JPH0726379A - Method for formation of thin film and device therefor - Google Patents
Method for formation of thin film and device thereforInfo
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- JPH0726379A JPH0726379A JP19432893A JP19432893A JPH0726379A JP H0726379 A JPH0726379 A JP H0726379A JP 19432893 A JP19432893 A JP 19432893A JP 19432893 A JP19432893 A JP 19432893A JP H0726379 A JPH0726379 A JP H0726379A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は薄膜の形成方法及びその
装置に係り、特に電子部品などの基体表面にスパッタリ
ング或いは真空蒸着により薄膜を形成する方法及び装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for forming a thin film, and more particularly to a method and apparatus for forming a thin film on the surface of a substrate such as an electronic component by sputtering or vacuum deposition.
【０００２】[0002]
【従来の技術】金属皮膜抵抗器等の電子部品などに使用
される円筒形磁器棒（セラミック基体）などに薄膜を形
成する場合には、従来からスパッタリング装置が広く使
用されている。従来のスパッタリング装置は、前記円筒
形磁器棒などの被処理物を、金網により形成された樽状
のバレル（かご）の中に大量に入れ、このバレルを回転
させながらスパッタリング着膜方式により被処理物の表
面に薄膜を形成していた。2. Description of the Related Art Sputtering apparatuses have been widely used for forming thin films on cylindrical ceramic rods (ceramic substrates) used for electronic parts such as metal film resistors. A conventional sputtering apparatus puts a large amount of objects to be processed, such as the cylindrical porcelain rods, in a barrel-shaped barrel (basket) formed by a wire net, and rotates the barrel to perform the processing by a sputtering film-forming method. A thin film was formed on the surface of the object.
【０００３】また、特開平４−２９８００４号公報に
は、被処理物を載せるＶ溝等を有するボードとこのボー
ドを振動させる振動子とを真空室の内部に配設して、ボ
ードを振動させながらスパッタリングを行うスパッタリ
ング装置が提案されている。Further, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-298004, a board having a V groove for mounting an object to be processed and a vibrator for vibrating the board are provided inside a vacuum chamber to vibrate the board. Meanwhile, a sputtering apparatus that performs sputtering has been proposed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、バレル
を用いた前者の装置は、回転運動をするバレル内の被処
理物が、スパッタリング中に互いに重なりあって接触す
るので、相互にくっつき合ったり、被処理物の突起部分
や角の部分に薄膜が形成されにくく、膜厚が不均一にな
るという課題があった。更に、被処理物とバレルとの接
触が繰り返されることにより、被処理物に形成された薄
膜の微小欠損が生じていた。このように、この従来装置
においては、膜厚分布の不良が生じて製品の歩留まりを
低下させるという課題があった。また、バレルを構成す
る金網に着膜粒子が次第に付着して目詰まりを起こすの
で、金網のクリーニングを度々行う必要があった。However, in the former device using a barrel, the objects to be processed in the barrel which make a rotary motion overlap and come into contact with each other during sputtering. There is a problem that a thin film is difficult to be formed on the protrusions and corners of the processed object, and the film thickness becomes uneven. Further, the contact between the object to be processed and the barrel is repeated, resulting in minute defects in the thin film formed on the object to be processed. As described above, this conventional device has a problem that a defective film thickness distribution occurs and the yield of products is reduced. Further, since the film-forming particles gradually adhere to the wire mesh forming the barrel to cause clogging, it was necessary to frequently clean the wire mesh.
【０００５】一方、前記公報に開示された後者の装置
は、被処理物を載せるＶ溝等を有するボードを振動させ
る振動子を真空容器内に設置しているので、振動子から
の発塵、発熱のためにスパッタリング環境の維持が難し
く、また被処理物をボード上のＶ溝等の移動防止手段に
載置するため、処理数に制限があり大量生産が困難であ
るという課題があった。On the other hand, in the latter device disclosed in the above-mentioned publication, a vibrator for vibrating a board having a V-groove for mounting an object to be processed is installed in a vacuum container. There is a problem in that it is difficult to maintain the sputtering environment due to heat generation, and because the object to be processed is placed on a movement preventing means such as a V groove on the board, the number of processes is limited and mass production is difficult.
【０００６】本発明は上述の事情に鑑みてなされたもの
で、被処理物に欠損のない均一な薄膜を形成して製品の
歩留まりを向上させることができ、また良好な真空環境
が維持でき、大量生産が可能な薄膜の形成方法及びその
装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to improve the yield of products by forming a uniform thin film on the object to be processed and to maintain a good vacuum environment. It is an object of the present invention to provide a thin film forming method and a device thereof capable of mass production.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明の薄膜の形成方法は、容器の内部に受皿を配
設してこの受皿に複数の被処理物を載せ、前記容器の外
部の単数及び複数の振動源により前記受皿を振動させな
がら前記被処理物に薄膜を形成することを特徴とするも
のである。In order to achieve the above-mentioned object, a method for forming a thin film of the present invention is such that a saucer is provided inside a container and a plurality of objects to be processed are placed on the saucer, It is characterized in that a thin film is formed on the object to be processed while vibrating the saucer by external single and plural vibration sources.
【０００８】また、本発明の薄膜の形成装置は、内部が
真空引きされる容器と、前記容器内部に配設されて複数
の被処理物を載せる受皿と、前記容器の外部に設けられ
て前記受皿を振動させる単数及び複数の振動源と、前記
容器に設けられて前記被処理物に薄膜を形成する薄膜形
成手段とを備えたことを特徴とするものである。Further, the thin film forming apparatus of the present invention includes a container whose inside is evacuated, a saucer which is disposed inside the container and holds a plurality of objects to be processed, and which is provided outside the container. It is characterized by comprising a single and a plurality of vibration sources for vibrating the saucer, and thin film forming means provided in the container for forming a thin film on the object to be processed.
