JPH07223372A - 情報記録用薄膜および情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 良好な記録・再生特性を保持しながら従来よ
り多数回の書き換えまたは超解像読みだしを可能にす
る。 【構成】 Ｓｂ−Ｔｅ−Ｇｅ系やＳｂ−Ｔｅ−Ｉｎ系の
相変化型の記録膜３または超解像読み出し用薄膜に、Ｃ
ｒ、およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓ
ｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａ
ｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓ
ｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎおよびランタノイド元素から選ばれ
た少なくとも一つの元素ＸまたはＢを添加する。記録膜
３中または超解像読み出し用薄膜中に相変化成分３ａよ
りも高融点の成分３ｂが析出し、記録・消去，超解像読
みだし時の膜の流動・偏析を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、情報記録用薄膜およ
びその製造方法ならびに情報記録媒体に関し、さらに詳
しく言えば、例えば映像や音声などのアナログ信号をＦ
Ｍ変調して得た情報や、電子計算機のデータやファクシ
ミリ信号やディジタル・オーディオ信号などのディジタ
ル情報をレーザ光、電子線等のエネルギービームによっ
てリアルタイムで記録・再生することができる情報記録
用薄膜または超解像読み出し用薄膜、およびその製造方
法ならびに、その情報記録用薄膜または超解像読み出し
用薄膜を用いた情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情
報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜
材料の相転移（相変化とも呼ばれる）やフォトダークニ
ングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用す
るものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚の
ディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造の情
報記録媒体が得られるという長所を持つ。また、ＧｅＳ
ｂＴｅ系やＩｎＳｂＴｅ系の記録膜では、情報の書き換
えを行なうことができる利点がある。

【０００３】しかし、この種の記録膜では、ピットポジ
ション記録においては１０⁵回、ピットエッジ記録にお
いては１０⁴回を越える多数回の書き換えを行なうと、
記録膜の流動により書き換え特性が低下するため、記録
膜の流動を防止する方法が研究されている。記録膜の流
動は、記録時のレーザ照射により、記録膜が流動し、保
護層や中間層の熱膨張による変形により、記録膜が少し
ずつ押されて生じる。

【０００４】例えば、特開平４−２２８１２７号公報に
は、記録膜のマイクロセル化により流動を防止する方法
が開示され、文献 T．Ohta et al. "Optical Data Str
age"'89 Proc. SPIE, 1078，27（1989）には、記録膜を
薄くして熱容量を下げ且つ隣接する層との付着力の影響
が大きくなるのを利用して記録膜の流動を防止する方法
が開示されている。

【０００５】映像信号や音声信号などをＦＭ変調したア
ナログ情報信号や、電子計算機のデータ、ファクシミリ
信号、ディジタルオーディオ信号などのディジタル情報
信号を基板表面に凹凸として転写した光ディスクや、レ
ーザ光、電子線等の記録用ビームによって信号やデータ
をリアルタイムで記録することが可能な情報の記録用薄
膜等を有する光ディスクにおいては、信号再生分解能
は、ほとんど再生光学系の光源の波長λと対物レンズの
開口数ＮＡで決まり、記録マーク周期２ＮＡ／λが読み
取り限界である。

【０００６】高記録密度化のための手法としては、相変
化により反射率が変化する媒体を用いて凹凸で記録され
たデータを再生する方法が特開平３−２９２６３２号公
報に記載され、また、相変化記録膜に記録されたデータ
を高密度再生するための溶融マスク層を持つ媒体が特開
平５−７３９６１号公報に記載されている。

【０００７】なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相
変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、
結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変
化」という用語を使用する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来の記録膜はいずれ
も、書き換え可能な相転移型の記録膜として用いる場
合、書き換え可能回数が十分でない、書き換え可能
回数を多くすると結晶化速度が遅くなる、書き換え可
能回数を多くすると再生信号強度が十分でなくなる、な
どの問題を有している。

【０００９】そこで、この発明の目的は、良好な記録・
再生特性を保持しながら従来より多数回の書き換えが可
能である情報記録用薄膜およびその製造方法ならびにそ
の薄膜を用いた情報記録媒体を提供することにある。

【００１０】また、特開平３−２９２６３２号公報に記
載の方法は、Ｓｂ₂Ｓｅ₃ 膜を用い、読み出し光の走査
スポット内で部分的に相変化させて反射率を変え、高反
射率領域内のみの位相ピットを読みだす。この方法で
は、上記の膜の融点が高温のため、レーザの照射パワー
が高く、位相ピットで情報を記録した光ディスク以外の
相変化型光ディスク、光磁気ディスクなどに適用できな
い。さらに、多数回の読み出しを繰り返すと膜の流動、
偏析が少しずつ生じ、超解像読み出し可能回数が少な
い、などの欠点がある。また、特開平５−７３９６１号
公報に記載の媒体は、溶融マスク層を用い、読み出し光
の走査スポット内で部分的に溶融して反射率を変え、見
かけ上スポットサイズを小さくする。この媒体では、融
点が低い溶融マスク層を用いており、粘度が低いため、
多数回の読み出しを繰り返すと膜の流動、偏析が少しず
つ生じ、超解像読み出し可能回数が少ない、などの欠点
がある。

【００１１】そこで、この発明の他の目的は、上記した
従来技術の欠点を解消し、映像信号や音声信号などのア
ナログ情報信号や、電子計算機のデータ、ファクシミリ
信号、ディジタルオーディオ信号などのディジタル情報
信号が凹凸により記録された光ディスクや相変化型光デ
ィスク、光磁気ディスクなどに適用でき、流動、偏析を
防止することにより、超解像読み出し可能回数を増大し
た超解像読み出し用薄膜を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】

（１）この発明の第１の情報記録用薄膜は、基板上に直
接または保護層を介して形成された、エネルギービーム
の照射を受けて生じる原子配列変化によって情報を記録
・再生する情報記録用薄膜において、前記情報記録用薄
膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 Ｓｂ_xＴｅ_yＡ_pＢ_qＣ_r （１） で表わされ、前記ＡはＧｅおよびＩｎからなる第１群か
ら選ばれた少なくとも一つの元素、前記Ｂはランタノイ
ド元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬ
ｕ）およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚ
ｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂ
ｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる第２群から選ばれた少
なくとも一つの元素、前記ＣはＳｂ，Ｔｅおよび前記Ａ
およびＢで表わされる元素以外の少なくとも一つの元素
を表わし、前記ｘ，ｙ，ｐ，ｑおよびｒの単位はいずれ
も原子パーセントで、それぞれ２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ
≦７５，０．１≦ｐ≦６０，３≦ｑ≦４０，０．１≦ｒ
≦３０の範囲にあることを特徴とする。

【００１３】（２）この発明の第２の情報記録用薄膜
は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エ
ネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によ
って情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、前
記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 Ｓｂ_xＴｅ_yＡ_pＢ_q （２） で表わされ、前記ＡはＧｅおよびＩｎからなる第１群か
ら選ばれた少なくとも一つの元素、前記Ｂはランタノイ
ド元素およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚ
ｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂ
ｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる第２群から選ばれた少
なくとも一つの元素を表わし、前記ｘ，ｙ，ｄおよびｅ
の単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ２≦ｘ≦
４１，２５≦ｙ≦７５，０．１≦ｐ≦６０，３≦ｑ≦４
０の範囲にあることを特徴とする。

【００１４】これは、前記第１の情報記録用薄膜の前記
Ｃで表わされる元素を除いたものに相当する。

【００１５】（３）この発明の第３の情報記録用薄膜
は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エ
ネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によ
って情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、前
記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 Ｓｂ_xＴｅ_yＢ_qＣ_r （３） で表わされ、前記Ｂはランタノイド元素およびＡｇ，Ｂ
ａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃ
ｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐ
ｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉおよび
Ｖからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素、前記
ＣはＳｂ，Ｔｅおよび前記Ｂで表わされる元素以外の少
なくとも一つの元素を表わし、前記ｘ，ｙ，ｅおよびｆ
の単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ２≦ｘ≦
４１，２５≦ｙ≦７５，３≦ｑ≦４０，０．１≦ｒ≦３
０の範囲にあることを特徴とする。

【００１６】これは、前記第１の情報記録用薄膜の前記
Ａで表わされる元素を除いたものに相当する。

【００１７】（４）この発明の第４の情報記録用薄膜
は、基板上に直接または保護層を介して形成された、エ
ネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変化によ
って情報を記録・再生する情報記録用薄膜において、前
記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 Ｓｂ_xＴｅ_yＢ_q （４） で表わされ、前記Ｂはランタノイド元素およびＡｇ，Ｂ
ａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃ
ｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐ
ｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉおよび
Ｖからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素を表わ
し、前記ｘ，ｙおよびｅの単位はいずれも原子パーセン
トで、それぞれ２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，３≦ｑ
≦４０の範囲にあることを特徴とする。

【００１８】これは、前記第１の情報記録用薄膜の前記
ＡおよびＣで表わされる元素を除いたものに相当する。

【００１９】（５）この発明の情報記録用薄膜は、基板
上に直接または保護層を介して形成された、エネルギー
ビームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報
を記録・再生する情報記録用薄膜において、前記情報記
録用薄膜の平均組成が、一般式 （Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_c）_1-dＸ_d （５） で表わされ、前記ＸはＣｒおよびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍ
ｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇ
ａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎおよびランタノ
イド元素からなる少なくとも一つの元素を表わし、前記
ａ，ｂ，ｃおよびｄが、それぞれ０．０２≦ａ≦０．１
９，０．０４≦ｂ≦０．４，０．５≦ｃ≦０．７５，
０．０３≦ｄ≦０．３，の範囲にあることを特徴とす
る。

【００２０】（６）この発明の情報記録用薄膜は、基板
上に直接または保護層を介して形成された、エネルギー
ビームの照射を受けて生じる原子配列変化によって情報
を記録・再生する情報記録用薄膜において、前記情報記
録用薄膜の平均組成が、一般式 （Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_c）_1-dＸ_d （５） で表わされ、前記ＸはＣｒおよびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍ
ｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇ
ａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎおよびランタノ
イド元素からなる少なくとも一つの元素を表わし、 前
記ａ，ｂ，ｃおよびｄが、それぞれ０．２５≦ａ≦０．
６５，０≦ｂ≦０．２，０．３５≦ｃ≦０．７５，０．
０３≦ｄ≦０．３の範囲にあることを特徴とする。

【００２１】（７）前記１〜６のいずれかに記載の情報
記録用薄膜において、前記ＢまたはＸが膜厚方向におい
て濃度勾配を有することを特徴とする。

【００２２】（８）前記１〜６のいずれかに記載の情報
記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融
点が高い高融点成分からなる析出物を含んでおり、その
析出物が前記Ｂまたは前記Ｘで表わされる元素を含んで
いることを特徴とする。

【００２３】（９）前記２，５および６のいずれかに記
載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より相
対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んでお
り、高融点成分の少なくとも一部分が、当該薄膜の光入
射側に非連続膜状に平均膜厚１〜１０ｎｍの範囲で存在
することを特徴とする。

【００２４】（１０）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、高融点成分の構成元素の原子数の和が、当該薄膜
の構成元素の全原子数の和に対して１０〜５０％の範囲
にあることを特徴とする。

【００２５】（１１）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、高融点成分含有量が膜厚方向において変化するこ
とを特徴とする。

【００２６】（１２）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、当該薄膜の平均組成を元素単体または化合物組成
の低融点成分Ｌと元素単体または化合物組成の高融点成
分Ｈにより Ｌ_jＨ_k （６） の式で表した時、２０≦ｋ／（ｊ＋Ｋ）≦４０ （７）
である組成を基準組成とし、各元素の膜中での含有量
は前記式で決まる値±１０原子％の範囲内にあることを
特徴とする。

【００２７】（１３）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、高融点成分の融点が７８０゜Ｃ以上であることを
特徴とする。

【００２８】（１４）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、高融点成分の融点と当該薄膜の残成分の融点との
差が１５０゜Ｃ以上であることを特徴とする。

【００２９】（１５）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、高融点成分の析出物が、当該薄膜の内部に粒状ま
たは柱状に分布していることを特徴とする。

【００３０】（１６）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、高融点成分の析出物の当該薄膜の膜面方向での最
大外寸法が５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることを特徴
とする。

【００３１】（１７）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、高融点成分の析出物が、当該薄膜の両方の界面か
らその膜厚方向に柱状に延びており、析出物の膜厚方向
の長さが５ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚の（１／２）以
下であることを特徴とする。

【００３２】（１８）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、高融点成分の析出物が、当該薄膜の一方の界面か
らその膜厚方向に柱状に延びており、析出物の膜厚方向
の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下である請
求項９または１０に記載の情報記録用薄膜。

【００３３】（１９）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、高融点成分の析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ
以上で、当該薄膜の膜厚以下であることを特徴とする。

【００３４】（２０）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、隣接する２つの高融点成分の析出物の中心間を結
ぶ直線が、当該薄膜の膜面方向でそれら析出物の間の領
域を通る長さが１５ｎｍ以上、７０ｎｍ以下であること
を特徴とする。

【００３５】（２１）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる多孔質の析出物
を含んでおり、当該残成分が前記多孔質析出物の孔内に
分布していることを特徴とする。

【００３６】（２２）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる多孔質の析出物
を含んでおり、高融点成分の多孔質状析出物の孔の当該
薄膜の膜面方向での最大孔寸法が８０ｎｍ以下であり、
隣接する２つの前記孔の間の領域の当該薄膜の膜面方向
での最大壁厚さが２０ｎｍ以下であることを特徴とす
る。

【００３７】（２３）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、当該薄膜の残成分の融点が６５０゜Ｃ以下である
ことを特徴とする。

【００３８】（２４）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、当該薄膜の残成分の融点が２５０゜Ｃ以下である
ことを特徴とする。

【００３９】（２５）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、当該薄膜の複素屈折率の実数部および虚数部の少
なくとも一方が、光の照射によって照射前のそれに対し
て２０％以上変化することを特徴とする。

【００４０】（２６）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用
薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
い高融点成分からなる析出物を含んでおり、その析出物
が当該薄膜の残成分からなる領域内に分布していること
を特徴とする。

【００４１】（２７）前記２６に記載の情報記録用薄膜
において、前記高融点成分の析出物の当該薄膜の膜面方
向での最大外寸法が５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする。

【００４２】（２８）前記２６に記載の情報記録用薄膜
において、前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の両方
の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、前記析出
物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚の
（１／２）以下であることを特徴とする。

【００４３】（２９）前記２６に記載の情報記録用薄膜
において、前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の一方
の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、前記析出
物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚
以下であることを特徴とする。

【００４４】（３０）前記２６に記載の情報記録用薄膜
において、前記高融点成分の析出物の膜厚方向の長さが
１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下であることを特徴
とする。

【００４５】（３１）前記２６に記載の情報記録用薄膜
において、隣接する２つの前記高融点成分の析出物の中
心間を結ぶ直線が、当該薄膜の膜面方向でそれら析出物
の間の領域を通る長さが１５ｎｍ以上、７０ｎｍ以下で
あることを特徴とする。

【００４６】（３２）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用
薄膜において、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
い高融点成分からなる多孔質の析出物を含んでおり、当
該薄膜の残成分が前記多孔質析出物の孔内に分布してい
ることを特徴とする情報記録用薄膜。

【００４７】（３３）前記３２に記載の情報記録用薄膜
において、前記高融点成分の多孔質状析出物の孔の当該
薄膜の膜面方向での最大内寸法が８０ｎｍ以下であり、
隣接する２つの前記孔の間の領域の当該薄膜の膜面方向
での最大壁厚さが２０ｎｍ以下であることを特徴とす
る。

【００４８】（３４）前記２６または３２に記載の情報
記録用薄膜において、当該薄膜の残成分の融点が６５０
゜Ｃ以下であることを特徴とする。

【００４９】（３５）前記３２または３２に記載の情報
記録用薄膜において、当該薄膜の残成分の融点が２５０
゜Ｃ以下であることを特徴とする。

【００５０】（３６）前記２６または３２のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の複素屈折率
の実数部および虚数部の少なくとも一方が、光の照射に
よって照射前のそれに対して２０％以上変化することを
特徴とする。

【００５１】（３７）前記２６または３２のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、前記高融点成分の構成
元素の原子数の和が、当該薄膜の全原子数の和に対して
１０〜５０％の範囲にあることを特徴とする。

【００５２】（３８）前記２６または３２のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、平均組成を元素単体ま
たは化合物組成の低融点成分Ｌと元素単体または化合物
組成の高融点成分Ｈにより Ｌ_jＨ_k （６） の式で表した時、２０≦ｋ／（ｊ＋Ｋ）≦４０ （７）
である組成を基準組成とし、各元素の膜中での含有量
は前記式で決まる値±１０原子％の範囲内にあることを
特徴とする。

【００５３】（３９）前記２６または３２のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、前記高融点成分の融点
が７８０゜Ｃ以上であることを特徴とする。

【００５４】（４０）前記２６または３２のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、前記高融点成分の融点
と当該薄膜の残成分の融点との差が１５０゜Ｃ以上であ
ることを特徴とする。

【００５５】（４１）前記２，５および６のいずれかに
記載の情報記録用薄膜において、当該薄膜の残成分より
相対的に融点が高い高融点成分からなる析出物を含んで
おり、前記Ｂまたは前記Ｘで表わされる元素がＭｏおよ
びＳｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｗであることが好ましく、
Ｃｒであることが特に好ましい。

【００５６】（４２）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用
薄膜の製造方法において、基板上に直接または保護層を
介して薄膜を形成する工程と、前記薄膜にエネルギービ
ームを照射して前記薄膜中に高融点成分を生成または成
長させる工程とを備えてなることを特徴とする。

【００５７】（４３）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用
薄膜の製造方法において、基板上に直接または保護層を
介して高融点成分の材料あるいは高融点成分の組成に近
い組成を持つ材料を被着させて島状の種結晶を形成する
工程と、前記種結晶の上に前記高融点成分と前記残成分
とを含む材料を被着させ、前記高融点成分を選択的に前
記種結晶上に成長させると共に、それら種結晶の間を埋
めるように前記残成分を成長させる工程とを備えてなる
ことを特徴とする。

【００５８】前記島状の種結晶を形成するための膜の平
均膜厚は、１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下が好ましい。１ｎ
ｍ未満であると高融点成分を成長させる効果が小さく、
１０ｎｍを越えるとノイズ増大の原因となる。

【００５９】この方法では、高融点成分は情報記録用薄
膜の片側の界面からその内部に向かって成長しやすい。

【００６０】前記第１および第２の情報記録用薄膜の製
造方法では、成膜するのに真空蒸着、ガス中蒸着、スパ
ッタリング、イオンビーム蒸着、イオンプレーティン
グ、電子ビーム蒸着など、公知の方法を用いることがで
きるが、スパッタリングを用いるのが好ましい。

【００６１】スパッタリングの場合、記録用薄膜の組成
のターゲットによってスパッタする方法では、膜中での
均一性が良くノイズを低くすることができる。一方、高
融点成分の組成のターゲットと残成分の組成のターゲッ
トによる回転同時スパッタ法では、高融点成分の析出を
早めることができ、書き換え可能回数を延ばすのに有効
である。

【００６２】（４４）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記
録用薄膜の製造方法において、基板上に直接または保護
層を介して相変化成分と高融点成分より成る膜の形成時
に高融点成分の含有量を膜厚方向に変化させる工程を備
えてることを特徴とする。

【００６３】（４５）前記１〜６，２６および３２のい
ずれかに記載の情報記録用薄膜を記録層として備えた情
報記録媒体であることを特徴とする。

【００６４】（４６）前記１〜６，２６および３２のい
ずれかに記載の情報記録用薄膜を超解像読出し用のマス
ク層として備えた情報記録媒体であることを特徴とす
る。

【００６５】（４７）前記１〜６，２６および３２のい
ずれかに記載の情報記録用薄膜を超解像読出し用の反射
層として備えた情報記録媒体であることを特徴とする。

【００６６】（４８）前記高融点成分の析出後の前記残
成分の融点が６５０゜Ｃ以下である、前記１〜６，２６
および３２のいずれかに記載の情報記録媒体を備えた情
報記録媒体であることを特徴とする。

【００６７】（４９）前記１〜６，２６および３２のい
ずれか４７または４８に記載の情報記録用薄膜を超解像
読出し用の反射層として備えた情報記録媒体において、
前記反射層の反射率が６０％以上であることを特徴とす
る。

【００６８】（５０）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記
録媒体において、前記１〜６，２６および３２のいずれ
かに記載の情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し
用のマスク層として備え、かつ反射層側にＳｉＯ₂ 層と
記録膜側にＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 層の２層構造の中間層を備
えることを特徴とする。

【００６９】（５１）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記
録媒体において、基板上に直接または保護層を介して形
成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子
配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用
薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備
え、かつＳｉ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｉｎ化合物の
少なくとも１つ、またはこれに近い組成である反射層を
備えることを特徴とする。

【００７０】（５２）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記
録媒体において、基板上に直接または保護層を介して形
成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子
配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用
薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備
え、かつ反射層の膜厚が、１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以
下である特徴を持つ。

【００７１】（５３）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記
録媒体において、基板上に直接または保護層を介して形
成された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子
配列変化によって情報を記録または再生する情報記録用
薄膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備
え、かつ光入射側にＳｉＯ₂層と記録膜側にＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ₂層の２層構造の保護層を備えることを特徴とす
る。

【００７２】（５４）保護層２および中間層４の材料
は、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ
系材料，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，Ｔａ₂Ｏ₅，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂
Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，ＣｅＯ，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，
ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ
₂ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｓｃ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂などの酸化物，Ｔａ
Ｎ，ＡｌＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えば
ＡｌＳｉＮ₂）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，Ｃｄ
Ｓ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，
Ｂｉ₂Ｓ₃，などの硫化物、ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｃ
ｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳ
ｅ，ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃など
のセレン化物、ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化
物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ，ま
たは、上記の材料に近い組成のものを用いるのが好まし
い。また、これらの混合材料の層やこれらの多重層でも
よい。

【００７３】多重層の場合、ＺｎＳを７０モル％以上含
む材料、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂と、Ｓｉ，Ｇｅのうち
の少なくとも一者を７０原子％以上含む材料、例えばＳ
ｉ、あるいはＳｉの酸化物、例えばＳｉＯ₂との２層膜
が好ましい。この場合、記録感度低下を防ぐため、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂層の方を記録膜側に設け、その厚さを３ｎ
ｍ以上とする。また、ＳｉＯ₂層の低熱膨張係数による
記録膜流動抑制効果を発揮させるために、厚さ１０ｎｍ
以下が好ましい。この２層膜は保護層２の代わりに設け
ると好ましいが、中間層４の代わりに設けてもよい。保
護層２の代わりとしてはＳｉＯ₂層の厚さが５０ｎｍ以
上２５０ｎｍ以下が好ましい。中間層の代わりに２層膜
を設ける場合は、ＳｉＯ₂層の膜厚は１０ｎｍ以上８０
ｎｍ以下が好ましい。これらの２層膜を設けることは、
本発明の記録膜を用いる場合だけではなく、他の相変化
記録膜を用いる場合にも好ましい。

【００７４】中間層４の屈折率が１．７以上、２．３以
下の範囲にある場合、膜厚が３ｎｍ以上、１００ｎｍ以
下、および１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下が好まし
い。

【００７５】反射層５の材料としては、Ａｌ−Ｔｉ、Ｓ
ｉ−Ｇｅ混合材料が、記録マーク部分の光吸収率を記録
マーク以外の部分の光吸収率より小さくできるので、光
吸収率差による消え残りを防止でき、さらに書き換え可
能回数が低下せず、好ましい。Ｇｅの含有量は１０原子
％以上８０原子％以下が書き換え可能回数が低下が生じ
にくく、好ましい。

【００７６】次いで、Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ−Ｉｎ混合
材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の混合材料で
も同様の結果が得られ、好ましい。これらの反射層材料
は、本発明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を用
いる場合の反射層材料として用いても、従来のものに比
べて、書き換え可能回数が低下しないため好ましい。

【００７７】さらに、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂの元素単体、またはこれらを
主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる
層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用い
てもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層
などを用いてもよい。

【００７８】この実施例では、表面に直接、トラッキン
グガイドなどの凹凸を形成したポリカーボネート基板１
を用いているが、その代わりに、ポリオレフィン、エポ
キシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成し
た化学強化ガラスなどを用いてもよい。

【００７９】中間層４、反射層５および保護層２の一部
を省略した単純積層構造、例えば基板１／保護層２／記
録膜３、基板１／記録膜３／中間層４、基板１／記録膜
３／反射層５などの構成でも、従来のものに比べると、
多数回書き換えを行なってもノイズ上昇が少なく、良好
な結果が得られ、好ましい。

【００８０】以上述べたように、この実施例の情報記録
用薄膜は、記録・再生・消去特性を良好に保ちながら、
従来より多数回の書き換えが可能である。また、記録・
消去に用いるレーザ光のパワーが低くてよいという利点
もある。

【００８１】（５５）超解像読み出し用ビームの照射を
受けて超解像効果を生ずる本発明の超解像読み出し用薄
膜は、相変化成分及び析出した高融点成分を含むことを
特徴とする。 超解像読み出し用薄膜は、基板上に直接
もしくは無機物及び有機物のうち少なくとも一者からな
る保護層を介して形成される。

【００８２】（５６）相変化成分より相対的に融点が高
い高融点成分は、柱状または塊状析出物として、あるい
は多孔質状析出物として析出している。

【００８３】（５７）超解像読み出し用薄膜の平均組成
は、次の一般式で表されるものとすることができる。

【００８４】Ｄ_eＥ_fＦ_g （８） ここで、前記ＥはＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ
から選ばれた少なくとも１つの元素、前記ＥはＡｓ，
Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｅ，Ａｇ，Ａｌ，
Ａｕ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｓ，Ｃ
ｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｉｒ，Ｋ，Ｌｉ，Ｍｇ，
Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒ
ｂ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒより成る群より選ばれた少なくと
も１つの元素を表し、前記Ｆは前記Ｄ及び前記Ｅで表さ
れる以外の少なくとも１つの元素を表し、例えば、Ｔ
ｌ，Ｂｒ，Ｃｌ，Ｆ，Ｈ，Ｉ，Ｐ等とすることができ
る。また、前記ｅ，ｆ及びｇの単位はいずれも原子パー
セントで、それぞれ３０≦ｅ≦９５、５≦ｆ≦５０、０
≦ｇ≦２０の範囲にあることが好ましい。さらに、４０
≦ｅ≦８７、１３≦ｆ≦４０、０≦ｇ≦１０の範囲にあ
ることがより好ましい。

【００８５】前記Ｆで表される元素は、例えば、前記Ｄ
及びＥで表される元素がそれぞれＳｎ及びＴｅであれ
ば、Ｓｎ及びＴｅ以外の元素であればよい。また、前記
Ｄ、Ｄ’（前記Ｄが上記Ｓｎ，ＺｎのようにＤ，Ｄ’２
元素の場合）、Ｅ、Ｆの組合せにおいて、Ｄ−Ｅ、Ｅ−
Ｆ、Ｄ’−Ｅの組合せからできる高融点成分が共晶点を
もたないか、共晶点をもっていてもＤ、Ｄ−Ｄ’の融点
より１５０℃以上融点が高いことが好ましい。

【００８６】（５８）超解像読み出し用薄膜は、また、
平均組成が次の一般式で表されるものを使用することが
できる。

【００８７】Ｓｅ_pＭ_qＮ_rＯ_s （１１） ここで、前記ＭはＩｎ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ａｕ，Ｂ，
Ｃｓ，Ｓｎ，Ｔｌ，Ｓ，Ｇｅ，Ｆｅ，Ｚｎから選ばれた
少なくとも１つの元素、前記ＮはＡｓ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓ
ｉ，Ａｇ，Ａｌ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃ
ｒ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｉｒ，Ｋ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｍｎ，
Ｍｏ，Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｂ，Ｒ
ｅ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，
Ｙ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｇａ，Ｕ及び、Ｓｅ及び前記Ｍで表さ
れる元素以外の少なくとも１つの元素を表す。前記Ｏは
Ｓｅ及び前記Ｍ及び前記Ｎで表される以外の少なくとも
１つの元素を表し、例えばＢｒ，Ｃｌ，Ｆ，Ｈ，Ｉ，Ｐ
とすることができる。また、前記ｐ，ｑ，ｒ及びｓの単
位はいずれも原子パーセントで、それぞれ４０≦ｐ≦９
５、０≦ｑ≦５５、５≦ｒ≦５０、０≦ｓ≦２０の範囲
にあることが好ましく、５０≦ｐ≦８０、０≦ｑ≦４
０、１０≦ｒ≦４０、０≦ｓ≦１０の範囲にあることが
より好ましい。

【００８８】（５９）超解像読み出し用薄膜の平均組成
を、元素単体または化合物組成の低融点成分Ｌと元素単
体または化合物組成の高融点成分Ｈより、次式で表すと
き、 Ｌ_jＨ_k （６） 下式（７）の範囲の組成を基準組成とし、上記薄膜を構
成する各元素の膜中での含有量は、式（７）で決まる値
±１０原子％の範囲内にあることが好ましく、±５原子
％の範囲内にあるとより好ましい。

【００８９】 ２０≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦４０ （７） 例えば、超解像読み出し用膜の基準組成が（ＧｅＳｂ₂
Ｔｅ₄ ）₈₀（Ｃｒ₄Ｔｅ₅ ）₂₀である場合、式（７）の
ＬはＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄ 、ＨはＣｒ₄Ｔｅ₅ であって、ｋ／
（ｊ＋ｋ）は２０である。ここで各元素の原子％は、そ
れぞれ、ＬのＧｅは１１％、Ｓｂは２３％、Ｔｅは４６
％、ＨのＣｒは９％、Ｔｅは１１％である。そこで、式
（７）で決まる値±１０原子％の範囲はＬのＧｅは１〜
２１％、Ｓｂは１３〜３３％、Ｔｅは３６〜５６％、Ｈ
のＣｒは０〜１９％、Ｔｅは１〜２１％である。

【００９０】（６０）低融点成分と高融点成分は、いず
れも金属または半金属元素を５０原子％以上含むことが
好ましく、６５原子％以上含むことがより好ましい。

【００９１】（６１）上記式（８）および（１１）の組
成は相変化記録膜としても使用でき、超解像読み出し薄
膜を用いない記録媒体の相変化記録膜としても使用でき
る。この記録膜を使用した場合、結晶化と非晶質化で反
射率差の大きな媒体を作製できる。

【００９２】高融点成分の原子数の和は、超解像読み出
し膜の構成元素の全原子数の和に対する割合で１０〜５
０％の範囲であることが好ましく、２０〜４０％の範囲
であることがより好ましい。

【００９３】（６２）高融点成分と相変化成分の組み合
わせでは、それぞれの成分中に同じ元素が３０原子％以
上、８０原子％以下の範囲で存在することが好ましい。

【００９４】高融点成分の融点は、析出後の残成分であ
る相変化成分の融点より１５０℃以上高いことが好まし
い。

【００９５】（６３）高融点成分の平均組成は、下記の
Ａ群のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い組成あ
るいは、融点８００℃以上の化合物とすることができ
る。ここで、これに近い組成とは、列挙した組成からの
ずれが±１０原子％の範囲内にあるものを指す（以下、
同じ）。例えば、ＢａＰｄ₂ の場合、それぞれの元素の
原子％は、Ｂａは３３％、Ｐｄは６７％である。そこ
で、組成ＢａＰｄ₂ からのずれが±１０原子％の範囲
は、Ｂａは２３〜４３％、Ｐｄは５７〜７７％である。

