JPH07273200A - Semiconductor device having a plurality of fuses - Google Patents
Semiconductor device having a plurality of fusesInfo
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- JPH07273200A JPH07273200A JP5942994A JP5942994A JPH07273200A JP H07273200 A JPH07273200 A JP H07273200A JP 5942994 A JP5942994 A JP 5942994A JP 5942994 A JP5942994 A JP 5942994A JP H07273200 A JPH07273200 A JP H07273200A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、複数のヒューズを有す
る半導体装置、例えば半導体メモリにおいて冗長回路を
選択的に使用するヒューズを複数有する半導体装置に関
し、特に高集積度化に伴うヒューズの誤切断等を確実に
防止できるようにしたものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having a plurality of fuses, for example, a semiconductor device having a plurality of fuses for selectively using a redundant circuit in a semiconductor memory, and more particularly to the erroneous disconnection of the fuse due to high integration. It is possible to reliably prevent such problems.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体メモリの回路パターンの欠陥を修
正するリペア技術として、チップ内に予備のメモリセル
（冗長回路）を設け、本来のメモリセルの欠陥が出荷前
に確認された場合には、所定のヒューズをレーザビーム
で切断することにより、欠陥が生じたメモリセルをライ
ンから切り離す一方で、予備のメモリセルを有効な状態
にする方法が一般的である。2. Description of the Related Art As a repair technique for correcting a defect of a circuit pattern of a semiconductor memory, a spare memory cell (redundant circuit) is provided in a chip, and when a defect of the original memory cell is confirmed before shipment, It is common practice to disconnect the defective memory cell from the line by cutting a predetermined fuse with a laser beam while leaving the spare memory cell in an effective state.
【０００３】一方、近年半導体装置の微細化に伴い、回
路の高集積度化とともにヒューズ本体の微細化、および
隣接するヒューズ間の狭小化が求められている。しか
し、上記ヒューズの微細化に対応させると、ヒューズが
細くなり、レーザビームが照射される空間が相対的に増
化する反面、ヒューズのレーザビームエネルギー吸収率
および爆発力が低下するため、レーザビームのビーム径
を広げ、より高エネルギーにて焼断する必要が生じると
いう不具合を伴う。したがって、レーザビームの照射技
術に高い精度が要求されるので、かかる技術が進歩しな
ければ、切断部分以外へレーザビームが照射され、半導
体装置の絶縁膜等を損傷し、半導体素子の電気特性を劣
化させる恐れがある。また、ヒューズ間の配置を狭小化
することにより、切断するヒューズに隣接したヒューズ
にレーザビームが照射され隣接するヒューズを誤切断し
てしまう可能性も生じる。On the other hand, with the recent miniaturization of semiconductor devices, there is a demand for higher integration of circuits, miniaturization of fuse bodies, and narrowing of adjacent fuses. However, when the fuse is made finer, the fuse becomes thinner and the space where the laser beam is irradiated relatively increases, while the laser beam energy absorption rate and the explosive force of the fuse decrease, so that the laser beam However, there is a problem in that it is necessary to widen the beam diameter and to burn at a higher energy. Therefore, a high precision is required for the laser beam irradiation technique, and unless such a technique is advanced, the laser beam is irradiated to a portion other than the cut portion to damage the insulating film and the like of the semiconductor device and to improve the electrical characteristics of the semiconductor element. It may deteriorate. Further, by narrowing the arrangement between the fuses, there is a possibility that a fuse adjacent to the fuse to be cut is irradiated with a laser beam and the adjacent fuse is erroneously cut.
