JPH0726254A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH0726254A JPH0726254A JP5170354A JP17035493A JPH0726254A JP H0726254 A JPH0726254 A JP H0726254A JP 5170354 A JP5170354 A JP 5170354A JP 17035493 A JP17035493 A JP 17035493A JP H0726254 A JPH0726254 A JP H0726254A
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- JP
- Japan
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- group
- layer
- light emitting
- carbon atoms
- emitting layer
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 紫〜青紫色の発光を可能とする有機EL素子
の開発。 【構成】 一般式(I) (R1〜R12は独立に水素原子またはC1〜6のアル
キル基を示し、但しR1〜R12の1つ以上はC1〜6
のアルキル基であり、R2とR3,R4とR5,R8と
R9,R10とR11は互いに結合して飽和5員環また
は6員環を形成してもよい。XとYは独立に置換または
無置換のC6〜20のアリール基を示すか、XとYは置
換基と結合して置換または無置換の飽和5員環または6
員環を形成してもよい。ここで置換基はC1〜6のアル
キル基、C1〜6のアルコキシ基、C6〜18のアリー
ルオキシ基、フェニル基等であり、置換基は単一でも複
数置換されてもよい。)ターフェニレン誘導体のスチリ
ル化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素
子。
の開発。 【構成】 一般式(I) (R1〜R12は独立に水素原子またはC1〜6のアル
キル基を示し、但しR1〜R12の1つ以上はC1〜6
のアルキル基であり、R2とR3,R4とR5,R8と
R9,R10とR11は互いに結合して飽和5員環また
は6員環を形成してもよい。XとYは独立に置換または
無置換のC6〜20のアリール基を示すか、XとYは置
換基と結合して置換または無置換の飽和5員環または6
員環を形成してもよい。ここで置換基はC1〜6のアル
キル基、C1〜6のアルコキシ基、C6〜18のアリー
ルオキシ基、フェニル基等であり、置換基は単一でも複
数置換されてもよい。)ターフェニレン誘導体のスチリ
ル化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素
子。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子(有機EL素子)に関し、詳しくは、紫〜
青紫色の発光を可能とするスチリル化合物からなる有機
EL素子に関する。
ッセンス素子(有機EL素子)に関し、詳しくは、紫〜
青紫色の発光を可能とするスチリル化合物からなる有機
EL素子に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電界発
光を利用したEL素子は、自己発光のため視認性が高
く、また完全固体素子であるため耐衝撃性に優れるとい
う特徴を有しており、薄型ディスプレイ素子,液晶ディ
スプレイのバックライト,平面光源などに用いられてい
る。現在実用化されているEL素子は、分散型EL素子
である。この分散型EL素子は、数10V,10kHz
以上の交流電圧を必要とするため駆動回路が複雑になっ
ている。一方、有機薄膜EL素子は駆動電圧を10V程
度まで低下させることが出来、高輝度に発光するため近
年盛んに研究が行われ、多くの有機薄膜EL素子が開発
されている(C.W.Tang and S.A.VAN Slyke,Appl.Phys.L
ett.,vol.51,pp.913〜915(1987) ;特開平63−264
629号公報)。これらの有機薄膜EL素子は、透明電
極/正孔注入層/発光層/背面電極の積層型であり、正
孔注入層により効率よく正孔を発光層内へ注入すること
ができる。上記有機薄膜EL素子の構成において、発光
層にターフェニレンを有するスチリル化合物を用いるこ
とは開示されている(特開平3−231970号公
報)。しかし、スチリル化合物のターフェニレン部分は
無置換であり、そのために青色の発光は得られるもの
の、青紫色発光は得られていなかった。
光を利用したEL素子は、自己発光のため視認性が高
く、また完全固体素子であるため耐衝撃性に優れるとい
う特徴を有しており、薄型ディスプレイ素子,液晶ディ
スプレイのバックライト,平面光源などに用いられてい
る。現在実用化されているEL素子は、分散型EL素子
である。この分散型EL素子は、数10V,10kHz
以上の交流電圧を必要とするため駆動回路が複雑になっ
ている。一方、有機薄膜EL素子は駆動電圧を10V程
度まで低下させることが出来、高輝度に発光するため近
年盛んに研究が行われ、多くの有機薄膜EL素子が開発
されている(C.W.Tang and S.A.VAN Slyke,Appl.Phys.L
ett.,vol.51,pp.913〜915(1987) ;特開平63−264
629号公報)。これらの有機薄膜EL素子は、透明電
極/正孔注入層/発光層/背面電極の積層型であり、正
孔注入層により効率よく正孔を発光層内へ注入すること
ができる。上記有機薄膜EL素子の構成において、発光
層にターフェニレンを有するスチリル化合物を用いるこ
とは開示されている(特開平3−231970号公
報)。しかし、スチリル化合物のターフェニレン部分は
無置換であり、そのために青色の発光は得られるもの
の、青紫色発光は得られていなかった。
【0003】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
青色よりもさらに短波長化したよりエネルギーの高い青
紫色の発光を可能とする誘起EL素子を開発すべく鋭意
検討した結果、発光層に置換されたターフェニレン部分
を有するスチリル化合物を用い、各ベンゼン環のねじれ
角を制御することにより上記目的を達成できることを見
出した。
青色よりもさらに短波長化したよりエネルギーの高い青
紫色の発光を可能とする誘起EL素子を開発すべく鋭意
検討した結果、発光層に置換されたターフェニレン部分
を有するスチリル化合物を用い、各ベンゼン環のねじれ
角を制御することにより上記目的を達成できることを見
出した。
【0004】本発明はかかる知見に基づいて完成したも
のである。すなわち本発明は、一般式(I)
のである。すなわち本発明は、一般式(I)
【0005】
【化2】
【0006】(式中、R1 〜R12はそれぞれ独立に水素
原子または炭素数1〜6のアルキル基を示す。但し、R
1 〜R12のうち少なくとも1つは炭素数1〜6のアルキ
ル基である。また、R2 とR3 ,R4 とR5 ,R8 とR
9 ,R10とR11は、互いに結合して飽和5員環または6
員環を形成してもよい。X及びYはそれぞれ独立に置換
または無置換の炭素数6〜20のアリール基を示す。X
とYは置換基と結合して置換または無置換の飽和5員環
または6員環を形成してもよい。ここで、置換基として
は炭素数1〜6のアルキル基,炭素数1〜6のアルコキ
シ基,炭素数6〜18のアリールオキシ基,フェニル
基,アミノ基,シアノ基,ニトロ基,水酸基あるいはハ
ロゲン原子を示す。これらの置換基は単一でも複数置換
されていてもよい。)で表されるターフェニレン誘導体
のスチリル化合物を含有する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を提供するものである。
原子または炭素数1〜6のアルキル基を示す。但し、R
1 〜R12のうち少なくとも1つは炭素数1〜6のアルキ
ル基である。また、R2 とR3 ,R4 とR5 ,R8 とR
9 ,R10とR11は、互いに結合して飽和5員環または6
員環を形成してもよい。X及びYはそれぞれ独立に置換
または無置換の炭素数6〜20のアリール基を示す。X
とYは置換基と結合して置換または無置換の飽和5員環
または6員環を形成してもよい。ここで、置換基として
は炭素数1〜6のアルキル基,炭素数1〜6のアルコキ
シ基,炭素数6〜18のアリールオキシ基,フェニル
基,アミノ基,シアノ基,ニトロ基,水酸基あるいはハ
ロゲン原子を示す。これらの置換基は単一でも複数置換
されていてもよい。)で表されるターフェニレン誘導体
のスチリル化合物を含有する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子を提供するものである。
【0007】本発明は、一般式(I)で表されるスチリ
ル化合物を含有する有機EL素子である。ここで、一般
式(I)において、R1 〜R12はそれぞれ独立に水素原
子あるいはメチル基,エチル基,n−プロピル基,i−
プロピル基,n−ブチル基,i−ブチル基,sec−ブ
チル基,t−ブチル基,i−ペンチル基,t−ペンチル
基,ネオペンチル基,n−ヘキシル基,i−ヘキシル基
などの炭素数1〜6のアルキル基を示す。但し、R1 〜
R12のうち少なくとも1つは炭素数1〜6のアルキル基
であり、特にメチル基またはエチル基が好ましく用いら
れる。また、R2 とR3 ,R4 とR5 ,R8 とR9 ,R
10とR11は、互いに結合して飽和5員環または飽和6員
環を形成してもよい。具体的な飽和5員環または6員環
を有するスチリル化合物としては、R2 とR3 ,及びR
10とR11が飽和5員環を形成する場合は、
ル化合物を含有する有機EL素子である。ここで、一般
式(I)において、R1 〜R12はそれぞれ独立に水素原
子あるいはメチル基,エチル基,n−プロピル基,i−
プロピル基,n−ブチル基,i−ブチル基,sec−ブ
チル基,t−ブチル基,i−ペンチル基,t−ペンチル
基,ネオペンチル基,n−ヘキシル基,i−ヘキシル基
などの炭素数1〜6のアルキル基を示す。但し、R1 〜
R12のうち少なくとも1つは炭素数1〜6のアルキル基
であり、特にメチル基またはエチル基が好ましく用いら
れる。また、R2 とR3 ,R4 とR5 ,R8 とR9 ,R
10とR11は、互いに結合して飽和5員環または飽和6員
環を形成してもよい。具体的な飽和5員環または6員環
を有するスチリル化合物としては、R2 とR3 ,及びR
10とR11が飽和5員環を形成する場合は、
【0008】
【化3】
【0009】などが挙げられ、R4 とR5 で飽和6員環
形成する場合は、
形成する場合は、
【0010】
【化4】
【0011】などが挙げられる。X及びYはそれぞれ独
立に置換または無置換のフェニル基,ナフチル基,ビフ
ェニル基,ターフェニル基,アントラリル基,フェナン
トリル基,ピレニル基,ペリレニル基など炭素数6〜2
0のアリール基を示す。ここで、置換基としては例えば
メチル基,エチル基,n−プロピル基,i−プロピル
基,n−ブチル基,i−ブチル基,sec−ブチル基,
t−ブチル基,i−ペンチル基,t−ペンチル基,ネオ
ペンチル基,n−ヘキシル基,i−ヘキシル基などの炭
素数1〜6のアルキル基、メトキシ基,エトキシ基,プ
ロポキシ基,i−プロポキシ基,ブチルオキシ基,i−
ブチルオキシ基,sec−ブチルオキシ基,i−ペンチ
ルオキシ基,t−ペンチルオキシ基,n−ヘキシルオキ
シ基などの炭素数1〜6のアルコキシ基、フェノキシ
基,ナフチルオキシ基など炭素数6〜18のアリールオ
キシ基、フェニル基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、
水酸基あるいはハロゲン原子が挙げられる。これらの置
換基は単一でも複数置換されていてもよい。また、Xと
Yは置換基と結合して置換または無置換の飽和5員環ま
たは飽和6員環を形成してもよい。具体的な飽和5員環
または6員環を有するスチリル化合物としては、XとY
が飽和5員環を形成する場合は、
立に置換または無置換のフェニル基,ナフチル基,ビフ
ェニル基,ターフェニル基,アントラリル基,フェナン
トリル基,ピレニル基,ペリレニル基など炭素数6〜2
0のアリール基を示す。ここで、置換基としては例えば
メチル基,エチル基,n−プロピル基,i−プロピル
基,n−ブチル基,i−ブチル基,sec−ブチル基,
t−ブチル基,i−ペンチル基,t−ペンチル基,ネオ
ペンチル基,n−ヘキシル基,i−ヘキシル基などの炭
素数1〜6のアルキル基、メトキシ基,エトキシ基,プ
ロポキシ基,i−プロポキシ基,ブチルオキシ基,i−
ブチルオキシ基,sec−ブチルオキシ基,i−ペンチ
ルオキシ基,t−ペンチルオキシ基,n−ヘキシルオキ
シ基などの炭素数1〜6のアルコキシ基、フェノキシ
基,ナフチルオキシ基など炭素数6〜18のアリールオ
