JPH07249575A - Manufacture of semiconductor optical element - Google Patents
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- JPH07249575A JPH07249575A JP3812694A JP3812694A JPH07249575A JP H07249575 A JPH07249575 A JP H07249575A JP 3812694 A JP3812694 A JP 3812694A JP 3812694 A JP3812694 A JP 3812694A JP H07249575 A JPH07249575 A JP H07249575A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体光素子における
p型クラッド層の形成方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a p-type cladding layer in a semiconductor optical device.
【0002】[0002]
【従来の技術】導波路構造を有する半導体光素子では、
活性層より屈折率の小さいクラッド層を用いることによ
り、光の閉じ込めが実現される。InP基板上の半導体
光素子においては、InP層をクラッド層として用いる
ことが一般的である。半導体光素子において、素子抵抗
を低減するためには、このクラッド層におけるキャリア
濃度を増加させることが有効であるが、InPの場合キ
ャリア濃度増大により光の吸収係数が大きくなり、これ
が導波光の光損失となっていた。この光損失は、n型よ
りもp型ドープInPにおいて特に問題となる(アプラ
イド フィジクス レター44巻82頁[ C.H. Casey
et al., Appl. Phys. Lett.,44 (1984) 82. ]、ジャー
ナル オブ クリスタル グロース62巻198頁[
A.A. Ballman et al., J. Crystal Growth, 62 (1983)
198. ])。2. Description of the Related Art In a semiconductor optical device having a waveguide structure,
Light confinement is realized by using a clad layer having a smaller refractive index than the active layer. In a semiconductor optical device on an InP substrate, it is common to use an InP layer as a cladding layer. In a semiconductor optical device, it is effective to increase the carrier concentration in the clad layer in order to reduce the device resistance, but in the case of InP, the absorption coefficient of light increases due to the increase in carrier concentration, which is It was a loss. This optical loss is more problematic in p-type doped InP than in n-type (Applied Physics Letters Vol. 44, p. 82 [CH Casey
et al., Appl. Phys. Lett., 44 (1984) 82.], Journal of Crystal Growth, vol. 62, p.
AA Ballman et al., J. Crystal Growth, 62 (1983)
198.]).
【0003】このため、p型InPをクラッド層として
用いる半導体光素子では、素子抵抗を小さくし、また光
損失を小さくするために、InPクラッド層内でp型キ
ャリア濃度を変化させる構造が用いられてきた。Therefore, in a semiconductor optical device using p-type InP as a clad layer, a structure in which the p-type carrier concentration is changed in the InP clad layer is used in order to reduce the device resistance and the optical loss. Came.
【0004】この構造の一例を、図1の半導体レーザ構
造を用いて示す。図1中、1はn型InP基板、2はn
型InPバッファ層、3はInGaAsPガイド層、4
はInGaAs/InGaAsP MQW活性層、5は
InGaAsPガイド層、6はp型InPクラッド層、
7はp型InGaAsPコンタクト層を各々図示する。
図1の半導体レーザ構造の場合、図2に示すようにp型
InPクラッド層6におけるp型キャリア濃度は、In
GaAsPガイド5からp型InGaAsPコンタクト
層7に近い領域において大きくなる。有機金属分子線エ
ピタキシー法(MOMBE)またはガスソース分子線エ
ピタキシー(GSMBE法)において、固体ベリリウム
をドーパント原料に用いて、図2に示すようなp型In
Pクラッド層6を形成しようとする場合、該p型InP
クラッド層の成長中に、連続的にベリリウムのセル温度
を上昇させてキャリア濃度を増大させる方法、またはII
I 族原料の供給量を減少させることにより成長速度を小
さくして、キャリア濃度を増大させる方法が主に用いら
れる。An example of this structure is shown using the semiconductor laser structure shown in FIG. In FIG. 1, 1 is an n-type InP substrate, 2 is n
Type InP buffer layer, 3 is an InGaAsP guide layer, 4
Is an InGaAs / InGaAsP MQW active layer, 5 is an InGaAsP guide layer, 6 is a p-type InP cladding layer,
Reference numerals 7 respectively denote p-type InGaAsP contact layers.