【０００４】このため、例えば特開昭６２−８８３３８
号公報に開示される半導体装置によれば、レーザビーム
により切断される部分の周辺領域をヒューズより反射率
の高いアルミニウムで覆うことで、ヒューズの切断部分
以外の絶縁膜にレーザビームが照射されることによる絶
縁膜の損傷を最小限に抑えるようにしている。また、特
開平５−２９４６７号公報に開示されている半導体装置
によれば、複数のヒューズを有する半導体装置にジグザ
グ状に形成したレーザビーム照射用の照射窓を設けるこ
とで、ヒューズ間が狭小化した場合にも隣接した２つの
ヒューズが誤って一緒に切断されることを防ぐようにし
ている。Therefore, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-88338.
According to the semiconductor device disclosed in the publication, by covering the peripheral region of the portion cut by the laser beam with aluminum having a higher reflectance than the fuse, the insulating film other than the cut portion of the fuse is irradiated with the laser beam. The damage to the insulating film due to the above is minimized. According to the semiconductor device disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-29467, a semiconductor device having a plurality of fuses is provided with an irradiation window for laser beam irradiation formed in a zigzag pattern, thereby narrowing the space between the fuses. Even in this case, the two adjacent fuses are prevented from being accidentally cut together.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６２−８８３３８号公報に開示される半導体装置にあっ
ては、ヒューズの切断部分の周辺をアルミニウムにて覆
う領域を充分確保するために、ヒューズの間隔を大きく
する必要がある。このため、ヒューズの配置を狭小化す
ることが難しくなるという問題が生じる。However, in the semiconductor device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-88338, in order to secure a sufficient area for covering the periphery of the cut portion of the fuse with aluminum, the fuse is required. It is necessary to increase the interval. Therefore, it becomes difficult to narrow the arrangement of the fuses.
【０００６】また、特開平５−２８４６７号公報によれ
ば、照射窓をジグザクに開口するため、ヒューズ間隔を
狭小化しても隣接するヒューズにレーザビームが照射さ
れることは防げるが、依然として、隣接した２つのヒュ
ーズ切断部分を斜めにつなげる部分では下地が覆われて
いないため、特に上述したような理由からレーザビーム
径の拡大を余儀無くされた場合に、２重にレーザビーム
が照射され、半導体装置の絶縁膜等の損傷が悪化すると
いう問題が生じる。According to Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-28467, the irradiation window is opened in a zigzag manner, so that even if the fuse interval is narrowed, it is possible to prevent the adjacent fuse from being irradiated with the laser beam. Since the base is not covered in the portion where the two fuse cut portions are obliquely connected, the laser beam is doubly irradiated when the laser beam diameter is inevitably expanded for the reason described above, and the semiconductor There is a problem that the insulation film of the device is damaged.
【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決するこ
とを課題とするものであり、ヒューズ本体を微細化し、
ヒューズ配置の間隔を狭くした場合にも、ヒューズの切
断区域以外の絶縁膜等の損傷を最小限に抑え、且つ隣接
するヒューズの切断を防止することが可能な半導体装置
を提供することを目的とするものである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and to miniaturize a fuse body,
An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of minimizing damage to an insulating film or the like other than the cut area of a fuse and preventing the cut of an adjacent fuse even when the interval between fuses is narrowed. To do.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、本発明では、並列に配置された複数のヒューズを有
する半導体装置において、前記複数のヒューズを、ヒュ
ーズ切断用ビームを反射可能な反射板で覆い、且つこの
反射板に前記各ヒューズに対応して複数のビーム照射窓
を開口し、それら複数のビーム照射窓の隣合った２つの
ビーム照射窓をヒューズの長手方向にずらして配置した
ことを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, according to the present invention, in a semiconductor device having a plurality of fuses arranged in parallel, the plurality of fuses are reflected by a beam capable of reflecting a fuse cutting beam. A plurality of beam irradiation windows are opened in the reflecting plate so as to correspond to the fuses, and two adjacent beam irradiation windows of the plurality of beam irradiation windows are arranged so as to be shifted in the longitudinal direction of the fuse. It is characterized by
【０００９】[0009]
【作用】本発明によれば、一のヒューズを切断する場合
には、そのヒューズに対応して開口しているビーム照射
窓に照準を合わせて切断用ビームを照射する。すると、
そのビーム照射窓の下のヒューズには照射用ビームが届
くが、照射窓が開口していない部分に照射された切断用
ビームは反射板より反射され、基板側には届かない。According to the present invention, when one fuse is blown, the beam for cutting is irradiated by aiming at the beam irradiation window opened corresponding to the fuse. Then,
The irradiation beam reaches the fuse under the beam irradiation window, but the cutting beam irradiated to the portion where the irradiation window is not opened is reflected by the reflector and does not reach the substrate side.
