JPH07211818A - Semiconductor device and heat spreader for the device - Google Patents
Semiconductor device and heat spreader for the deviceInfo
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- JPH07211818A JPH07211818A JP11935894A JP11935894A JPH07211818A JP H07211818 A JPH07211818 A JP H07211818A JP 11935894 A JP11935894 A JP 11935894A JP 11935894 A JP11935894 A JP 11935894A JP H07211818 A JPH07211818 A JP H07211818A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、放熱性の優れた半導体
装置および該半導体装置に使用されるヒートスプレッダ
ーに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having excellent heat dissipation and a heat spreader used for the semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の高集積化かつ大容量化に伴
い、半導体チップの発熱量が増加してきており、図１２
に示すように、半導体チップ１をヒートスプレッダー２
に搭載した樹脂封止型半導体装置が使用されている。ヒ
ートスプレッダー２は、半導体チップ１の放熱効果を発
揮するために、熱伝導性のよいＣｕや４２％Ｎｉ−Ｆｅ
合金（４２Ｎｉ合金）などの金属材料で構成されてい
る。図１２の半導体装置において、半導体チップ１は、
Ａｇペースト等の接合材１９でヒートスプレッダー２に
接合され、またインナリード１６とボンディングワイヤ
１７で接続されている。そして、ヒートスプレッダー２
は絶縁性材料からなる接合材２０でインナリード１６に
接続されており、これらが樹脂１８で封止されている。
また、ヒートスプレッダー２の底面が樹脂１８から露出
しているものもある。インナリード１６の他端は樹脂１
８から出てアウタリード２４を構成し、半田２５を付着
している。このような樹脂封止型半導体装置を回路基板
２６に実装する際は、熱照射や加熱によって半田２５を
融解する、いわゆるリフロー処理に付される。なお、ヒ
ートスプレッダー２は、ヒートシンク、ヘッダーなどと
呼ばれることもある。2. Description of the Related Art As a semiconductor device is highly integrated and has a large capacity, the heat generation amount of a semiconductor chip is increasing.
As shown in, the semiconductor chip 1 and the heat spreader 2
The resin-sealed type semiconductor device mounted on is used. The heat spreader 2 is made of Cu or 42% Ni-Fe, which has good thermal conductivity, in order to exert the heat radiation effect of the semiconductor chip 1.
It is made of a metal material such as an alloy (42Ni alloy). In the semiconductor device of FIG. 12, the semiconductor chip 1 is
It is bonded to the heat spreader 2 with a bonding material 19 such as Ag paste, and is also connected to the inner leads 16 and bonding wires 17. And heat spreader 2
Are connected to the inner leads 16 with a bonding material 20 made of an insulating material, and these are sealed with a resin 18.
In addition, the bottom surface of the heat spreader 2 may be exposed from the resin 18. The other end of the inner lead 16 is resin 1
8 to form the outer lead 24, and the solder 25 is attached thereto. When mounting such a resin-encapsulated semiconductor device on the circuit board 26, it is subjected to so-called reflow processing, which melts the solder 25 by heat irradiation or heating. The heat spreader 2 may also be called a heat sink, a header, or the like.
【０００３】半導体装置をリフロー処理すると、ヒート
スプレッダー２と樹脂１８の熱膨張差に起因して、両者
の境界が剥離したり、境界の樹脂にクラックが発生する
こともあり、さらに、その剥離部の水分が膨張して樹脂
のクラックが拡大することもある。また一般に、半導体
装置の封止樹脂には、エポキシ樹脂など吸湿性を有する
ものが使用されるため、経時的に水分を吸収する傾向が
ある。そして樹脂１８とヒートスプレッダー２との境界
に水分が溜まりやすい。これをリフロー処理すると、加
熱によって水分が急激に膨張し、図１２に示すように、
主にヒートスプレッダー２のコーナー部にクラック２７
が生じる。When the semiconductor device is subjected to reflow processing, the boundary between the heat spreader 2 and the resin 18 may be separated due to the difference in thermal expansion between them, or the resin at the boundary may be cracked. The water content may expand and cracks in the resin may expand. In general, a sealing resin for semiconductor devices, which has hygroscopicity such as epoxy resin, is used, and therefore tends to absorb moisture over time. Then, water easily accumulates at the boundary between the resin 18 and the heat spreader 2. When this is reflowed, the water content expands rapidly due to heating, and as shown in FIG.
Cracks 27 mainly in the corners of the heat spreader 2
Occurs.
【０００４】従来、このような問題の解決手段が各種提
案されている。まず、樹脂とヒートスプレッダーとの熱
膨張差による問題点の解決策として、特開平４−２９３
６０号公報には、Ｓｉ半導体素子と熱膨張係数の近い４
２Ｎｉ合金をリードフレームに使用し、熱伝導性がよ
く、かつ熱膨張係数が４２Ｎｉ合金に近いＭｏ，Ｗ，Ａ
ｌＮをヒートスプレッダーに使用することが提案されて
いる。また、樹脂の剥離やクラック発生の防止策とし
て、特開平１−５０４３号公報には、ヒートスプレッダ
ーに、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂などの有機皮
膜、あるいは該皮膜中にアルミナ、シリカを例とする金
属酸化物を混入した皮膜を形成することが記載され、特
開平４−２５０５２号公報には、ポリイミド系の絶縁性
有機高分子化合物および低融点ガラスを例とする絶縁性
無機高分子化合物の皮膜を形成することが、それぞれ記
載されている。Conventionally, various means for solving such a problem have been proposed. First, as a solution to the problem due to the difference in thermal expansion between the resin and the heat spreader, Japanese Patent Laid-Open No. 4-293
No. 60 discloses a semiconductor device having a thermal expansion coefficient close to that of the Si semiconductor device.
2Ni alloy is used for the lead frame, it has good thermal conductivity, and its thermal expansion coefficient is close to that of 42Ni alloy, Mo, W, A.
