JPH07221006A - Method and equipment for forming flattened film - Google Patents
Method and equipment for forming flattened filmInfo
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- JPH07221006A JPH07221006A JP2610594A JP2610594A JPH07221006A JP H07221006 A JPH07221006 A JP H07221006A JP 2610594 A JP2610594 A JP 2610594A JP 2610594 A JP2610594 A JP 2610594A JP H07221006 A JPH07221006 A JP H07221006A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造プロセ
スにおいて、基板面内全域にわたってその表面が平坦に
なるような薄膜を形成する平坦化膜の形成方法およびそ
の形成装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a flattening film and a forming apparatus for forming a thin film having a flat surface over the entire surface of a substrate in a semiconductor device manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の微細化が進むにつれて、製
造プロセスにおけるリソグラフィーの露光波長は短波長
化してきている。そのため、露光焦点深度は浅くなって
きている。一方、多層配線化が進むにともなって、チッ
プ内の段差は大きくなっている。そして高精度なパター
ン形成を行うためには、上記段差を露光焦点深度内に収
める必要がある。2. Description of the Related Art As the miniaturization of semiconductor devices progresses, the exposure wavelength of lithography in the manufacturing process has become shorter. Therefore, the depth of focus of exposure is becoming shallower. On the other hand, as the number of multi-layered wiring advances, the step difference in the chip becomes larger. Then, in order to perform highly accurate pattern formation, it is necessary to keep the step within the exposure focal depth.
【０００３】そこで、例えば層間絶縁膜の表面段差を低
減する方法として、例えばポリシング技術を用いたいわ
ゆるグローバル平坦化法が提案されている。この方法
は、例えばＣＶＤ法によって層間絶縁膜上に絶縁膜を形
成した後、その絶縁膜の表面側をポリシングして、絶縁
膜表面の平坦化を達成しようとしている。Therefore, for example, a so-called global planarization method using a polishing technique has been proposed as a method of reducing the surface step of the interlayer insulating film. In this method, an insulating film is formed on the interlayer insulating film by, for example, a CVD method, and then the surface side of the insulating film is polished to achieve flattening of the insulating film surface.
【０００４】また回転塗布によって、例えばＳＯＧ（Sp
in on glass ）液を塗布して、それを硬化させること
によって、平坦な絶縁膜を形成しようとする方法も提案
されている。上記回転塗布法では、絶縁膜表面の平坦性
をさらに高めるために、配線間隔が広い領域にいわゆる
ダミーパターンを形成している。By spin coating, for example, SOG (Sp
There is also proposed a method of forming a flat insulating film by applying an in on glass) liquid and curing it. In the spin coating method, a so-called dummy pattern is formed in a region having a wide wiring interval in order to further improve the flatness of the insulating film surface.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ポ
リシング技術によるグローバル平坦化法では、図１７に
示すように、基板１１１上に設けた配線１２１〜１２３
を覆う状態に成膜した層間絶縁膜１３１上の絶縁膜１３
２を研磨した際に、配線１２１〜１２３のうちの幅が広
い配線１２１上の絶縁膜１３２の表面と配線１２１，１
２２間上の絶縁膜１３２の表面とでは高さが異なる。す
なわち、緩やかな段差ｈ1 を生じる。このため、いわゆ
るグローバルな平坦化はできない。However, in the global flattening method by the above-mentioned polishing technique, as shown in FIG. 17, the wirings 121 to 123 provided on the substrate 111 are provided.
Film 13 on the interlayer insulating film 131 formed in a state of covering the
2 is polished, the surface of the insulating film 132 on the widest wiring 121 of the wirings 121 to 123 and the wirings 121, 1
The height is different from that of the surface of the insulating film 132 above the gap 22. That is, a gentle step h 1 is produced. Therefore, so-called global flattening cannot be performed.
【０００６】また図１８に示すように、回転塗布法によ
って、配線１２１〜１２３を覆う層間絶縁膜１３１上に
塗布膜１３３を形成した場合には、配線１２１上の塗布
膜１３３の高さと配線１２１，１２２の間隔が広い領域
上の塗布膜１３３の高さとが異なる。このため、塗布膜
１３３には緩やかな段差ｈ2 を生じる。Further, as shown in FIG. 18, when the coating film 133 is formed on the interlayer insulating film 131 covering the wirings 121 to 123 by the spin coating method, the height of the coating film 133 on the wiring 121 and the wiring 121. , 122 is different from the height of the coating film 133 on the region having a wide interval. Therefore, the coating film 133 has a gentle step h 2 .
【０００７】そこで上記回転塗布によって表面が平坦な
絶縁膜を形成するには、図１９に示すように、配線１２
１，１２２の間隔が広い領域にいわゆるダミーパターン
１４１を形成する。そして層間絶縁膜１３１を形成して
から、回転塗布によって塗布膜１３４を形成する。この
方法では、塗布膜１３４の表面１３４ａを平坦に形成で
きる。しかし、配線１２１〜配線１２３とダミーパター
ン１４１とを同一の膜で形成した場合には、配線容量の
増加を招く。またダミーパターン１４１を絶縁性材料で
形成した場合には、ダミーパターン１４１をパターニン
グするためのマスク工程を追加しなければならない。Therefore, in order to form an insulating film having a flat surface by the spin coating, as shown in FIG.
A so-called dummy pattern 141 is formed in a region having a large interval between 1,122. Then, after forming the interlayer insulating film 131, the coating film 134 is formed by spin coating. By this method, the surface 134a of the coating film 134 can be formed flat. However, when the wirings 121 to 123 and the dummy pattern 141 are formed of the same film, the wiring capacitance increases. If the dummy pattern 141 is formed of an insulating material, a mask process for patterning the dummy pattern 141 must be added.
【０００８】本発明は、基板上に表面が平坦な膜を簡単
に形成するのに優れている平坦化膜の形成方法およびそ
の形成装置を提供することを目的とする。It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for forming a flattening film which is excellent in easily forming a film having a flat surface on a substrate.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた平坦化膜の形成方法およびその形
成装置である。The present invention is a method for forming a planarizing film and an apparatus for forming the same, which are made to achieve the above object.
【００１０】平坦化膜の形成方法としては、第１工程
で、基板の一表面に塗布剤を供給し、第２工程で、基板
と塗布剤を供給した表面に平行に対向する平坦な面を有
する平坦化基体とで塗布剤を押圧してその基板面内に広
げる。次いで第３工程で、広げた塗布剤を硬化させて、
基板表面に硬化させた塗布剤からなる薄膜を形成する。
その後第４工程で、薄膜から平坦化基体を引き離す。As a method of forming a flattening film, in a first step, a coating agent is supplied to one surface of a substrate, and in a second step, a flat surface parallel to the substrate and the surface to which the coating agent is supplied is formed. The coating agent is pressed by the flattening substrate and spread in the substrate surface. Then, in the third step, the spread coating agent is cured,
A thin film made of a hardened coating material is formed on the surface of the substrate.
Then, in a fourth step, the flattening substrate is separated from the thin film.
【００１１】上記平坦化方法において、上記第１〜第３
工程を行った後、第４工程で、平坦化基体をエッチング
して除去してもよい。In the above-mentioned flattening method, the above-mentioned first to third
After performing the step, the flattening substrate may be removed by etching in the fourth step.
【００１２】また上記第３工程では、基板側および平坦
化基体側のうちのいずれか一方側または両方側から広げ
た塗布剤を加熱することによって、その塗布剤を硬化さ
せる。In the third step, the coating agent spread from one side or both sides of the substrate side and the flattening substrate side is heated to cure the coating agent.
【００１３】上記塗布剤に熱可塑性のものを用いた場合
には、第２工程で、基板と平坦化基体とで塗布剤を押圧
するとともに当該基板側および当該平坦化基体側のうち
のいずれか一方側または両方側から加熱することによっ
て、その塗布剤を基板面内に広げて、その後第３工程
で、広げ塗布剤を冷却することによって硬化させる。When a thermoplastic material is used as the above-mentioned coating agent, in the second step, the coating agent is pressed by the substrate and the flattening substrate, and either the substrate side or the flattening substrate side is pressed. The coating agent is spread on the surface of the substrate by heating from one side or both sides, and then, in the third step, the spreading coating agent is cooled and cured.
【００１４】塗布剤に光硬化性のものを用いた場合に
は、基板面内に塗布剤を広げる。そして、平坦化基体を
透して塗布剤を硬化させる光線を照射して、当該塗布剤
を硬化させる。When a photocurable coating material is used, the coating material is spread within the surface of the substrate. Then, the coating agent is cured by irradiating with a light ray which passes through the flattening substrate and cures the coating agent.
【００１５】上記基板と上記平坦化基体とで塗布剤を押
圧する際に、基板および平坦化基体のうちのいずれか一
方または両方を対向する側に対して凸状に反らしてから
行ってもよい。When pressing the coating material between the substrate and the flattening substrate, one or both of the substrate and the flattening substrate may be convexly warped to the opposite side. .
【００１６】上記基板と上記平坦化基体とで塗布剤を押
圧して広げる際に、基板および平坦化基体のうちのいず
れか一方または両方を回動させながら塗布剤を押圧して
広げてもよい。When pressing and spreading the coating agent between the substrate and the flattening substrate, one or both of the substrate and the flattening substrate may be rotated to push and spread the coating agent. .
【００１７】少なくとも上記第２工程を真空雰囲気中で
行ってもよい。At least the second step may be performed in a vacuum atmosphere.
【００１８】第１の平坦化膜形成装置には、基板を載置
するステージが設けられている。このステージに載置さ
れる基板の表面に対して平行に対向する平坦な面を有す
る平坦化基体が設けられている。この平坦化基体には、
当該平坦化基体を昇降させるとともに、当該平坦化基体
をステージ側に押圧する駆動部が設けられている。The first flattening film forming apparatus is provided with a stage on which a substrate is placed. A flattening substrate having a flat surface that faces the surface of the substrate mounted on the stage in parallel is provided. This flattened substrate contains
A drive unit is provided that raises and lowers the flattening substrate and presses the flattening substrate toward the stage.
【００１９】第２の平坦化膜形成装置には、基板を載置
するステージが設けられている。このステージに載置さ
れる基板の表面に対して平行に対向する平坦な面を有す
る平坦化基体が設けられている。上記ステージには、当
該ステージを昇降させるとともに、当該ステージを平坦
化基体側に押圧する駆動部が設けられている。The second flattening film forming apparatus is provided with a stage on which a substrate is placed. A flattening substrate having a flat surface that faces the surface of the substrate mounted on the stage in parallel is provided. The stage is provided with a drive unit that moves the stage up and down and presses the stage toward the flattening substrate.
【００２０】上記平坦化膜形成装置には、平坦化基体お
よびステージのうちのいずれか一方または両方に加熱器
を設けてもよい。In the above flattening film forming apparatus, a heater may be provided on either one or both of the flattening substrate and the stage.
【００２１】上記平坦化膜形成装置では、平坦化基体が
透光性の材料で形成されている。そして平坦化基体に対
してステージとは反対側に塗布剤を硬化させる光線を発
生する光照射器が設けられている。In the above flattening film forming apparatus, the flattening substrate is made of a light-transmitting material. A light irradiator that generates a light beam that cures the coating agent is provided on the side opposite to the stage with respect to the flattening substrate.
【００２２】また上記平坦化膜形成装置には、ステージ
のほぼ中央部に、昇降自在な基板押圧手段を設けてもよ
い。または平坦化基体に、当該平坦化基体をステージ側
に押圧して凸状に反らす基体押圧手段を設けてもよい。
もしくは、平坦化基体は、そのステージ側の面が凸状に
反る状態と平坦面になる状態とを記憶している形状記憶
材料で形成されていてもよい。Further, the flattening film forming apparatus may be provided with a substrate pressing means which can be moved up and down substantially at the center of the stage. Alternatively, the flattening substrate may be provided with a substrate pushing unit that pushes the flattening substrate toward the stage side to warp it in a convex shape.
Alternatively, the flattening substrate may be formed of a shape memory material that remembers that the surface on the stage side warps in a convex shape and the flat surface.
【００２３】さらに平坦化膜形成装置には、平坦化基体
を回動させる基体回動手段およびステージを回動させる
ステージ回動手段のうちのいずれか一方または両方を設
けてもよい。Further, the flattening film forming apparatus may be provided with one or both of a base body rotating means for rotating the flattening substrate and a stage rotating means for rotating the stage.
【００２４】[0024]
【作用】上記平坦化膜の形成方法では、基板の一表面に
塗布剤を供給し、その塗布剤を基板と平坦化基体とで押
圧して基板面内に広げる。そして塗布剤を硬化させて薄
膜を形成することから、薄膜の表面は、平坦化基体の平
坦面が転写された状態になる。このため、その表面は平
坦になる。In the above-described method of forming the flattening film, the coating agent is supplied to one surface of the substrate, and the coating agent is pressed by the substrate and the flattening substrate to spread it within the surface of the substrate. Then, the coating material is hardened to form a thin film, so that the surface of the thin film is in a state where the flat surface of the flattening substrate is transferred. Therefore, the surface becomes flat.