キシ基、フェニル基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、
水酸基あるいはハロゲン原子が挙げられる。これらの置
換基は単一でも複数置換されていてもよい。また、Xと
Yは置換基と結合して置換または無置換の飽和5員環ま
たは飽和6員環を形成してもよい。具体的な飽和5員環
または6員環を有するスチリル化合物としては、XとY
が飽和5員環を形成する場合は、
【0012】
【化5】
【0013】などが挙げられ、XとYが飽和6員環形成
する場合は、
する場合は、
【0014】
【化6】
【0015】などが挙げられる。
【0016】上記一般式(I)で表されるスチリル化合
物は、種々の公知の方法によって製造することができ
る。具体的には、次の2つの方法が挙げられる。 方法1 一般式(a)
物は、種々の公知の方法によって製造することができ
る。具体的には、次の2つの方法が挙げられる。 方法1 一般式(a)
【0017】
【化7】
【0018】(式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基ま
たはフェニル基を示し、R1 〜R12は前記と同じであ
る。)で表されるホスホン酸エステルと一般式(b)
たはフェニル基を示し、R1 〜R12は前記と同じであ
る。)で表されるホスホン酸エステルと一般式(b)
【0019】
【化8】
【0020】(式中、X,Yは前記と同じである。)で
表されるカルボニル化合物をを塩基存在下で縮合する方
法(Wittig反応またはWittig−Horne
r反応)により合成することができる。 方法2 一般式(c)
表されるカルボニル化合物をを塩基存在下で縮合する方
法(Wittig反応またはWittig−Horne
r反応)により合成することができる。 方法2 一般式(c)
【0021】
【化9】
【0022】(式中、R1 〜R12は前記と同じであ
る。)で表されるジアルデヒド化合物と一般式(d)
る。)で表されるジアルデヒド化合物と一般式(d)
【0023】
【化10】
【0024】(式中、R,X,Yは前記と同じであ
る。)で表されるホスホン酸エステルを塩基存在下で縮
合する方法(Wittig反応またはWittig−H
orner反応)により合成することができる。
る。)で表されるホスホン酸エステルを塩基存在下で縮
合する方法(Wittig反応またはWittig−H
orner反応)により合成することができる。
【0025】この合成で用いる反応溶媒としては、炭化
水素,アルコール類,エーテル類が好ましい。具体的に
は、メタノール;エタノール;イソプロパノール;ブタ
ノール;2−メトキシエタノール;1,2−ジメトキシ
エタン;ビス(2−メトキシエチル)エーテル;ジオキ
サン;テトラヒドロフラン;トルエン;キシレン;ジメ
チルスルホキシド;N,N−ジメチルホルムアミド;N
−メチルピロリドン;1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リジノンなどが挙げられる。特に、テトラヒドロフラ
ン,ジメチルスルホキシドが好適である。また、縮合剤
としては苛性ソーダ,苛性カリ,ナトリウムアミド,水
素化ナトリウム,n−ブチルリチウム,ナトリウムメチ
ラート,カリウム−t−ブトキシドなどのアルコラート
が好ましく、特にn−ブチルリチウム,カリウム−t−
ブトキシドが好ましい。反応温度は、用いる反応原料の
種類などにより異なり、一義的に定めることはできない
が、通常は0℃〜約100℃までの広範囲を指定でき
る。特に好ましくは0℃〜室温の範囲である。
水素,アルコール類,エーテル類が好ましい。具体的に
は、メタノール;エタノール;イソプロパノール;ブタ
ノール;2−メトキシエタノール;1,2−ジメトキシ
エタン;ビス(2−メトキシエチル)エーテル;ジオキ
サン;テトラヒドロフラン;トルエン;キシレン;ジメ
チルスルホキシド;N,N−ジメチルホルムアミド;N
−メチルピロリドン;1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リジノンなどが挙げられる。特に、テトラヒドロフラ
ン,ジメチルスルホキシドが好適である。また、縮合剤
としては苛性ソーダ,苛性カリ,ナトリウムアミド,水
素化ナトリウム,n−ブチルリチウム,ナトリウムメチ
ラート,カリウム−t−ブトキシドなどのアルコラート
が好ましく、特にn−ブチルリチウム,カリウム−t−
ブトキシドが好ましい。反応温度は、用いる反応原料の
種類などにより異なり、一義的に定めることはできない
が、通常は0℃〜約100℃までの広範囲を指定でき
る。特に好ましくは0℃〜室温の範囲である。
【0026】以下に、本発明で用いられる上記スチリル
化合物の具体例(1)〜(26)を挙げるが、本発明は
それらに限定されるものではない。
化合物の具体例(1)〜(26)を挙げるが、本発明は
それらに限定されるものではない。
【0027】
【化11】
【0028】
【化12】
【0029】
【化13】
【0030】
【化14】
【0031】
【化15】
【0032】このようにして得られた本発明の前記一般
式(I)で表されるスチリル化合物は、EL素子におけ
る発光材料または正孔注入輸送材料として有効である。
このスチリル化合物を発光層とする場合は、例えば蒸着
法,スピンコート法,キャスト法などの公知の方法によ
って、一般式(I)のスチリル化合物を薄膜化してこと
により形成することができるが、特に分子堆積膜とする
ことが好ましい。ここで分子堆積膜とは、該化合物の気
相状態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶液
状態又は液相状態から固体化され形成された膜のことで
あり、例えば蒸着膜などを示すが、通常この分子堆積膜
はLB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは区別
することができる。また、該発光層は、特開昭59−1
94393号公報などに開示されているように、樹脂な
どの結着剤と該化合物とを、溶剤に溶かして溶液とした
のち、これをスピンコート法などにより薄膜化し、形成
することができる。このようにして形成された発光層の
膜厚については特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶ
ことができるが、通常5nmないし5μmの範囲で選定
される。
式(I)で表されるスチリル化合物は、EL素子におけ
る発光材料または正孔注入輸送材料として有効である。
このスチリル化合物を発光層とする場合は、例えば蒸着
法,スピンコート法,キャスト法などの公知の方法によ
って、一般式(I)のスチリル化合物を薄膜化してこと
により形成することができるが、特に分子堆積膜とする
ことが好ましい。ここで分子堆積膜とは、該化合物の気
相状態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶液
状態又は液相状態から固体化され形成された膜のことで
あり、例えば蒸着膜などを示すが、通常この分子堆積膜
はLB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは区別
することができる。また、該発光層は、特開昭59−1
94393号公報などに開示されているように、樹脂な
どの結着剤と該化合物とを、溶剤に溶かして溶液とした
のち、これをスピンコート法などにより薄膜化し、形成
することができる。このようにして形成された発光層の
膜厚については特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶ
ことができるが、通常5nmないし5μmの範囲で選定
される。
【0033】このEL素子における発光層は、(1)電
界印加時に、陽極又は正孔注入輸送層により正孔を注入
することができ、かつ陰極又は電子注入層より電子を注
入することができる注入機能、(2)注入した電荷(電
子と正孔)を電界の力で移動させる輸送機能、(3)電
子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、これを発
光につなげる発光機能などを有している。なお、正孔の
注入されやすさと、電子の注入されやすさに違いがあっ
てもよいし、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大
小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動するこ
とが好ましい。この発光層に用いる前記一般式(I)で
表される化合物は、一般にイオン化エネルギーが6.0e
V程度より小さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物
を選べば、比較的正孔を注入しやすい。また電子親和力
は2.8eV程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰
極化合物を選べば、比較的電子を注入しやすい上、電
子,正孔の輸送能力も優れている。さらに固体状態の蛍
光性が強いため、該化合物やその会合体又は結晶などの
電子と正孔の再結晶時に形成された励起状態を光に変換
する能力が大きい。
界印加時に、陽極又は正孔注入輸送層により正孔を注入
することができ、かつ陰極又は電子注入層より電子を注
入することができる注入機能、(2)注入した電荷(電
子と正孔)を電界の力で移動させる輸送機能、(3)電
子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、これを発
光につなげる発光機能などを有している。なお、正孔の
注入されやすさと、電子の注入されやすさに違いがあっ
てもよいし、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大
小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動するこ
とが好ましい。この発光層に用いる前記一般式(I)で
表される化合物は、一般にイオン化エネルギーが6.0e
V程度より小さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物
を選べば、比較的正孔を注入しやすい。また電子親和力
は2.8eV程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰
極化合物を選べば、比較的電子を注入しやすい上、電
子,正孔の輸送能力も優れている。さらに固体状態の蛍
光性が強いため、該化合物やその会合体又は結晶などの
電子と正孔の再結晶時に形成された励起状態を光に変換
する能力が大きい。
【0034】本発明の化合物を用いたEL素子の構成
は、各種の態様があるが、基本的には、一対の電極(陽
極と陰極)間に、前記発光層を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔注入輸送層や電子注入層を介在さ
せればよい。介在方法としては、ポリマーへの混ぜ込み
や同時求着がある。具体的には(1)陽極/発光層/陰
極,(2)陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極,
(3)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入層/陰
極,(4)陽極/発光層/電子注入層/陰極などの構成
を挙げることができる。該正孔注入輸送層や電子注入層
は、必ずしも必要ではないが、これらの層があると発光
性能が一段と向上する。また、前記構成の素子において
は、いずれも基板に支持されていることが好ましく、該
基板については特に制限はなく、従来EL素子に慣用さ
れているもの、例えばガラス,透明プラスチック,石英
などから成るものを用いることができる。
は、各種の態様があるが、基本的には、一対の電極(陽
極と陰極)間に、前記発光層を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔注入輸送層や電子注入層を介在さ
せればよい。介在方法としては、ポリマーへの混ぜ込み
や同時求着がある。具体的には(1)陽極/発光層/陰
極,(2)陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極,
(3)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入層/陰
極,(4)陽極/発光層/電子注入層/陰極などの構成
を挙げることができる。該正孔注入輸送層や電子注入層
は、必ずしも必要ではないが、これらの層があると発光
性能が一段と向上する。また、前記構成の素子において
は、いずれも基板に支持されていることが好ましく、該
基板については特に制限はなく、従来EL素子に慣用さ
れているもの、例えばガラス,透明プラスチック,石英
などから成るものを用いることができる。
