JPH07263230A - 小型変成器 - Google Patents
小型変成器Info
- Publication number
- JPH07263230A JPH07263230A JP7783394A JP7783394A JPH07263230A JP H07263230 A JPH07263230 A JP H07263230A JP 7783394 A JP7783394 A JP 7783394A JP 7783394 A JP7783394 A JP 7783394A JP H07263230 A JPH07263230 A JP H07263230A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spiral
- spiral electrode
- transformer
- electrode
- electrodes
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路の一部として組み込むことが可能な
小型変成器を得ること。 【構成】 絶縁基板１の表面に第１条のスパイラル状電
極３を形成し、このスパイラル状電極３上に絶縁薄膜４
を形成し、この絶縁薄膜４上および絶縁基板１上に、第
１条のスパイラル状電極３の隣接する電極間に配置さ
れ、少なくともその一部分が第１条のスパイラル状電極
３と重なるように第２条のスパイラル状電極５を形成
し、２条のスパイラル状電極３、５をそれぞれ１次コイ
ルおよび２次コイルとする。また、スパイラル状電極
３、５の中央部に磁芯を配置したり、絶縁基板１として
磁性材料を用いて１次コイルと２次コイルの磁気的な結
合を密にすることができる。
小型変成器を得ること。 【構成】 絶縁基板１の表面に第１条のスパイラル状電
極３を形成し、このスパイラル状電極３上に絶縁薄膜４
を形成し、この絶縁薄膜４上および絶縁基板１上に、第
１条のスパイラル状電極３の隣接する電極間に配置さ
れ、少なくともその一部分が第１条のスパイラル状電極
３と重なるように第２条のスパイラル状電極５を形成
し、２条のスパイラル状電極３、５をそれぞれ１次コイ
ルおよび２次コイルとする。また、スパイラル状電極
３、５の中央部に磁芯を配置したり、絶縁基板１として
磁性材料を用いて１次コイルと２次コイルの磁気的な結
合を密にすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、変成器に関し、特
に、薄膜製法の技術によって超小型に形成し得るもの
で、集積回路の一部として組み込むことが可能であっ
て、高周波信号の伝達に適した小型変成器に関する。
に、薄膜製法の技術によって超小型に形成し得るもの
で、集積回路の一部として組み込むことが可能であっ
て、高周波信号の伝達に適した小型変成器に関する。
【０００２】
【従来の技術】変成器は、直流的に絶縁して電力の伝達
や、信号の伝達などの各種の分野において利用されてい
る。
や、信号の伝達などの各種の分野において利用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、各種の電子回路
が集積化されて小型化されているが、変成器は小型に作
ることが困難であったので、変成器を集積回路に含ませ
ることなく、外付け部品として取り付けていた。そこ
で、この発明は、集積回路の一部として組み込むことが
可能な小型変成器を得ることを目的として考えられたも
のである。
が集積化されて小型化されているが、変成器は小型に作
ることが困難であったので、変成器を集積回路に含ませ
ることなく、外付け部品として取り付けていた。そこ
で、この発明は、集積回路の一部として組み込むことが
可能な小型変成器を得ることを目的として考えられたも
のである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】絶縁基板の表面に第１条
のスパイラル状電極を形成し、このスパイラル状電極上
および絶縁基板上に絶縁薄膜を形成し、この絶縁薄膜上
に、第１条のスパイラル状電極の隣接する電極間に配置
され、少なくともその一部分が第１条のスパイラル状電
極と重なるように第２条のスパイラル状電極を形成し、
２条のスパイラル状電極をそれぞれ１次コイルおよび２
次コイルとする。
のスパイラル状電極を形成し、このスパイラル状電極上
および絶縁基板上に絶縁薄膜を形成し、この絶縁薄膜上
に、第１条のスパイラル状電極の隣接する電極間に配置
され、少なくともその一部分が第１条のスパイラル状電
極と重なるように第２条のスパイラル状電極を形成し、
２条のスパイラル状電極をそれぞれ１次コイルおよび２
次コイルとする。
【０００５】スパイラル状電極の中央部に磁芯を配置し
り、絶縁基板として磁性材料を用いて１次コイルと２次
コイルの磁気的な結合を密にする。
り、絶縁基板として磁性材料を用いて１次コイルと２次
コイルの磁気的な結合を密にする。
【０００６】
【実施例】この発明の変成器の実施例を製造工程順に説
明すると、図１の組立図に示すように、(1) まず、シリ
コン・ウエハ、ガラス、セラミックなどの絶縁基板を用
意する。特に、絶縁基板には、バルク抵抗が大きい高純
度のシリコン・ウエハ１が適している。
明すると、図１の組立図に示すように、(1) まず、シリ
コン・ウエハ、ガラス、セラミックなどの絶縁基板を用
意する。特に、絶縁基板には、バルク抵抗が大きい高純
度のシリコン・ウエハ１が適している。
【０００７】(2) このシリコン・ウエハ１の表面に化学
気相法（ＣＶＤ）によって第１のシリコン酸化膜（Ｓi
Ｏ2膜）２を形成したのち、(3) この第１のシリコン酸
化膜２の上に、次の化学気相法の工程に耐え得る金属、