【００９６】＜Ａ群＞ＢａＰｄ₂ ，ＢａＰｄ₅ ，ＮｄＰ
ｄ，ＮｄＰｄ₃ ，ＮｄＰｄ₅ ，Ｎｄ₇Ｐｔ₃ ，Ｎｄ₃Ｐｔ
₂ ，ＮｄＰｔ，Ｎｄ₃Ｐｔ₄ ，ＮｄＰｔ₂ ，ＮｄＰ
ｔ₅ ，Ｂｉ₂Ｎｄ，ＢｉＮｄ，Ｂｉ₃Ｎｄ₄ ，Ｂｉ₃Ｎｄ
₅ ，ＢｉＮｄ₂ ，Ｃｄ₂Ｎｄ，ＣｄＮｄ，Ｍｎ₂Ｎｄ，Ｍ
ｎ₂₃Ｎｄ₆ ，Ｍｎ₁₂Ｎｄ，Ｎｄ₅Ｓｂ₃ ，Ｎｄ₄Ｓｂ₃ ，
ＮｄＳｂ，ＮｄＳｂ₂ ，Ｆｅ₂Ｎｄ，Ｆｅ₁₇Ｎｄ₂ ，Ｃ
ｓ₃Ｇｅ₂ ，ＣｓＧｅ，ＣｓＧｅ₄ ，Ｎｄ₅Ｓｉ₃ ，Ｎｄ
₅Ｓｉ₄ ，ＮｄＳｉ，Ｎｄ₃Ｓｉ₄ ，Ｎｄ₂Ｓｉ₃，Ｎｄ₅
Ｓｉ₉，Ｃｓ₂Ｔｅ，ＮｄＴｅ₃ ，Ｎｄ₂Ｔｅ₅ ，ＮｄＴ
ｅ₂ ，Ｎｄ₄Ｔｅ₇ ，Ｎｄ₂Ｔｅ₃ ，Ｎｄ₃Ｔｅ₄ ，Ｎｄ
Ｔｅ，Ｃｅ₃Ｉｒ，Ｃｅ₂Ｉｒ，Ｃｅ₅₅Ｉｒ₄₅，ＣｅＩｒ
₂，ＣｅＩｒ₃ ，Ｃｅ₂Ｉｒ₇ ，ＣｅＩｒ₅ ，ＣａＰｄ，
ＣａＰｄ₂ ，ＣａＧｅ，Ｃａ₂Ｇｅ，ＧｅＮａ₃ ，Ｇｅ
Ｎａ，ＣａＳｉ₂ ，Ｃａ₂Ｓｉ，ＣａＳｉ，Ｓｅ₂Ｓｒ，
Ｓｅ₃Ｓｒ₂ ，ＳｅＳｒ，ＧｅＳｒ₂ ，ＧｅＳｒ，Ｇｅ₂
Ｓｒ，ＳｎＳｒ，Ｓｎ₃Ｓｒ₅ ，ＳｎＳｒ₂ ，Ｃｅ₂Ｔ
ｌ，Ｃｅ₅Ｔｌ₃ ，ＣｅＴｌ₃ ，Ｃｅ₃Ｔｌ₅，ＣｅＴ
ｌ，ＢａＴｌ，Ｐｄ₁₃Ｔｌ₉ ，Ｐｄ₂Ｔｌ，Ｐｄ₃Ｔｌ，
Ｍｇ₂Ｓｉ，Ｍｇ₂Ｇｅ，ＢａＰｄ₂ ，ＢａＰｄ₅ ，Ｃｅ
₄Ｓｅ₇ ，Ｃｅ₃Ｓｅ₄ ，Ｃｅ₂Ｓｅ₃ ，ＣｅＳｅ，Ｃｅ₅
Ｇｅ₃ ，Ｃｅ₄Ｇｅ₃，Ｃｅ₅Ｇｅ₄ ，ＣｅＧｅ，Ｃｅ₃Ｇ
ｅ₅ ，Ｃｅ₅Ｓｉ₃ ，Ｃｅ₃Ｓｉ₂ ，Ｃｅ₅Ｓｉ₄ ，Ｃｅ
Ｓｉ，Ｃｅ₃Ｓｉ₅ ，ＣｅＳｉ₂，ＣｅＴｅ₃ ，Ｃｅ₂Ｔ
ｅ₅ ，ＣｅＴｅ₂ ，Ｃｅ₄Ｔｅ₇ ，Ｃｅ₃Ｔｅ₄ ，ＣｅＴ
ｅ，Ｌａ₃Ｓｅ₇ ，ＬａＳｅ₂ ，Ｌａ₄Ｓｅ₇ ，Ｌａ₂Ｓ
ｅ₃ ，Ｌａ₃Ｓｅ₄ ，ＬａＳｅ，ＧｅＬａ₃ ，Ｇｅ₃Ｌａ
₅ ，Ｇｅ₃Ｌａ₄ ，Ｇｅ₄Ｌａ₅ ，ＧｅＬａ，Ｇｅ₅Ｌａ
₃ ，ＢａＳｅ₂，Ｂａ₂Ｓｅ₃ ，ＢａＳｅ，ＰｄＳｅ，Ｍ
ｏ₃Ｓｅ₄ ，ＭｏＳｅ₂ ，Ｂａ₂Ｇｅ，ＢａＧｅ₂ ，Ｂａ
Ｇｅ，Ｂａ₂Ｔｅ₃ ，ＢａＴｅ，Ｇｅ₂Ｐｄ₅，ＧｅＰ
ｄ₂，Ｇｅ₉Ｐｄ₂₅，ＧｅＰｄ，Ｇｅ₃Ｐｔ，Ｇｅ₃Ｐ
ｔ₂ ，ＧｅＰｔ，Ｇｅ₂Ｐｔ₃ ，ＧｅＰｔ₂ ，ＧｅＰｔ
₃ ，Ｐｕ₃Ｓｎ，Ｐｕ₅Ｓｎ₃ ，Ｐｕ₅Ｓｎ₄，Ｐｕ₈Ｓｎ
₇ ，Ｐｕ₇Ｓｎ₈ ，ＰｕＳｎ₂ ，ＰｕＳｎ₃ ，Ｐｔ₅Ｔｅ
₄ ，Ｐｔ₄Ｔｅ₅ ，ＰｔＴｅ₂ ，ＧｅＮｉ，Ｇｅ₃Ｎ
ｉ₅ ，Ｇｅ₂Ｎｉ₅ ，ＧｅＮｉ₃ ，ＮｉＴｅ_0.85，Ｎｉ
Ｔｅ_0.775 ，Ｎｉ₃±_xＴｅ_x ，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₁₉，ＣｒＧ
ｅ，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₈ ，Ｃｒ₅Ｇｅ₃ ，Ｃｒ₃Ｇｅ，ＣｒＳｉ
₂ ，Ｃｒ₅Ｓｉ₃ ，Ｃｒ₃Ｓｉ，Ｃｒ₅Ｔｅ₈ ，Ｃｒ₄Ｔｅ
₅ ，Ｃｒ₃Ｔｅ₄ ，Ｃｒ_1-xＴｅ，Ｇｅ₃Ｍｎ₅ ，ＧｅＭ
ｎ₂ ，Ｍｎ₆Ｓｉ，Ｍｎ₉Ｓｉ₂ ，Ｍｎ₃Ｓｉ，Ｍｎ₅Ｓｉ
₂ ，Ｍｎ₅Ｓｉ₃ ，ＭｎＳｉ，Ｍｎ₁₁Ｓｉ₁₉，Ｍｎ₂Ｓ
ｎ，Ｍｎ_3.25Ｓｎ，ＭｎＴｅ，Ｔｅ₂Ｗ，ＦｅＧｅ₂ ，
Ｆｅ₅Ｇｅ₃ ，Ｆｅ₃Ｇｅ，Ｆｅ₂Ｓｉ，Ｆｅ₅Ｓｉ₃ ，Ｆ
ｅＳｉ，ＦｅＳｉ₂ ，Ｇｅ₂Ｍｏ，Ｇｅ₄₁Ｍｏ₂₃，Ｇｅ
₁₆Ｍｏ₉ ，Ｇｅ₂₃Ｍｏ₁₃，Ｇｅ₃Ｍｏ₅ ，ＧｅＭｏ₃，Ｍ
ｏ₃Ｓｉ，Ｍｏ₅Ｓｉ₃ ，ＭｏＳｉ₂ ，ＭｏＳｎ，ＭｏＳ
ｎ₂ ，Ｍｏ₃Ｔｅ₄,MoTe₂ ，Ｓｉ₂Ｔｉ，ＳｉＴｉ，Ｓｉ
₄Ｔｉ₅ ，Ｓｉ₃Ｔｉ₅ ，ＳｉＴｉ₃，Ｓｎ₅Ｔｉ₆ ，Ｓｎ
₃Ｔｉ₅ ，ＳｎＴｉ₂ ，ＳｎＴｉ₃ ，ＣｏＧｅ₂ ，Ｃｏ₅
Ｇｅ₇ ，ＣｏＧｅ，Ｃｏ₅Ｇｅ₃ ，Ｃｏ₄Ｇｅ，Ｃｏ₃Ｔ
ｅ₄ ，Ｇｅ₇Ｒｅ₃ ，Ｒｅ₅Ｓｉ₃ ，ＲｅＳｉ，ＲｅＳｉ
₂ ，Ｒｅ₂Ｔｅ。

【００９７】（６４）高融点成分の平均組成は、また、
前記Ａ群及び下記のＢ群に挙げた化合物，のうち少なく
とも一者、もしくはこれに近い組成あるいは、融点６０
０℃以上の化合物とすることができる。

【００９８】＜Ｂ群＞Ｃｓ₃Ｇｅ，Ｂａ₂Ｔｌ，ＧｅＰｄ
₃ ，Ｆｅ₆Ｇｅ₅ ，ＦｅＴｅ₂ ，Ｃｏ₅Ｇｅ₂ ，Ｎｄ₃Ｐ
ｄ，Ｃｓ₃Ｔｅ₂ ，Ｃｅ₄Ｉｒ，ＮａＰｄ，Ｃａ₉Ｐｄ，
Ｃａ₃Ｐｄ₂ ，Ｃａ₂Ｇｅ，Ｓｅ₃Ｓｒ，Ｃｅ₃Ｔｌ，Ｃｅ
Ｓｅ₂ ，Ｃｅ₃Ｇｅ，ＢａＳｅ₃ ，ＧｅＳｅ₂ ，ＧｅＳ
ｅ，ＢａＴｅ₂ ，ＧｅＰｄ₅ ，Ｇｅ₈Ｍｎ₁₁，ＭｎＴｅ
₂ ，Ｇｅ₃Ｗ₂ ，ＦｅＧｅ，Ｆｅ₄Ｇｅ₃ ，Ｆｅ₃Ｓｎ，
Ｆｅ₃Ｓｎ₂ ，ＦｅＳｎ，ＣｏＴｅ₂。

【００９９】（６５）高融点成分の平均組成は、また、
前記Ｂ群及び下記Ｃ群に挙げた化合物，のうち少なくと
も一者、もしくはこれに近い組成、あるいは、融点４０
０℃以上の化合物とすることができる。

【０１００】＜Ｃ群＞Ｂａ₄Ｔｌ，ＣｓＴｅ，Ｂａ₄Ｔ
ｌ，Ｂａ₁₃Ｔｌ，Ｃｄ₁₁Ｎｄ，Ｃｄ₆Ｎｄ，Ｃｓ₅Ｔ
ｅ₄ ，Ｃａ₃Ｐｄ，Ｃａ₅Ｐｄ₂ ，Ｓｎ₃Ｓｒ，Ｂａ₁₃Ｔ
ｌ，ＰｄＴｌ₂，ＦｅＳｅ₂ ，ＦｅＳｅ，Ｃｒ₂Ｔｅ₃ ，
ＣｒＴｅ₃ ，ＦｅＳｎ₂ 。

【０１０１】（６６）高融点成分として前記Ａ群に挙げ
たものを使用するとき、相変化成分の平均組成は、下記
Ｄ群の組成のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い
組成あるいは、融点６５０℃以下の化合物であることが
好ましい。

【０１０２】＜Ｄ群＞Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，
Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｍｇ，Ｔｌ₂Ｓ
ｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ₂Ｓｅ₃ ，Ｔｌ₃Ｔｅ₂ ，ＴｌＴｅ，
ＩｎＢｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−
Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓ
ｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉ
ｎ，Ｉｎ₃ＳｅＴｅ₂ ，ＡｇＩｎＴｅ₂ ，ＧｅＳｂ₄Ｔｅ
₇ ，Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ ，ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，ＧｅＢｉ₄Ｔ
ｅ₇ ，ＧｅＢｉ₂Ｔｅ₄ ，Ｇｅ₃Ｂｉ₂Ｔｅ₆ ，Ｓｎ₂Ｓｂ
₆Ｓｅ₁₁，Ｓｎ₂Ｓｂ₂Ｓｅ₅ ，ＳｎＳｂ₂Ｔｅ₄ ，Ｐｂ₂
Ｓｂ₆Ｔｅ₁₁，ＣｕＡｓＳｅ₂ ，Ｃｕ₃ＡｓＳｅ₃ ，Ｃｕ
ＳｂＳ₂ ，ＣｕＳｂＳｅ₂ ，ＩｎＳｅ，Ｓｂ₂Ｓｅ₃ ，
Ｓｂ₂Ｔｅ₃ ，Ｂｉ₂Ｔｅ₃ ，ＳｎＳｂ，ＦｅＴｅ，Ｆｅ
₂Ｔｅ₃ ，ＦｅＴｅ₂ ，ＺｎＳｂ，Ｚｎ₃Ｓｂ₂ ，ＶＴｅ
₂ ，Ｖ₅Ｔｅ₈ ，ＡｇＩｎ₂ ，ＢｉＳｅ，ＩｎＳｂ，Ｉ
ｎ₂Ｔｅ，Ｉｎ₂Ｔｅ₅ ，Ｂａ₄Ｔｌ，Ｃｄ₁₁Ｎｄ，Ｂａ
₁₃Ｔｌ，Ｃｄ₆Ｎｄ，Ｂａ₂Ｔｌ。

【０１０３】（６７）高融点成分として前記Ｂ群に挙げ
たものを使用するとき、相変化成分の平均組成は、下記
Ｅ群の組成のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い
組成あるいは、融点４５０℃以下の化合物であることが
好ましい。

【０１０４】＜Ｅ群＞Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，
Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｔｌ₂Ｓｅ，ＴｌＳｅ，
Ｔｌ₂Ｓｅ₃ ，Ｔｌ₃Ｔｅ₂ ，ＴｌＴｅ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ
₂Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓ
ｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ，
Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，Ｂａ₄Ｔｌ。

【０１０５】（６８）高融点成分として前記Ｃ群に挙げ
たものを使用するとき、相変化成分の平均組成は、下記
Ｆ群の組成のうち少なくとも一者、もしくはこれに近い
組成あるいは、融点２５０℃以下の化合物であることが
好ましい。

【０１０６】＜Ｆ群＞Ｓｎ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｉ
ｎＢｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔ
ｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，
Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ。

【０１０７】（６９）超解像読み出し用薄膜の組成また
は膜厚は、内周と外周において異なることが好ましく、
超解像読み出し用薄膜のトラック周辺部も結晶化するの
が好ましい。 本発明による超解像読み出し用薄膜は、
すでに情報が記録されたＲＯＭディスク及び情報を記録
できるＲＡＭディスクのいずれの情報記録媒体にも適用
できる。

【０１０８】（７０）本発明による超解像読み出し用薄
膜を備える情報記録媒体の超解像読み出し用装置は、超
解像読み出し用薄膜の最高温度となる領域でも膜全体は
融解しないで高融点成分が固相に留まる超解像読み出し
パワーにプリセットがされているか、手動または自動で
設定する手段を有することが好ましい。また、超解像読
み出し時の反射光強度分布の乱れを検出する手段と、上
記乱れの大きさに応じてレーザパワーを調節する手段を
有することが好ましい。また、超解像読み出し時のレー
ザパワーをオートフォーカスやトラッキングに必要なパ
ワーに比較して２倍以上大きくする手段を有することが
好ましく、３倍以上大きくする手段を有することがより
好ましい。この装置は、本発明以外の媒体に用いても、
超解像読み出しレーザパワー一定の場合より良好な結果
が得られる。

【０１０９】（７１）超解像読み出しレーザ光はパルス
光とし、レーザパルスの周期Ｔ、線速ｖ、スポット径
（λ／ＮＡ）、パルス幅ｘが下記（９）及び（１０）の
関係を満たすことが好ましく、 ０．４λ／ＮＡ≦ｖＴ≦１．５λ／ＮＡ （９） ０．３≦ｘ／Ｔ≦０．５ （１０） さらに下記（１２）及び（１０）の関係を満たすことが
より好ましい。

【０１１０】 ０．５λ／ＮＡ≦ｖＴ≦０．９λ／ＮＡ （１２） （７２）基板上に直接または保護層を介して形成され
た、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列変
化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜におい
て、当該薄膜を有する情報記録用媒体を用いる情報の記
録再生装置または媒体初期結晶化用装置でレーザ光を繰
り返し照射することにより、当該薄膜の残成分より相対
的に融点が高い高融点成分が析出し、その析出物が当該
薄膜の残成分からなる領域内に分布する特徴を持つ。

【０１１１】（７３）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用
薄膜を有する情報記録用媒体を用いる情報の記録再生方
法または媒体初期結晶化用方法においてレーザ光を繰り
返し照射することにより、当該薄膜の残成分より相対的
に融点が高い高融点成分が析出し、その析出物が当該薄
膜の残成分からなる領域内に分布する特徴を持つ。

【０１１２】（７４）（１）から（６）に記載の情報記
録用薄膜において、当該薄膜を有する情報記録用媒体を
用いる情報の記録再生装置または媒体初期結晶化用装置
においてレーザ光を繰り返し照射することにより、当該
薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分が析出
し、その析出物が当該薄膜の残成分からなる領域内に分
布し、その析出物が前記ＢおよびＸの少なくとも一方で
表わされる元素を含むことを特徴とする。

【０１１３】（７５）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用
媒体の製造方法であって、基板上に保護層、記録膜また
は超解像読みだし膜、中間層、反射層を形成する工程
と、これに別の基板または同様にして前記各層を形成し
た別の基板を貼り合わせる工程と前記媒体にエネルギー
ビームを照射して前記薄膜中に高融点成分を生成または
成長させる工程とを備えてなることを特徴とする。

【０１１４】（７６）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録・再生する情報記録用
媒体の製造方法であって、基板上に保護層を形成する工
程と高融点成分の材料あるいは高融点成分の組成に近い
組成を持つ材料を被着させて島状の種結晶を形成する工
程と、前記種結晶の上に前記高融点成分と前記残成分と
を含む材料を被着させ、前記高融点成分を選択的に前記
種結晶上に成長させると共に、それら種結晶の間を埋め
るように前記残成分を成長させる工程と中間層、反射層
を形成する工程と、これに別の基板または同様にして前
記各層を形成した別の基板を貼り合わせる工程と備えて
なることを特徴とする。

【０１１５】（７７）基板上に直接または保護層を介し
て形成された、エネルギービームの照射を受けて生じる
原子配列変化によって情報を記録または再生する情報記
録用媒体の製造方法であって、基板上に保護層を形成す
る工程と、相変化成分と高融点成分より成る膜の形成を
行ないつつ高融点成分の含有量を膜厚方向に変化させる
工程と、中間層、反射層を形成する工程と、これに別の
基板または同様にして前記各層を形成した別の基板を貼
り合わせる工程を備えてることを特徴とする。

【０１１６】（７８）前記高融点成分としては、例え
ば、ＬａＴｅ₃，ＬａＴｅ₂，Ｌａ₂Ｔｅ₃，Ｌａ₃Ｔｅ₄，
ＬａＴｅ，Ｌａ₂Ｔｅ₅，Ｌａ₄Ｔｅ₇，Ｌａ₃Ｔｅ，Ｌａ₂
Ｓｂ，Ｌａ₃Ｓｂ₂，ＬａＳｂ，ＬａＳｂ₂，Ｌａ₃Ｇｅ，
Ｌａ₅Ｇｅ₃，Ｌａ₄Ｇｅ₃，Ｌａ₅Ｇｅ₄，ＬａＧｅ，Ｌａ
₃Ｇｅ₅，Ａｇ₂Ｔｅ，Ｃｒ₃Ｔｅ₄，Ｃｒ₅Ｔｅ₈，Ｃｒ₂Ｔ
ｅ₃，Ｃｒ₄Ｔｅ₅，ＣｒＳｂ，Ｃｒ₃Ｇｅ，Ｃｒ₅Ｇｅ₃，
Ｃｒ₁₁Ｇｅ₈，ＣｒＧｅ，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₁₉，ＰｔＴｅ₂，Ｐ
ｔ₄Ｔｅ₅，Ｐｔ₅Ｔｅ₄，Ｐｔ₄Ｓｂ，Ｐｔ₃Ｓｂ₂，Ｐｔ
Ｓｂ，Ｐｔ₃Ｇｅ，Ｐｔ₂Ｇｅ，Ｐｔ₃Ｇｅ₂，ＰｔＧｅ，
Ｐｔ₂Ｇｅ₃，ＰｔＧｅ₃，ＮｉＴｅ，ＮｉＴｅ_0.85，Ｎ
ｉＳｂ，Ｎｉ₃Ｇｅ，Ｎｉ₅Ｇｅ₂，Ｎｉ₅Ｇｅ₃，ＮｉＧ
ｅ，ＣｏＴｅ，ＣｏＴｅ₂，Ｃｏ₃Ｔｅ₄，ＣｏＳｂ，Ｃ
ｏＳｂ₂，ＣｏＳｂ₃，Ｃｏ₅Ｇｅ₂，Ｃｏ₅Ｇｅ₃，ＣｏＧ
ｅ，Ｃｏ₅Ｇｅ₇，ＣｏＧｅ₂，Ｓｉ₂Ｔｅ₃，ＳｉＳｂ，
ＳｉＧｅ，ＣｅＴｅ，Ｃｅ₃Ｔｅ₄，Ｃｅ₂Ｔｅ₃，Ｃｅ₄
Ｔｅ₇，ＣｅＴｅ₂，ＣｅＴｅ₃，Ｃｅ₂Ｓｂ，Ｃｅ₅Ｓ
ｂ₃，Ｃｅ₄Ｓｂ₅，ＣｅＳｂ，ＣｅＳｂ₂，Ｃｅ₃Ｇｅ，
Ｃｅ₅Ｇｅ₃，Ｃｅ₄Ｇｅ₃，Ｃｅ₅Ｇｅ₄，ＣｅＧｅ，Ｃｅ
₃Ｇｅ₅，Ｃｅ₅Ｓｉ₃，Ｃｅ₃Ｓｉ₂，Ｃｅ₅Ｓｉ₄，ＣｅＳ
ｉ，Ｃｅ₃Ｓｉ₅，ＣｅＳｉ₂，Ｃｒ₃Ｓｉ，Ｃｒ₅Ｓｉ₃，
ＣｒＳｉ，ＣｒＳｉ₃，ＣｒＳｉ₂，Ｃｏ₃Ｓｉ，ＣｏＳ
ｉ，ＣｏＳｉ₂，ＮｉＳｉ₂，ＮｉＳｉ，Ｎｉ₃Ｓｉ₂，Ｎ
ｉ₂Ｓｉ，Ｎｉ₅Ｓｉ₂，Ｎｉ₃Ｓｉ，Ｐｔ₅Ｓｉ₂，Ｐｔ₂
Ｓｉ，ＰｔＳｉ，ＬａＳｉ₂，Ａｇ₃Ｉｎ，Ａｇ₂Ｉｎ，
Ｂｉ₂Ｃｅ，ＢｉＣｅ，Ｂｉ₃Ｃｅ₄，Ｂｉ₃Ｃｅ₅，Ｂｉ
Ｃｅ₂，Ｃｄ₁₁Ｃｅ，Ｃｄ₆Ｃｅ，Ｃｄ₅₈Ｃｅ₁₃，Ｃｄ₃
Ｃｅ，Ｃｄ₂Ｃｅ，ＣｄＣｅ，Ｃｅ₃Ｉｎ，Ｃｅ₂Ｉｎ，
Ｃｅ_1+xＩｎ，Ｃｅ₃Ｉｎ₅，ＣｅＩｎ₂，ＣｅＩｎ₃，Ｃ
ｅ₂Ｐｂ，ＣｅＰｂ，ＣｅＰｂ₃，Ｃｅ₃Ｓｎ，Ｃｅ₅Ｓｎ
₃，Ｃｅ₅Ｓｎ₄，Ｃｅ₁₁Ｓｎ₁₀，Ｃｅ₃Ｓｎ₅，Ｃｅ₃Ｓｎ
₇，Ｃｅ₂Ｓｎ₅，ＣｅＳｎ₃，ＣｅＺｎ，ＣｅＺｎ₂，Ｃ
ｅＺｎ₃，Ｃｅ₃Ｚｎ₁₁，Ｃｅ₁₃Ｚｎ₅₈，ＣｅＺｎ₅，Ｃ
ｅ₃Ｚｎ₂₂，Ｃｅ₂Ｚｎ₁₇，ＣｅＺｎ₁₁，Ｃｄ₂₁Ｃｏ₅，
ＣｏＧａ，ＣｏＧａ₃，ＣｏＳｎ，Ｃｒ₃Ｇａ，ＣｒＧ
ａ，Ｃｒ₅Ｇａ₆，ＣｒＧａ₄，Ｃｕ₉Ｇａ₄，Ｃｕ₃Ｓｎ，
Ｃｕ₃Ｚｎ，Ｂｉ₂Ｌａ，ＢｉＬａ，Ｂｉ₃Ｌａ₄，Ｂｉ₃
Ｌａ₅，ＢｉＬａ₂，Ｃｄ₁₁Ｌａ，Ｃｄ₁₇Ｌａ₂，Ｃｄ₉Ｌ
ａ₂，Ｃｄ₂Ｌａ，ＣｄＬａ，Ｇａ₆Ｌａ，Ｇａ₂Ｌａ，Ｇ
ａＬａ，Ｇａ₃Ｌａ₅，ＧａＬａ₃，Ｉｎ₃Ｌａ，Ｉｎ₂Ｌ
ａ，Ｉｎ₅Ｌａ₃，Ｉｎ_xＬａ，ＩｎＬａ，ＩｎＬａ₂，Ｉ
ｎＬａ₃，Ｌａ₅Ｐｂ₃，Ｌａ₄Ｐｂ₃，Ｌａ₁₁Ｐｂ₁₀，Ｌ
ａ₃Ｐｂ₄，Ｌａ₅Ｐｂ₄，ＬａＰｂ₂，ＬａＰｂ₃，ＬａＺ
ｎ，ＬａＺｎ₂，ＬａＺｎ₄，ＬａＺｎ₅，Ｌａ₃Ｚｎ₂₂，
Ｌａ₂Ｚｎ₁₇，ＬａＺｎ₁₁，ＬａＺｎ₁₃，ＮｉＢｉ，Ｇ
ａ₃Ｎｉ₂，ＧａＮｉ，Ｇａ₂Ｎｉ₃，Ｇａ₃Ｎｉ₅，ＧａＮ
ｉ₃，Ｎｉ₃Ｓｎ，Ｎｉ₃Ｓｎ₂，Ｎｉ₃Ｓｎ₄，ＮｉＺｎ，
Ｎｉ₅Ｚｎ₂₁，ＰｔＢｉ，ＰｔＢｉ₂，ＰｔＢｉ₃，Ｐｔ
Ｃｄ₂，Ｐｔ₂Ｃｄ₉，Ｇａ₇Ｐｔ₃，Ｇａ₂Ｐｔ，Ｇａ₃Ｐ
ｔ₂，ＧａＰｔ，Ｇａ₃Ｐｔ₅，ＧａＰｔ₂，ＧａＰｔ₃，
Ｉｎ₇Ｐｔ₃，Ｉｎ₂Ｐｔ，Ｉｎ₃Ｐｔ₂，ＩｎＰｔ，Ｉｎ₅
Ｐｔ₆，Ｉｎ₂Ｐｔ₃，ＩｎＰｔ₂，ＩｎＰｔ₃，Ｐｔ₃Ｐ
ｂ，ＰｔＰｂ，Ｐｔ₂Ｐｂ₃，Ｐｔ₃Ｓｎ，ＰｔＳｎ，Ｐ
ｔ₂Ｓｎ₃，ＰｔＳｎ₂，ＰｔＳｎ₄，Ｐｔ₃Ｚｎ，ＰｔＺ
ｎ₂，ＡｌＳ，Ａｌ₂Ｓ₃，ＢａＳ，ＢａＣ₂，ＣｄＳ，Ｃ
ｏ₄Ｓ₃，Ｃｏ₉Ｓ₈，ＣｏＳ，ＣｏＯ，Ｃｏ₃Ｏ₄，Ｃｏ₂
Ｏ₃，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｃｒ₃Ｏ₄，ＣｒＯ，ＣｒＳ，ＣｒＮ，
Ｃｒ₂Ｎ，Ｃｒ₂₃Ｃ₆，Ｃｒ₇Ｃ₃，Ｃｒ₃Ｃ₂，Ｃｕ₂Ｓ，
Ｃｕ₉Ｓ₅，ＣｕＯ，Ｃｕ₂Ｏ，Ｉｎ₄Ｓ₅，Ｉｎ₃Ｓ₄，Ｌ
ａ₂Ｓ₃，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｍｏ₂Ｃ，ＭｏＣ，Ｍｎ₂₃Ｃ₆，Ｍｎ
₄Ｃ，Ｍｎ₇Ｃ₃，ＮｉＯ，ＳｉＳ₂，ＳｉＯ₂，Ｓｉ
₃Ｎ₄，Ｃｕ₂Ｔｅ，ＣｕＴｅ，Ｃｕ₃Ｓｂ，Ｍｎ₂Ｓｂ，
ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ₂，Ｍｎ₅Ｇｅ₃，Ｍｎ_3.25Ｇｅ，Ｍ
ｎ₅Ｇｅ₂，Ｍｎ₃Ｇｅ₂，Ｇｅ₃Ｗ，Ｔｅ₂Ｗ，ＡｌＳｂ，
Ａｌ₂Ｔｅ₃，Ｆｅ₂Ｇｅ，ＦｅＧｅ₂，ＦｅＳｂ₂，Ｍｏ₃
Ｓｂ₇，Ｍｏ₃Ｔｅ₄，ＭｏＴｅ₂，ＰｂＴｅ，ＧｅＰ
ｄ₂，Ｇｅ₂Ｐｄ₅，Ｇｅ₉Ｐｄ₂₅，ＧｅＰｄ₅，Ｐｄ₃Ｓ
ｂ，Ｐｄ₅Ｓｂ₃，ＰｄＳｂ，ＳｎＴｅ，Ｔｉ₅Ｇｅ₃，Ｇ
ｅ₃₁Ｖ₁₇，Ｇｅ₈Ｖ₁₁，Ｇｅ₃Ｖ₅，ＧｅＶ₃，Ｖ₅Ｔｅ₄，
Ｖ₃Ｔｅ₄，ＺｎＴｅ，Ａｇ₂Ｓｅ，Ｃｕ₂Ｓｅ，Ａｌ₂Ｓ
ｅ₃，ＩｎＡｓ，ＣｏＳｅ，Ｍｎ₃Ｉｎ，Ｎｉ₃Ｉｎ，Ｎ
ｉＩｎ，Ｎｉ₂Ｉｎ₃，Ｎｉ₃Ｉｎ₇，ＰｂＳｅ，などの高
融点化合物、あるいはこれらに近い組成の高融点化合
物、あるいはこれらの混合物、あるいはこれらの混合組
成に近い３元以上の化合物がある。

【０１１７】これらの中では、ＬａＳｂ，ＣｒＳｂ，Ｃ
ｏＳｂ，Ｃｒ₃Ｔｅ₄，Ｃｒ₂Ｔｅ₃，Ｃｒ₄Ｔｅ₅，ＣｏＴ
ｅ，Ｃｏ₃Ｔｅ₄，ＬａＴｅ₃，Ｃｕ₂Ｔｅ，ＣｕＴｅ，Ｃ
ｕ₃Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ₂，Ｍｎ₂Ｓｂのうちの少
なくとも１つが特に好ましい。その理由は、屈折率が残
成分に近いので、ノイズが発生しにくく融点も高いこと
にある。

【０１１８】前記高融点成分中に含まれる酸化物、硫化
物、窒化物、炭化物の含有量は、前記高融点成分の全構
成原子数の４０原子％未満とするのが好ましく、１０原
子％未満とするのが特に好ましい。これらの含有量が４
０原子％以上であると、当該薄膜の高融点成分以外の成
分すなわち残成分との複素屈折率の差を小さくできなか
ったり、当該残成分中に酸素等が拡散して記録・再生特
性を劣化させたりする問題を生じやすいからである。

【０１１９】前記情報記録用薄膜では、前記高融点成分
の析出物が分布した状態で情報の記録・再生・消去を行
なうものであるから、前記高融点成分と、可逆的に相変
化する成分との混合組成になっているのが好ましい。こ
こで「相変化」とは、結晶状態−非晶質状態間の相変化
だけでなく、結晶状態−結晶質状態間の相変化も含む。

【０１２０】可逆的に相変化する成分としては、既知の
相変化記録材料の他、好適な相変化特性を持った材料で
あれば任意のものを使用することができるが、高融点成
分の例として前で述べた多数の化合物の中では、Ｃｒな
どの遷移金属元素を含む化合物が好ましく、且つその遷
移金属元素の含有量は当該薄膜の総構成原子数の４０原
子％以下が好ましく、３４原子％以下がより好ましい。
この条件が満たされると、析出する高融点成分とＴｅ系
またはＳｂ系の相変化成分との界面反射率を小さくする
効果が大きくなるという利点がある。

【０１２１】前記高融点成分の屈折率の実数部ｎ₁と虚
数部ｋ₁の値は、前記高融点成分と相変化成分との界面
での光散乱を防ぐ観点から、前記相変化成分の結晶状態
での実数部ｎ₂と虚数部ｋ₂の値のそれぞれ±４０％以内
であるのが好ましく、±２０％以内であるのがより好ま
しい。

【０１２２】ｎ₁とｎ₂の差が±１０％以内、ｋ₁とｋ₂の
差が±７０％以内であり、且つ｜〔（ｎ₁＋ｉｋ₁）−
（ｎ₂＋ｉｋ₂）〕／〔（ｎ₁＋ｉｋ₁）＋（ｎ₂＋ｉ
ｋ₂）〕｜²で表わされる界面反射率が６％以下があるの
が好ましい。また、ｎ₁とｎ₂の差が±１０％以内、ｋ₁
とｋ₂の差が±７０％以内であり、且つ界面反射率が２
％以下であるのがより好ましい。これらの条件を満たす
ことは、膜厚を厚くして再生信号レベルを大きくし、界
面での光散乱を防ぐのに好ましい。

【０１２３】高融点成分の屈折率（ｎ，ｋ）の好ましい
範囲は、相変化成分がＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系の場合は、 ５．０≦ｎ≦６．２， １．１≦ｋ≦６．１ であり、 相変化成分がＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の場合は、 １．５≦ｎ≦１．８， ０．６≦ｋ≦３．６ である。

【０１２４】高融点成分が前記情報記録用薄膜におい
て、高融点成分の析出物を明確に判別できない場合は、
次のように解する。すなわち、当該薄膜の平均組成から
前記高融点成分以外の残成分（例えば相変化成分）の組
成のいずれか一つを除くと、残部の８０％以上、より好
ましくは９０％以上がこの発明の融点の条件を満たす高
融点成分の組成となる場合、この発明の高融点成分が析
出しているものとする。

【０１２５】情報記録用薄膜の保護に用いる「保護層」
は、有機物でもよいし無機物でもよいが、無機物の方が
耐熱性の面で好ましい。しかし、機械的強度を増すため
に、基板とは別に形成した無機物の保護層を厚くする
と、クラック発生、透過率低下、感度低下などを生じや
すいので、この保護層を薄くする一方、この保護層の当
該情報記録用薄膜と反対の側に厚い有機物層を密着させ
るのが好ましい。この有機物層は基板とは別に形成した
層でもよいし、有機物の基板でもよい。これによって変
形が起こり難くなる。

【０１２６】有機物の保護層は、例えばアクリル樹脂、
ポリカーボネート、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、ポ
リイミド、ポリアミド、ポリスチレン、ポリエチレン、
ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリ４フッ化エチレン
（テフロン）などのフッ素樹脂などにより形成すること
ができる。ホットメルト接着剤として知られているエチ
レン−酢酸ビニル共重合体などや、粘着剤などでもよ
い。これらの樹脂の少なくとも１つを主成分とする紫外
線硬化樹脂で形成してもよい。有機物の基板で保護層を
兼ねてもよい。

【０１２７】無機物の保護層は、例えば酸化物、弗化
物、窒化物、硫化物、セレン化物、炭化物、ホウ化物、
ホウ素、炭素、あるいは金属などを主成分とする無機物
などにより形成することができる。ガラス、石英、サフ
ァイア、鉄、チタン、あるいはアルミニウムを主成分と
する無機物の基板で保護層を兼ねてもよい。

【０１２８】無機物の保護層の例としては、Ｃｅ，Ｌ
ａ，Ｓｉ，Ｉｎ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｔ
ｅ，Ｔａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒおよ
びＷよりなる群より選ばれた少なくとも１つの元素の酸
化物、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐ
ｂよりなる群より選ばれた少なくとも１つの元素の硫化
物またはセレン化物、Ｍｇ，Ｃｅ，Ｃａなどの弗化物、
Ｓｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｂなどの窒化物、または、ホウ素あ
るいは炭素より成るものであって、たとえば主成分が、
ＣｅＯ₂，Ｌａ₂Ｏ₃，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂，Ｉｎ₂Ｏ₃，Ａｌ
₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂ
ｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｓｃ
₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂，ＺｒＯ₂，ＣｄＳ，ＺｎＳ，Ｃ
ｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｓｂ₂Ｓ₃，
Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＭｇＦ₂，Ｃｅ
Ｆ₃，ＣａＦ₂，ＧｅＳ，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ₂，Ｓｎ
Ｓ，ＳｎＳ₂，ＳｎＳｅ，ＳｎＳｅ₂，ＰｂＳ，ＰｂＳ
ｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃，Ｂｉ₂Ｓ₃，ＴａＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａｌ
Ｎ，ＡｌＳｉＮ₂，Ｓｉ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，ＳｉＣ，
Ｂ，Ｃのうちの１つあるいはそれに近い組成をもったも
の、またはそれらの混合物がある。

【０１２９】これらのうち、硫化物では、ＺｎＳまたは
それに近い組成のものが、屈折率が適当な大きさで膜が
安定である点で好ましい。窒化物では、表面反射率があ
まり高くなく、膜が安定で強固である点で、ＴａＮ，Ｓ
ｉ₃Ｎ₄，ＡｌＳｉＮ₂またはＡｌＮ（窒化アルミニウ
ム）またはそれに近い組成のものが好ましい。酸化物で
は、膜が安定である点で、Ｙ₂Ｏ₃，Ｓｃ₂Ｏ₃，Ｃｅ
Ｏ₂，ＴｉＯ₂，ＺｒＯ₂，ＳｉＯ，Ｔａ₂Ｏ₅，Ｉｎ
₂Ｏ₃，Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｎＯ₂またはＳｉＯ₂またはそれらに
近い組成のものが好ましい。水素を含む非晶質Ｓｉでも
よい。

