JPH07283352A

JPH07283352A - Semiconductor device and its carrying method

Info

Publication number: JPH07283352A
Application number: JP6072305A
Authority: JP
Inventors: Kiyoumi Hayashi; 清海林; Ichiro Yamaguchi; 一郎山口; Rikuro Sono; 陸郎薗
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-04-11
Filing date: 1994-04-11
Publication date: 1995-10-27

Abstract

PURPOSE:To improve cooling property without sacrificing the number of leads. CONSTITUTION:A cooling member 32 is provided on the upper surface of a resin package 38. The extension parts of support bars 34-1-34-4 protrude from a chamfered surface 38g of the corner of the resin package 38 to the outside of the resin package 38. The protruding part is provided with a leading part 34-1a-1 and a rug part 34-1a-2 for fixing. The rug part 34-1a-2 is tentatively fixed to the cooling member 32. The heat of the semiconductor chip 36 is led to the outside of the resin package 38 from each corner part of the resin package 38 through the support bars 34-1-34-4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその搬送
方法に係り、特に半導体チップが樹脂封止された構造の
半導体装置及びその搬送方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and a carrying method thereof, and more particularly to a semiconductor device having a structure in which a semiconductor chip is resin-sealed and a carrying method thereof.

【０００２】近年、半導体チップは高集積化しており、
その消費電力は増加の傾向にある。In recent years, semiconductor chips have been highly integrated,
Its power consumption is on the rise.

【０００３】このため、半導体装置は、放熱性が高いこ
と、即ち、熱抵抗が低いことが要求されている。Therefore, the semiconductor device is required to have high heat dissipation, that is, low thermal resistance.

【０００４】一方、半導体チップの高集積化に伴って、
半導体装置に必要とされるリードの数も増加傾向にあ
る。On the other hand, with the high integration of semiconductor chips,
The number of leads required for semiconductor devices is also increasing.

【０００５】このため、上記の低熱抵抗化は、リードの
数を犠牲にせずに実現出来ることが必要とされる。Therefore, it is necessary to realize the above low thermal resistance without sacrificing the number of leads.

【０００６】[0006]

【従来の技術】図２７は、特開昭９３−１３２８５号公
報に示されている半導体装置１０を示す。2. Description of the Related Art FIG. 27 shows a semiconductor device 10 disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 93-1285.

【０００７】この半導体装置１０は、半導体装置本体１
１と、放熱部材１２とを有する。The semiconductor device 10 includes a semiconductor device body 1
1 and a heat dissipation member 12.

【０００８】半導体装置本体１１は、半導体チップ１
３，放熱板１４，リード１５，樹脂パッケージ１６を有
する。The semiconductor device body 11 is a semiconductor chip 1.
3, a heat sink 14, leads 15, and a resin package 16.

【０００９】放熱板１４は、ステージ１４ａと、このス
テージ１４ａを支えるサポート部１４ｂとを有する。The heat dissipation plate 14 has a stage 14a and a support portion 14b for supporting the stage 14a.

【００１０】半導体チップ１３は、ステージ１４ａ上に
固着してある。The semiconductor chip 13 is fixed on the stage 14a.

【００１１】放熱部材１２は、放熱板１４にねじ止めし
てあり、樹脂パッケージ１６上に取り付けてある。The heat radiating member 12 is screwed to the heat radiating plate 14 and is mounted on the resin package 16.

【００１２】半導体チップ１３の熱は、ステージ１４ａ
→サポート部１４ｂと伝導されて、樹脂パッケージ１６
の外部に引き出される。The heat of the semiconductor chip 13 is generated by the stage 14a.
→ The resin package 16 is conducted to the support portion 14b.
Be pulled out of.

【００１３】更には、熱は、放熱部材１２に伝わって、
放熱部材１２内に拡がり、これより空気中に放熱され
る。Further, the heat is transmitted to the heat dissipation member 12,
The heat spreads inside the heat dissipation member 12 and is radiated into the air.

【００１４】これにより、半導体チップ１３の熱は効率
良く放熱される。As a result, the heat of the semiconductor chip 13 is efficiently dissipated.

【００１５】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかし、放熱板１４
は、矩形状の樹脂パッケージ１６の４つの側面１６ａか
ら外方に突き出している。このため、放熱板１４が樹脂
パッケージ１６から突き出している部分については、リ
ード１５を設けることが出来ない。However, the heat dissipation plate 14
Protrude outwardly from the four side surfaces 16 a of the rectangular resin package 16. Therefore, the lead 15 cannot be provided at the portion where the heat dissipation plate 14 projects from the resin package 16.

【００１６】従って、図２７の半導体装置１０は、リー
ド１５を配する部分を一部犠牲にした構造であり、リー
ドの数が増えている近年の半導体装置には不適である。Therefore, the semiconductor device 10 of FIG. 27 has a structure in which the portion where the lead 15 is arranged is partially sacrificed, and is not suitable for a recent semiconductor device in which the number of leads is increasing.

【００１７】また、放熱板１４とリードフレームとは別
部材とすると、部品点数が増え、また、樹脂モールド完
了まで、放熱板１４がリードフレームに対して動かない
ようにリードフレームに固定しておく必要があり、半導
体装置の製造が面倒となる。If the heat dissipation plate 14 and the lead frame are separate members, the number of parts increases and the heat dissipation plate 14 is fixed to the lead frame until the resin molding is completed so as not to move with respect to the lead frame. Therefore, the manufacturing of the semiconductor device becomes troublesome.

【００１８】一方、放熱板１４をリードフレームの一部
とする場合には、リードフレームの設計をし直すことが
必要となる。On the other hand, when the heat dissipation plate 14 is to be a part of the lead frame, it is necessary to redesign the lead frame.

【００１９】そこで、本発明は上記課題を解決した半導
体装置及びその搬送方法を提供することを目的とする。Therefore, it is an object of the present invention to provide a semiconductor device and a method of carrying the same that solve the above problems.

【００２０】[0020]

【課題を解決するための手段】図１は本発明の半導体装
置２０の原理構成を示す。半導体装置２０は、リードフ
レーム２１と、半導体チップ２２と、半導体チップ２２
を封止するパッケージ２３と、パッケージ２３の外部の
放熱手段２４と、リード２５とを有する。FIG. 1 shows the principle configuration of a semiconductor device 20 of the present invention. The semiconductor device 20 includes a lead frame 21, a semiconductor chip 22, and a semiconductor chip 22.
A package 23 for encapsulating, a heat radiating means 24 outside the package 23, and a lead 25.

【００２１】リードフレーム２１は、半導体チップ２２
が固着されたステージ２１ａと、パッケージ２３を形成
するモールド時にステージ２１ａを支えるサポートバー
２１ｂとを有する。The lead frame 21 is a semiconductor chip 22.
And a support bar 21b that supports the stage 21a when the package 23 is molded.

【００２２】サポートバー２１ｂは、パッケージ２３の
コーナ部２６からパッケージ２３の外方に延出している
延出部２１ｂ_-1を有する。The support bar 21b has an extending portion 21b- ₁ extending from the corner portion 26 of the package 23 to the outside of the package 23.

【００２３】延出部２１ｂ_-1の先端側に、上記放熱手段
２４を有する。The heat radiating means 24 is provided on the tip side of the extending portion 21b _-1 .

【００２４】[0024]

【作用】サポートバー２１ｂ及び延出部２１ｂ_-1は、半
導体チップ２２で発生した熱を、パッケージ２３の外部
にまで引き出すように作用する。The support bar 21b and the extension portion 21b- ₁ act so as to draw the heat generated in the semiconductor chip 22 to the outside of the package 23.

【００２５】放熱手段２４は、パッケージ２３の外部に
引き出された熱を半導体装置２０の外部の空気中に放熱
するように作用する。The heat radiating means 24 acts to radiate the heat drawn out of the package 23 to the air outside the semiconductor device 20.

【００２６】延出部２１ｂ_-1がコーナ部２５から延出し
た構成は、延出部２１ｂ_-1が、リードを設けることので
きる場所を少しも占めないように作用する。即ち、延出
部２１ｂ_-1は、本来設けうるリード２５の本数を少しも
犠牲にしないように作用する。The configuration extending portion 21b _-1 are extending from the corner portion 25, the extending portion 21b _-1 acts places that can provide a lead to not a little also occupy. That is, the extending portion 21b _-1 acts so as not to sacrifice the number of leads 25 that can be originally provided.

【００２７】[0027]

【実施例】【Example】

〔第１実施例〕〔構成〕図２乃至図５は、本発明の第１実施例になるＱ
ＦＰ型半導体装置３０を示す。[First Embodiment] [Structure] FIGS. 2 to 5 show a first embodiment Q of the present invention.
The FP type semiconductor device 30 is shown.

【００２８】半導体装置３０は、半導体装置本体３１
と、放熱部材３２とを有する。The semiconductor device 30 includes a semiconductor device body 31.
And a heat dissipation member 32.