【０００９】[0009]
【作用】本発明においては、容器の外部に設けられた振
動源により容器内部の受皿を振動させる。この受皿の振
動により受皿上の被処理物は回転動作や揺動動作などの
自由な運動をするので、この状態でスパッタリング或い
は真空蒸着をすれば、被処理物の表面には薄膜が均一に
形成される。In the present invention, the saucer inside the container is vibrated by the vibration source provided outside the container. The vibration of the saucer causes the object to be processed on the saucer to freely move, such as rotate or swing. Therefore, if sputtering or vacuum deposition is performed in this state, a thin film is uniformly formed on the surface of the object to be processed. To be done.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１乃至図８を参
照して説明する。本実施例の薄膜の形成装置としては、
スパッタリングにより被処理物に薄膜を形成するスパッ
タリング装置の場合を示している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. As the thin film forming apparatus of the present embodiment,
It shows a case of a sputtering apparatus for forming a thin film on an object to be processed by sputtering.
【００１１】図１は本発明の第１実施例に係るスパッタ
リング装置を示す全体構成図、図２は図１の部分詳細図
である。スパッタリング装置１は、受皿２に載せられた
複数の被処理物３をスパッタリング着膜方式により薄膜
を形成する装置である。表面に薄膜が着膜する被処理物
３としては、金属皮膜抵抗器などの各種抵抗器、その他
コンデンサ、コイル、半導体などの電子部品や、装飾用
部品などの小物部品等の基体となる円筒形磁器棒（セラ
ミック）及び粉体物等である。FIG. 1 is an overall structural view showing a sputtering apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial detailed view of FIG. The sputtering apparatus 1 is an apparatus for forming a thin film on a plurality of objects 3 to be processed placed on a tray 2 by a sputtering film formation method. The object to be treated 3 having a thin film deposited on its surface is a cylindrical type which is a base for various resistors such as metal film resistors, other electronic parts such as capacitors, coils and semiconductors, and small parts such as decorative parts. Examples include porcelain rods (ceramics) and powder materials.
【００１２】スパッタリング装置１は、内部が真空引き
される容器としての真空チャンバ４と、真空チャンバ４
の内部１０に配設されて複数の被処理物３を載せる受皿
２と、真空チャンバ４の外部に設けられて受皿２を振動
させる振動源５と、真空チャンバ４に設けられて被処理
物３に薄膜を形成する薄膜形成手段６とを備えている。The sputtering apparatus 1 includes a vacuum chamber 4 as a container whose interior is evacuated, and a vacuum chamber 4
A saucer 2 disposed in the interior 10 of the vacuum chamber 4 for placing a plurality of objects 3 to be processed, a vibration source 5 provided outside the vacuum chamber 4 to vibrate the saucer 2, and an object 3 to be processed provided in the vacuum chamber 4. And a thin film forming means 6 for forming a thin film.
【００１３】真空チャンバ４は、円形の底板７及び蓋板
８と筒状の側板９とが一体化した円筒形をなしており、
内部１０にＡｒ（アルゴン）ガスなどの不活性ガスを導
入するためのコントロールバルブ１１と、内部１０のガ
スを排気する図示しない排気ポンプに連通する排気管１
２とが取付けられている。排気管１２を介して排気ポン
プにより真空チャンバ４の内部１０が真空引きされる。
底板７の中央部には軸受１３が取付けられている。The vacuum chamber 4 has a cylindrical shape in which a circular bottom plate 7 and lid plate 8 and a cylindrical side plate 9 are integrated.
A control valve 11 for introducing an inert gas such as Ar (argon) gas into the interior 10, and an exhaust pipe 1 communicating with an exhaust pump (not shown) for exhausting the gas in the interior 10.
2 and are attached. The inside 10 of the vacuum chamber 4 is evacuated by the exhaust pump via the exhaust pipe 12.
A bearing 13 is attached to the center of the bottom plate 7.
【００１４】円形状の受皿２の外周縁には、図中上方に
僅かに突出した縁部１４が全周に渡って一体的に形成さ
れており、受皿２上に載せられた被処理物３が振動して
も落下しないようにしている。受皿２は、軸受１３に回
転自在に支持された主軸１５の上端に固定されている。
主軸１５が図示しない駆動源により回転すると、受皿２
も矢印Ｒのように回転運動を行う。On the outer peripheral edge of the circular saucer 2, an edge portion 14 slightly protruding upward in the drawing is integrally formed over the entire circumference, and the object 3 to be processed placed on the saucer 2 is formed. Even if it vibrates, it does not fall. The tray 2 is fixed to an upper end of a main shaft 15 rotatably supported by a bearing 13.
When the main shaft 15 is rotated by a drive source (not shown), the saucer 2
Also performs rotational movement as indicated by arrow R.
【００１５】振動源５は、主軸１５の下端部に設けられ
て主軸１５及び受皿２を振動させる振動子１６を備えて
おり、本実施例では、主軸１５の下端に振動子１６を固
定して、この振動子の動作により主軸１５を振動させて
いる。配線１７により振動子１６と接続された超音波発
振機１８から出力される信号によって前記主軸１５及び
これに固定された受皿２が振動する。The vibration source 5 is provided with a vibrator 16 which is provided at the lower end of the main shaft 15 and vibrates the main shaft 15 and the tray 2. In this embodiment, the vibrator 16 is fixed to the lower end of the main shaft 15. The main shaft 15 is vibrated by the operation of this vibrator. A signal output from an ultrasonic oscillator 18 connected to the vibrator 16 by the wiring 17 causes the main shaft 15 and the tray 2 fixed to the main shaft 15 to vibrate.
【００１６】主軸１５には、振動子１６の近傍に配設さ
れた冷却水ボックス１９と、冷却水ボックス１９に固定
された支持部材２０の下部に取付けられた冷却水ロータ
リージョイント２１と、冷却水ロータリージョイント２
１の下部に固定されて配線１７と電気的に接続される給
電スリップリング２２とが取付けられている。主軸１５
が回転すると、振動子１６、冷却水ボックス１９、支持
部材２０、冷却水ロータリージョイント２１及び給電ス
リップリング２２も一体的に回転運動をする。On the main shaft 15, a cooling water box 19 arranged near the vibrator 16, a cooling water rotary joint 21 attached to a lower portion of a support member 20 fixed to the cooling water box 19, and a cooling water. Rotary joint 2
A power supply slip ring 22 fixed to the lower part of 1 and electrically connected to the wiring 17 is attached. Spindle 15
When is rotated, the vibrator 16, the cooling water box 19, the support member 20, the cooling water rotary joint 21, and the power feeding slip ring 22 also integrally rotate.
