JPH07278782A - ＴｉＡｌ基金属間化合物の浸炭処理方法 - Google Patents
ＴｉＡｌ基金属間化合物の浸炭処理方法Info
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- JPH07278782A JPH07278782A JP7617494A JP7617494A JPH07278782A JP H07278782 A JPH07278782 A JP H07278782A JP 7617494 A JP7617494 A JP 7617494A JP 7617494 A JP7617494 A JP 7617494A JP H07278782 A JPH07278782 A JP H07278782A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴｉＡｌ基金属間化合物に炭化水素ガスによ
る浸炭処理を行い、耐摩耗性、強度等の機能を付与した
ＴｉＡｌ金属間化合物を安価に製造する方法を提供す
る。 【構成】 ＴｉＡｌ基金属間化合物の表面酸化膜を除去
した後、９５０℃以上１３００℃以下の条件下におい
て、炭化水素ガスと反応させ、表面からの炭化反応によ
り、チタンカーバイドを生成させることを特徴とする浸
炭処理方法。浸炭処理ガスとしての炭化水素ガスとして
Ｃ3 Ｈ8 を用いることを特徴とする浸炭処理方法。浸炭
処理の際、保持時間を１時間以上１００時間以下の範囲
において、保持時間によってチタンカーバイド反応層厚
さを制御することを特徴とする浸炭処理方法。 【効果】 本発明によりＴｉＡｌ基金属間化合物の表面
を浸炭により硬化させ、耐摩耗性に優れたＴｉＡｌ基金
属間化合物を安価に、かつ大量に提供できる。本発明
は、ＴｉＡｌ金属間化合物の表面処理方法としても広く
応用できる。
る浸炭処理を行い、耐摩耗性、強度等の機能を付与した
ＴｉＡｌ金属間化合物を安価に製造する方法を提供す
る。 【構成】 ＴｉＡｌ基金属間化合物の表面酸化膜を除去
した後、９５０℃以上１３００℃以下の条件下におい
て、炭化水素ガスと反応させ、表面からの炭化反応によ
り、チタンカーバイドを生成させることを特徴とする浸
炭処理方法。浸炭処理ガスとしての炭化水素ガスとして
Ｃ3 Ｈ8 を用いることを特徴とする浸炭処理方法。浸炭
処理の際、保持時間を１時間以上１００時間以下の範囲
において、保持時間によってチタンカーバイド反応層厚
さを制御することを特徴とする浸炭処理方法。 【効果】 本発明によりＴｉＡｌ基金属間化合物の表面
を浸炭により硬化させ、耐摩耗性に優れたＴｉＡｌ基金
属間化合物を安価に、かつ大量に提供できる。本発明
は、ＴｉＡｌ金属間化合物の表面処理方法としても広く
応用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐熱材料として有望なＴ
ｉＡｌ基金属間化合物に関するものである。ＴｉＡｌ基
金属間化合物は、比強度の高い高温耐熱材料として自動
車あるいは航空機用エンジン等に応用が検討されてい
る。さらに、その表面を硬化させることにより、ベアリ
ングあるいはエンジンバルブ等の摺動部材に使用でき
る。
ｉＡｌ基金属間化合物に関するものである。ＴｉＡｌ基
金属間化合物は、比強度の高い高温耐熱材料として自動
車あるいは航空機用エンジン等に応用が検討されてい
る。さらに、その表面を硬化させることにより、ベアリ
ングあるいはエンジンバルブ等の摺動部材に使用でき
る。
【０００２】
【従来の技術】ＴｉＡｌ基金属間化合物は比重が約３．
９で、高温強度、耐クリープ特性に優れており、軽量耐
熱材料として航空機への応用を目指して研究開発がなさ
れている。しかしながら、ＴｉＡｌ基金属間化合物は常
温における変形能に乏しく、室温での延性改善について
多くの研究がなされてきた。最近、ＴｉＡｌ基金属間化
合物にＭｎを添加して、常温における延性を２〜３％に
改善した例が、辻本らによって報告された（特開昭６１
−４１７４０号公報）。その他、ＴｉＡｌ基金属間化合
物に第三元素、第四元素を添加して特性を改善した例が
報告されている（例えば、米国特許第４８４２８１９号
明細書（Ｃｒ添加）、同第４８５７２６８号明細書（Ｖ
添加））。
９で、高温強度、耐クリープ特性に優れており、軽量耐
