JPH07245874A - Overcurrent protective circuit of switching power supply - Google Patents
Overcurrent protective circuit of switching power supplyInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、スイッチング電源の
過電流保護回路に関し、さらに詳しくは、スイッチング
電源の一次側電流が所定の値より大きくなった時に瞬時
に一次側スイッチング素子をオフするスイッチング電源
の過電流保護回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overcurrent protection circuit for a switching power supply, and more particularly to a switching power supply which instantly turns off the primary side switching element when the primary current of the switching power supply exceeds a predetermined value. The present invention relates to an overcurrent protection circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３は、従来のスイッチング電源の過電
流保護回路の一例を示す回路図である。スイッチング電
源は、ＰＷＭ信号をオア回路ＯＲおよびノット回路ＮＴ
を介してＮＰＮトランジスタＱ２のベースに加え、ま
た、ＰＷＭ信号をオア回路ＯＲを介してＮＰＮトランジ
スタＱ３のベースに加え、これらＮＰＮトランジスタＱ
２，Ｑ３を相補的にオン・オフしてゲート信号を作り、
そのゲート信号により一次側スイッチングトランジスタ
Ｑ１をオン・オフして変圧器Ｔの一次側電流Ｉｄを断続
的に流し、変圧器Ｔの２次側に所望の電圧を誘起させて
いる。スイッチング電源の過電流保護回路３００は、一
次側電流Ｉｄを検出する抵抗Ｒ１と、抵抗Ｒ２，抵抗Ｒ
３，コンデンサＣ１で構成されるローパスフィルタと、
検出した一次側電流Ｉｄが所定の上限レベルを越えたか
否かを判定するコンパレータＣＭと、コンパレータＣＭ
の出力を保持するフリップフロップ回路ＦＦとから構成
されている。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional overcurrent protection circuit for a switching power supply. The switching power supply sends a PWM signal to an OR circuit OR and a knot circuit NT.
To the base of the NPN transistor Q2, and the PWM signal to the base of the NPN transistor Q3 via the OR circuit OR.
2 and Q3 are complementarily turned on / off to create a gate signal,
The gate signal turns on / off the primary side switching transistor Q1 to intermittently flow the primary side current Id of the transformer T to induce a desired voltage on the secondary side of the transformer T. The overcurrent protection circuit 300 of the switching power supply includes a resistor R1 for detecting the primary side current Id, a resistor R2, and a resistor R2.
3, a low-pass filter composed of a capacitor C1, and
A comparator CM for determining whether the detected primary-side current Id exceeds a predetermined upper limit level, and a comparator CM
And a flip-flop circuit FF for holding the output of the.
【０００３】なお、オア回路ＯＲ，ノット回路ＮＴ，Ｎ
ＰＮトランジスタＱ２，ＮＰＮトランジスタＱ３，コン
パレータＣＭおよびフリップフロップ回路ＦＦは、１つ
のスイッチング制御用集積回路ＩＣに内蔵されている。An OR circuit OR and a knot circuit NT, N
The PN transistor Q2, the NPN transistor Q3, the comparator CM and the flip-flop circuit FF are built in one switching control integrated circuit IC.
