JPH07288331A - Manufacture for semiconductor device and photosemiconductor sealing epoxy resin formation used for it - Google Patents
Manufacture for semiconductor device and photosemiconductor sealing epoxy resin formation used for itInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＡｌＡｓからなる
光半導体素子が樹脂封止された光半導体装置の製法およ
びそれに用いる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element made of GaAlAs is resin-encapsulated, and an epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation used therein.
【０００２】[0002]
【従来の技術】発光素子，受光素子等の光半導体素子を
樹脂封止する際に用いられる封止材料には、従来から、
透明性および耐湿性に優れることからエポキシ樹脂組成
物が使用され、良好な特性が得られている。2. Description of the Related Art Sealing materials used for resin-sealing optical semiconductor elements such as light-emitting elements and light-receiving elements have hitherto been known.
An epoxy resin composition is used because of its excellent transparency and moisture resistance, and good characteristics are obtained.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
高輝度の赤色ランプに使用されているＧａＡｌＡｓから
なる光半導体素子は、他の混晶材料であるＧａＰ，Ｇａ
ＡｓＰからなる光半導体素子よりも湿度に対する耐性が
低く、従って、従来から用いられているエポキシ樹脂組
成物を使用して、ＧａＡｌＡｓからなる光半導体素子を
樹脂封止した光半導体装置では、使用環境下での輝度の
低下が著しいという欠点を有していた。そして、上記Ｇ
ａＡｌＡｓからなる光半導体素子を用いた光半導体装置
は高輝度であることから、屋外で使用される機会が多
く、特に厳しい耐湿信頼性が要求される。このため、従
来のエポキシ樹脂組成物に対しても耐湿信頼性向上が強
く望まれている。However, in recent years,
The optical semiconductor element made of GaAlAs used for a high-intensity red lamp is GaP, Ga which is another mixed crystal material.
The resistance to humidity is lower than that of an optical semiconductor element made of AsP. Therefore, in an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element made of GaAlAs is resin-sealed by using a conventionally used epoxy resin composition, However, it has a drawback that the brightness is significantly reduced. And the above G
Since the optical semiconductor device using the optical semiconductor element made of aAlAs has high brightness, it is often used outdoors, and particularly strict humidity resistance reliability is required. Therefore, it is strongly desired to improve the moisture resistance reliability of the conventional epoxy resin composition.
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、高い光透過性を有し、耐湿信頼性に優れた光半
導体装置の製法およびそれに用いる光半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の提供をその目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and a method of manufacturing an optical semiconductor device having high light transmittance and excellent moisture resistance reliability, and an epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation used therein. The purpose is to provide.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、ＧａＡｌＡｓからなる光半導体素子を、
下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成
物を用い樹脂封止して、樹脂封止型光半導体装置を製造
する光半導体装置の製法であって、上記（Ａ）成分と
（Ｂ）成分の当量比（酸無水物当量）が、１．３以上と
なるよう設定されている光半導体装置の製法を第１の要
旨とし、 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）酸無水物系硬化剤。 （Ｃ）硬化促進剤。 上記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する光半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物であって、上記（Ａ）成分と（Ｂ）成分
の当量比（酸無水物当量）が、１．３以上となるよう設
定されている光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第２
の要旨とする。In order to achieve the above object, the present invention provides an optical semiconductor device made of GaAlAs,
A method for manufacturing an optical semiconductor device, which comprises resin-sealing an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C) to produce a resin-sealed optical semiconductor device, comprising: (A) Epoxy resin, wherein the first gist is the method for producing an optical semiconductor device in which the equivalent ratio (acid anhydride equivalent) of the component (B) is set to 1.3 or more. (B) Acid anhydride type curing agent. (C) Curing accelerator. An epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor, containing the components (A) to (C), wherein the equivalent ratio (acid anhydride equivalent) of the components (A) and (B) is 1.3 or more. The epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation that is set to
The summary of
【０００６】[0006]
【作用】すなわち、本発明者らは、光半導体素子にＧａ
ＡｌＡｓを用いた光半導体装置において、使用環境下で
の高輝度が維持され、耐湿信頼性の良好な封止樹脂（硬
化物）を得るために一連の研究を重ねた。そして、上記
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を構成する各成分の
配合比等を中心にさらに研究を重ねた。その結果、エポ
キシ樹脂組成物中のエポキシ樹脂と酸無水物系硬化剤の
当量比（酸無水物当量）を特定範囲に設定すると、耐湿
信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物が得られ所期の目的
が達成されることを突き止めた。In other words, the present inventors have found that Ga is used as an optical semiconductor element.
