JPH07230628A - Multibeam optical pickup device - Google Patents
Multibeam optical pickup deviceInfo
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- JPH07230628A JPH07230628A JP6019700A JP1970094A JPH07230628A JP H07230628 A JPH07230628 A JP H07230628A JP 6019700 A JP6019700 A JP 6019700A JP 1970094 A JP1970094 A JP 1970094A JP H07230628 A JPH07230628 A JP H07230628A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、複数の光束のパワー
をそれぞれ独立に制御することが可能がマルチビーム光
ピックアップ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-beam optical pickup device capable of independently controlling the powers of a plurality of light beams.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来技術としては、例えば、特開昭６２
−１４０２５３号公報に示されるものがある。2. Description of the Related Art As a conventional technique, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-62
There is one disclosed in Japanese Patent Publication No. 140253.
【０００３】すなわち、レーザ光によって記録媒体に情
報の記録又は再生を行なう光学的情報処理装置におい
て、情報の記録又は再生のためのレーザ光を放射する半
導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子からのレーザ光
出力によって情報の記録又は再生が行なわれる記録媒体
と、該記録媒体の情報を光信号として読み取る情報読取
手段と、上記半導体レーザ素子と記録媒体との間に配設
され、上記半導体レーザ素子から放射されるレーザ光の
うち一部を反射し、残りを透過するとともに上記記録媒
体からの光信号を上記情報読取手段へ反射させるビーム
スプリッターと、上記ビームスプッターで反射された半
導体レーザ素子からのレーザ光を受光し、レーザ光出力
の変動分を検出する検出手段と、この変動分に基づいて
上記半導体レーザ素子から放射するレーザ光出力を制御
する制御手段とを備えた光学的情報処理装置が記載され
ている。That is, in an optical information processing apparatus for recording or reproducing information on a recording medium with a laser beam, a semiconductor laser element for emitting a laser beam for recording or reproducing information, and a laser from the semiconductor laser element. A recording medium in which information is recorded or reproduced by optical output, information reading means for reading information on the recording medium as an optical signal, and the semiconductor laser device and the recording medium are arranged between the semiconductor laser device and the recording medium. A beam splitter that reflects a part of the emitted laser light, transmits the rest, and reflects an optical signal from the recording medium to the information reading means, and a semiconductor laser element reflected by the beam sputter. A detector that receives the laser light and detects a variation in the laser light output, and the semiconductor laser element based on the variation. It is described optical information processing and control means for controlling the laser light output radiated from.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の装
置は、１つの半導体レーザからの１本の光束を対物レン
ズによって光ディスク上に集光し、１つのスポットによ
って消去、記録、再生を行なうものなので、例えば光デ
ィスク上に情報を記録する場合、消去、記録、ベリファ
イを順次行なうため、光ディスクを３回転させなくては
ならず、再生のみのデータ転送速度に対して記録時のデ
ータ転送速度は約３倍になってしまうという問題点があ
る。However, the above-mentioned conventional apparatus is one in which one light beam from one semiconductor laser is focused on the optical disk by the objective lens and erased, recorded, and reproduced by one spot. Therefore, for example, when recording information on an optical disc, erasing, recording, and verifying are sequentially performed, so the optical disc must be rotated three times, and the data transfer rate at the time of recording is approximately the same as the data transfer rate for reproduction. There is a problem that it will be tripled.
【０００５】そこで、例えば特公昭５７−６０６９７号
公報に示すように、光ディスク上に形成するスポットを
複数にし、スポットごとに機能を割り振り、記録、再生
を同時に行なうことが考えられる。この場合、これら複
数のレーザ光束をいかに分離、検出し、その出力を制御
するかの課題が解決されなければならない。Therefore, for example, as shown in Japanese Patent Publication No. 57-60697, it is conceivable that a plurality of spots are formed on an optical disk, a function is assigned to each spot, and recording and reproducing are performed simultaneously. In this case, it is necessary to solve the problem of how to separate and detect the plurality of laser light fluxes and control the output thereof.
【０００６】本発明は、上記課題をその課題とし、複数
のレーザ光の光出力を別個に検出し、制御するマルチビ
ーム光ピックアップ装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a multi-beam optical pickup device which detects and controls the optical outputs of a plurality of laser beams separately.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するためになされたもので、複数の発光点を有する
半導体レーザ、又は複数の半導体レーザからなる光源よ
り発せられた複数の光束をコリメートレンズで平行光と
し、ビームスプリッターを介して対物レンズにより光デ
ィスク上に複数のスポットを形成することにより光ディ
スクに情報を記録または再生するためのマルチビーム光
ピックアップ装置において、前記ビームスプリッターで
分離された前記複数の光束を各光束ごとに分離する臨界
角プリズムと、この臨界角プリズムにより分離された各
光束を検出するための複数の検出手段と、これら検出手
段により検出された結果に基づいて前記光源のパワーを
制御する制御手段とを具備することを特徴とするマルチ
ビーム光ピックアップ装置である。前記臨界角プリズム
に入射する光束はＰ偏光であること、前記複数の光束の
うち、再生用の光束のパワーを臨界角プリズムの透過光
で制御すること、及び複数の臨界角プリズムを有し、一
方の臨界角プリズムの透過光側に他の臨界角プリズムが
配置されていることを特徴とするマルチビーム光ピック
アップ装置である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to achieve the above-mentioned object, and provides a semiconductor laser having a plurality of light emitting points or a plurality of light fluxes emitted from a light source composed of a plurality of semiconductor lasers. In a multi-beam optical pickup device for recording or reproducing information on an optical disc by forming a plurality of spots on the optical disc by an objective lens via a beam splitter by making parallel light with a collimator lens, the beams are separated by the beam splitter. A critical angle prism that separates the plurality of luminous fluxes into each luminous flux, a plurality of detecting means for detecting each luminous flux separated by the critical angle prism, and the light source based on the results detected by these detecting means And a control means for controlling the power of the multi-beam optical pick-up. It is a flop arrangement. The light beam incident on the critical angle prism is P-polarized light, the power of the reproduction light beam among the plurality of light beams is controlled by the transmitted light of the critical angle prism, and the light beam has a plurality of critical angle prisms. The multi-beam optical pickup device is characterized in that another critical angle prism is arranged on the transmitted light side of one critical angle prism.
