JPH07230973A - Semiconductor processing equipment - Google Patents
Semiconductor processing equipmentInfo
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- JPH07230973A JPH07230973A JP2098694A JP2098694A JPH07230973A JP H07230973 A JPH07230973 A JP H07230973A JP 2098694 A JP2098694 A JP 2098694A JP 2098694 A JP2098694 A JP 2098694A JP H07230973 A JPH07230973 A JP H07230973A
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- polishing belt
- belt
- semiconductor wafer
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば被加工物に
対して平坦化加工処理を施す半導体処理装置に関するも
ので、特に半導体ウェーハをポリッシングするＣＭＰ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｎｄ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置などに用いられるものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor processing apparatus for performing a flattening process on a work, for example, a CMP for polishing a semiconductor wafer.
(Chemical and Mechanical
It is used for a polishing device or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体ウェーハのポリッシング
は、たとえば図２に示すようなポリッシング装置を用い
て行われている。従来のポリッシング装置は、平坦なポ
リッシュ砥石面を有するポリッシングターンテーブル
１、このターンテーブル１のポリッシュ砥石面に半導体
ウェーハＨＷを押圧しつつ回転するトップリング２、上
記ターンテーブル１のポリッシュ砥石面に砥粒を供給す
る砥粒供給ノズル３、および上記ターンテーブル１のポ
リッシュ砥石面をドレッシングするドレッシングブラシ
４などからなっている。2. Description of the Related Art Conventionally, polishing of a semiconductor wafer has been performed using a polishing apparatus as shown in FIG. The conventional polishing apparatus includes a polishing turntable 1 having a flat polishing wheel surface, a top ring 2 that rotates while pressing a semiconductor wafer HW against the polishing wheel surface of the turntable 1, and a polishing wheel surface of the turntable 1. It comprises an abrasive grain supply nozzle 3 for supplying grains, a dressing brush 4 for dressing the polished grindstone surface of the turntable 1, and the like.
【０００３】さて、このポリッシング装置による半導体
ウェーハＨＷのポリッシングは、上記ポリッシングター
ンテーブル１が図示矢印方向に回転され、またトップリ
ング２により保持された半導体ウェーハＨＷが図示矢印
方向に回転されながら上記ターンテーブル１のポリッシ
ュ砥石面に押圧されることで、ほぼ均一に行われる。In the polishing of the semiconductor wafer HW by this polishing apparatus, the polishing turntable 1 is rotated in the direction of the arrow shown in the drawing, and the semiconductor wafer HW held by the top ring 2 is rotated in the direction of the arrow shown in the drawing. By being pressed against the surface of the polishing grindstone of the table 1, it is performed almost uniformly.
【０００４】このポリッシング時には、上記砥粒供給ノ
ズル３より上記ポリッシングターンテーブル１の中央部
付近に砥粒が供給される。また、上記ドレッシングブラ
シ４により、上記ポリッシングターンテーブル１のポリ
ッシュ砥石面のドレッシングが行われるようになってい
る。At the time of this polishing, abrasive grains are supplied from the abrasive grain supply nozzle 3 to the vicinity of the central portion of the polishing turntable 1. Further, the dressing brush 4 is adapted to dress the polishing grindstone surface of the polishing turntable 1.
【０００５】しかしながら、上記した従来のポリッシン
グ装置においては、次のような問題点があった。すなわ
ち、ポリッシュ砥石面が回転するターンテーブル方式と
なっているために、ポリッシングターンテーブル１の中
央部と周辺部とでは半導体ウェーハＨＷに対する回転速
度が異なる。However, the above conventional polishing apparatus has the following problems. That is, since the polishing grindstone surface is a turntable type that rotates, the rotation speed of the polishing turntable 1 with respect to the semiconductor wafer HW is different between the central portion and the peripheral portion.
【０００６】また、半導体ウェーハＨＷをチャックする
トップリング２がポリッシングターンテーブル１上で回
転するようになっているために、半導体ウェーハＨＷの
中央部と周辺部とで回転速度が異なる。Further, since the top ring 2 for chucking the semiconductor wafer HW is adapted to rotate on the polishing turntable 1, the rotation speed is different between the central portion and the peripheral portion of the semiconductor wafer HW.