【００１７】冷却水２３が流れる水配管２４が、冷却水
ロータリージョイント２１、冷却水ボックス入口２５、
冷却水ボックス出口２６、冷却水ロータリージョイント
２１の順に接続され、配管出口からは排水２３ａが排出
する。冷却水２３は加熱ヒータ５２及び振動子１６の振
動により発生した熱により高温となる主軸１５を冷却し
ている。A water pipe 24 through which the cooling water 23 flows includes a cooling water rotary joint 21, a cooling water box inlet 25,
The cooling water box outlet 26 and the cooling water rotary joint 21 are connected in this order, and the drainage 23a is discharged from the pipe outlet. The cooling water 23 cools the main shaft 15 which becomes high temperature by the heat generated by the vibration of the heater 52 and the vibrator 16.
【００１８】図２は軸受１３の構造を示しており、図に
示すように、真空チャンバ４の底板７には円筒形のケー
ス３０が下方に向けて一体的に突出形成されている。ケ
ース３０の内方には一対のボールベアリング３１，３２
を介してスリーブ３３が回転自在に配設されている。ス
リーブ３３は、主軸１５に一体的に固定された突出片３
４にＯリングパッキング３５を介装させてセットボルト
３６により取付けられている。これにより、主軸１５の
振動がスリーブ３３には伝わらないようになっている。FIG. 2 shows the structure of the bearing 13. As shown in the figure, a cylindrical case 30 is integrally formed on the bottom plate 7 of the vacuum chamber 4 so as to project downward. Inside the case 30, a pair of ball bearings 31, 32 are provided.
A sleeve 33 is rotatably disposed via the. The sleeve 33 is a protruding piece 3 integrally fixed to the main shaft 15.
The O-ring packing 35 is attached to the No. 4 by a set bolt 36. As a result, the vibration of the main shaft 15 is prevented from being transmitted to the sleeve 33.
【００１９】上部のボールベアリング３１の上方にはオ
イルシール又は磁気シール３７が装着されており、スト
ップリング３８によりシール３７を保持している。下部
のボールベアリング３２は、ベアリング押えケース３９
を介してセットボルト４０によりケース３０の内面に取
付けられている。このようにして、主軸１５、受皿２及
び振動源５の一部は、軸受１３に支持されながら回転運
動及び振動動作を行う。An oil seal or magnetic seal 37 is mounted above the upper ball bearing 31, and the seal 37 is held by a stop ring 38. The ball bearing 32 at the bottom is a bearing retainer case 39.
It is attached to the inner surface of the case 30 by a set bolt 40 via. In this way, the main shaft 15, the pan 2, and part of the vibration source 5 perform rotational movement and vibration while being supported by the bearing 13.
【００２０】図１に示すように、受皿２の上方には、陰
極カソード４６が絶縁材４７を介して真空チャンバ４の
蓋板８に固定されている。陰極カソード４６の下面側に
はターゲット４８が受皿２上の被処理物３に対向して取
付けられている。陰極カソード４６及びターゲット４８
は、絶縁材４７に固定されたシールド４９によりその上
面及び側面を所定の間隙を介して覆われている。As shown in FIG. 1, a cathode 46 is fixed above the tray 2 to the cover plate 8 of the vacuum chamber 4 via an insulating material 47. A target 48 is attached to the lower surface side of the cathode 46 so as to face the object 3 to be processed on the tray 2. Cathode Cathode 46 and Target 48
Is covered with a shield 49 fixed to the insulating material 47 on its upper surface and side surfaces with a predetermined gap.
【００２１】ターゲット４８の表面から放出されるスパ
ッタ粒子５０が受皿２の中心から縁部１４までの間の被
処理物３に着膜するような位置に、ターゲット４８は配
設されている（図５参照）。開閉操作可能なシャッター
５１が、ターゲット４８と受皿２との間に配設されてい
る。また、受皿２の上方には、赤外線ランプ等の加熱ヒ
ータ５２が真空チャンバ４に固定されており、加熱ヒー
タ５２により被処理物３の水分除去及び膜質の改善が行
われる。The target 48 is arranged at a position such that the sputtered particles 50 emitted from the surface of the target 48 are deposited on the object 3 to be processed between the center of the tray 2 and the edge portion 14 (FIG. 5). A shutter 51 that can be opened and closed is disposed between the target 48 and the tray 2. A heater 52 such as an infrared lamp is fixed to the vacuum chamber 4 above the tray 2, and the heater 52 removes water from the object 3 to be processed and improves the film quality.
【００２２】陰極カソード４６に固定されたターゲット
４８には、配線５３を介して直流高電圧源または高周波
源５４から直流高電圧または高周波電圧が印加されるよ
うになっている。A DC high voltage or a high frequency voltage is applied to a target 48 fixed to the cathode 46 from a DC high voltage source or a high frequency source 54 via a wiring 53.
【００２３】次に、前記構成のスパッタリング装置１に
より薄膜を形成する方法について説明する。この方法で
は、容器としての真空チャンバ４の内部１０に受皿２を
配設して受皿２に複数の被処理物３を載せ、真空チャン
バ４の外部の振動源５により受皿２を振動させながら被
処理物３に薄膜を形成している。Next, a method for forming a thin film by the sputtering apparatus 1 having the above structure will be described. In this method, the saucer 2 is arranged in the interior 10 of the vacuum chamber 4 as a container, a plurality of objects 3 are placed on the saucer 2, and the saucer 2 is vibrated by the vibration source 5 outside the vacuum chamber 4. A thin film is formed on the processed object 3.