【０００８】[0008]
【作用】本発明によれば、光源から発せられた複数の光
束は、ビームスプリッターにより分離され、この分離さ
れた複数の光束は臨界角プリズムによりそれぞれの光束
に分けられ、各検出手段に入射する。そして、各検出手
段より得られた結果に基づいて各光束のパワーは制御さ
れ、各光束はそれぞれ適切なパワーに制御される。According to the present invention, a plurality of light beams emitted from the light source are separated by the beam splitter, and the plurality of separated light beams are divided into respective light beams by the critical angle prism and are incident on the respective detecting means. . Then, the power of each light flux is controlled based on the result obtained from each detection means, and each light flux is controlled to an appropriate power.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て具体的に説明する。図１は本発明の第１の実施例を示
す説明図で、図中１は半導体レーザで、この半導体レー
ザ１は２つの発光点を有し、２つの光束が発光可能なも
のである。かかる半導体レーザ１と光ティスク５との間
の出射光路上には、この半導体レーザ１からの２つの光
束を平行光にするためのコリメートレンズ２と、この平
行光を透過及び図中右方へ反射し、一方光ディスク５か
らの反射光を図中左方へ反射するビームスプリッター
３、及び前記平行光を集光して光ディスク５上に微小な
スポットを形成する対物レンズ４が順次配置されてい
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing a first embodiment of the present invention, in which 1 is a semiconductor laser, and this semiconductor laser 1 has two light emitting points and is capable of emitting two light beams. On the emission optical path between the semiconductor laser 1 and the optical disc 5, a collimator lens 2 for making two light beams from the semiconductor laser 1 into parallel light, and transmitting the parallel light and to the right in the figure. A beam splitter 3 which reflects the reflected light from the optical disk 5 to the left in the figure and an objective lens 4 which collects the parallel light and forms a minute spot on the optical disk 5 are sequentially arranged. .
【００１０】また、前記ビームスプリッター３は、前記
半導体レーザ１より発せられた光束を図中右方へ反射
し、ビームスプリッター３により反射された光束の光路
上には複数の光束をそれぞれの光束に分ける臨界角プリ
ズム６と、この臨界角プリズム６によって分けられた各
光束を受光するための第１の受光素子７，第２の受光素
子８が配置されている。そして、この第１の受光素子７
で得られた信号を入力し、前記光束の一方のパワーを制
御する第１の半導体レーザ駆動回路９、及び前記第２の
受光素子８で得られた信号を入力し、前記光束の他方の
パワーを制御する第２の半導体レーザ駆動回路１０が、
前記半導体レーザ１に接続されている。The beam splitter 3 reflects the light beams emitted from the semiconductor laser 1 to the right in the figure, and a plurality of light beams are formed on the optical path of the light beams reflected by the beam splitter 3. A critical angle prism 6 for dividing, and a first light receiving element 7 and a second light receiving element 8 for receiving each light flux divided by the critical angle prism 6 are arranged. Then, the first light receiving element 7
The semiconductor laser drive circuit 9 for controlling the power of one of the light fluxes and the signal obtained by the second light receiving element 8 are input and the power of the other of the light fluxes is input. The second semiconductor laser drive circuit 10 for controlling
It is connected to the semiconductor laser 1.
【００１１】次に、本装置による動作について説明す
る。本装置においては、半導体レーザ１の２つの発光点
から発せられた２つの光束はコリメートレンズ２で平行
光となり、ビームスプリッター３を透過し、対物レンズ
４により集光されて光ディスク５上に２つの微小なスポ
ットが形成される。光ディスク５で反射した光は再び対
物レンズ４を通り、ビームスプリッター３によって図中
左方に反射し、検出光学系（図示せず）に導かれ、光デ
ィスク５上に記録された情報信号や、光ディスク５上の
スポット位置を制御する信号いわゆるフォーカスエラー
信号やトラックエラー信号等を検出する。Next, the operation of this apparatus will be described. In this device, the two light beams emitted from the two light emitting points of the semiconductor laser 1 are collimated by the collimator lens 2 to be parallel light, transmitted through the beam splitter 3, and condensed by the objective lens 4 to form two light beams on the optical disc 5. A minute spot is formed. The light reflected by the optical disk 5 passes through the objective lens 4 again, is reflected by the beam splitter 3 to the left in the figure, is guided to the detection optical system (not shown), and is an information signal recorded on the optical disk 5 or the optical disk. A signal for controlling the spot position on the so-called 5, so-called focus error signal, track error signal, or the like is detected.
