JPH07263570A - 誘電体装置の製造方法 - Google Patents
誘電体装置の製造方法Info
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- JPH07263570A JPH07263570A JP6047488A JP4748894A JPH07263570A JP H07263570 A JPH07263570 A JP H07263570A JP 6047488 A JP6047488 A JP 6047488A JP 4748894 A JP4748894 A JP 4748894A JP H07263570 A JPH07263570 A JP H07263570A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンデンサ等の誘電体装置の製造方法に関
し、電極形成時に生じる酸化物高誘電体の酸素欠陥を抑
制してキャリア濃度を低減し、また、良好なショットキ
障壁を有する酸化物高誘電体と電極との界面を形成し
て、絶縁性が高く、かつ容量密度が大きい誘電体装置を
提供する。 【構成】 下部電極１の上に形成した酸化物高誘電体膜
２の上に上部電極３を形成する工程において、Ｐｔ，Ａ
ｕ等の貴金属を酸素を含む雰囲気中で、投入電力を３Ｗ
／ｃｍ2 以下に制限してスパッタする。また、この電極
をＴｉ等高融点金属の窒化物とし、その成長初期に酸素
をスパッタガス中に導入し、かつ、投入電力を２Ｗ／ｃ
ｍ2 以下に制限してスパッタする。酸素プラズマ処理に
より酸化物高誘電体表面の清浄化を行った後、連続して
前記の方法で電極を形成する。酸素雰囲気中で蒸着によ
って電極を形成することもできる。
し、電極形成時に生じる酸化物高誘電体の酸素欠陥を抑
制してキャリア濃度を低減し、また、良好なショットキ
障壁を有する酸化物高誘電体と電極との界面を形成し
て、絶縁性が高く、かつ容量密度が大きい誘電体装置を
提供する。 【構成】 下部電極１の上に形成した酸化物高誘電体膜
２の上に上部電極３を形成する工程において、Ｐｔ，Ａ
ｕ等の貴金属を酸素を含む雰囲気中で、投入電力を３Ｗ
／ｃｍ2 以下に制限してスパッタする。また、この電極
をＴｉ等高融点金属の窒化物とし、その成長初期に酸素
をスパッタガス中に導入し、かつ、投入電力を２Ｗ／ｃ
ｍ2 以下に制限してスパッタする。酸素プラズマ処理に
より酸化物高誘電体表面の清浄化を行った後、連続して
前記の方法で電極を形成する。酸素雰囲気中で蒸着によ
って電極を形成することもできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物高誘電体を用い
たキャパシタ等の誘電体装置の製造方法に関する。Ｓｒ
ＴｉＯ3 ，ＢａＴｉＯ3 ，ＰＺＴ等の酸化物高誘電体は
その誘電率がＳｉＯ2 の５０倍以上であり、これを誘電
体膜として用いることによってキャパシタの容量密度を
大きくすることができ、２５６Ｍｂｉｔ以降のＤＲＡＭ
における微細化、あるいはＩＣチップ内に組み込むため
の大容量コンデンサ等の実現に不可欠の材料である。こ
れらの応用分野において、高誘電体膜に対しては高い容
量密度とともにリーク電流の低減と絶縁破壊電圧を向上
することが求められている。
たキャパシタ等の誘電体装置の製造方法に関する。Ｓｒ
ＴｉＯ3 ，ＢａＴｉＯ3 ，ＰＺＴ等の酸化物高誘電体は
その誘電率がＳｉＯ2 の５０倍以上であり、これを誘電
体膜として用いることによってキャパシタの容量密度を
大きくすることができ、２５６Ｍｂｉｔ以降のＤＲＡＭ
における微細化、あるいはＩＣチップ内に組み込むため
の大容量コンデンサ等の実現に不可欠の材料である。こ
れらの応用分野において、高誘電体膜に対しては高い容
量密度とともにリーク電流の低減と絶縁破壊電圧を向上
することが求められている。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化物高誘電体の上に電極として
金属をスパッタする場合、このスパッタによって誘電体
表面が損傷を受けて、酸素欠陥を生じるために誘電体の
絶縁性が劣化するという問題があり、また、一方、誘電
