前に各ウエーハに酸化シリコ
ン（SiO2）又は窒化シリコン（SiN）のような薄い誘電
体を付着させて、電気的分離を与えてもよい。あるウエ
ーハプロセスでは、酸化シリコンをチツプ上に形成し、
その後それを要求されるようにパターニングすることが
できる。
超過の液体金属マトリクス熱ペーストを追加制御するた
めに、金属線の細いメツシユのブロツタ（blotter）を
用いる。
めに、金属線の細いメツシユのブロツタ（blotter）を
用いる。
熱接合が薄いと、熱抵抗率は改善されるということは周
知である。薄い接合を形成するために、低粘度の熱ペー
ストが要求される。係属出願の米国特許出願第161880号
は、チツプ及び冷却ユニツトの間の従来の熱ペーストを
ずらすと同時に圧縮することによつて形成する1mil（2.
54×10-3cm）の薄さのペースト接合について記述してい
る。与えられた液体金属マトリクス熱ペーストが、過度
に堅くない時には、同じ手法を応用できる。35重量％の
Ga-In-Sn三元共晶合金及び粒子の大きさが10μｍである
65重量％のタングステンからなるペーストは、気泡のな
い界面を保ちながら、２枚の石英スライドの間で約3mil
（7.62×10-3cm）ないし約5mil（12.7×10-3cm）の薄さ
である。50重量％のGa-In-Sn三元共晶合金中に粒子の大
きさが2.2μｍである50重量％のタングステンを含むペ
ーストは、約2mil（5.08×10-3cm）ないし約3milの薄さ
であつた。この手法を最適化することによつて、接合厚
さをさらに薄くすることができる。
知である。薄い接合を形成するために、低粘度の熱ペー
ストが要求される。係属出願の米国特許出願第161880号
は、チツプ及び冷却ユニツトの間の従来の熱ペーストを
ずらすと同時に圧縮することによつて形成する1mil（2.
54×10-3cm）の薄さのペースト接合について記述してい
る。与えられた液体金属マトリクス熱ペーストが、過度
に堅くない時には、同じ手法を応用できる。35重量％の
Ga-In-Sn三元共晶合金及び粒子の大きさが10μｍである
65重量％のタングステンからなるペーストは、気泡のな
い界面を保ちながら、２枚の石英スライドの間で約3mil
（7.62×10-3cm）ないし約5mil（12.7×10-3cm）の薄さ
である。50重量％のGa-In-Sn三元共晶合金中に粒子の大
きさが2.2μｍである50重量％のタングステンを含むペ
ーストは、約2mil（5.08×10-3cm）ないし約3milの薄さ
であつた。この手法を最適化することによつて、接合厚
さをさらに薄くすることができる。
半液体金属マトリクス 特定の応用において、純液体金属を使用しなければ、さ
らに良い結果を得ることができる。このような場合、広
い液相線−固相線の範囲を有する半液体合金を用いるこ
とができる。熱ペースト形成中、又は冷却システムと構
成部品を組み立てる間に、熱ペーストはしばしば加熱さ
れ、純液体金属になつてしまう。しかしながら、加熱さ
れた液体が低温又は適温の操作条件で使用される時に
は、液体は粘性になるであろう。
らに良い結果を得ることができる。このような場合、広
い液相線−固相線の範囲を有する半液体合金を用いるこ
とができる。熱ペースト形成中、又は冷却システムと構
成部品を組み立てる間に、熱ペーストはしばしば加熱さ
れ、純液体金属になつてしまう。しかしながら、加熱さ
れた液体が低温又は適温の操作条件で使用される時に
は、液体は粘性になるであろう。
本発明に従う液体金属マトリクス熱ペーストは、特定の
応用において短時間で融解できる。液体金属は温度サイ
クル全体を通じて液体金属マトリクス熱ペーストのまま
であるから、この短時間融解の時間は、はんだリフロと
異なる。
応用において短時間で融解できる。液体金属は温度サイ
クル全体を通じて液体金属マトリクス熱ペーストのまま
であるから、この短時間融解の時間は、はんだリフロと
異なる。
ガリウム−スズ系は、このような半液体金属マトリクス
に適す系である。第３図はガリウム及びスズの系の状態
図である。縦軸は混合物の温度であり、横軸はスズの重
量％の増加を表わしている。スズ及びガリウムの特定の
比に対して、カーブ20より上の温度において混合物は液
体である。水平線22より下では混合物は固体である。カ