【０００７】さらに、砥粒供給ノズル３からの砥粒がポ
リッシングターンテーブル１上の一点に供給されるよう
になっているため、半導体ウェーハＨＷに対する砥粒の
供給にばらつきがある。Further, since the abrasive grains from the abrasive grain supply nozzle 3 are supplied to one point on the polishing turntable 1, the supply of the abrasive grains to the semiconductor wafer HW varies.
【０００８】このような理由により、従来のポリッシン
グ装置では、ポリッシングの量が不均一となりやすく、
均一にポリッシングするのが難しいという欠点があっ
た。また、この従来のポリッシング装置の場合、ポリッ
シングターンテーブル１上において、ポリッシング加工
処理と砥粒の供給とドレッシング処理とが同時に行われ
るようになっているために削りかすが砥粒中に混沌とし
た状態で残留し、これがいつまでも排除されずに残る。For these reasons, in the conventional polishing apparatus, the amount of polishing tends to be uneven,
It has a drawback that it is difficult to polish it uniformly. Further, in the case of this conventional polishing apparatus, the polishing processing, the supply of abrasive grains and the dressing treatment are simultaneously performed on the polishing turntable 1, so that the shavings are in a chaotic state in the abrasive grains. It remains in, and it remains forever without being eliminated.
【０００９】このため、半導体ウェーハＨＷに対して、
常に新鮮な状態のポリッシュ砥石面や砥粒を提供でき
ず、処理の効率が悪い。さらには、ポリッシングターン
テーブル１そのものが大きいため、装置の大型化が避け
られない。Therefore, for the semiconductor wafer HW,
It is not possible to provide a polished grindstone surface or abrasive grains that are always fresh, resulting in poor processing efficiency. Furthermore, since the polishing turntable 1 itself is large, an increase in the size of the device is inevitable.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、半導体ウェーハを均一にポリッシングする
のが難しい、効率的な処理が行えない、装置が大型化し
やすいなどの欠点があった。As described above, the conventional techniques have drawbacks such that it is difficult to uniformly polish a semiconductor wafer, efficient processing cannot be performed, and the apparatus tends to be large in size.
【００１１】そこで、この発明は、被加工物をクリーン
な環境の下で均一に研磨することができ、被加工物に対
する平坦化加工処理の効率の向上と、装置の小型化とを
図ることが可能な半導体処理装置を提供することを目的
としている。Therefore, according to the present invention, it is possible to uniformly grind a work piece in a clean environment, improve the efficiency of the flattening process on the work piece, and reduce the size of the apparatus. An object is to provide a possible semiconductor processing device.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体処理装置にあっては、被加工物
に対して平坦化加工処理を施すものにおいて、一方向に
摺動するエンドレス状の研磨ベルトと、この研磨ベルト
の上部に設けられ、前記研磨ベルトの研磨面に前記被加
工物を押圧しつつ、前記研磨ベルトの摺動方向と直交す
る方向に往復運動する研磨手段と、この研磨手段よりも
上流側に設けられ、前記研磨ベルトの摺動方向と直交す
る方向に研磨剤を供給する供給手段と、前記研磨ベルト
の下部に設けられ、前記研磨ベルトの研磨面を洗浄する
洗浄手段とから構成されている。In order to achieve the above-mentioned object, in the semiconductor processing apparatus of the present invention, when a flattening process is performed on a workpiece, it slides in one direction. An endless polishing belt, and a polishing means provided on the polishing belt, which reciprocates in a direction orthogonal to the sliding direction of the polishing belt while pressing the workpiece against the polishing surface of the polishing belt. A supply means provided upstream of the polishing means for supplying an abrasive in a direction perpendicular to the sliding direction of the polishing belt, and a cleaning means provided at the lower part of the polishing belt for cleaning the polishing surface of the polishing belt. And cleaning means for cleaning.
