JPH0722210A - Composite function element - Google Patents
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- JPH0722210A JPH0722210A JP5165383A JP16538393A JPH0722210A JP H0722210 A JPH0722210 A JP H0722210A JP 5165383 A JP5165383 A JP 5165383A JP 16538393 A JP16538393 A JP 16538393A JP H0722210 A JPH0722210 A JP H0722210A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、１つの素子でトランジ
ェントノイズを吸収できるとともにＥＭＣ対策にも対応
でき、ひいては部品点数を削減して部品コストの低減，
実装スペースの縮小に貢献できるようにした複合機能素
子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention can absorb transient noise with a single element and can also cope with EMC measures, which in turn reduces the number of parts and reduces the cost of parts.
The present invention relates to a multifunctional device that can contribute to reduction of mounting space.
【０００２】[0002]
【従来の技術】各種のコンピュータ機器等に採用される
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体デバイスにおいては、静電気等
のトランジェントノイズの侵入によって破壊や誤動作が
生じるのを防止することが重要な課題となっている。こ
のトランジェントノイズから機器を防御する方法とし
て、従来、セットや基板のグランドの設定や基板内の素
子の配列を工夫したり，ディスク型のバリスタやＬＣフ
ィルタを回路に付加するのが一般的である。なかでもバ
リスタは回路に加えることが比較的簡単であり、他の方
法に比べてノイズ吸収素子として適している。このバリ
スタを用いる場合、バリスタ電圧はできるだけ回路電圧
に近づける必要があることから、低電圧であることが要
求される。2. Description of the Related Art In semiconductor devices such as ICs and LSIs employed in various computer equipments, it is an important issue to prevent destruction or malfunction due to intrusion of transient noise such as static electricity. . As a method of protecting the device from this transient noise, conventionally, it has been general to devise the setting of the ground of the set or the board, the arrangement of the elements in the board, or to add a disk type varistor or an LC filter to the circuit. . Among them, the varistor is relatively easy to add to the circuit and is suitable as a noise absorbing element compared to other methods. When this varistor is used, the varistor voltage needs to be as low as possible because it needs to be as close to the circuit voltage as possible.
【０００３】また、上記コンピュータ機器の小型化，薄
型化が進むなかで、上記バリスタにおいても小型化及び
ＳＭＴ（表面実装）化への対応が要請されている。この
ような要請に対応できるものとして、従来、焼結体内に
複数の内部電極を埋設した構造の積層型バリスタが提案
されている（例えば特公昭５８−２３９２１号公報参
照）。Further, as the computer equipment is becoming smaller and thinner, the varistor is required to be smaller and SMT (surface mount). In order to meet such a demand, a laminated varistor having a structure in which a plurality of internal electrodes are embedded in a sintered body has been conventionally proposed (see, for example, Japanese Patent Publication No. 58-23921).
【０００４】一方、上記コンピュータ機器等では、この
機器からノイズを発生させたり，該機器にノイズを侵入
させたりしないように、回路基板の入出力部等にフィラ
イトチップやコンデンサチップを接続し、これによりＥ
ＭＣ対策を施すようにしている。On the other hand, in the above-mentioned computer equipment and the like, in order not to generate noise from the equipment or to inject the noise into the equipment, a fillite chip or a capacitor chip is connected to the input / output portion of the circuit board, This makes E
MC measures are taken.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】しかしながら、上記従来
の積層型バリスタやフェライト，コンデンサチップ等の
多数の部品を回路基板に付加すると、それだけ基板面積
を大きくなることから実装スペースが拡大し、しかも部
品点数が増えることからコストが上昇するという問題が
あり、この点での改善が要請されている。However, when a large number of components such as the conventional laminated varistor, ferrite, and capacitor chip are added to the circuit board, the board area is increased correspondingly, so that the mounting space is expanded and the components are There is a problem that the cost increases due to the increase in the number of points, and improvement is required in this respect.