【００２５】上記平坦化方法で、平坦化基体をエッチン
グして除去することから、形成した薄膜が厚い場合に
は、平坦化基体と薄膜とを連続してエッチングすること
が可能になる。Since the flattening substrate is etched and removed by the above flattening method, when the thin film formed is thick, it is possible to continuously etch the flattening substrate and the thin film.
【００２６】また上記第３工程で、基板側および平坦化
基体側のうちのいずれか一方側または両方側から加熱す
ることによって塗布剤を硬化させることから、塗布剤の
硬化時間が短縮される。In the third step, the coating agent is cured by heating either one or both of the substrate side and the flattening substrate side, so that the curing time of the coating agent is shortened.
【００２７】上記塗布剤に熱可塑性の材料を用いて、加
熱しながら塗布剤を押圧することから、基板面内に塗布
剤が広がり易くなる。また基板を冷却して塗布剤を硬化
させることから、塗布剤は平坦化基体の平坦面を転写し
た状態で硬化される。したがって、硬化した塗布剤から
なる薄膜の表面は平坦面に形成される。Since a thermoplastic material is used as the above-mentioned coating material and the coating material is pressed while being heated, the coating material is likely to spread within the surface of the substrate. Further, since the substrate is cooled to cure the coating agent, the coating agent is cured in a state where the flat surface of the flattening substrate is transferred. Therefore, the surface of the thin film made of the hardened coating material is formed into a flat surface.
【００２８】塗布剤に光硬化性のものを用いて、基板面
内に塗布剤を押圧して広げた後、平坦化基体を透して塗
布剤を硬化させる光線を照射することから、塗布剤は平
坦化基体の平坦面を転写した状態で硬化される。したが
って、上記同様に、薄膜の表面は平坦面で形成される。Since a photocurable coating agent is used as the coating agent and the coating agent is pressed and spread within the surface of the substrate, the coating agent is irradiated with a light beam that passes through the flattening substrate to cure the coating agent. Is cured with the flat surface of the flattening substrate transferred. Therefore, similarly to the above, the surface of the thin film is formed as a flat surface.
【００２９】上記基板と上記平坦化基体とで塗布剤を押
圧して広げる際に、基板および平坦化基体のうちのいず
れか一方または両方を対向する側に対して凸状に反らし
てから行うことから、塗布剤と平坦化基体との間に気泡
が入り難くなる。When the coating material is pressed and spread between the substrate and the flattening substrate, one or both of the substrate and the flattening substrate should be convexly warped to the opposite side. Therefore, it becomes difficult for bubbles to enter between the coating agent and the flattening substrate.
【００３０】上記基板と上記平坦化基体とで塗布剤を押
圧して広げる際に、基板および平坦化基体のうちのいず
れか一方または両方を回動させながら塗布剤を押圧して
広げることから、塗布剤と平坦化基体との間に気泡が入
り難くなる。When the coating agent is pressed and spread by the substrate and the flattening base, the coating agent is pressed and spread while rotating either or both of the substrate and the flattening base. It becomes difficult for bubbles to enter between the coating agent and the flattening substrate.
【００３１】少なくとも塗布剤を広げる工程を真空中で
行うことから、塗布剤と平坦化基体との間に気泡が入ら
ない。Since at least the step of spreading the coating material is carried out in a vacuum, bubbles do not enter between the coating material and the flattening substrate.
【００３２】上記第１の平坦化膜形成装置では、ステー
ジに載置される基板の表面に対して平行に対向する平坦
面を有する平坦化基体と、それをステージ側に押圧する
駆動部を設けたことから、当該駆動部によって平坦化基
体はステージ側に押圧される。したがって、ステージに
載置される基板と平坦化基体とで塗布剤を押圧すれば、
塗布剤はその表面が平坦な状態に薄く広がる。In the first flattening film forming apparatus, a flattening substrate having a flat surface facing in parallel to the surface of the substrate mounted on the stage, and a drive unit for pressing the flattening substrate to the stage side are provided. Therefore, the flattening substrate is pressed toward the stage by the drive unit. Therefore, if the coating material is pressed by the substrate placed on the stage and the flattening substrate,
The coating agent spreads thinly so that its surface is flat.
【００３３】上記第２の平坦化膜形成装置では、ステー
ジに載置される基板表面に対して平行に対向する平坦面
を有する平坦化基体と、ステージを昇降させるととも
に、それを平坦化基体側に押圧する駆動部を設けたこと
から、当該駆動部によってステージは平坦化基体側に押
圧される。したがって、ステージに載置される基板と平
坦化基体とで塗布剤を押圧すれば、塗布剤はその表面が
平坦な状態に薄く広がる。In the second flattening film forming apparatus, the flattening substrate having a flat surface facing the surface of the substrate mounted on the stage in parallel with the stage is moved up and down, and the flattening substrate side is provided. Since the drive unit for pressing the stage is provided, the stage is pressed toward the flattening substrate side by the drive unit. Therefore, when the coating agent is pressed by the substrate placed on the stage and the flattening substrate, the coating agent spreads thinly so that its surface is flat.
【００３４】上記平坦化膜形成装置では、平坦化基体お
よびステージのうちのいずれか一方または両方に、塗布
剤を加熱する加熱器を設けたことから、塗布剤の硬化が
促進される。In the above flattening film forming apparatus, since the heater for heating the coating agent is provided on one or both of the flattening substrate and the stage, the curing of the coating agent is accelerated.
【００３５】また平坦化基体を透光性の材料で形成し、
光硬化性の塗布剤を硬化させる光照射器を設けたことか
ら、塗布剤が光硬化性材料の場合には、光照射器から平
坦化基体を透して光線を塗布剤に照射すれば、塗布剤は
硬化される。Further, the flattening substrate is formed of a light-transmitting material,
Since the light irradiator for curing the photocurable coating agent is provided, when the coating agent is a photocurable material, if the light is irradiated to the coating agent through the flattening substrate from the light irradiator, The coating material is cured.
【００３６】また上記平坦化膜形成装置では、ステージ
の基板載置面側のほぼ中央部に、昇降自在な基板押圧手
段を設ける。または平坦化基体のほぼ中央部に、当該平
坦化基体をステージ側に押圧する基体押圧手段を設け
る。もしくは、平坦化基体はそのステージ側の面が凸状
に反る状態と平坦面になる状態とを記憶している形状記
憶材料で形成されていることから、基板と平坦化基体と
で塗布剤を押圧して広げる際に、基板の中央部側から周
辺部側に塗布剤が広げられる。このため、平坦化基体と
塗布剤との間に気泡が入り難くなる。In the flattening film forming apparatus described above, the substrate pressing means that can be moved up and down is provided at substantially the center of the stage on the substrate mounting surface side. Alternatively, a substrate pressing unit that presses the flattening substrate toward the stage is provided at approximately the center of the flattening substrate. Alternatively, since the flattening substrate is formed of a shape memory material that remembers that the surface on the stage side is convexly warped and that the surface is flat, a coating agent is applied between the substrate and the flattening substrate. When pressing and spreading, the coating material is spread from the central part side of the substrate to the peripheral part side. Therefore, it becomes difficult for bubbles to enter between the flattening substrate and the coating agent.
【００３７】さらに平坦化膜形成装置には、基体回動手
段およびステージ回動手段のうちのいずれか一方または
両方を設けたことから、基板と平坦化基体との間で塗布
剤が基板の中央部側から周辺部側に広げ易くなる。この
ため、平坦化基体と塗布剤との間に気泡が入り難くな
る。Further, since the flattening film forming apparatus is provided with either one or both of the substrate rotating means and the stage rotating means, the coating agent is applied to the center of the substrate between the substrate and the planarizing substrate. It becomes easy to spread from the part side to the peripheral part side. Therefore, it becomes difficult for bubbles to enter between the flattening substrate and the coating agent.
【００３８】[0038]
【実施例】本発明に関する平坦化膜の形成方法の実施例
を、図１の形成工程図により説明する。EXAMPLE An example of a method for forming a planarizing film according to the present invention will be described with reference to the forming process chart of FIG.
【００３９】図１の（１）に示すように、基板１１上に
は、複数の配線１２が形成されている。さらに各配線１
２を覆う状態に層間絶縁膜１３が成膜されている。まず
第１工程では、基板１１のほぼ中央部上における層間絶
縁膜１３の表面に塗布剤３１を供給する。上記塗布剤３
１には、フォトレジストのような高分子ポリマー樹脂を
溶剤に溶かしたもの、またはＳＯＧ（Spin on glass
）のような無機質を溶剤に溶かしたものが用いられ
る。上記高分子ポリマー樹脂には、例えば、尿素樹脂，
メラミン樹脂，フェノール樹脂，エポキシ樹脂，不飽和
ポリエステル樹脂，アルキド樹脂，ウレタン樹脂または
エボナイト樹脂を用いることが可能である。As shown in FIG. 1A, a plurality of wirings 12 are formed on the substrate 11. Furthermore each wiring 1
An interlayer insulating film 13 is formed so as to cover 2. First, in the first step, the coating material 31 is supplied to the surface of the interlayer insulating film 13 on the substantially central portion of the substrate 11. The above coating agent 3
1 is a high-polymer resin such as photoresist dissolved in a solvent, or SOG (Spin on glass).
) Such as an inorganic substance dissolved in a solvent is used. Examples of the high molecular weight polymer resin include urea resin,
Melamine resin, phenol resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, urethane resin or ebonite resin can be used.
【００４０】続いて図１の（２）に示すように、第２工
程を行う。この工程では、上記基板１１とその表面に平
行に対向する平坦面２１ａを有する平坦化基体２１を基
板１１側に押圧して、上記塗布剤３１を広げる。または
基板１１を平坦化基体２１側に押圧してもよい。そし
て、この基板１１の面内に当該塗布剤３１を広げる。Subsequently, as shown in FIG. 1B, the second step is performed. In this step, the flattening substrate 21 having the flat surface 21a facing the substrate 11 parallel to the surface of the substrate 11 is pressed to the substrate 11 side to spread the coating material 31. Alternatively, the substrate 11 may be pressed against the flattening substrate 21 side. Then, the coating material 31 is spread on the surface of the substrate 11.
【００４１】次いで図１の（３）に示す第３工程を行
う。この工程では、広げた塗布剤（３１）を硬化させ
て、当該塗布剤（３１）からなる薄膜３５を形成する。Next, the third step shown in FIG. 1C is performed. In this step, the spread coating material (31) is cured to form a thin film 35 made of the coating material (31).
【００４２】そして、図１の（４）に示す第４工程を行
う。この工程では、上記薄膜３５から上記平坦化基体２
１を離す。図示はしないが、その後、形成した薄膜３５
の膜厚が厚い場合には、薄膜３５の全面にわたってエッ
チバックを行って、薄膜３５の膜厚を調整する。Then, the fourth step shown in FIG. 1D is performed. In this step, from the thin film 35 to the flattening substrate 2
Release one. Although not shown, the thin film 35 formed thereafter is formed.
If the film thickness is thick, the entire surface of the thin film 35 is etched back to adjust the film thickness of the thin film 35.
【００４３】上記図１で説明した平坦化膜の形成方法で
は、基板１１の表面に塗布剤３１を供給して、それを基
板１１と平坦化基体３１とで押圧して広げ、そして硬化
させて薄膜３５を形成することから、薄膜３５の表面３
５ａは、平坦化基体２１の平坦面２１ａが転写された状
態になる。このため、その表面３５ａは平坦面になる。In the method of forming a flattening film described with reference to FIG. 1 above, the coating material 31 is supplied to the surface of the substrate 11, the substrate 11 and the flattening substrate 31 are pressed and spread, and then cured. Since the thin film 35 is formed, the surface 3 of the thin film 35 is formed.
5a is in a state where the flat surface 21a of the flattening substrate 21 is transferred. Therefore, the surface 35a becomes a flat surface.
【００４４】上記平坦化膜の形成方法において、上記第
１工程〜上記第３工程を行った後、図２の示すように、
第４工程で、平坦化基体２１（２点鎖線で示す部分）を
エッチングして除去してもよい。この場合には、平坦化
基体２１には、エッチング可能な材料でしかもウエハ状
のものを用いる。例えば、シリコンウエハ，石英ウエハ
またはセラミックスウエハのような硬脆材料のウエハを
用いる。In the method of forming a flattening film, after performing the first step to the third step, as shown in FIG.
In the fourth step, the flattening substrate 21 (portion indicated by a chain double-dashed line) may be removed by etching. In this case, the flattening substrate 21 is made of a material that can be etched and is in the form of a wafer. For example, a wafer made of a hard and brittle material such as a silicon wafer, a quartz wafer, or a ceramics wafer is used.
【００４５】上記平坦化方法では、平坦化基体２１をエ
ッチングして除去することから、薄膜３５が厚い場合に
は、平坦化基体２１と薄膜３５とを連続してエッチング
することが可能になる。In the flattening method, the flattening substrate 21 is removed by etching, so that when the thin film 35 is thick, the flattening substrate 21 and the thin film 35 can be continuously etched.