In the case of the semiconductor laser structure of FIG. 1, the p-type carrier concentration in the p-type InP clad layer 6 is In as shown in FIG.
It becomes large in the region near the p-type InGaAsP contact layer 7 from the GaAsP guide 5. In the metalorganic molecular beam epitaxy method (MOMBE) or the gas source molecular beam epitaxy (GSMBE method), solid beryllium is used as a dopant material, and p-type In as shown in FIG.
When the P clad layer 6 is to be formed, the p-type InP
A method of continuously increasing the cell temperature of beryllium to increase the carrier concentration during the growth of the cladding layer, or II
The method of decreasing the growth rate by decreasing the supply amount of the group I raw material to increase the carrier concentration is mainly used.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】前記のようにMOMB
E法またはGSMBE法において、ベリリウムのセル温
度を上昇させてInPへのp型キャリア濃度を増大させ
る方法では、ベリリウムのセル温度上昇により、セル周
辺部分の温度も上昇するため、ベリリウム以外の不純物
(例えばシリコン)が、InP層内に混入するため膜質
が劣化したり、またベリリウムのセル温度が設定温度で
安定するには分単位での時間が必要である等の問題があ
った。[Problems to be Solved by the Invention] As described above, MOMB
In the method E or the GSMBE method, in which the cell temperature of beryllium is raised to increase the p-type carrier concentration in InP, the temperature of the cell peripheral portion also rises due to the cell temperature rise of beryllium, so impurities other than beryllium ( For example, silicon) is mixed in the InP layer to deteriorate the film quality, and it takes time in minutes for the cell temperature of beryllium to stabilize at the set temperature.
【0006】また、前記のようにMOMBE法またはG
SMBE法において、III 族原料の供給量を減少させp
型キャリア濃度を増大させる方法では、InPの成長速
度がIII 族原料供給量により大きく変化するため、クラ
ッド層の膜厚制御が困難だった。Further, as described above, the MONBE method or G
In the SMBE method, the supply amount of group III raw material was reduced
With the method of increasing the type carrier concentration, it is difficult to control the film thickness of the clad layer because the growth rate of InP changes greatly depending on the supply amount of the group III raw material.
【0007】本発明は、InP基板上の半導体光素子に
おいて、素子抵抗と光損失が小さいp型InPクラッド
層を、膜厚制御よく形成する半導体光素子の製造方法を
提供することを目的とする。It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor optical device on an InP substrate, in which a p-type InP clad layer having a small device resistance and a small optical loss is formed with good film thickness control. .
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明に係る半導体光素子の製造方法は、V族原料に水素化
合物を用いる有機金属分子線エピタキシー法(MOMB
E法)およびガスソース分子線エピタキシー法(GSM
BE法)において、p型ドーパントとして固体ベリリウ
ムをドープしたInP層成長時に、V族原料であるホス
フィンの供給量を変化させることによりベリリウムのド
ープ量を制御することを特徴とする。また、上記半導体
光素子の製造方法において、上記V族原料がホスフィン
であることを特徴とする。A method for manufacturing a semiconductor optical device according to the present invention, which achieves the above object, is a metal organic molecular beam epitaxy method (MOMB) using a hydrogen compound as a group V raw material.
E method) and gas source molecular beam epitaxy method (GSM
In the BE method), when the InP layer doped with solid beryllium as a p-type dopant is grown, the supply amount of phosphine, which is a group V raw material, is changed to control the beryllium doping amount. Further, in the method for manufacturing a semiconductor optical device, the group V raw material is phosphine.
【0009】[0009]
【作用】本発明は、MOMBE法またはGSMBE法で
ベリリウムをドープしたInP層を成長した場合、V族
原料である例えばホスフィンの供給量を増加させること
によりp型キャリア濃度が増加するという性質を利用し
て、p型InPクラッド層内でp型ドープ量が変化する
ようにしたものである。よって従来技術とは、InP荷
於けるp型ドープ量の増減を、ベリリウムのセル温度あ
るいはIII 族原料供給量の増減を介さずに行える点が異
なるものである。The present invention utilizes the property that when a beryllium-doped InP layer is grown by the MOMBE method or the GSMBE method, the p-type carrier concentration is increased by increasing the supply amount of V group raw material such as phosphine. Then, the p-type doping amount is changed in the p-type InP cladding layer. Therefore, it differs from the prior art in that the p-type doping amount in the InP load can be increased or decreased without increasing or decreasing the cell temperature of beryllium or the supply amount of the group III raw material.