【0035】このEL素子における陽極としては、仕事
関数の大きい(4eV以上)金属,合金,電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはA
uなどの金属,CuI,ITO,SnO2 ,ZnOなど
の誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にも
よるが、通常10nmないし1μm,好ましくは10〜
200nmの範囲で選ばれる。
関数の大きい(4eV以上)金属,合金,電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはA
uなどの金属,CuI,ITO,SnO2 ,ZnOなど
の誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にも
よるが、通常10nmないし1μm,好ましくは10〜
200nmの範囲で選ばれる。
【0036】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
(4eV以下)金属,合金,電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム,ナトリウ
ム−カリウム合金,マグネシウム,リチウム,マグネシ
ウム/銅混合物,Al/AlO2 ,インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm
ないし1μm,好ましくは50〜200nmの範囲で選
ばれる。なお、このEL素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。
(4eV以下)金属,合金,電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム,ナトリウ
ム−カリウム合金,マグネシウム,リチウム,マグネシ
ウム/銅混合物,Al/AlO2 ,インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm
ないし1μm,好ましくは50〜200nmの範囲で選
ばれる。なお、このEL素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。
【0037】本発明の化合物を用いるEL素子の構成
は、前記したように、各種の態様があり、前記(2)又
は(3)の構成のEL素子における正孔注入輸送層は、
正孔伝達化合物からなる層であって、陽極より注入され
た正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入輸
送層を陽極と発光層との間に介在させることにより、よ
り低い電界で多くの正孔が発光層に注入される。その
上、発光層に陰極又は電子注入層より注入された電子
は、発光層と正孔注入輸送層の界面に存在する電子の障
壁により、この発光層内の界面付近に蓄積されEL素子
の発光効率を向上させ、発光性能の優れたEL素子とす
る。
は、前記したように、各種の態様があり、前記(2)又
は(3)の構成のEL素子における正孔注入輸送層は、
正孔伝達化合物からなる層であって、陽極より注入され
た正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入輸
送層を陽極と発光層との間に介在させることにより、よ
り低い電界で多くの正孔が発光層に注入される。その
上、発光層に陰極又は電子注入層より注入された電子
は、発光層と正孔注入輸送層の界面に存在する電子の障
壁により、この発光層内の界面付近に蓄積されEL素子
の発光効率を向上させ、発光性能の優れたEL素子とす
る。
【0038】前記正孔注入輸送層に用いられる正孔伝達
化合物は、電界を与えられた2個の電極間に配置されて
陽極から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層
へ伝達しうる化合物であって、例えば104 〜106 V
/cmの電界印加時に、少なくとも10-6cm2 /(V
・秒)の正孔移動度をもつものが好適である。このよう
な正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質を有
するものであれば特に制限はなく、従来、光導電材料に
おいて、正孔の電荷輸送材として慣用されているものや
EL素子の正孔注入輸送層に使用される公知のものの中
から任意のものを選択して用いることができる。
化合物は、電界を与えられた2個の電極間に配置されて
陽極から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層
へ伝達しうる化合物であって、例えば104 〜106 V
/cmの電界印加時に、少なくとも10-6cm2 /(V
・秒)の正孔移動度をもつものが好適である。このよう
な正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質を有
するものであれば特に制限はなく、従来、光導電材料に
おいて、正孔の電荷輸送材として慣用されているものや
EL素子の正孔注入輸送層に使用される公知のものの中
から任意のものを選択して用いることができる。
【0039】該電荷輸送材としては、例えばトリアゾー
ル誘導体(米国特許第3,112,197号明細書などに記
載のもの)、オキサジアゾール誘導体(米国特許第3,1
89,447号明細書などに記載のもの)、イミダゾール
誘導体(特公昭37−16096号公報などに記載のも
の)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許第3,61
5,402 号明細書,同3,820,989 号明細書,同3,5
42,544 号明細書,特公昭45−555号公報,同5
1−10983号公報,特開昭51−93224号公
報,同55−17105号公報,同56−4148号公
報,同55−108667号公報,同55−15695
3号公報,同56−36656号公報などに記載のも
の)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特
許第3,180,729 号明細書,同4,278,746 号明細
書,特開昭55−88064号公報,同55−8806
5号公報,同49−105537号公報,同55−51
086号公報,同56−80051号公報,同56−8
8141号公報,同57−45545号公報,同54−
112637号公報,同55−74546号公報などに
記載のもの)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第
3,615,404 号明細書,特公昭51−10105号公
報,同46−3712号公報,同47−25336号公
報,特開昭54−53435号公報,同54−1105
36号公報,同54−119925号公報などに記載の
もの)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,4
50 号明細書,同3,180,703 号明細書,同3,24
0,597 号明細書,同3,658,520 号明細書,同4,2
32,103 号明細書,同4,175,961 号明細書,同
4,012,376号明細書,特公昭49−35702号公
報,同39−27577号公報,特開昭55−1442
50号公報,同56−119132号公報,同56−2
2437号公報,***特許第1,110,518 号明細書な
どに記載のもの)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特
許第3,526,501 号明細書などに記載のもの)、オキ
サゾール誘導体(米国特許第3,257,203 号明細書な
どに記載のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開
昭56−46234号公報などに記載のもの)、フルオ
レノン誘導体(特開昭54−110837号公報などに
記載のもの)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,71
7,462 号明細書,特開昭54−59143号公報,同
55−52063号公報,同55−52064号公報,
同55−46760号公報,同55−85495号公
報,同57−11350号公報,同57−148749
号公報などに記載されているもの)、スチルベル誘導体
(特開昭61−210363号公報,同61−2284
51号公報,同61−14642号公報,同61−72
255号公報,同62−47646号公報,同62−3
6674号公報,同62−10652号公報,同62−
30255号公報,同60−93445号公報,同60
−94462号公報,同60−174749号公報,同
60−175052号公報などに記載のもの)などを挙
げることができる。
ル誘導体(米国特許第3,112,197号明細書などに記
載のもの)、オキサジアゾール誘導体(米国特許第3,1
89,447号明細書などに記載のもの)、イミダゾール
誘導体(特公昭37−16096号公報などに記載のも
の)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許第3,61
5,402 号明細書,同3,820,989 号明細書,同3,5
42,544 号明細書,特公昭45−555号公報,同5
1−10983号公報,特開昭51−93224号公
報,同55−17105号公報,同56−4148号公
報,同55−108667号公報,同55−15695
3号公報,同56−36656号公報などに記載のも
の)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特
許第3,180,729 号明細書,同4,278,746 号明細
書,特開昭55−88064号公報,同55−8806
5号公報,同49−105537号公報,同55−51
086号公報,同56−80051号公報,同56−8
8141号公報,同57−45545号公報,同54−
112637号公報,同55−74546号公報などに
記載のもの)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第
3,615,404 号明細書,特公昭51−10105号公
報,同46−3712号公報,同47−25336号公
報,特開昭54−53435号公報,同54−1105
36号公報,同54−119925号公報などに記載の
もの)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,4
50 号明細書,同3,180,703 号明細書,同3,24
0,597 号明細書,同3,658,520 号明細書,同4,2
32,103 号明細書,同4,175,961 号明細書,同
4,012,376号明細書,特公昭49−35702号公
報,同39−27577号公報,特開昭55−1442
50号公報,同56−119132号公報,同56−2
2437号公報,***特許第1,110,518 号明細書な
どに記載のもの)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特
許第3,526,501 号明細書などに記載のもの)、オキ
サゾール誘導体(米国特許第3,257,203 号明細書な
どに記載のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開
昭56−46234号公報などに記載のもの)、フルオ
レノン誘導体(特開昭54−110837号公報などに
記載のもの)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,71
7,462 号明細書,特開昭54−59143号公報,同
55−52063号公報,同55−52064号公報,
同55−46760号公報,同55−85495号公
報,同57−11350号公報,同57−148749
号公報などに記載されているもの)、スチルベル誘導体
(特開昭61−210363号公報,同61−2284
51号公報,同61−14642号公報,同61−72
255号公報,同62−47646号公報,同62−3
6674号公報,同62−10652号公報,同62−
30255号公報,同60−93445号公報,同60
−94462号公報,同60−174749号公報,同
60−175052号公報などに記載のもの)などを挙
げることができる。
【0040】これらの化合物を正孔伝達化合物として使
用することができるが、次に示すポルフィリン化合物
(特開昭63−295695号公報などに記載のもの)
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物(米国特許第4,127,412号明細書,特開昭53−
27033号公報,同54−58445号公報,同54