【００１０】そして、隣合ったビーム照射窓同士はヒュ
ーズの長手方向に対して斜めの方向に隔離しているた
め、各ビーム照射窓間の間隔は、隣合ったビーム照射窓
同士をヒューズの長手方向にずらさずに配置した場合に
比べて広くなっているから、その広くなった分、一のヒ
ューズを切断するために一のビーム照射窓に切断用ビー
ムを照射した場合に、その切断用ビームの一部が他のビ
ーム照射窓を通じて他のヒューズに届く可能性（つまり
誤切断の可能性）は小さい。Since the adjacent beam irradiation windows are separated obliquely with respect to the longitudinal direction of the fuse, the distance between the beam irradiation windows is set so that the adjacent beam irradiation windows are separated from each other in the longitudinal direction of the fuse. Since it is wider than when it is arranged without being displaced in the direction, when the cutting beam is applied to the one beam irradiation window to cut one fuse, the cutting beam It is unlikely that a part of the beam will reach the other fuse through the other beam irradiation window (that is, the possibility of erroneous disconnection).
【００１１】しかも、各ビーム照射窓は相互に独立して
いるため、上述した一つの大きな照射窓をジグザグに開
口した場合のように、それらビーム照射窓を斜めに接続
するような部分は存在しないから、例えばビーム照射窓
全体に確実に切断用ビームが照射されるようにビーム径
を大きくした結果、隣合う二つのヒューズに対する切断
用ビームの照射範囲が重なり合ったとしても、基板側に
二重に切断用ビームが照射されてしまうようなことはな
い。Moreover, since the respective beam irradiation windows are independent of each other, there is no portion for connecting the beam irradiation windows obliquely as in the case of opening one large irradiation window in a zigzag manner as described above. Therefore, for example, as a result of increasing the beam diameter so that the cutting beam is surely irradiated to the entire beam irradiation window, even if the irradiation ranges of the cutting beams for two adjacent fuses overlap, the board side is doubled. The cutting beam will not be emitted.
【００１２】[0012]
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を伴って説明す
る。図１は、本発明に係る半導体装置１００のウエハ上
に設けられたヒューズ部分を拡大した平面図であり、図
２は図１のＡ−Ａ線断面図である。なお、半導体装置１
００は、半導体メモリの回路パターンの欠陥を修正する
ために、メモリセルを選択する複数のヒューズを有して
いるが、図１，図２にはそのうちの一部である３つのヒ
ューズ１，２および３を示している。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an enlarged plan view of a fuse portion provided on a wafer of a semiconductor device 100 according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG. The semiconductor device 1
00 has a plurality of fuses for selecting a memory cell in order to correct a defect in the circuit pattern of the semiconductor memory. In FIG. 1 and FIG. And 3 are shown.
【００１３】すなわち、複数のヒューズ１，２および３
はそれぞれに対応したコンタクト１１，２１および３１
により、図示しない冗長回路に個別に接続されている。
半導体装置１００は、ウエハ６上に絶縁膜５が積載さ
れ、この絶縁膜５上に多結晶シリコン等の材料で構成さ
れたヒューズ１，２および３が並べて配置されている。
ヒューズ１，２および３上面は、例えばアルミニウム等
の金属等で構成された反射板４で覆われている。That is, a plurality of fuses 1, 2 and 3
Are the corresponding contacts 11, 21 and 31
Are individually connected to a redundant circuit (not shown).
