JPH07248604A - Contrast enhancement lithographic material and pattern forming method therewith - Google Patents
Contrast enhancement lithographic material and pattern forming method therewithInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、コントラストエンハン
スメントリソグラフィ（Contrast Enhancement Lithogr
aphy)材料（以下、ＣＥＬ材料という）及びこれを用い
たパターン形成方法に関し、特に、いわゆる高密度光デ
ィスク、ＬＳＩ等のプロセス技術におけるレジスト層に
パターンを露光しそれをエッチングしてレジスト層のマ
スクパターンを形成する方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contrast enhancement lithography (Contrast Enhancement Lithogr
aphy) material (hereinafter referred to as CEL material) and a pattern forming method using the same, and in particular, a mask pattern of the resist layer by exposing a pattern to a resist layer in a process technology such as a so-called high-density optical disc, LSI, etc. and etching the resist layer. To a method of forming.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、露光及びエッチングのリソグラフ
ィを利用してレジスト層に所定パターンを形成する、い
わゆるパターン形成方法は、光ディスクの製造に利用さ
れている。光ディスクの製造方法としては、例えば従来
から図１に示す如き方法が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, a so-called pattern forming method of forming a predetermined pattern on a resist layer by utilizing exposure and etching lithography has been used for manufacturing an optical disk. As a method of manufacturing an optical disc, for example, a method shown in FIG. 1 has been conventionally known.
【０００３】まず、図１（ａ）に示すようにガラス基盤
１の主面上に一様にポジ型レジスト層２を形成したレジ
スト基盤を回転させ、所定の信号に応じて明滅するレー
ザービームＬａを基盤半径方向に移動させてレジスト層
２上に、所定情報に対応したスポット列の潜像を螺旋又
は同心円状に所定トラックピッチで形成する。次に、露
光したレジスト基盤を現像して、レジスト基盤上に記録
すべき信号に対応する微小凹部（以下ピットと称する）
の列を有した現像基盤を得る（図１（ｂ））。次に、レ
ジスト層２を乾燥させガラス基盤１上に定着（ポストベ
ーキング）し（図１（ｃ））、レジスト層２上に金属を
導電膜３として積層する（図１（ｄ））。導電膜付基盤
３ａを電鋳槽中に浸して導電膜３上に肉厚の金属層４す
なわちスタンパを形成する（図１（ｅ））。次に、スタ
ンパをガラス基盤１から分離し（図１（ｆ））、スタン
パ上に残ったレジスト層２及び導電膜３を除去して、ス
タンパを得る（図１（ｇ））。このスタンパ及び射出成
形装置により、所定情報記録面を有した光ディスクレプ
リカを作成する。得られたレプリカの情報記録面上に反
射膜、さらにその上に保護膜を形成して、光ディスクが
形成される。First, as shown in FIG. 1A, a resist substrate having a positive resist layer 2 uniformly formed on the main surface of a glass substrate 1 is rotated, and a laser beam La that blinks in response to a predetermined signal is produced. Are moved in the radial direction of the substrate to form a latent image of a spot row corresponding to predetermined information in a spiral or concentric pattern on the resist layer 2 at a predetermined track pitch. Next, the exposed resist substrate is developed to form minute recesses (hereinafter referred to as pits) corresponding to signals to be recorded on the resist substrate.
A development base having rows of is obtained (FIG. 1 (b)). Next, the resist layer 2 is dried and fixed (post-baked) on the glass substrate 1 (FIG. 1C), and a metal is laminated as the conductive film 3 on the resist layer 2 (FIG. 1D). The substrate 3a with a conductive film is immersed in an electroforming tank to form a thick metal layer 4, that is, a stamper on the conductive film 3 (FIG. 1 (e)). Next, the stamper is separated from the glass substrate 1 (FIG. 1 (f)), the resist layer 2 and the conductive film 3 remaining on the stamper are removed, and a stamper is obtained (FIG. 1 (g)). With this stamper and the injection molding device, an optical disc replica having a predetermined information recording surface is created. An optical disc is formed by forming a reflective film on the information recording surface of the obtained replica and further forming a protective film on the reflective film.
【０００４】かかる光ディスク製造方法において高記録
密度の光ディスクを製造するためのパターン形成方法が
開発されている（特開平４−３７２７４０号公報）。こ
のパターン形成方法は、図１（ａ）に示す工程前に、レ
ジスト層２上に、ニトロン又はジアゾニウム塩等の光退
色性化合物のＣＥＬ材料からなるコントラスト強化層を
形成し、より短波長のレーザービームをコントラスト強
化層を介してレジスト層２上に照射して、光ディスク半
径方向の幅のより狭いピットを形成する方法である。こ
の従来のパターン形成方法は、光退色性を示すコントラ
スト強化層をレジスト層に付加することによって、その
感光感度を低下させるもののγ値を高めて（いわゆるコ
ントラスト拡張効果）、現像後のレジスト層の横側壁を
基盤に対してより垂直にし、細いピットを形成する。In such an optical disk manufacturing method, a pattern forming method for manufacturing an optical disk having a high recording density has been developed (Japanese Patent Laid-Open No. 4-372740). This pattern forming method comprises forming a contrast enhancing layer made of a CEL material of a photobleaching compound such as nitrone or diazonium salt on the resist layer 2 before the step shown in FIG. This is a method of irradiating a beam onto the resist layer 2 through the contrast enhancing layer to form pits having a narrower width in the radial direction of the optical disc. In this conventional pattern forming method, a contrast enhancing layer exhibiting photobleaching property is added to the resist layer to lower the photosensitivity but increase the γ value (so-called contrast expanding effect), and to improve the resist layer after development. Make the side wall more perpendicular to the substrate to form a narrow pit.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】コントラスト強化層を
レジスト層上に形成して短波長レーザービームＬａを用
いるパターン形成方法では、図２（ａ）に示すように、
光ディスクのトラックピッチが広い時には、トラック上
を順に露光しても、コントラスト強化層２０の退色領域
２２はそれぞれでコントラスト拡張効果を発揮し、コン
トラスト強化層を用いない時に比べて微細な潜像２１を
レジスト層に形成することができる。In the pattern forming method in which the contrast enhancing layer is formed on the resist layer and the short wavelength laser beam La is used, as shown in FIG.