−149634号公報,同54−64299号公報,同
55−79450号公報,同55−144250号公
報,同56−119132号公報,同61−29555
8号公報,同61−98353号公報,同63−295
695号公報などに記載のもの)、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。
用することができるが、次に示すポルフィリン化合物
(特開昭63−295695号公報などに記載のもの)
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物(米国特許第4,127,412号明細書,特開昭53−
27033号公報,同54−58445号公報,同54
−149634号公報,同54−64299号公報,同
55−79450号公報,同55−144250号公
報,同56−119132号公報,同61−29555
8号公報,同61−98353号公報,同63−295
695号公報などに記載のもの)、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。
【0041】該ポルフィリン化合物の代表例としては、
ポルフィリン;5,10,15,20−テトラフェニル
−21H,23H−ポルフィリン銅(II);5,10,
15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフ
ィリン亜鉛(II);5,10,15,20−テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)−21H,23H−ポルフ
ィリン;シリコンフタロシアニンオキシド;アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド;フタロシアニン(無金
属);ジリチウムフタロシアニン;銅テトラメチルフタ
ロシアニン;銅フタロシアニン;クロムフタロシアニ
ン;亜鉛フタロシアニン;鉛フタロシアニン;チタニウ
ムフタロシアニンオキシド;マグネシウムフタロシアニ
ン;銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
また該芳香族第三級化合物及びスチリルアミン化合物の
代表例としては、N,N,N’,N’−テトラフェニル
−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン;
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジ
フェニル−〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジア
ミン;2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミ
ノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N’,N’−テ
トラ−p−トリル−(1,1’−ビフェニル)−4,
4’−ジアミン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルア
ミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス
(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニル
メタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フ
ェニルメタン;N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ
(4−メトキシフェニル)−(1,1’−ビフェニル)
−4,4’−ジアミン;N,N,N’,N’−テトラフ
ェニル−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル;4,
4’−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;
N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p
−トリルアミン)−4’−〔4(ジ−p−トリルアミ
ン)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルア
ミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキ
シ−4’−N,N−ジフェニルアミノスチルベン;N−
フェニルカルバゾールなどが挙げられる。
ポルフィリン;5,10,15,20−テトラフェニル
−21H,23H−ポルフィリン銅(II);5,10,
15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフ
ィリン亜鉛(II);5,10,15,20−テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)−21H,23H−ポルフ
ィリン;シリコンフタロシアニンオキシド;アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド;フタロシアニン(無金
属);ジリチウムフタロシアニン;銅テトラメチルフタ
ロシアニン;銅フタロシアニン;クロムフタロシアニ
ン;亜鉛フタロシアニン;鉛フタロシアニン;チタニウ
ムフタロシアニンオキシド;マグネシウムフタロシアニ
ン;銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
また該芳香族第三級化合物及びスチリルアミン化合物の
代表例としては、N,N,N’,N’−テトラフェニル
−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン;
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジ
フェニル−〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジア
ミン;2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミ
ノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N’,N’−テ
トラ−p−トリル−(1,1’−ビフェニル)−4,
4’−ジアミン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルア
ミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス
(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニル
メタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フ
ェニルメタン;N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ
(4−メトキシフェニル)−(1,1’−ビフェニル)
−4,4’−ジアミン;N,N,N’,N’−テトラフ
ェニル−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル;4,
4’−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;
N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p
−トリルアミン)−4’−〔4(ジ−p−トリルアミ
ン)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルア
ミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキ
シ−4’−N,N−ジフェニルアミノスチルベン;N−
フェニルカルバゾールなどが挙げられる。
【0042】上記EL素子における該正孔注入輸送層
は、これらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる
一層で構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種
の化合物からなる正孔注入輸送層を積層したものであっ
てもよい。一方、前記(3)の構成のEL素子における
電子注入層(電子注入輸送層)は、電子伝達化合物から
なるものであって、陰極より注入された電子を発光層に
伝達する機能を有している。このような電子伝達化合物
について特に制限はなく、従来公知の化合物の中から任
意のものを選択して用いることができる。該電子伝達化
合物の好ましい例としては、
は、これらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる
一層で構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種
の化合物からなる正孔注入輸送層を積層したものであっ
てもよい。一方、前記(3)の構成のEL素子における
電子注入層(電子注入輸送層)は、電子伝達化合物から
なるものであって、陰極より注入された電子を発光層に
伝達する機能を有している。このような電子伝達化合物
について特に制限はなく、従来公知の化合物の中から任
意のものを選択して用いることができる。該電子伝達化
合物の好ましい例としては、
【0043】
【化16】
【0044】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、
【0045】
【化17】
【0046】などのチオピランジオキシド誘導体,
【0047】
【化18】
【0048】などのジフェニルキノン誘導体〔「ポリマ
ー・プレプリント( Polymer Preprints),ジャパン」第
37巻,第3号,第681ページ(1988年)などに
記載のもの〕、あるいは
ー・プレプリント( Polymer Preprints),ジャパン」第
37巻,第3号,第681ページ(1988年)などに
記載のもの〕、あるいは
【0049】
【化19】
【0050】などの化合物〔「ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス(J.Apply.Phys.)」第27巻,
第269頁(1988年)などに記載のもの〕や、アン
トラキノジメタン誘導体(特開昭57−149259号
公報,同58−55450号公報,同61−22515
1号公報,同61−233750号公報,同63−10
4061号公報などに記載のもの)、フレオレニリデン
メタン誘導体(特開昭60−69657号公報,同61
−143764号公報,同61−148159号公報な
どに記載のもの)、アントロン誘導体(特開昭61−2
25151号公報,同61−233750号公報などに
記載のもの) また、次の一般式(II)又は(III)
ライド・フィジックス(J.Apply.Phys.)」第27巻,
第269頁(1988年)などに記載のもの〕や、アン
トラキノジメタン誘導体(特開昭57−149259号
公報,同58−55450号公報,同61−22515
1号公報,同61−233750号公報,同63−10
4061号公報などに記載のもの)、フレオレニリデン
メタン誘導体(特開昭60−69657号公報,同61
−143764号公報,同61−148159号公報な
どに記載のもの)、アントロン誘導体(特開昭61−2
25151号公報,同61−233750号公報などに
記載のもの) また、次の一般式(II)又は(III)
【0051】
【化20】
【0052】(式中、Ar1 〜Ar3 及びAr5 はそれ
ぞれ独立に置換又は無置換のアリール基を示し、Ar4
は置換又は無置換のアリーレン基を示す。)で表される
電子伝達化合物が挙げられる。ここで、アリール基とし
てはフェニル基,ナフチル基,ビフェニル基,アントラ
ニル基,ペリレニル基,ピレニル基等が挙げられ、アリ
ーレン基としてはフェニレン基,ナフチレン基,ビフェ
ニレン基,アントラセニレン基,ペリレニレン基,ピレ
ニレン基等が挙げられる。また、置換基としては炭素数
1〜10のアルキル基,炭素数1〜10のアルコキシ基
又はシアノ基等が挙げられる。この一般式(II)又は
(III)で表される化合物は、薄膜形成性のものが好まし
い。一般式(II)又は(III)で表される化合物の具体例
としては、
ぞれ独立に置換又は無置換のアリール基を示し、Ar4
は置換又は無置換のアリーレン基を示す。)で表される
電子伝達化合物が挙げられる。ここで、アリール基とし
てはフェニル基,ナフチル基,ビフェニル基,アントラ
ニル基,ペリレニル基,ピレニル基等が挙げられ、アリ
ーレン基としてはフェニレン基,ナフチレン基,ビフェ
ニレン基,アントラセニレン基,ペリレニレン基,ピレ