It has been proposed to use 1N in a heat spreader. Further, as a measure for preventing resin peeling and cracking, Japanese Patent Laid-Open No. 1-5043 discloses that a heat spreader includes an organic film such as a polyimide resin or an epoxy resin, or alumina or silica in the film. It is described that a film containing a metal oxide is formed, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-25052 discloses an insulating inorganic polymer compound such as a polyimide-based insulating organic polymer compound and a low melting point glass. Forming a film is described in each.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、樹脂とヒートスプレッダーの熱膨張差による問題の
解決策を提案している特開平４−２９３６０号公報の技
術については、ヒートスプレッダーに使用されるＭｏ，
Ｗ，ＡｌＮの熱伝導度がＡｌやＣｕに比べて低いため、
高速かつ大容量の半導体装置としては問題が残る。また
ヒートスプレッダーの皮膜については、特開平１−５０
４３号公報のような有機皮膜は、皮膜自体が吸湿性を有
しており、特開平４−２５０５２号公報のようなガラス
皮膜は皮膜の強度に問題がある。本発明は、熱放散性に
優れ、かつリフロー処理時などにおける樹脂の剥離やク
ラック発生の問題を解決した高速大容量の半導体装置、
および該半導体装置に使用されるヒートスプレッダーを
提供することを目的とする。The technique of Japanese Patent Laid-Open No. 4-29360, which proposes a solution to the problem due to the difference in thermal expansion between the resin and the heat spreader in the above-mentioned prior art, is used for the heat spreader. Mo,
Since the thermal conductivity of W and AlN is lower than that of Al and Cu,
A problem remains as a high-speed and large-capacity semiconductor device. Regarding the film of the heat spreader, JP-A-1-50
The organic film as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 43-43 has hygroscopicity, and the glass film as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-25052 has a problem in film strength. The present invention is a high-speed large-capacity semiconductor device that has excellent heat dissipation and has solved the problems of resin peeling and cracking during reflow processing,
And it aims at providing the heat spreader used for this semiconductor device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明半導体装置は、半導体チップ、半導体チップを
搭載するヒートスプレッダー、および半導体チップと接
続されたインナリードが樹脂で封止された樹脂封止型半
導体装置において、ヒートスプレッダーがＦｅ系金属と
Ｃｕ系金属の複合体からなり、該Ｃｕ系金属が上下に貫
通して埋設されていることを特徴とする。そしてヒート
スプレッダーがＳｉ溶射皮膜を有しているのが好まし
い。さらに、半導体チップの反対側にて、ヒートスプレ
ッダーに放熱フィンが露出して装着されているのが好ま
しい。また、ヒートスプレッダーが樹脂に封入され、該
ヒートスプレッダーを構成するＣｕ系金属が左右に展開
する複数の帯状体であるのが好ましい。A semiconductor device of the present invention for achieving the above object is a resin in which a semiconductor chip, a heat spreader on which the semiconductor chip is mounted, and an inner lead connected to the semiconductor chip are sealed with a resin. In the sealed semiconductor device, the heat spreader is composed of a composite of Fe-based metal and Cu-based metal, and the Cu-based metal is vertically penetrated and embedded. And it is preferable that the heat spreader has a Si spray coating. Further, it is preferable that the heat dissipating fins are exposed and attached to the heat spreader on the opposite side of the semiconductor chip. In addition, it is preferable that the heat spreader is enclosed in a resin, and the Cu-based metal that constitutes the heat spreader is a plurality of strip-shaped bodies that spread to the left and right.
【０００７】本発明のヒートスプレッダーは、Ｆｅ系金
属とＣｕ系金属の複合体からなり、該Ｃｕ系金属が上下
に貫通して埋設されていることを特徴とする。そして複
数のＦｅ系金属と複数のＣｕ系金属とが混合して埋設さ
れ、該Ｃｕ系金属が上下に貫通してなるコアを有してい
るのが好ましく、またＳｉ溶射皮膜を有しているのが好
ましく、さらに半導体チップ搭載面の反対側にて放熱フ
ィンが装着されているのが好ましい。The heat spreader of the present invention comprises a composite of Fe-based metal and Cu-based metal, and is characterized in that the Cu-based metal is vertically penetrated and embedded. It is preferable that a plurality of Fe-based metals and a plurality of Cu-based metals are mixed and buried, and that the core has a vertically penetrating Cu-based metal, and also has a Si spray coating. It is preferable that the heat radiation fins are mounted on the side opposite to the semiconductor chip mounting surface.
【０００８】[0008]
【作用】以下、本発明を図面により説明する。本発明の
半導体装置は、図１の例に示すように、半導体チップ
１、半導体チップ１を搭載するヒートスプレッダー２、
および半導体チップ１とボンディングワイヤ１７で接続
されたインナリード１６が樹脂１８で封止された樹脂封
止型半導体装置において、ヒートスプレッダー２がＦｅ
系金属３とＣｕ系金属４の複合体からなり、Ｃｕ系金属
４が上下に貫通して埋設されている。図１の例は、Ｃｕ
系金属４の複数本の柱体（図の断面では３本見える）が
半導体チップ１の搭載位置にて上下に貫通して埋設され
ている。半導体チップ１はＡｇペーストなどの接合材１
９でヒートスプレッダー２に、また絶縁性の接合材２０
でインナリード１６に接合されている。接合材２０は絶
縁性テープの両面に接着剤のついた両面テープなどが使
用される。ヒートスプレッダー２は、図１のように底面
が露出しているほか、図２のように樹脂１８内に封入さ
れていてもよい。また、図３のように半導体チップ１の
上側に接合されていてもよい。図２の例では、ヒートス
プレッダー２はＳｉ溶射皮膜５を有している。なおイン
ナリード１６は低熱膨張係数を有するＦｅ−Ｎｉ合金と
するのが望ましい。The present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in the example of FIG. 1, the semiconductor device of the present invention includes a semiconductor chip 1, a heat spreader 2 on which the semiconductor chip 1 is mounted,
In the resin-sealed semiconductor device in which the inner lead 16 connected to the semiconductor chip 1 with the bonding wire 17 is sealed with the resin 18, the heat spreader 2 is made of Fe.
It is composed of a composite of the system metal 3 and the Cu system metal 4, and the Cu system metal 4 penetrates vertically and is embedded. The example in FIG. 1 is Cu
A plurality of pillars of the base metal 4 (three visible in the cross section of the figure) are vertically embedded at the mounting position of the semiconductor chip 1 and embedded. The semiconductor chip 1 is a bonding material 1 such as Ag paste.