【００４６】次に基板１１の面内に広げた塗布膜３１の
硬化方法の一例を説明する。先ず、上記図１で説明した
第１工程と第２工程とを行って、図３に示すように、平
坦化基体２１を基板１１側に押圧することによって、塗
布剤（３１）を広げる。Next, an example of a method of curing the coating film 31 spread on the surface of the substrate 11 will be described. First, the first step and the second step described in FIG. 1 are performed, and as shown in FIG. 3, the flattening substrate 21 is pressed against the substrate 11 side to spread the coating agent (31).
【００４７】そして第３工程を行う。この工程では、例
えば、上記平坦化基体２１を加熱する。加熱は、平坦化
基体２１にヒーター４２が内蔵されている場合には、そ
のヒーター４２を用いて行う。平坦化基体２１にヒータ
ーが内蔵されていない場合には、平坦化基体２１の外部
より当該平坦化基体２１を加熱する。そしてその熱を広
げた塗布剤（３１）に伝えて硬化させ、薄膜３５を形成
する。または、基板１１を載置するステージ（図示せ
ず）側から基板１１を加熱して、塗布剤（３１）を加熱
してもよい。もしくは、基板１１側と平坦化基体２１側
とから塗布剤（３１）を加熱してもよい。Then, the third step is performed. In this step, for example, the flattening substrate 21 is heated. If the heater 42 is built in the flattening substrate 21, the heating is performed using the heater 42. When the flattening substrate 21 does not have a heater built therein, the flattening substrate 21 is heated from the outside of the flattening substrate 21. Then, the heat is transmitted to the spread coating agent (31) and cured to form the thin film 35. Alternatively, the coating material (31) may be heated by heating the substrate 11 from the stage (not shown) side on which the substrate 11 is placed. Alternatively, the coating agent (31) may be heated from the substrate 11 side and the flattening substrate 21 side.
【００４８】その後前記第４工程を行う。After that, the fourth step is performed.
【００４９】上記のように、塗布剤を加熱して硬化させ
ることから、塗布剤の硬化時間が短縮される。Since the coating agent is heated and cured as described above, the curing time of the coating agent is shortened.
【００５０】次に塗布剤に熱可塑性のものを用いた場合
を図４によって説明する。Next, the case where a thermoplastic material is used as the coating material will be described with reference to FIG.
【００５１】上記図１の（１）で説明したのと同様にし
て、図４の（１）に示すように、基板１１に形成した層
間絶縁膜１３上に熱可塑性の塗布剤３２を供給する。こ
の塗布剤３２は、例えば、ポリスチレン，ポリエチレ
ン，ポリ塩化ビニルおよびポリアミドのうちの１種また
は複数種で形成される。In the same manner as described above with reference to FIG. 1A, as shown in FIG. 4A, the thermoplastic coating material 32 is supplied onto the interlayer insulating film 13 formed on the substrate 11. . The coating material 32 is formed of, for example, one or more of polystyrene, polyethylene, polyvinyl chloride, and polyamide.
【００５２】続いて図４の（２）に示すように、第２工
程で、基板１１と平坦化基体２１とで塗布剤３２を押圧
する。このとき当該基板１１側および当該平坦化基体２
１側のうちのいずれか一方側または両方側から、当該塗
布剤３２を加熱する。このようにして、上記塗布剤３２
を当該基板１１上の面内に広げる。Subsequently, as shown in FIG. 4B, in the second step, the coating material 32 is pressed between the substrate 11 and the flattening substrate 21. At this time, the substrate 11 side and the flattening substrate 2
The coating agent 32 is heated from either one side or both sides of the one side. In this way, the coating agent 32
Are spread in a plane on the substrate 11.
【００５３】次いで第３工程で、上記基板１１を冷却す
ることによって広げた塗布剤３２を硬化させる。そして
図４の（３）に示すように、当該基板１１の表面に硬化
させた塗布剤（３２）からなる薄膜３５を形成する。Next, in a third step, the coating material 32 spread by cooling the substrate 11 is hardened. Then, as shown in (3) of FIG. 4, a thin film 35 made of the hardened coating material (32) is formed on the surface of the substrate 11.
【００５４】その後上記図１の（４）で説明した第４工
程を行って、平坦化基体２１を薄膜３５から引き離す。
したがって、この薄膜３５の表面３５ａは、平坦化基体
２１の表面２１ａを転写した状態になる。Then, the flattening substrate 21 is separated from the thin film 35 by performing the fourth step described in FIG. 1 (4).
Therefore, the surface 35a of the thin film 35 is in a state in which the surface 21a of the flattening substrate 21 is transferred.
【００５５】上記図４で説明したように、熱可塑性の塗
布剤３２を用いた場合には、加熱しながら塗布剤３２を
基板１１の面内に広げることから、基板１１の面内に塗
布剤３２が広がり易くなる。また基板１１を冷却して塗
布剤３２を硬化させることから、塗布剤３２は平坦化基
体２１の平坦面２１ａを転写した状態で硬化される。し
たがって、硬化した塗布剤３２からなる薄膜３５の表面
３５ａは平坦な面に形成される。As described above with reference to FIG. 4, when the thermoplastic coating material 32 is used, the coating material 32 is spread in the surface of the substrate 11 while being heated. 32 becomes easy to spread. Further, since the substrate 11 is cooled to cure the coating agent 32, the coating agent 32 is cured in a state where the flat surface 21a of the flattening substrate 21 is transferred. Therefore, the surface 35a of the thin film 35 made of the hardened coating material 32 is formed into a flat surface.
【００５６】次に塗布剤に光硬化性のものを用いた場合
を図５によって説明する。Next, the case where a photocurable coating agent is used will be described with reference to FIG.
【００５７】上記図１の（１）で説明したのと同様にし
て、図５の（１）に示すように、基板１１に形成した層
間絶縁膜１３上に光硬化性の塗布剤３３を供給する。こ
の塗布剤３３は、特定の波長でかつ一定の強度を有する
光が照射されることによって、硬化する性質を有するも
のである。In the same manner as described in (1) of FIG. 1, as shown in (1) of FIG. 5, a photo-curable coating agent 33 is supplied on the interlayer insulating film 13 formed on the substrate 11. To do. The coating agent 33 has a property of being cured by being irradiated with light having a specific wavelength and a certain intensity.
【００５８】続いて図５の（２）に示すように、第２工
程で、基板１１と平坦化基体２１とで塗布剤３３を押圧
する。そして塗布剤３３を当該基板１１上の面内に広げ
る。上記平坦化基体２１は、上記塗布剤３３を硬化させ
る波長の光線を透過する材料、例えば石英ガラスで形成
される。Subsequently, as shown in FIG. 5B, in the second step, the coating material 33 is pressed between the substrate 11 and the flattening substrate 21. Then, the coating material 33 is spread over the surface of the substrate 11. The flattening substrate 21 is formed of a material that transmits a light ray having a wavelength that cures the coating agent 33, for example, quartz glass.
【００５９】次いで図５の（３）に示す第３工程を行
う。この工程では、平坦化基体２１を透して塗布剤３３
を硬化させる光線Ｌを照射する。そして広げた塗布剤
（３３）を硬化させて薄膜３５を形成する。Next, the third step shown in FIG. 5C is performed. In this step, the flattening substrate 21 is penetrated to obtain the coating agent 33.
The light ray L for curing the is irradiated. Then, the spread coating material (33) is cured to form the thin film 35.
【００６０】その後上記図１の（４）で説明した第４工
程を行って、平坦化基体２１を薄膜３５から引き離す。
この薄膜３５の表面３５ａは、平坦化基体２１の表面２
１ａを転写した状態になる。Then, the flattening substrate 21 is separated from the thin film 35 by performing the fourth step described in FIG. 1 (4).
The surface 35 a of the thin film 35 is the surface 2 of the flattening substrate 21.
1a is transferred.
【００６１】上記図５で説明したように、光硬化性の塗
布剤３３を用いた場合には、基板１１上の面内に塗布剤
３３を広げた後、平坦化基体２１を透して塗布剤３３を
硬化させる光線Ｌを照射することから、塗布剤３３は平
坦化基体２１の平坦面２１ａを転写した状態で硬化され
る。したがって、硬化した塗布剤３３からなる薄膜３５
の表面３５ａは平坦面に形成される。As described above with reference to FIG. 5, when the photo-curable coating agent 33 is used, the coating agent 33 is spread within the surface of the substrate 11 and then the flattening substrate 21 is applied for coating. Since the light ray L for curing the agent 33 is applied, the coating agent 33 is cured in a state where the flat surface 21a of the flattening substrate 21 is transferred. Therefore, the thin film 35 made of the hardened coating material 33
The surface 35a of is formed as a flat surface.
【００６２】上記説明した各平坦化膜の形成方法におい
て、第２工程で、図６に示すように、例えば、平坦化基
体２１を基板１１側に対して凸状に反らしてから、当該
塗布剤３１（３２，３３）を平坦化基体２１とで押圧し
てもよい。平坦化基体２１を反らすのは、基板１１上に
塗布剤３１（３２，３３）を供給する前でも後でもよ
い。そして平坦化基体２１を反らした状態で基板１１側
に押圧して、塗布剤３１（３２，３３）を広げる。塗布
剤３１（３２，３３）が所定の膜厚になったら平坦化基
体２１を元の状態に戻す。または、図示はしないが、上
記基板１１を平坦化基体２１側に対して凸状に反らして
もよく、もしくは、上記基板１１と上記平坦化基体２１
との両方を対向する側に対して凸状に反らしてもよい。In the method of forming each flattening film described above, in the second step, as shown in FIG. 6, for example, the flattening substrate 21 is warped in a convex shape with respect to the substrate 11 side, and then the coating agent is applied. 31 (32, 33) may be pressed by the flattening substrate 21. The flattening substrate 21 may be bent before or after the coating material 31 (32, 33) is supplied onto the substrate 11. Then, the flattening substrate 21 is pressed against the substrate 11 in a warped state to spread the coating material 31 (32, 33). When the coating material 31 (32, 33) has a predetermined film thickness, the flattening substrate 21 is returned to its original state. Alternatively, although not shown, the substrate 11 may be curved in a convex shape with respect to the flattening substrate 21 side, or the substrate 11 and the flattening substrate 21 may be bent.
Both may be convexly warped with respect to the opposite side.
【００６３】上記のように、基板１１および平坦化基体
２１のうちのいずれか一方または両方を対向する側に対
して凸状に反らしてから、基板１１と平坦化基体２１と
で塗布剤３１（３２，３３）を押圧することから、塗布
剤３１（３２，３３）を広げる際に、塗布剤３１（３
２，３３）と平坦化基体２１との間に気泡が入り難くな
る。As described above, one or both of the substrate 11 and the flattening substrate 21 is bent in a convex shape with respect to the opposite side, and then the substrate 31 and the flattening substrate 21 are coated with the coating agent 31 ( 32, 33) is pressed, the coating agent 31 (3, 3) is spread when the coating agent 31 (32, 33) is spread.
2, 33) and the flattening substrate 21 are less likely to contain bubbles.
【００６４】上記説明した各平坦化膜の形成方法におい
て、第２工程で、図７に示すように、例えば、基板１１
を矢印ア方向に回動させながら、基板１１と平坦化基体
２１とで塗布剤３１（３２，３３）を押圧してもよい。
このとき、平坦化基体２１は回動させない。In the method of forming each flattening film described above, in the second step, as shown in FIG.
The coating material 31 (32, 33) may be pressed between the substrate 11 and the flattening substrate 21 while rotating in the direction of arrow A.
At this time, the flattening substrate 21 is not rotated.
【００６５】または、図示はしないが、平坦化基体２１
を回動させながら、もしくは基板１１および平坦化基体
２１の両方を回動させながら基板１１と平坦化基体２１
とで塗布剤３１（３２，３３）を押圧してもよい。また
基板１１と平坦化基体２１とを回動させる場合には、相
対的にみていずれか一方が回動している状態に、それぞ
れを回動させる。Alternatively, although not shown, the flattening substrate 21
While rotating the substrate 11, or both the substrate 11 and the planarizing substrate 21.
The coating material 31 (32, 33) may be pressed with and. When the substrate 11 and the flattening substrate 21 are rotated, each of them is rotated so that one of them is relatively rotated.
【００６６】上記のように、基板１１と平坦化基体２１
とで塗布剤３１（３２，３３）を押圧する際に、基板１
１および平坦化基体２１のうちのいずれか一方または両
方を回動させながら塗布剤３１（３２，３３）を押圧し
て広げることから、塗布剤３１（３２，３３）と平坦化
基体２１との間に気泡が入り難くなる。As described above, the substrate 11 and the flattening substrate 21
When pressing the coating material 31 (32, 33) with and
Since the coating agent 31 (32, 33) is pressed and spread while rotating either one or both of 1 and the planarizing substrate 21, the coating agent 31 (32, 33) and the planarizing substrate 21 It becomes difficult for bubbles to enter in between.
【００６７】上記説明した各平坦化膜の形成方法におい
て、図示して説明はしないが、少なくとも第２工程を真
空中で行ってもよい。このように少なくとも塗布剤を広
げる工程を真空中で行うことから、塗布剤と平坦化基体
との間に気泡が入らない。In the above-described method for forming each flattening film, at least the second step may be performed in vacuum, although not shown and described. Since at least the step of spreading the coating material is performed in a vacuum as described above, bubbles do not enter between the coating material and the flattening substrate.