【０００６】本発明は上記従来の状況に鑑みてなされた
もので、１つの素子でトランジェントノイズを吸収でき
るとともにＥＭＣ対策にも対応でき、ひいては部品点数
を削減して部品コストの低減，実装スペースの縮小に貢
献できる複合機能素子を提供することを目的としてい
る。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and one element can absorb transient noise and can also cope with EMC measures. Consequently, the number of parts can be reduced to reduce the cost of parts and the mounting space. It is intended to provide a multi-functional device that can contribute to reduction in size.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、上述の
要請に応えるために検討したところ、バリスタ特性を発
現する半導体磁器シートと、磁性特性を発現する磁性体
磁器シートとを積層し、この積層体を一体焼結すること
によって複合機能を有する素子が得られるという観点か
ら、実験を行った。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have studied in order to meet the above-mentioned requirements, and as a result, a semiconductor porcelain sheet exhibiting varistor characteristics and a magnetic porcelain sheet exhibiting magnetic characteristics are laminated, An experiment was conducted from the viewpoint that an element having a composite function can be obtained by integrally sintering this laminated body.
【０００８】ところが、上記異種材料の組成物からなる
両磁器シートを単に一体焼結しただけでは、各組成物の
収縮率の差による層はがれやデラミネーションが生じ易
く、しかも焼結時に各組成物の成分が反応して双方に拡
散し、その結果所望の電気的特性が得られないことが判
明した。本件発明者らは、このような焼結時における層
はがれや成分反応による拡散を防止するためにさらに検
討を重ねたところ、半導体磁器組成物と磁性体組成物の
双方にＢｉを添加することにより解消できることを見出
し、本発明を成したものである。However, by simply integrally sintering both porcelain sheets made of the above-mentioned compositions of different materials, layer peeling and delamination are likely to occur due to the difference in shrinkage ratio of each composition, and each composition is sintered at the time of sintering. It has been found that the components of (1) react and diffuse into both, and as a result, desired electrical characteristics cannot be obtained. The inventors of the present invention have made further studies to prevent layer peeling and diffusion due to component reaction during sintering, and as a result, by adding Bi to both the semiconductor porcelain composition and the magnetic substance composition, The present invention has been made by finding that it can be solved.
【０００９】そこで本発明は、バリスタ特性を有する半
導体磁器と、磁性特性を有する磁性体磁器との双方にＢ
ｉを添加し、この両磁器の積層体を一体焼結したことを
特徴とする複合機能素子である。Therefore, the present invention applies to both a semiconductor porcelain having varistor characteristics and a magnetic porcelain having magnetic characteristics.
It is a multi-function element characterized by adding i and sintering the laminated body of both porcelains integrally.
【００１０】ここで、上記半導体磁器にはＺｎＯを主成
分としたセラミック材料を採用するのが望ましく、また
磁性体磁器には絶縁性の高いＦｅ−Ｎｉ−Ｚｎを主成分
としたフェライト材料を採用するのが望ましい。Here, it is desirable to adopt a ceramic material containing ZnO as a main component for the above-mentioned semiconductor porcelain, and a ferrite material containing Fe-Ni-Zn as a main component having a high insulating property for the magnetic porcelain. It is desirable to do.
【００１１】[0011]
【作用】本発明に係る複合機能素子によれば、半導体磁
器と磁性体磁器とにそれぞれＢｉを添加して両者を積層
し、これを一体焼結したので、焼結時における各組成物
の収縮率の差による層はがれやデラミネーションの発生
を回避でき、しかも両者の成分反応による拡散を抑制し
て電気的特性の悪化を防止できる。これにより、１つの
素子でバリスタ特性，磁性特性，及びコンデンサ特性を
備えた複合機能を得ることができ、ひいてはトランジェ
ントノイズから機器が破損するのを保護でき、かつＥＭ
Ｃ対策にも対応できる。その結果、従来の多数の部品を
付加する場合に比べて実装スペースを小さくでき、しか
も部品点数を削減できる分だけコストを低減でき、上述
の要請に応えられる。According to the multi-functional device of the present invention, Bi is added to each of the semiconductor porcelain and the magnetic porcelain to be laminated and sintered together, so that the shrinkage of each composition at the time of sintering. It is possible to avoid layer peeling and delamination due to the difference in the rate, and to suppress the diffusion due to the component reaction of the two to prevent the deterioration of the electrical characteristics. As a result, it is possible to obtain a composite function with varistor characteristics, magnetic characteristics, and capacitor characteristics with one element, and thus to protect the equipment from damage due to transient noise, and to achieve EM
