JPH07201824A - Processor - Google Patents
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- JPH07201824A JPH07201824A JP34983393A JP34983393A JPH07201824A JP H07201824 A JPH07201824 A JP H07201824A JP 34983393 A JP34983393 A JP 34983393A JP 34983393 A JP34983393 A JP 34983393A JP H07201824 A JPH07201824 A JP H07201824A
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- processing chamber
- processing
- wiring
- plasma
- polybenzazole
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a processing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より半導体製造工程においては、真
空処理室内の載置台に被処理体を載置して、処理室内に
導入された処理ガスに基づいて、その被処理体を加熱し
てたとえば酸化膜処理を施したり、あるいは処理室内に
プラズマを生起しそのプラズマ中の活性種により被処理
体に対してエッチングを施したり、さまざまな処理が行
われている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, an object to be processed is placed on a mounting table in a vacuum processing chamber and heated based on the processing gas introduced into the processing chamber. Various treatments are performed, such as performing an oxide film treatment, or generating plasma in a treatment chamber and etching an object to be treated by active species in the plasma.
【０００３】ところで、上記のような処理装置の処理室
内には、載置台を始めさまざまな機器が処理用にあるい
は制御用に設置されており、それらの機器と処理室の外
部に設置されている電源や制御器などの機器とは適当な
配線を介して接続されている。これらの配線のうち、一
部のものは載置台自体に内設され処理室内の雰囲気に曝
されることなく処理室の外部に設置された機器に接続さ
れている。しかしながら、配線の中には、たとえば温度
センサやプラズマ監視用センサなどの機器に接続される
配線のように、メンテナンスの都合上あるいは機器の設
置個所から必然的に処理室内の雰囲気に曝されざるを得
ないものがある。By the way, in the processing chamber of the above-mentioned processing apparatus, various equipments such as a mounting table are installed for processing or control, and these equipments are installed outside the processing room. It is connected to devices such as a power supply and a controller via appropriate wiring. Some of these wirings are installed inside the mounting table itself and are connected to equipment installed outside the processing chamber without being exposed to the atmosphere inside the processing chamber. However, some wirings are inevitably exposed to the atmosphere in the processing chamber, such as wirings connected to equipment such as temperature sensors and plasma monitoring sensors, for maintenance reasons or where the equipment is installed. There is something I can't get.
【０００４】このような処理室の内外に設置された機器
を相互に接続するための配線材としては、従来よりたと
えば、図５に示すように、単芯あるいは撚り線から成る
導電線１００の周囲をフッ素系樹脂１０１で覆ったり、
あるいは図６に示すように、単芯あるいは撚り線から成
る導電線１００に対してエナメル被覆１０２を施したも
のを使用していた。Conventionally, as a wiring material for connecting devices installed inside and outside such a processing chamber, for example, as shown in FIG. 5, around a conductive wire 100 composed of a single core or a stranded wire. Is covered with fluorine resin 101,
Alternatively, as shown in FIG. 6, a conductive wire 100 made of a single core or a stranded wire and coated with an enamel coating 102 was used.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、たとえ
ば図５に示すようなフッ素系樹脂１０１、たとえばＰＣ
ＴＦＥ、ＥＣＴＦＥで覆った導線１０３を用いた場合に
は、図７に示すように、この導線を処理室の壁部１０４
に穿設された貫通孔１０５を通す際に、この導線１０３
は硬度が低くまた導線と被覆との間に隙間があるため、
導線１０３をたとえばＯリング１０６のような封止部材
で直接シールすることはできないので、十分な硬度を有
する略円筒状に形成されたセラミック製の絶縁材１０７
の中心部に導電部１０８を貫通させた真空導入端子を用
い、処理室の内部と外部において上記導電部１０８に対
して導線１０３を１０９において半田付けすることによ
り、処理室の内外の導通を図らざるを得ず装置の構造を
複雑にし、またメンテナンスを煩雑にするという問題が
あった。However, for example, a fluorine resin 101 such as shown in FIG. 5, for example, PC.
When the conducting wire 103 covered with TFE or ECTFE is used, as shown in FIG.
When passing through the through hole 105 formed in the
Has low hardness and there is a gap between the conductor and the coating,
Since the conductive wire 103 cannot be directly sealed by a sealing member such as an O-ring 106, the ceramic insulating material 107 formed into a substantially cylindrical shape having sufficient hardness.
By using a vacuum lead-in terminal that penetrates the conductive portion 108 at the center of the processing chamber, and by soldering the conductive wire 103 to the conductive portion 108 at 109 inside and outside the processing chamber, conduction inside and outside the processing chamber is achieved. Inevitably, the structure of the device is complicated and maintenance is complicated.
【０００６】これに対して、図６に示すようなエナメル
線１１０を用いた場合には、十分な硬度を有するため、
処理室の壁部に設けられた貫通孔を通す際に、Ｏリング
などの封止部材により直接シールすることが可能である
が、エナメル線１１０は耐熱性に劣るため、処理室内の
ような過酷な環境に曝された場合には、傷みが早く頻繁
に交換せねばならないという問題があった。On the other hand, when the enameled wire 110 as shown in FIG. 6 is used, it has sufficient hardness,
When passing through the through hole provided in the wall of the processing chamber, it is possible to directly seal with a sealing member such as an O-ring, but since the enamel wire 110 has poor heat resistance, it is harsh as in the processing chamber. There is a problem in that, when exposed to such an environment, it is damaged quickly and must be replaced frequently.
【０００７】また処理時に処理室内にプラズマを生起さ
せ、このプラズマにより試料を処理、たとえばエッチン
グまたはＣＶＤなどの処理を実施する場合に、フッ素系
樹脂やエナメルがプラズマ中のイオンなどにより衝撃さ
れ、含有されているＭｇやＮｉなどの重金属が放出さ
れ、試料に付着してしまい、試料の歩留まりを低下させ
てしまうという問題があった。Further, when a plasma is generated in the processing chamber at the time of processing and the sample is processed by the plasma, for example, etching or CVD is performed, the fluorine-based resin or enamel is bombarded by ions in the plasma and contained. There is a problem that the heavy metals such as Mg and Ni that have been released are released and adhere to the sample, which lowers the yield of the sample.