例えば、金、タングステン、モリブデン、タンタル、ニ
オブなどの第１の金属膜を蒸着し、(4) 金属膜上に、フ
ォトレジストの１条のスパイラル状のパターンを形成
し、(5) このフォトレジストをマスクにして、第１条の
スパイラル状電極３を形成したのち、フォトレジストを
洗い落とす。この第１条のスパイラル状電極３は、外側
および内側に端子部31、32を有している。
気相法（ＣＶＤ）によって第１のシリコン酸化膜（Ｓi
Ｏ2膜）２を形成したのち、(3) この第１のシリコン酸
化膜２の上に、次の化学気相法の工程に耐え得る金属、
例えば、金、タングステン、モリブデン、タンタル、ニ
オブなどの第１の金属膜を蒸着し、(4) 金属膜上に、フ
ォトレジストの１条のスパイラル状のパターンを形成
し、(5) このフォトレジストをマスクにして、第１条の
スパイラル状電極３を形成したのち、フォトレジストを
洗い落とす。この第１条のスパイラル状電極３は、外側
および内側に端子部31、32を有している。
【０００８】(6) 第１条のスパイラル状電極３および露
出している第１のシリコン酸化膜２の上に表面に化学気
相法によって第２のシリコン酸化膜（ＳiＯ2膜）４を形
成したのち、(7) 第１条のスパイラル状電極３の外側お
よび内側の端子部31、32に当たる部分の第２のシリコン
酸化膜４をフォトエッチング法により除去して露出させ
て開口部41、42を形成し、(8) その上に第２の金属膜を
蒸着し、(9) この金属膜上において、既に形成されてい
る第１条のスパイラル状電極３の隣接する電極間の上
に、フォトレジストの１条のスパイラル状のパターンを
形成し、(10) このフォトレジストをマスクにして、第
１条のスパイラル状電極３の隣接する電極間に配置され
た第２条のスパイラル状電極５を形成したのち、フォト
レジストを洗い落とす。この第２条のスパイラル状電極
５は、外側におよび内側に端子部51、52を有している。
出している第１のシリコン酸化膜２の上に表面に化学気
相法によって第２のシリコン酸化膜（ＳiＯ2膜）４を形
成したのち、(7) 第１条のスパイラル状電極３の外側お
よび内側の端子部31、32に当たる部分の第２のシリコン
酸化膜４をフォトエッチング法により除去して露出させ
て開口部41、42を形成し、(8) その上に第２の金属膜を
蒸着し、(9) この金属膜上において、既に形成されてい
る第１条のスパイラル状電極３の隣接する電極間の上
に、フォトレジストの１条のスパイラル状のパターンを
形成し、(10) このフォトレジストをマスクにして、第
１条のスパイラル状電極３の隣接する電極間に配置され
た第２条のスパイラル状電極５を形成したのち、フォト
レジストを洗い落とす。この第２条のスパイラル状電極
５は、外側におよび内側に端子部51、52を有している。
【０００９】このような一連の工程を経て、絶縁基板と
なるシリコン・ウエハ１上に形成された第１条および第
２条のスパイラル状電極３、５は、それぞれ１次コイル
および２次コイルとなって、変成器を構成する。
なるシリコン・ウエハ１上に形成された第１条および第
２条のスパイラル状電極３、５は、それぞれ１次コイル
および２次コイルとなって、変成器を構成する。
【００１０】この変成器は、図２の断面図より明らかな
ように、第１条のスパイラル状電極３の隣接する電極間
に第２のスパイラル状電極５が配置されており、両スパ
イラル状電極３、５の磁気的な結合を密にすることがで
きる。
ように、第１条のスパイラル状電極３の隣接する電極間
に第２のスパイラル状電極５が配置されており、両スパ
イラル状電極３、５の磁気的な結合を密にすることがで
きる。
【００１１】このように構成した小型変成器は、空芯で
あっても高周波信号を高効率で歪なく伝達することがで
きる。
あっても高周波信号を高効率で歪なく伝達することがで
きる。
【００１２】（他の実施例）以上の実施例においては、
２条のスパイラル状電極を１次コイルおよび２次コイル
としているが、隣接する電極間に３条以上のスパイラル
状電極を設けて、複数の多次コイルを有する変成器を構
成することができる。
２条のスパイラル状電極を１次コイルおよび２次コイル
としているが、隣接する電極間に３条以上のスパイラル
状電極を設けて、複数の多次コイルを有する変成器を構
成することができる。
【００１３】また、複数条のスパイラル状電極およびシ
リコン酸化膜を交互に多層化して形成し、シリコン酸化
膜のスルーホールを介して接続することにより、ターン
数の多い変成器を作ることができる。
リコン酸化膜を交互に多層化して形成し、シリコン酸化
膜のスルーホールを介して接続することにより、ターン
数の多い変成器を作ることができる。
【００１４】巻回した複数条のスパイラル状電極の中央
部にフェライトなどの磁性材料を配置したり、変成器を
形成する絶縁基板として、シリコン・ウエハの代わりに
フェライトなどの磁性材料を使用すること、形成した変
成器の表面に磁性材料の薄膜を形成することなどによ
り、２つのスパイラル状電極の磁気的な結合を一層密に
することができる。
部にフェライトなどの磁性材料を配置したり、変成器を
形成する絶縁基板として、シリコン・ウエハの代わりに
フェライトなどの磁性材料を使用すること、形成した変
成器の表面に磁性材料の薄膜を形成することなどによ
り、２つのスパイラル状電極の磁気的な結合を一層密に
することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上の実施例に基づく説明から明らかな
ように、この発明の小型変成器によると、高周波信号の
伝達に適し、薄膜製法の技術によって集積回路と類似の
技術によって製造することができ、また、集積回路の一