【０００４】図４は、上記過電流保護回路３００の動作
を説明する波形図である。オア回路ＯＲには、フリップ
フロップ回路ＦＦの出力Ｑと，ＰＷＭ信号と，過電圧保
護信号が入力されている。時刻ｔ１より前は、一次側電
流Ｉｄが上限レベル以下なので、後述するようにフリッ
プフロップ回路ＦＦの出力Ｑは“Ｌ”である。また、過
電圧保護信号は、この発明に直接関係しないため、
“Ｌ”であるとする。このとき、ＰＷＭ信号の“Ｈ”
“Ｌ”がそのままオア回路ＯＲの出力となる。そこで、
ＰＷＭ信号が実質的にそのままゲート信号になる。ゲー
ト信号の“Ｌ”の期間は、一次側スイッチングトランジ
スタＱ１はオフであり、一次側電流Ｉｄは“０”であ
る。ゲート信号の“Ｈ”の期間は一次側スイッチングト
ランジスタＱ１はオンであり、一次側電流Ｉｄが流れ
る。この一次側電流Ｉｄは、上限レベル以下であるか
ら、コンパレータＣＭからフリップフロップ回路ＦＦの
ＳＥＴ（セット）端子に“Ｌ”が入力される。一方、フ
リップフロップ回路ＦＦのＲＳＴ（リセット）端子に
は、ＰＷＭ信号が入力され、そのＰＷＭ信号の“Ｈ”に
よりフリップフロップ回路ＦＦはリセットされ、上述の
ようにフリップフロップ回路ＦＦの出力Ｑは“Ｌ”であ
る。FIG. 4 is a waveform diagram for explaining the operation of the overcurrent protection circuit 300. The output Q of the flip-flop circuit FF, the PWM signal, and the overvoltage protection signal are input to the OR circuit OR. Before the time t1, the primary side current Id is equal to or lower than the upper limit level, so that the output Q of the flip-flop circuit FF is "L" as described later. Also, since the overvoltage protection signal is not directly related to the present invention,
It is assumed to be "L". At this time, the PWM signal "H"
"L" is directly output from the OR circuit OR. Therefore,
The PWM signal becomes a gate signal substantially as it is. During the "L" period of the gate signal, the primary side switching transistor Q1 is off and the primary side current Id is "0". During the "H" period of the gate signal, the primary side switching transistor Q1 is on, and the primary side current Id flows. Since the primary current Id is below the upper limit level, "L" is input from the comparator CM to the SET (set) terminal of the flip-flop circuit FF. On the other hand, the PWM signal is input to the RST (reset) terminal of the flip-flop circuit FF, the flip-flop circuit FF is reset by the "H" of the PWM signal, and the output Q of the flip-flop circuit FF is "H" as described above. L ".
【０００５】時刻ｔ１になると、一次側電流Ｉｄが上限
レベルを越える。すると、コンパレータＣＭからフリッ
プフロップ回路ＦＦのＳＥＴ端子に“Ｈ”が入力され
る。一方、フリップフロップ回路ＦＦのＲＳＴ端子に
は、ＰＷＭ信号の“Ｌ”が入力されている。そこで、フ
リップフロップ回路ＦＦはセットされ、出力Ｑが“Ｈ”
になる。すると、オア回路ＯＲの出力は“Ｈ”となり、
ゲート信号は“Ｌ”となる。そこで、時刻ｔ３に、一次
側スイッチングトランジスタＱ１はオフになり、一次側
電流Ｉｄは“０”になる。すなわち、一次側電流Ｉｄが
遮断され、過電流保護が働いたことになる。At time t1, the primary current Id exceeds the upper limit level. Then, "H" is input from the comparator CM to the SET terminal of the flip-flop circuit FF. On the other hand, the PWM signal “L” is input to the RST terminal of the flip-flop circuit FF. Therefore, the flip-flop circuit FF is set and the output Q is "H".
become. Then, the output of the OR circuit OR becomes "H",
The gate signal becomes "L". Therefore, at time t3, the primary side switching transistor Q1 is turned off and the primary side current Id becomes "0". That is, the primary current Id is cut off, and the overcurrent protection is activated.
【０００６】一次側電流Ｉｄが“０”になると、コンパ
レータＣＭからフリップフロップ回路ＦＦのＳＥＴ端子
に“Ｌ”が入力されるが、ＰＷＭ信号が“Ｌ”の間はフ
リップフロップ回路ＦＦのＲＳＴ端子に“Ｌ”が入力さ
れており、フリップフロップ回路ＦＦの出力Ｑは“Ｈ”
のままである。従って、一次側電流Ｉｄは遮断されたま
まとなる。When the primary side current Id becomes "0", "L" is input from the comparator CM to the SET terminal of the flip-flop circuit FF, but while the PWM signal is "L", the RST terminal of the flip-flop circuit FF. "L" is input to the output, and the output Q of the flip-flop circuit FF is "H".
It remains. Therefore, the primary-side current Id remains blocked.
【０００７】時刻ｔ４になり、ＰＷＭ信号が“Ｈ”にな
ると、フリップフロップ回路ＦＦのＲＳＴ端子に“Ｈ”
が入力され、フリップフロップ回路ＦＦの出力Ｑは
“Ｌ”に戻る。従って、通常の状態に復帰する。At time t4, when the PWM signal becomes "H", "H" is applied to the RST terminal of the flip-flop circuit FF.