熱材料として航空機への応用を目指して研究開発がなさ
れている。しかしながら、ＴｉＡｌ基金属間化合物は常
温における変形能に乏しく、室温での延性改善について
多くの研究がなされてきた。最近、ＴｉＡｌ基金属間化
合物にＭｎを添加して、常温における延性を２〜３％に
改善した例が、辻本らによって報告された（特開昭６１
−４１７４０号公報）。その他、ＴｉＡｌ基金属間化合
物に第三元素、第四元素を添加して特性を改善した例が
報告されている（例えば、米国特許第４８４２８１９号
明細書（Ｃｒ添加）、同第４８５７２６８号明細書（Ｖ
添加））。
【０００３】ＴｉＡｌ基金属間化合物の製造方法として
は、プラズマアーク溶解法、高周波溶解法、急冷粉末
法、自己燃焼法等が知られている。合金設計した所望の
成分を調整した合金を急冷凝固によって粉末化し、その
後ＨＩＰで成型体にした例が報告されている（米国特許
第４８４２８１９号明細書）。さらに、複合化方法とし
て、反応焼結を行ってＴｉＢ2 とＡｌの複合粉末を形成
し、複合粉末をＴｉＡｌ等金属間化合物に添加した製造
方法が提案されている（米国特許第４７５１０４８号明
細書）。
は、プラズマアーク溶解法、高周波溶解法、急冷粉末
法、自己燃焼法等が知られている。合金設計した所望の
成分を調整した合金を急冷凝固によって粉末化し、その
後ＨＩＰで成型体にした例が報告されている（米国特許
第４８４２８１９号明細書）。さらに、複合化方法とし
て、反応焼結を行ってＴｉＢ2 とＡｌの複合粉末を形成
し、複合粉末をＴｉＡｌ等金属間化合物に添加した製造
方法が提案されている（米国特許第４７５１０４８号明
細書）。
【０００４】ＴｉＡｌ基金属間化合物の製造方法におい
ては、ＴｉとＡｌの素粉末を目標組成の割合で混合し、
その後反応焼結によってＴｉＡｌ基金属間化合物を製造
する方法が広く行われている。ＴｉＡｌバルク材をさら
に表面処理を行い、表面の機能を向上させる試みは耐酸
化性の改善を目指して行ったものがほとんどである。例
えば、低酸素分圧下において熱処理を行い、ＴｉＡｌ表
面にＡｌ2 Ｏ3 被膜をつける方法（特開平２−２９４４
５８号公報）。また、ＰＶＤあるいはＣＶＤによってＳ
ｉＣ等の被膜を形成する方法が提案されている。
ては、ＴｉとＡｌの素粉末を目標組成の割合で混合し、
その後反応焼結によってＴｉＡｌ基金属間化合物を製造
する方法が広く行われている。ＴｉＡｌバルク材をさら
に表面処理を行い、表面の機能を向上させる試みは耐酸
化性の改善を目指して行ったものがほとんどである。例
えば、低酸素分圧下において熱処理を行い、ＴｉＡｌ表
面にＡｌ2 Ｏ3 被膜をつける方法（特開平２−２９４４
５８号公報）。また、ＰＶＤあるいはＣＶＤによってＳ
ｉＣ等の被膜を形成する方法が提案されている。
【０００５】さらに、Ｔｉ−Ａｌ系ベアリング材料とし
て、酸化、窒化、浸炭等硬化処理した材料が提案されて
いる（特開平３−４４４３６号公報）が、浸炭処理方法
はグラファイト微粉充填層中１０００℃で行ったもので
あり、製造方法は詳しく述べられていない。
て、酸化、窒化、浸炭等硬化処理した材料が提案されて
いる（特開平３−４４４３６号公報）が、浸炭処理方法
はグラファイト微粉充填層中１０００℃で行ったもので
あり、製造方法は詳しく述べられていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＴｉＡｌ基
金属間化合物に取扱いが容易なガスによる浸炭処理を行
い、耐摩耗性、強度等の機能を付与したＴｉＡｌ基金属
間化合物を安価に製造する方法を提供することを目的と
するものである。
金属間化合物に取扱いが容易なガスによる浸炭処理を行
い、耐摩耗性、強度等の機能を付与したＴｉＡｌ基金属
間化合物を安価に製造する方法を提供することを目的と
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは、ＴｉＡｌ基金属間化合物の表面酸化膜を除去した
後、９５０℃以上１３００℃以下の条件下において、炭
化水素ガスと反応させ、表面からの炭化反応により、チ
タンカーバイドを生成させることを特徴とするＴｉＡｌ
基金属間化合物の浸炭処理方法にあり、さらに炭化水素
ガスとしてＣ3Ｈ8 を用いることを特徴とし、また浸炭