【０００８】また試料を処理する処理装置の処理室内を
クリーニングする際に、プラズマレスのクリーニングに
おいては、腐食性ガス、たとえば塩素系のＣｌＦ3ガス
を用いるとフッ素系樹脂やエナメル自体が腐食してしま
うという問題があった。Further, when cleaning the inside of the processing chamber of the processing apparatus for processing the sample, in plasmaless cleaning, if a corrosive gas such as chlorine-based ClF 3 gas is used, the fluororesin and the enamel itself will be corroded. There was a problem of being lost.
【０００９】本発明は従来の処理装置の処理室の内外に
設置された機器同士を接続する配線材の有する上記のよ
うな問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とす
るところは、耐熱性、耐プラズマ性、耐久性に優れると
ともに、高い硬度を有し、処理室の壁部の貫通孔に対し
て封止部材により直接シールすることが可能であるとと
もに、過酷な処理室内の環境に長時間にわたり反復的に
曝されても、傷みが生じにくく、また被処理体に対する
汚染物質を放出したりすることもなく、また熱膨張や熱
収縮を生じた場合であっても処理室を構成するアルミニ
ウム部材に対して親和性が高い、新規かつ改良された配
線構造を有する処理装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems of the wiring material for connecting the devices installed inside and outside the processing chamber of the conventional processing apparatus, and the object thereof is to: It has excellent heat resistance, plasma resistance, and durability, as well as high hardness, and can be directly sealed by a sealing member to the through hole in the wall of the processing chamber. Is not easily damaged by repeated exposure to heat for a long time, does not release pollutants to the object to be processed, and even if thermal expansion or contraction occurs, the processing chamber is It is an object of the present invention to provide a processing device having a new and improved wiring structure that has a high affinity for the aluminum member that constitutes it.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明は、処理室内において被処理
体を載置台に保持し、前記被処理体に対して所定の処理
を施すための処理装置であって、前記処理室内に設置さ
れた機器と前記処理室外に設置された機器とを結ぶ配線
材の少なくとも前記処理室内に曝される部分に対してポ
リベンズアゾール被膜を設けたことを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 holds an object to be processed on a mounting table in a processing chamber, and performs a predetermined process on the object to be processed. A processing apparatus for applying, wherein a polybenzazole coating film is provided on at least a portion of a wiring material connecting a device installed inside the processing chamber and a device installed outside the processing chamber, the part being exposed inside the processing chamber. It is characterized by that.
【００１１】また請求項２に記載の発明は、処理室内に
おいて被処理体を載置台に保持し、前記被処理体に対し
て所定の処理を施すための処理装置であって、前記処理
室内に設置された機器と前記処理室外に設置された機器
とを結ぶ配線材の少なくとも前記処理室の壁部を貫通す
る部分に対してポリベンズアゾール被膜を設けたことを
特徴としている。According to a second aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for holding an object to be processed on a mounting table in the processing chamber and performing a predetermined process on the object to be processed. It is characterized in that a polybenzazole film is provided on at least a portion of a wiring material connecting the installed device and the device installed outside the processing chamber, which penetrates the wall portion of the processing chamber.
【００１２】また請求項３に記載の発明は、前記配線材
の少なくとも前記処理室の壁部を貫通する部分に設けら
れたポリベンズアゾール被膜に厚みを持たせたことを特
徴としている。Further, the invention according to claim 3 is characterized in that the polybenzazole coating film provided on at least a portion of the wiring member penetrating the wall portion of the processing chamber has a thickness.
【００１３】また請求項４に記載の発明は、前記配線材
の少なくとも前記処理室の壁部を貫通する部分が、その
被貫通壁部に対して封止部材により封止されていること
を特徴としている。Further, the invention according to claim 4 is characterized in that at least a portion of the wiring member that penetrates the wall portion of the processing chamber is sealed by a sealing member with respect to the penetrated wall portion. I am trying.
【００１４】また請求項５に記載の発明は、前記所定の
処理が、被処理体を加熱して処理する加熱処理および／
または処理室内に生起されたプラズマ中の活性種によっ
て被処理体を処理するプラズマ処理であることを特徴と
している。Further, in the invention according to claim 5, the predetermined treatment is a heat treatment for heating an object to be treated and / or
Alternatively, the plasma treatment is performed by treating the object with the active species in the plasma generated in the treatment chamber.
【００１５】[0015]
【作用】本発明は上記のように構成されているので次の
ような優れた作用効果を奏することが可能である。請求
項１に記載の発明によれば、処理室の内外を結ぶ配線材
の少なくとも処理室内に曝される部分を、絶縁性、耐熱
性、耐プラズマ性、耐薬品性、耐摺動特性に優れたポリ
ベンズアゾール被膜で覆うので、処理室内にプラズマを
生起したり高温にした場合であっても、配線に傷みが生
じ難く、また重金属などの汚染物質を放出しないので歩
留まりを高めることが可能であるとともに、配線の交換
頻度を低く押さえることが可能なのでスループットを向
上させることができる。Since the present invention is constructed as described above, it is possible to obtain the following excellent operational effects. According to the invention of claim 1, at least a portion of the wiring material connecting the inside and the outside of the processing chamber exposed to the processing chamber is excellent in insulation, heat resistance, plasma resistance, chemical resistance, and sliding resistance. Since it is covered with a polybenzazole film, even if a plasma is generated in the processing chamber or the temperature is high, the wiring is not easily damaged and pollutants such as heavy metals are not emitted, so the yield can be increased. In addition, since it is possible to suppress the frequency of exchanging the wiring to a low level, it is possible to improve the throughput.
【００１６】請求項２に記載の発明によれば、処理室の
内外を結ぶ配線材の少なくとも処理室の壁部を貫通する
部分に対して硬度に優れたポリベンズアゾール被膜を設
けているので、真空導入端子などの特殊な部材を用いず
とも気密なシールを行うことができる。According to the second aspect of the present invention, since the polybenzazole film having excellent hardness is provided on at least the portion of the wiring material connecting the inside and the outside of the processing chamber and penetrating the wall of the processing chamber, Airtight sealing can be performed without using a special member such as a vacuum introduction terminal.
【００１７】請求項３に記載の発明によれば、配線材の
少なくとも処理室の壁部を貫通する部分のポリベンズア
ゾール被膜に厚みを持たせているので硬度が補強されよ
り確かなシールを行うことができる。According to the third aspect of the present invention, since the polybenzazole coating of the portion of the wiring material that penetrates at least the wall of the processing chamber has a thickness, the hardness is reinforced and a more reliable seal is performed. be able to.