ーブ20及び水平線22の間の温度及びスズ−ガリウム比の
組み合わせに対して、混合物は、特定のスズ及びガリウ
ムの比における操作点が“液相線"20により近いのか、
又は“固相線"22により近いのかに依存する変化しやす
い粘度の半液体である。
に適す系である。第３図はガリウム及びスズの系の状態
図である。縦軸は混合物の温度であり、横軸はスズの重
量％の増加を表わしている。スズ及びガリウムの特定の
比に対して、カーブ20より上の温度において混合物は液
体である。水平線22より下では混合物は固体である。カ
ーブ20及び水平線22の間の温度及びスズ−ガリウム比の
組み合わせに対して、混合物は、特定のスズ及びガリウ
ムの比における操作点が“液相線"20により近いのか、
又は“固相線"22により近いのかに依存する変化しやす
い粘度の半液体である。
例えば、垂直線24は、65重量％Sn-35重量％Gaの合金を
表わしている。約21℃の温度において、合金は、63重量
％の固体と37重量％の液体である。合金を130℃以上に
加熱すると、全て液体となる。もし熱ペーストを70℃の
操作温度において用いるのならば、合金は50重量％の固
体と50重量％の液体となる。このような合金を共晶液体
マトリクスの代わりに用いる時には、100℃〜130℃の温
度範囲で加熱する間、ペーストは非常に低い粘度を示
す。冷却システムを組み立て、50℃〜80℃の温度範囲で
操作すると、合金の粘度は高くなる。このような系は、
動作の際、ペーストの相分離を効果的に防ぐであろう。
表わしている。約21℃の温度において、合金は、63重量
％の固体と37重量％の液体である。合金を130℃以上に
加熱すると、全て液体となる。もし熱ペーストを70℃の
操作温度において用いるのならば、合金は50重量％の固
体と50重量％の液体となる。このような合金を共晶液体
マトリクスの代わりに用いる時には、100℃〜130℃の温
度範囲で加熱する間、ペーストは非常に低い粘度を示
す。冷却システムを組み立て、50℃〜80℃の温度範囲で
操作すると、合金の粘度は高くなる。このような系は、
動作の際、ペーストの相分離を効果的に防ぐであろう。
第4A図及び第4B図に系の操作が図示されている。第4A図
において、130℃の温度における65重量％スズ及び35重
量％ガリウムからなる液体金属マトリクス32中に分散さ
せた熱伝導性粒子30がある。金属マトリクスは、本質的
に全て液体である。温度を70℃まで下げると、スズ34が
粒子30に付着するようにいくらか金属マトリクスから分
離する（第4B図参照）。金属マトリクスは、部分的に固
体であり、部分的に液体であるので、ペーストの粘度は
高くなる。
において、130℃の温度における65重量％スズ及び35重
量％ガリウムからなる液体金属マトリクス32中に分散さ
せた熱伝導性粒子30がある。金属マトリクスは、本質的
に全て液体である。温度を70℃まで下げると、スズ34が
粒子30に付着するようにいくらか金属マトリクスから分
離する（第4B図参照）。金属マトリクスは、部分的に固
体であり、部分的に液体であるので、ペーストの粘度は
高くなる。
ペースト高粘度化手法 熱ペーストの相分離の可能性を削減し、冷却構造の組み
立ての際にはペーストを低粘度とし、通常の操作条件の
間は高粘度になるようにする別の方法は、粒子表面の湿
潤層の厚さを増やすことである。第5A図に示されるよう
に、例えばガリウム、インジウム及びスズの三元共晶合
金のような液体金属マトリクス42の中に分散させた、タ
ングステンなどの最初から混入している粒子40を、金な
どの湿潤性金属の比較的厚い層44でおおう。第5B図に示
されるように、液体のガリウム、インジウム及びスズの
三元共晶合金マトリクス42は、金の層44と反応して金属
間化合物46を生むので、ペーストの粘度は高くなり、相
分離の可能性は削減される。
立ての際にはペーストを低粘度とし、通常の操作条件の
間は高粘度になるようにする別の方法は、粒子表面の湿
潤層の厚さを増やすことである。第5A図に示されるよう
に、例えばガリウム、インジウム及びスズの三元共晶合
金のような液体金属マトリクス42の中に分散させた、タ
ングステンなどの最初から混入している粒子40を、金な
どの湿潤性金属の比較的厚い層44でおおう。第5B図に示
されるように、液体のガリウム、インジウム及びスズの