When the track pitch of the optical disc is wide, even if the tracks are exposed in order, the fading areas 22 of the contrast enhancing layer 20 each exhibit a contrast enhancing effect, and a finer latent image 21 is formed than when the contrast enhancing layer is not used. It can be formed on the resist layer.
【０００６】しかしながら、基盤の回転状態で順に露光
してトラックピッチを狭く高密度化する場合、レーザー
ビームＬａの周縁の傾斜角度があるために、図２（ｂ）
に示すように、コントラスト強化層の退色領域２２が重
なり、退色領域の重畳部分２３におけるトラックピッチ
間でコントラスト拡張効果が得られず、後に露光された
トラックでは幅広の潜像２１ａとなる露光時のクロスト
ークが発生する。However, in the case where the track pitch is narrowed and the density is increased by sequentially exposing the substrates in the rotating state of the substrate, there is an inclination angle of the peripheral edge of the laser beam La, and therefore FIG.
As shown in FIG. 5, the fading area 22 of the contrast enhancing layer overlaps, the contrast expanding effect cannot be obtained between the track pitches in the overlapping area 23 of the fading area, and a wide latent image 21a is formed on the track exposed later during the exposure. Crosstalk occurs.
【０００７】このように、半導体プロセスや光ディスク
プロセスにおいて露光のコントラストを拡張するために
ＣＥＬ材料が用いられているが、従来のＣＥＬ材料で
は、透過率変化の挙動が非可逆であるため、一度露光に
より退色して透過率が増大してしまうと、そのコントラ
スト強化層には、コントラスト拡張効果はなくなる。し
たがって、露光パターンのピッチを狭くして高密度なリ
ソグラフィを行うことが困難であった。As described above, the CEL material is used in order to extend the exposure contrast in the semiconductor process and the optical disc process. However, in the conventional CEL material, the behavior of the change in the transmittance is irreversible, so that the exposure is performed once. When the color fades to increase the transmittance, the contrast enhancing layer loses the contrast expanding effect. Therefore, it is difficult to perform high-density lithography by narrowing the pitch of the exposure pattern.
【０００８】そこで、本発明はかかる事情に基づいてな
されたものであり、本発明の目的は、現行の露光装置や
レジストを使用した場合にも、近接したパターンを時間
順露光又は重ね露光に適した高密度なリソグラフィを行
うことができるパターン形成方法及びこれに用いられる
ＣＥＬ材料を提供することにある。Therefore, the present invention has been made in view of such circumstances, and the object of the present invention is suitable for time-sequential exposure or overexposure of adjacent patterns even when the existing exposure apparatus or resist is used. Another object of the present invention is to provide a pattern forming method capable of performing high density lithography and a CEL material used for the method.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明のコントラストエ
ンハンスメントリソグラフィ材料は、光の吸収により不
安定な消色状態へ変化する安定な着色状態の逆フォトク
ロミック材料からなることを特徴とする。本発明のパタ
ーン形成方法は、基板上にレジスト層を形成するレジス
ト層形成工程と、該レジスト層の露光処理を行なって潜
像パターンを形成する露光工程と、該露光がなされたレ
ジスト層の現像処理を行なってレジスト基盤を作製する
現像工程とを有するパターン形成方法において、前記レ
ジスト層形成工程と前記露光工程との間に、光の吸収に
より不安定な消色状態へ変化する安定な着色状態の逆フ
ォトクロミック材料からなるコントラスト強化層を前記
レジスト層上に形成するコントラスト強化層形成工程を
有することを特徴とする。The contrast enhancement lithographic material of the present invention is characterized in that it comprises an inverse photochromic material in a stable colored state that changes to an unstable decolored state by absorption of light. The pattern forming method of the present invention comprises a resist layer forming step of forming a resist layer on a substrate, an exposing step of exposing the resist layer to form a latent image pattern, and developing the exposed resist layer. In a pattern forming method including a developing step of performing a treatment to produce a resist base, a stable colored state that changes to an unstable decolored state due to absorption of light between the resist layer forming step and the exposing step. And a contrast enhancing layer forming step of forming a contrast enhancing layer made of the reverse photochromic material on the resist layer.
【００１０】[0010]
【作用】本発明によれば、露光後のコントラスト強化層
の退色領域が非露光時に急速に着色状態にもどるため、
時間順又は重ね露光時のクロストークがなくなる。According to the present invention, the fading area of the contrast enhancing layer after exposure rapidly returns to the colored state during non-exposure.
Crosstalk in time order or overexposure is eliminated.
【００１１】[0011]
【実施例】以下に、本発明による実施例を図面を参照し
つつ説明する。本実施例のＣＥＬ材料は、逆フォトクロ
ミック材料及びバインダー成分の樹脂の混合物からな
る。逆フォトクロミック材料は光の吸収により不安定な
消色状態へ変化する安定な着色状態の逆フォトクロミッ
ク材料である。すなわち、ＣＥＬ材料の感光成分とし
て、可逆性があり逆フォトクロミック特性を示す逆フォ
トクロミック材料を用いる。ここで逆フォトクロミック
特性とは通常安定状態が露光波長に吸収をもつ着色体
（透過率が低い状態）であり、吸光ピーク波長λmax近
くの光を吸収することにより消色体（透過率が高い状
態）に変化するような特性をいう。可逆性とは、着色体
が安定であるため、光照射がなくなると熱又は他の波長
の光の照射により着色体（透過率が低い状態）に戻る特
性をいう。通常、フォトクロミック材料として知られて
いるスピロピラン化合物は、その安定状態では無着色の
消色体であり、紫外線を吸収し、フォトンによる反応に
より高速でメロシアニン型の準安定状態に変化して分光
状態が変わり着色体となる。一方、このメロシアニン型
の準安定状態は不安定であり、紫外線を遮断して加熱又
は別の長波長の光の照射によって、再び元のスピロピラ
ン状態の消色体に戻ること（フォトクロミズム）が知ら
れている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The CEL material of this example is a mixture of a reverse photochromic material and a resin as a binder component. The reverse photochromic material is a reverse photochromic material in a stable colored state that changes to an unstable decolorized state by absorbing light. That is, an inverse photochromic material having reversibility and exhibiting inverse photochromic characteristics is used as a photosensitive component of the CEL material. Here, the inverse photochromic property is usually a colored body that has absorption at the exposure wavelength in the stable state (state with low transmittance), and a decolorized body (state with high transmittance when absorbing light near the absorption peak wavelength λmax). ) Refers to the characteristics that change. The reversibility is a property that, because the colored body is stable, it returns to the colored body (state with low transmittance) by irradiation of heat or light of another wavelength when the light irradiation is stopped. Usually, the spiropyran compound known as a photochromic material is an uncolored decolorizer in its stable state, absorbs ultraviolet rays, and changes into a merocyanine-type metastable state at a high speed due to a reaction by photons, resulting in a spectral state. It becomes a colored body instead. On the other hand, this merocyanine-type metastable state is unstable, and it is known that it returns to the original decolorized substance in the spiropyran state again by blocking ultraviolet rays and heating or irradiation with light of another long wavelength (photochromism). ing.