【００１８】請求項４に記載の発明によれば、配線材を
処理室の壁部に対してＯリングのような封止部材を用い
て封止した場合であっても、硬度の高いポリベンズアゾ
ール被膜により真空導入端子などを用いずに、直接シー
ルを行うことができる。According to the invention described in claim 4, even when the wiring member is sealed against the wall of the processing chamber by using a sealing member such as an O-ring, the polybenz having high hardness is used. The azole film enables direct sealing without using a vacuum introduction terminal or the like.
【００１９】請求項５に記載のように、本発明は、処理
室内部にプラズマが生起されるプラズマ処理および／ま
たは処理室内が高温になる高温処理のように、特に気密
性が要求される処理装置の場合により優れた効果を奏す
ることが可能である。According to a fifth aspect of the present invention, the present invention is a process requiring particularly airtightness, such as a plasma process in which plasma is generated inside the process chamber and / or a high temperature process in which the temperature in the process chamber is high. It is possible to obtain superior effects depending on the device.
【００２０】[0020]
【実施例】以下に添付図面を参照しながら本発明に基づ
く処理装置を低温プラズマ処理装置に適用した一実施例
について詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which a processing apparatus according to the present invention is applied to a low temperature plasma processing apparatus will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
【００２１】このエッチング装置は、図１に示すよう
に、導電性材料、たとえば表面をアルマイト処理された
アルミニウムなどにより円筒あるいは矩形状に成形され
た処理室としての処理容器１を有しており、この処理容
器１内には、被処理体、たとえば半導体ウェハを載置保
持する支持台２が設置されている。As shown in FIG. 1, this etching apparatus has a processing container 1 as a processing chamber, which is formed into a cylindrical or rectangular shape with a conductive material, for example, aluminum whose surface is anodized, and the like. A support base 2 for mounting and holding an object to be processed, for example, a semiconductor wafer is installed in the processing container 1.
【００２２】この支持台２は、サセプタ等とも称される
もので、ウェハＷの温度コントロール用の冷却ジャケッ
トやヒータとの組合わせなどのために多重構造とされて
いる。すなわち、処理容器１内の底部上に絶縁部材、た
とえばセラミックスなどの絶縁板３を介して固定された
円筒状の基台４と、この基台４の上面に載置された円盤
状のヒータ固定台５と、このヒータ固定台５を上方から
包含するように前記基盤４上に載置された下部電極兼用
の載置台６とからなる多重構造である。そして、これら
基台４とヒータ固定台５と載置台６とは、導電部材、た
とえばアルミニウムから形成され、それぞれボルト締め
により脱着可能に締結されている。The support base 2 is also called a susceptor or the like, and has a multiple structure for combination with a cooling jacket for controlling the temperature of the wafer W or a heater. That is, a cylindrical base 4 fixed on the bottom of the processing container 1 via an insulating member, for example, an insulating plate 3 such as ceramics, and a disk-shaped heater fixed on the upper surface of the base 4. It has a multi-layered structure composed of a table 5 and a mounting table 6 which is mounted on the substrate 4 so as to include the heater fixing table 5 from above and also serves as a lower electrode. The base 4, the heater fixing base 5, and the mounting base 6 are made of a conductive material such as aluminum, and are detachably fastened by bolting.
【００２３】さらに前記載置台６は、上面中央部が凸状
に形成された円板状で、この中央上面には、ウェハＷを
保持するチャック部として、たとえば静電チャック８が
ウェハＷと略同径大、好ましくはウェハＷの径より若干
小さい径で設けられている。この静電チャックは８は、
ウェハＷを載置保持する面として絶縁部材、たとえばポ
リイミド樹脂製の２枚のフィルム９間に銅箔等の導電膜
６０を挟持して静電チャックシートが形成されている。
この静電チャック８には、電圧供給リード６６により、
途中、高周波をカットするフィルタ６８、たとえばコイ
ルを介して可変直流高圧電源６７に接続されている。し
たがって、その導電膜６０に高電圧を印加することによ
って、静電チャック８、つまり前記フィルム９の上面に
ウェハＷをクーロン力により吸引保持し得るように構成
されている。Further, the mounting table 6 is in the form of a disk having a convex upper surface center portion. On the central upper surface, for example, an electrostatic chuck 8 and the wafer W are used as a chuck portion for holding the wafer W. They are provided with the same diameter, preferably a diameter slightly smaller than the diameter of the wafer W. This electrostatic chuck has 8
An electrostatic chuck sheet is formed by sandwiching a conductive film 60 such as a copper foil between two insulating films, for example, two films 9 made of polyimide resin, as a surface on which the wafer W is placed and held.
The electrostatic chuck 8 is provided with a voltage supply lead 66,
On the way, it is connected to a variable DC high-voltage power supply 67 via a filter 68 for cutting high frequencies, for example, a coil. Therefore, by applying a high voltage to the conductive film 60, the wafer W can be attracted and held by the Coulomb force on the electrostatic chuck 8, that is, on the upper surface of the film 9.
【００２４】また図１に示すように、前記載置台６の上
面中央凸部の周囲には、静電チャック８上のウェハＷの
外周側を囲むように環状のフォーカスリング１５が配置
されている。このフォーカスリング１５は反応性イオン
を引き寄せない絶縁性の材質からなり、反応性イオンを
内側の半導体ウェハＷにだけ効果的に入射せしめる働き
をなすものである。こうした、支持台２上に載置保持し
たウェハＷのプラズマ処理の際の温度コントロール用と
して、基台４中に冷却手段、たとえば冷却ジャケット
（冷媒環状流路）２０が設けられており、このジャケッ
ト２０にはたとえば液体窒素等の冷媒が冷媒導入管２１
を介して導入されてジャケット２０内を循環し、冷媒排
出管２２より液体窒素の蒸発による気体を容器外へ排出
することができるようになっている。Further, as shown in FIG. 1, a ring-shaped focus ring 15 is arranged around the upper surface center convex portion of the mounting table 6 so as to surround the outer peripheral side of the wafer W on the electrostatic chuck 8. . The focus ring 15 is made of an insulating material that does not attract reactive ions, and has a function of effectively causing reactive ions to enter the semiconductor wafer W inside. Cooling means, for example, a cooling jacket (refrigerant annular flow path) 20 is provided in the base 4 for controlling the temperature during the plasma processing of the wafer W placed and held on the support base 2. A refrigerant introduction pipe 21 is provided with a refrigerant such as liquid nitrogen.