【００１２】一方、前記半導体レーザ１から発せられた
光束は、コリメートレンズ２で平行光になった後、その
一部はビームスプリッター３によって図中右方へ向けら
れ、臨界角プリズム６に導かれる。この臨界角プリズム
６に入射した光束のうち、一方の光束は反射して第１の
受光素子７に入射して電気信号に変換され、この信号に
基づいて第１の半導体駆動回路９は半導体レーザ１から
発せられた前記一方の光束のパワーを制御する。また、
臨界角プリズム６に入射した他方の光束は透過して第２
の受光素子８に入射され、同様に電気信号に変換され、
この信号に基づいて第２の半導体駆動回路１０は前記半
導体レーザ１から発せられた前記他方の光束のパワーを
制御することになる。On the other hand, the light beam emitted from the semiconductor laser 1 is collimated by the collimator lens 2 and then part of the light beam is directed to the right in the figure by the beam splitter 3 and guided to the critical angle prism 6. . Of the light fluxes that have entered the critical angle prism 6, one light flux is reflected and enters the first light receiving element 7 and is converted into an electrical signal. Based on this signal, the first semiconductor drive circuit 9 causes the semiconductor laser It controls the power of the one light beam emitted from the light source 1. Also,
The other light flux that has entered the critical angle prism 6 is transmitted and
Is incident on the light receiving element 8 of and is similarly converted into an electric signal,
Based on this signal, the second semiconductor drive circuit 10 controls the power of the other light flux emitted from the semiconductor laser 1.
【００１３】ここで、前記臨界角プリズム６について説
明する。本発明は、マルチビーム光ピックアップの各々
のレーザ光束間の角度ずれを利用して複数のレーザ光の
光出力を分離しようとするもので、例えば、半導体レー
ザ１の各発光点間の間隔をＬ、コリメートレンズ２の焦
点距離をｆとすると各々のレーザ光束間の角度ずれθ
は、ｔａｎ（θ）＝Ｌ／ｆから求められる。例えば、Ｌ
＝０．２ｍｍ、ｆ＝１１ｍｍのとき、θは約１°とな
る。角度ずれのある光束を分離する手段としては、干渉
フィルター、導波路へのカップリング、臨界角プリズム
等が考えられるが、半導体レーザ１の波長変動の影響、
コスト等を考慮すると臨界角プリズムが最も好ましい。Now, the critical angle prism 6 will be described. The present invention intends to separate the optical output of a plurality of laser beams by utilizing the angular deviation between the laser beams of each of the multi-beam optical pickups. For example, the interval between the light emitting points of the semiconductor laser 1 is L , And the focal length of the collimator lens 2 is f, the angular deviation θ between the respective laser beams
Is calculated from tan (θ) = L / f. For example, L
= 0.2 mm and f = 11 mm, θ becomes about 1 °. An interference filter, a coupling to a waveguide, a critical angle prism, or the like can be considered as a means for separating a light beam having an angular deviation, but the influence of the wavelength fluctuation of the semiconductor laser 1
The critical angle prism is most preferable in consideration of cost and the like.
【００１４】この臨界角プリズムを図３に基づいて説明
する。図３は臨界角プリズム６の屈折率ｎ１＝１．５、
空気中の屈折率ｎ２＝１とした時の臨界角プリズム６の
出射面６１に入射する角度α１に対するＰ偏光透過率Ｔ
ｐ、Ｐ偏光反射率Ｒｐ、Ｓ偏光透過率Ｔｓ、Ｓ偏光反射
率Ｒｓを表したものである。αｃは一般に臨界角と呼ば
れるものであり、αｃを超えるとＲｐ、Ｒｓは１（１０
０％）、Ｔｐ、Ｔｓは０（０％）である。なお、図３に
おいてαｃ＝４１．８°である。This critical angle prism will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows the refractive index n1 = 1.5 of the critical angle prism 6,
When the refractive index in air is n2 = 1, the P-polarized light transmittance T with respect to the angle α1 which is incident on the exit surface 61 of the critical angle prism 6.
It shows p, P polarized light reflectance Rp, S polarized light transmittance Ts, and S polarized light reflectance Rs. αc is generally called a critical angle, and when αc is exceeded, Rp and Rs are 1 (10
0%), Tp, and Ts are 0 (0%). In FIG. 3, αc = 41.8 °.
【００１５】臨界角プリズム６の出射面６１に入射する
光束の一方を４２°とすると、Ｒｐ＝１、Ｒｓ＝１なの
ですべて第１の受光素子７の方向に反射される。出射面
６１に入射する光束の一方を４１°とすると、Ｔｐ≒
０．７５、Ｒｐ≒０．２５、Ｔｓ≒０．４５、Ｒｓ≒
０．５５となり、出射面６１に入射する光束がＰ偏光の
場合、約７５％が第２の受光素子８の方向に透過し、約
２５％が第１の受光素子７の方向に反射される。If one of the light beams incident on the exit surface 61 of the critical angle prism 6 is 42 °, Rp = 1 and Rs = 1, so that all the light beams are reflected toward the first light receiving element 7. If one of the light beams incident on the exit surface 61 is 41 °, Tp≈
0.75, Rp≈0.25, Ts≈0.45, Rs≈
When the luminous flux entering the exit surface 61 is P-polarized, about 75% is transmitted in the direction of the second light receiving element 8 and about 25% is reflected in the direction of the first light receiving element 7. .