部として組み込むことが可能な小型変成器を得ることが
できる。
ように、この発明の小型変成器によると、高周波信号の
伝達に適し、薄膜製法の技術によって集積回路と類似の
技術によって製造することができ、また、集積回路の一
部として組み込むことが可能な小型変成器を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の小型変成器の一実施例を示す組立
図、
図、
【図２】この発明の小型変成器の一実施例の断面図であ
る。
る。
１ 絶縁基板 ２、４ シリコン酸化膜 ３、５ スパイラル状電極 31、32、51、52 端子部
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板の表面に第１条のスパイラル状
電極を形成し、該スパイラル状電極上および上記絶縁基
板上に絶縁薄膜を形成し、該絶縁薄膜上に、上記第１条
のスパイラル状電極の隣接する電極間に配置され、少な
くともその一部分が上記第１条のスパイラル状電極と重
なるように第２条のスパイラル状電極を形成したことを
特徴とする小型変成器。 - 【請求項２】 スパイラル状電極の中央部に磁芯を配置
したことを特徴とする請求項１に記載の小型変成器。 - 【請求項３】 絶縁基板として磁性材料を用いたことを
特徴とする請求項１に記載の小型変成器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7783394A JPH07263230A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 小型変成器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7783394A JPH07263230A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 小型変成器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263230A true JPH07263230A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13645050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7783394A Pending JPH07263230A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 小型変成器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263230A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19627819B4 (de) * | 1996-07-10 | 2005-12-01 | Weiner, René | Spulenkörper für eine Flachspule |
| EP1841049A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-03 | Infineon Technologies SensoNor AS | Electromagnetic micro-generator |
| JP2008166476A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 薄膜トランスおよびその製造方法 |
| JP2014154869A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-25 | Murata Mfg Co Ltd | トランス |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP7783394A patent/JPH07263230A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19627819B4 (de) * | 1996-07-10 | 2005-12-01 | Weiner, René | Spulenkörper für eine Flachspule |
| EP1841049A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-03 | Infineon Technologies SensoNor AS | Electromagnetic micro-generator |
| JP2007267590A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Infineon Technologies Sensonor As | 電磁マイクロ発電機 |
| JP2008166476A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 薄膜トランスおよびその製造方法 |
| JP2014154869A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-25 | Murata Mfg Co Ltd | トランス |
| US9431163B2 (en) | 2013-02-14 | 2016-08-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transformer |
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