【００２４】本実施例の動作を更に詳述すると、先ず排
気ポンプをオンして排気管１２を介して真空チャンバ４
の内部１０を真空引きするとともにコントロールバルブ
１１を開けてアルゴンガス等の不活性ガスを内部１０に
導入する。次いで、水配管２４に冷却水２３を供給して
主軸１５を冷却水ボックス１９により冷却するととも
に、図示しない駆動源により、複数の被処理物３が載せ
られた受皿２及び主軸１５を矢印Ｒのように回転させ
る。The operation of this embodiment will be described in more detail. First, the exhaust pump is turned on and the vacuum chamber 4 is supplied through the exhaust pipe 12.
The inside 10 is evacuated and the control valve 11 is opened to introduce an inert gas such as argon gas into the inside 10. Then, the cooling water 23 is supplied to the water pipe 24 to cool the main shaft 15 by the cooling water box 19, and the saucer 2 and the main shaft 15 on which a plurality of objects 3 to be processed 3 are placed are moved by the arrow R as a drive source (not shown). To rotate.
【００２５】こうして真空チャンバ内部１０が低圧雰囲
気になった状態で、直流高電圧源または高周波源５４か
ら直流高電圧または高周波電圧を陰極４６に印加して、
陰極４６と受皿２との間でグロー放電を生じさせる。こ
れによって発生したアルゴンイオン（Ａｒ+ ）がターゲ
ット４８を衝撃し、この時のスパッタ作用によりターゲ
ット４８の表面からスパッタ粒子５０が放出する。With the interior of the vacuum chamber 10 in a low-pressure atmosphere in this manner, a high DC voltage or a high frequency voltage is applied to the cathode 46 from a high DC voltage source or a high frequency source 54,
A glow discharge is generated between the cathode 46 and the pan 2. Argon ions (Ar + ) generated thereby bombard the target 48, and sputter particles 50 are emitted from the surface of the target 48 by the sputtering action at this time.
【００２６】そして、ターゲット４８の表面のプリスパ
ッタが完了した後、シャッター５１を開いてスパッタ粒
子５０を被処理物３に着膜させる。スパッタ粒子５０が
被処理物３に着膜し且つ堆積することにより、被処理物
３の表面に薄膜が形成される。受皿２は主軸１５により
回転しているので、受皿２の全体の被処理物３に薄膜の
形成がなされ、且つ加熱ヒータ５２により水分除去と膜
質の改善が行われる。After the pre-sputtering of the surface of the target 48 is completed, the shutter 51 is opened to deposit the sputtered particles 50 on the object 3 to be processed. A thin film is formed on the surface of the object to be processed 3 by depositing and depositing the sputtered particles 50 on the object to be processed 3. Since the receiving tray 2 is rotated by the main shaft 15, a thin film is formed on the entire object 3 to be processed in the receiving tray 2, and the heater 52 removes water and improves the film quality.
【００２７】一方、超音波発振機１８から配線１７、給
電スリップリング２２を介して振動子１６を振動動作さ
せれば、主軸１５が振動を伝達し受皿２は振動する。こ
れにより、被処理物３も受皿２上で揺動運動や回転運動
などの自由運動をするので、スパッタ粒子５０は被処理
物３の全面に渡って堆積しながら成膜を行う。On the other hand, when the vibrator 16 is vibrated from the ultrasonic oscillator 18 via the wiring 17 and the power feeding slip ring 22, the main shaft 15 transmits the vibration and the tray 2 vibrates. As a result, the object 3 also moves freely on the pan 2 such as a swinging motion and a rotating motion, so that the sputtered particles 50 are deposited while being deposited on the entire surface of the object 3.
【００２８】この場合、長時間運転すると振動子１６及
び主軸１５が発熱して加熱されるが、冷却水２３により
常に振動子１６及び主軸１５は冷却されているので高温
になることはなくスパッタリング環境を維持しつつ連続
運転ができる。このように、本発明は、回転運動する受
皿２上で被処理物３を振動させながらスパッタリングし
ているので、被処理物同士が互いに重なりあったり接触
したりしたまま成膜することがなく、被処理物３の受皿
２への付着という問題を最小限に止めることができる。
したがって、被処理物３に欠損のない均一な薄膜を形成
して製品の歩留まりを向上させることができる。また、
従来のスパッタリング装置のような金網がないため、成
膜時間が短くなり、受皿２のクリーニングの回数は少な
くて済む。In this case, the oscillator 16 and the main shaft 15 are heated and heated when operated for a long time, but since the oscillator 16 and the main shaft 15 are always cooled by the cooling water 23, the oscillator 16 and the main shaft 15 do not reach a high temperature, and the sputtering environment is high. It is possible to operate continuously while maintaining. As described above, according to the present invention, since the object to be processed 3 is sputtered while being oscillated on the pan 2 which is rotating, the objects to be processed are not deposited while being overlapped or in contact with each other. It is possible to minimize the problem of adhesion of the object 3 to be processed to the tray 2.
Therefore, it is possible to improve the yield of products by forming a uniform thin film on the object 3 to be processed. Also,
Since there is no wire net unlike the conventional sputtering apparatus, the film forming time is shortened and the number of times of cleaning the tray 2 is small.
【００２９】更に、受皿２に被処理物３を多数載せるこ
とができるので、また他方式に見られるような被処理物
の挿入治具や取付治具を必要とせず成膜時間を短くでき
るので、稼動率も高くなり大量生産に適している。Further, since a large number of objects 3 to be processed can be placed on the tray 2, the time required for film formation can be shortened without the need for an insertion jig or an attachment jig for the objects to be processed as seen in other methods. The operating rate is high and it is suitable for mass production.