三元共晶合金マトリクス42は、金の層44と反応して金属
間化合物46を生むので、ペーストの粘度は高くなり、相
分離の可能性は削減される。
液体金属マトリクス熱ペーストの除去 修正は、一般的に熱ペーストの除去を伴う。スズ又は銅
の細い線を含む金属ウール（metal wool）を用いて、ペ
ーストのバルクを除去することができる。液体の薄膜を
通る超音波撹拌を用いると、他の構成部品を妨害せず
に、通常完全にペーストを除去できる。また、ブラシ又
はフエルトチツプ及び洗浄液を用いても完全にペースト
を除去できる。このような液体は、非腐食性にすべきで
あり、強い有機溶剤でない方がよい。好ましい液体は、
インプロパノール又はエタノールである。また、ハンパ
ークリテイカル二酸化炭素（hypercritical carbon dio
xide）も好ましい。洗浄剤としてスズの粉末を用いて金
属ウールでみがき、ガリウムを除去するために、残つた
ペーストにスズの薄片を接触させる別のペースト除去方
法もある。
の細い線を含む金属ウール（metal wool）を用いて、ペ
ーストのバルクを除去することができる。液体の薄膜を
通る超音波撹拌を用いると、他の構成部品を妨害せず
に、通常完全にペーストを除去できる。また、ブラシ又
はフエルトチツプ及び洗浄液を用いても完全にペースト
を除去できる。このような液体は、非腐食性にすべきで
あり、強い有機溶剤でない方がよい。好ましい液体は、
インプロパノール又はエタノールである。また、ハンパ
ークリテイカル二酸化炭素（hypercritical carbon dio
xide）も好ましい。洗浄剤としてスズの粉末を用いて金
属ウールでみがき、ガリウムを除去するために、残つた
ペーストにスズの薄片を接触させる別のペースト除去方
法もある。
表面コーテイング 例えば二酸化シリコンのガラス若しくはシリコンチツプ
のインジウムの付着、又は固体金属との金属の混合（am
algamation）による液体金属マトリクス熱ペーストの残
渣を防ぐために、無反応性コーテイングをチツプに付着
させる。好ましいコーテイングは、スパツタリングによ
つて付着させたテフロン又はシロキサンの超薄層、及び
化学気相付着によつて付着させたアモルフアスカーボン
に水素を含ませたもの等である。あるいは、化学気相付
着又はスパツタリングのいずれかの方法で付着させた薄
タングステンのコーテイングも同様の結果となる。タン
グステン及び水素と化合させたカーボンのどちらのコー
テイングも、20℃においてガリウム、インジウム及びス
ズの共晶液体と接触させて100時間経過後、様々な分析
技術で観察したが相互作用はなく、よく耐えた。加え
て、これらのコーテイングは、半導体物質の中へ及びそ
れを通る熱移動を妨げるように働き、チツプへの好まし
くない不純物混入を防ぐ。
のインジウムの付着、又は固体金属との金属の混合（am
algamation）による液体金属マトリクス熱ペーストの残
渣を防ぐために、無反応性コーテイングをチツプに付着
させる。好ましいコーテイングは、スパツタリングによ
つて付着させたテフロン又はシロキサンの超薄層、及び
化学気相付着によつて付着させたアモルフアスカーボン
に水素を含ませたもの等である。あるいは、化学気相付
着又はスパツタリングのいずれかの方法で付着させた薄
タングステンのコーテイングも同様の結果となる。タン
グステン及び水素と化合させたカーボンのどちらのコー
テイングも、20℃においてガリウム、インジウム及びス
ズの共晶液体と接触させて100時間経過後、様々な分析
技術で観察したが相互作用はなく、よく耐えた。加え
て、これらのコーテイングは、半導体物質の中へ及びそ
れを通る熱移動を妨げるように働き、チツプへの好まし
くない不純物混入を防ぐ。
合成粒子 湿潤性を高め、それによつて液体金属マトリクス及び充
てん金属粒子間の付着性を高める別の方法は、合成金属
粒子の使用による。例えば、80重量％Si-20重量％Auの
合成Si-Au合金粉体は、200℃〜300℃の温度範囲の温度
において固定されると、シリコン相の中で金の相が分散
する。そのような粉体は、ガスの霧吹き作用によつて従
来通り製造できる。ガリウム金属マトリクス中にこのよ
うな合成粉体が分散されている時、ガリウムはシリコン
と反応せずに、選択的に金と反応するであろう。その結