In an optical semiconductor device using AlAs, a series of studies were conducted in order to obtain a sealing resin (cured product) that maintains high brightness under a use environment and has good moisture resistance reliability. Then, further research has been conducted centering on the compounding ratio of each component constituting the optical semiconductor encapsulating epoxy resin composition. As a result, when the equivalent ratio (acid anhydride equivalent) of the epoxy resin and the acid anhydride curing agent in the epoxy resin composition is set to a specific range, an epoxy resin composition having excellent moisture resistance reliability can be obtained. We have found that the purpose is achieved.
【０００７】つぎに、本発明を詳しく説明する。Next, the present invention will be described in detail.
【０００８】本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、酸無水物系硬化剤
（Ｂ成分）と、硬化促進剤（Ｃ成分）とを用いて得られ
るものであり、通常、粉末状、もしくはそれを打錠した
タブレット状、あるいは液状となっている。The epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor of the present invention is obtained by using an epoxy resin (component A), an acid anhydride-based curing agent (component B), and a curing accelerator (component C). Usually, it is in the form of powder, tablet-like tablet, or liquid.
【０００９】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）は、特に限定
するものではなく従来から光半導体装置の封止材料に使
用される各種エポキシ樹脂、例えばビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂，ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂，脂環
式エポキシ樹脂，多官能エポキシ樹脂等があげられ、こ
れらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。特
に、上記ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂およびビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂の少なくとも一方と、脂環式
エポキシ樹脂の混合エポキシ樹脂を用いることが好まし
い。この場合、上記脂環式エポキシ樹脂がエポキシ樹脂
成分全体の５０重量％（以下「％」と略す）以上に設定
することが望ましい。上記脂環式エポキシ樹脂として
は、下記に示す化学構造を有するものが好適に用いられ
る。The epoxy resin (component A) is not particularly limited, and various epoxy resins conventionally used as encapsulating materials for optical semiconductor devices, such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, alicyclic ring. Formula epoxy resins, polyfunctional epoxy resins and the like can be mentioned, and these can be used alone or in combination of two or more kinds. In particular, it is preferable to use a mixed epoxy resin of at least one of the bisphenol A type epoxy resin and the bisphenol F type epoxy resin and an alicyclic epoxy resin. In this case, the alicyclic epoxy resin is preferably set to 50% by weight (hereinafter abbreviated as "%") or more of the entire epoxy resin component. As the alicyclic epoxy resin, those having the chemical structure shown below are preferably used.
【００１０】[0010]
【化１】 [Chemical 1]
【００１１】そして、封止作業性を考慮すると、上記エ
ポキシ樹脂（Ａ成分）の粘度は、粉末状あるいはタブレ
ット状の場合は０．１〜８０ｐｓ（１５０℃）、液状の
場合は１５０ｐｓ（２５℃）以下が好ましい。Considering the sealing workability, the viscosity of the epoxy resin (A component) is 0.1 to 80 ps (150 ° C.) in the case of powder or tablet, and 150 ps (25 ° C. in the case of liquid). ) The following is preferable.