9 to the heat spreader 2 and the insulating bonding material 20
It is joined to the inner lead 16. As the bonding material 20, a double-sided tape having an adhesive on both sides of an insulating tape is used. The heat spreader 2 has a bottom surface exposed as shown in FIG. 1 and may be enclosed in a resin 18 as shown in FIG. Further, it may be bonded to the upper side of the semiconductor chip 1 as shown in FIG. In the example of FIG. 2, the heat spreader 2 has a Si thermal spray coating 5. The inner lead 16 is preferably made of a Fe-Ni alloy having a low coefficient of thermal expansion.
【０００９】さらに、ヒートスプレッダー２は各種形状
のものを採用することができ、その主なものを図４に示
す。図４（ａ）はインナリード１６を支持する受台２２
を設けたもの、図４（ｂ）は半導体チップ１を凹部２３
で接合させることにより薄型化したもの、図４（ｃ）は
さらにヒートスプレッダー２の露出している下面にもＳ
ｉ溶射被膜７を形成したものである。図４（ｄ）はＴＣ
Ｐ（Tape Carrior Package）の半導体装置を示し、ボン
ディングワイヤを使用せず、半導体チップ１とインナリ
ード１６をＴＡＢ（Tape Au-tomated Bonding)で接続し
たものに本発明のヒートスプレッダー２を採用したもの
である。図４（ｅ）は複数個の半導体チップ１を搭載し
たマルチタイプのものであり、各チップ１の搭載位置の
ヒートスプレッダー２にＣｕ系金属４が埋設されてい
る。同図において１５は、プリント配線されたＦＰＣ
（Flexible PrintedCurcuit）テープであり、これにボ
ンディングワイヤ１７が接続される。なお、ＦＰＣに替
えて、ＴＡＢテープなどを用いることもできる。Further, the heat spreader 2 can adopt various shapes, and the main ones are shown in FIG. FIG. 4A shows a cradle 22 that supports the inner leads 16.
4B, the semiconductor chip 1 is provided with a recess 23.
4 (c) is further thinned by being joined to the heat spreader 2 on the exposed lower surface.
The i sprayed coating 7 is formed. Figure 4 (d) shows TC
1 shows a semiconductor device of P (Tape Carrior Package), in which the semiconductor chip 1 and the inner lead 16 are connected by TAB (Tape Au-tomated Bonding) without using a bonding wire, and the heat spreader 2 of the present invention is adopted. Is. FIG. 4E shows a multi-type in which a plurality of semiconductor chips 1 are mounted, and a Cu-based metal 4 is embedded in the heat spreader 2 at the mounting position of each chip 1. In the figure, 15 is an FPC with printed wiring.
(Flexible Printed Curcuit) tape to which the bonding wire 17 is connected. Note that a TAB tape or the like can be used instead of the FPC.
【００１０】このように本発明の半導体装置は、ヒート
スプレッダー２が、Ｆｅ系金属３とＣｕ系金属４の複合
体で構成されているので、両金属の組成および複合の割
合を調整することにより、ヒートスプレッダー２の熱膨
張係数を樹脂１８の熱膨張係数に近似させることができ
る。すなわち樹脂１８はエポキシ樹脂などからなり、そ
の熱膨張係数が１２〜１５×１０-6／℃であるのに対
し、Ｆｅは熱膨張係数が１１．７５×１０-6／℃、Ｃｕ
は１７×１０-6／℃であるから、両金属あるいは両金属
を主とする合金の複合体により、熱膨張係数を樹脂１８
に近似させたヒートスプレッダー２を構成することがで
きる。このため、ヒートスプレッダー２と樹脂１８の熱
膨張差による接着劣化が防止されるとともに、リフロー
処理時および実用時において、樹脂との境界の剥離やク
ラック発生が防止される。さらにヒートスプレッダー２
は熱伝導率の高いＣｕ系金属４を、上下に貫通して複合
しているので、半導体チップ１の熱を効果的に放熱する
ことができる。As described above, in the semiconductor device of the present invention, since the heat spreader 2 is composed of the composite of the Fe-based metal 3 and the Cu-based metal 4, the composition and ratio of the composite of both metals are adjusted. The thermal expansion coefficient of the heat spreader 2 can be approximated to the thermal expansion coefficient of the resin 18. That is, the resin 18 is made of epoxy resin or the like and has a thermal expansion coefficient of 12 to 15 × 10 −6 / ° C., whereas Fe has a thermal expansion coefficient of 11.75 × 10 −6 / ° C. and Cu.
Is 17 × 10 −6 / ° C., the thermal expansion coefficient of the resin is 18% by a composite of both metals or an alloy mainly containing both metals.
The heat spreader 2 can be configured to approximate For this reason, adhesion deterioration due to the difference in thermal expansion between the heat spreader 2 and the resin 18 is prevented, and at the time of reflow processing and during practical use, peeling of the boundary with the resin and generation of cracks are prevented. Heat spreader 2
Since the Cu-based metal 4 having a high thermal conductivity is vertically penetrated to form a composite, the heat of the semiconductor chip 1 can be effectively radiated.
【００１１】ヒートスプレッダー２を構成するＦｅ系金
属３としては、Ｆｅ（純鉄、軟鋼等の炭素鋼等を総称
し、以下Ｆｅと記す）、アンバーと呼ばれるＦｅ−３５
〜３７％Ｎｉ合金、リードフレーム用として一般に採用
されているＦｅ−４２％Ｎｉ合金（４２Ｎｉ合金）等の
Ｆｅ−Ｎｉ合金等を採用することができる。Ｃｕ系金属
４としては、ＣｕおよびＣｕの熱伝導率３９３Ｗ／ｍＫ
±１０％程度の良好な熱伝導性を有するＣｕ合金とする
のが好ましい。Ｆｅ系金属３としてＦｅ−Ｎｉ合金を採
用した場合、Ｆｅ−Ｎｉ合金製のインナリード１６との
接着後の変形も見られず良好である。またＦｅ−Ｎｉ合
金製のインナリードは、強度に優れ、多ピン構造に適し
ている。As the Fe-based metal 3 constituting the heat spreader 2, Fe (generally referred to as pure iron, carbon steel such as mild steel, etc., hereinafter referred to as Fe), and Fe-35 called amber.
˜37% Ni alloy, and Fe—Ni alloy such as Fe—42% Ni alloy (42Ni alloy) generally used for lead frames can be adopted. As the Cu-based metal 4, Cu and the thermal conductivity of Cu are 393 W / mK.