【００１２】本実施例の逆フォトクロミック材料の具体
例としては、下記一般式で示される化合物が挙げられ
る。かかる逆フォトクロミック材料は、その安定な着色
状態において、下記（１）式Specific examples of the reverse photochromic material of this embodiment include compounds represented by the following general formula. Such a reverse photochromic material has the following formula (1) in its stable colored state.
【００１３】[0013]
【化３】 [Chemical 3]
【００１４】その不安定な消色状態において、下記
（２）式In the unstable decolored state, the following equation (2) is used.
【００１５】[0015]
【化４】 [Chemical 4]
【００１６】（両式中、Ｒ1は炭素数１〜２０のアルキ
ル基、アラルキル基、ヒドロキシチエル基、アクリロキ
シエチル基、又はメタクリロキシエチル基を示し、
Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4及びＲ5は少なくとも１つ炭素数１〜３の
アルキル基で置換されていてもよいアミノ基であり、そ
れ以外の基は同一又は異なって、水素原子、炭素数１〜
６のアルキル基、アリール基、アラルキル基、炭素数１
〜５のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、トリク
ロルメチル基、トリフルオルメチル基又はニトロ基を示
し、Ｒ6及びＲ7は同一又は異なって、水素原子、炭素数
１〜６のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロ
ゲン原子、シアノ基又はニトロ基を示し、Ｒ8は水素原
子、ビニル基、-ＣＨ2ＯＲ9又は-ＣＨ2ＯＣＯＣ
（Ｒ10）＝ＣＨ2を示し、Ｒ9は水素原子又は炭素数１〜
４のアルキル基、Ｒ10は水素原子又はメチル基を示し、
Ｘは酸素原子または硫黄原子を示す）で表されるスピロ
ピラン化合物（消色体）又はこれと酸性化合物との塩
（消色体）である。(In both formulas, R 1 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aralkyl group, a hydroxythiol group, an acryloxyethyl group or a methacryloxyethyl group,
R < 2 >, R < 3 >, R < 4 > and R < 5 > are amino groups which may be substituted with at least one alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and the other groups are the same or different and each has a hydrogen atom or a carbon number. 1 to
6 alkyl group, aryl group, aralkyl group, carbon number 1
~ 5 alkoxy group, halogen atom, cyano group, trichloromethyl group, trifluoromethyl group or nitro group, R 6 and R 7 are the same or different, and are hydrogen atom, alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, aryl Group, an aralkyl group, a halogen atom, a cyano group or a nitro group, R 8 is a hydrogen atom, a vinyl group, —CH 2 OR 9 or —CH 2 OCOC.
(R 10 ) = CH 2 and R 9 is a hydrogen atom or a carbon number of 1 to
An alkyl group of 4, R 10 represents a hydrogen atom or a methyl group,
X represents an oxygen atom or a sulfur atom) is a spiropyran compound (decolorizer) or a salt of the compound and an acidic compound (decolorizer).
【００１７】また、逆フォトクロミック材料として、上
記（１）及び（２）式中、それぞれ、Ｒ1はメチル基、
エチル基、プロピル基、オクタデシル基、ヒドロキシエ
チル基又はメタクリロキシエチル基を示し、Ｒ2は水素
原子を示し、Ｒ3は水素原子、アミノ基、ジメチルアミ
ノ基又はジエチルアミノ基を示し、Ｒ4は水素原子、メ
チル基又はメトキシ基を示し、Ｒ5は水素原子、アミノ
基、ジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基を示し、Ｒ
6及びＲ7は水素原子を示し、Ｒ8は水素原子、ビニル
基、ヒドロキシメチル基又はメタクリロキシメチル基を
示し、かつ、Ｘは酸素原子又は硫黄原子を示すスピロピ
ラン化合物又はこれと酸性化合物との塩が好ましくＣＥ
Ｌ材料に用いられる。As the reverse photochromic material, in the above formulas (1) and (2), R 1 is a methyl group,
Represents an ethyl group, a propyl group, an octadecyl group, a hydroxyethyl group or a methacryloxyethyl group, R 2 represents a hydrogen atom, R 3 represents a hydrogen atom, an amino group, a dimethylamino group or a diethylamino group, and R 4 represents hydrogen. An atom, a methyl group or a methoxy group, R 5 represents a hydrogen atom, an amino group, a dimethylamino group or a diethylamino group, R 5
6 and R 7 represent a hydrogen atom, R 8 represents a hydrogen atom, a vinyl group, a hydroxymethyl group or a methacryloxymethyl group, and X represents an oxygen atom or a sulfur atom, or a spiropyran compound or an acidic compound Salt is preferred CE
Used for L material.