It is introduced through the coolant and circulates in the jacket 20, and the gas due to the evaporation of liquid nitrogen can be discharged from the refrigerant discharge pipe 22 to the outside of the container.
【００２５】また、その冷却ジャケット２０を内蔵する
基台４とその上のヒータ固定台５および載置台６には、
ウェハＷへの伝熱性を良好にするために、一連のガス通
路２３が形成され、ここに外部からＨｅなどの伝熱促進
ガスが供給され、前記静電チャック８に伝熱するように
構成されている。The base 4 having the cooling jacket 20 built therein, the heater fixing base 5 and the mounting base 6 on the base 4 are
In order to improve the heat transfer property to the wafer W, a series of gas passages 23 are formed, and a heat transfer promoting gas such as He is supplied to the gas passages 23 from the outside to transfer heat to the electrostatic chuck 8. ing.
【００２６】さらに前記基台４と載置台６との間に介在
されたヒータ固定台５には、この上面の環状凹部内に上
面を面一に埋め込むようにして厚さ数ｍｍ程度の帯板環
状の温度調整用ヒータ２５が設けられている。これは熱
伝導率ならびに耐熱性に優れた部材、たとえばＡｌＮ
（窒化アルミニウム）の焼結体あるいは気相成長よりな
る絶縁体内部に、たとえばタングステンやカーボンある
いはＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金よりなる線状あるいは帯状の
抵抗発熱体２５ａをインサートした構成で、この抵抗発
熱体２５ａが電力供給リード２６によりフィルタ２７を
介して電力源２８から所望の電力を受けて発熱し、前記
冷却ジャケット２０からの冷熱がウェハＷに伝熱される
伝熱量を適宜に制御してウェハＷの温度制御を行う。ま
た、このヒータ固定台５にも伝熱性を促進するために、
前記ガス通路２３からの分岐路２３ａが形成されてい
る。Further, in the heater fixing base 5 interposed between the base 4 and the mounting base 6, a band plate having a thickness of several mm is formed so that the upper surface is flush with the annular recess of the upper surface. An annular temperature adjusting heater 25 is provided. This is a member excellent in thermal conductivity and heat resistance, such as AlN.
The resistance heating element 25a is formed by inserting a linear or strip resistance heating element 25a made of, for example, tungsten, carbon, or Fe-Cr-Al alloy into the inside of a sintered body of (aluminum nitride) or an insulator made of vapor phase growth. The body 25a receives desired power from the power source 28 via the filter 27 via the power supply lead 26 to generate heat, and the amount of heat transferred from the cooling heat from the cooling jacket 20 to the wafer W is appropriately controlled to control the wafer W. Temperature control. Further, in order to promote heat transfer to the heater fixing base 5,
A branch passage 23a is formed from the gas passage 23.
【００２７】なお図中３０は載置台６の温度を検出する
ための温度検出器、たとえば測温抵抗体であり、この検
出器で検出された検出信号が温度検出リード３１により
高周波ノイズ除去フィルタ３２を介して装置全体を監視
し制御する、たとえばＣＰＵなどを備えた制御部３３に
送られ、これを基に前記温度調整用ヒータ２５の発熱が
自動的にコントロールされてウェハＷの温度調整を行う
ように構成されている。Reference numeral 30 in the figure is a temperature detector for detecting the temperature of the mounting table 6, for example, a resistance temperature detector, and the detection signal detected by this detector is detected by the temperature detection lead 31 by the high frequency noise removing filter 32. The temperature of the wafer W is adjusted by automatically controlling the heat generation of the temperature adjusting heater 25 based on this, which is sent to a control unit 33 having, for example, a CPU, which monitors and controls the entire apparatus. Is configured.
【００２８】また図中３４は処理室内に生起されたプラ
ズマを監視するためのプラズマモニタであり、この検出
器で検出された検出信号がプラズマモニタリード３５に
より高周波ノイズ除去フィルタ３６を介して制御部３３
に送られ、これに基づいて後述する高周波電源がオンオ
フ制御され、処理室内に生起するプラズマが最適になる
ように構成されている。Reference numeral 34 in the drawing is a plasma monitor for monitoring the plasma generated in the processing chamber, and the detection signal detected by this detector is controlled by the plasma monitor lead 35 via the high frequency noise removal filter 36. 33
And a high frequency power source, which will be described later, is controlled to be turned on and off based on this, and the plasma generated in the processing chamber is optimized.
【００２９】上記のように処理室内に設置された温度調
整用ヒータ２５に処理室外に設置された電源２８から電
力を供給する電力供給リード２６は、図示の例では、壁
部に設けられた電力供給口７０を貫通し、その電力供給
リードの部分２６ａは処理室内の雰囲気に曝されること
になる。また同様に処理室内設置された温度検出器３０
およびプラズマモニタ３４において検出された信号を処
理室外に設置された制御部３３に送信するリード３１、
３５は、図示の例では、壁部に設けられた信号供給口７
１を貫通し、リード３１、３５の部分３１ａ、３５ｂは
処理室内の雰囲気に曝されることになる。この点、本発
明によれば、上記リード２６、３１、３５のうちの少な
くとも処理室内に曝される部分２６ａ、３１ａ、３５ｂ
および／または上記供給口７０、７１を貫通する部分２
６ｂ、３１ｂ、３５ｂが、絶縁特性および後述するよう
な熱的および機械的特性に優れる化１に示すようなポリ
ベンズアゾール系の材料により被覆される。As described above, the power supply lead 26 for supplying electric power from the power source 28 installed outside the processing chamber to the temperature adjusting heater 25 installed inside the processing chamber, in the example shown in the figure, is provided on the wall. The portion 26a of the power supply lead penetrating the supply port 70 is exposed to the atmosphere in the processing chamber. Similarly, a temperature detector 30 installed in the processing chamber
And a lead 31 for transmitting a signal detected by the plasma monitor 34 to a control unit 33 installed outside the processing chamber,
In the illustrated example, 35 is a signal supply port 7 provided on the wall.
The portions 31a and 35b of the leads 31 and 35 penetrating through the substrate 1 are exposed to the atmosphere in the processing chamber. In this regard, according to the present invention, at least the portions 26a, 31a, 35b of the leads 26, 31, 35 exposed to the processing chamber.