処理の際、炭化水素ガスとの反応保持時間を１時間以上
１００時間以下の範囲において、保持時間によってチタ
ンカーバイド反応層厚さを制御することを特徴とする。
ろは、ＴｉＡｌ基金属間化合物の表面酸化膜を除去した
後、９５０℃以上１３００℃以下の条件下において、炭
化水素ガスと反応させ、表面からの炭化反応により、チ
タンカーバイドを生成させることを特徴とするＴｉＡｌ
基金属間化合物の浸炭処理方法にあり、さらに炭化水素
ガスとしてＣ3Ｈ8 を用いることを特徴とし、また浸炭
処理の際、炭化水素ガスとの反応保持時間を１時間以上
１００時間以下の範囲において、保持時間によってチタ
ンカーバイド反応層厚さを制御することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明では、ＴｉＡｌ基金属間化合物にチタン
カーバイド層を安価に生成させるという課題対して、ガ
ス浸炭処理方法により生成させることを基本とするもの
である。ＴｉＡｌ基金属間化合物は、通常アルミナ酸化
膜とチタン酸化膜によって覆われている。従って、浸炭
処理を行う際にこれらの酸化物を除去し、清浄な表面と
する必要がある。表面から酸化膜を除去する方法はＡｒ
ガスによるスパッタ等が用いられるが、同一炉内で表面
酸化膜を除去するには、水素ガス雰囲気中で加熱するこ
とが有効である。
カーバイド層を安価に生成させるという課題対して、ガ
ス浸炭処理方法により生成させることを基本とするもの
である。ＴｉＡｌ基金属間化合物は、通常アルミナ酸化
膜とチタン酸化膜によって覆われている。従って、浸炭
処理を行う際にこれらの酸化物を除去し、清浄な表面と
する必要がある。表面から酸化膜を除去する方法はＡｒ
ガスによるスパッタ等が用いられるが、同一炉内で表面
酸化膜を除去するには、水素ガス雰囲気中で加熱するこ
とが有効である。
【０００９】試料温度は９５０℃以上１３００℃以下の
範囲に限定する。試料温度を９５０℃以上とする理由
は、９５０℃未満の場合、炭化物生成の反応が遅く、実
用的でないからである。従って、浸炭反応温度としては
９５０℃以上が必要である。一方、試料温度を１３００
℃以下に限定する理由は、ＴｉＡｌ基金属間化合物を１
３００℃超の温度に長時間保持すると、組織が粗大化し
て機械的特性の低下を招くからである。上記温度範囲
は、ＴｉＡｌ基金属間化合物の熱処理温度と同じ温度範
囲であり、熱処理による組織制御と浸炭処理を同時に行
うことが可能である。
範囲に限定する。試料温度を９５０℃以上とする理由
は、９５０℃未満の場合、炭化物生成の反応が遅く、実
用的でないからである。従って、浸炭反応温度としては
９５０℃以上が必要である。一方、試料温度を１３００
℃以下に限定する理由は、ＴｉＡｌ基金属間化合物を１
３００℃超の温度に長時間保持すると、組織が粗大化し
て機械的特性の低下を招くからである。上記温度範囲
は、ＴｉＡｌ基金属間化合物の熱処理温度と同じ温度範
囲であり、熱処理による組織制御と浸炭処理を同時に行
うことが可能である。
【００１０】炭化水素ガスとしては、好ましくはＣ3 Ｈ
8 ガスが使用されるが、ＣＨ4 、Ｃ 2 Ｈ6 、Ｃ4 Ｈ10等
が使用できる。ＴｉＡｌ基金属間化合物表面において式
（１）に示す反応が継続して起こる必要がある。 Ｃ3 Ｈ8 ＋３Ｔｉ → ３ＴｉＣ＋４Ｈ2 …… （１） 炭化水素ガスは好ましくは１気圧でガス流量を制御する
方法が最も実用的であるが、１Ｔｏｒｒまでの減圧雰囲
気下、あるいは１気圧以上の加圧雰囲気下においても式
（１）の反応は起こる。従って、浸炭は表面において炭
化水素が分解する式（１）の反応が律速ではなく、Ｔｉ
Ａｌ中の炭素の拡散あるいはＴｉおよびＡｌの拡散が浸
炭処理プロセスを律速している。
8 ガスが使用されるが、ＣＨ4 、Ｃ 2 Ｈ6 、Ｃ4 Ｈ10等
が使用できる。ＴｉＡｌ基金属間化合物表面において式
（１）に示す反応が継続して起こる必要がある。 Ｃ3 Ｈ8 ＋３Ｔｉ → ３ＴｉＣ＋４Ｈ2 …… （１） 炭化水素ガスは好ましくは１気圧でガス流量を制御する
方法が最も実用的であるが、１Ｔｏｒｒまでの減圧雰囲
気下、あるいは１気圧以上の加圧雰囲気下においても式
（１）の反応は起こる。従って、浸炭は表面において炭
化水素が分解する式（１）の反応が律速ではなく、Ｔｉ
Ａｌ中の炭素の拡散あるいはＴｉおよびＡｌの拡散が浸
