JPH07221401A - Laser diode - Google Patents
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- JPH07221401A JPH07221401A JP6010162A JP1016294A JPH07221401A JP H07221401 A JPH07221401 A JP H07221401A JP 6010162 A JP6010162 A JP 6010162A JP 1016294 A JP1016294 A JP 1016294A JP H07221401 A JPH07221401 A JP H07221401A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク装置等に用い
られる透光性樹脂封止のレーザダイオード装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a translucent resin-sealed laser diode device used in optical disk devices and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年，製造コストが低く，形状の自由度
の大きな半導体レーザダイオード装置として，同一出願
人から特願平３−２６４０６７号（特開平５−３３７７
号）により出願中の樹脂封止タイプ( モールドタイプ)
のものがある。図４（ａ），（ｂ）はこの装置の要部の
構成を示す模式図であり、図４（ａ）は斜視図、図４
（ｂ）は断面図を表わす。2. Description of the Related Art In recent years, as a semiconductor laser diode device having a low manufacturing cost and a large degree of freedom in shape, Japanese Patent Application No. 3-264067 (Japanese Patent Laid-Open No. 3377/1993) was filed by the same applicant.
No.) pending resin encapsulation type (mold type)
There is one. 4 (a) and 4 (b) are schematic views showing the configuration of the main part of this apparatus, and FIG. 4 (a) is a perspective view and FIG.
(B) shows a sectional view.
【０００３】図４において、この装置はレーザチップ１
をサブマウント２を介してリードフレーム３の上に取り
付け、サブマウント２にはレーザ出力をモニタするフォ
トダイオード４がつくり込まれており、ワイヤ５によっ
てリード端子部６に接続されている。レーザチップ１も
ワイヤ５によりリード端子部６に接続されている。そし
て、レーザチップ１とサブマウント２とを第１の樹脂
（シリコーン樹脂）層７で被覆し、さらに第２の樹脂
（エポキシ樹脂）層８で、レーザダイオード装置の端子
部６の一部を除く全体を封止してある。レーザビームの
出射方向と光軸を図４（ｂ）の点線の矢印９で示す。In FIG. 4, this device is a laser chip 1.
Is mounted on the lead frame 3 via the submount 2, and a photodiode 4 for monitoring the laser output is built in the submount 2 and connected to the lead terminal portion 6 by a wire 5. The laser chip 1 is also connected to the lead terminal portion 6 by the wire 5. The laser chip 1 and the submount 2 are covered with a first resin (silicone resin) layer 7, and a second resin (epoxy resin) layer 8 is used to remove a part of the terminal portion 6 of the laser diode device. The whole is sealed. The emission direction and the optical axis of the laser beam are shown by the dotted arrow 9 in FIG.
【０００４】ここで、第１の樹脂層７はレーザチップ１
の近傍のエネルギー密度の高いレーザビームによって損
傷しない樹脂であるが、強度が低くレーザダイオード装
置の封止樹脂として用いるには適していない。一方、第
２の樹脂層８は強度が高く封止樹脂には適しているが、
レーザチップ１の近傍のレーザビームによって損傷を受
ける。Here, the first resin layer 7 is the laser chip 1.
Although it is a resin that is not damaged by a laser beam having a high energy density in the vicinity of, the strength is low and it is not suitable for use as a sealing resin for a laser diode device. On the other hand, the second resin layer 8 has high strength and is suitable as a sealing resin,
It is damaged by the laser beam in the vicinity of the laser chip 1.
【０００５】したがって、第１の樹脂層７は第２の樹脂
層８をレーザチップ１の表面から遠ざけるために用いら
れている。光ディスクなどに用いられるレーザビーム
は、レーザチップ面にある点光源である必要があり、第
１の樹脂層７と第２の樹脂層８とに間隙があると光が干
渉して点光源にならないので、これら二つの樹脂層の界
面は互いに密着している。Therefore, the first resin layer 7 is used to keep the second resin layer 8 away from the surface of the laser chip 1. A laser beam used for an optical disk or the like needs to be a point light source on the laser chip surface, and if there is a gap between the first resin layer 7 and the second resin layer 8, the light interferes and does not become a point light source. Therefore, the interfaces of these two resin layers are in close contact with each other.