【００１６】また、出射面６１に入射する光束がＳ偏光
の場合、約４５％が第２の受光素子８の方向に透過し、
約５５％が第１の受光素子７の方向に反射される。従っ
て、臨界角プリズム６によって２つの光束を分離する場
合、Ｐ偏光で入射する方がよい。When the light beam incident on the exit surface 61 is S-polarized, about 45% is transmitted in the direction of the second light receiving element 8,
About 55% is reflected in the direction of the first light receiving element 7. Therefore, when the two light beams are separated by the critical angle prism 6, it is better to enter the P-polarized light.
【００１７】以上のように、出射面６１に入射する光束
をＰ偏光とし、各々の入射角を４２度、４１度とする
と、第１の受光素子７に入射する光束は、４２度で入射
した光束の１００％と４１度で入射した光束の約２５％
であり、第２の受光素子８には４１度で入射した光束の
約７５％が入射する。As described above, assuming that the light beam incident on the exit surface 61 is P-polarized light and the respective incident angles are 42 ° and 41 °, the light beam incident on the first light receiving element 7 is incident at 42 °. 100% of the luminous flux and about 25% of the luminous flux incident at 41 degrees
Therefore, about 75% of the luminous flux incident at 41 degrees is incident on the second light receiving element 8.
【００１８】また、半導体レーザ１から出射する２つの
光束を一方を記録用、他方を再生用に用いた場合、再生
用の光束を制御するために用いる受光素子は、第２の受
光素子８、すなわち臨界角プリズム６を透過した光束で
制御することが望ましい。この理由は、再生用の光束は
変調されず、常に一定の強度で発光しているため、多少
記録用の光束を制御するために用いる受光素子にもれて
も影響が出ないためである。When one of the two light beams emitted from the semiconductor laser 1 is used for recording and the other is for reproduction, the light receiving element used for controlling the reproduction light beam is the second light receiving element 8, That is, it is desirable to control by the light flux transmitted through the critical angle prism 6. This is because the reproducing light beam is not modulated and always emits light with a constant intensity, so that even if the light receiving element used for controlling the recording light beam is not affected, there is no influence.
【００１９】次に、第２の実施例を図２に基づいて説明
する。図中１は半導体レーザで、この半導体レーザ１は
３つの発光点を有し、３つの光束が発光可能なものであ
る。かかる半導体レーザ１と光ディスク５との間の出射
光路上には、この半導体レーザ１からの３つの光束を平
行光にするためのコリメートレンズ２と、この平行光を
透過及び図中右方へ反射し、一方光ディスク５からの反
射光を図中左方へ反射するビームスプリッター３、及び
前記平行光を集光して光ディスク５上に微小なスポット
を形成する対物レンズ４が順次配置されている。Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. In the figure, 1 is a semiconductor laser, and this semiconductor laser 1 has three light emitting points and is capable of emitting three light fluxes. On the emission optical path between the semiconductor laser 1 and the optical disk 5, a collimator lens 2 for making three light beams from the semiconductor laser 1 into parallel light, and transmitting the parallel light and reflecting to the right in the figure. On the other hand, a beam splitter 3 that reflects the reflected light from the optical disk 5 to the left in the figure, and an objective lens 4 that collects the parallel light and forms a minute spot on the optical disk 5 are sequentially arranged.
【００２０】また、前記半導体レーザ１より発せられビ
ームスプリッター３により反射された（図中右方）の光
束の光路上には複数の光束をそれぞれの光束に分ける第
１の臨界角プリズム６と第２の臨界角プリズム１２が配
置され、この臨界角プリズム６によって反射した光束を
受光するための第１の受光素子７，この臨界角プリズム
６を透過し、前記第２の臨界角プリズム１２により反射
した光束を受光するための第２の受光素子１３、透過し
た光束を受光するための第３の受光素子１４が配置され
ている。そして、この第１の受光素子７で得られた信号
を入力し、１つ目の光束のパワーを制御する第１の半導
体レーザ駆動回路１５、前記第２の受光素子１３で得ら
れた信号を入力し、２つ目の光束のパワーを制御する第
２の半導体レーザ駆動回路１６、及び前記第３の受光素
子１４で得られた信号を入力し、３つ目の光束のパワー
を制御する第３の半導体レーザ駆動回路１７が、それぞ
れ前記半導体レーザ１に接続されている。Further, on the optical path of the light beam emitted from the semiconductor laser 1 and reflected by the beam splitter 3 (on the right side in the drawing), a first critical angle prism 6 and a first critical angle prism 6 for dividing a plurality of light beams into respective light beams are provided. A second critical angle prism 12 is disposed, a first light receiving element 7 for receiving the light flux reflected by the critical angle prism 6, a light passing through the critical angle prism 6, and a reflection by the second critical angle prism 12. A second light receiving element 13 for receiving the formed light beam and a third light receiving element 14 for receiving the transmitted light beam are arranged. Then, the signal obtained by the first light receiving element 7 is input, and the signal obtained by the first semiconductor laser drive circuit 15 for controlling the power of the first light flux and the signal obtained by the second light receiving element 13 are inputted. A second semiconductor laser driving circuit 16 for inputting and controlling the power of the second light flux, and a signal obtained by the third light receiving element 14 for inputting and controlling the power of the third light flux. Three semiconductor laser drive circuits 17 are connected to the semiconductor laser 1, respectively.