果、湿潤性及び分散は表面に金をコーテイングしただけ
の粒子よりも大いに向上する。もし金がシリコン粒子の
内側に位置するなら、金がガリウムと反応する時には、
粒子を貫いて径路が形成されるであろう。
てん金属粒子間の付着性を高める別の方法は、合成金属
粒子の使用による。例えば、80重量％Si-20重量％Auの
合成Si-Au合金粉体は、200℃〜300℃の温度範囲の温度
において固定されると、シリコン相の中で金の相が分散
する。そのような粉体は、ガスの霧吹き作用によつて従
来通り製造できる。ガリウム金属マトリクス中にこのよ
うな合成粉体が分散されている時、ガリウムはシリコン
と反応せずに、選択的に金と反応するであろう。その結
果、湿潤性及び分散は表面に金をコーテイングしただけ
の粒子よりも大いに向上する。もし金がシリコン粒子の
内側に位置するなら、金がガリウムと反応する時には、
粒子を貫いて径路が形成されるであろう。
全ての金属マトリクス熱ペーストの応用 液体金属マトリクス熱ペーストは、様々な種類の低温基
板に応用できる。ピストン及びシリンダ間ばかりでなく
チツプ及びピストンの間でも、ピストン冷却ハツト（pi
ston cooling hat）と共にペーストを用いることもでき
る。チツプのとなり、チツプ付近及び冷却ハツトの外部
にある熱接合としてペーストを使用できる。加えて熱ペ
ーストは、別々の構成部品、具体的には整流器、トラン
ジスタ及び抵抗器のような電源構成部品と共に使用でき
る。
板に応用できる。ピストン及びシリンダ間ばかりでなく
チツプ及びピストンの間でも、ピストン冷却ハツト（pi
ston cooling hat）と共にペーストを用いることもでき
る。チツプのとなり、チツプ付近及び冷却ハツトの外部
にある熱接合としてペーストを使用できる。加えて熱ペ
ーストは、別々の構成部品、具体的には整流器、トラン
ジスタ及び抵抗器のような電源構成部品と共に使用でき
る。
例 例１は50重量％ガリウム及び50重量％モリブデンの熱ペ
ーストである。熱ペーストは単一チツプ及び冷却システ
ム間の熱接合として使用された。出力密度は、103W/cm2
であり、接合及び他の熱抵抗率の両方を含む合計の温度
差は64℃であつた。
ーストである。熱ペーストは単一チツプ及び冷却システ
ム間の熱接合として使用された。出力密度は、103W/cm2
であり、接合及び他の熱抵抗率の両方を含む合計の温度
差は64℃であつた。
例２は、５μｍないし20μｍの範囲の直径を有する不ぞ
ろいの粒子からなる33重量％Ga-In-Sn三元共晶合金及び
67重量％タングステンの熱ペーストである。混合物を
「Wig-L-Bug」の激しい振動器中で調合し、その後３つ
のロールミル中で分散させた。ペーストのバルク熱伝導
率は、45W/MKであつた。これは市販の有機系熱ペースト
のバルク熱伝導率よりも大きく、約50倍である。
ろいの粒子からなる33重量％Ga-In-Sn三元共晶合金及び
67重量％タングステンの熱ペーストである。混合物を
「Wig-L-Bug」の激しい振動器中で調合し、その後３つ
のロールミル中で分散させた。ペーストのバルク熱伝導
率は、45W/MKであつた。これは市販の有機系熱ペースト
のバルク熱伝導率よりも大きく、約50倍である。
熱ペーストを例１のように同じサンプルチツプの熱試験
モジユールに施した。熱ペーストをモジユールの上に広
げ、同時に圧縮してずらして、約37μｍの薄い層にし
た。出力密度518W/cm2を消費するチツプは、62℃の温度
降下（Ｔ降下＝ Ｔ接合-T入口＝85℃−23℃）を示した。
60℃の温度降下にするためにデータを補間すると、出力
密度は501W/cm2である。従つて、合計の熱抵抗率は、Th
Ry＝12E−6Kcm2/W＝12K/mm2/Wである。熱抵抗率はペー
ストを横切る温度降下にチツプ面積をかけ、出力で割つ
たものであり、単位はW/cm2当りの℃である。合計のThR
yは、ペースト自体及び冷却ハツトを含む熱径路の他の
すべての構成部品を含む。冷却浴水量は、1.1cm2の面積
を有する低温基板上を8cm2/secで流した。
モジユールに施した。熱ペーストをモジユールの上に広
げ、同時に圧縮してずらして、約37μｍの薄い層にし
た。出力密度518W/cm2を消費するチツプは、62℃の温度