It is preferable to use a Cu alloy having a good thermal conductivity of about ± 10%. When an Fe-Ni alloy is adopted as the Fe-based metal 3, no deformation is observed after adhesion with the inner lead 16 made of the Fe-Ni alloy, which is good. The inner lead made of Fe-Ni alloy has excellent strength and is suitable for a multi-pin structure.
【００１２】本発明の半導体装置において、ヒートスプ
レッダー２がＳｉ溶射皮膜５を有していると、樹脂１８
との密着性が優れ、リフロー処理および実用時における
樹脂１８のクラック発生を防止することができる。これ
は、Ｓｉあるいはその表面に形成されている可能性のあ
る酸化珪素と、樹脂１８とのなじみが良いこと、および
Ｓｉ溶射皮膜５が、溶射皮膜特有の表面あらさを有して
いることに起因すると考えられる。また、Ｓｉ溶射皮膜
５は、Ａｇペースト等との接着性もよく、半導体チップ
１と接合する場合にも問題ない。なお、図示した本発明
半導体装置において、Ｓｉ溶射皮膜を示してないものが
あるが、それらについてもＳｉ溶射皮膜を施すことによ
り同様の効果が得られる。In the semiconductor device of the present invention, when the heat spreader 2 has the Si spray coating 5, the resin 18
It has excellent adhesion with and can prevent cracking of the resin 18 during reflow treatment and practical use. This is because Si or silicon oxide which may be formed on the surface thereof is well compatible with the resin 18, and the Si spray coating 5 has a surface roughness peculiar to the spray coating. It is thought that. Further, the Si sprayed coating 5 has good adhesiveness with Ag paste or the like, and there is no problem when it is bonded to the semiconductor chip 1. Although some of the semiconductor devices of the present invention shown do not show the Si spray coating, the same effect can be obtained by applying the Si spray coating.
【００１３】さらに、本発明の半導体装置において、図
５あるいは図６に示すように、ヒートスプレッダー２の
Ｃｕ系金属４に、半導体チップ１の反対側にて、放熱フ
ィン６が露出して装着されているのが好ましい。このよ
うな放熱フィンにより、半導体チップ１の熱をより効果
的に放熱することができる。また、本発明の半導体装置
において、図２のようにヒートスプレッダー２が樹脂１
８に封入されているものは、Ｃｕ系金属４が左右に展開
する複数の帯状体であるのが好ましい。具体例を示す
と、図１１のようなゼブラ構造のもので、図２のヒート
スプレッダー２は、図１１（ｂ）に相当し、その詳細は
後述のとおりである。図２のような構造においては、半
導体チップ１の熱が、ヒートスプレッダー２の主として
帯状のＣｕ系金属４を通って横方向に伝導され、インナ
リード１６を経て外部に放熱されるので、放熱効果が優
れている。さらに、本発明の半導体装置は、以下に述べ
る本発明のヒートスプレッダーを採用したものとするこ
とができる。Further, in the semiconductor device of the present invention, as shown in FIG. 5 or 6, the heat radiation fin 6 is mounted on the Cu-based metal 4 of the heat spreader 2 on the side opposite to the semiconductor chip 1 so as to be exposed. Is preferred. With such a radiation fin, the heat of the semiconductor chip 1 can be radiated more effectively. In the semiconductor device of the present invention, the heat spreader 2 is made of resin 1 as shown in FIG.
What is enclosed in 8 is preferably a plurality of strips in which the Cu-based metal 4 expands left and right. As a specific example, the heat spreader 2 of FIG. 2 has a zebra structure as shown in FIG. 11, which corresponds to FIG. 11B, and details thereof will be described later. In the structure shown in FIG. 2, the heat of the semiconductor chip 1 is laterally conducted mainly through the band-shaped Cu-based metal 4 of the heat spreader 2 and is radiated to the outside through the inner leads 16, so that the heat radiation effect is obtained. Is excellent. Further, the semiconductor device of the present invention may employ the heat spreader of the present invention described below.
【００１４】つぎに、本発明のヒートスプレッダーにつ
いて説明する。図７は、Ｆｅ系金属３からなる板状ブロ
ックに、複数本のＣｕ系金属４が上下に貫通して埋設さ
れているもので、インナリードを支持する受台２２が設
けてあり、Ｓｉ溶射皮膜５が施されている。図８（ａ）
はコア１０が枠体１１に埋設されたもので、図７と同様
に受台２２が設けてあり、Ｓｉ溶射皮膜５が施されてい
る。コア１０は、半導体チップ搭載位置では図８（ｂ）
のように上下に貫通して埋設されており、図８（ｃ）の
ように複数本のＦｅ系金属３と複数本のＣｕ系金属４を
混合し、Ｚｎ合金２９やＳｎ合金などの低融点金属で互
いに接合されている。このヒートスプレッダーは、コア
１０を枠体１１に嵌め込んで製造することができ、ま
た、Ｆｅ系金属製ビレットの孔に、両金属３、４の線を
混合して挿入し、低融点金属を鋳込んだものを輪切りに
して製造することもできる。図８（ｂ）に示すヒートス
プレッダーは、側面に多条の溝１２が設けてある。側面
に多条の溝１２を設けると樹脂１８との密着性がより向
上する。溝１２は四角柱状のヒートスプレッダーの４面
全てに設けてもよく、一部の面に設けてもよい。このよ
うな溝付きのヒートスプレッダーは、図９（ａ）あるい
は図９（ｂ）に示すように、棒材１３の側面にあらかじ
め切削加工などにより溝１２を設けておき、切断線１４
で輪切りにして製造することができる。Next, the heat spreader of the present invention will be described. FIG. 7 shows a plate-shaped block made of Fe-based metal 3 in which a plurality of Cu-based metals 4 are vertically penetrated and embedded, and a pedestal 22 for supporting the inner leads is provided. The film 5 is applied. Figure 8 (a)
The core 10 is embedded in the frame body 11, the pedestal 22 is provided similarly to FIG. 7, and the Si thermal spray coating 5 is applied. The core 10 is shown in FIG. 8B at the semiconductor chip mounting position.