【００１２】上記Ａ成分とともに用いられる酸無水物系
硬化剤（Ｂ成分）としては、例えば、無水フタル酸，テ
トラヒドロ無水フタル酸，ヘキサヒドロ無水フタル酸，
メチルヘキサヒドロ無水フタル酸および上記酸無水物の
誘導体があげられる。これらは単独でもしくは２種以上
併せて用いられる。特に、封止作業性の点から、例え
ば、３−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸と４−メチ
ル−ヘキサヒドロ無水フタル酸の混合物、ヘキサヒドロ
無水フタル酸と、３−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル
酸および４−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸の少な
くとも一方との混合物が好ましい。Examples of the acid anhydride-based curing agent (component B) used together with the component A include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride,
Examples include methylhexahydrophthalic anhydride and derivatives of the above acid anhydrides. These may be used alone or in combination of two or more. Particularly, from the viewpoint of sealing workability, for example, a mixture of 3-methyl-hexahydrophthalic anhydride and 4-methyl-hexahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and 3-methyl-hexahydrophthalic anhydride and 4-methyl. Mixtures with at least one of hexahydrophthalic anhydride are preferred.
【００１３】そして、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と酸
無水物系硬化剤（Ｂ成分）の当量比（酸無水物当量）を
１．３以上となるよう設定する必要がある。好ましくは
当量比が１．３〜１．８の範囲、特に好ましくは１．４
〜１．７である。すなわち、当量比が１．３未満および
１．８を超えると、耐湿信頼性、すなわち耐湿通電試験
における輝度の劣化が生起するからである。なお、上記
当量比は、つぎのように設定される。すなわち、Ａ成分
中のエポキシ基１個に対して、Ｂ成分中の酸無水物基が
１個の場合を当量比（酸無水物当量）１．０とする。そ
して、本発明においては、エポキシ樹脂中のエポキシ基
１個に対して、酸無水物系硬化剤中の酸無水物基の数が
１．３個以上でなければならない。Then, it is necessary to set the equivalent ratio (acid anhydride equivalent) of the epoxy resin (component A) to the acid anhydride curing agent (component B) to be 1.3 or more. The equivalent ratio is preferably in the range of 1.3 to 1.8, particularly preferably 1.4.
Is about 1.7. That is, when the equivalent ratio is less than 1.3 and exceeds 1.8, the humidity resistance reliability, that is, the deterioration of the brightness in the humidity resistance current test occurs. The above equivalence ratio is set as follows. That is, the equivalent ratio (acid anhydride equivalent) is 1.0 when the acid anhydride group in the component B is one with respect to one epoxy group in the component A. In the present invention, the number of acid anhydride groups in the acid anhydride-based curing agent must be 1.3 or more with respect to one epoxy group in the epoxy resin.
【００１４】上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられ
る硬化促進剤（Ｃ成分）としては、二級アミン類，三級
アミン類およびこれらアミン類の塩、四級アンモニウム
塩，有機金属塩およびリン系触媒等があげられ、単独で
もしくは２種以上併せて用いられる。このように、従来
から光半導体素子の封止樹脂の硬化促進剤として用いら
れているものであれば特に限定するものではない。The curing accelerator (component C) used together with the above-mentioned components A and B includes secondary amines, tertiary amines and salts of these amines, quaternary ammonium salts, organic metal salts and phosphorus-based catalysts. Etc., and they may be used alone or in combination of two or more. Thus, there is no particular limitation as long as it has been conventionally used as a curing accelerator for the sealing resin of the optical semiconductor element.
【００１５】上記硬化促進剤（Ｃ成分）の配合量は、そ
の種類によって適宜に設定されるが、例えばエポキシ樹
脂（Ａ成分）および酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）の合計
量に対して０．１〜５．０重量部（以下「部」と略す）
の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは０．
５〜３．０部である。すなわち、上記硬化促進剤（Ｃ成
分）の配合量が、０．１部未満ではエポキシ樹脂組成物
の硬化速度が遅くなるため生産性が低下し、逆に５．０
部を超えるとエポキシ樹脂組成物の硬化物の着色等の問
題が生じ易くなるからである。The blending amount of the above-mentioned curing accelerator (C component) is appropriately set depending on the kind thereof, and is, for example, based on the total amount of the epoxy resin (A component) and the acid anhydride curing agent (B component). 0.1 to 5.0 parts by weight (hereinafter abbreviated as "part")
It is preferable to set in the range of 0.