降下（Ｔ降下＝ Ｔ接合-T入口＝85℃−23℃）を示した。
60℃の温度降下にするためにデータを補間すると、出力
密度は501W/cm2である。従つて、合計の熱抵抗率は、Th
Ry＝12E−6Kcm2/W＝12K/mm2/Wである。熱抵抗率はペー
ストを横切る温度降下にチツプ面積をかけ、出力で割つ
たものであり、単位はW/cm2当りの℃である。合計のThR
yは、ペースト自体及び冷却ハツトを含む熱径路の他の
すべての構成部品を含む。冷却浴水量は、1.1cm2の面積
を有する低温基板上を8cm2/secで流した。
十分に冷却できる他の例は、Ga-In-Sn三元共晶合金を33
重量％有し、金の層でおおわれ、前述の手順に従つて調
整された10μｍの粒子状のタングステンを67重量％有す
るものである。
重量％有し、金の層でおおわれ、前述の手順に従つて調
整された10μｍの粒子状のタングステンを67重量％有す
るものである。
［発明の効果］ 本発明は、永続的に半液体状態を保ちながら、高い熱伝
導率を有する液体金属マトリクス熱ペースト及びその製
造方法を提供できる。
導率を有する液体金属マトリクス熱ペースト及びその製
造方法を提供できる。
第１図は、液体金属マトリクス中に分散している熱伝導
性粒子の断面図である。 第2A図は、第１図の粒子が貴金属でコーテイングされた
時の断面図である。 第2B図は、第2A図の貴金属コーテイングが溶解した時の
断面図である。 第３図は、ガリウム−スズの共晶合金の状態図である。 第4A図は、高温において65重量％Sn及び35重量％Gaから
なる液体金属マトリクス中に分散している熱伝導性粒子
の断面図である。 第4B図は、第4A図の粒子を通常の操作温度に下げた時の
断面図である。 第5A図は、液体金属マトリクス中に分散している熱伝導
性粒子を貴金属で厚くコーテイングした時の断面図であ
る。 第5B図は、第5A図の貴金属コーテイングが溶解した時の
断面図である。 12、30、40……粒子、14、32、42……液体金属マトリク
ス、16、44……貴金属、18、46……金属間化合物、20…
…液相線、22……固相線、34……スズ。
性粒子の断面図である。 第2A図は、第１図の粒子が貴金属でコーテイングされた
時の断面図である。 第2B図は、第2A図の貴金属コーテイングが溶解した時の
断面図である。 第３図は、ガリウム−スズの共晶合金の状態図である。 第4A図は、高温において65重量％Sn及び35重量％Gaから
なる液体金属マトリクス中に分散している熱伝導性粒子
の断面図である。 第4B図は、第4A図の粒子を通常の操作温度に下げた時の
断面図である。 第5A図は、液体金属マトリクス中に分散している熱伝導
性粒子を貴金属で厚くコーテイングした時の断面図であ
る。 第5B図は、第5A図の貴金属コーテイングが溶解した時の
断面図である。 12、30、40……粒子、14、32、42……液体金属マトリク
ス、16、44……貴金属、18、46……金属間化合物、20…
…液相線、22……固相線、34……スズ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピイーター・アルフレツド・グラバー アメリカ合衆国ニユーヨーク州モーガン・ レイク、キングス・コート５デイー番地 (72)発明者 イグノー・ワイ・ハンドロス アメリカ合衆国ニユーヨーク州ピイークス キル、フアーナス・ドツク・ロード503番 地 (72)発明者 アーサー・リチヤード・ジンガー アメリカ合衆国ニユーヨーク州ホワイト・ プレーンズ、アパートメント・ノース・10 ビイー、レイク・ストリート 125番地 (56)参考文献 特開 平１−271094（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−150273（ＪＰ，Ａ)
Claims (12)
- 【請求項１】低融点液体金属マトリクス中に約100℃よ
り低い温度で上記液体金属マトリクスと無反応性である
熱伝導性粒子を分散させた、高い熱伝導率を有する液体
金属マトリクス熱ペースト。 - 【請求項２】上記粒子がタングステン、モリブデン、お
よびシリコンからなるグループより選択された請求項１
に記載の液体金属マトリクス熱ペースト。 - 【請求項３】上記粒子が上記液体金属マトリクスと無反
応性であるように選択された熱伝導性非金属である請求