Is input, and the output Q of the flip-flop circuit FF returns to "L". Therefore, the normal state is restored.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記従来のスイッチン
グ電源の過電流保護回路３００では、ラッチ機能を持た
せてハンチング現象を防止し且つ動作周波数毎に通常の
状態に復帰させる所謂パルスバイパルス過電流検出保護
が可能である。しかし、抵抗Ｒ２，抵抗Ｒ３，コンデン
サＣ１で構成されるローパスフィルタでの遅れ時間と、
コンパレータでの遅れ時間と、フリップフロップ回路Ｆ
Ｆでの遅れ時間と、オア回路ＯＲおよびノット回路ＮＴ
での遅れ時間と、ＮＰＮトランジスタＱ２およびＮＰＮ
トランジスタＱ３での遅れ時間とが全て直列に加わるた
めに、過電流検出時刻ｔ１から１次側電流遮断時刻ｔ３
までの時間が比較的長い時間（数１００ｎｓ）になる問
題点がある。そこで、この発明の目的は、上記パルスバ
イパルス過電流検出保護が可能であると共に、過電流検
出時刻から一次側電流遮断時刻までの時間を比較的短い
時間（数１０ｎｓ）にすることが出来るスイッチング電
源の過電流保護回路を提供することにある。In the conventional overcurrent protection circuit 300 for a switching power supply, a so-called pulse-by-pulse overcurrent which has a latch function to prevent a hunting phenomenon and to return to a normal state at each operating frequency is provided. Detection protection is possible. However, the delay time in the low-pass filter composed of the resistor R2, the resistor R3, and the capacitor C1,
The delay time in the comparator and the flip-flop circuit F
Delay time at F, OR circuit OR and knot circuit NT
Delay time at NPN transistor Q2 and NPN
Since the delay time in the transistor Q3 and the delay time in the transistor Q3 are all added in series, from the overcurrent detection time t1 to the primary current cutoff time t3.
There is a problem that it takes a relatively long time (several 100 ns). Therefore, an object of the present invention is to carry out the above-mentioned pulse-by-pulse overcurrent detection protection, and to make the time from the overcurrent detection time to the primary side current interruption time relatively short (several tens of ns). It is to provide an overcurrent protection circuit for a power supply.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明のスイッチング
電源の過電流保護回路は、スイッチング電源の一次側電
流を検出する一次側電流検出手段と、検出した一次側電
流が所定の値より大きくなったときに一次側スイッチン
グ素子を強制的にオフにして一次側電流を遮断する一次
側電流遮断手段とを具備してなるスイッチング電源の過
電流保護回路であって、前記一次側電流遮断手段として
ＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタとを組み合わ
せたサイリスタ回路を用い、そのサイリスタ回路は、前
記変流器の出力電流が所定の値より大きくなったときに
クローズ状態となり、前記一次側スイッチング素子をオ
ンさせるドライブ信号をカットして一次側スイッチング
素子をオフさせ、且つ、前記ドライブ信号によりクロー
ズ状態を自己保持し、前記一次側スイッチング素子をオ
フさせるドライブ信号によりオープン状態に戻ることを
構成上の特徴とするものである。In the overcurrent protection circuit for a switching power supply according to the present invention, a primary-side current detection means for detecting the primary-side current of the switching power supply and the detected primary-side current become larger than a predetermined value. An overcurrent protection circuit for a switching power supply, comprising: a primary side current interruption means for sometimes forcibly turning off the primary side switching element to interrupt the primary side current, wherein the primary side current interruption means is a PNP transistor. And a NPN transistor are used in combination, the thyristor circuit is in a closed state when the output current of the current transformer exceeds a predetermined value, and cuts the drive signal for turning on the primary side switching element. The primary side switching element is turned off, and the closed state is maintained by the drive signal. , By the drive signal for turning off the primary side switching element in which the characteristics of the structure to return to the open state.