【００２１】本装置においては、半導体レーザ１の３つ
の発光点から発せられた３つの光束はコリメートレンズ
２で平行光となり、ビームスプリッター３を透過し、対
物レンズ４により集光されて光ディスク５上に３つの微
小なスポットが形成される。光ディスク５で反射した光
は再び対物レンズ４を通り、ビームスプリッター３によ
って図中左方に反射し、検出光学系（図示せず）に導か
れ、光ディスク５上に記録された情報信号や、光ディス
ク５上のスポット位置を制御する信号いわゆるフォーカ
スエラー信号やトラックエラー信号等を検出する。In this apparatus, the three light beams emitted from the three light emitting points of the semiconductor laser 1 are collimated by the collimator lens 2 and transmitted through the beam splitter 3, and are condensed by the objective lens 4 to be focused on the optical disk 5. Three small spots are formed at The light reflected by the optical disk 5 passes through the objective lens 4 again, is reflected by the beam splitter 3 to the left in the figure, is guided to the detection optical system (not shown), and is an information signal recorded on the optical disk 5 or the optical disk. A signal for controlling the spot position on the so-called 5, so-called focus error signal, track error signal, or the like is detected.
【００２２】一方、前記半導体レーザ１から発せられた
光束は、コリメートレンズ２で平行光になった後、その
一部はビームスプリッター３によって図中右方へ向けら
れ、臨界角プリズム６に導かれる。この臨界角プリズム
６に入射した光束のうちの１つは第１の受光素子７に入
射して電気信号に変換され、この信号に基づいて第１の
半導体駆動回路１５は半導体レーザ１から発せられる１
つめの光束のパワーを制御する。また、臨界角プリズム
６に入射した他の２つの光束は第２の臨界角プリズム１
２に入射し、一方は反射して第２の受光素子１３に入射
して電気信号に変換され、この信号に基づいて第２の半
導体駆動回路１６は半導体レーザ１１を制御し、透過し
た他方の光束は受光素子１４に入射され、同様に電気信
号に変換され、この信号に基づいて第３の半導体駆動回
路１７は前記半導体レーザ１を制御し、前記他方の光束
のパワーを制御することになる。On the other hand, the light beam emitted from the semiconductor laser 1 is collimated by the collimator lens 2 and part of the light beam is directed to the right in the figure by the beam splitter 3 and guided to the critical angle prism 6. . One of the light beams incident on the critical angle prism 6 is incident on the first light receiving element 7 and is converted into an electric signal, and the first semiconductor drive circuit 15 is emitted from the semiconductor laser 1 based on this signal. 1
Controls the power of the second light flux. Further, the other two light beams incident on the critical angle prism 6 are the second critical angle prism 1
The second semiconductor driving circuit 16 controls the semiconductor laser 11 on the basis of this signal, and the other one of the transmitted light is incident on the second light receiving element 13 and is converted into an electric signal. The light flux enters the light receiving element 14 and is similarly converted into an electric signal. Based on this signal, the third semiconductor drive circuit 17 controls the semiconductor laser 1 and the power of the other light flux. .
【００２３】さらに具体的に説明すると、消去用の光束
（ＢＥ）、記録用の光束（ＢＷ）、再生用の光束（Ｂ
Ｒ）は、例えば第１の臨界角プリズム６の出射面６１に
入射する角度をＢＥを４２度、ＢＷを４１度、ＢＲを４
０度とすると、ＢＥは１００％第１の受光素子７の方向
に反射し、ＢＷは約７５％が第２の臨界角プリズム１２
の方向へ透過し、約２５％が第１の受光素子７の方向へ
反射する。ＢＲは約９０％が第２の臨界角プリズム１２
の方向へ透過し、約１０％が第１の受光素子７の方向へ
反射する。More specifically, an erasing light beam (BE), a recording light beam (BW), and a reproducing light beam (B).
R) is, for example, the angle of incidence on the exit surface 61 of the first critical angle prism 6 is 42 degrees for BE, 41 degrees for BW, and 4 degrees for BR.
At 0 degrees, BE is 100% reflected in the direction of the first light receiving element 7, and about 75% of BW is the second critical angle prism 12.
Is transmitted, and about 25% is reflected in the direction of the first light receiving element 7. About 90% of BR is the second critical angle prism 12
In the direction of, and about 10% is reflected in the direction of the first light receiving element 7.