And / or a portion 2 penetrating the supply ports 70, 71
6b, 31b, and 35b are coated with a polybenzazole-based material as shown in Chemical formula 1 which is excellent in insulating properties and thermal and mechanical properties described later.
【００３０】[0030]
【化１】 [Chemical 1]
【００３１】このようなポリベンズアゾール系の材料と
しては、ポリベンズアゾールのＸ基が異なる、たとえば
化２に示すポリベンズイミダゾール系の材料、As such a polybenzazole-based material, for example, a polybenzimidazole-based material shown in Chemical formula 2 in which the X group of polybenzazole is different,
【００３２】[0032]
【化２】 [Chemical 2]
【００３３】または、化３に示すポリベンゾチアゾール
系の材料、Alternatively, a polybenzothiazole-based material represented by Chemical formula 3,
【００３４】[0034]
【化３】 [Chemical 3]
【００３５】または、化４に示すポリベンゾオキサドー
ル系の材料を使用することが可能である。Alternatively, the polybenzoxadol-based material represented by Chemical formula 4 can be used.
【００３６】[0036]
【化４】 [Chemical 4]
【００３７】なおポリベンズアゾール被覆を導線に施す
方法に関しては、従来より用いられている各種技術を応
用することが可能であり、たとえばポリベンズイミダゾ
ールの乾式紡糸液の生成において、一般に用いられるよ
うな極性溶剤、たとえばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シドおよびＮ−メチル−２−ピロリドンから成る群から
選択された少なくとも一種の溶剤中にポリベンズアゾー
ルを溶解し、その溶液中に芯線である導体を浸漬した
後、昇温炉内にて常温から所定温度、たとえば１５０℃
〜２２０℃程度にまで徐々に昇温させ、溶剤分を揮発さ
せ、ポリベンズアゾールを架橋させ硬化させることによ
り被覆を形成することができる。Regarding the method of applying the polybenzazole coating to the conductive wire, various conventionally used techniques can be applied, for example, as generally used in the production of a dry spinning solution of polybenzimidazole. Polybenzazole is dissolved in a polar solvent such as at least one solvent selected from the group consisting of N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide and N-methyl-2-pyrrolidone, and a solution thereof is prepared. After immersing the conductor, which is the core wire, in the temperature rising furnace, from room temperature to a predetermined temperature, for example, 150 ° C.
The coating can be formed by gradually raising the temperature to about 220 ° C., volatilizing the solvent component, and crosslinking and curing the polybenzazole.
【００３８】このようなポリベンズアゾール系の材料の
熱的性質に関し、熱膨張率は、約２．３×１０-5／℃で
あり、処理室の各構成部材の材料であるアルミニウムの
線膨張率とほぼ同一であり、したがってアルミニウム製
の構成部材との親和性が高い。また熱変形温度は４３５
℃と高く、−２００℃の極低温でも物性が安定してい
る。したがって超低温から高温にまで変化する処理室内
の雰囲気に曝されても、長期の使用に耐えることが可能
である。Regarding the thermal properties of such a polybenzazole-based material, the coefficient of thermal expansion is approximately 2.3 × 10 −5 / ° C., and the linear expansion of aluminum, which is the material of each component of the processing chamber, The rate is almost the same, and thus the affinity with the aluminum component is high. The heat distortion temperature is 435
As high as ℃, the physical properties are stable even at an extremely low temperature of -200 ℃. Therefore, it is possible to endure long-term use even when exposed to the atmosphere in the processing chamber that changes from ultra-low temperature to high temperature.
【００３９】またポリベンズアゾール系の材料は、機械
的特性においても、たとえばロックウェル硬度Ｅスケー
ルで１２５以上を示し、ショアー硬さでＤ９９以上を示
し、さらに引張強さが１６３２Ｋｇｆ／ｃｍ2であり、
圧縮強さが４０８０（１２％）Ｋｇｆ／ｃｍ2または３
４６８（１０％）Ｋｇｆ／ｃｍ2であり、曲げ弾性率が
１０3Ｋｇｆ／ｃｍ2であり引張弾性率が１０3Ｋｇｆ／
ｃｍ2である。したがって、配線時に曲げたり自在に加
工することが可能である。さらに十分な硬さを有してい
るため、図２に示すように、壁部８０に穿設された供給
口８１に対してＯリングなどの封止部材８２を介して直
接シールを施すことが可能である。Further, the polybenzazole-based material also has mechanical properties of, for example, 125 or more on the Rockwell hardness E scale, D99 or more on the Shore hardness, and a tensile strength of 1632 Kgf / cm 2 . ,
Compressive strength is 4080 (12%) Kgf / cm 2 or 3
468 (10%) Kgf / cm 2 , flexural modulus 10 3 Kgf / cm 2 , and tensile modulus 10 3 Kgf /
cm 2 . Therefore, it is possible to bend the wiring and process it freely. Further, since it has a sufficient hardness, as shown in FIG. 2, it is possible to directly seal the supply port 81 formed in the wall portion 80 through a sealing member 82 such as an O-ring. It is possible.
【００４０】また図３に示すように、壁部８０に穿設さ
れた供給口８１を貫通する部分のリードのポリベンズア
ゾール被膜８３の厚み（Ｄ）を他の部分の厚み（ｄ）よ
りも厚く構成することも可能である。このようにＯリン
グ８２が当接する部分の機械的強度を高めることでより
確実なシールが可能になる。Further, as shown in FIG. 3, the thickness (D) of the polybenzazole coating 83 of the lead in the portion penetrating the supply port 81 formed in the wall portion 80 is smaller than the thickness (d) of the other portion. It is also possible to make it thick. By increasing the mechanical strength of the portion where the O-ring 82 abuts in this way, a more reliable seal can be achieved.
【００４１】さらにまた導線に被覆されるポリベンズア
ゾール被膜は、耐プラズマ特性、耐薬品特性にも優れて
おり、重金属を殆ど含まないため、温度および圧力が頻
繁に変化するとともに、さまざまな処理ガスが導入さ
れ、プラズマが生起されるような処理室内に曝しても長
期の使用に耐えることが可能である。Furthermore, the polybenzazole coating film coated on the conductive wire is also excellent in plasma resistance and chemical resistance properties and contains almost no heavy metals, so that temperature and pressure change frequently and various processing gases are used. It is possible to withstand long-term use even if exposed to a treatment chamber where plasma is introduced and plasma is generated.