炭処理プロセスを律速している。
【００１１】浸炭処理の際、保持時間を１時間以上１０
０時間以内に限定した理由は実用上の問題であり、１時
間未満の保持時間では反応が均質化しないからであり、
また１００時間を超える保持時間は経済的でないからで
ある。一定温度で浸炭処理を行った場合、反応層厚さを
０．１μｍから１００μｍ程度までコントロールするこ
とができる。反応層厚さと保持時間の関係は、拡散方程
式から式（２）で示される。
０時間以内に限定した理由は実用上の問題であり、１時
間未満の保持時間では反応が均質化しないからであり、
また１００時間を超える保持時間は経済的でないからで
ある。一定温度で浸炭処理を行った場合、反応層厚さを
０．１μｍから１００μｍ程度までコントロールするこ
とができる。反応層厚さと保持時間の関係は、拡散方程
式から式（２）で示される。
【００１２】Ｔ∞√Ｄｔ …… （２） Ｔ：反応層厚さ Ｄ：ＴｉＡｌ中の炭素の拡散係数 ｔ：保持時間 図１に１０６０℃における反応層厚さと保持時間の関係
を示す。保持時間によってＴｉＣの反応層厚さを制御す
ることが可能である。ＴｉＡｌ基金属間化合物表面にＴ
ｉＣ膜を浸炭反応によって生成させた試料は高温部での
摺動部材として適応でき、ＴｉＣ厚さは目的部位によっ
て異なる。本発明によりＴｉＣ反応層厚さを浸炭処理温
度保持時間で制御できることが明らかとなった。
を示す。保持時間によってＴｉＣの反応層厚さを制御す
ることが可能である。ＴｉＡｌ基金属間化合物表面にＴ
ｉＣ膜を浸炭反応によって生成させた試料は高温部での
摺動部材として適応でき、ＴｉＣ厚さは目的部位によっ
て異なる。本発明によりＴｉＣ反応層厚さを浸炭処理温
度保持時間で制御できることが明らかとなった。
【００１３】
実施例１ Ｔｉ−４８．１ａｔ％Ａｌ組成を持つ金属間化合物をプ
ラズマアーク溶解によって溶製し、インゴットを得た。
インゴットの酸素量は３００ｗｔｐｐｍであった。イン
ゴット材を１３００℃、１５００気圧、４時間のＨＩＰ
処理を行い、ＨＩＰ処理材から２５×２５×５ｍｍの板
状試験片を採取した。板状試験片はエメリー研磨を行
い、さらにアルミナ粒子によって研磨を行い、鏡面仕上
げを行った。
ラズマアーク溶解によって溶製し、インゴットを得た。
インゴットの酸素量は３００ｗｔｐｐｍであった。イン
ゴット材を１３００℃、１５００気圧、４時間のＨＩＰ
処理を行い、ＨＩＰ処理材から２５×２５×５ｍｍの板
状試験片を採取した。板状試験片はエメリー研磨を行
い、さらにアルミナ粒子によって研磨を行い、鏡面仕上
げを行った。
【００１４】反応炉中に試料をセットし、Ｎ2 ガス雰囲
気中で昇温速度毎分２０℃で１０６０℃まで昇温を行っ
た。表面に形成された酸化物を取り除くために、Ｈ2 ガ
ス雰囲気（１Ｔｏｒｒ）にし、高電圧をかけてグロー放
電を起こさせた。次に、雰囲気をＣ3 Ｈ8 に置換し、Ｃ
3 Ｈ8 を１気圧で毎分１０ｃｃの流量で保持した。保持
時間は３０時間とした。３０時間経過後、炉内をＡｒガ
ス（１Ｔｏｒｒ）に置換し、高電圧を印可した。Ａｒイ
オンによるスパッタリング効果によって表面に生成した
浸炭層の最表面部分を取り除き、ＴｉＣが最表面になる
ように表面処理を行った。
気中で昇温速度毎分２０℃で１０６０℃まで昇温を行っ
た。表面に形成された酸化物を取り除くために、Ｈ2 ガ
ス雰囲気（１Ｔｏｒｒ）にし、高電圧をかけてグロー放
電を起こさせた。次に、雰囲気をＣ3 Ｈ8 に置換し、Ｃ
3 Ｈ8 を１気圧で毎分１０ｃｃの流量で保持した。保持
時間は３０時間とした。３０時間経過後、炉内をＡｒガ
ス（１Ｔｏｒｒ）に置換し、高電圧を印可した。Ａｒイ
オンによるスパッタリング効果によって表面に生成した
浸炭層の最表面部分を取り除き、ＴｉＣが最表面になる
ように表面処理を行った。
【００１５】この結果、ＴｉＡｌ基金属間化合物板材表
面にＴｉＣ層１２μｍを浸炭処理によって生成させるこ
とができた。図２に試料断面の組織写真を示す。 実施例２ 実施例１と同一組成を持つＴｉＡｌ基金属間化合物を実
施例１と同様な試験方法で前処理を行い、１０６０℃、
１０時間、Ｃ3 Ｈ8 ガス中にて浸炭処理を行った。その
結果、７μｍのＴｉＣ層が生成した。
面にＴｉＣ層１２μｍを浸炭処理によって生成させるこ