【００２９】半導体装置本体３１は、ステージ３３と、
ステージ３３を支えるサポートバー３４_-1〜３４_-4と、
インナリード部３５ａと成形してあるアウタリード部３
５ｂとよりなる多数のリード３５と、ステージ３３上に
固着してある半導体チップ３６と、ステージ３３上に固
着してある半導体チップ３６と半導体チップ３６とイン
ナリード部３５ｂとを接続するＡｕワイヤ３７と、これ
らを封止する樹脂パッケージ３８とを有する。The semiconductor device main body 31 includes a stage 33,
Support bars 34 _{-1 to} 34 _-4 that support the stage 33,
Inner lead portion 35a and outer lead portion 3 molded
5b, a plurality of leads 35, a semiconductor chip 36 fixed on the stage 33, a semiconductor chip 36 fixed on the stage 33, and an Au wire 37 connecting the semiconductor chip 36 and the inner lead portion 35b. And a resin package 38 for sealing them.

【００３０】樹脂パッケージ３８は、各コーナ部が面取
りされた正方形を有し、上面３８ａ，底面３８ｂ，四辺
に沿う４つの側面３８ｃ〜３８ｆ，各コーナ部の面取り
した面３８ｇ〜３８ｊを有する。The resin package 38 has a square shape with chamfered corners, and has a top surface 38a, a bottom surface 38b, four side surfaces 38c to 38f along four sides, and chamfered surfaces 38g to 38j of the respective corner portions.

【００３１】半導体装置本体３１は、更に、サポートバ
ー３４_-1〜３４_-4が更に先に延びた部分、換言すれば、
切り落とされずに残されており、面取りした面３８ｇ〜
３８ｊから樹脂パッケージ３８の外方に突き出している
延出部（突き出し部）３４_-1 _a〜３４_-4aを有する。The semiconductor device main body 31 further includes portions where the support bars 34 _{-1 to} 34 _-4 extend further, in other words,
It is left without being cut off, and the chamfered surface 38g ~
Extending portions (protruding portions) 34 _-1 _{a to} 34 _{-4 a} that project from the resin package 38 to the outside of the resin package 38.

【００３２】各延出部３４_-1a〜３４_-4aは、上方に折
曲されており、面取りした面３８ｇ〜３８ｊに沿って上
方に延出している帯状の立上がり部３４_-1a-1〜３４
_-4a-1と、各立上がり部３４_-1a-1〜３４_-4a-1の先端
から、内方に水平に折曲してある固定用ラグ部３４
_-1a-2〜３４_-4a-2とを有する。[0032] Each extending portion 34 _-1a to 34 _-4a is bent upward, chamfers 38g~38j rising portion 34 _-1a-1 of the strip extending upward along to 34
_-4a-1 and each of the rising portions 34 _{-1a-1 to} 34 _-4a-1 are fixed inwardly and horizontally bent from the tips of the fixing lug portions 34.
_{-1a-2 to} 34 _-4a-2 .

【００３３】放熱部材３２は、例えばＣｕ又はＡｌ製の
板状の部材であり、平面図上、樹脂パッケージ３８と、
同じ寸法形状を有し、上面３２ａ及び底面３２ｂを有
し、且つ各コーナ部に、面取りした面３２ｃ〜３２ｆを
有する。The heat dissipation member 32 is a plate-shaped member made of, for example, Cu or Al, and has a resin package 38 on a plan view.
It has the same size and shape, has a top surface 32a and a bottom surface 32b, and has chamfered surfaces 32c to 32f at each corner.

【００３４】４０はクッション材としてのポリイミド製
のシートであり、樹脂パッケージ３８の上面３８ａに接
着してある。このシート４０の熱伝導性は良い。シート
４０に代えて、高熱伝導性接着剤でもよい。Reference numeral 40 denotes a polyimide sheet as a cushion material, which is adhered to the upper surface 38a of the resin package 38. The thermal conductivity of this sheet 40 is good. Instead of the sheet 40, a high thermal conductive adhesive may be used.

【００３５】放熱部材３２は、平面図上、樹脂パッケー
ジ３８と一致した状態に位置決めされて、上記シート４
０上に接着してある。The heat dissipating member 32 is positioned so as to coincide with the resin package 38 in plan view, and the sheet 4
0 is glued on top.

【００３６】上記の帯状の立上がり部３４_-1a-1〜３４
_-4a-1は、放熱部材３２の面取りした面３２ｃ〜３２ｆ
に沿っている。The above-mentioned strip-shaped rising portions 34 _{-1a-1 to} 34
_-4a-1 is the chamfered surfaces 32c to 32f of the heat dissipation member 32.
Is along.

【００３７】固定用ラグ部３４_-1a-2〜３４_-4a-2が、
ねじ４１によって、放熱部材３２にねじ止めしてある。The fixing lug portions 34 _{-1a-2 to} 34 _-4a-2 are
It is screwed to the heat dissipation member 32 with a screw 41.

【００３８】ねじ止めの代わりに接着を利用し、固定用
ラグ部３４_-1a-2〜３４_-4a-2を、放熱部材３２に接着
した構成としてもよい。Adhesion may be used instead of screwing, and the fixing lug portions 34 _{-1a-2 to} 34 _-4a-2 may be adhered to the heat dissipation member 32.

【００３９】シート４０は、樹脂パッケージ３８と放熱
部材３２との間に挟まれている。The sheet 40 is sandwiched between the resin package 38 and the heat dissipation member 32.

【００４０】上記構成のＱＦＰ型半導体装置３０は、ア
ウタリード部３５ａを、パッド（図示せず）と半田付け
されて、プリント板（図示せず）上に実装される。The QFP type semiconductor device 30 having the above structure is mounted on a printed board (not shown) by soldering the outer lead portions 35a to pads (not shown).

【００４１】〔製造方法〕次に、上記構成の半導体装置
３０の製造方法について説明する。[Manufacturing Method] Next, a method of manufacturing the semiconductor device 30 having the above configuration will be described.

【００４２】説明の便宜上、まずリードフレームについ
て、説明する。For convenience of explanation, the lead frame will be described first.

【００４３】図２の半導体装置３０を製造するには、図
６に示す形状のリードフレーム５０を使用する。To manufacture the semiconductor device 30 of FIG. 2, the lead frame 50 having the shape shown in FIG. 6 is used.

【００４４】リードフレーム５０は、図６に示すよう
に、四角形状のステージ３３，ステージ３３のコーナ部
より、ステージ３３の対角線の延長線方向に延出してい
るサポートバー３４_-1〜３４_-4と、インナリード部３５
ａと、アウタリード部３５ｂと、インナリード部３５ａ
とアウタリード部３５ｂとの略境の部位で、インナリー
ド部３５ａ同士及びインナリード部３５ａとサポートバ
ー３４_-1〜３４_-4とを連結するタイバー５１と、アウタ
リード部３５ｂの端同士を連結するタイバー５２とを有
する。As shown in FIG. 6, the lead frame 50 has support bars 34 _{-1 to} 34 _-4 extending in a diagonal direction of the stage 33 from a rectangular stage 33 and a corner portion of the stage 33. And the inner lead portion 35
a, outer lead portion 35b, and inner lead portion 35a
And a tie bar 51 connecting the inner lead parts 35a to each other and the inner lead part 35a to the support bars 34 _{-1 to} 34 _-4 , and a tie bar connecting the ends of the outer lead part 35b to each other at a substantially boundary portion between the outer lead part 35b and the outer lead part 35b. 52 and.

【００４５】更に、リードフレーム５０は、サポートバ
ー３４_-1〜３４_-4の一部であって、ダイバー５１が連結
してある部位Ｐより、更に外方に延出している帯部５４
_-1〜５４_-4と、各帯部５４_-1〜５４_-4の先端側の矩形部
５５_-1〜５５_-4とを有する。Further, the lead frame 50 is a part of the support bars 34 _{-1 to} 34 _-4 , and a band portion 54 extending further outward than the portion P to which the diver 51 is connected.
_{-1 to} 54 _-4 and rectangular portions 55 _{-1 to} 55 _-4 on the tip end side of the strip portions 54 _{-1 to} 54 _-4 .

【００４６】矩形部５５_-1〜５５_-4は、アウタリード部
３５ｂと、ダイバー５１によってつながっている。The rectangular portions 55 _{-1 to} 55 _-4 are connected to the outer lead portion 35b by the diver 51.

【００４７】各矩形部５５_-1〜５５_-4には、リードフレ
ーム製造時及びモールド時に、位置決めのために使用さ
れる孔５６_-1〜５６_-4が形成してある。[0047] Each rectangular portion 55 _-1 to 55 _-4, and at the time of molding the lead frame manufacturing, holes 56 _-1 to 56 _-4 are formed which are used for positioning.

【００４８】各帯部５４_-1〜５４_-4は、最終的には、上
記の立上り部３４_-1a-1〜３４_-4a- ₄を形成する。Each of the strip portions 54 _{-1 to} 54 _-4 finally forms the rising portions 34 _{-1a-1 to} 34 _-4a- ₄ .

【００４９】また、矩形部５５_-1〜５５_-4は、最終的に
は、上記の固定用ラグ部３４_-1a-2〜３４_-4a-2を形成
する。[0049] Also, the rectangular portion 55 _-1 to 55 _-4, in the end, to form a fixing lug 34 _{_-1a-2} ~34 _-4a-2 described above.

【００５０】孔５６_-1〜５６_-4は、ねじ止め用の孔とし
て利用される。The holes 56 _{-1 to} 56 _-4 are used as holes for screwing.

【００５１】サポートバー３４_-1〜３４_-4のステージ２
３側の幅Ｗ₁は、通常のサポートバーの幅より若干幅広
である。Stage 2 of support bars 34 _{-1 to} 34 _-4
The width W ₁ on the 3 side is slightly wider than the width of a normal support bar.