項１に記載の液体金属マトリクス熱ペースト。 - 【請求項４】上記粒子が、約100℃以下の温度において
上記液体金属マトリクスに無反応性である熱伝導性物質
でコーティングされた、請求項１に記載の液体金属マト
リクス熱ペースト。 - 【請求項５】上記粒子がタングステン、モリブデン、お
よびシリコンからなるグループより選択された請求項４
に記載の液体金属マトリクス熱ペースト。 - 【請求項６】上記粒子が貴金属でコーティングされた請
求項１、２または３に記載の液体金属マトリクス熱ペー
スト。 - 【請求項７】上記液体金属マトリクスがガリウムとイン
ジウムの共晶合金、ガリウムとスズの共晶合金、およ
び、ガリウムとインジウムとスズの三元共晶合金からな
るグループより選択された請求項１に記載の液体金属マ
トリクス熱ペースト。 - 【請求項８】上記粒子がタングステン、モリブデン、お
よびシリコンからなるグループより選択され、上記液体
金属マトリクスがガリウムとインジウムの共晶合金、ガ
リウムとスズの共晶合金、およびガリウムとインジウム
とスズの三元共晶合金からなるグループより選択された
請求項１に記載の液体金属マトリクス熱ペースト。 - 【請求項９】液体金属マトリクスがガリウムを50重量％
を有し、粒子状のモリブデンを50重量％を有する、請求
項１に記載の液体金属マトリクス熱ペースト。 - 【請求項１０】液体金属マトリクスがガリウムとインジ
ウムとスズの三元共晶合金を33重量％有し、粒子状のタ
ングステンを67重量％有する、請求項１に記載の液体金
属マトリクス熱ペースト。 - 【請求項１１】熱を発する構成部品と、 上記構成部品を冷却する冷却手段と、 低融点液体金属マトリクス中に約100℃より低い温度で
上記液体金属マトリクスと無反応性である熱伝導性粒子
を分散させた、高い熱伝導率を有する液体金属マトリク
ス熱ペーストと、 を有し、上記液体金属マトリクス熱ペーストが上記構成
部品と上記冷却手段の間にある熱冷却組立体。 - 【請求項１２】液体金属マトリクス熱ペーストを製造す
る方法であって、 液体ガリウムおよびその合金からなるグループより選択
された液体金属マトリクスを用意し、 上記液体金属マトリクス中に、約100℃より低い温度で
上記液体金属マトリクスと無反応性である熱伝導性粒子
を分散させて、高い熱伝導率を持つ混合物を製造する、 ステップを有する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US38913189A | 1989-08-03 | 1989-08-03 | |
| US389131 | 1989-08-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371992A JPH0371992A (ja) | 1991-03-27 |
| JPH0729213B2 true JPH0729213B2 (ja) | 1995-04-05 |
Family
ID=23536954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2202599A Expired - Lifetime JPH0729213B2 (ja) | 1989-08-03 | 1990-08-01 | 液体金属マトリクス熱ペースト及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0411286B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0729213B2 (ja) |
| CA (1) | CA2018930C (ja) |
| DE (1) | DE69015491T2 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0779966A4 (en) * | 1995-06-07 | 1998-07-22 | Lockheed Martin Energy Sys Inc | UNLADED, ENVIRONMENTALLY FRIENDLY AND SAFE PROJECTILE AND EXPLOSIVE CONTAINERS |