【０００６】第２の樹脂層８とレーザチップ１の出射面
との間に存在する第１の樹脂層７のレーザビームに沿っ
た距離［図４（ｂ）のＨ］を適正に保つためには、第１
の樹脂の適量をレーザチップ１の上から滴下した後硬化
させるが、第１の樹脂層７の形状は図４（ｂ）に示すよ
うになり、第１の樹脂層７の形状は、その滴下量が一定
であれば、硬化前の樹脂の粘性とリードフレーム３に対
する濡れ性とによって決まる。In order to properly maintain the distance [H in FIG. 4B] along the laser beam of the first resin layer 7 existing between the second resin layer 8 and the emission surface of the laser chip 1. Is the first
An appropriate amount of the resin is dropped from above the laser chip 1 and then cured. The shape of the first resin layer 7 is as shown in FIG. 4B, and the shape of the first resin layer 7 is the drop thereof. If the amount is constant, it depends on the viscosity of the resin before curing and the wettability with respect to the lead frame 3.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】問題は第１の樹脂層７
の濡れ性にある。上述のように、第１の樹脂層７の形状
は樹脂の粘性とリードフレーム３に対する濡れ性とによ
って決まるので、粘性に対しては樹脂滴下前後の温度管
理が必要であり、濡れ性に対してはリードフレーム３の
表面を一定の状態に維持するための管理が必要である。
しかし、リードフレーム３の表面管理は必ずしも容易で
なく、以下に述べるような不良発生の原因となってい
る。The problem is the first resin layer 7
It has wettability. As described above, the shape of the first resin layer 7 is determined by the viscosity of the resin and the wettability with respect to the lead frame 3. Therefore, the viscosity needs to be temperature-controlled before and after the resin is dropped, and the wettability with respect to the wettability is required. Requires management for maintaining the surface of the lead frame 3 in a constant state.
However, the surface management of the lead frame 3 is not always easy, and causes a defect as described below.
【０００８】第１の樹脂の濡れ性がやや大き過ぎる場合
には、第１の樹脂層７はリードフレーム３上に広がって
厚さが小さくなり、このように形成されたレーザダイオ
ード装置は、使用中に第２の樹脂層８がレーザビームに
より損傷し、光放射特性が損なわれる。第１の樹脂の濡
れ性がさらに大き過ぎる場合には、第１の樹脂層７は、
リードフレーム３の裏面にも回り込むという事態が生ず
る。この様子を図４（ｂ）に対応する断面図として図５
に示す。このような場合には、第２の樹脂層８がリード
フレーム３に接着する面積が減少して、リードフレーム
３が強固に保持されず、レーザビームを定位に保持する
ことができなくなる。When the wettability of the first resin is too large, the first resin layer 7 spreads over the lead frame 3 and becomes thin, and the laser diode device thus formed is used. The second resin layer 8 is damaged by the laser beam and the light emission characteristics are impaired. When the wettability of the first resin is too large, the first resin layer 7 is
A situation occurs in which the lead frame 3 also goes around the back surface of the lead frame 3. This state is shown in FIG. 5 as a sectional view corresponding to FIG.
Shown in. In such a case, the area where the second resin layer 8 is bonded to the lead frame 3 is reduced, the lead frame 3 is not firmly held, and the laser beam cannot be held in a fixed position.