5 to 3.0 parts. That is, if the amount of the above-mentioned curing accelerator (component C) is less than 0.1 part, the curing rate of the epoxy resin composition will be slow and the productivity will be reduced.
This is because if it exceeds the amount, problems such as coloring of the cured product of the epoxy resin composition are likely to occur.
【００１６】本発明に係る光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物には、前記Ａ〜Ｃ成分以外に、必要に応じて着色
剤，変性剤，酸化防止剤，離型剤，光分散剤，消泡剤等
の他の添加剤を適宜に配合することができる。In the epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor according to the present invention, in addition to the components A to C, if necessary, a colorant, a modifier, an antioxidant, a release agent, a light dispersant, and a decolorizer. Other additives such as a foaming agent can be appropriately blended.
【００１７】上記着色剤としては、例えば各種染料およ
び顔料等があげられる。Examples of the colorant include various dyes and pigments.
【００１８】上記変性剤としては、シリコーン化合物，
アルコール，多価アルコール類等があげられる。As the above-mentioned modifier, a silicone compound,
Examples include alcohols and polyhydric alcohols.
【００１９】上記酸化防止剤としては、ホスファイト
類，フェノール系酸化防止剤等があげられる。Examples of the above antioxidants include phosphites and phenolic antioxidants.
【００２０】上記離型剤としては、ステアリン酸，ベヘ
ン酸等があげられる。Examples of the releasing agent include stearic acid and behenic acid.
【００２１】上記光分散剤としては、シリカ粉末，炭化
カルシウム粉末，アルミナ粉末，窒化ケイ素粉末等があ
げられる。Examples of the light dispersant include silica powder, calcium carbide powder, alumina powder, silicon nitride powder and the like.
【００２２】上記消泡剤は、エポキシ樹脂組成物が液状
として供される場合に使用される。The above defoaming agent is used when the epoxy resin composition is provided as a liquid.
【００２３】本発明に係る光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物は、例えば、つぎのようにして得ることができ
る。上記エポキシ樹脂組成物の状態から下記の二つの方
法に大別して述べる。The epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor according to the present invention can be obtained, for example, as follows. From the state of the epoxy resin composition, the following two methods are roughly described.
【００２４】一つは、光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を、粉末状もしくはタブレット状で提供する場合であ
る。この場合、まず、前記Ａ〜Ｃ成分の必須成分と、必
要に応じて上記他の添加剤を混合する。そして、この混
合物を常法に準じてドライブレンド法または溶融ブレン
ド法を適宜採用し、混合・混練して、冷却し粉砕するこ
とにより目的とする粉末状の光半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を得ることができる。そして、タブレット状の
場合は、上記粉砕物を打錠することにより得られる。One is a case where the epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor is provided in the form of powder or tablet. In this case, first, the above-mentioned essential components A to C and, if necessary, the above-mentioned other additives are mixed. Then, a dry blending method or a melt blending method is appropriately adopted according to a conventional method for this mixture, and the desired powdery epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation is obtained by mixing and kneading, cooling and pulverizing. Obtainable. In the case of a tablet, it can be obtained by tableting the crushed product.
【００２５】他の一つは、光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を、液状で提供する場合である。この場合、ま
ず、前記Ａ〜Ｃ成分の必須成分と、必要に応じて上記に
あげる他の添加剤を攪拌混合する。通常は、エポキシ樹
脂（Ａ成分）を主体とするａ液と、酸無水物系硬化剤
（Ｂ成分）と硬化促進剤（Ｃ成分）および他の添加剤を
主体とするｂ液の二液を準備し、これらを攪拌混合する
ことにより目的とする液状の光半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を得ることができる。The other one is a case where the epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor is provided in a liquid form. In this case, first, the above-mentioned essential components A to C and, if necessary, the above-mentioned other additives are mixed by stirring. Usually, two liquids, liquid a mainly composed of epoxy resin (component A) and liquid b mainly composed of acid anhydride type curing agent (component B) and curing accelerator (component C) and other additives are used. A desired liquid epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor can be obtained by preparing and stirring and mixing these.