【００５２】また、サポートバー３４_-1〜３４_-4は、幅
の一定の形状ではなく、ステージ２３より外方に向かう
につれて、幅が徐々に広くなる形状、即ちステージ２３
側からみて末広がりの形状を有する。矩形部５５_-1〜５
５_-4側は、幅Ｗ₁の約２倍である幅Ｗ₂を有する。Further, the support bars 34 _{-1 to} 34 _-4 are not shaped so as to have a constant width, but have a shape in which the width gradually increases toward the outside of the stage 23, that is, the stage 23.
It has a divergent shape when viewed from the side. Rectangular part 55 _{-1 to} 5
5 _-4 side has a width W ₂ of about 2 times the width W _1.

【００５３】図２の半導体装置３０は、図６のリードフ
レーム５０を使用して、図７に示す工程を経て製造され
る。The semiconductor device 30 of FIG. 2 is manufactured using the lead frame 50 of FIG. 6 and through the steps shown in FIG.

【００５４】ダイボンディング６０半導体チップ３６を、図６のリードフレーム５０のステ
ージ３３上に固着する。Die Bonding 60 The semiconductor chip 36 is fixed onto the stage 33 of the lead frame 50 shown in FIG.

【００５５】ワイヤボンディング６１Ａｕワイヤ３７をボンディングする。Wire Bonding 61 The Au wire 37 is bonded.

【００５６】樹脂モールド６２リードフレーム５０をモールド金型にセットして樹脂モ
ールドを行ない、樹脂パッケージ３８を形成する。Resin Mold 62 The lead frame 50 is set in a molding die and resin molding is performed to form the resin package 38.

【００５７】これにより、半導体チップ３６が樹脂封止
される。As a result, the semiconductor chip 36 is resin-sealed.

【００５８】樹脂パッケージ３８の面取りした面３８ｇ
〜３８ｊから、帯部５４_-1〜５４_-4が突き出した状態と
なる。Chamfered surface 38g of resin package 38
The strip portions 54 _{-1 to} 54 _-4 project from the strips 38 to 38j.

【００５９】また、樹脂パッケージ３８の各側面３８ｃ
〜３８ｆから、アウタリード部３５ｂが突き出した状態
となる。Further, each side surface 38c of the resin package 38
The outer lead portion 35b is protruded from ~ 38f.

【００６０】放熱部材の取り付け６３樹脂パッケージ３８の上面３８ａに、シート４０を接着
し、更に放熱部材３２を接着する。Attachment of Heat Dissipating Member 63 The sheet 40 is adhered to the upper surface 38a of the resin package 38, and the heat dissipating member 32 is further adhered.

【００６１】リードフレーム切断６４ (i) 図６中、線７０に沿って切断し、タイバー５１を
切除する。Lead frame cutting 64 (i) In FIG. 6, cutting is performed along a line 70 to cut the tie bar 51.

【００６２】(ii) 線７１に沿って切断し、タイバー５
２を切除する。(Ii) Cut along the line 71 and tie bar 5
Excise 2.

【００６３】これにより、リードフレームは、図８に符
号５０Ａで示す如くになる。As a result, the lead frame becomes as shown by reference numeral 50A in FIG.

【００６４】リードフレーム成形６５ (i) 図８中、帯部５４_-1〜５４_-4を、線７２に沿って
上方に折り曲げる。Lead frame molding 65 (i) In FIG. 8, the band portions 54 _{-1 to} 54 _-4 are bent upward along the line 72.

【００６５】これにより、帯部５４_-1〜５４_-4は、立上
り部３４_-1a-1〜３４_-4a-4となる。As a result, the band portions 54 _{-1 to} 54 _{-4 become} the rising portions 34 _{-1a-1 to} 34 _-4a-4 .

【００６６】(ii) 図８中、線７３に沿って矩形部５５
_-1〜５５_-4を折り曲げて、放熱部材３２上に覆い被せ
る。(Ii) In FIG. 8, the rectangular portion 55 is taken along the line 73.
_{-1 to} 55 _-4 are bent and covered on the heat dissipation member 32.

【００６７】これにより、矩形部５５_-1〜５５_-4は、図
９に示すように、固定用ラグ部３４ _-1a-2〜３４_-4a-2
となる。As a result, the rectangular portion 55_-1~ 55_-FourIs a figure
As shown in FIG. 9, the fixing lug portion 34 _-1a-2~ 34_-4a-2
Becomes

【００６８】ねじ止め６６ねじ４１によって、固定用ラグ部３４_-1a-2〜３４_4a-2
を放熱部材３４にねじ止め固定する。Screwing 66 By the screw 41, the fixing lug portions 34 _{-1a-2 to} 34 _4a-2
Are fixed to the heat radiation member 34 by screws.

【００６９】リードフレーム成形６７最後に、アウタリード部３５ｂを曲げて成形する。Lead frame molding 67 Finally, the outer lead portion 35b is bent and molded.

【００７０】〔半導体装置３０の特長〕本実施例の半導
体装置３０は、以下の特長を有する。[Features of Semiconductor Device 30] The semiconductor device 30 of this embodiment has the following features.

【００７１】放熱性が良い。Good heat dissipation.

【００７２】図４に示すように、半導体チップ３６で発
生した熱は、以下に説明する二つの経路を経て、放熱部
材３２に伝導され、矢印１００で示すように、放熱部材
３２全体に拡がって、矢印１０１で示すように、空気中
に放熱される。As shown in FIG. 4, the heat generated in the semiconductor chip 36 is conducted to the heat radiating member 32 through the two paths described below, and spreads to the entire heat radiating member 32 as shown by an arrow 100. As shown by arrow 101, heat is radiated into the air.

【００７３】第１の経路は、矢印１０２で示すように、
樹脂パッケージ３８内を伝導する経路１０５である。The first path is, as shown by arrow 102,
It is a path 105 that conducts in the resin package 38.

【００７４】第２の経路は、矢印１０３で示すように、
ステージ３３→サポートバー３４_-1〜３４_-4を経て、樹
脂パッケージ３８の外側に引き出され、更には、矢印１
０４で示すように、立上り部３４_-1a-1〜３４_-4a-4→
固定用ラグ部３４_-1a-2〜３４_4a-2と伝導して、放熱部
材３２に到る経路１０６である。The second route is, as shown by arrow 103,
The stage 33 is pulled out to the outside of the resin package 38 through the support bars 34 _{-1 to} 34 _-4 , and further, the arrow 1
As indicated by 04, the rising portions 34 _{-1a-1 to} 34 _-4a-4 →
It is a path 106 that is conducted to the fixing lug portions 34 _{-1a-2 to} 344a _-2 and reaches the heat dissipation member 32.

【００７５】ここで、第２の経路についてみると、(i)
熱は、ステージ３３から４つの方向に伝導し、且つ(i
i) サポートバー３４_-1〜３４_-4は、通常のサポートバ
ーより幅広であるため、第２の経路の熱の伝導に対する
抵抗は小さい。Looking at the second route, (i)
Heat is conducted from the stage 33 in four directions, and (i
i) Since the support bars 34 _{-1 to} 34 _-4 are wider than the normal support bars, the resistance to heat conduction in the second path is small.

【００７６】このため、半導体チップ３６で発生した熱
は、放熱部材１２へ円滑に伝導される。Therefore, the heat generated in the semiconductor chip 36 is smoothly conducted to the heat dissipation member 12.

【００７７】従って、半導体装置２０は、良好な放熱性
を有する。Therefore, the semiconductor device 20 has good heat dissipation.

【００７８】リードの数を犠牲としない。Do not sacrifice the number of leads.

【００７９】上記第２の経路を構成する立上り部３４
_-1a-1〜３４_-4a-4は、樹脂パッケージ３８のコーナ部
の個所で、樹脂パッケージ３８の内部より外へ突き出し
ている。The rising portion 34 which constitutes the second path.
_{-1a-1 to} 34 _-4a-4 are corner portions of the resin package 38, and protrude from the inside of the resin package 38 to the outside.

【００８０】樹脂パッケージ３８のうち、コーナの部分
は、元々リードが設けられていない場所である。The corner portion of the resin package 38 is originally a place where no lead is provided.

【００８１】このため、立上り部３４_-1a-1〜３４
_-4a-4は、リードが設けられる部分を少しも占めず、立
上り部３４_-1a-1〜３４_-4a-4を設けても、リード３５
（アウタリード部３５ｂ）の数を減らす必要はない。Therefore, the rising portions 34 _{-1a-1 to} 34-
_-4a-4 does not occupy any portion where the lead is provided, and even if the rising portions 34 _{-1a-1 to} 34 _-4a-4 are provided, the lead 35
It is not necessary to reduce the number of (outer lead portions 35b).

【００８２】従って、半導体装置３０によれば、リード
３５の数を少しも犠牲とすることなく、放熱性を向上し
得る。Therefore, according to the semiconductor device 30, the heat dissipation can be improved without sacrificing the number of the leads 35 at all.

【００８３】従来と同じリードフレームを使用しう
る。The same lead frame as the conventional one can be used.

【００８４】従来と実質上同じリードフレームを使用す
ることが出来、リードフレームを新たに設計し直す必要
がない。It is possible to use substantially the same lead frame as the conventional one, and it is not necessary to newly redesign the lead frame.

【００８５】応力の緩和化が図られる。Stress relaxation can be achieved.