As shown in FIG. 8C, a plurality of Fe-based metals 3 and a plurality of Cu-based metals 4 are mixed to form a low melting point such as Zn alloy 29 or Sn alloy. Bonded to each other with metal. This heat spreader can be manufactured by fitting the core 10 into the frame body 11. Moreover, the wires of both metals 3 and 4 are mixed and inserted into the holes of the Fe-based metal billet to insert the low melting point metal. It can also be manufactured by cutting the cast product into slices. The heat spreader shown in FIG. 8B has multiple grooves 12 on its side surface. Providing multiple grooves 12 on the side surface further improves the adhesion to the resin 18. The groove 12 may be provided on all four surfaces of the square column heat spreader, or may be provided on part of the surface. In such a grooved heat spreader, as shown in FIG. 9A or FIG. 9B, a groove 12 is provided on a side surface of a bar material 13 in advance by cutting or the like, and a cutting line 14 is formed.
It can be sliced and manufactured.
【００１５】図１０は、本発明ヒートスプレッダーの他
の例の平面図および中央部断面図を示している。図１０
（ａ）は、円柱状のＣｕ３０を平板状のＦｅ３１の中央
部に上下貫通して埋設したもの、図１０（ｂ）は円柱状
のＣｕ３０を複数本、同様に埋設したものである。図１
０（ｃ）はＣｕ３０をＦｅ−Ｎｉ合金３２のパイプに嵌
入したものを、平板状のＦｅ３１に上下貫通して埋設し
たものである。図１０（ｄ）は多数の円柱状のＣｕ３０
およびＦｅ−Ｎｉ合金３２を、低融点のＺｎ合金２９で
互いに接合したコア１０を平板状のＦｅ３１の枠体１１
に上下貫通して埋設したものである。図１０（ｅ）はＣ
ｕ３０をＦｅ−Ｎｉ合金３２のパイプに嵌入したもの多
数を、Ｚｎ合金２９で互いに接合したコア１０を同様に
して埋設したものである。図１１は、本発明ヒートスプ
レッダーの他の例の斜視図を示し、Ｃｕ３０が左右に展
開する複数の帯状体であり、Ｆｅ３１と交互に平面的に
層状になったゼブラ構造をなしている。図１１（ａ）は
１枚のゼブラ構造であり、図１１（ｂ）は２枚のゼブラ
構造を各層が直交するように重ねて圧着したものであ
る。図１１（ａ）のものは熱膨張および熱伝導の異方性
があるが、図１１（ｂ）のものはそれが改良されてい
る。FIG. 10 shows a plan view and a central sectional view of another example of the heat spreader of the present invention. Figure 10
FIG. 10A shows a columnar Cu 30 vertically embedded in a central portion of a plate-shaped Fe 31, and FIG. 10B shows a plurality of columnar Cu 30 similarly embedded. Figure 1
0 (c) is a plate in which Cu30 is fitted into a pipe of Fe—Ni alloy 32 and is vertically penetrated and embedded in a flat Fe31. FIG. 10D shows a large number of columnar Cu30s.
And the Fe-Ni alloy 32 are joined to each other with the Zn alloy 29 having a low melting point.
It is one that is embedded vertically through. FIG. 10 (e) is C
A large number of u30 fitted in a pipe of Fe—Ni alloy 32 are embedded in the same manner as the core 10 bonded to each other with a Zn alloy 29. FIG. 11 is a perspective view of another example of the heat spreader of the present invention, which is a plurality of strips in which Cu30 spreads to the left and right, and which has a zebra structure in which two or more Fe31 are alternately layered in a plane. FIG. 11A shows one zebra structure, and FIG. 11B shows two zebra structures that are stacked and crimped so that the layers are orthogonal to each other. 11 (a) has anisotropy of thermal expansion and heat conduction, but that of FIG. 11 (b) is improved.
【００１６】図１０（ｂ）〜（ｅ）および図１１におい
ては、半導体チップと接合する面にコーティング層３３
を設けている。コーティング層３３は、Ｃｕ等の熱伝導
性の良い金属をメッキや蒸着により施したものであり、
半導体チップの熱を複数のＣｕ系金属に伝導して放熱を
効果的に行うことができる。コーティング層３３は、図
７および図８（ａ）のヒートスプレッダーのＳｉ溶射皮
膜５の内側に設けてもよい。また図１０および図１１の
ヒートスプレッダーにおいても、図８（ｂ）のように側
面に溝１２を設けることができ、図７のように受台２２
を設けることもできる。なお図１０および図１１の例に
おいて、ＦｅはＦｅ−Ｎｉ合金と、Ｆｅ−Ｎｉ合金はＦ
ｅと、それぞれ置換えることができる。Ｃｕは、前記の
ような、熱伝導率が３９３Ｗ／ｍＫ±１０％程度の良好
な熱伝導性を有するＣｕ合金と置換えることができる。
また、図１０（ｄ）および（ｅ）において、Ｚｎ合金２
９はＳｎ合金などの低融点合金に置換えることができ
る。10 (b) to 10 (e) and FIG. 11, the coating layer 33 is formed on the surface to be joined to the semiconductor chip.
Is provided. The coating layer 33 is formed by plating a metal having a good thermal conductivity such as Cu by plating or vapor deposition,
The heat of the semiconductor chip can be conducted to a plurality of Cu-based metals to effectively dissipate heat. The coating layer 33 may be provided inside the Si thermal spray coating 5 of the heat spreader of FIGS. 7 and 8A. Also in the heat spreader of FIGS. 10 and 11, the groove 12 can be provided on the side surface as shown in FIG. 8B, and the pedestal 22 can be provided as shown in FIG.
Can be provided. 10 and 11, Fe is an Fe-Ni alloy and Fe-Ni alloy is F.
e, respectively. Cu can be replaced with the Cu alloy having a good thermal conductivity of about 393 W / mK ± 10% as described above.
In addition, in FIGS. 10D and 10E, Zn alloy 2
9 can be replaced with a low melting point alloy such as Sn alloy.