【０１３０】前記保護層を無機物−無機物、あるいは無
機物−有機物の２層あるいは３層以上の多層構成にすれ
ば、さらに保護効果が高まる。

【０１３１】前記保護層に混合物を使用すると、膜形成
が容易である。例えば、厚さ５０〜５００ｎｍの（Ｚｎ
Ｓ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層では、保護効果、記録・消去特
性、書き換え特性ともに良好であり、膜の形成も容易で
ある。

【０１３２】前記保護層はまた、有機物および無機物の
複合材料により形成することもできる。

【０１３３】無機物の保護層は、そのままの組成で電子
ビーム蒸着、スパッタリングなどにより形成してもよい
が、反応性スパッタリングあるいは、金属、半金属、半
導体の少なくとも１元素よりなる膜を形成した後に酸
素、硫黄、窒素のうちの少なくとも一つと反応させるよ
うにすると、成膜が容易となる。

【０１３４】一般に、薄膜に光を照射すると、薄膜の表
面からの反射光と薄膜の裏面からの反射光との重ね合わ
せにより干渉が生じる。そこで、薄膜の反射率の変化で
信号を読み取る場合には、記録用薄膜に近接して光を反
射する「反射層」を設けることにより、干渉の効果を大
きくし、それによって再生（読出し）信号を大きくする
ことができる。なお、光を吸収する吸収層としてもよ
い。

【０１３５】干渉の効果をより大きくするためには、記
録用薄膜と反射層の間に「中間層」を設けるのが好まし
い。中間層は、書き換え時に記録用薄膜と反射層との間
で相互拡散が起こるのを防止する作用、および反射層へ
の熱の逃げを減少させて記録感度を高め、、消え残りを
防止する作用がある。

【０１３６】中間層の材質を適当に選ぶと、情報記録用
薄膜の役割の少なくとも一部を担わせることもできる。
例えば、中間層をセレン化物で形成すると、記録用薄膜
の少なくとも一部の元素が中間層中へ拡散し、あるいは
中間層中の元素と反応し、あるいは中間層の少なくとも
一部の元素が記録用薄膜または反射層中へ拡散し、それ
によって記録用薄膜の一部の役割を果たすようになる。

【０１３７】中間層の膜厚は、３ｎｍ以上、４００ｎｍ
以下で、且つ、記録状態および消去状態のいずれか一方
において、読み出し光の波長付近で記録用薄膜の反射率
が極小値に近く、しかもその値が他方の状態において２
０％付近あるいはそれ以上となるようにするのが好まし
い。

【０１３８】反射層として、熱伝導率が２．０Ｗ／ｃｍ
・ｄｅｇ以上の高熱伝導率材料（例えばＡｕなど）を主
成分とする材料を用いると、熱拡散率が高くなり、高速
で結晶化する記録用薄膜を用いても、高パワーのレーザ
光を照射したときに確実に非晶質化するようになる。こ
の場合、中間層にも、熱伝導率の高い材料（例えばＡｌ
₂Ｏ₃，ＡｌＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＺｎＳなどあるいはそれに近
い組成の材料）を用いるか、ＳｉＯ₂などの熱伝導率が
中程度（０．０２Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ以上、０．１Ｗ／ｃ
ｍ・ｄｅｇ以下）の材料を用い、中間層を薄くするのが
特に好ましい。ただし、記録感度を高めるには、前記の
値よりも低い熱伝導率の材料で反射層を形成するのが好
ましい。

【０１３９】反射層は、情報記録用薄膜の基板側に配置
してもよいし、情報記録用薄膜の基板とは反対側に配置
してもよい。

【０１４０】反射層の中間層とは反対の側に、前記保護
層に使用可能な無機物よりなる保護層（上びき層）を形
成すれば、さらに好ましい。これら中間層、反射層、保
護層よりなる３層構成では、全体として、単層の保護層
より強固となる。

【０１４１】前記基板、記録用薄膜、保護層、中間層お
よび反射層の形成は、真空蒸着、ガス中蒸着、スパッタ
リング、イオンビーム蒸着、イオンプレーティング、電
子ビーム蒸着、射出成形、キャスティング、回転塗布、
プラズマ重合などの方法からいずれかを適宜選定して行
なえばよい。

【０１４２】前記記録用薄膜、保護層、中間層、反射
層、および反射層に隣接した保護層は、すべてスパッタ
リングにより形成するのが最も好ましい。

【０１４３】前記の情報記録用薄膜は、共蒸着や共スパ
ッタリングなどによって、保護膜用に使用可能な材料と
して前述した酸化物、弗化物、窒化物、有機物など、あ
るいは炭素または炭化物の中に分散させた形態としても
よい。そうすることによって、光吸収係数を調節し再生
信号強度を大きくすることができる場合がある。

【０１４４】この場合、混合比率は、薄膜中で酸素、弗
素、窒素、炭素が膜全体に対して占める原子数の割合が
４０％以下が好ましく、２０％以下がより好ましい。

【０１４５】このような複合膜化を行なうことにより、
結晶化の速度が低下し、感度が低下するのが普通である
が、有機物との複合膜化では感度が向上する。

【０１４６】一般に、相転移（相変化）によって情報の
記録を行なう場合、記録膜の全面をあらかじめ結晶化さ
せておくのが好ましいが、基板に有機物を用いている場
合には基板を高温にすることができない。そこで、それ
以外の方法で結晶化させる必要がある。

【０１４７】この場合の好ましい結晶化法としては、例
えば、スポット径が２μｍ以下となるように集束したレ
ーザ光の照射、キセノンランプや水銀ランプなどによる
紫外線照射と加熱、フラッシュランプ光の照射、高出力
ガスレーザや出力１Ｗ程度の高出力半導体レーザからの
大きなレーザ光スポットによる光の照射、あるいは加熱
とレーザ光照射との組合せなどがある。

【０１４８】スポット径を２μｍ以下まで集束したレー
ザ光を情報記録用薄膜に照射する場合、複数回の照射が
必要となる場合が多い。このため、単一のレーザ光で
は、薄膜に繰り返し照射することになり、長時間を要す
る。これを避けるには、半導体レーザアレイを用いる
か、ガスレーザのビームを複数に分割して同時に複数箇
所に照射するようにするのがよい。これにより、薄膜を
１回転するだけで多数回のレーザ光照射が可能となる。

【０１４９】各光スポットは、同一の記録トラック上に
並列させてもよいが、２つあるいはそれ以上のトラック
上に並列させてもよい。トラック上とトラック間に同時
に照射するようにすれば、さらに好ましい。各スポット
のレーザ光パワーは同じである必要はない。

【０１５０】ガスレーザあるいは高出力半導体レーザか
らの単一ビームを照射する場合、スポット径（円形の光
スポットであれば光強度が（１／２）になる位置での直
径、楕円形の光スポットであれば前記位置での長径）が
５μｍ以上、５ｍｍ以下とすると能率がよい。

【０１５１】結晶化を記録トラック上のみで生じさせ、
トラック間は非晶質のままとしてもよい。記録トラック
間のみを結晶化させてもよい。

【０１５２】例えば、Ｓｂ，Ｔｅ，ＧｅおよびＣｒを主
成分とする薄膜を複数の蒸発源からの回転蒸着によって
形成した場合、蒸着直後にはＳｂ，Ｔｅ，ＧｅおよびＣ
ｒの原子がうまく結合していない場合が多い。また、こ
の薄膜をスパッタリングによって形成した場合も、原子
配列が極めて乱れた状態になる。そこで、このような場
合には、まず、高いパワー密度のレーザ光を記録トラッ
ク上に照射して加熱し、高融点成分を析出させるととも
に、場合によっては薄膜を選択的に融解させるのがよ
い。その後、前記記録トラック上に低いパワー密度のレ
ーザ光を照射して前記薄膜を結晶化させる。こうする
と、トラック全周にわたって反射率が均一になりやすい
利点がある。

【０１５３】レーザ光などのエネルギービームを照射す
る前には、情報記録用薄膜中に高融点成分が存在しない
場合もあるが、以上のような結晶化処理により、その薄
膜中に高融点成分を析出あるいは成長させることができ
る。析出あるいは成長した高融点成分は、前述したよう
に、薄膜中にほぼ独立して粒状または柱状に分布し、あ
るいは、高融点成分が連続して多孔質状に分布する。前
者の場合は、当該薄膜の残成分（通常は相変化成分）の
中に高融点成分が分布する。後者の場合は、高融点成分
の析出物の多数の孔の中に残成分が埋め込まれる。

【０１５４】この第１の製造方法では、高融点成分は情
報記録用薄膜の両側の界面からその内部に向かって成長
しやすい。

【０１５５】結晶化するパワーレベルと非晶質に近い状
態にするパワーレベルとの間でパワー変調したレーザ光
で情報を記録（オーバーライト）することは、薄膜の結
晶化後の状態の如何に関わらず可能である。

【０１５６】この発明の第１〜第６の情報記録用薄膜で
は、必ずしも非晶質状態と結晶状態の間の変化を記録に
利用する必要はなく、膜の形状変化をほとんど伴わない
何らかの原子配列変化によって、光学的性質の変化を起
こさせれば足りる。前記高融点成分の析出物により、薄
膜の流動・偏析が確実に防止される。

【０１５７】例えば、結晶粒径や結晶形の変化、結晶と
準安定状態（π，γなど）との間の変化などでもよい。
非晶質状態と結晶状態の変化でもよいし、完全な非晶質
や結晶状態でなく両状態の部分が混在し、それらの比率
が変化するだけでもよい。

【０１５８】また、記録用薄膜と、保護層および中間層
のうちの少なくとも一つとの間で、これらの層を構成す
る原子のうちの一部が拡散、化学反応などにより移動す
ることにより、情報が記録されるものでもよいし、原子
の移動と相変化の両方により情報が記録されるものでも
よい。

【０１５９】この発明の第１の情報記録媒体は、前記第
１〜第６のいずれかの情報記録用薄膜を記録層として備
えていることを特徴とする。

【０１６０】前記情報記録用薄膜の少なくとも一方の界
面は、前記保護層に密着しているのが好ましい。保護層
により、情報書き換え時の薄膜の変形に起因するノイズ
増加を防止することができる。

【０１６１】この発明の第２の情報記録媒体は、前記第
１および第６の情報記録用薄膜のいずれかを、超解像読
出し用のマスク層として備えていることを特徴とする。

【０１６２】

【作用】この発明の第１〜第４の情報記録用薄膜および
それを用いた情報記録媒体では、ＳｂおよびＴｅに前記
ＢまたはＸに表される元素が添加されているので、レー
ザ光などの記録・再生光の照射によって融解しない高融
点成分の析出物が内部に生成される。このため、高融点
成分以外の残成分が前記光によって融解しても、その流
動および偏析が効果的に防止され、その結果、多数回書
き換えした際の流動および偏析が効果的に防止される。
また、析出した高融点成分が情報記録用薄膜の膜厚の厚
さまで大きい場合は上記薄膜が接している保護層や中間
層の熱膨張による変形を押さえ、保護層と中間層の間隔
を保つため、上記薄膜の流動防止効果がより高くなる。
このため、搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）が安定し、記録・
再生特性を良好に保ちながら従来より多数回の書き換え
あるいは読み出しが可能となる。

【０１６３】Ｓｂ、Ｔｅおよび前記ＢまたはＸで表わさ
れる元素にさらに前記Ａで表わされる元素が共存する
と、非晶質状態が安定に保持され、しかも記録・消去時
の結晶化が高速で行なわれるようになる。また、結晶化
速度が最適に制御され、搬送波対雑音比と消去比とが向
上する。

【０１６４】この発明の第５および第６の情報記録用薄
膜およびそれを用いた情報記録媒体では、レーザ光など
の記録・再生光が照射されても、内部に含まれている高
融点成分の析出物は融解しない。このため、高融点成分
以外の残成分が前記光によって融解しても、その流動お
よび偏析が効果的に防止される。その結果、記録・再生
特性を良好に保ちながら従来より多数回の書き換えある
いは読み出しが可能となる。

【０１６５】この発明の第１の情報記録媒体では、前記
第１〜第６の情報記録用薄膜を備えているので、記録・
再生特性を良好に保ちながら従来より多数回の書き換え
あるいは読み出しが可能となる。

【０１６６】この発明の第２の情報記録媒体では、前記
第１〜第６の情報記録用薄膜のいずれかよりなるマスク
層に光スポットが照射されると、光スポット内の高温部
では、前記高融点成分以外の残成分が少なくとも融解す
る。高温部の屈折率の実数部または虚数部（消衰係数）
は、光スポット外の低温部のそれよりも小さくなるた
め、前記マスク層により、光スポット径の領域の一部が
部分的にマスクされ、あたかも光スポット径が減少した
ようになる。その結果、光スポット径よりも小さい記録
マークを読み出すことができる、すなわち超解像読出し
が可能となる。

【０１６７】この発明の第３の情報記録媒体では、前記
第１〜第６の情報記録用薄膜のいずれかよりなる反射層
に光スポットが照射されると、光スポットの径内の高温
部の屈折率の実数部または消衰係数が光スポット外の低
温部のそれよりも小さくなる。このため、当該反射層の
高温部に照射された光の反射光には、記録マークの読み
取りに十分なコントラストが与えられなくなる。その結
果、あたかも光スポット径が減少したようになるため、
光スポット径より小さいピッチで形成された記録マーク
を読み出すことができる、すなわち超解像読出しが可能
となる。

【０１６８】また、相変化成分より相対的に融点が高い
高融点成分が析出しているため、超解像読み出し時に、
レーザ照射によって超解像読み出し膜が融解した際の流
動及び偏析が効果的に防止される。このため、良好な超
解像読み出し特性を保ちながら従来より多数回の超解像
読み出しを行うことが可能となる。

【０１６９】超解像読み出し用薄膜の平均組成を前記一
般式（８）で表されるものとするとき、式中のＡで表さ
れる元素は低温で融解するため、超解像読み出しが低温
で可能となり、相変化光ディスクをはじめとする位相ピ
ットで情報を記録した光ディスク以外の光ディスクでも
超解像読み出しを行うことができる。これに前記Ｂで表
される元素が共存すると、前記ＤとＥの化合物またはＥ
の元素またはＥの元素同士の化合物が高融点成分とな
り、超解像読み出し膜が融解した際の流動及び偏析を防
止する効果をもつ。（１２）式中のＦとして例えばＴｌ
を共存させると、Ｃ／Ｎを大きくさせることができる。

【０１７０】本発明の超解像読み出し用装置では、超解
像読み出し時にのみレーザパワーを大きくするため、超
解像読み出し膜の劣化を防ぎ、多数回の超解像読み出し
が可能となる。また、超解像読み出し時のレーザの周期
Ｔ、線速ｖ、スポット径（λ／ＮＡ）、パルス幅ｘが前
記（９）及び（１０）の関係を満たすことにより、超解
像読み出し時のマスク領域の大きさを適当に保ち、超解
像読み出し特性をよくすることができる。この装置は、
本発明以外の媒体に用いても、超解像読み出しレーザパ
ワー一定の場合より良好な結果が得られる。

【０１７１】

【実施例】以下、この発明を実施例によって詳細に説明
する。

【０１７２】〔実施例１〕 （構成・製法）図３は、この発明の第１実施例の情報記
録用薄膜を用いたディスク状情報記録媒体の断面構造を
示す。この媒体は次のようにして製作された。

【０１７３】まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表
面に断面Ｕ字形のトラッキング溝を有するポリカーボネ
ート基板１を形成した。次に、この基板１上に薄膜を順
次、形成するため、基板１をマグネトロン・スパッタリ
ング装置内に置いた。この装置は複数のターゲットを持
ち、積層膜を順次、形成することができるものである。
また、形成される膜の厚さの均一性および再現性に優れ
ている。

【０１７４】マグネトロン・スパッタリング装置によ
り、基板１上にまず（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜より
なる保護層２を膜厚約１２５ｎｍとなるように形成し
た。続いて、保護層２上に、高融点成分であるＣｒ₄Ｔ
ｅ₅膜（図示せず）を島状に平均膜厚３ｎｍまで形成し
た後、その上にＳｂ₁₆Ｔｅ₅₅Ｇｅ₁₆Ｃｒ₁₃、すなわち
（（Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅）₇（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₃）の組成の記
録膜３を膜厚約３０ｎｍまで形成した。この際、Ｃｒ₄
Ｔｅ₅ターゲットとＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ターゲットとによる
回転同時スパッタ法を用いた。島状Ｃｒ₄Ｔｅ₅膜のサイ
ズは２〜２０ｎｍ程度、島のピッチは（サイズ）×
（１．５〜１０）が望ましい。

【０１７５】Ｃｒ₄Ｔｅ₅膜は必ずしも形成する必要はな
い。その場合、記録膜３中に析出する高融点成分は、後
述する初期結晶化の際に生じるもののみとなる。

【０１７６】次に、記録膜３上に、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓｉ
Ｏ₂）₂₀膜よりなる中間層４を約２５ｎｍの膜厚まで形
成した後、その上に同じスパッタリング装置内でＡｌ₉₇
Ｔｉ₃膜よりなる反射層５を膜厚８０ｎｍまで形成し
た。こうして、第１のディスク部材を得た。

【０１７７】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２
ｍｍの基板１’上に順に積層された、膜厚約１２５ｎｍ
の（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる保護層２’、
平均膜厚３ｎｍのＣｒ₄Ｔｅ₅膜（図示せず）、膜厚約３
０ｎｍのＳｂ₁₆Ｔｅ₅₅Ｇｅ₁₆Ｃｒ₁₃、すなわち（（Ｇｅ
₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅）₇（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₃）の記録膜３’、膜厚
約２５ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる中
間層４’、および膜厚８０ｎｍのＡｌ₉₇Ｔｉ₃膜よりな
る反射層５’を備えている。

【０１７８】その後、塩化ビニル−酢酸ビニル系ホット
メルト接着剤層６を介して、前記第１および第２のディ
スク部材の反射層５，５’同士を貼り合わせ、図３に示
すディスク状情報記録媒体を得た。

【０１７９】この媒体では、反射層５，５’の全面を接
着すると、全面を接着しない場合に比べて書き換え可能
回数を多くすることができ、また、反射層５，５’の記
録領域に対応する箇所に接着剤を付けない場合、その箇
所にも接着剤を付けた場合よりも少し記録感度が高くな
った。

【０１８０】（初期結晶化）前記のようにして製作した
媒体の記録膜３、３’に、次のようにして初期結晶化を
行なった。なお、記録膜３’についてもまったく同様で
あるから、以下の説明では記録膜３についてのみ述べる
こととする。

【０１８１】媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、半導体
レーザ（波長８３０ｎｍ）のレーザ光パワーを記録が行
なわれないレベル（約１ｍＷ）に保ち、そのレーザ光を
記録ヘッド中の開口数（ＮＡ）がＯ．５５のレンズで集
光し、基板１を通して記録膜３に照射した。記録膜３か
らの反射光を検出して、基板１のトラッキング溝の中心
にレーザ光スポットの中心が常に一致するようにトラッ
キングを行なうと共に、記録膜３上にレーザ光の焦点が
来るように、自動焦点合わせを行ないながら記録ヘッド
を駆動した。

【０１８２】まず、初期結晶化のため、記録膜５の同一
記録トラック上に、パワー１２ｍＷ，１３ｍＷ，１４ｍ
Ｗの連続レーザ光をそれぞれ５００回照射した。最後
に、パワー１５ｍＷの連続（ＤＣ）レーザ光を１０００
回照射した。各回の照射時間（光スポット通過時間）
は、約０．１μｓｅｃである。

【０１８３】続いて、パワー８ｍＷの連続レーザ光を５
００回照射した。各回の照射時間（光スポット通過時
間）は、約０．１μｓｅｃである。この時のレーザ光パ
ワーは５〜９ｍＷの範囲であればよい。

【０１８４】前記２種類のレーザ光照射のうち、パワー
の低い方（８ｍＷ）の照射は省略してもよい。

【０１８５】このように、パワーの異なるレーザ光を照
射すると、初期結晶化を充分に行なうことができる。

【０１８６】これらのレーザ光照射は、半導体レーザ・
アレイを用いて行なうか、ガスレーザからの光ビームを
複数に分割したもの、あるいは高出力ガスレーザや半導
体レーザからの光ビームのスポット形状を媒体の半径方
向に長い長円形にしたものを用いて行なえば、さらに好
ましい。こうすると、媒体を少数回転させるだけで初期
結晶化を完了することも可能となる。

【０１８７】複数のレーザ光スポットを用いる場合、そ
れらレーザ光スポットを同一の記録トラック上に配置せ
ず、媒体の半径方向に位置を少しずつズラして配置すれ
ば、１回の照射で広い範囲を初期化することができる、
消え残りが少なくなる、などの効果が得られる。

【０１８８】次に、円形スポットの１２ｍＷの連続レー
ザ光（記録の高パワー光）を１回照射する（照射時間：
約０．１μｓｅｃ）毎に、パワー１８ｍＷのパルス・レ
ーザ光（記録用の高パワー光）を照射し、記録膜５を非
晶質化して記録点を形成した。その後、その記録点を８
ｍＷの連続レーザ光（初期結晶化用の低パワー光）を照
射して結晶化させるために、８ｍＷの連続レーザ光を何
回照射することが必要かを調査した。

【０１８９】その結果、１２ｍＷの連続レーザ光の照射
回数が５回までは、照射回数が増加するほど、結晶化に
要する前記８ｍＷの連続レーザ光照射の回数は低下し
た。すなわち、照射回数が増加するほど結晶化しやすい
ことが分かった。これは、１２ｍＷの連続レーザ光の照
射により、記録膜５中に高融点成分であるＣｒ₄Ｔｅ₅の
微細な結晶が多数析出し、その残部（相変化する部分）
の組成が高速結晶化可能なＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅の組成に近
づいたためと推察される。

【０１９０】なお、Ｃｒ₄Ｔｅ₅の融点は１２５２゜Ｃで
あり、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅の融点は６３０゜Ｃである。

【０１９１】（記録・消去）次に、以上のようにして初
期結晶化が完了した記録膜３の記録領域に、前記と同様
にしてトラッキングと自動焦点合わせを行ないながら、
記録用レーザ光のパワーを記録すべき情報信号に従って
中間パワーレベル（８ｍＷ）と高パワーレベル（１８ｍ
Ｗ）との間で変化させて情報の記録を行なった。記録す
べき部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読出
し）用レーザ光の低パワーレベル（１ｍＷ）に下げるよ
うにした。記録用レーザ光により記録領域に形成される
非晶質またはそれに近い部分が、記録点となる。

【０１９２】記録用レーザ光の高レベルと中間レベルと
のパワー比は１：０．３〜１：０．８の範囲が特に好ま
しい。また、この他に、短時間ずつ他のパワーレベルに
してもよい。

【０１９３】このような記録方法では、既に情報が記録
されている部分に対して直接、新たな情報を記録すれ
ば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一の円
形光スポットによるオーバーライトが可能である。

【０１９４】しかし、書き換え時の最初の１回転または
複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中
間パワーレベル（８ｍＷ）に近いパワー（例えば９ｍ
Ｗ）の連続光を照射して、記録されている情報をいった
ん消去し、その後、次の１回転で再生（読出し）用レー
ザ光の低パワーレベル（１ｍＷ）と記録用レーザ光の高
パワーレベル（１８ｍＷ）の間で、または、記録用レー
ザ光の中間パワーレベル（８ｍＷ）と高パワーレベル
（１８ｍＷ）の間で、情報信号に従ってパワー変調した
レーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このよ
うに、情報を消去してから記録するようにすれば、前に
書かれていた情報の消え残りが少なく、高い搬送波対雑
音比（Ｃ／Ｎ）が得られる。

【０１９５】このようにして消去後に再書込みする場合
は、最初に照射する連続レーザ光のパワーレベルは、前
記記録用レーザ光の高レベル（１８ｍＷ）を１としたと
き、０．４〜１．１の範囲に設定するのが好ましい。こ
の範囲であれば、良好な書き換えが行なえるからであ
る。

【０１９６】この方法は、この発明の記録膜ばかりでな
く他の記録膜にも有効である。

【０１９７】この実施例の情報記録媒体では、レーザ光
のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で、記
録・消去を１０⁵回以上繰り返すことが可能であった。
また、２ＭＨｚの信号を記録した時の再生信号のＣ／Ｎ
は、約５０ｄＢであり、極めて良好であった。

【０１９８】この実施例の記録膜３で、書き換え可能回
数を１０⁵回以上にすることができるのは、記録膜３中
に析出した高融点成分により、記録膜３の残成分（相変
化部分）の流動・偏析が防止されるためと解される。

【０１９９】なお、記録膜３の上に形成されたＺｎＳ−
ＳｉＯ₂の中間層４とＡｌ−Ｔｉの反射層５とを省略し
た場合、前記よりも１桁少ない回数の記録・消去で多少
の雑音増加が起こった。

【０２００】（Ｔｅ含有量ｙとの関係）前記の（Ｇｅ₂
Ｓｂ₂Ｔｅ₅）₇（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₃よりなる記録膜３におい
て、他の元素の相対的比率を一定に保ちながらＴｅ含有
量ｙを変化させ、記録されている情報の消去に必要なレ
ーザ光の照射時間と、レーザ光パワーを最適値より１５
％高くした厳しい条件で１０⁵回書き換えた後の再生信
号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）の変化を測定した。その
結果、次のようなデータが得られた。

【０２０１】 この結果より、Ｔｅ含有量ｙが２５≦ｙ≦７５の範囲に
おいて、１０⁵回という多数回の書き換えによる特性変
化が少ないことが分かる。

【０２０２】（Ｃｒ以外の元素の組成との関係）図６の
三角相図のＧｅ₆₅Ｔｅ₂₅Ｃｒ₁₀とＳｂ₃₀Ｔｅ₆₀Ｃｒ₁₀を
結ぶＣｒ含有量を一定とした直線上で組成を変化さ
せ、一定速度で昇温した場合の未記録部分の結晶化温度
と、８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に１０００時間置いた
時のビット・エラーレートの変化を測定した。その結
果、次のようなデータが得られた。

【０２０３】 結晶化温度 Ｓｂ₃₀Ｔｅ₆₀Ｃｒ₁₀ １２０゜Ｃ Ｓｂ₂₈Ｔｅ₅₈Ｇｅ₄Ｃｒ₁₀ １５０゜Ｃ Ｓｂ₂₅Ｔｅ₅₅Ｇｅ₁₀Ｃｒ₁₀ １６０゜Ｃ Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₁Ｇｅ₁₇Ｃｒ₁₀ １７０゜Ｃ Ｓｂ₁₂Ｔｅ₃₈Ｇｅ₄₀Ｃｒ₁₀ １９０゜Ｃ Ｓｂ₂Ｔｅ₂₈Ｇｅ₆₀Ｃｒ₁₀ ２２０゜Ｃ ビット・エラーレートの変化 Ｓｂ₃₀Ｔｅ₆₀Ｃｒ₁₀ ２倍 Ｓｂ₂₈Ｔｅ₅₈Ｇｅ₄Ｃｒ₁₀ ２倍 Ｓｂ₂₅Ｔｅ₅₅Ｇｅ₁₀Ｃｒ₁₀ ２倍 Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₁Ｇｅ₁₇Ｃｒ₁₀ ２．５倍 Ｓｂ₁₂Ｔｅ₃₈Ｇｅ₄₀Ｃｒ₁₀ ４倍 Ｓｂ₂Ｔｅ₂₃Ｇｅ₆₀Ｃｒ₁₀ ５倍 この結果より、Ｃｒ以外の組成が変化しても、十分高い
結晶化温度が得られ、高温多湿下においてもビット・エ
ラーレートの変化があまり大きくないことが分かる。

【０２０４】図６の三角相図のＳｂ₄₅Ｔｅ₄₅Ｃｒ₁₀とＧ
ｅ₁₈Ｔｅ₇₂Ｃｒ₁₀を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線
上で組成を変化させ、一定速度で昇温した場合の結晶化
温度と、８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に１０００時間置
いた時のビット・エラーレートの変化を測定した。その
結果、次のようなデータが得られた。

【０２０５】 結晶化温度 Ｓｂ₂Ｔｅ₇₁Ｇｅ₁₇Ｃｒ₁₀ ２１０゜Ｃ Ｓｂ₄Ｔｅ₆₉Ｇｅ₁₇Ｃｒ₁₀ ２００゜Ｃ Ｓｂ₈Ｔｅ₆₇Ｇｅ₁₅Ｃｒ₁₀ １９０゜Ｃ Ｓｂ₂₃Ｔｅ₅₈Ｇｅ₉Ｃｒ₁₀ １７０゜Ｃ Ｓｂ₃₀Ｔｅ₅₄Ｇｅ₆Ｃｒ₁₀ １５０゜Ｃ Ｓｂ₃₈Ｔｅ₄₉Ｇｅ₃Ｃｒ₁₀ １３０゜Ｃ Ｓｂ₄₁Ｔｅ₄₇Ｇｅ₂Ｃｒ₁₀ １１０゜Ｃ ビット・エラーレートの変化 Ｓｂ₂Ｔｅ₇₁Ｇｅ₁₇Ｃｒ₁₀ ５倍 Ｓｂ₄Ｔｅ₆₉Ｇｅ₁₇Ｃｒ₁₀ ３倍 Ｓｂ₈Ｔｅ₆₇Ｇｅ₁₅Ｃｒ₁₀ ２倍 Ｓｂ₂₃Ｔｅ₅₈Ｇｅ₉Ｃｒ₁₀ １．５倍 Ｓｂ₃₀Ｔｅ₅₄Ｇｅ₆Ｃｒ₁₀ １．５倍 Ｓｂ₃₈Ｔｅ₄₉Ｇｅ₃Ｃｒ₁₀ １倍 Ｓｂ₄₁Ｔｅ₄₇Ｇｅ₂Ｃｒ₁₀ １倍 この結果より、Ｃｒ以外の組成が変化しても、十分高い
結晶化温度が得られ、高温多湿下においてもビット・エ
ラーレートの変化があまり大きくないことが分かる。

【０２０６】Ｇｅの含有量ｐとＳｂの含有量ｘの比（ｐ
／ｘ）を変化させ、温度８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に
１０００時間置いた時のビット・エラーレートの変化を
測定したところ、次の結果が得られた。

【０２０７】 この結果より、Ｇｅの含有量ｐとＳｂの含有量ｘの比
（ｐ／ｘ）が、０．２５≦（ｐ／ｘ）≦１．０の範囲で
あれば、ビット・エラーレートの変化が特に小さいこと
が分かる。

【０２０８】Ｃｒ₄Ｔｅ₅の残部であるＳｂ対Ｔｅ対Ｇｅ
の含有量ｘ，ｙ，ｐの比を、ｘ：ｙ：ｐ＝２：５：２に
保ってＣｒ₄Ｔｅ₅の含有量を変化させたとき、レーザ光
のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０
⁵回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎを測定したとこ
ろ、Ｃｒの含有量ｑに関して次のような結果が得られ
た。

【０２０９】 １０⁵回書換後の再生信号Ｃ／Ｎ ｑ＝０ ４２ｄＢ ｑ＝３ ４６ｄＢ ｑ＝４ ４８ｄＢ ｑ＝１０ ５０ｄＢ ｑ＝２０ ５０ｄＢ ｑ＝３４ ４８ｄＢ Ｃｒの含有量ｑを変化させると、レーザ光のパワーを最
適値より１５％高くした厳しい条件で１０⁵回書き換え
た後の再生信号の「消去比」は、次のように変化した。

【０２１０】ここで「消去比」とは、すでに記録された
信号の上に周波数の異なる別の信号を重ね書きしたとき
の、重ね書き前後の信号の比をｄＢで表したものであ
る。

【０２１１】 この結果より、Ｃｒの含有量ｑが増加するにつれて、消
去比が低下することが分かる。

【０２１２】前記のＣｒを１０％添加した系で、Ｔｅの
含有量ｙを一定に保ってＳｂの含有量ｘを変化させた
時、レーザ光のパワーを最適値より１５％高くした厳し
い条件で１０⁵回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、
次のように変化した。

【０２１３】 １０⁵回書換後の再生信号のＣ／Ｎ ｘ＝３８ ４８ｄＢ ｘ＝３０ ５０ｄＢ ｘ＝１５ ５０ｄＢ ｘ＝８ ５０ｄＢ ｘ＝４ ４８ｄＢ ｘ＝２ ４６ｄＢ ｘ＝０ ４５ｄＢ この結果より、Ｓｂの含有量ｘが２％以上の範囲では、
良好な再生信号のＣ／Ｎが得られることが分かる。

【０２１４】以上より、この実施例のＳｂ₁₆Ｔｅ₅₅Ｇｅ
₁₆Ｃｒ₁₃、すなわち（Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅）₇（Ｃｒ₄Ｔ
ｅ₅）₃の記録膜３は、温度８０゜Ｃ，相対湿度９５％中
に１０００時間置いた時のビット・エラーレートの変化
は２倍以下、レーザ光のパワーを最適値より１５％高く
した厳しい条件で１０⁵回書き換えた後の再生信号のＣ
／Ｎおよび消去比は、それぞれ５０ｄＢ以上および２８
ｄＢ以上であり、２×１０⁵回以上の書き換えが可能
で、極めて優れた特性を持つことが分かった。

【０２１５】（添加元素の他の例１）Ｃｒの一部または
全部に代えて、Ａｇ，Ｃｕ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｌａ，Ｎｉ，
Ｐｔ，ＳｉおよびＳｒおよびランタノイド元素のうちの
少なくとも一つを添加しても、上記の場合とよく似た特
性が得られる。例えば、Ｃｕを添加した場合（Ｃｕの添
加量：ｑ）、下記のようなデータが得られた。

【０２１６】 この結果より、Ｃｕを添加すると、書き換え可能回数が
顕著に増加することが分かる。

【０２１７】（添加元素の他の例２）Ｃｒに加えて、消
去を高速化してＣ／Ｎを大きくする効果を持つＴｌ（タ
リウム）を添加するのが好ましい。この場合、Ｃｒのみ
を添加した場合よりもＣ／Ｎがさらに大きくなり、また
書換可能回数も大きくなるので、より好ましい。ただ
し、ＣｒとＴｌの添加量の和を３０原子％以下とする方
が、消え残りが大きくならず、好ましい。ＣｒとＴｌの
添加量の和が０．５％以上、２０原子％以下であれば、
さらに好ましい。

【０２１８】例えば、Ｇｅ_8.2Ｓｂ_16.4Ｔｅ_64.4Ｔｌ_0.5
Ｃｒ_10.5記録膜では、Ｃ／Ｎ ５０ｄＢ、書換可能回数
２×１０⁵回が得られた。

【０２１９】Ｔｌの一部または全部に代えて、ハロゲン
元素の少なくとも一つを添加してもよく似た特性が得ら
れる。

【０２２０】Ｔｌに代えてＮ（窒素）を添加した場合、
書き換え可能回数がさらに向上する。ただし、多すぎる
と再生信号レベルが低下する。

【０２２１】（添加元素の他の例３）この他に、Ｔｌ
（タリウム）をＳｅに置換し、他の元素の相対的比率を
一定に保ちながらＳｅを１原子％以上、１０原子％以下
だけ添加すると、耐酸化性向上の効果がある。