【００８６】ポリイミド製シート４０は、厚さ方向に多
少の弾性を有する。The polyimide sheet 40 has some elasticity in the thickness direction.

【００８７】このため、シート４０が弾性的に歪むこと
によって、半導体装置本体３１と放熱部材３２との間に
発生する機械的応力及び熱応力が吸収される。Therefore, the sheet 40 is elastically distorted to absorb the mechanical stress and the thermal stress generated between the semiconductor device body 31 and the heat dissipation member 32.

【００８８】放熱性の安定化が図られる。The heat dissipation is stabilized.

【００８９】ポリイミド製シート４０が多少の弾性を有
するため、半導体装置本体３１及び放熱部材３２が熱に
よって変形した場合にも、樹脂パッケージ３８と放熱部
材３２との間には隙間は出来ない。Since the polyimide sheet 40 has some elasticity, no gap is formed between the resin package 38 and the heat dissipation member 32 even when the semiconductor device body 31 and the heat dissipation member 32 are deformed by heat.

【００９０】このため、第１の熱の伝導の経路１０５
は、常に安定に形成され続ける。Therefore, the first heat conduction path 105
Is always stably formed.

【００９１】よって、半導体装置３０は、良好な放熱性
を維持する。Therefore, the semiconductor device 30 maintains good heat dissipation.

【００９２】良好な実装性を有する。It has good mountability.

【００９３】放熱部材３２は、平面図上は、樹脂パッケ
ージ３８と同じ寸法形状を有しており、上方からみたと
きに、放熱部材３２は、樹脂パッケージ３８より外方へ
は迫り出していない。The heat dissipating member 32 has the same size and shape as the resin package 38 in a plan view, and the heat dissipating member 32 does not extend outward from the resin package 38 when viewed from above.

【００９４】このため、アウタリード部３５ｂが放熱部
材３２の影に隠れてしまうことはない。Therefore, the outer lead portion 35b is not hidden behind the heat dissipation member 32.

【００９５】従って、半導体装置３０は、アウタリード
部３５ｂを認識しつつ実装され、実装後の検査も支障な
く行ないうる。〔第２実施例〕図１０は、本発明の第２実施例になる半
導体装置１２０を示す。Therefore, the semiconductor device 30 is mounted while recognizing the outer lead portion 35b, and the inspection after mounting can be performed without any trouble. [Second Embodiment] FIG. 10 shows a semiconductor device 120 according to a second embodiment of the present invention.

【００９６】同図中、図４に示す構成部分と実質上対応
する部分には同一符号を付す。In the figure, the parts substantially corresponding to the parts shown in FIG. 4 are designated by the same reference numerals.

【００９７】半導体装置１１０は、図６に示すリードフ
レーム５０に代えて、このリードフレーム５０に、図１
１に示す補助リードフレーム１２１を重ねて貼り合わせ
てなる複合リードフレーム１２２を使用した構造を有す
る。In the semiconductor device 110, the lead frame 50 shown in FIG.
1 has a structure using a composite lead frame 122 formed by stacking and adhering the auxiliary lead frame 121 shown in FIG.

【００９８】補助リードフレーム１２１は、四隅に矩形
部１２３_-1〜１２３_-4を有し、各矩形部１２３_-1〜１２
３_-4から、補助リードフレーム１２１の中心の方向に向
かって腕部１２４_-1〜１２４_-4が延出している形状を有
する。[0098] Auxiliary lead frame 121 has a rectangular portion 123 _-1 ～123 _-4 corners, each rectangular unit 123 _-1 12
The arm portions 124 _{-1 to} 124 _-4 extend from 3 _-4 toward the center of the auxiliary lead frame 121.

【００９９】この補助リードフレーム１２１は、各矩形
部１２３_-1〜１２３_-4を夫々矩形部５５_-1〜５５_-4に重
ねて、且つ各腕部１２４_-1〜１２４_-4を夫々帯部５４_-1
〜５４_-4及びサポートバー３４_-1〜３４_-4に重ねて、接
着される。[0099] The auxiliary lead frame 121, the respective rectangular portions 123 _-1 ～123 _-4 superimposed on each rectangular portion 55 _-1 to 55 _-4, and Kakuude 124 _-1 to 124 _-4 respective band portion 54 _-1
˜54 ₋₄ and support bars 34 _{−1 to} 34 ₋₄ are overlapped and bonded.

【０１００】半導体装置１２０の第２の経路１０６Ａ
は、リードの二枚重ねの構造であり、厚さｔ₁は、図４
の半導体装置３０の第２の経路１０６の厚さｔ₂の２倍
と厚く、熱抵抗は、図４の第２の経路１０６の熱抵抗よ
り低い。Second path 106A of semiconductor device 120
Is a structure in which two leads are stacked, and the thickness t ₁ is as shown in FIG.
2 is twice as thick as the thickness t ₂ of the second path 106 of the semiconductor device 30 and the thermal resistance thereof is lower than that of the second path 106 of FIG.

【０１０１】このため、半導体チップ３６の熱は、第１
実施例の半導体装置３０の場合に比べて、より効率良
く、樹脂パッケージ３８の外部に引き出されて、放熱部
材３２に伝導される。Therefore, the heat of the semiconductor chip 36 is
As compared with the case of the semiconductor device 30 of the embodiment, it is more efficiently drawn out of the resin package 38 and conducted to the heat dissipation member 32.

【０１０２】従って、半導体装置１２０は、図２の半導
体装置３０に比べて、より良好な放熱性を有する。〔第３実施例〕図１２は、本発明の第３実施例になる半
導体装置１３０を示す。Therefore, the semiconductor device 120 has better heat dissipation than the semiconductor device 30 of FIG. [Third Embodiment] FIG. 12 shows a semiconductor device 130 according to a third embodiment of the present invention.

【０１０３】この半導体装置１３０は、フェイスダウン
タイプであり、半導体チップ３６がステージ３３Ｂの下
面側に固着してある。放熱部材３２Ｂは、段付形状を有
する。The semiconductor device 130 is a face-down type, and the semiconductor chip 36 is fixed to the lower surface side of the stage 33B. The heat dissipation member 32B has a stepped shape.

【０１０４】ステージ３３Ｂの上面が、ポリイミドシー
ト４０を介して、放熱部材３３Ｂの下面に当接してい
る。The upper surface of the stage 33B is in contact with the lower surface of the heat dissipation member 33B via the polyimide sheet 40.

【０１０５】半導体チップ３６の熱は、符号１３１で示
すようにステージ３３Ｂを介して、直ぐに放熱部材３２
に伝導される。このため、第１の経路１０５Ｂの熱抵抗
は、図４の半導体装置３０の第１の経路１０５の熱抵抗
に比べて小さい。The heat of the semiconductor chip 36 is immediately transmitted through the stage 33B as indicated by reference numeral 131, to the heat dissipation member 32.
Is transmitted to. Therefore, the thermal resistance of the first path 105B is smaller than the thermal resistance of the first path 105 of the semiconductor device 30 of FIG.

【０１０６】従って、半導体装置１３０は、図２の半導
体装置３０に比べて良好な放熱性を有する。〔第４実施例〕図１３は本発明の第４実施例になる半導
体装置１４０を示す。Therefore, the semiconductor device 130 has better heat dissipation than the semiconductor device 30 of FIG. [Fourth Embodiment] FIG. 13 shows a semiconductor device 140 according to a fourth embodiment of the present invention.

【０１０７】半導体装置１４０は、樹脂パッケージ３８
の上面に放熱部材３２を設けると共に、樹脂パッケージ
３８の下面に放熱部材１４１を設け、一の対角線上のサ
ポートバー３４_-1〜３４_-3の先端側を上方に折り曲げて
なる固定用ラグ部３４_-1a-2及び３４_-3a-2が上側の放
熱部材３２を覆って放熱部材３２とねじ止め固定され、
別の対角線上のサポートバー３４_-2，３４_-4の先端側を
下方に折り曲げてなる固定用ラグ部３４Ｃ_-3a-2及び３
４Ｃ_-4a-2が下側の放熱部材１４１を覆って放熱部材１
４１とねじ止め固定された構造を有する。The semiconductor device 140 includes the resin package 38.
The upper surface to provide a heat radiation member 32, the heat dissipation member 141 to the lower surface of the resin package 38 is provided, one of the distal end side of the diagonal support bar 34 _-1 to 34 _-3 formed by bending upward fixing lug portion 34 _-1a-2 and 34 _-3a-2 cover the upper heat dissipation member 32 and are screwed and fixed to the heat dissipation member 32,
Fixing lug portions 34C _-3a-2 and 3 formed by bending the tip ends of the support bars 34 _-2 and 34 _-4 on different diagonal lines downward.
4C _-4a-2 covers the lower heat dissipation member 141 and the heat dissipation member 1
41 and the structure fixed by screwing.

【０１０８】この半導体装置１４０の構造をＴＱＦＰ，
ＵＱＦＰ等の薄型の樹脂パッケージに適用すれば、通常
のＱＦＰと略同程度の大きさのものを実現出来る。The structure of this semiconductor device 140 is referred to as TQFP,
If it is applied to a thin resin package such as UQFP, a package having a size substantially the same as a normal QFP can be realized.

【０１０９】また、トレイ、キャリア等の設備の共用化
が可能である。〔第５実施例〕図１４，図１５，図１６は、本発明の第
５実施例になる半導体装置１５０を示す。Further, the equipment such as trays and carriers can be shared. [Fifth Embodiment] FIGS. 14, 15 and 16 show a semiconductor device 150 according to a fifth embodiment of the present invention.