体の表面の損傷を避けるために真空蒸着によって低エネ
ルギーで金属を蒸着すると、誘電体の表面に大気との反
応によって形成されている誘電率の低い層が除去されな
いため、全体の誘電率を下げてしまうという問題があっ
た。
金属をスパッタする場合、このスパッタによって誘電体
表面が損傷を受けて、酸素欠陥を生じるために誘電体の
絶縁性が劣化するという問題があり、また、一方、誘電
体の表面の損傷を避けるために真空蒸着によって低エネ
ルギーで金属を蒸着すると、誘電体の表面に大気との反
応によって形成されている誘電率の低い層が除去されな
いため、全体の誘電率を下げてしまうという問題があっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来は、
絶縁性の問題と、表面の低誘電体層の問題を同時に解決
することが困難であった。
絶縁性の問題と、表面の低誘電体層の問題を同時に解決
することが困難であった。
【０００４】本発明は、電極形成時に生じる酸化物高誘
電体中の酸素欠陥を抑制してキャリア濃度を低減し、ま
た、良好なショットキ障壁を有する酸化物高誘電体と電
極との界面を形成して、絶縁性が高く、かつ容量密度の
大きいキャパシタ等の誘電体装置を製造する方法を提供
することを目的とする。
電体中の酸素欠陥を抑制してキャリア濃度を低減し、ま
た、良好なショットキ障壁を有する酸化物高誘電体と電
極との界面を形成して、絶縁性が高く、かつ容量密度の
大きいキャパシタ等の誘電体装置を製造する方法を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる誘電体装
置の製造方法においては、酸化物高誘電体の上に電極を
形成する工程において、貴金属を酸素を含むガス雰囲気
中で、投入電力を３Ｗ／ｃｍ2 以下に制限してスパッタ
する工程を採用した。この場合、貴金属の電極材料がＰ
ｔまたはＡｕとすることができる。
置の製造方法においては、酸化物高誘電体の上に電極を
形成する工程において、貴金属を酸素を含むガス雰囲気
中で、投入電力を３Ｗ／ｃｍ2 以下に制限してスパッタ
する工程を採用した。この場合、貴金属の電極材料がＰ
ｔまたはＡｕとすることができる。
【０００６】また本発明にかかる他の誘電体装置の製造
方法においては、酸化物高誘電体の上に電極を形成する
工程において、電極の材料をＴｉ等高融点金属の窒化物
とし、成長初期に酸素をスパッタガス中に導入し、か
つ、投入電力を２Ｗ／ｃｍ2 以下に制限してスパッタす
る工程を採用した。
方法においては、酸化物高誘電体の上に電極を形成する
工程において、電極の材料をＴｉ等高融点金属の窒化物
とし、成長初期に酸素をスパッタガス中に導入し、か
つ、投入電力を２Ｗ／ｃｍ2 以下に制限してスパッタす
る工程を採用した。
【０００７】これらの場合、酸素プラズマ処理により酸
化物高誘電体表面の清浄化を行った後、連続して電極を
形成することができる。また、スパッタの代わりに低圧
の酸素雰囲気下での蒸着により電極を形成することもで
きる。
化物高誘電体表面の清浄化を行った後、連続して電極を
形成することができる。また、スパッタの代わりに低圧
の酸素雰囲気下での蒸着により電極を形成することもで
きる。
【０００８】
【作用】ＳｒＴｉＯ3 ，ＢａＴｉＯ3 等の酸化物高誘電
体のバルク材料は、従来セラミックバリスタとして用い
られており、一定の値以上の電圧（しきい値電圧）が印
加されると、急激に電流を流し始める性質を有する。
体のバルク材料は、従来セラミックバリスタとして用い
られており、一定の値以上の電圧（しきい値電圧）が印
加されると、急激に電流を流し始める性質を有する。
【０００９】この特性は酸化物高誘電体の結晶粒界、ま
たは酸化物高誘電体と電極の界面の物性的性質に由来す
るものであり、特に薄膜の場合には、主に後者のショッ
トキ障壁によって電流が制限される。
たは酸化物高誘電体と電極の界面の物性的性質に由来す
るものであり、特に薄膜の場合には、主に後者のショッ
トキ障壁によって電流が制限される。
【００１０】図７は、酸化物高誘電体と電極の界面のシ
ョットキ障壁の説明図である。ここに示されているよう
に、酸化物高誘電体と電極の界面にはショットキ障壁が