【００６８】上記図１〜図７によって説明した平坦化方
法において、基板１１の表面が塗布剤３１（３２，３
３）に対して密着性の悪い材料、例えば酸化シリコンで
形成されているような場合には、基板１１の表面と塗布
剤３１（３２，３３）との密着性を良くするような材料
を基板１１の表面に付着させてから、上記塗布剤３１
（３２，３３）の供給を行う。In the flattening method described with reference to FIGS. 1 to 7, the surface of the substrate 11 is coated with the coating material 31 (32, 3).
3) A material having poor adhesion to the substrate, for example, a material that improves the adhesion between the surface of the substrate 11 and the coating material 31 (32, 33) when it is formed of silicon oxide. 11 is applied to the surface of
Supply (32, 33).
【００６９】次に本発明の平坦化膜形成装置の第１実施
例を、図８の概略構成図によって説明する。なお、図で
は上記図１で説明したのと同様の構成部品には同一符号
を付す。Next, a first embodiment of the flattening film forming apparatus of the present invention will be described with reference to the schematic diagram of FIG. In the figure, the same components as those described in FIG. 1 are designated by the same reference numerals.
【００７０】図８に示すように、基板１１を載置するス
テージ４１が設けられている。上記ステージ４１に載置
する基板１１の表面１１ａに対して平行に対向する平坦
面２１ａを有する平坦化基体２１が、上記ステージ４１
の上方に設けられている。また上記平坦化基体２１に
は、それを矢印カ方向に昇降させてかつそれを上記ステ
ージ４１側に押圧する駆動部５１が駆動軸５２を介して
設けられている。上記の如くに、平坦化膜形成装置１は
構成されている。As shown in FIG. 8, a stage 41 on which the substrate 11 is placed is provided. The flattening substrate 21 having a flat surface 21 a facing in parallel to the surface 11 a of the substrate 11 mounted on the stage 41 is the stage 41.
Is provided above. Further, the flattening substrate 21 is provided with a drive unit 51 for raising and lowering it in the arrow direction and pressing it toward the stage 41 via a drive shaft 52. The flattening film forming apparatus 1 is configured as described above.
【００７１】なお、上記平坦化膜形成装置１には、塗布
剤３１を供給する塗布剤供給機６１が設けられている。
この塗布剤供給機６１は、例えば塗布剤貯蔵部６２と、
それに接続したポンプ６３と、当該ポンプ６３に接続し
た供給ノズル６４とからなる。The flattening film forming apparatus 1 is provided with a coating agent feeder 61 for feeding the coating agent 31.
The coating agent feeder 61 includes, for example, a coating agent storage section 62,
It comprises a pump 63 connected to it and a supply nozzle 64 connected to the pump 63.
【００７２】次に、上記平坦化膜形成装置１の動作を、
上記図８によって説明する。まずステージ４１上に基板
１１を載置する。続いて塗布剤供給器６１によって供給
ノズル６４から基板１１上に塗布剤３１を供給する。そ
の後、供給ノズル６４をステージ４１の側方上方に移動
させて、駆動部５１によって平坦化基体２１を基板１１
側に駆動する。そして、平坦化基体２１を基板１１側に
押圧することで、塗布剤３１を基板１１の面内に広げ
る。続いて、塗布剤３１を硬化することによって、薄膜
（図示せず）を形成する。この薄膜が形成された後、駆
動部５１によって、薄膜より平坦化基体２１を離す。Next, the operation of the flattening film forming apparatus 1 will be described.
This will be described with reference to FIG. First, the substrate 11 is placed on the stage 41. Subsequently, the coating agent feeder 61 supplies the coating agent 31 from the supply nozzle 64 onto the substrate 11. After that, the supply nozzle 64 is moved to the upper side of the stage 41, and the flattening substrate 21 is moved to the substrate 11 by the driving unit 51.
Drive to the side. Then, by pressing the flattening substrate 21 toward the substrate 11, the coating material 31 is spread within the surface of the substrate 11. Subsequently, the coating material 31 is cured to form a thin film (not shown). After the thin film is formed, the flattening substrate 21 is separated from the thin film by the driving unit 51.
【００７３】このように上記平坦化膜形成装置１では、
ステージ４１に載置して基板１１の表面１１ａに対して
平行に対向する平坦面２１ａを有する平坦化基体２１
と、それを昇降かつステージ４１側に押圧する駆動部５
１が設けられている。したがって、当該駆動部５１を駆
動して平坦化基体２１をステージ４１側に押圧すること
で、ステージ４１に載置した基板１１と平坦化基体２１
との間の塗布剤３１は表面が平坦な状態に広がる。As described above, in the flattening film forming apparatus 1,
A flattening substrate 21 having a flat surface 21a placed on the stage 41 and facing in parallel to the surface 11a of the substrate 11.
And a drive unit 5 that moves it up and down and presses it toward the stage 41.
1 is provided. Therefore, by driving the drive unit 51 and pressing the flattening substrate 21 toward the stage 41, the substrate 11 placed on the stage 41 and the flattening substrate 21 are pressed.
The coating material 31 between and spreads in a flat state.
【００７４】次に本発明の平坦化膜形成装置の第２実施
例を、図９の概略構成図によって説明する。なお、図で
は上記図８で説明したのと同様の構成部品には同一符号
を付す。Next, a second embodiment of the flattening film forming apparatus of the present invention will be described with reference to the schematic diagram of FIG. In the figure, the same components as those described in FIG. 8 are designated by the same reference numerals.
【００７５】図９に示すように、基板１１を載置するス
テージ４１が設けられている。上記ステージ４１に載置
する基板１１の表面１１ａに対して平行に対向する平坦
面２１ａを有する平坦化基体２１が、上記ステージ４１
の上方に配置されている。また上記ステージ４１には、
それを矢印キ方向に昇降させてかつそれを上記平坦化基
体２１側に押圧する駆動部５３が駆動軸５４を介して設
けられている。上記の如くに、平坦化膜形成装置２は構
成されている。As shown in FIG. 9, a stage 41 on which the substrate 11 is placed is provided. The flattening substrate 21 having a flat surface 21 a facing in parallel to the surface 11 a of the substrate 11 mounted on the stage 41 is the stage 41.
Is located above. Also, on the stage 41,
A drive unit 53 for raising and lowering it in the direction of arrow and pressing it toward the flattening substrate 21 side is provided via a drive shaft 54. The flattening film forming apparatus 2 is configured as described above.
【００７６】なお、上記図８で接続したのと同様に、上
記平坦化膜形成装置２には、塗布剤３１を供給する塗布
剤供給機６１が設けられている。As in the case of the connection in FIG. 8, the flattening film forming apparatus 2 is provided with a coating agent feeder 61 for feeding the coating agent 31.
【００７７】次に、上記平坦化膜形成装置２の動作を、
上記図９によって説明する。まずステージ４１上に基板
１１を載置する。続いて基板１１上に塗布剤３１を供給
する。そして駆動部５３によってステージ４１を平坦化
基体２１側に駆動させて、基板１１を平坦化基体２１側
に押圧することで、塗布剤３１を基板１１の面内に広げ
る。その後、塗布剤３１が硬化して、薄膜（図示せず）
が形成された後、駆動部５３によって、平坦化基体２１
より薄膜を形成した基板１１を引き離す。Next, the operation of the flattening film forming apparatus 2 will be described.
This will be described with reference to FIG. First, the substrate 11 is placed on the stage 41. Subsequently, the coating material 31 is supplied onto the substrate 11. Then, the driving unit 53 drives the stage 41 toward the flattening substrate 21 side to press the substrate 11 toward the flattening substrate 21 side, thereby spreading the coating material 31 in the plane of the substrate 11. After that, the coating material 31 is cured to form a thin film (not shown).
After the formation of the
The substrate 11 on which a thinner film is formed is separated.
【００７８】このように上記平坦化膜形成装置２では、
ステージ４１に載置して基板１１の表面１１ａに対して
平行に対向する平坦面２１ａを有する平坦化基体２１
と、ステージ４１を昇降かつ平坦化基体２１側に押圧す
る駆動部５２が設けられている。したがって、当該駆動
部５３を駆動してステージ４１を平坦化基体２１側に押
圧することで、ステージ４１に載置した基板１１と平坦
化基体２１との間の塗布剤３１は表面が平坦な状態に広
がる。As described above, in the flattening film forming apparatus 2,
A flattening substrate 21 having a flat surface 21a placed on the stage 41 and facing in parallel to the surface 11a of the substrate 11.
And a drive unit 52 for moving the stage 41 up and down and pressing it toward the flattening substrate 21 side. Therefore, by driving the drive unit 53 to press the stage 41 toward the flattening substrate 21, the coating agent 31 between the substrate 11 placed on the stage 41 and the flattening substrate 21 has a flat surface. Spread to.
【００７９】次に塗布剤を加熱する加熱器を設けたもの
を、図１０の概略構成図で説明する。なお、図では前記
図８で説明したのと同様の構成部品には同一符号を付
す。Next, what is provided with a heater for heating the coating material will be described with reference to the schematic diagram of FIG. In the figure, the same components as those described with reference to FIG. 8 are designated by the same reference numerals.
【００８０】図１０に示すように、平坦化膜形成装置３
は、上記図８で説明した平坦化膜形成装置（１）の平坦
化基体２１の内部に加熱器７１を設けたものである。上
記加熱器７１は、例えば、電熱線とそれに電流を供給す
る電源（図示せず）とで形成される。なお、基板１１を
載置するステージ４１、平坦化基体２１、駆動部５１の
位置関係は上記平坦化膜形成装置（１）と同様である。
よって、ここではその説明を省略する。また、上記加熱
器７１は、平坦化基体２１の内部に設けたが、外部に設
けてもよい。その場合の加熱基体７１には、電熱線のほ
かに、ランプまたはレーザ光発振器を用いることが可能
である。As shown in FIG. 10, the flattening film forming apparatus 3
Is a heater 71 provided inside the flattening substrate 21 of the flattening film forming apparatus (1) described in FIG. The heater 71 is formed of, for example, a heating wire and a power source (not shown) that supplies a current to the heating wire. The positional relationship among the stage 41 on which the substrate 11 is placed, the flattening substrate 21, and the drive unit 51 is the same as that in the flattening film forming apparatus (1).
Therefore, the description is omitted here. Further, the heater 71 is provided inside the flattening substrate 21, but may be provided outside. As the heating base 71 in that case, a lamp or a laser light oscillator can be used in addition to the heating wire.
【００８１】また図示はしないが、上記加熱器７１をス
テージ４１の内部に設けてもよい。もしくは平坦化基体
２１とステージ４１との両方に設けてもよい。さらに、
平坦化膜形成装置（２）に同様に上記のような加熱器７
１を設けることも可能である。Although not shown, the heater 71 may be provided inside the stage 41. Alternatively, it may be provided on both the flattening substrate 21 and the stage 41. further,
Similarly to the flattening film forming apparatus (2), the heater 7 as described above is used.
It is also possible to provide 1.
【００８２】上記平坦化膜形成装置３の動作を、上記図
１０によって説明する。塗布剤３１を基板１１の面内に
広げるのは、上記平坦化膜形成装置（１）と同様であ
る。よって、ここではその説明を省略する。塗布剤３１
を広げた後、加熱器７１によって平坦化基体２１を加熱
する。そして広げた塗布剤３１が硬化して薄膜（図示せ
ず）が形成された後、平坦化基体２１を基板１１に形成
した薄膜から引き離す。The operation of the flattening film forming apparatus 3 will be described with reference to FIG. Spreading the coating material 31 within the surface of the substrate 11 is the same as in the flattening film forming apparatus (1). Therefore, the description is omitted here. Coating agent 31
After spreading, the flattening substrate 21 is heated by the heater 71. Then, after the spread coating material 31 is cured to form a thin film (not shown), the flattening substrate 21 is separated from the thin film formed on the substrate 11.
【００８３】このように平坦化膜形成装置３では、平坦
化基体２１に加熱器７１が設けられていることから、広
げた塗布剤３１の硬化が促進される。As described above, in the flattening film forming apparatus 3, since the flattening substrate 21 is provided with the heater 71, curing of the spread coating agent 31 is accelerated.
【００８４】次に光硬化性の塗布剤を用いて薄膜を形成
する平坦化膜形成装置４を、図１１の概略構成図によっ
て説明する。なお、図では前記図８で説明したのと同様
の構成部品には同一符号を付す。Next, the flattening film forming apparatus 4 for forming a thin film using a photo-curable coating material will be described with reference to the schematic configuration diagram of FIG. In the figure, the same components as those described with reference to FIG. 8 are designated by the same reference numerals.