【００２６】このようにして得られた光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物の硬化物において、例えば、下記の抽
出条件（Ｘ）に従って抽出された硬化物の抽出水のｐＨ
値は２．３〜３．３に設定される。（Ｘ）エポキシ樹脂
組成物の硬化物の６０メッシュパス粉砕物に対して１０
重量倍のイオン交換水を加えたものを８５℃×５００時
間煮沸し抽出する。In the cured product of the epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation thus obtained, for example, the pH of the extracted water of the cured product extracted according to the following extraction condition (X):
The value is set to 2.3-3.3. (X) 10 to 60 crushed product of epoxy resin composition cured product
What added the ion exchange water of weight times is boiled and extracted at 85 degreeC x 500 hours.
【００２７】このような特殊な光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を用いてのＧａＡｌＡｓからなる光半導体素
子の封止は、特に限定するものではなく、例えばトラン
スファー成形法あるいは注型法を用いて適宜に行うこと
ができる。The encapsulation of an optical semiconductor element made of GaAlAs using such a special epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor is not particularly limited, and for example, a transfer molding method or a casting method is used. It can be performed appropriately.
【００２８】このように、ＧａＡｌＡｓからなる光半導
体素子を封止してなる光半導体装置は、前記特殊なエポ
キシ樹脂組成物によって樹脂封止されているため、優れ
た耐湿信頼性を備えている。As described above, the optical semiconductor device obtained by sealing the optical semiconductor element made of GaAlAs is resin-sealed with the above-mentioned special epoxy resin composition, and therefore has excellent moisture resistance reliability.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上のように、本発明は、ＧａＡｌＡｓ
からなる光半導体素子が、前記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含
有するエポキシ樹脂組成物の硬化物を用いて封止され、
しかも上記硬化物の抽出水のｐＨ値が特定範囲に設定さ
れた光半導体装置である。このため、輝度の劣化が抑制
され高輝度が維持される。そして、上記硬化物を形成す
る光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、そのエポキシ
樹脂組成物中のエポキシ樹脂と酸無水物系硬化剤の当量
比が特定範囲に設定されているため、耐湿信頼性に優れ
ており、これを用いて樹脂封止された光半導体装置は、
使用環境下での著しい輝度低下が防止される。したがっ
て、本発明の光半導体装置の製法により得られる光半導
体装置は、耐湿信頼性に優れており、屋外等の使用にお
ける厳しい使用環境条件においても高輝度が維持される
こととなる。As described above, the present invention is based on GaAlAs
An optical semiconductor element made of is encapsulated with a cured product of an epoxy resin composition containing the components (A) to (C),
Moreover, it is an optical semiconductor device in which the pH value of the extracted water of the cured product is set in a specific range. Therefore, deterioration of brightness is suppressed and high brightness is maintained. The epoxy resin composition for optical-semiconductor encapsulation forming the cured product has a moisture resistance reliability because the equivalent ratio of the epoxy resin and the acid anhydride curing agent in the epoxy resin composition is set to a specific range. The optical semiconductor device, which is excellent in performance and is resin-sealed using this,
It is possible to prevent a significant decrease in brightness under the use environment. Therefore, the optical semiconductor device obtained by the method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention has excellent moisture resistance reliability, and high brightness can be maintained even under severe operating environment conditions such as outdoor use.