It can also deal with C measures. As a result, the mounting space can be reduced as compared with the case where a large number of conventional components are added, and the number of components can be reduced, so that the cost can be reduced and the above-mentioned demand can be met.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１ないし図３は本発明の一実施例による複合機能
素子を説明するための図である。図において、１は本実
施例の複合機能素子であり、これはバリスタ特性を有す
る第１，第２半導体磁器２，３と、磁性特性を有する磁
性体磁器４とを該磁性体磁器４をサンドイッチ状に挟ん
で積層し、この積層体を一体焼結して直方体状の焼結体
５を形成して構成されている。この焼結体５の左, 右端
面５ａ，５ｂには入出力部としての第１外部電極６が、
また前後側面５ｃ，５ｄの中央部にはグランド部として
の第２外部電極７が形成されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 3 are views for explaining a multifunctional device according to an embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 1 is a multi-function element of the present embodiment, which sandwiches first and second semiconductor porcelains 2 and 3 having varistor characteristics and a magnetic porcelain 4 having magnetic characteristics with the magnetic porcelain 4 sandwiched. It is constituted by forming a rectangular parallelepiped sintered body 5 by integrally sandwiching and laminating the laminated body. The left and right end surfaces 5a and 5b of the sintered body 5 are provided with the first external electrodes 6 as input / output portions,
A second external electrode 7 as a ground portion is formed at the center of the front and rear side surfaces 5c and 5d.
【００１３】上記第１半導体磁器２は、ＺｎＯを主成分
とする複数のバリスタ層２ａを積層し、このバリスタ層
２ａの間に該バリスタ層２ａを挟んで対向するよう内部
電極８，及びグランド電極９を埋設して構成されてい
る。上記内部電極８の一端面８ａは焼結体５の右端面５
ｂに露出して上記第１外部電極６に電気的に接続されて
おり、他の端面は焼結体５内に封入されている。また上
記グランド電極９の前，後端面９ａ，９ｂは焼結体５の
前，後側面５ｃ，５ｄにそれぞれ露出して上記第２外部
電極７に接続されており、他の端面は焼結体５内に封入
されている。The first semiconductor porcelain 2 has a plurality of varistor layers 2a mainly composed of ZnO, and the internal electrode 8 and the ground electrode 8 are arranged so as to face each other with the varistor layers 2a sandwiched between the varistor layers 2a. 9 is buried. One end surface 8a of the internal electrode 8 is the right end surface 5 of the sintered body 5.
It is exposed at b and is electrically connected to the first external electrode 6, and the other end face is sealed in the sintered body 5. The front and rear end surfaces 9a and 9b of the ground electrode 9 are exposed at the front and rear side surfaces 5c and 5d of the sintered body 5, respectively, and are connected to the second external electrode 7, while the other end surfaces are connected to the sintered body. Enclosed in 5.
【００１４】また上記第２半導体磁器３は、上記同様に
ＺｎＯを主成分とする複数のバリスタ層３ａを積層し、
このバリスタ層３ａの間に該バリスタ層３ａを挟んで対
向するよう内部電極１０，及びグランド電極１１を埋設
して構成されている。上記内部電極１０の一端面１０ａ
は焼結体５の左端面５ａに露出して上記第１外部電極６
に接続されており、また上記グランド電極１１の前，後
端面１１ａ，１１ｂはそれぞれ焼結体５の前，後側面５
ｃ，５ｄに露出して上記第２外部電極７に接続されてお
り、他の各端面は焼結体５内に封入されている。The second semiconductor porcelain 3 is formed by stacking a plurality of varistor layers 3a containing ZnO as a main component as described above.
An internal electrode 10 and a ground electrode 11 are embedded between the varistor layers 3a so as to face each other with the varistor layer 3a interposed therebetween. One end surface 10a of the internal electrode 10
Is exposed on the left end surface 5a of the sintered body 5 and is exposed to the first external electrode 6
And the front and rear end faces 11a and 11b of the ground electrode 11 are respectively the front and rear side faces 5 of the sintered body 5.
The exposed end portions c and 5d are connected to the second external electrode 7, and the other end surfaces are enclosed in the sintered body 5.