形成されているため、特に、電極から酸化物高誘電体へ
の電子の流れを阻止している。
ョットキ障壁の説明図である。ここに示されているよう
に、酸化物高誘電体と電極の界面にはショットキ障壁が
形成されているため、特に、電極から酸化物高誘電体へ
の電子の流れを阻止している。
【００１１】ところが、電極をスパッタによって形成す
ると、酸化物高誘電体表面付近の酸素原子がたたき出さ
れ、酸素欠陥が生じ、これが酸化物高誘電体中でドナー
となり、キャリア濃度の増大をもたらす。その結果、酸
化物高誘電体と電極の間の抵抗率が低下し、また酸化物
高誘電体と電極との接合がショットキ障壁を失ってオー
ミックになるため電流が制限されず、リーク電流が増加
する。
ると、酸化物高誘電体表面付近の酸素原子がたたき出さ
れ、酸素欠陥が生じ、これが酸化物高誘電体中でドナー
となり、キャリア濃度の増大をもたらす。その結果、酸
化物高誘電体と電極の間の抵抗率が低下し、また酸化物
高誘電体と電極との接合がショットキ障壁を失ってオー
ミックになるため電流が制限されず、リーク電流が増加
する。
【００１２】これに対して、本発明においては、電極形
成による酸化物高誘電体表面の酸素欠陥を防ぐために、
電極を形成するためのスパッタを酸素を含む雰囲気中
で、その投入電力を３Ｗ／ｃｍ2 以下に制限して行う。
成による酸化物高誘電体表面の酸素欠陥を防ぐために、
電極を形成するためのスパッタを酸素を含む雰囲気中
で、その投入電力を３Ｗ／ｃｍ2 以下に制限して行う。
【００１３】これによって、酸化物高誘電体の表面付近
に酸素欠陥が発生せず、キャリア濃度が低く保たれ、シ
ョットキ障壁により電流が制限され、また、酸化物高誘
電体の抵抗率の増加により接合にかかる電圧が低下する
ため、ショットキ障壁が破壊され難くなる。また、酸化
物高誘電体の表面の低誘電率層は、低パワーのスパッタ
によっても除去されるため、蒸着によって電極を形成し
た従来のキャパシタ等の誘電体装置にみられるような見
かけの誘電率の低下の問題も解決される。
に酸素欠陥が発生せず、キャリア濃度が低く保たれ、シ
ョットキ障壁により電流が制限され、また、酸化物高誘
電体の抵抗率の増加により接合にかかる電圧が低下する
ため、ショットキ障壁が破壊され難くなる。また、酸化
物高誘電体の表面の低誘電率層は、低パワーのスパッタ
によっても除去されるため、蒸着によって電極を形成し
た従来のキャパシタ等の誘電体装置にみられるような見
かけの誘電率の低下の問題も解決される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （第１実施例）図１は、第１実施例のキャパシタの構成
説明図である。この図の１は下部電極、２は酸化物高誘
電体膜、３は上部電極である。
説明図である。この図の１は下部電極、２は酸化物高誘
電体膜、３は上部電極である。
【００１５】この実施例のキャパシタは、白金（Ｐｔ）
からなる下部電極１の上に厚さ１０００〜２０００Åの
ＳｒＴｉＯ3 からなる酸化物高誘電体膜２をスパッタに
よって堆積した後、１気圧の大気（酸素）中で４００
℃、３０分間のアニールを施し、その上に上部電極３と
して厚さ１０００Åの白金（Ｐｔ）を酸素を含むガス雰
囲気（Ａｒ：４．５ｍＴｏｒｒ，Ｏ2 ：０．５ｍＴｏｒ
ｒ）中で、２Ｗ／ｃｍ2の投入電力でスパッタして形成
される。
からなる下部電極１の上に厚さ１０００〜２０００Åの
ＳｒＴｉＯ3 からなる酸化物高誘電体膜２をスパッタに
よって堆積した後、１気圧の大気（酸素）中で４００
℃、３０分間のアニールを施し、その上に上部電極３と
して厚さ１０００Åの白金（Ｐｔ）を酸素を含むガス雰
囲気（Ａｒ：４．５ｍＴｏｒｒ，Ｏ2 ：０．５ｍＴｏｒ
ｒ）中で、２Ｗ／ｃｍ2の投入電力でスパッタして形成
される。
【００１６】図２は、第１実施例のキャパシタのリーク
電流特性図である。この図には、この実施例のキャパシ
タのリーク電流特性ａの他に、上部電極をスパッタする
際の投入電力は２Ｗ／ｃｍ2 であるが、酸素ガスを導入
しなかった場合ｂと、酸素ガスを導入するが、スパッタ
する際の投入電力が５Ｗ／ｃｍ2 と高い場合ｃを比較の
ため示している。
電流特性図である。この図には、この実施例のキャパシ
