JPH0727871A - 光ファイバを用いた土砂崩れ検出センサ - Google Patents
光ファイバを用いた土砂崩れ検出センサInfo
- Publication number
- JPH0727871A JPH0727871A JP17016993A JP17016993A JPH0727871A JP H0727871 A JPH0727871 A JP H0727871A JP 17016993 A JP17016993 A JP 17016993A JP 17016993 A JP17016993 A JP 17016993A JP H0727871 A JPH0727871 A JP H0727871A
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- JP
- Japan
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- light
- optical fiber
- landslide
- fiber
- optical
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- Pending
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- Pit Excavations, Shoring, Fill Or Stabilisation Of Slopes (AREA)
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- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 センサの経済化を図る。
【構成】 光源４の光は光カプラ５を介して光ファイバ
２（土砂崩れを検出すべき場所に沿って敷設される）の
近端２ｂに入射される。その入射光は遠端２ａで、全反
射されるか（図１Ａの場合）、光カプラ３で折り返され
て（図１Ｂの場合）、近端２ｂに戻され、光カプラ５で
分岐され、光検出器６に入射され、光量が検出される。
土砂崩れにより光ファイバ２に曲げ、ねじれが生じた
り、側圧や張力が発生し、その結果光の伝送損失が増加
することから、土砂崩れが検出される。光ファイバ２が
土砂崩れによって断線された場合には、上述の曲げ、ね
じれ、側圧、張力等による他、断線箇所における光の反
射率が極めて小さくなることから、検出器６の受光レベ
ルが低下し、同様に土砂崩れを検出できる。
２（土砂崩れを検出すべき場所に沿って敷設される）の
近端２ｂに入射される。その入射光は遠端２ａで、全反
射されるか（図１Ａの場合）、光カプラ３で折り返され
て（図１Ｂの場合）、近端２ｂに戻され、光カプラ５で
分岐され、光検出器６に入射され、光量が検出される。
土砂崩れにより光ファイバ２に曲げ、ねじれが生じた
り、側圧や張力が発生し、その結果光の伝送損失が増加
することから、土砂崩れが検出される。光ファイバ２が
土砂崩れによって断線された場合には、上述の曲げ、ね
じれ、側圧、張力等による他、断線箇所における光の反
射率が極めて小さくなることから、検出器６の受光レベ
ルが低下し、同様に土砂崩れを検出できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ファイバを用いた
土砂崩れ検出センサに関し、特にその経済化に係わる。
土砂崩れ検出センサに関し、特にその経済化に係わる。
【０００２】
【従来の技術】土砂崩れによって住宅、道路、鉄道等を
破壊させたり、人、車両、列車等の安全運行を妨げる恐
れのある場合には、土砂崩れの発生する恐れのある場所
に土砂崩れ検出センサを備えるのが望ましい。従来のセ
ンサは、土砂崩れを検出すべき場所に沿って、光ファイ
バを往復して敷設し、遠端で光を折り返すようにし、そ
の光ファイバの往路の始端に光を入射させ、復路の終端
に戻された光の強さを光検出器で検出するものであっ
た。
破壊させたり、人、車両、列車等の安全運行を妨げる恐
れのある場合には、土砂崩れの発生する恐れのある場所
に土砂崩れ検出センサを備えるのが望ましい。従来のセ
ンサは、土砂崩れを検出すべき場所に沿って、光ファイ
バを往復して敷設し、遠端で光を折り返すようにし、そ
の光ファイバの往路の始端に光を入射させ、復路の終端
に戻された光の強さを光検出器で検出するものであっ
た。
【０００３】土砂崩れによって、光ファイバに曲がりや
ねじれが発生したり、側圧や張力が発生すると光ファイ
バの光伝送損失が増加する。一例として、図２に光ファ
イバが曲げられた場合の曲率半径に対する光損失の変化
を示す。光検出器により光量の変化を検出し、土砂崩れ
を検出することができる。
ねじれが発生したり、側圧や張力が発生すると光ファイ
バの光伝送損失が増加する。一例として、図２に光ファ
イバが曲げられた場合の曲率半径に対する光損失の変化
を示す。光検出器により光量の変化を検出し、土砂崩れ
を検出することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】土砂崩れ検出センサの
普及を図るため、最近、特にその経済化が強く要請され
るようになって来た。この発明はその経済化の要請に応
える為になされたものである。
普及を図るため、最近、特にその経済化が強く要請され
るようになって来た。この発明はその経済化の要請に応
える為になされたものである。