【００１５】上記磁性体磁器４は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｚｎを
主成分とする一対の磁性体層４ａの間にフェライト電極
１２を埋設して構成されている。このフェライト電極１
２の長手方向の両端面１２ａ，１２ｂはそれぞれ焼結体
５の左, 右端面５ａ，５ｂに露出して上記第１外部電極
６に接続されており、他の端面は焼結体５内に封入され
ている。The above-mentioned magnetic porcelain 4 is constructed by embedding a ferrite electrode 12 between a pair of magnetic layers 4a containing Fe-Ni-Zn as a main component. This ferrite electrode 1
Both end faces 12a and 12b in the longitudinal direction of 2 are exposed at the left and right end faces 5a and 5b of the sintered body 5, respectively, and are connected to the first external electrode 6, and the other end surfaces are inside the sintered body 5. It is enclosed.
【００１６】そして上第１，第２半導体磁器２，３及び
磁性体磁器５には所定量のＢｉが添加されており、これ
により焼結時における各組成物の収縮率の差による層は
がれやデラミネーションの発生が回避されており、かつ
両者の成分反応による拡散が回避された複合機能素子１
が形成されている。A predetermined amount of Bi is added to the upper first and second semiconductor porcelains 2 and 3 and the magnetic porcelain 5, so that the layers are peeled off due to the difference in shrinkage of each composition during sintering. A multi-functional device 1 in which delamination is avoided and diffusion due to a reaction between the two components is avoided.
Are formed.
【００１７】次に、本実施例の複合機能素子１の一製造
方法について説明する。まず、バリスタ機能を発現する
半導体磁器を作成する。純度９９％以上のＺｎＯを主成
分とし、これにＢｉ2 Ｏ3 ，ＣｏＣＯ3 ，ＭｎＯ2 ，及
びＳｂ2 Ｏ2 をそれぞれ９８mol ％，１．５mol ％，
０．５mol ％，０．５mol ％及び０．５mol ％の割合で
秤量し、これに純水を加えてボールミルで２４時間混合
してスラリーを形成する。このスラリーをろ過，乾燥さ
せて造粒した後、８００℃の温度で２時間仮焼成する。Next, a method of manufacturing the multi-function element 1 of this embodiment will be described. First, a semiconductor porcelain exhibiting a varistor function is created. The main component is ZnO having a purity of 99% or more, and Bi 2 O 3 , CoCO 3 , MnO 2 , and Sb 2 O 2 are added thereto at 98 mol% and 1.5 mol%, respectively.
0.5 mol%, 0.5 mol% and 0.5 mol% are weighed, pure water is added thereto and mixed by a ball mill for 24 hours to form a slurry. The slurry is filtered, dried and granulated, and then calcined at a temperature of 800 ° C. for 2 hours.
【００１８】次に、上記仮焼成体をパルベライザーによ
り粗粉砕した後、これに純水を加えてボールミルで微粉
砕する。次いで、この微粉末をろ過，乾燥させた後、有
機バインダーとともに溶媒中に分散させてスラリーを形
成する。この後、このスラリーからドクターブレード法
により厚さ５０μm のセラミックグリーンシートを形成
し、このグリーンシートを所定の大きさ，形状（矩形）
に打ち抜いて複数枚の第１，第２バリスタ層２ａ，３ａ
を形成する。Next, the calcinated body is coarsely pulverized by a pulverizer, pure water is added to the coarse pulverized body, and finely pulverized by a ball mill. Next, this fine powder is filtered and dried, and then dispersed in a solvent together with an organic binder to form a slurry. After this, a ceramic green sheet with a thickness of 50 μm is formed from this slurry by the doctor blade method, and this green sheet has a predetermined size and shape (rectangle).
Punched into a plurality of first and second varistor layers 2a, 3a
To form.
【００１９】また、磁性特性を発現する磁性体磁器を作
成する。これは純度９９％以上のＦｅ2 Ｏ3 ，ＮｉＯ，
ＺｎＯをそれぞれ４７mol ％，３０mol ％，２３mol ％
の割合で秤量し、これに純水を加えてボールミルで２４
時間混合してスラリーを形成する。このスラリーをろ
過，乾燥させて造粒した後、１２００℃の温度で２時間
仮焼成する。Further, a magnetic porcelain exhibiting magnetic characteristics is prepared. This is Fe 2 O 3 , NiO with a purity of 99% or more,
ZnO is 47mol%, 30mol%, 23mol% respectively
In a ball mill.