In the semiconductor device 100, an insulating film 5 is stacked on a wafer 6, and fuses 1, 2 and 3 made of a material such as polycrystalline silicon are arranged side by side on the insulating film 5.
The upper surfaces of the fuses 1, 2 and 3 are covered with a reflector 4 made of metal such as aluminum.
【００１４】そして、反射板４には、各ヒューズ１，２
および３に対応して、それらヒューズ１，２および３の
長手方向に一部が露出するように、複数のビーム照射窓
１２，２２および３２が開口されている。ただし、ビー
ム照射窓１２はビーム照射窓２２に対して斜めの方向に
ずらして配置されており、同じようにビーム照射窓２２
はビーム照射窓３２に対して斜めの方向にずらして配置
されている。なお、このように隣合った２つのビーム照
射窓が互い違いに斜めにずれた配置は、図示しない部分
においても連続している。The reflector 4 is provided with fuses 1 and 2, respectively.
A plurality of beam irradiation windows 12, 22 and 32 are opened so that the fuses 1, 2 and 3 are partially exposed in the longitudinal direction corresponding to the above-mentioned fuses 1, 3 and 3. However, the beam irradiation window 12 is arranged so as to be displaced in an oblique direction with respect to the beam irradiation window 22.
Are arranged so as to be slanted with respect to the beam irradiation window 32. It should be noted that such an arrangement in which two adjacent beam irradiation windows are alternately shifted obliquely is continuous even in a portion not shown.
【００１５】また、半導体装置１００の上方には図示し
ないレーザリペア装置が設置され、このレーザリぺア装
置から各ビーム照射窓１２，２２および３２に向けて個
別に照準を合わせて、ヒューズ切断用ビームとしてのレ
ーザビームｂ１，ｂ２（図示しない）およびｂ３が照射
可能となっている。次に、本実施例の動作を説明する。
なお、図３は図１のビーム照射窓１２，２２および３２
の説明図である。Further, a laser repair device (not shown) is installed above the semiconductor device 100. The laser repair device individually aims the beam irradiation windows 12, 22 and 32, and the fuse cutting beam. The laser beams b1, b2 (not shown) and b3 can be emitted. Next, the operation of this embodiment will be described.
Incidentally, FIG. 3 shows the beam irradiation windows 12, 22 and 32 of FIG.
FIG.
【００１６】今、以下に示すような寸法で半導体装置１
００が構成されているとする。 ヒューズ幅 ２μｍ ヒューズ間隔 ４μｍ ビーム照射窓 ４μｍ正方形 ビーム照射窓間の長手方向のずれ ４μｍ したがって、ビーム照射窓２２および３２間（ビーム照
射窓１２右上角とビーム照射窓２２の左下角との間、ビ
ーム照射窓２２の右下角とビーム照射窓３２に左上角と
の間）には４μｍ強の間隔がある。Now, the semiconductor device 1 has the following dimensions.
00 is configured. Fuse width 2 μm Fuse spacing 4 μm Beam irradiation window 4 μm Square Longitudinal deviation between beam irradiation windows 4 μm Therefore, between beam irradiation windows 22 and 32 (between the upper right corner of beam irradiation window 12 and the lower left corner of beam irradiation window 22, Between the lower right corner of the irradiation window 22 and the upper left corner of the beam irradiation window 32), there is a space of a little over 4 μm.