【０００５】
（１）請求項１の土砂崩れ検出センサは、光源と、土砂
崩れを検出すべき場所に敷設され、その遠端に全反射処
理が施された光ファイバと、前記光源の光を前記光ファ
イバの近端に入射させ、その光が光ファイバの遠端で全
反射されて、近端に戻された反射光を分岐させる光カプ
ラと、その光カプラで分岐された前記反射光の光量を検
出する光検出器とで構成される。
崩れを検出すべき場所に敷設され、その遠端に全反射処
理が施された光ファイバと、前記光源の光を前記光ファ
イバの近端に入射させ、その光が光ファイバの遠端で全
反射されて、近端に戻された反射光を分岐させる光カプ
ラと、その光カプラで分岐された前記反射光の光量を検
出する光検出器とで構成される。
【０００６】土砂崩れにより光ファイバに曲がりやねじ
れが生じたり、側圧や張力が発生することから、光の伝
送損失が増加し、土砂崩れを検出できる。光ファイバを
往復して敷設する必要がないのでそれだけ経済化が図ら
れる。 （２）請求項２の土砂崩れ検出センサは、光源と、土砂
崩れを検出すべき場所に敷設された光ファイバと、その
光ファイバの遠端に設けられ、光を折り返すように接続
された第１光カプラと、前記光源の光を前記光ファイバ
の近端に入射させ、その光が光ファイバの遠端の前記第
１光カプラで折り返されて、近端に戻された光を分岐さ
せる第２光カプラと、その第２光カプラで分岐された光
の光量を検出する光検出器とにより構成される。
れが生じたり、側圧や張力が発生することから、光の伝
送損失が増加し、土砂崩れを検出できる。光ファイバを
往復して敷設する必要がないのでそれだけ経済化が図ら
れる。 （２）請求項２の土砂崩れ検出センサは、光源と、土砂
崩れを検出すべき場所に敷設された光ファイバと、その
光ファイバの遠端に設けられ、光を折り返すように接続
された第１光カプラと、前記光源の光を前記光ファイバ
の近端に入射させ、その光が光ファイバの遠端の前記第
１光カプラで折り返されて、近端に戻された光を分岐さ
せる第２光カプラと、その第２光カプラで分岐された光
の光量を検出する光検出器とにより構成される。
【０００７】この構成によって、（１）項と同様の作用
効果が得られる。
効果が得られる。
【０００８】
【実施例】この発明の実施例を図１を参照して説明す
る。この発明ではセンサの経済化を図るため、敷設する
光ファイバ２は往路のみとし、請求項１の発明では、そ
の遠端２ａに対して、全反射処理が施こされる。即ち、
端面を研磨した後、金又はアルニ等の反射膜を蒸着させ
る（図１Ａ）。
る。この発明ではセンサの経済化を図るため、敷設する
光ファイバ２は往路のみとし、請求項１の発明では、そ
の遠端２ａに対して、全反射処理が施こされる。即ち、
端面を研磨した後、金又はアルニ等の反射膜を蒸着させ
る（図１Ａ）。
【０００９】また請求項２の発明では、光ファイバの遠
端を全反射処理する代りに、その遠端２ａに光カプラ３
の一方の光ファイバを接続し、他方の１対の光ファイバ
同志を融着接続させて、光を近端側に折り返すようにし
ている（図１Ｂ）。光源４の光は光カプラ５を通じて光
ファイバ２の近端２ｂに入射され、遠端２ａで全反射又
は折り返された光は近端２ｂに戻され、光カプラ５で分
岐されて、光検出器６に入射し、その光量が検出され
る。なお、電源ユニット７から光源４及び光検出器６に
動作電源が供給される。
端を全反射処理する代りに、その遠端２ａに光カプラ３
の一方の光ファイバを接続し、他方の１対の光ファイバ
同志を融着接続させて、光を近端側に折り返すようにし
ている（図１Ｂ）。光源４の光は光カプラ５を通じて光
ファイバ２の近端２ｂに入射され、遠端２ａで全反射又
は折り返された光は近端２ｂに戻され、光カプラ５で分
岐されて、光検出器６に入射し、その光量が検出され
る。なお、電源ユニット７から光源４及び光検出器６に
動作電源が供給される。
【００１０】土砂崩れにより光ファイバ２が断線した場
合には、従来例で述べた光ファイバの曲がり、ねじれ、
側圧、張力等の他に、断線箇所において光の反射率がか
なり小さくなることから、光検出器６の受光レベルが低
下し、同様に検出可能である。光ファイバ２として、
１．３μｍ帯単芯光コードを用い、光源４には、光量変
化が大きくなるように波長１．５５μｍのレーザ光源を
用いることができる。しかし、光ファイバ２として光源
に対してマルチモード又はシングルモードとなる他の光
ファイバを用い、光源として、１つ又は複数の発生波長
をもったレーザダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード、
又は無数の波長を含む白色光源を用いることもできる。
合には、従来例で述べた光ファイバの曲がり、ねじれ、
側圧、張力等の他に、断線箇所において光の反射率がか
なり小さくなることから、光検出器６の受光レベルが低
下し、同様に検出可能である。光ファイバ２として、
１．３μｍ帯単芯光コードを用い、光源４には、光量変
化が大きくなるように波長１．５５μｍのレーザ光源を
用いることができる。しかし、光ファイバ２として光源
に対してマルチモード又はシングルモードとなる他の光
ファイバを用い、光源として、１つ又は複数の発生波長
をもったレーザダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード、
又は無数の波長を含む白色光源を用いることもできる。
【００１１】