【０２２２】（相変化成分の他の例）この実施例の相変
化成分であるＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅の一部をＧｅＳｂ₂Ｔ
ｅ₄，ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇，Ｉｎ₃ＳｂＴｅ₂，Ｉｎ₃₅Ｓｂ₃₂
Ｔｅ₃₃，Ｉｎ₃₁Ｓｂ₂₆Ｔｅ₄₃、およびこれらに近い組成
のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｇｅの一部を
Ｉｎに置き換えても、これに近い特性が得られる。

【０２２３】（高融点成分の他の例）析出する高融点成
分は、化合物でもよいし、元素単体や合金でもよい。こ
の実施例の高融点成分であるＣｒ₄Ｔｅ₅の一部または全
部をＬａＴｅ₂，Ｌａ₂Ｔｅ₃，Ｌａ₃Ｔｅ₄，ＬａＴｅ，
Ｌａ₂Ｔｅ₅，Ｌａ₄Ｔｅ₇，ＬａＴｅ₃，Ｌａ₃Ｔｅ，Ｌａ
₂Ｓｂ，Ｌａ₃Ｓｂ₂，ＬａＳｂ，ＬａＳｂ₂，Ｌａ₃Ｇ
ｅ，Ｌａ₅Ｇｅ₃，Ｌａ₄Ｇｅ₃，Ｌａ₅Ｇｅ₄，ＬａＧｅ，
Ｌａ₃Ｇｅ₅，Ａｇ₂Ｔｅ，Ｃｒ₅Ｔｅ₈，Ｃｒ₂Ｔｅ₃，Ｃ
ｒＳｂ，Ｃｒ₃Ｇｅ，Ｃｒ₅Ｇｅ₃，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₈，ＣｒＧ
ｅ，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₁₉，ＰｔＴｅ₂，Ｐｔ₄Ｔｅ₅，Ｐｔ₅Ｔｅ
₄，Ｐｔ₄Ｓｂ，Ｐｔ₃Ｓｂ₂，ＰｔＳｂ，Ｐｔ₃Ｇｅ，Ｐ
ｔ₂Ｇｅ，Ｐｔ₃Ｇｅ₂，ＰｔＧｅ，Ｐｔ₂Ｇｅ₃，ＰｔＧ
ｅ₃，ＮｉＴｅ，ＮｉＴｅ₀．₈₅，ＮｉＳｂ，Ｎｉ₃Ｇ
ｅ，Ｎｉ₅Ｇｅ₂，Ｎｉ₅Ｇｅ₃，ＮｉＧｅ、ＣｏＴｅ₂，
ＣｏＳｂ₂，ＣｏＳｂ₃，Ｃｏ₅Ｇｅ₂，Ｃｏ₅Ｇｅ₃，Ｃｏ
Ｇｅ，Ｃｏ₅Ｇｅ₇，ＣｏＧｅ₂，Ｓｉ₂Ｔｅ₃，ＳｉＳ
ｂ，ＳｉＧｅ，ＣｅＴｅ，Ｃｅ₃Ｔｅ₄，Ｃｅ₂Ｔｅ₃，Ｃ
ｅ₄Ｔｅ₇，ＣｅＴｅ₂，ＣｅＴｅ₃，Ｃｅ₂Ｓｂ，Ｃｅ₅Ｓ
ｂ₃，Ｃｅ₄Ｓｂ₅，ＣｅＳｂ，ＣｅＳｂ₂，Ｃｅ₃Ｇｅ，
Ｃｅ₅Ｇｅ₃，Ｃｅ₄Ｇｅ₃，Ｃｅ₅Ｇｅ₄，ＣｅＧｅ，Ｃｅ
₃Ｇｅ₅，Ｃｅ₅Ｓｉ₃，Ｃｅ₃Ｓｉ₂，Ｃｅ₅Ｓｉ₄，ＣｅＳ
ｉ，Ｃｅ₃Ｓｉ₅，ＣｅＳｉ₂，Ｃｒ₃Ｓｉ，Ｃｒ₅Ｓｉ₃，
ＣｒＳｉ，ＣｒＳｉ₃，ＣｒＳｉ₂，Ｃｏ₃Ｓｉ，ＣｏＳ
ｉ，ＣｏＳｉ₂，ＮｉＳｉ₂，ＮｉＳｉ，Ｎｉ₃Ｓｉ₂，Ｎ
ｉ₂Ｓｉ，Ｎｉ₅Ｓｉ₂，Ｎｉ₃Ｓｉ，Ｐｔ₅Ｓｉ₂，Ｐｔ₂
Ｓｉ，ＰｔＳｉ，ＬａＳｉ₂，Ａｇ₃Ｉｎ，Ａｇ₂Ｉｎ，
Ｂｉ₂Ｃｅ，ＢｉＣｅ，Ｂｉ₃Ｃｅ₄，Ｂｉ₃Ｃｅ₅，Ｂｉ
Ｃｅ₂，Ｃｄ₁₁Ｃｅ，Ｃｄ₆Ｃｅ，Ｃｄ₅₈Ｃｅ₁₃，Ｃｄ₃
Ｃｅ，Ｃｄ₂Ｃｅ，ＣｄＣｅ，Ｃｅ₃Ｉｎ，Ｃｅ₂Ｉｎ，
Ｃｅ_1+xＩｎ，Ｃｅ₃Ｉｎ₅，ＣｅＩｎ₂，ＣｅＩｎ₃，Ｃ
ｅ₂Ｐｂ，ＣｅＰｂ，ＣｅＰｂ₃，Ｃｅ₃Ｓｎ，Ｃｅ₅Ｓｎ
₃，Ｃｅ₅Ｓｎ₄，Ｃｅ₁₁Ｓｎ₁₀，Ｃｅ₃Ｓｎ₅，Ｃｅ₃Ｓｎ
₇，Ｃｅ₂Ｓｎ₅，ＣｅＳｎ₃，ＣｅＺｎ，ＣｅＺｎ₂，Ｃ
ｅＺｎ₃，Ｃｅ₃Ｚｎ₁₁，Ｃｅ₁₃Ｚｎ₅₈，ＣｅＺｎ₅，Ｃ
ｅ₃Ｚｎ₂₂，Ｃｅ₂Ｚｎ₁₇，ＣｅＺｎ₁₁，Ｃｄ₂₁Ｃｏ₅，
ＣｏＧａ，ＣｏＧａ₃，ＣｏＳｎ，Ｃｒ₃Ｇａ，ＣｒＧ
ａ，Ｃｒ₅Ｇａ₆，ＣｒＧａ₄，Ｃｕ₉Ｇａ₄，Ｃｕ₃Ｓｎ，
Ｃｕ₃Ｚｎ，Ｂｉ₂Ｌａ，ＢｉＬａ，Ｂｉ₃Ｌａ₄，Ｂｉ₃
Ｌａ₅，ＢｉＬａ₂，Ｃｄ₁₁Ｌａ，Ｃｄ₁₇Ｌａ₂，Ｃｄ₉Ｌ
ａ₂，Ｃｄ₂Ｌａ，ＣｄＬａ，Ｇａ₆Ｌａ，Ｇａ₂Ｌａ，Ｇ
ａＬａ，Ｇａ₃Ｌａ₅，ＧａＬａ₃，Ｉｎ₃Ｌａ，Ｉｎ₂Ｌ
ａ，Ｉｎ₅Ｌａ₃，Ｉｎ_xＬａ，ＩｎＬａ，ＩｎＬａ₂，Ｉ
ｎＬａ₃，Ｌａ₅Ｐｂ₃，Ｌａ₄Ｐｂ₃，Ｌａ₁₁Ｐｂ₁₀，Ｌ
ａ₃Ｐｂ₄，Ｌａ₅Ｐｂ₄，ＬａＰｂ₂，ＬａＰｂ₃，ＬａＺ
ｎ，ＬａＺｎ₂，ＬａＺｎ₄，ＬａＺｎ₅，Ｌａ₃Ｚｎ₂₂，
Ｌａ₂Ｚｎ₁₇，ＬａＺｎ₁₁，ＬａＺｎ₁₃，ＮｉＢｉ，Ｇ
ａ₃Ｎｉ₂，ＧａＮｉ，Ｇａ₂Ｎｉ₃，Ｇａ₃Ｎｉ₅，ＧａＮ
ｉ₃，Ｎｉ₃Ｓｎ，Ｎｉ₃Ｓｎ₂，Ｎｉ₃Ｓｎ₄，ＮｉＺｎ，
Ｎｉ₅Ｚｎ₂₁，ＰｔＢｉ，ＰｔＢｉ₂，ＰｔＢｉ₃，Ｐｔ
Ｃｄ₂，Ｐｔ₂Ｃｄ₉，Ｇａ₇Ｐｔ₃，Ｇａ₂Ｐｔ，Ｇａ₃Ｐ
ｔ₂，ＧａＰｔ，Ｇａ₃Ｐｔ₅，ＧａＰｔ₂，ＧａＰｔ₃，
Ｉｎ₇Ｐｔ₃，Ｉｎ₂Ｐｔ，Ｉｎ₃Ｐｔ₂，ＩｎＰｔ，Ｉｎ₅
Ｐｔ₆，Ｉｎ₂Ｐｔ₃，ＩｎＰｔ₂，ＩｎＰｔ₃，Ｐｔ₃Ｐ
ｂ，ＰｔＰｂ，Ｐｔ₂Ｐｂ₃，Ｐｔ₃Ｓｎ，ＰｔＳｎ，Ｐ
ｔ₂Ｓｎ₃，ＰｔＳｎ₂，ＰｔＳｎ₄，Ｐｔ₃Ｚｎ，ＰｔＺ
ｎ₂，ＡｌＳ，Ａｌ₂Ｓ₃，ＢａＳ，ＢａＣ₂，ＣｄＳ，Ｃ
ｏ₄Ｓ₃，Ｃｏ₉Ｓ₈，ＣｏＳ，ＣｏＯ，Ｃｏ₂Ｏ₄，Ｃｏ₂
Ｏ₃，Ｃｒ₂Ｏ₃，Ｃｒ₃Ｏ₄，ＣｒＯ，ＣｒＳ，ＣｒＮ，
Ｃｒ₂Ｎ，Ｃｒ₂₃Ｃ₆₃，Ｃｒ₇Ｃ₃，Ｃｒ₃Ｃ₂，Ｃｕ₂Ｓ，
Ｃｕ₉Ｓ₅，ＣｕＯ，Ｃｕ₂Ｏ，Ｉｎ₄Ｓ₅，Ｉｎ₃Ｓ₄，Ｌ
ａ₂Ｓ₃，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｍｏ₂Ｃ，ＭｏＣ，Ｍｎ₂₃Ｃ₆，Ｍｎ
₄Ｃ，Ｍｎ₇Ｃ₃，ＮｉＯ，ＳｉＳ₂，ＳｉＯ₂，Ｓｉ
₃Ｎ₄，上記高融点成分の構成元素の酸化物のうち高融点
のもの、Ｃｕ₂Ｔｅ,ＣｕＴｅ，Ｃｕ₃Ｓｂ，Ｍｎ₂Ｓｂ，
ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ₂，Ｍｎ₅Ｇｅ₃，Ｍｎ_3.25Ｇｅ，Ｍ
ｎ₅Ｇｅ，Ｍｎ₃Ｇｅ₂，Ｇｅ₃Ｗ，Ｔｅ₂Ｗ，ＡｌＳｂ，
Ａｌ₂Ｔｅ₃，Ｆｅ₂Ｇｅ，ＦｅＧｅ₂，ＦｅＳｂ₂，Ｍｏ₃
Ｓｂ₇，Ｍｏ₃Ｔｅ₄，ＭｏＴｅ₂,ＰｂＴｅ，ＧｅＰｄ₂，
Ｇｅ₂Ｐｄ₅，Ｇｅ₉Ｐｄ₂₅,ＧｅＰｄ₅，Ｐｄ₃Ｓｂ，Ｐｄ
₅Ｓｂ₃，ＰｄＳｂ，ＳｎＴｅ，Ｔｉ₅Ｇｅ₃，Ｇｅ
₃₁Ｖ₁₇，Ｇｅ₈Ｖ₁₁，Ｇｅ₃Ｖ₅，ＧｅＶ₃，Ｖ₅Ｔｅ₄，Ｖ
₃Ｔｅ₄，ＺｎＴｅ，Ａｇ₂Ｓｅ，Ｃｕ₂Ｓｅ，Ａｌ₂Ｓ
ｅ₃，ＩｎＡｓ，ＣｏＳｅ，Ｍｎ₃Ｉｎ，Ｎｉ₃Ｉｎ，Ｎ
ｉＩｎ，Ｎｉ₂Ｉｎ₃，Ｎｉ₃Ｉｎ₇，ＰｂＳｅ，などのＢ
群の元素を含む高融点化合物，またはそれに近い組成の
もの、あるいはこれらの混合組成や混合組成に近い３元
以上の化合物のうちの少なくとも一つで置き換えても、
同様な結果が得られる。

【０２２４】これらのうちで、ＬａＳｂ，ＣｒＳｂ，Ｃ
ｏＳｂ，Ｃｒ₃Ｔｅ₄，ＬａＴｅ₃，Ｃｒ₄Ｔｅ₅，Ｃｒ₂Ｔ
ｅ₃，Ｃｒ₃Ｔｅ₄，ＣｏＴｅ，Ｃｏ₃Ｔｅ₄，Ｃｕ₂Ｔｅ，
ＣｕＴｅ，Ｃｕ₃Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ₂，Ｍｎ₂Ｓ
ｂのうちの少なくとも一つが特に好ましい。少ない回数
の初期結晶化で記録・消去特性が安定するためである。

【０２２５】（高融点成分の含有物の量）高融点成分の
析出物に含まれる酸化物、硫化物、窒化物、炭化物の含
有量は、高融点成分の４０原子％未満とするのが好まし
く、１０原子％未満とするのが特に好ましい。これらの
含有量が多いと、相変化成分との複素屈折率の差を小さ
くできなかったり、相変化成分中に酸素等が拡散して記
録・読み出し特性を劣化させたりする問題を生じやす
い。

【０２２６】高融点成分の例として述べた前記の多数の
化合物では、遷移金属元素の含有量ｖ’が異なると、記
録膜３の界面反射率は次のように変化した。

【０２２７】 この結果より、遷移金属元素の含有量ｖ’が増加する
と、界面反射率が増加することが分かる。

【０２２８】（記録用薄膜中の高融点化合物の含有量）
記録用薄膜中に含まれる高融点化合物の含有量ａ’を、
その高融点化合物の構成元素の原子数の和の高融点成分
の全構成元素の原子数の和に対する割合（原子％）で表
わし、その含有量ａ’を変化させた場合、書き換え可能
回数と、レーザパワーを１５％高くした厳しい条件で１
０⁵回書き換えた後の消去比は、次のように変化した。
このＣ／Ｎの変化は、主としてＣレベルの変化によるも
のである。

【０２２９】 書き換え可能回数 ａ’＝ ５原子％ ４×１０⁴回 ａ’＝１０原子％ １×１０⁵回 ａ’＝２０原子％ １．５×１０⁵回 ａ’＝３０原子％ ２×１０⁵回 １０⁵回書き換え後の消去比 ａ’＝３０原子％ ３０ｄＢ ａ’＝４０原子％ ３０ｄＢ ａ’＝５０原子％ ２５ｄＢ ａ’＝６０原子％ ２３ｄＢ この結果より、記録用薄膜中に含まれる高融点化合物の
含有量ａ’が増加すると、書き換え可能回数は増加する
が、増加し過ぎると、１０⁵回書き換え後の消去比が低
下することが分かった。よって、１０原子％≦ａ’≦５
０原子％の範囲が好ましいことが分かった。

【０２３０】（高融点成分の複素屈折率）高融点成分の
複素屈折率の実数部ｎ₁と虚数部（消衰係数）ｋ₁は、相
変化成分の結晶化状態のそれらの値ｎ₂，ｋ₂との差 Δｎ＝（｜ｎ₁−ｎ₂｜／ｎ₁）×１００， Δｋ＝（｜ｋ₁−ｋ₂｜／ｋ₁）×１００ が異なる場合、レーザ光のパワーを最適値より１５％高
くした厳しい条件で１０5回書き換えた後、再生信号の
Ｃ／Ｎは次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主
としてＮレベルの変化によるものである。

【０２３１】 １０⁵回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ Δｋ，Δｎ＝１０％ ４９ｄＢ Δｋ，Δｎ＝２０％ ４８ｄＢ Δｋ，Δｎ＝３０％ ４７ｄＢ Δｋ，Δｎ＝４０％ ４６ｄＢ Δｋ，Δｎ＝５０％ ４３ｄＢ この結果より、複素屈折率の実数部と虚数部（消衰係
数）の差Δｎ，Δｋは小さい方が好ましいことが分かっ
た。

【０２３２】（高融点成分の析出物の構成・寸法）前述
したＣｒ₄Ｔｅ₅などの高融点成分は、図１（ａ）（ｂ）
（ｃ）に示すような形態で記録膜３の内部に析出する。

【０２３３】図１（ａ）では、多数の粒状の高融点成分
３ｂの析出物が独立した状態で記録膜３内に分布してい
る。記録膜３の高融点成分３ｂ以外の部分、すなわち残
成分が相変化成分３ａである。高融点成分３ｂの膜面方
向の長さと膜面に垂直な方向の長さとは、ほぼ同じであ
るか、異なっていてもそれら長さの差は小さい。ここで
は、高融点成分３ｂの析出物のあるものは、記録膜３の
いずれか一方の界面に接し、他のあるものはいずれの界
面にも接していない。

【０２３４】図３の媒体では、高融点成分３ｂはＣｒ₄
Ｔｅ₅、相変化成分３ａはＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅より成ってい
る。

【０２３５】図１（ｂ）では、多数の高融点成分３ｂの
析出物が独立した状態で記録膜３内に分布している点
は、図１（ａ）の場合と同じである。しかし、高融点成
分３ｂが柱状に析出している点が異なっている。すなわ
ち、高融点成分３ｂの膜面方向の長さよりも、膜面に垂
直な方向の長さの方が大きく、膜面に垂直な断面では柱
状になっている。高融点成分３ｂの析出物のあるもの
は、記録膜３の一方の界面に接しており、他のあるもの
は、記録膜３の他方の界面に接している。ここでは、両
方の界面に接しているものは存在していない。

【０２３６】図１（ｃ）では、多数の高融点成分３ｂの
析出物が互いに連結され、一体的になった状態で記録膜
３内に分布している。すなわち、高融点成分３ｂが多孔
質状に析出し、その高融点成分３ｂの多数の小孔の中に
相変化成分３ａが埋め込まれた状態になっている。多孔
質状の高融点成分３ｂは、記録膜３の両方の界面に接し
ている。相変化成分３ａは、互いに独立した状態で記録
膜３中に分布している。この状態は、図１（ａ）の場合
において、相変化成分３ａと高融点成分３ｂとを置き換
えたものに相当する。

【０２３７】成膜条件や初期結晶化条件により、図１の
（ａ）〜（ｃ）の状態のいずれかが出現するが、いずれ
の状態であっても、高融点成分３ｂにより、記録膜３を
加熱・溶融させた場合の相変化成分３ａの流動および偏
析が防止され、その結果、書き換え可能回数が向上す
る。

【０２３８】この発明においては、高融点成分３ｂの析
出物の「最大外形寸法ｄ’」、「高さｈおよびｈ’」、
「中心間距離」、「最大孔寸法」および「最大壁厚さ」
をそれぞれ次のように定義するものとする。

【０２３９】図１の（ａ）および（ｂ）のように、高融
点成分３ｂの析出物が独立して分布する場合、図２
（ｂ）のように、記録膜３のいずれか一方の界面から記
録膜３の膜厚Ｔの（１／３）の距離だけ離れた位置で記
録膜３の膜面に平行な断面（以下、第１基準断面とい
う）を考え、その断面における各高融点成分３ｂの析出
物の長さを測定する。そして、任意の方向で測定した長
さの最大値を「最大外形寸法ｄ’」とする。

【０２４０】「最大外形寸法ｄ’」は、具体的には、図
２（ａ）のように、第１基準断面における形状が円形ま
たは円形に近い場合は、析出物の直径を意味し、楕円形
または楕円形に近い場合は、析出物の長径を意味し、多
角形の場合は、析出物の最長の対角線の長さを意味す
る。

【０２４１】「高さｈ」は、記録膜３の膜面に垂直な断
面（以下、第２基準断面という）を考え、その断面にお
いて、各高融点成分３ｂの析出物の記録膜３の膜面に垂
直な方向の長さを測定する。こうして得られた長さを高
融点成分３ｂの析出物の「高さｈ」とする。

【０２４２】この「高さｈ」は、図４（ａ）に示すよう
に、粒状の高融点成分３ｂの析出物が分布する場合と、
図４（ｂ）に示すように、柱状の高融点成分３ｂの析出
物が記録膜３の両方の界面に接して分布する場合とに適
用される。

【０２４３】「高さｈ’」、「高さｈ’’」は、前記
「高さｈ」と同じ考え方であるが、図４（ｃ）に示すよ
うに柱状の高融点成分３ｂの析出物が記録膜３の片方の
界面にのみ接して分布する場合、界面に接しない場合に
それぞれ適用される点のみが異なる。

【０２４４】「中心間距離ｉ」は、図２（ａ）に示すよ
うに、前記第１基準断面における、隣接する２つの高融
点成分３ｂの析出物の中心間の距離の平均値を意味す
る。

【０２４５】「最大孔寸法ｐ’’」は、図１（ｃ）に示
すように、多孔質の高融点成分３ｂが析出する場合に適
用されるもので、前記第１基準断面における高融点成分
３ｂの析出物の各孔の大きさの最大値を意味する。

【０２４６】この「最大孔寸法ｐ’’」は、具体的に
は、図５のように、第１基準断面における孔形状が円形
または円形に近い場合は、孔の直径を意味し、楕円形ま
たは楕円形に近い場合は、孔の長径を意味し、多角形の
場合は、孔の最長の対角線の長さを意味する。

【０２４７】「最大壁厚さｗ」は、「最大孔寸法
ｐ’’」と同様に、多孔質の高融点成分３ｂが析出する
場合に適用されるもので、図５のように、前記第１基準
断面において、高融点成分３ｂの析出物の隣接する２つ
の孔の間の壁の厚さの最大値を意味する。

【０２４８】（高融点成分の析出物の寸法との関係）高
融点成分３ｂの析出物の「最大外形寸法ｄ’」が異なる
場合、書き換え可能回数と、レーザ光のパワーを最適値
より１５％高くした厳しい条件で１０⁵回書き換えた後
の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。このＣ／
Ｎの変化は、主としてＮレベルの変化によるものであ
る。

【０２４９】 書き換え可能回数 ｄ’＝５０ｎｍ ２×１０⁵回 ｄ’＝３０ｎｍ ２×１０⁵回 ｄ’＝１０ｎｍ ２×１０⁵回 ｄ’＝ ５ｎｍ １．５×１０⁵回 ｄ’＝ １ｎｍ ４×１０⁴回 １０⁵回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ ｄ’＝８０ｎｍ ４６ｄＢ ｄ’＝５０ｎｍ ４７ｄＢ ｄ’＝２０ｎｍ ４９ｄＢ ｄ’＝１５ｎｍ ４９ｄＢ ｄ’＝ ５ｎｍ ５０ｄＢ この結果より、５ｎｍ≦ｄ’≦５０ｎｍの範囲が好まし
いことが分かった。

【０２５０】図４（ｂ）のように、柱状の高融点成分３
ｂが記録膜３の両側の界面より析出した場合は、析出物
の「高さｈ」が異なると、書き換え可能回数は次のよう
に変化した。

【０２５１】 この結果より、１０ｎｍ≦ｈの範囲が好ましいことが分
かった。

【０２５２】図４（ｃ）のように、柱状の高融点成分３
ｂが記録膜３の片側の界面より析出した場合、析出物の
「高さｈ’」が異なると、書き換え可能回数は次のよう
に変化した。

【０２５３】 柱状の高融点成分３ｂが記録膜３の界面に接していない
場合、析出物の「高さｈ’’」が異なると、書き換え可
能回数は次のように変化した。

【０２５４】 この結果より、５ｎｍ≦ｈ’、ｈ’’の範囲が好ましい
ことが分かった。

【０２５５】「中心間距離ｉ」が異なる場合、書き換え
可能回数と、レーザ光のパワーを最適値より１５％高く
した厳しい条件で１０⁵回書き換えた後の再生信号のＣ
／Ｎは、次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、主
としてＣレベルの変化によるものである。

【０２５６】 書き換え可能回数 ｉ＝１２０ｎｍ ８×１０⁴回 ｉ＝ ９０ｎｍ １．５×１０⁵回 ｉ＝ ７０ｎｍ １．８×１０⁵回 ｉ＝ ６０ｎｍ ２×１０⁵回 ｉ＝ ４０ｎｍ ２×１０⁵回 ｉ＝ １５ｎｍ ２×１０⁵回 １０⁵回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ ｉ＝７０ｎｍ ５０ｄＢ ｉ＝４０ｎｍ ５０ｄＢ ｉ＝３０ｎｍ ４９ｄＢ ｉ＝２０ｎｍ ４６ｄＢ ｉ＝１５ｎｍ ４５ｄＢ ｉ＝１０ｎｍ ４４ｄＢ ｉ＝ ５ｎｍ ４０ｄＢ この結果より、２０ｎｍ≦ｉ≦９０ｎｍの範囲が好まし
いことが分かった。

【０２５７】図１（ｃ）のように、高融点成分３ｂが膜
面方向につながって多孔質状として析出した場合、析出
物の「最大孔寸法ｐ’’」が異なると、書き換え可能回
数は次のように変化した。

【０２５８】 この結果より、ｐ’’≦８０ｎｍの範囲が好ましいこと
が分かった。

【０２５９】多孔質の高融点成分３ｂの「最大壁厚さ
ｗ」が異なると、レーザ光パワーを最適値より１５％高
くした厳しい条件で１０⁵回書き換えた後の再生信号の
Ｃ／Ｎは、次のように変化した。このＣ／Ｎの変化は、
主としてＣレベルの変化によるものである。

【０２６０】 １０⁵回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ ｗ＝ ５ｎｍ ５０ｄＢ ｗ＝１５ｎｍ ４９ｄＢ ｗ＝２０ｎｍ ４６ｄＢ ｗ＝３５ｎｍ ４０ｄＢ この結果より、ｗ≦２０ｎｍの範囲が好ましいことが分
かった。

【０２６１】（高融点成分の融点との関係）記録膜３中
に析出する高融点成分３ｂの融点（ｍ．ｐ．）が異なる
と、書き換え可能回数が次のように変化することが、計
算機シュミレーションにより推測できた。

【０２６２】 この結果より、高融点成分３ｂの融点は７８０゜Ｃ以上
の範囲が好ましく、９３０゜Ｃ以上の範囲がより好まし
いことが分かった。

【０２６３】高融点成分３ｂが析出した後の残成分（相
変化成分３ａ）の融点と、高融点成分３ｂの融点との差
が異なると、書き換え可能回数が次のように変化するこ
とも、計算機シュミレーションにより推測できた。

【０２６４】 書き換え可能回数 ｍ．ｐ．の差＝０゜Ｃ ７×１０⁴回 ｍ．ｐ．の差＝１５０゜Ｃ １．５×１０⁵回 ｍ．ｐ．の差＝３００゜Ｃ ２×１０⁵回 この結果より、融点の差は１５０゜Ｃ以上の範囲が好ま
しく、３００゜Ｃ以上の範囲がより好ましいことが分か
った。

【０２６５】（高融点成分と相変化分の結晶化温度の差
との関係）毎分１０゜Ｃの一定速度で昇温し、結晶化の
発熱の始まる温度を測定した。その結果より、高融点成
分３ｂと相変化を起こす低融点成分３ａの結晶化温度の
差ｓを求めると、温度差ｓによって書き換え可能回数は
次のように変化した。

【０２６６】 この結果より、融点の差は１０゜Ｃ以上の範囲が好まし
く、３０゜Ｃ以上の範囲がより好ましいことが分かっ
た。

【０２６７】（成膜時に被着させる高融点成分との関
係）この実施例の情報記録用薄膜を製作する際に、初期
の工程で、高融点成分Ｃｒ₄Ｔｅ₅を被着させているが、
その高融点成分Ｃｒ₄Ｔｅ₅の平均膜厚ｃ’を次のように
変えると、書き換え可能回数と、レーザ光のパワーを最
適値より１５％高くした厳しい条件で１０⁵回書き換え
た後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。この
Ｃ／Ｎの変化は、主としてＣレベルの変化によるもので
ある。

【０２６８】 書き換え可能回数 ｃ’＝ ０ｎｍ ５×１０⁴回 ｃ’＝ １ｎｍ １×１０⁵回 ｃ’＝ ５ｎｍ ２×１０⁵回 １０⁵回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ ｃ’＝ １ｎｍ ４７ｄＢ ｃ’＝ ５ｎｍ ４７ｄＢ ｃ’＝１０ｎｍ ４６ｄＢ ｃ’＝２０ｎｍ ４０ｄＢ この結果より、１ｎｍ≦ｃ’≦１０ｎｍの範囲が好まし
いことが分かった。

【０２６９】（その他）この実施例では、保護層２およ
び中間層４をＺｎＳ−ＳｉＯ₂により形成しているが、
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂に代えて、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ
−Ｎ系材料，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ
₂Ｏ₃，ＣｅＯ，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，Ｇｅ
Ｏ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，
ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｓｃ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂などの酸化物，Ｔａ
Ｎ，ＡｌＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えば
ＡｌＳｉＮ₂）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，Ｃｄ
Ｓ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，
Ｂｉ₂Ｓ₃などの硫化物、ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｃｄ
Ｓｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳｅ，
ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃などのセ
レン化物、ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化物、
あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ，また
は、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。ま
た、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。

【０２７０】中間層４を省略した場合には、記録感度が
約３０％低下し、消え残りも約５ｄＢ増加した。書き換
え可能回数も減少した。

【０２７１】中間層４の屈折率が１．７以上、２．３以
下の範囲にある場合、膜厚が３ｎｍ以上、１００ｎｍ以
下の範囲、および１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の範
囲で、それぞれ５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。

【０２７２】この実施例で反射層５に用いたＡｌ−Ｔｉ
の代わりに、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂの
元素単体、またはこれらを主成分とする合金、あるいは
これら同志の合金よりなる層を用いてもよいし、それら
の層よりなる多重層を用いてもよいし、これらと酸化物
などの他の物質との複合層などを用いてもよい。

【０２７３】この実施例では、表面に直接、トラッキン
グガイドなどの凹凸を形成したポリカーボネート基板１
を用いているが、その代わりに、ポリオレフィン、エポ
キシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成し
た化学強化ガラスなどを用いてもよい。

【０２７４】中間層４、反射層５および保護層２の一部
を省略した単純積層構造、例えば基板１／保護層２／記
録膜３、基板１／記録膜３／中間層４、基板１／記録膜
３／反射層５などの構成でも、従来のものに比べると、
多数回書き換えを行なってもノイズ上昇が少なく、良好
な結果が得られた。

【０２７５】以上述べたように、この実施例の情報記録
用薄膜は、記録・再生・消去特性を良好に保ちながら、
従来より１桁以上の多数回の書き換えが可能である。ま
た、記録・消去に用いるレーザ光のパワーが低くてよい
という利点もある。

【０２７６】〔実施例２〕実施例１のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ
−Ｃｒ系の記録膜５において、ＧｅをＩｎで全部置換し
たものに相当するＳｂ−Ｔｅ−Ｉｎ−Ｃｒ系のＣｒ₁₂Ｉ
ｎ₃₅Ｓｂ₁₂Ｔｅ₄₀、すなわち（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂（Ｉｎ₃Ｓ
ｂＴｅ₂）₇により記録膜５を形成した点以外は、実施例
１と同様にして、情報記録用薄膜を製作した。また、当
該薄膜の初期結晶化と、その後の情報の記録・再生方法
も実施例１と同様とした。

【０２７７】（Ｃｒ以外の元素の組成との関係）Ｃｒ含
有量を一定として、三角相図（図示せず）のＩｎ₆₅Ｔｅ
₂₅Ｃｒ₁₀とＳｂ3₀Ｔｅ₆₀Ｃｒ₁₀を結ぶ直線上で他の組成
を変化させると、一定速度で昇温した場合の未記録部分
の結晶化温度と、８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に１００
０時間置いた時のビット・エラーレートの変化は、次の
ようになった。

【０２７８】 結晶化温度 Ｓｂ₃₀Ｔｅ₆₀Ｃｒ₁₀ １２０゜Ｃ Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₁Ｉｎ₁₇Ｃｒ₁₀ １４０゜Ｃ Ｓｂ₁₈Ｔｅ₄₇Ｉｎ₂₅Ｃｒ₁₀ １５０゜Ｃ Ｓｂ₁₀Ｔｅ₃₅Ｉｎ₄₅Ｃｒ₁₀ １７０゜Ｃ Ｓｂ₇Ｔｅ₃₃Ｉｎ₅₀Ｃｒ₁₀ １８０゜Ｃ Ｓｂ₂Ｔｅ₈Ｉｎ₆₀Ｃｒ₁₀ ２２０゜Ｃ ビット・エラーレートの変化 Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₁Ｉｎ₁₇Ｃｒ₁₀ ２倍 Ｓｂ₁₈Ｔｅ₄₇Ｉｎ₂₅Ｃｒ₁₀ ２倍 Ｓｂ₁₀Ｔｅ₃₅Ｉｎ₄₅Ｃｒ₁₀ ２倍 Ｓｂ₇Ｔｅ₃₃Ｉｎ₅₀Ｃｒ₁₀ ２．５倍 Ｓｂ₂Ｔｅ₈Ｉｎ₆₀Ｃｒ₁₀ ４倍 この結果より、Ｃｒ以外の組成が変化しても、十分高い
結晶化温度が得られ、１０⁵回という多数回の書き換え
によってもビット・エラーレートの変化があまり大きく
ないことが分かる。

【０２７９】Ｃｒ含有量を一定として、同じ三角相図の
Ｓｂ₆₅Ｔｅ₂₅Ｃｒ₁₀とＩｎ₄₇Ｔｅ₄₃Ｃｒ₁₀を結ぶ直線上
で組成を変化させると、一定速度で昇温した場合の結晶
化温度と、８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に１０００時間
置いた時のビット・エラーレートの変化は、次のように
なった。