【０００９】第１の樹脂の濡れ性が小さ過ぎる場合に
は、第１の樹脂層７はレーザチップ１やサブマウント２
の上に過大に盛り上がり、その頂点近傍の第２の樹脂層
８が極端に薄くなって、レーザダイオード装置の形状が
歪むことがあり、レーザダイオード装置は光ディスク装
置などに使用することができなくなる。そこで、このよ
うな軟らかい第１の樹脂層７の不必要な拡がりに対する
防止策として、サブマウント２をリング状の障壁で囲う
方法は容易に考えられる。しかし、このような方法は、
例えばそのリングがレーザビームを妨げるので、これを
避けるため第１の樹脂層７の硬化後に、リングを取り去
らねばならないが、ワイヤ５が存在するために、リング
の除去は不可能である。When the wettability of the first resin is too low, the first resin layer 7 is used as the laser chip 1 and the submount 2
There is a case in which the second resin layer 8 in the vicinity of the apex is excessively thinned and the second resin layer 8 becomes extremely thin, and the shape of the laser diode device is distorted, so that the laser diode device cannot be used in an optical disk device or the like. Therefore, a method of surrounding the submount 2 with a ring-shaped barrier is easily conceivable as a preventive measure against such unnecessary expansion of the soft first resin layer 7. But such a method
For example, the ring interferes with the laser beam and must be removed after curing the first resin layer 7 in order to avoid this, but the removal of the ring is not possible due to the presence of the wire 5.
【００１０】その他、第１の樹脂層７の不必要な拡がり
の防止対策として、サブマウント２の高さより低いリン
グ状障壁を用いることも考えられる。しかし、いずれに
しても、内径１．５ｍｍ、高さ０．２ｍｍ程度の微細な
リングを製造し、精度よくリードフレーム３に固定する
ことは、樹脂被覆により低コストを意図したレーザダイ
オード装置にとっては、避けなければならないコスト上
昇となる。In addition, as a measure for preventing unnecessary expansion of the first resin layer 7, it is possible to use a ring-shaped barrier lower than the height of the submount 2. However, in any case, manufacturing a fine ring having an inner diameter of about 1.5 mm and a height of about 0.2 mm and accurately fixing it to the lead frame 3 is not suitable for a laser diode device intended to be low cost by resin coating. However, the cost increases that must be avoided.
【００１１】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、第１の樹脂層の不要な拡がりを抑制
し、リードフレームに接する部分の第１の樹脂層の形状
が常に一定となるレーザダイオード装置を提供すること
にある。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to prevent unnecessary expansion of the first resin layer and to keep the shape of the first resin layer in contact with the lead frame constant. It is to provide a constant laser diode device.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明のレーザダイオード装置は、次のように構
成する。 第３の樹脂層として、第１の樹脂層（シリコーン樹
脂）の濡れ性がリードフレームに比べて低下するフッ素
樹脂系表面コート剤などを用いて、リードフレーム主面
上でサブマウントを一様に取り囲み、第１の樹脂層の周
縁に第１の樹脂層の形状を定める境界領域を形成する。
即ち、境界領域を形成した個所が第１の樹脂層の周縁に
なる。In order to solve the above-mentioned problems, the laser diode device of the present invention is constructed as follows. As the third resin layer, a fluororesin-based surface coating agent whose wettability of the first resin layer (silicone resin) is lower than that of the lead frame is used to make the submount uniform on the main surface of the lead frame. A boundary region that surrounds and defines the shape of the first resin layer is formed on the periphery of the first resin layer.
That is, the part where the boundary region is formed becomes the peripheral edge of the first resin layer.
【００１３】 リードフレーム主面を化学エッチし
て、サブマウントを一様に取り囲む開口部がリードフレ
ーム主面に対して鋭角のエッジを持つ溝を形成する。 同じくリードフレームを化学エッチして、両端面が
レーザビーム放射端と一致するコ字状の溝でサブマウン
トを取り囲み、この溝の開口部とその端部がリードフレ
ーム主面に対して鋭角のエッジを持つようにする。The leadframe main surface is chemically etched to form a groove in which an opening uniformly surrounding the submount has an edge with an acute angle with respect to the leadframe main surface. Similarly, the lead frame is chemically etched, and the submount is surrounded by a U-shaped groove whose both end faces match the laser beam emitting end. The opening and the end of this groove have an acute edge with respect to the main surface of the lead frame. To have.