【００１３】[0013]
【作用】この発明は、上記した手段により、非常に簡素
な構成でありながら、被加工物に対して常に新鮮な状態
の研磨面と研磨剤とを用いての平坦化加工処理を実施で
きるようになるため、被加工物の全面における研磨の量
を略均一とすることが可能となるものである。According to the present invention, the above-mentioned means makes it possible to carry out the flattening process using the polishing surface and the polishing agent which are always in a fresh state with respect to the workpiece, though the structure is very simple. Therefore, the amount of polishing on the entire surface of the workpiece can be made substantially uniform.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は、本発明にかかるポリッシング
装置の概略構成を示すものである。なお、同図（ａ）は
ポリッシング装置の側面図であり、同図（ｂ）は同じく
斜視図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a polishing apparatus according to the present invention. It should be noted that FIG. 1A is a side view of the polishing apparatus, and FIG. 1B is a perspective view of the same.
【００１５】すなわち、このポリッシング装置は、一方
向に摺動するエンドレス状のポリッシングベルト（研磨
ベルト）１１、このポリッシングベルト１１の摺動方向
と直交する方向に往復運動するトップリング（研磨手
段）１２、上記ポリッシングベルト１１の上流側に設け
られた砥粒供給ノズル（供給手段）１３、上記ポリッシ
ングベルト１１の下部に設けられたドレッシングブラシ
（洗浄ブラシ）１４および水洗ノズル（洗浄ノズル）１
５などから構成されている。That is, in this polishing apparatus, an endless polishing belt (polishing belt) 11 that slides in one direction, and a top ring (polishing means) 12 that reciprocates in a direction orthogonal to the sliding direction of the polishing belt 11. An abrasive grain supply nozzle (supply means) 13 provided on the upstream side of the polishing belt 11, a dressing brush (cleaning brush) 14 and a water washing nozzle (cleaning nozzle) 1 provided on the lower portion of the polishing belt 11.
It is composed of 5, etc.
【００１６】ポリッシングベルト１１は、たとえば離間
して設けられた回転ドラム２１，２２の相互にポリッシ
ングクロスがかけわたされてなり、一方の回転ドラム２
１がタイミングベルト２３を介してモータ２４によって
駆動されることにより、一方向（図示矢印Ａ方向）に摺
動されるようになっている。The polishing belt 11 is composed of, for example, rotating drums 21 and 22 provided separately from each other, and a polishing cloth is stretched over the rotating drums 21 and 22.
1 is driven by the motor 24 via the timing belt 23, so that it is slid in one direction (the direction of arrow A in the figure).
【００１７】トップリング１２は、たとえば上記ポリッ
シングベルト１１の上部側に設けられ、被加工物として
の半導体ウェーハＨＷを上記ポリッシングベルト１１の
ポリッシュ砥石面（研磨面）に押圧しつつ、図示してい
ない駆動手段により上記ポリッシングベルト１１の摺動
方向（図示矢印Ａ方向）と直交する方向（図示矢印Ｂ方
向）に往復運動されるようになっている。The top ring 12 is provided, for example, on the upper side of the polishing belt 11 and presses the semiconductor wafer HW as a workpiece against the polishing grindstone surface (polishing surface) of the polishing belt 11 while not shown. By the driving means, the polishing belt 11 is reciprocated in the direction (arrow B direction in the drawing) orthogonal to the sliding direction (arrow A direction in the drawing).
【００１８】砥粒供給ノズル１３は、上記ポリッシング
ベルト１１のポリッシュ砥石面に研磨剤としての砥粒を
供給するもので、たとえば上記トップリング１２よりも
上流側の位置に、上記ポリッシングベルト１１の全幅に
わたって設けられている。The abrasive grain supply nozzle 13 supplies abrasive grains as an abrasive to the polishing grindstone surface of the polishing belt 11, and, for example, at a position upstream of the top ring 12, the entire width of the polishing belt 11. It is provided over.
【００１９】上記砥粒供給ノズル１３からの砥粒は、上
記ポリッシングベルト１１上に直線状に供給され、半導
体ウェーハＨＷに対する砥粒の供給が均一に行われるよ
うになっている。The abrasive grains from the abrasive grain supply nozzle 13 are linearly supplied onto the polishing belt 11 so that the abrasive grains are uniformly supplied to the semiconductor wafer HW.