【０２８０】 結晶化温度 Ｓｂ₂Ｔｅ₄₂Ｉｎ₄₆Ｃｒ₁₀ ２１０゜Ｃ Ｓｂ₄Ｔｅ₄₂Ｉｎ₄₄Ｃｒ₁₀ ２００゜Ｃ Ｓｂ₈Ｔｅ₄₁Ｉｎ₄₁Ｃｒ₁₀ １９０゜Ｃ Ｓｂ₁₅Ｔｅ₃₉Ｉｎ₃₆Ｃｒ₁₀ １８０゜Ｃ Ｓｂ₃₀Ｔｅ₃₄Ｉｎ₂₆Ｃｒ₁₀ １５０゜Ｃ Ｓｂ₃₈Ｔｅ₃₂Ｉｎ₂₀Ｃｒ₁₀ １３０゜Ｃ Ｓｂ₄₁Ｔｅ₃₂Ｉｎ₁₇Ｃｒ₁₀ １１０゜Ｃ ビット・エラーレートの変化 Ｓｂ₂Ｔｅ₄₂Ｉｎ₄₆Ｃｒ₁₀ ５倍 Ｓｂ₄Ｔｅ₄₂Ｉｎ₄₄Ｃｒ₁₀ ３倍 Ｓｂ₈Ｔｅ₄₁Ｉｎ₄₁Ｃｒ₁₀ ２倍 Ｓｂ₁₅Ｔｅ₃₉Ｉｎ₃₆Ｃｒ₁₀ １．５倍 Ｓｂ₃₀Ｔｅ₃₄Ｉｎ₂₆Ｃｒ₁₀ １．５倍 Ｓｂ₃₈Ｔｅ₃₂Ｉｎ₂₀Ｃｒ₁₀ １倍 Ｓｂ₄₁Ｔｅ₃₂Ｉｎ₁₇Ｃｒ₁₀ １倍 この結果より、Ｃｒ以外の組成が変化しても、十分高い
結晶化温度が得られ、１０⁵回という多数回の書き換え
によってもビット・エラーレートの変化があまり大きく
ないことが分かる。

【０２８１】Ｉｎの含有量ｐとＳｂの含有量ｘの比（ｐ
／ｘ）を変化させると、８０゜Ｃ，相対湿度９５％中に
１０００時間置いた時のビット・エラーレートの変化
は、次のようになった。

【０２８２】 ビット・エラーレートの変化 （ｐ／ｘ）＝０．５ ３．０倍 （ｐ／ｘ）＝１．０ ２．０倍 （ｐ／ｘ）＝２．０ ２．０倍 （ｐ／ｘ）＝３．０ ２．０倍 （ｐ／ｘ）＝４．０ ３．０倍 この結果より、Ｉｎの含有量ｐとＳｂの含有量ｘの比
（ｐ／ｘ）が、１．０≦（ｐ／ｘ）≦３．０の範囲であ
れば、ビット・エラーレートの変化が小さいことが分か
る。

【０２８３】ＣｒをＣｕに代えたもの，すなわちＩｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｕ系において、同様にＩｎの含有量ｐと
Ｓｂの含有量ｘの比（ｐ／ｘ）を変化させた場合も、同
様の結果が得られた。

【０２８４】（相変化成分の他の例）相変化成分である
Ｉｎ₃ＳｂＴｅ₂の一部をＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅，ＧｅＳｂ₄Ｔ
ｅ₇，ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，Ｉｎ₃₅Ｓｂ₃₂Ｔｅ₃₃，Ｉｎ₃₁Ｓ
ｂ₂₆Ｔｅ₄₃のうちの少なくとも一つで置き換えても、Ｉ
ｎの一部をＧｅに置き換えても、近い特性が得られる。

【０２８５】（高融点成分の他の例）高融点成分である
Ｃｒ₄Ｔｅ₅の一部をＬａＴｅ₃，ＬａＴｅ₂，Ｌａ₂Ｔ
ｅ₃，Ｌａ₃Ｔｅ₄，ＬａＴｅ，Ｌａ₂Ｔｅ₅，ＬａＳｂ，
Ｌａ₄Ｔｅ₇，Ｌａ₃Ｔｅ，Ｌａ₂Ｓｂ，Ｌａ₃Ｓｂ₂，Ｌａ
Ｓｂ₂，Ｌａ₃Ｇｅ，Ｌａ₅Ｇｅ₃，Ｌａ₄Ｇｅ₃，Ｌａ₅Ｇ
ｅ₄，ＬａＧｅ，Ｌａ₃Ｇｅ₅，Ａｇ₂Ｔｅ，Ｃｒ₅Ｔｅ₈，
Ｃｒ₂Ｔｅ₃，ＣｒＳｂ，Ｃｒ₃Ｇｅ，Ｃｒ₅Ｇｅ₃，Ｃｒ
₁₁Ｇｅ₈，ＣｒＧｅ，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₁₉，ＰｔＴｅ₂，Ｐｔ₄
Ｔｅ₅，Ｐｔ₅Ｔｅ₄，Ｐｔ₄Ｓｂ，Ｐｔ₃Ｓｂ₂，ＰｔＳ
ｂ，Ｐｔ₃Ｇｅ，Ｐｔ₂Ｇｅ，Ｐｔ₃Ｇｅ₂，ＰｔＧｅ，Ｐ
ｔ₂Ｇｅ₃，ＰｔＧｅ₃，ＮｉＴｅ，ＮｉＴｅ_0.85，Ｎｉ
Ｓｂ，Ｎｉ₃Ｇｅ，Ｎｉ₅Ｇｅ₂，Ｎｉ₅Ｇｅ₃，ＮｉＧ
ｅ、ＣｏＴｅ₂，ＣｏＳｂ₂，ＣｏＳｂ₃，Ｃｏ₅Ｇｅ₂，
Ｃｏ₅Ｇｅ₃，ＣｏＧｅ，Ｃｏ₅Ｇｅ₇，ＣｏＧｅ₂，Ｓｉ₂
Ｔｅ₃，ＳｉＳｂ，ＳｉＧｅ，ＣｅＴｅ，Ｃｅ₃Ｔｅ₄，
Ｃｅ₂Ｔｅ₃，Ｃｅ₄Ｔｅ₇，ＣｅＴｅ₂，ＣｅＴｅ₃，Ｃｅ
₂Ｓｂ，Ｃｅ₅Ｓｂ₃，Ｃｅ₄Ｓｂ₅，ＣｅＳｂ，ＣｅＳ
ｂ₂，Ｃｅ₃Ｇｅ，Ｃｅ₅Ｇｅ₃，Ｃｅ₄Ｇｅ₃，Ｃｅ₅Ｇ
ｅ₄，ＣｅＧｅ，Ｃｅ₃Ｇｅ₅，Ｃｅ₅Ｓｉ₃，Ｃｅ₃Ｓ
ｉ₂，Ｃｅ₅Ｓｉ₄，ＣｅＳｉ，Ｃｅ₃Ｓｉ₅，ＣｅＳｉ₂，
Ｃｒ₃Ｓｉ，Ｃｒ₅Ｓｉ₃，ＣｒＳｉ，ＣｒＳｉ₃，ＣｒＳ
ｉ₂，Ｃｏ₃Ｓｉ，ＣｏＳｉ，ＣｏＳｉ₂，ＮｉＳｉ₂，Ｎ
ｉＳｉ，Ｎｉ₃Ｓｉ₂，Ｎｉ₂Ｓｉ，Ｎｉ₅Ｓｉ₂，Ｎｉ₃Ｓ
ｉ，Ｐｔ₅Ｓｉ₂，Ｐｔ₂Ｓｉ，ＰｔＳｉ，ＬａＳｉ₂，Ａ
ｇ₃Ｉｎ，Ａｇ₂Ｉｎ，Ｂｉ₂Ｃｅ，ＢｉＣｅ，Ｂｉ₃Ｃｅ
₄，Ｂｉ₃Ｃｅ₅，ＢｉＣｅ₂，Ｃｄ₁₁Ｃｅ，Ｃｄ₆Ｃｅ，
Ｃｄ₅₈Ｃｅ₁₃，Ｃｄ₃Ｃｅ，Ｃｄ₂Ｃｅ，ＣｄＣｅ，Ｃｅ
₃Ｉｎ，Ｃｅ₂Ｉｎ，Ｃｅ_1+xＩｎ，Ｃｅ₃Ｉｎ₅，ＣｅＩ
ｎ₂，ＣｅＩｎ₃，Ｃｅ₂Ｐｂ，ＣｅＰｂ，ＣｅＰｂ₃，Ｃ
ｅ₃Ｓｎ，Ｃｅ₅Ｓｎ₃，Ｃｅ₅Ｓｎ₄，Ｃｅ₁₁Ｓｎ₁₀，Ｃ
ｅ₃Ｓｎ₅，Ｃｅ₃Ｓｎ₇，Ｃｅ₂Ｓｎ₅，ＣｅＳｎ₃，Ｃｅ
Ｚｎ，ＣｅＺｎ₂，ＣｅＺｎ₃，Ｃｅ₃Ｚｎ₁₁，Ｃｅ₁₃Ｚ
ｎ₅₈，ＣｅＺｎ₅，Ｃｅ₃Ｚｎ₂₂，Ｃｅ₂Ｚｎ₁₇，ＣｅＺ
ｎ₁₁，Ｃｄ₂₁Ｃｏ₅，ＣｏＧａ，ＣｏＧａ₃，ＣｏＳｎ，
Ｃｒ₃Ｇａ，ＣｒＧａ，Ｃｒ₅Ｇａ₆，ＣｒＧａ₄，Ｃｕ₉
Ｇａ₄，Ｃｕ₃Ｓｎ，Ｃｕ₃Ｚｎ，Ｂｉ₂Ｌａ，ＢｉＬａ，
Ｂｉ₃Ｌａ₄，Ｂｉ₃Ｌａ₅，ＢｉＬａ₂，Ｃｄ₁₁Ｌａ，Ｃ
ｄ₁₇Ｌａ₂，Ｃｄ₉Ｌａ₂，Ｃｄ₂Ｌａ，ＣｄＬａ，Ｇａ₆
Ｌａ，Ｇａ₂Ｌａ，ＧａＬａ，Ｇａ₃Ｌａ₅，ＧａＬａ₃，
Ｉｎ₃Ｌａ，Ｉｎ₂Ｌａ，Ｉｎ₅Ｌａ₃，Ｉｎ_xＬａ，Ｉｎ
Ｌａ，ＩｎＬａ₂，ＩｎＬａ₃，Ｌａ₅Ｐｂ₃，Ｌａ₄Ｐ
ｂ₃，Ｌａ₁₁Ｐｂ₁₀，Ｌａ₃Ｐｂ₄，Ｌａ₅Ｐｂ₄，ＬａＰ
ｂ₂，ＬａＰｂ₃，ＬａＺｎ，ＬａＺｎ₂，ＬａＺｎ₄，Ｌ
ａＺｎ₅，Ｌａ₃Ｚｎ₂₂，Ｌａ₂Ｚｎ₁₇，ＬａＺｎ₁₁，Ｌ
ａＺｎ₁₃，ＮｉＢｉ，Ｇａ₃Ｎｉ₂，ＧａＮｉ，Ｇａ₂Ｎ
ｉ₃，Ｇａ₃Ｎｉ₅，ＧａＮｉ₃，Ｎｉ₃Ｓｎ，Ｎｉ₃Ｓ
ｎ₂，Ｎｉ₃Ｓｎ₄，ＮｉＺｎ，Ｎｉ₅Ｚｎ₂₁，ＰｔＢｉ，
ＰｔＢｉ₂，ＰｔＢｉ₃，ＰｔＣｄ₂，Ｐｔ₂Ｃｄ₉，Ｇａ₇
Ｐｔ₃，Ｇａ₂Ｐｔ，Ｇａ₃Ｐｔ₂，ＧａＰｔ，Ｇａ₃Ｐ
ｔ₅，ＧａＰｔ₂，ＧａＰｔ₃，Ｉｎ₇Ｐｔ₃，Ｉｎ₂Ｐｔ，
Ｉｎ₃Ｐｔ₂，ＩｎＰｔ，Ｉｎ₅Ｐｔ₆，Ｉｎ₂Ｐｔ₃，Ｉｎ
Ｐｔ₂，ＩｎＰｔ₃，Ｐｔ₃Ｐｂ，ＰｔＰｂ，Ｐｔ₂Ｐ
ｂ₃，Ｐｔ₃Ｓｎ，ＰｔＳｎ，Ｐｔ₂Ｓｎ₃，ＰｔＳｎ₂，
ＰｔＳｎ₄，Ｐｔ₃Ｚｎ，ＰｔＺｎ₂，ＡｌＳ，Ａｌ
₂Ｓ₃，ＢａＳ，ＢａＣ₂，ＣｄＳ，Ｃｏ₄Ｓ₃，Ｃｏ
₉Ｓ₈，ＣｏＳ，ＣｏＯ，Ｃｏ₂Ｏ₄，Ｃｏ₂Ｏ₃，Ｃｒ
₂Ｏ₃，Ｃｒ₃Ｏ₄，ＣｒＯ，ＣｒＳ，ＣｒＮ，Ｃｒ₂Ｎ，
Ｃｒ₂₃Ｃ₆₃，Ｃｒ₇Ｃ₃，Ｃｒ₃Ｃ₂，Ｃｕ₂Ｓ，Ｃｕ
₉Ｓ₅，ＣｕＯ，Ｃｕ₂Ｏ，Ｉｎ₄Ｓ₅，Ｉｎ₃Ｓ₄，Ｌａ₂Ｓ
₃，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｍｏ₂Ｃ，ＭｏＣ，Ｍｎ₂₃Ｃ₆，Ｍｎ₄Ｃ，
Ｍｎ₇Ｃ₃，ＮｉＯ，ＳｉＳ₂，ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ｃｕ
₂Ｔｅ,ＣｕＴｅ，Ｃｕ₃Ｓｂ，Ｍｎ₂Ｓｂ，ＭｎＴｅ，Ｍ
ｎＴｅ₂，Ｍｎ₅Ｇｅ₃，Ｍｎ_3.25Ｇｅ，Ｍｎ₅Ｇｅ₂，Ｍ
ｎ₃Ｇｅ₂，Ｇｅ₃Ｗ，Ｔｅ₂Ｗ，ＡｌＳｂ，Ａｌ₂Ｔｅ₃，
Ｆｅ₂Ｇｅ，ＦｅＧｅ₂，ＦｅＳｂ₂，Ｍｏ₃Ｓｂ₇，Ｍｏ₃
Ｔｅ₄，ＭｏＴｅ₂,ＰｂＴｅ，ＧｅＰｄ₂，Ｇｅ₂Ｐｄ₅，
Ｇｅ₉Ｐｄ₂₅，ＧｅＰｄ₅,Ｐｄ₃Ｓｂ，Ｐｄ₅Ｓｂ₃，Ｐｄ
Ｓｂ，ＳｎＴｅ，Ｔｉ₅Ｇｅ₃，Ｇｅ₃₁Ｖ₁₇，Ｇｅ
₈Ｖ₁₁，Ｇｅ₃Ｖ₅，ＧｅＶ₃，Ｖ₅Ｔｅ₄，Ｖ₃Ｔｅ₄，Ｚｎ
Ｔｅ，Ａｇ₂Ｓｅ，Ｃｕ₂Ｓｅ，Ａｌ₂Ｓｅ₃，ＩｎＡｓ，
ＣｏＳｅ，Ｍｎ₃Ｉｎ，Ｎｉ₃Ｉｎ，ＮｉＩｎ，Ｎｉ₂Ｉ
ｎ₃，Ｎｉ₃Ｉｎ₇，ＰｂＳｅ，上記高融点成分の構成元
素の酸化物のうち高融点のもの、などの高融点化合物、
またはそれに近い組成のもの、あるいはこれらの混合組
成や混合組成に近い３元以上の化合物のうちの少なくと
も一つで置き換えても、同様の結果が得られる。

【０２８６】これらのうちで、ＬａＳｂ，Ｌａ₂Ｔｅ₃，
Ｌａ₃Ｔｅ₄，ＣｒＳｂ，ＣｏＳｂ，Ｃｒ₃Ｔｅ₄，Ｃｒ₂
Ｔｅ₃，Ｃｒ₃Ｔｅ₄，ＣｏＴｅ，Ｃｏ₃Ｔｅ₄，Ｃｕ₂Ｔ
ｅ，ＣｕＴｅ，Ｃｕ₃Ｓｂ，ＭｎＴｅ，ＭｎＴｅ₂，Ｍｎ
₂Ｓｂ，Ｃｒ₄Ｔｅ₅のうちの少なくとも一つが特に好ま
しい。少ない回数の初期結晶化で記録・消去特性が安定
するからである。

【０２８７】この実施例においても、析出する高融点成
分３ｂは化合物でもよいし、元素単体や合金でもよい。

【０２８８】（高融点成分の含有物の量）実施例１と同
様に、高融点成分の析出物に含まれる酸化物、硫化物、
窒化物、炭化物の含有量は、高融点成分の４０原子％未
満とするのが好ましく、１０原子％未満とするのが特に
好ましい。これらの含有量が多いと、相変化成分との複
素屈折率の差を小さくできなかったり、相変化成分中に
酸素等が拡散して記録・再生特性を劣化させたりする問
題を生じやすい。

【０２８９】なお、ここで述べていない事項は、実施例
１と同様である。

【０２９０】〔実施例３〕実施例１のＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ
−Ｃｒ系の記録膜５において、前記一般式でＢまたはＸ
で表される元素として、Ｃｒに代えてＣｏおよびＳｉを
含むＳｂ₁₆Ｔｅ₃₉Ｇｅ₁₅Ｃｏ₂₂Ｓｉ₈すなわち（Ｃｏ₃Ｓ
ｉ）₂₇（Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅）₂₈により記録膜５を形成し
た点以外は、実施例１と同様にして、情報記録用薄膜を
製作した。また、当該薄膜の初期結晶化と、その後の情
報の記録・再生方法も実施例１と同様とした。

【０２９１】この実施例では、高融点成分はＣｏ₃Ｓ
ｉ、相変化成分はＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅である。

【０２９２】Ｓｂ対Ｔｅ対Ｇｅの含有量ｘ，ｙ，ｐの比
をｘ：ｙ：ｐ＝２：５：２に保ってＣｏ₃Ｓｉの含有量
ａ（実施例１のａに対応）を変化させたとき、書き換え
可能回数と、レーザ光のパワーを最適値より１５％高く
した厳しい条件で１０⁵回書き換えた後の再生信号のＣ
／Ｎの変化は、実施例１と同様であった。

【０２９３】（相変化成分の他の例）相変化成分である
Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅の一部または全部をＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇、
ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，Ｉｎ₃ＳｂＴｅ₂，Ｉｎ₃₅Ｓｂ₃₂Ｔ
ｅ₃₃，Ｉｎ₃₁Ｓｂ₂₆Ｔｅ₄₃のうちの少なくとも一つで置
き換えても、Ｇｅの一部または全部をＩｎに置き換えて
も近い特性が得られる。

【０２９４】（高融点成分の他の例）高融点成分である
Ｃｏ₃Ｓｉの一部または全部をＣｅ₅Ｓｉ₃，Ｃｅ₃Ｓ
ｉ₂，Ｃｅ₅Ｓｉ₄，ＣｅＳｉ，Ｃｅ₃Ｓｉ₅，ＣｅＳｉ₂，
Ｃｒ₅Ｓｉ₃，ＣｒＳｉ，ＣｒＳｉ₃，ＣｒＳｉ₂，Ｃｒ₃
Ｓｉ，ＣｏＳｉ，ＣｏＳｉ₂，ＮｉＳｉ₂，ＮｉＳｉ，Ｎ
ｉ₃Ｓｉ₂，Ｎｉ₂Ｓｉ，Ｎｉ₅Ｓｉ₂，Ｎｉ₃Ｓｉ，Ｐｔ₅
Ｓｉ₂，Ｐｔ₂Ｓｉ，ＰｔＳｉ，ＬａＳｉ₂，Ｂｉ₂Ｃｅ，
ＢｉＣｅ，Ｂｉ₃Ｃｅ₄，Ｂｉ₃Ｃｅ₅，ＢｉＣｅ₂，Ｃｄ
₁₁Ｃｅ，Ｃｄ₆Ｃｅ，Ｃｄ₅₈Ｃｅ₁₃，Ｃｄ₃Ｃｅ，Ｃｄ₂
Ｃｅ，ＣｄＣｅ，Ｃｅ₂Ｐｂ，ＣｅＰｂ，ＣｅＰｂ₃，Ｃ
ｅ₃Ｓｎ，Ｃｅ₅Ｓｎ₃，Ｃｅ₅Ｓｎ₄，Ｃｅ₁₁Ｓｎ₁₀，Ｃ
ｅ₃Ｓｎ₅，Ｃｅ₃Ｓｎ₇，Ｃｅ₂Ｓｎ₅，ＣｅＳｎ₃，Ｃｅ
Ｚｎ，ＣｅＺｎ₂，ＣｅＺｎ₃，Ｃｅ₃Ｚｎ₁₁，Ｃｅ₁₃Ｚ
ｎ₅₈，ＣｅＺｎ₅，Ｃｅ₃Ｚｎ₂₂，Ｃｅ₂Ｚｎ₁₇，ＣｅＺ
ｎ₁₁，Ｃｄ₂₁Ｃｏ₅，ＣｏＧａ，ＣｏＧａ₃，ＣｏＳｎ，
Ｃｒ₃Ｇａ，ＣｒＧａ，Ｃｒ₅Ｇａ₆，ＣｒＧａ₄，Ｃｕ₉
Ｇａ₄，Ｃｕ₃Ｓｎ，Ｃｕ₃Ｚｎ，Ｂｉ₂Ｌａ，ＢｉＬａ，
Ｂｉ₃Ｌａ₄，Ｂｉ₃Ｌａ₅，ＢｉＬａ₂，Ｃｄ₁₁Ｌａ，Ｃ
ｄ₁₇Ｌａ₂，Ｃｄ₉Ｌａ₂，Ｃｄ₂Ｌａ，ＣｄＬａ，Ｇａ₆
Ｌａ，Ｇａ₂Ｌａ，ＧａＬａ，Ｇａ₃Ｌａ₅，ＧａＬａ₃，
Ｌａ₅Ｐｂ₃，Ｌａ₄Ｐｂ₃，Ｌａ₁₁Ｐｂ₁₀，Ｌａ₃Ｐｂ₄，
Ｌａ₅Ｐｂ₄，ＬａＰｂ₂，ＬａＰｂ₃，ＬａＺｎ，ＬａＺ
ｎ₂，ＬａＺｎ₄，ＬａＺｎ₅，Ｌａ₃Ｚｎ₂₂，Ｌａ₂Ｚｎ
₁₇，ＬａＺｎ₁₁，ＬａＺｎ₁₃，ＮｉＢｉ，Ｇａ₃Ｎｉ₂，
ＧａＮｉ，Ｇａ₂Ｎｉ₃，Ｇａ₃Ｎｉ₅，ＧａＮｉ₃，Ｎｉ₃
Ｓｎ，Ｎｉ₃Ｓｎ₂，Ｎｉ₃Ｓｎ₄，ＮｉＺｎ，Ｎｉ₅Ｚｎ
₂₁，ＰｔＢｉ，ＰｔＢｉ₂，ＰｔＢｉ₃，ＰｔＣｄ₂，Ｐ
ｔ₂Ｃｄ₉，Ｇａ₇Ｐｔ₃，Ｇａ₂Ｐｔ，Ｇａ₃Ｐｔ₂，Ｇａ
Ｐｔ，Ｇａ₃Ｐｔ₅，ＧａＰｔ₂，ＧａＰｔ₃，Ｐｔ₃Ｐ
ｂ，ＰｔＰｂ，Ｐｔ₂Ｐｂ₃，Ｐｔ₃Ｓｎ，ＰｔＳｎ，Ｐ
ｔ₂Ｓｎ₃，ＰｔＳｎ₂，ＰｔＳｎ₄，Ｐｔ₃Ｚｎ，ＰｔＺ
ｎ₂ など、前記Ｂで表わされる元素を２以上含む高融点化合
物、またはそれに近い組成のもの、あるいはこれらの混
合組成や、混合組成に近い３元以上の化合物のうちの少
なくとも一つで置き換えても、同様な結果が得られる。

【０２９５】ここで述べていない事項については、実施
例１と同様である。

【０２９６】〔実施例４〕 （構成・製法）図３は、この発明の第１実施例の情報記
録用薄膜を用いたディスク状情報記録媒体の断面構造を
示す。この媒体は次のようにして製作された。

【０２９７】まず、直径１３ｃｍ，厚さ１．２ｍｍで表
面に断面Ｕ字形のトラッキング溝を有するポリカーボネ
ート基板１を形成した。次に、この基板１上に順次、薄
膜を形成するため、基板１をマグネトロン・スパッタリ
ング装置内に置いた。この装置は複数のターゲットを持
ち、積層膜を順次、形成することができるものである。
また、形成される膜厚の均一性および再現性に優れてい
る。

【０２９８】マグネトロン・スパッタリング装置によ
り、基板１上にまず（ＺｎＳ）８０％・（ＳｉＯ₂）２
０％、すなわち（Ｚｎ₄₀Ｓ₄₀Ｓｉ₇Ｏ₁₃）膜よりなる保
護層２を膜厚約１３０ｎｍとなるように形成した。続い
て、保護層２上に、高融点成分であるＣｒ₄Ｔｅ₅膜（図
示せず）を島状に平均膜厚３ｎｍまで形成した後、その
上にＣｒ₉Ｇｅ₇Ｓｂ₂₇Ｔｅ₅₇、すなわち（（ＧｅＳｂ₄
Ｔｅ₇）₈（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂）の組成の記録膜３を膜厚約
２２ｎｍまで形成した。この際、Ｃｒ₄Ｔｅ₅ターゲット
とＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇ターゲットとによる回転同時スパッタ
法を用いた。

【０２９９】Ｃｒ₄Ｔｅ₅膜は必ずしも形成する必要はな
い。しかし、その場合記録膜流動がやや起こりやすくな
る。Ｃｒ₄Ｔｅ₅膜を形成しない場合、記録膜３中に析出
する高融点成分は、後述する初期化の際に生じるものの
みとなる。

【０３００】次に、記録膜３上に、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓｉ
Ｏ₂）₂₀膜よりなる中間層４を約４０ｎｍの膜厚まで形
成した後、その上に同じスパッタリング装置内でＡｌ₉₇
Ｔｉ₃膜よりなる反射層５を膜厚２００ｎｍまで形成し
た。こうして、第１のディスク部材を得た。

【０３０１】他方、まったく同様の方法により、第１の
ディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得
た。第２のディスク部材は、直径１３ｃｍ，厚さ１．２
ｍｍの基板１’上に順に積層された、膜厚約１３０ｎｍ
の（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる保護層２’、
平均膜厚３ｎｍのＣｒ₄Ｔｅ₅膜（図示せず）、膜厚約２
２ｎｍのＣｒ₉Ｇｅ₇Ｓｂ₂₇Ｔｅ₅₇、すなわち（（ＧｅＳ
ｂ₄Ｔｅ₇）₈（Ｃｒ₄Ｔｅ₅）₂）の記録膜３’、膜厚約４
０ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる中間層
４’、および膜厚２００ｎｍのＡｌ₉₇Ｔｉ₃膜よりなる
反射層５’を備えている。

【０３０２】その後、接着剤層６を介して、前記第１お
よび第２のディスク部材の反射層５，５’同士を貼り合
わせ、図３に示すディスク状情報記録媒体を得た。

【０３０３】この媒体では、反射層５，５’の全面を接
着すると、全面を接着しない場合に比べて書き換え可能
回数を多くすることができ、また、反射層５，５’の記
録領域に対応する箇所に接着剤を付けない場合、その箇
所にも接着剤を付けた場合よりも少し記録感度が高くな
った。

【０３０４】（初期化）前記のようにして製作した媒体
の記録膜３、３’に、次のようにして初期化を行なっ
た。なお、記録膜３’についてもまったく同様であるか
ら、以下の説明では記録膜３についてのみ述べることと
する。

【０３０５】媒体を１８００ｒｐｍで回転させ、半導体
レーザ（波長８３０ｎｍ）のレーザ光パワーを記録が行
なわれないレベル（約１ｍＷ）に保ち、そのレーザ光を
記録ヘッド中の開口数（ＮＡ）がＯ．５５のレンズで集
光し、基板１を通して記録膜３に照射した。記録膜３か
らの反射光を検出して、基板１のトラッキング溝の中心
または溝と溝の中間にレーザ光スポットの中心が常に一
致するようにトラッキングを行なうと共に、記録膜３上
にレーザ光の焦点が来るように、自動焦点合わせを行な
いながら記録ヘッドを駆動した。

【０３０６】まず、初期化のため、記録膜５の同一記録
トラック上に、パワー１５ｍＷの連続（ＤＣ）レーザ光
を２００回照射した。各回の照射時間（光スポット通過
時間）は、約０．１μｓｅｃである。

【０３０７】続いて、パワー７ｍＷの連続レーザ光を５
回照射した。各回の照射時間（光スポット通過時間）
は、約０．１μｓｅｃである。この時のレーザ光パワー
は５〜９ｍＷの範囲であればよい。

【０３０８】前記２種類のレーザ光照射のうち、パワー
の低い方（７ｍＷ）の照射は省略してもよいが、照射し
た方が消去特性が良い。

【０３０９】このように、パワーの異なるレーザ光を照
射すると、初期化を充分に行なうことができる。

【０３１０】これらのレーザ光照射は、半導体レーザ・
アレイを用いて行なうか、ガスレーザからの光ビームを
複数に分割したもの、あるいは高出力ガスレーザや半導
体レーザからの光ビームのスポット形状を媒体の半径方
向に長い長円形にしたものを用いて行なえば、さらに好
ましい。こうすると、媒体を少数回転させるだけで初期
結晶化を完了することも可能となる。

【０３１１】複数のレーザ光スポットを用いる場合、そ
れらレーザ光スポットを同一の記録トラック上に配置せ
ず、媒体の半径方向に位置を少しずつズラして配置すれ
ば、１回の照射で広い範囲を初期化することができる、
消え残りが少なくなる、などの効果が得られる。

【０３１２】次に、円形スポットの１２ｍＷの連続レー
ザ光（初期化用の高パワー光）を１回照射する（照射時
間：約０．１μｓｅｃ）毎に、パワー１５ｍＷのパルス
・レーザ光（記録用の高パワー光）を照射し、記録膜５
を非晶質化して記録点を形成した。その後、その記録点
を７ｍＷの連続レーザ光（消去用の低パワー光）を照射
して結晶化させるために、７ｍＷの連続レーザ光を何回
照射することが必要かを調べた。

【０３１３】本実施例のディスクでは、１２ｍＷの連続
レーザ光の照射回数が１００回までは、照射回数が増加
するほど、結晶化に要する前記７ｍＷの連続レーザ光照
射の回数は低下した。すなわち、照射回数が増加するほ
ど結晶化しやすいことが分かった。これは、１２ｍＷの
連続レーザ光の照射により、記録膜５中に高融点成分で
あるＣｒ₄Ｔｅ₅の微細な結晶が多数析出し、その残部
（相変化する部分）の組成が高速結晶化可能なＧｅＳｂ
₄Ｔｅ₇の組成に近づいたためと推察される。

【０３１４】一方、マークエッジ記録方式の信号を想定
して、１６Ｔ（１Ｔは４５ｎｓ）の範囲で記録トラック
上の信号書き始め位置をランダムにずらしながら２Ｔの
記録マークと８Ｔのスペースの繰り返しに対応する信号
Ａと、８Ｔの記録マークと２Ｔのスペースの繰り返しに
対応する信号Ｂとが交互に繰り返す信号を記録する場
合、信号Ａと信号Ｂとの切り変え部分ではマーク形成頻
度が急に大きく変化するので、記録膜が流動すると、流
動して来た記録膜材料が止められて堆積したり、後方か
らの流入なしに記録膜材料が流出して膜厚が薄くなった
りするため、再生信号波形歪みが生ずる。記録膜中の元
素が偏析する場合も、同様にその元素が対積したり不足
したりする。流動や偏析はある程度起こると膜厚や濃度
の勾配によって逆の流動や偏析も起こりやすくなり、ブ
レーキがかかる。従って、ディスクの使用前に記録領域
より少し広めに高いパワー（１５ｍＷ）連続光を繰り返
し照射しておくと、上記のような記録領域内での変化は
ある程度防止できる。従って、ディスク毎に上記の信号
の多数回書き換えによる波形歪みの大きさを指標にし
て、上記の連続光の繰り返し照射必要回数を求めた。上
記のように、結晶化速度が十分大きくなるための照射の
必要回数と、波形歪みが小さくなるための照射の必要回
数の大きい方がそのディスクの初期化必要回数である。
本実施例のディスクでは結晶化速度が十分大きくなるた
めの必要回数の方が大きく、１００回が必要初期化照射
回数であった。

【０３１５】なお、Ｃｒ₄Ｔｅ₅の融点は１２５２゜Ｃで
あり、ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇の融点は６０５゜Ｃである。

【０３１６】（Ｇｅ含有量ａとの関係１：−ＧｅＳｂ₄
Ｔｅ₇付近）図１０の三角相図のＧｅ₆₅Ｔｅ₂₅Ｃｒ₁₀と
Ｓｂ₃₀Ｔｅ₆₀Ｃｒ₁₀を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線
上で組成を変化させ、一定速度で昇温した場合の未記
録部分の結晶化温度と、初期化のためのレーザ照射回数
を測定した。その結果、次のようなデータが得られた。

【０３１７】 組成 結晶化温度 レーザ照射回数 Ｓｂ₃₀Ｔｅ₆₀Ｃｒ₁₀ １２０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₂Ｓｂ₂₉Ｔｅ₅₉Ｃｒ₁₀ １３０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₄Ｓｂ₂₈Ｔｅ₅₈Ｃｒ₁₀ １５０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₁₀Ｓｂ₂₅Ｔｅ₅₅Ｃｒ₁₀ １６０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₁₅Ｓｂ₂₃Ｔｅ₅₂Ｃｒ₁₀ １７０゜Ｃ ５００回 Ｇｅ₁₇Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₁Ｃｒ₁₀ １７０゜Ｃ ２０００回 Ｇｅ₂₅Ｓｂ₁₈Ｔｅ₄₇Ｃｒ₁₀ １８０゜Ｃ ５０００回 この結果より、０．０２≦ａ≦０．１９の範囲におい
て、適当な結晶化温度が得られ、初期化のためのレーザ
照射回数を低減することができる。

【０３１８】（Ｓｂ含有量ｂとの関係１：−ＧｅＳｂ₄
Ｔｅ₇付近）図１０の三角相図のＳｂ₄₅Ｔｅ₄₅Ｃｒ₁₀と
Ｇｅ₁₈Ｔｅ₇₂Ｃｒ₁₀を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線
上で組成を変化させ、一定速度で昇温した場合の結晶
化温度と、初期化のためのレーザ照射回数を測定した。
その結果、次のようなデータが得られた。

【０３１９】 組成 結晶化温度 レーザ照射回数 Ｇｅ₁₇Ｓｂ₂Ｔｅ₇₁Ｃｒ₁₀ ２１０゜Ｃ ５０００回 Ｇｅ₁₇Ｓｂ₄Ｔｅ₆₉Ｃｒ₁₀ ２００゜Ｃ １０００回 Ｇｅ₁₄Ｓｂ₁₀Ｔｅ₆₆Ｃｒ₁₀ １８０゜Ｃ ５００回 Ｇｅ₁₀Ｓｂ₂₀Ｔｅ₆₀Ｃｒ₁₀ １７０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₇Ｓｂ₂₆Ｔｅ₅₇Ｃｒ₁₀ １６０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₅Ｓｂ₃₃Ｔｅ₅₂Ｃｒ₁₀ １５０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₃Ｓｂ₃₆Ｔｅ₅₁Ｃｒ₁₀ １４０゜Ｃ ２００回以下 Ｇｅ₂Ｓｂ₄₀Ｔｅ₄₈Ｃｒ₁₀ １２０゜Ｃ ２００回以下 この結果より、０．０４≦ｂ≦０．４の範囲において、
適当な結晶化温度が得られ、初期化のためのレーザ照射
射回数を低減することができる。