ニレン基等が挙げられる。また、置換基としては炭素数
1〜10のアルキル基,炭素数1〜10のアルコキシ基
又はシアノ基等が挙げられる。この一般式(II)又は
(III)で表される化合物は、薄膜形成性のものが好まし
い。一般式(II)又は(III)で表される化合物の具体例
としては、
【0053】
【化21】
【0054】
【化22】
【0055】
【化23】
【0056】等が挙げられる。
【0057】「Appl.Phys.Lett. 」第55巻、第148
9ページ(1989年)に開示されているオキサジアゾ
ール誘導体などを挙げることができる。なお、正孔注入
輸送層及び電子注入層は電化の注入性,輸送性,障壁性
のいずれかを有する層であり、上記した有機材料の他に
Si系,SiC系,CdS系などの結晶性ないし非結晶
性材料などの無機材料を用いることもできる。有機材料
を用いた正孔注入輸送層及び電子注入層は発光層と同様
にして形成することができ、無機材料を用いた正孔注入
輸送層及び電子注入層は真空蒸着法やスパッタリングな
どにより形成できるが、有機及び無機のいずれの材料を
用いた場合でも発光層のときと同様の理由から真空蒸着
法により形成することが好ましい。
9ページ(1989年)に開示されているオキサジアゾ
ール誘導体などを挙げることができる。なお、正孔注入
輸送層及び電子注入層は電化の注入性,輸送性,障壁性
のいずれかを有する層であり、上記した有機材料の他に
Si系,SiC系,CdS系などの結晶性ないし非結晶
性材料などの無機材料を用いることもできる。有機材料
を用いた正孔注入輸送層及び電子注入層は発光層と同様
にして形成することができ、無機材料を用いた正孔注入
輸送層及び電子注入層は真空蒸着法やスパッタリングな
どにより形成できるが、有機及び無機のいずれの材料を
用いた場合でも発光層のときと同様の理由から真空蒸着
法により形成することが好ましい。
【0058】次に、本発明のEL素子を作製する好適な
方法の例を、各構成の素子それぞれについて説明する。
前記の陽極/発光層/陰極からなるEL素子の作製法に
ついて説明すると、まず適当な基板上に、所望の電極物
質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好
ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、
蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陽極
を作製したのち、この上に発光材料である一般式(I)
で表されるスチリル化合物の薄膜を形成させ、発光層を
設ける。該発光材料の薄膜化の方法としては、例えばス
ピンコート法,キャスト法,蒸着法などがあるが、均質
な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいな
どの点から、蒸着法が好ましい。該発光材料の薄膜化
に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用
する発光層に用いる有機化合物の種類,分子堆積膜の目
的とする結晶構造,会合構造などにより異なるが、一般
にボート加熱温度50〜400℃,真空度10-5〜10
-3Pa,蒸着速度0.01〜50nm/sec,基板温度
−50〜+300℃,膜厚5nmないし5μmの範囲で
適宜選ぶことが望ましい。次にこの発光層の形成後、そ
の上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好まし
くは50〜200nmの範囲の膜厚になるように、例え
ば蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰
極を設けることにより、所望のEL素子が得られる。な
お、このEL素子の作製においては、作製順序を逆にし
て、陰極,発光層,陽極の順に作製することも可能であ
る。
方法の例を、各構成の素子それぞれについて説明する。
前記の陽極/発光層/陰極からなるEL素子の作製法に
ついて説明すると、まず適当な基板上に、所望の電極物
質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好
ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、
蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陽極
を作製したのち、この上に発光材料である一般式(I)
で表されるスチリル化合物の薄膜を形成させ、発光層を
設ける。該発光材料の薄膜化の方法としては、例えばス
ピンコート法,キャスト法,蒸着法などがあるが、均質
な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいな
どの点から、蒸着法が好ましい。該発光材料の薄膜化
に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用
する発光層に用いる有機化合物の種類,分子堆積膜の目
的とする結晶構造,会合構造などにより異なるが、一般
にボート加熱温度50〜400℃,真空度10-5〜10
-3Pa,蒸着速度0.01〜50nm/sec,基板温度
−50〜+300℃,膜厚5nmないし5μmの範囲で
適宜選ぶことが望ましい。次にこの発光層の形成後、そ
の上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好まし
くは50〜200nmの範囲の膜厚になるように、例え
ば蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰
極を設けることにより、所望のEL素子が得られる。な
お、このEL素子の作製においては、作製順序を逆にし
て、陰極,発光層,陽極の順に作製することも可能であ
る。
【0059】また、一対の電極間に正孔注入輸送材料,
発光材料,電子注入材料を混合させた形で電極間に挟持
させ発光層とした、陽極/発光層/陰極からなる素子の
場合の作製方法としては、例えば適当な基板の上に、陽
極用物質からなる薄膜を形成し、正孔注入輸送材料,発
光材料,電子注入材料,ポリビニルカルバゾール等の結
着剤等からなる溶液を塗布するか、又はこの溶液から浸
漬塗工法により薄膜を形成させ発光層とし、その上に陰
極用物質からなる薄膜を形成させるものがある。ここ
で、作製した発光層上に、さらに発光層の材料となる素
子材料を真空蒸着し、その上に陰極用物質からなる薄膜
を形成させてもよい。あるいは、正孔注入輸送材料,電
子注入材料および発光材料を同時蒸着させ発光層とし、
その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させてもよい。
発光材料,電子注入材料を混合させた形で電極間に挟持
させ発光層とした、陽極/発光層/陰極からなる素子の
場合の作製方法としては、例えば適当な基板の上に、陽
極用物質からなる薄膜を形成し、正孔注入輸送材料,発
光材料,電子注入材料,ポリビニルカルバゾール等の結
着剤等からなる溶液を塗布するか、又はこの溶液から浸
漬塗工法により薄膜を形成させ発光層とし、その上に陰
極用物質からなる薄膜を形成させるものがある。ここ
で、作製した発光層上に、さらに発光層の材料となる素
子材料を真空蒸着し、その上に陰極用物質からなる薄膜
を形成させてもよい。あるいは、正孔注入輸送材料,電
子注入材料および発光材料を同時蒸着させ発光層とし、
その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させてもよい。
【0060】次に、陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰
極から成るEL素子の作製法について説明すると、ま
ず、陽極を前記のEL素子の場合と同様にして形成した
のち、その上に、正孔伝達化合物から成る薄膜をスピン
コート法などにより形成し、正孔注入輸送層を設ける。
この際の条件は、前記発光材料の薄膜形成の条件に準じ
ればよい。次に、この正孔注入輸送層の上に、順次発光
層及び陰極を、前記EL素子の作製の場合と同様にして
設けることにより、所望のEL素子が得られる。なお、
このEL素子の作製においても、作製順序を逆にして、
陰極,発光層,正孔注入輸送層,陽極の順に作製するこ
とも可能である。さらに、陽極/正孔注入輸送層/発光
層/電子注入層/陰極から成るEL素子の作製法につい
て説明すると、まず、前記のEL素子の作製の場合と同
様にして、陽極,正孔注入輸送層,発光層を順次設けた
のち、この発光層の上に、電子伝達化合物から成る薄膜
をスピンコート法などにより形成して、電子注入層を設
け、次いでこの上に、陰極を前記EL素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のEL素子が得ら
れる。なお、このEL素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陽極,電子注入層,発光層,正孔注入輸送
層,陽極の順に作製してもよい。
極から成るEL素子の作製法について説明すると、ま
ず、陽極を前記のEL素子の場合と同様にして形成した
のち、その上に、正孔伝達化合物から成る薄膜をスピン
コート法などにより形成し、正孔注入輸送層を設ける。
この際の条件は、前記発光材料の薄膜形成の条件に準じ
ればよい。次に、この正孔注入輸送層の上に、順次発光
層及び陰極を、前記EL素子の作製の場合と同様にして
設けることにより、所望のEL素子が得られる。なお、
このEL素子の作製においても、作製順序を逆にして、
陰極,発光層,正孔注入輸送層,陽極の順に作製するこ
とも可能である。さらに、陽極/正孔注入輸送層/発光
層/電子注入層/陰極から成るEL素子の作製法につい
て説明すると、まず、前記のEL素子の作製の場合と同
様にして、陽極,正孔注入輸送層,発光層を順次設けた
のち、この発光層の上に、電子伝達化合物から成る薄膜
をスピンコート法などにより形成して、電子注入層を設
け、次いでこの上に、陰極を前記EL素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のEL素子が得ら
れる。なお、このEL素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陽極,電子注入層,発光層,正孔注入輸送
層,陽極の順に作製してもよい。
【0061】このようにして得られた本発明の有機EL
素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+,陰極
を−の極性として電圧1〜30V程度を印加すると、発
光が透明又は半透明の電極側より観測できる。また、逆
の極性で電圧を印加しても電流は流れず発光は全く生じ
ない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が
+,陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、
印加する交流の波形は任意でよい。
素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+,陰極
を−の極性として電圧1〜30V程度を印加すると、発
光が透明又は半透明の電極側より観測できる。また、逆
の極性で電圧を印加しても電流は流れず発光は全く生じ
ない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が
+,陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、
印加する交流の波形は任意でよい。
【0062】
【実施例】次に本発明を、合成例,実施例及び比較例に
よりさらに詳しく説明する。合成例1
よりさらに詳しく説明する。合成例1
【0063】
【化24】
【0064】2’,5’−ジメチル−4,4''−ビス
(ブロモメチル)−1,1’:4’,1''−ターフェニ
ル6.0g(0.0135モル)と亜リン酸トリエチル7.1
g(0.0427モル)を内温120℃で反応させた。反
応終了後、n−ヘキサン50ミリリットルで洗浄後、一
晩放置すると白色沈澱を生じた。得られた白色沈澱は、
収量7.3g(収率96%),融点133〜134℃であ
った。また、プロトン核磁気共鳴( 1H−NMR,基
準:テトラメチルシラン(TMS),溶媒:CDC
l3 )測定の結果、 δ=7.1〜7.3ppm(d,10H,中心のターフェニ
レンのH) δ=4.0ppm(q,8H,エトキシ基の−CH2 −の
H) δ=3.2ppm(d,4H,31P−CH2 カップリング
のH,J=20Hz) δ=2.3ppm(s,6H,中心のターフェニレンの−
CH3 のH) δ=1.2ppm(t,12H,エトキシ基の−CH3 の
H) であった。次に、このホスホン酸エステル1.96g(0.