【００１０】[0010]
【作用】この発明のスイッチング電源の過電流保護回路
では、一次側電流が所定の値より大きくなったことを検
出すると、ＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタと
を組み合わせたサイリスタ回路がクローズ状態となる。
そして、一次側スイッチング素子をオンさせるドライブ
電流またはドライブ電圧をカットする。この結果、一次
側スイッチング素子がオフになり、一次側電流を遮断す
る。また、前記サイリスタ回路は、前記ドライブ電流ま
たはドライブ電圧によりクローズ状態を自己保持し、一
次側電流の遮断状態を維持する。前記ドライブ電流また
はドライブ電圧が、一次側スイッチング素子をオフさせ
る状態になると、前記サイリスタ回路は、オープン状態
に戻る。すなわち、元の状態に復帰する。In the overcurrent protection circuit of the switching power supply according to the present invention, when it is detected that the primary side current has become larger than the predetermined value, the thyristor circuit in which the PNP transistor and the NPN transistor are combined is closed.
Then, the drive current or drive voltage for turning on the primary side switching element is cut off. As a result, the primary side switching element is turned off and the primary side current is cut off. Further, the thyristor circuit self-holds the closed state by the drive current or the drive voltage and maintains the cutoff state of the primary side current. When the drive current or drive voltage turns off the primary side switching element, the thyristor circuit returns to the open state. That is, the original state is restored.
【００１１】このように、ラッチ機能を持たせてハンチ
ング現象を防止し且つ動作周波数毎に通常の状態に復帰
させるパルスバイパルス過電流検出保護が可能である。
また、サイリスタ回路のクローズ状態で直接的に一次側
スイッチング素子をオフさせるので、遅れ時間の要素が
少なくなり、過電流検出時刻から一次側電流遮断時刻ま
での時間を比較的短い時間にすることが出来る。As described above, it is possible to carry out pulse-by-pulse overcurrent detection protection in which the hunting phenomenon is prevented by providing the latch function and the normal state is restored for each operating frequency.
Further, since the primary side switching element is directly turned off in the closed state of the thyristor circuit, the delay time factor is reduced, and the time from the overcurrent detection time to the primary side current interruption time can be made relatively short. I can.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、図に示す実施例によりこの発明をさら
に詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。図１は、この発明のスイッチング電
源の過電流保護回路の一実施例の回路図である。スイッ
チング電源は、ＰＷＭ信号によりＮＰＮトランジスタＱ
１４およびＰＮＰトランジスタＱ１５を相補的にオン・
オフしてドライブ信号を作り、ダイオードＤ１３および
抵抗１４の並列回路を介して前記ドライブ信号を一次側
スイッチングトランジスタＱ１のゲートに加え、一次側
スイッチングトランジスタＱ１をオン・オフして変圧器
Ｔの一次側電流Ｉｄを断続的に流し、変圧器Ｔの２次側
に所望の電圧を誘起させている。スイッチング電源の過
電流保護回路１００は、一次側電流Ｉｄを検出する変流
器ＣＴと、整流用ダイオードＤ１１と、抵抗Ｒ１１と、
一次側電流Ｉｄの上限レベルを規定するツェナーダイオ
ードＤｚと、ＰＮＰトランジスタＱ１３とＮＰＮトラン
ジスタＱ１２とバイアス回路（コンデンサＣ１２，抵抗
Ｃ１３，コンデンサＣ１１，抵抗Ｃ１２）とを組み合わ
せたサイリスタ回路と、前記並列回路（ダイオードＤ１
３および抵抗１４の並列回路）とから構成されている。The present invention will be described in more detail with reference to the embodiments shown in the drawings. The present invention is not limited to this. FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of an overcurrent protection circuit for a switching power supply according to the present invention. Switching power supply uses NPN transistor Q by PWM signal.
14 and PNP transistor Q15 are turned on complementarily.
The drive signal is turned off to generate a drive signal, the drive signal is applied to the gate of the primary side switching transistor Q1 via a parallel circuit of a diode D13 and a resistor 14, and the primary side switching transistor Q1 is turned on / off to turn on the primary side of the transformer T. The current Id is intermittently applied to induce a desired voltage on the secondary side of the transformer T. The overcurrent protection circuit 100 of the switching power supply includes a current transformer CT that detects the primary-side current Id, a rectifying diode D11, a resistor R11,
A Zener diode Dz that defines the upper limit level of the primary side current Id, a thyristor circuit that combines a PNP transistor Q13, an NPN transistor Q12, and a bias circuit (capacitor C12, resistor C13, capacitor C11, and resistor C12), and the parallel circuit ( Diode D1
3 and a resistor 14 in parallel).