【００１４】[0014]
【作用】以上のようにしたレーザダイオード装置は、サ
ブマウント上のレーザチップの上から第１の樹脂を所定
量滴下したとき、の場合は、濡れ性の低い第３の樹脂
層からなる境界領域を超えて第１の樹脂がリードフレー
ム上に大きく拡がることができない。即ち、第１の樹脂
層のリードフレームへの接触面積は一定となり、サブマ
ウントおよび、レーザチップの形状は一定であるから、
第１の樹脂の一定の滴下量に対しては、第１の樹脂層は
常に一定の形状が保たれる。In the laser diode device as described above, when the predetermined amount of the first resin is dropped from the laser chip on the submount, in the case of, the boundary region formed of the third resin layer having low wettability is used. Therefore, the first resin cannot spread greatly over the lead frame. That is, the contact area of the first resin layer with the lead frame is constant, and the shapes of the submount and the laser chip are constant.
The constant shape of the first resin layer is always maintained for a constant drop amount of the first resin.
【００１５】およびの場合は、表面張力によって第
１の樹脂は、リードフレームに形成された溝、およびそ
の端部の鋭角エッジより先に拡がって行くことがない。
したがって、ここで形成される第１の樹脂層は、の場
合と同様、第１の樹脂の一定の滴下量に対して常に一定
の形状となる。In the cases of and, due to the surface tension, the first resin does not spread before the groove formed in the lead frame and the sharp edge of the end portion.
Therefore, the first resin layer formed here always has a constant shape for a constant drop amount of the first resin, as in the case of.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。図
１は本発明のレーザダイオード装置の要部構成を示す模
式図であり、図４に倣って図１（ａ）は斜視図，図１
（ｂ）は断面図を表わし、図４と共通する部分に同一符
号を用いてある。本発明のレーザダイオード装置が従来
と異なる点は、図１（ａ），（ｂ）に示すように、フッ
素系樹脂の表面コート剤、例えば旭硝子社製の商品名フ
ロロコートまたは住友３Ｍ社製の商品名フロラードなど
を用いて、リードフレーム３の主面上にあってサブマウ
ント２が一様に取り囲まれるように、第１の樹脂層７と
の境界領域１０を形成したことにある。この境界領域１
０は、例えば○または□状のゴム印により上記のフッ素
系表面コート剤を捺印することにより形成することがで
きる。EXAMPLES The present invention will be described below based on examples. FIG. 1 is a schematic view showing a main configuration of a laser diode device of the present invention, and FIG. 1 (a) is a perspective view and FIG.
(B) shows a cross-sectional view, and the same reference numerals are used for the portions common to FIG. The laser diode device of the present invention is different from the conventional one as shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b). For example, a surface coating agent of a fluororesin such as Fluorocoat manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. or Sumitomo 3M The boundary region 10 with the first resin layer 7 is formed by using the product name Florard or the like so that the submount 2 is uniformly surrounded on the main surface of the lead frame 3. This boundary area 1
0 can be formed, for example, by imprinting the above-mentioned fluorine-based surface coating agent with a rubber stamp having a circle or square shape.