【発明の効果】この発明では、光ファイバの遠端で光を
全反射又は折り返すことによって、従来光ファイバを往
復させていたのを、往路のみ敷設するだけで済み、従っ
て、光ファイバ長が従来の１／２となり、それだけ経済
化が図られる。
全反射又は折り返すことによって、従来光ファイバを往
復させていたのを、往路のみ敷設するだけで済み、従っ
て、光ファイバ長が従来の１／２となり、それだけ経済
化が図られる。
【図１】この発明の実施例を示すブロック図。
【図２】光ファイバを湾曲させた場合の曲率半径に対す
る光伝送損失の変化を示す図。
る光伝送損失の変化を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高坂 有三 東京都渋谷区道玄坂１丁目21番６号 日本 航空電子工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 光源と、 土砂崩れを検出すべき場所に敷設され、遠端に全反射処
理が施された光ファイバと、 前記光源の光を前記光ファイバの近端に入射させ、その
光が光ファイバの遠端で全反射されて、近端に戻された
反射光を分岐させる光カプラと、 その光カプラで分岐された前記反射光の光量を検出する
光検出器と、を具備することを特徴とする、 光ファイバを用いた土砂崩れ検出センサ。 - 【請求項２】 光源と、 土砂崩れを検出すべき場所に敷設された光ファイバと、 その光ファイバの遠端に設けられ、光を折り返すように
接続された第１光カプラと、 前記光源の光を前記光ファイバの近端に入射させ、その
光が光ファイバの遠端の前記第１光カプラで折り返され
て、近端に戻された光を分岐させる第２光カプラと、 その第２光カプラで分岐された光の光量を検出する光検
出器と、を具備することを特徴とする、 光ファイバを用いた土砂崩れ検出センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17016993A JPH0727871A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 光ファイバを用いた土砂崩れ検出センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17016993A JPH0727871A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 光ファイバを用いた土砂崩れ検出センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0727871A true JPH0727871A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15899971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17016993A Pending JPH0727871A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 光ファイバを用いた土砂崩れ検出センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727871A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8193827B2 (en) | 2001-05-15 | 2012-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measuring method, inspection method, inspection device, semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and method of manufacturing an element substrate |
| JP2013545101A (ja) * | 2010-11-15 | 2013-12-19 | シーメンス エナジー インコーポレイテッド | 構造物に入るクラックを検出し監視するセンサ装置 |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP17016993A patent/JPH0727871A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8193827B2 (en) | 2001-05-15 | 2012-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measuring method, inspection method, inspection device, semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and method of manufacturing an element substrate |
| JP2013545101A (ja) * | 2010-11-15 | 2013-12-19 | シーメンス エナジー インコーポレイテッド | 構造物に入るクラックを検出し監視するセンサ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991026 |