【００１８】さらに具体的には、逆フォトクロミック材
料には、下記（３）式で示されるベンゾセレナゾリノス
ピロベンゾピラン誘導体（消色体）の紫外線の吸収によ
って、これが開環しメロシアニン誘導体（着色体）とな
るものが挙げられる。なお、かかるスピロピラン化合物
はメロシアニン型の着色体の状態でコントラスト強化層
に用いることが好ましく、スピロベンゾピラン型の消色
体の状態のものが含まれる場合は、熱を加える工程が必
要である。逆フォトクロミック材料は熱により着色体へ
変化するからである。More specifically, in the reverse photochromic material, the benzoselenazolinospirobenzopyran derivative (decolorizer) represented by the following formula (3) is absorbed by ultraviolet rays to open the ring, and thus the merocyanine derivative (coloring). The body) can be mentioned. The spiropyran compound is preferably used in the contrast-enhancing layer in the state of a merocyanine type colorant, and when it is in the state of a spirobenzopyran type decolorizer, a step of applying heat is required. This is because the inverse photochromic material is transformed into a colored body by heat.
【００１９】[0019]
【化５】 [Chemical 5]
【００２０】また、上記例はアミン体であるが、逆フォ
トクロミック材料には、スピロピラン化合物と酸性化合
物との塩（消色体）、例えばアンモニウム塩としては、
下記（４）式で示される２の状態のものが含まれる。Although the above example is an amine compound, the reverse photochromic material may be a salt (decolorizer) of a spiropyran compound and an acidic compound, for example, an ammonium salt.
The two states shown by the following equation (4) are included.
【００２１】[0021]
【化６】 [Chemical 6]
【００２２】さらにまた、他の逆フォトクロミック材料
の塩形態の着色体の好適な例としては、下記（５）及び
（６）式で示されるヒドロキシメチル体、並びに（７）
及び（８）式で示されるメタクリロキシメチル体が挙げ
られ、さらに、下記（９）及び（１０）式に示すスピロ
チオベンゾピラン化合物の塩形態のものも好ましい。Further, other preferable examples of the salt-type colored body of the reverse photochromic material include hydroxymethyl bodies represented by the following formulas (5) and (6), and (7).
And a methacryloxymethyl derivative represented by the formula (8), and a salt form of the spirothiobenzopyran compound represented by the following formulas (9) and (10) is also preferable.
【００２３】[0023]
【化７】 [Chemical 7]
【００２４】[0024]
【化８】 [Chemical 8]
【００２５】[0025]
【化９】 [Chemical 9]
【００２６】[0026]
【化１０】 [Chemical 10]
【００２７】[0027]
【化１１】 [Chemical 11]
【００２８】[0028]
【化１２】 [Chemical 12]
【００２９】これら逆フォトクロミック材料のスピロピ
ラン化合物及びスピロチオピラン化合物は、ベンゾセレ
ナゾル誘導体とニトロサリチルアルデヒド誘導体とから
合成され得る。例えば、上記（４）式の消色体の６−ジ
メチルアミノ−３，５−ジメチル−６’−ニトロスピロ
［ベンゾセレナゾリン−２，２’−［２’Ｈ］−１’−
ベンゾピラン］２塩酸塩は、下記（１１）式に示す出発
原料の２，５−ジメチルベンゾセレナゾル、The spiropyran compound and the spirothiopyran compound of these reverse photochromic materials can be synthesized from a benzoselenasol derivative and a nitrosalicylaldehyde derivative. For example, 6-dimethylamino-3,5-dimethyl-6'-nitrospiro [benzoselenazoline-2,2 '-[2'H] -1'- of the decolorized compound of the above formula (4) is used.
Benzopyran] dihydrochloride is 2,5-dimethylbenzoselenasol, which is a starting material represented by the following formula (11),
【００３０】[0030]
【化１３】 [Chemical 13]
【００３１】から誘導されたベンゾセレナゾル誘導体の
下記（１２）式に示す６−ジメチルアミノ−２，３，５
−トリメチルベンゾセレナゾレニウムヨージドと、6-Dimethylamino-2,3,5 represented by the following formula (12) of the benzoselenasol derivative derived from
-Trimethylbenzoselena zolenium iodide,
【００３２】[0032]
【化１４】 [Chemical 14]
【００３３】ニトロサリチルアルデヒド誘導体の下記
（１３）式に示す５−ニトロサリチルアルデヒドと、5-nitrosalicylaldehyde represented by the following formula (13) of the nitrosalicylaldehyde derivative:
【００３４】[0034]
【化１５】 [Chemical 15]
【００３５】をアミン等の塩基存在下で縮合させて、ア
ミン体を合成し、さらにアミン体を塩酸と反応させて上
記アンモニウム体として製造され得る。図３に示すよう
に、これら逆フォトクロミック材料のアンモニウム塩形
態の着色体では波長４３０〜４５０nmの吸収光ピークを
有しており、短波長レーザ光の使用に適していることが
分かる。図３（ａ）は水溶液、図３（ｂ）はメタノール
溶液、図３（ｃ）はＤＭＳＯ溶液における、それぞれの
吸収スペクトルの分布を示し、４３０〜４５０nmの吸収
光ピークは溶液により変化することが分かる。また、こ
れら逆フォトクロミック材料が無機又は有機溶剤に可溶
であることが分かる。The above-mentioned ammonium compound can be produced by condensing the compound in the presence of a base such as an amine to synthesize an amine compound, and further reacting the amine compound with hydrochloric acid. As shown in FIG. 3, the ammonium salt type colored bodies of these reverse photochromic materials have an absorption light peak at a wavelength of 430 to 450 nm, and it is understood that they are suitable for use with short wavelength laser light. FIG. 3 (a) shows an absorption spectrum distribution in an aqueous solution, FIG. 3 (b) in a methanol solution, and FIG. 3 (c) in a DMSO solution. Absorption light peaks at 430 to 450 nm may change depending on the solution. I understand. Also, it can be seen that these reverse photochromic materials are soluble in inorganic or organic solvents.