【0010】[0010]
【実施例】本発明の好適な実施例を以下説明する。The preferred embodiment of the present invention will be described below.
【0011】V族原料にホスフィン(PH3 )、III 族
原料にトリメチルインジウム(TMIn)、トリエチル
インジウム(TEIn)等の有機金属を用いたものを原
料とする有機金属分子線エピタキシー法(MOMBE
法)において、V族原料であるホスフィンの供給量を増
減させることにより、p型InPクラッド層内において
p型キャリア濃度を増減させるものである。Organometallic molecular beam epitaxy method (MOMBE) using phosphine (PH 3 ) as a group V raw material and trimethyl indium (TMIn), triethylindium (TEIn) or another organic metal as a group III raw material.
Method), the p-type carrier concentration in the p-type InP clad layer is increased / decreased by increasing / decreasing the supply amount of phosphine which is a group V raw material.
【0012】MOMBE法によりベリリウムをドープし
たInPを成長させた場合、ホスフィンの供給量を増加
させると、p型キャリア濃度は増大する。この場合、p
型キャリア濃度を約2倍に増大させるように、ホスフィ
ン供給量を増大させても、成長速度の変化は約10%以
内に抑えることが可能である。When the beryllium-doped InP is grown by the MOMBE method, the p-type carrier concentration increases as the supply amount of phosphine increases. In this case p
Even if the phosphine supply amount is increased so that the mold carrier concentration is increased to about twice, the change in the growth rate can be suppressed within about 10%.
【0013】図3に示すように、ベリリウムのセル温度
一定、III 族原料であるトリメチルインジウム供給量一
定のもとで、V族原料であるホスフィン供給圧力を6T
orrから9Torrまで増加させ、InPをエピタキ
シャル成長させた場合、InPにおけるp型キャリア濃
度は、4x1017cm-3から1x1018cm-3まで増大
した。この場合のInPエピタキシャル膜の成長速度は
1μm/hで、ホスフィン供給圧力によらず一定であっ
た。As shown in FIG. 3, under the condition that the cell temperature of beryllium is constant and the supply amount of trimethylindium as the group III material is constant, the supply pressure of the phosphine as the group V material is 6 T.
When InP was epitaxially grown by increasing from orr to 9 Torr, the p-type carrier concentration in InP increased from 4 × 10 17 cm −3 to 1 × 10 18 cm −3 . In this case, the growth rate of the InP epitaxial film was 1 μm / h, which was constant regardless of the phosphine supply pressure.
【0014】図1に示す半導体レーザ構造を用いて、p
型InPクラッド層の形成方法について説明する。n型
InP基板1において、n型InPバッファ層2、In
GaAsPガイド層3,InGaAs/InGaAsP
MQW活性層4、InGaAsPガイド層5からなる
ヘテロエピタキシャル構造の上に、ホスフィン供給量を
段階的または連続的に増加させながらベリリウムをドー
プしたInPクラッド層6を成長後、ベリリウムをドー
プしたp型InGaAsPコンタクト層7を連続して成
長する。Using the semiconductor laser structure shown in FIG. 1, p
A method of forming the type InP clad layer will be described. In the n-type InP substrate 1, the n-type InP buffer layer 2, In
GaAsP guide layer 3, InGaAs / InGaAsP
After growing a beryllium-doped InP cladding layer 6 on the heteroepitaxial structure consisting of the MQW active layer 4 and the InGaAsP guide layer 5 while gradually or continuously increasing the phosphine supply amount, beryllium-doped p-type InGaAsP The contact layer 7 is continuously grown.