タのリーク電流特性ａの他に、上部電極をスパッタする
際の投入電力は２Ｗ／ｃｍ2 であるが、酸素ガスを導入
しなかった場合ｂと、酸素ガスを導入するが、スパッタ
する際の投入電力が５Ｗ／ｃｍ2 と高い場合ｃを比較の
ため示している。
【００１７】Ａｒ＋Ｏ2 中でかつ低電力でスパッタした
この実施例のキャパシタのリーク電流は、特に負バイア
ス側のリーク電流が少ないことが示されている。これは
上部電極界面付近の酸素欠陥が減少するためにショット
キ障壁を生じ、逆方向の電流を制限するためと考えられ
る。
この実施例のキャパシタのリーク電流は、特に負バイア
ス側のリーク電流が少ないことが示されている。これは
上部電極界面付近の酸素欠陥が減少するためにショット
キ障壁を生じ、逆方向の電流を制限するためと考えられ
る。
【００１８】図３は、従来の酸化物高誘電体膜の酸素濃
度分布説明図である。この図は、上部電極を形成する際
に酸素ガスを導入しないでＡｒのみの雰囲気中でスパッ
タした試料の酸素分布のＳＩＭＳによる測定結果を示し
ている。
度分布説明図である。この図は、上部電極を形成する際
に酸素ガスを導入しないでＡｒのみの雰囲気中でスパッ
タした試料の酸素分布のＳＩＭＳによる測定結果を示し
ている。
【００１９】図４は、第１実施例の酸化物高誘電体膜の
酸素濃度分布説明図である。この図は、この実施例の製
造方法にしたがって、上部電極を形成する際に酸素ガス
を導入したＡｒ雰囲気中でスパッタした試料の酸素分布
のＳＩＭＳによる測定結果を示している。
酸素濃度分布説明図である。この図は、この実施例の製
造方法にしたがって、上部電極を形成する際に酸素ガス
を導入したＡｒ雰囲気中でスパッタした試料の酸素分布
のＳＩＭＳによる測定結果を示している。
【００２０】図４によると、酸化物高誘電体膜２と上部
電極３の界面に酸素がパイルアップされて酸素濃度が高
くなっていることがわかる。この実施例においては投入
電力を２Ｗ／ｃｍ2 としたが、３Ｗ／ｃｍ2 以下であれ
ば前記とほぼ同様の効果を奏する。
電極３の界面に酸素がパイルアップされて酸素濃度が高
くなっていることがわかる。この実施例においては投入
電力を２Ｗ／ｃｍ2 としたが、３Ｗ／ｃｍ2 以下であれ
ば前記とほぼ同様の効果を奏する。
【００２１】（第２実施例）この実施例の酸化物高誘電
体の製造方法においては、上部電極としてＰｔあるいは
Ａｕに代えてＴｉＮを用いる。第１実施例のキャパシタ
と同様に、下部電極と誘電体膜を形成した後、上部電極
をＴｉターゲットを用い、酸素を含むガス（Ａｒ：３．
８ｍＴｏｒｒ，Ｎ2 ：０．８ｍＴｏｒｒ，Ｏ2 ：０．５
ｍＴｏｒｒ）中で、１．２Ｗ／ｃｍ2 でＴｉＯＮ膜を２
００Å成長し、次いで、酸素の供給を停止して、５Ｗ／
ｃｍ2 でＴｉＮ膜を８００Å成長する。
体の製造方法においては、上部電極としてＰｔあるいは
Ａｕに代えてＴｉＮを用いる。第１実施例のキャパシタ
と同様に、下部電極と誘電体膜を形成した後、上部電極
をＴｉターゲットを用い、酸素を含むガス（Ａｒ：３．
８ｍＴｏｒｒ，Ｎ2 ：０．８ｍＴｏｒｒ，Ｏ2 ：０．５
ｍＴｏｒｒ）中で、１．２Ｗ／ｃｍ2 でＴｉＯＮ膜を２
００Å成長し、次いで、酸素の供給を停止して、５Ｗ／
ｃｍ2 でＴｉＮ膜を８００Å成長する。
【００２２】図５は、第２実施例のキャパシタのリーク
電流特性図である。この図には、この実施例のキャパシ
タのリーク電流特性ａの他に、上部電極をスパッタする
際の投入電力は１．２Ｗ／ｃｍ2 であるが、その初期段
階で酸素ガスを導入しなかった場合ｂと、酸素ガスを導
入するが、スパッタする際の投入電力が５Ｗ／ｃｍ2 と
高い場合ｃを比較のため示している。
電流特性図である。この図には、この実施例のキャパシ
タのリーク電流特性ａの他に、上部電極をスパッタする
際の投入電力は１．２Ｗ／ｃｍ2 であるが、その初期段
階で酸素ガスを導入しなかった場合ｂと、酸素ガスを導
入するが、スパッタする際の投入電力が５Ｗ／ｃｍ2 と
高い場合ｃを比較のため示している。
【００２３】Ａｒ＋Ｏ2 ＋Ｎ2 雰囲気中で、かつ低電力
でスパッタしたこの実施例のキャパシタのリーク電流
は、比較のため示した他の条件で製造したキャパシタよ
り特に負バイアス側のリーク電流が少ないことが示され