【００１３】なお、ＮＰＮトランジスタＱ１４およびＰ
ＮＰトランジスタＱ１５は、１つのスイッチング制御用
集積回路ＩＣに内蔵されている。The NPN transistors Q14 and P
The NP transistor Q15 is incorporated in one switching control integrated circuit IC.
【００１４】図２は、上記過電流保護回路１００の動作
を説明する波形図である。ドライブ信号は、ＰＷＭ信号
の“Ｈ”“Ｌ”がそのまま出力されている。時刻ｔ１よ
り前は、一次側電流Ｉｄが上限レベル以下なので、後述
するようにＰＮＰトランジスタＱ１３とＮＰＮトランジ
スタＱ１２は共にオフであり、サイリスタ回路はオープ
ン状態である。そこで、ドライブ信号がそのままゲート
信号になる。ゲート信号の“Ｌ”の期間は、一次側スイ
ッチングトランジスタＱ１はオフであり、一次側電流Ｉ
ｄは“０”である。ゲート信号の“Ｈ”の期間は一次側
スイッチングトランジスタＱ１はオンであり、一次側電
流Ｉｄが流れる。この一次側電流Ｉｄは、上限レベル以
下であるから、変流器ＣＴから整流用ダイオードＤ１１
を通じて抵抗Ｒ１１に流れる電流は小さく、抵抗Ｒ１１
の両端電圧は、ツェナーダイオードＤｚのツェナー電圧
とＮＰＮトランジスタＱ１２のベース−エミッタ間電圧
の和より低い。従って、ツェナーダイオードＤｚはオフ
であり、過電流検出ベース電流は“０”であり、上述の
ようにＮＰＮトランジスタＱ１２はオフであり、また、
ＰＮＰトランジスタＱ１３もオフである。FIG. 2 is a waveform diagram for explaining the operation of the overcurrent protection circuit 100. As the drive signal, “H” and “L” of the PWM signal are output as they are. Before the time t1, the primary side current Id is below the upper limit level, so that both the PNP transistor Q13 and the NPN transistor Q12 are off and the thyristor circuit is open, as will be described later. Therefore, the drive signal directly becomes the gate signal. During the "L" period of the gate signal, the primary side switching transistor Q1 is off and the primary side current I
d is "0". During the "H" period of the gate signal, the primary side switching transistor Q1 is on, and the primary side current Id flows. Since this primary-side current Id is below the upper limit level, the rectifying diode D11 flows from the current transformer CT.
The current flowing through the resistor R11 through the resistor R11 is small,
Is lower than the sum of the Zener voltage of the Zener diode Dz and the base-emitter voltage of the NPN transistor Q12. Therefore, the Zener diode Dz is off, the overcurrent detection base current is "0", the NPN transistor Q12 is off as described above, and
The PNP transistor Q13 is also off.
【００１５】時刻ｔ１になると、一次側電流Ｉｄが上限
レベルを越える。すると、変流器ＣＴから整流用ダイオ
ードＤ１１を通じて抵抗Ｒ１１に流れる電流が大きくな
り、抵抗Ｒ１１の両端電圧は、ツェナーダイオードＤｚ
のツェナー電圧とＮＰＮトランジスタＱ１２のベース−
エミッタ間電圧の和より高くなる。従って、ツェナーダ
イオードＤｚがオンになり、過電流検出ベース電流が流
れ、ＮＰＮトランジスタＱ１２がオンになる。この結
果、ＰＮＰトランジスタＱ１３もオンになり、サイリス
タ回路はクローズ状態になる。すると、ドライブ信号は
“Ｈ”でも、ゲート信号は“Ｌ”になり、時刻ｔ２に、
一次側スイッチングトランジスタＱ１はオフになり、一
次側電流Ｉｄは“０”になる。すなわち、一次側電流Ｉ
ｄが遮断され、過電流保護が働いたことになる。At time t1, the primary side current Id exceeds the upper limit level. Then, the current flowing from the current transformer CT through the rectifying diode D11 to the resistor R11 becomes large, and the voltage across the resistor R11 becomes equal to the Zener diode Dz.