【００１７】このようにすると、サブマウント２上のレ
ーザチップ１の上から、透光性樹脂である例えばジメチ
ルシロキサン系シリコーン樹脂からなる第１の樹脂を
０．１ｍｇ滴下したとき、この樹脂は境界領域１０とな
るフッ素系樹脂に対して濡れ性が低いので、第１の樹脂
層７を捺印された閉じた境界領域１０内に収めることが
できる。即ち、第１の樹脂（シリコーン樹脂）層７の広
がりは、捺印領域（境界領域１０）で決定される。かく
して、第１の樹脂層７を熱硬化させた後、第２の樹脂
（エポキシ樹脂）層８で封止し、本発明のレーザダイオ
ード装置が得られる。このレーザダイオード装置は、第
１の樹脂層７の厚さ［図１（ｂ）のＨ1 ］をサブマウン
ト２を囲む境界領域１０の形状と、第１の樹脂の滴下量
とにより制御することができるから、第１の樹脂層７
は、常に所望の一定の形状を保持することが可能とな
り、使用中のレーザビームにより第２の樹脂層８が損傷
を受けることなく、また、第１の樹脂層７がリードフレ
ーム３に過大に拡がることに起因してリードフレーム３
と第２の樹脂層８との間の保持力が低下するなどの従来
の欠点を排除することができる。With this arrangement, when 0.1 mg of the first resin, which is a translucent resin, for example, a dimethylsiloxane-based silicone resin, is dripped from above the laser chip 1 on the submount 2, this resin is the boundary. Since the wettability with respect to the fluorine-based resin that becomes the region 10 is low, the first resin layer 7 can be stored in the imprinted closed boundary region 10. That is, the spread of the first resin (silicone resin) layer 7 is determined by the marking area (boundary area 10). Thus, after the first resin layer 7 is thermally cured, it is sealed with the second resin (epoxy resin) layer 8 to obtain the laser diode device of the present invention. In this laser diode device, the thickness of the first resin layer 7 [H 1 in FIG. 1B] is controlled by the shape of the boundary region 10 surrounding the submount 2 and the dropping amount of the first resin. Therefore, the first resin layer 7
Can always maintain a desired constant shape, the second resin layer 8 is not damaged by the laser beam in use, and the first resin layer 7 is excessively attached to the lead frame 3. Lead frame 3 due to spreading
It is possible to eliminate conventional defects such as a reduction in holding force between the second resin layer 8 and the second resin layer 8.
【００１８】また、第１の樹脂層７の不必要な広がりを
防ぐために、図１に示した境界領域１０に相当するもの
を、次のように形成するのも有効である。図２は本発明
のレーザダイオド装置の要部構成を示す模式図であり、
図２（ａ）は断面図，図２（ｂ）は部分平面図を表わ
し、図１と共通部分に同一符号を用いてある。即ち、リ
ードフレーム３の主面上の図１に示した境界領域１０と
同じ位置に、ケミカルエッチングにより、図２（ａ）の
ように溝１１を形成し、この溝１１はリードフレーム３
の主表面に対して、鋭角のエッジ１２を持つようにす
る。この溝１１が図１の境界領域１０の相当するもので
ある。図２（ｂ）は、サブマウント２を設置する前のリ
ードフレーム３の状態を上から見た部分平面図であり、
サブマウント２の固定位置１３を点線で示してある。こ
こにレーザチップ１を取り付けたサブマウント２を設置
した後、レーザチップ１の上から第１の樹脂を０．１ｍ
ｇ滴下する。In order to prevent the first resin layer 7 from unnecessarily expanding, it is also effective to form what corresponds to the boundary region 10 shown in FIG. 1 as follows. FIG. 2 is a schematic view showing a main configuration of a laser diode device of the present invention,
2 (a) is a sectional view and FIG. 2 (b) is a partial plan view, and the same reference numerals are used for the same parts as in FIG. That is, a groove 11 is formed by chemical etching at the same position as the boundary region 10 shown in FIG. 1 on the main surface of the lead frame 3, as shown in FIG.
To have an acute edge 12 with respect to the main surface of. This groove 11 corresponds to the boundary region 10 in FIG. FIG. 2B is a partial plan view showing the state of the lead frame 3 before the submount 2 is installed, as seen from above.
The fixed position 13 of the submount 2 is shown by a dotted line. After installing the submount 2 with the laser chip 1 attached thereto, the first resin is placed 0.1 m from the top of the laser chip 1.
g Drop.