【００３６】また、このような逆フォトクロミック材料
とともにＣＥＬ材料に含有されるバインダーの樹脂成分
の具体例としては、例えば酢酸ビニル重合体あるいはそ
の部分酸化物、スチレンあるいはその誘導体の共重合
体、アクリル酸あるいはメタクリル酸エステルの重合
体、アセタール樹脂、ポリビニルピロリドン、ポリクロ
ロプレン、ポリエチレンオキシドなどが挙げられる。ま
た、スピンコート法により利用されるような溶剤として
はメタノール、ＤＭＳＯまたは水が挙げられる。ＣＥＬ
材料としては、水溶性であることが望ましいため、樹脂
成分として、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリ
ドンなどの水溶性樹脂で、かつ、レジスト、フォトクロ
ミック材料の感光波長に吸収をもたないものが良い。Specific examples of the binder resin component contained in the CEL material together with the reverse photochromic material include, for example, vinyl acetate polymer or its partial oxide, styrene or its derivative copolymer, and acrylic acid. Alternatively, a polymer of methacrylic acid ester, an acetal resin, polyvinylpyrrolidone, polychloroprene, polyethylene oxide, etc. may be mentioned. Further, examples of the solvent used by the spin coating method include methanol, DMSO or water. CEL
Since the material is preferably water-soluble, it is preferable that the resin component is a water-soluble resin such as polyvinyl alcohol or polyvinylpyrrolidone and does not have absorption at the photosensitive wavelength of the resist or photochromic material.
【００３７】具体的に上記（４）式に示した逆フォトク
ロミック材料を用いた場合の光情報記録媒体におけるレ
ーザ光の照射による消色特性を、反射率の変化の測定に
よって調べた。ポリビニルアルコールに逆フォトクロミ
ック材料を混合したＣＥＬ材料をアルミニウム反射膜上
に形成して光照射による反射率の変化を測定した。その
結果を図４に示す。Specifically, the decoloring characteristics of the optical information recording medium in the case of using the inverse photochromic material represented by the above formula (4) by irradiation with laser light was examined by measuring the change in reflectance. A CEL material in which polyvinyl alcohol and an inverse photochromic material were mixed was formed on an aluminum reflective film, and a change in reflectance due to light irradiation was measured. The result is shown in FIG.
【００３８】消色着色特性は、図に示すように、ＣＥＬ
材料の逆フォトクロミック材料は波長457.9nmのレーザ
ビームを照射したとき、約２０ミリ秒で低反射率（着色
体）から高反射率（消色体）へと変化し、８０ミリ秒間
ビーム照射して高反射率（消色体）を維持させた後に、
ビーム照射を停止したとき、逆フォトクロミック材料が
５０〜６０ミリ秒で元の着色体の状態に戻った。このと
きの照射光の出力は９．３mWで、対物レンズの開口数NA
は０．２である 本実施例について、露光波長が457.9nmで実験を行った
が、この波長は現行のコンパクトディスク（ＣＤ）やビ
デオディスクのマスタリングに用いられているレーザビ
ームレコーダ（ＬＢＲ）に搭載されているアルゴンレー
ザと同じ波長である。なお、光ディスクプロセスではＬ
ＢＲでレーザ波長の457.9nm(Ar),441.6nm(He-Cd)又は40
6.7nm(Kr)が、また、半導体プロセスでは、密着露光用
ステッパで光源波長の435.8nm（水銀ランプ；ｇ線）ま
たは404.7nm（ｈ線）が用いられるので、いずれの波長
もかかる逆フォトクロミック材料の吸収波長ピークに近
いために、該ＬＢＲあるいはステッパを製造に用いるこ
とができる。As shown in the figure, the decoloring and coloring characteristics are as follows.
When the reverse photochromic material is irradiated with a laser beam having a wavelength of 457.9 nm, it changes from a low reflectance (colored body) to a high reflectance (erased body) in about 20 milliseconds, and the beam is irradiated for 80 milliseconds. After maintaining high reflectance (erasable body),
When the beam irradiation was stopped, the reverse photochromic material returned to the original state of the colored body in 50 to 60 milliseconds. The output of the irradiation light at this time is 9.3 mW, and the numerical aperture NA of the objective lens is
In this example, an exposure wavelength of 457.9 nm was tested, and this wavelength was used in a laser beam recorder (LBR) used for mastering of current compact discs (CDs) and video discs. It has the same wavelength as the installed argon laser. In the optical disc process, L
457.9nm (Ar), 441.6nm (He-Cd) or 40 of laser wavelength in BR
6.7 nm (Kr) is used in the semiconductor process, and the light source wavelength of 435.8 nm (mercury lamp; g line) or 404.7 nm (h line) is used in the stepper for contact exposure. The LBR or stepper can be used for manufacturing because it is close to the absorption wavelength peak of.
【００３９】例えば１２ｃｍ径のＣＤ原盤をリアルタイ
ムでカッティングする場合、ディスク原盤が１回転する
最短時間は約103ミリ秒であるので、本発明のＣＥＬ材
料を用いると、つぎのトラックを露光する前に初めの隣
接するトラックのコントラスト強化層の透過率が十分低
下している。それにより、露光時のトラック間クロスト
ークがなくなり、トラックピッチをせまくした高密度な
マスタリングが可能となる。For example, when a CD master having a diameter of 12 cm is cut in real time, the minimum time required for the master to make one revolution is about 103 milliseconds. Therefore, when the CEL material of the present invention is used, before the next track is exposed. The transmittance of the contrast enhancement layer of the first adjacent track is sufficiently reduced. As a result, crosstalk between tracks during exposure is eliminated, and high-density mastering with a narrowed track pitch is possible.
【００４０】次に、逆フォトクロミック材料及び樹脂か
らなるコントラスト強化層をレジスト層上の形成して露
光するパターン形成プロセスを含む光ディスクの製造方
法を図５に沿って説明する。先ず、基盤洗浄工程Ｓ１と
して、表面が十分に研磨されたガラス基盤を純水で洗浄
する。このガラス基盤表面をレジスト密着強化処理(Ｈ
ＭＤＳ処理)をする（Ｓ２）。Next, a method of manufacturing an optical disk including a pattern forming process of forming a contrast enhancing layer made of a reverse photochromic material and a resin on a resist layer and exposing the same will be described with reference to FIG. First, as the substrate cleaning step S1, the glass substrate whose surface is sufficiently polished is washed with pure water. This glass substrate surface is treated with a resist adhesion strengthening treatment (H
(MDS processing) (S2).