【００４２】再び図１を参照すると、前記載置台６に
は、この下側に配置する部材３を貫通して設けた導電体
よりなる中空に成形されたパイプリード３７と配線３８
とにより、ノイズカット用フィルタ３９およびマッチン
グ用のコンデンサ４０を順次介して、たとえば１３．５
６ＭＨｚまたは４０．６８ＭＨｚなどのプラズマ発生用
の高周波電源４１に接続されている。Referring again to FIG. 1, in the above-described mounting table 6, a hollow pipe lead 37 made of a conductor provided through the member 3 disposed below the mounting table 6 and wiring 38.
Thus, through the noise cut filter 39 and the matching capacitor 40, for example, 13.5.
It is connected to a high frequency power source 41 for plasma generation such as 6 MHz or 40.68 MHz.
【００４３】なお図１に示す例では、パイプリード３７
は載置台６および絶縁部材３の内部に内設され、処理室
内に曝される部分がないが、図３に示すように、載置台
６がその外周部分のみが絶縁部材３ａ、３ｂに支持さ
れ、パイプリード３７の部分３７ｂが処理室内の雰囲気
に直接曝される部分を有する場合には、本発明に基づい
て、その部分に対してポリベンズアゾール系の被膜を被
せることにより、耐プラズマ特性、耐薬品特性、耐熱特
性などの物性を高めることにより、長期使用に耐えるよ
うに構成することが可能である。In the example shown in FIG. 1, the pipe lead 37
Is provided inside the mounting table 6 and the insulating member 3 and has no portion exposed to the processing chamber. However, as shown in FIG. 3, the mounting table 6 is supported only by the outer peripheral portions thereof by the insulating members 3a and 3b. In the case where the portion 37b of the pipe lead 37 has a portion which is directly exposed to the atmosphere in the processing chamber, by coating the portion with a polybenzazole-based coating according to the present invention, plasma resistance characteristics, By improving physical properties such as chemical resistance and heat resistance, it can be configured to withstand long-term use.
【００４４】一方、前記処理容器１内には、前記載置台
６と対向するとともに約１５〜２０ｍｍ程度離間させた
位置に、上部電極４２が設けられている。この上部電極
４２は、処理ガス導入経路を兼用するもので、たとえば
アルミニウムなどの導電部材により一体成形された中空
円盤状をなし、電気的に設置された電極部４２ａと処理
ガス、たとえばＣＦ4などのエッチングガスを処理容器
１内に供給する処理ガス道入管４２ｂとを備え、その処
理ガス導入管４２ｂが処理容器１に接続され、電極部４
２ａの表面に形成された多数の小孔４２ｃよりエッチン
グガスを下方の処理空間に吹き出すように構成されてい
る。On the other hand, in the processing container 1, an upper electrode 42 is provided at a position facing the mounting table 6 and separated by about 15 to 20 mm. The upper electrode 42, the process gas introduction path intended also serves, for example a hollow disk shape is integrally formed by a conductive member such as aluminum, electrically installed electrode portion 42a and the processing gas, for example CF 4, etc. And a processing gas inlet pipe 42b for supplying the etching gas of the above into the processing container 1, the processing gas introducing pipe 42b is connected to the processing container 1, and the electrode portion 4
The etching gas is blown into the processing space below through a large number of small holes 42c formed on the surface of 2a.
【００４５】また前記処理容器１の下部周側壁には排気
経路として排気管４５が接続されており、容器１内の雰
囲気を図示しない排気経路途中のバタフライ弁などの弁
部材を介して排気ポンプにより真空排気し得るように構
成されている。An exhaust pipe 45 is connected to the lower peripheral side wall of the processing container 1 as an exhaust path, and the atmosphere in the container 1 is controlled by an exhaust pump via a valve member (not shown) such as a butterfly valve in the middle of the exhaust path. It is configured to be evacuated.
【００４６】また前記処理容器１の側部には被処理体搬
入搬出口４７が設けられ、この搬入搬出口４７が図示し
ない駆動機構により自動開閉するゲートバルブ４８を介
してロードロック室４９に連通遮断可能とされている。
そのゲートバルブ４８はＯリング５０と圧接して搬入搬
出口４７を気密に閉塞シール可能に構成されている。な
お、そのロードロック室４９内には被処理体であるウェ
ハＷを一枚づつ処理容器１内に挿脱するハンドリングア
ームなどの搬送機構５１が設けられ、以上プラズマエッ
チング装置が構成されている。A processing object loading / unloading port 47 is provided on a side portion of the processing container 1, and the loading / unloading port 47 communicates with a load lock chamber 49 via a gate valve 48 which is automatically opened / closed by a drive mechanism (not shown). It can be shut off.
The gate valve 48 is configured to be in pressure contact with the O-ring 50 so as to airtightly seal the loading / unloading port 47. In the load lock chamber 49, a transfer mechanism 51 such as a handling arm that inserts and removes the wafers W to be processed into and out of the processing container 1 one by one is provided, and the plasma etching apparatus is configured as described above.
【００４７】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について述べる。まず、ロードロック室４９内を外
部（大気）と隔離した状態でゲートバルブ４８を開き、
そのロードロック室４９よりウェハＷを所定の圧力、た
とえば１×１０-4〜数Ｔｏｒｒ程度に減圧された処理容
器１内に搬入して、支持台２のウェハＷを吸着保持する
載置台６上の静電チャック８に載置する。この際、冷却
ジャケット２０に冷媒を流通させて、この部分を−１９
６℃に維持し、これからの冷熱を載置台６を介してウェ
ハＷに伝えるとともに、温度調整用ヒータ２５の発熱量
を制御してウェハＷを所定の温度、たとえば冷温処理で
ある場合、−１０℃〜−１７０℃の範囲の所定温度に調
整維持する。そして、上部電極４２の小孔４２ｃを介し
て処理ガスを処理空間に流し、高周波電源４１をオンす
ることにより、下部電極として載置台６と上部電極４２
との間にパイプリード３７を介して、高周波電力を印加
し、処理ガスをプラズマ化し、このプラズマ中の活性種
によってウェハＷの処理面をエッチング処理する。Next, the operation of the present embodiment configured as above will be described. First, open the gate valve 48 with the inside of the load lock chamber 49 isolated from the outside (atmosphere),
The wafer W is loaded from the load lock chamber 49 into the processing container 1 which has been depressurized to a predetermined pressure, for example, about 1 × 10 −4 to several Torr, and is mounted on the mounting table 6 for holding the wafer W by suction. It is mounted on the electrostatic chuck 8. At this time, a refrigerant is circulated through the cooling jacket 20 to make this portion -19
The temperature is maintained at 6 ° C., the cold heat from this time is transmitted to the wafer W via the mounting table 6, and the heat generation amount of the temperature adjusting heater 25 is controlled to bring the wafer W to a predetermined temperature, for example, -10 if the wafer W is subjected to cold temperature processing. The temperature is adjusted and maintained at a predetermined temperature in the range of ℃ to −170 ℃. Then, the processing gas is caused to flow into the processing space through the small holes 42c of the upper electrode 42, and the high frequency power supply 41 is turned on, so that the mounting table 6 and the upper electrode 42 serve as lower electrodes.