【００３０】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
【００３１】[0031]
【実施例１〜１２、比較例１〜３】後記の表１〜表３に
示す各原料を準備した。そして、これらをａ液成分，ｂ
液成分において、それぞれ同表に示す割合で配合し、加
温（７０℃）・攪拌することにより目的とする液状サン
プルであるａ液およびｂ液をそれぞれ準備した。そし
て、上記ａ液およびｂ液を、同表に示す配合割合（重量
比）で混合した後、減圧脱泡することにより液状の光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。ついで、ＧａＡ
ｌＡｓからなる光半導体素子を準備し、上記液状の光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、注型法（表１〜
表３に条件を示す）により直径５ｍｍの砲弾型の光半導
体装置を製造した。Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 3 Raw materials shown in Tables 1 to 3 below were prepared. And these are the liquid component a, b
Liquid components were mixed in the proportions shown in the same table, and heated (70 ° C.) and stirred to prepare target liquid samples a liquid and b liquid, respectively. Then, the liquid a and the liquid b were mixed in a mixing ratio (weight ratio) shown in the same table, and then defoamed under reduced pressure to obtain a liquid epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor. Then, GaA
An optical semiconductor element made of 1As is prepared, and the liquid epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation is used to perform a casting method (see Tables 1 to 1).
According to the conditions shown in Table 3, a bullet-shaped optical semiconductor device having a diameter of 5 mm was manufactured.
【００３２】[0032]
【表１】 [Table 1]
【００３３】[0033]
【表２】 [Table 2]
【００３４】[0034]
【表３】 [Table 3]
【００３５】このようにして得られた光半導体装置の耐
湿信頼性，封止樹脂（硬化物）の着色の度合い，吸湿後
の透明性，ガラス転移温度を測定・評価した。その結果
を後記の表４〜表６に示す。The moisture resistance reliability of the thus obtained optical semiconductor device, the degree of coloring of the sealing resin (cured product), the transparency after moisture absorption, and the glass transition temperature were measured and evaluated. The results are shown in Tables 4 to 6 below.
【００３６】〔耐湿信頼性〕上記製法により得られた直
径５ｍｍの砲弾型の各光半導体装置を、８５℃／８５％
ＲＨの環境下で２０ｍＡの通電試験を行い、２００時間
後の輝度保持率を測定・算出した。なお、上記輝度の測
定は２０ｍＡの通電時の発光強度を受光素子で電圧値に
換算して行った。[Moisture resistance reliability] Each of the bullet-shaped optical semiconductor devices having a diameter of 5 mm obtained by the above-described manufacturing method was tested at 85 ° C./85%.
An energization test of 20 mA was performed under the environment of RH, and the luminance retention rate after 200 hours was measured and calculated. The luminance was measured by converting the light emission intensity at a current of 20 mA into a voltage value with a light receiving element.
【００３７】〔封止樹脂（硬化物）の着色の度合い〕２
次キュア後の直径５ｍｍの砲弾型の各光半導体装置を目
視により観察し、黄色の着色が認められなかったものを
○、ランプのツバ部分のみに黄色の着色が認められたも
のを△、ランプ全体に着色が認められたものを×として
示した。[Degree of Coloring of Sealing Resin (Cured Product)] 2
After the next cure, visually observing each of the 5 mm diameter cannonball-shaped optical semiconductor devices, ○: No yellow coloring was observed, △: Yellow coloring was observed only at the flange of the lamp, △: Lamp The case where coloring was observed on the whole was shown as x.
【００３８】〔吸湿後の透明性〕上記製法により得られ
た直径５ｍｍの砲弾型の各光半導体装置を、８５℃／８
５％ＲＨの環境下で２０ｍＡの通電試験を行い、５００
時間後の透明性を目視により観察し、白濁が認められな
かったものを○、白濁が認められたものを×として示し
た。[Transparency after Moisture Absorption] Each of the shell-shaped optical semiconductor devices having a diameter of 5 mm obtained by the above-mentioned manufacturing method was subjected to 85 ° C./8.
Conducted a 20 mA current test in an environment of 5% RH, and
The transparency after the lapse of time was visually observed, and the one in which no white turbidity was observed was indicated by ◯, and the one in which white turbidity was observed was indicated by x.
【００３９】〔ガラス転移温度〕２次キュア後の光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物硬化物のガラス転移温度を
示差走査熱量計（differential scanning calorimeter
：ＤＳＣ）にて測定評価した。なお、昇温速度は１０
℃／ｍｉｎとした。[Glass Transition Temperature] Differential scanning calorimeter indicating the glass transition temperature of the cured epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation after secondary curing.