【００３０】図３は本発明の第２実施例に係る薄膜の形
成装置としてのスパッタリング装置６０の全体構造図で
ある。第１実施例のスパッタリング装置１が受皿２を回
転させる大量生産向けの装置であるのに対して、本第２
実施例のスパッタリング装置６０は、受皿６２を固定し
た少量生産向けの装置である。なお、第１実施例と同一
または相当部分には同一符号を付してその説明を省略す
る。FIG. 3 is an overall structural view of a sputtering apparatus 60 as a thin film forming apparatus according to the second embodiment of the present invention. While the sputtering apparatus 1 of the first embodiment is an apparatus for mass production in which the pan 2 is rotated, this second embodiment
The sputtering apparatus 60 of the embodiment is an apparatus for small-volume production in which the pan 62 is fixed. The same or corresponding parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【００３１】図示するように、内部１０が真空引きされ
る容器としての真空チャンバ６３は円筒形状をなしてお
り、その底板６４の中央部には主軸６５が縦方向に固定
されている。主軸６５の上端には複数の被処理物３を載
せる受皿６２が固定されている。主軸６５の下端部に
は、主軸６５及び受皿６２を振動させる振動源６６が取
付けられており、振動源６６は、真空チャンバ６３の外
部に設けられている。振動源６６の振動子１６と、配線
１７を介して振動子１６に超音波を出力する超音波発振
機１８は、第１実施例と同様の構成である。As shown in the figure, a vacuum chamber 63 as a container for evacuating the interior 10 has a cylindrical shape, and a main shaft 65 is vertically fixed to a central portion of a bottom plate 64 thereof. On the upper end of the main shaft 65, a tray 62 on which a plurality of workpieces 3 are placed is fixed. A vibration source 66 that vibrates the main shaft 65 and the tray 62 is attached to the lower end of the main shaft 65, and the vibration source 66 is provided outside the vacuum chamber 63. The oscillator 16 of the vibration source 66 and the ultrasonic oscillator 18 that outputs ultrasonic waves to the oscillator 16 via the wiring 17 have the same configuration as in the first embodiment.
【００３２】振動子１６及び振動により温度上昇する主
軸６５を冷却するために、冷却水ボックス１９が主軸６
５に取付けられており、水配管２４を介して冷却水２３
が冷却水ボックス１９に供給されたのち排水２３ａとし
て排出される。In order to cool the vibrator 16 and the main shaft 65 whose temperature rises due to vibration, the cooling water box 19 is installed in the main shaft 6.
5 is attached to the cooling water 23 through the water pipe 24.
Is supplied to the cooling water box 19 and then discharged as drainage 23a.
【００３３】主軸６５にはフランジ６７が固定されてお
り、フランジ６７は、真空チャンバ６３の底板６４に形
成された支持部材６８にボルト等の締結部材により締結
固定されている。フランジ６７と支持部材６８との間に
はＯリングパッキング６９が介装されており、これによ
り、主軸６５の振動が真空チャンバ６３に伝わらないよ
うにしている。A flange 67 is fixed to the main shaft 65, and the flange 67 is fastened and fixed to a support member 68 formed on the bottom plate 64 of the vacuum chamber 63 by a fastening member such as a bolt. An O-ring packing 69 is interposed between the flange 67 and the support member 68 to prevent the vibration of the main shaft 65 from being transmitted to the vacuum chamber 63.
【００３４】薄膜形成手段６は第１実施例と同様の構成
であるが、本実施例では受皿６２が回転しないので、受
皿６２の全体にスパッタ粒子５０を放出させるために、
陰極カソード４６、ターゲット４８及びシャッター５１
を真空チャンバ６３の中央部の受皿６２に対向するよう
に配設している。赤外線ランプからなる加熱ヒータ５２
は、受皿６２上の被処理物３の全体を加熱できるように
傾斜して真空チャンバ６３に取付けられている。The thin film forming means 6 has the same construction as that of the first embodiment, but in this embodiment the receiving tray 62 does not rotate, so that the sputtered particles 50 are discharged to the entire receiving tray 62.
Cathode Cathode 46, Target 48 and Shutter 51
Is arranged so as to face the saucer 62 in the central portion of the vacuum chamber 63. Heater 52 consisting of an infrared lamp
Is attached to the vacuum chamber 63 with an inclination so that the entire object 3 to be processed on the pan 62 can be heated.
【００３５】前記構成を有するスパッタリング装置６０
において、受皿６２全体に複数の被処理物３を載せ、振
動源６６により主軸６５を介して受皿６２を振動させれ
ば、被処理物３は受皿６２上で振動する。この状態で、
薄膜形成手段６によりスパッタ粒子５０をターゲット４
８の表面から放出させれば、スパッタ粒子５０は被処理
物３の表面に着膜し且つ堆積して成膜が行われる。ま
た、加熱ヒータ５２により被処理物３を加熱することに
より、水分除去と膜質改善がなされる。したがって、本
実施例においても、第１実施例と同様の作用効果を奏す
る。A sputtering apparatus 60 having the above structure
In FIG. 3, if a plurality of objects 3 to be processed are placed on the entire pan 62 and the saucer 62 is vibrated by the vibration source 66 via the main shaft 65, the object 3 to be processed vibrates on the pan 62. In this state,
The thin film forming means 6 targets the sputtered particles 50 to the target 4.
If it is released from the surface of 8, the sputtered particles 50 are deposited and deposited on the surface of the object to be processed 3 to form a film. Further, by heating the object 3 to be processed by the heater 52, water is removed and the film quality is improved. Therefore, also in the present embodiment, the same operational effect as that of the first embodiment is obtained.
【００３６】図４は本発明の第３実施例に係るスパッタ
リング装置８０を示す全体構造図である。このスパッタ
リング装置８０は、受皿８２及び主軸８３を固定し、陰
極カソード８４、ターゲット８５及び加熱ヒータ８６を
一体的に回転させる大量生産向けの装置である。なお、
第１，第２実施例と同一または相当部分には同一符号を
付してその説明を省略する。FIG. 4 is an overall structural view showing a sputtering apparatus 80 according to the third embodiment of the present invention. This sputtering device 80 is a device for mass production in which a pan 82 and a main shaft 83 are fixed and a cathode / cathode 84, a target 85 and a heater 86 are integrally rotated. In addition,
The same or corresponding parts as those of the first and second embodiments are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【００３７】内部１０が真空引きされる容器としての真
空チャンバ８７の底板８８のほぼ中央部には、主軸８３
が第２実施例と同様の構成により固定されている。主軸
８３の下端部には振動源６６が設けられており、主軸の
上端部には、多数の被処理物３を載せる円形の受皿８２
が固定されている。A main shaft 83 is provided at a substantially central portion of a bottom plate 88 of a vacuum chamber 87 as a container in which the inside 10 is evacuated.