【００１７】そして、検査の際に半導体メモリの回路パ
ターンに欠陥が発見され、ヒューズ１および２を切断す
る必要が生じたとする。そこで、図３（１）に示すよう
に、直径１０μｍのレーザビームｂ１をビーム照射窓１
２の中心に照準をあわせて照射する。すると、このビー
ム照射窓１２下にあるヒューズ１にレーザビームｂ１が
届から、ヒューズ１が焼断される。このとき、ビーム照
射窓１２の開口していない反射板４に照射されたレーザ
ビームｂ１は、反射板４により反射するため、基板上の
絶縁膜５には届かない。Then, it is assumed that a defect is found in the circuit pattern of the semiconductor memory at the time of inspection and it is necessary to blow the fuses 1 and 2. Therefore, as shown in FIG. 3A, the laser beam b1 having a diameter of 10 μm is applied to the beam irradiation window 1
Aim at the center of 2 and irradiate. Then, the laser beam b1 reaches the fuse 1 under the beam irradiation window 12, and the fuse 1 is burned. At this time, the laser beam b1 irradiated on the reflection plate 4 which is not opened in the beam irradiation window 12 is reflected by the reflection plate 4 and thus does not reach the insulating film 5 on the substrate.
【００１８】次に、ビーム照射窓２２の中心に照準を合
わせて照射する。すると、このビーム照射窓２２下にあ
るヒューズ２にレーザビームｂ２が届き、ヒューズ２が
焼断される。このとき、ビーム照射窓２２の開口してい
ない反射板４に照射されたレーザビームｂ２は、反射板
４により反射するため、基板上の絶縁膜５には届かな
い。Next, the beam is irradiated with the center of the beam irradiation window 22 aligned. Then, the laser beam b2 reaches the fuse 2 under the beam irradiation window 22 and the fuse 2 is burned. At this time, the laser beam b2 irradiated on the reflection plate 4 which is not opened in the beam irradiation window 22 is reflected by the reflection plate 4 and does not reach the insulating film 5 on the substrate.
【００１９】また、上記とは異なり、ヒューズ２および
３を切断する必要が生じたとする。この場合には、ま
ず、同様に方法にて、ビーム照射窓２２の中心に照準を
合わせて照射する。すると、このビーム照射窓２２下に
あるヒューズ２にレーザビームｂ２が届き、ヒューズ２
が焼断される。続いて、ビーム照射窓３２にレーザビー
ムｂ３を照射するときに、レーザビームｂ３の照準が１
μｍ程度左斜め上にずれたとする。しかし、図示するよ
うに、レーザビームｂ３の直径が１０μｍであるため、
一辺４μｍのビーム照射窓３２下のヒューズ３に対して
十分にレーザビームｂ３が届き、ヒューズ３が焼断され
る。そして、ビーム照射窓３２の開口していない反射板
４に照射されたレーザビームｂ３は、反射板４により反
射するため、基板上の絶縁膜５には届かない。同時に、
反射板４上に領域ｐのようなレーザビームｂ２が照射さ
れる領域と、レーザビームｂ３が照射される領域とが重
なった部分でも、二重に照射されたレーザビームｂ２，
ｂ３が反射板４により反射されるため、基板上に損傷が
生じることはない。Further, unlike the above, assume that it is necessary to blow the fuses 2 and 3. In this case, first, a similar method is used to aim and irradiate the center of the beam irradiation window 22. Then, the laser beam b2 reaches the fuse 2 under the beam irradiation window 22, and the fuse 2
Is burned out. Then, when the laser beam b3 is irradiated onto the beam irradiation window 32, the aiming point of the laser beam b3 is 1
It is assumed that it is shifted to the upper left by about μm. However, as shown in the figure, since the diameter of the laser beam b3 is 10 μm,
The laser beam b3 sufficiently reaches the fuse 3 under the beam irradiation window 32 having a side of 4 μm, and the fuse 3 is burned. Then, the laser beam b3 applied to the reflection plate 4 which is not opened in the beam irradiation window 32 is reflected by the reflection plate 4 and thus does not reach the insulating film 5 on the substrate. at the same time,
Even in a portion where the region such as the region p irradiated with the laser beam b2 and the region irradiated with the laser beam b3 overlap on the reflection plate 4, the laser beam b2 that is doubly irradiated is doubled.
Since b3 is reflected by the reflection plate 4, no damage occurs on the substrate.