【００１９】このようにすると、第１の樹脂はその表面
張力に従って、溝１１の鋭角のエッジ１２より先に広が
ることなく、エッジ１２で止まる。即ち、第１の樹脂層
７の厚さ［図２（ａ）のＨ2 ］は一定となる。次いで第
１の樹脂層７を熱硬化させた後、第２の樹脂層８で封止
して得られた本発明のレーザダイオド装置は、第１の樹
脂層７が常に所望の一定形状なっているから、レーザビ
ームによる第２の樹脂層８が損傷を受けるという問題を
生ずることなく、また、リードフレーム３と第２の樹脂
層８との間の保持力も強固であることなど、前述の場合
と同様の効果が得られる。In this way, the first resin stops at the edge 12 according to the surface tension of the groove 11 without spreading before the acute edge 12 of the groove 11. That is, the thickness of the first resin layer 7 [H 2 in FIG. 2A] is constant. Next, in the laser diode device of the present invention obtained by thermally curing the first resin layer 7 and then sealing it with the second resin layer 8, the first resin layer 7 is always in a desired constant shape. Therefore, there is no problem that the second resin layer 8 is damaged by the laser beam, and the holding force between the lead frame 3 and the second resin layer 8 is strong. The same effect can be obtained.
【００２０】図３は図２の変形例を示す。図３も図２と
同様、本発明のレーザダイオード装置の要部構成を示す
模式図であり、図２と共通部分に同一符号を用い、図３
（ａ）は断面図，図３（ｂ）は部分平面図を表わしてい
るが、この場合は、図２（ａ）と同じ断面形状を有する
溝１１ａとともに、リードフレーム３のレーザビーム放
射側の端に、溝１１ａの鋭角のエッジ１４を持たせるよ
うに、リードフレーム３をケミカルエッチングで形成し
たものである。図３（ｂ）は、図２（ｂ）と同様、サブ
マウント２を設置する前のリードフレーム３の状態を上
から見た部分平面図であり、溝１１ａはその両端面が、
リードフレーム３のレーザビーム放射側端面と一致する
ように、サブマウント２を囲むコ字状を呈する。点線で
示したサブマウント２の固定位置１３に、サブマウント
２，レーザチップ１を設置した後、レーザチップ１の上
から第１の樹脂を０．１ｍｇ滴下し、これを熱硬化させ
た後、第２の樹脂層８で封止することにより、本発明の
レーザダイオド装置を得ることができる。FIG. 3 shows a modification of FIG. Similar to FIG. 2, FIG. 3 is also a schematic view showing a configuration of a main part of the laser diode device of the present invention.
2A is a sectional view, and FIG. 3B is a partial plan view. In this case, the groove 11a having the same sectional shape as that of FIG. The lead frame 3 is formed by chemical etching so that the edge has an acute edge 14 of the groove 11a. Similar to FIG. 2B, FIG. 3B is a partial plan view of the state of the lead frame 3 before the submount 2 is installed, as seen from above.
It has a U-shape surrounding the submount 2 so as to coincide with the end surface of the lead frame 3 on the laser beam emitting side. After the submount 2 and the laser chip 1 are installed at the fixed position 13 of the submount 2 indicated by the dotted line, 0.1 mg of the first resin is dropped from above the laser chip 1 and heat-cured, By sealing with the second resin layer 8, the laser diode device of the present invention can be obtained.
【００２１】この場合も第１の樹脂層７の広がりは、溝
１１ａのコ字状部の鋭角のエッジ１２ａと、レーザビー
ム放射側端の鋭角のエッジ１４とによって決まり、第１
の樹脂層７のレーザ光出射方向の厚さ［図３（ａ）のＨ
3 ］は一定となる。したがって、このように構成したレ
ーザダイオド装置は、これまでに述べたと同様の効果を
得ることができる。Also in this case, the spread of the first resin layer 7 is determined by the acute-angled edge 12a of the U-shaped portion of the groove 11a and the acute-angled edge 14 of the laser beam emitting side end.
Of the resin layer 7 in the direction of laser light emission [H in FIG. 3 (a)]
3 ] is constant. Therefore, the laser diode device configured as described above can obtain the same effects as those described above.