Zener voltage and base of NPN transistor Q12
It is higher than the sum of the emitter-to-emitter voltages. Therefore, the Zener diode Dz turns on, the overcurrent detection base current flows, and the NPN transistor Q12 turns on. As a result, the PNP transistor Q13 is also turned on and the thyristor circuit is closed. Then, even if the drive signal is "H", the gate signal becomes "L", and at time t2,
The primary side switching transistor Q1 is turned off, and the primary side current Id becomes "0". That is, the primary current I
This means that d is cut off and overcurrent protection is activated.
【００１６】一次側電流Ｉｄが“０”になると、変流器
ＣＴから整流用ダイオードＤ１１を通じて抵抗Ｒ１１に
流れる電流は小さくなり、抵抗Ｒ１１の両端電圧は、ツ
ェナーダイオードＤｚのツェナー電圧とＮＰＮトランジ
スタＱ１２のベース−エミッタ間電圧の和より低くな
る。従って、ツェナーダイオードＤｚはオフになり、過
電流検出ベース電流は“０”になる。しかし、ＰＮＰト
ランジスタＱ１３およびＮＰＮトランジスタＱ１２が相
互にベース電流を供給しあうので、ドライブ信号が
“Ｈ”の間はＰＮＰトランジスタＱ１３およびＮＰＮト
ランジスタＱ１２は共にオンであり、サイリスタ回路は
クローズ状態を自己保持する。なお、抵抗Ｒ１４は、サ
イリスタ回路がクローズ状態になった時に流れる電流を
制限する働きをする。When the primary side current Id becomes "0", the current flowing from the current transformer CT through the rectifying diode D11 to the resistor R11 becomes small, and the voltage across the resistor R11 is equal to the Zener voltage of the Zener diode Dz and the NPN transistor Q12. It becomes lower than the sum of the base-emitter voltage of. Therefore, the Zener diode Dz is turned off, and the overcurrent detection base current becomes "0". However, since the PNP transistor Q13 and the NPN transistor Q12 mutually supply the base currents, both the PNP transistor Q13 and the NPN transistor Q12 are on while the drive signal is "H", and the thyristor circuit holds the closed state by itself. To do. The resistor R14 functions to limit the current flowing when the thyristor circuit is in the closed state.
【００１７】時刻ｔ４になり、ドライブ信号が“Ｌ”に
なると、ＰＮＰトランジスタＱ１３およびＮＰＮトラン
ジスタＱ１２にベース電流が供給されなくなるので、Ｐ
ＮＰトランジスタＱ１３およびＮＰＮトランジスタＱ１
２は共にオフになり、サイリスタ回路はオープン状態に
戻る。すなわち、通常の状態に復帰する。なお、ダイオ
ードＤ１２，Ｄ１３は、サイリスタ回路がオープン状態
に戻るのを高速化する働きをする。When the drive signal becomes "L" at time t4, the base current is no longer supplied to the PNP transistor Q13 and the NPN transistor Q12, so that P
NP transistor Q13 and NPN transistor Q1
Both 2 are turned off and the thyristor circuit returns to the open state. That is, the normal state is restored. The diodes D12 and D13 serve to speed up the return of the thyristor circuit to the open state.
【００１８】なお、ツェナーダイオードＤｚのツェナー
電圧およびコンデンサＣ１１の容量を適当に選択すれ
ば、一次側電流Ｉｄにスパイク状のノイズが混入しても
誤動作することはない。If the Zener voltage of the Zener diode Dz and the capacitance of the capacitor C11 are properly selected, malfunction does not occur even if spike-like noise is mixed in the primary current Id.
【００１９】以上の過電流保護回路１００によれば、パ
ルスバイパルス過電流検出保護が可能となる。また、過
電流検出時刻から一次側電流遮断時刻までの時間を比較
的短い時間（数１０ｎｓ）にすることが出来る。The above-described overcurrent protection circuit 100 enables pulse-by-pulse overcurrent detection protection. Further, the time from the overcurrent detection time to the primary side current interruption time can be made a relatively short time (several tens of ns).