【００１７】本発明のヒートスプレッダーは、Ｆｅ系金
属３とＣｕ系金属４の複合体で構成されているので、前
述のように、両金属の組成および複合の割合を調整する
ことで、熱膨張係数を樹脂の熱膨張係数に近似させるこ
とができ、樹脂との熱膨張差による接着劣化が防止され
るとともに、リフロー処理時および実用時において、樹
脂との境界の剥離やクラック発生が防止される。その
上、熱伝導率の高いＣｕ系金属４を上下に貫通して複合
しているので、半導体チップ１の熱を効果的に放熱する
ことができる。Since the heat spreader of the present invention is composed of a composite of Fe-based metal 3 and Cu-based metal 4, as described above, the thermal expansion can be achieved by adjusting the composition and ratio of the composite of both metals. The coefficient can be approximated to the coefficient of thermal expansion of the resin, preventing adhesion deterioration due to the difference in thermal expansion with the resin, and preventing peeling of the boundary with the resin and the occurrence of cracks during reflow processing and during practical use. . Moreover, since the Cu-based metal 4 having a high thermal conductivity is vertically penetrated to form a composite, the heat of the semiconductor chip 1 can be effectively radiated.
【００１８】以上述べた本発明の各種ヒートスプレッダ
ーは、図７および図８（ａ）の例に示すように、Ｓｉ溶
射皮膜５を施していると、樹脂との密着性がより向上す
る。Ｓｉ溶射皮膜５はヒートスプレッダーの両面にあっ
てもよく、また半導体チップ側の面あるいは反対側の面
のみにあってもよい。皮膜の厚さは１〜３０μｍとする
のが好ましい。１μｍ未満では十分な密着性が得られな
い場合が生じ、３０μｍを越えても効果が飽和する。Ｓ
ｉ溶射皮膜５を形成するには、通常の溶射法により大気
中で行うことができる。部分的に溶射する場合は、溶射
不要部をマスクで遮蔽して行えばよい。溶射によれば、
ヒートスプレッダーの端面にも回りこんで溶射皮膜が形
成される。また、溶射前にヒートスプレッダーを、２０
０〜３００℃程度の酸化されない温度に予熱するとＳｉ
溶射皮膜が形成されやすい。さらに、Ｓｉ溶射皮膜を形
成する前のヒートスプレッダーの表面は、サンドブラス
ト処理等により粗面にしておくのがよく、平均あらさで
１〜４μｍ程度が好ましい。As shown in the examples of FIGS. 7 and 8 (a), the various heat spreaders of the present invention described above are provided with the Si thermal spray coating 5, so that the adhesion to the resin is further improved. The Si sprayed coating 5 may be on both surfaces of the heat spreader, or may be on only the surface on the semiconductor chip side or the surface on the opposite side. The thickness of the film is preferably 1 to 30 μm. If it is less than 1 μm, sufficient adhesion may not be obtained, and if it exceeds 30 μm, the effect is saturated. S
The i sprayed coating 5 can be formed in the atmosphere by a normal spraying method. In the case of partial thermal spraying, it suffices to shield the non-thermal spraying portion with a mask. According to thermal spraying
A thermal spray coating is formed around the end surface of the heat spreader. In addition, before spraying the heat spreader,
When preheated to a temperature of 0 to 300 ° C that does not oxidize, Si
A thermal spray coating is easily formed. Furthermore, the surface of the heat spreader before forming the Si sprayed coating is preferably roughened by sandblasting or the like, and the average roughness is preferably about 1 to 4 μm.
【００１９】また本発明の各種ヒートスプレッダーは、
図５および図６に示したように放熱フィン６を有してい
るのが好ましい。放熱フィン６は、図５では、基板７か
ら縦方向に複数のフィン８が伸びており、図６では支柱
９から横方向に伸びている。いずれも接合材２１でヒー
トスプレッダー２のＣｕ系金属４に接合されている。放
熱フィン６の材料としては、熱伝導率の高いＣｕ，Ａｌ
などを採用することができる。なお本発明のヒートスプ
レッダーにおいて、図７あるいは図８（ａ）のような受
台２２を設けた場合、受台２２の部分の皮膜をＡｌ2 Ｏ
3 などの絶縁体皮膜にすると、接着剤のみでインナリー
ド１６と接合することができる。またインナリード１６
との接合をカシメにより行うこともできる。The various heat spreaders of the present invention are
It is preferable to have a radiation fin 6 as shown in FIGS. 5 and 6. In FIG. 5, the plurality of fins 8 extend from the substrate 7 in the vertical direction, and in FIG. 6, the heat radiation fins 6 extend from the support column 9 in the horizontal direction. Both are bonded to the Cu-based metal 4 of the heat spreader 2 with the bonding material 21. As the material of the radiation fin 6, Cu, Al having high thermal conductivity is used.
Can be adopted. In the heat spreader of the present invention, when the pedestal 22 as shown in FIG. 7 or FIG. 8A is provided, the film on the pedestal 22 is coated with Al 2 O.
When an insulating film such as 3 is used, it is possible to bond the inner lead 16 with only the adhesive. Also inner lead 16
It can also be joined by caulking.
【００２０】図７および図１０（ａ）〜（ｃ）のよう
に、板状ブロックに円柱状のＣｕ系金属を埋設したヒー
トスプレッダーは、所要の形状に成形したＦｅ系金属に
穿孔し、該孔にＣｕ系金属を焼きばめ等により装着して
製造することができる。また、Ｆｅ系金属製のビレット
に縦方向に穿孔し、該孔にＣｕ系金属の棒を挿入し圧延
等の加工を行って小断面化したものを輪切りにし、所要
の形状に加工して製造することもできる。またＣｕ系金
属の円柱に替えて、角柱など各種形状のものを採用する
ことができる。また、コアを有するヒートスプレッダー
の製造法について、図８のものは前記のとおりであり、
図１０（ｄ）および（ｅ）も、前記図８のものと同様、
複数本の各種線状金属を低融点金属で互いに接合したコ
ア１０を枠体１１に嵌め込んで製造することができ、ま
た、Ｆｅ系金属製ビレットの孔に、各種線状金属を混合
して挿入し、低融点金属を鋳込んだものを輪切りにして
製造することもできる。この他、棒状のＣｕ系金属およ
びＦｅ系金属、あるいはＦｅ−Ｎｉ合金の細径パイプ内
にＣｕ系金属を充填した棒材を、比較的厚肉のＦｅ製パ
イプに嵌入し、これを熱間押出し加工したのち、輪切り
にして製造することもできる。この場合はＺｎ合金など
の低融点合金で接合する必要がない。図１１のようなゼ
ブラ構造のヒートスプレッダーは、Ｃｕ系金属およびＦ
ｅ系金属の薄板（円盤、角盤等）を交互に積み重ねたも
のを熱間静水圧プレス等により圧着してディスク状に
し、これを圧延して得た板を、打抜き加工等により切り
出して製造することができる。As shown in FIGS. 7 and 10 (a) to 10 (c), a heat spreader in which a cylindrical Cu-based metal is embedded in a plate-shaped block is perforated in an Fe-based metal formed into a desired shape, It can be manufactured by mounting a Cu-based metal in the holes by shrink fitting or the like. Further, a billet made of Fe-based metal is longitudinally drilled, a Cu-based metal rod is inserted into the hole, and a work such as rolling is performed to make a small cross-section, which is cut into a ring and processed into a desired shape. You can also do it. Further, instead of the Cu-based metal cylinder, various shapes such as a prism can be adopted. Further, regarding the manufacturing method of the heat spreader having the core, the method of FIG. 8 is as described above,
10 (d) and 10 (e) are similar to those in FIG.