【0015】前記のように、ベリリウムドープInPに
おけるp型キャリア濃度は、ホスフィンの供給量の増減
により増減する。このため、前記のInPクラッド層6
は、ホスフィン供給量を増加させることにより、InG
aAsPガイド層5側から、p型InGaAsPコンタ
クト層7側に近づくにつれて、p型キャリア濃度は増加
する。p型InPクラッド層6における活性層4からの
放出光の成長では、V族原料であるホスフィン供給量が
少ないため、p型キャリア濃度が小さく、p型キャリア
による光損失は小さく抑えられる。一方、p型InPク
ラッド層6の層全体としての抵抗は、p型InPクラッ
ド層6内のp型InGaAsPコンタクト層7に近い領
域におけるp型キャリア濃度を大きくできるため、ホス
フィン供給量を増加させない場合に対し、小さくでき
る。As described above, the p-type carrier concentration in beryllium-doped InP increases / decreases as the amount of phosphine supplied increases / decreases. Therefore, the InP clad layer 6 described above
InG by increasing the phosphine supply
The p-type carrier concentration increases from the aAsP guide layer 5 side toward the p-type InGaAsP contact layer 7 side. In the growth of the emitted light from the active layer 4 in the p-type InP clad layer 6, since the supply amount of phosphine, which is a group V material, is small, the p-type carrier concentration is small, and the optical loss due to the p-type carrier can be suppressed to be small. On the other hand, the resistance of the p-type InP clad layer 6 as a whole layer can be increased by increasing the p-type carrier concentration in the region of the p-type InP clad layer 6 close to the p-type InGaAsP contact layer 7, so that the phosphine supply amount is not increased. However, it can be made smaller.
【0016】一方、V族原料としてホスフィン、III 族
原料に金属インジウムを用いるガスソース分子線エピタ
キシー法(GSMBE法)においても、MOMBE法の
場合と同様に、ベリリウムをドープしたInPにおける
p型キャリア濃度は、ホスフィンを増加させることによ
り増加する。ホスフィン供給圧力9Torrのもとで、
InPの成長速度が1μm/hとなるようにインジウム
のセル温度を調節したのち、ベリリウムのセル温度一
定、インジウムのセル温度一定のもとで、V族原料であ
るホスフィン供給圧力を6Torrから9Torrまで
増加させ、InPをエピタキシャル成長させた場合、M
OMBE場合と同様、InPにおけるp型キャリア濃度
は、4x1017cm-3から1x1018cm-3まで増大し
た。この場合のInPエピタキシャル膜の成長速度は1
μm/hで、ホスフィン供給圧力によらず一定であっ
た。On the other hand, also in the gas source molecular beam epitaxy method (GSMBE method) using phosphine as the group V source and metal indium as the group III source, the p-type carrier concentration in InP doped with beryllium is the same as in the case of the MOMBE method. Is increased by increasing phosphine. Under the phosphine supply pressure of 9 Torr,
After adjusting the cell temperature of indium so that the growth rate of InP is 1 μm / h, the supply pressure of the phosphine, which is a group V raw material, is from 6 Torr to 9 Torr under the condition that the cell temperature of beryllium is constant and the cell temperature of indium is constant. If InP is grown epitaxially, M
Similar to the OMBE case, the p-type carrier concentration in InP increased from 4 × 10 17 cm −3 to 1 × 10 18 cm −3 . The growth rate of the InP epitaxial film in this case is 1
It was μm / h and was constant regardless of the phosphine supply pressure.
【0017】このため、GSMBE法を用いた場合も、
MOMBE法を用いた場合と同様、図1におけるInP
クラッド層6は、ホスフィン供給量を増加させることに
より、InGaAsPガイド層5側から、p型InGa
AsPコンタクト層7側に近づくにつれて、p型キャリ
ア濃度は増加する。p型InP層6における活性層4か
らの放出光の光強度分布は、InGaAsPガイド層5
に近い程大きいが、この領域の成長では、V族原料であ
るホスフィン供給量が少ないため、p型キャリア濃度が
小さく、p型キャリアによる光損失は小さく抑えられ
る。一方、p型InPクラッド層6の層全内としの抵抗
は、p型InPクラッド層6内のp型InGaAsPコ
ンタクト層7に近い領域におけるp型キャリア濃度を大
きくできるため、ホスフィン供給量の増加がない場合に
対し、小さくできる。Therefore, even when the GSMBE method is used,
As in the case of using the MONBE method, InP in FIG.