【００２０】なお、変流器ＣＴの代りに抵抗を用いても
よい。また、一次側スイッチングトランジスタＱ１１と
してバイポーラ型トランジスタを用いてもよい。A resistor may be used instead of the current transformer CT. A bipolar transistor may be used as the primary side switching transistor Q11.
【００２１】[0021]
【発明の効果】この発明のスイッチング電源の過電流保
護回路によれば、ラッチ機能を持たせてハンチング現象
を防止し且つ動作周波数毎に通常の状態に復帰させるパ
ルスバイパルス過電流検出保護が可能となると共に、過
電流検出時刻から一次側電流遮断時刻までの時間を比較
的短い時間にすることが出来るようになる。According to the overcurrent protection circuit for a switching power supply of the present invention, pulse-by-pulse overcurrent detection protection that has a latch function to prevent a hunting phenomenon and to return to a normal state at each operating frequency is possible. At the same time, the time from the overcurrent detection time to the primary side current interruption time can be made relatively short.
【図１】この発明のスイッチング電源の過電流保護回路
の一実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of an overcurrent protection circuit for a switching power supply according to the present invention.
【図２】図１の過電流保護回路の動作を説明する波形図
である。FIG. 2 is a waveform diagram illustrating an operation of the overcurrent protection circuit of FIG.
【図３】従来のスイッチング電源の過電流保護回路の一
例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional overcurrent protection circuit for a switching power supply.
【図４】図３の過電流保護回路の動作を説明する波形図
である。FIG. 4 is a waveform diagram illustrating the operation of the overcurrent protection circuit of FIG.
１００ スイッチング電源の過電流保護回
路 Ｑ１ 一次側スイッチングトランジスタ Ｑ１２ ＮＰＮトランジスタ Ｑ１３ ＰＮＰトランジスタ ＣＴ 変流器 Ｄｚ ツェナーダイオード ＩＣ スイッチング制御用集積回路100 Overcurrent protection circuit for switching power supply Q1 Primary side switching transistor Q12 NPN transistor Q13 PNP transistor CT Current transformer Dz Zener diode IC Integrated circuit for switching control
Claims (1)
る一次側電流検出手段と、検出した一次側電流が所定の
値より大きくなったときに一次側スイッチング素子を強
制的にオフにして一次側電流を遮断する一次側電流遮断
手段とを具備してなるスイッチング電源の過電流保護回
路であって、前記一次側電流遮断手段としてＰＮＰトラ
ンジスタとＮＰＮトランジスタとを組み合わせたサイリ
スタ回路を用い、そのサイリスタ回路は、前記変流器の
出力電流が所定の値より大きくなったときにクローズ状
態となり、前記一次側スイッチング素子をオンさせるド
ライブ信号をカットして一次側スイッチング素子をオフ
させ、且つ、前記ドライブ信号によりクローズ状態を自
己保持し、前記一次側スイッチング素子をオフさせるド
ライブ信号によりオープン状態に戻ることを特徴とする
スイッチング電源の過電流保護回路。1. A primary-side current detecting means for detecting a primary-side current of a switching power supply, and a primary-side current forcibly turning off a primary-side switching element when the detected primary-side current exceeds a predetermined value. An overcurrent protection circuit for a switching power supply, comprising: a primary side current cutoff means for cutting off the current, wherein a thyristor circuit combining a PNP transistor and an NPN transistor is used as the primary side current cutoff means. When the output current of the current transformer becomes larger than a predetermined value, the current is closed, the drive signal for turning on the primary side switching element is cut off to turn off the primary side switching element, and It keeps the closed state by itself and turns on by the drive signal that turns off the primary side switching element. An overcurrent protection circuit for switching power supplies that returns to a punned state.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3820194A JPH07245874A (en) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | Overcurrent protective circuit of switching power supply |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3820194A JPH07245874A (en) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | Overcurrent protective circuit of switching power supply |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245874A true JPH07245874A (en) | 1995-09-19 |
Family
ID=12518738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3820194A Pending JPH07245874A (en) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | Overcurrent protective circuit of switching power supply |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07245874A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-03-09 JP JP3820194A patent/JPH07245874A/en active Pending
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| CN106207978B (en) * | 2016-08-24 | 2018-07-24 | 北京卫星制造厂 | A kind of efficient isolation circuit |
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