【０１１０】半導体装置１５０は、樹脂パッケージ３８
を取り囲む、板状で且つ、四角枠形状を有する放熱部１
５１を有する。The semiconductor device 150 includes the resin package 38.
1 is a plate-like and rectangular frame shape that surrounds the
Have 51.

【０１１１】この放熱部１５１は、図１７に示すリード
フレーム１５２の一部をなすものであり、板状で四角枠
形状を有する。The heat radiating portion 151 forms a part of the lead frame 152 shown in FIG. 17, and has a plate-like rectangular frame shape.

【０１１２】この放熱部１５１は、各サポートバー３４
_-1〜３４_-4のうち、樹脂成形金型によってクランプされ
る部分である延出部１５６_-1〜１５６_-4を介して、樹脂
パッケージ３８の４つの面取りした面３８ｇ〜３８ｊの
部位において、サポートバー３４_-1〜３４_-4とつながっ
ており、樹脂パッケージ３８を取り囲んでいる。The heat radiation part 151 is formed by each support bar 34.
_{-1 to} 34 _-4 , at four chamfered surfaces 38 g to 38 j of the resin package 38 via the extending portions 156 _{-1 to} 156 _-4 , which are the portions clamped by the resin molding die, It is connected to the support bars 34 _{-1 to} 34 _-4 and surrounds the resin package 38.

【０１１３】半導体チップ３６で発生した熱は、各サポ
ートバー３４_-1〜３４_-4を通って樹脂パッケージ３８の
外側にまで引き出され、放熱部１５１に到り、放熱部１
５１より放熱される。The heat generated in the semiconductor chip 36 is drawn out to the outside of the resin package 38 through each of the support bars 34 _{-1 to} 34 _-4 , reaches the heat dissipation portion 151, and the heat dissipation portion 1
Heat is radiated from 51.

【０１１４】図１５及び図１６より分かるように、放熱
部１５１は、平面図上、アウタリード部３５ｂより外側
に位置しており、アウタリード部３５ｂは上方よりみえ
る。このため、半導体装置１５０の実装及び実装状態の
検査は支障なく行われる。As can be seen from FIGS. 15 and 16, the heat radiating portion 151 is located outside the outer lead portion 35b in a plan view, and the outer lead portion 35b can be seen from above. Therefore, the mounting of the semiconductor device 150 and the inspection of the mounting state are performed without any trouble.

【０１１５】また、元のリードフレーム１５２は図１７
に示す形状を有する。The original lead frame 152 is shown in FIG.
It has the shape shown in.

【０１１６】最も外側の枠部１５３は、樹脂モールド
後、切断して除去される。The outermost frame portion 153 is cut and removed after resin molding.

【０１１７】外側より二番目の枠部１５４は残されて、
上記の放熱部１５１を構成する。The second frame portion 154 from the outside is left,
The heat dissipation part 151 is formed.

【０１１８】また、図１４中、１５５は、半導体装置１
５０を実装するときの向きを識別するのに利用される方
向識別穴であり、放熱部１５１の一部に形成してある。Further, in FIG. 14, reference numeral 155 denotes the semiconductor device 1.
It is a direction identification hole used to identify the orientation when the 50 is mounted, and is formed in a part of the heat dissipation portion 151.

【０１１９】なお、図１１に示す補助リードフレームと
同様の補助リードフレームをリードフレーム１５２に重
ねて設け、サポートバーを厚くし、第２の経路の熱抵抗
を小さくすることもできる。It is also possible to provide an auxiliary lead frame similar to the auxiliary lead frame shown in FIG. 11 so as to overlap the lead frame 152, thicken the support bar, and reduce the thermal resistance of the second path.

【０１２０】本実施例の構造の半導体装置は、通常の実
装の他に、図１８に示すように、スタック実装も可能で
ある。The semiconductor device having the structure of this embodiment can be mounted in a stack as shown in FIG. 18 in addition to the usual mounting.

【０１２１】１５０Ａは、フェイスダウンタイプの半導
体装置であり、プリント基板１６０上に実装してある。A face-down type semiconductor device 150A is mounted on the printed circuit board 160.

【０１２２】１５０Ｂは、フェイスアップタイプの半導
体装置であり、上記半導体装置１５０Ａに重なった状態
で、プリント基板１６０上に実装してある。Reference numeral 150B denotes a face-up type semiconductor device, which is mounted on the printed circuit board 160 in a state of overlapping with the semiconductor device 150A.

【０１２３】半導体装置１５０Ａと１５０Ｂとは、枠形
状の放熱部１５１Ａ，１５１Ｂの方向識別孔１５５Ｂ，
１５５Ａに、ピン１６１を通し、位置合わせられてい
る。The semiconductor devices 150A and 150B include the direction identification holes 155B of the frame-shaped heat dissipation portions 151A and 151B.
The pin 161 is inserted into the 155A and aligned.

【０１２４】ここで、方向識別孔１５５Ｂ，１５５Ａ
は、リードフレーム１５２の一部に形成してあるもので
あり、リードに対する孔１５５Ａ，１５５Ｂの孔の位置
の精度は高い。このため、半導体装置１５０Ａ，１５０
は位置を精度良く決められて実装される。Here, the direction identifying holes 155B and 155A.
Is formed on a part of the lead frame 152, and the accuracy of the positions of the holes 155A and 155B with respect to the leads is high. Therefore, the semiconductor devices 150A, 150
Is implemented by accurately determining the position.

【０１２５】なお、ピン１６１は、プリント基板１６０
に固定される。〔第６実施例〕図１９は、本発明の第６実施例になる半
導体装置１７０を示す。The pin 161 is connected to the printed circuit board 160.
Fixed to. [Sixth Embodiment] FIG. 19 shows a semiconductor device 170 according to a sixth embodiment of the present invention.

【０１２６】半導体装置１７０は、図１６に示す半導体
装置１５０に、放熱部材１７１を、被せて、且つ放熱部
１５１にねじ１７２によりねじ止めしてなる構成であ
る。The semiconductor device 170 is constructed by covering the semiconductor device 150 shown in FIG. 16 with a heat dissipation member 171 and screwing the heat dissipation part 151 with a screw 172.

【０１２７】半導体チップ３６で発生した熱は、放熱部
材１７１により伝わって放熱される。The heat generated in the semiconductor chip 36 is transmitted and radiated by the heat radiating member 171.

【０１２８】図２０の半導体装置１８０は、半導体装置
１５０Ｃに、放熱部材１８１を被せて、ねじ１８２によ
って、放熱部１５１にねじ止めしてなる構造を有する。The semiconductor device 180 of FIG. 20 has a structure in which the semiconductor device 150C is covered with a heat dissipation member 181, and is screwed to the heat dissipation portion 151 with a screw 182.

【０１２９】半導体装置１５０Ｃは、基本的には、図１
４及び図１６に示す構造であり、フェイスダウンのタイ
プである。〔第７実施例〕図２１，図２２，図２３は本発明の第７
実施例になる半導体装置１９０を示す。The semiconductor device 150C is basically the same as that shown in FIG.
4 and FIG. 16, which is a face-down type. [Seventh Embodiment] FIGS. 21, 22, and 23 show a seventh embodiment of the present invention.
A semiconductor device 190 according to an embodiment is shown.

【０１３０】半導体装置１９０は、図１４の半導体装置
１５０の変形例的なものであり、延出部としての四角枠
部１９１をプリント基板の放熱パターン（放熱手段）に
半田付けされるように設けた構成である。A semiconductor device 190 is a modification of the semiconductor device 150 of FIG. 14, and is provided with a rectangular frame portion 191 as an extending portion so as to be soldered to a heat radiation pattern (heat radiation means) of a printed circuit board. It has a different structure.

【０１３１】四角枠部１９１は、図２４に示すリードフ
レーム１５２の枠部１５４が形成する部分である。The rectangular frame portion 191 is a portion formed by the frame portion 154 of the lead frame 152 shown in FIG.

【０１３２】延出部１５６_-1〜１５６_-4のうち、四角枠
部１９１寄り側の部分が符号１９２ _-1〜１９２_-4で示す
ように、クランク状（略Ｚ字状）に折曲してあり、四角
枠部１９１は、図１４の半導体装置１５０中の放熱部１
５１より一段低い高さ、即ち、アウタリード部３５ｂの
先端部と同じ高さに位置している。Extension part 156_-1~ 156_-FourOut of the square frame
Reference numeral 192 indicates a portion on the side closer to the portion 191. _-1~ 192_-FourIndicated by
Is bent into a crank shape (substantially Z shape) like
The frame portion 191 is the heat dissipation portion 1 in the semiconductor device 150 of FIG.
51, which is one step lower than that of the outer lead portion 35b.
It is located at the same height as the tip.

【０１３３】図２３中、プリント基板１９５は、パッド
１９６の他に、四角枠状の放熱パターン１９７を有す
る。In FIG. 23, the printed circuit board 195 has a rectangular frame-shaped heat dissipation pattern 197 in addition to the pad 196.

【０１３４】半導体装置１９０は、図２３に示すよう
に、アウタリード部３５ｂをパッド１９６に半田付けさ
れ、且つ四角枠部１９１を放熱パターン１９７に半田付
けされて、プリント基板１９５上に実装してある。As shown in FIG. 23, the semiconductor device 190 is mounted on the printed board 195 by soldering the outer lead portions 35b to the pads 196 and the square frame portion 191 to the heat radiation pattern 197. .