: DSC). The heating rate is 10
C / min.
【００４０】[0040]
【表４】 [Table 4]
【００４１】[0041]
【表５】 [Table 5]
【００４２】[0042]
【表６】 [Table 6]
【００４３】上記表４〜表６の結果から、全ての実施例
において、硬化物の着色度合いおよび吸湿後の透明性に
関して良好な結果が得られた。そして、輝度保持率も高
い保持率を有している。これに対して比較例は、輝度保
持率が極端に低く、素子の劣化が著しいことがわかる。From the results of Tables 4 to 6 above, good results were obtained in all the examples regarding the degree of coloring of the cured product and the transparency after moisture absorption. The luminance retention rate also has a high retention rate. On the other hand, in the comparative example, the luminance retention rate is extremely low, and it can be seen that the element is significantly deteriorated.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｎ // Ｃ０８Ｇ 59/42 ＮＫＫ (72)発明者 神山 博克 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 丸橋 隆彦 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Internal reference number FI Technical indication location H01L 33/00 N // C08G 59/42 NKK (72) Inventor Hirokatsu Kamiyama Shimohozumi Ibaraki, Osaka 1-2 1-2 Nitto Denko Corporation (72) Inventor Takahiko Maruhashi 1-2-1 Shimohozumi, Ibaraki City, Osaka Prefecture Nitto Denko Corporation
Claims (2)
下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキシ樹脂組成
物を用い樹脂封止して、樹脂封止型光半導体装置を製造
する光半導体装置の製法であって、上記（Ａ）成分と
（Ｂ）成分の当量比（酸無水物当量）が、１．３以上と
なるよう設定されていることを特徴とする光半導体装置
の製法。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）酸無水物系硬化剤。 （Ｃ）硬化促進剤。1. An optical semiconductor element made of GaAlAs,
A method for manufacturing an optical semiconductor device, which comprises resin-sealing an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C) to produce a resin-sealed optical semiconductor device, comprising: A method for manufacturing an optical semiconductor device, wherein the equivalent ratio (acid anhydride equivalent) of the component (B) is set to 1.3 or more. (A) Epoxy resin. (B) Acid anhydride type curing agent. (C) Curing accelerator.
半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記（Ａ）
成分と（Ｂ）成分の当量比（酸無水物当量）が、１．３
以上となるよう設定されていることを特徴とする光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）酸無水物系硬化剤。 （Ｃ）硬化促進剤。2. An epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor, which comprises the following components (A) to (C):
The equivalent ratio of the component and the component (B) (acid anhydride equivalent) is 1.3.
An epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation, which is set as described above. (A) Epoxy resin. (B) Acid anhydride type curing agent. (C) Curing accelerator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7851794A JPH07288331A (en) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | Manufacture for semiconductor device and photosemiconductor sealing epoxy resin formation used for it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7851794A JPH07288331A (en) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | Manufacture for semiconductor device and photosemiconductor sealing epoxy resin formation used for it |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288331A true JPH07288331A (en) | 1995-10-31 |
Family
ID=13664137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7851794A Pending JPH07288331A (en) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | Manufacture for semiconductor device and photosemiconductor sealing epoxy resin formation used for it |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07288331A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08198953A (en) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Nitto Denko Corp | Photosemiconductor device |
| JP2003506539A (en) * | 1999-08-04 | 2003-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Transparent cast resin material for use in SMT capable LEDs with high temperature and high brightness or emission intensity |
-
1994
- 1994-04-18 JP JP7851794A patent/JPH07288331A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08198953A (en) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Nitto Denko Corp | Photosemiconductor device |
| JP2003506539A (en) * | 1999-08-04 | 2003-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Transparent cast resin material for use in SMT capable LEDs with high temperature and high brightness or emission intensity |
| JP4805500B2 (en) * | 1999-08-04 | 2011-11-02 | アバゴ・テクノロジーズ・ファイバー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | Transparent casting resin material for use in LEDs with SMT capability having high temperature and high brightness or emission intensity |
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