【００２０】なお、砥粒としては、たとえばＣＭＰ装置
の場合には、エッチング液中に金属粉を混合したものが
用いられる。ドレッシングブラシ１４は、上記ポリッシ
ングベルト１１のポリッシュ砥石面をドレッシングする
ためのものであり、たとえば上記ポリッシングベルト１
１の下部側に設けられ、図示していない駆動手段により
上記ポリッシングベルト１１の摺動方向（図示矢印Ａ方
向）と直交する方向（図示矢印Ｃ方向）に往復運動され
るようになっている。As the abrasive grains, in the case of a CMP apparatus, for example, a mixture of metal powder in an etching solution is used. The dressing brush 14 is for dressing the polishing grindstone surface of the polishing belt 11, for example, the polishing belt 1 described above.
It is provided on the lower side of the No. 1 and reciprocates in a direction (direction of arrow C in the drawing) orthogonal to the sliding direction of the polishing belt 11 (direction of the arrow A in the drawing) by a driving means (not shown).
【００２１】水洗ノズル１５は、たとえば水（洗浄液）
を供給することによって上記ポリッシングベルト１１の
ポリッシュ砥石面に残る削りかすと残留砥粒とを洗い流
すものであり、上記ポリッシングベルト１１の下部側
の、上記ドレッシングブラシ１４よりもさらに下流側に
設けられている。The water washing nozzle 15 is, for example, water (washing liquid).
Is supplied to wash away residual shavings remaining on the polishing grindstone surface of the polishing belt 11 and is provided on the lower side of the polishing belt 11 further downstream of the dressing brush 14. There is.
【００２２】この場合、上記ドレッシングブラシ１４と
上記水洗ノズル１５とにより、洗浄手段が構成されてい
る。そして、上記ポリッシングベルト１１の、上記トッ
プリング１２に対向する非ポリッシュ砥石面（非研磨
面）には、加工処理する半導体ウェーハＨＷよりも大き
な面積を有する平板３１が配置されて、上記ポリッシン
グベルト１１の平坦性が確保されるようになっている。In this case, the dressing brush 14 and the water washing nozzle 15 constitute a washing means. A flat plate 31 having an area larger than that of the semiconductor wafer HW to be processed is disposed on the non-polishing grindstone surface (non-polishing surface) of the polishing belt 11 facing the top ring 12, and the polishing belt 11 The flatness is ensured.
【００２３】次に、上記した構成のポリッシング装置に
よる平坦化加工処理にかかる動作について説明する。ま
ず、モータ２４によって回転ドラム２１が駆動されるこ
とにより、回転ドラム２１，２２の相互にかけわたされ
たポリッシングベルト１１が、図示矢印Ａ方向に摺動さ
れる。Next, the operation related to the flattening processing by the polishing apparatus having the above structure will be described. First, the rotating drum 21 is driven by the motor 24, so that the polishing belt 11, which is wound around the rotating drums 21 and 22, is slid in the direction of arrow A in the figure.
【００２４】そして、この摺動されるポリッシングベル
ト１１のポリッシュ砥石面に対して、砥粒供給ノズル１
３からの砥粒が一様に供給される。この状態において、
半導体ウェーハＨＷを上記ポリッシングベルト１１のポ
リッシュ砥石面に押圧しつつ、トップリング１２が図示
矢印Ｂ方向に往復運動されることにより、半導体ウェー
ハＨＷは縦および横方向にポリッシングされる。Then, with respect to the polished grindstone surface of the sliding polishing belt 11, the abrasive grain supply nozzle 1
Abrasive grains from No. 3 are uniformly supplied. In this state,
While pressing the semiconductor wafer HW against the polishing grindstone surface of the polishing belt 11, the top ring 12 is reciprocated in the direction of arrow B in the drawing, whereby the semiconductor wafer HW is polished in the vertical and horizontal directions.
【００２５】すなわち、半導体ウェーハＨＷは、たとえ
ばポリッシングベルト１１の一方向への摺動によって縦
方向に削られ、このポリッシングベルト１１の摺動方向
と直交する方向へのトップリング１２の往復運動によっ
て横方向に削られることにより、全面にわたって均一に
ポリッシングされる。That is, the semiconductor wafer HW is vertically scraped by, for example, sliding in one direction of the polishing belt 11, and laterally moved by the reciprocating motion of the top ring 12 in a direction orthogonal to the sliding direction of the polishing belt 11. By polishing in the same direction, the entire surface is uniformly polished.