【０１３５】半導体チップ３６で発生した熱は、サポー
トバー３４_-1〜３４_-4を通って、樹脂パッケージ３８の
外部にまで引き出される。引き出された熱は、延出部１
５６ _-1〜１５６_-4→四角枠部１９１を経て、放熱パター
ン１９７に到り、ここから、空気中に放熱される。The heat generated by the semiconductor chip 36 is supported by
Tober 34_-1~ 34_-FourThrough the resin package 38
It is pulled out to the outside. The heat drawn is the extension 1
56 _-1~ 156_-Four→ Through the square frame portion 191, the heat radiation pattern
197, from where heat is radiated into the air.

【０１３６】上記の四角枠部１９１は、樹脂成形後に、
図２４中、以下の切断、折り曲げを行うことによって、
形成される。The square frame portion 191 is formed by resin molding,
In FIG. 24, by performing the following cutting and bending,
It is formed.

【０１３７】線２００に沿って切断して、枠部１５
３を除去する。The frame 15 is cut along the line 200.
Remove 3.

【０１３８】枠１５４の各辺の中央を、線２０１で
示すように切断する。次の折り曲げのためである。The center of each side of the frame 154 is cut as indicated by a line 201. This is for the next bend.

【０１３９】樹脂パッケージのコーナ部より突き出
している部分を、線２０２，２０３に沿って折り曲げ
る。一個所の折り曲げによって、線２０１と２０１との
間のＬ字形状の部分が下方に沈み込む。The portion of the resin package protruding from the corner is bent along the lines 202 and 203. Due to the bending at one place, the L-shaped portion between the lines 201 and 201 sinks downward.

【０１４０】〔その他〕なお、第３乃至第７実施例にお
いて、第２実施例と同じく補助リードフレームを利用し
て、サポートバーを厚くした構成としうる。[Others] In the third to seventh embodiments, the support bar may be thickened by using the auxiliary lead frame as in the second embodiment.

【０１４１】また、本発明は、ＱＦＰ型に限らず、他の
タイプの半導体装置となることも出来る。Further, the present invention is not limited to the QFP type, but can be another type of semiconductor device.

【０１４２】また、パッケージは、樹脂パッケージに限
るものではない。The package is not limited to the resin package.

【０１４３】〔半導体装置の搬送方法〕図２５は、図１
４の半導体装置１５０を搬送するときの状態を示す。[Semiconductor Device Transport Method] FIG.
4 shows a state when the semiconductor device 150 of No. 4 is transported.

【０１４４】トレイ２１０は、半導体装置１５０を収容
するための凹状の半導体装置収容部２１１を、多数整列
して有する。The tray 210 has a large number of recessed semiconductor device accommodating portions 211 for accommodating the semiconductor devices 150 arranged therein.

【０１４５】蓋２１２は、上記の半導体装置収容部２１
１を覆う蓋部２１３を有する。The lid 212 is the semiconductor device accommodating portion 21 described above.
1 has a lid portion 213 that covers the 1.

【０１４６】収容部２１１は、中央に、凸段部２１１
ａ、この周りに、四角枠状の凹部２１１ｂ、この四角枠
状凹部２１１ｂの周りに、トレイ２１０の表面に対して
は凹、四角枠状凹部２１１ｂに対しては凸となっている
四角枠状の中間段部２１１ｃを有し、更に中間段部２１
１ｃの周りに、壁部２１１ｄを有する。The accommodating portion 211 has a convex step portion 211 at the center.
a, a rectangular frame-shaped concave portion 211b around this, a rectangular frame-shaped concave portion 211b around the rectangular frame-shaped concave portion 211b, which is concave with respect to the surface of the tray 210 and convex with respect to the rectangular frame-shaped concave portion 211b. The intermediate step portion 211c of
A wall portion 211d is provided around 1c.

【０１４７】蓋部２１３の下面は、中央に、上方への凹
部２１３ａ、この周りに、四角枠状の凸部２１３ｂを有
する。The lower surface of the lid portion 213 has an upward concave portion 213a in the center and a rectangular frame-shaped convex portion 213b around the concave portion 213a.

【０１４８】半導体装置１５０は、樹脂パッケージ３８
を凸段部２１１ａ上に支持され、放熱部１５１を中間段
部２１１ｃ上に支持され、且つ、凹部２１３ａによって
樹脂パッケージ３８の上面を押えられ、凸部２１３ｂに
よって放熱部１５１を押さえられており、アウタリード
部３５ｂが凹部２１１ｂの底面より離れている状態でＺ
₁，Ｚ₂方向の動きを制限されている。The semiconductor device 150 includes the resin package 38.
Is supported on the convex step portion 211a, the heat radiating portion 151 is supported on the intermediate step portion 211c, the upper surface of the resin package 38 is pressed by the concave portion 213a, and the heat radiating portion 151 is pressed by the convex portion 213b. When the outer lead portion 35b is separated from the bottom surface of the concave portion 211b, Z
Movement in the ₁ and Z ₂ directions is restricted.

【０１４９】また、放熱部１５１の周囲が中間段部２１
１ｃより立上がっている壁部２１１ｄによって囲まれ、
半導体装置１５０は、Ｘ₁，Ｘ₂方向及びＹ₁，Ｙ₂方
向、即ち面方向の動きを制限されている。Further, the periphery of the heat radiating portion 151 is the intermediate step portion 21.
Surrounded by a wall portion 211d that is higher than 1c,
The semiconductor device 150 is restricted in movement in the X ₁ and X ₂ directions and the Y ₁ and Y ₂ directions, that is, in the plane direction.

【０１５０】ここで、面方向の動きの制限についてみ
る。Here, the limitation of the movement in the plane direction will be examined.

【０１５１】従来は、図２５中二点鎖線で示すように、
樹脂パッケージ３５を囲むリブ２１４によって、面方向
の動きを制限していた。しかし、樹脂パッケージ３８と
アウタリード部３５ｂとの間の距離ｌは短い。特に多ピ
ンの場合には、この距離ｌは短い。このため、リブ２１
４を充分な高さ及び強度を有する構造とは出来なかっ
た。このため、強い衝撃が作用したときには、樹脂パッ
ケージがリブ２１４を乗り越えて動いてしまい、リード
が壁面に当たって曲がってしまう危険があった。Conventionally, as shown by the chain double-dashed line in FIG.
The ribs 214 surrounding the resin package 35 limit the movement in the surface direction. However, the distance l between the resin package 38 and the outer lead portion 35b is short. Especially in the case of a large number of pins, this distance l is short. Therefore, the rib 21
No. 4 could not have a structure having sufficient height and strength. Therefore, when a strong impact is applied, the resin package may move over the rib 214 and move, causing the lead to hit the wall surface and bend.

【０１５２】これに対し、本実施例では、壁部２１１ｄ
が放熱部１５１の周囲を全体に亘って囲んでおり、壁部
２１１ｄは、充分な寸法及び強度を有しており、大なる
衝撃が加わったときにも、放熱部１５１を確実に受け止
める。On the other hand, in this embodiment, the wall portion 211d
Surrounds the entire heat radiating portion 151, and the wall portion 211d has sufficient dimensions and strength, and reliably receives the heat radiating portion 151 even when a large impact is applied.

【０１５３】これにより、搬送中に強い衝撃が加わった
場合にも、半導体装置１５０は、動かずに図２５に示す
状態に保持され、アウタリード部３５ｂが凹部２１１ｂ
の内面にぶつかる危険性は無くなり、搬送に伴うリード
曲りの発生は防止される。As a result, even if a strong impact is applied during transportation, the semiconductor device 150 is held in the state shown in FIG. 25 without moving, and the outer lead portion 35b is recessed by the concave portion 211b.
The risk of hitting the inner surface of the sheet is eliminated, and bending of the leads due to transportation is prevented.

【０１５４】図２６は、図２１の半導体装置１９０を搬
送するときの状態を示す。FIG. 26 shows a state in which the semiconductor device 190 of FIG. 21 is transported.

【０１５５】図２６中、図２５に示す構成部分と対応す
る部分には、添字Ａを付した同一符号を付し、その説明
は省略する。In FIG. 26, parts corresponding to the parts shown in FIG. 25 are designated by the same reference numerals with a subscript A, and the description thereof will be omitted.

【０１５６】延出部としての四角枠部１９１が、四角枠
状の中間段部２１１Ａｃと四角枠状の凸部２１３ｂとに
より挟まれている。四角枠部１９１の周囲が、中間段部
２１１Ａｘより立上がっている壁部２１１Ａｄによって
囲まれている。The rectangular frame portion 191 as the extending portion is sandwiched by the rectangular frame-shaped intermediate step portion 211Ac and the rectangular frame-shaped convex portion 213b. The periphery of the rectangular frame portion 191 is surrounded by a wall portion 211Ad that stands up from the intermediate step portion 211Ax.

【０１５７】また、樹脂パッケージ３８が、凸段部２１
１Ａａと凹部２１３Ａａとによって挟まれている。In addition, the resin package 38 has the convex step portion 21.
It is sandwiched between 1Aa and a recess 213Aa.