【００２０】また、本発明を実施することなく（つま
り、ビーム照射窓を長手方向にずらさずに）、図３
（１）のビーム照射窓２２’のように並べて開口した場
合、４μｍ間隔に配置したヒューズ１，２および３上
に、一辺４μｍのビーム照射窓を開口するため、ビーム
照射窓１２，２２’および３２の間隔が２μｍになり、
直径１０μｍのレーザビームｂ１をビーム照射窓１２に
照射すると、当然、ビーム照射窓２２にレーザビームｂ
１が届いてしまう（図３（１）領域ｍ参照）。さらに、
レーザビームｂ３のように照準がずれると、ビーム照射
窓２２に入るレーザビームｂ３の面積が増加して（図３
（１）領域ｎ参照）、ビーム照射窓２２下の絶縁膜５の
みならずヒューズ２にレーザビームｂ３が届き、ヒュー
ズ２の誤切断の恐れが生じる。Further, without carrying out the present invention (that is, without shifting the beam irradiation window in the longitudinal direction), as shown in FIG.
In the case where the beam irradiation windows 22 'of (1) are arranged side by side and opened, the beam irradiation windows 12, 22' and 4'are formed on the fuses 1, 2 and 3 arranged at intervals of 4 μm. The spacing of 32 becomes 2 μm,
When the beam irradiation window 12 is irradiated with the laser beam b1 having a diameter of 10 μm, the beam irradiation window 22 naturally receives the laser beam b1.
1 arrives (see area m in FIG. 3 (1)). further,
When the sighting is shifted like the laser beam b3, the area of the laser beam b3 entering the beam irradiation window 22 is increased (see FIG.
(1) Refer to the region n), the laser beam b3 reaches not only the insulating film 5 under the beam irradiation window 22 but also the fuse 2, and the fuse 2 may be erroneously cut.
【００２１】また、上記とは異なり、ヒューズ１および
２を切断する必要が生じたとする。この時、図３（２）
に示すように、レーザビーム径を広げ、直径１４μｍ程
度のレーザビームｂ１’をビーム照射窓１２の中心に照
準を合わせて照射する。すると、直径１０μｍ程度のレ
ーザビームｂ１より効率よくレーザエネルギーがヒュー
ズ１に対して吸収されるため、より確実にヒューズ１が
焼断される。Further, unlike the above, assume that it is necessary to blow the fuses 1 and 2. At this time, Fig. 3 (2)
As shown in FIG. 5, the laser beam diameter is expanded, and a laser beam b1 ′ having a diameter of about 14 μm is aimed and irradiated at the center of the beam irradiation window 12. Then, the laser energy is absorbed into the fuse 1 more efficiently than the laser beam b1 having a diameter of about 10 μm, so that the fuse 1 is more surely blown.
【００２２】しかし、例えば、ビーム照射窓１２に並べ
てビーム照射窓２２’が開口されていると、領域ｍのよ
うにビーム照射窓２２’にもレーザビームｂ１’届き、
ビーム照射窓２２’下のヒューズ２に損傷がおよびヒュ
ーズ２の誤切断の恐れが生じるが、ビーム照射窓２２が
長手方向にずれて配置されているため、反射板４にてレ
ーザビームｂ１’を反射させ、基板およびヒューズ２に
損傷を与えない。However, for example, when the beam irradiation window 22 'is opened side by side with the beam irradiation window 12, the laser beam b1' reaches the beam irradiation window 22 'as in the region m.
The fuse 2 under the beam irradiation window 22 'may be damaged and the fuse 2 may be erroneously cut. However, since the beam irradiation window 22 is arranged so as to be displaced in the longitudinal direction, the laser beam b1' is reflected by the reflector 4. It reflects and does not damage the substrate and the fuse 2.