Are fixed by the same structure as the second embodiment. A vibration source 66 is provided at the lower end of the main shaft 83, and a circular saucer 82 on which a large number of workpieces 3 are placed is provided at the upper end of the main shaft.
Is fixed.
【００３８】真空チャンバ８７には薄膜形成手段９０が
設けられており、図示しない駆動源によりシールド回転
シャフト９１を回転させている。シールド回転シャフト
９１は真空チャンバ８７の蓋板９２のほぼ中央部に設け
られている。蓋板９２にはセットボルト９３により軸受
９４がＯリングパッキング９４ａを介装させて固定され
ており、ボールベアリング９５とオイルシールまたは磁
気シール９６とを介してシールド回転シャフト９１が軸
受９４の内方に回転自在に支持されている。A thin film forming means 90 is provided in the vacuum chamber 87, and a shield rotation shaft 91 is rotated by a drive source (not shown). The shield rotation shaft 91 is provided at a substantially central portion of the cover plate 92 of the vacuum chamber 87. A bearing 94 is fixed to the lid plate 92 by a set bolt 93 with an O-ring packing 94a interposed therebetween, and the shield rotation shaft 91 is provided inside the bearing 94 via a ball bearing 95 and an oil seal or a magnetic seal 96. It is rotatably supported by.
【００３９】シールド回転シャフト９１の内方には、絶
縁材９７，９８を介して陰極カソード８４が固定され、
陰極カソード８４の下面にはターゲット８５が固定され
ている。ターゲット８５は受皿８２の中心から縁部１４
までの間の真上にくるように配置されており、シールド
回転シャフト９１とともにターゲット８５が回転すれ
ば、受皿８２上の被処理物３の全体に渡ってスパッタ粒
子５０が着膜するようにしている。シールド回転シャフ
ト９１には、ヒータ取付けプレート９９が固定されてお
り、ヒータ取付けプレート９９の下面には加熱ヒータ８
６が取付けられている。A cathode / cathode 84 is fixed to the inside of the shield rotation shaft 91 via insulating materials 97 and 98,
The target 85 is fixed to the lower surface of the cathode 84. The target 85 extends from the center of the saucer 82 to the edge 14
It is arranged so as to be right above between the two, and when the target 85 rotates together with the shield rotating shaft 91, the sputtered particles 50 are deposited on the whole of the object 3 to be processed on the tray 82. There is. A heater mounting plate 99 is fixed to the shield rotating shaft 91, and the heater 8 is mounted on the lower surface of the heater mounting plate 99.
6 is attached.
【００４０】陰極カソード８４の上部には冷却用の冷却
水ロータリージョイント１００が設けられており、冷却
水ロータリージョイント１００には水配管２４を介して
冷却水２３が流れるようになっている。更に、陰極カソ
ード８４の上部には給電スリップリング１０１が取付け
られており、ヒータ電源１０２から配線１０３及び給電
スリップリング１０１を介して加熱ヒータ８６に電流が
供給される。また、直流高電圧源または高周波源５４か
ら配線５３、給電スリップリング１０１を介して陰極カ
ソード８４に直流高電圧または高周波電圧が印加され
る。A cooling water rotary joint 100 for cooling is provided on the cathode cathode 84, and the cooling water 23 flows through the cooling water rotary joint 100 via a water pipe 24. Further, a power supply slip ring 101 is attached to the upper part of the cathode / cathode 84, and a current is supplied from the heater power supply 102 to the heater 86 via the wiring 103 and the power supply slip ring 101. Further, a DC high voltage or a high frequency voltage is applied from the DC high voltage source or the high frequency source 54 to the cathode cathode 84 via the wiring 53 and the power supply slip ring 101.
【００４１】このように本実施例のスパッタリング装置
８０は、シールド回転シャフト９１とともにターゲット
８５及び加熱ヒータ８６を矢印Ｒのように回転させたの
で、受皿８２をターゲットの面積と比較して大きくして
大量の被処理物３をスパッタリングすることができる。
操作手順は第１実施例と同様であり、第１，第２実施例
と同様の作用効果を奏する。As described above, in the sputtering apparatus 80 of this embodiment, since the target 85 and the heater 86 are rotated together with the shield rotating shaft 91 as shown by the arrow R, the pan 82 is made larger than the target area. A large amount of the object 3 to be processed can be sputtered.
The operation procedure is the same as that of the first embodiment, and the same operational effect as that of the first and second embodiments is obtained.
【００４２】図５は本発明の第１実施例及び第３実施例
に係る受皿とターゲットの配置を示す平面図、図６はそ
の受皿の正面断面図である。図示する受皿１１０におい
ては、円形状の底板１１１の外周縁部に、上方に突出す
る円環状の外方縁部１１２を一体的に取付け、またその
内方では、上方に突出する円環状の内方縁部１１３を底
板１１１に一体的に取付けている。そして両縁部１１
２，１１３に囲まれたドーナツ状の部分Ｓに被処理物３
を載せる。小型のターゲット４８をドーナツ状部分Ｓの
上方に対向するように配置して、第１実施例に示すよう
に受皿１１０を回転し且つ振動させれば、ターゲット４
８から受皿全体の被処理物３の表面にスパッタ粒子が着
膜して成膜が行われる。このようにすれば、小型のター
ゲット４８でも、その数倍以上の面積の受皿にある大量
の被処理物３を均一にスパッタリング成膜することがで
きる。FIG. 5 is a plan view showing the arrangement of the saucer and the target according to the first and third embodiments of the present invention, and FIG. 6 is a front sectional view of the saucer. In the illustrated tray 110, an annular outer edge portion 112 projecting upward is integrally attached to an outer peripheral edge portion of a circular bottom plate 111, and an inwardly projecting annular inner edge portion 112 is integrally mounted. The edge portion 113 is integrally attached to the bottom plate 111. And both edges 11
The to-be-processed object 3 is placed on the donut-shaped portion S surrounded by 2,113.