【００２４】また、第２の臨界角プリズム１２の出射面
１２１に入射する角度は、ＢＷが４２度、ＢＲが４１度
であり、ＢＷは第２の臨界角プリズム１２に入射した光
束のうち１００％第２の受光素子１３の方向に反射し、
ＢＲは第２の臨界角プリズム１２に入射した光束のうち
２５％が第２の受光素子１３の方向に反射し、７５％が
第３の受光素子１４の方向へ透過する。すなわち、第１
の受光素子にはＢＥ１０％とＢＷ２５％とＢＲ１０％の
光束が、第２の受光素子１３にはＢＷの７５％とＢＲの
２２．５％の光束が、第３の受光素子１４にはＢＲの６
７．５％の光束がそれぞれ入射することになる。そして
これら各受光素子より得られた信号に基づいて各光束の
パワーが制御されることになる。The angle of incidence on the exit surface 121 of the second critical angle prism 12 is 42 degrees for BW and 41 degrees for BR, and BW is 100% of the luminous flux incident on the second critical angle prism 12. % Reflected in the direction of the second light receiving element 13,
In BR, 25% of the light flux incident on the second critical angle prism 12 is reflected in the direction of the second light receiving element 13, and 75% is transmitted in the direction of the third light receiving element 14. That is, the first
To the second light receiving element 13, a light flux of BE 10%, BW 25%, and BR 10%, a light flux of 75% of BW and a light flux of 22.5% of BR, and a third light receiving element 14 of BR. 6
7.5% of the luminous flux is incident on each. Then, the power of each light beam is controlled based on the signals obtained from these light receiving elements.
【００２５】次に、図４に基づいて第３の実施例を説明
する。図４は第３の実施例を示す説明図で、図中１ａ，
１ｂ，１ｃは半導体レーザで、本実施例による装置にお
いてはこれら３個の半導体レーザ１ａ，１ｂ，１ｃを有
し、３つの光束が発光されるものである。これら半導体
レーザ１ａ，１ｂ，１ｃと光ティスク５との間の出射光
路上には、この半導体レーザ１ａ，１ｂ，１ｃからのそ
れぞれの光束を平行光にするためのコリメートレンズ２
ａ，２ｂ，２ｃと、コレメートレンズ２ａからの光束を
反射させ、かつコリメートレンズ２ｂからの光束を透過
させてこれら光束を光ディスク５ヘ導く第１のビームス
プリッター１８と、前記コリメートレンズ２ｃからの光
束を反射させて光ディスク５へ導く第２のビームスプリ
ッター１９、これら平行光を透過及び図中右方へ反射
し、一方光ディスク５からの反射光を図中左方へ反射す
る第３のビームスプリッター３、及び前記平行光を集光
して光ディスク５上に微小なスポットを形成する対物レ
ンズ４が順次配置されている。Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is an explanatory view showing the third embodiment, in which 1a,
Reference numerals 1b and 1c are semiconductor lasers, and the apparatus according to the present embodiment has these three semiconductor lasers 1a, 1b and 1c and emits three light beams. A collimator lens 2 for collimating the respective light beams from the semiconductor lasers 1a, 1b, 1c on the emission optical path between the semiconductor lasers 1a, 1b, 1c and the optical disc 5.
a, 2b, 2c, a first beam splitter 18 that reflects the light beams from the collimating lens 2a, transmits the light beams from the collimating lens 2b and guides these light beams to the optical disc 5, and the first beam splitter 18 from the collimating lens 2c. A second beam splitter 19 that reflects the light flux and guides it to the optical disk 5, and a third beam splitter that transmits and reflects these parallel lights to the right in the drawing, while reflecting the reflected light from the optical disk 5 to the left in the drawing. 3, and an objective lens 4 that collects the parallel light and forms a minute spot on the optical disc 5 are sequentially arranged.
【００２６】また、前記半導体レーザ１ａ，１ｂ，１ｃ
より発せられビームスプリッター３により反射された
（図中右方の）光束の光路上には複数の光束をそれぞれ
の光束に分ける第１の臨界角プリズム６と第２の臨界角
プリズム１２が配置され、この臨界角プリズム６によっ
て反射した光束を受光するための第１の受光素子７，こ
の臨界角プリズム６を透過し、前記第２の臨界角プリズ
ム１２により反射した光束を受光するための第２の受光
素子１３、透過した光束を受光するための第３の受光素
子１４が配置されている。そして、この第１の受光素子
７で得られた信号を入力し、１つ目の光束である半導体
レーザ１ａのパワーを制御する第１の半導体レーザ駆動
回路１５、前記第２の受光素子１３で得られた信号を入
力し、２つ目である半導体レーザ１ｂの光束のパワーを
制御する第２の半導体レーザ駆動回路１６、及び前記第
３の受光素子１４で得られた信号を入力し、３つ目の光
束である半導体レーザ１ｃのパワーを制御する第３の半
導体レーザ駆動回路１７が、前記半導体レーザ１ａ，１
ｂ，１ｃにそれぞれ接続されている。Further, the semiconductor lasers 1a, 1b, 1c
A first critical angle prism 6 and a second critical angle prism 12 that divide a plurality of light beams into respective light beams are disposed on the optical path of the light beams emitted by the beam splitter 3 and reflected by the beam splitter 3 (on the right side in the drawing). A first light receiving element 7 for receiving the light beam reflected by the critical angle prism 6, a second light receiving element for transmitting the light beam transmitted through the critical angle prism 6 and reflected by the second critical angle prism 12. The light receiving element 13 and the third light receiving element 14 for receiving the transmitted light flux are arranged. Then, the first semiconductor laser drive circuit 15 for controlling the power of the semiconductor laser 1a which is the first light flux by inputting the signal obtained by the first light receiving element 7 and the second light receiving element 13 The obtained signal is input, the second semiconductor laser drive circuit 16 for controlling the power of the light flux of the second semiconductor laser 1b, and the signal obtained by the third light receiving element 14 are input and 3 The third semiconductor laser drive circuit 17 for controlling the power of the semiconductor laser 1c, which is the second light beam, is
b and 1c, respectively.
