JPH0723533B2 - シリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法 - Google Patents
シリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0723533B2 JPH0723533B2 JP62081760A JP8176087A JPH0723533B2 JP H0723533 B2 JPH0723533 B2 JP H0723533B2 JP 62081760 A JP62081760 A JP 62081760A JP 8176087 A JP8176087 A JP 8176087A JP H0723533 B2 JPH0723533 B2 JP H0723533B2
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- JP
- Japan
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- resin body
- silicon dioxide
- silicon
- coating layer
- silicon oxide
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法に関す
る。
る。
〔従来の技術〕 真空蒸着法やイオンプレーティング法によってシリコン
酸化物の薄膜を形成することは従来公知である。たとえ
ば特開昭49−60369号公報には１×10-5トール〜８×10
-4トールの酸素雰囲気下に一酸化ケイ素を加熱してプラ
スチック上に二酸化ケイ素を真空蒸着する方法が記載さ
れ、VACUUM Vol.14、385〜392(1964)及びJournal of Ap
plied Physics Vol.34、347〜351(1962)には真空蒸着に
より一酸化ケイ素被膜を形成することが記載されてい
る。
酸化物の薄膜を形成することは従来公知である。たとえ
ば特開昭49−60369号公報には１×10-5トール〜８×10
-4トールの酸素雰囲気下に一酸化ケイ素を加熱してプラ
スチック上に二酸化ケイ素を真空蒸着する方法が記載さ
れ、VACUUM Vol.14、385〜392(1964)及びJournal of Ap
plied Physics Vol.34、347〜351(1962)には真空蒸着に
より一酸化ケイ素被膜を形成することが記載されてい
る。
シリコン酸化物薄膜が積層された樹脂体は絶縁体やメガ
ネなどの光学用途に使用されており、薄膜を硬質化する
ために薄膜を厚くすることが要求されている。
ネなどの光学用途に使用されており、薄膜を硬質化する
ために薄膜を厚くすることが要求されている。
しかしながら一酸化ケイ素は酸素や水蒸気等との反応性
が高く、一酸化ケイ素薄膜の応力は経時的に変化し、か
つ膜厚を厚くすれば残留応力が大きくなり、脱膜しやす
くなるので厚膜化することはできない。又、二酸化ケイ
素は一酸化ケイ素に比較して化学的活性が小さく、樹脂
体との密着性が悪いので、膜厚を厚くすれば脱膜しやす
くなる。
が高く、一酸化ケイ素薄膜の応力は経時的に変化し、か
つ膜厚を厚くすれば残留応力が大きくなり、脱膜しやす
くなるので厚膜化することはできない。又、二酸化ケイ
素は一酸化ケイ素に比較して化学的活性が小さく、樹脂
体との密着性が悪いので、膜厚を厚くすれば脱膜しやす
くなる。
本発明の目的は上記欠点に鑑み、３μｍ以上の厚膜のシ
リコン酸化物被膜が強固に密着した樹脂体の製造方法を
提供することにある。
リコン酸化物被膜が強固に密着した樹脂体の製造方法を
提供することにある。
以下、本発明のシリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
第１図は本発明の製造方法で用いられる装置の一例を示
す模式図である。図中１は真空槽であり、排気口２に連
結される排気装置（図示せず）によって高真空に排気さ
れるようになされている。真空槽１内には被蒸発物質
４、41が供給された、加熱及び冷却装置付きの銅ハース
３、31が配設されている。尚、銅ハース３と31は任意に
位置の交換が可能になされている。銅ハース３の上方に
は電極に接続されたイオン化電極５が設置され、蒸発物
質をイオン化できるようになされている。又イオン化電
極５のさらに上方には、ポリエーテルサルフォンからな
る樹脂体７を固定するための基板６が設けられ、基板６
は電極に接続されている。尚、８はガス導入口である。
す模式図である。図中１は真空槽であり、排気口２に連
結される排気装置（図示せず）によって高真空に排気さ
れるようになされている。真空槽１内には被蒸発物質
４、41が供給された、加熱及び冷却装置付きの銅ハース
３、31が配設されている。尚、銅ハース３と31は任意に
位置の交換が可能になされている。銅ハース３の上方に
は電極に接続されたイオン化電極５が設置され、蒸発物
質をイオン化できるようになされている。又イオン化電
極５のさらに上方には、ポリエーテルサルフォンからな
る樹脂体７を固定するための基板６が設けられ、基板６
は電極に接続されている。尚、８はガス導入口である。
本発明においては、真空槽１の減圧度が小さいと一酸化
ケイ素を真空蒸着もしくはイオンプレーティングした際
に、残存酸素によって一酸化ケイ素が二酸化ケイ素に変
化し、コーティング層の二酸化ケイ素の比率が高くなっ
て密着力が低下するので５×10-4トール以下に減圧され
る。尚、この減圧の範囲内であれば槽１内に窒素や水蒸
気を注入してもよい。そして、銅ハース３に被蒸発物質
４として一酸化ケイ素を供給し、銅ハース３を加熱して
一酸化ケイ素を蒸発させ樹脂体７上に厚さ0.05〜３μｍ