ている。
でスパッタしたこの実施例のキャパシタのリーク電流
は、比較のため示した他の条件で製造したキャパシタよ
り特に負バイアス側のリーク電流が少ないことが示され
ている。
【００２４】この図において、ａ，ｂ，ｃのスパッタに
よってＴｉＯＮあるいはＴｉＮを形成した後、酸素を含
むガス（Ａｒ：３．８ｍＴｏｒｒ，Ｎ2 ：０．８ｍＴｏ
ｒｒ，Ｏ2 ：０．５ｍＴｏｒｒ）中で、投入電力を５Ｗ
／ｃｍ2 に上げてＴｉＯＮを形成しているのは、低電力
の投入によってＴｉＯＮを形成する際の成長速度が小さ
いため、投入電力を上げて電極としての厚さを短時間に
得るためである。
よってＴｉＯＮあるいはＴｉＮを形成した後、酸素を含
むガス（Ａｒ：３．８ｍＴｏｒｒ，Ｎ2 ：０．８ｍＴｏ
ｒｒ，Ｏ2 ：０．５ｍＴｏｒｒ）中で、投入電力を５Ｗ
／ｃｍ2 に上げてＴｉＯＮを形成しているのは、低電力
の投入によってＴｉＯＮを形成する際の成長速度が小さ
いため、投入電力を上げて電極としての厚さを短時間に
得るためである。
【００２５】この実施例においては、酸化物高誘電体の
上にＴｉの窒化物をスパッタによって形成する際、成長
初期に酸素を導入して投入電力を１．２Ｗ／ｃｍ2 とし
たが、投入電力を２Ｗ／ｃｍ2 以下に制限すると前記の
ほぼ同様の効果を奏する。
上にＴｉの窒化物をスパッタによって形成する際、成長
初期に酸素を導入して投入電力を１．２Ｗ／ｃｍ2 とし
たが、投入電力を２Ｗ／ｃｍ2 以下に制限すると前記の
ほぼ同様の効果を奏する。
【００２６】（第３実施例）この実施例の酸化物高誘電
体の製造方法においては、上部電極をスパッタによら
ず、低圧の酸素中での蒸着によって形成する。
体の製造方法においては、上部電極をスパッタによら
ず、低圧の酸素中での蒸着によって形成する。
【００２７】図６は、第３実施例のキャパシタのリーク
電流特性図である。この図には、１×１０-7Ｔｏｒｒ程
度の高真空および１×１０-2Ｔｏｒｒ程度の低真空下で
金を蒸着して上部電極を形成したキャパシタのリーク電
流特性を示している。
電流特性図である。この図には、１×１０-7Ｔｏｒｒ程
度の高真空および１×１０-2Ｔｏｒｒ程度の低真空下で
金を蒸着して上部電極を形成したキャパシタのリーク電
流特性を示している。
【００２８】上部電極を蒸着法によって形成した場合
は、スパッタによって形成した場合のような酸化物高誘
電体の表面の損傷が少ないため、負バイアス側のリーク
電流は小さいが、従来の高真空中で真空蒸着した酸化物
高誘電体のみかけの比誘電率がε＝１０４と低くなって
いる。
は、スパッタによって形成した場合のような酸化物高誘
電体の表面の損傷が少ないため、負バイアス側のリーク
電流は小さいが、従来の高真空中で真空蒸着した酸化物
高誘電体のみかけの比誘電率がε＝１０４と低くなって
いる。
【００２９】これは、酸化物高誘電体の上層に低誘電率
層が形成され、この低誘電率層が除去されていないため
と考えられる。これに対して、０．０１（１×１０-2）
Ｔｏｒｒの酸素雰囲気中で蒸着を行った場合にはリーク
電流に変化がなく、誘電率がε＝１８７となり、この低
真空下における蒸着工程が表面層を除去する効果を有す
ることを示している。この場合、１×１０-3〜１×１０
-1Ｔｏｒｒの範囲の酸素雰囲気中で蒸着しても上記とほ
ぼ同様の効果を生じた。
層が形成され、この低誘電率層が除去されていないため
と考えられる。これに対して、０．０１（１×１０-2）
Ｔｏｒｒの酸素雰囲気中で蒸着を行った場合にはリーク
電流に変化がなく、誘電率がε＝１８７となり、この低
真空下における蒸着工程が表面層を除去する効果を有す
ることを示している。この場合、１×１０-3〜１×１０
-1Ｔｏｒｒの範囲の酸素雰囲気中で蒸着しても上記とほ
ぼ同様の効果を生じた。
【００３０】同様に、前述の上部電極をスパッタによっ
て形成する場合にも、酸化物高誘電体の表面に損傷を与
えない範囲で、低誘電率層を除去する効果があるものと
考えられる。さらに、酸化物高誘電体の表面を酸素プラ
ズマによって処理（室温、Ｏ2 ：０．２Ｔｏｒｒ、３〜
４Ｗ／ｃｍ2 、５分）した後に、上部電極を形成するこ
とによってこの効果を高めることができる。