【００２２】[0022]
【発明の効果】従来、半導体レーザダイオードは、その
主要部を被覆する第１の樹脂層のリードフレームへの濡
れ性が不安定であり、第１の樹脂層の形状の変動に起因
する種々の問題を起こしていたが、これを解決するため
になされた本発明のレーザダイオードは、実施例で述べ
た如く、第１の樹脂の濡れ性を制御するために、第１の
樹脂層の濡れ性がリードフレームに比べて低い例えばフ
ッ素樹脂系樹脂を用いて、第１の樹脂層の周縁に第１の
樹脂層の形状を定める境界領域を形成、または、この境
界領域に相当するものとして、リードフレーム自体を化
学エッチング加工により、開口部がリードフレーム主面
に対して鋭角のエッジを持つ溝をサブマウントの周囲に
形成、もしくは、同じくリードフレームを加工して、両
端面がレーザビーム放射端と一致し鋭角のエッジを持つ
コ字状の溝をサブマウントの周囲に形成することによ
り、いずれの場合も、境界領域で第１の樹脂の濡れ状態
が決まり、第１の樹脂層のリードフレームに接する部分
の形状を常に一定にすることができ、その結果、レーザ
ビームに沿った第１の樹脂層の厚さ変動がなくなり、使
用中のレーザビームにより第２の樹脂層が損傷を受ける
ことなく、また、第１の樹脂層がリードフレームに過大
に拡がることに起因してリードフレームと第２の樹脂層
との間の保持力が低下するなど、従来見られた様々な欠
点を排除する大きな効果が得られる。In the conventional semiconductor laser diode, the wettability of the first resin layer covering the main part of the lead frame to the lead frame is unstable, and various semiconductor laser diodes are caused by variations in the shape of the first resin layer. The laser diode of the present invention, which has caused a problem but has been made to solve the problem, has the wettability of the first resin layer in order to control the wettability of the first resin, as described in the embodiments. Is lower than that of the lead frame, for example, a fluororesin resin is used to form a boundary region that defines the shape of the first resin layer on the periphery of the first resin layer, or as a lead region corresponding to this boundary region, The frame itself is chemically etched to form a groove with an opening having an acute edge with respect to the main surface of the lead frame, or the lead frame is also processed so that both end surfaces are laser beaded. By forming a U-shaped groove having a sharp edge that coincides with the radiating end around the submount, in any case, the wet state of the first resin is determined in the boundary region, and the first resin layer Since the shape of the portion in contact with the lead frame can be made constant at all times, as a result, there is no fluctuation in the thickness of the first resin layer along the laser beam, and the second resin layer is not damaged by the laser beam in use. Without receiving it, and because the holding force between the lead frame and the second resin layer is reduced due to the first resin layer being excessively spread over the lead frame, various drawbacks that have been seen in the past can be obtained. The great effect of eliminating is obtained.
【図１】本発明のレーザダイオド装置の要部構成を示
し、それぞれ（ａ）は斜視図，（ｂ）は断面図を表わす
模式図FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of essential parts of a laser diode device of the present invention, in which (a) is a perspective view and (b) is a sectional view.
【図２】本発明のレーザダイオド装置の要部構成を示
し、それぞれ（ａ）は断面図，（ｂ）は部分平面図を表
わす模式図2A and 2B are schematic views showing a main configuration of a laser diode device of the present invention, in which FIG. 2A is a sectional view and FIG. 2B is a partial plan view.
【図３】図２とは別の本発明のレーザダイオド装置の要
部構成を示し、それぞれ（ａ）は断面図，（ｂ）は部分
平面図を表わす模式図FIG. 3 is a schematic view showing a main part configuration of a laser diode device of the present invention different from that of FIG. 2, in which (a) is a sectional view and (b) is a partial plan view.
【図４】従来のレーザダイオード装置の要部構成を示
し、それぞれ（ａ）は斜視図， (ｂ) は断面図を表わす
模式図4A and 4B are schematic diagrams showing a main part configuration of a conventional laser diode device, in which FIG. 4A is a perspective view and FIG. 4B is a sectional view.
【図５】従来のレーザダイオード装置の第１の樹脂層が
リードフレームの裏面に回り込んだ状態を示す模式断面
図FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a first resin layer of a conventional laser diode device wraps around a back surface of a lead frame.