【０３２０】（Ｔｅ含有量ｃとの関係１：−ＧｅＳｂ₄
Ｔｅ₇付近）図１０の三角相図のＳｂ₁₅Ｔｅ₇₅Ｃｒ₁₀と
Ｇｅ₃₀Ｓｂ₆₀Ｃｒ₁₀を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線
上で組成を変化させ、記録されている情報の消去に必
要なレーザ光の照射時間と、レーザ光パワーを最適値よ
り１５％高くした厳しい条件で１０⁵回書き換えた後の
再生信号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）の変化を測定し
た。その結果、次のようなデータが得られた。

【０３２１】 １０⁵回書き換えた後 組成 レーザ光照射時間 の再生信号のＣ／Ｎ Ｇｅ₁₄Ｓｂ₃₆Ｔｅ₄₀Ｃｒ₁₀ ０．５μｓｅｃ ４４ｄＢ Ｇｅ₁₂Ｓｂ₃₃Ｔｅ₄₅Ｃｒ₁₀ ０．２μｓｅｃ ４８ｄＢ Ｇｅ₁₁Ｓｂ₃₁Ｔｅ₄₈Ｃｒ₁₀ ０．１μｓｅｃ ５０ｄＢ Ｇｅ₈Ｓｂ₂₇Ｔｅ₅₅Ｃｒ₁₀ ０．１μｓｅｃ ５０ｄＢ Ｇｅ₅Ｓｂ₂₂Ｔｅ₆₃Ｃｒ₁₀ ０．５μｓｅｃ ５０ｄＢ Ｇｅ₃Ｓｂ₁₉.₅Ｔｅ₆₇.₅Ｃｒ₁₀ １．０μｓｅｃ ５０ｄＢ Ｓｂ₁₅Ｔｅ₇₅Ｃｒ₁₀ ３．０μｓｅｃ ５０ｄＢ この結果より、０．５≦ｃ≦０．７５の範囲において、
消去に必要なレーザ光の照射時間を少なくでき、レーザ
光パワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０
⁵回書き換えた後の再生信号の搬送波対雑音比（Ｃ／
Ｎ）を良くできる。

【０３２２】（Ｃｒ含有量ｄとの関係１：−ＧｅＳｂ₄
Ｔｅ₇付近）Ｃｒ₄Ｔｅ₅の残部であるＧｅ対Ｓｂ対Ｔｅ
の含有量ａ，ｂ，ｃの比を、ａ：ｂ：ｃ＝１：４：７に
保ってＣｒ₄Ｔｅ₅の含有量を変化させたとき、レーザ光
のパワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０
⁵回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎを測定したとこ
ろ、Ｃｒの含有量ｄに関して次のような結果が得られ
た。

【０３２３】 １０⁵回書換後の再生信号Ｃ／Ｎ ｄ＝０ ４２ｄＢ ｄ＝３ ４８ｄＢ ｄ＝１０ ５０ｄＢ ｄ＝２０ ５０ｄＢ ｄ＝３４ ４８ｄＢ Ｃｒの含有量ｄを変化させると、レーザ光のパワーを最
適値より１５％高くした厳しい条件で初期化回数を２０
０回として、信号を１回記録後、１回オーバーライトし
た時の再生信号の「消去比」は、次のように変化した。

【０３２４】ここで「消去比」とは、すでに記録された
信号の上に周波数の異なる別の信号を重ね書きしたとき
の、重ね書き前後の信号の比をｄＢで表したものであ
る。

【０３２５】 信号を１回記録後、１回オーバーライト した時の再生信号の消去比 ｄ＝１０ ２８ｄＢ ｄ＝２０ ２５ｄＢ ｄ＝３０ ２５ｄＢ ｄ＝４０ ２０ｄＢ この結果より、Ｃｒの含有量ｄが増加するにつれて、消
去比が低下することが分かる。

【０３２６】この結果より、０．０３≦ｄ≦０．３の範
囲において、消去に必要なレーザ光の照射時間を少なく
でき、レーザ光パワーを最適値より１５％高くした厳し
い条件で１０⁵回書き換えた後の再生信号の搬送波対雑
音比（Ｃ／Ｎ）を良くできる。

【０３２７】記録用薄膜の平均組成を、元素単体または
化合物組成の低融点成分Ｌと元素単体または化合物組成
の高融点成分Ｈにより Ｌ_jＨ_k の式で表わし、その含有量ｋを変化させた場合、結晶化
温度とレーザパワーを１５％高くした厳しい条件で１０
⁵回書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変
化した。

【０３２８】 １０⁵回書き換えた後の 組 成 再生信号のＣ／Ｎ 結晶化温度 (GeSb₄Te₇)₉₅(Cr₄Te₅)₅ ４５ｄＢ １７０℃ (GeSb₄Te₇)₉₀(Cr₄Te₅)₁₀ ４８ｄＢ １７０℃ (GeSb₄Te₇)₈₀(Cr₄Te₅)₂₀ ５０ｄＢ １６０℃ (GeSb₄Te₇)₆₅(Cr₄Te₅)₃₅ ５０ｄＢ １５０℃ (GeSb₄Te₇)₅₀(Cr₄Te₅)₅₀ ５０ｄＢ １３０℃ (GeSb₄Te₇)₄₀(Cr₄Te₅)₆₀ ４９ｄＢ １２０℃ この結果より、２０≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦４０の範囲が好
ましいことが分かった。

【０３２９】（成膜時に被着させる高融点成分との関
係）この実施例の情報記録用薄膜を製作する際に、初期
の工程で、高融点成分Ｃｒ₄Ｔｅ₅を被着させているが、
その高融点成分Ｃｒ₄Ｔｅ₅の平均膜厚ｚを次のように変
えると、書き換え可能回数と、レーザ光のパワーを最適
値より１５％高くした厳しい条件で１０⁵回書き換えた
後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変化した。このＣ
／Ｎの変化は、主としてＣレベルの変化によるものであ
る。

【０３３０】 書き換え可能回数 ｚ＝ ０ｎｍ ５×１０⁴回 ｚ＝ １ｎｍ １×１０⁵回 ｚ＝ ５ｎｍ ２×１０⁵回 １０⁵回書き換え後の再生信号のＣ／Ｎ ｚ＝ １ｎｍ ４７ｄＢ ｚ＝ ５ｎｍ ４７ｄＢ ｚ＝１０ｎｍ ４６ｄＢ ｚ＝２０ｎｍ ４０ｄＢ この結果より、１ｎｍ≦ｚ≦１０ｎｍの範囲が好ましい
ことが分かった。

【０３３１】（その他，保護層および中間層および反射
層材質）この実施例では、保護層２および中間層４をＺ
ｎＳ−ＳｉＯ₂により形成しているが、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂
に代えて、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｓｉ
Ｏ₂，ＳｉＯ，ＴｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，
ＣｅＯ，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂，Ｐｂ
Ｏ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，ＷＯ₂，Ｗ
Ｏ₃，Ｓｃ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂などの酸化物，ＴａＮ，Ａｌ
Ｎ，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉ
Ｎ₂）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，ＣｄＳ，Ｉｎ₂
Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，Ｂｉ₂Ｓ₃，
などの硫化物、ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，ＣｄＳｅ，Ｚ
ｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ
₂，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃などのセレン化
物、ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化物、あるい
はＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ，または、上記
の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これら
の混合材料の層やこれらの多重層でもよい。

【０３３２】多重層の場合、ＺｎＳを７０モル％以上含
む材料、例えば（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀と、Ｓｉ，
Ｇｅのうちの少なくとも一者を７０原子％以上含む材
料、例えばＳｉ、あるいはＳｉの酸化物、例えばＳｉＯ
₂との２層膜が好ましい。この場合、記録感度低下を防
ぐため、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂層の方を記録膜側に設け、そ
の厚さを３ｎｍ以上とする。また、ＳｉＯ₂などの層の
低熱膨張係数による記録膜流動抑制効果を発揮させるた
めに、厚さ１０ｎｍ以下が好ましい。この２層膜は保護
層２の代わりに設けると好ましいが、中間層４の代わり
に設けてもよい。保護層２の代わりとしてはＳｉＯ₂な
どの層の厚さが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好まし
い。中間層の代わりに２層膜を設ける場合は、ＳｉＯ₂
層の膜厚は１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が好ましい。これ
らの２層膜を設けることは、本発明の記録膜を用いる場
合だけではなく、他の相変化記録膜を用いる場合にも好
ましい。

【０３３３】また、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂と基板側にＡｕ層
を設けた２層膜にすると反射率決定の自由度が増すた
め、好ましい。このときのＡｕ層の厚さは３０ｎｍ以下
が好ましい。Ａｕの代わりにたとえばＡｕ−Ｃｏ，Ａｕ
−Ｃｒ、Ａｕ−Ｔｉ，Ａｕ−Ｎｉ，Ａｕ−ＡｇなどＡｕ
を主成分とする混合材料を用いてもよい。

【０３３４】中間層４を省略した場合には、記録感度が
約３０％低下し、消え残りも約５ｄＢ増加した。書き換
え可能回数も減少した。

【０３３５】中間層４の屈折率が１．７以上、２．３以
下の範囲にある場合、膜厚が３ｎｍ以上、１００ｎｍ以
下の範囲、および１８０ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の範
囲で、それぞれ５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。

【０３３６】この実施例で反射層５に用いたＡｌ−Ｔｉ
の代わりに、反射層の材料としては、Ｓｉ−Ｇｅ混合材
料が、記録マーク部分の光吸収率を記録マーク以外の部
分の光吸収率より小さくできるので、光吸収率差による
消え残りを防止でき、さらに書き換え可能回数が低下し
ない。Ｇｅの含有量は１０原子％以上８０原子％以下が
書き換え可能回数が低下が生じにくい。

【０３３７】次いで、Ｓｉ−ＳｎまたはＳｉ−Ｉｎ混合
材料、あるいはこれら混合材料の２種以上の混合材料で
も同様の結果が得られた。これらの反射層材料は、本発
明の相変化膜ばかりでなく、他の相変化膜を用いる場合
の反射層材料として用いても、従来の反射層材料に比べ
て、書き換え可能回数が低下しない。

【０３３８】さらに、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂの元素単体、またはこれらを
主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる
層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用い
てもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層
などを用いてもよい。

【０３３９】この実施例では、表面に直接、トラッキン
グガイドなどの凹凸を形成したポリカーボネート基板１
を用いているが、その代わりに、ポリオレフィン、エポ
キシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成し
た化学強化ガラスなどを用いてもよい。

【０３４０】中間層４、反射層５および保護層２の一部
を省略した単純積層構造、例えば基板１／保護層２／記
録膜３、基板１／記録膜３／中間層４、基板１／記録膜
３／反射層５などの構成でも、従来のものに比べると、
多数回書き換えを行なってもノイズ上昇が少なく、良好
な結果が得られた。

【０３４１】以上述べたように、この実施例の情報記録
用薄膜は、記録・再生・消去特性を良好に保ちながら、
従来より多数回の書き換えが可能である。また、記録・
消去に用いるレーザ光のパワーが低くてよいという利点
もある。

【０３４２】なお、ここで述べていない事項は、実施例
１と同様である。

【０３４３】〔実施例５〕実施例１のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｃｒ系の記録膜５においてＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀組成付近の組
成Ｇｅ₄₀Ｓｂ₁₀Ｔｅ₄₀Ｃｒ₁₀により記録膜５を形成し
た。構造は、保護層の下に金属層を１５ｎｍ，保護層を
２０ｎｍ、記録膜を２０ｎｍ、中間層を４０ｎｍ，反射
層を７０ｎｍ形成した。材料は、金属層と反射層にＡｕ
を使用した。それ以外は、実施例１と同様にして、情報
記録用薄膜を作製した。また、当該薄膜の初期化と、そ
の後の情報の記録再生方法も実施例と同様とした。

【０３４４】（Ｓｂ含有量ｂとの関係−２：ＧｅＴｅ組
成付近）図１１の三角相図のＧｅ₄₅Ｔｅ₄₅Ｃｒ₁₀とＳｂ
₉₀Ｃｒ₁₀を結ぶＣｒ含有量を一定とした直線上で組成
を変化させ、非晶質化させた時と結晶化させた時の反射
率差を測定した。その結果、次のようなデータが得られ
た。

【０３４５】 これより、ＧｅＴｅ組成付近においては、０≦ｂ≦０．
２の範囲で高反射率差が得られることがわかった。Ｓｂ
を０．０１≦ｂ≦０．２の範囲で添加すると，６０相対
湿度８０％におけるクラック発生を防止できた。しか
し、Ｓｂを添加しない膜より細かい組成制御が要求され
る。

【０３４６】（Ｇｅ，Ｔｅ含有量ａ，ｃとの関係−２：
ＧｅＴｅ組成付近）図１１の三角相図のＳｂ₁₀Ｔｅ₈₀Ｃ
ｒ₁₀とＧｅ₈₀Ｓｂ₁₀Ｃｒ₁₀を結ぶＣｒ含有量を一定とし
た直線上で組成を変化させ、非晶質化させた時と結晶
化させた時の反射率差を測定した。その結果、次のよう
なデータが得られた。

【０３４７】 これより、ＧｅＴｅ組成付近においては、０．２５≦ａ
≦０．６５，０．３５≦ｃ≦０．７５の範囲で高反射率
差が得られることがわかった。

【０３４８】（Ｃｒ含有量ｄとの関係−２：ＧｅＴｅ組
成付近）Ｃｒ₄Ｔｅ₅の残部であるＧｅ対Ｓｂ対Ｔｅの含
有量ａ，ｂ，ｃの比を、ａ：ｂ：ｃ＝４：１：４に保っ
てＣｒ₄Ｔｅ₅の含有量を変化させたとき、レーザ光のパ
ワーを最適値より１５％高くした厳しい条件で１０⁵回
書き換えた後の再生信号のＣ／Ｎを測定したところ、Ｃ
ｒの含有量ｄに関して次のような結果が得られた。

【０３４９】 １０⁵回書換後の再生信号Ｃ／Ｎ ｄ＝０ ４２ｄＢ ｄ＝３ ４８ｄＢ ｄ＝１０ ５０ｄＢ ｄ＝２０ ５０ｄＢ ｄ＝３４ ４８ｄＢ Ｃｒの含有量ｄを変化させると、レーザ光のパワーを最
適値より１５％高くした厳しい条件で初期化回数を２０
０回として、信号を１回記録後、１回オーバーライトし
た時の再生信号の「消去比」は、次のように変化した。

【０３５０】ここで「消去比」とはすでに記録された信
号の上に周波数の異なる別の信号を重ね書きしたとき
の、重ね書き前後の信号の比をｄＢで表したものであ
る。

【０３５１】 信号を１回記録後、１回オーバーライト した時の再生信号の消去比 ｄ＝１０ ２８ｄＢ ｄ＝２０ ２５ｄＢ ｄ＝３０ ２５ｄＢ ｄ＝４０ ２０ｄＢ この結果より、Ｃｒの含有量ｄが増加するにつれて、消
去比が低下することが分かる。

【０３５２】この結果より、０．０３≦ｄ≦０．３の範
囲において、十分高い消去比が得られ、レーザ光パワー
を最適値より１５％高くした厳しい条件で１０⁵回書き
換えた後の再生信号の搬送波対雑音比（Ｃ／Ｎ）を良く
できる。

【０３５３】なお、ここで述べていない事項は、実施例
１と同様である。

【０３５４】〔実施例６〕実施例１の記録膜５におい
て、前記高融点成分が膜厚方向に変化した記録膜を形成
した点以外は、実施例１と同様にして情報記録用薄膜を
作製した。また、その他は１実施例の用いたディスク状
情報記録媒体と同様に作製した。初期化、その後の記録
・再生方法も実施例１と同様にした。

【０３５５】（構成・製法）前記高融点成分の含有量が
膜厚方向に変化した記録膜の形成には、マグネトロン・
スパッタリング装置による、Ｃｒ₄Ｔｅ₅ターゲットとＧ
ｅＳｂ₄Ｔｅ₇ターゲットとの回転同時スパッタ法を用い
た。この際、始めにＣｒ₄Ｔｅ₅膜を３ｎｍ形成してお
き、その後次に示すようにＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇ターゲットに
印加する電圧を一定にし、Ｃｒ₄Ｔｅ₅ターゲットに印加
する電圧を徐々に下げていった。

【０３５６】 スパッタ時間 スパッタパワー（Ｗ） 光入射側からの Cr₄Te₅含有 量 （秒） GeSb₄Te₇ターケ゛ット Cr₄Te₅ターケ゛ット 記録膜膜厚（ｎｍ） （原子％ ） ０〜９ ４９ １５０ ０〜６ ５０ １０〜２０ ４９ １００ ６〜１２ ４０ ２１〜３３ ４９ ６５ １３〜１８ ３０ ３４〜４７ ４９ ４０ １９〜２４ ２０ ４８〜６３ ４９ ２０ ２４〜３０ １０ この他にも、Ｃｒ₄Ｔｅ₅ターゲットに印加する電圧を一
定にし、ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇ターゲットに印加する電圧を徐
々に上げていっても、高融点成分の含有量が膜厚方向に
変化した記録膜を形成できる。印加電圧は徐々に変化さ
せた方が、記録特性が良かった。また、インラインスパ
ッタ装置において、Ｃｒ₄Ｔｅ₅組成の面積とＧｅＳｂ₄
Ｔｅ₇組成の面積を徐々に変化させたタ−ゲットを仕様
し同様に作製できる。この記録膜を持つディスクを作製
した。

【０３５７】このディスクは、実施例１のように高融点
成分の含有量が膜厚方向に一定の記録膜に比べ、作製が
複雑になるが、初期化のためのレーザ照射回数を低減で
きた。

【０３５８】ここで述べていない事項については、実施
例１と同様である。

【０３５９】〔実施例７〕図１２は、本発明による超解
像読み出し膜を用いたディスクの構造断面図の一例を示
したものである。

【０３６０】図１２のディスクの製造にあたっては、ま
ず、直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍの、凹凸で情報が記
録されたポリカ−ボネイト基板１１を形成した。次に、
この基板を複数のターゲットを備えて順次積層膜を形成
でき、また、膜厚の均一性、再現性のよいマグネトロン
スパッタリング装置内に取付け、この基板上に厚さ１２
５ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀層１２を形成し
た。続いて、Ｃｒ₄Ｔｅ₅ターゲットを高周波電源で、Ｇ
ｅＳｂ₂Ｔｅ₄ ターゲットを直流電源で同時スパッタし
て、超解像読み出し膜である（Ｃｒ₄Ｔｅ₅ ）₂₀（Ｇｅ
Ｓｂ₂Ｔｅ₄ ）₈₀膜１３を３０ｎｍ形成した。次に（Ｚ
ｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀層１４を２０ｎｍ、Ａｌ₉₇Ｔｉ
₃ 層１５を１００ｎｍの膜厚に順次積層した。その後、
この上に接着層１６を介してポリカーボネイト基板１
１’を貼りあわせた。

【０３６１】一般に、薄膜に光を照射すると、薄膜の表
面からの反射光と薄膜の裏面からの反射光との重ね合わ
せにより干渉が生じる。そこで、超解像読み出し用薄膜
の反射率の変化を大きくしたい場合には、薄膜に近接し
て光を反射する「反射層」を設けることにより、干渉の
効果を大きくすることができる。なお、光を吸収する吸
収層としてもよい。図１のＡｌ₉₇Ｔｉ₃ 層１５は、この
反射層の役割を果たす。

【０３６２】干渉の効果をより大きくするためには、超
解像読み出し用薄膜と反射層の間に「中間層」を設ける
のが好ましい。中間層は、超解像読み出し時に超解像読
み出し用薄膜と反射層との間で相互拡散が起こるのを防
止する作用、及び反射層への熱の逃げを減少させて読み
出し感度を高め、また超解像読み出し後に膜を結晶化さ
せる働きがある。図１２の（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）₂₀
層１４はこの中間層の作用をする。

【０３６３】前記超解像読み出し用薄膜１３の少なくと
も一方の界面は、他の物質に密着して保護されているの
が好ましく、両側の界面が保護されていればさらに好ま
しい。この保護は、基板により行なってもよいし、基板
とは別に形成した保護層により行なってもよい。「保護
層」の形成により、超解像読み出し時の薄膜の変形に起
因するノイズ増加を防止することができる。図１２の
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層１２はこの保護層の作用
をする。

【０３６４】超解像読み出し膜１３の厚さは、図１３に
示す結晶化状態と非晶質状態の反射率の測定結果より決
定した。図２に示されるように、膜厚が３０ｎｍのと
き、結晶化状態の反射率が非晶質状態より大きく、結晶
化状態と非晶質状態の反射率差が最大になるため、（Ｃ
ｒ₄Ｔｅ₅ ）₂₀（ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄ ）₈₀膜１３の膜厚は３
０ｎｍに設定した。

【０３６５】上記のように作製したディスクはまず、次
のようにして初期化を行なった。フラッシュ光で、予備
結晶化を行なったあとディスクを１８００ｒｐｍで回転
させ、半導体レーザの光強度を超解像読み出しが行なわ
れないレベル（約１ｍＷ）に保ち、記録ヘッド中のレン
ズで集光して基板１１を通して読み出し膜１３に照射
し、反射率を検出することによって、トラッキング用の
溝の中心に光スポットの中心が常に一致するようにヘッ
ドを駆動した。このようにトラッキングを行いながら、
さらに超解像読み出し膜上に焦点が合うように自動焦点
合わせを行い、まず初期結晶化のため、同一トラック上
にパワー１１ｍＷの連続レーザ光を５回照射した。この
照射パワーは９〜１８ｍＷの範囲でよい。続いて６ｍＷ
の連続レーザ光を３回照射した。この照射パワーは４〜
９ｍＷの範囲でよい。上記２種類の照射は１回以上であ
ればよいが、パワーの高いほうの照射は２回以上がより
好ましい。

【０３６６】高融点成分を含む超解像読み出し膜では、
Ｃ／Ｎを良くするためには、初期結晶化を十分に行うこ
とが重要である。このため初期結晶化は低パワーでの照
射を重点的に行い、同一トラック上にパワー６ｍＷの連
続レーザ光を５００回照射し、続いて１１ｍＷの連続レ
ーザ光を３回、６ｍＷの連続レーザ光を１０回照射し
た。時間がかかるが、６ｍＷ５００回、１１ｍＷ３回の
レーザ照射を数回繰り返すと、さらにＣ／Ｎ及び超解像
読み出し可能回数が増加した。

【０３６７】これらの照射は、半導体レーザアレイで行
うか、ガスレーザからの光ビームを複数に分割したも
の、あるいは高出力ガスレーザや半導体レーザからの光
ビームをディスクの半径方向に長く整形した長円ビーム
で行うと、ディスクの１回転で全てのトラックに対して
同時に行うことも可能である。複数の光スポットを同一
トラック上に配置せず、ディスクの半径方行に位置を少
しずらして配置すれば、広い範囲をイニシャライズする
ことができ、消え残りが少なくなるなどの効果がある。

【０３６８】また、初期化の最後に、溝間にトラッキン
グを行いながら連続レーザ光を照射する方法で、トラッ
ク周辺部も結晶化を行うと、クロストークを２ｄＢ低減
することができた。結晶化にあたっては、パワーを６ｍ
Ｗにして連続光の照射を行った。

【０３６９】超解像効果による超解像読み出しの原理
は、次の通りである。図８において、３１はレーザ光な
どの光スポット、３２ａ，３２ｂは基板１の表面に形成
された記録マークである。光スポット径は、光強度がそ
のピーク強度の（１／ｅ² ）になる位置での光ビームの
直径として定義される。記録マークの最小ピッチは、光
スポット３１のスポット径よりも小さく設定されてい
る。

【０３７０】光スポット内の高温領域では、超解像読み
出し膜中の少なくとも相変化成分ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄が融解
して、複素屈折率の実数部ｎまたは虚数部ｋの少なくと
も一方が低下するため、反射率の低下が起こる。そこ
で、光スポット３１内には２つの記録マーク３２ａ，３
２ｂがあるにもかかわらず、超解像読み出し層１３によ
って高温領域３５内にある記録マーク３２ｂが隠される
ため、実際には記録マーク３２ａのみが検出される。換
言すれば、実際の検出範囲３４が、図８のように、光ス
ポット３１の円形の領域からマスクとして働く範囲３
３、すなわち光スポット３１と高温領域３５の重複箇所
を除いた三日月形の領域となる。こうして、光スポット
径より小さい記録マークを超解像読み出しすることが可
能となる。

【０３７１】超解像読み出しを行う部分では、レーザパ
ワーを８ｍＷにして一定に保ち、超解像読み出しを行っ
た。このパワーは、超解像読み出し膜の融点により異な
る。超解像読み出し部分を通り過ぎれば、レーザパワー
を１ｍＷに下げてトラッキング及び自動焦点合わせを続
けた。レーザパワーを１ｍＷに下げることは、マスク層
の劣化を防ぐのに効果があった。なお、超解像読み出し
中もトラッキング及び自動焦点合わせは継続される。ト
ラッキング及び自動焦点合わせ用レーザパワーＰｔと超
解像読み出し用レーザパワーＰｒの関係は次式に示され
る範囲内で、良好な超解像読み出し特性が得られた。

【０３７２】Ｐｒ／Ｐｔ≧２ 超解像読み出し後、超解像読み出し膜が非晶質化したま
まになるディスクでは、結晶化しておく必要があった。
読み出し後、再び結晶化する膜組成のディスクについて
は、結晶化は不要であった。

【０３７３】本実施例の超解像読み出し膜を用いたディ
スクと超解像読み出し膜を用いないディスクで、異なる
サイズのマークを超解像読み出した際のＣ／Ｎを比較し
たところ、次のように本実施例の超解像読み出し膜を用
いたディスクにおいて微小マークの超解像効果がみられ
た。

【０３７４】 マークサイズ（μｍ） 超解像読み出し 超解像読み出し 膜あり（ｄＢ） 膜なし（ｄＢ） ──────────────────────────────── ０．３ ３０ − ０．４ ４３ ３０ ０．５ ４７ ３５ ０．６ ４９ ４０ ０．７ ５０ ４６ ０．８ ５０ ５０ 保護膜、中間層のうちの少なくとも一者に用いているＺ
ｎＳ−ＳｉＯ₂ の代わりにＳｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−
Ｎ系材料，ＳｉＯ₂ ，ＳｉＯ，ＴｉＯ₂ ，Ａｌ₂Ｏ₃ ，
Ｙ₂Ｏ₃ ，ＣｅＯ，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，Ｇｅ
Ｏ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂，
ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｓｃ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₂やＴａＮ，ＡｌＮ，
ＡｌＳｉＮ₂ ，Ｓｉ₃Ｎ₄などのＡｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料な
どの酸化物や窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃ ，ＣｄＳ，Ｉ
ｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，Ｂｉ₂Ｓ
₃，などの硫化物、ＳｎＳｅ₂ ，Ｓｂ₂Ｓｅ₃ ，ＣｄＳ
ｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳｅ，Ｇ
ｅＳｅ₂，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅＢｉ₂Ｓｅ₃等のセレン化
物、ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化物、または
Ｓｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂ ，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ，またはここで
述べたすべての保護膜用材料に近い組成のものを用いて
もよい。また、アクリル樹脂、ポリカーボネイト、ポリ
オレフィン、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリスチレ
ン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
４フッ化エチレン（テフロン）、などのフッ素樹脂など
により形成することができる。ホットメルト接着剤とし
て知られているエチレン−酢酸ビニル共重合体などや、
接着剤などでもよい。これらの樹脂の少なくとも１つを
主成分とする紫外線硬化樹脂で形成してもよい。有機物
の基板で保護層を兼ねてもよい。あるいは、これらの混
合材料層または多重層でもよい。中間層を省略した場合
には、超解像読み出し感度が約３０％低下し、超解像読
み出し可能回数も減少した。中間層の屈折率は、１．７
以上２．３以下の範囲で、膜厚は、３ｎｍ以上４００ｎ
ｍ以下の範囲で４８ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。

【０３７５】反射層に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりにＡ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ
の単体、またはこれらを主成分とする合金、化合物、混
合物あるいはこれら同志の合金の層、あるいは多重層、
これらと酸化物などの他の物質との複合層などを用いて
もよい。

【０３７６】基板として表面に直接トラッキングガイド
などの凹凸を形成したポリカーボネート基板の代わり
に、ポリオレフィン、エポキシ、アクリル樹脂、紫外線
硬化樹脂層を表面に形成した化学強化ガラスなどを用い
てもよい。

【０３７７】なお、図１３に示した超解像読み出し膜を
用いたディスクは片面構造であるが、ポリカーボネイト
基板１１’の代わりに１１から１５と同じ構造を２つ作
製し、接着層６を介して貼り合わせた両面構造としても
よい。

【０３７８】〔実施例８〕図１に示したディスクにおい
て、超解像読み出し膜の組成を次のように変化させたと
ころ、レーザ光の照射の前後における超解像読み出し膜
の消衰係数ｋの変化量△ｋ’が変化した。これらの超解
像読み出し膜を備えたディスクに光スポットの直径の約
２５％の長さの記録マークを形成し、それを１０⁵ 回超
解像読み出した後の再生信号のＣ／Ｎを比較したとこ
ろ、以下に示すような結果が得られた。

【０３７９】 膜 組 成 消衰係数ｋの変化量 １０⁵ 回超解像読み出し後 の再生信号のＣ／Ｎ ──────────────────────────────────── (Cr₄Te₅)₈₀(GeSb₂Te₄)₂₀ △ｋ’＝ ５％ ３７ｄＢ (Cr₄Te₅)₆₀(GeSb₂Te₄)₄₀ △ｋ’＝１０％ ４２ｄＢ (Cr₄Te₅)₄₀(GeSb₂Te₄)₆₀ △ｋ’＝２０％ ４６ｄＢ (Cr₄Te₅)₂₀(GeSb₂Te₄)₈₀ △ｋ’＝３０％ ４８ｄＢ この結果より、２０％≦△ｋ’の範囲が好ましいことが
分かる。

【０３８０】〔実施例９〕高融点成分を超解像読み出し
膜に入れると、超解像読み出し可能回数が向上した。こ
の時の超解像読み出し膜中の融点の差（Δｍ．ｐ＝高融
点成分の融点−相変化成分の融点）による超解像読み出
し可能回数の違いを調べた。ここでは相変化成分はＧｅ
Ｓｂ₂Ｔｅ₄ を用いて高融点成分を変化させた。

【０３８１】 高融点成分 Δｍ．ｐ（℃） 超解像読み出し可能回数（回） ────────────────────────────────── Ｐｔ₃Ｓｂ ５０ ５×１０⁵ Ｍｏ₃Ｓｂ₇ １５０ １×１０⁶ ＣｏＳｂ₃ ２００ ２×１０⁶ Ｃｒ₄Ｔｅ₅ ≧３００ ≧２×１０⁶ この結果より、Δｍ．ｐ≧１５０の範囲が好ましいこと
が分かる。

【０３８２】〔実施例１０〕実施例７に記載した超解像
読みだし膜において、ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄ 以外の相変化成
分としては、下記Ｄ群のうち少なくとも一者、もしくは
これに近い組成あるいは、融点６５０℃以下の化合物、
またはそれに近い組成のもの、あるいはこれらの混合組
成や混合組成に近い３元以上の化合物のうちの少なくと
も一者で置き換えても同様な結果が得られる。

【０３８３】＜Ｄ群＞Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，
Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｍｇ，Ｔｌ₂Ｓ
ｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ₂Ｓｅ₃ ，Ｔｌ₃Ｔｅ₂ ，ＴｌＴｅ，
ＩｎＢｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−
Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓ
ｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉ
ｎ，Ｉｎ₃ＳｅＴｅ₂ ，ＡｇＩｎＴｅ₂ ，ＧｅＳｂ₄Ｔｅ
₇ ，Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ ，ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，ＧｅＢｉ₄Ｔ
ｅ₇ ，ＧｅＢｉ₂Ｔｅ₄ ，Ｇｅ₃Ｂｉ₂Ｔｅ₆ ，Ｓｎ₂Ｓｂ
₆Ｓｅ₁₁，Ｓｎ₂Ｓｂ₂Ｓｅ₅ ，ＳｎＳｂ₂Ｔｅ₄ ，Ｐｂ₂
Ｓｂ₆Ｔｅ₁₁，ＣｕＡｓＳｅ₂ ，Ｃｕ₃ＡｓＳｅ₃ ，Ｃｕ
ＳｂＳ₂ ，ＣｕＳｂＳｅ₂ ，ＩｎＳｅ，Ｓｂ₂Ｓｅ₃ ，
Ｓｂ₂Ｔｅ₃ ，Ｂｉ₂Ｔｅ₃ ，ＳｎＳｂ，ＦｅＴｅ，Ｆｅ
₂Ｔｅ₃ ，ＦｅＴｅ₂ ，ＺｎＳｂ，Ｚｎ₃Ｓｂ₂ ，ＶＴｅ
₂ ，Ｖ₅Ｔｅ₈ ，ＡｇＩｎ₂ ，ＢｉＳｅ，ＩｎＳｂ，Ｉ
ｎ₂Ｔｅ，Ｉｎ₂Ｔｅ₅ ，Ｂａ₄Ｔｌ，Ｃｄ₁₁Ｎｄ，Ｂａ
₁₃Ｔｌ，Ｃｄ₆Ｎｄ，Ｂａ₂Ｔｌ。

【０３８４】Ｃｒ₄Ｔｅ₅ 以外の高融点成分としては、
次の化合物、合金、またはそれに近い組成のもの、ある
いはこれらの混合組成や混合組成に近い３元以上の化合
物のうちの少なくとも一者で置き換えても同様な結果が
得られる。