とができた。図２に試料断面の組織写真を示す。 実施例２ 実施例１と同一組成を持つＴｉＡｌ基金属間化合物を実
施例１と同様な試験方法で前処理を行い、１０６０℃、
１０時間、Ｃ3 Ｈ8 ガス中にて浸炭処理を行った。その
結果、７μｍのＴｉＣ層が生成した。
【００１６】比較例１ 実施例１と同一組成を持つＴｉＡｌ基金属間化合物を実
施例１と同様な試験方法で前処理を行い、９００℃、２
時間、Ｃ3 Ｈ8 ガス中にて浸炭処理を行った。その結
果、光学顕微鏡による断面観察では反応層の生成が認め
られなかった。実施例および比較例の結果を表１にまと
めて示す。
施例１と同様な試験方法で前処理を行い、９００℃、２
時間、Ｃ3 Ｈ8 ガス中にて浸炭処理を行った。その結
果、光学顕微鏡による断面観察では反応層の生成が認め
られなかった。実施例および比較例の結果を表１にまと
めて示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【発明の効果】本発明に従い、ＴｉＡｌ基金属間化合物
の表面に炭化水素ガスを用いて浸炭処理してＴｉＣを生
成させ、表面を硬化させることにより、耐摩耗性に優れ
たＴｉＡｌ基金属間化合物を安価にかつ大量に提供する
ことができる。なお、本発明はＴｉＡｌ基金属間化合物
の表面処理方法としても広く応用できる。
の表面に炭化水素ガスを用いて浸炭処理してＴｉＣを生
成させ、表面を硬化させることにより、耐摩耗性に優れ
たＴｉＡｌ基金属間化合物を安価にかつ大量に提供する
ことができる。なお、本発明はＴｉＡｌ基金属間化合物
の表面処理方法としても広く応用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】１０６０℃における反応層厚さと保持時間の関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図２】１０６０℃×３０時間浸炭処理したＴｉＡｌ金
属間化合物の断面組織写真である。
属間化合物の断面組織写真である。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＴｉＡｌ基金属間化合物の表面酸化膜を
除去した後、９５０℃以上１３００℃以下の条件下にお
いて、炭化水素ガスと反応させ、表面からの炭化反応に
より、チタンカーバイドを生成させることを特徴とする
ＴｉＡｌ基金属間化合物の浸炭処理方法。 - 【請求項２】 炭化水素ガスとしてＣ3 Ｈ8 を用いるこ
とを特徴とする請求項１記載のＴｉＡｌ基金属間化合物
の浸炭処理方法。 - 【請求項３】 炭化水素ガスとの反応保持時間を１時間
以上１００時間以下の範囲において、保持時間によって
チタンカーバイド反応層厚さを制御することを特徴とす
る請求項１または２記載のＴｉＡｌ基金属間化合物の浸
炭処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7617494A JPH07278782A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | ＴｉＡｌ基金属間化合物の浸炭処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7617494A JPH07278782A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | ＴｉＡｌ基金属間化合物の浸炭処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07278782A true JPH07278782A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=13597741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7617494A Withdrawn JPH07278782A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | ＴｉＡｌ基金属間化合物の浸炭処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07278782A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005075698A1 (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Exxonmobil Research And Engineering Company | Metal dusting resistant stable-carbide forming alloy surfaces |