A high-frequency power is applied to the processing gas into plasma through the pipe lead 37, and the processing surface of the wafer W is etched by the active species in the plasma.
【００４８】次に、本実施例の効果について説明する。
本発明によれば、処理室内に設置されたセンサやヒータ
などの機器と処理室外に設置された制御器や電源などの
機器とを接続する配線のうち、少なくとも処理室内に曝
される部分に、少なくとも高分子材料であって絶縁部材
のポリベンズアゾール系の材料で被覆を施しているの
で、プラズマの生起によって、プラズマ中のイオンなど
の衝撃を受けても、従来のフッ素系樹脂コーティングに
比較して、耐プラズマ特性が高く、配線の寿命を延ばす
ことが可能である。またＭｇあるいはＮｉなどの重金属
を含有していない、あるいはその含有量が少ないので、
重金属が浮遊または飛散して半導体ウェハＷに付着する
付着量を抑制でき、半導体ウェハＷの歩留まりを向上さ
せることができる。Next, the effect of this embodiment will be described.
According to the present invention, at least a portion of the wiring that connects a device such as a sensor or a heater installed inside the processing chamber and a device such as a controller or a power supply installed outside the processing chamber to the processing chamber, Since it is a polymer material and is coated with a polybenzazole-based material for the insulating member, even if it is impacted by ions in the plasma due to the generation of plasma, it will be compared to the conventional fluorine-based resin coating. Thus, the plasma resistance is high, and the life of the wiring can be extended. Further, since it does not contain a heavy metal such as Mg or Ni, or its content is small,
It is possible to suppress the amount of the heavy metal floating or scattering and adhering to the semiconductor wafer W, thereby improving the yield of the semiconductor wafer W.
【００４９】さらに、半導体ウェハＷを処理する処理温
度を常温から低温に下げても、あるいは加熱して処理す
る装置では、高温に上げても、載置台６とポリベンズア
ゾール被膜の耐熱特性が優れているので、配線の寿命を
延ばすことができる。またアルミニウム製の処理装置の
構成機器と配線とが一体的に接合されている場合であっ
ても、配線の熱膨張率が構成機器のものと略同一である
ため、剥離などによる不測の事態を回避し、装置の寿命
を延命化することができる。Further, even if the processing temperature for processing the semiconductor wafer W is lowered from room temperature to a low temperature, or in the apparatus for processing by heating, the heat resistance of the mounting table 6 and the polybenzazole coating is excellent even if it is raised to a high temperature. Therefore, the life of the wiring can be extended. Even when the component equipment of the aluminum processing device and the wiring are integrally joined, since the coefficient of thermal expansion of the wiring is almost the same as that of the component equipment, an unexpected situation such as peeling may occur. This can be avoided and the life of the device can be extended.
【００５０】また、処理室の壁部を貫通する部分の配線
にポリベンズアゾール被膜を施した場合に、ポリベンズ
アゾール被覆の硬度がＥスケールで１２５以上なので、
従来のフッ素系樹脂コーティングの場合には必要だった
真空導入端子を使用せずに、直接リードに対してＯリン
グなどによりシールを施すことができるので、装置の部
品点数を減らし、また組立を容易に行うことができる。When the polybenzazole coating is applied to the wiring that penetrates the wall of the processing chamber, the hardness of the polybenzazole coating is 125 or more on the E scale.
Since it is possible to directly seal the lead with an O-ring, etc. without using the vacuum lead-in terminal which was required in the case of the conventional fluorine resin coating, the number of parts of the device can be reduced and the assembly is easy. Can be done.
【００５１】また処理容器１内をクリーニングする際に
使用する腐食性ガス、たとえば塩素系のＣｌＦ3ガスを
用いても、ポリベンズアゾール被膜は耐プラズマ、耐薬
品、耐腐食性能が従来のフッ素系樹脂に比較して高いの
で、腐食あるいはエッチングの進行を抑制することがで
き、装置の寿命を延ばすことができる。Even when a corrosive gas used for cleaning the inside of the processing container 1, for example, a chlorine-based ClF 3 gas is used, the polybenzazole film has a plasma resistance, a chemical resistance, and a corrosion resistance of the conventional fluorine-based gas. Since it is higher than the resin, the progress of corrosion or etching can be suppressed, and the life of the device can be extended.
【００５２】なお、上記実施例にあっては、本発明をプ
ラズマエッチング装置へ適用した場合について説明した
が、本発明はこれに限定されず、加熱して処理する装
置、たとえば３０℃〜４３５℃の範囲の所定温度下にて
被処理体を処理する装置、たとえば熱処理装置あるいは
ＣＶＤ装置あるいはプラズマＣＶＤ装置にも適用するこ
とが可能である。In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the plasma etching apparatus has been described, but the present invention is not limited to this, and an apparatus for heating and processing, for example, 30 ° C. to 435 ° C. The present invention can be applied to an apparatus that processes an object to be processed at a predetermined temperature within the range, for example, a heat treatment apparatus, a CVD apparatus, or a plasma CVD apparatus.