【０３８５】（ａ）相変化成分の融点が４５０〜６５０
℃の時 下記Ａ群の化合物、あるいは融点８００℃以上の化合
物。

【０３８６】＜Ａ群＞ＢａＰｄ₂ ，ＢａＰｄ₅ ，ＮｄＰ
ｄ，ＮｄＰｄ₃ ，ＮｄＰｄ₅ ，Ｎｄ₇Ｐｔ₃ ，Ｎｄ₃Ｐｔ
₂ ，ＮｄＰｔ，Ｎｄ₃Ｐｔ₄ ，ＮｄＰｔ₂ ，ＮｄＰ
ｔ₅ ，Ｂｉ₂Ｎｄ，ＢｉＮｄ，Ｂｉ₃Ｎｄ₄ ，Ｂｉ₃Ｎｄ
₅ ，ＢｉＮｄ₂ ，Ｃｄ₂Ｎｄ，ＣｄＮｄ，Ｍｎ₂Ｎｄ，Ｍ
ｎ₂₃Ｎｄ₆ ，Ｍｎ₁₂Ｎｄ，Ｎｄ₅Ｓｂ₃ ，Ｎｄ₄Ｓｂ₃ ，
ＮｄＳｂ，ＮｄＳｂ₂ ，Ｆｅ₂Ｎｄ，Ｆｅ₁₇Ｎｄ₂ ，Ｃ
ｓ₃Ｇｅ₂ ，ＣｓＧｅ，ＣｓＧｅ₄ ，Ｎｄ₅Ｓｉ₃ ，Ｎｄ
₅Ｓｉ₄ ，ＮｄＳｉ，Ｎｄ₃Ｓｉ₄ ，Ｎｄ₂Ｓｉ₃，Ｎｄ₅
Ｓｉ₉，Ｃｓ₂Ｔｅ，ＮｄＴｅ₃ ，Ｎｄ₂Ｔｅ₅ ，ＮｄＴ
ｅ₂ ，Ｎｄ₄Ｔｅ₇ ，Ｎｄ₂Ｔｅ₃ ，Ｎｄ₃Ｔｅ₄ ，Ｎｄ
Ｔｅ，Ｃｅ₃Ｉｒ，Ｃｅ₂Ｉｒ，Ｃｅ₅₅Ｉｒ₄₅，ＣｅＩｒ
₂，ＣｅＩｒ₃ ，Ｃｅ₂Ｉｒ₇ ，ＣｅＩｒ₅ ，ＣａＰｄ，
ＣａＰｄ₂ ，ＣａＧｅ，Ｃａ₂Ｇｅ，ＧｅＮａ₃ ，Ｇｅ
Ｎａ，ＣａＳｉ₂ ，Ｃａ₂Ｓｉ，ＣａＳｉ，Ｓｅ₂Ｓｒ，
Ｓｅ₃Ｓｒ₂ ，ＳｅＳｒ，ＧｅＳｒ₂ ，ＧｅＳｒ，Ｇｅ₂
Ｓｒ，ＳｎＳｒ，Ｓｎ₃Ｓｒ₅ ，ＳｎＳｒ₂ ，Ｃｅ₂Ｔ
ｌ，Ｃｅ₅Ｔｌ₃ ，ＣｅＴｌ₃ ，Ｃｅ₃Ｔｌ₅，ＣｅＴ
ｌ，ＢａＴｌ，Ｐｄ₁₃Ｔｌ₉ ，Ｐｄ₂Ｔｌ，Ｐｄ₃Ｔｌ，
Ｍｇ₂Ｓｉ，Ｍｇ₂Ｇｅ，ＢａＰｄ₂ ，ＢａＰｄ₅ ，Ｃｅ
₄Ｓｅ₇ ，Ｃｅ₃Ｓｅ₄ ，Ｃｅ₂Ｓｅ₃ ，ＣｅＳｅ，Ｃｅ₅
Ｇｅ₃ ，Ｃｅ₄Ｇｅ₃，Ｃｅ₅Ｇｅ₄ ，ＣｅＧｅ，Ｃｅ₃Ｇ
ｅ₅ ，Ｃｅ₅Ｓｉ₃ ，Ｃｅ₃Ｓｉ₂ ，Ｃｅ₅Ｓｉ₄ ，Ｃｅ
Ｓｉ，Ｃｅ₃Ｓｉ₅ ，ＣｅＳｉ₂，ＣｅＴｅ₃ ，Ｃｅ₂Ｔ
ｅ₅ ，ＣｅＴｅ₂ ，Ｃｅ₄Ｔｅ₇ ，Ｃｅ₃Ｔｅ₄ ，ＣｅＴ
ｅ，Ｌａ₃Ｓｅ₇ ，ＬａＳｅ₂ ，Ｌａ₄Ｓｅ₇ ，Ｌａ₂Ｓ
ｅ₃ ，Ｌａ₃Ｓｅ₄ ，ＬａＳｅ，ＧｅＬａ₃ ，Ｇｅ₃Ｌａ
₅ ，Ｇｅ₃Ｌａ₄ ，Ｇｅ₄Ｌａ₅ ，ＧｅＬａ，Ｇｅ₅Ｌａ
₃ ，ＢａＳｅ₂，Ｂａ₂Ｓｅ₃ ，ＢａＳｅ，ＰｄＳｅ，Ｍ
ｏ₃Ｓｅ₄ ，ＭｏＳｅ₂ ，Ｂａ₂Ｇｅ，ＢａＧｅ₂ ，Ｂａ
Ｇｅ，Ｂａ₂Ｔｅ₃ ，ＢａＴｅ，Ｇｅ₂Ｐｄ₅，ＧｅＰ
ｄ₂，Ｇｅ₉Ｐｄ₂₅，ＧｅＰｄ，Ｇｅ₃Ｐｔ，Ｇｅ₃Ｐ
ｔ₂ ，ＧｅＰｔ，Ｇｅ₂Ｐｔ₃ ，ＧｅＰｔ₂ ，ＧｅＰｔ
₃ ，Ｐｕ₃Ｓｎ，Ｐｕ₅Ｓｎ₃ ，Ｐｕ₅Ｓｎ₄，Ｐｕ₈Ｓｎ
₇ ，Ｐｕ₇Ｓｎ₈ ，ＰｕＳｎ₂ ，ＰｕＳｎ₃ ，Ｐｔ₅Ｔｅ
₄ ，Ｐｔ₄Ｔｅ₅ ，ＰｔＴｅ₂ ，ＧｅＮｉ，Ｇｅ₃Ｎ
ｉ₅ ，Ｇｅ₂Ｎｉ₅ ，ＧｅＮｉ₃ ，ＮｉＴｅ_0.85，Ｎｉ
Ｔｅ_0.775，Ｎｉ₃±_xＴｅ_x ，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₁₉，ＣｒＧ
ｅ，Ｃｒ₁₁Ｇｅ₈ ，Ｃｒ₅Ｇｅ₃ ，Ｃｒ₃Ｇｅ，ＣｒＳｉ
₂ ，Ｃｒ₅Ｓｉ₃ ，Ｃｒ₃Ｓｉ，Ｃｒ₅Ｔｅ₈ ，Ｃｒ₄Ｔｅ
₅ ，Ｃｒ₃Ｔｅ₄ ，Ｃｒ_1-xＴｅ，Ｇｅ₃Ｍｎ₅ ，ＧｅＭ
ｎ₂ ，Ｍｎ₆Ｓｉ，Ｍｎ₉Ｓｉ₂ ，Ｍｎ₃Ｓｉ，Ｍｎ₅Ｓｉ
₂ ，Ｍｎ₅Ｓｉ₃ ，ＭｎＳｉ，Ｍｎ₁₁Ｓｉ₁₉，Ｍｎ₂Ｓ
ｎ，Ｍｎ_3.25Ｓｎ，ＭｎＴｅ，Ｔｅ₂Ｗ，ＦｅＧｅ₂ ，
Ｆｅ₅Ｇｅ₃ ，Ｆｅ₃Ｇｅ，Ｆｅ₂Ｓｉ，Ｆｅ₅Ｓｉ₃ ，Ｆ
ｅＳｉ，ＦｅＳｉ₂ ，Ｇｅ₂Ｍｏ，Ｇｅ₄₁Ｍｏ₂₃，Ｇｅ
₁₆Ｍｏ₉ ，Ｇｅ₂₃Ｍｏ₁₃，Ｇｅ₃Ｍｏ₅ ，ＧｅＭｏ₃，Ｍ
ｏ₃Ｓｉ，Ｍｏ₅Ｓｉ₃ ，ＭｏＳｉ₂ ，ＭｏＳｎ，ＭｏＳ
ｎ₂ ，Ｍｏ₃Ｔｅ₄，ＭｏＴｅ₂ ，Ｓｉ₂Ｔｉ，ＳｉＴ
ｉ，Ｓｉ₄Ｔｉ₅ ，Ｓｉ₃Ｔｉ₅ ，ＳｉＴｉ₃，Ｓｎ₅Ｔｉ
₆ ，Ｓｎ₃Ｔｉ₅ ，ＳｎＴｉ₂ ，ＳｎＴｉ₃ ，ＣｏＧｅ
₂ ，Ｃｏ₅Ｇｅ₇ ，ＣｏＧｅ，Ｃｏ₅Ｇｅ₃ ，Ｃｏ₄Ｇ
ｅ，Ｃｏ₃Ｔｅ₄ ，Ｇｅ₇Ｒｅ₃ ，Ｒｅ₅Ｓｉ₃ ，ＲｅＳ
ｉ，ＲｅＳｉ₂ ，Ｒｅ₂Ｔｅ。

【０３８７】（ｂ）相変化成分の融点が２５０〜４５０
℃の時 前記Ａ群または下記Ｂ群の化合物、あるいは融点６００
℃以上の化合物。

【０３８８】＜Ｂ群＞Ｃｓ₃Ｇｅ，Ｂａ₂Ｔｌ，ＧｅＰｄ
₃ ，Ｆｅ₆Ｇｅ₅ ，ＦｅＴｅ₂ ，Ｃｏ₅Ｇｅ₂ ，Ｎｄ₃Ｐ
ｄ，Ｃｓ₃Ｔｅ₂ ，Ｃｅ₄Ｉｒ，ＮａＰｄ，Ｃａ₉Ｐｄ，
Ｃａ₃Ｐｄ₂ ，Ｃａ₂Ｇｅ，Ｓｅ₃Ｓｒ，Ｃｅ₃Ｔｌ，Ｃｅ
Ｓｅ₂ ，Ｃｅ₃Ｇｅ，ＢａＳｅ₃ ，ＧｅＳｅ₂ ，ＧｅＳ
ｅ，ＢａＴｅ₂ ，ＧｅＰｄ₅ ，Ｇｅ₈Ｍｎ₁₁，ＭｎＴｅ
₂ ，Ｇｅ₃Ｗ₂ ，ＦｅＧｅ，Ｆｅ₄Ｇｅ₃ ，Ｆｅ₃Ｓｎ，
Ｆｅ₃Ｓｎ₂ ，ＦｅＳｎ，ＣｏＴｅ₂。

【０３８９】（ｃ）相変化成分の融点が２５０℃以下の
時 前記Ａ群、Ｂ群または下記Ｃ群の化合物、あるいは融点
４００℃以上の化合物。

【０３９０】＜Ｃ群＞Ｂａ₄Ｔｌ，ＣｓＴｅ，Ｂａ₄Ｔ
ｌ，Ｂａ₁₃Ｔｌ，Ｃｄ₁₁Ｎｄ，Ｃｄ₆Ｎｄ，Ｃｓ₅Ｔ
ｅ₄ ，Ｃａ₃Ｐｄ，Ｃａ₅Ｐｄ₂ ，Ｓｎ₃Ｓｒ，Ｂａ₁₃Ｔ
ｌ，ＰｄＴｌ₂，ＦｅＳｅ₂ ，ＦｅＳｅ，Ｃｒ₂Ｔｅ₃ ，
ＣｒＴｅ₃ ，ＦｅＳｎ₂ 。

【０３９１】〔実施例１１〕超解像読み出し膜におい
て、上記高融点成分と上記相変化成分の組合せではＣｒ
₄Ｔｅ₅ とＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄ のように、それぞれの成分に
同じ元素が存在する組みあわせが超解像読み出し特性が
良好であった。ただし、同じ元素の量が多すぎると両方
の成分の融点の差がでなくなるため、同じ元素の量は成
分中の８０原子％以下が好ましかった。また、量が少な
いとアパーチャー部分における両成分の屈折率が等しく
ならない場合が多く、３０原子％以上が好ましかった。

【０３９２】〔実施例１２〕超解像読み出し膜中の相変
化成分としてＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄を、高融点成分としてＣｒ
₄Ｔｅ₅を用い、高融点成分含有量（原子％）を変化させ
てＣ／Ｎと超解像読み出し可能回数を調べたところ、次
のような結果が得られた。

【０３９３】 高融点成分含有量（原子％） 超解像読み出し可能回数（回） ─────────────────────────────── ５ ６×１０⁵ １０ １×１０⁶ ２０ ２×１０⁶ ≧３０ ≧２×１０⁶ 高融点成分含有量（％） Ｃ／Ｎ（ｄＢ） ───────────────────────── ≦３０ ≧４８ ４０ ４８ ５０ ４６ ６０ ４２ この結果より、高融点成分含有量は１０〜５０％の範囲
が好ましく、２０〜４０％の範囲がより好ましいことが
わかる。

【０３９４】高融点成分中で酸化物、硫化物、窒化物、
炭化物の含有量は高融点成分の５０％未満とするのが好
ましく、２０％未満とするのが特に好ましい。これらの
含有量が多いと相変化成分との複素屈折率の差を小さく
できなかったり、相変化成分中に酸素等が拡散して超解
像読み出し特性を劣化させたりする問題を生じやすい。

【０３９５】〔実施例１３〕超解像読み出し膜材料によ
り、超解像読み出し膜の融点が異なるため、相変化成分
の組成を変えて最適超解像読み出しパワーを調べたとこ
ろ、次のようになった。高融点成分としてはＣｒ₄Ｔｅ₅
を用いた。

【０３９６】 膜中の相変化成分の組成 膜の融点（℃） 超解像読み出しパワー（ｍＷ） ──────────────────────────────────── Ｓｎ₇₅Ｚｎ₂₅ ２５０ ３ Ｉｎ₂Ｔｅ₅ ４５０ ６ Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ ６５０ ８ 超解像読み出し膜の融点が低い方が、超解像読み出し時
のパワーが低くて済み、好ましい。

【０３９７】〔実施例１４〕回転数一定の場合、ディス
クの内周と外周では線速が異なる。５インチディスクで
は、線速は５．７〜１１．３ｍ／ｓまで変化するため、
これに対応して内周では２０ｎｍ、外周では４０ｎｍに
なるように超解像読み出し膜厚を変化させたところ、光
スポットのうちマスクされない領域の幅が内周ほど小さ
くなり、内周、外周の両方において、Ｃ／Ｎ４８ｄＢと
いう良好な超解像読み出し特性を得た。また、内周から
外周に向かってＧｅＳｂＴｅ系のＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄ ある
いはＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ 組成からのずれ量を少なくしたと
ころ、外周へいくほど結晶化速度が早くなるため、線速
対応が容易になり、内周、外周の両方において、Ｃ／Ｎ
４８ｄＢという良好な超解像読み出し特性を得た。

【０３９８】〔実施例１５〕図１４に、超解像読み出し
用装置の超解像読み出し系のブロック図を示す。超解像
読み出し指令４２を受けて、光ヘッド５０からレーザ照
射が行われ、光ディスク５１から戻ってきた反射光を再
び光ヘッド５０で検出する。

【０３９９】レーザ光として連続光を用いる場合は図の
（ａ）の系統とし、パルス光を用いる場合にはパルス化
回路４３を組み込んで（ｂ）の系統とする。パルス光の
同期はアドレス部、フラグ部検出４５を通して行う。

【０４００】良好な超解像読み出し特性を得るために、
レーザパワー設定回路４７はトラッキング及び自動焦点
合わせ用レーザパワーＰｔと超解像読み出し用レーザパ
ワーＰｒの関係を次式のように保つ。

【０４０１】Ｐｒ／Ｐｔ≧２ また、超解像読み出し用膜の最高温度となる領域でも膜
全体が融解しないで高融点成分は固相に留まるようにす
るため、レーザパワー照射時には戻り光の反射光強度分
布の乱れを光強度分布解析回路４８で検出解析し、乱れ
の大きさに応じてレーザパワーを調節できる回路をレー
ザパワー設定回路４７に組み込んだ。これにより、超解
像読み出し用膜の劣化が起こりにくくなった。

【０４０２】ここで、光強度分布の乱れとは、光強度分
布の乱れの時間的変動、すなわち各検出器出力の比の時
間的変動のことである。光強度分布の乱れは１次元的、
または２次元的に配列した２個以上の検出器が記録媒体
面にほぼ平行に配置されたものを用い、各検出器の出力
を光強度分布解析回路４８に接続して検出した。

【０４０３】超解像読み出し用膜の劣化を防ぐため、超
解像読み出しレーザ光をパルス光とした。このとき、レ
ーザスポット径（λ／ＮＡ）とアパーチャーのトラック
方向の中心部の長さａの比（ａ：λ／ＮＡ）を１／３〜
１／２にでき、微小マークを持つディスクで、０．４λ
／ＮＡ≦ｖＴの範囲ではスポットが３０％以上重なるた
め、パルス化の効果が少なく、ｖＴ≦１．５λ／ＮＡの
範囲ではマークを読み飛ばしてしまうことがわかった。

【０４０４】そこで、マークの超解像読み出しを確実に
行うため、下式を満たすための回路を、図１４のパルス
化回路４３に組み込んだ。

【０４０５】０．４λ／ＮＡ≦ｖＴ≦１．５λ／ＮＡ ０．３ｋ≦ｘ／Ｔ≦０．５ｋ その結果、Ｃ／Ｎ４６ｄＢを得ることができた。ｋは比
例定数で、図７の構造のディスクにおいてレーザパワー
８ｍＷ，線速８ｍ／ｓの時、ｋ＝１であった。さらに、
下式を満たすと、Ｃ／Ｎが２ｄＢ向上した。

【０４０６】０．５λ／ＮＡ≦ｖＴ≦０．９λ／ＮＡ ０．３ｋ≦ｘ／Ｔ≦０．５ｋ 〔実施例１６〕図９は、本発明の超解像読み出し膜を用
いた読み書き可能ディスクの構造断面図の一例を示した
ものである。本実施例では、前記一般式（８）の平均組
成を有する超解像読み出し膜を用いた。

【０４０７】まず、直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのポ
リカーボネイト基板を形成した。次に、この基板を複数
のターゲットを備え順次積層膜を形成でき、また、膜厚
の均一性、再現性のよいマグネトロンスパッタリング装
置内に取付け、この上に厚さ１２５ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀
（ＳｉＯ₂ ）₂₀層を形成した。続いて、（Ｓｎ₃Ｚｎ）
₈₀（ＳｎＴｉ₂ ）₂₀膜を３０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓｉ
Ｏ₂ ）₂₀層，（Ｃｒ₄Ｔｅ₅ ）₂₀（ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄ ）₈₀
膜を３０ｎｍ形成した。次に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂ ）
₂₀層を２０ｎｍ、Ａｌ−Ｔｉ層を１００ｎｍ，順次積層
した。その後、この上に接着層を介してポリカーボネイ
ト基板を貼りあわせた。このディスクは片面のみ使用で
きるが、同じ構造のものを２つ作製し、接着層ではりあ
わせた両面構造としても良い。

【０４０８】超解像読み出しを行う部分では、レーザパ
ワーを３ｍＷにして、超解像読み出しを行った。このパ
ワーは、超解像読み出し膜の融点により異なる。超解像
読み出し部分を通り過ぎれば、レーザパワーを１ｍＷに
下げてトラッキング及び自動焦点合わせを続けた。な
お、超解像読み出し中もトラッキング及び自動焦点合わ
せは継続される。

【０４０９】超解像読み出し後、超解像読み出し膜は再
び結晶化するため、結晶化は不要であった。

【０４１０】〔実施例１７〕前記実施例１６の図９に示
した（Ｓｎ₃Ｚｎ）₈₀（ＳｎＴｉ₂ ）₂₀よりなる超解像
読み出し膜において、Ｚｎの含有量を一定に保ちながら
ＳｎとＴｉの含有量を変化させたると、超解像読み出し
可能回数及び１０⁵ 回超解像読み出し後の再生信号のＣ
／Ｎは、次のように変化した。

【０４１１】 組 成 超解像読み出し可能回数 ─────────────────────────── Ｓｎ₅₅Ｚｎ₂₀Ｔｉ₂₅ ＞２×１０⁶ 回 Ｓｎ₆₇Ｚｎ₂₀Ｔｉ₁₃ ２×１０⁶ 回 Ｓｎ₇₅Ｚｎ₂₀Ｔｉ₅ １×１０⁶ 回 Ｓｎ₈₀Ｚｎ₂₀ ５×１０⁵ 回 組 成 １０⁵ 回超解像読み出し後の再生信号のＣ／Ｎ ──────────────────────────────────── Ｓｎ₂₅Ｚｎ₂₀Ｔｉ₅₅ ４４ｄＢ Ｓｎ₃₀Ｚｎ₂₀Ｔｉ₅₀ ４６ｄＢ Ｓｎ₄₀Ｚｎ₂₀Ｔｉ₄₀ ４８ｄＢ Ｓｎ₅₅Ｚｎ₂₀Ｔｉ₂₅ ５０ｄＢ これより、前記一般式（８）におけるｅ，ｆの範囲は３
０≦ｅ≦９５、５≦ｆ≦５０が好ましく、４０≦ｅ≦８
７、１３≦ｆ≦４０がより好ましいことがわかる。

【０４１２】さらに、前記の（Ｓｎ₃Ｚｎ）₈₀（ＳｎＴ
ｉ₂ ）₂₀よりなる超解像読み出し膜２６において、Ｓ
ｎ，Ｚｎ，Ｔｉの含有量を一定に保ちながらＴｌを添加
し、その含有量を次のように変化させた場合、１０⁵ 回
超解像読み出し後の再生信号のＣ／Ｎは、次のように変
化した。

【０４１３】 Ｔｌ含有量 １０⁵ 回超解像読み出し後の再生信号のＣ／Ｎ ────────────────────────────────── ｇ＝０ ％ ４６ｄＢ ｇ＝１０ ％ ４８ｄＢ ｇ＝２０ ％ ４６ｄＢ ｇ＝２５ ％ ４３ｄＢ これより、前記一般式（８）におけるｇの範囲は０≦ｇ
≦２０が好ましく、０≦ｇ≦１０がより好ましいことが
わかる。

【０４１４】また、前記Ｄ、Ｄ’（前記Ｄが上記Ｓｎ，
ＺｎのようにＤ，Ｄ’２元素の場合）、Ｅ、Ｆの組合せ
において、Ｄ−Ｅ、Ｅ−Ｆ、Ｄ’−Ｅの組合せからでき
る高融点成分が共晶点をもたないか、共晶点をもってい
てもＤ、Ｄ−Ｄ’の融点より１５０℃以上融点が高いの
が好ましかった。

【０４１５】〔実施例１８〕前記実施例１６のＳｎ−Ｚ
ｎ−Ｔｉよりなる超解像読み出し膜を、前記一般式
（８）で表される平均組成の材料、Ｐｂ−Ｓｅ，Ｐｂ−
Ｃｅ，Ｐｂ−Ｌａ，Ｐｂ−Ｐｔ，Ｐｂ−Ｓｉ，Ｓｎ−Ｓ
ｂ，Ｓｎ−Ｓｅ，Ｓｎ−Ｃｏ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｎ
ｉ，Ｓｎ−Ｐｔ，Ｂｉ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｃ
ｅ，Ｂｉ−Ｃｕ，Ｂｉ−Ｃｄ，Ｂｉ−Ｐｔ，Ｚｎ−Ｎ
ｉ，Ｚｎ−Ｐｔ，Ｚｎ−Ｌａ，Ｚｎ−Ｃｅ，Ｇａ−Ｃ
ｒ，Ｇａ−Ｃｕ，Ｇａ−Ｎｉ，Ｇａ−Ｌａ，Ｇａ−Ｐ
ｔ，Ｇａ−Ｃｅ，Ｉｎ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｔ
ｅ，Ｉｎ−Ａｓ，Ｉｎ−Ｍｎ，Ｉｎ−Ｎｉ，Ｉｎ−Ａ
ｇ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｅ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｅ，Ｐｂ−Ｓｎ
−Ｌａ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｉ，Ｐｂ−
Ｓｎ−Ｓｂ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｏ，Ｐｂ−Ｓｎ−Ｃｕ，Ｐ
ｂ−Ｓｎ−Ｎｉ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｓ
ｅ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｏ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｂｉ
−Ｎｉ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｐｔ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ，Ｓｎ−
Ｂｉ−Ｃｅ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｄ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｓｂ，Ｚ
ｎ−Ｓｎ−Ｓｅ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｃｏ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｃ
ｕ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｎｉ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｐｔ，Ｚｎ−Ｓｎ
−Ｎｉ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｌａ，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｃｅ，Ｓｎ−
Ｇａ−Ｓｂ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｓｅ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｃｏ，Ｓ
ｂ−Ｇａ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｎｉ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｐ
ｔ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｃｒ，Ｓｎ−Ｇａ−Ｌａ，Ｓｎ−Ｇａ
−Ｃｅ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｓｅ，Ｂｉ−
Ｇａ−Ｃｕ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｃｄ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｐｔ，Ｂ
ｉ−Ｇａ−Ｃｒ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｎｉ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｌ
ａ，Ｂｉ−Ｇａ−Ｃｅ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｃｒ，Ｉｎ−Ｇａ
−Ｃｕ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｎｉ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｌａ，Ｉｎ−
Ｇａ−Ｐｔ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｃｅ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ，Ｉ
ｎ−Ｇａ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｇａ−Ａ
ｓ，Ｉｎ−Ｇａ−Ｍｎ，Ｉｎ−Ｇａ−Ａｇ，Ｉｎ−Ｂｉ
−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｃｕ，Ｉｎ−
Ｂｉ−Ｃｄ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｐｔ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｓｂ，Ｉ
ｎ−Ｂｉ−Ａｓ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｍｎ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｎ
ｉ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ａｇ，Ｉｎ−Ｂｉ−Ｃｅ，などに変更
しても同様の結果が得られた。

【０４１６】〔実施例１９〕前記実施例１６の（Ｓｎ₃
Ｚｎ）₈₀（ＳｎＴｉ₂ ）₂₀よりなる超解像読み出し膜
を、前記一般式（１１）で表される平均組成の材料、例
えばＳｅ₅₁Ｉｎ₄₀Ｃｒ₉ （高融点成分Ｃｒ₃Ｓｅ₄；、相
変化成分；ＩｎＳｅ）などに変更しても同様の結果が得
られる。ただし、読み出し可能回数が２×１０⁶ 回以
上、１０⁵ 回超解像読み出し後の再生信号のＣ／Ｎが４
６ｄＢ以上となる前記一般式（１１）中のｐ，ｑ．ｒ，
ｓの範囲は、４０≦ｐ≦９５、０≦ｑ≦５５、５≦ｒ≦
５０、０≦ｓ≦２０であった。Ｃ／Ｎが４８ｄＢ以上と
なるより好ましい範囲は、５０≦ｐ≦８０、０≦ｑ≦４
０、１０≦ｒ≦４０、０≦ｓ≦１０であった。また、こ
の組成は、相変化記録膜２８としても使用できた。超解
像読み出し膜を用いない記録媒体の相変化記録膜として
も使用できる。

【０４１７】〔実施例２０〕前記実施例１９のＳｅ−Ｉ
ｎ−Ｃｒよりなる超解像読み出し膜を、前記一般式
（２）で表される平均組成の材料、Ｓｅ−Ｉｎ−Ｓｉ，
Ｓｅ−Ｉｎ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｂ
ａ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｉｎ
−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｍｇ，Ｓｅ−
Ｉｎ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｎｉ，Ｓ
ｅ−Ｉｎ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｔ
ａ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｖ，Ｓｅ−Ｉｎ−
Ｗ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｙ，Ｓｅ−Ｉｎ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｓｂ−
Ｓｉ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｓ
ｂ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃｄ，Ｓｅ
−Ｓｂ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｃｕ，
Ｓｅ−Ｓｂ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｍ
ｏ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｓｂ
−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｔｉ，Ｓｅ−
Ｓｂ−Ｖ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｗ，Ｓｅ−Ｓｂ−Ｙ，Ｓｅ−Ｓ
ｂ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ａｇ，Ｓｅ
−Ｂｉ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃａ，
Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃ
ｒ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｂｉ
−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｎｉ，Ｓｅ−
Ｂｉ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｔａ，Ｓ
ｅ−Ｂｉ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｖ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｗ，Ｓ
ｅ−Ｂｉ−Ｙ，Ｓｅ−Ｂｉ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｓｉ，
Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｂ
ａ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｔｅ
−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｃｕ，Ｓｅ−
Ｔｅ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｍｏ，Ｓ
ｅ−Ｔｅ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｐ
ｔ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｔｅ
−Ｖ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｗ，Ｓｅ−Ｔｅ−Ｙ，Ｓｅ−Ｔｅ−
Ｐｂ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ａｕ−Ａｇ，Ｓｅ−Ａ
ｕ−Ａｌ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｂａ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｃａ，Ｓｅ
−Ａｕ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｃｒ，
Ｓｅ−Ａｕ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｍ
ｎ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ａｕ
−Ｐｄ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｔａ，Ｓｅ−
Ａｕ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｖ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｗ，Ｓｅ−
Ａｕ−Ｙ，Ｓｅ−Ａｕ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｂ−Ｓｉ，Ｓｅ−
Ｂ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｂ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｂ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｂ
−Ｃａ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｂ−
Ｃｒ，Ｓｅ−Ｂ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｂ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｂ−Ｍ
ｎ，Ｓｅ−Ｂ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｂ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｂ−Ｐ
ｄ，Ｓｅ−Ｂ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｂ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｂ−Ｔ
ｉ，Ｓｅ−Ｂ−Ｖ，Ｓｅ−Ｂ−Ｗ，Ｓｅ−Ｂ−Ｙ，Ｓｅ
−Ｂ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ａｇ，Ｓ
ｅ−Ｃｓ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃ
ａ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｃｓ
−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｍｇ，Ｓｅ−
Ｃｓ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｎｉ，Ｓ
ｅ−Ｃｓ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｔ
ａ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｖ，Ｓｅ−Ｃｓ−
Ｗ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｙ，Ｓｅ−Ｃｓ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｓｎ−
Ｓｉ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｓ
ｎ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃｄ，Ｓｅ
−Ｓｎ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｃｕ，
Ｓｅ−Ｓｎ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｍ
ｏ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｓｎ
−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｔｉ，Ｓｅ−
Ｓｎ−Ｖ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｗ，Ｓｅ−Ｓｎ−Ｙ，Ｓｅ−Ｓ
ｎ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ａｇ，Ｓｅ
−Ｔｌ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃａ，
Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃ
ｒ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｔｌ
−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｎｉ，Ｓｅ−
Ｔｌ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｔａ，Ｓ
ｅ−Ｔｌ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｖ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｗ，Ｓ
ｅ−Ｔｌ−Ｙ，Ｓｅ−Ｔｌ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｓ−Ｓｉ，Ｓ
ｅ−Ｓ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｓ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｓ−Ｂａ，Ｓｅ
−Ｓ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃｏ，Ｓｅ−
Ｓ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｓ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｓ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｓ
−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｓ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｓ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｓ−
Ｐｄ，Ｓｅ−Ｓ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｓ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｓ−Ｔ
ｉ，Ｓｅ−Ｓ−Ｖ，Ｓｅ−Ｓ−Ｗ，Ｓｅ−Ｓ−Ｙ，Ｓｅ
−Ｓ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ａｇ，Ｓ
ｅ−Ｇｅ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃ
ａ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｇｅ
−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｍｇ，Ｓｅ−
Ｇｅ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｎｉ，Ｓ
ｅ−Ｇｅ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｔ
ａ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｖ，Ｓｅ−Ｇｅ−
Ｗ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｙ，Ｓｅ−Ｇｅ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｆｅ−
Ｓｉ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ａｇ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｆ
ｅ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃａ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃｄ，Ｓｅ
−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃｒ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｃｕ，
Ｓｅ−Ｆｅ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｍ
ｏ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｎｉ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｆｅ
−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｔａ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｔｉ，Ｓｅ−
Ｆｅ−Ｖ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｗ，Ｓｅ−Ｆｅ−Ｙ，Ｓｅ−Ｆ
ｅ−Ｐｂ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｓｉ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ａｇ，Ｓｅ
−Ｚｎ−Ａｌ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｂａ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃａ，
Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃｄ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃｏ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃ
ｒ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｃｕ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｍｇ，Ｓｅ−Ｚｎ
−Ｍｎ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｍｏ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｎｉ，Ｓｅ−
Ｚｎ−Ｐｄ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｐｔ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｔａ，Ｓ
ｅ−Ｚｎ−Ｔｉ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｖ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｗ，Ｓ
ｅ−Ｚｎ−Ｙ，Ｓｅ−Ｚｎ−Ｐｂ，などに変更しても同
様の結果が得られた。

【０４１８】〔実施例２１〕図７は、基板の表面に凹凸
のビットで情報が刻まれた再生専用のディスク状情報記
録媒体の断面を示す。

【０４１９】このディスク状媒体は、基板の表面にビッ
トが形成されていること、および記録膜をマスク層１
３，１３’として用いた点が、実施例１のディスク状媒
体と異なっているのみであり、他の構成は同じである。

【０４２０】すなわち、表面に情報ビットを有するポリ
カーボネート基板１１，１１’の上に、膜厚約１２５ｎ
ｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる保護層１
２，１２’がそれぞれ形成され、保護層１２，１２’の
上には順に、平均膜厚３ｎｍの島状のＡｇ₂Ｔｅ膜（図
示せず）と、膜厚約３０ｎｍの（（Ａｇ₂Ｔｅ）₃₀（Ｓ
ｅ₈₀−Ｔｅ₂₀）₇₀すなわちＡｇ₂₀Ｔｅ₂₄Ｓｅ₅₆の組成の
マスク層１３，１３’と、膜厚約２５ｎｍの（ＺｎＳ）
₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる中間層１４，１４’と、膜
厚８０ｎｍのＡｌ₉₇Ｔｉ₃膜よりなる反射層１５，１
５’が、それぞれ形成されている。反射層１５，１５’
同士は、塩化ビニル・酢酸ビニル系ホットメルト接着剤
層１６によって貼り合わされている。読み出し用のレー
ザ光は、基板側から入射される。 マスク層１３，１
３’の中には、実施例１と同様の形態（図１参照）で高
融点成分Ａｇ₂Ｔｅが析出しており、その残成分（図１
における相変化成分３ａに相当するもの）は（Ｓｅ₈₀−
Ｔｅ₂₀）である。

【０４２１】（高融点成分の他の例）マスク層１３，１
３’中に析出した高融点成分としては、Ａｇ₂Ｔｅ以外
に、実施例１および３で述べたものを用いることができ
る。島状のＡｇ₂Ｔｅ膜の形成は省略してもよい。

【０４２２】（高融点成分析出後の残成分の他の例）高
融点成分以外の残成分であるＳｅ₈₀−Ｔｅ₂₀の一部また
は全部をＳｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，
Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，Ｍｇ，Ｔｌ₂Ｓｅ，Ｔｌ
Ｓｅ，Ｔｌ₂Ｓｅ₃，Ｔｌ₃Ｔｅ₂，ＴｌＴｅ，ＩｎＢｉ，
Ｉｎ₂Ｂｉ，ＴｅＢｉ，Ｔｌ−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ
−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇ
ａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓｎ，Ｇａ−Ｉｎ，Ｉｎ₃Ｓｅ
Ｔｅ₂，ＡｇＩｎＴｅ₂，ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇，Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔ
ｅ₅，ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，ＧｅＢ₄Ｔｅ₇，ＧｅＢｉ₂Ｔ
ｅ₄，Ｇｅ₃Ｂｉ₂Ｔｅ₆，Ｓｎ₂Ｓｂ₆Ｓｅ₁₁，Ｓｎ₂Ｓｂ₂
Ｓｅ₅，ＳｎＳｂ₂Ｔｅ₄，Ｐｂ₂Ｓｂ₆Ｔｅ₁₁，ＣｕＡｓ
Ｓｅ₂，Ｃｕ₃ＡｓＳｅ₃，ＣｕＳｂＳ₂，ＣｕＳｂＳ
ｅ₂，ＩｎＳｅ，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｓｂ₂Ｔｅ₃，Ｂｉ₂Ｔ
ｅ₃，ＳｎＳｂ，ＦｅＴｅ，Ｆｅ₂Ｔｅ₃，ＦｅＴｅ₂，Ｚ
ｎＳｂ，Ｚｎ₃Ｓｂ₂，ＶＴｅ₂，Ｖ₅Ｔｅ₈，ＡｇＩｎ₂，
ＢｉＳｅ，ＩｎＳｂ，Ｉｎ₂Ｔｅ，Ｉｎ₂Ｔｅ₅のうちの
少なくとも一者を主成分とする材料、あるいはそれに近
い組成の材料で置き換えても、近い特性が得られる。