Mix for hours to form a slurry. The slurry is filtered, dried and granulated, and then calcined at a temperature of 1200 ° C. for 2 hours.
【００２０】次に、上記仮焼成体を粗粉砕した後、これ
にＢｉ2 Ｏ3 を５．０wt％添加し、さらに純水を加えて
ボールミルで２４時間混合粉砕する。次いで、これをを
ろ過，乾燥させた後、有機バインダーとともに溶媒中に
分散させてスラリーを形成する。この後、このスラリー
からドクターブレード法により厚さ５０μm のフェライ
トシートを形成し、このシートを所定の大きさ，形状
（矩形）に打ち抜いて複数枚の磁性体層４ａを形成す
る。Next, after roughly pulverizing the calcined body, 5.0 wt% of Bi 2 O 3 is added thereto, pure water is further added, and the mixture is ground for 24 hours in a ball mill. Next, this is filtered and dried, and then dispersed in a solvent together with an organic binder to form a slurry. After that, a ferrite sheet having a thickness of 50 μm is formed from this slurry by a doctor blade method, and this sheet is punched into a predetermined size and shape (rectangle) to form a plurality of magnetic layers 4a.
【００２１】さらにＡｇ−Ｐｄ（７：３）合金を主体と
した導電性ペーストを作成する。このペーストを、図３
に示すように、上記第１，第２バリスタ層２ａ，３ａの
上面にスクリーン印刷して内部電極８，１０及びグラン
ド電極９，１１を形成する。また上記導電性ペーストを
磁性体層４ａの上面に同じくスクリーン印刷して電極１
２を形成する。Further, a conductive paste containing Ag-Pd (7: 3) alloy as a main component is prepared. This paste is shown in Figure 3.
As shown in FIG. 5, screen printing is performed on the upper surfaces of the first and second varistor layers 2a and 3a to form the internal electrodes 8 and 10 and the ground electrodes 9 and 11. The conductive paste is also screen-printed on the top surface of the magnetic layer 4a to form the electrode 1
Form 2.
【００２２】そして、図３に示すように、内部電極８と
グランド電極９とが第１バリスタ層２ａを挟んで対向す
るよう重ね、これの上部に電極が印刷されていない第１
バリスタ層２ａを複数枚重ねて第１半導体磁器２を形成
する。同様に、内部電極１０とグランド電極１１とが第
２バリスタ層３ａを挟んで対向するよう重ね、これの上
部，下部に電極が印刷されていない第２バリスタ層３ａ
を複数枚重ねて第２半導体磁器３を形成する。また上記
電極１２が形成された磁性体層４ａの上面に電極が印刷
されていない磁性体層４ａを重ねて磁性体磁器４を形成
する。Then, as shown in FIG. 3, the internal electrode 8 and the ground electrode 9 are superposed so as to face each other with the first varistor layer 2a interposed therebetween, and the first electrode on which the electrode is not printed is placed.
The first semiconductor porcelain 2 is formed by stacking a plurality of varistor layers 2a. Similarly, the internal electrode 10 and the ground electrode 11 are stacked so as to face each other with the second varistor layer 3a sandwiched therebetween, and the second varistor layer 3a having no electrodes printed on the upper and lower portions thereof.
Are stacked to form the second semiconductor porcelain 3. Further, the magnetic body porcelain 4 is formed by stacking the magnetic body layer 4a having no electrodes printed thereon on the upper surface of the magnetic body layer 4a having the electrodes 12 formed thereon.
【００２３】次いで、上記第１，第２半導体磁器２，３
の間に磁性体磁器４を配置して積層し、これの積層方向
に２ｔ／ｃｍ2 の圧力を加えて圧着し、積層体を形成す
る。この積層体を所定寸法にカットした後、これを１０
００℃で２時間焼成して焼結体５を得る。この場合、上
記半導体磁器２，３及び磁性体磁器４には所定量のＢｉ
が添加されていることから、上記焼結時における収縮率
の差による層はがれやデラミネーションの発生を回避で
き、かつ異種組成物の成分反応による拡散を抑制でき
る。しかも上記Ｂｉが各磁器の接着剤として働くことか
ら一体に接合した焼結体５を形成することができる。Next, the first and second semiconductor porcelains 2, 3
The magnetic porcelain 4 is placed between the two and laminated, and a pressure of 2 t / cm 2 is applied in the laminating direction of the magnetic porcelain 4 for pressure bonding to form a laminated body. After cutting this laminated body to a predetermined size,
Sintered body 5 is obtained by firing at 00 ° C. for 2 hours. In this case, the semiconductor porcelains 2 and 3 and the magnetic porcelain 4 have a predetermined amount of Bi.