| WO2007138914A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | 継目無ステンレス鋼管の製造方法 |
| US20140352848A1 (en) * | 2011-12-28 | 2014-12-04 | Intermet Technologies Chengdu Co., Ltd. | Method for adjusting pore size of porous metal material and pore structure of porous metal material |
-
1994
- 1994-04-14 JP JP7617494A patent/JPH07278782A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005075698A1 (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Exxonmobil Research And Engineering Company | Metal dusting resistant stable-carbide forming alloy surfaces |
| US7422804B2 (en) | 2004-02-03 | 2008-09-09 | Exxonmobil Research And Engineering Company | Metal dusting resistant stable-carbide forming alloy surfaces |
| WO2007138914A1 (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | 継目無ステンレス鋼管の製造方法 |
| JP4935812B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2012-05-23 | 住友金属工業株式会社 | 継目無ステンレス鋼管の製造方法 |
| US8307688B2 (en) | 2006-05-26 | 2012-11-13 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Process for producing seamless stainless steel pipe |
| US20140352848A1 (en) * | 2011-12-28 | 2014-12-04 | Intermet Technologies Chengdu Co., Ltd. | Method for adjusting pore size of porous metal material and pore structure of porous metal material |
| JP2015503674A (ja) * | 2011-12-28 | 2015-02-02 | 成都易態科技有限公司 | 金属多孔材料の孔径調節方法および金属多孔材料の孔構造 |
| US9644254B2 (en) * | 2011-12-28 | 2017-05-09 | Intermet Technologies Chengdu Co., Ltd. | Method for adjusting pore size of porous metal material and pore structure of porous metal material |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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