【０４２３】この残成分は、融点が６５０゜Ｃ以下であ
る金属、化合物または合金が好ましい。

【０４２４】また、超解像読みだしにおいて、各層の膜
厚を変えれば、図１４とは逆に光スポット内の斜線部以
外の領域だけをマスクすることもできる。

【０４２５】残成分の融点が２５０゜Ｃ以下の場合、高
融点成分の融点は４５０゜Ｃ以上であれば、これに近い
特性が得られる。

【０４２６】光スポット３１の直径の約２５％の長さの
記録マークが形成されている場合、レーザ光の照射の前
後におけるマスク層１３，１３’の消衰係数ｋの変化量
△ｋ’が変化すると、１０⁵回読み出した後の再生信号
のＣ／Ｎは、次のように変化した。

【０４２７】 １０⁵回読み出し後の再生信号のＣ／Ｎ △ｋ’＝ ５％ ３７ｄＢ △ｋ’＝１０％ ４２ｄＢ △ｋ’＝２０％ ４６ｄＢ △ｋ’＝３０％ ４８ｄＢ この結果より、２０％≦△ｋ’の範囲が好ましいことが
分かった。

【０４２８】高融点成分の析出後の残成分の融点（ｍ．
ｐ．）が変化した場合、１０⁵回読み出した後の再生信
号のＣ／Ｎは、次のように変化した。

【０４２９】 １０⁵回読み出しの後の再生信号のＣ／Ｎ ｍ．ｐ．＝１００゜Ｃ ４９ｄＢ ｍ．ｐ．＝２５０゜Ｃ ４８ｄＢ ｍ．ｐ．＝４００゜Ｃ ４７ｄＢ ｍ．ｐ．＝６５０゜Ｃ ４６ｄＢ ｍ．ｐ．＝７００゜Ｃ ４０ｄＢ ｍ．ｐ．＝７５０゜Ｃ ３３ｄＢ この結果より、高融点成分析出後の残成分の融点は、６
５０゜Ｃ以下が好ましく、２５０゜Ｃ以下がより好まし
いことが分かった。

【０４３０】〔実施例２２〕図９は、実施例１の相変化
型の情報記録媒体に実施例４と同様のマスク層を設ける
ことによって、情報の再生時に「超解像効果」を利用で
きるようにした情報記録媒体の一例である。

【０４３１】このディスク状媒体は、記録膜の構成が異
なる以外は実施例１の情報記録媒体と同じ構成を持つ。
すなわち、実施例１と同様のポリカーボネート基板１，
１’の上に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる保
護層２，２’がそれぞれ形成され、保護層２，２’の上
には順に、記録膜３，３’と（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）
₂₀膜よりなる中間層４，４’とＡｌ₉₇Ｔｉ₃膜よりなる
反射層５，５’とが、それぞれ形成されている。反射層
５，５’同士は、接着剤層６によって貼り合わされてい
る。

【０４３２】記録膜３’は、基板１’側から順に配置さ
れたマスク層、誘電体層および記録層から構成されてい
る。記録膜３も記録膜３’と同じ構成である。

【０４３３】マスク層は、実施例２１と同じ（（Ａｇ₂
Ｔｅ）₃₀（Ｓｅ₈₀−Ｔｅ₂₀）₇₀すなわちＡｇ₂₀Ｔｅ₂₄Ｓ
ｅ₅₆の組成を持ち、実施例２１と同じマスク機能を有し
ている。誘電体層は（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜によ
り形成されている。記録層としては、実施例１の記録膜
３，３’と同じものの他、任意の相変化型の記録層を使
用できる。

【０４３４】長さ０．４μｍの記録マークを０．８μｍ
周期で形成した場合、得られた再生信号のＣ／Ｎは４６
ｄＢ以上、消去比は２５ｄＢ以上であった。

【０４３５】このマスク層は、この発明の情報記録用薄
膜以外の従来の相変化によって記録を行な情報記録媒体
や、光磁気ディスクなどの相変化以外の記録原理による
情報記録媒体においても同様な効果を持つ。

【０４３６】この実施例で述べていない点については、
実施例１と同様である。

【０４３７】〔実施例２３〕この実施例のディスク状情
報記録媒体は、図示していないが、実施例１の図３に示
したのとほぼ同じ構成であり、実施例１のＡｌ−Ｔｉ反
射層１，１’に代えて、記録膜３，３’のような高融点
成分を含む層を反射層として用いている点のみが異な
る。

【０４３８】反射層中の高融点成分については、実施例
１と同様である。

【０４３９】反射層中の高融点成分が析出した後の残成
分については、融点が６５０゜Ｃ以下である金属、化合
物または合金が好ましく、且つ、複素屈折率の実数部ｎ
または虚数部（消衰係数）ｋがレーザ光の照射によって
２０％以上変化し、また実数部ｎおよび虚数部ｋが高い
ときに反射率Ｒが６０％以上となるのが好ましい。

【０４４０】反射層として、膜厚８０ｎｍの（ＬａＢ
ｉ）₃₀Ｂｉ₇₀層を用いた場合、読み出し時の超解像効果
が得られ、長さ０．４μｍ の記録マークを０．８μｍ
周期で書いた場合、得られた再生信号のＣ／Ｎは４６ｄ
Ｂ以上、消去比は２５ｄＢ以上であった。なお、（Ｌａ
Ｂｉ）₃₀Ｂｉ₇₀層では、高融点成分はＬａＢｉであり、
相変化成分はＢｉである。

【０４４１】超解像効果が得られる原理は、次の通りで
ある。図８に示すように、光スポット３１内の高温領域
３５では、反射層中の少なくとも相変化成分Ｂｉが融解
して、複素屈折率の実数部ｎまたは虚数部ｋの少なくと
も一方が低下するため、図８のマスクとして働く範囲３
３での反射光が弱くなる。このため、範囲３３からの反
射光は、記録膜に対して読み取りのための充分なコント
ラストを提供できなくなる。

【０４４２】一方、結晶化した固体状態の低温領域で
は、高温領域に比べて複素屈折率の実数部ｎまたは虚数
部ｋの少なくとも一方が大きいため、読み取りのための
充分なコントラストを提供できる。

【０４４３】その結果、検出範囲３４が図８のような三
日月形になり、光スポット３１の直径以下の周期で高密
度記録された記録マーク３２を確実に読み出すことが可
能となる。

【０４４４】各層の膜厚を変えれば、検出範囲３４の大
きさを変えることもできる。

【０４４５】（残成分の他の例）高融点成分ＬａＢｉの
残成分であるＢiの一部または全部をＳｎ，Ｐｂ，Ｓ
ｂ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓ，Ｔｌ，
Ｍｇ，Ｔｌ₂Ｓｅ，ＴｌＳｅ，Ｔｌ₂Ｓｅ₃，Ｔｌ₃Ｔ
ｅ₂，ＴｌＴｅ，ＩｎＢｉ，Ｉｎ₂Ｂｉ,ＴｅＢｉ，Ｔｌ
−Ｓｅ，Ｔｌ−Ｔｅ，Ｐｂ−Ｓｎ，Ｂｉ−Ｓｎ，Ｓｅ−
Ｔｅ，Ｓ−Ｓｅ，Ｂｉ−Ｇａ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｇａ−Ｓ
ｎ，Ｇａ−Ｉｎ，Ｉｎ₃ＳｅＴｅ₂，ＡｇＩｎＴｅ₂，Ｇ
ｅＳｂ₄Ｔｅ₇，Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅，ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄，Ｇ
ｅＢｉ₄Ｔｅ₇，ＧｅＢｉ₂Ｔｅ₄，Ｇｅ₃Ｂｉ₂Ｔｅ₆，Ｓ
ｎ₂Ｓｂ₆Ｓｅ₁₁，Ｓｎ₂Ｓｂ₂Ｓｅ₅，ＳｎＳｂ₂Ｔｅ₄，
Ｐｂ₂Ｓｂ₆Ｔｅ₁₁，ＣｕＡｓＳｅ₂，Ｃｕ₃ＡｓＳｅ₃，
ＣｕＳｂＳ₂，ＣｕＳｂＳｅ₂，ＩｎＳｅ，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，
Ｓｂ₂Ｔｅ₃，Ｂｉ₂Ｔｅ₃，ＳｎＳｂ，ＦｅＴｅ，Ｆｅ₂
Ｔｅ₃，ＦｅＴｅ₂，ＺｎＳｂ，Ｚｎ₃Ｓｂ₂，ＶＴｅ₂，
Ｖ₅Ｔｅ₈，ＡｇＩｎ₂，ＢｉＳｅ，ＩｎＳｂ，Ｉｎ₂Ｔ
ｅ，Ｉｎ₂Ｔｅ₅，などのうちの少なくとも一つを主成分
とする材料で置き換えても、近い特性が得られる。

【０４４６】残成分の融点が３５０゜Ｃ以下の場合、高
融点化合物の融点は４５０゜Ｃ以上であれば、前記の場
合に近い特性が得られる。

【０４４７】（その他）この実施例の反射層は、本発明
の記録用薄膜を用いない従来の相変化によって記録を行
なう光記録媒体や、光磁気記録媒体などの他の記録原理
による媒体にも適用可能である。

【０４４８】ここで述べていない事項については、実施
例１と同様である。

【０４４９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の情報記
録用薄膜および情報記録媒体によれば、良好な記録・再
生特性を保持しながら、従来より多数回の書き換えが可
能となる。

【０４５０】この発明の情報記録用薄膜の製造方法によ
れば、この発明の情報記録用薄膜および情報記録媒体が
容易に得られる。

【０４５１】以上説明したように、本発明によれば、多
数回の超解像読み出しが可能であり、超解像読み出し特
性がよい超解像読み出し用薄膜、情報記録媒体及び超解
像読み出し装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の情報記録媒体の実施例の記録用薄膜
の部分断面図で、（ａ）は粒状の高融点成分が析出した
もの、（ｂ）は柱状の高融点成分が析出したもの、
（ｃ）は多孔質の高融点成分が析出したものを示す。

【図２】この発明の情報記録媒体の実施例の部分断面図
で、（ａ）は（ｂ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図、（ｂ）
はその情報記録媒体の部分断面図である。

【図３】この発明の情報記録媒体の実施例の全体断面図
である。

【図４】記録用薄膜中に析出した高融点成分の寸法の測
定法を説明する部分断面図で、（ａ）は粒状の高融点成
分について、（ｂ）（ｃ）は柱状の高融点成分について
示している。

【図５】この発明の情報記録媒体の実施例を示す、図２
（ａ）と同様の部分断面図である。

【図６】この発明の情報記録用薄膜の記録層の実施例の
三角相図である。

【図７】この発明の情報記録媒体の他の実施例の全体断
面図である。

【図８】超解像効果の原理を説明するための図である。

【図９】この発明の情報記録媒体のさらに他の実施例の
全体断面図である。

【図１０】この発明の情報記録用薄膜の記録層の実施例
４の三角相図である。

【図１１】この発明の情報記録用薄膜の記録層の実施例
５の三角相図である。

【図１２】本発明による超解像読み出しディスクの断面
構造の一例を示す図。

【図１３】超解像読み出し膜の膜厚と反射率の関係を示
す図。

【図１４】超解像読み出し装置のブロック図。

【符号の説明】

１，１’…基板、２，２’…保護層、３，３’…記録
膜、３ａ…相変化成分、３ｂ…高融点成分、４，４’…
中間層、５，５’…反射層、６…接着剤層、１１，１
１’…基板、１２，１２’…保護層、１３，１３’…記
録膜、１４，１４’…中間層、１５，１５’…反射層、
１６…接着剤層、３２ａ，３２ｂ…記録マーク、３３…
マスクとして働く範囲、３４…検出範囲、３５…高温領
域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ 7215−5Ｄ

Claims (75)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に直接または保護層を介して形成さ
   れた、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列
   変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜にお
   いて、 前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 Ｓｂ_xＴｅ_yＡ_pＢ_qＣ_r （１） で表わされ、 前記ＡはＧｅおよびＩｎからなる第１群から選ばれた少
   なくとも一つの元素、前記Ｂはランタノイド元素および
   Ａｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａ
   ｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆ
   ｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ
   およびＶからなる第２群から選ばれた少なくとも一つの
   元素、前記ＣはＳｂ，Ｔｅおよび前記ＡおよびＢで表わ
   される元素以外の少なくとも一つの元素を表わし、 前記ｘ，ｙ，ｐ，ｑおよびｒの単位はいずれも原子パー
   セントで、それぞれ２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，
   ０．１≦ｐ≦６０，３≦ｑ≦４０，０．１≦ｒ≦３０の
   範囲にあることを特徴とする情報記録用薄膜。
2. 【請求項２】基板上に直接または保護層を介して形成さ
   れた、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列
   変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜にお
   いて、 前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 Ｓｂ_xＴｅ_yＡ_pＢ_q （２） で表わされ、 前記ＡはＧｅおよびＩｎからなる第１群から選ばれた少
   なくとも一つの元素、前記Ｂはランタノイド元素および
   Ａｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａ
   ｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆ
   ｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｔｉ
   およびＶからなる第２群から選ばれた少なくとも一つの
   元素を表わし、 前記ｘ，ｙ，ｐおよびｑの単位はいずれも原子パーセン
   トで、それぞれ２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，０．１
   ≦ｐ≦６０，３≦ｑ≦４０の範囲にあることを特徴とす
   る情報記録用薄膜。
3. 【請求項３】基板上に直接または保護層を介して形成さ
   れた、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列
   変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜にお
   いて、 前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 Ｓｂ_xＴｅ_yＢ_qＣ_r （３） で表わされ、 前記Ｂはランタノイド元素およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃ
   ｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌ
   ｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃ
   ｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる群
   から選ばれた少なくとも一つの元素、前記ＣはＳｂ，Ｔ
   ｅおよび前記Ｂで表わされる元素以外の少なくとも一つ
   の元素を表わし、 前記ｘ，ｙ，ｐおよびｑの単位はいずれも原子パーセン
   トで、それぞれ２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，３≦ｑ
   ≦４０，０．１≦ｒ≦３０の範囲にあることを特徴とす
   る情報記録用薄膜。
4. 【請求項４】基板上に直接または保護層を介して形成さ
   れた、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列
   変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜にお
   いて、 前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 Ｓｂ_xＴｅ_yＢ_q （４） で表わされ、 前記Ｂはランタノイド元素およびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃ
   ｒ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌ
   ｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃ
   ｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＶからなる群
   から選ばれた少なくとも一つの元素を表わし、 前記ｘ，ｙおよびｑの単位はいずれも原子パーセント
   で、それぞれ２≦ｘ≦４１，２５≦ｙ≦７５，３≦ｑ≦
   ４０の範囲にあることを特徴とする情報記録用薄膜。
5. 【請求項５】基板上に直接または保護層を介して形成さ
   れた、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列
   変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜にお
   いて、 前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 （Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_c）_1-dＸ_d （５） で表わされ、 前記ＸはＣｒおよびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓ
   ｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚ
   ｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂ
   ｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｎおよびランタノイ
   ド元素の少なくとも一つの元素を表わし、それぞれ前記
   ａ，ｂ，ｃおよびｄが、それぞれ０．０２≦ａ≦０．１
   ９，０．０４≦ｂ≦０．４，０．５≦ｃ≦０．７５，
   ０．０３≦ｄ≦０．３，の範囲にあることを特徴とする
   情報記録用薄膜。
6. 【請求項６】基板上に直接または保護層を介して形成さ
   れた、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配列
   変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜にお
   いて、 前記情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 （Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_c）_1-dＸ_d （５） で表わされ、 前記ＸはＣｒおよびＡｇ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｓ
   ｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚ
   ｎ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂ
   ｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｉｎ，Ｗ，Ｚｎおよびランタノイ
   ド元素の少なくとも一つの元素を表わし、前記ａ，ｂ，
   ｃおよびｄが、それぞれ０．２５≦ａ≦０．６５，０≦
   ｂ≦０．２，０．３５≦ｃ≦０．７５，０．０３≦ｄ≦
   ０．３の範囲にあることを特徴とする情報記録用薄膜。
7. 【請求項７】前記ＢおよびＸの少なくとも一方が膜厚方
   向において濃度勾配を有することを特徴とする請求項１
   〜６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
8. 【請求項８】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い
   高融点成分からなる析出物を含んでおり、その析出物が
   前記ＢおよびＸの少なくとも一方で表わされる元素を含
   んでいる請求項１〜６のいずれかに記載の情報記録用薄
   膜。
9. 【請求項９】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い
   高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分の
   少なくとも一部分が、当該薄膜の光入射側に非連続膜状
   に平均膜厚１〜１０ｎｍの範囲で存在することを特徴と
   する請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報
   記録用薄膜。
10. 【請求項１０】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分
    の構成元素の原子数の和が、当該薄膜の構成元素の全原
    子数の和に対して１０〜５０％の範囲にある請求項１，
    ２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
11. 【請求項１１】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分
    含有量が膜厚方向において変化することを特徴とする請
    求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用
    薄膜。
12. 【請求項１２】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の
    平均組成を、元素単体または化合物組成の低融点成分Ｌ
    と元素単体または化合物組成の高融点成分Ｈにより Ｌ_jＨ_k （６） の式で表した時、２０≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦４０
    （７）である組成を基準組成とし、上記情報記録用薄膜
    を構成する各元素の膜中での含有量は前記式で決まる値
    ±１０原子％の範囲内にあることを特徴とする請求項
    １，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄
    膜。
13. 【請求項１３】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分
    の融点が７８０゜Ｃ以上である請求項１，２，５および
    ６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
14. 【請求項１４】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分
    の融点と当該薄膜の残成分の融点との差が１５０゜Ｃ以
    上である請求項１，２，５および６のいずれかに記載の
    情報記録用薄膜。
15. 【請求項１５】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分
    の析出物が、当該薄膜の内部に粒状または柱状に分布し
    ている請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情
    報記録用薄膜。
16. 【請求項１６】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分
    の析出物の当該薄膜の膜面方向での最大外寸法が５ｎｍ
    以上、５０ｎｍ以下である請求項１，２，５および６の
    いずれかに記載の情報記録用薄膜。
17. 【請求項１７】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分
    の析出物が、当該薄膜の両方の界面からその膜厚方向に
    柱状に延びており、析出物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以
    上で、当該薄膜の膜厚の（１／２）以下である請求項
    １，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄
    膜。
18. 【請求項１８】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分
    の析出物が、当該薄膜の一方の界面からその膜厚方向に
    柱状に延びており、前記析出物の膜厚方向の長さが１０
    ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下である請求項１，２，
    ５および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
19. 【請求項１９】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分
    の析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜
    の膜厚以下である請求項１，２，５および６のいずれか
    に記載の情報記録用薄膜。
20. 【請求項２０】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、隣接する２
    つの前記高融点成分の析出物の中心間を結ぶ直線が、当
    該薄膜の膜面方向でそれら析出物の間の領域を通る長さ
    が２０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下である請求項１，２，５
    および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
21. 【請求項２１】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる多孔質の析出物を含んでおり、当
    該残成分が前記多孔質析出物の孔内に分布している請求
    項１，２，５および６のいずれかに記載の情報記録用薄
    膜。
22. 【請求項２２】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、高融点成分
    の多孔質状析出物の孔の当該薄膜の膜面方向での最大孔
    寸法が８０ｎｍ以下であり、隣接する２つの前記孔の間
    の領域の当該薄膜の膜面方向での最大壁厚さが２０ｎｍ
    以下である請求項１，２，５および６のいずれかに記載
    の情報記録用薄膜。
23. 【請求項２３】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の
    残成分の融点が６５０゜Ｃ以下である請求項１，２，５
    および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
24. 【請求項２４】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の
    残成分の融点が２５０゜Ｃ以下である請求項１，２，５
    および６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
25. 【請求項２５】当該薄膜の残成分より相対的に融点が高
    い高融点成分からなる析出物を含んでおり、当該薄膜の
    複素屈折率の実数部および虚数部の少なくとも一方が、
    光の照射によって照射前のそれに対して２０％以上変化
    する請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報
    記録用薄膜。
26. 【請求項２６】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜に
    おいて、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融
    点成分からなる析出物を含んでおり、その析出物が当該
    薄膜の残成分からなる領域内に分布していることを特徴
    とする情報記録用薄膜。
27. 【請求項２７】前記高融点成分の析出物の当該薄膜の膜
    面方向での最大外寸法が５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であ
    る請求項２６に記載の情報記録用薄膜。
28. 【請求項２８】前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の
    両方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、前記
    析出物の膜厚方向の長さが５ｎｍ以上で、当該薄膜の膜
    厚の（１／２）以下である請求項２６に記載の情報記録
    用薄膜。
29. 【請求項２９】前記高融点成分の析出物が、当該薄膜の
    一方の界面からその膜厚方向に柱状に延びており、前記
    析出物の膜厚方向の長さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の
    膜厚以下である請求項２６に記載の情報記録用薄膜。
30. 【請求項３０】前記高融点成分の析出物の膜厚方向の長
    さが１０ｎｍ以上で、当該薄膜の膜厚以下である請求項
    ２６に記載の情報記録用薄膜。
31. 【請求項３１】隣接する２つの前記高融点成分の析出物
    の中心間を結ぶ直線が、当該薄膜の膜面方向でそれら析
    出物の間の領域を通る長さが２０ｎｍ以上、９０ｎｍ以
    下である請求項２６に記載の情報記録用薄膜。
32. 【請求項３２】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜に
    おいて、 当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高融点成分か
    らなる多孔質の析出物を含んでおり、当該薄膜の残成分
    が前記多孔質析出物の孔内に分布していることを特徴と
    する情報記録用薄膜。
33. 【請求項３３】前記高融点成分の多孔質状析出物の孔の
    当該薄膜の膜面方向での最大内寸法が８０ｎｍ以下であ
    り、隣接する２つの前記孔の間の領域の当該薄膜の膜面
    方向での最大壁厚さが２０ｎｍ以下である請求項３２に
    記載の情報記録用薄膜。
34. 【請求項３４】当該薄膜の残成分の融点が６５０゜Ｃ以
    下である請求項２６または３２に記載の情報記録用薄
    膜。
35. 【請求項３５】当該薄膜の残成分の融点が２５０゜Ｃ以
    下である請求項２６または３２に記載の情報記録用薄
    膜。
36. 【請求項３６】当該薄膜の複素屈折率の実数部および虚
    数部の少なくとも一方が、光の照射によって照射前のそ
    れに対して２０％以上変化する請求項２６または３２に
    記載の情報記録用薄膜。
37. 【請求項３７】前記高融点成分の構成元素の原子数の和
    が、当該薄膜の全原子数の和に対して１０〜５０％の範
    囲にある請求項２６または３２に記載の情報記録用薄
    膜。
38. 【請求項３８】平均組成を、元素単体または化合物組成
    の低融点成分Ｌと元素単体または化合物組成の高融点成
    分Ｈにより Ｌ_jＨ_k （６） の式で表した時、２０≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦４０ （７）
    である組成を基準組成とし、上記情報記録用薄膜を構
    成する各元素の膜中での含有量は前記式で決まる値±１
    ０原子％の範囲内にあることを特徴とする請求項２６ま
    たは３２に記載の情報記録用薄膜。
39. 【請求項３９】前記高融点成分の融点が７８０゜Ｃ以上
    である請求項２６または３２に記載の情報記録用薄膜。
40. 【請求項４０】前記高融点成分の融点と当該薄膜の残成
    分の融点との差が１５０゜Ｃ以上である請求項２６また
    は３２に記載の情報記録用薄膜。
41. 【請求項４１】前記ＢおよびＸの少なくとも一方で表わ
    される元素がＣｒである請求項１，２，５および６のい
    ずれかに記載の情報記録用薄膜。
42. 【請求項４２】前記ＢおよびＸの少なくとも一方で表わ
    される元素がＭｏおよびＳｉ，Ｐｔ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｗで
    ある請求項１，２，５および６のいずれかに記載の情報
    記録用薄膜。
43. 【請求項４３】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜の
    製造方法であって、 基板上に直接または保護層を介して薄膜を形成する工程
    と、 前記薄膜にエネルギービームを照射して前記薄膜中に高
    融点成分を生成または成長させる工程とを備えてなるこ
    とを特徴とする情報記録用薄膜の製造方法。
44. 【請求項４４】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜の
    製造方法であって、 基板上に直接または保護層を介して高融点成分の材料あ
    るいは高融点成分の組成に近い組成を持つ材料を被着さ
    せて島状の種結晶を形成する工程と、 前記種結晶の上に前記高融点成分と前記残成分とを含む
    材料を被着させ、前記高融点成分を選択的に前記種結晶
    上に成長させると共に、それら種結晶の間を埋めるよう
    に前記残成分を成長させる工程とを備えてなることを特
    徴とする情報記録用薄膜の製造方法。
45. 【請求項４５】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄
    膜の製造方法であって、 基板上に直接または保護層を介して相変化成分と高融点
    成分より成る膜の形成時に高融点成分の含有量を膜厚方
    向に変化させる工程とを備えてることを特徴とする情報
    記録用薄膜の製造方法。
46. 【請求項４６】請求項１〜６，２６および３２のいずれ
    かに記載の情報記録用薄膜を記録層として備えた情報記
    録媒体。
47. 【請求項４７】請求項１〜６，２６および３２のいずれ
    かに記載の情報記録用薄膜を超解像読出し用のマスク層
    として備えた情報記録媒体。
48. 【請求項４８】請求項１〜６，２６および３２のいずれ
    かに記載の情報記録用薄膜を超解像読出し用の反射層と
    して備えた情報記録媒体。
49. 【請求項４９】前記高融点成分の析出後の前記残成分の
    融点が６５０゜Ｃ以下である請求項１〜６，２６および
    ３２のいずれかに記載の情報記録用薄膜を備えた情報記
    録媒体。
50. 【請求項５０】前記反射層の反射率が６０％以上である
    請求項１〜６，２６および３２のいずれかに記載の情報
    記録用薄膜を備えた情報記録媒体。
51. 【請求項５１】請求項１〜６，２６および３２のいずれ
    かに記載の情報記録用薄膜を記録層または超解像読出し
    用のマスク層として備え、かつ反射層側にＳｉを含む層
    と記録膜側にＺｎＳを主成分とする層の２層構造の中間
    層を備えた情報記録媒体。
52. 【請求項５２】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄
    膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備
    え、かつＳｉ−Ｓｎ、Ｓｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｉｎ化合物の
    少なくとも１つ、またはこれに近い組成である反射層を
    備えた情報記録媒体。
53. 【請求項５３】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄
    膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備
    え、かつ反射層の膜厚が、１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以
    下である特徴を持つ情報記録媒体。
54. 【請求項５４】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録または再生する情報記録用薄
    膜を記録層または超解像読出し用のマスク層として備
    え、かつ光入射側にＳｉＯ₂層と記録膜側にＺｎＳ−Ｓ
    ｉＯ₂層の２層構造の保護層を備えた情報記録媒体。
55. 【請求項５５】基板上に直接もしくは保護層を介して形
    成され読み出し用ビームの照射を受けて超解像効果を生
    ずる超解像読み出し用薄膜であって、少なくとも相変化
    成分及び該相変化成分より融点が高い高融点成分を含
    み、高融点成分は析出していることを特徴とする超解像
    読み出し用薄膜。
56. 【請求項５６】前記高融点成分は柱状または塊状析出物
    として析出していることを特徴とする請求項５５記載の
    超解像読み出し用薄膜。
57. 【請求項５７】前記高融点成分は多孔質状析出物として
    析出していることを特徴とする請求項５５記載の超解像
    読み出し用薄膜。
58. 【請求項５８】基板上に直接もしくは保護層を介して形
    成され読み出し用ビームの照射を受けて超解像効果を生
    ずる超解像読み出し用薄膜であって、平均組成が一般式 Ｄ_eＥ_fＦ_g で表され、前記ＤはＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉ
    ｎから選ばれた少なくとも１つの元素、前記ＥはＡｓ，
    Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，Ｓｉ，Ｔｅ，Ａｇ，Ａｌ，
    Ａｕ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｓ，Ｃ
    ｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｉｒ，Ｋ，Ｌｉ，Ｍｇ，
    Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒ
    ｂ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔａ，Ｔ
    ｉ，Ｖ，Ｗ，Ｙ，Ｚｒより成る群より選ばれた少なくと
    も１つの元素、前記Ｆは前記Ｄ及び前記Ｅで表される以
    外の少なくとも１つの元素を表し、前記ｅ，ｆ及びｇの
    単位はいずれも原子パーセントで、それぞれ３０≦ｅ≦
    ９５、５≦ｆ≦５０、０≦ｇ≦２０の範囲にあることを
    特徴とする請求項５５記載の超解像読み出し用薄膜。
59. 【請求項５９】平均組成を、元素単体または化合物組成
    の低融点成分Ｌと元素単体または化合物組成の高融点成
    分Ｈにより Ｌ_jＨ_k （６） の式で表した時、２０≦ｋ／（ｊ＋ｋ）≦４０ （７）
    である組成を基準組成とし、各元素の膜中での含有量
    は前記式で決まる値±１０原子％の範囲内にあることを
    特徴とする請求項５５に記載の超解像読み出し用薄膜。
60. 【請求項６０】低融点成分と高融点成分がいずれも金属
    または半金属元素を５０原子％以上含むことを特徴とす
    る請求項５５に記載の超解像読み出し用薄膜。
61. 【請求項６１】凹凸によって情報が記録された透明基板
    上に請求項５５に記載された超解像読み出し用薄膜を設
    け、その上に反射層を設けたことを特徴とする情報記録
    媒体。
62. 【請求項６２】凹凸によって情報が記録された透明基板
    と請求項５５に記載された超解像読み出し用薄膜の間に
    保護層が設けられていることを特徴とする情報記録媒
    体。
63. 【請求項６３】請求項５５に記載された超解像読み出し
    用薄膜と反射層の間に中間層が設けられていることを特
    徴とする情報記録媒体。
64. 【請求項６４】透明基板上に請求項５５に記載された超
    解像読み出し用薄膜を設け、その上に情報記録膜を設
    け、さらにその上に反射層を設けたことを特徴とする情
    報記録媒体。
65. 【請求項６５】透明基板と請求項５５に記載された超解
    像読み出し用薄膜の間に保護層が設けられていることを
    特徴とする情報記録媒体。
66. 【請求項６６】請求項５５に記載された超解像読み出し
    用薄膜と情報記録膜の間、及び情報記録膜と反射層の間
    の少なくとも一方に中間層が設けられていることを特徴
    とする情報記録媒体。
67. 【請求項６７】請求項５５に記載された超解像読み出し
    用薄膜を備えた情報記録媒体と、前記情報記録媒体にレ
    ーザ光を照射して反射光を検出する光ヘッドとを備える
    超解像読み出し用装置において、超解像読み出し時の反
    射光の強度分布の乱れを検出する手段と、上記乱れの大
    きさに応じてレーザパワーを調節する手段を有すること
    を特徴とする超解像読み出し用装置。
68. 【請求項６８】請求項５５に記載の超解像読み出し用薄
    膜を備えた情報記録媒体と、前記情報記録媒体にレーザ
    光を照射して反射光を検出する光ヘッドとを備える超解
    像読み出し用装置において、 前記レーザ光はパルス光であり、レーザパルスの周期
    Ｔ、線速ｖ、スポット径（λ／ＮＡ）、パルス幅ｘの関
    係が ０．４λ／ＮＡ≦ｖＴ≦１．５λ／ＮＡ （９） かつ、 ０．３≦ｘ／Ｔ≦０．５ （１０） を満たすことを特徴とする超解像読み出し用装置。
69. 【請求項６９】請求項５５に記載の超解像読み出し用薄
    膜を備えた情報記録媒体と、前記情報記録媒体にレーザ
    光を照射して反射光を検出する光ヘッドとを備える超解
    像読み出し用装置において、レーザ光の出力を超解像読
    み出し用薄膜の最高温度となる領域でも膜全体は融解し
    ない出力に設定する手段を有することを特徴とする超解
    像読み出し用装置。
70. 【請求項７０】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜に
    おいて、当該薄膜を有する情報記録用媒体を用いる情報
    の記録再生装置または媒体初期結晶化用装置においてレ
    ーザ光を繰り返し照射することにより、当該薄膜の残成
    分より相対的に融点が高い高融点成分が析出し、その析
    出物が当該薄膜の残成分からなる領域内に分布すること
    を特徴とする情報記録用薄膜。
71. 【請求項７１】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録・再生する情報記録用薄膜を
    有する情報記録用媒体を用いる情報の記録再生方法また
    は媒体初期結晶化用方法においてレーザ光を繰り返し照
    射することにより、当該薄膜の残成分より相対的に融点
    が高い高融点成分が析出し、その析出物が当該薄膜の残
    成分からなる領域内に分布させることを特徴とする情報
    の記録再生方法。
72. 【請求項７２】当該薄膜において、当該薄膜を有する情
    報記録用媒体を用いる情報の記録再生装置または媒体初
    期結晶化用装置においてレーザ光を繰り返し照射するこ
    とにより、当該薄膜の残成分より相対的に融点が高い高
    融点成分が析出し、その析出物が当該薄膜の残成分から
    なる領域内に分布し、その析出物が前記ＢおよびＸの少
    なくとも一方で表わされる元素を含むことを特徴とする
    請求項１〜６のいずれかに記載の情報記録用薄膜。
73. 【請求項７３】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録・再生する情報記録用媒体の
    製造方法であって、基板上に保護層、記録膜または超解
    像読みだし膜、中間層、反射層を形成する工程と、これ
    に別の基板または同様にして前記各層を形成した別の基
    板を貼り合わせる工程と前記媒体にエネルギービームを
    照射して前記薄膜中に高融点成分を生成または成長させ
    る工程とを備えてなることを特徴とする情報記録用媒体
    の製造方法。
74. 【請求項７４】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録・再生する情報記録用媒体の
    製造方法であって、基板上に保護層を形成する工程と高
    融点成分の材料あるいは高融点成分の組成に近い組成を
    持つ材料を被着させて島状の種結晶を形成する工程と、
    前記種結晶の上に前記高融点成分と前記残成分とを含む
    材料を被着させ、前記高融点成分を選択的に前記種結晶
    上に成長させると共に、それら種結晶の間を埋めるよう
    に前記残成分を成長させる工程と中間層、反射層を形成
    する工程と、これに別の基板または同様にして前記各層
    を形成した別の基板を貼り合わせる工程と備えてなるこ
    とを特徴とする情報記録用媒体の製造方法。
75. 【請求項７５】基板上に直接または保護層を介して形成
    された、エネルギービームの照射を受けて生じる原子配
    列変化によって情報を記録または再生する情報記録用媒
    体の製造方法であって、基板上に保護層を形成する工程
    と、相変化成分と高融点成分より成る膜の形成を行ない
    つつ高融点成分の含有量を膜厚方向に変化させる工程
    と、中間層、反射層を形成する工程と、これに別の基板
    または同様にして前記各層を形成した別の基板を貼り合
    わせる工程を備えてることを特徴とする情報記録用媒体
    の製造方法。