【００４１】次に、レジスト層形成工程Ｓ３として、ス
ピナを使用してガラス基盤上にポジ型レジストを一様に
塗布してレジスト層を形成する。レジスト層の厚さは、
光ディスクに形成されるピットの深さと同程度で、具体
的には0.1μm程度である。次に、プリベーク処理工程Ｓ
４として、このガラス基盤を、例えば温度８５℃，３０
分間程度の条件下におきレジスト層をガラス基盤に定着
させる。Next, in a resist layer forming step S3, a positive type resist is uniformly applied on the glass substrate using a spinner to form a resist layer. The thickness of the resist layer is
The depth is about the same as the depth of pits formed on the optical disk, specifically about 0.1 μm. Next, the pre-baking process step S
4, this glass substrate, for example, the temperature of 85 ℃, 30
The resist layer is fixed on the glass substrate under conditions of about 1 minute.
【００４２】次に、コントラスト強化層形成工程Ｓ５と
して、スピナを使用して流動状態の逆フォトクロミック
材料含有ＣＥＬ材料をレジスト層上に塗布して、コント
ラスト強化層を形成する。コントラスト強化層の厚さ
は、通常、800〜2500Å程度である。次に、露光工程Ｓ
６として、レジスト層上にコントラスト強化層を有する
基盤を回転させて、所定の信号に応じて明滅するレーザ
ービームを基盤半径方向に移動させてレジスト層上に、
所定情報に対応したスポット列の潜像を螺旋又は同心円
状に所定トラックピッチで形成する。この露光処理は、
半導体製造プロセスにおける縮小投影露光方法とは異な
り、レーザ光をコントラスト強化層に直接照射して潜像
パターンを形成するレーザ直接描画法により行われる。
このとき、レジスト層に達するレーザ光はコントラスト
強化層によってコントラストが増幅されているため、コ
ントラスト強化層を透過することなく直接レジスト層に
達した場合と比較してγ値の高いパターンが現像される
ことになる。Next, in the contrast enhancing layer forming step S5, the CEL material containing the reverse photochromic material in a fluid state is applied onto the resist layer using a spinner to form a contrast enhancing layer. The thickness of the contrast enhancing layer is usually about 800 to 2500Å. Next, the exposure step S
As 6, a substrate having a contrast enhancement layer on the resist layer is rotated, and a laser beam that blinks in response to a predetermined signal is moved in the radial direction of the substrate to form on the resist layer,
The latent image of the spot row corresponding to the predetermined information is formed in a spiral or concentric shape at a predetermined track pitch. This exposure process
Unlike the reduction projection exposure method in the semiconductor manufacturing process, it is performed by a laser direct writing method in which a laser beam is directly applied to the contrast enhancing layer to form a latent image pattern.
At this time, since the contrast of the laser light reaching the resist layer is amplified by the contrast enhancing layer, a pattern having a high γ value is developed as compared with the case where the laser light directly reaches the resist layer without passing through the contrast enhancing layer. It will be.
【００４３】次に、コントラスト強化層剥離工程Ｓ７と
して、露光処理がなされたコントラスト強化層を剥離す
る。この剥離は、コントラスト強化層を純水で洗浄除去
することにより容易に可能である。また、後述の現像工
程における現像液によってはコントラスト強化層を剥離
することもでき、この場合、剥離工程を除くこともでき
る。Next, in the contrast enhancing layer removing step S7, the exposed contrast enhancing layer is removed. This peeling can be easily performed by washing and removing the contrast enhancing layer with pure water. Further, the contrast enhancing layer can be peeled off depending on the developer used in the developing step described later, and in this case, the peeling step can be omitted.
【００４４】次に、現像工程Ｓ８として、現像装置を用
い現像液を基盤上に一様に供給して記録すべき信号に対
応するピット列を切刻する。次に、ポストベーキング工
程Ｓ９として、現像されたレジスト層のピット列を乾燥
させガラス基盤上に定着させる。次に、導電膜形成工程
Ｓ１０として、ニッケル等の金属をピット列の上にスパ
ッタリング、蒸着等により形成してレジスト層上に導電
膜を形成する。Next, in the developing step S8, a developing device is used to uniformly supply the developing solution onto the substrate to cut a pit row corresponding to a signal to be recorded. Next, as post-baking step S9, the developed pit rows of the resist layer are dried and fixed on the glass substrate. Next, in a conductive film forming step S10, a metal such as nickel is formed on the pit row by sputtering, vapor deposition or the like to form a conductive film on the resist layer.
【００４５】次に、電鋳工程Ｓ１１として、基盤をニッ
ケル電鋳槽中に浸してニッケルを導電膜上にメッキ（電
鋳）して肉厚のニッケル層すなわちニッケルスタンパを
形成する。次に、スタンパ工程Ｓ１２として、ニッケル
スタンパをガラス基盤から分離し、スタンパ上に残った
レジスト層を除去して、ニッケルスタンパを得る。Next, in the electroforming step S11, the base is dipped in a nickel electroforming bath and nickel is plated (electroformed) on the conductive film to form a thick nickel layer, that is, a nickel stamper. Next, in a stamper step S12, the nickel stamper is separated from the glass substrate and the resist layer remaining on the stamper is removed to obtain a nickel stamper.
【００４６】次に、射出成形工程Ｓ１３として、ニッケ
ルスタンパを射出成形装置の所定位置に取り付け、型締
め後に、溶融した流動性ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリ
レート）、ＰＣ（ポリカーボネート）等の透明樹脂材料
をニッケルスタンパ上に射出して、樹脂材料の硬化後こ
れを取り出して、所定情報記録面を有したディスクレプ
リカを作成する。Next, in an injection molding step S13, a nickel stamper is attached to a predetermined position of the injection molding apparatus, and after mold clamping, a molten transparent resin material such as PMMA (polymethylmethacrylate) or PC (polycarbonate) is nickel. It is ejected onto a stamper, and after the resin material is cured, it is taken out to form a disk replica having a predetermined information recording surface.