のコーティング層を形成する。この際、イオンプレーテ
ィング法によってコーティングするにはイオン化電極に
直流電圧を印加し、アーク放電を発生させて蒸発した一
酸化ケイ素の一部をイオン化すればよく、さらに基板６
にも負の直流電圧を印加してもよい。尚、この印加電圧
は基板６の温度上昇をまねくので、樹脂体７の樹脂の耐
熱性によって適宜決定される。
ケイ素を真空蒸着もしくはイオンプレーティングした際
に、残存酸素によって一酸化ケイ素が二酸化ケイ素に変
化し、コーティング層の二酸化ケイ素の比率が高くなっ
て密着力が低下するので５×10-4トール以下に減圧され
る。尚、この減圧の範囲内であれば槽１内に窒素や水蒸
気を注入してもよい。そして、銅ハース３に被蒸発物質
４として一酸化ケイ素を供給し、銅ハース３を加熱して
一酸化ケイ素を蒸発させ樹脂体７上に厚さ0.05〜３μｍ
のコーティング層を形成する。この際、イオンプレーテ
ィング法によってコーティングするにはイオン化電極に
直流電圧を印加し、アーク放電を発生させて蒸発した一
酸化ケイ素の一部をイオン化すればよく、さらに基板６
にも負の直流電圧を印加してもよい。尚、この印加電圧
は基板６の温度上昇をまねくので、樹脂体７の樹脂の耐
熱性によって適宜決定される。
次に、被蒸発物質41として二酸化ケイ素が供給された銅
ハース31と銅ハース３の位置を交代させ、銅ハース31を
加熱して二酸化ケイ素を蒸発させ、コーティング層上に
二酸化ケイ素層を形成する。コーティング層は一酸化ケ
イ素を主体とするものであるから、酸素に接触すると容
易に酸化されるのでコーティング層を形成後、真空槽１
の減圧状態を維持し、ひき続いて二酸化ケイ素層を形成
するのが好ましい。
ハース31と銅ハース３の位置を交代させ、銅ハース31を
加熱して二酸化ケイ素を蒸発させ、コーティング層上に
二酸化ケイ素層を形成する。コーティング層は一酸化ケ
イ素を主体とするものであるから、酸素に接触すると容
易に酸化されるのでコーティング層を形成後、真空槽１
の減圧状態を維持し、ひき続いて二酸化ケイ素層を形成
するのが好ましい。
上記コーティング層は５×10-4トール以下の減圧状態で
一酸化ケイ素が真空蒸着もしくはイオンプレーティング
法によって形成された層であるから、少量の二酸化ケイ
素を含む一酸化ケイ素よりなる層である。従ってコーテ
ィング層の厚みが薄くなると二酸化ケイ素の比率が高く
なり密着性が低下するので、コーティング層は0.05〜３
μｍに形成される。
一酸化ケイ素が真空蒸着もしくはイオンプレーティング
法によって形成された層であるから、少量の二酸化ケイ
素を含む一酸化ケイ素よりなる層である。従ってコーテ
ィング層の厚みが薄くなると二酸化ケイ素の比率が高く
なり密着性が低下するので、コーティング層は0.05〜３
μｍに形成される。
又、二酸化ケイ素層の厚みは上記コーティング層と二酸
化ケイ素層の合計厚みが３μｍ以上になるように決定さ
れればよいが、コーティング層の厚みより厚くされるの
が好ましく、より好ましくは３〜20μｍである。
化ケイ素層の合計厚みが３μｍ以上になるように決定さ
れればよいが、コーティング層の厚みより厚くされるの
が好ましく、より好ましくは３〜20μｍである。
本発明のシリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法の構成は
上述の通りであり、厚みが３μｍ以上の厚膜のシリコン
酸化物が被覆されたポリエーテルサルフォンからなる樹
脂体を容易に製造することができ、得られたポリエーテ
ルサルフォンからなる樹脂体には表面硬度が高く、耐擦
傷性のすぐれたシリコン酸化物層が強固に密着してお
り、プラスチックレンズ、窓ガラス、その他表面硬化プ
ラスチック製品として好適に使用できる。
上述の通りであり、厚みが３μｍ以上の厚膜のシリコン
酸化物が被覆されたポリエーテルサルフォンからなる樹
脂体を容易に製造することができ、得られたポリエーテ
ルサルフォンからなる樹脂体には表面硬度が高く、耐擦
傷性のすぐれたシリコン酸化物層が強固に密着してお
り、プラスチックレンズ、窓ガラス、その他表面硬化プ
ラスチック製品として好適に使用できる。
次に本発明の実施例を説明する。
実施例１〜４、比較例３、４ 第１図に示した装置において樹脂体７としてポリエーテ
ルサルフォンフイルムを設置し、第１表に示した所定圧
力まで減圧し、イオン化電極５に50V印加し、基板６は
アース状態にして、被蒸発物質４として一酸化ケイ素が
供給された銅ハース３を加熱して、イオンプレーティン
グ法により一酸化ケイ素のコーティング層を形成し、引
続いて、イオン化電極５及び基板６をアース状態にし、
被蒸発物質41として二酸化ケイ素が供給された銅ハース
31を銅ハース３と置換えた後加熱して真空蒸着法によっ
て、コーティング層上に二酸化ケイ素層を積層した。コ
ーティング層及び二酸化ケイ素層の厚みを測定し第１表
に示した。又、表面硬度試験（ヌープ硬度、荷重25gで
測定）及びヒートサイクルテスト（−20℃１時間保持と
100℃１時間保持を100回繰返した後光学顕微鏡で表面状
態を観察）を行い結果を第１表に示した。尚ポリエーテ
ルサルフォンフイルムのヌープ硬度は20Kg/mm2であっ
た。
ルサルフォンフイルムを設置し、第１表に示した所定圧
力まで減圧し、イオン化電極５に50V印加し、基板６は
アース状態にして、被蒸発物質４として一酸化ケイ素が
供給された銅ハース３を加熱して、イオンプレーティン
グ法により一酸化ケイ素のコーティング層を形成し、引
続いて、イオン化電極５及び基板６をアース状態にし、
被蒸発物質41として二酸化ケイ素が供給された銅ハース
31を銅ハース３と置換えた後加熱して真空蒸着法によっ
て、コーティング層上に二酸化ケイ素層を積層した。コ