The core 10 in which a plurality of various linear metals are bonded to each other with a low melting point metal can be fitted into the frame body 11 to be manufactured, and various linear metals can be mixed in the holes of the Fe-based metal billet. It is also possible to insert it and cast a low melting point metal into slices to manufacture. In addition, rod-shaped Cu-based metal and Fe-based metal, or a rod material in which a Cu-based metal is filled in a Fe-Ni alloy small-diameter pipe is inserted into a relatively thick Fe pipe, After extrusion processing, it can also be manufactured by cutting into slices. In this case, it is not necessary to join with a low melting point alloy such as Zn alloy. The heat spreader having a zebra structure as shown in FIG. 11 is made of Cu-based metal and F
E-metal thin plates (disks, square plates, etc.) that are stacked alternately are crimped by a hot isostatic press or the like to form a disk, and the plate obtained by rolling this is cut out by punching or the like to be manufactured. be able to.
【００２１】[0021]
【実施例】図１および図６のような半導体装置につい
て、ヒートスプレッダー２およびインナリード１６の材
料を表１のようにしたものを製造した。表１のＮｏ．３
は図６の装置、その他は図１の装置である。本発明例に
おけるヒートスプレッダーは、いずれも複合体の割合を
調整して、熱膨張係数を樹脂の熱膨張係数に近似させ
た。リフロー処理後の状況を観察した結果、本発明例の
Ｎｏ．１、Ｎｏ．２およびＮｏ．４は全てにわたって良
好であった。また図６のように放熱フィンを設けたＮ
ｏ．３は放熱性が非常に優れていた。さらに本発明のＮ
ｏ．１，２，３および４について、ヒートスプレッダー
２にＳｉ溶射皮膜を施したものは、樹脂との密着性が非
常に優れていた。なお、表１において絶縁材接着性は、
ヒートスプレッダー２とインナリード１６とを絶縁材両
面接着テープで接合した後の変形状況、ダイボンディン
グ歪みはヒートスプレッダー２と半導体チップ１を接合
した後の歪み発生状況、リード強度はインナリード１６
およびアウタリード２４の強度であり、Ｇは良好、ＶＧ
は非常に良好、ＮＧは不良を示す。EXAMPLE A semiconductor device as shown in FIGS. 1 and 6 was manufactured by using the materials of the heat spreader 2 and the inner lead 16 as shown in Table 1. No. of Table 1 Three
Is the device of FIG. 6, and the others are the devices of FIG. In each of the heat spreaders of the examples of the present invention, the ratio of the composite was adjusted so that the coefficient of thermal expansion approximated the coefficient of thermal expansion of the resin. As a result of observing the situation after the reflow treatment, No. 1, No. 2 and No. 4 was good overall. In addition, as shown in FIG.
o. No. 3 had very excellent heat dissipation. Further, N of the present invention
o. Regarding Nos. 1, 2, 3 and 4, the heat spreader 2 having the Si sprayed coating had very good adhesion to the resin. In Table 1, the insulating material adhesiveness is
Deformation state after the heat spreader 2 and the inner lead 16 are joined with the insulating material double-sided adhesive tape, die bonding strain is the strain occurrence state after joining the heat spreader 2 and the semiconductor chip 1, and the lead strength is the inner lead 16
And strength of the outer lead 24, G is good, VG
Is very good and NG is bad.
【００２２】[0022]
【表１】 [Table 1]
【００２３】[0023]
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置は、Ｆｅ
系金属とＣｕ系金属の複合体からなるヒートスプレッダ
ーを有しており、該ヒートスプレッダーの熱膨張係数を
樹脂と近似した値に調整できる。このため、ヒートスプ
レッダーと樹脂との密着性が優れ、リフロー処理および
実用時における樹脂のクラック発生が防止され、また半
導体チップおよびリードフレームとの接合性にも優れて
いる。さらに、Ｃｕ系金属による熱放散性が優れてお
り、高速かつ大容量の半導体装置が達成できる。また本
発明のヒートスプレッダーを採用することにより、上記
のような優れた半導体装置が得られる。The resin-sealed semiconductor device of the present invention is made of Fe
It has a heat spreader made of a composite of a system metal and a Cu system metal, and the thermal expansion coefficient of the heat spreader can be adjusted to a value close to that of a resin. Therefore, the adhesion between the heat spreader and the resin is excellent, the occurrence of resin cracks during reflow treatment and practical use is prevented, and the bondability between the semiconductor chip and the lead frame is also excellent. Furthermore, the heat dissipation by the Cu-based metal is excellent, and a high-speed and large-capacity semiconductor device can be achieved. By adopting the heat spreader of the present invention, the excellent semiconductor device as described above can be obtained.
【図１】本発明半導体装置の例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a semiconductor device of the present invention.
【図２】本発明半導体装置の他の例を示す断面図であ
る。FIG. 2 is a cross-sectional view showing another example of the semiconductor device of the present invention.
【図３】本発明半導体装置の他の例を示す断面図であ
る。FIG. 3 is a cross-sectional view showing another example of the semiconductor device of the present invention.
【図４】本発明半導体装置の他の例を示す断面図であ
る。FIG. 4 is a sectional view showing another example of the semiconductor device of the present invention.
【図５】本発明半導体装置の放熱フィン付きの例を示す
断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device of the present invention with a radiation fin.
【図６】（ａ）は本発明半導体装置の放熱フィン付きの
他の例を示す断面図である。（ｂ）は同上の平面図であ
る。FIG. 6A is a cross-sectional view showing another example of the semiconductor device of the present invention having a radiation fin. (B) is a top view same as the above.