【００２３】次に、ビーム照射窓２２の中心に照準を合
わせて照射する。すると、このビーム照射窓２２下にあ
るヒューズ２にレーザビームｂ２’が届き、ヒューズ２
が焼断される。このとき、ビーム照射窓２２の開口して
いない反射板４に照射されたレーザビームｂ２は、反射
板４により反射するため基板上の絶縁膜５には届かな
い。Next, the beam is irradiated with the aim at the center of the beam irradiation window 22. Then, the laser beam b2 'reaches the fuse 2 under the beam irradiation window 22, and the fuse 2
Is burned out. At this time, the laser beam b2 applied to the reflection plate 4 which is not opened in the beam irradiation window 22 is reflected by the reflection plate 4 and does not reach the insulating film 5 on the substrate.
【００２４】同時に、反射板４上に領域ｐのようなレー
ザビームｂ１’が照射される領域と、レーザビームｂ
２’が照射される領域が重なるが、反射板４によりレー
ザビームｂ１’とレーザビームｂ２’とが反射されるた
め、基板上に損傷が生じることはない。なお、本発明の
実施例では、半導体メモリの予備のメモリセル（冗長回
路）のリペア技術におけるヒューズについて説明した
が、これに限定されるものではなく、半導体基板上のあ
らゆるヒューズに応用できるものである。At the same time, a region such as the region p on which the laser beam b1 'is irradiated on the reflection plate 4 and the laser beam b.
Although the regions irradiated with 2'overlap, the laser beam b1 'and the laser beam b2' are reflected by the reflection plate 4, so that the substrate is not damaged. In the embodiment of the present invention, the fuse in the repair technique of the spare memory cell (redundant circuit) of the semiconductor memory has been described, but the present invention is not limited to this and can be applied to all fuses on a semiconductor substrate. is there.
【００２５】また、実施例では半導体装置１００の寸法
を例示して説明したが、これはユーザの所望にて換える
ことが可能である。さらにビーム照射窓を正方形とした
が、これに限らず、長方形，円形や菱形等必要な形に形
成することができる。特に、長方形のビーム照射窓の場
合は、ヒューズに対して正方形と同じレーザビームエネ
ルギーの熱効率が得られるのに、露出する半導体基板の
面積が相対的に減って、半導体基板に対する損傷を少な
くするという効果が上げられる。また円形や菱形の場合
は、ヒューズに対して正方形と同じレーザビームエネル
ギーの熱効率が得られるのに、斜めに隣合うビーム照射
窓同士の間隔が広くなるという効果が上げられる。Further, in the embodiment, the dimensions of the semiconductor device 100 have been described as an example, but the dimensions can be changed as desired by the user. Further, although the beam irradiation window is square, the beam irradiation window is not limited to this and can be formed in a required shape such as a rectangle, a circle, or a rhombus. In particular, in the case of a rectangular beam irradiation window, although the same thermal efficiency of laser beam energy as that of a square is obtained for the fuse, the area of the exposed semiconductor substrate is relatively reduced and damage to the semiconductor substrate is reduced. The effect is improved. In the case of a circular shape or a rhombic shape, the same thermal efficiency of laser beam energy as that of a square can be obtained for the fuse, but the effect of widening the interval between the beam irradiation windows that are diagonally adjacent to each other can be increased.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上に説明してきたように、本発明は、
隣合った２つのビーム照射窓を、ヒューズの長手方向に
ずらして配置したことにより、長手方向にずらさずに配
置したときより隣合った２つのヒューズに対応するビー
ム照射窓との間隔が広くすることができる。したがっ
て、例えば、ヒューズ切断用のビーム径が大きくなった
場合や、ヒューズ切断用のビームの位置ズレがあって
も、隣のヒューズにビームが届いて誤切断する可能性を
低くするという効果が上げられる。As described above, the present invention is
By arranging the two adjacent beam irradiation windows so as to be displaced in the longitudinal direction of the fuse, the distance between the beam irradiation windows corresponding to the two adjacent fuses becomes wider than when the two beam irradiation windows are arranged without being displaced in the longitudinal direction. be able to. Therefore, for example, if the beam diameter for cutting the fuse becomes large, or if there is a positional deviation of the beam for cutting the fuse, it is possible to reduce the possibility that the beam reaches the adjacent fuse and is erroneously cut. To be
【００２７】また、各ビーム照射窓は相互に独立してい
るので、１つの大きなビーム照射窓をジグザグに開口し
た場合のように、それらビーム照射窓を接続する部分が
存在しないので、ヒューズの切断部以外の基板側にビー
ムのあたる面積を最小にし、かつ、隣合う２つのヒュー
ズに対するビームの照射範囲が重なりあっても、基板側
に二重にビームが照射されることを無くし、ヒューズ切
断による基板の損傷を最小限に抑える効果がある。Further, since the respective beam irradiation windows are independent from each other, there is no portion for connecting the beam irradiation windows as in the case of opening one large beam irradiation window in a zigzag manner, so that the fuse is blown. The area where the beam hits the substrate side other than the area is minimized, and even if the beam irradiation areas of two adjacent fuses overlap, the double beam irradiation to the substrate side is prevented, and the fuse is cut. This has the effect of minimizing damage to the substrate.