【００８５】図に示すように、平坦化膜形成装置４は、
上記図８で説明した平坦化膜形成装置（１）の平坦化基
体２１を透光性の材料で形成し、平坦化基体２１に対し
てステージ４１側とは反対側には、光硬化性の塗布剤３
３が硬化される波長の光線Ｌを発生する光照射器７５を
設けたものである。上記平坦化基体２１は、例えば石英
で形成される。通常、透明な石英は１９０ｎｍ程度の波
長の光線を透過する。上記光照射器７５は、例えばタン
グステンハロゲンランプまたは波長が１５０ｎｍ〜３５
０ｎｍ程度の範囲内に発振波長を有するレーザ光発振器
（例えばエキシマレーザ光発振器，半導体レーザ光発振
器等）からなる。また駆動部５１は、駆動軸５２と取り
付け治具５５とを介して、光線Ｌの光路を遮らないよう
な位置として、例えば平坦化基体２１の端部側に取り付
けられている。なお、図では、塗布剤供給器（６１）の
図示は省略した。As shown in the figure, the flattening film forming apparatus 4 is
The flattening substrate 21 of the flattening film forming apparatus (1) described with reference to FIG. 8 is formed of a light-transmissive material, and the flattening substrate 21 is provided with a photocurable substrate on the side opposite to the stage 41 side. Coating agent 3
3 is provided with a light irradiator 75 for generating a light ray L having a wavelength at which 3 is cured. The flattening substrate 21 is made of, for example, quartz. Usually, transparent quartz transmits a light ray having a wavelength of about 190 nm. The light irradiator 75 is, for example, a tungsten halogen lamp or a wavelength of 150 nm to 35 nm.
It is composed of a laser light oscillator having an oscillation wavelength in the range of about 0 nm (for example, an excimer laser light oscillator, a semiconductor laser light oscillator, etc.). The drive unit 51 is attached, for example, to the end side of the flattening base 21 via the drive shaft 52 and the attachment jig 55 at a position that does not block the optical path of the light beam L. It should be noted that the illustration of the coating agent feeder (61) is omitted in the figure.
【００８６】また上記説明では、平坦化膜形成装置
（１）の平坦化基体２１を透光性の材料で形成したもの
を説明したが、例えば前記説明した平坦化膜形成装置
（２）の平坦化基体２１も透光性の材料で形成すること
が可能である。この構成でも、光照射器７５を上記同様
の位置に設ける。In the above description, the flattening substrate 21 of the flattening film forming apparatus (1) is formed of a transparent material. However, for example, the flattening film forming apparatus (2) described above is flat. The compliant substrate 21 can also be formed of a translucent material. Also in this configuration, the light irradiator 75 is provided at the same position as above.
【００８７】上記平坦化膜形成装置４の動作を、上記図
１１によって説明する。塗布剤３１を基板１１の面内に
広げるのは、上記平坦化膜形成装置（１）と同様であ
る。よって、ここではその説明を省略する。塗布剤３１
を広げた後、光照射器７５から光線Ｌを発して、その光
線Ｌを平坦化基体２１を透して塗布剤３３に照射する。
そして塗布剤３３を硬化させて薄膜（図示せず）を形成
する。その後、平坦化基体２１を基板１１に形成した薄
膜から引き離す。The operation of the flattening film forming apparatus 4 will be described with reference to FIG. Spreading the coating material 31 within the surface of the substrate 11 is the same as in the flattening film forming apparatus (1). Therefore, the description is omitted here. Coating agent 31
After the light is spread, a light ray L is emitted from the light irradiator 75, and the light ray L passes through the flattening substrate 21 and is applied to the coating agent 33.
Then, the coating agent 33 is cured to form a thin film (not shown). Then, the flattening substrate 21 is separated from the thin film formed on the substrate 11.
【００８８】このように平坦化膜形成装置４では、平坦
化基体２１を透光性の材料で形成したことから、塗布剤
３３に光硬化性材料を用いることが可能になる。そし
て、塗布剤３３を硬化させる光線Ｌを発する光照射器７
５を設けたことから、平坦化基体２１を透して塗布剤３
３にその光線を照射することで、当該塗布剤３３を硬化
することができる。As described above, in the flattening film forming apparatus 4, since the flattening substrate 21 is made of the translucent material, it is possible to use the photocurable material for the coating agent 33. Then, a light irradiator 7 that emits a light ray L that cures the coating agent 33.
5 is provided, the flattening substrate 21 is penetrated to obtain the coating agent 3
By irradiating 3 with the light beam, the coating agent 33 can be cured.
【００８９】また上記平坦化膜形成装置１〜４におい
て、基板１１を反らす手段を設けた平坦化膜形成装置
を、図１２の概略構成図によって説明する。なお、図で
は前記図８で説明したのと同様の構成部品には同一符号
を付す。Further, in the above-described flattening film forming apparatuses 1 to 4, a flattening film forming apparatus provided with a means for bending the substrate 11 will be described with reference to the schematic configuration diagram of FIG. In the figure, the same components as those described with reference to FIG. 8 are designated by the same reference numerals.
【００９０】図に示すように、平坦化膜形成装置５は、
上記図８で説明した平坦化膜形成装置（１）を構成する
ステージ４１に基板押圧手段８１を設けたものである。
したがって、平坦化基体２１、ステージ４１、駆動部５
１の位置関係は、平坦化膜形成装置（１）と同様であ
る。よって、ここでは説明を省略する。また塗布剤供給
器６１の図示は省略した。上記ステージ４１は、例えば
真空吸着によって基板１１を基板載置面４１ａに吸着す
るものであって、当該基板載置面４１ａのほぼ全面にわ
たって、真空吸着孔（図示せず）が形成されている。ま
た上記ステージ４１の基板載置面４１ａ側のほぼ中央部
には孔４２が設けられている。当該孔４２にはその内部
を遊挿自在に昇降するピン８２が設けられている。さら
にピン８２に接続するもので当該ピン８２を昇降させる
駆動部８３が上記ステージ４１の内部に設けられてい
る。上記ピン８２の先端は、基板１１の裏面を損傷しな
いように、例えば丸みが形成されている。なお、上記駆
動部８３はステージ４１の外部に設けてもよい。さらに
は、基板載置面４１ａ側に孔４２を複数箇所に設け、各
孔４２にピン８２を設けることも可能である。As shown in the figure, the flattening film forming apparatus 5 is
The substrate pressing means 81 is provided on the stage 41 constituting the flattening film forming apparatus (1) described in FIG.
Therefore, the flattening substrate 21, the stage 41, and the drive unit 5
The positional relationship of 1 is the same as that of the flattening film forming apparatus (1). Therefore, the description is omitted here. The illustration of the coating agent feeder 61 is omitted. The stage 41 sucks the substrate 11 onto the substrate mounting surface 41a by vacuum suction, for example, and a vacuum suction hole (not shown) is formed over substantially the entire surface of the substrate mounting surface 41a. In addition, a hole 42 is provided in a substantially central portion of the stage 41 on the substrate mounting surface 41a side. The hole 42 is provided with a pin 82 for freely raising and lowering the inside thereof. Further, a drive unit 83 that is connected to the pin 82 and moves the pin 82 up and down is provided inside the stage 41. The tip of the pin 82 is, for example, rounded so as not to damage the back surface of the substrate 11. The drive unit 83 may be provided outside the stage 41. Further, it is possible to provide holes 42 at a plurality of positions on the substrate mounting surface 41a side and provide pins 82 in each hole 42.
【００９１】なお図示はしないが、前記説明した平坦化
膜形成装置（２〜４）にも同様に上記基板押圧手段８１
を設けることは可能である。Although not shown, the substrate pressing means 81 is similarly used in the above-described flattening film forming apparatus (2-4).
Can be provided.
【００９２】次に、上記平坦化膜形成装置５の動作を、
上記図１２によって説明する。まずステージ４１上に基
板１１を載置する。続いて基板１１上に塗布剤３１を供
給する。そして駆動部８３によってピン８２を上昇させ
て基板１１の中心付近をわずかに押し上げる。押し上げ
る高さは、例えば０．数ｍｍ程度である。このとき、基
板１１が基板載置面４１ａから剥がれないように、すな
わち真空吸着が維持されるように、当該基板１１を押圧
する。このように基板１１を押し上げることにより、基
板１１は平坦化基体２１側に凸状に反る。この状態で、
駆動部５１によって平坦化基体２１を基板１１側に駆動
させて、平坦化基体２１を基板１１側に押圧する。そし
て塗布剤３１を基板１１と平坦化基体２１とで押圧し
て、基板１１の面内に広げる。そのとき、塗布剤３１
が、基板１１の面内に広げられるとともに上記ピン８２
を降下させて、基板１１を元の状態に戻す。そして当該
基板１１の裏面全体を基板載置面４１ａに密着させる。
その後、塗布剤３１が硬化して、薄膜（図示せず）が形
成された後、駆動部５１によって、薄膜より平坦化基体
２１を引き離す。Next, the operation of the flattening film forming apparatus 5 will be described.
This will be described with reference to FIG. First, the substrate 11 is placed on the stage 41. Subsequently, the coating material 31 is supplied onto the substrate 11. Then, the drive unit 83 raises the pin 82 to slightly push up the vicinity of the center of the substrate 11. The height to be pushed up is, for example, 0. It is about several mm. At this time, the substrate 11 is pressed so that the substrate 11 is not peeled off from the substrate mounting surface 41a, that is, vacuum suction is maintained. By pushing up the substrate 11 in this manner, the substrate 11 warps in a convex shape toward the flattening substrate 21 side. In this state,
The drive unit 51 drives the flattening base 21 toward the substrate 11 side to press the flattening base 21 toward the substrate 11 side. Then, the coating material 31 is pressed by the substrate 11 and the flattening substrate 21 to spread it within the surface of the substrate 11. At that time, the coating agent 31
Are spread within the surface of the substrate 11 and
Is lowered to return the substrate 11 to the original state. Then, the entire back surface of the substrate 11 is brought into close contact with the substrate mounting surface 41a.
After that, the coating material 31 is hardened to form a thin film (not shown), and then the drive unit 51 separates the flattening substrate 21 from the thin film.
【００９３】このような上記平坦化膜形成装置５では、
ステージ４１の基板載置面４１ａ側のほぼ中央部に、昇
降自在なピン８２を有する基板押圧手段８１を設けたこ
とから、基板１１と平坦化基体２１とで塗布剤３１を押
圧して広げる際に、塗布剤３１は基板１１の中央部側か
ら周辺部側に広げ易くなる。このため、平坦化基体２１
と塗布剤３１との間に気泡が入り難くなる。In such a flattening film forming apparatus 5 as described above,
Since the substrate pressing means 81 having the vertically movable pins 82 is provided in the substantially central portion of the stage 41 on the substrate mounting surface 41a side, when the substrate 11 and the flattening substrate 21 press and spread the coating material 31. In addition, the coating material 31 can be easily spread from the central portion side of the substrate 11 to the peripheral portion side. Therefore, the flattening substrate 21
It becomes difficult for bubbles to enter between the coating material 31 and the coating material 31.
【００９４】また上記平坦化膜形成装置１〜３におい
て、平坦化基体２１を反らす手段を設けた平坦化膜形成
装置を、図１３の概略構成図によって説明する。なお、
図では前記図８で説明したのと同様の構成部品には同一
符号を付す。Further, the flattening film forming apparatus having the means for deflecting the flattening substrate 21 in the flattening film forming apparatuses 1 to 3 will be described with reference to the schematic configuration diagram of FIG. In addition,
In the figure, the same components as those described in FIG. 8 are designated by the same reference numerals.
【００９５】図に示すように、平坦化膜形成装置６は、
上記図８で説明した平坦化膜形成装置（１）を構成する
平坦化基体２１に基体押圧手段８５を設けたものであ
る。したがって、平坦化基体２１、ステージ４１、駆動
部５１は、平坦化膜形成装置（１）と同様である。よっ
て、ここではその説明を省略する。また上記ステージ４
１の上方には基体保持具２５が設けられている。この基
体保持具２５の基体保持面２５ａの側周側には、例えば
平坦化基体２１を真空吸着して保持するための真空吸着
孔（図示せず）が設けられている。したがって、上記平
坦化基体２１は、基体保持面２５ａに吸着することによ
って、当該平坦化基体２１の平坦化面２１ａとステージ
４１に載置される基板１１の表面１１ａとが平行に位置
する状態に、当該基体保持具２５に保持されている。な
お、基体保持具２５は平坦化基体２１を保持するもので
あれば、例えば静電吸着またはクランプを用いたもので
あってもよい。さらに基板保持具２５には、上記駆動部
５１が接続されている。As shown in the figure, the flattening film forming apparatus 6 is
The flattening substrate 21 constituting the flattening film forming apparatus (1) described with reference to FIG. 8 is provided with the substrate pressing means 85. Therefore, the flattening substrate 21, the stage 41, and the driving unit 51 are the same as those in the flattening film forming apparatus (1). Therefore, the description is omitted here. See also Stage 4 above
A substrate holder 25 is provided above 1. A vacuum suction hole (not shown) for vacuum-sucking and holding the flattening substrate 21, for example, is provided on the side of the substrate holding surface 25a of the substrate holder 25. Therefore, the flattening substrate 21 is attracted to the substrate holding surface 25a so that the flattening surface 21a of the flattening substrate 21 and the surface 11a of the substrate 11 placed on the stage 41 are positioned in parallel with each other. It is held by the base body holder 25. The substrate holder 25 may be, for example, an electrostatic chuck or a clamp as long as it holds the flattened substrate 21. Further, the drive unit 51 is connected to the substrate holder 25.