【００２６】一方、加工点（トップリング１２の下）を
通過したポリッシングベルト１１は、その下部側におい
て、ポリッシュ砥石面がドレッシングブラシ１４によっ
てブラッシングされた後、さらに水洗ノズル１５からの
水によって洗浄される。On the other hand, the polishing belt 11 which has passed through the processing point (below the top ring 12) has its lower surface brushed with the dressing brush 14 on the surface of the polishing grindstone, and then washed with water from the water washing nozzle 15. It
【００２７】この結果、ポリッシュ砥石面における削り
かすやポリッシュ砥石面に残留する砥粒が簡単に除去さ
れて、ポリッシュ砥石面がドレシングされる。そして、
このドレシングされた新鮮なポリッシュ砥石面が、繰り
返し、砥粒供給ノズル１３の下に送られ、半導体ウェー
ハＨＷに対しては、常に新鮮なポリッシュ砥石面と砥粒
とが提供されることになる。As a result, the shavings on the surface of the grindstone and the abrasive grains remaining on the surface of the grindstone are easily removed, and the surface of the grindstone is dressed. And
The dressed fresh polished grindstone surface is repeatedly sent to below the abrasive grain supply nozzle 13 so that the semiconductor wafer HW is always provided with the fresh polished grindstone surface and the abrasive grains.
【００２８】上記したように、非常にコンパクトな構成
でありながら、半導体ウェーハに対して常に新鮮な状態
のポリッシュ砥石面と砥粒とを用いてのポリッシング処
理を実施できるようにしている。As described above, the semiconductor wafer has a very compact structure, and the semiconductor wafer can always be subjected to the polishing treatment using the polishing grindstone surface and the abrasive grains in a fresh state.
【００２９】すなわち、一方向に摺動するエンドレス状
のポリッシングベルトに対し、トップリングをその摺動
方向と直交する方向に往復運動させることで、半導体ウ
ェーハをポリッシングするようにしている。これによ
り、半導体ウェーハを縦および横の二方向に削ることが
できるため、半導体ウェーハの全面におけるポリッシン
グの量を略均一とすることが可能となる。That is, the semiconductor wafer is polished by reciprocating the top ring in a direction orthogonal to the sliding direction with respect to an endless polishing belt that slides in one direction. As a result, the semiconductor wafer can be cut in two directions, vertical and horizontal, so that the amount of polishing on the entire surface of the semiconductor wafer can be made substantially uniform.
【００３０】また、ポリッシングベルトの上部上流側
に、ポリッシングベルトの全幅にわたって砥粒を供給す
る砥粒供給ノズルを配置するようにしているため、半導
体ウェーハに対して供給される砥粒のばらつきをなくす
ことができる。Further, since the abrasive grain supply nozzle for supplying the abrasive grains over the entire width of the polishing belt is arranged on the upper upstream side of the polishing belt, the variation of the abrasive grains supplied to the semiconductor wafer is eliminated. be able to.
【００３１】しかも、ポリッシングベルトの下部側に
は、ドレッシングブラシと水洗ノズルとを配置するよう
にしているため、ポリッシュ砥石面上の削りかすや残留
砥粒を簡単に排除でき、常にクリーンなポリッシュ環境
を提供できるようになる。In addition, since the dressing brush and the water washing nozzle are arranged on the lower side of the polishing belt, it is possible to easily remove the shavings and the residual abrasive grains on the surface of the polishing grindstone, so that the polishing environment is always clean. Will be able to provide.
【００３２】したがって、ターンテーブル方式の従来装
置に比べ、小型化でき、省スペース化が図れるととも
に、半導体ウェーハをクリーンな環境の下で均一にポリ
ッシングすることができ、半導体ウェーハに対する平坦
化加工処理の効率を向上できるようになるものである。Therefore, as compared with the conventional turntable type apparatus, the size can be reduced, the space can be saved, and the semiconductor wafer can be uniformly polished in a clean environment. The efficiency can be improved.