0035モル),ベンゾフェノン1.66g(0.009モ
ル)およびカリウム−t−ブトキシド0.89g(0.00
77モル)をジメチルスルホキシド(DMSO)30ミ
リリットルに懸濁し、室温(20〜25℃)にて反応さ
せた。得られた反応物を一晩放置後、メタノール50ミ
リリットルを添加し、析出した白色粉末を濾過して得ら
れた濾塊をシリカゲルカラムにて精製した。その結果得
られた白色粉末は、収量1.8g(収率82%),融点2
30〜238℃であった。また、 1H−NMR(基準:
テトラメチルシラン(TMS),溶媒:CDCl 3 )測
定の結果、 δ=7.3ppm(s,20H,末端フェニルのH) δ=7.0〜7.2ppm(m,12H,中心ターフェニレ
ンのH及び−CH=CH−のH) δ=2.2ppm(s,6H,中心ターフェニレンの−C
H3 のH) であった。質量分析の結果、m/Z=614(M+ :Z
=1),307(M2+:Z=2)であった。さらに元素
分析の結果(( )は計算値)、C48H38として C:93.57%(93.77%) H: 6.43%( 6.23%) であった。さらに、得られた化合物の薄膜の蛍光スペク
トルを測定した結果、 λmax =440mm であった。以上から、目的のスチリル化合物(1)が合
成されていることが確認された。
(ブロモメチル)−1,1’:4’,1''−ターフェニ
ル6.0g(0.0135モル)と亜リン酸トリエチル7.1
g(0.0427モル)を内温120℃で反応させた。反
応終了後、n−ヘキサン50ミリリットルで洗浄後、一
晩放置すると白色沈澱を生じた。得られた白色沈澱は、
収量7.3g(収率96%),融点133〜134℃であ
った。また、プロトン核磁気共鳴( 1H−NMR,基
準:テトラメチルシラン(TMS),溶媒:CDC
l3 )測定の結果、 δ=7.1〜7.3ppm(d,10H,中心のターフェニ
レンのH) δ=4.0ppm(q,8H,エトキシ基の−CH2 −の
H) δ=3.2ppm(d,4H,31P−CH2 カップリング
のH,J=20Hz) δ=2.3ppm(s,6H,中心のターフェニレンの−
CH3 のH) δ=1.2ppm(t,12H,エトキシ基の−CH3 の
H) であった。次に、このホスホン酸エステル1.96g(0.
0035モル),ベンゾフェノン1.66g(0.009モ
ル)およびカリウム−t−ブトキシド0.89g(0.00
77モル)をジメチルスルホキシド(DMSO)30ミ
リリットルに懸濁し、室温(20〜25℃)にて反応さ
せた。得られた反応物を一晩放置後、メタノール50ミ
リリットルを添加し、析出した白色粉末を濾過して得ら
れた濾塊をシリカゲルカラムにて精製した。その結果得
られた白色粉末は、収量1.8g(収率82%),融点2
30〜238℃であった。また、 1H−NMR(基準:
テトラメチルシラン(TMS),溶媒:CDCl 3 )測
定の結果、 δ=7.3ppm(s,20H,末端フェニルのH) δ=7.0〜7.2ppm(m,12H,中心ターフェニレ
ンのH及び−CH=CH−のH) δ=2.2ppm(s,6H,中心ターフェニレンの−C
H3 のH) であった。質量分析の結果、m/Z=614(M+ :Z
=1),307(M2+:Z=2)であった。さらに元素
分析の結果(( )は計算値)、C48H38として C:93.57%(93.77%) H: 6.43%( 6.23%) であった。さらに、得られた化合物の薄膜の蛍光スペク
トルを測定した結果、 λmax =440mm であった。以上から、目的のスチリル化合物(1)が合
成されていることが確認された。
【0065】合成例2
【0066】
【化25】
【0067】2’−メチル−4,4''−ビス(ブロモメ
チル)−1,1’:4’,1''−ターフェニル13.0g
(0.03モル)と亜リン酸トリエチル15g(0.090
モル)を内温90℃で反応させた。反応終了後、n−ヘ
キサン140ミリリットルで洗浄後、一晩放置すると白
色沈澱を生じた。得られた白色沈澱は、収量15g(収
率96%),融点75〜76℃であった。また、プロト
ン核磁気共鳴( 1H−NMR,基準:テトラメチルシラ
ン(TMS),溶媒:CDCl3 )測定の結果、 δ=7.2〜7.6ppm(m,11H,中心のターフェニ
レンのH) δ=4.0ppm(q,8H,エトキシ基の−CH2 −の
H) δ=3.2ppm(d,4H,31P−CH2 カップリング
のH,J=20Hz) δ=2.3ppm(s,3H,中心のターフェニレンの−
CH3 のH) δ=1.2ppm(t,12H,エトキシ基の−CH3 の
H) であった。次に、このホスホン酸エステル1.0g(0.0
018モル),ベンゾフェノン0.85g(0.0047モ
ル)およびカリウム−t−ブトキシド0.44g(0.00
4モル)をジメチルスルホキシド(DMSO)10ミリ
リットルに懸濁し、室温(20〜25℃)にて反応させ
た。得られた反応物を一晩放置後、80%含水メタノー
ル50ミリリットルを添加し、析出した白色粉末を濾過
して得られた濾塊をシリカゲルカラムにて精製した。そ
の結果得られた白色粉末は、収量0.8g(収率74
%),融点207〜208℃であった。また、 1H−N
MR(基準:テトラメチルシラン(TMS),溶媒:C
DCl 3 )測定の結果、 δ=7.2〜7.6ppm(m,33H,中心ターフェニレ
ンのH,−CH=CH−のH及び末端フェニルのH) δ=2.3ppm(s,3H,中心ターフェニレンの−C
H3 のH) であった。質量分析の結果、m/Z=600(M+ :Z
=1),300(M2+:Z=2)であった。さらに元素
分析の結果(( )は計算値)、C47H36として C:93.85%(93.96%) H: 6.15%( 6.04%) であった。さらに、得られた化合物の薄膜の蛍光スペク
トルを測定した結果、 λmax =450mm であった。以上から、目的のスチリル化合物(2)が合
成されていることが確認された。
チル)−1,1’:4’,1''−ターフェニル13.0g
(0.03モル)と亜リン酸トリエチル15g(0.090
モル)を内温90℃で反応させた。反応終了後、n−ヘ
キサン140ミリリットルで洗浄後、一晩放置すると白
色沈澱を生じた。得られた白色沈澱は、収量15g(収
率96%),融点75〜76℃であった。また、プロト
ン核磁気共鳴( 1H−NMR,基準:テトラメチルシラ
ン(TMS),溶媒:CDCl3 )測定の結果、 δ=7.2〜7.6ppm(m,11H,中心のターフェニ
レンのH) δ=4.0ppm(q,8H,エトキシ基の−CH2 −の
H) δ=3.2ppm(d,4H,31P−CH2 カップリング
のH,J=20Hz) δ=2.3ppm(s,3H,中心のターフェニレンの−
CH3 のH) δ=1.2ppm(t,12H,エトキシ基の−CH3 の
H) であった。次に、このホスホン酸エステル1.0g(0.0
018モル),ベンゾフェノン0.85g(0.0047モ
ル)およびカリウム−t−ブトキシド0.44g(0.00
4モル)をジメチルスルホキシド(DMSO)10ミリ
リットルに懸濁し、室温(20〜25℃)にて反応させ
た。得られた反応物を一晩放置後、80%含水メタノー
ル50ミリリットルを添加し、析出した白色粉末を濾過
して得られた濾塊をシリカゲルカラムにて精製した。そ
の結果得られた白色粉末は、収量0.8g(収率74
%),融点207〜208℃であった。また、 1H−N
MR(基準:テトラメチルシラン(TMS),溶媒:C
DCl 3 )測定の結果、 δ=7.2〜7.6ppm(m,33H,中心ターフェニレ
ンのH,−CH=CH−のH及び末端フェニルのH) δ=2.3ppm(s,3H,中心ターフェニレンの−C
H3 のH) であった。質量分析の結果、m/Z=600(M+ :Z
=1),300(M2+:Z=2)であった。さらに元素
分析の結果(( )は計算値)、C47H36として C:93.85%(93.96%) H: 6.15%( 6.04%) であった。さらに、得られた化合物の薄膜の蛍光スペク
トルを測定した結果、 λmax =450mm であった。以上から、目的のスチリル化合物(2)が合
成されていることが確認された。
【0068】実施例1 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上に蒸着法により
厚さ100nmのITO膜(陽極に相当)を設けたもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで5分間超音波洗浄し、さらに純水中で5
分間超音波洗浄した後、UVイオン洗浄器(サムコイン
ターナショナル社製)にて基板温度150℃で20分間
洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して
市販の蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダ
ーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにCu配位
のフタロシアニン(以下、CuPcと略す。)を200
mg入れ、また別のモリブテン製ボートの抵抗加熱に
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジ
フェニル−〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジア
ミン(以下、TPDと略す。)を200mg入れ、さら
に別のモリブテン製の抵抗加熱ボートに合成例1で得ら
れた化合物(1)で表される2’,5’−ジメチル−
4,4''−ビス(ブロモメチル)−1,1’:4’,
1''−ターフェニル(以下、DMDPVTPと略す。)
を200mg入れた。次いで、真空層を4×10-4Pa
まで減圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通
電して400℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/
秒で透明支持基板上に蒸着して膜厚20nmのCuPc
層を設けた。このときの基板温度は室温であった。そし
て、TPDの入った前記加熱ボートに通電して215℃
まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で上記CuP
c層の上にTPDを蒸着して膜厚40nmのTPD層を
設けた。このときの基板温度も室温であった。このよう
にして設けたCuPc層とTPD層の2層が、正孔注入
輸送層に該当する。次いで、DMDPVTPの入った前
記加熱ボートに通電して300℃まで加熱し、蒸着速度
0.1〜0.3nm/秒で上記TPD層の上に蒸着して膜厚
40nmの発光層を設けた。次に、これ3層の有機物層
を積層した透明支持基板を真空槽から取り出し、発光槽
の上にステンレススチール製のマスクを配置して再び基