【００９６】また上記基体保持具２５の基体載置面２５
ａ側のほぼ中央部には孔２６が設けられている。当該孔
２６にはその内部を昇降するピン８６が設けられてい
る。さらにピン８６に接続するもので当該ピン８６を昇
降させる駆動部８７が上記基体保持具２５の内部に設け
られている。上記ピン８６の先端は、平坦化基体２１の
裏面を損傷しないように、例えば丸みが形成されてい
る。このように、基体押圧手段８５は、ピン８６と駆動
部８７とから構成されている。なお、上記駆動部８７は
基体保持具２５の外部に設けてもよい。The substrate mounting surface 25 of the substrate holder 25 described above.
A hole 26 is provided at a substantially central portion on the a side. The hole 26 is provided with a pin 86 that moves up and down. Further, a drive unit 87 that is connected to the pin 86 and moves up and down the pin 86 is provided inside the base body holder 25. The tip of the pin 86 is, for example, rounded so as not to damage the back surface of the flattening substrate 21. As described above, the base pressing means 85 is composed of the pin 86 and the drive portion 87. The drive unit 87 may be provided outside the substrate holder 25.
【００９７】なお図示はしないが、前記説明した平坦化
膜形成装置（２，３）にも同様に上記基板押圧手段８５
を設けることは可能である。Although not shown, the substrate pressing means 85 is similarly applied to the above-described flattening film forming apparatus (2, 3).
Can be provided.
【００９８】次に、上記平坦化膜形成装置６の動作を、
上記図１３によって説明する。まずステージ４１上に基
板１１を載置する。続いて基板１１上に塗布剤３１を供
給する。そして駆動部８７によってピン８６を２点鎖線
で示す位置まで降下させて平坦化基体２１の中心付近を
わずかに押し下げる。押し下げる高さは、例えば０．数
ｍｍ〜数ｍｍ程度である。このように平坦化基体２１の
中央部を押し下げることにより、当該平坦化基体２１は
２点鎖線で示すように基板１１側に凸状に反る。このよ
うな状態で、駆動部５１によって平坦化基体２１を基板
１１側に駆動させて、平坦化基体２１を基板１１側に押
圧する。そして塗布剤３１を基体１１と平坦化基体２１
とで押圧して、基板１１の面内に広げる。そのとき、塗
布剤３１が基板１１の面内に広げられるとともに上記ピ
ン８６を上昇させて、基板１１の裏面全体を基板載置面
４１ａに密着させる。その後、塗布剤３１が硬化して、
薄膜（図示せず）が形成された後、駆動部５１によっ
て、薄膜より平坦化基体２１を引き離す。Next, the operation of the flattening film forming apparatus 6 will be described.
This will be described with reference to FIG. First, the substrate 11 is placed on the stage 41. Subsequently, the coating material 31 is supplied onto the substrate 11. Then, the drive unit 87 lowers the pin 86 to the position indicated by the chain double-dashed line and slightly pushes down the vicinity of the center of the flattening substrate 21. The height to be pushed down is, for example, 0. It is about several mm to several mm. By pushing down the central portion of the flattening substrate 21 in this manner, the flattening substrate 21 warps in a convex shape toward the substrate 11 as shown by the chain double-dashed line. In such a state, the drive unit 51 drives the flattening base 21 toward the substrate 11 side, and presses the flattening base 21 toward the substrate 11 side. Then, the coating material 31 is applied to the base 11 and the flattening base 21.
It is pressed by and to spread it within the surface of the substrate 11. At this time, the coating material 31 is spread over the surface of the substrate 11 and the pins 86 are raised to bring the entire back surface of the substrate 11 into close contact with the substrate mounting surface 41a. After that, the coating material 31 is cured,
After the thin film (not shown) is formed, the flattening substrate 21 is separated from the thin film by the driving unit 51.
【００９９】このような上記平坦化膜形成装置６では、
平坦化基体２１のほぼ中央部を押し下げるピン８６を有
する基体押圧手段８５を設けたことから、基板１１と平
坦化基体２１とで塗布剤３１を押圧して広げる際に、塗
布剤３１は平坦化基体２１の中央部側から周辺部側に広
げ易くなる。このため、平坦化基体２１と塗布剤３１と
の間に気泡が入り難くなる。In such a flattening film forming apparatus 6 as described above,
Since the substrate pressing means 85 having the pin 86 that pushes down substantially the central portion of the flattening substrate 21 is provided, the coating agent 31 is flattened when the coating agent 31 is pressed and spread by the substrate 11 and the flattening substrate 21. It becomes easy to spread from the central part side of the base 21 to the peripheral part side. Therefore, it becomes difficult for bubbles to enter between the flattening substrate 21 and the coating material 31.
【０１００】また上記平坦化膜形成装置１〜５におい
て、平坦化基体２１自体が反るようにしてもよい。この
ような平坦化膜形成装置を、図１４の概略構成図によっ
て説明する。図では、代表して、上記図８で説明した平
坦化膜形成装置（１）の平坦化基体２１自体が反るよう
に形成した場合を示す。なお、図では前記図８で説明し
たのと同様の構成部品には同一符号を付す。In the flattening film forming devices 1 to 5, the flattening substrate 21 itself may be warped. Such a flattening film forming apparatus will be described with reference to the schematic configuration diagram of FIG. In the figure, as a representative, a case is shown in which the flattening substrate 21 itself of the flattening film forming apparatus (1) described in FIG. In the figure, the same components as those described with reference to FIG. 8 are designated by the same reference numerals.
【０１０１】図に示すように、平坦化膜形成装置７の駆
動部５１に駆動軸５２を介して説明されている平坦化基
体２１は、そのステージ４１側の面が凸状に反る状態
（実線で示す状態）と平坦面になる状態（２点鎖線で示
す状態）とを記憶している形状記憶材料で形成されてい
る。この形状記憶材料は、例えば温度変化によって形状
が変化するものよりなり、例えば、ニッケルとチタンの
合金，銅と亜鉛とアルミの合金および鉄とマンガンとケ
イ素の合金のうちの１種類の合金からなる。また平坦化
基体２１に対してステージ４１とは反対側には、加熱器
７２が設けられている。この加熱器７２は、熱を発生す
るものであれば、例えば、電熱線を用いたもの、熱線を
発生するランプを用いたもの、またはレーザ光発振器を
用いたものであってもよい。この平坦化膜形成装置７で
は、平坦化基体２１、基板１１を載置するステージ４
１、駆動部５１の位置関係は、平坦化膜形成装置（１）
と同様である。よってここではそれらの位置関係の説明
を省略する。As shown in the figure, the flattening substrate 21 explained to the driving unit 51 of the flattening film forming apparatus 7 via the drive shaft 52 has a state in which the surface on the stage 41 side is convexly warped ( It is formed of a shape memory material that stores a state shown by a solid line and a state where it becomes a flat surface (state shown by a two-dot chain line). The shape memory material is made of a material whose shape is changed by a temperature change, for example, an alloy of nickel and titanium, an alloy of copper, zinc and aluminum, and an alloy of iron, manganese and silicon. . A heater 72 is provided on the opposite side of the flattening substrate 21 from the stage 41. The heater 72 may be, for example, one that uses a heating wire, one that uses a lamp that generates a heat wire, or one that uses a laser light oscillator, as long as it generates heat. In this flattening film forming apparatus 7, the stage 4 on which the flattening substrate 21 and the substrate 11 are placed.
1. The positional relationship between the drive unit 51 and the flattening film forming apparatus (1)
Is the same as. Therefore, the description of those positional relationships is omitted here.
【０１０２】なお図示はしないが、前記説明した平坦化
膜形成装置（２，３，５）の平坦化基体２１を形状記憶
材料で形成することは可能である。Although not shown, it is possible to form the flattening substrate 21 of the above-described flattening film forming apparatus (2, 3, 5) with a shape memory material.
【０１０３】次に、上記平坦化膜形成装置７の動作を、
上記図１４によって説明する。まずステージ４１上に基
板１１を載置する。続いて基板１１上に塗布剤３１を供
給する。そして加熱器７２によって平坦化基体２１を加
熱し、当該平坦化基体２１をステージ４１側に凸状に反
らせて変形させる。このときの反り量は、例えば０．数
ｍｍ〜数ｍｍ程度に設定される。このように平坦化基体
２１を反らした状態で、駆動部５１によって当該平坦化
基体２１を基板１１側に押圧する。すると塗布剤３１は
基板１１と平坦化基体２１との間で押圧されて基板１１
の面内に広がる。それとほぼ同時に、加熱器７２による
加熱を停止して、平坦化基体２１を常温に戻す。したが
って、当該平坦化基体２１のステージ４１側の面は平坦
面になる。その後、塗布剤３１を硬化させて、薄膜（図
示せず）を形成した後、駆動部５１によって、薄膜より
平坦化基体２１を引き離す。Next, the operation of the flattening film forming apparatus 7 will be described.
This will be described with reference to FIG. First, the substrate 11 is placed on the stage 41. Subsequently, the coating material 31 is supplied onto the substrate 11. Then, the flattening substrate 21 is heated by the heater 72, and the flattening substrate 21 is warped toward the stage 41 side to be deformed. The warp amount at this time is, for example, 0. It is set to about several mm to several mm. In this state where the flattening substrate 21 is warped, the driving unit 51 presses the flattening substrate 21 toward the substrate 11. Then, the coating material 31 is pressed between the substrate 11 and the flattening substrate 21,
Spread in the plane of. Almost at the same time, heating by the heater 72 is stopped and the flattening substrate 21 is returned to room temperature. Therefore, the surface of the flattening substrate 21 on the stage 41 side is a flat surface. After that, the coating material 31 is cured to form a thin film (not shown), and then the drive unit 51 separates the flattening substrate 21 from the thin film.
【０１０４】または常温状態で平坦化基体２１を反らし
た状態にしておく。そしてステージ４１側に当該平坦化
基体２１を押圧する際に、加熱器７２で平坦化基体２１
を所定の温度に加熱して、当該平坦化基体２１のステー
ジ４１側の面を平坦面に変形させてもよい。Alternatively, the flattening substrate 21 is warped at room temperature. When the flattening substrate 21 is pressed against the stage 41 side, the flattening substrate 21 is heated by the heater 72.
May be heated to a predetermined temperature to deform the surface of the flattening substrate 21 on the stage 41 side into a flat surface.
【０１０５】上記平坦化膜形成装置７では、平坦化基体
２１のステージ４１側の面が凸状に反る状態と平坦面に
なる状態とを記憶している形状記憶材料で、当該平坦化
基体２１を形成することから、基板１１と平坦化基体２
１とで塗布剤３１を押圧して広げる際に、基板１１の中
央部側から周辺部側に塗布剤が広がる。このため、平坦
化基体２１と塗布剤３１との間に気泡が入り難くなる。In the flattening film forming apparatus 7, the flattening substrate 21 is made of a shape memory material that stores a state in which the surface of the flattening substrate 21 on the stage 41 side warps in a convex shape and a state in which the surface becomes a flat surface. 21 is formed, the substrate 11 and the flattening substrate 2 are formed.
When the coating material 31 is pressed and spread by 1 and 1, the coating material spreads from the central portion side of the substrate 11 to the peripheral portion side. Therefore, it becomes difficult for bubbles to enter between the flattening substrate 21 and the coating material 31.
【０１０６】上記平坦化膜形成装置１〜７において、平
坦化基体と基板とを相対的にみて回動させながら塗布剤
を広げる手段を設けた平坦化膜形成装置を、図１５の概
略構成図によって説明する。なお、図では前記図８で説
明したのと同様の構成部品には同一符号を付す。FIG. 15 is a schematic block diagram of the flattening film forming apparatus including the means for spreading the coating agent while rotating the flattening substrate and the substrate in the flattening film forming apparatuses 1 to 7 as described above. Explained by. In the figure, the same components as those described with reference to FIG. 8 are designated by the same reference numerals.
【０１０７】図に示すように、平坦化膜形成装置８は、
上記図８で説明した平坦化膜形成装置（１）を構成する
平坦化基体２１に基体回動手段９１を設けたものであ
る。したがって、平坦化基体２１、基板１１を載置する
ステージ４１、駆動部５１の個々の構成は、平坦化膜形
成装置（１）と同様である。よって、ここではその説明
を省略する。上記駆動部５１の駆動軸５２には上記基体
回動手段９１を介して平坦化基体２１が接続されてい
る。上記基体回動手段９１は、回動駆動部９２とそれに
接続された駆動軸９３とからなる。そして上記回動駆動
部９２が上記駆動部５１の駆動軸９３に接続され、上記
駆動軸９３が上記平坦化基体２１に接続されている。ま
たは図示はしないが、駆動軸９３と平坦化基体２１との
間に平坦化基体２１を保持する治具を設けてもよい。As shown in the figure, the flattening film forming apparatus 8 is
The flattening substrate 21 constituting the flattening film forming apparatus (1) described with reference to FIG. 8 is provided with the substrate rotating means 91. Therefore, the individual configurations of the flattening substrate 21, the stage 41 on which the substrate 11 is placed, and the drive unit 51 are the same as those of the flattening film forming apparatus (1). Therefore, the description is omitted here. The flattening base 21 is connected to the drive shaft 52 of the drive unit 51 through the base rotating means 91. The base body rotation means 91 is composed of a rotation drive unit 92 and a drive shaft 93 connected thereto. The rotation drive unit 92 is connected to the drive shaft 93 of the drive unit 51, and the drive shaft 93 is connected to the flattening base 21. Alternatively, although not shown, a jig for holding the flattening substrate 21 may be provided between the drive shaft 93 and the flattening substrate 21.