１ レーザチップ ２ サブマウント ３ リードフレーム ４ フォトダイオード ５ ワイヤ ６ 端子部 ７ 第１の樹脂層 ８ 第２の樹脂層 ９ レーザビーム光軸 １０ 境界領域 １１ 溝 １１ａ 溝 １２ 鋭角のエッジ １３ サブマウントの固定位置 １４ 鋭角のエッジ 1 Laser Chip 2 Submount 3 Lead Frame 4 Photodiode 5 Wire 6 Terminal Section 7 First Resin Layer 8 Second Resin Layer 9 Laser Beam Optical Axis 10 Boundary Region 11 Groove 11a Groove 12 Sharp Edge 13 Submount Fixing Position 14 Sharp edge
Claims (5)
ントに接続されたレーザチップと、サブマウントとレー
ザチップを被覆する第１の樹脂層と、さらにリードフレ
ームと第１の樹脂層を被覆する第２の樹脂層とを有する
レーザダイオード装置において、リードフレーム主面に
接する部分の第１の樹脂層がリードフレーム主面上に設
けられ、かつ第１の樹脂の拡がりを防ぐ帯構造により周
縁形状が定められていることを特徴とするレーザダイオ
ード装置。1. A laser chip connected to a submount fixed on a main surface of a lead frame, a first resin layer covering the submount and the laser chip, and further covering the lead frame and the first resin layer. In a laser diode device having a second resin layer, a portion of the first resin layer that is in contact with the main surface of the lead frame is provided on the main surface of the lead frame, and a peripheral structure is formed by a band structure that prevents the first resin from spreading. A laser diode device characterized in that
いて、帯構造がリードフレーム主面上に設けられた第３
の樹脂からなる環状帯であって、かつこの第３の樹脂は
第１の樹脂の濡れ性を低下させる特性を有することを特
徴とするレーザダイオード装置。2. The laser diode device according to claim 1, wherein the band structure is provided on the main surface of the lead frame.
A laser diode device, which is an annular band made of the above resin, and the third resin has a property of reducing the wettability of the first resin.
いて、帯構造がリードフレーム主面に形成された溝であ
ることことを特徴とするレーザダイオード装置。3. The laser diode device according to claim 1, wherein the band structure is a groove formed on the main surface of the lead frame.
いて、溝はサブマウントを一様に取り囲み、開口部がリ
ードフレーム主面に対して鋭角のエッジを有することを
特徴とするレーザダイオード装置。4. The laser diode device according to claim 3, wherein the groove uniformly surrounds the submount, and the opening has an edge having an acute angle with respect to the main surface of the lead frame.
いて、溝は両端面がレーザビーム放射端と一致するよう
にコ字状にサブマウントを取り囲み、開口部がリードフ
レーム主面に対して鋭角のエッジを有することを特徴と
するレーザダイオード装置。5. The laser diode device according to claim 3, wherein the groove surrounds the submount in a U shape so that both end faces thereof coincide with the laser beam emitting end, and the opening has an acute angle with respect to the main surface of the lead frame. A laser diode device having an edge.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6010162A JPH07221401A (en) | 1994-02-01 | 1994-02-01 | Laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6010162A JPH07221401A (en) | 1994-02-01 | 1994-02-01 | Laser diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221401A true JPH07221401A (en) | 1995-08-18 |
Family
ID=11742593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6010162A Pending JPH07221401A (en) | 1994-02-01 | 1994-02-01 | Laser diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221401A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021754A (en) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Sanyo Electric Co Ltd | Frame package type semiconductor laser device |
| US9596767B2 (en) | 2014-06-24 | 2017-03-14 | Fujitsu Limited | Electronic component, method of manufacturing electronic component, and electronic device |
-
1994
- 1994-02-01 JP JP6010162A patent/JPH07221401A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021754A (en) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Sanyo Electric Co Ltd | Frame package type semiconductor laser device |
| US9596767B2 (en) | 2014-06-24 | 2017-03-14 | Fujitsu Limited | Electronic component, method of manufacturing electronic component, and electronic device |
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