Put. If the small target 48 is arranged above the donut-shaped portion S so as to face the saucer 110 and is rotated and vibrated as shown in the first embodiment, the target 4
From 8 on, the sputtered particles are deposited on the surface of the object 3 to be processed on the entire pan to form a film. In this way, even with a small target 48, a large amount of the object 3 to be processed in the saucer having an area several times as large as that of the target 48 can be uniformly deposited by sputtering.
【００４３】図７は本発明における振動の動作を説明す
る構造図、図８は図７の詳細図である。なお、図示する
スパッタリング装置８０は第３実施例に係る装置である
が、第１，第２実施例のスパッタリング装置における振
動の動作もこれと同様である。FIG. 7 is a structural diagram for explaining the vibration operation of the present invention, and FIG. 8 is a detailed diagram of FIG. The illustrated sputtering apparatus 80 is the apparatus according to the third embodiment, but the vibration operation in the sputtering apparatus of the first and second embodiments is similar to this.
【００４４】上述のように本実施例においては、振動源
６６を真空チャンバ８７の外部に設けて、真空チャンバ
８７の内部１０に配設されている受皿８２を主軸８３を
介して振動させている。したがって、振動源６６からの
振動を真空チャンバ８７を振動させないで効率良く受皿
８２に伝える工夫が必要である。As described above, in this embodiment, the vibration source 66 is provided outside the vacuum chamber 87, and the pan 82 arranged inside the vacuum chamber 87 is vibrated via the main shaft 83. . Therefore, it is necessary to devise a method for efficiently transmitting the vibration from the vibration source 66 to the tray 82 without vibrating the vacuum chamber 87.
【００４５】すなわち、超音波発振機１８から出力され
る信号により振動子１６が振動すると振幅Ｗの定在波１
２０が主軸８３から受皿８２に発生する。振動は主軸８
３を伝わって受皿８２を振動させるが、定在波の節及び
腹部は、振動子１６の周波数によって決まる。このと
き、超音波発振機１８の周波数を調整し、図８に示すよ
うに主軸８３の長手方向中央部１２１は定在波１２０の
節となって振動せず、この中央部１２１を中心に長手方
向両端に向かって定在波１２０は腹となるようにする。That is, when the oscillator 16 vibrates by the signal output from the ultrasonic oscillator 18, the standing wave 1 with the amplitude W is generated.
20 is generated on the tray 82 from the main shaft 83. Vibration is spindle 8
3, the saucer 82 is vibrated, and the node and the abdomen of the standing wave are determined by the frequency of the vibrator 16. At this time, the frequency of the ultrasonic oscillator 18 is adjusted so that the central portion 121 of the main shaft 83 in the longitudinal direction becomes a node of the standing wave 120 and does not vibrate, as shown in FIG. The standing wave 120 is made antinode toward both ends in the direction.
【００４６】したがって、節となる主軸８３の中央部１
２１またはその他の節となる部分にフランジ６７を設
け、このフランジ６７を真空チャンバ８７に固定すれ
ば、振動子１６から発生した振動の定在波１２０は主軸
８３の下端部から上端部に効率良く伝わる。そして、主
軸８３の上端部の先端ホーン部１２２から受皿８２で定
在波の腹部１２３になって受皿８２を振動させる。これ
により被処理物３が回転運動や揺動運動などの自由運動
をする。なお、被処理物３が均等な運動をするために
は、受皿８２には適切な寸法及び形状が必要であり、ま
た振動の強弱については、主軸８３の直径、先端ホーン
部１２２の形状及び超音波発振機１８の出力の調節によ
って決まる。Therefore, the central portion 1 of the main shaft 83 serving as a node
If a flange 67 is provided on the portion 21 or other node and the flange 67 is fixed to the vacuum chamber 87, the standing wave 120 of the vibration generated from the vibrator 16 is efficiently transferred from the lower end of the main shaft 83 to the upper end. It is transmitted. Then, from the tip horn 122 at the upper end of the main shaft 83, the saucer 82 becomes the abdomen 123 of the standing wave and vibrates the saucer 82. As a result, the object to be processed 3 makes a free movement such as a rotational movement or a swinging movement. In addition, in order for the object 3 to be uniformly moved, the tray 82 needs to have an appropriate size and shape, and regarding the strength and weakness of the vibration, the diameter of the main shaft 83, the shape of the tip horn portion 122, and the shape of the tip horn portion 122. It depends on the adjustment of the output of the sonic oscillator 18.
【００４７】なお、以上の実施例はスパッタリング装置
について説明されているが、真空蒸着装置についても同
様に適用可能である。又、各図中同一符号は同一又は相
当部分を示す。Although the above embodiments have been described with respect to the sputtering apparatus, they can be similarly applied to a vacuum vapor deposition apparatus. Further, the same reference numerals in the respective drawings indicate the same or corresponding parts.
【００４８】[0048]
【発明の効果】本発明は上述のように構成したので、被
処理物に欠損のない均一な薄膜を形成して製品の歩留ま
りを向上させることができ、また連続運転や大量生産が
できる。Since the present invention is configured as described above, it is possible to form a uniform thin film without defects on an object to be processed and improve the yield of products, and it is possible to perform continuous operation and mass production.
【図１】本発明の第１実施例に係る薄膜の形成装置を示
す全体構成図である。FIG. 1 is an overall configuration diagram showing a thin film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１の部分詳細図である。FIG. 2 is a partial detailed view of FIG.