【００２７】本装置においては、半導体レーザ１ａ，１
ｂ，１ｃからそれぞれ発せられた３つの光束はコリメー
トレンズ２ａ，２ｂ，２ｃで平行光となり、コリメート
レンズ１ａを透過した光束は第１のビームスプリッター
１８を反射し、コリメートレンズ１ｂを透過した光束は
第１のビームスプリッター１８を透過し、コリメートレ
ンズ１ｃを透過した光束は第２のビームスプリッター１
９を反射し、これら３つの光束はいずれも第３のビーム
スプリッター３を透過し、対物レンズ４により集光され
て光ディスク５上に３つの微小なスポットが形成され
る。光ディスク５で反射した光は再び対物レンズ４を通
り、第３のビームスプリッター３によって図中左方に反
射し、検出光学系（図示せず）に導かれ、光ディスク５
上に記録された情報信号や、光ディスク５上のスポット
位置を制御する信号いわゆるフォーカスエラー信号やト
ラックエラー信号等を検出する。In this apparatus, the semiconductor lasers 1a, 1a
The three light fluxes emitted from b and 1c are collimated by the collimator lenses 2a, 2b and 2c, the light flux transmitted through the collimator lens 1a is reflected by the first beam splitter 18, and the light flux transmitted through the collimator lens 1b is The light beam that has passed through the first beam splitter 18 and the collimator lens 1c is the second beam splitter 1
9 is reflected, all of these three light beams pass through the third beam splitter 3, and are condensed by the objective lens 4 to form three minute spots on the optical disc 5. The light reflected by the optical disk 5 passes through the objective lens 4 again, is reflected to the left in the figure by the third beam splitter 3, and is guided to the detection optical system (not shown).
An information signal recorded above, a signal for controlling the spot position on the optical disc 5, a so-called focus error signal, a track error signal, etc. are detected.
【００２８】一方、前記半導体レーザ１ａ，１ｂ，１ｃ
から発せられた光束は、前記第３のビームスプリッター
３によってそれぞれの光束の一部が図中右方へ向けら
れ、臨界角プリズム６に導かれる。この臨界角プリズム
６に入射した光束のうちの１つは反射して第１の受光素
子７に入射して電気信号に変換され、この信号に基づい
て第１の半導体駆動回路１５は半導体レーザ１ａを制御
し、前記光束のパワーを制御する。また、臨界角プリズ
ム６に入射した他の２つ光束は第２の臨界角プリズム１
２に入射し、一方は反射して第２の受光素子１３に入射
して電気信号に変換され、この信号に基づいて第２の半
導体駆動回路１６は半導体レーザ１ｂを制御し、透過し
た他方の光束は第３の受光素子１４に入射され、同様に
電気信号に変換され、この信号に基づいて第３の半導体
駆動回路１７は前記半導体レーザ１ｃを制御し、前記他
方の光束のパワーを制御することになる。On the other hand, the semiconductor lasers 1a, 1b, 1c
A part of each light beam emitted by the third beam splitter 3 is directed to the right in the figure, and is guided to the critical angle prism 6. One of the light beams incident on the critical angle prism 6 is reflected and incident on the first light receiving element 7 and converted into an electric signal, and the first semiconductor drive circuit 15 causes the semiconductor laser 1a based on this signal. To control the power of the luminous flux. Further, the other two light beams incident on the critical angle prism 6 are the second critical angle prism 1
The second semiconductor driving circuit 16 controls the semiconductor laser 1b on the basis of this signal, and the other is transmitted. The light flux enters the third light receiving element 14 and is similarly converted into an electric signal. Based on this signal, the third semiconductor drive circuit 17 controls the semiconductor laser 1c and the power of the other light flux. It will be.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、複数のレーザ光を臨界角プリズムにより分離するこ
とによって複数のレーザ光を別個に制御することがで
き、また、臨界角プリズムに入射する光束をＰ偏光とす
ることにより、Ｓ偏光より正確に各レーザ光の出力を制
御できる。また、リードパワーの制御を臨界角プリズム
の透過光で行なうことによって他の光束の影響を受けず
にリードパワーの制御が可能となり、複数の臨界角プリ
ズムを一方の臨界角プリズムの透過光側に他方の臨界角
プリズムを配置することにより、装置の小型化が図れ
る。As described above, according to the present invention, a plurality of laser beams can be separately controlled by separating them with a critical angle prism, and the laser beams can be incident on the critical angle prism. By making the light flux to be P-polarized light, the output of each laser light can be controlled more accurately than S-polarized light. Also, by controlling the read power with the transmitted light of the critical angle prism, it becomes possible to control the read power without being affected by other light fluxes, and multiple critical angle prisms can be placed on the transmitted light side of one of the critical angle prisms. By arranging the other critical angle prism, the device can be downsized.