【０１５８】これによって、半導体装置１９０は、図２
５に示すと同様に、動きを確実に制限されており、搬送
中に大きな衝撃が加わった場合にも動かず、アウタリー
ド部３５ｂの曲がりは発生しない。As a result, the semiconductor device 190 is shown in FIG.
As shown in FIG. 5, the movement is surely restricted, the movement does not occur even when a large impact is applied during conveyance, and the outer lead portion 35b does not bend.

【０１５９】[0159]

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、延出部が樹脂パッケージのコーナの部分から突
き出した構成であるため、リードを配置する部分を少し
も占めることなく、延出部を設けることが出来、よっ
て、本来設けることが出来るリードの数を少しも犠牲に
しないで、放熱性の良好な半導体装置を実現出来る。As described above, according to the invention of claim 1, since the extending portion is configured to protrude from the corner portion of the resin package, the portion for arranging the leads is not occupied at all. Since the extension portion can be provided, a semiconductor device having excellent heat dissipation can be realized without sacrificing the number of leads that can be originally provided.

【０１６０】請求項２の発明によれば、放熱部材が平面
図上、樹脂パッケージより外方に迫り出さないため、放
熱部材がリードを隠すことはなく、リードを正常に認識
しつつ、実装を行うことが出来る。然して、請求項２の
発明によれば、リードの数を犠牲にせず、且つ放熱性に
優れ、且つ実装性を何ら損なわない半導体装置を実現出
来る。According to the second aspect of the present invention, since the heat dissipation member does not protrude outward from the resin package in plan view, the heat dissipation member does not hide the leads, and the leads are normally recognized and mounted while mounting. You can do it. Therefore, according to the second aspect of the present invention, it is possible to realize a semiconductor device which does not sacrifice the number of leads, has excellent heat dissipation, and does not impair mountability.

【０１６１】請求項３の発明によれば、リードフレーム
の一部をなす枠部が放熱手段を構成する構成であるた
め、専用の放熱部材を用いることを不要とし得、放熱部
材を設けてなる構成に比べて、部品点数を少なくし得
る。According to the invention of claim 3, since the frame portion forming a part of the lead frame constitutes the heat radiating means, it is not necessary to use a dedicated heat radiating member, and the heat radiating member is provided. The number of parts can be reduced as compared with the configuration.

【０１６２】請求項４の発明によれば、プリント基板上
に実装された状態で、良好な放熱性を有する半導体装置
を実現出来る。According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to realize a semiconductor device having good heat dissipation when mounted on a printed circuit board.

【０１６３】請求項５の発明によれば、サポートバー及
び延出部の厚さを厚くし得、よって、この部分の熱抵抗
を小さくし得、よって、更に放熱性の向上を図ることが
出来る。According to the invention of claim 5, the thickness of the support bar and the extending portion can be increased, and therefore the thermal resistance of this portion can be reduced, and hence the heat dissipation can be further improved. .

【０１６４】請求項６の発明によれば、四角枠状の放熱
部を支持するため、パッケージとリードとの間の狭い部
分を支持する場合に比べて、支持するための部分を充分
に広くとることが出来、これによって、衝撃が加わった
場合にもリード曲がりに到る危険性を無くした状態で、
半導体装置を搬送することが出来る。According to the sixth aspect of the present invention, since the heat dissipation portion having a rectangular frame shape is supported, the supporting portion is sufficiently wide compared to the case where a narrow portion between the package and the lead is supported. With this, with the risk of lead bending even if shock is applied,
A semiconductor device can be transported.

【０１６５】請求項７の発明によれば、延出部を支持す
るため、パッケージとリードとの間の狭い部分を支持す
る場合に比べて、支持するための部分を充分に広くとる
ことが出来、これによって、衝撃が加わった場合にもリ
ード曲がりに到る危険性を無くした状態で、半導体装置
を搬送することが出来る。According to the invention of claim 7, since the extending portion is supported, the supporting portion can be made sufficiently wide as compared with the case where the narrow portion between the package and the lead is supported. As a result, the semiconductor device can be transported in a state in which there is no risk of lead bending even when a shock is applied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の半導体装置の原理構成図である。FIG. 1 is a principle configuration diagram of a semiconductor device of the present invention.

【図２】本発明の第１実施例になる半導体装置の斜視図
である。FIG. 2 is a perspective view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図３】図２の半導体装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the semiconductor device of FIG.

【図４】図２中、IV−IV線に沿う断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along the line IV-IV in FIG.

【図５】図２中、Ｖ−Ｖ線に沿う断面図である。5 is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG.

【図６】図２の半導体装置の製造に使用されるリードフ
レームを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a lead frame used for manufacturing the semiconductor device of FIG. 2;

【図７】半導体装置の製造工程図である。FIG. 7 is a manufacturing process diagram of a semiconductor device.

【図８】タイバーを切除した状態を示す図である。FIG. 8 is a view showing a state in which a tie bar is cut off.

【図９】図８中、帯部及び矩形部を折り曲げた状態を示
す図である。9 is a diagram showing a state in which a band portion and a rectangular portion are bent in FIG.

【図１０】本発明の第２実施例になる半導体装置の縦断
面図である。FIG. 10 is a vertical sectional view of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図１１】図１０の半導体装置に使用される補助リード
フレームを示す図である。11 is a diagram showing an auxiliary lead frame used in the semiconductor device of FIG.

【図１２】本発明の第３実施例になる半導体装置の縦断
面図である。FIG. 12 is a vertical sectional view of a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.

【図１３】本発明の第４実施例になる半導体装置の斜視
図である。FIG. 13 is a perspective view of a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図１４】本発明の第５実施例になる半導体装置の斜視
図である。FIG. 14 is a perspective view of a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図１５】図１４の半導体装置の平面図である。FIG. 15 is a plan view of the semiconductor device of FIG.

【図１６】図１５中、XVI −XVI 線に沿う断面図であ
る。16 is a sectional view taken along line XVI-XVI in FIG.

【図１７】図１４の半導体装置を製造するのに使用され
るリードフレームを示す図である。FIG. 17 is a diagram showing a lead frame used for manufacturing the semiconductor device of FIG. 14;

【図１８】図１４の半導体装置の実装の一態様を示す図
である。FIG. 18 is a diagram showing one mode of mounting the semiconductor device in FIG. 14;

【図１９】本発明の第６実施例の半導体装置の断面図で
ある。FIG. 19 is a sectional view of a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図２０】図１９の半導体装置の変形例を示す図であ
る。20 is a diagram showing a modified example of the semiconductor device of FIG.

【図２１】本発明の第７実施例になる半導体装置の斜視
図である。FIG. 21 is a perspective view of a semiconductor device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図２２】図２１の半導体装置の平面図である。22 is a plan view of the semiconductor device of FIG. 21. FIG.

【図２３】図２２中、XXIII −XXIII 線に沿う断面図で
ある。23 is a cross-sectional view taken along the line XXIII-XXIII in FIG.

【図２４】図２１の半導体装置を製造するのに使用され
るリードフレーム及び、リードフレームの切断及び折曲
を説明する図である。FIG. 24 is a diagram illustrating a lead frame used for manufacturing the semiconductor device of FIG. 21, and cutting and bending of the lead frame.

【図２５】図１４の半導体装置の搬送を説明する図であ
る。FIG. 25 is a diagram illustrating the transportation of the semiconductor device in FIG.

【図２６】図２１の半導体装置の搬送を説明する図であ
る。FIG. 26 is a diagram illustrating transportation of the semiconductor device in FIG. 21.