【００３３】なお、上記実施例においては、単一のトッ
プリングを設けてなる場合を例に説明したが、これに限
らず、たとえば多数のトップリングをポリッシングベル
トの摺動方向と直交する方向に併設することで多連化も
容易に可能である。In the above embodiment, the case where a single top ring is provided has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and for example, a number of top rings are provided in a direction orthogonal to the sliding direction of the polishing belt. Multiple units can be easily installed by installing them together.
【００３４】また、半導体ウェーハに限らず、他の結晶
材料をポリッシングする場合などにも適用できる。その
他、この発明の要旨を変えない範囲において、種々変形
実施可能なことは勿論である。Further, the present invention is not limited to semiconductor wafers, and can be applied to the case of polishing other crystal materials. Of course, various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、被加工物をクリーンな環境の下で均一に研磨するこ
とができ、被加工物に対する平坦化加工処理の効率の向
上と、装置の小型化とを図ることが可能な半導体処理装
置を提供できる。As described above in detail, according to the present invention, the work piece can be uniformly polished in a clean environment, and the efficiency of the flattening process for the work piece can be improved. It is possible to provide a semiconductor processing device that can be downsized.
【図１】この発明の一実施例にかかるポリッシング装置
を概略的に示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来技術とその問題点を説明するために示すポ
リッシング装置の構成図。FIG. 2 is a configuration diagram of a polishing device shown for explaining a conventional technique and its problems.
１１…ポリッシングベルト、１２…トップリング、１３
…砥粒供給ノズル、１４…ドレッシングブラシ、１５…
水洗ノズル、ＨＷ…半導体ウェーハ。11 ... Polishing belt, 12 ... Top ring, 13
... Abrasive supply nozzle, 14 ... Dressing brush, 15 ...
Water washing nozzle, HW ... Semiconductor wafer.
Claims (3)
半導体処理装置において、 一方向に摺動するエンドレス状の研磨ベルトと、 この研磨ベルトの上部に設けられ、前記研磨ベルトの研
磨面に前記被加工物を押圧しつつ、前記研磨ベルトの摺
動方向と直交する方向に往復運動する研磨手段と、 この研磨手段よりも上流側に設けられ、前記研磨ベルト
の摺動方向と直交する方向に研磨剤を供給する供給手段
と、 前記研磨ベルトの下部に設けられ、前記研磨ベルトの研
磨面を洗浄する洗浄手段とを具備したことを特徴とする
半導体処理装置。1. A semiconductor processing apparatus for performing a flattening process on a workpiece, an endless polishing belt that slides in one direction, and a polishing surface of the polishing belt, which is provided on the polishing belt. A polishing means that reciprocates in a direction orthogonal to the sliding direction of the polishing belt while pressing the work piece; and a polishing means provided upstream of the polishing means and orthogonal to the sliding direction of the polishing belt. A semiconductor processing apparatus comprising: a supply unit that supplies a polishing agent in a predetermined direction; and a cleaning unit that is provided below the polishing belt and that cleans a polishing surface of the polishing belt.
方向と直交する方向に往復運動する洗浄ブラシと、この
洗浄ブラシの下流側に設けられ、前記研磨ベルトの摺動
方向と直交する方向に洗浄液を供給する洗浄ノズルとか
らなることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理装
置。2. The cleaning means includes a cleaning brush that reciprocates in a direction orthogonal to the sliding direction of the polishing belt, and a cleaning brush provided downstream of the cleaning brush and orthogonal to the sliding direction of the polishing belt. The semiconductor processing apparatus according to claim 1, comprising a cleaning nozzle that supplies a cleaning liquid to the substrate.
する非研磨面には、前記研磨ベルトの平坦性を確保する
ための、前記被加工物よりも大きな面積を有する平板が
配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導
体処理装置。3. A flat plate having an area larger than that of the workpiece for ensuring flatness of the polishing belt is arranged on a non-polishing surface of the polishing belt facing the polishing means. The semiconductor processing apparatus according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2098694A JPH07230973A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Semiconductor processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2098694A JPH07230973A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Semiconductor processing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230973A true JPH07230973A (en) | 1995-08-29 |
Family
ID=12042474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2098694A Pending JPH07230973A (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Semiconductor processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07230973A (en) |
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