The clad layer 6 is formed from the InGaAsP guide layer 5 side by increasing the supply amount of phosphine.
The p-type carrier concentration increases as it approaches the AsP contact layer 7 side. The light intensity distribution of the light emitted from the active layer 4 in the p-type InP layer 6 is determined by the InGaAsP guide layer 5
However, in the growth of this region, the supply amount of phosphine, which is a group V raw material, is small, so that the p-type carrier concentration is low, and the optical loss due to the p-type carrier is suppressed to be small. On the other hand, the resistance of the p-type InP clad layer 6 as a whole layer can increase the p-type carrier concentration in the region of the p-type InP clad layer 6 close to the p-type InGaAsP contact layer 7, so that the supply amount of phosphine is increased. It can be made smaller than when not.
【0018】次に、本発明に従って、図1に示した半導
体レーザ構造を形成した一具体例を説明する。Next, one specific example of forming the semiconductor laser structure shown in FIG. 1 according to the present invention will be described.
【0019】図1の示すように、n=2x1018cm-3
なるInP基板1にMOMBE法により、Snをドープ
したInPバッファ層2、ノンドープInGaAsPガ
イド層3、InGaAs/InGaAsP MQW活性
層4、ノンドープInGaAsPガイド層5を成長後、
成長温度500℃、ベリリウムのセル温度950℃にお
いて、図4に示すようにホスフィン(PH3 )供給圧力
を6Torr、7.5Torr、9Torrと段階的に
増加させ、それぞれのホスフィン圧力のもとで、ベリリ
ウムドープInP層を、成長時間30分、膜厚500n
mずつ成長した構造を持つp型InPクラッド層6を形
成後、引き続いてp型InGaAsPコンタクト層7を
0.3μm成長した。As shown in FIG. 1, n = 2 × 10 18 cm -3
After growing the Sn-doped InP buffer layer 2, the non-doped InGaAsP guide layer 3, the InGaAs / InGaAsP MQW active layer 4, and the non-doped InGaAsP guide layer 5 on the InP substrate 1 by the MOMBE method,
At a growth temperature of 500 ° C. and a beryllium cell temperature of 950 ° C., the phosphine (PH 3 ) supply pressure is gradually increased to 6 Torr, 7.5 Torr, 9 Torr as shown in FIG. 4, and under each phosphine pressure, Beryllium-doped InP layer is grown for 30 minutes and the film thickness is 500 n
After forming the p-type InP clad layer 6 having a structure in which each m was grown, a p-type InGaAsP contact layer 7 was grown to 0.3 μm.
【0020】ホスフィン供給圧力が、6Torr,7.
5Torr,9Torrの場合の、ベリリウムドープI
nPにおける各々のp型キャリア濃度は図4に示すよう
に、4x1017cm-3,7x1017cm-3,1x1018
cm-3であった。The phosphine supply pressure is 6 Torr, 7.
Beryllium-doped I in the case of 5 Torr and 9 Torr
Each of the p-type carrier concentration in nP, as shown in FIG. 4, 4x10 17 cm -3, 7x10 17 cm -3, 1x10 18
It was cm -3 .
【0021】活性層領域幅2μm、共振器長300μm
のリッジストライプ型レーザの素子抵抗は8オームで、
しきい値電流は17mAであった。Active layer region width 2 μm, resonator length 300 μm
The device resistance of the ridge stripe laser is 8 ohms,
The threshold current was 17 mA.
【0022】以上述べたように、MOMBE法またはG
SMBE法でベリリウムをドープしたInP層を成長し
た場合、V族原料である例えばホスフィンの供給量を増
加させることによりp型キャリア濃度が増加するという
性質を利用して、p型InPクラッド層内でp型ドープ
量を変化させることができる。尚、本実施例ではV族原
料としてホスフィン(PH3 )を用いて説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、例えば、InG
aAs層の製造においては、V族原料としてアルシン
(AsH3 )を用いるのが好ましい。As described above, the MONBE method or G
When the beryllium-doped InP layer is grown by the SMBE method, the property that the p-type carrier concentration is increased by increasing the supply amount of V group raw material, for example, phosphine, is utilized in the p-type InP clad layer. The p-type doping amount can be changed. It should be noted that in the present embodiment, phosphine (PH 3 ) was used as the group V raw material, but the present invention is not limited to this, and for example, InG
In the production of the aAs layer, it is preferable to use arsine (AsH 3 ) as the V group raw material.