【００４７】次に、反射膜形成工程Ｓ１４として、レプ
リカの情報記録面上にアルミニウム等の反射膜を形成す
る。次に、オーバーコート工程Ｓ１５として、該反射膜
上に保護用のオーバーコート層を形成して、光ディスク
が形成される。本実施例のパターン形成方法によれば、
逆フォトクロミック材料からなるＣＥＬ材料の導入によ
り、高密度のピットパターンが解像されるため、現行の
露光装置やレジストを使用した場合であっても記録密度
が著しく向上した光ディスクを効率良く得ることができ
る。Next, as a reflective film forming step S14, a reflective film of aluminum or the like is formed on the information recording surface of the replica. Next, as an overcoat step S15, a protective overcoat layer is formed on the reflective film to form an optical disc. According to the pattern forming method of this embodiment,
Since a high density pit pattern is resolved by introducing a CEL material composed of a reverse photochromic material, it is possible to efficiently obtain an optical disk having a remarkably improved recording density even when the existing exposure apparatus or resist is used. it can.
【００４８】上記実施例ではパターン形成方法を光ディ
スクの製造に応用したものを示したが、さらに、半導体
プロセスにおいても、重ね露光をする場合や、ステッパ
装置におけるマスクからのもれ光の除去に効果がある。In the above-mentioned embodiment, the pattern forming method is applied to the manufacture of an optical disk. However, in the semiconductor process as well, it is effective in the case of overexposure and in the removal of the leakage light from the mask in the stepper device. There is.
【００４９】[0049]
【発明の効果】本発明によれば、露光後のコントラスト
強化層の退色領域が非露光時に急速に着色状態にもどる
ため、時間順又は重ね露光時のクロストークがなくな
り、コントラストの拡張効果が得られ、各パターンにお
いて、コントラスト強化層を用いない時に比べて微細な
潜像をレジストに形成することができる。その結果、高
密度な半導体素子や光ディスクの製造が可能になる。EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, the fading area of the contrast enhancing layer after exposure rapidly returns to the colored state during non-exposure, so that crosstalk is eliminated in time sequence or during repeated exposure, and a contrast expanding effect is obtained. Therefore, in each pattern, a finer latent image can be formed on the resist than when the contrast enhancing layer is not used. As a result, it becomes possible to manufacture high density semiconductor devices and optical disks.
【図１】従来の光ディスクの製造方法における各部材の
概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of each member in a conventional optical disc manufacturing method.
【図２】露光工程における従来のコントラスト強化層、
レジスト層及び基板の概略断面図である。FIG. 2 is a conventional contrast enhancing layer in the exposure process,
It is a schematic sectional drawing of a resist layer and a board | substrate.
【図３】実施例にかかる逆フォトクロミック材料の波長
に対する吸光度特性を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing absorbance characteristics with respect to wavelength of the inverse photochromic material according to the example.
【図４】実施例にかかるコントラスト強化層の消色体及
び着色体間の変化を表す反射率の経時変化を示すグラフ
である。FIG. 4 is a graph showing a change with time in reflectance showing a change between a decolored body and a colored body of a contrast enhancing layer according to an example.
【図５】実施例のパターン形成方法を光ディスクの製造
プロセスに用いた工程順を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing the order of steps in which the pattern forming method of the embodiment is used in an optical disc manufacturing process.
Ｓ１ 基盤洗浄工程 Ｓ２ ＨＭＤＳ処理 Ｓ３ レジスト層形成工程 Ｓ４ プリベーク処理工程 Ｓ５ コントラスト強化層形成工程 Ｓ６ 露光工程 Ｓ７ コントラスト強化層剥離工程 Ｓ８ 現像工程 Ｓ９ ポストベーキング工程 Ｓ１０ 導電膜形成工程 Ｓ１１ 電鋳工程 Ｓ１２ スタンパ工程 Ｓ１３ 射出成形工程 Ｓ１４ 反射膜形成工程 Ｓ１５ オーバーコート層形成工程 S1 Substrate cleaning step S2 HMDS treatment S3 Resist layer formation step S4 Pre-bake treatment step S5 Contrast enhancement layer formation step S6 Exposure step S7 Contrast enhancement layer peeling step S8 Development step S9 Post-baking step S10 Conductive film formation step S11 Electroforming step S12 Stamper step S13 Injection molding step S14 Reflective film forming step S15 Overcoat layer forming step
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横関 伸一 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号パイ オニア株式会社総合研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Shinichi Yokozeki 6-1, 1-1 Fujimi, Tsurugashima City, Saitama Pioneer Research Institute
Claims (7)
する安定な着色状態の逆フォトクロミック材料からなる
ことを特徴とするコントラストエンハンスメントリソグ
ラフィ材料。1. A contrast enhancement lithographic material comprising an inverse photochromic material in a stable colored state which changes to an unstable decolored state by absorption of light.