【図７】本発明ヒートスプレッダーの例を示す断面図で
ある。FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the heat spreader of the present invention.
【図８】（ａ）は本発明ヒートスプレッダーの他の例を
示す断面図である。（ｂ）は本発明ヒートスプレッダー
の他の例を示す斜視図である。（ｃ）は本発明ヒートス
プレッダーのコアを示す斜視図である。FIG. 8A is a sectional view showing another example of the heat spreader of the present invention. (B) is a perspective view showing another example of the heat spreader of the present invention. (C) is a perspective view showing a core of the heat spreader of the present invention.
【図９】本発明ヒートスプレッダーの素材を示す斜視図
である。FIG. 9 is a perspective view showing a material of the heat spreader of the present invention.
【図１０】本発明ヒートスプレッダーの他の例を示す平
面図および断面図である。FIG. 10 is a plan view and a cross-sectional view showing another example of the heat spreader of the present invention.
【図１１】本発明ヒートスプレッダーの他の例を示す斜
視図である。FIG. 11 is a perspective view showing another example of the heat spreader of the present invention.
【図１２】従来の半導体装置の例を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of a conventional semiconductor device.
１：半導体チップ ２：ヒートスプレッダー ３：Ｆｅ系金属 ４：Ｃｕ系金属 ５：Ｓｉ溶射皮膜 ６：放熱フィン ７：基板 ８：フィン ９：支柱 １０：コア １１：枠体 １２：溝 １３：棒材 １４：切断線 １５：ＦＰＣ １６：インナリード １７：ボンディングワイヤ １８：樹脂 １９，２０，２１：接合材 ２２：受台 ２３：凹部 ２４：アウタリード ２５：半田 ２６：回路基板 ２７：クラック ２８：ＴＡＢ ２９：Ｚｎ合金 ３０：Ｃｕ ３１：Ｆｅ ３２：Ｆｅ−Ｎｉ合金 ３３：コーティング層 1: Semiconductor chip 2: Heat spreader 3: Fe-based metal 4: Cu-based metal 5: Si sprayed coating 6: Radiating fin 7: Substrate 8: Fin 9: Strut 10: Core 11: Frame 12: Groove 13: Bar 14: Cutting line 15: FPC 16: Inner lead 17: Bonding wire 18: Resin 19, 20, 21: Bonding material 22: Receiving stand 23: Recess 24: Outer lead 25: Solder 26: Circuit board 27: Crack 28: TAB 29 : Zn alloy 30: Cu 31: Fe 32: Fe-Ni alloy 33: Coating layer
Claims (8)
ヒートスプレッダー、および半導体チップと接続された
インナリードが樹脂で封止された樹脂封止型半導体装置
において、ヒートスプレッダーがＦｅ系金属とＣｕ系金
属の複合体からなり、該Ｃｕ系金属が上下に貫通して埋
設されていることを特徴とする半導体装置。1. In a semiconductor chip, a heat spreader mounting the semiconductor chip, and a resin-sealed semiconductor device in which an inner lead connected to the semiconductor chip is sealed with a resin, the heat spreader is an Fe-based metal and a Cu-based metal. And a Cu-based metal that penetrates vertically and is embedded in the semiconductor device.
していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the heat spreader has a Si sprayed coating.
レッダーに放熱フィンが露出して装着されていることを
特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, further comprising a radiation fin exposed and attached to the heat spreader on the side opposite to the semiconductor chip.
該ヒートスプレッダーを構成するＣｕ系金属が左右に展
開する複数の帯状体であることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の半導体装置。4. A heat spreader is enclosed in resin,
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the Cu-based metal that constitutes the heat spreader is a plurality of strip-shaped bodies that expand left and right.
り、該Ｃｕ系金属が上下に貫通して埋設されていること
を特徴とする半導体装置用ヒートスプレッダー。5. A heat spreader for a semiconductor device, comprising a composite of Fe-based metal and Cu-based metal, wherein the Cu-based metal penetrates vertically and is embedded.
が混合して埋設され、該Ｃｕ系金属が上下に貫通してな
るコアを有していることを特徴とする請求項４記載の半
導体装置用ヒートスプレッダー。6. The core according to claim 4, wherein a plurality of Fe-based metals and a plurality of Cu-based metals are mixed and embedded, and the core has a vertically penetrating Cu-based metal. Heat spreader for semiconductor devices.
する請求項５または６記載の半導体装置用ヒートスプレ
ッダー。7. The heat spreader for a semiconductor device according to claim 5, which has a Si thermal spray coating.
フィンが装着されていることを特徴とする請求項５、６
または７記載の半導体装置用ヒートスプレッダー。8. A radiation fin is mounted on the side opposite to the semiconductor chip mounting surface.
Alternatively, the heat spreader for a semiconductor device according to 7.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5844310A (en) * | 1996-08-09 | 1998-12-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Heat spreader semiconductor device with heat spreader and method for producing same |
| US6917638B2 (en) | 2000-10-16 | 2005-07-12 | Yamaha Corporation | Heat radiator for electronic device and method of making it |
| WO2012023236A1 (en) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | パナソニック株式会社 | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| WO2021015007A1 (en) * | 2019-07-23 | 2021-01-28 | 日立金属株式会社 | Heat dissipation plate and method for manufacturing heat dissipation plate |
-
1994
- 1994-05-31 JP JP11935894A patent/JP3526614B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5844310A (en) * | 1996-08-09 | 1998-12-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Heat spreader semiconductor device with heat spreader and method for producing same |
| US6032362A (en) * | 1996-08-09 | 2000-03-07 | Hitachi Metals, Ltd. | Method for producing a heat spreader and semiconductor device with a heat spreader |
| US6917638B2 (en) | 2000-10-16 | 2005-07-12 | Yamaha Corporation | Heat radiator for electronic device and method of making it |
| WO2012023236A1 (en) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | パナソニック株式会社 | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| US8686545B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-04-01 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| WO2021015007A1 (en) * | 2019-07-23 | 2021-01-28 | 日立金属株式会社 | Heat dissipation plate and method for manufacturing heat dissipation plate |
| CN113632221A (en) * | 2019-07-23 | 2021-11-09 | 日立金属株式会社 | Heat dissipation plate and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3526614B2 (en) | 2004-05-17 |
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