Since the addition of C.sub.2 is added, it is possible to avoid the occurrence of layer peeling and delamination due to the difference in shrinkage rate during the above-mentioned sintering, and to suppress the diffusion due to the component reaction of different kinds of compositions. Moreover, since the above Bi acts as an adhesive for each porcelain, it is possible to form an integrally joined sintered body 5.
【００２４】そして最後に、上記焼結体５の左, 右端面
５ａ，５ｂ及び前後側面５ｃ，５ｄの中央部にＡｇペー
ストを塗布し、これを８００℃で１０分間熱処理を施し
て第１，第２外部電極６，７を形成する。これにより本
実施例の複合機能素子１が製造される。Finally, Ag paste is applied to the central portions of the left and right end surfaces 5a and 5b and the front and rear side surfaces 5c and 5d of the sintered body 5, and the paste is heat-treated at 800 ° C. for 10 minutes to obtain the first and the first. The second external electrodes 6 and 7 are formed. As a result, the multifunctional device 1 of this embodiment is manufactured.
【００２５】[0025]
【表１】 [Table 1]
【００２６】表１は、上記方法により製造された複合機
能素子１のバリスタ特性，容量特性，及びインダクタン
ス特性を評価した試験結果を示す。同表からも明らかな
ように、バリスタ電圧Ｖ1mA は２６．５Ｖ，非直線係数
は３５．８と満足できるバリスタ特性が得られている。
また絶縁抵抗値は８９５ＭΩ，静電容量は９８７ｐＦ，
誘電損失は２．２％，インダクタンス値は８５ｎＨ，さ
らに直流抵抗値は５２ｍΩと容量特性，インダクタンス
特性とも満足できる値が得られていることがわかる。ま
た上記複合素子１の外観を観察したところ、収縮率の差
による層はがれやデラミネーションは全く見られなかっ
た。また、図４は、上記複合機能素子１の挿入損失を測
定した特性図であり、同図からも所望の周波数特性が得
られていることがわかる。Table 1 shows the test results for evaluating the varistor characteristic, the capacitance characteristic, and the inductance characteristic of the composite function element 1 manufactured by the above method. As is clear from the table, the varistor voltage V 1 mA is 26.5 V and the nonlinear coefficient is 35.8, which is a satisfactory varistor characteristic.
Insulation resistance value is 895 MΩ, capacitance is 987 pF,
It can be seen that the dielectric loss is 2.2%, the inductance value is 85 nH, and the direct current resistance value is 52 mΩ, which are satisfactory values for both the capacitance characteristic and the inductance characteristic. Further, when the appearance of the composite element 1 was observed, no layer peeling or delamination due to the difference in shrinkage was observed. Further, FIG. 4 is a characteristic diagram in which the insertion loss of the multifunctional device 1 is measured, and it can be seen from the diagram that the desired frequency characteristic is obtained.
【００２７】このように本実施例によれば、第１，第２
半導体磁器２，３及び磁性体磁器４にＢｉを添加して一
体焼結したので、層はがれや電気的特性の悪化を回避し
ながら１つの素子でバリスタ特性，磁性特性，及びコン
デンサ特性を備えた複合機能を得ることができる。従っ
て、これをコンピュータ機器等に採用することによって
トランジェントノイズから機器を保護できるとともに、
ＥＭＣ対策にも対応でき、ひいては実装スペースの縮
小，部品コストの低減に貢献できる。As described above, according to this embodiment, the first and second
Since Bi was added to the semiconductor porcelains 2 and 3 and the magnetic porcelain 4 and integrally sintered, layer varistor characteristics, magnetic characteristics, and capacitor characteristics were provided by one element while avoiding layer peeling and deterioration of electrical characteristics. Multiple functions can be obtained. Therefore, by adopting this for computer equipment etc., it is possible to protect the equipment from transient noise,
It can also support EMC measures, and eventually contribute to a reduction in mounting space and component costs.