【図１】本発明の実施例にかかる半導体装置を示す平面
図である。FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG.
【図３】図１の照射窓を説明する説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating an irradiation window of FIG.
１，２，３ ヒューズ ４ 反射板 １１，２１，３１ コンタクト １２，２２，３２ ビーム照射窓 １００ 半導体装置 1,2,3 Fuse 4 Reflector 11,21,31 Contact 12,22,32 Beam irradiation window 100 Semiconductor device
Claims (1)
る半導体装置において、前記複数のヒューズを、ヒュー
ズ切断用ビームを反射可能な反射板で覆い、この反射板
に前記各ヒューズに対応して複数のビーム照射窓を開口
し、且つそれら複数のビーム照射窓の隣合った２つのビ
ーム照射窓をヒューズの長手方向にずらして配置したこ
とを特徴とする複数のヒューズを有する半導体装置。1. A semiconductor device having a plurality of fuses arranged in parallel, wherein the plurality of fuses are covered with a reflection plate capable of reflecting a fuse cutting beam, and a plurality of the reflection plates are provided corresponding to the respective fuses. 2. A semiconductor device having a plurality of fuses, wherein the beam irradiation window is opened, and two adjacent beam irradiation windows of the plurality of beam irradiation windows are arranged so as to be shifted in the longitudinal direction of the fuse.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5942994A JPH07273200A (en) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | Semiconductor device having a plurality of fuses |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5942994A JPH07273200A (en) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | Semiconductor device having a plurality of fuses |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273200A true JPH07273200A (en) | 1995-10-20 |
Family
ID=13113024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5942994A Pending JPH07273200A (en) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | Semiconductor device having a plurality of fuses |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273200A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6380838B1 (en) * | 1999-06-07 | 2002-04-30 | Nec Corporation | Semiconductor device with repair fuses and laser trimming method used therefor |
| US6750753B2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-06-15 | Nanya Technology Corporation | Fuse structure window |
| US6822309B2 (en) | 2000-03-23 | 2004-11-23 | Nec Electronics Corporation | Apparatus for selectively cutting fuse electrodes |
| US8525578B2 (en) | 2011-01-31 | 2013-09-03 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device having plural optical fuses and manufacturing method thereof |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP5942994A patent/JPH07273200A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6380838B1 (en) * | 1999-06-07 | 2002-04-30 | Nec Corporation | Semiconductor device with repair fuses and laser trimming method used therefor |
| US6822309B2 (en) | 2000-03-23 | 2004-11-23 | Nec Electronics Corporation | Apparatus for selectively cutting fuse electrodes |
| US6750753B2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-06-15 | Nanya Technology Corporation | Fuse structure window |
| US8525578B2 (en) | 2011-01-31 | 2013-09-03 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device having plural optical fuses and manufacturing method thereof |
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