| JP3446798B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2003-09-16 | 日本特殊陶業株式会社 | 接合バンプ付き配線基板 |
| US6797758B2 (en) * | 2000-04-05 | 2004-09-28 | The Bergquist Company | Morphing fillers and thermal interface materials |
| WO2002098593A1 (fr) * | 2001-05-31 | 2002-12-12 | Fujitsu Limited | Procede de solidification d'un metal liquide, procede d'assemblage d'elements metalliques a l'aide dudit metal liquide et structure assemblee |
| JP2005539094A (ja) * | 2001-12-20 | 2005-12-22 | コグニテク マネージメント システムズ インコーポレイテッド | 熱伝達媒体の熱伝導率を高める組成物およびその使用方法 |
| US6946190B2 (en) * | 2002-02-06 | 2005-09-20 | Parker-Hannifin Corporation | Thermal management materials |
| WO2005053021A2 (en) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Heat Technology, Inc. | Thermal interface and method of making the same |
| JP4514581B2 (ja) * | 2004-10-06 | 2010-07-28 | 忠正 藤村 | 鉛フリーハンダ複合粉末、及び鉛フリーハンダソルダーペースト |
| US7219713B2 (en) * | 2005-01-18 | 2007-05-22 | International Business Machines Corporation | Heterogeneous thermal interface for cooling |
| DE102005048921A1 (de) * | 2005-10-11 | 2007-04-12 | Carl Zeiss Meditec Ag | Verfahren zum Verbinden zweier Körper, sowie Baugruppe |
| DE102007053379A1 (de) * | 2007-11-09 | 2009-05-20 | Moeller Gmbh | Flüssigmetallpaste |
| JP5542280B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2014-07-09 | トヨタ自動車株式会社 | 放熱グリース組成物 |
| CN103131396B (zh) * | 2011-12-02 | 2016-01-27 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种热界面材料及其制造方法 |
| CN103642465B (zh) * | 2013-11-08 | 2015-12-09 | 北京依米康科技发展有限公司 | 一种液态金属导热膏及其制备方法和应用 |
| JP5753987B1 (ja) * | 2014-06-06 | 2015-07-22 | 合同会社エネオン総合研究所 | 水素発生合金、水素発生合金の製造方法、水素発生カートリッジ、水素製造装置、水素製造方法及び燃料電池システム |
| CN110129592B (zh) * | 2019-06-17 | 2021-03-26 | 无锡市康宁玻璃制品有限公司 | 镓基液态合金、其制备方法和应用以及测温装置 |
| CN112449546B (zh) * | 2019-08-27 | 2024-07-19 | 华硕电脑股份有限公司 | 液态金属散热膏涂布方法及散热模块 |
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