な着色状態において、下記（１）式 【化１】 その不安定な消色状態において、下記（２）式 【化２】 （両式中、Ｒ1は炭素数１〜２０のアルキル基、アラル
キル基、ヒドロキシチエル基、アクリロキシエチル基、
又はメタクリロキシエチル基を示し、Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4及
びＲ5は少なくとも１つが炭素数１〜３のアルキル基で
置換されていてもよいアミノ基であり、それ以外の基は
同一又は異なって、水素原子、炭素数１〜６のアルキル
基、アリール基、アラルキル基、炭素数１〜５のアルコ
キシ基、ハロゲン原子、シアノ基、トリクロルメチル
基、トリフルオルメチル基又はニトロ基を示し、Ｒ6及
びＲ7は同一又は異なって、水素原子、炭素数１〜６の
アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン原
子、シアノ基又はニトロ基を示し、Ｒ 8は水素原子、ビ
ニル基、-ＣＨ2ＯＲ9又は-ＣＨ2ＯＣＯＣ（Ｒ10）＝Ｃ
Ｈ2を示し、Ｒ9は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル
基、Ｒ10は水素原子又はメチル基を示し、Ｘは酸素原子
または硫黄原子を示す）で表されるスピロピラン化合物
又はこれと酸性化合物との塩であることを特徴とする請
求項１記載のコントラストエンハンスメントリソグラフ
ィ材料。2. The inverse photochromic material is stable
In various coloring states, the following formula (1):In the unstable decolored state, the following formula (2):(R in both formulas1Is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, aral
Kill group, hydroxy thier group, acryloxyethyl group,
Or a methacryloxyethyl group, R2, R3, RFourOver
And RFiveAt least one is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms
It is an optionally substituted amino group, and the other groups are
Identical or different, hydrogen atom, alkyl having 1 to 6 carbon atoms
Group, aryl group, aralkyl group, C1-C5 alcohol
Xyl group, halogen atom, cyano group, trichloromethyl
Group, trifluoromethyl group or nitro group, R6Over
And R7Are the same or different and each represents a hydrogen atom or a C1-6
Alkyl group, aryl group, aralkyl group, halogen source
Represents a child, a cyano group or a nitro group, and R 8Is a hydrogen atom,
Nyl group, -CH2OR9Or-CH2OCOC (RTen) = C
H2Indicates R9Is a hydrogen atom or alkyl having 1 to 4 carbons
Group, RTenRepresents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents an oxygen atom
Or a spiropyran compound represented by a sulfur atom)
Alternatively, a contract characterized by being a salt of this and an acidic compound
Contrast enhancement lithograph according to claim 1
Material
（１）及び（２）式、（両式中、Ｒ1はメチル基、エチ
ル基、プロピル基、オクタデシル基、ヒドロキシエチル
基又はメタクリロキシエチル基を示し、Ｒ2は水素原子
を示し、Ｒ3は水素原子、アミノ基、ジメチルアミノ基
又はジエチルアミノ基を示し、Ｒ4は水素原子、メチル
基又はメトキシ基を示し、Ｒ5は水素原子、アミノ基、
ジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基を示し、Ｒ6及
びＲ7は水素原子を示し、Ｒ8は水素原子、ビニル基、ヒ
ドロキシメチル基又はメタクリロキシメチル基を示し、
Ｘは酸素原子又は硫黄原子を示す）で表されるスピロピ
ラン化合物又はこれと酸性化合物との塩であることを特
徴とする請求項２記載のコントラストエンハンスメント
リソグラフィ材料。3. The inverse photochromic material has the formulas (1) and (2), wherein R 1 represents a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an octadecyl group, a hydroxyethyl group or a methacryloxyethyl group. , R 2 represents a hydrogen atom, R 3 represents a hydrogen atom, an amino group, a dimethylamino group or a diethylamino group, R 4 represents a hydrogen atom, a methyl group or a methoxy group, R 5 represents a hydrogen atom, an amino group,
A dimethylamino group or a diethylamino group, R 6 and R 7 represent a hydrogen atom, R 8 represents a hydrogen atom, a vinyl group, a hydroxymethyl group or a methacryloxymethyl group,
3. The contrast enhancement lithographic material according to claim 2, wherein X is an oxygen atom or a sulfur atom), or a spiropyran compound or a salt thereof with an acidic compound.
ことを特徴とする請求項２又は３記載のコントラストエ
ンハンスメントリソグラフィ材料。4. A contrast enhancement lithographic material according to claim 2 or 3, comprising a resin, which is a water-soluble resin.
及びポリビニルピロリドンからなる群から選ばれた樹脂
からなることを特徴とする請求項４記載のコントラスト
エンハンスメントリソグラフィ材料。5. The contrast enhancement lithographic material according to claim 4, wherein the water-soluble resin is a resin selected from the group consisting of polyvinyl alcohol and polyvinylpyrrolidone.
層形成工程と、該レジスト層の露光処理を行なって潜像
パターンを形成する露光工程と、該露光がなされたレジ
スト層の現像処理を行なってレジスト基盤を作製する現
像工程とを有するパターン形成方法において、前記レジ
スト層形成工程と前記露光工程との間に、光の吸収によ
り不安定な消色状態へ変化する安定な着色状態の逆フォ
トクロミック材料からなるコントラスト強化層を前記レ
ジスト層上に形成するコントラスト強化層形成工程を有
することを特徴とするパターン形成方法。6. A resist layer forming step of forming a resist layer on a substrate, an exposing step of exposing the resist layer to form a latent image pattern, and a developing treatment of the exposed resist layer. In a pattern forming method including a developing step for producing a resist substrate by means of a reverse photochromic method, a stable colored state is changed between the resist layer forming step and the exposing step due to absorption of light to an unstable decolored state. A method of forming a pattern, comprising a step of forming a contrast enhancing layer made of a material on the resist layer.
強化層を前記レジスト層から除去するコントラスト強化
層除去工程とを有することを特徴とする請求項６記載の
パターン形成方法。7. The pattern forming method according to claim 6, further comprising a contrast enhancing layer removing step of removing the contrast enhancing layer from the resist layer after the exposing step.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4110594A JPH07248604A (en) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | Contrast enhancement lithographic material and pattern forming method therewith |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4110594A JPH07248604A (en) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | Contrast enhancement lithographic material and pattern forming method therewith |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07248604A true JPH07248604A (en) | 1995-09-26 |
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ID=12599204
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4110594A Pending JPH07248604A (en) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | Contrast enhancement lithographic material and pattern forming method therewith |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07248604A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277545B1 (en) * | 1998-01-14 | 2001-08-21 | Pioneer Electronic Corporation | Method of manufacturing optical disc master plate |
| WO2006088643A2 (en) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for absorbance modulation lithography |
| WO2007084279A1 (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for absorbance modulation lithography |
| US7666580B2 (en) | 2005-02-17 | 2010-02-23 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for contrast enhanced zone plate array lithography |
-
1994
- 1994-03-11 JP JP4110594A patent/JPH07248604A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6277545B1 (en) * | 1998-01-14 | 2001-08-21 | Pioneer Electronic Corporation | Method of manufacturing optical disc master plate |
| WO2006088643A2 (en) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for absorbance modulation lithography |
| WO2006088643A3 (en) * | 2005-02-17 | 2007-03-22 | Massachusetts Inst Technology | System and method for absorbance modulation lithography |
| US7666580B2 (en) | 2005-02-17 | 2010-02-23 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for contrast enhanced zone plate array lithography |
| US7667819B2 (en) | 2005-02-17 | 2010-02-23 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for contrast enhanced zone plate array lithography |
| US7714988B2 (en) | 2005-02-17 | 2010-05-11 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for absorbance modulation lithography |
| US7713684B2 (en) | 2005-02-17 | 2010-05-11 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for absorbance modulation lithography |
| WO2007084279A1 (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for absorbance modulation lithography |
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