【００５３】[0053]
【発明の効果】請求項１によれば、処理室の内外に設置
された機器同士を結ぶ配線のうち、少なくとも処理室内
に曝される部分に対して、従来のフッ素系樹脂あるいは
エナメルコーティングに比較して、耐プラズマ、耐熱、
耐薬品、耐腐食、機械的強度などの物性に優れたポリベ
ンズアゾール被覆を用いるので、配線の寿命を延ばすこ
とができるとともに、装置組立の自由度を増すことがで
きる。According to the first aspect of the present invention, at least the portion of the wiring connecting the devices installed inside and outside the processing chamber that is exposed to the inside of the processing chamber is compared with the conventional fluororesin or enamel coating. Plasma resistant, heat resistant,
Since the polybenzazole coating excellent in physical properties such as chemical resistance, corrosion resistance and mechanical strength is used, the life of the wiring can be extended and the degree of freedom in assembling the device can be increased.
【００５４】また請求項２によれば、少なくとも処理室
の壁部を貫通する部分の配線に機械的強度に優れ、導線
に密着したポリベンズアゾール被覆を施すので、従来の
フッ素系樹脂のように真空導入端子などを用いずに、Ｏ
リングなどにより直接シールを施すことが可能である。
その場合に、請求項３のように、壁部を貫通する部分の
ポリベンズアゾール被覆のコーティング厚さを厚くする
ことによりより効果的に確実なシールを達成できる。According to the second aspect of the present invention, at least the wiring that penetrates the wall of the processing chamber is coated with polybenzazole that is excellent in mechanical strength and adheres closely to the lead wire. O without using a vacuum introduction terminal
It is possible to directly seal with a ring or the like.
In that case, as described in claim 3, by increasing the coating thickness of the polybenzazole coating in the portion penetrating the wall portion, a more effective and reliable seal can be achieved.
【図１】本発明に係る処理装置の一実施例を示すプラズ
マエッチング処理装置の概略を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a plasma etching processing apparatus showing an embodiment of a processing apparatus according to the present invention.
【図２】処理室の壁部を貫通する部分の配線構造の一実
施例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a wiring structure of a portion penetrating a wall portion of a processing chamber.
【図３】処理室の壁部を貫通する部分の配線構造の他の
実施例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing another embodiment of the wiring structure of a portion penetrating the wall of the processing chamber.
【図４】本発明に係る処理装置の他の実施例を示すプラ
ズマエッチング装置処理装置の概略を示す断面図であ
る。FIG. 4 is a sectional view schematically showing a plasma etching apparatus processing apparatus showing another embodiment of the processing apparatus according to the present invention.
【図５】従来のフッ素系樹脂をコーティングを施した導
線の概略図である。FIG. 5 is a schematic view of a conventional conductive wire coated with a fluororesin.
【図６】従来のエナメルコーティングを施した導線の概
略図である。FIG. 6 is a schematic view of a conventional wire with an enamel coating.
【図７】従来のフッ素系樹脂をコーティングした導線を
処理室の壁部を貫通させる際の接続構造を示す断面図で
ある。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a connection structure when a conventional conductive wire coated with a fluorine-based resin penetrates a wall of a processing chamber.
１ 処理室 ６ 載置台 ２６ 電力供給リード ３１、３５ 信号供給リード ８０ 壁部 ８１ 貫通孔 ８２ 封止部材 ８３ ポリベンズアゾール被膜 DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS 1 processing chamber 6 mounting table 26 power supply leads 31, 35 signal supply leads 80 wall 81 through hole 82 sealing member 83 polybenzazole coating
Claims (5)
持し、前記被処理体に対して所定の処理を施すための処
理装置であって、前記処理室内に設置された機器と前記
処理室外に設置された機器とを結ぶ配線材の少なくとも
前記処理室内に曝される部分に対してポリベンズアゾー
ル被膜を設けたことを特徴とする処理装置。1. A processing apparatus for holding an object to be processed on a mounting table in a processing chamber and performing a predetermined process on the object, the apparatus installed in the processing chamber and the outside of the processing chamber. A treatment apparatus, wherein a polybenzazole coating film is provided on at least a portion of a wiring material connecting to a device installed in the treatment chamber, the portion being exposed in the treatment chamber.
持し、前記被処理体に対して所定の処理を施すための処
理装置であって、前記処理室内に設置された機器と前記
処理室外に設置された機器とを結ぶ配線材の少なくとも
前記処理室の壁部を貫通する部分に対してポリベンズア
ゾール被膜を設けたことを特徴とする処理装置。2. A processing apparatus for holding an object to be processed on a mounting table in a processing chamber and performing a predetermined process on the object, wherein the equipment installed in the processing chamber and the outside of the processing chamber. A treatment apparatus, wherein a polybenzazole coating film is provided on at least a portion of a wiring material that connects with a device installed in the wall of the treatment chamber.
部を貫通する部分に設けられたポリベンズアゾール被膜
に厚みを持たせたことを特徴とする、請求項１または２
のいずれかに記載の処理装置。3. The polybenzazole coating provided on at least a portion of the wiring member that penetrates through the wall of the processing chamber has a thickness.
The processing device according to any one of 1.
部を貫通する部分が、その被貫通壁部に対して封止部材
により封止されていることを特徴とする、請求項１、２
または３のいずれかに記載の処理装置。4. The wiring member according to claim 1, wherein at least a portion that penetrates the wall portion of the processing chamber is sealed by a sealing member with respect to the wall portion to be penetrated.
Or the processing device according to any one of 3 above.
処理する加熱処理および／または処理室内に生起された
プラズマ中の活性種によって被処理体を処理するプラズ
マ処理であることを特徴とする、請求項１、２、３また
は４のいずれかに記載の処理装置。5. The predetermined treatment is a heating treatment for heating an object to be treated and / or a plasma treatment for treating the object with an active species in plasma generated in a processing chamber. The processing device according to claim 1, 2, 3, or 4.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34983393A JPH07201824A (en) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | Processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34983393A JPH07201824A (en) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | Processor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201824A true JPH07201824A (en) | 1995-08-04 |
Family
ID=18406422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34983393A Withdrawn JPH07201824A (en) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | Processor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201824A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011511475A (en) * | 2008-02-08 | 2011-04-07 | ラム リサーチ コーポレーション | Protective coating for parts of plasma processing chamber and method of use thereof |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP34983393A patent/JPH07201824A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2011511475A (en) * | 2008-02-08 | 2011-04-07 | ラム リサーチ コーポレーション | Protective coating for parts of plasma processing chamber and method of use thereof |
| US8522716B2 (en) | 2008-02-08 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Protective coating for a plasma processing chamber part and a method of use |
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