【００２８】なお、上記実施例では、第１，第２半導体
磁器２，３で磁性体磁器４をサンドイッチ状に挟んで積
層体を形成した場合を例にとって説明したが、本発明は
これに限られるものではなく、複合機能素子の用途に応
じて積層数，組み合わせを適宜選定すればよい。In the above embodiment, the case where the laminated body is formed by sandwiching the magnetic porcelain 4 between the first and second semiconductor porcelains 2 and 3 in a sandwich form has been described, but the present invention is not limited to this. However, the number of layers and the combination may be appropriately selected according to the application of the multi-functional element.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上のように、本発明に係る複合機能素
子によれば、バリスタ特性を有する半導体磁器と、磁性
特性を有する磁性体磁器との双方にＢｉを添加して一体
焼結したので、焼結時における層はがれや成分拡散によ
る電気的特性の悪化を回避しながら１つの素子でバリス
タ特性，コンデンサ特性，及び磁性特性を兼ね備えた複
合機能を得ることができ、ひいては部品点数を削減して
部品コストの低減，実装スペースの縮小に貢献できる効
果がある。As described above, according to the multi-functional element of the present invention, Bi is added to both the semiconductor porcelain having varistor characteristics and the magnetic porcelain having magnetic characteristics and integrally sintered. In addition, it is possible to obtain a composite function that combines varistor characteristics, capacitor characteristics, and magnetic characteristics with one element while avoiding the deterioration of electrical characteristics due to layer peeling and component diffusion during sintering, thus reducing the number of parts. This has the effect of contributing to a reduction in component cost and a reduction in mounting space.
【図１】本発明の一実施例による複合機能素子を説明す
るための断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a multi-function device according to an exemplary embodiment of the present invention.
【図２】上記実施例の複合機能素子を示す斜視図であ
る。FIG. 2 is a perspective view showing a multi-function device of the above embodiment.
【図３】上記実施例の複合機能素子の製造方法を説明す
るための分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view for explaining a method for manufacturing the multifunctional device according to the above-described embodiment.
【図４】上記実施例の複合機能素子の挿入損失を示す特
性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing insertion loss of the multifunctional device of the above-mentioned embodiment.
１ 複合機能素子 ２，３ 半導体磁器 ４ 磁性体磁器 1 Multi-function element 2, 3 Semiconductor porcelain 4 Magnetic porcelain
Claims (2)
性特性を有する磁性体磁器とを積層し、該積層体を一体
焼結してなる複合機能素子であって、上記半導体磁器及
び磁性体磁器の双方にＢｉを含有させたことを特徴とす
る複合機能素子。1. A multi-function device comprising a semiconductor ceramic having varistor characteristics and a magnetic ceramic having magnetic characteristics, which are laminated and integrally sintered. A multi-functional device characterized by containing Bi in both.
ｎＯ系材料を主成分し、上記磁性体磁器がＦｅ−Ｎｉ−
Ｚｎ系材料を主成分としていることを特徴とする複合機
能素子。2. The semiconductor porcelain according to claim 1, wherein the semiconductor porcelain is Z.
The main component is an nO-based material, and the magnetic porcelain is Fe--Ni--
A multi-functional device comprising a Zn-based material as a main component.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5165383A JPH0722210A (en) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | Composite function element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5165383A JPH0722210A (en) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | Composite function element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722210A true JPH0722210A (en) | 1995-01-24 |
Family
ID=15811348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5165383A Pending JPH0722210A (en) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | Composite function element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722210A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216636A (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Tdk Corp | Composite laminated electronic component |
| JP2006245258A (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Tdk Corp | Compound laminated electronic component |
| JP2007201143A (en) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Tdk Corp | Joining intermediate layer and composite laminate electronic component |
| WO2018105912A1 (en) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | 주식회사 모다이노칩 | Composite protection element and electronic device including same |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP5165383A patent/JPH0722210A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006216636A (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Tdk Corp | Composite laminated electronic component |
| JP2006245258A (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Tdk Corp | Compound laminated electronic component |
| JP2007201143A (en) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Tdk Corp | Joining intermediate layer and composite laminate electronic component |
| WO2018105912A1 (en) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | 주식회사 모다이노칩 | Composite protection element and electronic device including same |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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