ーティング層及び二酸化ケイ素層の厚みを測定し第１表
に示した。又、表面硬度試験（ヌープ硬度、荷重25gで
測定）及びヒートサイクルテスト（−20℃１時間保持と
100℃１時間保持を100回繰返した後光学顕微鏡で表面状
態を観察）を行い結果を第１表に示した。尚ポリエーテ
ルサルフォンフイルムのヌープ硬度は20Kg/mm2であっ
た。
実施例５〜８ 真空槽内を１×10-5トールまで減圧した後、第１表に示
したガスを注入して２×10-4トールにした以外は実施例
１で行ったと同様にしてコーテイング層及び二酸化ケイ
素層を積層し、各槽の厚みを第１表に示した。又、表面
硬度試験及びヒートサイクルテストを行い、結果を第１
表に示した。
したガスを注入して２×10-4トールにした以外は実施例
１で行ったと同様にしてコーテイング層及び二酸化ケイ
素層を積層し、各槽の厚みを第１表に示した。又、表面
硬度試験及びヒートサイクルテストを行い、結果を第１
表に示した。
比較例１ 実施例１において、一酸化ケイ素のコーティング層を形
成することなく真空蒸着法によって厚さ13μｍの二酸化
ケイ素層を積層したところ、二酸化ケイ素層は一部膜剥
離していた。
成することなく真空蒸着法によって厚さ13μｍの二酸化
ケイ素層を積層したところ、二酸化ケイ素層は一部膜剥
離していた。
比較例２ 真空槽内を１×10-5トールまで減圧した後窒素ガスを導
入して２×10-4トールにし、実施例１で行ったと同様に
して厚さ６μｍの一酸化ケイ素のコーティング層を形成
したところ、コーティング層は一部膜剥離していた。
入して２×10-4トールにし、実施例１で行ったと同様に
して厚さ６μｍの一酸化ケイ素のコーティング層を形成
したところ、コーティング層は一部膜剥離していた。
第１図は本発明の製造方法で用いられる装置の一例を示
す模式図である。 １……真空槽、２……排気口、3,31……銅ハース、4,41
……被蒸発物質、５……イオン化電極、６……基板、７
……樹脂体
す模式図である。 １……真空槽、２……排気口、3,31……銅ハース、4,41
……被蒸発物質、５……イオン化電極、６……基板、７
……樹脂体
Claims (1)
- 【請求項１】５×10-4トール以下の減圧下に一酸化ケイ
素を加熱蒸発させ、真空蒸着法もしくはイオンプレーテ
ィング法によってポリエーテルサルフォンからなる樹脂
体表面に0.05〜３μｍのコーティング層を形成し、次に
二酸化ケイ素を加熱蒸発させ、真空蒸着法もしくはイオ
ンプレーティング法によって二酸化ケイ素層を形成し
て、前記コーティング層と二酸化ケイ素層の合計の厚み
を３μｍ以上にすることを特徴とするシリコン酸化物被
覆樹脂体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081760A JPH0723533B2 (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | シリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081760A JPH0723533B2 (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | シリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63247349A JPS63247349A (ja) | 1988-10-14 |
| JPH0723533B2 true JPH0723533B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=13755405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62081760A Expired - Lifetime JPH0723533B2 (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | シリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723533B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113699490A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-26 | 琪锐彩光电科技(厦门)有限公司 | 一种高耐磨的镀膜树脂镜片镀膜方法、制备方法及高耐磨的镀膜树脂镜片 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110127A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Teijin Lens Kk | Preparation of plastic antireflection film |
| JPS56147830A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-17 | Asahi Glass Co Ltd | Formation of hard coating film |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP62081760A patent/JPH0723533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63247349A (ja) | 1988-10-14 |
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