【図１】この発明の第１の実施例を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の第２の実施例を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図３】臨界角プリズムの特性を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing characteristics of a critical angle prism.
【図４】この発明の第３の実施例を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a third embodiment of the present invention.
１，１ａ，１ｂ，１ｃ 半導体レーザ ２，２ａ，２ｂ，２ｃ コリメータレンズ ３ ビームスプリッター（第３のビームスプリッター） ４ 対物レンズ ５ 光ディスク ６ 臨界角プリズム ７ 第１の受光素子 ８ 第２の受光素子 ９ 第１の半導体レーザ（ＬＤ）駆動回路 １０ 第２の半導体レーザ（ＬＤ）駆動回路 １２ 第２の臨界角プリズム １３ 第２の受光素子 １４ 第３の受光素子 １５ 第１の半導体レーザ（ＬＤ）駆動回路 １６ 第２の半導体レーザ（ＬＤ）駆動回路 １７ 第３の半導体レーザ（ＬＤ）駆動回路 １８ 第１のビームスプリッター １９ 第２のビームスプリッター 1, 1a, 1b, 1c Semiconductor laser 2, 2a, 2b, 2c Collimator lens 3 Beam splitter (third beam splitter) 4 Objective lens 5 Optical disc 6 Critical angle prism 7 First light receiving element 8 Second light receiving element 9 First semiconductor laser (LD) driving circuit 10 Second semiconductor laser (LD) driving circuit 12 Second critical angle prism 13 Second light receiving element 14 Third light receiving element 15 First semiconductor laser (LD) driving Circuit 16 Second semiconductor laser (LD) drive circuit 17 Third semiconductor laser (LD) drive circuit 18 First beam splitter 19 Second beam splitter
Claims (4)
は複数の半導体レーザからなる光源より発せられた複数
の光束をコリメートレンズで平行光とし、ビームスプリ
ッターを介して対物レンズにより光ディスク上に複数の
スポットを形成することにより光ディスクに情報を記録
または再生するためのマルチビーム光ピックアップ装置
において、前記ビームスプリッターで分離された前記複
数の光束を各光束ごとに分離する臨界角プリズムと、こ
の臨界角プリズムにより分離された各光束を検出するた
めの複数の検出手段と、これら検出手段により検出され
た結果に基づいて前記光源のパワーを制御する制御手段
とを具備することを特徴とするマルチビーム光ピックア
ップ装置。1. A semiconductor laser having a plurality of light emitting points, or a plurality of light beams emitted from a light source composed of a plurality of semiconductor lasers are converted into parallel light by a collimator lens, and a plurality of light beams are formed on an optical disk by an objective lens through a beam splitter. In a multi-beam optical pickup device for recording or reproducing information on an optical disc by forming spots, a critical angle prism that separates each of the plurality of light beams separated by the beam splitter, and a critical angle prism A multi-beam optical pickup comprising: a plurality of detecting means for detecting each light beam separated by the light source; and a control means for controlling the power of the light source based on the results detected by these detecting means. apparatus.
偏光であることを特徴とする請求項１のマルチビーム光
ピックアップ装置。2. The light flux incident on the critical angle prism is P
The multi-beam optical pickup device according to claim 1, wherein the multi-beam optical pickup device is polarized light.
パワーを臨界角プリズムの透過光で制御することを特徴
とする請求項１のマルチビーム光ピックアップ装置。3. The multi-beam optical pickup device according to claim 1, wherein the power of the reproduction light beam among the plurality of light beams is controlled by the transmitted light of the critical angle prism.
界角プリズムの透過光側に他の臨界角プリズムが配置さ
れていることを特徴とする請求項１のマルチビーム光ピ
ックアップ装置。4. The multi-beam optical pickup device according to claim 1, further comprising a plurality of critical angle prisms, wherein one of the critical angle prisms is provided with another critical angle prism on the transmitted light side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6019700A JPH07230628A (en) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | Multibeam optical pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6019700A JPH07230628A (en) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | Multibeam optical pickup device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230628A true JPH07230628A (en) | 1995-08-29 |
Family
ID=12006550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6019700A Pending JPH07230628A (en) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | Multibeam optical pickup device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07230628A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1073045A3 (en) * | 1999-06-10 | 2003-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical pickup device |
| US7233564B2 (en) | 2002-05-08 | 2007-06-19 | Teac Corpration | Optical disk apparatus |
| EP2128866A1 (en) | 2008-05-29 | 2009-12-02 | Deutsche Thomson OHG | Method and apparatus for identifying a media type of an optical disk |
-
1994
- 1994-02-16 JP JP6019700A patent/JPH07230628A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1073045A3 (en) * | 1999-06-10 | 2003-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical pickup device |
| US6507548B1 (en) | 1999-06-10 | 2003-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical pickup device |
| US7233564B2 (en) | 2002-05-08 | 2007-06-19 | Teac Corpration | Optical disk apparatus |
| EP2128866A1 (en) | 2008-05-29 | 2009-12-02 | Deutsche Thomson OHG | Method and apparatus for identifying a media type of an optical disk |
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