板ホルダーに固定した。次いで、モリブデン製の抵抗加
熱ボートにトリス(8−キノリノール)アルミニウム
(以下、Alq3 と略す。)を200mgを入れて真空
槽に蒸着した。さらに、マグネシウムリボン1gを入れ
たモリブデン製の抵抗加熱ボートと銀ワイヤー500m
gを入れたタングステン製バスケットとを真空槽に装着
した。その後、真空槽を1×10-4Paまで減圧した。
減圧後、Alq3 を入れたボートを270℃まで加熱
し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で発光層上にAlq3
を蒸着して膜厚20nmのAlq3 層(電子注入層に相
当)を設けた。続けて、銀ワイヤー入りのバスケットに
通電して蒸着速度0.1nm/秒で銀を蒸着させると同時
にマグネシウムリボン入りのボートに通電して蒸着速度
1.4〜2.0nm/秒でマグネシウムを蒸着した。この二
元同時蒸着により、Alq3 層上に膜厚150nmのマ
グネシウム−銀層(陰極に相当)が形成された。この素
子のITO電極を陽極とし、マグネシウム−銀層を陰極
として、直流10Vを印加したところ、電流密度が61
ミリアンペア/cm2 の電流が流れ、ピーク波長450
nmのPurplish Blueの発光を得た。この
ときの輝度は305cd/m2 であり、発光効率は0.1
6ルーメン/Wであった。得られた発光は、DMDPV
TPの固体蛍光(440nm)とほぼ一致することから
DMDPVTPからの発光と確認された。
厚さ100nmのITO膜(陽極に相当)を設けたもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで5分間超音波洗浄し、さらに純水中で5
分間超音波洗浄した後、UVイオン洗浄器(サムコイン
ターナショナル社製)にて基板温度150℃で20分間
洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して
市販の蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダ
ーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにCu配位
のフタロシアニン(以下、CuPcと略す。)を200
mg入れ、また別のモリブテン製ボートの抵抗加熱に
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジ
フェニル−〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジア
ミン(以下、TPDと略す。)を200mg入れ、さら
に別のモリブテン製の抵抗加熱ボートに合成例1で得ら
れた化合物(1)で表される2’,5’−ジメチル−
4,4''−ビス(ブロモメチル)−1,1’:4’,
1''−ターフェニル(以下、DMDPVTPと略す。)
を200mg入れた。次いで、真空層を4×10-4Pa
まで減圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通
電して400℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/
秒で透明支持基板上に蒸着して膜厚20nmのCuPc
層を設けた。このときの基板温度は室温であった。そし
て、TPDの入った前記加熱ボートに通電して215℃
まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で上記CuP
c層の上にTPDを蒸着して膜厚40nmのTPD層を
設けた。このときの基板温度も室温であった。このよう
にして設けたCuPc層とTPD層の2層が、正孔注入
輸送層に該当する。次いで、DMDPVTPの入った前
記加熱ボートに通電して300℃まで加熱し、蒸着速度
0.1〜0.3nm/秒で上記TPD層の上に蒸着して膜厚
40nmの発光層を設けた。次に、これ3層の有機物層
を積層した透明支持基板を真空槽から取り出し、発光槽
の上にステンレススチール製のマスクを配置して再び基
板ホルダーに固定した。次いで、モリブデン製の抵抗加
熱ボートにトリス(8−キノリノール)アルミニウム
(以下、Alq3 と略す。)を200mgを入れて真空
槽に蒸着した。さらに、マグネシウムリボン1gを入れ
たモリブデン製の抵抗加熱ボートと銀ワイヤー500m
gを入れたタングステン製バスケットとを真空槽に装着
した。その後、真空槽を1×10-4Paまで減圧した。
減圧後、Alq3 を入れたボートを270℃まで加熱
し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で発光層上にAlq3
を蒸着して膜厚20nmのAlq3 層(電子注入層に相
当)を設けた。続けて、銀ワイヤー入りのバスケットに
通電して蒸着速度0.1nm/秒で銀を蒸着させると同時
にマグネシウムリボン入りのボートに通電して蒸着速度
1.4〜2.0nm/秒でマグネシウムを蒸着した。この二
元同時蒸着により、Alq3 層上に膜厚150nmのマ
グネシウム−銀層(陰極に相当)が形成された。この素
子のITO電極を陽極とし、マグネシウム−銀層を陰極
として、直流10Vを印加したところ、電流密度が61
ミリアンペア/cm2 の電流が流れ、ピーク波長450
nmのPurplish Blueの発光を得た。この
ときの輝度は305cd/m2 であり、発光効率は0.1
6ルーメン/Wであった。得られた発光は、DMDPV
TPの固体蛍光(440nm)とほぼ一致することから
DMDPVTPからの発光と確認された。
【0069】実施例2 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上に蒸着法により
厚さ100nmのITO膜(陽極に相当)を設けたもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで5分間超音波洗浄し、さらに純水中で5
分間超音波洗浄した後、UVイオン洗浄器(サムコイン
ターナショナル社製)にて基板温度150℃で20分間
洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して
市販の蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダ
ーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにCuPc
を200mg入れ、また別のモリブテン製ボートの抵抗
加熱にTPDを200mg入れ、さらに別のモリブテン
製の抵抗加熱ボートに合成例2で得られた化合物(2
0)で表される2’−メチル−4,4''−ビス(ブロモ
メチル)−1,1’:4’,1''−ターフェニル(以
下、MDPVTPと略す。)を200mg入れた。次い
で、真空層を4×10-4Paまで減圧した後、CuPc
の入った前記加熱ボートに通電して400℃まで加熱
し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に蒸
着して膜厚20nmのCuPc層を設けた。このときの
基板温度は室温であった。そして、TPDの入った前記
加熱ボートに通電して215℃まで加熱し、蒸着速度0.
1〜0.3nm/秒で上記CuPc層の上にTPDを蒸着
して膜厚40nmのTPD層を設けた。このときの基板
温度も室温であった。このようにして設けたCuPc層
とTPD層の2層が、正孔注入輸送層に該当する。次い
で、MDPVTPの入った前記加熱ボートに通電して2
70℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で上記
TPD層の上に蒸着して膜厚40nmの発光層を設け
た。次に、これ3層の有機物層を積層した透明支持基板
を真空槽から取り出し、発光槽の上にステンレススチー
ル製のマスクを配置して再び基板ホルダーに固定した。
次いで、モリブデン製の抵抗加熱ボートにAlq3 を2
00mgを入れて真空槽に蒸着した。さらに、マグネシ
ウムリボン1gを入れたモリブデン製の抵抗加熱ボート
と銀ワイヤー500mgを入れたタングステン製バスケ
ットとを真空槽に装着した。その後、真空槽を1×10
-4Paまで減圧した。減圧後、Alq 3 を入れたボート
を270℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で
発光層上にAlq3 を蒸着して膜厚20nmのAlq3
層(電子注入層に相当)を設けた。続けて、銀ワイヤー
入りのバスケットに通電して蒸着速度0.1nm/秒で銀
を蒸着させると同時にマグネシウムリボン入りのボート
に通電して蒸着速度1.4〜2.0nm/秒でマグネシウム
を蒸着した。この二元同時蒸着により、Alq3層上に
膜厚150nmのマグネシウム−銀層(陰極に相当)が
形成された。この素子のITO電極を陽極とし、マグネ
シウム−銀層を陰極として、直流10Vを印加したとこ
ろ、電流密度が35ミリアンペア/cm2 の電流が流
れ、ピーク波長455nmのPurplish Blu
eの発光を得た。このときの輝度は260cd/m2 で
あり、発光効率は0.24ルーメン/Wであった。得られ
た発光は、MDPVTPの固体蛍光(450nm)とほ
ぼ一致することからMDPVTPからの発光と確認され
た。
厚さ100nmのITO膜(陽極に相当)を設けたもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで5分間超音波洗浄し、さらに純水中で5
分間超音波洗浄した後、UVイオン洗浄器(サムコイン
ターナショナル社製)にて基板温度150℃で20分間
洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して
市販の蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダ
ーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにCuPc
を200mg入れ、また別のモリブテン製ボートの抵抗
加熱にTPDを200mg入れ、さらに別のモリブテン
製の抵抗加熱ボートに合成例2で得られた化合物(2
0)で表される2’−メチル−4,4''−ビス(ブロモ
メチル)−1,1’:4’,1''−ターフェニル(以
下、MDPVTPと略す。)を200mg入れた。次い
で、真空層を4×10-4Paまで減圧した後、CuPc
の入った前記加熱ボートに通電して400℃まで加熱
し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に蒸
着して膜厚20nmのCuPc層を設けた。このときの
基板温度は室温であった。そして、TPDの入った前記
加熱ボートに通電して215℃まで加熱し、蒸着速度0.