【０１０８】次に、上記平坦化膜形成装置８の動作を、
上記図１５によって説明する。まずステージ４１上に基
板１１を載置する。続いて基板１１上に塗布剤３１を供
給する。そして駆動部９２を駆動して平坦化基体２１
を、例えば矢印ナ方向に回動させながら、駆動部５１に
よって平坦化基体２１を基板１１側に押圧する。そして
塗布剤３１を基板１１と平坦化基体２１とで押圧して基
板１１の面内に広げる。塗布剤３１が広げられたら回動
駆動部９２の駆動を停止する。その後、塗布剤３１を硬
化させて、薄膜（図示せず）を形成した後、駆動部５１
によって、薄膜より平坦化基体２１を引き離す。Next, the operation of the flattening film forming apparatus 8 will be described.
This will be described with reference to FIG. First, the substrate 11 is placed on the stage 41. Subsequently, the coating material 31 is supplied onto the substrate 11. Then, the driving unit 92 is driven to drive the flattening substrate 21.
For example, while rotating in the arrow direction, the drive unit 51 presses the flattening base 21 toward the substrate 11. Then, the coating material 31 is pressed by the substrate 11 and the flattening substrate 21 to spread it within the surface of the substrate 11. When the coating material 31 is spread, the drive of the rotation drive unit 92 is stopped. After that, the coating material 31 is cured to form a thin film (not shown), and then the driving unit 51.
The flattening substrate 21 is separated from the thin film by.
【０１０９】このように上記平坦化膜形成装置８には、
平坦化基体２１に接続する基体回動手段９１を設けたこ
とから、基板１１と平坦化基体２１との間で塗布剤３１
を基板１１の中央部側から周辺部側に広げ易くなる。こ
のため、平坦化基体２１と塗布剤３１との間に気泡が入
り難くなる。As described above, the flattening film forming apparatus 8 includes
Since the base rotating means 91 connected to the flattening base 21 is provided, the coating material 31 is provided between the substrate 11 and the flattening base 21.
Can be easily spread from the central portion side of the substrate 11 to the peripheral portion side. Therefore, it becomes difficult for bubbles to enter between the flattening substrate 21 and the coating material 31.
【０１１０】図示はしないが、他方、ステージ（４１）
に駆動部（５２）が接続されている平坦化膜形成装置
（２）では、上記基体回動手段（９１）は平坦化基体
（２１）にのみ接続されている。この構成でも、基体回
動手段（９１）と平坦化基体（２１）との間に当該平坦
化基体（２１）を保持する治具を設けてもよい。Although not shown, on the other hand, the stage (41)
In the flattening film forming apparatus (2) to which the drive unit (52) is connected to, the substrate rotating means (91) is connected only to the flattening substrate (21). Also in this configuration, a jig for holding the flattening substrate (21) may be provided between the substrate rotating means (91) and the flattening substrate (21).
【０１１１】また図１６に示すように、上記図８に示し
たような平坦化膜形成装置１のステージ４１に、それを
例えば矢印ニ方向に回動させる基体回動手段９１を設け
てもよい。この回動方向は逆であってもよい。上記ステ
ージ回動手段９４は、上記説明した基体回動手段（９
１）と同様の構成を成している。すなわち、回動駆動部
９５とそれに接続した駆動軸９６とからなる。そして上
記駆動軸９６がステージ４１に接続されている。なお、
平坦化基体２１、基板１１を載置するステージ４１の位
置関係は上記平坦化膜形成装置（１）と同様である。よ
って、ここではその説明を省略する。また、ステージ４
１に駆動部（５２）を接続したものでは、上記ステージ
回動手段（９４）は駆動部（５２）とステージ４１との
間に設けることになる。または、駆動部（５３）にステ
ージ回動手段（９４）を設けてもよい。Further, as shown in FIG. 16, a base body rotating means 91 for rotating the stage 41 of the flattening film forming apparatus 1 as shown in FIG. 8 may be provided, for example, in the arrow D direction. . This rotation direction may be reversed. The stage rotating means 94 is the base rotating means (9) described above.
It has the same configuration as 1). That is, it is composed of the rotation drive unit 95 and the drive shaft 96 connected thereto. The drive shaft 96 is connected to the stage 41. In addition,
The positional relationship between the flattening substrate 21 and the stage 41 on which the substrate 11 is placed is the same as in the flattening film forming apparatus (1). Therefore, the description is omitted here. Also, stage 4
In the case where the drive unit (52) is connected to 1, the stage rotating means (94) is provided between the drive unit (52) and the stage 41. Alternatively, the drive unit (53) may be provided with stage rotating means (94).
【０１１２】さらに図示はしないが、平坦化基体（２
１）に基体回動手段（９１）を設け、ステージ（４１）
にステージ回動手段（９４）を設けてもよい。Although not shown, the flattening substrate (2
The base body rotating means (91) is provided in 1), and the stage (41)
A stage rotating means (94) may be provided in the.
【０１１３】上記説明では回動される平坦化基体２１ま
たは回動されるステージ４１に対して直接的に駆動軸
（９３）または（９６）が接続されていたが、例えば、
歯車伝達機構、巻き掛け伝達機構等によって、回動駆動
部（９２）または回動駆動部（９５）の回転力を伝達さ
せてもよい。In the above description, the drive shaft (93) or (96) is directly connected to the rotated flattening substrate 21 or the rotated stage 41.
The rotation force of the rotation drive unit (92) or the rotation drive unit (95) may be transmitted by a gear transmission mechanism, a winding transmission mechanism, or the like.
【０１１４】[0114]
【発明の効果】以上、説明したように本発明の平坦化膜
の形成方法によれば、基板の一表面に供給した塗布剤を
基板と平坦化基体とで押圧して基板面内に広げてから硬
化させて薄膜に形成するので、その薄膜の表面形状は、
平坦化基体の平坦面を転写した形状になる。このため、
薄膜表面を平坦面に形成することができる。このよう
に、簡単に平坦化膜を形成することができる。As described above, according to the method for forming a flattening film of the present invention, the coating agent supplied to one surface of the substrate is pressed by the substrate and the flattening substrate to spread it in the plane of the substrate. Since it is cured to form a thin film, the surface shape of the thin film is
The flat surface of the flattened substrate is transferred. For this reason,
The thin film surface can be formed into a flat surface. In this way, the flattening film can be easily formed.
【０１１５】上記平坦化方法で、平坦化基体をエッチン
グして除去する方法によれば、平坦化基体と薄膜とを連
続してエッチングすることができる。このため、薄膜の
厚さが厚い場合には、１回のエッチングで薄膜の膜厚を
調整することができる。According to the method of etching and removing the flattening substrate by the above-described flattening method, the flattening substrate and the thin film can be continuously etched. Therefore, when the thin film is thick, the thickness of the thin film can be adjusted by one etching.
【０１１６】また加熱することによって塗布剤を硬化さ
せる方法によれば、塗布剤の硬化時間を短縮することが
できる。According to the method of curing the coating agent by heating, the curing time of the coating agent can be shortened.
【０１１７】塗布剤に熱可塑性の材料を用いて、加熱し
ながら塗布剤を基板面内に広げる方法によれば、基板面
内に塗布剤を容易に広げることができる。また基板を冷
却して塗布剤を硬化させるので、塗布剤は平坦化基体の
平坦面を転写した形状で硬化することができる。このた
め、硬化して形成した薄膜の表面を平坦面に形成するこ
とができる。According to the method of using a thermoplastic material as the coating agent and spreading the coating agent in the substrate surface while heating, the coating agent can be easily spread in the substrate surface. Further, since the substrate is cooled to cure the coating agent, the coating agent can be cured in a shape in which the flat surface of the flattening substrate is transferred. Therefore, the surface of the thin film formed by curing can be formed into a flat surface.
【０１１８】塗布剤に光硬化性のものを用いて、基板面
内に塗布剤を広げた後、光線を照射して塗布剤を硬化す
る方法によれば、平坦化基体の平坦面を薄膜の表面に転
写した状態で、当該薄膜を硬化すること可能になる。こ
のため、平坦化膜の表面を高精度形成することができ
る。According to the method of using a photocurable coating agent to spread the coating agent on the surface of the substrate and then irradiating it with light to cure the coating agent, the flat surface of the flattening substrate is formed into a thin film. The thin film can be cured while being transferred to the surface. Therefore, the surface of the flattening film can be formed with high precision.
【０１１９】基板および平坦化基体のうちのいずれか一
方または両方を対向する側に対して凸状に反らしてか
ら、基板と平坦化基体とで塗布剤を押圧する方法によれ
ば、塗布剤を押圧する際に、塗布剤と平坦化基体との間
に気泡が入り難くなる。このため、形成される薄膜の表
面に凹部ができることがなく、その表面は平坦な面にな
る。According to a method in which one or both of the substrate and the flattening substrate are convexly warped with respect to the opposite side, and then the substrate and the flattening substrate are pressed with the coating agent, When pressing, it becomes difficult for bubbles to enter between the coating agent and the flattening substrate. Therefore, no recess is formed on the surface of the formed thin film, and the surface becomes a flat surface.
【０１２０】基板および平坦化基体のうちのいずれか一
方または両方を回動させながら塗布剤を押圧して広げる
方法によっても、上記同様に、平坦化基体と塗布剤との
間に気泡が入り難くなる。Also by the method of pressing and spreading the coating material while rotating either one or both of the substrate and the flattening substrate, it is possible to prevent bubbles from entering between the flattening substrate and the coating material in the same manner as described above. Become.
【０１２１】少なくとも塗布剤を広げる工程を真空中で
行う方法によれば、塗布剤と平坦化基体との間に気泡は
入らない。このため、良質の薄膜を形成することが可能
になる。According to the method in which at least the step of spreading the coating material is carried out in a vacuum, bubbles do not enter between the coating material and the flattening substrate. Therefore, it becomes possible to form a high quality thin film.
【０１２２】本発明の第１の平坦化膜形成装置によれ
ば、ステージ上の基板表面に対して平行に対向する平坦
面を有する平坦化基体と、それを昇降させかつステージ
側に押圧する駆動部とが備えられているので、駆動部で
平坦化基体をステージ上の基板側に押圧することができ
る。このため、基板と平坦化基体との間に供給した塗布
剤を、その表面が平坦になる状態に広げることができ
る。According to the first flattening film forming apparatus of the present invention, a flattening substrate having a flat surface facing in parallel with the substrate surface on the stage, and a drive for raising and lowering it and pressing it toward the stage side. Is provided, the flattening substrate can be pressed against the substrate on the stage by the driving unit. Therefore, the coating agent supplied between the substrate and the flattening substrate can be spread so that its surface becomes flat.
【０１２３】第２の平坦化膜形成装置によれば、上記の
ような平坦化基体と、ステージを昇降させかつ平坦化基
体側に押圧する駆動部とが備えられているので、駆動部
でステージ上の基板を平坦化基体側に押圧することがで
きる。このため、基板と平坦化基体との間に供給した塗
布剤を、その表面が平坦になる状態に広げることができ
る。According to the second flattening film forming apparatus, since the flattening substrate as described above and the driving unit for moving the stage up and down and pressing the stage toward the flattening substrate are provided, the stage is driven by the driving unit. The upper substrate can be pressed against the flattening substrate side. Therefore, the coating agent supplied between the substrate and the flattening substrate can be spread so that its surface becomes flat.
【０１２４】加熱器を設けた平坦化膜形成装置によれ
ば、加熱器によって塗布剤の硬化を促進することができ
る。According to the flattening film forming apparatus provided with the heater, the heater can accelerate the curing of the coating agent.
【０１２５】光照射器を設けた平坦化膜形成装置によれ
ば、光硬化性の塗布剤を用いて薄膜を形成することが可
能になる。According to the flattening film forming apparatus provided with the light irradiator, it becomes possible to form a thin film using a photocurable coating agent.
【０１２６】基板押圧手段または基体押圧手段を設けた
平坦化膜形成装置、または平坦化基体を形状記憶材料で
形成した平坦化膜形成装置によれば、基板または平坦化
基体がそった状態で塗布剤が押圧されて広げられるの
で、平坦化基体と塗布剤との間に気泡を入り難くするこ
とができる。このため、薄膜の表面を、気泡による窪み
がない平坦な表面に形成できる。According to the flattening film forming apparatus provided with the substrate pressing unit or the base pressing unit, or the flattening film forming apparatus forming the flattening substrate with a shape memory material, the substrate or the flattening substrate is applied in a flat state. Since the agent is pressed and spread, it is possible to prevent bubbles from entering between the flattening substrate and the coating agent. Therefore, it is possible to form the surface of the thin film on a flat surface having no depression due to bubbles.