て形成する場合にも、酸化物高誘電体の表面に損傷を与
えない範囲で、低誘電率層を除去する効果があるものと
考えられる。さらに、酸化物高誘電体の表面を酸素プラ
ズマによって処理（室温、Ｏ2 ：０．２Ｔｏｒｒ、３〜
４Ｗ／ｃｍ2 、５分）した後に、上部電極を形成するこ
とによってこの効果を高めることができる。
【００３１】
【発明の効果】以上発明したように、本発明によると、
電極形成時に酸化物高誘電体中に生じる酸素欠陥を抑制
する手段を講じることによって、実用電圧範囲でリーク
電流を低く抑えることができるため、酸化物高誘電体の
ＤＲＡＭへの応用の実現に寄与するところが大きい。
電極形成時に酸化物高誘電体中に生じる酸素欠陥を抑制
する手段を講じることによって、実用電圧範囲でリーク
電流を低く抑えることができるため、酸化物高誘電体の
ＤＲＡＭへの応用の実現に寄与するところが大きい。
【図１】第１実施例のキャパシタの構成説明図である。
【図２】第１実施例のキャパシタのリーク電流特性図で
ある。
ある。
【図３】従来の酸化物高誘電体膜の酸素濃度分布説明図
である。
である。
【図４】第１実施例の酸化物高誘電体膜の酸素濃度分布
説明図である。
説明図である。
【図５】第２実施例のキャパシタのリーク電流特性図で
ある。
ある。
【図６】第３実施例のキャパシタのリーク電流特性図で
ある。
ある。
【図７】酸化物高誘電体と電極の界面のショットキ障壁
の説明図である。
の説明図である。
１ 下部電極 ２ 酸化物高誘電体膜 ３ 上部電極
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/34 Ｎ 8414−4Ｋ Ｈ０１Ｇ 4/33 Ｈ０１Ｌ 21/31 27/04 21/822 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｄ 27/04 Ｃ
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化物高誘電体の上に電極を形成する工
程において、貴金属を酸素を含むガス雰囲気中で、投入
電力を３Ｗ／ｃｍ2 以下に制限してスパッタすることを
特徴とする誘電体装置の製造方法。 - 【請求項２】 貴金属の電極材料がＰｔまたはＡｕであ
ることを特徴とする請求項１に記載された誘電体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 酸化物高誘電体の上に電極を形成する工
程において、電極の材料をＴｉ等高融点金属の窒化物と
し、成長初期に酸素をスパッタガス中に導入し、かつ、
投入電力を２Ｗ／ｃｍ2 以下に制限してスパッタするこ
とを特徴とする誘電体装置の製造方法。 - 【請求項４】 酸素プラズマ処理により酸化物高誘電体
表面の清浄化を行った後、連続して請求項１から請求項
３までのいずれか１項に記載された方法で電極を形成す
ることを特徴とする誘電体装置の製造方法。 - 【請求項５】 スパッタの代わりに低圧の酸素雰囲気下
での蒸着により電極を形成することを特徴とする請求項
１、請求項２、請求項４のいずれか１項に記載された誘
電体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6047488A JPH07263570A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 誘電体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6047488A JPH07263570A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 誘電体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263570A true JPH07263570A (ja) | 1995-10-13 |
Family
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1994
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