1〜0.3nm/秒で上記CuPc層の上にTPDを蒸着
して膜厚40nmのTPD層を設けた。このときの基板
温度も室温であった。このようにして設けたCuPc層
とTPD層の2層が、正孔注入輸送層に該当する。次い
で、MDPVTPの入った前記加熱ボートに通電して2
70℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で上記
TPD層の上に蒸着して膜厚40nmの発光層を設け
た。次に、これ3層の有機物層を積層した透明支持基板
を真空槽から取り出し、発光槽の上にステンレススチー
ル製のマスクを配置して再び基板ホルダーに固定した。
次いで、モリブデン製の抵抗加熱ボートにAlq3 を2
00mgを入れて真空槽に蒸着した。さらに、マグネシ
ウムリボン1gを入れたモリブデン製の抵抗加熱ボート
と銀ワイヤー500mgを入れたタングステン製バスケ
ットとを真空槽に装着した。その後、真空槽を1×10
-4Paまで減圧した。減圧後、Alq 3 を入れたボート
を270℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で
発光層上にAlq3 を蒸着して膜厚20nmのAlq3
層(電子注入層に相当)を設けた。続けて、銀ワイヤー
入りのバスケットに通電して蒸着速度0.1nm/秒で銀
を蒸着させると同時にマグネシウムリボン入りのボート
に通電して蒸着速度1.4〜2.0nm/秒でマグネシウム
を蒸着した。この二元同時蒸着により、Alq3層上に
膜厚150nmのマグネシウム−銀層(陰極に相当)が
形成された。この素子のITO電極を陽極とし、マグネ
シウム−銀層を陰極として、直流10Vを印加したとこ
ろ、電流密度が35ミリアンペア/cm2 の電流が流
れ、ピーク波長455nmのPurplish Blu
eの発光を得た。このときの輝度は260cd/m2 で
あり、発光効率は0.24ルーメン/Wであった。得られ
た発光は、MDPVTPの固体蛍光(450nm)とほ
ぼ一致することからMDPVTPからの発光と確認され
た。
【0070】比較例1 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上に蒸着法により
厚さ100nmのITO膜(陽極に相当)を設けたもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで5分間超音波洗浄し、さらに純水中で5
分間超音波洗浄した後、UVイオン洗浄器(サムコイン
ターナショナル社製)にて基板温度150℃で20分間
洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して
市販の蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダ
ーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにCuPc
を200mg入れ、また別のモリブテン製ボートの抵抗
加熱にTPDを200mg入れ、さらに別のモリブテン
製の抵抗加熱ボートにDPVTP
厚さ100nmのITO膜(陽極に相当)を設けたもの
を透明支持基板とした。この透明支持基板をイソプロピ
ルアルコールで5分間超音波洗浄し、さらに純水中で5
分間超音波洗浄した後、UVイオン洗浄器(サムコイン
ターナショナル社製)にて基板温度150℃で20分間
洗浄した。この透明支持基板を乾燥窒素ガスで乾燥して
市販の蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダ
ーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにCuPc
を200mg入れ、また別のモリブテン製ボートの抵抗
加熱にTPDを200mg入れ、さらに別のモリブテン
製の抵抗加熱ボートにDPVTP
【0071】
【化26】
【0072】を200mg入れた。次いで、真空層を4
×10-4Paまで減圧した後、CuPcの入った前記加
熱ボートに通電して400℃まで加熱し、蒸着速度0.1
〜0.3nm/秒で透明支持基板上に蒸着して膜厚20n
mのCuPc層を設けた。このときの基板温度は室温で
あった。そして、TPDの入った前記加熱ボートに通電
して215℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒
で上記CuPc層の上にTPDを蒸着して膜厚40nm
のTPD層を設けた。このときの基板温度も室温であっ
た。このようにして設けたCuPc層とTPD層の2層
が、正孔注入輸送層に該当する。次いで、DPVTPの
入った前記加熱ボートに通電して240〜250℃まで
加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で上記TPD層の
上に蒸着して膜厚40nmの発光層を設けた。次に、こ
れ3層の有機物層を積層した透明支持基板を真空槽から
取り出し、発光槽の上にステンレススチール製のマスク
を配置して再び基板ホルダーに固定した。次いで、モリ
ブデン製の抵抗加熱ボートにAlq3 を200mgを入
れて真空槽に蒸着した。さらに、マグネシウムリボン1
gを入れたモリブデン製の抵抗加熱ボートと銀ワイヤー
500mgを入れたタングステン製バスケットとを真空
槽に装着した。その後、真空槽を1×10-4Paまで減
圧した。減圧後、Alq 3 を入れたボートを270℃ま
で加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で発光層上にA
lq3 を蒸着して膜厚20nmのAlq3 層(電子注入
層に相当)を設けた。続けて、銀ワイヤー入りのバスケ
ットに通電して蒸着速度0.1nm/秒で銀を蒸着させる
と同時にマグネシウムリボン入りのボートに通電して蒸
着速度1.4〜2.0nm/秒でマグネシウムを蒸着した。
この二元同時蒸着により、Alq3層上に膜厚150n
mのマグネシウム−銀層(陰極に相当)が形成された。
この素子のITO電極を陽極とし、マグネシウム−銀層
を陰極として、直流9Vを印加したところ、電流密度が
7.8ミリアンペア/cm2 の電流が流れ、ピーク波長4
73nmのBlueの発光を得た。このときの輝度は1
23cd/m2であり、発光効率は0.5ルーメン/Wで
あった。このように、無置換のターフェニレンを有する
化合物を発光層に用いた場合、発光波長473nmの青
色発光が得られるのみである。以上の如く、置換基によ
る共役系の制御を行うことにより、初めて紫〜青紫色の
発光を可能にすることができる。
×10-4Paまで減圧した後、CuPcの入った前記加
熱ボートに通電して400℃まで加熱し、蒸着速度0.1
〜0.3nm/秒で透明支持基板上に蒸着して膜厚20n
mのCuPc層を設けた。このときの基板温度は室温で
あった。そして、TPDの入った前記加熱ボートに通電
して215℃まで加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒
で上記CuPc層の上にTPDを蒸着して膜厚40nm
のTPD層を設けた。このときの基板温度も室温であっ
た。このようにして設けたCuPc層とTPD層の2層
が、正孔注入輸送層に該当する。次いで、DPVTPの
入った前記加熱ボートに通電して240〜250℃まで
加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で上記TPD層の
上に蒸着して膜厚40nmの発光層を設けた。次に、こ
れ3層の有機物層を積層した透明支持基板を真空槽から
取り出し、発光槽の上にステンレススチール製のマスク
を配置して再び基板ホルダーに固定した。次いで、モリ
ブデン製の抵抗加熱ボートにAlq3 を200mgを入
れて真空槽に蒸着した。さらに、マグネシウムリボン1
gを入れたモリブデン製の抵抗加熱ボートと銀ワイヤー
500mgを入れたタングステン製バスケットとを真空
槽に装着した。その後、真空槽を1×10-4Paまで減
圧した。減圧後、Alq 3 を入れたボートを270℃ま
で加熱し、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で発光層上にA
lq3 を蒸着して膜厚20nmのAlq3 層(電子注入
層に相当)を設けた。続けて、銀ワイヤー入りのバスケ
ットに通電して蒸着速度0.1nm/秒で銀を蒸着させる
と同時にマグネシウムリボン入りのボートに通電して蒸
着速度1.4〜2.0nm/秒でマグネシウムを蒸着した。
この二元同時蒸着により、Alq3層上に膜厚150n
mのマグネシウム−銀層(陰極に相当)が形成された。
この素子のITO電極を陽極とし、マグネシウム−銀層
を陰極として、直流9Vを印加したところ、電流密度が
7.8ミリアンペア/cm2 の電流が流れ、ピーク波長4
73nmのBlueの発光を得た。このときの輝度は1
23cd/m2であり、発光効率は0.5ルーメン/Wで
あった。このように、無置換のターフェニレンを有する
化合物を発光層に用いた場合、発光波長473nmの青
色発光が得られるのみである。以上の如く、置換基によ
る共役系の制御を行うことにより、初めて紫〜青紫色の
発光を可能にすることができる。
【0073】
【発明の効果】以上の如く、本発明のスチリル化合物を
用いたEL素子は紫色系の発光を可能とした。従って、
本発明の有機EL素子は、紫色系発光のEL素子とし
て、様々な工業分野において利用することができる。
用いたEL素子は紫色系の発光を可能とした。従って、
本発明の有機EL素子は、紫色系発光のEL素子とし
て、様々な工業分野において利用することができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、R1 〜R12はそれぞれ独立に水素原子または炭
素数1〜6のアルキル基を示す。但し、R1 〜R12のう
ち少なくとも1つは炭素数1〜6のアルキル基である。
また、R2 とR3 ,R4 とR5 ,R8 とR9 ,R10とR
11は、互いに結合して飽和5員環または6員環を形成し
てもよい。X及びYはそれぞれ独立に置換または無置換
の炭素数6〜20のアリール基を示す。XとYは置換基
と結合して置換または無置換の飽和5員環または6員環
を形成してもよい。ここで、置換基としては炭素数1〜
6のアルキル基,炭素数1〜6のアルコキシ基,炭素数
6〜18のアリールオキシ基,フェニル基,アミノ基,
シアノ基,ニトロ基,水酸基あるいはハロゲン原子を示
す。これらの置換基は単一でも複数置換されていてもよ
い。)で表されるターフェニレン誘導体のスチリル化合
物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項2】 請求項1記載のスチリル化合物を、一対
の電極間に挟持してなる有機エレクトロルミネッセンス
素子。 - 【請求項3】 発光層が、請求項1記載のスチリル化合
物からなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5170354A JPH0726254A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5170354A JPH0726254A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0726254A true JPH0726254A (ja) | 1995-01-27 |
Family
ID=15903383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5170354A Pending JPH0726254A (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0726254A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5807974A (en) * | 1996-05-16 | 1998-09-15 | Korea Institute Of Science And Technology | Fluorene-based alternating copolymers for electroluminescence element and electroluminescence element using such copolymers as light emitting materials |
JP2000143569A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-23 | Samsung Sdi Co Ltd | 発光化合物及びこれを発色材料として採用している表示素子 |
WO2006132015A1 (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-14 | Adeka Corporation | 新規化合物及び液晶組成物 |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP5170354A patent/JPH0726254A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5807974A (en) * | 1996-05-16 | 1998-09-15 | Korea Institute Of Science And Technology | Fluorene-based alternating copolymers for electroluminescence element and electroluminescence element using such copolymers as light emitting materials |
JP2000143569A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-23 | Samsung Sdi Co Ltd | 発光化合物及びこれを発色材料として採用している表示素子 |
WO2006132015A1 (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-14 | Adeka Corporation | 新規化合物及び液晶組成物 |
GB2441918A (en) * | 2005-06-09 | 2008-03-19 | Adeka Corp | Novel compound and liquid-crystal composition |
GB2441918B (en) * | 2005-06-09 | 2010-06-16 | Adeka Corp | Chemical compounds and liquid-crystal compositions comprising the compounds |
US7785675B2 (en) | 2005-06-09 | 2010-08-31 | Adeka Corporation | Compound and liquid crystal composition |
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