【０１２７】基体回動手段またはステージ回動手段を設
けた平坦化膜形成装置によれば、基板と平坦化基体との
間で塗布剤が基板の中央部側から周辺部側に広げ易くな
るので、平坦化基体と塗布剤との間に気泡を入り難くす
ることができる。このため、上記同様に、薄膜の表面
を、気泡による窪みがない平坦な表面に形成できる。According to the flattening film forming apparatus provided with the substrate rotating means or the stage rotating means, the coating agent can be easily spread from the central portion side of the substrate to the peripheral portion side between the substrate and the flattening substrate. It is possible to prevent bubbles from entering between the flattening substrate and the coating agent. For this reason, similarly to the above, the surface of the thin film can be formed to be a flat surface having no depression due to bubbles.
【図１】本発明の実施例の形成工程図である。FIG. 1 is a process drawing of an embodiment of the present invention.
【図２】第４工程の別方法の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of another method in the fourth step.
【図３】塗布剤の硬化方法の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a method for curing a coating agent.
【図４】熱可塑性の塗布剤を用いた場合の形成工程図で
ある。FIG. 4 is a forming process diagram when a thermoplastic coating material is used.
【図５】光硬化性の塗布剤を用いた場合の形成工程図で
ある。FIG. 5 is a process drawing of a case where a photo-curable coating agent is used.
【図６】塗布剤の押圧方法の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a method for pressing a coating agent.
【図７】塗布剤を広げる方法の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a method of spreading a coating agent.
【図８】平坦化膜形成装置の第１実施例の概略構成図で
ある。FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a first embodiment of a planarizing film forming apparatus.
【図９】平坦化膜形成装置の第２実施例の概略構成図で
ある。FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a second embodiment of a flattening film forming apparatus.
【図１０】加熱器を設けた平坦化膜形成装置の概略構成
図である。FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a flattening film forming apparatus provided with a heater.
【図１１】光照射器を設けた平坦化膜形成装置の概略構
成図である。FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a flattening film forming apparatus provided with a light irradiator.
【図１２】基板押圧手段を設けた平坦化膜形成装置の概
略構成図である。FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a flattening film forming apparatus provided with a substrate pressing unit.
【図１３】基体押圧手段を設けた平坦化膜形成装置の概
略構成図である。FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a flattening film forming apparatus provided with a substrate pressing means.
【図１４】平坦化基体が反る平坦化膜形成装置の概略構
成図である。FIG. 14 is a schematic configuration diagram of a flattening film forming apparatus in which a flattening substrate warps.
【図１５】回動手段を設けた平坦化膜形成装置の概略構
成図である。FIG. 15 is a schematic configuration diagram of a flattening film forming apparatus provided with a rotating means.
【図１６】回動手段を設けた平坦化膜形成装置の概略構
成図である。FIG. 16 is a schematic configuration diagram of a flattening film forming apparatus provided with rotating means.
【図１７】ポリシング技術によるグローバル平坦化法の
課題の説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram of a problem of the global flattening method by the polishing technique.
【図１８】回転塗布法の課題の説明図である。FIG. 18 is an explanatory diagram of a problem of the spin coating method.
【図１９】ダミーパターンを用いた回転塗布法の課題の
説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram of a problem of a spin coating method using a dummy pattern.
１〜９ 平坦化膜形成装置 １１ 基板 ２１ 平坦化基体 ３１〜３３ 塗布剤 ３５ 薄膜 ４１ ステージ ５１，５３ 駆動部 ７１，７２ 加熱器 ７５ 光照射器 ８１ 基板押圧手段 ８５ 基体押圧手段 ９１ 基体回動手段 ９４ ステージ回動手段 Ｌ 光線 1-9 Flattening film forming apparatus 11 Substrate 21 Flattening substrate 31-33 Coating agent 35 Thin film 41 Stage 51,53 Driving part 71,72 Heater 75 Light irradiator 81 Substrate pressing means 85 Substrate pressing means 91 Substrate rotating means 94 Stage Rotation Means L Ray
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｑ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01L 21/90 Q
Claims (16)
程と、 前記基板と前記塗布剤を供給した表面に平行に対向する
平坦面を有する平坦化基体とで当該塗布剤を押圧して当
該基板面内に広げる第２工程と、 前記広げた塗布剤を硬化させて、当該基板表面に硬化さ
せた塗布剤からなる薄膜を形成する第３工程と、 前記薄膜から前記平坦化基体を離す第４工程とからなる
ことを特徴とする平坦化膜の形成方法。1. A first step of supplying a coating agent to one surface of a substrate, and a step of pressing the coating agent with the substrate and a flattening substrate having a flat surface facing parallel to the surface of the coating agent supplied. And a second step of spreading the spread coating agent on the surface of the substrate, and a third step of curing the spread coating agent to form a thin film of the cured coating agent on the substrate surface. 4. A method of forming a flattening film, which comprises a fourth step of separating.
いて、 前記第１工程〜前記第３工程を行った後、 第４工程で、前記平坦化基体をエッチングして除去する
ことを特徴とする平坦化膜の形成方法。2. The method of forming a flattening film according to claim 1, wherein after the first step to the third step, the flattening substrate is removed by etching in a fourth step. And a method for forming a planarization film.
の形成方法において、 前記第１工程と前記第２工程とを行った後、 第３工程で、前記基板側および前記平坦化基体側のうち
のいずれか一方側または両方側から広げた塗布剤を加熱
することによって当該塗布剤を硬化させ、当該基板表面
に硬化させた塗布剤からなる薄膜を形成し、 その後前記第４工程を行うことを特徴とする平坦化膜の
形成方法。3. The method of forming a flattening film according to claim 1, wherein after performing the first step and the second step, in the third step, the substrate side and the flattening substrate are formed. By heating the coating agent spread from one or both sides, the coating agent is cured to form a thin film of the cured coating agent on the surface of the substrate, and then the fourth step is performed. A method for forming a flattening film, which is characterized by being performed.
の形成方法において、 第１工程で、基板の一表面に熱可塑性の塗布剤を供給
し、 第２工程で、前記基板と前記平坦化基体とで前記塗布剤
を押圧するとともに当該基板側および当該平坦化基体側
のうちのいずれか一方側または両方側から加熱すること
によって、前記塗布剤を当該基板面内に広げて、 第３工程で、前記広げた塗布剤を冷却することによって
硬化させ、前記基板表面に硬化させた塗布剤からなる薄
膜を形成し、 その後前記第４工程を行うことを特徴とする平坦化膜の
形成方法。4. The method of forming a flattening film according to claim 1, wherein a thermoplastic coating agent is supplied to one surface of the substrate in the first step, and the substrate and the substrate are mixed in the second step. By spreading the coating agent in the plane of the substrate by pressing the coating agent with the flattening substrate and heating from one or both sides of the substrate side and the flattening substrate side, In step 3, the spread coating material is cooled to be hardened to form a thin film of the hardened coating material on the surface of the substrate, and then the fourth step is performed to form a flattening film. Method.
の形成方法において、 第１工程で、基板の一表面に光硬化性の塗布剤を供給
し、 続いて前記第２工程を行った後、 第３工程で、前記平坦化基体を透して前記塗布剤を硬化
させる光線を照射して当該広げた塗布剤を硬化させ、当
該基板表面に硬化させた塗布剤からなる薄膜を形成し、 その後前記第４工程を行うことを特徴とする平坦化膜の
形成方法。5. The method for forming a flattening film according to claim 1, wherein in the first step, a photocurable coating agent is supplied to one surface of the substrate, and then the second step is performed. After that, in the third step, a light beam for curing the coating agent is radiated through the flattening substrate to cure the spread coating agent and form a thin film of the cured coating agent on the surface of the substrate. And then performing the fourth step, the method for forming a planarizing film.
項に記載の平坦化膜の形成方法において、 前記第２工程で、前記基板と前記平坦化基体とで前記塗
布剤を押圧する際に、当該基板および当該平坦化基体の
うちのいずれか一方または両方を対向する側に対して凸
状に反らしてから行うことを特徴とする平坦化膜の形成
方法。6. Any one of claims 1 to 5.
In the method for forming a planarizing film according to the item 1, in pressing the coating agent between the substrate and the planarizing substrate in the second step, one of the substrate and the planarizing substrate, or A method for forming a flattening film, which is characterized in that both are bent in a convex shape with respect to opposite sides.
項に記載の平坦化膜の形成方法において、 前記第２工程で、前記基板と前記平坦化基体とで前記塗
布剤を押圧して広げる際に、当該基板および当該平坦化
基体のうちのいずれか一方または両方を回動させながら
当該基板面内に当該塗布剤を広げることを特徴とする平
坦化膜の形成方法。7. Any one of claims 1 to 6
The method for forming a flattening film according to the item 1, wherein when the coating agent is pressed and spread by the substrate and the flattening substrate in the second step, one of the substrate and the flattening substrate is formed. A method for forming a flattening film, characterized in that the coating material is spread in the surface of the substrate while rotating one or both of them.
項に記載の平坦化膜の形成方法において、 少なくとも前記第２工程を真空雰囲気中で行うことを特
徴とする平坦化膜の形成方法。8. Any one of claims 1 to 7.
The method for forming a flattening film according to item 1, wherein at least the second step is performed in a vacuum atmosphere.
向する平坦面を有する平坦化基体と、 前記平坦化基体を昇降させて当該平坦化基体を前記ステ
ージ側に押圧する駆動部とからなることを特徴とする平
坦化膜形成装置。9. A stage on which a substrate is placed, a flattening substrate having a flat surface facing in parallel to the surface of the substrate placed on the stage, and the flattening substrate being raised and lowered to perform the flattening. A flattening film forming apparatus comprising: a drive unit that presses a substrate toward the stage.
向する平坦面を有する平坦化基体と、 前記ステージを昇降させて当該ステージを前記平坦化基
体側に押圧する駆動部とからなることを特徴とする平坦
化膜形成装置。10. A stage on which a substrate is placed, a flattening substrate having a flat surface facing in parallel to the surface of the substrate placed on the stage, and the stage is raised and lowered to flatten the stage. A flattening film forming apparatus, comprising: a drive unit that presses the flattened substrate side.
化膜形成装置において、 平坦化基体およびステージのうちのいずれか一方または
両方に加熱器を設けたことを特徴とする平坦化膜形成装
置。11. The flattening film forming apparatus according to claim 9 or 10, wherein a heater is provided on one or both of the flattening substrate and the stage. .
化膜形成装置において、 平坦化基体は透光性の材料で形成され、 前記平坦化基体に対して前記ステージとは反対側に塗布
剤を硬化させる光線を発生する光照射器が設けられてい
ることを特徴とする平坦化膜形成装置。12. The flattening film forming apparatus according to claim 9 or 10, wherein the flattening substrate is formed of a translucent material, and the coating agent is provided on the opposite side of the stage to the flattening substrate. A flattening film forming apparatus, which is provided with a light irradiator that generates a light beam that cures.
か１項に記載の平坦化膜形成装置において、 前記ステージの基板載置面側のほぼ中央部に昇降自在な
基板押圧手段を設けたことを特徴とする平坦化膜形成装
置。13. The flattening film forming apparatus according to claim 9, wherein the substrate pressing means is provided at substantially the center of the stage on the substrate mounting surface side and is movable up and down. A flattening film forming apparatus characterized by the above.
３のうちのいずれか１項に記載の平坦化膜形成装置にお
いて、 前記平坦化基体に、当該平坦化基体をステージ側に押圧
して凸状に反らす基体押圧手段を設けたことを特徴とす
る平坦化膜形成装置。14. Claims 9 to 11 and claim 1.
4. The flattening film forming apparatus as described in any one of 3, wherein the flattening substrate is provided with a substrate pressing unit that presses the flattening substrate toward the stage side and bends it in a convex shape. Flattening film forming apparatus.
３のうちのいずれか１項に記載の平坦化膜形成装置にお
いて、 前記平坦化基体は、そのステージ側の面が凸状に反る状
態と平坦面になる状態とを記憶している形状記憶材料で
形成されていることを特徴とする平坦化膜形成装置。15. Claims 9 to 11 and claim 1.
4. The flattening film forming apparatus according to any one of 3, wherein the flattening substrate stores a state in which a stage-side surface of the flattening substrate warps convexly and a state of becoming a flat surface. A flattening film forming apparatus, which is formed of a material.
か１項に記載の平坦化膜形成装置において、 前記平坦化基体を回動させる基体回動手段および前記ス
テージを回動させるステージ回動手段のうちのいずれか
一方または両方を設けたことを特徴とする平坦化膜形成
装置。16. The flattening film forming apparatus according to claim 9, wherein the flattening substrate is rotated by a substrate rotating unit and the stage is rotated by a stage. A flattening film forming apparatus, characterized in that either one or both of the moving means are provided.
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|---|---|---|---|
| JP2610594A JPH07221006A (en) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | Method and equipment for forming flattened film |
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|---|---|---|---|
| JP2610594A JPH07221006A (en) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | Method and equipment for forming flattened film |
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| JPH07221006A true JPH07221006A (en) | 1995-08-18 |
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ID=12184322
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2610594A Pending JPH07221006A (en) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | Method and equipment for forming flattened film |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JPH07221006A (en) |
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1994
- 1994-01-28 JP JP2610594A patent/JPH07221006A/en active Pending
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