【図２７】従来の半導体装置の１例を示す図である。FIG. 27 is a diagram showing an example of a conventional semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２０半導体装置２１リードフレーム２１ａステージ２１ｂサポートバー２１ｂ_-1 延出部２２半導体チップ２３パッケージ２４放熱手段２５リード２６コーナ部３０ＱＦＰ型半導体装置３１半導体装置本体３２，３２Ｂ放熱部材３２ａ上面３２ｂ底面３２ｃ〜３２ｆ面取りした面３３，３３Ｂステージ３４_-1〜３４_-4 サポートバー３４_-1a〜３４_-4a 延出部（突き出し部）３４_-1a-1〜３４_-4a-1 立上がり部３４_-1a-2〜３４_-4a-2 固定用ラグ部３５リード３５ａインナリード部３５ｂアウタリード部３６半導体チップ３７Ａｕワイヤ３８樹脂パッケージ３８ａ上面３８ｂ底面３８ｃ〜３８ｆ側面３８ｇ〜３８ｊ面取りした面４０ポリイミド製のシート４１ねじ５０リードフレーム５１タイバー５２タイバー５４_-1〜５４_-4 帯部５５_-1〜５５_-4 矩形部５６_-1 孔７０，７１切断線７２，７３折り曲げ線１００熱が放熱部材３２内に拡がる状態を示す矢印１０１放熱部材３２から空気中への放熱を示す矢印１０２第１の経路の熱の伝導を示す矢印１０３，１０４第２の経路の熱の伝導を示す矢印１０５，１０５Ｂ第１の経路１０６，１０６Ａ第２の経路１２０，１４０，１５０，１５０Ａ，１５０Ｂ，１７
０，１８０，１９０半導体装置１２１補助リードフレーム１２２複合リードフレーム１２３_-1〜１２３_-4 矩形部１２４_-1〜１２４_-4 部１４１，１７１，１８１放熱部材１５１放熱部１５２リードフレーム１５３，１５４枠部１５５，１５５Ａ，１５５Ｂ方向識別孔１５６_-1〜１５６_-4 延出部１６０，１９５プリント基板１６１ピン１７２，１８２ねじ１９１四角枠部１９２_-1 折り曲げ部１９６パッド１９７放熱パターン２００，２０１切断線２０２，２０３折り曲げ線２１０，２１０Ａトレイ２１１，２１１Ａ半導体装置収容部２１１ａ，２１１Ａａ凸段部２１１ｂ，２１１Ａｂ四角枠状の凹部２１１ｃ，２１１Ａｃ四角枠状の中間段部２１１ｄ，２１１Ａｄ壁部２１２蓋２１３蓋部２１３ａ，ｌ２３Ａａ上方への凹部２１３ｂ，２１３Ａｂ四角枠状の凸部２１４リブ20 semiconductor device 21 lead frame 21a stage 21b support bar 21b _-1 extension part 22 semiconductor chip 23 package 24 heat dissipation means 25 lead 26 corner part 30 QFP type semiconductor device 31 semiconductor device body 32, 32B heat dissipation member 32a upper surface 32b bottom surface 32c to 32f chamfered surface 33, 33B stage 34 _{-1 to} 34 _-4 support bar 34 _{-1a to} 34 _-4a extended portion (protruding portion) 34 _{-1a-1 to} 34 _-4a-1 rising portion 34 _-1a-2 to 34 _-4a-2 Fixing lug portion 35 Lead 35a Inner lead portion 35b _Outer lead portion 36 Semiconductor chip 37 Au wire 38 Resin package 38a Upper surface 38b Bottom surface 38c to 38f Side surface 38g to 38j Chamfered surface 40 Polyimide sheet 41 Screw 50 lead Frame 51 Thai bar 52 Thai Arrows over 54 _-1 to 54 _-4 band portion 55 _-1 to 55 _-4 rectangular portion 56 _-1 hole 71 cutting lines 72 and 73 fold line 100 heat illustrating a state extending in the heat dissipation member 32 101 radiating member 32 From the air into the air 102 Arrows showing the heat conduction of the first path 103, 104 Arrows showing the heat conduction of the second path 105, 105B First path 106, 106A Second path 120 , 140, 150, 150A, 150B, 17
0,180,190 Semiconductor device 121 Auxiliary lead frame 122 Composite lead frame 123 _{-1 to} 123 _-4 Rectangular part 124 _{-1 to} 124 _-4 part 141,171,181 Heat dissipation member 151 Heat dissipation part 152 Lead frame 153,154 Frame part 155, 155A, 155B Direction identification holes 156 _{-1 to} 156 _-4 Extended portions 160, 195 Printed circuit board 161 Pins 172, 182 Screws 191 Square frame portion 192 _-1 Bent portion 196 Pad 197 Heat radiation pattern 200, 201 Cutting line 202, 203 Bending line 210, 210A Tray 211, 211A Semiconductor device accommodation part 211a, 211Aa Convex step part 211b, 211Ab Square frame-shaped recessed part 211c, 211Ac Square frame-shaped intermediate step part 211d, 211Ad wall part 212 Lid 213 Lid part 213a, l23 Aa Upper concave portion 213b, 213Ab Square frame-shaped convex portion 214 Rib

Claims

【特許請求の範囲】[Claims]

【請求項１】ステージ（２１ａ）と、該ステージを支えるサポートバー（２１ｂ）と、多数のリード（２５）と、該ステージに固着してあり、該リードと電気的に接続し
てある半導体チップ（２２）と、上記ステージ、上記サポートバー、上記リード、及び上
記半導体チップを封止する、実質上四角形状のパッケー
ジ（２３）とを有する半導体装置において、上記サポートバーが延長された部分であって、上記樹脂
パッケージのコーナの部分から、該パッケージの外方に
突き出している延出部（２１ｂ−１）を有し、該延出部の先端側に、放熱手段（２４）を有する構成と
したことを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor chip having a stage (21a), a support bar (21b) for supporting the stage, a large number of leads (25), fixed to the stage, and electrically connected to the leads. (22) and the stage, the support bar, the lead, and a semiconductor device having a substantially rectangular package (23) for encapsulating the semiconductor chip. In the semiconductor device, the support bar is an extended portion. An extension (21b-1) protruding from the corner of the resin package to the outside of the package, and a heat dissipation means (24) on the tip side of the extension. A semiconductor device characterized by the above.

【請求項２】該放熱手段は、上記樹脂パッケージと同
じ寸法形状を有し、該パッケージの上面又は下面に取り
付けられた放熱部材（３２）であり、上記延出部が、該放熱部材に接続された構成としたこと
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。2. The heat radiating means is a heat radiating member (32) having the same size and shape as the resin package and attached to the upper surface or the lower surface of the package, and the extending portion is connected to the heat radiating member. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device has the above configuration.

【請求項３】該放熱手段は、上記ステージと、上記サ
ポートバーと、該ステージの周りに実質上放射状に配さ
れた多数のリードと、該多数のリードの周囲を囲む四角
形状の枠部とを有するリードフレーム（１５２）の上記
枠部（１５４）であり、該四角枠部が、上記パッケージを囲む構成としたことを
特徴とする請求項１記載の半導体装置。3. The heat dissipating means includes the stage, the support bar, a large number of leads arranged substantially radially around the stage, and a rectangular frame portion surrounding the large number of leads. The semiconductor device according to claim 1, wherein the frame portion (154) of the lead frame (152) has a structure in which the square frame portion surrounds the package.

【請求項４】ステージと、該ステージを支えるサポートバーと、多数のリードと、該ステージに固着してあり、該リードと電気的に接続し
てある半導体チップと、上記ステージ、上記サポートバ
ー、上記リード、及び上記半導体チップを封止する、実
質上四角形状の樹脂パッケージとを有する半導体装置に
おいて、上記サポートバーが延長された部分であって、上記樹脂
パッケージのコーナの部分から、該樹脂パッケージの外
方に突き出している延出部（１９１）を有してなり、実装されたときに、上記延出部が、プリント基板上の放
熱手段（１９７）と接続される構成としたことを特徴と
する半導体装置。4. A stage, a support bar for supporting the stage, a large number of leads, a semiconductor chip fixed to the stage and electrically connected to the leads, the stage, the support bar, In a semiconductor device having a resin package having a substantially quadrangular shape for encapsulating the leads and the semiconductor chip, the resin package is extended from the corner of the resin package to the extended portion of the support bar. A protruding portion (191) protruding outwardly of the printed circuit board, and when mounted, the extending portion is connected to a heat radiating means (197) on a printed circuit board. Semiconductor device.

【請求項５】上記サポートバー及び上記延出部に、補
助リードフレーム（１２１）を重ねて設けた構成とした
ことを特徴とする請求項１又は４記載の半導体装置。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein an auxiliary lead frame (121) is provided so as to overlap the support bar and the extending portion.

【請求項６】ステージ（３３）と、該ステージを支えるサポートバー（３４）と、多数のリード（３５）と、該ステージに固着してあり、該リードと電気的に接続し
てある半導体チップ（３６）と、上記ステージ、上記サポートバー、上記リード、及び上
記半導体チップを封止する、実質上四角形状のパッケー
ジ（３２）と、上記サポートバーが延長された部分であって、上記樹脂
パッケージのコーナの部分から、該パッケージの外方に
突き出している延出部と、該延出部の先端側にあって、上記パッケージ（３２）を
囲む、四角枠状の放熱部（１５１）とよりなる半導体装
置を、上記放熱部（１５１）を支持して搬送する構成としたこ
とを特徴とする半導体装置の搬送方法。6. A stage (33), a support bar (34) for supporting the stage, a number of leads (35), and a semiconductor chip fixed to the stage and electrically connected to the leads. (36), a substantially quadrangular package (32) for encapsulating the stage, the support bar, the lead, and the semiconductor chip, and an extended portion of the support bar, the resin package From the corner portion of the package, and an extension portion projecting to the outside of the package, and a rectangular frame-shaped heat dissipation portion (151) surrounding the package (32) on the tip side of the extension portion. A semiconductor device transfer method, wherein the semiconductor device is configured to be transferred while supporting the heat dissipation part (151).

【請求項７】ステージ（３３）と、該ステージを支えるサポートバー（３４）と、多数のリード（３５）と、該ステージに固着してあり、該リードと電気的に接続し
てある半導体チップ（３６）と、上記ステージ、上記サポートバー、上記リード、及び上
記半導体チップを封止する、実質上四角形状の樹脂パッ
ケージと、上記サポートバーが延長された部分であって、上記樹脂
パッケージのコーナの部分から、該樹脂パッケージの外
方に突き出しており、実装されたときにプリント基盤上
の放熱手段と接続される延出部（１９１）とよりなる半
導体装置を、上記延出部（１９１）を支持して搬送する構成としたこ
とを特徴とする半導体装置の搬送方法。7. A stage (33), a support bar (34) supporting the stage, a number of leads (35), and a semiconductor chip fixed to the stage and electrically connected to the leads. (36), a substantially quadrangular resin package for encapsulating the stage, the support bar, the lead, and the semiconductor chip, and a portion where the support bar is extended, which is a corner of the resin package. From the portion of the resin package to the outside of the resin package, and a semiconductor device including an extension portion (191) connected to the heat radiation means on the printed circuit board when mounted is provided with the extension portion (191). A method of transporting a semiconductor device, characterized in that the semiconductor device is supported and transported.