【0023】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればM
OMBE法及びGSMBE法によって、ベリリウムをド
ープしたp型InPクラッド層成長時に、V族原料とし
てホスフィンの供給量を変化させることによって、素子
抵抗が小さく、光損失が小さい半導体光素子が実現でき
る。本方法は、レーザダイオード素子、光変調素子、光
受信素子のp型InPクラッド層を有する光素子、およ
びこれらを結合した集積光素子において有用である。As described above, according to the present invention, M
By the OMBE method and the GSMBE method, by changing the supply amount of phosphine as the V group raw material during the growth of the beryllium-doped p-type InP clad layer, it is possible to realize a semiconductor optical device having a small device resistance and a small optical loss. The present method is useful for a laser diode device, a light modulation device, an optical device having a p-type InP clad layer for a light receiving device, and an integrated optical device combining these.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】半導体レーザ構造の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a semiconductor laser structure.
【図2】半導体におけるp型キャリア濃度分布を示す図
である。FIG. 2 is a diagram showing a p-type carrier concentration distribution in a semiconductor.
【図3】ベリリウムドープInPにおけるp型キャリア
濃度のホスフィン供給圧力に対する変化を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing a change in p-type carrier concentration in beryllium-doped InP with respect to a phosphine supply pressure.
【図4】本発明に従って作製したp型InPクラッド層
の構成を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of a p-type InP clad layer manufactured according to the present invention.
1 n型InP基板 2 n型InPバッファ層 3 InGaAsPガイド層 4 InGaAs/InGaAsP MQW活性層 5 InGaAsPガイド層 6 p型InPクラッド層 7 p型InGaAsPコンタクト層 1 n-type InP substrate 2 n-type InP buffer layer 3 InGaAsP guide layer 4 InGaAs / InGaAsP MQW active layer 5 InGaAsP guide layer 6 p-type InP clad layer 7 p-type InGaAsP contact layer
Claims (2)
分子線エピタキシー法(MOMBE)およびガスソース
分子線エピキシー法(GSMBE法)を用いて、ベリリ
ウムをドープしたp型InP層を形成する際、V族原料
の供給量を変化させることによりベリリウムのドープ量
を制御することを特徴とする半導体光素子の製造方法。1. When a beryllium-doped p-type InP layer is formed by using a metalorganic molecular beam epitaxy method (MOMBE) and a gas source molecular beam epitaxy method (GSMBE method) in which a hydrogen compound is used as a group V raw material, A method for manufacturing a semiconductor optical device, characterized in that the doping amount of beryllium is controlled by changing the supply amount of a group V raw material.
において、上記V族原料がホスフィンであることを特徴
とする半導体光素子の製造方法。2. The method for manufacturing a semiconductor optical device according to claim 1, wherein the group V raw material is phosphine.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3812694A JPH07249575A (en) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | Manufacture of semiconductor optical element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3812694A JPH07249575A (en) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | Manufacture of semiconductor optical element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07249575A true JPH07249575A (en) | 1995-09-26 |
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ID=12516767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3812694A Withdrawn JPH07249575A (en) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | Manufacture of semiconductor optical element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07249575A (en) |
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EP0959540A2 (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-24 | Anritsu Corporation | Semiconductor laser having effective output increasing function |
JP2005136371A (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Korea Inst Of Science & Technology | Single-mode laser diode using strain compensated multiple quantum well and its manufacturing method |
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1994
- 1994-03-09 JP JP3812694A patent/JPH07249575A/en not_active Withdrawn
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JP2005136371A (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Korea Inst Of Science & Technology | Single-mode laser diode using strain compensated multiple quantum well and its manufacturing method |
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