【図３】本発明の第２実施例に係る薄膜の形成装置を示
す全体構成図である。FIG. 3 is an overall configuration diagram showing a thin film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第３実施例に係る薄膜の形成装置を示
す全体構成図である。FIG. 4 is an overall configuration diagram showing a thin film forming apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１実施例及び第３実施例に係る受皿
の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a tray according to the first and third embodiments of the present invention.
【図６】図５の正面断面図である。FIG. 6 is a front cross-sectional view of FIG.
【図７】本発明における振動の動作を説明する構造図で
ある。FIG. 7 is a structural diagram illustrating a vibration operation according to the present invention.
【図８】図７の詳細図である。FIG. 8 is a detailed view of FIG. 7.
１，６０，８０ 薄膜の形成装置（スパッタリング装
置） ２，６２，８２，１１０ 受皿 ３ 被処理物 ４，６３，８７ 真空チャンバ（容器） ５，６６ 振動源 ６，９０ 薄膜形成手段 １０ 容器の内部1,60,80 Thin film forming apparatus (sputtering apparatus) 2,62,82,110 Receiving tray 3 Processing object 4,63,87 Vacuum chamber (container) 5,66 Vibration source 6,90 Thin film forming means 10 Inside of container
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土本 正博 兵庫県神戸市西区高塚台３丁目１番35号 神港精機株式会社内 (72)発明者 野間 正男 兵庫県神戸市西区高塚台３丁目１番35号 神港精機株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Masahiro Tsuchimoto 3-135 Takazukadai, Nishi-ku, Kobe-shi, Hyogo Inside Shinko Seiki Co., Ltd. (72) Masao Noma 3-chome Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe-shi, Hyogo No. 1-35 Shinko Seiki Co., Ltd.
Claims (5)
複数の被処理物を載せ、前記容器の外部の単数及び複数
の振動源により前記受皿を振動させながら前記被処理物
に薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。1. A container is provided inside a container, a plurality of objects to be processed are placed on the plate, and a thin film is formed on the object while vibrating the plate by a single and a plurality of vibration sources outside the container. Forming a thin film.
部品及び粉体物であることを特徴とする請求項１記載の
薄膜の形成方法。2. The method for forming a thin film according to claim 1, wherein the object to be processed is an electronic part, other small parts, and a powder material.
内部に配設されて複数の被処理物を載せる受皿と、前記
容器の外部に設けられて前記受皿を振動させる振動源
と、前記容器に設けられて前記被処理物に薄膜を形成す
る薄膜形成手段とを備えたことを特徴とする薄膜の形成
装置。3. A container whose inside is evacuated, a pan disposed inside the container for placing a plurality of objects to be processed, a vibration source provided outside the container for vibrating the pan, A thin film forming apparatus, comprising: a thin film forming means provided in a container to form a thin film on the object to be processed.
介して振動を前記受皿に伝達し、前記主軸は振動伝達の
定在波の節部分で前記内部が真空引きされる容器に真空
封止されていることを特徴とする請求項３記載の薄膜の
形成装置。4. The vibration source transmits vibration to the saucer via a spindle supporting the saucer, and the spindle is vacuum sealed in a container whose inside is evacuated at a node portion of a standing wave of vibration transmission. The thin film forming apparatus according to claim 3, wherein the thin film forming apparatus is stopped.
部分を有する円板状の金属製の底板からなり、該受皿の
中心は前記主軸に支持され回転可能となっており、前記
外周縁部と内周縁部間に被処理物が載せられ該外周縁部
と内周縁部間の受皿の一部分が前記薄膜形成手段のター
ゲットと対向するように配置されていることを特徴とす
る請求項４記載の薄膜の形成装置。5. The saucer comprises a disc-shaped metal bottom plate having protruding portions on the outer peripheral edge and the inner peripheral edge, and the center of the saucer is supported by the main shaft and is rotatable. An object to be processed is placed between the outer peripheral edge portion and the inner peripheral edge portion, and a part of the pan between the outer peripheral edge portion and the inner peripheral edge portion is arranged so as to face the target of the thin film forming means. Item 4. A thin film forming apparatus according to item 4.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP5194328A JP2592396B2 (en) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | Thin film forming equipment |
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| JPH0726379A true JPH0726379A (en) | 1995-01-27 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2592396B2 (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280306A (en) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Japan Science & Technology Corp | Substrate-rotating and heating device and film growth device using the same, and analyzer |
| JP2004321973A (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Sony Corp | Manufacture apparatus and vibration apparatus of conductive catalyst particle |
| JP2005068449A (en) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Japan Science & Technology Agency | Laser ablation film-forming apparatus provided with high-speed rotating blade type filter |
| JP2005334685A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Takayuki Abe | Fine particle |
| JP2006022176A (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Takayuki Abe | Coated microparticle |
| JP2006183098A (en) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Neomax Co Ltd | Method for forming vapor deposition film |
| JP2019530798A (en) * | 2016-09-16 | 2019-10-24 | ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ | Particle coating by atomic layer deposition (ALD) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641375A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sputtering apparatus |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP5194328A patent/JP2592396B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641375A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sputtering apparatus |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280306A (en) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Japan Science & Technology Corp | Substrate-rotating and heating device and film growth device using the same, and analyzer |
| JP2004321973A (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Sony Corp | Manufacture apparatus and vibration apparatus of conductive catalyst particle |
| JP2005068449A (en) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Japan Science & Technology Agency | Laser ablation film-forming apparatus provided with high-speed rotating blade type filter |
| JP2005334685A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Takayuki Abe | Fine particle |
| JP2006022176A (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Takayuki Abe | Coated microparticle |
| JP2006183098A (en) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Neomax Co Ltd | Method for forming vapor deposition film |
| JP2019530798A (en) * | 2016-09-16 | 2019-10-24 | ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ | Particle coating by atomic layer deposition (ALD) |
| US11261526B2 (en) | 2016-09-16 | 2022-03-01 | Picosun Oy | Particle coating |
| JP2022095904A (en) * | 2016-09-16 | 2022-06-28 | ピコサン オーワイ | Particle coating by atomic layer deposition (ald) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2592396B2 (en) | 1997-03-19 |
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